KR102294316B1 - 이미지 센서 및 이를 포함하는 촬상 장치 - Google Patents

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Abstract

실시예는 일측에 편향된 제1 쉴드 영역을 가지는 제1 그룹 화소와 타측에 편향된 제2 쉴드 영역을 가지는 제2 그룹 화소를 포함하는 복수의 위상차 검출 화소 및 복수의 위상차 검출 화소와 함께 격자 패턴으로 배치된 복수의 이미지 검출 화소를 포함하며, 복수의 위상차 검출 화소는 제1 쉴드 영역과 제2 쉴드 영역의 면적이 동일한 제1 화소군, 제1 쉴드 영역의 면적이 제2 쉴드 영역의 면적 이상인 제2 화소군 및 제1 쉴드 영역의 면적이 제2 쉴드 영역의 면적 이하인 제3 화소군을 포함하는 이미지 센서를 제공하며, 위상차 검출 방식 AF(Auto Focus) 시스템에서 이미지 센서의 외곽 영역에서도 포커스 정확성을 높일 수 있다.

Description

이미지 센서 및 이를 포함하는 촬상 장치{IMAGE SENSOR AND IMAGE PICK-UP APPARATUS INCLUDING THE SAME}
실시예는 위상차 검출 화소가 포함된 이미지 센서 및 이를 포함하는 촬상 장치에 관한 것이다.
카메라 등의 영상 획득 장치에서 고품질 영상 획득 기술에 대한 요구가 커짐에 따라, 자동 초점(AF, Auto Focus)시스템은 디지털 카메라, 렌즈 교환식 카메라뿐 아니라 핸드폰 또는 소형 모바일 기기용 카메라에도 적용이 확대되고 있다.
AF 시스템은 위상차 검출 방식의 AF 시스템 또는 콘트라스트 검출 방식의 AF 시스템이 주로 적용되고 있다.
콘트라스트 검출 방식의 AF 시스템은 이미지 센서에서의 화상 데이터 출력으로부터 고주파 데이터를 추출해, 이것이 극대가 되도록 AF 제어를 수행하는 방식이다. 콘트라스트 AF는 이를 위한 신호 처리 회로가 요구되지만, 별도의 센서나 광학계가 필요하지 않아 비교적 저렴하게 AF 시스템을 구축할 수 있는 장점이 있다. 그러나 위상차 검출 방식의 AF 시스템에 비하여 속도가 느리고 정밀도가 떨어지는 단점이 있다.
위상차 검출 방식의 AF 시스템은 촬상 렌즈를 통과하여 입사된 광을 동분할(Pupil Division)하여 한 쌍의 상(像)을 형성하고, 형성된 한 쌍의 상 사이의 간격인 위상차를 검출하여 촬상 렌즈의 위치를 결정하여 초점을 검출하는 방식이다.
위상차 검출 방식의 AF 시스템의 경우 위상차 검출 AF 센서를 촬상 소자와 별도로 구비하는 경우와, 위상차 검출용 화소를 이미지 센서에 배치하는 방법이 있다.
이러한 위상차 검출 방식의 AF 시스템에서 위상차 검출용 화소는 일부 영역이 차폐되어 제한된 양의 광을 입사시키게 되며, 위상차 검출 화소의 차폐된 영역이 좌우 차폐 화소에서 동일한 경우, 이미지 센서의 중심부에 비하여 외곽에 배치되는 위상차 검출 화소의 경우 쉴드 방향이 서로 다른 한 쌍의 위상차 검출 화소들로부터 수광되는 광량에 차이가 발생하게 된다.
이러한, 입사되는 광량의 차이로 인하여 위상차에 의한 AF의 정확성이 떨어지는 문제가 발생할 수 있다.
실시예는 위상차에 의한 자동 초점 기능의 정확성을 가지는 위상차 검출용 화소가 배치된 이미지 센서 및 이를 포함하는 촬상장치를 구현하고자 한다.
실시예에 따른 이미지센서는 일측에 편향된 제1 쉴드 영역을 가지는 제1그룹 화소와 타측에 편향된 제2 쉴드 영역을 가지는 제2 그룹 화소를 포함하는 복수의 위상차 검출 화소; 및 상기 복수의 위상차 검출 화소와 함께 격자 패턴으로 배치된 복수의 이미지 검출 화소; 를 포함하며, 상기 복수의 위상차 검출 화소는 상기 제1 쉴드 영역과 상기 제2 쉴드 영역의 면적이 동일한 제1 화소군, 상기 제1 쉴드 영역의 면적이 상기 제2 쉴드 영역의 면적 이상인 제2 화소군 및 상기 제1 쉴드 영역의 면적이 상기 제2 쉴드 영역의 면적 이하인 제3 화소군을 포함할 수 있다.
상기 격자 패턴은 복수의 베이어 배열(Bayer Arrangement) 격자 단위를 가지며, 상기 위상차 검출 화소는 상기 격자 단위의 그린 영역에 배치될 수 있다.
상기 제1 화소군은 상기 이미지 센서의 중앙 영역에 배치되고, 상기 제2 화소군과 상기 제3 화소군은 상기 제1 화소군을 기준으로 상호 대칭되게 배치될 수 있다.
상기 제1 그룹 화소는 상기 위상차 검출 화소의 우측 영역에 상기 제1 쉴드 영역을 가지며, 제2 그룹 화소는 상기 위상차 검출 화소의 좌측 영역에 상기 제2 쉴드 영역을 갖는 것일 수 있다.
상기 제2 화소군의 상기 제1 쉴드 영역과 상기 제2 쉴드 영역의 면적의 비율은 5:5 이상 7:3 이하일 수 있다.
상기 제3 화소군의 상기 제1 쉴드 영역과 상기 제2 쉴드 영역의 면적의 비율은 3:7 이상 5:5 이하일 수 있다.
상기 제2 화소군의 상기 제2 쉴드 영역의 면적에 대한 상기 제1 쉴드 영역의 면적 비율은 상기 이미지 센서의 중앙 방향으로 갈수록 작아질 수 있다.
상기 제3 화소군의 상기 제2 쉴드 영역의 면적에 대한 상기 제1 쉴드 영역의 면적 비율은 상기 이미지 센서의 중앙 방향으로 갈수록 커질 수 있다.
다른 실시예는 광신호를 수신하는 광학부; 상기 광학부에서 수신된 광학 신호로부터 영상 정보를 생성하는 실시예에 따른 이미지 센서; 및 상기 영상 정보를 처리하는 영상처리부; 를 포함하는 촬상 장치를 제공할 수 있다.
실시예에 따른 이미지 센서는 센서의 영역별로 배치되는 위상차 검출 화소의 차폐 영역의 비율을 달리하여 이미지 센서 전 영역에서 위상차 검출 방식에 의한 자동 초점(Auto Focus) 조정 정확성을 높일 수 있다.
도 1은 위상차 검출 화소의 개략적인 구성을 나타낸 단면도이고,
도 2는 위상차 검출 화소의 실시예들에 대한 상부면을 개략적으로 나타낸 도면이고,
도 3은 일 실시예에 따른 이미지 센서를 나타낸 도면이고,
도 4a 내지 4b는 위상차 검출 화소의 쉴드 영역의 면적비율에 따른 수광량을 비교하여 나타낸 도면이고,
도 5는 일 실시예에 따른 이미지 센서를 나타낸 도면이고,
도 6은 일 실시예에 따른 촬상 장치의 블록도를 나타낸 도면이다.
이하 상기의 목적을 구체적으로 실현할 수 있는 본 발명의 실시예를 첨부한 도면을 참조하여 설명한다.
이하에서 이용되는 "제1" 및 "제2", "상/상부/위" 및 "하/하부/아래" 등과 같은 관계적 용어들은 그런 실체 또는 요소들 간의 어떠한 물리적 또는 논리적 관계 또는 순서를 반드시 요구하거나 내포하지는 않으면서, 어느 한 실체 또는 요소를 다른 실체 또는 요소와 구별하기 위해서만 이용될 수도 있다.
도면에서 각층의 두께나 크기는 설명의 편의 및 명확성을 위하여 과장되거나 생략되거나 또는 개략적으로 도시되었다. 또한 각 구성요소의 크기는 실제 크기를 전적으로 반영하는 것은 아니다.
도 1은 위상차 검출 화소(10A, 10B)의 구성을 개략적으로 나타낸 도면이다.
위상차 검출 화소(10A, 10B)는 마스크층(11), 마이크로 렌즈(13) 및 포토 다이오드(15)를 포함할 수 있다.
마스크층(11)은 위상차 검출 화소에서의 쉴드 영역을 형성할 수 있다. 마스크층(11)은 메탈 마스크로 구현될 수 있으며, 마스크층(11)에 의하여 빛을 입사시킬 수 있는 개구부와 빛이 차단되는 쉴드 영역을 구분할 수 있다. 예를 들어, 마스크층(11)에 의하여 차폐된 면적에 따라 이미지 센서로 입사되는 빛의 양을 조절할 수 있다.
마이크로 렌즈(13)는 입사되는 광학 신호를 위상차 검출 화소의 중심부로 집중시켜 포토 다이오드(15)로 전달되게 할 수 있다. 마이크로 렌즈(13)는 입사되는 광학 신호를 위상차 검출 화소 집중시키기 위하여 포토 다이오드(15)에 대한 상대적인 위치가 변경될 수 있다.
포토 다이오드(15)는 입사되는 광학 신호를 전기 신호로 변환할 수 있다.
위상차 검출 화소는 일측에 편향된 제1 쉴드 영역을 가지는 제1 그룹 화소(10A)와 타측에 편향된 제2 쉴드 영역을 가지는 제2 그룹 화소(10B)를 포함할 수 있다. 예를 들어, 제1 쉴드 영역과 제2 쉴드 영역은 서로 반대 반향으로 편향된 것일 수 있다.
도 1에서 간략히 도시된 바와 같이 제1 그룹 화소(10A)와 제2 그룹 화소(10B)로 각각 입사되는 빛은 마이크로 렌즈를 통하여 집중된 빛이 마스크층이 배치되지 않은 수광 영역을 통하여 광학 신호를 각각의 포토 다이오드로 전달하게 되며 이로부터 위상차 검출을 위한 한 쌍의 상을 얻을 수 있다.
도 2는 위상차 검출 화소의 일 실시예들을 나타낸 도면이다.
도 2는 위상차 검출 화소의 상부면을 간략히 도시한 것으로서, 실시예의 위상차 검출 화소에서 제1 그룹 화소(10A, 20A, 30A)는 위상차 검출 화소의 우측에 제1 쉴드 영역을 가질 수 있으며, 제2 그룹 화소(10B, 20B. 30B)는 위상차 검출 화소의 좌측에 제2 쉴드 영역을 가질 수 있다.
도 2의 (a) 내지 (c)는 제1 그룹 화소(10A, 20A, 30A)와 제2 그룹 화소(10B, 20B. 30B)의 쉴드 영역의 면적의 비율이 다른 위상차 검출 화소의 실시예들을 간략히 도시한 것이다.
도 2의 (a)는 제1 그룹 화소(10A)의 제1 쉴드영역(10A-1)과 제2 그룹 화소(10B)의 제2 쉴드영역(10B-1)의 면적이 동일한 위상차 검출 화소인 제1 화소군(100A)을 나타낸 것이다.
예를 들어, 제1 화소군(100A)은 위상차 검출 화소의 열 방향으로의 길이가 동일한 경우에 있어서, 제1 그룹 화소(10A)에서 제1 쉴드 영역(10A-1)의 행 방향으로의 폭(w1)과 제2 그룹 화소(10B)에서 제2 쉴드 영역(10B-1)의 행 방향으로의 폭(w2)이 동일한 것일 수 있다.
도 2의 (b)는 제2 화소군(100B)에 해당하는 위상차 검출 화소를 나타낸 도면이다. 제2 화소군(100B)의 경우 제1 그룹 화소(20A)의 제1 쉴드 영역(20A-1)의 면적이 제2 그룹 화소(20B)의 제2 쉴드 영역(20B-1)의 면적 이상일 수 있다.
또한 도 2의 (c)는 제3 화소군(100C)에 해당하는 위상차 검출 화소를 나타낸 도면이다. 제3 화소군(100C)의 경우 제1 그룹 화소(30A)의 제1 쉴드 영역(30A-1)의 면적이 제2 그룹 화소(30B)의 제2 쉴드 영역(30B-1)의 면적 이하일 수 있다.
이하 도면을 통하여 이미지 센서(200)의 실시예를 설명하나, 이미지 센서 내에 포함된 화소수는 도면에 도시된 것에 한정되지 않으며, 이미지 센서에 포함되는 전체 화소수는 도면에 도시된 것 보다 적거나 많을 수 있다.
도 3은 일 실시예의 이미지센서(200A)를 나타낸 도면이다.
도 3의 이미지 센서(200A)는 복수의 위상차 검출화소(100A, 100B, 100C)와 복수의 이미지 검출 화소(50)를 포함할 수 있다.
복수의 위상차 검출 화소는 일측에 편향된 제1 쉴드 영역을 가지는 제1 그룹 화소(10A, 20A, 30A)와 타측에 편향된 제2 쉴드 영역을 가지는 제2 그룹 화소(10B, 20B, 30B)를 포함할 수 있다.
복수의 위상차 검출 화소는 도 2에서 도시된 위상차 검출 화소인 제1 화소군(100A), 제2 화소군(100B) 및 제3 화소군(100C)을 포함할 수 있다.
이미지 검출 화소(50)는 컬러 화소일 수 있으며, 복수의 이미지 검출 화소(50)는 격자 단위(A)를 이룰 수 있으며, 이러한 격자 단위(A)가 반복되어 격자 패턴 형태로 배치될 수 있다. 또한, 복수의 위상차 검출 화소(100A, 100B, 100C)와 이미지 검출 화소(50)가 함께 격자 패턴을 이룰 수 있다.
이미지 검출 화소(50)가 컬러 화소인 경우 빨강(Red), 초록(Green), 파랑(Blue)을 포함할 수 있으나 컬러 화소는 제시된 컬러에 한정되지 않는다.
도 3에서 R, G, B로 도시된 부분은 각각 빨강(Red), 초록(Green), 파랑(Blue)을 나타낸다.
격자 단위(A)는 4개의 화소가 2행 2열로 배치된 베이어 배열(Bayer Arrangement)일 수 있으며, 위상차 검출 화소(100A, 100B, 100C)는 격자 단위에서 G화소 위치에 배치될 수 있다.
도 3에서는 2행 2열의 격자 단위(A)를 가지는 경우를 도시하고 있으나 이에 한정하지 않으며, 격자 패턴을 이루는 격자 단위(A)는 3행 3열 또는 4행 4열의 격자 단위일 수 있다.
격자 단위(A)를 포함하는 이미지 센서는 n행 m열의 화소를 가지는 격자 패턴을 이룰 수 있다. 이때, n과 m은 자연수이며, n과 m은 서로 동일하거나 다를 수 있다.
실시예의 이미지 센서(200A)는 입력된 광신호를 전기적 신호로 변환하는 광전 소자(Photoelectric Element)를 포함할 수 있다.
이미지 센서(200A)는 외부로부터 입력되어 전달된 광신호를 전기 신호로 변환하여 영상 정보를 출력할 수 있으며, 또한 입력된 아날로그 영상 신호로부터 디지털 데이터로 영상 정보를 변환할 수 있다. 컬러 화소를 포함하는 이미지 센서(200A)의 경우 입력된 광신호로부터 컬러 정보를 산출할 수 있다.
도 3에 도시된 실시예에서, 제1 화소군(100A)은 이미지 센서(200A)의 중앙 영역에 배치될 수 있고, 제2 화소군(100B)과 제3 화소군(100C)은 제1 화소군(100A)을 기준으로 상호 대칭되게 배치될 수 있다.
예를 들어, 제1 화소군(100A)은 이미지 센서(200A)를 행 방향으로 3 개의 영역으로 구분하는 경우에 있어서, 이미지 센서(200A)의 중앙 영역(Z2)에 배치될 수 있고, 제2 화소군(100B)은 중앙 영역(Z2)의 좌측에 해당하는 Z1에 배치될 수 있으며, 제3 화소군(100C)은 중앙 영역(Z2)의 우측에 해당하는 Z3에 배치될 수 있다.
도 3에서 이미지 센서의 구분된 3개의 영역(Z1, Z2, Z3)은 예를 들어, 동일한 화소수를 포함할 수 있으며, 또한, Z2와 Z3에 해당하는 화소수는 동일하고 Z1에 해당하는 이미지 센서의 화소수는 Z2 또는 Z3와 다를 수 있다.
도 3의 실시예에서 제2 화소군(100B)의 제1 쉴드 영역(20A-1)의 면적과 제2 쉴드 영역(20B-1)의 면적의 비율은 5:5 이상 7:3 이하일 수 있다.
예를 들어, 제2 화소군(100B)의 위상차 검출 화소에 있어서 열 방향으로의 크기가 동일할 때, 제2 화소군(100B)을 이루는 위상차 검출화소(20A, 20B)에서 쉴드 영역의 행 방향으로의 폭의 비율은 제1 쉴드 영역(20A-1)의 폭이 w1이고 제2 쉴드 영역(20B-1)의 폭이 w2일 때, w1:w2 는 5:5 이상 7:3 이하일 수 있다.
이미지 센서(200A)의 Z1 영역의 경우 중앙 영역(Z2)으로부터 좌측에 치우쳐 있으므로, Z1에 배치되는 위상차 검출 화소는 이미지 센서의 중앙 영역인 위상차 검출 화소의 우측으로부터 입사되는 광학 신호가 위상차 검출 화소의 좌측으로부터 입사되는 광학 신호보다 많을 수 있다.
따라서, 제1 화소군(100A)과 같이 제1 쉴드 영역(10A-1)과 제2 쉴드 영역(10B-1)의 면적이 동일한 위상차 검출 화소가 Z1에 배치될 경우 제1 그룹 화소(10A)로부터 입사된 광학 신호와 제2 그룹 화소(10B)로부터 입사된 광학 신호의 세기(Intensity)의 차이가 발생하게 된다.
이와 달리, 제2 화소군(100B)이 Z1 영역에 배치될 경우, 제2 그룹 화소(20B)의 쉴드 영역의 면적이 제1 그룹 화소(20A)의 쉴드 영역의 면적보다 작으므로 상대적으로 입사되는 광량이 적은 좌측으로부터의 입사되는 빛이 쉴드되는 것을 줄일 수 있고 상대적으로 입사되는 광량이 많은 위상차 검출 화소의 우측으로부터 입사되는 빛의 양을 줄일 수 있다. 따라서, 제2 화소군(100B)의 한 쌍의 위상차 검출 화소로부터 입사되는 광량의 크기를 유사하게 할 수 있어 이로부터 위상차 검출을 정확하게 할 수 있다.
제2 화소군(100B)에서 제1 쉴드 영역(20A-1)의 면적이 제2 쉴드 영역(20B-1) 면적보다 작을 경우 제1 그룹 화소(20A)와 제2 그룹 화소(20B)로 입사되는 광량의 차이가 커져서 위상차 검출 정확성이 떨어질 수 있다.
또한, 제1 쉴드 영역(20A-1)의 면적과 제2 쉴드 영역(20B-1)의 면적의 비율이 7:3 보다 커질 경우 제1 그룹 화소(20A)에서 쉴드되는 광량이 과도하게 많아져 위상차 검출용 상을 얻을 수 있는 광량을 확보할 수 없는 문제가 발생할 수 있다.
도 3의 실시예에서 제3 화소군(100C)의 제1 쉴드 영역(30A-1)의 면적과 제2 쉴드 영역(30B-1)의 면적의 비율은 3:7 이상 5:5 이하일 수 있다.
이미지 센서(200A)의 Z3 영역의 경우 중앙 영역(Z2)으로부터 우측에 치우쳐 있으므로, 상대적으로 위상차 검출 화소의 좌측으로부터 입사되는 광학 신호가 우측으로부터 입사되는 광학 신호의 양보다 많을 수 있다.
따라서, 쉴드 영역의 면적이 동일한 제1 화소군(100A)의 위상차 검출 화소가 Z3에 배치될 경우, 제1 그룹 화소(10A)와 제2 그룹 화소(10B)로부터 입사되는 광량의 차이가 있어 두 개의 화소로부터 얻어지는 위상차 검출용 상으로부터 위상차를 정확히 측정할 수 없어 AF 정확성이 떨어질 수 있다.
따라서, 제3 화소군(100C)이 Z3에 배치될 경우 상대적으로 제1 쉴드 영역(30A-1)의 면적이 제2 쉴드 영역(30B-1)의 면적보다 작아지게 되므로, 우측으로부터 입사되는 광량을 늘임으로써 위상차 검출용으로 이용되는 한 쌍의 상에 대하여 포토 다이오드로 입사하는 광량이 유사하게 되어 위상차를 정확히 측정할 수 있다.
다만, 제3 화소군(100C)에서 제1 쉴드 영역(30A-1)과 제2 쉴드 영역(30B-1)의 면적의 비율이 3:7보다 작아질 경우, 즉 제2 그룹 화소(30B)의 쉴드 영역의 면적이 화소 전체면적의 70%보다 커질 경우에는 위상차 검출 화소에서 쉴드되는 광량이 과도하게 커지게 되어 포토 다이오드로 수광되는 광량이 위상차 검출용 상을 얻기에 불충분할 수 있다.
또한, 제1 쉴드 영역(30A-1)과 제2 쉴드 영역(30B-1)의 면적의 비율이 5:5보다 커질 경우 제1 그룹 화소(20A)와 제2 그룹 화소(30B)로 입사되는 광량의 차이가 커져서 위상차 검출 정확성이 떨어질 수 있다.
도 4a 내지 4b는 Z2 영역에서 위상차 검출 화소로 입사되는 광의 경로와 입사되는 광량을 나타낸 도면이다.
도 4a의 경우 제1 화소군(100A)에 해당하는 위상차 검출 화소가 배치된 경우를 도시한 것으로서, 마이크로 렌즈는 입사되는 빛을 위상차 검출 화소의 중심으로 모을 수 있으나, Z2영역의 경우 위상차 검출 화소의 우측 방향에서 오는 빛의 양이 많고, 위상차 검출 화소의 좌측 방향에서 입사되는 빛이 작은 비대칭적인 광의 입사경로를 가질 수 있다.
이러한 비대칭적인 광이 입사하는 경우에 있어서, 도 4a의 그래프에 도시된 바와 같이 제1 그룹 화소(10A)와 제2 그룹 화소(10B)로 입사되는 총 광량이 차이가 발생하며, 한 쌍의 위상차 검출 화소(10A, 10B)로부터 입사된 광학 정보를 비교하여 위상차를 검출할 경우 상대적인 광량의 차이로 인하여 정확한 위상차 값을 검출할 수 없는 문제가 있다.
이에 비하여, 도 4b는 제2 화소군이 적용된 실시예의 이미지 센서를 사용한 경우에 있어서의 입사되는 광의 경로와 입사되는 광량을 나타낸 도면이다.
제2 화소군(100B)의 경우 제1 그룹 화소(20A)의 쉴드 영역의 면적이 제2 그룹 화소(20B)의 쉴드 영역의 면적에 비하여 넓어, 제2 화소군(100B)에서 상대적으로 입사되는 광량이 많은 위상차 검출 화소의 우측 상부로부터의 입사되는 광은 제1 그룹 화소(20A)에 의하여 일부 차단이 되게 되며, 좌측 상부로부터 입사되는 광은 제2 그룹 화소(20B)에 의하여 차폐되는 광량이 적어지게 된다.
따라서, 도 4b의 그래프에 도시된 바와 같이 제2 화소군이 Z1에 배치될 경우 제1 그룹 화소(20A)와 제2 그룹 화소(20B)로부터 입사되어 포토 다이오드에 도달하는 광량이 유사하게 되어 위상차 검출의 정확성이 높아질 수 있다.
또한, 도면에 도시되지는 않았으나 이미지 센서(200A)의 Z3 영역에 제3 화소군(100C)이 배치될 경우 제2 그룹 화소(30B)의 쉴드 영역의 면적이 제1 그룹 화소(30A)의 쉴드 영역의 면적에 비하여 넓어, 상대적으로 입사되는 광량이 많은 위상차 검출 화소의 좌측 상부로부터 입사되는 광은 제2 그룹 화소(30B)에 의하여 일부 차단이 되게 되며, 우측 상부로부터 입사되는 광은 제1 그룹 화소(30A)에 의하여 차폐되는 광량이 적어지게 된다.
따라서, Z3 영역에서 제1 그룹 화소(30A)와 제2 그룹 화소(30B)로부터 입사되는 광량이 유사하게 되어 위상차 검출의 정확성이 높아질 수 있다.
도 5는 이미지 센서(200B)의 일 실시예를 나타낸 도면이다.
이하에서는 도 3의 실시예와 중복되는 내용은 다시 설명하지 않으며, 차이점을 중심으로 설명한다.
도 5에 도시된 실시예의 이미지 센서(200B)에서 제2 화소군(100B)의 제2 쉴드 영역(20B-1)의 면적에 대한 제1 쉴드 영역(20A-1)의 면적 비율은 이미지 센서의 중앙 방향으로 갈수록 작아지는 것일 수 있다.
또한, 이미지 센서에서 제3 화소군(100C)의 제2 쉴드 영역(30B-1)의 면적에 대한 제1 쉴드 영역(30A-1)의 면적 비율은 이미지 센서의 중앙 방향으로 갈수록 커질 수 있다.
예를 들어, 도 5에 도시된 실시예와 같이 이미지 센서(200B)를 행 방향으로 5 개의 영역으로 구분하는 경우에 있어서 중앙 영역인 Z2에 제1 화소군(100A)의 위상차 검출 화소가 배치될 수 있으며, 이미지 센서의 좌측인 Z1-1, Z1-2 영역에는 제2 화소군(100B)이 배치될 수 있으며, 이미지 센서의 우측인 Z3-1, Z3-2 영역에는 제3 화소군(100C)이 배치될 수 있다.
또한, 제2 화소군(100B) 중 Z1-1 영역에 배치되는 제2 화소군(100B)의 제1 그룹 화소(20A)의 제1 쉴드 영역(20A-1)의 면적이 Z1-2 영역에 배치되는 제2 화소군(100B)의 제1 그룹 화소(20A)의 제1 쉴드 영역(20A-1)의 면적보다 클 수 있다.
예를 들어, Z1-1 영역에서의 제1 그룹 화소(20A)와 제2 그룹 화소(20B)의 쉴드 영역의 면적 비율은 7:3 일 수 있으며, Z1-2 영역에서의 제1 그룹 화소와 제2 그룹 화소의 쉴드 영역의 면적 비율은 6:4 일 수 있다.
도 5의 실시예에서, 제3 화소군(100B) 중 Z3-1 영역에 배치되는 제3 화소군(100C)의 제1 그룹 화소(30A)의 제1 쉴드 영역(30A-1)의 면적이 Z3-2 영역에 배치되는 제3 화소군(100C)의 제1 그룹 화소(30A)의 쉴드 영역의 면적보다 작을 수 있다.
예를 들어, Z3-1 영역에 배치되는 제3 화소군(100C)의 제1 그룹 화소(30A)와 제2 그룹 화소(30B)의 쉴드 영역의 비율은 3:7 일 수 있으며, Z3-2 영역에서의 제1 그룹 화소(30A)와 제2 그룹 화소(30B)의 쉴드 영역의 비율은 4:6 일 수 있다.
또한, 이미지 센서(200B)에서 중앙을 기준으로 좌측으로 갈수록 제2 그룹 화소(20B)에 대한 제1 그룹 화소(20A)의 쉴드 영역의 면적 비율이 순차적으로 증가될 수 있으며, 이와 대칭되어 이미지 센서의 중앙을 기준으로 우측으로 갈수록 제2 그룹 화소(30B)에 대한 제1 그룹 화소(30A)의 쉴드 영역의 면적 비율이 순차적으로 감소될 수 있다.
도 5의 실시예에서, 제2 화소군(100B)과 제3 화소군(100C)을 제1 화소군(100A)을 기준으로 상호 대칭되게 배치될 수 있다.
예를 들어, 이미지 센서의 외곽부에 해당하는 Z1-1와 Z3-1 영역의 이미지 검출 화소수 및 위상차 검출 화소의 수는 상호 동일 할 수 있으며, 이미지 센서의 외곽부와 중앙 영역(Z2)의 사이에 해당하는 Z1-2와 Z3-2 영역의 이미지 검출 화소수 및 위상차 검출 화소의 수는 서로 동일할 수 있다.
도 3 및 도 5에서는 위상차 검출 화소(100A, 100B, 100C) 중 제1 그룹 화소(10A, 20A, 30A)는 동일한 행에서 배치되고, 제1 그룹 화소(10A, 20A, 30A)가 배치된 행과 이웃한 행에 제2 그룹 화소(10B, 20B, 30B)가 행 방향으로 배치되는 실시예를 도시하고 있다.
또한, 도면에 도시되지는 않았으나, 이미지 센서(200A, 200B) 내에서의 위상차 검출 화소(100A, 100B, 100C)의 배치는 예를 들어, 동일한 행에서 제1 그룹 화소(10A, 20A, 30A)와 제2 그룹 화소(10B, 20B, 30B)가 교대로 배치되는 형태일 수 있으며, 또한, 제1 그룹 화소(10A, 20A, 30A)가 배열된 행과 제2 그룹 화소(10B, 20B, 30B)가 배열된 행이 서로 이격되어 있을 수 있으나, 이에 한정하지 않는다.
상술한 실시예의 이미지 센서(200A, 200B)의 경우 이미지 센서의 영역을 구분하여 제1 쉴드 영역과 제2 쉴드 영역의 면적의 비율이 상이한 위상차 검출 화소를 배치함으로써, 이미지 센서의 외곽 영역에서도 한 쌍의 위상차 검출 화소로 입사되는 광량을 유사하게 할 수 있어 이로부터 용이하게 위상차를 검출하여 AF의 정확성을 높이는 효과를 기대할 수 있다.
이하 상술한 이미지 센서(200A, 200B)를 포함하는 촬상 장치에 대해 첨부된 도면을 참조하여 다음과 같이 설명하지만, 실시예는 이에 국한되지 않는다. 즉, 전술한 이미지 센서(200A, 200B)는 다양하게 이용될 수 있다.
도 6은 일 실시예에 따른 촬상 장치(300)의 개략적인 구성을 나타낸 블록도이다.
도 6에 도시된 촬상 장치(300)는 광학부(110), 이미지 센서(200), 영상 처리부(130), 구동부(140), 제어부(150) 및 화상 출력부(160)를 포함할 수 있다.
광학부(110)는 렌즈 및 렌즈 구동부를 포함할 수 있으며, 피사체에 대한 영상을 획득하기 위하여 외부로부터 입사되는 빛을 흡수하여 이미지 센서(200)로 출력하도록 할 수 있다.
광학부(110)는 복수의 렌즈를 포함할 수 있으며, 포커스 렌즈 또는 줌 렌즈 등을 포함할 수 있으며, 이러한 복수의 렌즈는 렌즈 구동부에 의해 그 위치가 조절 될 수 있다.
광학부(110)로부터 출력된 광학 정보는 이미지 센서(200)로 전달될 수 있다.
이미지 센서(200)는 상술한 실시예의 이미지 센서(200A, 200B) 중 어느 하나일 수 있으며, 이미지 센서(200)는 광학부(110)의 렌즈를 통하여 입사된 피사체의 광학 정보를 수신하여 전기 신호로 광전 변환할 수 있다. 이미지 센서(200)는 CCD(Charge-Coupled Device) 센서 또는 CMOS(Complementary Metal-Oxide-Semiconductor) 센서일 수 있다.
영상 처리부(130)는 이미지 센서(200)로부터 공급된 전기 신호에 대하여 영상 정보를 생성하고, 생성한 영상 정보를 화상 출력부(160)에 공급하여 영상으로서 표시하게 할 수 있다.
예를 들어, 영상 처리부(130)는 이미지센서(200)에서 공급되는 이미지 검출 화소(50)의 전기적 신호로부터 촬상된 화상의 영상 정보를 생성하고, 위상차 검출 화소(100A, 100B, 100C)의 전기적 신호에 의거하여 초점 조정용 영상 정보를 생성할 수 있다.
또한, 영상 처리부(130)는 공급된 위상차 검출 화소(100A, 100B, 100C)의 전기적 신호로부터 평면적인 영상 정보뿐 아니라 깊이 맵(Depth map)을 작성할 수 있는 정보를 얻을 수 있다. 이러한 깊이 맵에 대한 정보로부터 평면 영상 정보뿐 아니라 입체적 영상 정보도 산출할 수 있다.
영상 처리부(130)에서 생성된 초점 조정용 영상 정보는 제어부(150)에 공급할 수 있다.
제어부(150)는 촬상 장치의 전반적인 동작을 제어할 수 있으며, 제어부(150)는 광학부(110)를 구동 시키는 구동부(140) 및 영상 처리부(130)를 활성화시킬 수 있다.
제어부(150)는 광학부(110)를 제어하여 입력되는 광신호를 제어할 수 있고, 입력된 광신호는 이미지 센서(200)에서 전기 신호로 변환하여 영상 처리부(130)로 전달하며, 영상 처리부(130)에서 처리되어 출력된 초점 조정용 영상 정보는 제어부(150)에서 피드백 받아 포커스 어긋남 량을 산출할 수 있다.
제어부(150)는 산출된 포커스 어긋남 량에 따라 위상차 검출 AF 조정을 위하여 필요한 광학부(110)의 이동량을 산출할 수 있다. 산출된 광학부(110)의 이동량에 대한 정보는 제어부(150)에서 구동부(140)로 전달되고 이에 따라 광학부(110)가 조정되어 위상차 검출 방식의 AF 제어를 할 수 있다.
구동부(140)는 제어부(150)로부터 공급된 렌즈의 이동량에 관한 정보를 기초로 하여 광학부(110)의 렌즈를 이동시키도록 할 수 있다.
화상 출력부(160)는 영상 처리부(140)에서 공급되는 화상 영상 정보를 표시할 수 있다. 화상 출력부(160)는 사용자에게 시각적인 영상 정보를 제공할 수 있으며, 이러한 영상 정보를 표시하기 위하여 액정 디스플레이 패널(LCD), 유기 발광 디스플레이 패널(OLED)등으로 이루어진 표시부를 포함할 수 있다.
실시예의 촬상 장치(300)의 영상 처리부(130)는 복수의 위상차 검출 화소(100A, 100B, 100C)의 영상 정보를 상기의 위상차 검출 화소(10)를 둘러싸고 배치되는 복수의 이미지 검출 화소(50)의 영상 정보로 처리할 수 있다. 즉, 위상차 검출 화소(100A, 100B, 100C)의 영상 정보는 이와 이웃하는 이미지 검출 화소(50)의 영상 정보를 이용하여 보정되어 처리될 수 있다.
이상에서 실시예를 중심으로 설명하였으나 이는 단지 예시일 뿐 본 발명을 한정하는 것이 아니며, 본 발명이 속하는 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 본 실시예의 본질적인 특성을 벗어나지 않는 범위에서 이상에 예시되지 않은 여러 가지의 변형과 응용이 가능함을 알 수 있을 것이다. 예를 들어, 실시예에 구체적으로 나타난 각 구성 요소는 변형하여 실시할 수 있는 것이다. 그리고 이러한 변형과 응용에 관계된 차이점들은 첨부된 청구 범위에서 규정하는 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.
50 : 이미지 검출 화소 100A, 100B, 100C : 위상차 검출 화소
200, 200A, 200B : 이미지 센서
110 : 광학부 130 : 영상 처리부
140 : 구동부 150 : 제어부
160 : 화상 출력부

Claims (21)

  1. 일측에 편향된 제1 쉴드 영역을 가지는 제1 그룹 화소와 타측에 편향된 제2 쉴드 영역을 가지는 제2 그룹 화소를 포함하는 복수의 위상차 검출 화소; 및
    상기 복수의 위상차 검출 화소와 함께 격자 패턴으로 배치된 복수의 이미지 검출 화소; 를 포함하며,
    상기 복수의 위상차 검출 화소는
    이미지 센서의 중앙 영역에 배치되어 상기 제1 쉴드 영역과 상기 제2 쉴드 영역의 면적이 동일한 제 1화소군,
    상기 제1 화소군의 일측에 배치되어 상기 제1 쉴드 영역의 면적이 상기 제2 쉴드 영역의 면적 이상인 제 2화소군 및
    상기 제1 화소군을 기준으로 상기 제2 화소군에 대칭되게 배치되어 상기 제1 쉴드 영역의 면적이 상기 제2 쉴드 영역의 면적 이하인 제 3화소군을 포함하는 이미지 센서.
  2. 제 1항에 있어서, 상기 격자 패턴은 복수의 베이어 배열 격자 단위를 가지며, 상기 위상차 검출 화소는 상기 격자 단위의 그린 영역에 배치되는 이미지 센서.
  3. 제 1항에 있어서, 상기 제1 그룹 화소는 상기 위상차 검출 화소의 우측 영역에 상기 제1 쉴드 영역을 가지며, 제2 그룹 화소는 상기 위상차 검출 화소의 좌측 영역에 상기 제2 쉴드 영역을 갖는 이미지 센서.
  4. 삭제
  5. 제 1항에 있어서, 상기 제2 화소군의 상기 제1 쉴드 영역과 상기 제2 쉴드 영역의 면적의 비율은 5:5 이상 7:3 이하인 이미지 센서.
  6. 제 1항에 있어서, 상기 제 3화소군의 상기 제1 쉴드 영역과 상기 제2 쉴드 영역의 면적의 비율은 3:7 내지 5:5인 이미지 센서.
  7. 제 5항에 있어서, 상기 제2 화소군의 상기 제2 쉴드 영역의 면적에 대한 상기 제1 쉴드 영역의 면적 비율은 상기 이미지 센서의 중앙 방향으로 갈수록 작아지는 이미지 센서.
  8. 제 6항에 있어서, 상기 제3 화소군의 상기 제2 쉴드 영역의 면적에 대한 상기 제1 쉴드 영역의 면적 비율은 상기 이미지 센서의 중앙 방향으로 갈수록 커지는 이미지 센서.
  9. 광 신호를 수신하는 광학부;
    상기 광학부에서 수신된 광학 신호로부터 영상 정보를 생성하는 제1항 내지 제3항, 제5항 내지 제8항 중 어느 한 항에 기재된 이미지 센서; 및
    상기 영상 정보를 처리하는 영상처리부; 를 포함하는 촬상 장치.
  10. 제7항에 있어서,
    상기 제1 화소군과 상기 제2 화소군의 사이에 구비되는 화소군의 상기 제1 쉴드 영역의 면적과 상기 제2 쉴드 영역의 면적의 비율은 6:4 내지 5:5인 것을 특징으로 하는 이미지 센서.
  11. 제8항에 있어서,
    상기 제1 화소군과 상기 제3 화소군의 사이에 구비되는 화소군의 상기 제1 쉴드 영역의 면적과 상기 제2 쉴드 영역의 면적의 비율은 6:4 내지 5:5인 것을 특징으로 하는 이미지 센서.
  12. 삭제
  13. 삭제
  14. 삭제
  15. 삭제
  16. 삭제
  17. 삭제
  18. 삭제
  19. 삭제
  20. 제9항에 있어서,
    상기 제1 화소군과 상기 제2 화소군의 사이에 구비되는 화소군의 상기 제1 쉴드 영역의 면적과 상기 제2 쉴드 영역의 면적의 비율은 6:4 내지 5:5인 것을 특징으로 하는 촬상 장치.
  21. 제9항에 있어서,
    상기 제1 화소군과 상기 제3 화소군의 사이에 구비되는 화소군의 상기 제1 쉴드 영역의 면적과 상기 제2 쉴드 영역의 면적의 비율은 6:4 내지 5:5인 것을 특징으로 하는 촬상 장치.
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Families Citing this family (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102283423B1 (ko) * 2014-12-18 2021-07-30 엘지이노텍 주식회사 영상 획득 장치 및 이를 포함하는 휴대용 단말기와 그 장치의 영상 획득 방법
JP2018046394A (ja) * 2016-09-14 2018-03-22 オリンパス株式会社 撮像素子、撮像装置
CN106791373B (zh) * 2016-11-29 2020-03-13 Oppo广东移动通信有限公司 对焦处理方法、装置及终端设备
CN107105141B (zh) * 2017-04-28 2019-06-28 Oppo广东移动通信有限公司 图像传感器、图像处理方法、成像装置和移动终端
CN106973206B (zh) 2017-04-28 2020-06-05 Oppo广东移动通信有限公司 摄像模组摄像处理方法、装置和终端设备
CN109040566B (zh) * 2018-09-14 2024-04-02 深圳阜时科技有限公司 图像传感器、图像获取装置、身份识别装置及电子设备
CN112119624A (zh) * 2019-10-24 2020-12-22 深圳市大疆创新科技有限公司 图像传感器、成像装置及移动平台
CN110769162B (zh) * 2019-11-28 2021-07-13 维沃移动通信有限公司 电子设备及对焦方法
KR20210087809A (ko) 2020-01-03 2021-07-13 삼성전자주식회사 이미지 센서를 포함하는 전자 장치 및 그의 동작 방법

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007155929A (ja) * 2005-12-01 2007-06-21 Nikon Corp 固体撮像素子及びこれを用いた撮像装置
JP2009105358A (ja) * 2007-10-01 2009-05-14 Nikon Corp 固体撮像素子及びこれを用いた電子カメラ
JP5490313B2 (ja) 2011-03-24 2014-05-14 富士フイルム株式会社 カラー撮像素子、撮像装置、及び撮像装置の制御プログラム

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3592147B2 (ja) 1998-08-20 2004-11-24 キヤノン株式会社 固体撮像装置
JP3938127B2 (ja) * 2003-09-29 2007-06-27 ソニー株式会社 撮像装置
JP5276371B2 (ja) * 2008-07-09 2013-08-28 キヤノン株式会社 撮像装置
JP5503209B2 (ja) 2009-07-24 2014-05-28 キヤノン株式会社 撮像素子及び撮像装置
JP5662667B2 (ja) * 2009-10-08 2015-02-04 キヤノン株式会社 撮像装置
JP2012043939A (ja) * 2010-08-18 2012-03-01 Sony Corp 撮像素子および撮像装置
JP5901246B2 (ja) * 2010-12-13 2016-04-06 キヤノン株式会社 撮像装置
KR101777351B1 (ko) * 2011-05-16 2017-09-11 삼성전자주식회사 촬상 소자, 이를 이용한 디지털 촬영 장치, 오토 포커싱 방법, 및 상기 방법을 수행하기 위한 컴퓨터 판독가능 저장매체
CN103597811B (zh) * 2011-06-09 2015-07-29 富士胶片株式会社 拍摄立体移动图像和平面移动图像的图像拍摄元件以及装配有其的图像拍摄装置
KR101853817B1 (ko) * 2011-07-20 2018-05-02 삼성전자주식회사 촬상 소자
JP5572765B2 (ja) * 2011-09-29 2014-08-13 富士フイルム株式会社 固体撮像素子、撮像装置、及び合焦制御方法
JP2013157883A (ja) * 2012-01-31 2013-08-15 Sony Corp 固体撮像素子およびカメラシステム
JP6148530B2 (ja) * 2013-05-02 2017-06-14 キヤノン株式会社 固体撮像装置及びカメラ
JP6052057B2 (ja) * 2013-05-22 2016-12-27 ソニー株式会社 信号処理装置および信号処理方法、固体撮像装置、並びに、電子機器

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007155929A (ja) * 2005-12-01 2007-06-21 Nikon Corp 固体撮像素子及びこれを用いた撮像装置
JP2009105358A (ja) * 2007-10-01 2009-05-14 Nikon Corp 固体撮像素子及びこれを用いた電子カメラ
JP5490313B2 (ja) 2011-03-24 2014-05-14 富士フイルム株式会社 カラー撮像素子、撮像装置、及び撮像装置の制御プログラム

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