KR102341045B1 - Substrate processing apparatus and method of manufacturing article - Google Patents

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Abstract

기판 처리 장치는, 기판을 처킹하는 척면을 갖는 기판 척을 유지하는 기판 스테이지와, 상기 기판 스테이지를 구동하는 스테이지 구동 기구와, 상기 척면을 클리닝하기 위한 클리닝면을 갖는 클리닝 플레이트를 구동하는 플레이트 구동 기구와, 상기 클리닝 플레이트에 대하여 상기 기판 척이 상대적으로 이동함으로써 상기 척면이 클리닝되도록, 상기 스테이지 구동 기구 및 상기 플레이트 구동 기구의 적어도 한쪽의 동작을 제어하는 제어부를 구비하고, 상기 제어부는, 상기 척면의 높이 분포를 나타내는 척면 정보와 상기 클리닝면의 높이 분포를 나타내는 클리닝면 정보에 기초하여 상기 동작을 제어한다.A substrate processing apparatus includes a substrate stage holding a substrate chuck having a chuck surface for chucking a substrate, a stage driving mechanism for driving the substrate stage, and a plate driving mechanism for driving a cleaning plate having a cleaning surface for cleaning the chuck surface and a control unit for controlling operations of at least one of the stage driving mechanism and the plate driving mechanism so that the chuck surface is cleaned by relatively moving the substrate chuck with respect to the cleaning plate, wherein the control unit includes: The operation is controlled based on the chuck surface information indicating the height distribution and the cleaning surface information indicating the height distribution of the cleaning surface.

Description

기판 처리 장치 및 물품 제조 방법{SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS AND METHOD OF MANUFACTURING ARTICLE}SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS AND METHOD OF MANUFACTURING ARTICLE

본 발명은, 기판 처리 장치 및 물품 제조 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a substrate processing apparatus and a method of manufacturing an article.

근년, 반도체 메모리의 제조 분야에서는 점점 회로의 미세화가 진행되고, 요구되는 회로선 폭은 0.01㎛ 이하에 달하고 있다. 이 요구를 충족시키기 위해서는 리소그래피 공정에서 회로 패턴을 노광에 의해 기판에 전사하는 노광 장치의 해상력을 향상시키지 않으면 안된다. 이것에 대해서는, 투영 렌즈의 개구수를 크게 함으로써 해상력의 향상을 도모해 왔지만, 개구수의 증가는 초점 심도를 감소시킨다. 이 때문에 투영 렌즈의 초점 심도는 매우 짧아졌다. 이 매우 짧은 초점 심도에 대응하기 위해서, 기판에 요구되는 평면도가 엄격해지게 되었다. 기판과 그것을 처킹하는 기판 척 사이에 미소한 파티클(이물), 예를 들어 레지스트 부스러기가 끼는 경우가 있다. 그러한 일이 일어나면, 기판은, 파티클의 위쪽 부분이 불룩해진다. 그 때문에 국소적인 디포커스가 발생되고, 이에 의해 칩 불량을 일으킨다. 이것은 노광 공정에 있어서의 수율을 저하시키는 원인이 된다.In recent years, circuit miniaturization is progressing gradually in the field of semiconductor memory manufacturing, and the required circuit line width has reached 0.01 mu m or less. In order to satisfy this demand, it is necessary to improve the resolution of an exposure apparatus that transfers a circuit pattern onto a substrate by exposure in a lithography process. In this regard, improvement of the resolution has been attempted by increasing the numerical aperture of the projection lens, but increasing the numerical aperture reduces the depth of focus. Because of this, the depth of focus of the projection lens is very short. In order to cope with this very short depth of focus, the flatness required for the substrate has become strict. A minute particle (foreign matter), for example, resist debris, may get caught between the substrate and the substrate chuck chucking it. When that happens, the substrate bulges at the top of the particles. Therefore, local defocus is generated, thereby causing chip failure. This becomes a cause of reducing the yield in an exposure process.

특허문헌 1에는, 웨이퍼 스테이지 상의 척의 표면과 클리닝용 기판의 하면을 접촉시켜서, 척을 그 표면에 평행한 면 내에서 운동시킴으로써 척의 표면을 클리닝하는 기능을 갖는 반도체 제조 장치가 기재되어 있다. 특허문헌 2에는, 웨이퍼 척을 클리닝하는 클리닝 플레이트를 웨이퍼 척의 표면에 접촉시켜 클리닝 플레이트를 회전시킴으로써 웨이퍼 척의 표면을 클리닝하는 기능을 갖는 반도체 노광 장치가 기재되어 있다. Patent Document 1 describes a semiconductor manufacturing apparatus having a function of cleaning the surface of a chuck by bringing the surface of a chuck on a wafer stage into contact with the lower surface of a substrate for cleaning and moving the chuck in a plane parallel to the surface. Patent Document 2 describes a semiconductor exposure apparatus having a function of cleaning the surface of the wafer chuck by rotating the cleaning plate by bringing the cleaning plate for cleaning the wafer chuck into contact with the surface of the wafer chuck.

일본 특허 출원 평7-130637호 공보Japanese Patent Application Publication No. 7-130637 일본 특허 공개 평9-283418호 공보Japanese Patent Laid-Open No. 9-283418

기판 척의 척면의 클리닝의 반복에 의해 클리닝 플레이트의 클리닝면은, 마모에 의해 평탄도가 저하될 수 있다. 또한, 클리닝 플레이트를 유지하기 위한 부재 구조에 의해서도, 클리닝 플레이트의 클리닝면의 평탄도가 저하될 수 있다. 또한, 클리닝 플레이트를 유지하기 위한 부재 공차 등에 의해서도, 클리닝 플레이트의 클리닝면의 평탄도가 저하될 수 있다. 클리닝면의 평탄도가 낮으면, 기판 척의 척면의 요구 정밀도를 충족하도록 클리닝하는 것이 어렵다.The flatness of the cleaning surface of the cleaning plate may be deteriorated due to abrasion due to repeated cleaning of the chuck surface of the substrate chuck. Further, even by the member structure for holding the cleaning plate, the flatness of the cleaning surface of the cleaning plate may be lowered. Also, the flatness of the cleaning surface of the cleaning plate may be deteriorated due to member tolerance for holding the cleaning plate or the like. When the flatness of the cleaning surface is low, it is difficult to clean so as to meet the required precision of the chuck surface of the substrate chuck.

본 발명은, 기판 척의 척면의 클리닝에 유리한 기술을 제공하는 것을 목적으로 한다.An object of the present invention is to provide a technique advantageous for cleaning the chuck surface of a substrate chuck.

본 발명의 하나의 측면은, 기판 처리 장치에 관계되고, 상기 기판 처리 장치는, 기판을 처킹하는 척면을 갖는 기판 척을 유지하는 기판 스테이지와, 상기 기판 스테이지를 구동하는 스테이지 구동 기구와, 상기 척면을 클리닝하기 위한 클리닝면을 갖는 클리닝 플레이트를 구동하는 플레이트 구동 기구와, 상기 클리닝 플레이트에 대하여 상기 기판 척이 상대적으로 이동함으로써 상기 척면이 클리닝되도록, 상기 스테이지 구동 기구 및 상기 플레이트 구동 기구의 적어도 한쪽의 동작을 제어하는 제어부를 구비하고, 상기 제어부는, 상기 척면의 높이 분포를 나타내는 척면 정보와 상기 클리닝면의 높이 분포를 나타내는 클리닝면 정보에 기초하여 상기 동작을 제어한다.One aspect of the present invention relates to a substrate processing apparatus, comprising: a substrate stage holding a substrate chuck having a chuck surface for chucking a substrate; a stage driving mechanism for driving the substrate stage; a plate driving mechanism for driving a cleaning plate having a cleaning surface for cleaning and a control unit for controlling an operation, wherein the control unit controls the operation based on chuck surface information indicating a height distribution of the chuck surface and cleaning surface information indicating a height distribution of the cleaning surface.

본 발명에 따르면, 기판 척의 척면의 클리닝에 유리한 기술이 제공된다.According to the present invention, a technique advantageous for cleaning the chuck surface of a substrate chuck is provided.

도 1은, 본 발명의 기판 처리 장치의 일 실시 형태의 노광 장치의 구성을 도시하는 도면.
도 2는, 클리닝 플레이트를 사용하여 기판 척의 척면을 클리닝하는 처리를 모식적으로 도시하는 도면.
도 3의 A는, 클리닝 플레이트와 파지부의 위치 관계를 예시하는 도면.
도 3의 B는, 클리닝 처리에 있어서의 클리닝 플레이트에 대한 척면의 상대적인 이동을 예시하는 도면.
도 4는, 기판 척의 척면의 높이 분포(척면 정보)의 일례를 모식적으로 도시하는 도면.
도 5는, 기판 척의 척면을 클리닝하는 클리닝 처리의 흐름을 도시하는 도면.
도 6은, 방위각 AZ=0에 있어서의 척면의 제2 영역과 오목부 영역의 관계, 및 제2 영역과 대면 영역의 관계를 예시하는 도면.
도 7은, 방위각AZ=az1에 있어서의 척면의 제2 영역과 오목부 영역의 관계, 및 제2 영역과 대면 영역의 관계를 예시하는 도면.
도 8은, 척면의 제2 영역의 배치에 관한 것 외의 예를 나타내는 도면.
도 9는, 도 8의 예의 제2 영역과, AZ=0에 있어서의 오목부 영역 및 대면 영역의 관계를 예시하는 도면.
도 10은, 도 8의 예의 제2 영역과, AZ=az2에 있어서의 오목부 영역 및 대면 영역의 관계를 예시하는 도면.
도 11은, 도 8의 예의 제2 영역과, AZ=az3에 있어서의 오목부 영역 및 대면 영역의 관계를 예시하는 도면.
도 12는, 도 8에 예시된 척면을 클리닝한 후의 척면 정보를 예시하는 도면.
도 13은, 도 12의 척면 정보에 기초하여 갱신된 클리닝면 정보(오목부 영역 및 대면 영역)를 예시하는 도면.
도 14는, 다음의 처리에 있어서의 방위각을 예시하는 도면.BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS It is a figure which shows the structure of the exposure apparatus of one Embodiment of the substrate processing apparatus of this invention.
Fig. 2 is a diagram schematically showing a process for cleaning the chuck surface of the substrate chuck using a cleaning plate;
Fig. 3A is a diagram illustrating a positional relationship between the cleaning plate and the gripper.
Fig. 3B is a diagram illustrating the relative movement of the chuck surface with respect to the cleaning plate in the cleaning process.
4 is a diagram schematically illustrating an example of height distribution (chuck surface information) of a chuck surface of a substrate chuck.
Fig. 5 is a diagram showing a flow of a cleaning process for cleaning the chuck surface of the substrate chuck;
Fig. 6 is a diagram illustrating a relationship between a second region of the chuck surface and a concave region, and a relationship between the second region and a face-to-face region at an azimuth angle AZ=0;
Fig. 7 is a diagram illustrating the relationship between the second region and the concave region of the chuck surface at the azimuth AZ = az1, and the relationship between the second region and the face region;
Fig. 8 is a diagram showing an example other than the arrangement of the second region of the chuck surface;
Fig. 9 is a diagram illustrating the relationship between the second region in the example of Fig. 8 and the concave region and the facing region at AZ = 0;
Fig. 10 is a diagram illustrating the relationship between the second region in the example of Fig. 8 and the concave region and the facing region in AZ = az2;
Fig. 11 is a diagram illustrating the relationship between the second region in the example of Fig. 8 and the concave region and the facing region in AZ = az3;
Fig. 12 is a diagram illustrating chuck surface information after cleaning the chuck surface illustrated in Fig. 8;
Fig. 13 is a diagram exemplifying cleaning surface information (a concave portion area and a facing area) updated based on the chuck surface information in Fig. 12;
Fig. 14 is a diagram illustrating an azimuth in the following processing;

이하, 첨부 도면을 참조하면서 본 발명을 그 예시적인 실시 형태를 통하여 설명한다. 이하에서는, 본 발명에 따른 기판 처리 장치를 패턴 형성 장치로서의 노광 장치에 적용한 예를 설명하지만, 본 발명은, 예를 들어 플라스마 처리 장치, 이온 주입 장치, 연마 장치(CMP장치를 포함함) 또는 검사 장치 등과 같은 다른 기판 처리 장치에 적용할 수도 있다. 또한, 패턴 형성 장치의 개념에는, 노광 장치 외에, 임프린트 장치가 포함될 수 있다.DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Hereinafter, the present invention will be described through exemplary embodiments thereof with reference to the accompanying drawings. Hereinafter, an example in which the substrate processing apparatus according to the present invention is applied to an exposure apparatus as a pattern forming apparatus is described. However, the present invention is, for example, a plasma processing apparatus, an ion implantation apparatus, a polishing apparatus (including a CMP apparatus), or an inspection apparatus. It can also be applied to other substrate processing apparatuses, such as apparatus. Also, the concept of the pattern forming apparatus may include an imprint apparatus in addition to the exposure apparatus.

도 1에는, 본 발명의 기판 처리 장치의 일 실시 형태의 노광 장치 EX의 구성이 나타나 있다. 노광 장치 EX는, 조명계(1), 원판 스테이지(3), 계측기(4), 투영 광학계(5), 기판 척(8), 기판 스테이지(13), 기판 스테이지 구동 기구(14), 계측기(7), 지지 베이스, 포커스 계측기(10), 플레이트 구동 기구(30) 및 제어부(18)를 구비할 수 있다. 이 명세서 및 첨부 도면에서는, 투영 광학계(5)의 광축 AX에 평행한 방향을 Z축으로 하는 XYZ 좌표계에 있어서 방향을 나타낸다. XYZ 좌표계에 있어서의 X축, Y축, Z축에 각각 평행한 방향을 X 방향, Y 방향, Z 방향이라 하고, X축 둘레의 회전, Y축 둘레의 회전, Z축 둘레의 회전을 각각 θX, θY, θZ라 한다. X축, Y축, Z축에 관한 제어 또는 구동은, 각각 X축에 평행한 방향, Y축에 평행한 방향, Z축에 평행한 방향에 관한 제어 또는 구동을 의미한다. 또한, θX축, θY축, θZ축에 관한 제어 또는 구동은, 각각 X축에 평행한 축의 둘레 회전, Y축에 평행한 축의 둘레 회전, Z축에 평행한 축의 둘레 회전에 관한 제어 또는 구동을 의미한다. 또한, 위치는 X축, Y축, Z축의 좌표에 기초하여 특정될 수 있는 정보이고, 자세는 θX축, θY축, θZ축의 값으로 특정될 수 있는 정보이다.1, the structure of the exposure apparatus EX of one Embodiment of the substrate processing apparatus of this invention is shown. The exposure apparatus EX includes an illumination system 1 , an original stage 3 , a measuring instrument 4 , a projection optical system 5 , a substrate chuck 8 , a substrate stage 13 , a substrate stage driving mechanism 14 , and a measuring instrument 7 . ), a support base, a focus meter 10 , a plate driving mechanism 30 and a control unit 18 . In this specification and accompanying drawings, the direction is shown in the XYZ coordinate system which makes the direction parallel to the optical axis AX of the projection optical system 5 as a Z axis. In the XYZ coordinate system, directions parallel to the X, Y, and Z axes are referred to as the X direction, Y direction, and Z direction, and rotation around the X axis, rotation around the Y axis, and rotation around the Z axis are respectively θX , θY, θZ. Control or drive with respect to the X-axis, Y-axis, and Z-axis means control or drive with respect to a direction parallel to the X-axis, a direction parallel to the Y-axis, and a direction parallel to the Z-axis, respectively. In addition, the control or drive regarding the θX axis, the θY axis, and the θZ axis respectively control or drive the circumferential rotation of an axis parallel to the X axis, the circumferential rotation of an axis parallel to the Y axis, and the circumferential rotation of an axis parallel to the Z axis. it means. In addition, the position is information that can be specified based on the coordinates of the X-axis, Y-axis, and Z-axis, and the posture is information that can be specified with values of the θX-axis, θY-axis, and θZ-axis.

원판 스테이지(3)는, 원판(레티클)(2)을 척(유지)한다. 원판 스테이지(3)는, 도시하지 않은 원판 스테이지 구동 기구에 의해, X축, Y축, Z축, θX축, θY축, θZ축에 대하여 구동된다. 계측기(4)는, 원판 스테이지(3)의 위치(X축, Y축, Z축) 및 자세(θX축, θY축, θZ축)를 계측한다. 투영 광학계(5)는, 원판(2)의 패턴을 기판(9)에 투영한다. 기판 척(8)은 기판(9)을 척(유지)한다. 기판 스테이지(13)은 기판 척(8)을 유지한다. 기판 스테이지 구동 기구(14)는 X축, Y축, Z축, θX축, θY축, θZ축에 대하여 기판 스테이지(13)를 구동한다. 계측기(7)는 기판 스테이지(13)의 위치(X축, Y축, Z축) 및 자세(θX축, θY축, θZ축)를 계측한다. 지지 베이스(15)는, 기판 스테이지(13)를 지지한다. 포커스 계측기(10)는, 기판(9)의 표면 높이 및 자세(θX축, θY축)를 계측한다.The original stage 3 chucks (holds) the original plate (reticle) 2 . The disk stage 3 is driven with respect to the X-axis, Y-axis, Z-axis, θX-axis, θY-axis, and θZ-axis by an unillustrated disk stage driving mechanism. The measuring device 4 measures the position (X-axis, Y-axis, Z-axis) and posture (θX-axis, θY-axis, θZ-axis) of the disk stage 3 . The projection optical system 5 projects the pattern of the original plate 2 onto the substrate 9 . The substrate chuck 8 chucks (holds) the substrate 9 . The substrate stage 13 holds the substrate chuck 8 . The substrate stage driving mechanism 14 drives the substrate stage 13 with respect to the X axis, Y axis, Z axis, θX axis, θY axis, and θZ axis. The measuring instrument 7 measures the position (X-axis, Y-axis, Z-axis) and posture (θX-axis, θY-axis, θZ-axis) of the substrate stage 13 . The support base 15 supports the substrate stage 13 . The focus measuring instrument 10 measures the surface height and posture (θX axis, θY axis) of the substrate 9 .

플레이트 구동 기구(30)는, 클리닝 플레이트(20)를 파지부(31)에 의해 파지하고 구동한다. 플레이트 구동 기구(30)는, 예를 들어 클리닝 플레이트(20)를 Z축 및 θZ축에 대하여 구동하도록 구성될 수 있다. 클리닝 플레이트(20)는 기판 척(8)의 척면(81)(기판(9)을 처킹하는 면)을 클리닝하기 위한 클리닝면(21)을 갖는다. 제어부(18)는, 예를 들어 FPGA(Field Programmable Gate Array의 약기) 등의 PLD(Programmable Logic Device의 약기), 또는, ASIC(Application Specific Integrated Circuit의 약기), 또는, 프로그램이 내장된 범용 컴퓨터, 또는, 이들의 전부 또는 일부의 조합에 의해 구성될 수 있다.The plate driving mechanism 30 holds and drives the cleaning plate 20 by the holding part 31 . The plate drive mechanism 30 may be configured to, for example, drive the cleaning plate 20 about the Z axis and the θZ axis. The cleaning plate 20 has a cleaning surface 21 for cleaning the chuck surface 81 of the substrate chuck 8 (the surface for chucking the substrate 9). The control unit 18, for example, PLD (abbreviation for Programmable Logic Device) such as FPGA (abbreviation for Field Programmable Gate Array), or ASIC (abbreviation for Application Specific Integrated Circuit), or a general-purpose computer with a built-in program; Alternatively, it may be configured by a combination of all or a part thereof.

도 2에는, 클리닝 플레이트(20)를 사용하여 기판 척(8)의 척면(81)을 클리닝하는 클리닝 처리가 모식적으로 도시되어 있다. 기판 척(8)의 척면(81)의 클리닝 처리에서는, 제어부(18)은 소정의 작업 영역에 있어서 척면(81)에 클리닝 플레이트(20)의 클리닝면(21)이 접촉하도록, 기판 스테이지 구동 기구(14) 및 플레이트 구동 기구(30)을 제어한다. 그리고, 제어부(18)은 클리닝 플레이트(20)에 대하여 척면(81)이 상대적으로 이동하도록 기판 스테이지 구동 기구(14)의 동작을 제어한다. 이에 의해, 기판 척(8)의 척면(81)의 클리닝이 이루어진다. 여기서, 제어부(18)는, 척면(81)의 클리닝이 이루어지도록 기판 스테이지 구동 기구(14) 및 플레이트 구동 기구(30)의 적어도 한쪽의 동작을 제어하도록 구성되어도 된다. 제어부(18)는, 척면(81)의 높이 분포를 나타내는 척면 정보와 클리닝면(21)의 높이 분포를 나타내는 클리닝면 정보에 기초하여 구동 제어 정보를 생성할 수 있다. 높이 분포는, 2차원 공간 내의 복수의 위치에 있어서의 높이를 매핑한 정보일 수 있다.FIG. 2 schematically shows a cleaning process for cleaning the chuck surface 81 of the substrate chuck 8 using the cleaning plate 20 . In the cleaning process of the chuck surface 81 of the substrate chuck 8 , the control unit 18 controls the substrate stage driving mechanism so that the cleaning surface 21 of the cleaning plate 20 comes into contact with the chuck surface 81 in a predetermined working area. (14) and the plate drive mechanism (30). Then, the control unit 18 controls the operation of the substrate stage driving mechanism 14 so that the chuck surface 81 is relatively moved with respect to the cleaning plate 20 . Thereby, the chuck surface 81 of the substrate chuck 8 is cleaned. Here, the control unit 18 may be configured to control the operation of at least one of the substrate stage driving mechanism 14 and the plate driving mechanism 30 so that the chuck surface 81 is cleaned. The controller 18 may generate driving control information based on chuck surface information indicating a height distribution of the chuck surface 81 and cleaning surface information indicating a height distribution of the cleaning surface 21 . The height distribution may be information obtained by mapping heights at a plurality of positions in a two-dimensional space.

도 3의 A에는, 클리닝 플레이트(20)와 파지부(31)의 위치 관계가 예시되어 있다. 도 3의 A는, 하방에서 본 도면이다. 클리닝면(21)은 유효 영역(61)과, 비유효 영역(40)을 포함하고, 비유효 영역(40)은 유효 영역(61)보다 오목한 오목부 영역(41)을 포함할 수 있다. 유효 영역(61)은 평탄한 영역이고, 기판 척(8)의 척면(81)의 클리닝 처리에 있어서, 척면(81)에 접촉하고, 척면(81)의 클리닝에 기여하는 영역이다. 비유효 영역(40)의 오목부 영역(41)은, 유효 영역(61)보다 오목하게 되어 있기 때문에, 기판 척(8)의 척면(81)의 클리닝 처리에 있어서, 척면(81)에 접촉하지 않거나, 척면(81)에 대한 접촉압이 유효 영역(61)보다도 낮은 영역이다.3A , the positional relationship between the cleaning plate 20 and the gripper 31 is exemplified. Fig. 3A is a view seen from below. The cleaning surface 21 may include an effective area 61 and an ineffective area 40 , and the ineffective area 40 may include a concave area 41 concave than the effective area 61 . The effective region 61 is a flat region, and in the cleaning process of the chuck surface 81 of the substrate chuck 8 , is a region in contact with the chuck surface 81 and contributing to the cleaning of the chuck surface 81 . Since the concave region 41 of the ineffective region 40 is more concave than the effective region 61 , in the cleaning process of the chuck surface 81 of the substrate chuck 8 , it does not come into contact with the chuck surface 81 . Otherwise, the contact pressure with respect to the chuck surface 81 is lower than the effective area 61 .

도 3의 B에는, 클리닝 처리에 있어서의 클리닝 플레이트(20)에 대한 척면(81)의 상대적인 이동이 예시적으로 나타나 있다. 제어부(18)는, 클리닝 플레이트(20)에 대한 기판 척(8)(척면(81))의 상대적인 이동에 있어서 척면(81)의 중심 C가, 중심 C로부터 어긋난 점 A의 둘레를 공전하도록, 해당 상대적인 이동을 제어할 수 있다. 환언하면, 제어부(18)는 기판 척(8)이 편심 운동을 하도록 해당 상대적인 이동을 제어할 수 있다. 유효 영역(61)은, 클리닝 플레이트(20)에 대하여 기판 척(8)이 상대적으로 이동하는 기간의 일부에 있어서 오목부 영역(41)이 척면(81)에 대하여 대면하는 대면 영역(42)을 포함할 수 있다. 대면 영역(42)에 의한 척면(81)의 클리닝 효과는, 유효 영역(61)에 의한 척면(81)의 클리닝 효과보다 낮다.3B exemplarily shows the relative movement of the chuck surface 81 with respect to the cleaning plate 20 in the cleaning process. In the relative movement of the substrate chuck 8 (chuck surface 81) with respect to the cleaning plate 20, the control unit 18 causes the center C of the chuck surface 81 to revolve around a point A deviating from the center C, You can control that relative movement. In other words, the control unit 18 may control the relative movement of the substrate chuck 8 to cause an eccentric motion. The effective area 61 is a facing area 42 in which the recess area 41 faces the chuck surface 81 in a part of the period in which the substrate chuck 8 moves relative to the cleaning plate 20 . may include The cleaning effect of the chuck surface 81 by the facing area 42 is lower than the cleaning effect of the chuck surface 81 by the effective area 61 .

제어부(18)는, 클리닝 플레이트(20)에 대한 기판 척(8)의 상대적인 이동에 있어서 클리닝 플레이트(20)의 중심이, 해당 중심으로부터 어긋난 점의 둘레를 공전하도록, 해당 상대적인 이동을 제어해도 된다. 환언하면, 제어부(18)는, 클리닝 플레이트(20)가 편심 운동을 하도록 해당 상대적인 이동을 제어해도 된다.The control unit 18 may control the relative movement so that the center of the cleaning plate 20 revolves around a point deviating from the center in the relative movement of the substrate chuck 8 with respect to the cleaning plate 20 . . In other words, the control unit 18 may control the relative movement of the cleaning plate 20 so that the cleaning plate 20 performs an eccentric motion.

오목부 영역(41)은, 예를 들어 파지부(31)에 의해 파지되는 영역(즉, 파지부(31)의 구조에 기인하는 영역)일 수 있다. 또는, 오목부 영역(41)은, 기판 척(8)의 척면(81)의 클리닝 처리의 반복에 의해 클리닝면(21)(유효 영역(61))이 마모됨으로써 발생할 수 있다. 혹은, 오목부 영역(41)은 클리닝 플레이트(20)를 유지하기 위한 파지부(31)의 공차에 의해 발생할 수 있다. θZ축에 관한 클리닝 플레이트(20)(클리닝면(21))의 자세는, 방위각 AZ로 나타난다. θZ축에 관한 클리닝 플레이트(20)(클리닝면(21))의 자세(방위각 AZ)는, 예를 들어 플레이트 구동 기구(30)에 의해 제어 가능하다. 오목부 영역(41)은, 클리닝면(21)의 높이 분포를 나타내는 클리닝면 정보에 기초하여 특정될 수 있다.The recessed portion region 41 may be, for example, a region gripped by the gripping portion 31 (ie, a region resulting from the structure of the gripping portion 31 ). Alternatively, the concave portion region 41 may be generated by abrasion of the cleaning surface 21 (effective region 61 ) by repetition of the cleaning process of the chuck surface 81 of the substrate chuck 8 . Alternatively, the concave region 41 may be generated due to a tolerance of the gripper 31 for holding the cleaning plate 20 . The posture of the cleaning plate 20 (cleaning surface 21) with respect to the θZ axis is represented by the azimuth AZ. The attitude (azimuth AZ) of the cleaning plate 20 (cleaning surface 21 ) with respect to the θZ axis is controllable by, for example, the plate drive mechanism 30 . The concave portion region 41 can be specified based on cleaning surface information indicating the height distribution of the cleaning surface 21 .

도 4에는, 기판 척(8)의 척면(81)의 높이 분포(또는, 해당 높이 분포를 나타내는 척면 정보)의 일례가 모식적으로 도시되어 있다. 도 4의 예에 있어서, 척면(81) 상에 파티클 P가 부착되어 있고, 이에 의해 척면(81)에 요철이 형성되고, 평탄도가 저하되어 있다. 척면(81)은 제1 영역(평탄한 영역, 혹은, 파티클 P가 존재하지 않는 영역)과, 제1 영역보다 돌출된 제2 영역(파티클 P가 존재하는 영역)을 포함할 수 있다. 제어부(18)는 척면 정보에 기초하여 제2 영역을 특정하고, 클리닝면(21)의 유효 영역(61)에 의해 척면(81)의 제2 영역이 클리닝되도록 기판 스테이지 구동 기구(14) 및 플레이트 구동 기구(30)의 적어도 한쪽의 동작을 제어할 수 있다.4 schematically shows an example of the height distribution (or chuck surface information indicating the height distribution) of the chuck surface 81 of the substrate chuck 8 . In the example of FIG. 4 , particles P are attached to the chuck surface 81 , whereby unevenness is formed on the chuck surface 81 , and the flatness is lowered. The chuck surface 81 may include a first area (a flat area or an area in which the particle P does not exist) and a second area (a area in which the particle P exists) that protrudes from the first area. The control unit 18 specifies the second area based on the chuck surface information, and the substrate stage driving mechanism 14 and the plate so that the second area of the chuck surface 81 is cleaned by the effective area 61 of the cleaning surface 21 . At least one operation of the drive mechanism 30 can be controlled.

제어부(18)는, 관리부(181)를 포함할 수 있다. 관리부(181)는, 척면 정보를 해당 척면 정보에 관한 척면(81)을 갖는 기판 척(8)과 대응지어서 관리할 수 있다. 혹은, 관리부(181)는 척면 정보를 기판 척(8)과 대응지어서 관리함과 함께, 그 기판 척(8)의 척면(81)의 클리닝에 사용되는 클리닝 플레이트(20)의 클리닝면 정보를 관리할 수 있다. 관리부(181)는, 예를 들어 새로운 척면 정보를 취득할 때마다, 등록되어 있는 척면 정보를 그 새로운 척면 정보에 의해 갱신한다. 척면 정보는, 도시하지 않은 계측 장치에 의한 계측에 의해 생성되어도 되고, 기판 척(8)에 의해 기판(9)이 처킹된 상태에서 포커스 계측기(10)에 의해 기판(9)의 전역에 걸쳐 기판(9)의 표면 높이를 계측함으로써 생성되어도 된다. 기판 척(8)의 척면(81)에 파티클 P가 부착되어 있는 경우, 그것은 기판(9)의 표면 높이 계측의 결과에 나타날 수 있다. 기판(9)의 표면이 다른 영역보다도 높은 영역을 갖는 경우, 척면(81)은 해당 높은 영역의 하방에 파티클을 가질 수 있다.The control unit 18 may include a management unit 181 . The management unit 181 can manage the chuck surface information in association with the substrate chuck 8 having the chuck surface 81 related to the chuck surface information. Alternatively, the management unit 181 manages the chuck surface information in correspondence with the substrate chuck 8 and manages the cleaning surface information of the cleaning plate 20 used for cleaning the chuck surface 81 of the substrate chuck 8 . can The management unit 181, for example, whenever new scale surface information is acquired, the registered scale surface information is updated with the new scale surface information. The chuck surface information may be generated by measurement by a measuring device (not shown), and the focus measuring instrument 10 covers the entire area of the substrate 9 in a state in which the substrate 9 is chucked by the substrate chuck 8 . It may be generated by measuring the surface height of (9). When the particle P is attached to the chuck surface 81 of the substrate chuck 8 , it may appear in the result of surface height measurement of the substrate 9 . When the surface of the substrate 9 has an area higher than other areas, the chuck surface 81 may have particles below the higher area.

도 5에는, 기판 척(8)의 척면(81)을 클리닝하는 클리닝 처리의 흐름이 예시적으로 나타나 있다. 이 클리닝 처리는, 제어부(18)에 의해 제어된다. 공정 S101에서는, 제어부(18)는 클리닝 플레이트(20)의 클리닝면(21)의 높이 분포를 나타내는 클리닝면 정보를 취득한다. 클리닝 면 정보는, 클리닝면(21) 중 오목부 영역(41)을 특정하는 정보일 수 있다. 혹은, 클리닝면 정보는, 클리닝면(21) 중 비유효 영역(40)을 특정하는 정보일 수 있다. 또는, 클리닝면 정보는, 클리닝면(21) 중 오목부 영역(41) 및 대면 영역(42) 각각을 특정하는 정보일 수 있다. 클리닝 플레이트(20)가 최초에 사용되는 경우에는, 클리닝면 정보는, 클리닝면(21)의 전역이 평탄한 것을 나타내는 정보(즉, 전역이 유효 영역(61)인 것을 나타내는 정보)여도 된다. 이하에서는, 공정 S101에 있어서, 제어부(18)가 도 3의 A에 나타나는 오목부 영역(41) 및 대면 영역(42)을 각각 특정하는 클리닝면 정보를 취득하는 것으로서 설명한다.5 , the flow of the cleaning process for cleaning the chuck surface 81 of the substrate chuck 8 is exemplarily shown. This cleaning process is controlled by the control unit 18 . In step S101 , the control unit 18 acquires cleaning surface information indicating the height distribution of the cleaning surface 21 of the cleaning plate 20 . The cleaning surface information may be information specifying the concave portion region 41 of the cleaning surface 21 . Alternatively, the cleaning surface information may be information specifying the ineffective area 40 among the cleaning surfaces 21 . Alternatively, the cleaning surface information may be information specifying each of the concave portion area 41 and the facing area 42 of the cleaning surface 21 . When the cleaning plate 20 is used for the first time, the cleaning surface information may be information indicating that the entire area of the cleaning surface 21 is flat (that is, information indicating that the entire area is the effective area 61 ). In the following description, in step S101, the control unit 18 acquires the cleaning surface information for specifying the recessed portion area 41 and the facing area 42 shown in FIG. 3A, respectively.

공정 S102에서는, 제어부(18)는 기판 척(8)의 척면(81)의 높이 분포를 나타내는 척면 정보를 취득한다. 척면 정보는, 도시하지 않은 계측 장치에 의한 계측에 의해 생성되어도 되고, 기판 척(8)에 의해 기판(9)이 처킹된 상태에서 포커스 계측기(10)에 의해 기판(9)의 전역에 걸쳐 기판(9)의 표면 높이를 계측함으로써 생성되어도 된다. 혹은, 척면 정보는, 오퍼레이터에 의해 제공되어도 된다. 이하에서는, 공정 S102에 있어서, 제어부(18)가 도 4에 도시되는 제2 영역(파티클 P가 존재하는 영역)을 특정하는 척면 정보를 취득하는 것으로서 설명한다.In step S102 , the control unit 18 acquires chuck surface information indicating the height distribution of the chuck surface 81 of the substrate chuck 8 . The chuck surface information may be generated by measurement by a measuring device (not shown), and the focus measuring instrument 10 covers the entire area of the substrate 9 in a state in which the substrate 9 is chucked by the substrate chuck 8 . It may be generated by measuring the surface height of (9). Alternatively, the chuck surface information may be provided by the operator. In the following description, in step S102, the control unit 18 acquires the chuck plane information for specifying the second region (the region in which the particle P exists) shown in FIG. 4 .

공정 S103에서는, 제어부(18)는 클리닝 플레이트(20)의 복수의 방위각 AZ 각각에 대해서, 오목부 영역(41)과 제2 영역(파티클 P가 존재하는 영역)의 겹침, 및 대면 영역(42)과 제2 영역의 겹침을 평가하여 평가값을 구한다. 예를 들어, 제어부(18)는 방위각 AZ를 소정각(예를 들어, 1도)씩 변화시키면서, 각 방위각 AZ에 있어서, 오목부 영역(41)과 제2 영역(파티클 P가 존재하는 영역)의 겹침, 및 대면 영역(42)과 제2 영역의 겹침을 평가한다. 이 평가는, 예를 들어 각 방위각 AZ에 대해서, 오목부 영역(41)과 제2 영역이 겹치는 영역의 면적, 및 대면 영역(42)과 제2 영역이 겹치는 영역의 면적을 구하는 것일 수 있다. 또한, 평가값은, 오목부 영역(41)과 제2 영역이 겹치는 영역의 면적, 및 대면 영역(42)과 제2 영역이 겹치는 영역의 면적일 수 있다. 이 경우, 평가값으로서의 면적이 작을수록 평가 결과가 우수하다.In step S103 , the control unit 18 overlaps the concave region 41 and the second region (the region in which the particle P exists), and the facing region 42 for each of the plurality of azimuth angles AZ of the cleaning plate 20 . An evaluation value is obtained by evaluating the overlap of the second region. For example, the control unit 18 changes the azimuth AZ by a predetermined angle (eg, 1 degree), and in each azimuth AZ, the concave portion region 41 and the second region (the region in which the particle P exists) The overlap of , and the overlap of the facing region 42 and the second region are evaluated. This evaluation may be, for example, for each azimuth AZ, the area of the region where the concave portion region 41 and the second region overlap, and the area of the region where the facing region 42 and the second region overlap. In addition, the evaluation value may be an area of a region where the concave portion region 41 and the second region overlap, and an area of a region where the facing region 42 and the second region overlap. In this case, the evaluation result is excellent, so that the area as an evaluation value is small.

공정 S104에서는, 제어부(18)는 공정 S103에 있어서의 평가의 결과에 기초하여, 클리닝 플레이트(20)의 방위각 AZ를 결정한다. 방위각 AZ는, 기판 척(8)과 클리닝 플레이트(20)의 상대적인 방위각(방위각 차)으로서 이해할 수도 있다. 방위각 AZ는, 클리닝 처리에 있어서의 클리닝 플레이트(20)에 대한 척면(81)의 상대적인 이동을 제어하는 파라미터이다. 일례에 있어서, 제어부(18)는, 오목부 영역(41)과 제2 영역이 겹치는 영역의 면적이 가장 작은 클리닝 플레이트(20)의 방위각 AZ를 결정한다. 여기서, 오목부 영역(41)과 제2 영역이 겹치는 영역의 면적이 가장 작은 클리닝 플레이트(20)의 방위각 AZ가 복수 존재하는 경우에는, 복수의 방위각 AZ 중 대면 영역(42)과 제2 영역이 겹치는 영역의 면적이 가장 작은 방위각 AZ가 선택될 수 있다. 또는, 복수의 방위각 AZ 중 클리닝 플레이트(20)의 회전 구동량이 가장 작은 방위각 AZ가 선택될 수 있다.In step S104 , the control unit 18 determines the azimuth AZ of the cleaning plate 20 based on the result of the evaluation in step S103 . The azimuth angle AZ may be understood as a relative azimuth angle (azimuth difference) between the substrate chuck 8 and the cleaning plate 20 . The azimuth angle AZ is a parameter that controls the relative movement of the chuck surface 81 with respect to the cleaning plate 20 in the cleaning process. In one example, the control unit 18 determines the azimuth AZ of the cleaning plate 20 having the smallest area of the region where the concave region 41 and the second region overlap. Here, when there are a plurality of azimuth angles AZ of the cleaning plate 20 having the smallest area of the region where the concave region 41 and the second region overlap, the facing region 42 and the second region among the plurality of azimuth angles AZ are An azimuth AZ having the smallest area of the overlapping region may be selected. Alternatively, the azimuth AZ having the smallest rotational driving amount of the cleaning plate 20 may be selected from among the plurality of azimuth angles AZ.

도 6에는, 방위각 AZ=0에 있어서의 제2 영역(파티클 P가 존재하는 영역)과 오목부 영역(41)의 관계, 및 제2 영역과 대면 영역(42)의 관계가 예시되어 있다. 도 6의 예에서는, 제2 영역(파티클 P가 존재하는 영역)과 오목부 영역(41)이 겹친 영역이 존재한다. 따라서, AZ=0에 있어서 클리닝 처리를 실행하면, 클리닝 불량이 발생하는 것, 즉, 파티클 P가 제거되지 않는 영역이 남을 것으로 추정된다. 또한, 도 6의 예에서는, 제2 영역과 대면 영역(42)이 겹친 영역이 존재한다. 따라서, 제2 영역과 대면 영역(42)의 겹침이 존재한다는 관점에서도, 클리닝 불량이 발생하는 것, 즉, 파티클 P가 제거되지 않는 영역이 남을 것으로 추정된다.6 exemplifies the relationship between the second region (the region in which the particle P exists) and the concave portion region 41 at the azimuth angle AZ=0, and the relationship between the second region and the facing region 42 . In the example of FIG. 6 , there is a region where the second region (the region in which the particle P exists) and the concave region 41 overlap. Therefore, when the cleaning process is performed at AZ=0, it is estimated that cleaning failure occurs, that is, a region from which particle P is not removed remains. In addition, in the example of FIG. 6 , there is a region where the second region and the facing region 42 overlap. Accordingly, even from the viewpoint of the existence of overlap of the second region and the facing region 42 , it is estimated that a cleaning defect occurs, that is, a region in which the particle P is not removed remains.

도 7에는, AZ=az1에 있어서의 제2 영역(파티클 P가 존재하는 영역)과 오목부 영역(41)의 관계, 및 제2 영역과 대면 영역(42)의 관계가 예시되어 있다. 도 7의 예에서는, 제2 영역(파티클 P가 존재하는 영역)과 오목부 영역(41)이 겹친 영역이 존재하지 않는다. 따라서, AZ=az1에 있어서 클리닝 처리를 실행하면, 양호한 클리닝 결과가 얻어질 것으로 추정된다. 또한, 도 7의 예에서는, 제2 영역과 대면 영역(42)이 겹친 영역도 존재하지 않는다. 따라서, 제2 영역과 대면 영역(42)의 겹침이 존재하지 않는다고 하는 관점에서도, 양호한 클리닝 결과가 얻어질 것으로 추정된다. 도 7의 예에 있어서의 평가 결과는, 도 6의 예에 있어서의 평가 결과보다도 우수하다.7 exemplifies the relationship between the second region (the region in which the particle P exists) and the recess region 41 and the relationship between the second region and the facing region 42 in AZ=az1. In the example of FIG. 7 , there is no region where the second region (the region in which the particle P exists) and the concave region 41 overlap. Therefore, it is estimated that a good cleaning result will be obtained if the cleaning process is performed in AZ=az1. In addition, in the example of FIG. 7, there is no area|region where the 2nd area|region and the facing area|region 42 overlap. Therefore, it is estimated that good cleaning results will be obtained also from the viewpoint that there is no overlap between the second region and the facing region 42 . The evaluation result in the example of FIG. 7 is superior to the evaluation result in the example of FIG.

도 8에는, 척면(81)의 제2 영역(파티클 P가 존재하는 영역)의 배치에 관한 다른 예가 나타나 있다. 도 9에는, 도 8의 예의 제2 영역(파티클 P가 존재하는 영역)과, AZ=0에 있어서의 오목부 영역(41) 및 대면 영역(42)의 관계가 예시되어 있다. 도 9의 예에서는, AZ=0에 있어서, 제2 영역과 오목부 영역(41)이 겹친 영역이 존재한다. 따라서, AZ=0에 있어서 클리닝 처리를 실행하면, 클리닝 불량이 발생할 것, 즉, 파티클 P가 제거되지 않는 영역이 남을 것으로 추정된다. 또한, 도 9의 예에서는, 제2 영역과 대면 영역(42)이 겹친 영역이 존재한다. 따라서, 제2 영역과 대면 영역(42)의 겹침이 존재한다는 관점에서도, 클리닝 불량이 발생할 것, 즉, 파티클 P가 제거되지 않는 영역이 남을 것으로 추정된다.In FIG. 8 , another example regarding the arrangement of the second region (the region in which the particle P exists) of the chuck surface 81 is shown. FIG. 9 exemplifies the relationship between the second region (the region in which the particle P exists) in the example of FIG. 8 and the concave region 41 and the facing region 42 at AZ=0. In the example of FIG. 9, in AZ=0, the area|region where the 2nd area|region and the recessed part area|region 41 overlapped exists. Therefore, it is estimated that if the cleaning process is performed at AZ=0, cleaning failure will occur, that is, a region from which particles P are not removed will remain. In addition, in the example of FIG. 9 , there is a region where the second region and the facing region 42 overlap. Accordingly, even from the viewpoint of the existence of the overlap of the second region and the facing region 42 , it is estimated that poor cleaning will occur, that is, a region from which the particle P is not removed will remain.

도 10에는, 도 8의 예의 제2 영역(파티클 P가 존재하는 영역)과, AZ=az2에 있어서의 오목부 영역(41) 및 대면 영역(42)의 관계가 예시되어 있다. 도 10의 예에서는, 제2 영역(파티클 P가 존재하는 영역)과 오목부 영역(41)이 겹친 영역이 존재한다. 따라서, AZ=0에 있어서 클리닝 처리를 실행하면, 클리닝 불량이 발생할 것, 즉, 파티클 P가 제거되지 않는 영역이 남을 것으로 추정된다.In FIG. 10, the relationship between the 2nd area|region (region where particle P exists) of the example of FIG. 8, and the recessed part area|region 41 and the facing area|region 42 in AZ=az2 is illustrated. In the example of FIG. 10 , there is a region where the second region (the region in which the particle P exists) and the concave region 41 overlap. Therefore, it is estimated that if the cleaning process is performed at AZ=0, cleaning failure will occur, that is, a region from which particles P are not removed will remain.

도 11에는, 도 8의 예의 제2 영역(파티클 P가 존재하는 영역)과, AZ=az3에 있어서의 오목부 영역(41) 및 대면 영역(42)의 관계가 예시되어 있다. 도 11의 예에서는, 제2 영역(파티클 P가 존재하는 영역)과 오목부 영역(41)이 겹친 영역이 존재하지 않는다. 따라서, AZ=az3에 있어서 클리닝 처리를 실행하면, 양호한 클리닝 결과가 얻어질 것으로 추정된다. 단, 도 11의 예에서는, 제2 영역과 대면 영역(42)이 겹친 영역이 존재한다. 일 예에서는, 도 8의 예와 같은 제2 영역의 배치에 있어서, 도 9, 도 10, 도 11과 같은 클리닝 플레이트(20)(클리닝면(21))의 방위각 AZ에 있어서의 평가 결과를 비교하면, 도 11의 방위각 AZ=az3의 평가 결과가 가장 우수하다. 여기서, 도 11의 방위각 AZ=az3에 있어서는 제2 영역과 대면 영역(42)이 겹친 영역이 존재한다. 가령 제2 영역과 오목부 영역(41)이 겹치지 않고, 또한, 제2 영역과 대면 영역(42)이 겹치지 않는 방위각 AZ가 존재하는 경우에는, 그 방위각 AZ에 있어서의 평가 결과가 가장 우수하게 된다.FIG. 11 exemplifies the relationship between the second region (region in which the particle P exists) in the example of FIG. 8 and the recess region 41 and the facing region 42 in AZ=az3. In the example of FIG. 11 , there is no region where the second region (the region where the particle P exists) and the concave region 41 overlap. Therefore, it is estimated that a good cleaning result will be obtained if the cleaning process is performed in AZ=az3. However, in the example of FIG. 11 , there is a region where the second region and the facing region 42 overlap. In one example, in the arrangement of the second region as in the example of FIG. 8 , the evaluation results in the azimuth AZ of the cleaning plate 20 (the cleaning surface 21 ) as in FIGS. 9, 10 and 11 are compared. Then, the evaluation result of the azimuth angle AZ=az3 of FIG. 11 is the most excellent. Here, in the azimuth angle AZ=az3 of FIG. 11 , there is a region where the second region and the facing region 42 overlap each other. For example, when there is an azimuth AZ where the second region and the concave region 41 do not overlap and the second region and the facing region 42 do not overlap, the evaluation result at the azimuth AZ is the best. .

공정 S105에서는, 제어부(18)는 클리닝 플레이트(20)의 방위각 AZ가 공정 S104에서 결정한 방위각 AZ가 되도록 플레이트 구동 기구(30)를 제어한다. 또한, 공정 S105에서는, 제어부(18)는 기판 척(8)의 척면(81)에 클리닝 플레이트(20)의 클리닝면(21)이 접촉하도록 플레이트 구동 기구(30)를 제어한다. 공정 S106에서는, 클리닝 플레이트(20)에 대하여 척면(81)이 상대적으로 이동하도록 기판 스테이지 구동 기구(14)를 제어한다. 클리닝 플레이트(20)에 대한 척면(81)의 상대적인 이동은, 예를 들어 도 3의 B의 예를 따를 수 있다. 이에 의해, 기판 척(8)의 척면(81)의 클리닝이 이루어진다. 여기서, 기판 척(8)의 척면(81)에 클리닝 플레이트(20)의 클리닝면(21)이 접촉하기 전에, 기판 스테이지 구동 기구(14)에 의한 기판 척(8)(기판 스테이지(13))의 구동이 개시되어도 된다.In step S105, the control unit 18 controls the plate driving mechanism 30 so that the azimuth AZ of the cleaning plate 20 becomes the azimuth AZ determined in step S104. Further, in step S105 , the control unit 18 controls the plate driving mechanism 30 so that the cleaning surface 21 of the cleaning plate 20 comes into contact with the chuck surface 81 of the substrate chuck 8 . In step S106 , the substrate stage driving mechanism 14 is controlled so that the chuck surface 81 moves relative to the cleaning plate 20 . The relative movement of the chuck surface 81 with respect to the cleaning plate 20 may follow, for example, the example of FIG. 3B . Thereby, the chuck surface 81 of the substrate chuck 8 is cleaned. Here, before the cleaning surface 21 of the cleaning plate 20 comes into contact with the chuck surface 81 of the substrate chuck 8, the substrate chuck 8 (substrate stage 13) by the substrate stage driving mechanism 14 may be started.

이상의 예에서는, 공정 S103에서 구한 평가값에 기초하여 공정 S104에서 클리닝 플레이트(20)의 방위각 AZ를 결정하지만, 공정 S103에서 구한 평가값에 기초하여, 클리닝 플레이트(20)에 대한 척면(81)의 상대적인 이동의 궤적이 결정되어도 된다.In the above example, the azimuth AZ of the cleaning plate 20 is determined in step S104 based on the evaluation value obtained in step S103, but based on the evaluation value obtained in step S103, The trajectory of the relative movement may be determined.

공정 S107에서는, 제어부(18)는, 기판 척(8)의 척면(81)의 높이 분포를 나타내는 척면 정보를 취득한다. 척면 정보는, 도시하지 않은 계측 장치에 의한 계측에 의해 생성되어도 되고, 기판 척(8)에 의해 기판(9)이 처킹된 상태에서 포커스 계측기(10)에 의해 기판(9)의 전역에 걸쳐 기판(9)의 표면 높이를 계측함으로써 생성되어도 된다.In step S107 , the control unit 18 acquires chuck surface information indicating the height distribution of the chuck surface 81 of the substrate chuck 8 . The chuck surface information may be generated by measurement by a measuring device (not shown), and the focus measuring instrument 10 covers the entire area of the substrate 9 in a state in which the substrate 9 is chucked by the substrate chuck 8 . It may be generated by measuring the surface height of (9).

공정 S108에서는, 제어부(18)(의 관리부(181))는, 공정 S107에서 취득한 척면 정보에 기초하여 클리닝면 정보를 갱신한다. 예를 들어, 공정 S102에서 취득한 척면 정보가 도 8의 척면 정보이고, 공정 S104에서 결정한 방위각 AZ가 도 11에 도시되는 것처럼 AZ=az3이고, 공정 S107에서 취득한 척면 정보가 도 12의 척면 정보인 것으로 한다. 도 12의 척면 정보는, 클리닝 처리 후에 파티클 P2가 남은 영역(클리닝 불량이 발생한 불량 발생 영역)이 있음을 나타내고 있다. 이것은, 클리닝 플레이트(20)의 클리닝면(21) 중 파티클 P2가 남은 영역(불량 발생 영역)에 대면시킨 영역이, 다른 영역보다 오목한 영역임을 의미한다. 따라서, 제어부(18)는, 도 13에 예시되는 바와 같이, 클리닝 처리의 결과에 기초하여 불량 발생 영역을 특정하고, 해당 불량 발생 영역에 대면시킨 영역이 다른 영역보다 오목한 영역인 것으로서 클리닝면 정보를 갱신할 수 있다. 구체적으로는, 제어부(18)는 오목부 영역(41), 대면 영역(42)을 각각 오목부 영역(41'), 대면 영역(42')으로 갱신할 수 있다. 오목부 영역(41')은, 오목부 영역(41)보다 크고, 대면 영역(42')은, 대면 영역(42)보다 크다.In step S108, the control unit 18 (the management unit 181 of) updates the cleaning surface information based on the chuck surface information acquired in the step S107. For example, the chuck plane information acquired in step S102 is the chuck plane information of FIG. 8, the azimuth AZ determined in step S104 is AZ=az3 as shown in FIG. 11, and the chuck plane information acquired in step S107 is the scale plane information of FIG. do. The chuck surface information in FIG. 12 indicates that there is a region in which the particle P2 remains after the cleaning process (a region in which a defective cleaning occurs). This means that, among the cleaning surfaces 21 of the cleaning plate 20 , the area facing the area where the particle P2 remains (the defect generation area) is more concave than the other areas. Therefore, as illustrated in FIG. 13 , the control unit 18 specifies the defect occurrence region based on the result of the cleaning process, and receives the cleaning surface information as the region facing the defect occurrence region is a more concave region than the other regions. Can be updated. Specifically, the control unit 18 may update the concave region 41 and the facing region 42 into the concave region 41 ′ and the facing region 42 ′, respectively. The concave region 41 ′ is larger than the concave region 41 , and the facing region 42 ′ is larger than the facing region 42 .

이와 같이 하여 갱신된 클리닝면 정보는, 다음에 실행되는 클리닝 처리의 공정 S101에 있어서 제어부(18)에 의해 취득된다. 따라서, 다음으로 실행되는 클리닝 처리에서는, 공정 S104에 있어서, 제어부(18)은 도 14에 예시되는 바와 같이 클리닝 플레이트(20)의 방위각 AZ를 방위각 AZ=az4로 결정할 수 있다.The cleaning surface information updated in this way is acquired by the control unit 18 in step S101 of the cleaning process performed next. Accordingly, in the cleaning process performed next, in step S104 , the control unit 18 can determine the azimuth AZ of the cleaning plate 20 as azimuth AZ = az4 as illustrated in FIG. 14 .

상기의 예에서는, 공정 S108에 있어서, 1회의 클리닝(공정 S106)의 결과에 기초하여 클리닝면 정보를 갱신하지만, 복수회의 클리닝(공정 S106)의 결과에 기초하여 클리닝면 정보를 갱신해도 된다. 또한, 복수회의 클리닝(공정 S106)의 결과에 기초하여 기계 학습에 의해 클리닝면 정보를 갱신해도 된다.In the above example, in step S108, the cleaning surface information is updated based on the result of one cleaning (step S106), but the cleaning surface information may be updated based on the result of a plurality of times of cleaning (step S106). In addition, you may update the cleaning surface information by machine learning based on the result of multiple times of cleaning (step S106).

이상과 같이, 본 실시 형태에 따르면, 클리닝 플레이트의 클리닝면 및 기판 척의 척면의 상태에 따라서 클리닝을 효율적으로 행할 수 있다.As described above, according to the present embodiment, cleaning can be efficiently performed according to the state of the cleaning surface of the cleaning plate and the chuck surface of the substrate chuck.

이하, 본 발명의 일 실시 형태의 물품 제조 방법에 대하여 설명한다. 물품 제조 방법은, 노광 장치 EX 등의 패턴 형성 장치에 의해 기판에 패턴을 형성하는 공정과, 패턴이 형성된 기판의 처리를 행하는 공정을 포함하고, 처리가 행하여진 기판으로부터 물품을 제조한다. 패턴 형성 장치가 노광 장치인 경우, 기판은, 포토레지스트막을 갖는 기재이고, 패턴을 형성하는 공정에 있어서, 포토레지스트막에 원판에 대응하는 패턴(잠상)이 형성될 수 있다. 패턴(잠상)이 형성된 포토레지스트막을 갖는 기재가 현상 처리를 받음으로써 포토레지스트 패턴이 형성될 수 있다. 포토레지스트 패턴은, 예를 들어 기재에 패턴을 형성하거나, 기재에 이온을 주입하거나 하기 위하여 사용될 수 있다. 패턴 형성 장치가 임프린트 장치인 경우, 기판 상에 임프린트재의 경화물에 의해 패턴이 형성된다. 임프린트재의 경화물에 의해 패턴은, 해당 패턴의 하지층을 패터닝하거나, 기판에 이온을 주입하거나 하기 위하여 사용될 수 있다.Hereinafter, the article manufacturing method of one Embodiment of this invention is demonstrated. The article manufacturing method includes a process of forming a pattern on a substrate by a pattern forming apparatus such as an exposure apparatus EX, and a process of processing the substrate on which the pattern has been formed, and an article is manufactured from the processed substrate. When the pattern forming apparatus is an exposure apparatus, the substrate is a substrate having a photoresist film, and in the process of forming the pattern, a pattern (latent image) corresponding to the original plate may be formed on the photoresist film. A photoresist pattern can be formed by subjecting a substrate having a photoresist film on which a pattern (latent image) is formed to a developing treatment. The photoresist pattern may be used, for example, to form a pattern on the substrate or to implant ions into the substrate. When the pattern forming apparatus is an imprint apparatus, a pattern is formed on a substrate by a cured product of an imprint material. By the cured product of the imprint material, the pattern can be used to pattern the underlying layer of the pattern or to implant ions into the substrate.

EX: 노광 장치(기판 처리 장치)
8: 기판 척
81: 척면
13: 기판 스테이지
14: 스테이지 구동 기구
20: 클리닝 플레이트
21: 클리닝면
30: 플레이트 구동 기구
40: 비유효 영역
41: 오목부 영역
42: 대면 영역
61: 유효 영역
AZ: 방위각
P: 파티클EX: exposure apparatus (substrate processing apparatus)
8: substrate chuck
81: chuck face
13: substrate stage
14: stage drive mechanism
20: cleaning plate
21: cleaning side
30: plate drive mechanism
40: invalid area
41: concave region
42: face-to-face area
61: effective area
AZ: azimuth
P: particle

Claims (13)

기판을 처킹하는 척면을 갖는 기판 척을 유지하는 기판 스테이지와,
상기 기판 스테이지를 구동하는 스테이지 구동 기구와,
상기 척면을 클리닝하기 위한 클리닝면을 갖는 클리닝 플레이트를 구동하는 플레이트 구동 기구와,
상기 클리닝 플레이트에 대하여 상기 기판 척이 상대적으로 이동함으로써 상기 척면이 클리닝되도록, 상기 스테이지 구동 기구 및 상기 플레이트 구동 기구의 적어도 한쪽의 동작을 제어하는 제어부를 구비하고,
상기 제어부는, 상기 척면의 높이 분포를 나타내는 척면 정보와 상기 클리닝면의 높이 분포를 나타내는 클리닝면 정보에 기초하여 상기 동작을 제어하는
것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.a substrate stage holding a substrate chuck having a chuck surface for chucking the substrate;
a stage driving mechanism for driving the substrate stage;
a plate driving mechanism for driving a cleaning plate having a cleaning surface for cleaning the chuck surface;
a control unit for controlling operations of at least one of the stage driving mechanism and the plate driving mechanism so that the chuck surface is cleaned by relatively moving the substrate chuck with respect to the cleaning plate;
The control unit may control the operation based on chuck surface information indicating a height distribution of the chuck surface and cleaning surface information indicating a height distribution of the cleaning surface.
A substrate processing apparatus, characterized in that. 제1항에 있어서, 상기 클리닝면은, 유효 영역과, 비유효 영역을 포함하고, 상기 비유효 영역은, 상기 유효 영역보다 오목한 오목부 영역을 포함하고,
상기 척면은, 제1 영역과, 상기 제1 영역보다 돌출된 제2 영역을 포함하고,
상기 제어부는, 상기 척면 정보에 기초하여 상기 제2 영역을 특정하고, 상기 유효 영역에 의해 상기 제2 영역이 클리닝되도록 상기 동작을 제어하는
것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.The method according to claim 1, wherein the cleaning surface includes an effective area and an ineffective area, wherein the ineffective area includes a concave area concave than the effective area;
The chuck surface includes a first area and a second area protruding from the first area,
The control unit specifies the second area based on the chuck surface information, and controls the operation so that the second area is cleaned by the effective area.
A substrate processing apparatus, characterized in that. 제2항에 있어서, 상기 비유효 영역은, 상기 클리닝 플레이트에 대하여 상기 기판 척이 상대적으로 이동하는 기간의 일부에 있어서 상기 오목부 영역이 상기 척면에 대면하는 대면 영역을 포함하는
것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.3. The method according to claim 2, wherein the ineffective region includes a facing region in which the concave region faces the chuck surface during a portion of a period in which the substrate chuck is moved relative to the cleaning plate.
A substrate processing apparatus, characterized in that. 제1항에 있어서, 상기 제어부는, 상기 클리닝 플레이트에 대한 상기 기판 척의 상대적인 이동에 있어서 상기 척면의 중심이 상기 중심으로부터 어긋난 점의 둘레를 공전하도록, 상기 스테이지 구동 기구의 동작을 제어하는
것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.The method according to claim 1, wherein the control unit controls the operation of the stage driving mechanism so that the center of the chuck surface revolves around a point deviating from the center in the relative movement of the substrate chuck with respect to the cleaning plate.
A substrate processing apparatus, characterized in that. 제1항에 있어서, 상기 제어부는, 상기 클리닝 플레이트에 대한 상기 기판 척의 상대적인 이동에 있어서 상기 클리닝면의 중심이 상기 중심으로부터 어긋난 점의 둘레를 공전하도록, 상기 플레이트 구동 기구의 동작을 제어하는,
것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.The method according to claim 1, wherein the control unit controls the operation of the plate driving mechanism so that a center of the cleaning surface revolves around a point deviating from the center in a relative movement of the substrate chuck with respect to the cleaning plate.
A substrate processing apparatus, characterized in that. 제1항에 있어서, 상기 제어부는, 상기 척면 정보 및 상기 클리닝면 정보에 기초하여 상기 척면에 대한 상기 클리닝면의 상대적인 방위각을 결정하는
것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.The method of claim 1, wherein the control unit determines a relative azimuth of the cleaning surface with respect to the chuck surface based on the chuck surface information and the cleaning surface information.
A substrate processing apparatus, characterized in that. 제1항에 있어서, 상기 척면 정보를 계측에 의해 생성하는 계측기를 더 구비하는
것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.The method according to claim 1, further comprising a measuring device that generates the chuck surface information by measurement.
A substrate processing apparatus, characterized in that. 제7항에 있어서, 상기 계측기는, 상기 척면에 의해 유지된 상기 기판의 표면 높이 분포를 계측한 결과에 기초하여 상기 척면 정보를 생성하는
것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.The method according to claim 7, wherein the measuring device generates the chuck plane information based on a result of measuring a surface height distribution of the substrate held by the chuck plane.
A substrate processing apparatus, characterized in that. 제1항에 있어서, 상기 제어부는, 상기 척면의 클리닝의 후에 있어서의 상기 척면 정보에 기초하여 상기 클리닝면 정보를 갱신하는
것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.The cleaning surface information according to claim 1, wherein the control unit updates the cleaning surface information based on the chuck surface information after the chuck surface is cleaned.
A substrate processing apparatus, characterized in that. 제9항에 있어서, 상기 제어부는, 상기 클리닝 후에 있어서의 상기 척면 정보에 기초하여 클리닝 불량이 발생한 불량 발생 영역을 특정하고, 상기 클리닝면 중 상기 클리닝에 있어서 상기 불량 발생 영역에 대면시킨 영역이 다른 영역보다 오목한 영역인 것으로서 상기 클리닝면 정보를 갱신하는,
것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.10. The method according to claim 9, wherein the control unit specifies a defect occurrence region in which a cleaning defect has occurred based on the chuck surface information after the cleaning, and a region of the cleaning surface facing the defect occurrence region in the cleaning is different. Updating the cleaning surface information as a region concave than the region,
A substrate processing apparatus, characterized in that. 제1항 내지 제10항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 제어부는, 상기 척면 정보를 상기 기판 척과 대응지어 관리하는 관리부를 포함하는
것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.11. The method according to any one of claims 1 to 10, wherein the control unit includes a management unit that manages the chuck surface information in association with the substrate chuck.
A substrate processing apparatus, characterized in that. 제1항 내지 제10항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 기판에 패턴을 형성하는 패턴 형성 장치로서 구성되어 있는
것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.The apparatus according to any one of claims 1 to 10, which is configured as a pattern forming apparatus for forming a pattern on the substrate.
A substrate processing apparatus, characterized in that. 제12항에 기재된 기판 처리 장치에 의해 상기 기판에 패턴을 형성하는 공정과,
상기 패턴이 형성된 상기 기판의 처리를 행하는 공정을 포함하고,
상기 처리가 행하여진 상기 기판으로부터 물품을 제조하는 것을 특징으로 하는 물품 제조 방법.The process of forming a pattern on the said board|substrate by the substrate processing apparatus of Claim 12;
a process of processing the substrate on which the pattern is formed;
A method for manufacturing an article, wherein an article is produced from the substrate on which the treatment has been performed.
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