KR102262820B1 - 기판 세정 장치 및 기판 세정 방법 - Google Patents

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Abstract

본 기재의 기판 세정 장치는 기판을 지지하고, 기판을 회전시키는 지지 유닛; 기판에서 오염 물질이 위치한 부분에 레이저빔을 조사하고, 기판 상의 오염 물질을 세정하는 레이저빔 조사 유닛; 및 기판에서 레이저빔이 조사된 부분에 에어로졸을 분사하는 에어로졸 분사 유닛;을 포함한다.

Description

기판 세정 장치 및 기판 세정 방법{Substrate cleaning apparatus and substrate cleaning method}
본 발명은 기판 세정 장치 및 기판 세정 방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 반도체를 제조하는데 사용될 수 있는 기판 세정 장치 및 기판 세정 방법에 관한 것이다.
웨이퍼 상면에 반도체를 제조하기 위해서는, 노광(photolithography), 식각(etching), 증착(deposition), 연마(polishing) 등의 공정을 반복적으로 수행해야 한다. 현재 하나의 반도체 소자를 생산하기 위해서는 위와 같은 공정을 약 500회에 걸쳐 반복적으로 처리하여 수십 층의 막들이 적층되어 반도체 소자를 생산하게 된다.
이러한 반복적인 반도체 공정 중 다양한 증착막(amorphous-Si, poly-Si, SiO 2, Si3N4, TiN, Al, Cu 등)이 웨이 퍼 상에 적층되며, 이러한 증착막은 포토 공정에서 포토레지스트(PR. Photo Resist) 패턴을 형성한 후 다시 식각, 증착, 연마 공정 등을 거친다.
도 1에 도시된 바와 같이, 상기와 같은 공정의 진행시, 웨이퍼 에지에는 증착막, PR, 각종 에칭 후 입자 등의 오염 물질들이 표면 장력에 의해 볼록하게 적층된다. 또한, 웨이퍼 연마 공정 후에는 연마 공정에 사용되는 미세 슬러리(slurry) 입자들과 같은 이물질이 웨이퍼 에지에 집중적으로 분포하기도 한다.
이러한 불균일하고 평탄하지 않은 표면은 웨이퍼 에지에서 약 1mm 이내 영역에서 심하게 발생하며, 오염 물질은 이후 진행하는 반도체 제조 공정에서 파티클(particle) 소스(source)로 작용하여 반도체의 제조 수율을 저하시키는 주요 원인으로 작용한다.
최근 반도체 웨이퍼의 크기가 커짐에 따라, 유효 소자 제조 영역을 최대한 크게 확보하기 위해, 웨이퍼 에지 영역에 존재하는 오염 입자를 효과적으로 제거하는 것이 매우 중요하게 고려되고 있다.
웨이퍼 에지에 존재하는 다양한 오염 물질을 제거하기 위해 다양한 방법들이 시도되어 왔다. 기존의 기판 세정 방법들 중 웨이퍼 에지에 강산, 강알칼리 용액을 분사하여 웨이퍼 에지의 이물질 및 PR을 세정, 제거하는 화학적 습식 방법이 있다. 하지만, 이러한 방법은, 화학 용액을 분사하는 방식이므로, 웨이퍼 에지의 특정 영역만을 선택적으로 세정하는 것이 근본적으로 어렵다.
그리고, 약품에 의한 웨이퍼 소자의 표면 손상 가능성이 높고, 에지에 존재하는 다양한 물질을 포괄적으로 제거하기는 어렵다는 단점이 있다. 그리고, 기존의 화학적 습식 방법은 반드시 린스(rinse)와 드라이(dry)를 거쳐야 하므로 세정 시간이 오래 걸린다는 단점 또한 있다.
기판을 세정하는 다른 방법으로, 플라즈마를 이용하여 웨이퍼 에지 영역을 세정하는 방법이 있는데, 이는 특정 영역만의 정밀한 세정이 불가능하고, 강력한 플라즈마 형성에 의해 웨이퍼 소자에 전기적 손상(charging effect)이 흔히 야기되는 문제점이 있다.
기판을 세정하는 또 다른 방법으로, 웨이퍼 에지부에 UV 레이저빔을 직접 조사하여 오염 물질을 증발 제거하는 방법이다. 이와 같은 방법은 레이저빔의 세정 중 발생하는 강력한 분진에 의해 웨이퍼 표면이 재오염되는 것을 막을 수 없는 문제점이 있다.
레이저빔 세정 중 발생한 분진 입자들을 강력한 진공 흡입 장치로 포집할 수도 있으나, 레이저빔 세정 중 발생하는 입자의 이탈 속도가 빨라서 진공 흡입에 의한 방법으로는 레이저빔 조사 중 발생한 분진을 완벽히 제거하기가 어렵다.
한국등록특허 제10-1557586호
본 발명의 목적은 세정 성능이 향상될 수 있는 기판 세정 장치 및 기판 세정 방법을 제공하고자 한다.
본 발명의 일 측면에 따른 기판 세정 장치는 기판을 지지하고, 기판을 회전시키는 지지 유닛; 기판에서 오염 물질이 위치한 부분에 레이저빔을 조사하고, 기판 상의 오염 물질을 세정하는 레이저빔 조사 유닛; 및 기판에서 레이저빔이 조사된 부분에 에어로졸을 분사하는 에어로졸 분사 유닛;을 포함한다.
한편, 상기 에어로졸은 질소와 탈이온수가 혼합된 것일 수 있다.
한편, 기체를 기판으로 분사하여 기판에서 이탈된 이물질에 의해 기판이 다시 오염되는 것을 방지하는 오염 방지 유닛을 더 포함할 수 있다.
한편, 지지 유닛으로 액체를 토출하고, 기판의 표면에 액막이 생성될 수 있게 하는 액체 토출 유닛을 포함할 수 있다.
한편, 상기 액체 토출 유닛이 기판에 액체를 토출하는 과정에서 기판 상에 생성되는 액막의 두께가 목표 두께로 생성되도록 상기 오염 방지 유닛이 기판을 향하여 기체를 분사할 수 있게 하는 제어부를 더 포함할 수 있다.
한편, 상기 오염 방지 유닛은, 상기 에어로졸 분사 유닛에 대해 좌우 방향으로 일정 거리 이격되게 위치되고, 에어로졸이 기판에 분사된 이후에 기판으로 기체를 분사할 수 있다.
한편, 상기 오염 방지 유닛에서 분사되는 기체는 질소일 수 있다.
본 발명의 일 측면에 따른 기판 세정 방법은 기판에서 세정이 필요한 부분에 레이저빔을 조사하는 레이저빔 조사 단계; 및 기판에서 레이저빔이 조사된 부분에 에어로졸을 분사하는 에어로졸 분사 단계;를 포함한다.
한편, 기체를 기판으로 분사하여 기판에서 이탈된 이물질에 의해 기판이 다시 오염되는 것을 방지하는 기체 분사 단계를 더 포함할 수 있다.
한편, 상기 레이저빔 조사 단계와 상기 에어로졸 분사 단계는 동시에 실시될 수 있다.
한편, 상기 에어로졸 분사 단계는 상기 레이저빔 조사 단계 이후에 실시되거나, 상기 레이저빔 조사 단계 이전에 실시될 수 있다.
한편, 기판의 표면에 액막을 생성하는 액막 생성 단계를 포함할 수 있다.
한편, 상기 액막 생성 단계는, 기판 상에 생성되는 액막의 두께가 목표 두께로 생성되도록, 기판에 액체를 분사한 다음, 기체를 기판으로 분사할 수 있다.
본 발명에 따른 기판 세정 장치는 기판으로 에어로졸을 분사하는 에어로졸 분사 유닛을 포함한다. 따라서, 기판에 레이저빔을 조사하고 에어로졸을 사용하여 파티클과 같은 이물질이 포집된 액체를 신속하게 배출함으로써, 기판이 세정과정에서 다시 오염되는 것을 방지할 수 있다. 즉, 기판 세정 장치는 종래의 기판 세정 장치와 비교하여 기판의 세정효과를 현저하게 증가시킬 수 있다.
또한, 본 발명에 따른 기판 세정 장치는 에어로졸에 포집된 이물질을 오염 방지 유닛에서 분사되는 고속의 기체를 사용하여 기판으로부터 멀어지는 방향으로 신속하게 배출시킬 수 있다. 그러므로, 이물질이 기판에서 신속하게 제거되면서, 기판의 중심부가 이물질에 의해 오염되는 것을 방지할 수 있다.
도 1은 이물질이 고착된 기판을 도시한 도면이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 세정 장치를 도시한 사시도이다.
도 3은, 도 2의 기판 세정 장치가 동작되는 상태를 도시한 도면이다.
도 4는 본 발명의 다른 일 실시예에 따른 기판 세정 장치를 도시한 사시도이다.
도 5는, 도 4의 기판 세정 장치가 동작되는 상태를 U방향에서 바라본 도시한 도면이다.
도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 세정 방법을 도시한 순서도이다.
도 7은 본 발명의 다른 일 실시예에 따른 기판 세정 방법을 도시한 순서도이다.
이하, 첨부한 도면을 참고로 하여 본 발명의 실시예들에 대하여 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 상세히 설명한다. 본 발명은 여러 가지 상이한 형태로 구현될 수 있으며 여기에서 설명하는 실시예들에 한정되지 않는다.
본 발명을 명확하게 설명하기 위해서 설명과 관계없는 부분은 생략하였으며, 명세서 전체를 통하여 동일 또는 유사한 구성요소에 대해서는 동일한 참조 부호를 붙이도록 한다.
또한, 여러 실시예들에 있어서, 동일한 구성을 가지는 구성요소에 대해서는 동일한 부호를 사용하여 대표적인 실시예에서만 설명하고, 그 외의 다른 실시예에서는 대표적인 실시예와 다른 구성에 대해서만 설명하기로 한다.
명세서 전체에서, 어떤 부분이 다른 부분과 "연결"되어 있다고 할 때, 이는 "직접적으로 연결"되어 있는 경우뿐만 아니라, 다른 부재를 사이에 두고 "간접적으로 연결"된 것도 포함한다. 또한, 어떤 부분이 어떤 구성요소를 "포함"한다고 할 때, 이는 특별히 반대되는 기재가 없는 한 다른 구성요소를 제외하는 것이 아니라 다른 구성요소를 더 포함할 수 있는 것을 의미한다.
다르게 정의되지 않는 한, 기술적이거나 과학적인 용어를 포함해서 여기서 사용되는 모든 용어들은 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 일반적으로 이해되는 것과 동일한 의미를 가지고 있다. 일반적으로 사용되는 사전에 정의되어 있는 것과 같은 용어들은 관련 기술의 문맥 상 가지는 의미와 일치하는 의미를 가지는 것으로 해석되어야 하며, 본 출원에서 명백하게 정의하지 않는 한, 이상적이거나 과도하게 형식적인 의미로 해석되지 않는다.
도 1 내지 도 3을 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 세정 장치(100)는 지지 유닛(120), 레이저빔 조사 유닛(130) 및 에어로졸 분사 유닛(140)을 포함한다.
지지 유닛(120)은 기판(W)을 지지하고, 기판(W)을 회전시킨다. 이러한 지지 유닛(120)은 일례로 지지 플레이트(121)와, 회전 모터(122)를 포함할 수 있다.
지지 플레이트(121)는 기판(W)을 지지할 수 있다. 기판(W)은 지지 플레이트(121)에 안착될 수 있고, 지지 플레이트(121)는 기판(W)과 대응되는 크기이거나 기판(W)보다 작은 크기일 수 있다. 지지 플레이트(121)는 기판을 진공 흡착하여 파지하는 진공척일 수 있으나, 이에 한정하지는 않는다.
회전 모터(122)는 지지 플레이트(121)의 아래에 위치될 수 있다. 회전 모터(122)는 지지 플레이트(121)를 회전시킬 수 있다.
기판(W)이 지지 플레이트(121)에 안착된 상태에서, 지지 플레이트(121)가 회전되면, 기판(W)도 회전될 수 있다. 이때, 약액이 기판(W)의 중심에 토출되면, 약액은 원심력에 의하여 기판(W)의 외곽까지 퍼질 수 있다.
지지 유닛(120)은 일반적인 기판 세정 장치에 포함된 것일 수 있으므로, 이에 대한 상세한 설명은 생략하기로 한다.
레이저빔 조사 유닛(130)은 기판(W)에서 오염 물질이 위치한 부분에 레이저빔을 조사하고, 기판(W) 상의 오염 물질을 세정할 수 있다. 이를 위한 레이저빔 조사 유닛(130)은 일례로 레이서 생성부(131)와 레이저빔 조사부(132)를 포함할 수 있다.
레이저빔 생성부(131)는 기판(W)의 가장자리(edge)에 고착된 이물질을 효과적으로 제거할 수 있는 펄스폭(pulse width or pulse duration)이 1밀리세컨드 이하인 레이저빔을 발진시킨다.
레이저빔은 기판(W)의 열 손상을 최소화하기 위하여 각 펄스의 에너지가 1J 이하인 것이 바람직할 수 있다. 그리고, 레이저빔은 액체, 특히, 초순수(물)에서 에너지의 흡수가 되지 않고 투과성이 우수하여 레이저빔 에너지의 전달이 가능한 200nm 내지 2000nm 영역의 파장인 것이 바람직할 수 있다. 이와 같은 파장 영역 범위의 레이저빔이 초순수 액체막을 투과하여 기판(W) 에지에 고착된 이물을 가장 효과적으로 제거할 수 있다.
레이저빔 조사부(132)는 레이저빔 생성부(131)에서 생성된 레이저빔을 적절한 형태와 크기로 변환하여 기판(W)에 조사한다. 레이저빔 조사부(132)는 레이저빔을 기판(W)의 가장자리의 이물질이 고착된 부분으로 조사한다. 레이저빔이 레이저빔 조사부(132)에 의하여 기판(W)에 조사되는 각도는 설계에 따라 적절하게 변경될 수 있으므로, 특정 각도로 한정하지는 않는다.
에어로졸 분사 유닛(140)은 기판(W)에서 레이저빔(L)이 조사된 부분에 에어로졸을 분사할 수 있다. 여기서 에어로졸은 일례로 질소(N2)와 탈이온수(DIW)가 혼합된 것일 수 있다. 이러한 에어로졸은 레이저빔(L)에 의해 기판(W)으로부터 박리된 이물질을 포집한다. 즉, 에어로졸은 이물질이 다시 기판(W)에 달라붙는 것을 방지할 수 있다.
그리고, 도면에 도시하지는 않았으나, 기판 세정 장치(100)는 이물질 회수 유닛(미도시)을 포함할 수 있다. 이물질 회수 유닛은 기판(W)에서 박리된 이물질을 진공 흡입 방식으로 흡입하여 외부로 배출시킨다. 이러한 이물질 회수 유닛은 지지 유닛(120)에 인접하게 위치된다. 이물질 회수 유닛은 상기 지지 유닛(120)의 둘레 전체를 감싸도록 설치되고, 지지 유닛(120)에서 비산되는 액체, 에어로졸 및 이물질 등을 회수할 수 있다.
한편, 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 세정 장치(100)는 액체 토출 유닛(110)을 포함할 수 있다.
액체 토출 유닛(110)은 지지 유닛(120)으로 액체를 토출하고, 기판(W)의 표면에 액막이 생성될 수 있게 한다. 이를 위한 액체 토출 유닛(110)은 일례로 저장 탱크(111)와 노즐(112)을 포함할 수 있다. 저장 탱크(111)에 저장된 약액은 펌핑되어 노즐(112)을 통하여 기판(W)에 토출될 수 있다. 액막은 기판(W)의 이물질을 포집하고, 이물질이 비산되는 것을 방지할 수 있다.
한편, 액체 토출 유닛(110)에서 토출되는 약액은 다양한 목적으로 사용될 수 있고, 약액의 일례로 불산(HF), 황산(H3SO4), 질산(HNO3), 인산(H3PO4), 및 SC-1 용액(수산화암모늄(NH4OH), 과산화수소(H2O2) 및 물(H2O)의 혼합액) 등으로 이루어진 그룹에서 선택된 적어도 어느 하나일 수 있다.
그리고, 세정에 사용되는 약액으로는 탈이온수(DIW)가 사용될 수 있고, 건조에 사용되는 가스로는 질소(N2), 이소프로필 알코올(IPA: IsoPropyl Aalcohol) 등이 사용될 수 있다.
이와 같은 액체 토출 유닛(110)은 약액을 기판 중심에 토출시켜서 액막이 기판 전체에 생성될 수 있다. 이와 다르게, 액체 토출 유닛(110)은 약액을 기판의 가장자리(Edge)에 토출시켜서 액막이 기판의 가장자리에 생성되도록 하는 것도 가능할 수 있다.
종래의 기판 세정 장치는 레이저빔만 사용하여 이물질을 제거함으로써, 이물질 회수 유닛이 이물질을 진공 흡입하여 배출시키는 과정에서 발생되는 배기 와류로 인하여 배출되는 이물질이 기판으로 다시 유입되어 기판(W)을 재오염시킬 수 있다. 그러나, 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 세정 장치(100)는 에어로졸 분사 유닛(140)에서 분사된 에어로졸은 이물질을 포집함으로써, 에어로졸을 구성하는 미세한 물입자 자체의 무게 때문에 배기 와류에 의하여 물입자에 포집된 이물질이 기판(W)으로 다시 유입되는 것을 방지할 수 있다.
뿐만 아니라, 기판(W)에 액막을 생성하는 과정을 추가하여 이물질이 기판(W)으로부터 비산되지 않고 더욱 안정적으로 포집되도록 할 수 있다.
한편, 에어로졸 분사 유닛(140)이 에어로졸을 분사하는 속도와 양은 비산되는 이물질이 안정적으로 포집될 수 있을 정도의 분사 속도와 양인 것이 바람직할 수 있다.
전술한 바와 같이 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 세정 장치(100)는 기판(W)으로 에어로졸을 분사하는 에어로졸 분사 유닛(140)을 포함한다. 따라서, 기판(W)에 레이저빔을 조사하고 에어로졸을 사용하여 파티클과 같은 이물질이 포집된 액체를 신속하게 배출함으로써, 기판(W)이 세정과정에서 다시 오염되는 것을 방지할 수 있다. 즉, 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 세정 장치(100)는 종래의 기판 세정 장치와 비교하여 기판의 세정효과를 현저하게 증가시킬 수 있다.
도 4 및 도 5를 참조하면, 본 발명의 다른 일 실시예에 따른 기판 세정 장치(200)는 오염 방지 유닛(150)을 더 포함할 수 있다.
오염 방지 유닛(150)은 기체를 기판(W)으로 분사하여 기판(W)에서 이탈된 이물질에 의해 기판(W)이 다시 오염되는 것을 방지할 수 있다. 상기 오염 방지 유닛(150)은 에어로졸 분사 유닛(140)에 대해 좌우 방향으로 일정 거리 이격되게 위치될 수 있다.
상기 오염 방지 유닛(150)에서 분사되는 기체는 질소일 수 있다. 질소는 비활성 기체로서 다른 기체들과 비교하여 상대적으로 기판(W)과 반응성이 적은 기체이다. 따라서, 질소를 기판(W)에 분사하더라도 기판(W)이나 소자집적층(E)에 영향을 끼치지 않는다.
오염 방지 유닛(150)은 에어로졸이 기판(W)에 분사된 이후에 기판(W)으로 기체를 분사할 수 있다. 이를 위하여, 기판(W)이 회전되는 방향을 기준으로 오염 방지 유닛(150)은 에어로졸 분사 유닛(140)의 후방에 위치될 수 있다.
이에 따라, 에어로졸이 기판(W)의 특정 부분에 분사된 이후에, 기판(W)의 특정 부분은 오염 방지 유닛(150)을 향하여 회전될 수 있다. 그리고, 오염 방지 유닛(150)의 기판(W)의 특정 부분으로 기체를 분사할 수 있다.
이와 같은 본 발명의 다른 일 실시예에 따른 기판 세정 장치(200)는 에어로졸에 포집된 이물질을 오염 방지 유닛(150)에서 분사되는 고속의 기체를 사용하여 기판(W)으로부터 멀어지는 방향으로 신속하게 배출시킬 수 있다. 그러므로, 이물질이 기판(W)에서 신속하게 제거되면서, 기판(W)의 중심부가 이물질에 의해 오염되는 것을 방지할 수 있다.
본 발명의 다른 일 실시예에 따른 기판 세정 장치(200)는 전술한 실시예에 따른 기판 세정 장치(200)와 비교하여 이물질 제거 신뢰성이 더욱 향상될 수 있다.
한편, 본 발명의 다른 일 실시예에 따른 기판 세정 장치(200)는 제어부(160)를 더 포함할 수 있다.
제어부(160)는 상기 액체 토출 유닛(110)이 기판(W)에 액체를 토출하는 과정에서 기판(W) 상에 생성되는 액막의 두께가 목표 두께로 생성되도록 상기 오염 방지 유닛(150)이 기판(W)을 향하여 기체를 분사할 수 있게 한다.
액막이 기판(W) 상에 상대적으로 얇게 생성되어야 하는 경우, 제어부(160)는 오염 방지 유닛(150)으로부터 기체가 고속으로 분사되도록 할 수 있다. 액막이 기판(W) 상에 상대적으로 두껍게 생성되어야 하는 경우, 제어부(160)는 오염 방지 유닛(150)으로부터 기체가 저속으로 분사되도록 할 수 있다.
이에 따라 본 발명의 다른 일 실시예에 따른 기판 세정 장치(200)는 기판(W) 상에 액체 토출 유닛(110)과 제어부(160)를 사용하여 기판(W)의 소자집적층(E)이 보호될 수는 있으면서, 이물질이 고착된 부분에는 안정적으로 세정이 실시될 수 있을 정도의 두께의 액막이 생성되도록 할 수 있다.
이하에서는 전술한 기판 세정 장치(100)로 기판을 세정하는 기판 세정 방법에 대해 설명하기로 한다.
도 6을 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 세정 방법(S100)은 레이저빔 조사 단계 및 에어로졸 분사 단계(S130)를 포함한다.
레이저빔 조사 단계는 기판에서 세정이 필요한 부분에 레이저빔을 조사할 수 있다. 전술한 레이저빔 조사 유닛이 기판으로 레이저빔을 조사할 수 있다.
에어로졸 분사 단계(S130)는 기판에서 레이저빔이 조사된 부분에 에어로졸을 분사할 수 있다. 전술한 에어로졸 분사 유닛이 기판으로 에어로졸을 분사할 수 있다.
한편, 상기 에어로졸 분사 단계(S130)는 상기 레이저빔 조사 단계 이후에 실시되거나, 상기 레이저빔 조사 단계 이전에 실시될 수 있다. 이와 다르게, 상기 레이저빔 조사 단계와 상기 에어로졸 분사 단계(S130)는 동시에 실시되는 것도 가능할 수 있다.
한편, 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 세정 방법(S100)은 액막 생성 단계(S110)를 포함할 수 있다.
액막 생성 단계(S110)는 기판의 표면에 액막을 생성할 수 있다. 상기 액막 생성 단계(S110)는 기판에 액체를 분사한 다음, 기체를 기판으로 분사할 수 있다. 이에 따라, 액막 생성 단계(S110)는 기판 상에 생성되는 액막의 두께가 목표 두께로 생성되도록 할 수 있다. 여기서, 액막의 두께를 조절하기 위하여 기체를 분사하는 별도의 장치를 사용하지 않고, 오염 방지 유닛에서 분사되는 기체를 사용할 수 있다.
도 7을 참조하면, 본 발명의 다른 일 실시예에 따른 기판 세정 방법(S100)은 기체 분사 단계(S140)를 더 포함할 수 있다.
기체 분사 단계(S140)는 기체를 기판으로 분사하여 기판에서 이탈된 이물질에 의해 기판이 다시 오염되는 것을 방지할 수 있다. 기체 분사 단계(S140)는 오염 방지 유닛에서 분사되는 기체를 사용하여 실시될 수 있다. 이러한 기체 분사 단계(S140)에 대한 설명은 오염 방지 유닛을 설명하면서 상세하게 설명하였으므로, 이에 대한 설명은 생략하기로 한다.
이와 같은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 세정 방법(S100)은 전술한 기판 세정 장치에서 설명하였으므로, 이에 대한 상세한 설명은 생략하기로 한다.
이상에서 본 발명의 여러 실시예에 대하여 설명하였으나, 지금까지 참조한 도면과 기재된 발명의 상세한 설명은 단지 본 발명의 예시적인 것으로서, 이는 단지 본 발명을 설명하기 위한 목적에서 사용된 것이지 의미 한정이나 특허청구범위에 기재된 본 발명의 범위를 제한하기 위하여 사용된 것은 아니다. 그러므로 본 기술 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 타 실시예가 가능하다는 점을 이해할 것이다. 따라서, 본 발명의 진정한 기술적 보호 범위는 첨부된 특허청구범위의 기술적 사상에 의해 정해져야 할 것이다.
100, 200: 기판 세정 장치
110: 액체 토출 유닛
120: 지지 유닛
130: 레이저빔 조사 유닛
140: 에어로졸 분사 유닛
150: 오염 방지 유닛
160: 제어부

Claims (13)

  1. 기판을 지지하고, 기판을 회전시키는 지지 유닛;
    기판에 존재하는 오염 물질 제거를 위해 기판 상의 오염 물질 위치 부분으로 레이저빔을 조사하여 기판 상의 오염 물질을 박리시키는 레이저빔 조사 유닛; 및
    레이저빔 조사에 따라 기판에서 박리된 오염 물질을 포집하기 위해 레이저빔이 조사된 부분으로 에어로졸을 분사하는 에어로졸 분사 유닛;을 포함하는 기판 세정 장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 에어로졸은 질소와 탈이온수가 혼합된 것인 기판 세정 장치.
  3. 제1항에 있어서,
    기체를 기판으로 분사하여 기판에서 이탈된 이물질에 의해 기판이 다시 오염되는 것을 방지하는 오염 방지 유닛을 더 포함하는 기판 세정 장치.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 지지 유닛으로 액체를 토출하고, 기판의 표면에 액막이 생성될 수 있게 하는 액체 토출 유닛;을 포함하는 기판 세정 장치.
  5. 제4항에 있어서,
    상기 액체 토출 유닛이 기판에 액체를 토출하는 과정에서 기판 상에 생성되는 액막의 두께가 목표 두께로 생성되도록 기판 상으로 기체를 분사하는 오염 방지 유닛을 제어하는 제어부를 더 포함하는 기판 세정 장치.
  6. 제3항에 있어서,
    상기 오염 방지 유닛은,
    상기 에어로졸 분사 유닛에 대해 좌우 방향으로 일정 거리 이격되게 위치되고, 에어로졸이 기판에 분사된 이후에 기판으로 기체를 분사하는 기판 세정 장치.
  7. 제6항에 있어서,
    상기 오염 방지 유닛에서 분사되는 기체는 질소인 기판 세정 장치.
  8. 제1항 내지 제7항 중 어느 한 항에 따른 기판 세정 장치로 기판을 세정하는 기판 세정 방법에 있어서,
    기판에 존재하는 오염 물질 제거를 위해 기판 상의 오염 물질 위치 부분으로 레이저빔을 조사하여 기판 상의 오염 물질을 박리시키는 레이저빔 조사 단계; 및
    레이저빔 조사에 따라 기판에서 박리된 오염 물질을 포집하기 위해 레이저빔이 조사된 부분으로 에어로졸을 분사하는 에어로졸 분사 단계;를 포함하는 기판 세정 방법.
  9. 제8항에 있어서,
    기체를 기판으로 분사하여 기판에서 이탈된 이물질에 의해 기판이 다시 오염되는 것을 방지하는 기체 분사 단계를 더 포함하는 기판 세정 방법.
  10. 삭제
  11. 삭제
  12. 제8항에 있어서,
    기판의 표면에 액막을 생성하는 액막 생성 단계;를 포함하는 기판 세정 방법.
  13. 제12항에 있어서,
    상기 액막 생성 단계는,
    기판 상에 생성되는 액막의 두께가 목표 두께로 생성되도록, 기판에 액체를 분사한 다음, 기체를 기판으로 분사하는 기판 세정 방법.
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