KR102329818B1 - 능동 멀티빔 생성 기반 선택적 레이저 전사 장치 및 방법 - Google Patents

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Abstract

본 발명의 일 실시예에 따른 능동 멀티빔 생성 기반 레이저 전사 장치는, 레이저 빔을 생성하는 레이저 발진기, 상기 레이저 빔을 멀티빔으로 분할하고, 상기 멀티빔의 각 개별 요소를 선택적으로 개폐하는 능동 멀티빔 광학계, 전사 기판과 타겟 기판을 2축 방향으로 이송하는 스테이지, 및 전사 대상 포인트의 위치를 설정하고 상기 위치 신호를 상기 능동 멀티빔 광학계와 상기 스테이지에 전송하여, 상기 위치 신호에 따른 상기 스테이지의 구동과 상기 멀티빔의 개폐를 제어하는 제어기를 포함한다.

Description

능동 멀티빔 생성 기반 선택적 레이저 전사 장치 및 방법{APPARATUS AND METHOD FOR SELECTIVE LASER TRANSFER BASED ON ACTIVE MULTI-BEAM GENERATION}
본 발명은 레이저 전자 장치 및 방법에 관한 것으로, 보다 자세하게는 레이저 멀티빔을 이용한 대량 전사 장치와 이를 이용한 대량 전사 방법에 관한 것이다.
최근 마이크로 LED (light emitting diode) 및 박막 웨이퍼 패키징(thin wafer packaging) 응용 분야에서 소스 기판의 LED 칩을 타겟 기판에 대량으로 전사하는 기술이 요구되고 있다. 이를 위해 다양한 전사 기법들이 제시되고 있으나 공정 속도, 선택적 전사, 및 영역 확장성이 높은 레이저 기반의 전사가 주목받고 있다.
마이크로 LED는 칩의 사이즈가 일반적으로 10~100㎛ 수준으로 제작되며 저전력화, 소형화, 경량화가 필요한 모든 광응용 분야에 적용이 가능하다. 이렇게 LED 칩을 수십 마이크로 수준으로 작게 제작하게 되면 무기물 재료의 특성상 휘어질 때 깨지는 단점을 극복할 수 있으며, 플렉서블 디스플레이(Flexible Display), 섬유와 LED가 결합한 스마트 섬유, 인체 부착 및 삽입형 의료기기, 바이오 콘택트 렌즈, HMD(Head Mounted Display) 및 무선통신 분야에까지 광범위하게 활용이 가능하다.
다만, 이러한 다양한 응용 분야에서 마이크로 LED 광원이 적용되기 위해서는 플렉서블 소재/소자를 기반으로 하는 유연한 기판에 마이크로 LED 개별 또는 어레이(array)된 칩들을 전사하는 공정기술 개발이 최우선적으로 필요하다.
고속 레이저 전사 공정은 10 ㎛ 이하의 박막 칩에 대해서도 손상 없이 높은 정렬도로 고속으로 전사할 수 있는 기술로서, 고속 펄스 레이저 및 고속 빔 제어에 기반하여 고속 전사가 가능하다.
한편 레이저 열전사 메커니즘으로는 어블레이션(Ablation) 전사, 열(Thermal) 전사 메커니즘, 및 열기계(Thermal Mechanical) 전사 등이 알려져 있다.
어블레이션 전사 메커니즘에서는, 레이저 어블레이션에 의해 희생층을 기화시키고 이로 인해 발생되는 증기압으로 칩을 전사시킬 수 있으나, 증기압의 강도 및 형태 제어가 어려워 전사 정렬 확보에 어려움이 있고 칩에 대한 손상의 위험도 존재한다.
열 전사 메커니즘에서는, 레이저 열에 의해 접착층의 접착력이 감소하게 되는데, 이러한 접착력의 감소와 칩의 중력에 의해 칩을 전사할 수 있으나, 접착층 및 레이저 조건에 민감하여 전사 실패확률이 높은 단점이 있다.
반면에 열기계 전사 메커니즘에서는, 흡수층과 접착층의 2개의 층으로 구성되는 DRL (Dynamic Release Layer)의 폴리머 기반 흡수층에서 레이저 광을 흡수하여 발생한 기포(blister)가 칩을 밀어내면, 접착층에 붙어있던 칩이 접착면적 감소와 중력에 의해 기판으로 전사된다. 이는 고속 공정이며 칩에 직접적 레이저 전달이 안되어 비손상 가능하고, 기판까지 전달되어 정밀 포지셔닝이 가능하다.
본 발명의 일 측면은 선택적 멀티빔을 생성하여 전사공정에 적용함으로써 고속으로 대면적을 전사할 수 있으며, 각 빔의 개폐를 선택적으로 제어할 수 있는 능동 멀티빔 생성 기반 선택적 레이저 전사 장치를 제공하고자 한다.
본 발명의 다른 일 측면은 선택적 멀티빔을 생성하여 고속으로 대면적을 전사할 수 있으며, 각 빔의 개폐를 선택적으로 제어하여 양품 칩은 대량으로 전사하고 불량 칩은 선별적으로 대량 제거할 수 있는 능동 멀티빔 생성 기반 선택적 레이저 전사 방법을 제공하고자 한다.
그러나, 본 발명의 실시예들이 해결하고자 하는 과제는 상술한 과제에 한정되지 않고 본 발명에 포함된 기술적 사상의 범위에서 다양하게 확장될 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따른 능동 멀티빔 생성 기반 레이저 전사 장치는, 레이저 빔을 생성하는 레이저 발진기, 상기 레이저 빔을 멀티빔으로 분할하고, 상기 멀티빔의 각 개별 요소를 선택적으로 개폐하는 능동 멀티빔 광학계, 전사 기판과 타겟 기판을 2축 방향으로 이송하는 스테이지, 및 전사 대상 포인트의 위치를 설정하고 상기 위치 신호를 상기 능동 멀티빔 광학계와 상기 스테이지에 전송하여, 상기 위치 신호에 따른 상기 스테이지의 구동과 상기 멀티빔의 개폐를 제어하는 제어기를 포함한다.
상기 능동 멀티빔 생성 기반 레이저 전사 장치는 능동 멀티빔 광학계로부터 전송된 멀티빔을 각 개별 요소 별로 집속하는 렌즈를 더 포함할 수 있다.
상기 능동 멀티빔 생성 기반 레이저 전사 장치는 상기 능동 멀티빔 광학계로부터 전송된 멀티빔을 반사하여 각 개별 요소 빔의 피치와 경로를 변경하는 레이저 스캐너를 더 포함할 수 있다.
상기 능동 멀티빔 광학계는 공간 광 변조기(SLM) 또는 디지털 초소형 미러 장치(DMD)를 포함할 수 있다.
본 발명의 다른 일 실시예에 따른 능동 멀티빔 생성 기반 레이저 전사 방법은, 반도체 소자를 전사 기판으로부터 타겟 기판에 전사하는 레이저 전사 방법으로서, 단일 레이저 빔을 능동 멀티빔 광학계에 전송하여 멀티빔을 생성하는 단계, 전사 기판 또는 타겟 기판의 반도체 소자를 검사하여 전사 대상 포인트의 위치를 설정하는 단계, 상기 설정된 전사 대상 포인트의 위치 신호를 상기 능동 멀티빔 광학계에 전달하여 개별 요소 빔이 선택적으로 개폐된 레이저 빔 다발 형상을 생성하는 단계, 및 상기 전사 기판에 상기 생성된 다발 형상의 레이저 빔을 조사하는 단계를 포함한다.
상기 능동 멀티빔 생성 기반 레이저 전사 방법은 레이저 리프트-오프(Laser Lift-Off, LLO) 공정으로 에피텍시얼 웨이퍼(EPI wafer) 상의 반도체 소자를 상기 전사 기판으로 옮기는 단계를 더 포함할 수 있다.
상기 능동 멀티빔 광학계는 공간 광 변조기(SLM) 또는 디지털 초소형 미러 장치(DMD)를 포함할 수 있다.
상기 전사 대상 포인트의 위치를 설정하는 단계는, 상기 전사 기판에 옮겨진 반도체 소자를 검사하여 불량 칩의 위치를 인식하는 단계를 포함할 수 있다.
상기 레이저 빔 다발 형상을 생성하는 단계는, NxN 빔(여기서 N은 자연수)을 기준으로 상기 전사 기판의 전사 영역을 구획하고, 상기 구획된 각 전사 영역에 대해 양품 칩의 전사 가능한 레이저 빔 다발 형상을 생성하는 단계를 포함할 수 있다.
상기 레이저 빔을 조사하는 단계는, 상기 타겟 기판과 상기 전사 기판을 정렬시키고, 상기 각 전사 영역에 대해 저장된 레이저 빔 다발 형상으로 상기 능동 멀티빔 광학계에서 상기 멀티빔을 형성하여 상기 전사 기판의 전사 영역에 조사하는 단계를 포함할 수 있다.
상기 레이저 빔을 조사하는 단계는, 레이저 스캐너를 이용하여 상기 능동 멀티빔 광학계에서 전달된 멀티빔을 반사시켜 각 개별 요소 빔의 피치와 경로를 변경하면서 이동시켜 조사하는 것을 포함할 수 있다.
상기 레이저 빔을 조사하는 단계는, 상기 레이저 스캐너를 이용하여 상기 멀티빔의 각 개별 요소 빔의 피치가 상기 반도체 소자 간격의 정수 배만큼 이격된 형태로 조사하는 것을 포함할 수 있다.
상기 레이저 빔을 조사하는 단계는, 상기 레이저 스캐너를 이용하여 상기 멀티빔의 각 개별 요소 빔의 피치가 상기 전사 영역의 폭만큼 이격된 형태로 조사하는 것을 포함할 수 있다.
상기 레이저 빔 다발 형상을 생성하는 단계는, 상기 능동 멀티빔 광학계에서 상기 멀티빔의 각 개별 요소 빔의 피치가 상기 반도체 소자 간격의 정수 배만큼 이격된 형태로 개폐된 것을 포함할 수 있다.
상기 전사 대상 포인트의 위치를 설정하는 단계는, 상기 타겟 기판에 전사된 반도체 소자를 검사하여 불량 칩의 위치를 인식하는 단계를 포함할 수 있다.
상기 레이저 빔 다발 형상을 생성하는 단계는, NxN 빔(여기서 N은 자연수)을 기준으로 상기 타겟 기판의 전사 영역을 구획하고, 상기 구획된 각 전사 영역에 대해 불량 칩의 제거 가능한 레이저 빔 다발 형상을 생성하는 단계를 포함할 수 있다.
상기 레이저 빔을 조사하는 단계는, 상기 각 전사 영역에 대해 저장된 레이저 빔 다발 형상으로 상기 능동 멀티빔 광학계에서 상기 레이저 멀티빔을 형성하여 상기 타겟 기판의 전사 영역에 조사하는 단계를 포함할 수 있다.
상기 전사 대상 포인트의 위치를 설정하는 단계는, 상기 반도체 소자가 전사된 타겟 기판을 검사하여 칩 미전사 위치를 인식하는 단계를 포함할 수 있다.
상기 레이저 빔 다발 형상을 생성하는 단계는, NxN 빔(여기서 N은 자연수)을 기준으로 상기 타겟 기판의 필-인(fill-in) 영역을 구획하고, 상기 전사 기판의 잔여 LED 칩의 배열과 상기 타겟 기판의 칩 미전사 위치를 조합하여 상기 구획된 각 필-인 영역에 대해 양품 칩의 전사 가능한 레이저 빔 다발 형상을 생성하는 단계를 포함할 수 있다.
상기 레이저 빔을 조사하는 단계는, 상기 타겟 기판과 상기 전사 기판을 정렬시키고, 상기 각 전사 영역에 대해 저장된 레이저 빔 다발 형상으로 상기 능동 멀티빔 광학계에서 상기 레이저 멀티빔을 형성하여 상기 전사 기판의 전사 영역에 조사하는 단계를 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따른 능동 멀티빔 생성 기반 선택적 레이저 전사 장치에 의하면, 선택적 멀티빔을 생성하여 전사공정에 적용하면서 각 빔의 개폐를 선택적으로 제어할 수 있기 때문에 고속으로 대면적을 전사할 수 있다.
본 발명의 다른 일 실시예에 따른 능동 멀티빔 생성 기반 선택적 레이저 전사 방법에 의하면, 선택적 멀티빔을 생성하여 고속으로 대면적을 전사하면서, 각 빔의 개폐를 선택적으로 제어하기 때문에 양품 칩은 대량으로 전사하고 불량 칩은 선별적으로 대량 제거할 수 있는 효과가 있다.
도 1a 및 1b는 본 발명의 일 실시예에 따른 능동 멀티빔 생성 기반 선택적 병렬 레이저 전사 장치를 도시한 개념도이다.
도 2a 내지 2c는 본 발명의 일 실시예에 따른 능동 멀티빔 생성 기반 레이저 전사 방법 중에서 선택적 병렬 대량 전사 공정을 도시한 공정도이다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 능동 멀티빔 생성 기반 레이저 전사 방법 중 선택적 병렬 대량 전사 공정이 완료된 후의 타겟 기판과 전사 기판을 도시한 평면도이다.
도 4a 내지 4d는 본 발명의 일 실시예에 따른 능동 멀티빔 생성 기반 레이저 전사 방법 중에서 선택적 대량 리페어(repair) 공정을 도시한 공정도이다.
도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 능동 멀티빔 생성 기반 레이저 전사 방법 중 선택적 대량 리페어 공정이 완료된 후의 타겟 기판과 전사 기판을 도시한 평면도이다.
도 6은 본 발명의 다른 일 실시예에 따른 능동 멀티빔 생성 기반 가변 피치 레이저 전사 장치를 도시한 개념도이다.
도 7a 및 7e는 본 발명의 다른 일 실시예에 따른 능동 멀티빔 생성 기반 레이저 전사 방법 중 선택적 가변 피치 대량 전사 공정을 도시한 공정도이다.
도 8은 본 발명의 다른 일 실시예에 따른 능동 멀티빔 생성 기반 레이저 전사 방법 중 가변 피치 대량 전사 방법을 설명하기 위하여 도시한 도면이다.
이하, 첨부한 도면을 참조하여 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 상세히 설명한다. 도면에서 본 발명을 명확하게 설명하기 위해서 설명과 관계없는 부분은 생략하였으며, 명세서 전체를 통하여 동일 또는 유사한 구성요소에 대해서는 동일한 참조부호를 붙였다. 또한, 첨부된 도면은 본 명세서에 개시된 실시예를 쉽게 이해할 수 있도록 하기 위한 것일 뿐, 첨부된 도면에 의해 본 명세서에 개시된 기술적 사상이 제한되지 않으며, 본 발명의 사상 및 기술 범위에 포함되는 모든 변경, 균등물 내지 대체물을 포함하는 것으로 이해되어야 한다.
어떤 구성요소가 다른 구성요소에 "연결되어" 있다거나 "접속되어" 있다고 언급된 때에는, 그 다른 구성요소에 직접적으로 연결되어 있거나 또는 접속되어 있을 수도 있지만, 중간에 다른 구성요소가 존재할 수도 있다고 이해되어야 할 것이다. 반면에, 어떤 구성요소가 다른 구성요소에 "직접 연결되어" 있다거나 "직접 접속되어" 있다고 언급된 때에는, 중간에 다른 구성요소가 존재하지 않는 것으로 이해되어야 할 것이다.
본 출원에서, "포함한다" 또는 "가지다" 등의 용어는 명세서상에 기재된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다.
도 1a 및 1b는 본 발명의 일 실시예에 따른 능동 멀티빔 생성 기반 선택적 병렬 레이저 전사 장치를 도시한 개념도로서, 도 1a는 능동 멀티빔 광학계에서 멀티빔을 생성하여 조사하는 상태를 나타낸 것이고, 도 1b는 능동 멀티빔 광학계에서 생성된 멀티빔을 선택적으로 개폐하여 조사하는 상태를 나타낸 것이다.
도 1a를 참조하면, 본 실시예에 따른 레이저 전사 장치(100)는 레이저 빔(L)을 생성하는 레이저 발진기(110), 레이저 빔(L)을 멀티빔으로 분할하는 능동 멀티빔 광학계(Active Multi-beam Optical System)(120), 및 멀티빔의 각 개별 요소를 집속하여 전사 기판(S)에 초점을 맞추게 하는 대물 렌즈(130)를 포함한다. 또한 전사 기판(S)과 타겟 기판(T)을 이송하는 스테이지(141, 142) 및 전사 대상 포인트의 위치를 설정하는 제어기(150)를 포함할 수 있다.
본 실시예에서 능동 멀티빔 광학계(120)는 공간 광 변조기(Spatial Light Modulator, SLM) 또는 디지털 초소형 미러 장치(Digital Micromirror Device, DMD)가 포함할 수 있다. 능동 멀티빔 광학계(120)는 레이저 발진기(110)에서 생성된 단일 빔을 전달받아 복수의 레이저 빔으로 분할하여 멀티빔을 생성할 수 있다. 그리고 각각의 멀티빔을 선택적으로 개폐하여 레이저 빔 다발 형상을 생성할 수 있다. 도 1b는 능동 멀티빔 광학계(120)에서 멀티빔의 일부 요소를 폐쇄한 레이저 빔 다발 형상을 전사 기판(S)으로 전송하는 상태를 모식적으로 나타낸 것이다.
레이저 발진기(110)와 능동 멀티빔 광학계(120)의 사이에는 빔 셰이퍼(beam shaper)(115)가 위치할 수 있다. 빔 셰이퍼(115)는 레이저 발진기(110)로부터 방사된 시준된 가우시안 입력 빔을 균일한 세기를 갖는 플랫 탑(flat top) 빔으로 바꿔 능동 멀티빔 광학계(120)로 전달할 수 있다.
그리고 대물 렌즈(130)는 능동 멀티빔 광학계(120) 이후의 광 경로 상에 구비되어 능동 멀티빔 광학계(120)로부터 전달되는 멀티빔의 각 개별 요소를 집속하여 전사 기판(S)에 초점을 맞추게 한다. 따라서, 대물 렌즈(130)는 전사 기판(S)과 능동 멀티빔 광학계(120)의 사이에 위치한다.
또한 능동 멀티빔 광학계(120)와 대물 렌즈(130) 사이의 광 경로 상에는 광학 릴레이(125)가 위치할 수 있다. 광학 릴레이(125)는 능동 멀티빔 광학계(120)를 거친 멀티빔을 연장하여 대물 렌즈(130)로 전달할 수 있다.
전사 기판(S)은 그 표면에, 일례로 마이크로 LED 칩(Ch)이 전사되어 있으며 스테이지(141)에 의해 평면방향으로 2축 구동될 수 있다. 전사 기판(S)에 전사된 LED 칩(Ch)은 에피텍시얼 웨이퍼(EPI wafer) 상의 마이크로 LED 칩이 레이저 리프트-오프(Laser Lift-Off, LLO) 공정에 의해 옮겨져 배열될 수 있으며, 복수 개가 서로 인접하여 상하좌우로 정렬되어 있다. 전사 기판(S)은 단단한 기판일 수도 있고, 유연한 필름일 수도 있다.
타겟 기판(T)은 전사 기판(S)과 대향하도록 배치되고 스테이지(142)에 의해 평면방향으로 2축 구동될 수 있다. 이 때 타겟 기판(T)은 전사 기판(S)과 정렬된 후 이와 함께 스테이지(142)에 의해 이송될 수 있다. 또한 타겟 기판(T)과 전사 기판(S)은 서로 다른 스테이지(141, 142)에 의해 독립적으로 구동되어 서로 상대적인 움직임을 구현할 수도 있다. 타겟 기판(T)은 단단한 기판일 수도 있고, 유연한 필름일 수도 있으며, 3차원의 형상으로 이루어질 수도 있다.
도 2a 내지 2c는 본 발명의 일 실시예에 따른 능동 멀티빔 생성 기반 레이저 전사 방법 중에서 선택적 병렬 대량 전사 공정을 도시한 공정도로서, 도 2a는 레이저 빔 다발 형상을 생성하는 과정을 나타내었고, 도 2b 및 2c는 생성된 레이저 빔 다발 형상을 이용하여 선택적 대량 전사를 수행하는 과정을 나타내었다.
도 2a를 참조하면, 먼저 레이저 리프트-오프(Laser Lift-Off, LLO) 공정으로 에피텍시얼 웨이퍼(EPI wafer) 상의 마이크로 LED 칩(Ch)을 전사 기판(S)으로 옮긴다. (단계 (a1)). LED 칩(Ch)은 대략 정사각형 또는 직사각형으로 이루어져 상하좌우로 서로 인접하여 전사 기판(S)에 꽉차게 배열될 수 있다.
다음으로, 전사 기판에 옮겨진 마이크로 LED 칩(Ch)을 검사하여 불량 칩(Ch0)의 위치를 인식함으로써 전사 대상 포인트의 위치를 설정할 수 있다. (단계 (a2)). 즉, LED 생성 또는 LLO 공정 중 발생한 불량 칩(Ch0)을 검사하고 그 위치를 인식(addressing)하여 양품 칩(Ch1)과 불량 칩(Ch0)의 좌표를 저장해 둘 수 있다.
다음으로, 타겟 기판(T)을 준비하여 전사 기판(S)을 뒤집어 타겟 기판(T)과 대향시키고, 전사 기판(S)과 타겟 기판(T)을 서로 정렬하여 고정시킨다. (단계 (a3)). 즉, 본 실시예의 공정에서는 전사 기판(S)의 LED 칩(Ch)을 타겟 기판(T)으로 대량 전사하고자 하므로 전사 기판(S)과 타겟 기판(T)은 서로 고정되어 함께 이송된다.
다음으로, NxN 빔(여기서 N은 자연수)을 기준으로 전사 기판(S)의 대면적 전사 영역(TR)을 구획하고, 상기 구획된 각 전사 영역(TR)에 대해 양품 칩의 전사 가능한 레이저 빔 다발 형상을 생성한다. (단계 (a4)). 이 때 검사 공정에서 검출된 불량 칩(Ch0) 부분을 제외하고 나머지 양품 칩(Ch1)의 위치에 대응하는 형상으로 생성될 수 있다.
도 2a에서는 일례로 4x4 빔을 기준으로 전사 기판(S)을 구획한 4개의 전사 영역(TR)을 나타내었다. 4개의 전사 영역(TR) ①, ②, ③, ④ 각각에서 불량 칩(Ch0) 위치를 제외하고 양품 칩(Ch1) 위치에서만 레이저 빔을 개방하여 도 2a의 (a4)에 도시된 바와 같이 4개의 레이저 빔 다발 형상을 생성할 수 있다.
도 2b 및 2c를 참조하면, 생성된 레이저 빔 다발 형상을 이용하여 각 전사 영역(TR)을 순차적으로 전사할 수 있다.
먼저 타겟 기판(T)과 전사 기판(S)을 정렬시키고, 각 전사 영역(TR)에 대해 저장된 레이저 빔 다발 형상으로 멀티빔(LL)을 형성하여 전사 기판(S)의 전사 영역(TR)에 조사한다. (단계 (a5)~(a8)).
멀티빔(LL)은 능동 멀티빔 광학계에서 분할된 복수의 빔을 각 전사 영역(TR)에 대해 저장된 레이저 빔 다발 형상에 따라 멀티빔(LL)의 각 개별요소의 개폐를 제어하여 형성될 수 있다. ① 영역에서 전사가 마무리되면, 2축 스테이지를 적용하여 전사 기판(S)과 타겟 기판(T)을 함께 이송하고, ② 영역, ③ 영역, ④ 영역에서 순차적으로 전사를 수행할 수 있다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 능동 멀티빔 생성 기반 레이저 전사 방법 중 선택적 병렬 대량 전사 공정이 완료된 후의 타겟 기판과 전사 기판을 도시한 평면도이다.
도 3을 참조하면, 전사 공정이 완료된 타겟 기판(T)에는 불량 칩(Ch0) 부분을 제외한 나머지 부분에 양품 칩(Ch1)이 전사되었다. 그리고 전사가 완료된 후 전사 기판(S)에는 불량 칩(Ch0)과 함께 전사 영역(TR)에 들지 못한 부분의 LED 칩(Ch)이 남아 있다. 이렇게 남은 LED 칩(Ch)은 이하에 설명한 선택적 대량 리페이 공정에서 활용될 수 있다.
도 4a 내지 4d는 본 발명의 일 실시예에 따른 능동 멀티빔 생성 기반 레이저 전사 방법 중에서 선택적 대량 리페어(repair) 공정을 도시한 공정도로서, 도 4a는 전사된 불량 칩을 제거하는 과정을 나타내었고, 도 4b 내지 4d는 전사 기판에 남은 LED 칩을 이용하여 필-인(Fill-in) 공정을 수행하는 과정을 나타내었다.
도 4a를 참조하면, 먼저 타겟 기판(T)에 전사된 마이크로 LED 칩(Ch)을 검사하여 불량 칩(Ch0)의 위치를 인식함으로써 제거 대상 포인트의 위치를 설정한다. (단계 (b1)).
다음으로, NxN 빔(여기서 N은 자연수)을 기준으로 타겟 기판(T)의 대면적 제거 영역(Rm)을 구획하고, 상기 구획된 각 제거 영역(Rm)에 대해 불량 칩(Ch0)의 제거 가능한 레이저 빔 다발 형상을 생성한다. (단계 (b2)). 즉, 상기에서 인식된 타겟 기판(T)의 불량 칩(Ch0)을 커버하는 제거 영역(Rm)을 구획하고 검출된 불량 칩(Ch0)의 위치에 대응하는 형상으로 생성할 수 있다.
도 4a에서는 일례로 4x4 빔을 기준으로 불량 칩(Ch0)을 포함하는 타겟 기판(T)을 구획한 2개의 제거 영역(Rm)을 나타내었다. 2 개의 제거 영역(Rm)①, ② 각각에서 불량 칩(Ch0) 위치에서만 레이저 빔을 개방하여 도 4a의 (b2)에 도시된 바와 같이 2개의 레이저 빔 다발 형상을 생성할 수 있다.
다음으로, 각 제거 영역(Rm)에 대해 저장된 레이저 빔 다발 형상으로 레이저 멀티빔(LL)을 형성하여 타겟 기판(T)의 제거 영역에 조사한다. (단계 (b3)~(b4)). 타겟 기판(T)의 ① 영역에서 제거가 마무리되면, 2축 스테이지를 적용하여 타겟 기판(T)을 이송한 다음 ② 영역에서 제거를 수행할 수 있다.
도 4b를 참조하면, 먼저 마이크로 LED 칩(Ch)이 전사된 타겟 기판(T)을 검사하여 칩 미전사 위치를 인식함으로써 전사 대상 포인트의 위치를 설정한다. (단계 (b5)).
다음으로, NxN 빔(여기서 N은 자연수)을 기준으로 타겟 기판(T)의 필-인(fill-in) 영역(FR)을 구획하고, 전사 기판(S)의 잔여 LED 칩의 배열과 타겟 기판(T)의 칩 미전사 위치를 조합하여 상기 구획된 각 필-인 영역(FR)에 대해 양품 칩(Ch1)의 전사 가능한 레이저 빔 다발 형상을 생성한다. (단계 (b6)).
도 4b를 참조하면, 일례로 4x4 빔을 기준으로 필-인 영역(FR)을 구획하되, 전사 기판(S)에 남아 있는 잔여 LED 칩(Ch)의 배열형태를 고려하여 가로 또는 세로로 긴 형태의 4개의 필-인 영역(FR)을 구획할 수 있다. 즉, 필-인 영역(FR) ①, ③은 4x1 영역으로 설정하여 전사 기판(S)의 횡방향으로 배열된 잔여 LED 칩(Ch)을 대응시켜 전사하고, 필-인 영역(FR) ②, ④는 1x4 영역으로 설정하여 전사 기판(S)의 종방향으로 배열된 잔여 LED 칩(Ch)을 대응시켜 전사할 수 있다. 이 때 각 필-인 영역(FR)에서 칩 미전사 위치에 대응하는 개별 레이저 빔만 개방하여 도 4b의 (b6)에 도시된 바와 같이 4 종류의 레이저 빔 다발 형상을 생성할 수 있다.
도 4c 및 4d를 참조하면, 생성된 레이저 빔 다발 형상을 이용하여 각 필-인 영역(FR)을 순차적으로 전사할 수 있다.
먼저 타겟 기판(T)과 전사 기판(S)을 정렬시키고, 각 필-인 영역(FR)에 대해 저장된 레이저 빔 다발 형상으로 멀티빔(LL)을 형성하여 전사 기판(S)의 필-인 영역(FR)에 조사한다. (단계 (b7)~(b10)).
타겟 기판(T)의 ① 영역에서 전사가 마무리되면, 2축 스테이지를 적용하여 전사 기판(S)과 타겟 기판(T)을 이송하고, ② 영역, ③ 영역, ④ 영역에서 순차적으로 전사를 수행할 수 있다.
도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 능동 멀티빔 생성 기반 레이저 전사 방법 중 선택적 대량 리페어 공정이 완료된 후의 타겟 기판과 전사 기판을 도시한 평면도이다.
도 5를 참조하면, 리페어 공정이 완료된 타겟 기판(T)에는 전 영역에 양품 칩(Ch1)이 전사되었다. 그리고 리페어 공정까지 완료된 후 전사 기판(S)에는 불량 칩(Ch0)과 함께 리페어 공정에서 사용되지 못한 LED 칩(Ch)이 남아 있다.
도 6은 본 발명의 다른 일 실시예에 따른 능동 멀티빔 생성 기반 가변 피치 레이저 전사 장치를 도시한 개념도이다.
도 6을 참조하면, 본 실시예에 따른 레이저 전사 장치(200)는 레이저 빔(L)을 생성하는 레이저 발진기(110), 레이저 빔(L)을 멀티빔으로 분할하는 능동 멀티빔 광학계(Active Multi-beam Optical System)(120) 및 전송된 레이저 빔을 반사하여 광경로를 변경하는 레이저 스캐너(210)를 포함한다. 또한 전사 기판(S)과 타겟 기판(T)을 이송하는 스테이지(141, 142) 및 전사 대상 포인트의 위치를 설정하는 제어기(150)를 포함할 수 있다.
능동 멀티빔 광학계(120)는 레이저 발진기(110)에서 생성된 단일 빔을 전달받아 복수의 레이저 빔으로 분할하여 멀티빔을 생성할 수 있다. 그리고 각각의 멀티빔을 선택적으로 개폐하여 레이저 빔 다발 형상을 생성할 수 있다. 능동 멀티빔 광학계(120)는 공간 광 변조기(Spatial Light Modulator, SLM) 또는 디지털 초소형 미러 장치(Digital Micromirror Device, DMD)를 포함할 수 있다.
레이저 발진기(110)와 능동 멀티빔 광학계(120)의 사이에는 빔 셰이퍼(beam shaper)(105)가 위치할 수 있다. 빔 셰이퍼(115)는 레이저 발진기(110)로부터 방사된 시준된 가우시안 입력 빔을 균일한 세기를 갖는 플랫 탑(flat top) 빔으로 바꿔 능동 멀티빔 광학계(120)로 전달할 수 있다.
레이저 스캐너(210)는 능동 멀티빔 광학계(120)로부터 전달되는 멀티빔을 반사하여 광경로를 변경함으로써 전사 기판(S) 및 타겟 기판(T)을 향해 상기 멀티빔을 조사할 수 있다. 레이저 스캐너(210) 이후의 광 경로 상에 텔레센트릭 렌즈(220)가 구비되어 레이저 스캐너(210)로부터 반사되어 전달되는 멀티빔을 전사 기판(S) 및 타겟 기판(T)으로 집속하여 초점을 맞추게 할 수 있다. 즉, 텔레센트릭 렌즈(220)는 전사 기판(S)과 레이저 스캐너(210) 사이에 위치한다.
또한 능동 멀티빔 광학계(120)와 레이저 스캐너(210) 사이의 광 경로 상에는 광학 릴레이(125)가 위치할 수 있다. 광학 릴레이(125)는 능동 멀티빔 광학계(120)를 거친 멀티빔을 연장하여 레이저 스캐너(210)로 전달할 수 있다.
전사 기판(S)은 그 표면에, 일례로 마이크로 LED 칩(Ch)이 전사되어 있으며 스테이지(141)에 의해 평면방향으로 2축 구동될 수 있다. 전사 기판(S)에 전사된 LED 칩(Ch)은 에피텍시얼 웨이퍼(EPI wafer) 상의 마이크로 LED 칩이 레이저 리프트-오프(Laser Lift-Off, LLO) 공정에 의해 옮겨져 배열될 수 있으며, 복수 개가 서로 인접하여 상하좌우로 정렬되어 있다. 전사 기판(S)은 단단한 기판일 수도 있고, 유연한 필름일 수도 있다.
타겟 기판(T)은 전사 기판(S)과 대향하도록 배치되고 스테이지(142)에 의해 평면방향으로 2축 구동될 수 있다. 이 때 타겟 기판(T)은 전사 기판(S)과 정렬된 후 이와 함께 스테이지(141, 142)에 의해 이송될 수 있다. 또한 타겟 기판(T)과 전사 기판(S)은 서로 다른 스테이지(141, 142)에 의해 독립적으로 구동되어 서로 상대적인 움직임을 구현할 수도 있다. 타겟 기판(T)은 단단한 기판일 수도 있고, 유연한 필름일 수도 있으며, 3차원의 형상으로 이루어질 수도 있다.
도 7a 및 7e는 본 발명의 다른 일 실시예에 따른 능동 멀티빔 생성 기반 레이저 전사 방법 중 선택적 가변 피치 대량 전사 공정을 도시한 공정도로서, 도 7a는 레이저 빔 다발 형상을 생성하는 과정을 나타내었고, 도 7b 내지 7e는 생성된 레이저 빔 다발 형상을 이용하여 선택적 대량 전사를 수행하는 과정을 나타내었다.
레이저 리프트-오프(LLO) 공정으로 마이크로 LED 칩(Ch)을 전사 기판(S)에 옮기고, 옮겨진 마이크로 LED 칩(Ch)을 검사하여 불량 칩(Ch0)의 위치를 인식하여 전사 대상 포인트의 위치를 설정하며, 전사 기판(S)을 뒤집어 타겟 기판(T)과 대향시키고 서로 정렬하여 고정시키는 과정은 상기 도 2a의 단계 (a1) 내지 (a3)와 동일하게 수행될 수 있다.
전사 기판(S)과 타겟 기판(T)을 정렬한 다음, NxN 빔(여기서 N은 자연수)을 기준으로 전사 기판(S)의 대면적 전사 영역(TR)을 구획하고, 상기 구획된 각 전사 영역(TR)에 대해 양품 칩(Ch1)의 전사 가능한 레이저 빔 다발 형상을 생성한다. (단계 (c1)). 이 때 검사 공정에서 검출된 불량 칩(Ch0) 부분을 제외하고 나머지 양품 칩(Ch1)의 위치에 대응하는 형상으로 생성될 수 있다.
도 7a 내지 7e에서는 일례로 2x2 빔을 기준으로 전사 공정을 수행하는 과정을 나타내었다. 4개의 전사 영역(TR) ①, ②, ③, ④가 구획된 전사 기판(S)에 조사되는 2x2 빔은 각각의 빔이 각 전사 영역(TR)의 동일하게 대응하는 위치에 조사될 수 있다. 따라서 2x2 빔의 각 개별 요소 빔은 각 전사 영역(TR)을 구성하는 LED 칩(Ch)의 횡방향 및 종방향 간격의 정수 배만큼 이격된 피치로 변경되어 조사될 수 있는 바, 설정된 전사 영역(TR)의 폭만큼 이격된 피치로 조사될 수 있다. 이 때 멀티빔의 각 개별 요소의 스캔 경로는, 도 7a에 나타낸 바와 같이, 각 전사 영역(TR) 내의 좌상단에서 좌하단까지 사행(蛇行)하는 경로를 따라 이루어질 수 있다.
도 7b 내지 7e를 참조하면, 생성된 레이저 빔 다발 형상을 이용하여 모든 전사 영역(TR)에 대하여 순차적으로 전사할 수 있다.
먼저 타겟 기판(T)과 전사 기판(S)을 정렬시키고, 각 전사 영역(TR)의 동일하게 대응하는 위치에 해당하는 개별 빔을 동시에 조사한다. (단계 (c2)~(c9)). 이 때 각 전사 영역(TR) 별로 저장된 레이저 빔 다발 형상을 기초로 하며, 양품 칩(Ch1)에 대응하는 멀티빔의 개별 요소는 개방되고 불량 칩(Ch0)에 대응하는 멀티빔(LL)의 개별 요소는 폐쇄될 수 있다.
단계 (c2)에서는 각 전사 영역(TR)의 첫 번째 LED 칩(Ch) 위치에 레이저 빔이 조사되어 LED 칩(Ch)을 타겟 기판(T)으로 전사할 수 있으며, 불량 칩(Ch0)에 대응하는 위치의 레이저 빔은 폐쇄되어 조사되지 않는다.
단계 (c3)-(c5)에서 횡방향 우측으로 차례로 이동하면서 다음 LED 칩(Ch) 위치에 레이저 빔이 조사되며, 이러한 이동은 스테이지를 횡방향 좌측으로 구동하여 전사 기판(S)과 타겟 기판(T)을 이동시킴으로써 달성될 수 있다.
각 전사 영역(TR) 내에서 최상단 열의 LED 칩(Ch) 전사가 완료되면, 단계 (c6)에서와 같이 종방향 하측으로 이동하여 다음 LED 칩(Ch) 위치에 레이저 빔이 조사되며, 이러한 이동은 스테이지를 종방향 상측으로 구동하여 전사 기판(S)과 타겟 기판(T)을 이동시킴으로써 달성될 수 있다.
단계 (c7)에서는 횡방향 좌측으로 이동하면서 다음 LED 칩(Ch) 위치에 레이저 빔이 조사되며, 단계 (c9)에서 각 전사 영역(TR) 내의 마지막 LED 칩(Ch)까지 전사하면 전사 공정이 완료된다.
한편, 도 6에 나타낸 레이저 스캐너(210)를 구비한 레이저 전사 장치(200)를 이용하여 도 4a 내지 4d를 참조로 설명된 선택적 대량 리페어 공정을 마찬가지로 수행할 수 있다. 따라서 전사된 불량 칩을 타겟 기판으로부터 제거할 수 있으며, 전사 기판에 남은 LED 칩을 이용하여 필-인 공정을 수행할 수도 있다.
도 8은 본 발명의 다른 일 실시예에 따른 능동 멀티빔 생성 기반 레이저 전사 방법 중 가변 피치 대량 전사 방법을 설명하기 위하여 도시한 도면으로서, 좁은 피치(narrow pitch) 멀티빔 패턴을 사용한 예(a), 중간 피치(middle pitch) 멀티빔 패턴을 사용한 예(b), 및 넓은 피치(wide pitch) 멀티빔 패턴을 사용한 예(c)를 나타내었다.
본 실시예에 따른 레이저 전사 방법에서는 도 1a 및 1b에 도시된 실시예에 따른 레이저 전사 장치에서 칩 간격의 정수배가 되는 형태로 각 개별 요소 빔을 개폐하여 멀티빔 패턴을 생성하여 전사할 수 있다.
즉, 도 8의 (a)는 전사 기판 상에 배치된, 즉, 웨이퍼에 형성된 그대로의 LED 칩(Ch) 간격에 맞추어 빔을 생성한 좁은 피치의 멀티빔 패턴을 나타낸 것이다. 도 8의 (b)는 가로 방향 및 세로 방향으로 하나의 칩(Ch) 만큼 건너서 빔을 생성하고 대각 방향으로는 연달아 빔이 형성되도록 생성한 중간 피치의 멀티빔 패턴을 나타낸 것이다. 도 8의 (c)는 가로 방향, 세로 방향 및 대각 방향으로 모두 하나의 칩(Ch)만큼 건너서 빔을 생성한 넓은 피치의 멀티빔 패턴을 나타낸 것이다.
따라서 구획된 전사 영역에 다양한 배열로 LED 칩(Ch)을 한 번에 전사할 수 있으며, 스캐닝 과정을 생략할 수 있다. 본 실시예에 따른 레이저 전사 방법에서도 상기 도 2a 내지 도 5를 참조하여 설명한 선택적 전사 공정이 적용될 수 있다.
이로써 웨이퍼 상에서 촘촘하게 LED 칩(Ch)을 만든 후 타겟 기판에서 요구되는 간격으로 재배열함으로써 버려지는 부분 없이 웨이퍼를 충분히 활용할 수 있다. 또한 전사되는 LED 칩(Ch) 간의 간격을 변화시키는데 있어서 장비의 광학계나 기타 하드웨어를 교체하지 않고, 제어기에서 멀티빔 패턴 생성 프로그램의 수정만으로 공정 조건을 바꿀 수 있으므로, 원가 절감 및 효율성 증대 효과가 있다.
상기한 실시예들에서는 마이크로 LED 칩을 대상으로 하여 설명하였으나, 본 발명은 웨이퍼에서 형성되어 전사 기판을 통해 타겟 기판으로 전사될 수 있는 반도체 소자에도 적용될 수 있음은 물론이다. 이러한 반도체 소자에는 상기 예로 설명한 마이크로 LED 칩뿐만 아니라, 미세 소자, 박형 소자를 포함하는 반도체 기반의 전자소자를 포함할 수 있다.
이상을 통해 본 발명의 바람직한 실시예에 대하여 설명하였지만, 본 발명은 이에 한정되는 것이 아니고 특허청구범위와 발명의 상세한 설명 및 첨부한 도면의 범위 안에서 여러 가지로 변형하여 실시하는 것이 가능하고 이 또한 본 발명의 범위에 속하는 것은 당연하다.
100: 레이저 전사 장치
110: 레이저 발진기
115: 빔 쉐이퍼
120: 능동 멀티빔 광학계
130: 대물 렌즈
141, 142: 스테이지
210: 레이저 스캐너
220: 텔레센트릭 렌즈
L: 레이저 빔
LL: 멀티빔
S: 전사 기판
T: 타겟 기판
Ch: 마이크로 LED 칩
Ch0: 불량 칩
Ch1: 양품 칩

Claims (20)

  1. 레이저 빔을 생성하는 레이저 발진기;
    상기 레이저 빔을 멀티빔으로 분할하고, 상기 멀티빔의 각 개별 요소를 선택적으로 개폐한 레이저 빔 다발 형상을 생성하는 능동 멀티빔 광학계;
    전사 기판과 타겟 기판을 2축 방향으로 이송하는 스테이지; 및
    전사 대상 포인트의 위치를 설정하고 상기 위치 신호를 상기 능동 멀티빔 광학계와 상기 스테이지에 전송하여, 상기 위치 신호에 따른 상기 스테이지의 구동과 상기 멀티빔의 개폐를 제어하는 제어기
    를 포함하는 능동 멀티빔 생성 기반 레이저 전사 장치.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 능동 멀티빔 광학계로부터 전송된 멀티빔을 각 개별 요소 별로 집속하는 렌즈를 더 포함하는 능동 멀티빔 생성 기반 레이저 전사 장치.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 능동 멀티빔 광학계로부터 전송된 멀티빔을 반사하여 각 개별 요소 빔의 피치와 경로를 변경하는 레이저 스캐너를 더 포함하는 능동 멀티빔 생성 기반 레이저 전사 장치.
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 능동 멀티빔 광학계는 공간 광 변조기(SLM) 또는 디지털 초소형 미러 장치(DMD)를 포함하는, 능동 멀티빔 생성 기반 레이저 전사 장치.
  5. 반도체 소자를 전사 기판으로부터 타겟 기판에 전사하는 레이저 전사 방법에 있어서,
    단일 레이저 빔을 능동 멀티빔 광학계에 전송하여 멀티빔을 생성하는 단계;
    전사 기판 또는 타겟 기판의 반도체 소자를 검사하여 전사 대상 포인트의 위치를 설정하는 단계;
    상기 설정된 전사 대상 포인트의 위치 신호를 상기 능동 멀티빔 광학계에 전달하여 개별 요소 빔이 선택적으로 개폐된 레이저 빔 다발 형상을 생성하는 단계; 및
    상기 전사 기판에 상기 생성된 다발 형상의 레이저 빔을 조사하는 단계
    를 포함하는 능동 멀티빔 생성 기반 레이저 전사 방법.
  6. 제 5 항에 있어서,
    레이저 리프트-오프(Laser Lift-Off, LLO) 공정으로 에피텍시얼 웨이퍼(EPI wafer) 상의 반도체 소자를 상기 전사 기판으로 옮기는 단계를 더 포함하는 능동 멀티빔 생성 기반 레이저 전사 방법.
  7. 제 5 항에 있어서,
    상기 능동 멀티빔 광학계는 공간 광 변조기(SLM) 또는 디지털 초소형 미러 장치(DMD)를 포함하는, 능동 멀티빔 생성 기반 레이저 전사 방법.
  8. 제 5 항에 있어서,
    상기 전사 대상 포인트의 위치를 설정하는 단계는,
    상기 전사 기판에 옮겨진 반도체 소자를 검사하여 불량 칩의 위치를 인식하는 단계를 포함하는, 능동 멀티빔 생성 기반 레이저 전사 방법.
  9. 제 8 항에 있어서,
    상기 레이저 빔 다발 형상을 생성하는 단계는,
    NxN 빔(여기서 N은 자연수)을 기준으로 상기 전사 기판의 전사 영역을 구획하고, 상기 구획된 각 전사 영역에 대해 양품 칩의 전사 가능한 레이저 빔 다발 형상을 생성하는 단계를 포함하는, 능동 멀티빔 생성 기반 레이저 전사 방법.
  10. 제 9 항에 있어서,
    상기 레이저 빔을 조사하는 단계는,
    상기 타겟 기판과 상기 전사 기판을 정렬시키고, 상기 각 전사 영역에 대해 저장된 레이저 빔 다발 형상으로 상기 능동 멀티빔 광학계에서 상기 멀티빔을 형성하여 상기 전사 기판의 전사 영역에 조사하는 단계를 포함하는, 능동 멀티빔 생성 기반 레이저 전사 방법.
  11. 제 9 항에 있어서,
    상기 레이저 빔을 조사하는 단계는,
    레이저 스캐너를 이용하여 상기 능동 멀티빔 광학계에서 전달된 멀티빔을 반사시켜 각 개별 요소 빔의 피치와 경로를 변경하면서 이동시켜 조사하는 것을 포함하는, 능동 멀티빔 생성 기반 레이저 전사 방법.
  12. 제 11 항에 있어서,
    상기 레이저 빔을 조사하는 단계는,
    상기 레이저 스캐너를 이용하여 상기 멀티빔의 각 개별 요소 빔의 피치가 상기 반도체 소자 간격의 정수 배만큼 이격된 형태로 조사하는 것을 포함하는, 능동 멀티빔 생성 기반 레이저 전사 방법.
  13. 제 11 항에 있어서,
    상기 레이저 빔을 조사하는 단계는,
    상기 레이저 스캐너를 이용하여 상기 멀티빔의 각 개별 요소 빔의 피치가 상기 전사 영역의 폭만큼 이격된 형태로 조사하는 것을 포함하는, 능동 멀티빔 생성 기반 레이저 전사 방법.
  14. 제 5 항에 있어서,
    상기 레이저 빔 다발 형상을 생성하는 단계는,
    상기 능동 멀티빔 광학계에서 상기 멀티빔의 각 개별 요소 빔의 피치가 상기 반도체 소자 간격의 정수 배만큼 이격된 형태로 개폐된 것을 포함하는,
    능동 멀티빔 생성 기반 레이저 전사 방법.
  15. 제 5 항에 있어서,
    상기 전사 대상 포인트의 위치를 설정하는 단계는,
    상기 타겟 기판에 전사된 반도체 소자를 검사하여 불량 칩의 위치를 인식하는 단계를 포함하는, 능동 멀티빔 생성 기반 레이저 전사 방법.
  16. 제 15 항에 있어서,
    상기 레이저 빔 다발 형상을 생성하는 단계는,
    NxN 빔(여기서 N은 자연수)을 기준으로 상기 타겟 기판의 전사 영역을 구획하고, 상기 구획된 각 전사 영역에 대해 불량 칩의 제거 가능한 레이저 빔 다발 형상을 생성하는 단계를 포함하는, 능동 멀티빔 생성 기반 레이저 전사 방법.
  17. 제 16 항에 있어서,
    상기 레이저 빔을 조사하는 단계는,
    상기 각 전사 영역에 대해 저장된 레이저 빔 다발 형상으로 상기 능동 멀티빔 광학계에서 상기 레이저 멀티빔을 형성하여 상기 타겟 기판의 전사 영역에 조사하는 단계를 포함하는 능동 멀티빔 생성 기반 레이저 전사 방법.
  18. 제 5 항에 있어서,
    상기 전사 대상 포인트의 위치를 설정하는 단계는,
    상기 반도체 소자가 전사된 타겟 기판을 검사하여 칩 미전사 위치를 인식하는 단계를 포함하는, 능동 멀티빔 생성 기반 레이저 전사 방법.
  19. 제 18 항에 있어서,
    상기 레이저 빔 다발 형상을 생성하는 단계는,
    NxN 빔(여기서 N은 자연수)을 기준으로 상기 타겟 기판의 필-인(fill-in) 영역을 구획하고, 상기 전사 기판의 잔여 칩의 배열과 상기 타겟 기판의 칩 미전사 위치를 조합하여 상기 구획된 각 필-인 영역에 대해 양품 칩의 전사 가능한 레이저 빔 다발 형상을 생성하는 단계를 포함하는, 능동 멀티빔 생성 기반 레이저 전사 방법.
  20. 제 19 항에 있어서,
    상기 레이저 빔을 조사하는 단계는,
    상기 타겟 기판과 상기 전사 기판을 정렬시키고, 상기 각 전사 영역에 대해 저장된 레이저 빔 다발 형상으로 상기 능동 멀티빔 광학계에서 상기 레이저 멀티빔을 형성하여 상기 전사 기판의 전사 영역에 조사하는 단계를 포함하는, 능동 멀티빔 생성 기반 레이저 전사 방법.
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