KR102293787B1 - 기판 배치대 및 성막 장치 - Google Patents

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나오유키 스즈키
히로시 소네
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도쿄엘렉트론가부시키가이샤
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Abstract

본 발명은 기판 배치대의 내하중성을 향상시켜, 기판의 위치 정밀도를 높일 수 있는 기술을 제공하는 것을 과제로 한다.
본 개시의 일양태에 따른 기판 배치대는, 처리 용기의 바닥면에 대하여 회전 가능하게 배치된 축부와, 상기 축부 상에 마련된 베이스부와, 상기 베이스부에 부착되어, 상기 처리 용기 내에서 기판을 상기 바닥면에 대하여 수평 방향으로 이동시키는 수평 이동 기구를 갖는다.

Description

기판 배치대 및 성막 장치{SUBSTRATE STAGE AND FILM FORMING APPARATUS}
본 개시는 기판 배치대 및 성막 장치에 관한 것이다.
스퍼터 입자를 기판에 경사 방향으로부터 입사시켜 성막을 행하는 스퍼터 장치가 알려져 있다(예컨대, 특허문헌 1 참조). 이 스퍼터 장치에서는, 기판을 탑재하는 기판 유지대를 수평 방향으로 이동시키면서 성막이 행해진다.
특허문헌 1: 일본 특허 공개 제2015-67856호 공보
본 개시는 기판 배치대의 내하중성(耐荷重性)을 향상시켜, 기판의 위치 정밀도를 높일 수 있는 기술을 제공한다.
본 개시의 일양태에 따른 기판 배치대는, 처리 용기의 바닥면에 대하여 회전 가능하게 배치된 축부와, 상기 축부 상에 마련된 베이스부와, 상기 베이스부에 부착되어, 상기 처리 용기 내에서 기판을 상기 바닥면에 대하여 수평 방향으로 이동시키는 수평 이동 기구를 갖는다.
본 개시에 따르면, 기판 배치대의 내하중성을 향상시켜, 기판의 위치 정밀도를 높일 수 있다.
도 1은 성막 장치의 구성예를 나타내는 개략 단면도이다.
도 2는 제1 실시형태의 스테이지를 나타내는 개략 단면도이다.
도 3은 제2 실시형태의 스테이지를 나타내는 개략 단면도이다.
이하, 첨부의 도면을 참조하면서, 본 개시의 한정적이 아닌 예시의 실시형태에 대해서 설명한다. 첨부된 전체 도면 중, 동일 또는 대응하는 부재 또는 부품에 대해서는, 동일 또는 대응하는 참조 부호를 붙이고, 중복하는 설명을 생략한다.
〔성막 장치〕
성막 장치의 구성예에 대해서 설명한다. 도 1은 성막 장치의 구성예를 나타내는 개략 단면도이다.
성막 장치(10)는, 스퍼터링에 의해 기판(W) 상에 막을 형성하는 스퍼터 장치이다. 성막 장치(10)는, 처리 용기(12), 슬릿판(14), 홀더(16), 스테이지(18) 및 제어 장치(20)를 갖는다.
처리 용기(12)는, 본체(12a) 및 덮개체(12b)를 갖는다. 본체(12a)는, 예컨대 대략 원통 형상을 갖는다. 본체(12a)의 상단부는 개구되어 있다. 덮개체(12b)는, 본체(12a)의 상단부의 위에 마련되어 있고, 본체(12a)의 상단부의 개구를 폐쇄한다.
처리 용기(12)의 바닥부에는, 배기구(12e)가 형성되어 있다. 배기구(12e)에는, 배기 장치(22)가 접속되어 있다. 배기 장치(22)는, 예컨대 압력 제어 장치, 감압 펌프를 갖는다. 감압 펌프는, 예컨대 드라이 펌프, 터보 분자 펌프여도 좋다.
처리 용기(12)의 측벽에는, 개구(12p)가 형성되어 있다. 처리 용기(12) 내로의 기판(W)의 반입 및 처리 용기(12) 내로부터의 기판(W)의 반출은, 개구(12p)를 통해 행해진다. 개구(12p)는, 게이트 밸브(12g)에 의해 개폐된다.
처리 용기(12)에는, 처리 용기(12) 내에 가스를 도입하는 포트(12i)가 마련되어 있어, 가스 공급부로부터의 가스(예컨대, 불활성 가스)가 포트(12i)를 통해 처리 용기(12) 내에 도입된다.
슬릿판(14)은, 처리 용기(12) 내에 마련되어 있다. 슬릿판(14)은, 대략 판형의 부재이다. 슬릿판(14)은, 처리 용기(12)의 높이 방향의 중간 위치에 있어서 수평으로 연장된다. 슬릿판(14)의 가장자리부는, 처리 용기(12)에 유지되어 있다. 슬릿판(14)은, 처리 용기(12) 내를 제1 공간(S1)과 제2 공간(S2)으로 구획한다. 제1 공간(S1)은, 처리 용기(12) 내의 일부의 공간이며, 슬릿판(14)의 상방에 있다. 제2 공간(S2)은, 처리 용기(12) 내의 별도의 일부의 공간이며, 슬릿판(14)의 하방에 있다.
슬릿판(14)에는, 슬릿(14s)이 형성되어 있다. 슬릿(14s)은, 슬릿판(14)을 그 판두께 방향(도 1의 Z 방향)으로 관통한다. 슬릿판(14)은, 예컨대 하나의 부품이어도 좋고, 복수의 부품의 조합이어도 좋다. 성막 시에는, 기판(W)은 슬릿(14s)의 하방을 X 방향으로 이동한다. X 방향은, 수평인 일방향이다. 슬릿(14s)은, 수평인 별도의 일방향인 Y 방향을 따라 길게 연장되어 있고, 예컨대 대략 직사각형의 평면 형상을 가지고 있다. Y 방향은, 슬릿(14s)의 길이 방향이며, X 방향과 직교하는 방향이다. 슬릿(14s)의 Y 방향에 있어서의 중심은, 성막 시에 있어서의 기판(W)의 Y 방향에 있어서의 중심과 대략 일치한다. Y 방향에 있어서의 슬릿(14s)의 폭은, 성막 시에 있어서의 기판(W)의 Y 방향의 폭(최대폭)보다 길다. 한편, X 방향에 있어서의 슬릿(14s)의 폭은, 성막 시에 있어서의 기판(W)의 X 방향의 폭(최대폭)보다 짧다.
홀더(16)는, 슬릿판(14)의 상방에 마련되어 있다. 홀더(16)는, 도전성 재료에 의해 형성되어 있다. 홀더(16)는, 절연성 부재(17)를 통해 덮개체(12b)에 부착되어 있다. 홀더(16)는, 제1 공간(S1) 내에 배치된 타겟(24)을 유지한다. 홀더(16)는, 예컨대 슬릿(14s)에 대하여 경사 상방에 타겟(24)이 위치하도록 타겟(24)을 유지한다. 단, 홀더(16)는, 슬릿(14s)의 바로 위에 타겟(24)이 위치하도록 타겟(24)을 유지하여도 좋다. 타겟(24)은, 예컨대 대략 직사각형의 평면 형상을 갖는다. 타겟(24)의 Y 방향에 있어서의 폭은, 예컨대 성막 시에 있어서의 기판(W)의 Y 방향의 폭(최대폭)보다 크다.
홀더(16)에는, 전원(26)이 접속되어 있다. 전원(26)은, 타겟(24)이 금속 재료인 경우, 직류 전원이어도 좋다. 전원(26)은, 타겟(24)이 유전체 또는 절연체인 경우, 고주파 전원이어도 좋고, 정합기를 통해 홀더(16)에 전기적으로 접속된다.
스테이지(18)는, 기판 배치대의 일례이며, 처리 용기(12) 내에 있어서 기판(W)을 지지한다. 스테이지(18)는, 처리 용기(12)의 바닥면에 대하여 수평 방향(도 1의 X 방향) 및 상하 방향(도 1의 Z 방향)으로 이동 가능하고, 또한 상하방향(도 1의 Z 방향)을 회전축으로 하여 수평 방향으로 회전 가능하다. 또한, 처리 용기(12)의 바닥면에 대하여 수평 방향이란, 처리 용기(12)의 바닥면에 대하여 수평의 방향, 회전축과 직각으로 교차하는 방향 및 이들 방향에 대하여 ±3°이내의 방향을 포함한다. 스테이지(18)는, 축부(18a), 베이스부(18b) 및 수평 이동 기구(18c)를 갖는다. 축부(18a)는, 본체(12a)의 바닥면의 중앙부에, 자성 유체 시일부(18d)를 통해 본체(12a)를 관통하여 마련되어 있다. 축부(18a)의 하부는, 승강 기구(19)의 아암(19a)에 회전 가능하게 지지되어 있다. 축부(18a)의 상단부에는 베이스부(18b)가 마련되어 있고, 베이스부(18b) 상에는 기판(W)을 지지하며, 또한 수평 방향(도 1의 X 방향)으로 이동시키는 수평 이동 기구(18c)가 마련되어 있다. 따라서, 승강 기구(19)를 승강시킴으로써, 축부(18a), 베이스부(18b) 및 수평 이동 기구(18c)가 일체로서 상하 이동(연직 방향으로 이동)하여, 축부(18a)를 회전시킴으로써, 베이스부(18b) 및 수평 이동 기구(18c)가 일체로서 회전한다. 예컨대, 기판(W)에 성막할 때, 승강 기구(19)에 의해 축부(18a), 베이스부(18b) 및 수평 이동 기구(18c)를 상승시켜 기판(W)의 상면을 슬릿판(14)에 근접시킨 후, 수평 이동 기구(18c)에 의해 기판(W)을 수평 방향(도 1의 X 방향)을 따라 이동시킨다.
제어 장치(20)는, 성막 장치(10)의 각 부, 예컨대 게이트 밸브(12g), 수평 이동 기구(18c), 승강 기구(19), 배기 장치(22) 및 전원(26)의 동작을 제어한다. 제어 장치(20)는, CPU(Central Processing Unit), ROM(Read Only Memory) 및 RAM(Random Access Memory)을 갖는다. CPU는, RAM 등의 기억 영역에 저장된 레시피에 따라, 원하는 처리를 실행한다. 레시피에는, 프로세스 조건에 대한 장치의 제어 정보가 설정되어 있다. 제어 정보는, 예컨대 가스 유량, 압력, 온도, 프로세스 시간이어도 좋다. 레시피 및 제어 장치(20)가 사용하는 프로그램은, 예컨대 하드 디스크, 반도체 메모리에 기억되어도 좋다. 레시피 등은, CD-ROM, DVD 등의 가반성의 컴퓨터에 의해 판독 가능한 기억 매체에 수용된 상태로 미리 정해진 위치에 셋트되어, 읽혀지게 하여도 좋다.
〔스테이지〕
(제1 실시형태)
제1 실시형태의 스테이지에 대해서 설명한다. 도 2는 제1 실시형태의 스테이지를 나타내는 개략 단면도이다.
도 2에 나타내는 바와 같이, 스테이지(100)는, 축부(110), 베이스부(120), 수평 이동 기구(130), 벨로우즈(140), 동력 전달 기구(150) 및 구동원(160)을 갖는다.
축부(110)는, 처리 용기(12)의 바닥면의 중앙부에, 자성 유체 시일부(18d)를 통해 처리 용기(12)를 관통하여 마련되어 있다. 축부(110)의 하부는, 승강 기구(19)의 아암(19a)에 회전 가능하게 지지되어 있다. 축부(110)는, 예컨대 원통 부재(111)와 원환 부재(112)의 접합 부재이며, 원환 부재(112)의 하단부가 승강 기구(19)의 아암(19a)에 지지되어 있다. 단, 축부(110)는, 예컨대 일체적으로 형성된 부재여도 좋다.
베이스부(120)는, 축부(110)의 상단부에 마련되어 있다. 베이스부(120)는, 동력 전달 기구(150) 및 구동원(160)을 수용하는 케이스로서 기능한다. 베이스부(120)는, 예컨대 바닥부(121), 우측부(122), 좌측부(123), 정면부(도시하지 않음), 배면부(도시하지 않음) 및 천장부(124)를 갖는다. 바닥부(121)는, 축부(110) 상에 고정되어 있다. 바닥부(121)는, 예컨대 길이 방향을 수평인 일방향(도 2의 X 방향)으로 하고, 폭 방향을 수평인 별도의 일방향(도 2의 Y 방향)으로 하는 직사각 형상을 갖는다. 우측부(122) 및 좌측부(123)는, 각각 바닥부(121)의 길이 방향의 일단부 및 타단부로부터 상방(도 2의 Z 방향)으로 연장되어 형성되어 있다. 정면부 및 배면부는, 각각 바닥부(121)의 폭 방향의 일단부 및 타단부로부터 상방으로 연장되어 형성되어 있다. 천장부(124)는, 우측부(122), 좌측부(123), 정면부 및 배면부에 접속되어, 바닥부(121), 우측부(122), 좌측부(123), 정면부 및 배면부 사이에 공간(S)을 형성한다.
수평 이동 기구(130)는, 베이스부(120)에 부착되어 있다. 수평 이동 기구(130)는, 기판(W)을 지지하며, 구동원(160)의 동력에 의해, 베이스부(120)의 길이 방향으로 이동시킨다. 수평 이동 기구(130)는, 가이드부(131), 이동부(132) 및 지지부(133)를 갖는다. 가이드부(131)는, 일단부가 베이스부(120)의 우측부(122)에 고정되고, 타단부가 베이스부(120)의 좌측부(123)에 고정되어 있다. 이동부(132)는, 가이드부(131)의 길이 방향을 따라 이동 가능하게 부착되어 있다. 지지부(133)는, 이동부(132)의 상단부에 접속되어 있으며, 이동부(132)와 일체로 이동한다. 지지부(133)의 상면에는, 기판(W)이 배치된다. 또한, 이동부(132) 및 지지부(133)는 일체로서 형성되어 있어도 좋다. 수평 이동 기구(130)는, 예컨대 리니어 가이드, 볼 스플라인, 볼 나사여도 좋다.
벨로우즈(140)는, 제1 벨로우즈(141) 및 제2 벨로우즈(142)를 포함한다. 제1 벨로우즈(141)는, 가이드부(131)를 덮도록 마련되며, 일단부가 베이스부(120)의 우측부(122)에 접속되고, 타단부가 이동부(132)에 접속되어 있다. 제2 벨로우즈(142)는, 가이드부(131)를 덮도록 마련되며, 일단부가 베이스부(120)의 좌측부(123)에 접속되고, 타단부가 이동부(132)에 접속되어 있다. 이에 의해, 가이드부(131)가 마련된 분위기를 처리 용기(12) 내의 분위기와 격리할 수 있다. 그 때문에, 예컨대 가이드부(131)가 마련된 분위기를 대기압으로 유지하여 이동부(132)를 가이드부(131)의 길이 방향을 따라 이동시키면서, 처리 용기(12) 내의 분위기를 진공으로 유지하여 기판(W)에 성막을 행할 수 있다.
동력 전달 기구(150)는, 구동원(160)의 동력을 수평 이동 기구(130)에 전달하는 기구이며, 베이스부(120)의 공간(S)에 마련되어 있다. 동력 전달 기구(150)는, 구동원(160)의 출력축에 연결된 감속기(151)와, 감속기(151)의 출력축에 접속되고, 수평 이동 기구(130)의 입력축에 접속된 복수의 기어(152)를 갖는다.
구동원(160)은, 처리 용기(12)의 내부에 마련되어 있다. 구동원(160)은, 예컨대 처리 용기(12)의 내부에 마련된 스테이지(100)에 있어서의 베이스부(120)의 공간(S)에 마련되어 있다. 구동원(160)은, 동력 전달 기구(150)를 통해 수평 이동 기구(130)의 이동부(132)를 이동시키기 위한 구동력을 발생한다. 구동원(160)은, 예컨대 모터이다. 구동원(160)을 동작시키기 위한 전력은, 예컨대 축부(110)의 내부 및 베이스부(120)의 공간(S)에 마련되는 케이블(170)에 의해 공급된다.
그런데, 처리 용기 내에서 기판을 수평 방향으로 이동시키는 방법으로서는, 예컨대 다관절 아암 등의 반송 아암을 이용하는 방법, 회전 기구를 갖는 배치대를 처리 용기 내에서 이동시키는 방법이 있다.
반송 아암을 이용하는 방법에서는, 반송 아암 상에 기판(W)이 외팔보 상태가 되기 때문에, 휘어짐이나 관성의 영향이 발생하는 경우가 있다. 또한, 기판(W)의 방향의 변경이나 미조정을 행하는 경우, 처리 용기와는 별도로 마련된 얼라이너(aligner)나 오리엔터(orienter)로 기판을 반송할 필요가 있기 때문에, 스루풋이 저하한다.
회전 기구를 갖는 배치대를 처리 용기 내에서 이동시키는 방법에서는, 배치대의 중량이 크기 때문에, 배치대를 이동시킬 때에 진동이나 관성의 영향이 발생하는 경우가 있다.
이에 대하여, 제1 실시형태의 스테이지(100)는, 처리 용기(12)의 바닥면에 대하여 회전 가능하게 배치된 축부(110)와, 축부(110) 상에 마련된 베이스부(120)와, 베이스부(120)에 부착되어, 기판(W)을 수평 방향으로 이동시키는 수평 이동 기구(130)를 갖는다. 이에 의해, 스테이지(100)의 내하중성이 향상하여, 휘어짐, 진동, 관성의 영향을 받는 일없이, 처리 용기(12) 내에서 기판(W)을 수평 방향으로 이동시킬 수 있다. 그 때문에, 기판(W)의 위치 정밀도를 높일 수 있다.
또한, 제1 실시형태의 스테이지(100)는, 처리 용기(12)의 바닥면에 대하여 회전 가능하게 배치된 축부(110)를 갖는다. 그 때문에, 스테이지(100)를 다원의 스퍼터 장치에 적용함으로써, 원하는 타겟에 대하여 기판(W)의 방향을 맞추어 성막을 행할 수 있다. 또한, 슬릿에 대한 기판(W)의 이동 방향을, 베이스부(120)를 회전시키는 것만으로 실현할 수 있기 때문에, 용이하게 기판(W)에 대한 스퍼터 입자의 입사각을 조정·미조정할 수 있어, 알맞은 조건으로 성막을 실시할 수 있다.
또한, 제1 실시형태의 스테이지(100)는, 축부(110), 베이스부(120) 및 수평 이동 기구(130)를 일체로 하여 상하 이동시키는 승강 기구를 갖는다. 그 때문에, 스테이지(100)를, 스퍼터 입자를 기판(W)에 경사 방향으로부터 입사되어 성막을 행하는 스퍼터 장치에 적용함으로써, 기판(W)에 대하여 원하는 각도로 성막을 행할 수 있다.
(제2 실시형태)
제2 실시형태의 스테이지에 대해서 설명한다. 제2 실시형태의 스테이지는, 수평 이동 기구를 동작시키는 구동원이 처리 용기의 외부에 마련되어 있다. 도 3은 제2 실시형태의 스테이지를 나타내는 개략 단면도이다.
도 3에 나타내는 바와 같이, 스테이지(200)는, 축부(210), 베이스부(220), 수평 이동 기구(230), 벨로우즈(240), 동력 전달 기구(250) 및 구동원(260)을 갖는다.
축부(210)는, 처리 용기(12)의 바닥면의 중앙부에, 자성 유체 시일부(18d)를 통해 처리 용기(12)를 관통하여 마련되어 있다. 축부(210)의 하부에는, 다이렉트 드라이브 모터 등의 구동원(28)이 마련되어 있고, 구동원(28)의 동력에 의해 축부(210)가 회전한다. 축부(210)는, 볼 스플라인, 볼 나사 등의 승강 기구(19)에 접속되어 있다. 축부(210)는, 서보 모터 등의 구동원(30)에 의해 승강 기구(19)가 상하 이동함으로써 처리 용기(12)의 바닥면에 대하여 승강한다. 자성 유체 시일부(18d)는, 벨로우즈(18e)에 의해 덮여 있다.
베이스부(220)는, 축부(210)의 상단부에 마련되어 있다. 베이스부(220)는, 동력 전달 기구(250)를 수용하는 케이스로서 기능한다. 베이스부(220)는, 예컨대 바닥부(221), 우측부(222), 좌측부(223), 정면부(도시하지 않음), 배면부(도시하지 않음) 및 천장부(224)를 갖는다. 바닥부(221)는, 축부(210) 상에 고정되어 있다. 바닥부(221)는, 예컨대 길이 방향을 수평인 일방향(도 3의 X 방향)으로 하고, 폭 방향을 수평인 별도의 일방향(도 3의 Y 방향)으로 하는 직사각 형상을 갖는다. 우측부(222) 및 좌측부(223)는, 각각 바닥부(221)의 길이 방향의 일단부 및 타단부로부터 상방(도 3의 Z 방향)으로 연장되어 형성되어 있다. 정면부 및 배면부는, 각각 바닥부(221)의 폭 방향의 일단부 및 타단부로부터 상방으로 연장되어 형성되어 있다. 천장부(224)는, 우측부(222), 좌측부(223), 정면부 및 배면부에 접속되어, 바닥부(221), 우측부(222), 좌측부(223), 정면부 및 배면부와의 사이에 공간(S)을 형성한다.
수평 이동 기구(230)는, 베이스부(220)에 부착되어 있다. 수평 이동 기구(230)는, 기판(W)을 지지하여, 구동원(260)의 동력에 의해, 베이스부(220)의 길이 방향으로 이동시킨다. 수평 이동 기구(230)는, 가이드부(231), 이동부(232) 및 지지부(233)를 갖는다. 가이드부(231)는, 일단부가 베이스부(220)의 우측부(222)에 고정되고, 타단부가 베이스부(220)의 좌측부(223)에 고정되어 있다. 이동부(232)는, 가이드부(231)의 길이 방향을 따라 이동 가능하게 부착되어 있다. 지지부(233)는, 이동부(232)의 상단부에 접속되어 있고, 이동부(232)와 일체로 이동한다. 지지부(233)의 상면에는, 기판(W)이 배치된다. 수평 이동 기구(230)는, 예컨대 리니어 가이드, 볼 스플라인, 볼 나사여도 좋다.
벨로우즈(240)는, 제1 벨로우즈(241) 및 제2 벨로우즈(242)를 포함한다. 제1 벨로우즈(241)는, 가이드부(231)를 덮도록 마련되며, 일단부가 베이스부(220)의 우측부(222)에 접속되고, 타단부가 이동부(232)에 접속되어 있다. 제2 벨로우즈(242)는, 가이드부(231)를 덮도록 마련되며, 일단부가 베이스부(220)의 좌측부(223)에 접속되고, 타단부가 이동부(232)에 접속되어 있다. 이에 의해, 가이드부(231)가 마련된 분위기를 처리 용기(12) 내의 분위기와 격리할 수 있다. 그 때문에, 예컨대 가이드부(231)가 마련된 분위기를 대기압으로 유지하여 이동부(232)를 가이드부(231)의 길이 방향을 따라 이동시키면서, 처리 용기(12) 내의 분위기를 진공으로 유지하여 기판(W)에 성막을 행할 수 있다.
동력 전달 기구(250)는, 구동원(260)의 동력을 수평 이동 기구(230)에 전달하는 기구이다. 동력 전달 기구(250)는, 예컨대 감속기(251), 회전축(252), 벨트(253) 및 복수의 기어(254)를 갖는다. 감속기(251)는, 구동원(260)의 출력축에 연결되어 있으며, 구동원(260)의 동력의 회전 속도를 줄여서 출력한다. 감속기(251)는, 예컨대 하모닉 드라이브(등록 상표)여도 좋다. 회전축(252)은, 축부(210)의 내부에 자성 유체 시일부(18d)를 통해 마련되어 있다. 회전축(252)은, 감속기(251)의 출력축에 연결되어 있으며, 감속기(251)의 출력에 따라 회전한다. 벨트(253)는, 회전축(252)의 상단부에 있어서 회전축(252)의 출력축에 연결되어 있으며, 회전축(252)의 회전에 따라 회전한다. 복수의 기어(254)는, 벨트(253)에 연결되고, 수평 이동 기구(230)의 입력축에 연결되어 있으며, 벨트(253)의 회전에 따른 회전력을 수평 이동 기구(230)에 전달한다.
구동원(260)은, 처리 용기(12)의 외부에 마련되어 있다. 구동원(260)은, 예컨대 처리 용기(12)의 하방에 마련되어 있다. 구동원(260)은, 동력 전달 기구(250)를 통해 수평 이동 기구(230)의 이동부(232)를 이동시키기 위한 구동력을 발생한다. 구동원(260)은, 예컨대 다이렉트 드라이브 모터이다.
스테이지(200)는, 냉매 유로(270) 및 전력 배선(280)을 가지고 있어도 좋다. 냉매 유로(270)는, 냉매 공급원으로부터 공급되는 냉매를, 로터리 조인트(271), 회전축(252) 및 로터리 조인트(272) 등을 통해 지지부(233)에 공급한다. 전력 배선(280)은, 전력 공급원에서 공급되는 전력을, 슬립 링(281), 회전축(252) 및 슬립 링(282) 등을 통해 지지부(233)에 매립된 발열체(도시하지 않음)에 공급한다. 냉매 유로(270)를 통해 지지부(233)에 공급되는 냉매의 유량을 제어하며, 전력 배선(280)을 통해 발열체에 공급되는 전력을 제어함으로써, 지지부(233)에 배치되는 기판(W)의 온도를 제어할 수 있다.
제2 실시형태의 스테이지(200)는, 처리 용기(12)의 바닥면에 대하여 회전 가능하게 배치된 축부(210)와, 축부(210) 상에 마련된 베이스부(220)와, 베이스부(220)에 부착되어, 기판(W)을 수평 방향으로 이동시키는 수평 이동 기구(230)를 갖는다. 이에 의해, 스테이지(200)의 내하중성이 향상하여, 휘어짐, 진동, 관성의 영향을 받는 일없이, 처리 용기(12) 내에서 기판(W)을 수평 방향으로 이동시킬 수 있다. 그 때문에, 기판(W)의 위치 정밀도를 높일 수 있다.
또한, 제2 실시형태의 스테이지(200)는, 처리 용기(12)의 바닥면에 대하여 회전 가능하게 배치된 축부(210)를 갖는다. 그 때문에, 스테이지(200)를 다원의 스퍼터 장치에 적용함으로써, 원하는 타겟에 대하여 기판(W)의 방향을 맞추어 성막을 행할 수 있다. 또한, 슬릿에 대한 기판(W)의 이동 방향을, 베이스부(220)를 회전시키는 것만으로 실현할 수 있기 때문에, 용이하게 기판(W)에 대한 스퍼터 입자의 입사각을 조정·미조정할 수 있어, 알맞은 조건으로 성막을 실시할 수 있다.
또한, 제2 실시형태의 스테이지(200)는, 축부(210), 베이스부(220) 및 수평 이동 기구(230)가 일체로서 상하 이동시키는 승강 기구를 갖는다. 그 때문에, 스테이지(200)를, 스퍼터 입자를 기판(W)에 경사 방향으로부터 입사하여 성막을 행하는 스퍼터 장치에 적용함으로써, 기판(W)에 대하여 원하는 각도로 성막을 행할 수 있다.
또한, 제2 실시형태의 스테이지(200)는, 구동원(260)이 처리 용기(12)의 외부에 마련되어 있다. 이에 의해, 기판(W)을 고온으로 가열하여 성막을 행하는 경우라도, 구동원(260)이 고온이 되는 것을 억제할 수 있기 때문에, 구동원(260)이 열에 의해 파손되는 것을 방지할 수 있다.
이번에 개시된 실시형태는 모든 점에서 예시로서 제한적인 것이 아니라고 생각되어야 한다. 상기 실시형태는, 첨부된 청구범위 및 그 취지를 일탈하는 일없이, 여러 가지 형태로 생략, 치환, 변경되어도 좋다.
상기 실시형태에서는, 스테이지(18)를 성막 장치(10)의 일례인 스퍼터 장치에 적용하는 경우를 설명하였지만, 이에 한정되지 않고, 예컨대 화학 기상 퇴적(CVD: Chemical Vapor Deposition) 장치에 적용할 수도 있다.

Claims (8)

  1. 처리 용기의 바닥면에 대하여 회전 가능하게 배치된 축부와,
    상기 축부 상에 마련된 베이스부와,
    상기 베이스부에 부착되어, 상기 처리 용기 내에서 기판을 상기 바닥면에 대하여 수평 방향으로 이동시키는 수평 이동 기구
    를 포함하고,
    상기 베이스부는,
    상기 축부의 상단에 결합되는 바닥부와,
    상기 바닥부의 길이방향의 일단부 및 타단부로부터 상방으로 각각 연장되는 좌측부 및 우측부를 포함하고,
    상기 수평 이동 기구는,
    양단부가 상기 베이스부의 좌측부 및 우측부에 고정된 가이드부와,
    상기 가이드부에 대하여 상기 가이드부의 길이 방향으로 이동 가능한 이동부를 포함하는 것인, 기판 배치대.
  2. 삭제
  3. 제1항에 있어서,
    일단부가 상기 베이스부에 접속되고, 타단부가 상기 이동부에 접속되어, 상기 가이드부를 덮는 벨로우즈를 포함하는, 기판 배치대.
  4. 제1항 또는 제3항에 있어서,
    상기 처리 용기의 내부에 마련되어, 상기 수평 이동 기구를 동작시키는 구동원을 포함하는, 기판 배치대.
  5. 제1항 또는 제3항에 있어서,
    상기 처리 용기의 외부에 마련되어, 상기 수평 이동 기구를 동작시키는 구동원을 포함하는, 기판 배치대.
  6. 제1항 또는 제3항에 있어서,
    상기 수평 이동 기구를 연직 방향으로 이동시키는 승강 기구를 포함하는, 기판 배치대.
  7. 처리 용기와,
    상기 처리 용기 내에 마련된 기판 배치대
    를 포함하고,
    상기 기판 배치대는,
    상기 처리 용기의 바닥면에 대하여 회전 가능하게 배치된 축부와,
    상기 축부 상에 마련된 베이스부와,
    상기 베이스부에 부착되어, 상기 처리 용기 내에서 기판을 상기 바닥면에 대하여 수평 방향으로 이동시키는 수평 이동 기구
    를 포함하고,
    상기 베이스부는,
    상기 축부의 상단에 결합되는 바닥부와,
    상기 바닥부의 길이방향의 일단부 및 타단부로부터 상방으로 각각 연장되는 좌측부 및 우측부를 포함하고,
    상기 수평 이동 기구는,
    양단부가 상기 베이스부의 좌측부 및 우측부에 고정된 가이드부와,
    상기 가이드부에 대하여 상기 가이드부의 길이 방향으로 이동 가능한 이동부를 포함하는 것인, 성막 장치.
  8. 제7항에 있어서,
    상기 기판 배치대의 상방에 배치된 슬릿판과,
    상기 슬릿판의 상방에 배치된 타겟
    을 포함하는, 성막 장치.
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20210154708A (ko) 2019-04-15 2021-12-21 조인트 스탁 컴퍼니 “로제네르고아톰” 가압수형 원자로(vver) 내부 구조물의 배플용 내방사선성 오스테나이트 스틸

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11289311B2 (en) * 2018-10-23 2022-03-29 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Method and apparatus for reducing vacuum loss in an ion implantation system
US20200135464A1 (en) * 2018-10-30 2020-04-30 Applied Materials, Inc. Methods and apparatus for patterning substrates using asymmetric physical vapor deposition
US11535917B2 (en) 2019-12-03 2022-12-27 Daido Steel Co., Ltd. Steel for mold, and mold

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2010539674A (ja) * 2007-09-18 2010-12-16 ビーコ・インスツルメンツ・インコーポレーテッド エネルギー粒子ビームを使用した基板の表面処理方法及び装置
JP2019507897A (ja) * 2016-02-24 2019-03-22 エーエスエムエル ネザーランズ ビー．ブイ． 基板ハンドリングシステムおよびリソグラフィ装置

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH023465U (ko) * 1988-06-18 1990-01-10
JP2003017543A (ja) * 2001-06-28 2003-01-17 Hitachi Kokusai Electric Inc 基板処理装置、基板処理方法、半導体装置の製造方法および搬送装置
JP4061044B2 (ja) * 2001-10-05 2008-03-12 住友重機械工業株式会社 基板移動装置
KR100453657B1 (ko) * 2002-01-23 2004-10-20 에이엔지 주식회사 진공내부의 직선이동장치
JP5882934B2 (ja) * 2012-05-09 2016-03-09 シーゲイト テクノロジー エルエルシー スパッタリング装置
JP2015067856A (ja) 2013-09-27 2015-04-13 シーゲイト テクノロジー エルエルシー マグネトロンスパッタ装置

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2010539674A (ja) * 2007-09-18 2010-12-16 ビーコ・インスツルメンツ・インコーポレーテッド エネルギー粒子ビームを使用した基板の表面処理方法及び装置
JP2019507897A (ja) * 2016-02-24 2019-03-22 エーエスエムエル ネザーランズ ビー．ブイ． 基板ハンドリングシステムおよびリソグラフィ装置

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20210154708A (ko) 2019-04-15 2021-12-21 조인트 스탁 컴퍼니 “로제네르고아톰” 가압수형 원자로(vver) 내부 구조물의 배플용 내방사선성 오스테나이트 스틸

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