KR102309671B1 - Light emitting device package and lighiting device - Google Patents

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Abstract

실시 예는 발광 소자 패키지 및 조명 장치에 관한 것이다.
실시 예의 발광 소자 패키지는 상부가 개방된 캐비티를 갖는 몸체와, 캐비티 내부 바닥면에 실장되는 발광 소자와, 몸체 상에 위치하는 보호 필름, 및 몸체 상에 보호 필름을 결합시키는 접착제를 포함하고, 보호 필름은 자외선 파장을 투과하는 투과부 및 자외선 파장을 차단하고 투과부의 가장자리에 위치한 차단부를 포함할 수 있다.The embodiment relates to a light emitting device package and a lighting device.
The light emitting device package of the embodiment includes a body having a cavity with an open top, a light emitting device mounted on a bottom surface inside the cavity, a protective film positioned on the body, and an adhesive for bonding the protective film on the body, The film may include a transmissive part that transmits the UV wavelength and a blocking part that blocks the UV wavelength and is located at an edge of the transmissive part.

Description

발광 소자 패키지 및 조명 장치{LIGHT EMITTING DEVICE PACKAGE AND LIGHITING DEVICE}Light emitting device package and lighting device

실시 예는 발광 소자 패키지 및 조명 장치에 관한 것이다.The embodiment relates to a light emitting device package and a lighting device.

발광 소자(Light Emitting Device)는 전기에너지가 빛 에너지로 변환되는 특성의 p-n 접합 다이오드로서, 주기율표상에서 Ⅲ족과 Ⅴ족 등의 화합물 반도체로 생성될 수 있고 화합물 반도체의 조성비를 조절함으로써 다양한 색상구현이 가능하다.A light emitting device is a pn junction diode that converts electrical energy into light energy. possible.

GaN 계열의 발광 소자(LED)는 천연색 LED 표시소자, LED 교통 신호기, 백색 LED 등 다양한 응용에 사용되고 있다. 최근, 고효율 백색 LED의 발광 효율(luminous efficiency)은 통상의 형광램프의 효율보다 우수하여 일반 조명 분야에서도 형광 램프를 대체할 것으로 기대되고 있다.GaN-based light emitting devices (LEDs) are used in various applications such as natural color LED displays, LED traffic signals, and white LEDs. Recently, since the luminous efficiency of a high-efficiency white LED is superior to that of a conventional fluorescent lamp, it is expected to replace the fluorescent lamp in the general lighting field.

일반적인 자외선 파장을 갖는 발광 소자는 몸체의 캐비티 내에 자외선 발광 소자가 실장되고, 발광 소자를 보호하고 자외선 파장을 투과하는 쿼츠 필름을 덮는다. 상기 쿼츠 필름은 접착제를 이용하여 몸체와 결합된다.In a light emitting device having a general ultraviolet wavelength, the ultraviolet light emitting device is mounted in a cavity of a body, and a quartz film that protects the light emitting device and transmits the ultraviolet wavelength is covered. The quartz film is coupled to the body using an adhesive.

그러나, 일반적인 자외선 파장을 갖는 발광 소자는 발광 소자로부터의 자외선 파장의 광자가 쿼츠 필름의 가장자리를 따라 접착제의 손상을 으로 접착제가 손상되어 본체와 쿼츠 필름의 결합불량을 야기하는 문제가 있었다.However, in the light emitting device having a general ultraviolet wavelength, photons of the ultraviolet wavelength from the light emitting device damage the adhesive along the edge of the quartz film, causing the adhesive to be damaged, resulting in poor bonding between the body and the quartz film.

실시 예는 구성 간의 결합불량을 개선할 수 있는 발광 소자 패키지 및 조명 장치를 제공한다.The embodiment provides a light emitting device package and a lighting device capable of improving coupling defects between components.

실시 예는 구성 간의 결합 신뢰도를 향상시킬 수 있는 발광 소자 패키지 및 조명 장치를 제공한다.The embodiment provides a light emitting device package and a lighting device capable of improving the reliability of coupling between components.

실시 예에 의한 발광 소재 패키지는 상부가 개방된 캐비티를 갖는 몸체; 상기 캐비티 내부 바닥면에 실장되는 발광 소자; 상기 몸체 상에 위치하는 보호 필름; 및 상기 몸체 상에 상기 보호 필름을 결합시키는 접착제를 포함하고, 상기 보호 필름은 자외선 파장을 투과하는 투과부 및 자외선 파장을 차단하고 상기 투과부의 가장자리에 위치한 차단부를 포함할 수 있다. A light emitting material package according to an embodiment includes a body having a cavity with an open upper portion; a light emitting device mounted on the inner bottom surface of the cavity; a protective film positioned on the body; and an adhesive for bonding the protective film to the body, wherein the protective film may include a transmission part that transmits ultraviolet wavelengths and a blocking part that blocks ultraviolet wavelengths and is located at an edge of the transmission part.

실시 예에 따른 조명 장치는 상기 발광 소자 패키지를 포함할 수 있다.The lighting device according to the embodiment may include the light emitting device package.

실시 예의 발광 소자 패키지는 자외선 파장을 투과하는 상기 투과부의 가장자리에 자외선 파장을 차단하는 차단부가 위치하고, 상기 접착제가 상기 차단부에 접착되어 자외선 파장의 광자에 의해 접착제의 손상을 개선할 수 있는 장점을 갖는다. In the light emitting device package of the embodiment, a blocking portion for blocking the UV wavelength is located at the edge of the transmitting portion that transmits the UV wavelength, and the adhesive is adhered to the blocking portion to improve the damage of the adhesive by photons of the UV wavelength. have

따라서, 실시 예의 발광 소자 패키지는 접착제의 손상을 개선하여 몸체와 보호 필름의 결합 신뢰도를 향상시킬 수 있고, 수율을 향상시킬 수 있는 장점을 갖는다.Accordingly, the light emitting device package of the embodiment has the advantage of improving the adhesive damage, improving the bonding reliability of the body and the protective film, and improving the yield.

도 1은 실시 예에 따른 발광 소자 패키지를 도시한 사시도이다.
도 2는 도 1의 Ⅰ-Ⅰ'라인을 따라 절단한 발광 소자 패키지를 도시한 단면도이다.
도 3은 실시 예에 따른 도 1의 발광 소자를 도시한 단면도이다.
도 4는 다른 실시예에 따른 발광 소자를 도시한 단면도이다.
도 5는 다른 실시예에 따른 발광 소자 패키지를 도시한 단면도이다.
도 6은 또 다른 실시예에 따른 발광 소자 패키지를 도시한 단면도이다.
도 7은 실시 예에 따른 발광 소자 패키지를 포함하는 조명 장치를 도시한 사시도이다.1 is a perspective view illustrating a light emitting device package according to an embodiment.
FIG. 2 is a cross-sectional view illustrating a light emitting device package cut along line I-I' of FIG. 1 .
3 is a cross-sectional view illustrating the light emitting device of FIG. 1 according to an embodiment.
4 is a cross-sectional view illustrating a light emitting device according to another embodiment.
5 is a cross-sectional view illustrating a light emitting device package according to another embodiment.
6 is a cross-sectional view illustrating a light emitting device package according to another embodiment.
7 is a perspective view illustrating a lighting device including a light emitting device package according to an embodiment.

이하에서는 첨부한 도면을 참조하여 실시 예에 따른 발광 소자 및 발광 소자 패키지에 대해서 상세하게 설명한다. 실시 예의 설명에 있어서, 각 층(막), 영역, 패턴 또는 구조물들이 기판, 각 층(막), 영역, 패드 또는 패턴들의 "상/위(on)"에 또는 "아래(under)"에 형성되는 것으로 기재되는 경우에 있어, "상/위(on)"와 "아래(under)"는 "직접(directly)" 또는 "다른 층을 개재하여 (indirectly)" 형성되는 것을 모두 포함한다. 또한 각 층의 상/위 또는 아래에 대한 기준은 도면을 기준으로 설명한다.
Hereinafter, a light emitting device and a light emitting device package according to an embodiment will be described in detail with reference to the accompanying drawings. In the description of the embodiment, each layer (film), region, pattern or structure is formed “on” or “under” each layer (film), region, pad or pattern of the substrate, Where described as being, "on" and "under" include both "directly" or "indirectly" formed through another layer. In addition, the criteria for the upper / upper or lower of each layer will be described with reference to the drawings.

도 1은 실시 예에 따른 발광 소자 패키지를 도시한 사시도이고, 도 2는 도 1의 Ⅰ-Ⅰ'라인을 따라 절단한 발광 소자 패키지를 도시한 단면도이다.1 is a perspective view illustrating a light emitting device package according to an embodiment, and FIG. 2 is a cross-sectional view illustrating the light emitting device package cut along line I-I' of FIG. 1 .

도 1 및 도 2를 참조하면, 실시 예에 따른 발광 소자 패키지(200)는 몸체(230), 발광 소자(100) 및 보호 필름(210)을 포함한다.1 and 2 , the light emitting device package 200 according to the embodiment includes a body 230 , a light emitting device 100 , and a protective film 210 .

상기 발광 소자(100)는 UV-C 파장 즉, 100nm-280nm 범위의 자외선 파장을 발광할 수 있다. 상기 발광 소자(100)의 파장은 이에 한정하지 않으며, 가시광선, 적외선 파장 중 적어도 하나의 파장을 발광할 수도 있다.The light emitting device 100 may emit a UV-C wavelength, that is, an ultraviolet wavelength in the range of 100 nm to 280 nm. The wavelength of the light emitting device 100 is not limited thereto, and at least one wavelength of visible light and infrared light may be emitted.

상기 발광 소자(100)는 서브 프레임(110) 상에 실장되고, 상기 서브 프레임(110)은 상기 몸체(230)와 직접 접촉될 수 있다. 상기 서브 프레임(100)은 방열 기능을 포함할 수 있고, 발광 소자(100)의 전극과 접속되어 패드 기능을 포함할 수 있다.The light emitting device 100 is mounted on the sub-frame 110 , and the sub-frame 110 may be in direct contact with the body 230 . The sub-frame 100 may include a heat dissipation function, and may include a pad function by being connected to an electrode of the light emitting device 100 .

도면에는 도시되지 않았지만, 상기 발광 소자(100)는 종류에 따라 적어도 하나 이상의 와이어를 통해서 상기 몸체(230)와 전기적으로 접속될 수 있다.Although not shown in the drawings, the light emitting device 100 may be electrically connected to the body 230 through at least one wire depending on the type.

발광 소자(100)는 수평 타입으로 기판(11), 버퍼층(13), 발광 구조체(20), 제1 및 제2 전극 패드(51, 53)을 포함한다.The light emitting device 100 is a horizontal type and includes a substrate 11 , a buffer layer 13 , a light emitting structure 20 , and first and second electrode pads 51 and 53 .

상기 기판(11)은 질화갈륨계 반도체층을 성장시킬 수 있는 성장 기판으로서, 투광성, 절연성 또는 도전성 기판을 이용할 수 있으며, 예컨대 사파이어(Al2O3), SiC, Si, GaAs, GaN, ZnO, Si, GaP, InP, Ge, Ga2O3, LiGaO3, 석영(quartz) 중 어느 하나를 이용할 수 있다. 상기 기판(11)의 상면에는 복수의 돌출부가 형성될 수 있으며, 상기의 복수의 돌출부는 상기 기판(11)의 식각을 통해 형성하거나, 별도의 러프니스(Roughness)와 같은 광 추출 구조로 형성될 수 있다. The substrate 11 is a growth substrate capable of growing a gallium nitride-based semiconductor layer, and a light-transmitting, insulating, or conductive substrate may be used, for example, sapphire (Al 2 O 3 ), SiC, Si, GaAs, GaN, ZnO, Any one of Si, GaP, InP, Ge, Ga 2 O 3 , LiGaO 3 , and quartz may be used. A plurality of protrusions may be formed on the upper surface of the substrate 11 , and the plurality of protrusions may be formed by etching the substrate 11 or formed as a light extraction structure such as a separate roughness. can

상기 돌출부는 스트라이프 형상, 반구형상, 또는 돔(dome) 형상을 포함할 수 있다. 상기 버퍼층(13)은 상기 기판(11) 상에 위치하고, 상기 기판(11)과 질화물 계열의 반도체층과의 격자 상수의 차이를 완화시켜 주기 위해 형성될 수 있으며, 결함 제어층 기능을 할 수 있다. The protrusion may have a stripe shape, a hemispherical shape, or a dome shape. The buffer layer 13 is positioned on the substrate 11 and may be formed to alleviate a difference in lattice constant between the substrate 11 and the nitride-based semiconductor layer, and may function as a defect control layer. .

상기 버퍼층(13)은 상기 기판(11)과 질화물 계열의 반도체층 사이의 격자 상수 사이의 값을 가질 수 있다. 상기 버퍼층(13)은 ZnO 층과 같은 산화물로 형성될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. The buffer layer 13 may have a value between the lattice constant between the substrate 11 and the nitride-based semiconductor layer. The buffer layer 13 may be formed of an oxide such as a ZnO layer, but is not limited thereto.

상기 발광 구조체(20)는 기판(11) 상에 위치한다. 상기 발광 구조체(20)는 제1 도전형 반도체층(21), 활성층(22) 및 제2 도전형 반도체층(23)을 포함한다.The light emitting structure 20 is positioned on the substrate 11 . The light emitting structure 20 includes a first conductivity type semiconductor layer 21 , an active layer 22 , and a second conductivity type semiconductor layer 23 .

상기 제1 도전형 반도체층(21)은 단일층 또는 다중층으로 형성될 수 있다. 상기 제1 도전형 반도체층(21)이 n형 반도체층인 경우, 제1 도전형 도펀트가 도핑된 3족-5족 화합물 반도체일 수 있다. 상기 제1 도전형 도펀트는 n형 도펀트로서, Si, Ge, Sn, Se, Te를 포함할 수 있으나, 이에 한정되지 않는다. 상기 제1 도전형 반도체층(21)은 InxAlyGa1-x-yN (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성식을 갖는 반도체 물질을 포함할 수 있다. 상기 제1 도전형 반도체층(21)은 GaN, InN, AlN, InGaN, AlGaN, InAlGaN, AlInN, AlGaAs, InGaAs, AlInGaAs, GaP, AlGaP, InGaP, AlInGaP, InP 중 어느 하나 이상으로 형성될 수 있다.The first conductivity type semiconductor layer 21 may be formed as a single layer or a multilayer. When the first conductivity-type semiconductor layer 21 is an n-type semiconductor layer, it may be a Group III-5 compound semiconductor doped with a first conductivity-type dopant. The first conductivity-type dopant is an n-type dopant and may include Si, Ge, Sn, Se, and Te, but is not limited thereto. The first conductivity type semiconductor layer 21 may include a semiconductor material having a composition formula of In x Al y Ga 1-xy N (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1). can The first conductivity type semiconductor layer 21 may be formed of any one or more of GaN, InN, AlN, InGaN, AlGaN, InAlGaN, AlInN, AlGaAs, InGaAs, AlInGaAs, GaP, AlGaP, InGaP, AlInGaP, and InP.

상기 활성층(22)은 단일 양자 우물 구조, 다중 양자 우물 구조(MQW: Multi Quantum Well), 양자 선(Quantum-Wire) 구조, 또는 양자 점(Quantum Dot) 구조 중 어느 하나일 수 있다. 상기 활성층(22)은 질화갈륨계 반도체층으로 형성된 우물층 및 장벽층을 포함할 수 있다. The active layer 22 may have any one of a single quantum well structure, a multi quantum well (MQW) structure, a quantum-wire structure, or a quantum dot structure. The active layer 22 may include a well layer and a barrier layer formed of a gallium nitride-based semiconductor layer.

예를 들어, 상기 활성층(22)은 InGaN/GaN, InGaN/InGaN, GaN/AlGaN, InAlGaN/GaN, GaAs/AlGaAs, InGaAs/AlGaAs, GaInP/AlGaInP, GaP/AlGaP, InGaP/AlGaP 중 어느 하나 이상의 페어 구조로 형성될 수 있으나 이에 한정되지 않는다. 상기 우물층은 상기 장벽층의 밴드 갭보다 낮은 밴드 갭을 갖는 물질로 형성될 수 있다.For example, the active layer 22 may include any one or more pairs of InGaN/GaN, InGaN/InGaN, GaN/AlGaN, InAlGaN/GaN, GaAs/AlGaAs, InGaAs/AlGaAs, GaInP/AlGaInP, GaP/AlGaP, and InGaP/AlGaP. It may be formed in a structure, but is not limited thereto. The well layer may be formed of a material having a band gap lower than a band gap of the barrier layer.

상기 활성층(22)의 장벽층 및 우물층은 활성층의 결정 품질을 향상시키기 위해 불순물이 도핑되지 않은 언도프트층으로 형성될 수 있으나, 순방향 전압을 낮추기 위해 일부 또는 전체 활성 영역 내에 불순물이 도핑될 수도 있다.The barrier layer and the well layer of the active layer 22 may be formed as an undoped layer that is not doped with impurities in order to improve the crystal quality of the active layer, but some or all of the impurities may be doped in the active region to lower the forward voltage. have.

상기 제2 도전형 반도체층(23)은 상기 활성층(22) 상에 위치하고, 단일층 또는 다중층으로 형성될 수 있다. 상기 제2 도전형 반도체층(23)이 p형 반도체층인 경우, 제2 도전형 도펀트가 도핑된 3족-5족 화합물 반도체일 수 있다. 상기 제2 도전형 도펀트는 p형 도펀트로서, Mg, Zn, Ca, Sr, Ba 등을 포함할 수 있으나, 이에 한정하지 않는다. 상기 제2 도전형 반도체층(23)은 예컨대, GaN, AlN, AlGaN, InGaN, InN, InAlGaN, AlInN, AlGaAs, GaP, GaAs, GaAsP, AlGaInP, GaP와 같은 화합물 반도체 중 어느 하나로 이루어질 수 있다.The second conductivity-type semiconductor layer 23 is positioned on the active layer 22 and may be formed as a single layer or a multilayer. When the second conductivity-type semiconductor layer 23 is a p-type semiconductor layer, it may be a Group III-5 compound semiconductor doped with a second conductivity-type dopant. The second conductivity-type dopant is a p-type dopant and may include, but is not limited to, Mg, Zn, Ca, Sr, Ba, and the like. The second conductivity type semiconductor layer 23 may be formed of, for example, any one of compound semiconductors such as GaN, AlN, AlGaN, InGaN, InN, InAlGaN, AlInN, AlGaAs, GaP, GaAs, GaAsP, AlGaInP, and GaP.

상기 제1 전극 패드(51)은 상기 제1 도전형 반도체층(21) 상에 위치한다.The first electrode pad 51 is positioned on the first conductivity-type semiconductor layer 21 .

상기 제2 전극 패드(53)은 상기 제2 도전형 반도체층(23) 상에 위치한다.The second electrode pad 53 is positioned on the second conductivity type semiconductor layer 23 .

상기 제1 전극 패드(51) 및 제2 전극 패드(53)은 Ti, Ru, Rh, Ir, Mg, Zn, Al, In, Ta, Pd, Co, Ni, Si, Ge, Ag 및 Au와 이들의 선택적인 합금 중에서 선택될 수 있다.The first electrode pad 51 and the second electrode pad 53 include Ti, Ru, Rh, Ir, Mg, Zn, Al, In, Ta, Pd, Co, Ni, Si, Ge, Ag and Au and these may be selected from the optional alloys of

상기 몸체(230)는 상부가 개방된 캐비티(231)를 포함하고, 상기 캐비티(231)의 바닥면에 상기 발광 소자(100)가 실장될 수 있다. The body 230 includes a cavity 231 having an open top, and the light emitting device 100 may be mounted on a bottom surface of the cavity 231 .

상기 몸체(230)는 복수의 절연층의 적층 구조로 형성될 수 있다.The body 230 may be formed in a stacked structure of a plurality of insulating layers.

상기 몸체(230)의 재질은 Si02, SixOy, Si3N4, SixNy, SiOxNy, Al2O3, 또는 AlN일 수 있으고, 복수의 세라믹 층의 적층 구조를 포함할 수 있다.The material of the body 230 may be SiO 2 , Si x O y , Si 3 N 4 , Si x N y , SiO x N y , Al 2 O 3 , or AlN, and a multilayer structure of a plurality of ceramic layers may include.

도면에는 도시되지 않았지만, 상기 몸체(230)가 전기 전도성 재질로 형성된 경우, 상기 몸체(230)는 표면에 절연층을 포함할 수 있다. Although not shown in the drawings, when the body 230 is formed of an electrically conductive material, the body 230 may include an insulating layer on its surface.

상기 절연층은 발광 소자(100)의 상이한 전극 사이의 쇼트(Short)를 방지할 수 있다.The insulating layer may prevent short circuits between different electrodes of the light emitting device 100 .

상기 몸체(230)는 복수의 리드 전극(미도시)을 포함할 수 있다. The body 230 may include a plurality of lead electrodes (not shown).

상기 리드 전극은 티타늄(Ti), 구리(Cu), 니켈(Ni), 금(Au) 등을 적어도 하나 포함하는 금속으로 형성될 수 있다. 또한, 상기 제 복수의 리드 전극은 도금 방식, 증착 방식, 포토리소그래피 등을 이용하여 선택적으로 형성될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.The lead electrode may be formed of a metal including at least one of titanium (Ti), copper (Cu), nickel (Ni), gold (Au), or the like. In addition, the plurality of lead electrodes may be selectively formed using a plating method, a deposition method, photolithography, or the like, but is not limited thereto.

상기 발광 다이오드 패키지(200)는 상기 보호 필름(210)과 본체를 결합하는 접착제(240)를 포함한다.The light emitting diode package 200 includes an adhesive 240 for bonding the protective film 210 and the body.

상기 접착제(240)는 상기 보호 필름(210)의 가장자리 하부면을 따라 끊어짐 없이 연장될 수 있다. The adhesive 240 may extend along the lower edge of the protective film 210 without breaking.

상기 접착제(240)는 상기 캐비티(231)의 가장자리를 따라 형성되는 단차부(233) 상에 위치할 수 있다. The adhesive 240 may be positioned on the stepped portion 233 formed along the edge of the cavity 231 .

즉, 상기 접착제(240)의 상부면은 상기 보호 필름(210)의 가장자리 하부면과 직접 접촉될 수 있고, 상기 접착제(240)의 하부면은 상기 단차부(233)의 표면과 직접 접촉될 수 있다.That is, the upper surface of the adhesive 240 may be in direct contact with the lower surface of the edge of the protective film 210 , and the lower surface of the adhesive 240 may be in direct contact with the surface of the step portion 233 . have.

상기 보호 필름(210)은 자외선 파장을 투과하는 투과부(211) 및 자외선 파장을 차단하는 차단부(213)를 포함한다.The protective film 210 includes a transmitting part 211 that transmits ultraviolet wavelengths and a blocking part 213 that blocks ultraviolet wavelengths.

상기 투과부(211)는 상기 발광 소자(100)로부터의 자외선 파장 투과율이 높은 광학 재료를 포함한다. 예컨대 상기 투과부(211)는 쿼츠(Quartz)를 포함할 수 있으나, 이에 한정하는 것은 아니다. 상기 차단부(213)에 노출된 투과부(211)의 하부면은 상기 캐비티(231)보다 좁은 너비를 가질 수 있다.The transmitting part 211 includes an optical material having a high transmittance of ultraviolet wavelengths from the light emitting device 100 . For example, the transmission part 211 may include quartz, but is not limited thereto. A lower surface of the transmission part 211 exposed to the blocking part 213 may have a narrower width than the cavity 231 .

상기 차단부(213)는 상기 투과부(211)의 외측면을 감싸고, 상기 투과부(211)의 외측면으로부터 외측방향으로 연장될 수 있다. The blocking part 213 may surround the outer surface of the transmission part 211 and may extend outwardly from the outer surface of the transmission part 211 .

상기 차단부(213)는 상기 투과부(211)와 나란하게 위치할 수 있다.The blocking part 213 may be positioned in parallel with the transmitting part 211 .

즉, 상기 차단부(213)는 상기 투과부(211)와 동일 평면상에 위치할 수 있다. 상기 차단부(213)는 상기 투과부(211)와 일체로 이루어질 수 있다.That is, the blocking part 213 may be located on the same plane as the transmitting part 211 . The blocking part 213 may be formed integrally with the transmitting part 211 .

상기 차단부(213)는 투명하고, 자외선 파장이 투과하지 못하는 글라스일 수 있으나, 이에 한정하는 것은 아니다.The blocking part 213 may be a glass that is transparent and does not transmit ultraviolet wavelengths, but is not limited thereto.

상기 차단부(213)는 상기 발광 소자(100)로부터의 자외선 파장의 광자가 상기 투과부(211)를 통해서 상기 접착제(240)에 전달되는 경로를 차단하는 기능을 포함한다.The blocking unit 213 includes a function of blocking a path through which photons of ultraviolet wavelength from the light emitting device 100 are transmitted to the adhesive 240 through the transmitting unit 211 .

즉, 상기 차단부(213)는 상기 자외선 파장의 광자에 의해 상기 접착제(240)가 손상되는 결합 불량을 개선할 수 있다.That is, the blocking part 213 may improve a bonding defect in which the adhesive 240 is damaged by the photons of the ultraviolet wavelength.

상기 차단부(213)는 상기 접착제(240)와 중첩된 영역을 포함할 수 있다. 구체적으로 상기 차단부(213)의 폭(W1)은 상기 접착제(240)의 폭(W2) 이상일 수 있다. The blocking part 213 may include a region overlapping the adhesive 240 . Specifically, the width W1 of the blocking portion 213 may be greater than or equal to the width W2 of the adhesive 240 .

상기 차단부(213)의 일부는 상기 접착제(240)와 접착되어 중첩되고, 상기 차단부(213)의 다른 일부는 캐비티(231) 내측으로 연장될 수 있으나, 이에 한정하는 것은 아니다. 예컨대 상기 차단부(213)와 상기 접착제(240)는 서로 동일한 너비를 가지며, 전체가 중첩될 수도 있다.A portion of the blocking portion 213 may be bonded to and overlapped with the adhesive 240 , and the other portion of the blocking portion 213 may extend inside the cavity 231 , but is not limited thereto. For example, the blocking part 213 and the adhesive 240 may have the same width and may overlap each other.

여기서, 상기 접착제(240)는 상기 투과부(211)로부터 일정 간격 이격될 수 있다.Here, the adhesive 240 may be spaced apart from the transmission part 211 by a predetermined interval.

실시 예의 발광 소자 패키지(200)는 자외선 파장을 투과하는 상기 투과부(211)의 가장자리에 자외선 파장을 차단하는 차단부(213)가 위치하고, 상기 접착제(240)가 상기 차단부(213)에 접착되어 자외선 파장의 광자에 의해 접착제(240)의 손상을 개선할 수 있는 장점을 갖는다. In the light emitting device package 200 of the embodiment, a blocking part 213 for blocking the UV wavelength is positioned at the edge of the transmitting part 211 that transmits the UV wavelength, and the adhesive 240 is adhered to the blocking part 213 . It has the advantage of improving the damage of the adhesive 240 by the photons of the ultraviolet wavelength.

따라서, 실시 예의 발광 소자 패키지(200)는 상기 접착제(240)의 손상을 개선하여 몸체(230)와 보호 필름(210)의 결합 신뢰도를 향상시킬 수 있고, 수율을 향상시킬 수 있는 장점을 갖는다.Therefore, the light emitting device package 200 of the embodiment has the advantage of improving the damage of the adhesive 240 to improve the bonding reliability of the body 230 and the protective film 210, and can improve the yield.

도 4를 참조하면, 다른 실시 예의 발광 소자(101)는 수직 타입으로 발광 구조체(20)와, 상기 발광 구조체(20) 상에 위치한 제1 전극 패드(51), 상기 발광 구조체(20) 아래에 위치한 제2 전극 패드(53), 상기 발광 구조체(20)와 제2 전극 패드(53) 사이에 위치하고, 제1 전극 패드(51)와 수직 방향으로 대응된 전류 차단층(40), 및 지지부재(60)를 포함한다.Referring to FIG. 4 , the light emitting device 101 of another embodiment has a vertical type light emitting structure 20 , a first electrode pad 51 positioned on the light emitting structure 20 , and a light emitting structure 20 under the light emitting structure 20 . A second electrode pad 53 positioned, a current blocking layer 40 positioned between the light emitting structure 20 and the second electrode pad 53 and corresponding to the first electrode pad 51 in a vertical direction, and a support member (60).

상기 발광 구조체(20)는 기판(11) 상에 위치한다. 상기 발광 구조체(20)는 제1 도전형 반도체층(21), 활성층(22) 및 제2 도전형 반도체층(23)을 포함한다.The light emitting structure 20 is positioned on the substrate 11 . The light emitting structure 20 includes a first conductivity type semiconductor layer 21 , an active layer 22 , and a second conductivity type semiconductor layer 23 .

상기 제2 전극 패드(53)는 발광 구조체(20)의 제2 도전형 반도체층(23) 아래에 위치하는 접촉층(55), 반사층(56), 및 본딩층(57)을 포함할 수 있다. The second electrode pad 53 may include a contact layer 55 , a reflective layer 56 , and a bonding layer 57 positioned under the second conductivity-type semiconductor layer 23 of the light emitting structure 20 . .

상기 접촉층(55)은 상기 제2 도전형 반도체층(23)의 하부면에 접촉되며, 일부는 상기 전류 차단층(40)의 하부면으로 연장될 수 있다. 상기 접촉층(55)은 ITO, IZO, IZTO, IAZO, IGZO, IGTO, AZO, ATO 등과 같은 전도성 물질이거나 Ni, Ag의 금속을 이용할 수 있다.The contact layer 55 is in contact with the lower surface of the second conductivity-type semiconductor layer 23 , and a portion thereof may extend to the lower surface of the current blocking layer 40 . The contact layer 55 may be a conductive material such as ITO, IZO, IZTO, IAZO, IGZO, IGTO, AZO, ATO, or a metal of Ni or Ag.

상기 접촉층(55) 아래에 반사층(56)이 형성될 수 있으며, 상기 반사층(56)은 Ag, Ni, Al, Rh, Pd, Ir, Ru, Mg, Zn, Pt, Au, Hf 또는 그 조합으로 구성된 그룹으로부터 선택된 물질로 이루어진 적어도 하나의 층을 포함하는 구조로 형성될 수 있다. 상기 반사층(56)은 상기 제2 도전형 반도체층(23) 아래에 접촉될 수 있으며, 금속으로 오믹 접촉하거나 ITO와 같은 전도 물질로 오믹 접촉할 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.A reflective layer 56 may be formed under the contact layer 55 , and the reflective layer 56 is Ag, Ni, Al, Rh, Pd, Ir, Ru, Mg, Zn, Pt, Au, Hf, or a combination thereof. It may be formed in a structure including at least one layer made of a material selected from the group consisting of. The reflective layer 56 may be in contact under the second conductivity type semiconductor layer 23 , and may be in ohmic contact with a metal or a conductive material such as ITO, but is not limited thereto.

상기 반사층(56) 아래에는 본딩층(57)이 형성될 수 있으며, 상기 본딩층(57)은 베리어 금속 또는 본딩 금속으로 사용될 수 있으며, 그 물질은 예를 들어, Ti, Au, Sn, Ni, Cr, Ga, In, Bi, Cu, Ag 및 Ta와 선택적인 합금 중에서 적어도 하나를 포함할 수 있다. A bonding layer 57 may be formed under the reflective layer 56, and the bonding layer 57 may be used as a barrier metal or a bonding metal, and the material thereof is, for example, Ti, Au, Sn, Ni, At least one of Cr, Ga, In, Bi, Cu, Ag and Ta and an optional alloy may be included.

상기 발광 구조체(20) 아래에는 채널층(70)이 배치될 수 있다. 상기 채널층(70)은 상기 제2 도전형 반도체층(23)의 하부면 에지를 따라 형성되며, 링 형상, 루프 형상 또는 프레임 형상으로 형성될 수 있다. 상기 채널층(70)은 ITO, IZO, IZTO, IAZO, IGZO, IGTO, AZO, ATO, SiO2, SiOx, SiOxNy, Si3N4, Al2O3, TiO2 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 상기 채널층(70)의 내측부는 상기 제2 도전형 반도체층(23) 아래에 배치되고, 외측부는 상기 발광 구조체(20)의 측면보다 더 외측에 위치할 수 있다. A channel layer 70 may be disposed under the light emitting structure 20 . The channel layer 70 is formed along the lower surface edge of the second conductivity type semiconductor layer 23 and may be formed in a ring shape, a loop shape, or a frame shape. The channel layer 70 is at least one of ITO, IZO, IZTO, IAZO, IGZO, IGTO, AZO, ATO, SiO 2 , SiO x , SiO x N y , Si 3 N 4 , Al 2 O 3 , TiO 2 may include An inner portion of the channel layer 70 may be disposed under the second conductivity-type semiconductor layer 23 , and an outer portion may be positioned more outside than a side surface of the light emitting structure 20 .

상기 본딩층(57) 아래에는 지지 부재(60)가 형성되며, 상기 지지 부재(60)는 전도성 부재로 형성될 수 있으며, 그 물질은 구리(Cu-copper), 금(Au-gold), 니켈(Ni-nickel), 몰리브덴(Mo), 구리-텅스텐(Cu-W), 캐리어 웨이퍼(예: Si, Ge, GaAs, ZnO, SiC 등)와 같은 전도성 물질로 형성될 수 있다. A support member 60 is formed under the bonding layer 57 , and the support member 60 may be formed of a conductive member, and the material is copper (Cu-copper), gold (Au-gold), or nickel. It may be formed of a conductive material such as (Ni-nickel), molybdenum (Mo), copper-tungsten (Cu-W), or a carrier wafer (eg, Si, Ge, GaAs, ZnO, SiC, etc.).

상기 지지부재(60)는 다른 예로서, 전도성 시트로 구현될 수 있다. 상기 제2 전극 패드(53)는 상기 지지부재(60)을 포함할 수 있으며, 상기 제2 전극 패드(53)의 층들 중 적어도 하나 또는 복수의 층은 상기 지지부재(60)와 동일한 너비로 형성될 수 있다. As another example, the support member 60 may be implemented as a conductive sheet. The second electrode pad 53 may include the support member 60 , and at least one or a plurality of layers of the second electrode pad 53 are formed to have the same width as the support member 60 . can be

상기 제1 도전형 반도체층(21)의 상부면에는 러프니스와 같은 광 추출 구조가 형성될 수 있다. 상기 제1 전극 패드(51)는 상기 제1 도전형 반도체층(21)의 상면 중 평탄한 면 상에 배치될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. 상기 발광 구조체(20)의 측면 및 상면에는 절연층(미도시)이 더 형성될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.A light extraction structure such as roughness may be formed on the upper surface of the first conductivity type semiconductor layer 21 . The first electrode pad 51 may be disposed on a flat surface among the top surfaces of the first conductivity-type semiconductor layer 21 , but is not limited thereto. An insulating layer (not shown) may be further formed on the side and top surfaces of the light emitting structure 20 , but the present invention is not limited thereto.

상기 전류 차단층(40)은 제1 전극 패드(51)와 오버랩되고, 상기 제2 전극 패드(53)의 하부에 전류가 집중되는 것을 방지하는 기능을 갖는다. The current blocking layer 40 overlaps the first electrode pad 51 , and has a function of preventing current from being concentrated under the second electrode pad 53 .

상기 전류 차단층(40)은 예컨대 산화물 또는 질화물등의 절연물질로 구현될 수 있다. 예를 들어, 상기 전류 차단층(40)은 SixOy, SixNy, SiOxNy, Al2O3, TiO2, AlN 등으로 이루어진 군에서 적어도 하나가 선택되어 형성될 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다. 또는, 상기 전류 차단층(40)은 굴절률이 서로 상이한 층들을 교대로 적층한 분포 브래그 반사기(DBR: Distributed Bragg Reflector)를 포함할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.The current blocking layer 40 may be formed of, for example, an insulating material such as oxide or nitride. For example, the current blocking layer 40 may be formed by selecting at least one from the group consisting of Si x O y , Si x N y , SiO x N y , Al 2 O 3 , TiO 2 , AlN, etc. The present invention is not limited thereto. Alternatively, the current blocking layer 40 may include a distributed Bragg reflector (DBR) in which layers having different refractive indices are alternately stacked, but is not limited thereto.

도 3 및 도 4의 발광 소자(100, 101)는 수평 및 수직 타입에 관해 기재하고 있지만, 이에 한정되지 않고, 전극 패드가 하부에만 위치한 플립 타입도 포함될 수 있다.Although the light emitting devices 100 and 101 of FIGS. 3 and 4 have been described with respect to horizontal and vertical types, the present invention is not limited thereto, and a flip type in which the electrode pad is located only at the bottom may be included.

도 5는 다른 실시 예에 따른 발광 소자 패키지를 도시한 단면도이다.5 is a cross-sectional view illustrating a light emitting device package according to another embodiment.

도 5를 참조하면, 다른 실시 예에 따른 발광 소자 패키지(300)는 보호 필름(310), 몸체(230), 발광 소자(100), 서브 프레임(110)을 포함한다.Referring to FIG. 5 , a light emitting device package 300 according to another embodiment includes a protective film 310 , a body 230 , a light emitting device 100 , and a sub-frame 110 .

상기 몸체(230), 발광 소자(100) 및 서브 프레임(110)은 도 1의 실시 예의 기술적 특징을 채용할 수 있다.The body 230, the light emitting device 100, and the sub-frame 110 may employ the technical features of the embodiment of FIG.

상기 보호 필름(310)은 자외선 파장을 투과하는 투과부(311) 및 자외선 파장을 차단하는 차단부(313)를 포함한다.The protective film 310 includes a transmission part 311 that transmits ultraviolet wavelengths and a blocking part 313 that blocks ultraviolet wavelengths.

상기 투과부(311)는 상기 발광 소자(100)로부터의 자외선 파장 투과율이 높은 광학 재료를 포함한다. 예컨대 상기 투과부(311)는 쿼츠(Quartz)를 포함할 수 있으나, 이에 한정하는 것은 아니다. 상기 차단부(313)에 노출된 투과부(311)의 하부면은 캐비티(231)보다 좁은 너비를 가질 수 있다.The transmitting part 311 includes an optical material having a high transmittance of ultraviolet wavelengths from the light emitting device 100 . For example, the transmission part 311 may include quartz, but is not limited thereto. The lower surface of the transmission part 311 exposed to the blocking part 313 may have a narrower width than the cavity 231 .

상기 차단부(313)는 상기 투과부(311)의 가장자리 하부면에 위치할 수 있다. 상기 차단부(313)는 상기 투과부(311)의 가장자리 하부면를 따라 끊어짐 없이 연장될 수 있다. 상기 차단부(313)는 상기 투과부(311)와 일체로 이루어질 수 있다. 상기 차단부(313)는 상기 투과부(311)와 접착체(240) 사이에 위치한다.The blocking part 313 may be located on a lower surface of the edge of the transmission part 311 . The blocking part 313 may extend without interruption along the lower edge of the transmission part 311 . The blocking part 313 may be formed integrally with the transmitting part 311 . The blocking portion 313 is positioned between the transmitting portion 311 and the adhesive 240 .

상기 차단부(313)는 투명하고, 자외선 파장이 투과하지 못하는 글라스일 수 있으나, 이에 한정하는 것은 아니다.The blocking part 313 may be transparent and may be glass that does not transmit ultraviolet wavelengths, but is not limited thereto.

상기 차단부(313)는 상기 발광 소자(100)로부터의 자외선 파장의 광자가 상기 투과부(311)를 통해서 상기 접착제(240)에 전달되는 경로를 차단하는 기능을 포함한다. 즉, 상기 차단부(313)는 상기 자외선 파장의 광자에 의해 상기 접착제(240)가 손상되는 결합 불량을 개선할 수 있다.The blocking part 313 includes a function of blocking a path through which photons of ultraviolet wavelength from the light emitting device 100 are transmitted to the adhesive 240 through the transmitting part 311 . That is, the blocking part 313 may improve a bonding defect in which the adhesive 240 is damaged by the photons of the ultraviolet wavelength.

상기 차단부(313)는 상기 투과부(311) 및 상기 접착제(240)와 중첩된 영역을 포함할 수 있다. 구체적으로 상기 차단부(313)의 폭(W1)은 상기 접착제(240)의 폭(W2) 이상일 수 있다. The blocking part 313 may include a region overlapping the transmission part 311 and the adhesive 240 . Specifically, the width W1 of the blocking part 313 may be greater than or equal to the width W2 of the adhesive 240 .

상기 차단부(313)의 상부면은 상기 투과부(311)의 하부면과 직접 접착되고, 상기 차단부(313)의 하부면은 상기 접착제(240)와 직접 접착될 수 있다.The upper surface of the blocking part 313 may be directly bonded to the lower surface of the transmitting part 311 , and the lower surface of the blocking part 313 may be directly bonded to the adhesive 240 .

상기 차단부(313)의 일부는 캐비티(231) 내측으로 연장될 수 있으나, 이에 한정하는 것은 아니다. 예컨대 상기 차단부(313)와 상기 접착제(240)는 서로 동일한 너비를 가지며, 전체가 중첩될 수도 있다.A portion of the blocking part 313 may extend inside the cavity 231 , but is not limited thereto. For example, the blocking portion 313 and the adhesive 240 may have the same width, and may overlap all of them.

여기서, 상기 접착제(240)는 상기 투과부(311)로부터 일정 간격 이격될 수 있다.Here, the adhesive 240 may be spaced apart from the transmission part 311 by a predetermined interval.

다른 실시 예의 발광 소자 패키지(300)는 자외선 파장을 투과하는 상기 투과부(311)의 가장자리 하부면에 자외선 파장을 차단하는 차단부(313)가 위치하고, 상기 접착제(240)가 상기 차단부(313)에 접착되어 자외선 파장의 광자에 의해 접착제(240)의 손상을 개선할 수 있는 장점을 갖는다.In the light emitting device package 300 of another embodiment, a blocking part 313 for blocking ultraviolet wavelength is located on the lower edge of the edge of the transmitting part 311 that transmits the ultraviolet wavelength, and the adhesive 240 is the blocking part 313 . It has the advantage of being able to improve the damage of the adhesive 240 by photons of ultraviolet wavelength.

따라서, 실시 예의 발광 소자 패키지(300)는 상기 접착제(240)의 손상을 개선하여 몸체(230)와 보호 필름(310)의 결합 신뢰도를 향상시킬 수 있고, 수율을 향상시킬 수 있는 장점을 갖는다.Therefore, the light emitting device package 300 of the embodiment has the advantage of improving the damage of the adhesive 240 to improve the bonding reliability of the body 230 and the protective film 310, and can improve the yield.

도 6은 또 다른 실시 예에 따른 발광 소자 패키지를 도시한 단면도이다.6 is a cross-sectional view illustrating a light emitting device package according to another embodiment.

도 6을 참조하면, 또 다른 실시 예에 따른 발광 소자 패키지(400)는 보호 필름(410), 몸체(230), 발광 소자(100), 서브 프레임(110)을 포함한다.Referring to FIG. 6 , a light emitting device package 400 according to another embodiment includes a protective film 410 , a body 230 , a light emitting device 100 , and a sub-frame 110 .

상기 몸체(230), 발광 소자(100) 및 서브 프레임(110)은 도 1의 실시 예의 기술적 특징을 채용할 수 있다.The body 230, the light emitting device 100, and the sub-frame 110 may employ the technical features of the embodiment of FIG.

상기 보호 필름(410)은 자외선 파장을 투과하는 투과부(311) 및 자외선 파장을 차단하는 차단부(413)를 포함한다.The protective film 410 includes a transmission part 311 that transmits ultraviolet wavelengths and a blocking part 413 that blocks ultraviolet wavelengths.

상기 투과부(411)는 상기 발광 소자(100)로부터의 자외선 파장 투과율이 높은 광학 재료를 포함한다. 예컨대 상기 투과부(411)는 쿼츠(Quartz)를 포함할 수 있으나, 이에 한정하는 것은 아니다. 상기 차단부(413)에 노출된 투과부(411)의 하부면은 상기 캐비티(231)보다 좁은 너비를 가질 수 있다.The transmitting part 411 includes an optical material having high transmittance of ultraviolet light from the light emitting device 100 . For example, the transmission part 411 may include quartz, but is not limited thereto. The lower surface of the transmission part 411 exposed to the blocking part 413 may have a narrower width than the cavity 231 .

상기 차단부(413)는 상기 투과부(411)의 가장자리 하부면에 위치할 수 있다. 상기 차단부(413)는 상기 투과부(411)의 가장자리 하부면를 따라 끊어짐 없이 연장될 수 있다. 상기 차단부(413)는 상기 투과부(411)와 일체로 이루어질 수 있다. 상기 차단부(413)는 상기 투과부(411)와 접착체(240) 사이에 위치한다.The blocking part 413 may be located on a lower surface of the edge of the transmission part 411 . The blocking part 413 may extend without interruption along the lower edge of the transmission part 411 . The blocking part 413 may be formed integrally with the transmitting part 411 . The blocking portion 413 is positioned between the transmitting portion 411 and the adhesive 240 .

상기 차단부(413)는 투명하고, 자외선 파장이 투과하지 못하는 ITO일 수 있으나, 이에 한정하는 것은 아니다. 상기 차단부(413)은 상기 제1 투과부(411)의 하부면 상에 포토레지스트를 이용한 식각공정, 인쇄공정 등으로 형성될 수 있다.The blocking part 413 may be ITO which is transparent and does not transmit ultraviolet wavelengths, but is not limited thereto. The blocking part 413 may be formed on the lower surface of the first transmission part 411 by an etching process using a photoresist, a printing process, or the like.

상기 차단부(413)는 상기 발광 소자(100)로부터의 자외선 파장의 광자가 상기 투과부(411)를 통해서 상기 접착제(240)에 전달되는 경로를 차단하는 기능을 포함한다. 즉, 상기 차단부(413)는 상기 자외선 파장의 광자에 의해 상기 접착제(240)가 손상되는 결합 불량을 개선할 수 있다.The blocking part 413 includes a function of blocking a path through which photons of ultraviolet wavelength from the light emitting device 100 are transmitted to the adhesive 240 through the transmitting part 411 . That is, the blocking part 413 may improve a bonding defect in which the adhesive 240 is damaged by the photons of the ultraviolet wavelength.

상기 차단부(413)는 상기 투과부(411) 및 상기 접착제(240)와 중첩된 영역을 포함할 수 있다. 구체적으로 상기 차단부(413)의 폭(W1)은 상기 접착제(240)의 폭(W2) 이상일 수 있다. The blocking portion 413 may include a region overlapping the transmission portion 411 and the adhesive 240 . Specifically, the width W1 of the blocking portion 413 may be greater than or equal to the width W2 of the adhesive 240 .

상기 차단부(413)의 상부면은 상기 투과부(411)의 하부면과 직접 접착되고, 상기 차단부(413)의 하부면은 상기 접착제(240)와 직접 접착될 수 있다.The upper surface of the blocking part 413 may be directly bonded to the lower surface of the transmitting part 411 , and the lower surface of the blocking part 413 may be directly bonded to the adhesive 240 .

상기 차단부(413)의 일부는 캐비티(231) 내측으로 연장될 수 있으나, 이에 한정하는 것은 아니다. 예컨대 상기 차단부(413)와 상기 접착제(240)는 서로 동일한 너비를 가지며, 전체가 중첩될 수도 있다.A part of the blocking part 413 may extend inside the cavity 231 , but is not limited thereto. For example, the blocking portion 413 and the adhesive 240 may have the same width and overlap each other.

여기서, 상기 접착제(240)는 상기 투과부(411)로부터 일정 간격 이격될 수 있다.Here, the adhesive 240 may be spaced apart from the transmission part 411 by a predetermined interval.

또 다른 실시 예의 발광 소자 패키지(400)는 자외선 파장을 투과하는 상기 투과부(411)의 가장자리 하부면에 자외선 파장을 차단하는 차단부(413)가 위치하고, 상기 접착제(240)가 상기 차단부(413)에 접착되어 자외선 파장의 광자에 의해 접착제(240)의 손상을 개선할 수 있는 장점을 갖는다.In the light emitting device package 400 of another embodiment, a blocking part 413 for blocking ultraviolet wavelength is located on the lower edge of the edge of the transmitting part 411 that transmits the ultraviolet wavelength, and the adhesive 240 is the blocking part 413 ) and has the advantage of improving the damage of the adhesive 240 by photons of ultraviolet wavelengths.

따라서, 실시 예의 발광 소자 패키지(400)는 상기 접착제(240)의 손상을 개선하여 몸체(230)와 보호 필름(410)의 결합 신뢰도를 향상시킬 수 있고, 수율을 향상시킬 수 있는 장점을 갖는다.
Accordingly, the light emitting device package 400 of the embodiment has the advantage of improving the bonding reliability of the body 230 and the protective film 410 by improving the damage of the adhesive 240, and improving the yield.

도 7은 실시 예에 따른 발광 소자 패키지를 포함하는 조명 장치를 도시한 사시도이다.7 is a perspective view illustrating a lighting device including a light emitting device package according to an embodiment.

도 7을 참조하면, 실시 예에 따른 조명 장치는 커버(2100), 광원 모듈(2200), 방열체(2400), 전원 제공부(2600), 내부 케이스(2700), 소켓(2800)을 포함할 수 있다. 또한, 실시 예에 따른 조명 장치는 부재(2300)와 홀더(2500) 중 어느 하나 이상을 더 포함할 수 있다. 상기 광원 모듈(2200)은 실시 예에 따른 발광소자 패키지를 포함할 수 있다.Referring to FIG. 7 , the lighting device according to the embodiment may include a cover 2100 , a light source module 2200 , a heat sink 2400 , a power supply unit 2600 , an inner case 2700 , and a socket 2800 . can In addition, the lighting device according to the embodiment may further include any one or more of the member 2300 and the holder 2500 . The light source module 2200 may include a light emitting device package according to an embodiment.

예컨대, 상기 커버(2100)는 벌브(bulb) 또는 반구의 형상을 가지며, 속이 비어 있고, 일 부분이 개구된 형상으로 제공될 수 있다. 상기 커버(2100)는 상기 광원 모듈(2200)과 광학적으로 결합될 수 있다. 예를 들어, 상기 커버(2100)는 상기 광원 모듈(2200)로부터 제공되는 빛을 확산, 산란 또는 여기 시킬 수 있다. 상기 커버(2100)는 일종의 광학 부재일 수 있다. 상기 커버(2100)는 상기 방열체(2400)와 결합될 수 있다. 상기 커버(2100)는 상기 방열체(2400)와 결합하는 결합부를 가질 수 있다.For example, the cover 2100 may have a shape of a bulb or a hemisphere, and may be provided in a shape with a hollow inside and an open part. The cover 2100 may be optically coupled to the light source module 2200 . For example, the cover 2100 may diffuse, scatter, or excite the light provided from the light source module 2200 . The cover 2100 may be a kind of optical member. The cover 2100 may be coupled to the heat sink 2400 . The cover 2100 may have a coupling portion coupled to the heat sink 2400 .

상기 커버(2100)의 내면에는 유백색 도료가 코팅될 수 있다. 유백색의 도료는 빛을 확산시키는 확산재를 포함할 수 있다. 상기 커버(2100)의 내면의 표면 거칠기는 상기 커버(2100)의 외면의 표면 거칠기보다 크게 형성될 수 있다. 이는 상기 광원 모듈(2200)로부터의 빛이 충분히 산란 및 확산되어 외부로 방출시키기 위함이다. A milky white paint may be coated on the inner surface of the cover 2100 . The milky white paint may include a diffusing material for diffusing light. The surface roughness of the inner surface of the cover 2100 may be greater than the surface roughness of the outer surface of the cover 2100 . This is so that the light from the light source module 2200 is sufficiently scattered and diffused to be emitted to the outside.

상기 커버(2100)의 재질은 유리(glass), 플라스틱, 폴리프로필렌(PP), 폴리에틸렌(PE), 폴리카보네이트(PC) 등일 수 있다. 여기서, 폴리카보네이트는 내광성, 내열성, 강도가 뛰어나다. 상기 커버(2100)는 외부에서 상기 광원 모듈(2200)이 보이도록 투명할 수 있고, 불투명할 수 있다. 상기 커버(2100)는 블로우(blow) 성형을 통해 형성될 수 있다.The material of the cover 2100 may be glass, plastic, polypropylene (PP), polyethylene (PE), polycarbonate (PC), or the like. Here, polycarbonate is excellent in light resistance, heat resistance, and strength. The cover 2100 may be transparent or opaque so that the light source module 2200 can be seen from the outside. The cover 2100 may be formed through blow molding.

상기 광원 모듈(2200)은 상기 방열체(2400)의 일 면에 배치될 수 있다. 따라서, 상기 광원 모듈(2200)로부터의 열은 상기 방열체(2400)로 전도된다. 상기 광원 모듈(2200)은 광원부(2210), 연결 플레이트(2230), 커넥터(2250)를 포함할 수 있다.The light source module 2200 may be disposed on one surface of the heat sink 2400 . Accordingly, heat from the light source module 2200 is conducted to the heat sink 2400 . The light source module 2200 may include a light source unit 2210 , a connection plate 2230 , and a connector 2250 .

상기 부재(2300)는 상기 방열체(2400)의 상면 위에 배치되고, 복수의 광원부(2210)들과 커넥터(2250)이 삽입되는 가이드홈(2310)들을 갖는다. 상기 가이드홈(2310)은 상기 광원부(2210)의 기판 및 커넥터(2250)와 대응된다.The member 2300 is disposed on the upper surface of the heat sink 2400 and includes a plurality of light source units 2210 and guide grooves 2310 into which the connector 2250 is inserted. The guide groove 2310 corresponds to the board and the connector 2250 of the light source unit 2210 .

상기 부재(2300)의 표면은 빛 반사 물질로 도포 또는 코팅된 것일 수 있다. 예를 들면, 상기 부재(2300)의 표면은 백색의 도료로 도포 또는 코팅된 것일 수 있다. 이러한 상기 부재(2300)는 상기 커버(2100)의 내면에 반사되어 상기 광원 모듈(2200)측 방향으로 되돌아오는 빛을 다시 상기 커버(2100) 방향으로 반사한다. 따라서, 실시 예에 따른 조명 장치의 광 효율을 향상시킬 수 있다.The surface of the member 2300 may be coated or coated with a light reflective material. For example, the surface of the member 2300 may be coated or coated with a white paint. The member 2300 reflects the light reflected on the inner surface of the cover 2100 and returned to the light source module 2200 in the direction of the cover 2100 again. Accordingly, the light efficiency of the lighting device according to the embodiment may be improved.

상기 부재(2300)는 예로서 절연 물질로 이루어질 수 있다. 상기 광원 모듈(2200)의 연결 플레이트(2230)는 전기 전도성의 물질을 포함할 수 있다. 따라서, 상기 방열체(2400)와 상기 연결 플레이트(2230) 사이에 전기적인 접촉이 이루어질 수 있다. 상기 부재(2300)는 절연 물질로 구성되어 상기 연결 플레이트(2230)와 상기 방열체(2400)의 전기적 단락을 차단할 수 있다. 상기 방열체(2400)는 상기 광원 모듈(2200)로부터의 열과 상기 전원 제공부(2600)로부터의 열을 전달받아 방열한다.The member 2300 may be made of, for example, an insulating material. The connection plate 2230 of the light source module 2200 may include an electrically conductive material. Accordingly, electrical contact may be made between the heat sink 2400 and the connection plate 2230 . The member 2300 may be made of an insulating material to block an electrical short between the connection plate 2230 and the heat sink 2400 . The heat sink 2400 receives heat from the light source module 2200 and heat from the power supply unit 2600 and radiates heat.

상기 홀더(2500)는 내부 케이스(2700)의 절연부(2710)의 수납홈(2719)을 막는다. 따라서, 상기 내부 케이스(2700)의 상기 절연부(2710)에 수납되는 상기 전원 제공부(2600)는 밀폐된다. 상기 홀더(2500)는 가이드 돌출부(2510)를 갖는다. 상기 가이드 돌출부(2510)는 상기 전원 제공부(2600)의 돌출부(2610)가 관통하는 홀을 갖는다. The holder 2500 blocks the receiving groove 2719 of the insulating part 2710 of the inner case 2700 . Accordingly, the power supply unit 2600 accommodated in the insulating unit 2710 of the inner case 2700 is sealed. The holder 2500 has a guide protrusion 2510 . The guide protrusion 2510 has a hole through which the protrusion 2610 of the power supply unit 2600 passes.

상기 전원 제공부(2600)는 외부로부터 제공받은 전기적 신호를 처리 또는 변환하여 상기 광원 모듈(2200)로 제공한다. 상기 전원 제공부(2600)는 상기 내부 케이스(2700)의 수납홈(2719)에 수납되고, 상기 홀더(2500)에 의해 상기 내부 케이스(2700)의 내부에 밀폐된다. 상기 전원 제공부(2600)는 돌출부(2610), 가이드부(2630), 베이스(2650), 연장부(2670)를 포함할 수 있다.The power supply unit 2600 processes or converts an electrical signal received from the outside and provides it to the light source module 2200 . The power supply unit 2600 is accommodated in the receiving groove 2719 of the inner case 2700 , and is sealed inside the inner case 2700 by the holder 2500 . The power supply unit 2600 may include a protrusion part 2610 , a guide part 2630 , a base 2650 , and an extension part 2670 .

상기 가이드부(2630)는 상기 베이스(2650)의 일 측에서 외부로 돌출된 형상을 갖는다. 상기 가이드부(2630)는 상기 홀더(2500)에 삽입될 수 있다. 상기 베이스(2650)의 일 면 위에 다수의 부품이 배치될 수 있다. 다수의 부품은 예를 들어, 외부 전원으로부터 제공되는 교류 전원을 직류 전원으로 변환하는 직류변환장치, 상기 광원 모듈(2200)의 구동을 제어하는 구동칩, 상기 광원 모듈(2200)을 보호하기 위한 ESD(ElectroStatic discharge) 보호 소자 등을 포함할 수 있으나 이에 대해 한정하지는 않는다.The guide part 2630 has a shape protruding outward from one side of the base 2650 . The guide part 2630 may be inserted into the holder 2500 . A plurality of components may be disposed on one surface of the base 2650 . The plurality of components include, for example, a DC converter for converting AC power provided from an external power source into DC power, a driving chip for controlling the driving of the light source module 2200 , and ESD for protecting the light source module 2200 . (ElectroStatic discharge) may include a protection device, but is not limited thereto.

상기 연장부(2670)는 상기 베이스(2650)의 다른 일 측에서 외부로 돌출된 형상을 갖는다. 상기 연장부(2670)는 상기 내부 케이스(2700)의 연결부(2750) 내부에 삽입되고, 외부로부터의 전기적 신호를 제공받는다. 예컨대, 상기 연장부(2670)는 상기 내부 케이스(2700)의 연결부(2750)의 폭과 같거나 작게 제공될 수 있다. 상기 연장부(2670)에는 "+ 전선"과 "- 전선"의 각 일 단이 전기적으로 연결되고, "+ 전선"과 "- 전선"의 다른 일 단은 소켓(2800)에 전기적으로 연결될 수 있다.The extension 2670 has a shape protruding outward from the other side of the base 2650 . The extension part 2670 is inserted into the connection part 2750 of the inner case 2700 and receives an electrical signal from the outside. For example, the extension portion 2670 may be provided to be equal to or smaller than the width of the connection portion 2750 of the inner case 2700 . Each end of the "+ wire" and the "- wire" may be electrically connected to the extension part 2670 , and the other end of the "+ wire" and the "- wire" may be electrically connected to the socket 2800 . .

이상에서 실시 예들에 설명된 특징, 구조, 효과 등은 적어도 하나의 실시 예에 포함되며, 반드시 하나의 실시 예에만 한정되는 것은 아니다. 나아가, 각 실시 예에서 예시된 특징, 구조, 효과 등은 실시 예들이 속하는 분야의 통상의 지식을 가지는 자에 의해 다른 실시 예들에 대해서도 조합 또는 변형되어 실시 가능하다. 따라서 이러한 조합과 변형에 관계된 내용들은 실시 예의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.Features, structures, effects, etc. described in the above embodiments are included in at least one embodiment, and are not necessarily limited to only one embodiment. Furthermore, features, structures, effects, etc. illustrated in each embodiment can be combined or modified for other embodiments by a person skilled in the art to which the embodiments belong. Therefore, the contents related to such combinations and variations should be interpreted as being included in the scope of the embodiment.

100: 발광 소자 210, 310, 410: 보호 필름
211, 311, 411: 투과부 213, 313, 413: 차단부
240: 접착제100: light emitting device 210, 310, 410: protective film
211, 311, 411: transmission part 213, 313, 413: blocking part
240: adhesive

Claims (12)

상부가 개방된 캐비티를 갖는 몸체;
상기 캐비티 내부 바닥면에 실장되는 발광 소자;
상기 캐비티 상에 배치되며 자외선 파장이 투과되는 투과부;
상기 자외선 파장을 차단하고 상기 투과부의 하부면 둘레에 배치된 차단부; 및
상기 몸체 상에 상기 차단부를 결합시키는 접착제를 포함하고,
상기 몸체는 상기 캐비티의 가장 자리를 따라 상기 몸체의 상면보다 낮게 위치하는 단차부를 포함하며,
상기 접착제는 상기 단차부의 표면에 접착되고,
상기 차단부는 상기 접착제와 상기 투과부의 가장 자리 하부면 사이에 배치되며,
상기 차단부의 상부면은 상기 몸체의 상면보다 낮게 위치하며,
상기 차단부의 일부는 상기 캐비티의 내측으로 연장되며,
상기 접착제, 상기 차단부 및 상기 투과부의 가장 자리는 상기 단차부 내에 배치되는, 발광 다이오드 패키지.a body having a cavity with an open top;
a light emitting device mounted on the inner bottom surface of the cavity;
a transmissive part disposed on the cavity and transmitting an ultraviolet wavelength;
a blocking unit that blocks the ultraviolet wave and is disposed around a lower surface of the transmitting unit; and
and an adhesive for bonding the blocking part on the body;
The body includes a step portion positioned lower than the upper surface of the body along the edge of the cavity,
The adhesive is adhered to the surface of the step portion,
The blocking part is disposed between the adhesive and the lower edge of the permeable part,
The upper surface of the blocking part is located lower than the upper surface of the body,
A portion of the blocking portion extends inside the cavity,
Edges of the adhesive, the blocking portion, and the transmitting portion are disposed in the step portion, the light emitting diode package. 제1 항에 있어서,
상기 투과부의 상부면은 상기 캐비티의 너비 보다 넓은 너비를 갖는, 발광 다이오드 패키지.According to claim 1,
The upper surface of the transmission part has a width wider than the width of the cavity, the light emitting diode package. 제1 항 또는 제2 항에 있어서,
상기 몸체는 복수의 세라믹 층의 적층 구조를 포함하는 발광 다이오드 패키지.3. The method according to claim 1 or 2,
The body is a light emitting diode package including a stacked structure of a plurality of ceramic layers. 제1 항 또는 제2 항에 있어서,
상기 차단부의 상부면은 상기 투과부의 하부면과 접착되고,
상기 투과부의 하부면은 상기 몸체의 상면보다 낮게 위치하는 발광 다이오드 패키지.3. The method according to claim 1 or 2,
The upper surface of the blocking part is adhered to the lower surface of the transmission part,
The light emitting diode package in which the lower surface of the transmission part is located lower than the upper surface of the body. 제1 항 또는 제2 항에 있어서,
상기 접착제는 상기 투과부로부터 일정 간격 이격된 발광 다이오드 패키지.3. The method according to claim 1 or 2,
The adhesive is a light emitting diode package spaced a predetermined distance from the transmission part. 제1 또는 제2 항에 있어서,
상기 접착제의 폭은 상기 차단부의 폭 이하인 발광 다이오드 패키지.3. The method of claim 1 or 2,
The width of the adhesive is less than or equal to the width of the blocking portion of the light emitting diode package. 제1 항 또는 제2 항에 있어서,
상기 차단부는 상기 투과부의 하부면 상에 위치하는 발광 다이오드 패키지.3. The method according to claim 1 or 2,
The blocking portion is a light emitting diode package located on a lower surface of the transmitting portion. 제1 항 또는 제2 항에 있어서,
상기 차단부로부터 노출된 상기 투과부의 하부면은 상기 캐비티의 너비 보다 좁은 너비를 갖는 발광 다이오드 패키지.3. The method according to claim 1 or 2,
A lower surface of the transmission part exposed from the blocking part has a width narrower than a width of the cavity for a light emitting diode package. 삭제delete 제3 항에 있어서,
상기 투과부는 쿼츠(Quartz)를 포함하는 발광 다이오드 패키지.4. The method of claim 3,
The light emitting diode package including the transmitting portion quartz (Quartz). 제10항에 있어서,
상기 차단부는 글라스 또는 ITO를 포함하는 발광 다이오드 패키지.
11. The method of claim 10,
The blocking portion is a light emitting diode package comprising glass or ITO.
 삭제delete
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Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101781748B1 (en) 2016-09-01 2017-09-25 주식회사 루멘스 Uv led package
KR102650690B1 (en) * 2018-10-23 2024-03-25 주식회사 루멘스 Ultraviolet light emitting diode package

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003318448A (en) 2002-02-19 2003-11-07 Nichia Chem Ind Ltd Light emitting device and its forming method
US20110210370A1 (en) 2010-03-01 2011-09-01 Hitoshi Kamamori Light emitting device
WO2011149052A1 (en) 2010-05-27 2011-12-01 京セラ株式会社 Light emitting device and lighting device
US20120267671A1 (en) 2011-04-20 2012-10-25 Jung Jung Su Light emitting device package including uv light emitting diode
CN203733832U (en) 2013-12-25 2014-07-23 深圳市瑞丰光电子股份有限公司 Led packaging structure
WO2014189221A1 (en) * 2013-05-23 2014-11-27 엘지이노텍주식회사 Light-emitting module

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6338533B2 (en) * 2011-12-22 2018-06-06 ヘプタゴン・マイクロ・オプティクス・プライベート・リミテッドＨｅｐｔａｇｏｎ Ｍｉｃｒｏ Ｏｐｔｉｃｓ Ｐｔｅ． Ｌｔｄ． Optoelectronic module, in particular flash module and method of manufacturing the same
KR20130101467A (en) * 2012-03-05 2013-09-13 서울반도체 주식회사 Light emitting diode package and method of fabricating the same
KR102049380B1 (en) * 2013-05-28 2019-11-28 엘지이노텍 주식회사 Light emitting module

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003318448A (en) 2002-02-19 2003-11-07 Nichia Chem Ind Ltd Light emitting device and its forming method
US20110210370A1 (en) 2010-03-01 2011-09-01 Hitoshi Kamamori Light emitting device
WO2011149052A1 (en) 2010-05-27 2011-12-01 京セラ株式会社 Light emitting device and lighting device
US20120267671A1 (en) 2011-04-20 2012-10-25 Jung Jung Su Light emitting device package including uv light emitting diode
WO2014189221A1 (en) * 2013-05-23 2014-11-27 엘지이노텍주식회사 Light-emitting module
CN203733832U (en) 2013-12-25 2014-07-23 深圳市瑞丰光电子股份有限公司 Led packaging structure

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KR20160094213A (en) 2016-08-09

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