KR102278355B1 - 도포 장치, 도포 방법 및 기록 매체 - Google Patents

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도쿄엘렉트론가부시키가이샤
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Abstract

본 발명은, 도포 시간을 짧게 유지하면서, 막 두께의 균일성을 향상시킬 수 있는 도포 장치, 도포 방법 및 기록 매체를 제공한다. 도포 장치는, 회전 보유 지지부와, 도포액 공급부와, 회전 보유 지지부 및 도포액 공급부를 제어하는 제어부를 구비한다. 제어부는, 웨이퍼(W)를 회전시키도록 회전 보유 지지부를 제어하면서, 웨이퍼(W)의 회전 중심을 둘러싸는 포위선 위에 레지스트제(P1, P2, P3)를 공급하도록 도포액 공급부를 제어하는 것, 레지스트제(P1, P2, P3)를 공급한 후에, 포위선의 내측에 위치하고 또한 웨이퍼(W)의 회전 중심을 포함하는 중심 영역 위에 레지스트제(P4)를 공급하도록 도포액 공급부를 제어하는 것, 레지스트제(P1, P2, P3, P4)를 공급한 후에, 레지스트제(P1, P2, P3)를 공급할 때에 비해 큰 회전 각속도로 웨이퍼(W)를 회전시킴으로써, 레지스트제(P1, P2, P3, P4)를 웨이퍼(W)의 주연측으로 넓게 펴 바르도록 회전 보유 지지부를 제어하는 것을 실행한다.

Description

도포 장치, 도포 방법 및 기록 매체{COATING APPARATUS, COATING METHOD AND STORAGE MEDIUM}
본 발명은, 도포 장치, 도포 방법 및 기록 매체에 관한 것이다.
반도체 웨이퍼 등의 기판 위에 도포액을 도포하는 방법으로서, 기판 위에 공급한 도포액을 기판의 회전에 의해 넓게 펴 바르는 스핀 코팅법이 널리 사용되고 있다. 이에 대해, 예를 들어 특허문헌 1에는, 스핀 코팅법에 비해 막 두께의 균일성을 향상시키는 것을 목적으로 한 방법이 개시되어 있다. 이 방법은, 노즐로부터 기판 위에 도포액을 공급하면서, 노즐과 기판을 소정 피치씩 상대적으로 이동시킴으로써, 성막 부위의 전역에 도포액을 공급하는 것이다.
일본 특허 공개 제2001-239199호 공보
그러나, 특허문헌 1에 기재된 방법에서는, 스핀 코팅법에 비해 도포 완료까지 장시간을 필요로 하는 경향이 있다. 따라서, 본 발명은, 도포 시간을 짧게 유지하면서 막 두께의 균일성을 향상시킬 수 있는 도포 장치, 도포 방법 및 기록 매체를 제공한다.
본 발명에 관한 도포 장치는, 기판을 보유 지지하여 회전시키는 회전 보유 지지부와, 회전 보유 지지부에 보유 지지된 기판의 표면에 도포액을 공급하는 도포액 공급부와, 회전 보유 지지부 및 도포액 공급부를 제어하는 제어부를 구비하고, 제어부는, 기판을 회전시키도록 회전 보유 지지부를 제어하면서, 기판의 회전 중심을 둘러싸는 포위선 위에 도포액을 공급하도록 도포액 공급부를 제어하는 것, 포위선 위에 도포액을 공급한 후에, 포위선의 내측에 위치하고 또한 기판의 회전 중심을 포함하는 중심 영역 위에 도포액을 공급하도록 도포액 공급부를 제어하는 것, 포위선 위 및 중심 영역 위의 양쪽에 도포액을 공급한 후에, 포위선 위에 도포액을 공급할 때에 비해 큰 회전 각속도로 기판을 회전시킴으로써, 포위선 위 및 중심 영역 위의 도포액을 기판의 주연측으로 넓게 펴 바르도록 회전 보유 지지부를 제어하는 것을 실행한다.
이 도포 장치에 의하면, 종래의 스핀 코팅법과 마찬가지로, 기판의 회전에 의해 도포액을 넓게 펴 바를 수 있으므로, 단시간에 도포를 완료시킬 수 있다. 여기서, 종래의 스핀 코팅법에서는, 기판의 주연측에서의 막 두께가 저하되는 경향이 있다. 이에 반해, 본 발명에 관한 도포 장치에서는, 기판의 회전에 의해 도포액을 넓게 펴 바르기 전에, 중심 영역 위뿐만 아니라, 중심 영역을 둘러싸는 포위선 위에도 도포액이 공급된다. 또한, 포위선 위로의 도포액의 공급은, 중심 영역 위로의 도포액의 공급에 앞서 행하여지므로, 포위선 위에 공급된 도포액은 중심 영역 위에 공급된 도포액에 비해 장시간 기판 위에 체류하게 된다. 이에 의해, 포위선 위에서는, 중심 영역 위에 비해, 보다 많은 용제가 휘발하여 도포액의 농도가 높아진다. 이 때문에, 기판의 회전에 의해 도포액을 넓게 펴 바를 때에는, 포위선의 내측에 비해 포위선의 외측에 고농도의 도포액이 도포되어, 기판의 주연측에서의 막 두께의 저하가 억제된다. 따라서, 도포 시간을 짧게 유지하면서, 막 두께의 균일성을 향상시킬 수 있다.
제어부는, 가장 외주측의 부분이 기판의 반경에 대하여 30 내지 70％의 범위 내에 위치하는 포위선 위에 도포액을 공급하도록, 도포액 공급부를 제어해도 된다. 이 경우, 기판의 주연측에서의 막 두께의 저하를 보다 확실하게 억제할 수 있다.
제어부는, 다중의 포위선에 있어서, 가장 외주측의 부분에서부터 가장 내주측의 부분에 도포액을 순차 공급하도록 도포액 공급부를 제어해도 된다. 이 경우, 다중의 포위선 위 및 중심 영역 위로의 도포액의 공급이 완료된 상태에서, 기판의 주연에 가까울수록 도포액의 점도가 높은 상태가 된다. 기판의 회전에 의해 도포액을 넓게 펴 바를 때에는, 기판의 주연에 가까운 영역일수록 고농도의 도포액이 도포된다. 따라서, 기판의 주연측에서의 막 두께의 저하를 더욱 억제할 수 있다.
제어부는, 일련의 나선 형상을 나타내는 포위선 위에 도포액을 공급하도록 도포액 공급부를 제어해도 된다. 이 경우, 도포액의 공급을 정지시키지 않고, 다중의 포위선 위에 도포액을 공급할 수 있으므로, 회전 보유 지지부 및 도포액 공급부의 제어를 단순화할 수 있다.
제어부는, 다중의 환상 선과, 환상 선의 둘레 방향의 일방측을 향함에 따라서 서서히 회전 중심으로 접근하여, 환상 선끼리를 연결하는 접속선을 갖는 포위선 위에 도포액을 공급하도록 도포액 공급부를 제어해도 된다. 이 경우도, 도포액의 공급을 정지시키지 않고, 다중의 포위선 위에 도포액을 공급할 수 있으므로, 회전 보유 지지부 및 도포액 공급부의 제어를 단순화할 수 있다.
제어부는, 환상 선 위에 도포액을 공급할 때에 비해, 접속선 위에 도포액을 공급할 때에 기판의 회전 각속도를 크게 하도록 회전 보유 지지부를 제어해도 된다. 이 경우, 환상 선끼리의 사이에서, 둘레 방향의 광범위하게 연장되는 접속선 위에 도포액이 공급된다. 따라서, 둘레 방향에서의 도포액의 공급량의 차이를 경감하여, 막 두께의 균일성을 더욱 향상시킬 수 있다.
제어부는, 중심 영역 위의 도포액을, 포위선에서의 가장 외주측의 부분을 초과하여 기판의 주연측으로 넓게 펴 바르도록 회전 보유 지지부를 제어해도 된다. 이 경우, 포위선의 외측 영역에는 중심 영역 위의 도포액 및 포위선 위의 도포액 양쪽이 도포된다. 따라서, 기판의 주연측에서의 막 두께의 저하를 보다 확실하게 억제할 수 있다.
본 발명에 관한 도포 방법은, 도포 장치에 의해 실행되는 방법이며, 기판을 회전시키면서, 기판의 회전 중심을 둘러싸는 포위선 위에 도포액을 공급하는 것, 포위선 위에 도포액을 공급한 후에, 포위선의 내측에 위치하고 또한 기판의 회전 중심을 포함하는 중심 영역 위에 도포액을 공급하는 것, 포위선 위 및 중심 영역 위의 양쪽에 도포액을 공급한 후에, 포위선 위에 도포액을 공급할 때에 비해 큰 회전 각속도로 기판을 회전시킴으로써, 포위선 위 및 중심 영역 위의 도포액을 기판의 주연측으로 넓게 펴 바르는 것을 포함한다.
이 도포 방법에 의하면, 종래의 스핀 코팅법과 마찬가지로, 기판의 회전에 의해 도포액을 넓게 펴 바를 수 있으므로, 단시간에 도포를 완료시킬 수 있다. 여기서, 종래의 스핀 코팅법에서는, 기판의 주연측에서의 막 두께가 저하되는 경향이 있다. 이에 반해, 본 발명에 관한 도포 방법에서는, 기판의 회전에 의해 도포액을 넓게 펴 바르기 전에, 중심 영역 위뿐만 아니라, 중심 영역을 둘러싸는 포위선 위에도 도포액이 공급된다. 또한, 포위선 위로의 도포액의 공급은, 중심 영역 위로의 도포액의 공급에 앞서 행하여지므로, 포위선 위에 공급된 도포액은 중심 영역 위에 공급된 도포액에 비해 장시간 기판 위에 체류하게 된다. 이에 의해, 포위선 위에서는, 중심 영역 위에 비해, 보다 많은 용제가 휘발하여 도포액의 농도가 높아진다. 이 때문에, 기판의 회전에 의해 도포액을 넓게 펴 바를 때에는, 포위선의 내측에 비해 포위선의 외측에 고농도의 도포액이 도포되어, 기판의 주연측에서의 막 두께의 저하가 억제된다. 따라서, 도포 시간을 짧게 유지하면서, 막 두께의 균일성을 향상시킬 수 있다.
가장 외주측의 부분이 기판의 반경에 대하여 30 내지 70％의 범위 내에 위치하는 포위선 위에 도포액을 공급해도 된다. 이 경우, 기판의 주연측에서의 막 두께의 저하를 보다 확실하게 억제할 수 있다.
다중의 포위선 위에 도포액을 공급해도 된다. 이 경우, 다중의 포위선 위 및 중심 영역 위로의 도포액의 공급이 완료된 상태에서, 기판의 주연에 가까울수록 도포액의 점도가 높은 상태가 된다. 기판의 회전에 의해 도포액을 넓게 펴 바를 때에는, 기판의 주연에 가까운 영역일수록 고농도의 도포액이 도포된다. 따라서, 기판의 주연측에서의 막 두께의 저하를 더욱 억제할 수 있다.
일련의 나선 형상을 나타내는 포위선 위에 도포액을 공급해도 된다. 이 경우, 도포액의 공급을 정지시키지 않고, 다중의 포위선 위에 도포액을 공급할 수 있으므로, 회전 보유 지지부 및 도포액 공급부의 제어를 단순화할 수 있다.
다중의 환상 선과, 환상 선의 둘레 방향 일방측을 향함에 따라서 서서히 회전 중심측에 접근하여, 환상 선끼리를 연결하는 접속선을 갖는 포위선 위에 도포액을 공급해도 된다. 이 경우도, 도포액의 공급을 정지시키지 않고, 다중의 포위선 위에 도포액을 공급할 수 있으므로, 회전 보유 지지부 및 도포액 공급부의 제어를 단순화할 수 있다.
환상 선 위에 도포액을 공급할 때에 비해, 접속선 위에 도포액을 공급할 때에 기판의 회전 각속도를 높게 해도 된다. 이 경우, 환상 선끼리의 사이에서, 둘레 방향의 광범위하게 연장되는 접속선 위에 도포액이 공급된다. 따라서, 둘레 방향에서의 도포액의 공급량의 차이를 경감하여, 막 두께의 균일성을 더욱 향상시킬 수 있다.
중심 영역 위의 도포액을, 포위선에서의 가장 외주측의 부분을 초과하여 기판의 주연측으로 넓게 펴 발라도 된다. 이 경우, 포위선의 외측 영역에는 중심 영역 위의 도포액 및 포위선 위의 도포액 양쪽이 도포된다. 따라서, 기판의 주연측에서의 막 두께의 저하를 보다 확실하게 억제할 수 있다.
본 발명에 관한 기록 매체는, 상기 도포 방법을 장치에 실행시키기 위한 프로그램을 기록한, 컴퓨터 판독 가능한 기록 매체이다.
본 발명에 의하면, 도포 시간을 짧게 유지하면서, 막 두께의 균일성을 향상시킬 수 있다.
도 1은 기판 처리 시스템의 사시도이다.
도 2는 도 1 중의 II-II 선을 따른 단면도이다.
도 3은 도 2 중의 III-III 선을 따른 단면도이다.
도 4는 도포 유닛의 모식도이다.
도 5는 제어부의 기능적인 구성을 도시하는 블록도이다.
도 6은 도포 방법의 실행 수순을 나타내는 흐름도이다.
도 7은 포위선 위에 레지스트제를 공급하는 수순을 도시하는 모식도이다.
도 8은 중심 영역 위에 레지스트제를 공급하여, 웨이퍼의 회전에 의해 레지스트제를 넓게 펴 바르는 수순을 도시하는 모식도이다.
도 9는 포위선 위 및 중심 영역 위에 레지스트제가 도포된 웨이퍼의 평면도이다.
도 10은 웨이퍼의 회전에 수반하는 레지스트제의 움직임을 도시하는 모식도이다.
도 11은 다른 예에 관한 포위선 위 및 중심 영역 위에 레지스트제가 도포된 웨이퍼의 평면도이다.
이하, 도면을 참조하면서 실시 형태에 대하여 상세하게 설명한다. 설명에 있어서, 동일 요소 또는 동일 기능을 갖는 요소에는 동일한 부호를 부여하고, 중복되는 설명을 생략한다.
〔기판 처리 시스템〕
기판 처리 시스템(1)은, 도포·현상 장치(2)와 노광 장치(3)를 구비한다. 노광 장치(3)는, 레지스트막(감광성 피막)의 노광 처리를 행한다. 구체적으로는, 액침 노광 등의 방법에 의해 레지스트막의 노광 대상 부분에 에너지선을 조사한다. 에너지선으로서는, 예를 들어 ArF 엑시머 레이저, KrF 엑시머 레이저, g선, i선 또는 EUV(Extreme Ultraviolet, 극단 자외선)를 들 수 있다.
도포·현상 장치(2)는, 노광 장치(3)에 의한 노광 처리 전에, 웨이퍼(W)(기판)의 표면에 레지스트막을 형성하는 처리를 행하고, 노광 처리 후에 레지스트막의 현상 처리를 행한다. 도 1 및 도 2에 도시한 바와 같이, 도포·현상 장치(2)는, 캐리어 블록(4)과, 처리 블록(5)과, 인터페이스 블록(6)을 구비한다. 캐리어 블록(4), 처리 블록(5) 및 인터페이스 블록(6)은 수평 방향으로 나열되어 있다.
캐리어 블록(4)은, 캐리어 스테이션(12)과 반입·반출부(13)를 갖는다. 반입·반출부(13)는, 캐리어 스테이션(12)과 처리 블록(5)의 사이에 개재한다. 캐리어 스테이션(12)은 복수의 캐리어(11)를 지지한다. 캐리어(11)는, 복수매의 웨이퍼(W)를 밀봉 상태로 수용하고, 웨이퍼(W)를 출납하기 위한 개폐 도어(도시하지 않음)를 일 측면(11a)(도 3 참조)측에 갖는다. 캐리어(11)는, 측면(11a)이 반입·반출부(13)측에 면하도록, 캐리어 스테이션(12) 위에 착탈 가능하게 설치된다. 반입·반출부(13)는, 캐리어 스테이션(12) 위의 복수의 캐리어(11)에 각각 대응하는 복수의 개폐 도어(13a)를 갖는다. 측면(11a)의 개폐 도어와 개폐 도어(13a)를 동시에 개방함으로써, 캐리어(11) 내와 반입·반출부(13) 내가 연통한다. 반입·반출부(13)는, 수수 아암(A1)을 내장하고 있다. 수수 아암(A1)은, 캐리어(11)로부터 웨이퍼(W)를 취출하여 처리 블록(5)에 전달하고, 처리 블록(5)으로부터 웨이퍼(W)를 수취하여 캐리어(11) 내로 되돌린다.
처리 블록(5)은, 하층막 형성(BCT) 모듈(14)과, 레지스트막 형성(COT) 모듈(15)과, 상측막 형성(TCT) 모듈(16)과, 현상 처리(DEV) 모듈(17), 제1 선반부(18)를 갖는다. 이들 모듈은, 바닥면측에서부터 DEV 모듈(17), BCT 모듈(14), COT 모듈(15), TCT 모듈(16)의 순서대로 적층되어 있다.
BCT 모듈(14)은, 복수의 도포 유닛(도시하지 않음)과, 복수의 열처리 유닛(도시하지 않음)과, 이들 유닛 사이에서 웨이퍼(W)를 반송하는 반송 아암(A2)을 내장하고 있고, 웨이퍼(W)의 표면 위에 하층막을 형성한다. 도포 유닛은, 하층막 형성용(성막용)의 도포액을 웨이퍼(W)의 표면에 도포한다. 열처리 유닛은, 예를 들어 열판에 의해 웨이퍼(W)를 가열하고, 가열 후의 웨이퍼(W)를 예를 들어 냉각판에 의해 냉각하여 열처리를 행한다. BCT 모듈(14)에서 행하여지는 열처리의 구체예로서는, 도포액을 경화시키기 위한 가열 처리를 들 수 있다.
도 3에 도시한 바와 같이, COT 모듈(15)은, 복수의 도포 유닛(U1)과, 복수의 열처리 유닛(U2)과, 이들 유닛 사이에서 웨이퍼(W)를 반송하는 반송 아암(A3)을 내장하고 있고, 하층막 위에 레지스트막을 형성한다. 도포 유닛(U1)은, 레지스트막 형성용(성막용)의 도포액(레지스트제)을 하층막의 위에 도포한다. 열처리 유닛(U2)은, 예를 들어 열판에 의해 웨이퍼(W)를 가열하고, 가열 후의 웨이퍼(W)를 예를 들어 냉각판에 의해 냉각하여 열처리를 행한다. COT 모듈(15)에서 행하여지는 열처리의 구체예로서는, 도포액을 경화시키기 위한 가열 처리(PAB: Pre Applied Bake)를 들 수 있다.
TCT 모듈(16)은, 복수의 도포 유닛(도시하지 않음)과, 복수의 열처리 유닛(도시하지 않음)과, 이들 유닛 사이에서 웨이퍼(W)를 반송하는 반송 아암(A4)을 내장하고 있고, 레지스트막 위에 상층막을 형성한다. 도포 유닛은, 상층막 형성용(성막용)의 도포액을 웨이퍼(W)의 표면에 도포한다. 열처리 유닛은, 예를 들어 열판에 의해 웨이퍼(W)를 가열하고, 가열 후의 웨이퍼(W)를 예를 들어 냉각판에 의해 냉각하여 열처리를 행한다. TCT 모듈(16)에서 행하여지는 열처리의 구체예로서는, 도포액을 경화시키기 위한 가열 처리를 들 수 있다.
도 2에 도시한 바와 같이, DEV 모듈(17)은, 복수의 현상 유닛(도시하지 않음)과, 복수의 열처리 유닛(도시하지 않음)과, 이들 유닛 사이에서 웨이퍼(W)를 반송하는 반송 아암(A5)과, 이 유닛을 거치지 않고 웨이퍼(W)를 반송하는 직접 반송 아암(A6)을 내장하고 있다. 현상 유닛은, 노광된 레지스트막의 현상 처리를 행한다. 열처리 유닛은, 예를 들어 열판에 의해 웨이퍼(W)를 가열하고, 가열 후의 웨이퍼(W)를 예를 들어 냉각판에 의해 냉각하여 열처리를 행한다. DEV 모듈(17)에서 행하여지는 열처리의 구체예로서는, 현상 처리 전의 가열 처리(PEB: Post Exposure Bake), 현상 처리 후의 가열 처리(PB: Post Bake) 등을 들 수 있다.
제1 선반부(18)는 처리 블록(5) 내에서의 캐리어 블록(4)측에 설치되어 있다. 제1 선반부(18)는 선반 유닛(U10) 및 승강 아암(A7)을 구비한다. 선반 유닛(U10)은, DEV 모듈(17)의 아래로부터 TCT 모듈(16)에 걸치도록 설치되어 있고, 상하 방향으로 배열하는 복수의 셀로 구획되어 있다. 선반 유닛(U10)의 근방에는 승강 아암(A7)이 설치되어 있다. 승강 아암(A7)은, 선반 유닛(U10)의 셀끼리의 사이에 웨이퍼(W)를 승강시킨다.
처리 블록(5)은 선반 유닛(U11)이 설치된 제2 선반부(19)를 더 구비한다. 선반 유닛(U11)은 처리 블록(5) 내에서의 인터페이스 블록(6)측에는 선반 유닛(U11)이 설치되어 있다. 선반 유닛(U11)은, DEV 모듈(17)의 아래로부터 DEV 모듈(17)의 상부에 걸치도록 설치되어 있고, 상하 방향으로 배열하는 복수의 셀로 구획되어 있다.
인터페이스 블록(6)은 수수 아암(A8)을 내장하고 있고, 노광 장치(3)에 접속된다. 수수 아암(A8)은, 선반 유닛(U11)으로부터 웨이퍼(W)를 반출하여 노광 장치(3)에 전달하고, 노광 장치(3)로부터 웨이퍼(W)를 수취하여 선반 유닛(U11)으로 되돌린다.
도포·현상 장치(2)는 다음과 같이 동작한다. 먼저, 도포·현상 장치(2)는, 웨이퍼(W)의 표면 위에 하층막, 레지스트막 및 상층막을 형성한다. 즉, 수수 아암(A1)이 캐리어(11) 내의 웨이퍼(W)를 선반 유닛(U10)의 승강 아암(A7)으로 반송한다. 이 웨이퍼(W)를 승강 아암(A7)이 선반 유닛(U10)에 있는 BCT 모듈(14)용의 셀에 배치하고, 반송 아암(A2)이 BCT 모듈(14) 내의 각 유닛으로 반송한다. 도포 유닛은, 하층막의 형성용 도포액을 표면 위에 도포한다. 열처리 유닛은, 도포액을 경화시키기 위한 가열 처리 등을 행한다.
하층막의 형성이 완료되면, 반송 아암(A2)이 웨이퍼(W)를 제1 선반부(18)의 승강 아암(A7)으로 되돌린다. 이 웨이퍼(W)를 승강 아암(A7)이 선반 유닛(U10)에 있는 COT 모듈(15)용의 셀에 배치하고, 반송 아암(A3)이 COT 모듈(15) 내의 각 유닛으로 반송한다. 도포 유닛(U1)은, 레지스트막의 형성용 도포액을 표면(Wa) 위에 도포한다. 열처리 유닛(U2)는, 도포액을 경화시키기 위한 가열 처리(PAB) 등을 행한다.
레지스트막의 형성이 완료되면, 반송 아암(A3)이 웨이퍼(W)를 제1 선반부(18)의 승강 아암(7)으로 되돌린다. 이 웨이퍼(W)를 선반 유닛(U10)에 있는 승강 아암(A7)이 TCT 모듈(16)용의 셀에 배치하고, 반송 아암(A4)이 TCT 모듈(16) 내의 각 유닛으로 반송한다. 도포 유닛은, 상층막의 형성용 도포액을 표면(Wa) 위에 도포한다. 열처리 유닛은, 도포액을 경화시키기 위한 가열 처리 등을 행한다. 상층막의 형성이 완료되면, 반송 아암(A4)이 웨이퍼(W)를 제1 선반부(18)의 승강 아암(A7)으로 되돌린다.
이어서, 도포·현상 장치(2)는, 웨이퍼(W)를 노광 장치(3)에 송출한다. 즉, 반송 아암(A4)에 의해 선반 유닛(U10)으로 되돌려진 웨이퍼(W)를 승강 아암(A7)이 선반 유닛(U10)에 있는 DEV 모듈(17)용의 셀에 배치하고, 직접 반송 아암(A6)이 선반 유닛(U11)으로 반송한다. 이 웨이퍼(W)를 인터페이스 블록(6)의 수수 아암(A8)이 노광 장치(3)에 송출한다. 노광 장치(3)에서의 노광 처리가 완료되면, 도포·현상 장치(2)는, 웨이퍼(W)를 노광 장치(3)로부터 받아들인다. 즉, 수수 아암(A8)이 웨이퍼(W)를 노광 장치(3)로부터 받아들여, 선반 유닛(U11)으로 반송한다.
이어서, 도포·현상 장치(2)는 레지스트막의 현상 처리를 행한다. 즉, 반송 아암(A5)은, 선반 유닛(U11)의 웨이퍼(W)를 DEV 모듈(17) 내의 열처리 유닛으로 반송한다. 열처리 유닛은, 웨이퍼(W)의 가열 처리(PEB)을 행한다. PEB가 완료되면, 반송 아암(A5)은, 웨이퍼(W)를 현상 유닛으로 반송한다. 현상 유닛은, 현상액 및 린스액을 웨이퍼(W)의 표면에 공급함으로써, 레지스트막의 현상 처리를 행한다. 현상 처리가 완료되면, 반송 아암(A5)은 웨이퍼(W)를 다시 열처리 유닛으로 반송한다. 열처리 유닛은, 웨이퍼(W)의 가열 처리(PB)를 행한다.
PB가 완료되면, 반송 아암(A5)은, 웨이퍼(W)를 제1 선반부(18)의 승강 아암(A7)으로 반송한다. 이 웨이퍼(W)를 승강 아암(A7)이 선반 유닛(U10)에 있는 수수용의 셀에 배치하고, 반입·반출부(13)에 있는 수수 아암(A1)이 캐리어(11) 내로 되돌린다. 이상으로, 성막부터 현상에 이르는 일련의 처리가 완료된다.
〔도포 유닛〕
이하, 도포 유닛(U1)(도포 장치)에 대하여 상세하게 설명한다. 도 4에 도시한 바와 같이, 도포 유닛(U1)은, 웨이퍼(W)를 보유 지지하여 회전시키는 회전 보유 지지부(20)와, 회전 보유 지지부(20)에 보유 지지된 웨이퍼(W)의 표면(Wa)에 레지스트제를 공급하는 도포액 공급부(30)와, 회전 보유 지지부(20) 및 도포액 공급부(30)를 제어하는 제어부(100)를 구비한다.
회전 보유 지지부(20)는, 보유 지지부(21)와 회전부(22)를 갖는다. 회전부(22)는, 상방으로 돌출된 회전축(23)을 갖고, 예를 들어 전동 모터 등을 동력원으로 해서 회전축(23)을 회전시킨다. 보유 지지부(21)는, 회전축(23)의 선단부에 설치되어 있다. 보유 지지부(21)는, 수평하게 배치된 웨이퍼(W)를 예를 들어 흡착에 의해 하방으로부터 보유 지지한다.
도포액 공급부(30)는, 도포액 탱크(31)와, 노즐(32)과, 펌프(34)와, 밸브(35)와, 노즐 이송부(36)를 구비한다. 도포액 탱크(31)는, 레지스트액을 수용한다. 노즐(32)은, 보유 지지부(21)에 보유 지지된 웨이퍼(W)의 상방에 배치된다. 노즐(32)은 도포액 탱크(31)로부터 공급된 레지스트제를 하방으로 토출하여 표면(Wa) 위에 공급한다. 노즐(32) 및 도포액 탱크(31)는, 공급관(33)에 의해 접속되어 있다. 펌프(34)는, 공급관(33)의 도중에 설치되고, 도포액 탱크(31)로부터 노즐(32)에 레지스트제를 압송한다. 밸브(35)는, 공급관(33)에 있어서 노즐(32) 및 펌프(34)의 사이에 설치되어 있다. 밸브(35)는, 노즐(32)로부터의 레지스트액의 토출을 개시 또는 정지시킨다.
노즐 이송부(36)는, 수평한 가이드 레일(37)과, 가이드 레일(37)을 따라 이동 가능한 슬라이드 블록(38)을 구비한다. 슬라이드 블록(38)은, 아암(39)을 개재하여 노즐(32)에 접속되어 있다. 노즐 이송부(36)는, 예를 들어 전동 모터 등을 동력원으로 해서 슬라이드 블록(38)을 이동시키고, 이에 수반하여 노즐(32)을 이동시킨다. 평면에서 보아, 노즐(32)의 이동 경로는, 웨이퍼(W)의 회전 중심(AX1)을 지난다.
제어부(100)는, 1개 또는 복수의 제어용 컴퓨터에 의해 구성된다. 제어부(100)는, 제어 조건의 설정 화면을 표시하는 표시부(도시하지 않음)와, 제어 조건을 입력하는 입력부(도시하지 않음)와, 컴퓨터 판독 가능한 기록 매체로부터 프로그램을 판독하는 판독부(도시하지 않음)를 갖는다. 기록 매체는, 도포 유닛(U1)에 도포 방법을 실행시키기 위한 프로그램을 기록하고 있다. 이 프로그램이 제어부(100)의 판독부에 의해 판독된다. 기록 매체로서는, 예를 들어 하드 디스크, 콤팩트 디스크, 플래시 메모리, 플렉시블 디스크, 메모리 카드 등을 들 수 있다. 제어부(100)는, 입력부에 입력된 제어 조건과, 판독부에 의해 판독된 프로그램에 따라서 회전 보유 지지부(20) 및 도포액 공급부(30)를 제어한다.
도 5는, 프로그램의 실행에 의해 제어부(100)에서 실현되는 개개의 기능을 가상적인 구성 요소(이하, 「기능 블록」이라고 함)로서 나타낸 블록도이다. 도 5에 도시한 바와 같이, 제어부(100)는, 기능 블록으로서, 제1 도포 제어부(111)와, 제2 도포 제어부(112)와, 제3 도포 제어부(113)를 갖는다.
제1 도포 제어부(111)는, 웨이퍼(W)를 회전시키도록 회전 보유 지지부(20)를 제어하면서, 웨이퍼(W)의 회전 중심(AX1)을 둘러싸는 포위선(EL1)(도 9 참조) 위에 레지스트제를 공급하도록 도포액 공급부(30)를 제어한다. 레지스트제를 공급할 때에, 제1 도포 제어부(111)는, 노즐 이송부(36)를 제어하여 노즐(32)의 위치를 조정하고, 펌프(34) 및 밸브(35)를 제어하여 레지스트제를 노즐(32)로부터 토출시킨다.
제2 도포 제어부(112)는, 웨이퍼(W)를 회전시키도록 회전 보유 지지부(20)를 제어하면서, 포위선(EL1) 위에 레지스트제를 공급한 후에, 포위선(EL1)의 내측에 위치하고 또한 회전 중심(AX1)을 포함하는 중심 영역(CA) 위에 레지스트제를 공급하도록 도포액 공급부(30)를 제어한다. 레지스트제를 공급할 때에, 제2 도포 제어부(112)는, 노즐 이송부(36)를 제어하여 노즐(32)의 위치를 조정하고, 펌프(34) 및 밸브(35)를 제어하여 레지스트제를 노즐(32)로부터 토출시킨다. 또한, 제2 도포 제어부(112)에 있어서, 웨이퍼(W)를 회전시키는 것은 필수적이지 않다.
제3 도포 제어부(113)는, 포위선(EL1) 위 및 중심 영역(CA) 위의 양쪽에 레지스트제를 공급한 후에, 포위선(EL1) 위에 레지스트제를 공급할 때에 비해 높은 회전 각속도로 웨이퍼(W)를 회전시킴으로써, 포위선(EL1) 위 및 중심 영역(CA) 위의 레지스트제를 웨이퍼(W)의 주연측으로 넓게 펴 바르도록 회전 보유 지지부(20)를 제어한다.
〔도포 방법〕
이하, 도포 유닛(U1)에 의해 실행되는 도포 방법에 대하여 설명한다. 도 6에 도시한 바와 같이, 도포 유닛(U1)은, 먼저 웨이퍼(W)를 받아들인다(스텝 S1). 웨이퍼(W)는, 반송 아암(A3)에 의해 도포 유닛(U1) 내에 반입되어, 표면(Wa)을 위로 향한 상태에서 수평하게 배치된다. 이 웨이퍼(W)의 중심부를 보유 지지부(21)가 하방으로부터 보유 지지한다.
이어서, 도포 유닛(U1)은, 회전 중심(AX1)을 둘러싸는 포위선(EL1) 위에 레지스트제를 공급한다(스텝 S2). 구체적으로, 도포 유닛(U1)은, 제1 도포 제어부(111)에 의해 제어되어서 다음과 같이 동작한다.
즉, 회전부(22)가 회전수(회전 각속도)(ω1)로 웨이퍼(W)를 회전시킨다(도 7의 (a) 참조). 회전수(ω1)는, 예를 들어 10 내지 120rpm이다. 이 상태에서, 도포액 공급부(30)는, 회전 중심(AX1)으로부터 거리(또는 반경)(R1)의 위치에 노즐(32)을 배치하고, 노즐(32)로부터 표면(Wa) 위에 레지스트제를 공급한다. 이에 의해, 반경(R1)의 환상 선(RL1)(도 9 참조) 위에 레지스트제(P1)가 공급된다. 반경(R1)은, 예를 들어 웨이퍼(W)의 반경에 대하여 30 내지 70％이다.
환상 선(RL1)의 전체 둘레에 걸쳐서 레지스트제(P1)가 공급되면, 회전부(22)가 웨이퍼(W)의 회전수(ω1)를 회전수(ω2)로 변경한다. 회전수(ω2)는, 회전수(ω1)에 비해 크고, 예를 들어 120 내지 200rpm이다. 이 상태에서, 도포액 공급부(30)는, 노즐(32)로부터의 레지스트제의 토출을 계속시키면서, 노즐 이송부(36)에 의해 노즐(32)을 이송하여 회전 중심(AX1)에 서서히 접근한다(도 7의 (b) 참조). 이에 의해, 환상 선(RL1)의 둘레 방향 일방측을 향함에 따라서 서서히 회전 중심(AX1)측에 접근하는 접속선(CL1)(도 9 참조) 위에 도포제(도포액)가 공급된다.
노즐(32)이 회전 중심(AX1)으로부터 거리(반경)(R2)의 위치에 도달하면, 노즐 이송부(36)는 노즐(32)의 이송을 정지시킨다. 회전부(22)는, 웨이퍼(W)의 회전수(ω2)를 회전수(ω1)로 변경한다. 도포액 공급부(30)는, 노즐(32)로부터의 레지스트제의 토출을 계속시킨다. 이에 의해, 반경(R2)의 환상 선(RL2)(도 9 참조) 위에 레지스트제(P2)가 공급된다(도 7의 (c) 참조). 반경(R2)은, 반경(R1)에 대하여 예를 들어 70 내지 80％이다.
환상 선(RL2)의 전체 둘레에 걸쳐서 레지스트제(P2)가 공급되면, 회전부(22)가 웨이퍼(W)의 회전수(ω1)를 회전수(ω2)로 변경한다. 이 상태에서, 도포액 공급부(30)는, 노즐(32)로부터의 레지스트제의 토출을 계속시키면서, 노즐 이송부(36)에 의해 노즐(32)을 이송하여 회전 중심(AX1)에 서서히 접근한다(도 7의 (d) 참조). 이에 의해, 환상 선(RL2)의 둘레 방향 일방측을 향함에 따라서 서서히 회전 중심(AX1)측에 접근하는 접속선(CL2)(도 9 참조) 위에 도포제(도포액)이 공급된다.
노즐(32)이 회전 중심(AX1)으로부터 거리(반경)(R3)의 위치에 도달하면, 노즐 이송부(36)는 노즐(32)의 이송을 정지시킨다(도 7의 (e) 참조). 회전부(22)는, 웨이퍼(W)의 회전수(ω2)를 회전수(ω1)로 변경한다. 도포액 공급부(30)는, 노즐(32)로부터의 레지스트제의 토출을 계속시킨다. 이에 의해, 반경(R3)의 환상 선(RL3)(도 9 참조) 위에 레지스트제(P3)가 공급된다. 반경(R3)은, 반경(R1)에 대하여 예를 들어 45 내지 55％이다.
환상 선(RL3)의 전체 둘레에 걸쳐서 레지스트제(P3)가 공급되면, 회전부(22)가 웨이퍼(W)의 회전수(ω1)를 회전수(ω2)로 변경한다. 이 상태에서, 도포액 공급부(30)는, 노즐(32)로부터의 레지스트제의 토출을 계속시키면서, 노즐 이송부(36)에 의해 노즐(32)을 이송하여 회전 중심(AX1)에 서서히 접근한다(도 8의 (a) 참조). 이에 의해, 환상 선(RL3)의 둘레 방향 일방측을 향함에 따라서 서서히 회전 중심(AX1)측에 접근하는 접속선(CL3)(도 9 참조) 위에 도포제(도포액)가 공급된다.
환상 선(RL1, RL2, RL3) 및 접속선(CL1, CL2, CL3)은, 다중의 포위선(EL1)을 구성한다. 즉 도포 유닛(U1)은, 다중의 포위선(EL1) 위에 레지스트제를 공급한다.
또한, 레지스트제를 공급할 때의 웨이퍼(W) 회전수를, 환상 선마다 바꾸어도 된다. 예를 들어, 환상 선의 반경이 커짐에 따라서, 환상 선 위에 레지스트제를 공급할 때의 웨이퍼(W)의 회전수를 작게 해도 된다. 이 경우, 공급된 레지스트제에 작용하는 원심력을 억제할 수 있다. 환상 선의 반경이 커짐에 따라서, 환상 선 위에 레지스트제를 공급할 때의 웨이퍼(W)의 회전수를 크게 해도 된다. 이 경우, 레지스트제의 공급에 필요로 하는 시간을 단축할 수 있다.
이어서, 도포 유닛(U1)은, 포위선(EL1)의 내측에 위치하고 또한 회전 중심(AX1)을 포함하는 중심 영역(CA) 위에 레지스트제를 공급한다(스텝 S3). 구체적으로, 도포 유닛(U1)은, 제2 도포 제어부(112)에 의한 제어에 따라서 다음과 같이 동작한다. 즉, 스텝 S2에서 회전 중심(AX1)측에 서서히 가까워진 노즐(32)이 중심 영역(CA) 위에 도달하면, 회전부(22)는, 웨이퍼(W)의 회전수(ω2)를 회전수(ω1)로 변경한다. 도포액 공급부(30)는, 노즐(32)로부터의 레지스트제의 토출을 계속시킨다. 이에 의해, 중심 영역(CA) 위에 레지스트제(P4)가 공급된다(도 8의 (b) 참조). 또한, 중심 영역(CA) 위에 레지스트제를 공급할 때에는, 웨이퍼(W)를 회전시키지 않아도 된다. 레지스트제(P4)의 공급이 완료되면, 도포액 공급부(30)는 노즐(32)로부터의 레지스트제의 토출을 정지시킨다.
이어서, 도포 유닛(U1)은, 포위선(EL1) 위 및 중심 영역(CA) 위의 레지스트제를, 웨이퍼(W)의 회전에 의해 웨이퍼(W)의 주연측으로 넓게 펴 바른다(스텝 S4). 구체적으로, 도포 유닛(U1)은, 제3 도포 제어부(113)에 의한 제어에 따라서 다음과 같이 동작한다. 즉, 회전부(22)는, 웨이퍼(W)의 회전수(ω1)를 회전수(ω3)로 변경한다(도 8의 (c) 참조). 회전수(ω3)은, 회전수(ω2)에 비해 크고, 예를 들어 500 내지 1500rpm이다.
웨이퍼(W)를 회전수(ω3)로 회전시킴으로써, 포위선(EL1) 위의 레지스트제(P1, P2, P3) 및 중심 영역(CA) 위의 레지스트제(P4)가 웨이퍼(W)의 주연측으로 넓게 펴 발라진다(도 10의 (b) 참조). 레지스트제(P1, P2, P3, P4)는, 순차적으로 웨이퍼(W)의 주연에 도달하여, 이들 잉여분이 웨이퍼(W)의 주위로 떨어져나간다(도 10의 (c) 내지 도 10의 (i) 참조). 즉, 중심 영역(CA) 위의 레지스트제(P4)가, 환상 선(RL1)(포위선(EL1)에서의 가장 외주측의 부분)을 초과하여 웨이퍼(W)의 주연측으로 넓게 펴 발라진다.
이어서, 도포 유닛(U1)은 웨이퍼(W)를 반출한다(스텝 S5). 웨이퍼(W)는, 반송 아암(A3)에 의해 도포 유닛(U1) 내로부터 반출된다. 당해 반출에 앞서, 보유 지지부(21)가 웨이퍼(W)를 해방한다.
이상에서 설명한 바와 같이, 도포 유닛(U1)의 제어부(100)는, 웨이퍼(W)를 회전시키도록 회전 보유 지지부(20)를 제어하면서, 포위선(EL1) 위에 레지스트제를 공급하도록 도포액 공급부(30)를 제어하는 것, 포위선(EL1) 위에 레지스트제를 공급한 후에, 중심 영역(CA) 위에 레지스트제를 공급하도록 도포액 공급부(30)를 제어하는 것, 포위선(EL1) 위 및 중심 영역(CA) 위의 양쪽에 레지스트제를 공급한 후에, 포위선(EL1) 위에 레지스트제를 공급할 때에 비해 큰 회전 각속도로 웨이퍼(W)를 회전시킴으로써, 포위선(EL1) 위 및 중심 영역(CA) 위의 레지스트제를 웨이퍼(W)의 주연측으로 넓게 펴 바르도록 회전 보유 지지부(20)를 제어하는 것을 실행한다.
도포 유닛(U1)에 의하면, 종래의 스핀 코팅법과 마찬가지로, 웨이퍼(W)의 회전에 의해 레지스트제를 넓게 펴 바를 수 있으므로, 단시간에 도포를 완료시킬 수 있다. 여기서, 종래의 스핀 코팅법에서는, 웨이퍼(W)의 주연측에서의 막 두께가 저하되는 경향이 있다. 이에 반해, 도포 유닛(U1)에서는, 웨이퍼(W)의 회전에 의해 레지스트제를 넓게 펴 바르기 전에, 중심 영역(CA) 위뿐만 아니라, 중심 영역(CA)을 둘러싸는 포위선(EL1) 위로도 레지스트제가 공급된다. 또한, 포위선(EL1) 위로의 레지스트제의 공급은, 중심 영역(CA) 위로의 레지스트제의 공급에 앞서 행하여지므로, 포위선(EL1) 위에 공급된 레지스트제는, 중심 영역(CA) 위에 공급된 레지스트제에 비해 장시간 웨이퍼(W) 위에 체류하게 된다. 이에 의해, 포위선(EL1) 위에서는, 중심 영역(CA) 위에 비해, 보다 많은 용제가 휘발하여 레지스트제의 농도가 높아진다. 이 때문에, 웨이퍼(W)의 회전에 의해 레지스트제를 넓게 펴 바를 때에는, 포위선(EL1)의 내측에 비해 포위선(EL1)의 외측에 고농도의 레지스트제가 도포되어, 웨이퍼(W)의 주연측에서의 막 두께의 저하가 억제된다. 따라서, 도포 시간을 짧게 유지하면서, 막 두께의 균일성을 향상시킬 수 있다.
제어부(100)는, 가장 외주측의 부분이 웨이퍼(W)의 반경에 대하여 30 내지 70％의 범위 내에 위치하는 포위선(EL1) 위에 레지스트제를 공급하도록, 도포액 공급부(30)를 제어한다. 이 때문에, 웨이퍼(W)의 주연측에서의 막 두께의 저하를 보다 확실하게 억제할 수 있다.
제어부(100)는, 다중의 포위선(EL1)에 있어서, 가장 외주측의 부분에서부터 가장 내주측의 부분에 레지스트제를 순차 공급하도록 도포액 공급부(30)를 제어한다. 이 때문에, 다중의 포위선(EL1) 위 및 중심 영역(CA) 위로의 레지스트제의 공급이 완료된 상태에서, 웨이퍼(W)의 주연에 가까울수록 도포액의 점도가 높은 상태가 된다. 웨이퍼(W)의 회전에 의해 레지스트제를 넓게 펴 바를 때에는, 웨이퍼(W)의 주연에 가까운 영역일수록 고농도의 레지스트제가 도포된다. 따라서, 웨이퍼(W)의 주연측에서의 막 두께의 저하를 더욱 억제할 수 있다.
제어부(100)는, 다중의 환상 선(RL1, RL2, RL3)과, 환상 선(RL1, RL2)의 둘레 방향 일방측을 향함에 따라서 서서히 회전 중심(AX1)에 접근하여, 환상 선(RL1, RL2)끼리를 연결하는 접속선(CL1, CL2)을 갖는 포위선(EL1) 위에 레지스트제를 공급하도록 도포액 공급부(30)를 제어한다. 이에 의해, 레지스트제의 공급을 정지시키지 않고, 다중의 포위선(EL1) 위에 레지스트제 공급을 계속하는 것이 가능하므로, 회전 보유 지지부(20) 및 도포액 공급부(30)의 제어를 단순화할 수 있다.
제어부(100)는, 환상 선(RL3)의 둘레 방향 일방측을 향함에 따라서 서서히 회전 중심(AX1)에 접근하여, 환상 선(RL3)(가장 내주측의 환상 선)과 중심 영역(CA)을 연결하는 접속선(CL3)을 더 갖는 포위선(EL1) 위에 레지스트제를 공급하도록 도포액 공급부(30)를 제어한다. 이에 의해, 레지스트제의 공급을 정지시키지 않고, 포위선(EL1) 위 및 중심 영역(CA) 위의 양쪽에 레지스트제 공급을 계속하는 것이 가능하므로, 회전 보유 지지부(20) 및 도포액 공급부(30)의 제어를 더욱 단순화할 수 있다.
제어부(100)는, 환상 선(RL1, RL2, RL3) 위에 레지스트제를 공급할 때에 비해, 접속선(CL1, CL2, CL3) 위에 레지스트제를 공급할 때에 웨이퍼(W)의 회전 각속도를 크게 한다. 이 때문에, 환상 선(RL1, RL2, RL3)끼리의 사이 및 환상 선(RL3)과 중심 영역(CA)의 사이에서, 둘레 방향의 광범위하게 연장되는 접속선(CL1, CL2, CL3) 위에 레지스트제가 공급된다. 따라서, 둘레 방향에서의 레지스트제의 공급량의 차이를 경감하여, 막 두께의 균일성을 더욱 향상시킬 수 있다.
제어부(100)는, 중심 영역(CA) 위의 레지스트제를, 환상 선(RL1)(포위선(EL1)에서의 가장 외주측의 부분)을 초과하여 웨이퍼(W)의 주연측으로 넓게 펴 바르도록 회전 보유 지지부(20)를 제어한다. 이 때문에, 포위선(EL1)의 외측 영역에는 중심 영역(CA) 위의 도포액 및 포위선(EL1) 위의 도포액의 양쪽이 도포된다. 따라서, 웨이퍼(W)의 주연측에서의 막 두께의 저하를 보다 확실하게 억제할 수 있다.
또한, 이상의 효과는, 통상 점도의 레지스트제에 비해 고점도의 레지스트제를 사용하는 경우에 더욱 현저해진다. 통상 점도란, 예를 들어 100cP 이하이다. 고점도란, 예를 들어 500 내지 5000cP이다. 또한, 이상의 효과는, 대직경의 웨이퍼(예를 들어 직경 450mm의 웨이퍼)에 적용한 경우에 더욱 현저해진다.
이상, 실시 형태에 대하여 설명했지만, 본 발명은 반드시 상술한 실시 형태에 한정되는 것은 아니며, 그 요지를 일탈하지 않는 범위에서 다양한 변형이 가능하다. 예를 들어, 접속선(CL1, CL2, CL3) 위에 레지스트제를 공급하지 않아도 된다. 제어부(100)는, 다중의 포위선의 다른 예로서, 일련의 나선 형상을 나타내는 포위선(EL2)(도 11 참조) 위에 레지스트제를 공급하도록 도포액 공급부(30)를 제어해도 된다. 이 경우도, 레지스트제의 공급을 정지시키지 않고, 다중의 포위선(EL2) 위에 레지스트제를 공급할 수 있으므로, 회전 보유 지지부(20) 및 도포액 공급부(30)의 제어를 단순화할 수 있다. 제어부(100)는, 한 겹의 포위선 위에 레지스트제를 공급하도록 도포액 공급부(30)를 제어해도 된다. 처리 대상인 기판은 반도체 웨이퍼에 한정되지 않고, 예를 들어, 프린트 배선 기판 등이어도 된다.
[실시예]
본 실시 형태의 실시예 및 비교예에 관한 샘플을 제작하여, 막 두께의 상태를 비교하였다. 또한, 본 발명은 실시예에 한정되지 않는다.
〔실시예〕
직경 450mm의 웨이퍼(W)를 준비하고, 이하의 조건에서 레지스트막을 형성하였다. 도포액으로서, 점도 약 4000cP의 레지스트제를 사용하여, 환상 선(RL1, RL2, RL3) 및 중심 영역(CA) 위에 순차 레지스트액을 공급한 뒤, 웨이퍼(W)의 회전에 의해 레지스트제를 넓게 펴 발랐다. 그 후, 레지스트제를 경화시켜, 레지스트막을 형성하였다. 환상 선(RL1)의 반경을 100mm로 하고, 환상 선(RL2)의 반경을 75mm로 하고, 환상 선(RL3)의 반경을 50mm로 하였다. 환상 선(RL1) 위에는 7.5g의 레지스트제를 공급하고, 환상 선(RL2) 위에는 5g의 레지스트제를 공급하고, 환상 선(RL3) 위에는 7.5g의 레지스트제를 공급하고, 중심 영역(CA) 위에는 10g의 레지스트제를 공급하였다. 레지스트제를 넓게 펴 바를 때의 회전수(회전 각속도)를 600rpm으로 하고, 회전 계속 시간을 60sec로 하였다.
〔비교예〕
직경 450mm의 웨이퍼(W)를 준비하여, 이하의 조건에서 레지스트막을 형성하였다. 도포액으로서, 점도 약 4000cP의 레지스트제를 사용하여, 중심 영역(CA) 위에만 약 30g의 레지스트액을 공급한 뒤, 웨이퍼(W)의 회전에 의해 레지스트제를 넓게 펴 발랐다. 그 후, 레지스트제를 경화시켜서 레지스트막을 형성하였다. 레지스트제를 넓게 펴 바를 때의 회전수(회전 각속도)를 600rpm으로 하고, 회전 계속 시간을 60sec로 하였다.
〔비교 결과〕
실시예 및 비교예에 관한 샘플 각각에 대해서, 막 두께의 편차값(표준 편차의 3배)을 산출하였다. 그 결과, 비교예의 샘플에서의 막 두께의 편차값은, 막 두께의 평균값에 대하여 5.9％이었다. 실시예의 샘플에서의 막 두께의 편차값은, 막 두께의 평균값에 대하여 3.9％이었다. 이들 결과로부터, 본 실시 형태에 따르면, 막 두께의 균일성이 향상되는 것으로 확인되었다.
20: 회전 보유 지지부 30: 도포액 공급부
100: 제어부 AX1: 회전 중심
CA: 중심 영역 CL1, CL2: 접속선
EL1, EL2: 포위선 P1, P2, P3, P4: 레지스트제
RL1, RL2, RL3: 환상 선 U1: 도포 유닛(도포 장치)
W: 웨이퍼(기판) Wa: 표면

Claims (15)

  1. 기판을 보유 지지하여 회전시키는 회전 보유 지지부와,
    상기 회전 보유 지지부에 보유 지지된 상기 기판의 표면에 도포액을 공급하는 도포액 공급부와,
    상기 회전 보유 지지부 및 상기 도포액 공급부를 제어하는 제어부를 구비하고,
    상기 제어부는,
    상기 기판을 회전시키도록 회전 보유 지지부를 제어하면서, 상기 기판의 반경에 대하여 30 내지 70％의 범위 내에 위치하고 상기 기판의 회전 중심을 둘러싸는 다중의 포위선에 있어서, 가장 외주측의 부분으로부터 가장 내주측의 부분으로 상기 도포액을 순차 공급하도록 도포액 공급부를 제어하는 것,
    상기 기판의 회전 중심으로부터 상기 도포액을 공급하는 부분까지의 반경이 작아짐에 따라 상기 기판의 회전 각속도를 작게 하도록 회전 보유 지지부를 제어하는 것,
    상기 포위선 위에 상기 도포액을 공급한 후에, 상기 기판의 회전을 정지시키도록 회전 보유 지지부를 제어하고, 상기 기판의 회전이 정지한 상태에서, 상기 포위선의 내측에 위치하고 또한 상기 기판의 회전 중심을 포함하는 중심 영역 위에 상기 도포액을 공급하도록 도포액 공급부를 제어하는 것,
    상기 포위선 위 및 상기 중심 영역 위의 양쪽에 상기 도포액을 공급한 후에, 상기 포위선 위에 상기 도포액을 공급할 때에 비해 큰 회전 각속도로 상기 기판을 회전시킴으로써, 상기 포위선 위 및 상기 중심 영역 위의 상기 도포액을 상기 기판의 주연측으로 넓게 펴 바르도록 상기 회전 보유 지지부를 제어하는 것을 실행하는, 도포 장치.
  2. 삭제
  3. 삭제
  4. 제1항에 있어서,
    상기 제어부는, 일련의 나선 형상을 나타내는 상기 포위선 위에 상기 도포액을 공급하도록 상기 도포액 공급부를 제어하는, 도포 장치.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 제어부는, 다중의 환상 선과, 상기 환상 선의 둘레 방향 일방측을 향함에 따라 서서히 상기 회전 중심으로 접근하여, 상기 환상 선끼리를 연결하는 접속선을 갖는 상기 포위선 위에 상기 도포액을 공급하도록 상기 도포액 공급부를 제어하는, 도포 장치.
  6. 제5항에 있어서,
    상기 제어부는, 상기 환상 선 위에 상기 도포액을 공급할 때에 비해, 상기 접속선 상에 상기 도포액을 공급할 때에 상기 기판의 상기 회전 각속도를 크게 하도록 상기 회전 보유 지지부를 제어하는, 도포 장치.
  7. 제1항에 있어서,
    상기 제어부는, 상기 중심 영역 위의 상기 도포액을, 상기 포위선에서의 가장 외주측의 부분을 넘어서 상기 기판의 주연측으로 넓게 펴 바르도록 상기 회전 보유 지지부를 제어하는, 도포 장치.
  8. 도포 장치에 의해 실행되는 방법으로서,
    기판을 회전시키면서, 상기 기판의 반경에 대하여 30 내지 70％의 범위 내에 위치하고 상기 기판의 회전 중심을 둘러싸는 다중의 포위선에 있어서, 가장 외주측의 부분으로부터 가장 내주측의 부분으로 도포액을 순차 공급하는 공정과,
    상기 기판의 회전 중심으로부터 상기 도포액을 공급하는 부분까지의 반경이 작아짐에 따라 상기 기판의 회전 각속도를 작게 하는 공정과,
    상기 포위선 위에 상기 도포액을 공급한 후에, 상기 기판의 회전이 정지한 상태에서, 상기 포위선의 내측에 위치하고 또한 상기 기판의 회전 중심을 포함하는 중심 영역 위에 상기 도포액을 공급하는 공정과,
    상기 포위선 위 및 상기 중심 영역의 위의 양쪽에 상기 도포액을 공급한 후에, 상기 포위선 위에 상기 도포액을 공급할 때에 비해 큰 회전 각속도로 상기 기판을 회전시킴으로써, 상기 포위선 위 및 상기 중심 영역 위의 상기 도포액을 상기 기판의 주연측으로 넓게 펴 바르는 공정
    을 포함하는 도포 방법.
  9. 삭제
  10. 삭제
  11. 제8항에 있어서,
    일련의 나선 형상을 나타내는 상기 포위선 위에 상기 도포액을 공급하는, 도포 방법.
  12. 제8항에 있어서,
    다중의 환상 선과, 상기 환상 선의 둘레 방향 일방측을 향함에 따라 서서히 상기 회전 중심측에 접근하여, 상기 환상 선끼리를 연결하는 접속선을 갖는 상기 포위선 위에 상기 도포액을 공급하는, 도포 방법.
  13. 제12항에 있어서,
    상기 환상 선 위에 상기 도포액을 공급할 때에 비해, 상기 접속선 위에 상기 도포액을 공급할 때에 상기 기판의 상기 회전 각속도를 크게 하는, 도포 방법.
  14. 제8항에 있어서,
    상기 중심 영역 위의 상기 도포액을, 상기 포위선에서의 가장 외주측의 부분을 초과하여 상기 기판의 주연측으로 넓게 펴 바르는, 도포 방법.
  15. 제8항에 기재된 도포 방법을 장치에 실행시키기 위한 프로그램을 기록한, 컴퓨터 판독 가능한 기록 매체.
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Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP7095394B2 (ja) * 2018-05-15 2022-07-05 株式会社デンソー 樹脂の塗布方法
JP7291547B2 (ja) * 2019-06-11 2023-06-15 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置及び基板処理方法
KR102388407B1 (ko) 2019-07-02 2022-04-21 세메스 주식회사 노즐 장치, 기판 처리 장치 및 방법
CN114054288B (zh) * 2020-07-31 2023-07-18 中国科学院微电子研究所 涂胶机的控制方法、涂胶机的控制***以及涂胶机

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20010029111A1 (en) 1998-11-12 2001-10-11 Advanced Micro Devices, Inc. Solution flow-in for uniform deposition of spin-on films
US20020150679A1 (en) 2001-04-16 2002-10-17 Tokyo Electron Limited Coating film forming method and apparatus
KR100518381B1 (ko) * 1997-06-16 2005-10-04 메사추세츠 인스티튜트 오브 테크놀로지 고효율 포토레지스트 코팅

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS57130570A (en) * 1981-02-04 1982-08-13 Hitachi Ltd Spinner coating method and apparatus
JPH0780387A (ja) * 1993-09-14 1995-03-28 Nordson Kk 液体のスピンコーティング方法とその装置
JP4256584B2 (ja) 1999-12-20 2009-04-22 東京エレクトロン株式会社 塗布膜形成装置及び塗布膜形成方法
JP4084167B2 (ja) * 2002-06-10 2008-04-30 株式会社Ｓｏｋｕｄｏ 処理液塗布方法
AU2005210321B2 (en) * 2004-02-06 2010-12-02 Hoya Corporation Coating method and production method for dimming lens
JP3988834B2 (ja) * 2004-06-03 2007-10-10 芝浦メカトロニクス株式会社 樹脂層形成方法及び樹脂層形成装置、ディスク及びディスク製造方法
JP4969353B2 (ja) * 2007-07-25 2012-07-04 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置
JP5449662B2 (ja) * 2007-10-18 2014-03-19 株式会社Ｓｏｋｕｄｏ 現像装置
JP5457866B2 (ja) * 2010-02-08 2014-04-02 株式会社日立ハイテクノロジーズ スピンコート方法及びスピンコーター
JP5315320B2 (ja) * 2010-11-09 2013-10-16 東京エレクトロン株式会社 基板処理方法、プログラム、コンピュータ記憶媒体及び基板処理装置
JP5666414B2 (ja) * 2011-10-27 2015-02-12 東京エレクトロン株式会社 液処理装置、液処理方法および記憶媒体
US9573144B2 (en) * 2014-05-30 2017-02-21 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Coating apparatus and method of forming coating film

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100518381B1 (ko) * 1997-06-16 2005-10-04 메사추세츠 인스티튜트 오브 테크놀로지 고효율 포토레지스트 코팅
US20010029111A1 (en) 1998-11-12 2001-10-11 Advanced Micro Devices, Inc. Solution flow-in for uniform deposition of spin-on films
US20020150679A1 (en) 2001-04-16 2002-10-17 Tokyo Electron Limited Coating film forming method and apparatus
US20050170087A1 (en) 2001-04-16 2005-08-04 Tokyo Electron Limited Coating film forming method and apparatus

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