KR102293671B1 - 반도체 장치 테스트 장비 및 반도체 장치 테스트 방법 - Google Patents

반도체 장치 테스트 장비 및 반도체 장치 테스트 방법 Download PDF

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Abstract

반도체 장치 테스트 장비 및 반도체 장치 테스트 방법이 제공된다. 반도체 장치 테스트 장비는, 출력 단자에 연결된 부하에 대하여 출력 전압을 제공하는 피측정 소자(DUT), 상기 피측정 소자로 전원을 공급하고, 상기 피측정 소자의 출력 전압을 측정하는 자동 테스트 장비(ATE), 및 상기 자동 테스트 장비와 상기 피측정 소자 사이에 연결되는 전류 미러를 포함하되, 상기 자동 테스트 장비는 상기 전류 미러로 기준 전류를 출력하고, 상기 피측정 소자는 상기 전류 미러로 상기 기준 전류가 미러링된 출력 전류를 제공한다.

Description

반도체 장치 테스트 장비 및 반도체 장치 테스트 방법{APPARATUS FOR TESTING SEMICONDUCTOR DEVICE METHOD TOF TESTING SEMICONDUCTOR DEVICE}
본 발명은 반도체 장치 테스트 장비 및 반도체 장치 테스트 방법에 관한 것이다.
제조 공정을 통해 제조된 반도체 장치는 정상 동작 여부를 판단하기 위해 테스트 공정을 거친다. 이러한 테스트 공정은 자동 테스트 장비(Automatic Test Equipment; ATE)에 의하여 자동적으로 수행된다. 자동 테스트 장비는 테스트 대상인 피측정 소자(Device Under Test; DUT)에 대하여 전원 및 제어 신호를 인가하고, 피측정 소자가 출력하는 전압 또는 전류 등을 측정하여 피측정 장비의 테스트 합격 및 불합격 여부를 판단할 수 있다.
본 발명이 해결하고자 하는 기술적 과제는 피측정 소자가 전류를 출력하는 환경을 제공할 수 있는 반도체 장치 테스트 장비를 제공하는 것이다.
본 발명이 해결하고자 하는 또 다른 기술적 과제는 피측정 소자가 전류를 출력하는 환경을 제공할 수 있는 반도체 장치 테스트 방법을 제공하는 것이다.
본 발명의 기술적 과제들은 이상에서 언급한 기술적 과제로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 기술적 과제들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
상기 기술적 과제를 달성하기 위한 본 발명의 몇몇 실시예에 따른 반도체 장치 테스트 장비는, 출력 단자에 연결된 부하에 대하여 출력 전압을 제공하는 피측정 소자(DUT), 상기 피측정 소자로 전원을 공급하고, 상기 피측정 소자의 출력 전압을 측정하는 자동 테스트 장비(ATE), 및 상기 자동 테스트 장비와 상기 피측정 소자 사이에 연결되는 전류 미러를 포함하되, 상기 자동 테스트 장비는 상기 전류 미러로 기준 전류를 출력하고, 상기 피측정 소자는 상기 전류 미러로 상기 기준 전류가 미러링된 출력 전류를 제공한다.
상기 기술적 과제를 달성하기 위한 본 발명의 몇몇 실시예에 따른 반도체 장치 테스트 장비는, 기판, 상기 기판 상에 실장되어 자동 테스트 장비(ATE)와 전기적으로 연결되고, 상기 자동 테스트 장비로부터 기준 전류를 제공받는 전류 미러, 및 상기 기판 상에 실장되어 상기 전류 미러와 전기적으로 연결되고, 상기 전류 미러로 상기 기준 전류가 미러링된 출력 전류를 제공하는 피측정 소자를 포함한다.
상기 기술적 과제를 달성하기 위한 본 발명의 몇몇 실시예에 따른 반도체 장치 테스트 장비는, 입력 단자와 출력 단자를 포함하는 전류 미러, 및 상기 전류 미러로 기준 전류를 제공하고, 상기 전류 미러에 의해 미러링된 전류를 출력하는 피측정 소자의 출력 전압을 측정하는 자동 테스트 장비를 포함한다.
상기 기술적 과제를 달성하기 위한 본 발명의 몇몇 실시예에 따른 반도체 장치 테스트 방법은, 자동 테스트 장비(ATE)와 연결된 전류 미러와 피측정 소자를 전기적으로 연결하고, 상기 피측정 소자에 전원 전압을 제공하고, 상기 자동 테스트 장비로부터 상기 전류 미러로 기준 전류를 제공하고, 상기 전류 미러에 의해 미러링되어 상기 피측정 소자의 출력 단자로부터 상기 전류 미러로 출력 전류를 제공하고, 상기 자동 테스트 장비에 의해 상기 피측정 소자의 출력 단자의 출력 전압을 측정하는 것을 포함한다.
상기 기술적 과제를 달성하기 위한 본 발명의 몇몇 실시예에 따른 반도체 장치 제조 방법은, 피측정 소자를 테스트 보드에 실장하여 자동 테스트 장비와 연결된 전류 미러에 상기 피측정 소자를 연결하고, 자동 테스트 장비(ATE)와 연결된 전류 미러와 피측정 소자를 전기적으로 연결하고, 상기 피측정 소자에 전원 전압을 제공하고, 상기 자동 테스트 장비로부터 상기 전류 미러로 기준 전류를 제공하고, 상기 전류 미러에 의해 미러링되어 상기 피측정 소자의 출력 단자로부터 상기 전류 미러로 출력 전류를 제공하고, 상기 자동 테스트 장비에 의해 상기 피측정 소자의 출력 단자의 출력 전압을 측정하고, 상기 피측정 소자의 출력 전압 테스트의 패스(pass) 여부를 판단하는 것을 포함한다.
기타 실시예들의 구체적인 사항들은 상세한 설명 및 도면들에 포함되어 있다.
도 1은 본 발명의 몇몇 실시예에 따른 반도체 장치 테스트 시스템을 도시한 블록도이다.
도 2는 도 1의 자동 테스트 장비를 설명하기 위한 블록도이다.
도 3a 내지 도 3c는 도 1의 전류 미러를 설명하기 위한 회로도이다.
도 4는 본 발명의 몇몇 실시예에 따른 반도체 장치 테스트 방법을 설명하기 위한 순서도이다.
도 5는 본 발명의 몇몇 실시예에 따른 반도체 장치 테스트 시스템의 동작을 설명하기 위한 회로도이다.
도 6은 본 발명의 몇몇 실시예에 따른 반도체 장치 테스트 시스템의 동작을 설명하기 위한 회로도이다.
도 7은 발명의 몇몇 실시예에 따른 반도체 장치 테스트 시스템의 동작을 설명하기 위한 회로도이다.
도 8은 본 발명의 몇몇 실시예에 따른 반도체 장치 테스트 방법을 설명하기 위한 순서도이다.
도 9는 본 발명의 몇몇 실시예에 따른 반도체 장치 테스트 시스템의 동작을 설명하기 위한 회로도이다.
도 10은 본 발명의 몇몇 실시예에 따른 반도체 장치 테스트 시스템의 동작을 설명하기 위한 회로도이다.
도 11은 본 발명의 몇몇 실시예에 따른 반도체 장치 테스트 시스템을 설명하기 위한 회로도이다.
도 12는 본 발명의 몇몇 실시예에 따른 반도체 장치 테스트 시스템에 포함되는 테스트 보드의 구성을 설명하기 위한 블록도이다.
도 13은 본 발명의 몇몇 실시예에 따른 반도체 장치 테스트 시스템에 포함되는 테스트 보드의 구성을 설명하기 위한 블록도이다.
도 14는 본 발명의 몇몇 실시예에 따른 반도체 장치 테스트 시스템에 포함되는 테스트 보드의 구성을 설명하기 위한 블록도이다.
도 15는 본 발명의 몇몇 실시예에 따른 반도체 장치 테스트 시스템을 이용하여 수행되는 반도체 장치 제조 방법을 설명하기 위한 순서도이다.
도 1은 본 발명의 몇몇 실시예에 따른 반도체 장치 테스트 시스템을 도시한 블록도이다.
도 1을 참조하면, 본 발명의 몇몇 실시예에 따른 반도체 장치 테스트 시스템은 자동 테스트 장비(ATE, 100), 피측정 소자(DUT, 200) 및 전류 미러(300)를 포함할 수 있다.
자동 테스트 장비(100)는 피측정 소자(200)를 자동으로 테스트할 수 있다. 자동 테스트 장비(100)는 예를 들어 마이크로 프로세서 기반의 시스템으로 구성될 수 있다.
자동 테스트 장비(100)는 피측정 소자(200) 및 전류 미러(300)와 전기적으로 연결될 수 있다. 자동 테스트 장비(100)는 피측정 소자(200)에 테스트 패턴을 입력하고, 피측정 소자(200)의 출력을 통해 피측정 소자(200)에 오류가 존재하는지 여부를 판단할 수 있다.
자동 테스트 장비(100)는 입출력 단자들(110, 120, 130, 140)을 포함할 수 있다. 전원 출력 단자(110)는 피측정 소자(200)의 전원 입력 단자(210)와 전기적으로 연결될 수 있고, 자동 테스트 장비(100)는 전원 출력 단자(110)를 통해 피측정 소자(200)의 전원 입력 단자(210)에 전원 전압(VDD)을 공급할 수 있다.
자동 테스트 장비(100)는 데이터 입출력 단자(120)를 포함할 수 있다. 데이터 입출력 단자(120)는 피측정 소자(200)의 데이터 입출력 단자(220)와 전기적으로 연결될 수 있다. 자동 테스트 장비(100)는 데이터 입출력 단자(220)를 통해 피측정 소자(200)의 데이터 입출력 단자(220)에 제어 신호를 제공할 수 있다. 자동 테스트 장비(100)가 제공하는 제어 신호는 예를 들어, 인에이블(enable) 신호, 클럭 신호, 테스트 신호 등을 포함할 수 있으나 이에 제한되는 것은 아니다. 상기 제어 신호는 디지털 신호로 구성될 수 있다.
자동 테스트 장비(100)는 전압 측정 단자(130)를 포함할 수 있다. 전압 측정 단자(130)는 피측정 소자(200)의 출력 단자(230)와 전기적으로 연결될 수 있다. 자동 테스트 장비(100)는 전압 측정 단자(130)를 통해 피측정 소자(200)의 출력 단자(230)로부터 출력되는 출력 전압을 측정할 수 있다. 뒤에서 설명하는 것과 같이, 자동 테스트 장비(100)는 피측정 소자(200)가 출력 전류(IOUT)를 출력 단자(230)를 통해 출력하는 동안 피측정 소자(200)의 출력 전압을 측정함으로써 피측정 소자(200)의 정상 동작 여부를 판단할 수 있다.
자동 테스트 장비(100)는 기준 전류 출력 단자(140)를 포함할 수 있다. 기준 전류 출력 단자(140)는 전류 미러(300)와 전기적으로 연결될 수 있다. 자동 테스트 장비(100)는 기준 전류 출력 단자(140)를 통해 기준 전류를 전류 미러에 제공할 수 있다.
도 2를 참조하면, 자동 테스트 장비(100)는 전원 공급 모듈(105)과 전압 측정 모듈(155)을 포함할 수 있다.
전원 공급 모듈(105)은 자동 테스트 장비(100)의 외부로 전원을 공급할 수 있다. 구체적으로, 전원 공급 모듈(105)은 자동 테스트 장비(100)의 전원 출력 단자(110)와 연결되어 피측정 소자(200)에 전원을 공급할 수 있다. 전원 공급 모듈(105)은 제1 내지 제3 패드(115, 125, 145)를 포함하고, 제1 내지 제3 패드들(115, 125, 145)는 각각 전원 출력 단자(110), 데이터 입출력 단자(120) 및 기준 전류 출력 단자(140)와 전기적으로 연결될 수 있다.
전압 측정 모듈(155)은 피측정 소자(200)의 출력 전압을 측정할 수 있다. 전압 측정 모듈(155)은 제4 패드(135)를 통해 전압 측정 단자(130)와 전기적으로 연결될 수 있다. 전압 측정 모듈(155)은 제4 패드(135)로 전달된 피측정 소자(200)의 출력 단자(230)의 출력 전압을 측정할 수 있다.
본 명세서에서 구체적으로 설명하지는 않지만 자동 테스트 장비(100)는 피측정 소자(200)와 피측정 소자(200)의 출력 전압의 DC 파라미터들이 회로의 디지털 동작에 적합한지 여부를 테스트하는 DC 테스트와, 출력 단자(230)로 출력되는 신호의 전달 지연 시간, 셋업(set up) 시간과 홀드(hold) 시간 등과 관련된 AC 마진 테스트를 수행할 수도 있다.
또한, 구체적으로 도시하지는 않았지만 자동 테스트 장비(100)는 피측정 소자(200)와 다른 단자를 통해 전기적으로 연결될 수 있음은 물론이다.
본 발명의 실시예에 따른 반도체 장치 테스트 장비에서, 자동 테스트 장비(100)는 피측정 소자(200)로부터 전류를 직접 제공받는 단자를 포함하지 않을 수 있다. 따라서 자동 테스트 장비(100)는 피측정 소자(200)로부터 출력 전류를 직접 제공받지 않는다. 후술하는 것과 같이, 자동 테스트 장비(100)는 전류 미러(300)로 기준 전류를 제공하고, 피측정 소자(200)는 전류 미러(300)는 자동 테스트 장비(100)가 아닌 전류 미러(300)에 의해 미러링된 출력 전류에 의하여 부하를 제공받을 수 있다.
피측정 소자(200)는 자동 테스트 장비(100)에 의하여 동작 특성의 검사가 이루어지는 대상이다. 본 발명의 몇몇 실시예에서 피측정 소자(200)는 PMIC(Power Management Integrated Circuit)일 수 있으나 이에 제한되는 것은 아니다.
본 발명의 다른 몇몇 실시예에서, 피측정 소자(200)는 SRAM(Static Read Access Memory), DRAM(Dynamic Static Read Access Memory), SDRAM(Synchronous Static Read Access Momory) 등과 같은 휘발성 메모리 소자 또는 ROM(Read Only Memory, PROM(Programmable Read Only Memory), EPROM(Erasable PROM), EEPROM(Electrically Erasable PROM), 플래시 메모리, PRAM(Phase-change RAM), MRAM(Magnetoresistive RAM), RRAM(Resistive Random-Access Memory), FRAM(Ferroelectric RAM) 등과 같은 불휘발성 메모리 소자 및 이들을 포함하는 메모리 컴포넌트일 수 있다.
또는 피측정 소자(200)는 메모리 소자 또는 메모리 패키지에 한정되지 않으며, CPU(Central Processing Unit), GPU(Graphic Processing Unit), AP(Application Processor), FPGA(Field Programmable Gate Array) 등의 비메모리 소자일 수도 있다.
본 명세서에서, 피측정 소자(200)는 상술한 PMIC인 것으로 가정하여 설명한다.
피측정 소자(20)는 자동 테스트 장비(100)로부터 전원을 입력받고, 전류 미러(300)로 출력 전류를 제공할 수 있다.
피측정 소자(200)는 자동 테스트 장비(100)의 전원 출력 단자(110)와 연결되어 전원 전압(VDD)을 제공받는 전원 입력 단자(210)를 포함할 수 있다.
피측정 소자(200)는 자동 테스트 장비(100)의 데이터 입출력 단자(120)로부터 제어 신호를 제공받는 데이터 입출력 단자(220)를 포함할 수 있다. 피측정 소자(200)는 데이터 입출력 단자(220)를 통해 자동 테스트 장비(100)의 데이터 입출력 단자(120)로 상기 제어 신호에 대한 응답 신호를 제공할 수 있다. 상기 응답 신호는 예를 들어, 피측정 소자(200)의 동작 상태를 나타내는 상태 신호일 수 있다.
피측정 소자(200)는 출력 단자(230)를 포함할 수 있다. 피측정 소자(200)는 출력 단자(230)를 통해 전류 미러(300)로 출력 전류를 제공할 수 있다. 피측정 소자(200)는 출력하는 출력 전류는, 자동 테스트 장비(100)가 전류 미러로 제공한 기준 전류의 미러링된 전류이다. 따라서 피측정 소자(200)의 출력 전류의 크기는 자동 테스트 장비(100)가 제공하는 기준 전류의 크기에 따라 달라질 수 있다.
전류 미러(300)는 자동 테스트 장비(100)와 피측정 소자(200)와 모두 연결될 수 있다. 전류 미러(300)는 자동 테스트 장비(100)가 제공한 기준 전류를 미러링한 전류를 피측정 소자(200)의 출력 전류의 형태로 제공받을 수 있다. 전류 미러(300)의 예시적인 구성과 관련하여, 도 3a 내지 도 3b를 참조하여 설명한다.
도 3a 내지 도 3c는 도 1의 전류 미러의 예시적인 구성을 설명하기 위한 회로도이다.
먼저 도 3a를 참조하면, 전류 미러(300)는 제1 트랜지스터(Q1), 제2 트랜지스터(Q2), 제1 저항(R1) 및 제2 저항(R2)을 포함할 수 있다.
제1 트랜지스터(Q1)와 제2 트랜지스터(Q2)는 BJT(Bipolar Junction Transistor)로 구성될 수 있다. 또한, 도 3a에 도시된 것과 같이 제1 트랜지스터(Q1)와 제2 트랜지스터(Q2)는 NPN형 트랜지스터일 수 있으나 이에 제한되는 것은 아니며, PNP형 트랜지스터일 수도 있다.
제1 트랜지스터(Q1)의 베이스 단자는, 제1 트랜지스터(Q1)의 컬렉터 단자 및 제2 트랜지스터(Q2)의 베이스 단자와 연결될 수 있다. 제1 트랜지스터(Q1)의 컬렉터 단자는 제1 저항(R1)과도 연결될 수 있다. 즉, 제1 트랜지스터(Q1)의 컬렉터 단자와 자동 테스트 장비(100)의 기준 전류 출력 단자(140) 사이에 제1 저항(R1)이 연결될 수 있다.
제1 트랜지스터(Q1)의 에미터 단자는 접지 전압과 연결될 수 있다. 자동 테스트 장비(100)가 제공하는 기준 전류는 제1 트랜지스터(Q1)의 컬렉터 단자로 유입되어 제1 트랜지스터(Q1)의 에미터 단자로 흘러나갈 수 있다.
제2 트랜지스터(Q2)의 컬렉터 단자는 제2 저항(R2)과 연결될 수 있다. 즉, 제1 트랜지스터(Q1)의 컬렉터 단자와 피측정 소자(200)의 출력 단자(230) 사이에 제2 저항(R1)이 연결될 수 있다. 피측정 소자(200)의 출력 전류는 제2 트랜지스터(Q2)의 컬렉터 단자로 유입되어 제2 트랜지스터(Q2)의 에미터 단자로 흘러나갈 수 있다.
도 3b를 참조하면, 전류 미러(301)는 앞서 설명한 실시예와는 다른 구성을 포함할 수 있다. 구체적으로, 전류 미러(301)는 제1 트랜지스터(M1)와 제2 트랜지스터(M2)를 포함하되, 제1 트랜지스터(M1)와 제2 트랜지스터(M2)는 MOSFET(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor)일 수 있다.
제1 트랜지스터(M1)와 제2 트랜지스터(M2)가 MOSFET인 것을 제외하면, 전류 미러(301)는 도 3a를 이용하여 설명한 전류 미러(300)와 유사할 수 있다. 제1 트랜지스터(M1)의 게이트 단자는 제2 트랜지스터(M2)의 게이트 단자 및 제1 트랜지스터(M1)의 드레인 단자와 전기적으로 연결될 수 있다. 제 트랜지스터(M1)의 드레인 단자는 제1 저항(R1)을 사이에 두고 자동 테스트 장비(100)의 기준 전류 출력 단자(140)와 전기적으로 연결될 수 있다.
제2 트랜지스터(M2)의 드레인 단자는 제2 저항(R2)을 사이에 두고 피측정 소자(200)의 출력 단자(230)와 전기적으로 연결될 수 있다.
제1 트랜지스터(M1)의 소스 단자는 접지 전압과 연결될 수 있다. 제1 트랜지스터(M1)의 드레인 단자로 유입된 기준 전류는 제1 트랜지스터(M1)의 소스 단자를 통해 흘러 나갈 수 있다.
제2 트랜지스터(M2)의 소스 단자는 접지 전압과 연결되고, 제2 트랜지스터(M2)의 드레인 단자로 유입된 피측정 소자(200)의 출력 전류는 제2 트랜지스터(M2)의 소스 단자로 흘러나갈 수 있다.
도 3c를 참조하면, 전류 미러(302)는 앞서 설명한 실시예와는 다른 구성을 포함할 수 있다. 구체적으로, 전류 미러(302)는 제1 트랜지스터(M1) 내지 제4 트랜지스터(304)가 캐스코드(cascode current mirror)로 구성된 것을 포함할 수 있다.
구체적으로, 전류 미러(302)는 도 3b에서 도시된 전류 미러(301)의 제1 트랜지스터(M1)와 제2 트랜지스터(M2)에 더하여, 제3 트랜지스터(M3)와 제4 트랜지스터(M4)를 더 포함할 수 있다.
도 3c에 도시된 것과는 달리, 전류 미러(302)는 더 많은 트랜지스터들을 포함할 수 있다. 즉, 전류 미러(302)는 더 많은 트랜지스터들이 캐스코드된 구성을 포함할 수도 있다.
또한, 전류 미러(302)는 도 3a에서 도시한 BJT들이 캐스코드된 구성을 포함할 수도 있다.
도 4는 본 발명의 몇몇 실시예에 따른 반도체 장치 테스트 방법을 설명하기 위한 순서도이다.
도 4를 참조하면, 본 발명의 몇몇 실시예에 따른 반도체 장치 테스트 방법은, 피측정 소자(200)를 제공하고(S100), 자동 테스트 장비(100)로부터 피측정 소자(200)에 전원 및 제어 신호를 제공하고(S110), 자동 테스트 장비(100)로부터 전류 미러(300)에 기준 전류를 제공하고(S120), 피측정 소자(200)로부터 전류 미러(300)에 출력 전류를 제공하고(S130), 피측정 소자(200)의 출력 단자의 출력 전압을 측정하는 것(S140)을 포함할 수 있다.
상술한 본 발명의 몇몇 실시예에 따른 반도체 장치 테스트 방법과 관련하여, 도 5 내지 도 7을 이용하여 설명한다.
도 5는 본 발명의 몇몇 실시예에 따른 반도체 장치 테스트 시스템의 동작을 설명하기 위한 회로도이다.
피측정 소자(200)가 제공되어(S100) 자동 테스트 장비(100)와 전류 미러(300)와 각각 연결된다.
피측정 소자(200)는 예를 들어, 본 발명의 몇몇 실시예에 따른 반도체 장치 테스트 시스템의 일부인 테스트 보드에 실장될 수 있다. 피측정 소자(200)는 예를 들어 반도체 장치 제조 공정을 통해 회로 소자가 형성되고 패키징(packaging) 공정이 완료된 반도체 장치일 수 있으나 이에 제한되는 것은 아니다. 또는 피측정 소자(200)는 패키징 공정이 완료되기 이전에 다이싱 공정을 통해 웨이퍼에서 분할된 반도체 다이일 수도 있다.
피측정 소자(200)를 상술한 테스트 보드에 실장함으로서 테스트 보드에 형성된 복수의 핀들과 피측정 소자(200)의 단자들(210, 220, 230)이 전기적으로 연결될 수 있다. 피측정 소자(200)의 형태에 따라 단자들(210, 220, 230)은 볼 형태, 패드 형태, 리드 형태 또는 핀 형태 등의 다양한 형태를 가질 수 있다.
이어서, 자동 테스트 장비(100)로부터 피측정 소자(200)에 전원 및 제어 신호가 인가된다(S110).
자동 테스트 장비(100)는 피측정 소자(200)의 전원 입력 단자(210)로 전원을 입력할 수 있다. 구체적으로, 자동 테스트 장비(100)의 전원 공급 모듈(105)이 피측정 소자(200)로 전원 전압(VDD)을 인가할 수 있다.
또한, 전원 공급 모듈(105)은 피측정 소자(200)의 데이터 입출력 단자(220)로 제어 신호를 인가할 수 있다. 상기 제어 신호는 예를 들어, 인에이블 신호, 클럭 신호 및 테스트 신호 등의 디지털 신호일 수 있다.
상기 제어 신호를 제공받은 피측정 소자(200)는 자동 테스트 장비(100)로 상기 제어 신호에 대응하는 응답 신호를 제공할 수 있다. 이러한 응답 신호는 예를 들어 피측정 소자(200)의 상태를 나타내는 상태 신호일 수 있다. 자동 테스트 장비(100)는 피측정 소자(200)로부터 응답 신호의 제공 여부를 확인한 이후 기준 전류를 제공할 수 있다.
도 6은 본 발명의 몇몇 실시예에 따른 반도체 장치 테스트 시스템의 동작을 설명하기 위한 회로도이다.
도 6을 참조하면, 자동 테스트 장비(100)는 전류 미러(300)로 기준 전류(IREF)로 제공할 수 있다(S120). 전원 공급 모듈(105)은 자동 테스트 장비(100)의 기준 전류 출력 단자(140)로 기준 전류(IREF)를 출력한다. 출력된 기준 전류(IREF)는 제1 저항(R1)을 거쳐 제1 트랜지스터(Q1)의 컬렉터 단자로 제공될 수 있다.
기준 전류(IREF)는 예를 들어, 그 크기가 일정한 정전류일 수 있으나 이에 제한되는 것은 아니다.
전류 미러(300)는 기준 전류(IREF)를 미러링할 수 있다(S130). 미러링된 기준 전류(IREF)는 출력 전류(IOUT)의 형태로 피측정 소자(200)에서 출력되어 전류 미러(300)의 제2 트랜지스터(Q2)의 컬렉터 단자로 제공될 수 있다.
즉, 본 발명의 몇몇 실시예에 따른 반도체 장치 테스트 장비에서, 자동 테스트 장비(100)와 피측정 소자(200)는 각각 서로를 향하여 전류를 인가하지 않는다. 자동 테스트 장비(100)와 피측정 소자(200)는 전류 미러(300)로 각각의 전류를 출력한다.
본 발명의 몇몇 실시예에서, 기준 전류(IREF)와 출력 전류(IOUT)의 크기는 서로 같을 수 있으나 이에 제한되는 것은 아니다.
또한, 기준 전류(IREF)가 정전류인 경우, 출력 전류(IOUT)는 그 크기가 일정한 정전류일 수 있다.
도 7은 본 발명의 몇몇 실시예에 따른 반도체 장치 테스트 시스템의 동작을 설명하기 위한 회로도이다.
도 7을 참조하면, 자동 테스트 장비(100)는 피측정 소자(200)의 출력 단자(230)로 출력되는 출력 전압을 측정한다(S140). 자동 테스트 장비(100)는 피측정 소자(200)에 부하가 인가되었을 때 출력 단자(230)로 출력되는 출력 전압을 측정할 수 있다.
자동 테스트 장비(100)는 예를 들어, 피측정 소자(200)의 출력 전압의 크기, 변화 여부 및 지속 시간 등을 측정할 수 있다. 피측정 소자(200)의 출력 전압을 측정하는 것은 자동 테스트 장비(100)의 전압 측정 모듈(155)에 의한 것일 수 있다.
본 발명의 몇몇 실시예서, 자동 테스트 장비(100)의 전압 측정 단자(130)로는 피측정 소자(200)가 출력하는 출력 전류가 유입되지 않을 수 있다. 따라서 피측정 소자(200)가 출력하는 출력 전류의 대부분은 전류 미러(300)로 전달될 수 있다.
이와 같이, 본 발명의 몇몇 실시예에 따른 반도체 장치 테스트 시스템은, 자동 테스트 장비(100)와 피측정 소자(200) 사이에 연결되도록 구성된 전류 미러(300)를 포함한다. 상기 전류 미러(300)는 자동 테스트 장비(100)가 제공하는 기준 전류를 미러링한 출력 전류를 피측정 소자(200)로부터 제공받을 수 있다.
따라서 자동 테스트 장비(100)는 피측정 소자(200)가 출력하는 출력 전류(IOUT)를 직접 입력받는 단자를 포함하지 않는다. 상기 단자를 입력받지 않는 경우에도, 자동 테스트 장비(100)는 피측정 소자(200)가 출력 전류(IOUT)를 출력하는 경우의 출력 단자에 인가되는 출력 전압을 측정할 수 있다. 전류 미러(300)가 피측정 소자(200)의 출력 전류(IOUT)를 제공받는 것에 의해 자동 테스트 장비(100)가 출력 전류를 직접 제공받는 것과 유사한 효과를 얻을 수 있는 것이다.
도 8은 본 발명의 몇몇 실시예에 따른 반도체 장치 테스트 방법을 설명하기 위한 순서도이다.
도 8을 참조하면, 본 발명의 몇몇 실시예에 따른 반도체 장치 테스트 방법은, 피측정 소자(200)를 제공하고(S200), 자동 테스트 장비(100)로부터 피측정 소자(200)에 전원 및 제어 신호를 제공하고(S210), 자동 테스트 장비(100)로부터 전류 미러(300)에 제1 기준 전류를 제공하고(S220), 피측정 소자(200)로부터 전류 미러(300)에 제1 출력 전류를 제공하고(S230), 피측정 소자(200)의 출력 단자의 제1 출력 전압을 측정하고(S240), 자동 테스트 장비(100)로부터 피측정 소자(200)에 제2 기준 전류를 제공하고(S250), 피측정 소자(200)로부터 전류 미러(300)에 제2 출력 전류를 제공하는 것(S260)을 포함할 수 있다.
이하에서, 도 4를 이용하여 설명한 반도체 장치 테스트 방법과 중복되는 내용은 생략하고 차이점을 위주로 설명한다.
도 9는 본 발명의 몇몇 실시예에 따른 반도체 장치 테스트 시스템의 동작을 설명하기 위한 회로도이다.
도 9를 참조하면, 자동 테스트 장비(100)는 전류 미러(300)로 제1 기준 전류(IREF1)를 제공한다(S220). 제1 기준 전류(IREF1)는 예를 들어, 그 크기가 일정한 정전류일 수 있으며, 제1 레벨의 크기를 갖는 전류일 수 있다.
자동 테스트 장비(100)가 제공한 제1 기준 전류(IREF1)는 제1 저항(R1)을 거쳐 제1 트랜지스터(Q1)의 컬렉터 단자로 제공될 수 있다.
자동 테스트 장비(100)가 제공한 제1 기준 전류(IREF1)가 미러링된 제1 출력 전류(IOUT1)가 피측정 소자(200)로부터 전류 미러(300)로 제공된다(S230).
제1 기준 전류(IREF1)가 정전류인 경우, 제1 출력 전류(IOUT1)는 그 크기가 일정한 정전류일 수 있다.
피측정 소자(200)가 제공한 제1 출력 전류(IOUT1)는 제2 저항(R2)을 거쳐 제2 트랜지스터(Q2)의 컬렉터 단자로 제공될 수 있다.
자동 테스트 장비(100)의 전압 측정 모듈(155)은 피측정 소자(200)가 제1 출력 전류(IOUT1)를 출력하고 있는 동안의 출력 단자(230)의 제1 출력 전압을 측정한다(S240). 전압 측정 모듈(155)은 제1 출력 전압을 내부 메모리에 저장할 수 있다.
도 10은 본 발명의 몇몇 실시예에 따른 반도체 장치 테스트 시스템의 동작을 설명하기 위한 회로도이다.
도 10을 참조하면, 도 9에 이어서 자동 테스트 장비(100)는 전류 미러(300)로 제2 기준 전류(IREF2)를 제공한다(S250). 제2 기준 전류(IREF2)는 제1 기준 전류(IREF1)와 그 크기가 다를 수 있다.
자동 테스트 장비(100)가 제공한 제1 기준 전류(IREF2)가 미러링된 제2 출력 전류(IOUT2)가 피측정 소자(200)로부터 전류 미러(300)로 제공된다(S260).
제2 기준 전류(IREF2)와 제1 기준 전류(IREF1)가 서로 크기가 다른 경우, 제2 출력 전류(IOUT2)와 제1 출력 전류(IOUT1) 또한 그 크기가 다를 수 있다. 또한, 제2 기준 전류(IREF2)와 제2 출력 전류(IOUT2)는 그 크기가 일정한 정전류일 수 있다.
자동 테스트 장비(100)의 전압 측정 모듈(155)은 피측정 소자(200)가 제2 출력 전류(IOUT2)를 출력하고 있는 동안의 출력 단자(230)의 제2 출력 전압을 측정한다(S270). 일반적으로, 피측정 소자(200)는 그와 연결된 소자로부터 요구되는 부하의 크기와 상관없이 일정한 출력 전압을 제공할 필요가 있다. 전압 측정 모듈(155)은 측정한 제2 출력 전압과 내부 메모리에 저장된 제1 출력 전압을 비교하고, 피측정 소자(200)가 일정한 출력 전압을 제공하는지 여부를 검사할 수 있다.
본 발명의 몇몇 실시예에 따른 반도체 장치 테스트 방법에서, 자동 테스트 장비(100)는 피측정 소자(200)의 출력 전압의 변화 여부를 측정할 수도 있다. 즉, 자동 테스트 장비(100)가 전류 미러(300)로 제공하는 기준 전류의 크기가 일정한 상황에서, 피측정 소자(200)의 내부 설정이 변화된 경우, 상기 변화에 따라 출력 전압이 변경되었는지 여부가 자동 테스트 장비(100)에 의하여 측정될 수 있다.
상기 내부 설정은 예를 들어, 자동 테스트 장비(100)가 제공하는 제어 신호에 의하여 변경될 수 있다. 따라서 자동 테스트 장비(100)는 일정한 크기의 기준 전류(IREF)를 전류 미러(300)에 제공하는 동안, 제어 신호를 통해 피측정 소자(200)의 내부 설정을 변경하고, 상기 설정 변경에 따른 피측정 소자(200)의 출력 단자(230)의 출력 전압의 변화를 측정할 수 있다.
도 11은 본 발명의 몇몇 실시예에 따른 반도체 장치 테스트 시스템을 설명하기 위한 회로도이다.
본 발명의 몇몇 실시예에 따른 반도체 장치 테스트 시스템은, 하나의 자동 테스트 장비(100) 및 전류 미러(350)에 연결된 복수의 피측정 소자(200_1~200_n)을 포함할 수 있다.
복수의 피측정 소자(200_1~200_n)는 서로 동일한 소자일 수 있다. 즉, 도 11에 도시된 반도체 장치 테스트 시스템은 동일한 복수의 피측정 소자에 대한 테스트를 수행하는 장치일 수 있다.
복수의 피측정 소자(200_1~200_n)는 각각 자동 테스트 장비(100)와 연결되는 전원 입력 단자(210_1~210-n)를 포함할 수 있다. 복수의 피측정 소자(200_1~200_n)는 전원 입력 단자(210_1~210-n)를 통해 자동 테스트 장비(100)로부터 전원 전압(VDD)를 입력받을 수 있다. 상술한 것과 같이 제1 내지 제n 피측정 소자(200_1~200_n)가 동일한 소자인 경우, 복수의 피측정 소자(200_1~200_n)가 자동 테스트 장비(100)로부터 각각의 전원 입력 단자(210_1~210_n)로 입력받는 전원 전압은 서로 동일할 수 있다.
복수의 피측정 소자(200_1~200_n)는 각각 자동 테스트 장비(100)와 연결되는 데이터 입출력 단자(220_1~220-n)를 포함할 수 있다. 복수의 피측정 소자(200_1~200_n)는 데이터 입출력 단자(220_1~220-n)를 통해 전원 입력 단자(210_1~210-n)로부터 제어 신호를 입력받을 수 있다. 상술한 것과 같이 제1 내지 제n 피측정 소자(200_1~200_n)가 동일한 소자인 경우, 복수의 피측정 소자(200_1~200_n)가 자동 테스트 장비(100)부터 각각의 데이터 입출력 단자(210_1~210_n)로 입력받는 제어 신호는 서로 동일할 수 있다.
복수의 피측정 소자(200_1~200_n)는 각각 출력 전류를 출력하는 출력 단자(230_1~230-n)를 포함할 수 있다. 전류 미러(350)에 포함된 제2 내지 제n+1 트랜지스터(M2~Mn+1)와 제2 내지 제n+1 저항(R2~Rn+1)의 구성이 동일한 경우, 제1 내지 제n 피측정 소자(200_1~200_n)가 출력하는 출력 전류(IOUT1~IOUTn)의 크기는 서로 동일할 수 있다.
전류 미러(350)는 제1 내지 제n+1 트랜지스터(M1~Mn+1)를 포함할 수 있다. 제1 트랜지스터(M1)는 자동 테스트 장비(100)의 기준 전류 출력 단자(140)에 연결될 수 있다. 제2 트랜지스터 내지 제n+1 트랜지스터(M2~Mn+1)는 각각 제1 피측정 소자 내지 제2 피측정 소자(200_1~200_n)과 연결될 수 있다.
또한, 제2 내지 제n+1 트랜지스터(M2~Mn+1)는 서로의 게이트 단자가 연결될 수 있다. 즉, 제2 내지 제n+1 트랜지스터(M2~Mn+1)는 게이트 전압을 공유할 수 있다.
자동 테스트 장비(100)는 전류 미러(350)로 기준 전류(IREF)를 제공할 수 있다. 전류 미러(350)는 기준 전류(IREF)를 미러링하여, 제1 내지 제n 출력 전류(IOUT1~IOUTn)를 생성할 수 있다. 즉, 제1 피측정 소자 내지 제n 피측정 소자(200_1~200_n)는 자동 테스트 장비(100)로부터 제공되는 기준 전류(IREF)에 대하여 제1 내지 제n 출력 전류(IOUT1~IOUTn)를 전류 미러(350)로 제공할 수 있다.
자동 테스트 장비(100)는 전압 측정 단자(130)를 통해 제1 내지 제n 피측정 소자의 출력 단자(230_1~230_n)의 출력 전압을 측정할 수 있다. 자동 테스트 장비(100)는 기준 전류(IREF)를 전류 미러(3500에 제공하고, 전류 미러(350)가 미러링한 제1 내지 제n 출력 전류(IOUT1~IOUTn)를 출력하는 경우의 제1 내지 제n 피측정 소자의 출력 단자(230_1~230_n)의 출력 전압을 측정할 수 있다.
도 12는 본 발명의 몇몇 실시예에 따른 반도체 장치 테스트 시스템에 포함되는 테스트 보드의 구성을 설명하기 위한 블록도이다.
도 12를 참조하면, 테스트 보드(1000)는 전류 미러(300)와 피측정 소자(200)가 함께 기판 상에 실장된 구조를 포함할 수 있다.
테스트 보드(1000)는 제1 내지 제4 패드들(1010, 1020, 1030, 1040)을 포함할 수 있다. 제1 패드(1010)는 피측정 소자의 전원 입력 단자(210)와 연결될 수 있다. 피측정 소자의 전원 입력 단자(210)는 제1 패드(1010)를 통해 자동 테스트 장비의 전원 출력 단자(110)와 전기적으로 연결될 수 있다.
제2 패드(1020)는 피측정 소자의 데이터 입출력 단자(220)와 연결될 수 있다. 피측정 소자의 데이터 입출력 단자(220)는 제2 패드(1020)를 통해 자동 테스트 장비의 데이터 입출력 단자(120)와 전기적으로 연결될 수 있다.
제3 패드(1030)는 피측정 소자의 출력 단자(230)와 연결될 수 있다. 자동 테스트 장비(100)는 제3 패드(1030)를 통해 피측정 소자의 출력 단자(230)와 연결되어 피측정 소자(100)의 출력 전압을 측정할 수 있다.
제4 패드(1040)는 전류 미러(300)와 연결되고, 자동 테스트 장비(100)로부터 제공되는 기준 전류가 제4 패드(1040)를 통해 테스트 보드(1000)에 입력되어 전류 미러(300)에 제공될 수 있다.
예를 들어, 피측정 소자(100)가 반도체 반도체 회로가 형성된 반도체 웨이퍼가 다이싱 공정을 통해 분할된 반도체 다이인 경우, 테스트 보드(1000)는 반도체 다이를 테스트하는 데 사용되는 프로브 카드일 수 있으며, 테스트 보드(1000)의 패드들(1010, 1020, 1030, 1040)은 니들(needle)의 형태를 가질 수 있다.
도 13은 본 발명의 몇몇 실시예에 따른 반도체 장치 테스트 시스템에 포함되는 테스트 보드의 구성을 설명하기 위한 블록도이다.
도 13을 참조하면, 테스트 보드(2000)에는 복수의 피측정 소자(200_1~200_4)와 복수의 전류 미러(300_1~300_4)가 실장될 수 있다. 테스트 보드(2000)는 복수의 패드들(2010~2080)을 포함하고, 각각의 패드들(2010~2080)은 도 13에 도시된 것과 같이 복수의 피측정 소자(200_1~200_4)와 복수의 전류 미러(300_1~300_4)들과 연결될 수 있다.
도 14는 본 발명의 몇몇 실시예에 따른 반도체 장치 테스트 시스템에 포함되는 테스트 보드의 구성을 설명하기 위한 블록도이다.
도 14를 참조하면, 테스트 보드(3000)는 하나의 전류 미러(350)와 전기적으로 연결된 n개의 피측정 소자(200_1~200_n)를 포함할 수 있다. 즉, 도 14에 도시된 테스트 보드(3000)는 앞서 도 11을 이용하여 설명한 반도체 장치 테스트 시스템의 전류 미러(350) 및 복수의 피측정 소자((200_1~200_n)가 실장된 보드일 수 있다.
도 13에 도시된 테스트 보드(2000)와 비교하면, 테스트 보드(3000)는 복수의 피측정 소자(200_1~200_n)과 연결된 하나의 전류 미러(350)를 포함할 수 있다. 테스트 보드(3000)에 하나의 전류 미러(350)가 실장됨으로써, 테스트 보드(3000)에 기준 전류(IREF)를 제공하기 위한 패드(3040)가 하나밖에 필요하지 않다. 즉, n개의 피측정 소자 및 전류 미러가 실장된 테스트 보드(2000)가 기준 전류가 제공되는 n개의 패드를 포함한다면, 도 13의 테스트 보드(3000)는 하나의 패드(3040)를 통해 기준 전류가 제공될 수 있다.
테스트 보드(3000)는 복수의 피측정 소자(200_1~200_n)에 전원을 제공하기 위한 제1 패드(3010)와, 제어 신호를 제공하기 위한 제2 패드(3020)를 포함할 수 있다. 테스트 보드(3000)는 복수의 피측정 소자(200_1~200_n)의 출력 전압을 측정하기 위한 제3 패드(3030)를 포함할 수 있다.
도 15는 본 발명의 몇몇 실시예에 따른 반도체 장치 테스트 시스템을 이용하여 수행되는 반도체 장치 제조 방법을 설명하기 위한 순서도이다.
도 15를 참조하면, 본 발명의 몇몇 실시예에 따른 반도체 장치 제조 방법은, 피측정 소자를 테스트 보드와 연결하고(S300), 자동 테스트 장비로부터 피측정 소자에 전원 및 제어 신호를 제공하고(S310), 자동 테스트 장비로부터 전류 미러에 기준 전류를 제공하고(S320), 피측정 소자로부터 전류 미러에 출력 전류를 제공하고(S330), 피측정 소자의 출력 단자의 출력 전압을 측정하고(S340), 피측정 소자의 출력 전압 테스트의 합격 및 불합격 여부를 판단하는 것(S350)을 포함할 수 있다.
피측정 소자는 예를 들어 반도체 장치 제조 공정을 통해 회로 소자가 형성되고 패키징(packaging) 공정이 완료된 반도체 장치일 수 있다. 피측정 소자를 테스트 보드와 연결하는 것은, 테스트 보드에 피측정 소자를 실장하는 것일 수 있다. 피측정 소자가 패키징 공정이 완료된 반도체 장치인 경우, 피측정 소자?z 테스트 보드의 소켓에 장착됨으로써 테스트 보드와 연결될 수 있다.
이후 단계 S310 내지 S340은 앞서 도 4를 이용하여 설명한 반도체 장치 테스트 방법에서 설명한 것과 동일하므로 생략한다.
자동 테스트 장비에 의해 피측정 소자의 전압 측정이 완료된 이후에, 자동 테스트 장비는 피측정 소자의 출력 전압 테스트의 합격 여부를 판단할 수 있다(S350). 피측정 소자가 출력 전압 테스트를 통과한 경우, 피측정 소자는 이후의 반도체 장치 제조 방법의 공정 단계로 진행될 수 있다. 예를 들어, 피측정 소자가 패키징 전 웨이퍼의 다이싱이 완료된 상태인 경우, 피측정 소자는 패키징 공정이 수행될 수 있다.
피측정 소자가 출력 전압 테스트를 통과하지 못한 경우, 피측정 소자의 이후의 공정이 수행되지 못하고 폐기될 수 있다. 상기 출력 전압 테스트의 결과는 피측정 소자를 제조하기 위한 공정 단계에 반영되어, 피측정 소자의 설계 변경 또는 레시피(recipe)의 수정 등의 피드백이 수행될 수 있다.
이상 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예들을 설명하였으나, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자는 본 발명의 기술적 사상이나 필수적인 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 이상에서 기술한 실시예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적이 아닌 것으로 이해해야만 한다.
100: 자동 테스트 장비 200: 피측정 소자
300: 전류 미러 1000, 2000, 3000: 테스트 보드

Claims (20)

  1. 출력 단자에 연결된 부하에 대하여 출력 전압을 제공하는 피측정 소자(DUT);
    상기 피측정 소자로 전원을 공급하고, 상기 피측정 소자의 출력 전압을 측정하는 자동 테스트 장비(ATE); 및
    상기 자동 테스트 장비와 상기 피측정 소자 사이에 연결되는 전류 미러를 포함하되,
    상기 자동 테스트 장비는 상기 전류 미러로 기준 전류를 출력하고,
    상기 피측정 소자는 상기 전류 미러로 상기 기준 전류가 미러링된 출력 전류를 제공하는 반도체 장치 테스트 장비.
  2. 제 1항에 있어서,
    상기 기준 전류와 상기 출력 전류의 크기는 서로 동일한 반도체 장치 테스트 장비.
  3. 제 1항에 있어서,
    상기 출력 전류는 정전류인 반도체 장치 테스트 장비.
  4. 제 1항에 있어서,
    상기 전류 미러는 서로의 게이트 단자가 연결된 제1 트랜지스터, 제2 트랜지스터 및 제3 트랜지스터를 포함하고,
    상기 제1 트랜지스터의 드레인 단자로 제공된 기준 전류를 미러링하여 제2 트랜지스터 및 제3 트랜지스터의 드레인 단자로 출력 전류를 제공하는 반도체 장치 테스트 장비.
  5. 제 4항에 있어서,
    상기 피측정 소자는,
    상기 제2 트랜지스터와 전기적으로 연결되는 제1 피측정 소자와,
    상기 제3 트랜지스터와 전기적으로 연결되는 제2 피측정 소자를 포함하고,
    상기 출력 전류는 상기 기준 전류가 미러링되어 상기 제1 피측정 소자로부터 상기 제2 트랜지스터로 흐르는 제1 출력 전류와,
    상기 기준 전류가 미러링되어 상기 제2 피측정 소자로부터 상기 제3 트랜지스터로 흐르는 제2 출력 전류를 포함하는 반도체 장치 테스트 장비.
  6. 제 5항에 있어서,
    상기 제1 출력 전류와 상기 제2 출력 전류의 크기는 동일한 반도체 장치 테스트 장비.
  7. 제 1항에 있어서,
    상기 자동 테스트 장비는,
    제1 시간에 상기 전류 미러로 제1 기준 전류를 제공하고,
    상기 제1 시간과 다른 제2 시간에 상기 전류 미러로 제2 기준 전류를 제공하는 반도체 장치 테스트 장비.
  8. 제 7항에 있어서,
    상기 제1 기준 전류와 상기 제2 기준 전류는 서로 다른 반도체 장치 테스트 장비.
  9. 제 7항에 있어서,
    상기 자동 테스트 장비는, 상기 제1 시간에서 상기 피측정 소자의 출력 전압과, 상기 제2 시간에서의 상기 피측정 소자의 출력 전압을 측정하고, 측정된 결과들을 비교하는 반도체 장치 테스트 장비.
  10. 제 9항에 있어서,
    상기 자동 테스트 장비는, 상기 제1 시간에서 상기 피측정 소자의 출력 전압과, 상기 제2 시간에서의 상기 피측정 소자의 출력 전압을 측정이 동일한 경우 상기 피측정 소자의 테스트 결과를 패스(pass)로 판단하는 반도체 장치 테스트 장비.
  11. 제 1항에 있어서,
    상기 피측정 소자는 PMIC(Power Management Integrated Circuit)을 포함하는 반도체 장치 테스트 장비.
  12. 기판;
    상기 기판 상에 실장되어 자동 테스트 장비(ATE)와 전기적으로 연결되고, 상기 자동 테스트 장비로부터 기준 전류를 제공받는 전류 미러; 및
    상기 기판 상에 실장되어 상기 전류 미러와 전기적으로 연결되고, 상기 전류 미러로 상기 기준 전류가 미러링된 출력 전류를 제공하는 피측정 소자를 포함하는 반도체 장치 테스트 장비.
  13. 제 12항에 있어서,
    상기 출력 전류는 정전류인 반도체 장치 테스트 장비.
  14. 제 12항에 있어서,
    상기 전류 미러는 서로의 게이트 단자가 연결된 제1 트랜지스터, 제2 트랜지스터 및 제3 트랜지스터를 포함하고,
    상기 제1 트랜지스터의 드레인 단자로 제공된 기준 전류를 미러링하여 제2 트랜지스터 및 제3 트랜지스터의 드레인 단자로 출력 전류를 제공하는 반도체 장치 테스트 장비.
  15. 제 14항에 있어서,
    상기 피측정 소자는,
    상기 제2 트랜지스터와 전기적으로 연결되는 제1 피측정 소자와,
    상기 제3 트랜지스터와 전기적으로 연결되는 제2 피측정 소자를 포함하고,
    상기 출력 전류는 상기 기준 전류가 미러링되어 상기 제1 피측정 소자로부터 상기 제2 트랜지스터로 흐르는 제1 출력 전류와,
    상기 기준 전류가 미러링되어 상기 제2 피측정 소자로부터 상기 제3 트랜지스터로 흐르는 제2 출력 전류를 포함하는 반도체 장치 테스트 장비.
  16. 입력 단자와 출력 단자를 포함하는 전류 미러; 및
    상기 전류 미러로 기준 전류를 제공하고, 상기 전류 미러에 의해 미러링된 전류를 출력하는 피측정 소자의 출력 전압을 측정하는 자동 테스트 장비를 포함하는 반도체 장치 테스트 장비.
  17. 제 16항에 있어서,
    상기 자동 테스트 장비는,
    상기 피측정 소자로 전원을 제공하는 전원 출력 단자와,
    상기 피측정 소자로 제어 신호를 제공하는 데이터 입출력 단자를 포함하는 반도체 장치 테스트 장비.
  18. 제 16항에 있어서,
    상기 자동 테스트 장비는,
    제1 시간에 상기 전류 미러로 제1 기준 전류를 제공하고,
    상기 제1 시간과 다른 제2 시간에 상기 전류 미러로 상기 제1 기준 전류와 크기가 다른 제2 기준 전류를 제공하는 반도체 장치 테스트 장비.
  19. 제 18항에 있어서,
    상기 자동 테스트 장비는, 상기 제1 시간에서 상기 피측정 소자의 출력 전압과, 상기 제2 시간에서의 상기 피측정 소자의 출력 전압을 측정하고, 상기 측정된 결과들을 비교하는 반도체 장치 테스트 장비.
  20. 자동 테스트 장비(ATE)와 연결된 전류 미러와 피측정 소자를 전기적으로 연결하고,
    상기 피측정 소자에 전원 전압을 제공하고,
    상기 자동 테스트 장비로부터 상기 전류 미러로 기준 전류를 제공하고,
    상기 전류 미러에 의해 미러링되어 상기 피측정 소자의 출력 단자로부터 상기 전류 미러로 출력 전류를 제공하고,
    상기 자동 테스트 장비에 의해 상기 피측정 소자의 출력 단자의 출력 전압을 측정하는 것을 포함하는 반도체 장치 테스트 방법.
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