KR102239543B1 - Positive-type photosensitive resin composition and cured film prepared therefrom - Google Patents

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Abstract

본 발명은 포지티브형 감광성 수지 조성물 및 이로부터 제조된 경화막에 관한 것으로, (1) (1-1) 카복실기 함유 불포화 단량체로부터 유도되는 구성단위를 포함하고, (1-2) 에폭시기를 1개 이상 포함하는 불포화 단량체로부터 유도되는 구성단위, 및 (1-3) 페놀성 수산기를 포함하는 불포화 단량체로부터 유도되는 구성단위로 이루어진 군으로부터 선택된 1종 이상의 구성단위, 및 (1-4) 상기 구성단위 (1-1) 내지 (1-3)과 상이한 불포화 단량체로부터 유도되는 구성단위를 포함하는 공중합체 1종 이상; (2) 감광제; 및 (3) 화학식 1의 화합물을 포함하며, 이러한 본 발명의 포지티브형 감광성 수지 조성물은 고감도 및 우수한 패턴 형성성을 나타내고 스컴(scum) 발생을 가져오지 않아 액정표시장치용 절연막으로 사용될 수 있는 경화막의 제조에 유용하게 사용될 수 있다.The present invention relates to a positive photosensitive resin composition and a cured film prepared therefrom, (1) (1-1) comprising a structural unit derived from a carboxyl group-containing unsaturated monomer, (1-2) one epoxy group At least one structural unit selected from the group consisting of a structural unit derived from an unsaturated monomer containing the above, and (1-3) a structural unit derived from an unsaturated monomer containing a phenolic hydroxyl group, and (1-4) the structural unit One or more copolymers containing structural units derived from unsaturated monomers different from (1-1) to (1-3); (2) photosensitizer; And (3) the compound of Formula 1, and the positive photosensitive resin composition of the present invention exhibits high sensitivity and excellent pattern formation and does not produce scum. It can be usefully used in manufacturing.

Description

포지티브형 감광성 수지 조성물 및 이로부터 제조된 경화막 {POSITIVE-TYPE PHOTOSENSITIVE RESIN COMPOSITION AND CURED FILM PREPARED THEREFROM}Positive photosensitive resin composition and cured film prepared therefrom {POSITIVE-TYPE PHOTOSENSITIVE RESIN COMPOSITION AND CURED FILM PREPARED THEREFROM}

본 발명은 포지티브형 감광성 수지 조성물 및 이로부터 제조된 경화막에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 액정표시장치(liquid crystal display; LCD)의 박막 트랜지스터(thin film transistor; TFT) 어레이의 층간 절연막 재료로서 유용하게 사용될 수 있는 포지티브형 감광성 수지 조성물 및 이로부터 제조된 경화막에 관한 것이다.
The present invention relates to a positive photosensitive resin composition and a cured film prepared therefrom, and more particularly, useful as an interlayer insulating film material of a thin film transistor (TFT) array of a liquid crystal display (LCD). It relates to a positive photosensitive resin composition that can be used and a cured film prepared therefrom.

액정표시장치에 사용되는 TFT 기판은, TFT 소자와 화소 전극을 형성하는 투명 도전막 사이에, TFT 어레이 소자를 보호하기 위한 층간 절연막을 가지며, 절연막에는 TFT 어레이의 드레인 전극과 투명 도전막에 의해 형성되는 배선을 접속하기 위한 컨택 홀(contact hole)이 형성되는데, 이를 위해 절연막은 높은 광투과도, 화학적 안정성 및 우수한 층간 부착력을 가질 것이 요구된다.A TFT substrate used in a liquid crystal display device has an interlayer insulating film for protecting the TFT array element between a transparent conductive film forming a TFT element and a pixel electrode, and the insulating film is formed by a drain electrode of a TFT array and a transparent conductive film. A contact hole is formed for connecting the wiring to be formed. For this purpose, the insulating film is required to have high light transmittance, chemical stability, and excellent interlayer adhesion.

이러한 층간 절연막의 소재로 포지티브(positive)형과 네가티브(negative)형 감광성 수지 조성물이 사용된다.As a material for such an interlayer insulating film, a positive type and a negative type photosensitive resin composition are used.

알칼리 가용성 수지와 1,2-퀴논디아지드 화합물을 포함하는 종래의 포지티브형 감광성 조성물의 노광, 현상후의 후경화(hard bake)시, 그리고 자외선과 같은 단파장 흡수시 열분해되어 착색현상을 일으키거나 불순물을 발생시켜 액정표시장치에서 잔상이 유발되는 문제가 있었다. The conventional positive photosensitive composition containing an alkali-soluble resin and a 1,2-quinonediazide compound is thermally decomposed to cause coloration or impurities during exposure, post-development hard bake, and absorption of short wavelengths such as ultraviolet rays. There was a problem in which an afterimage was caused in the liquid crystal display device.

이에 따라, 보다 개선된 물성을 갖는 포지티브형 감광성 수지 조성물에 대한 연구가 다양하게 수행된 바 있다(한국공개특허 제10-2004-0078554호, 한국특허 제10-0758867호, 및 일본공개특허 제2004-286968호 참조). 그러나, 이러한 감광성 수지 조성물은 비교적 높은 투명성을 달성하였지만, 감도면에 있어서 만족스러운 것은 아니었다. 또한 감광성 수지 조성물로부터 코팅, 노광 및 현상을 통해 원하는 패턴을 갖는 경화막 형성시, 형성된 패턴에 대해 스컴(scum)이 자주 발생하여 액정표시장치용 절연막으로 사용할 경우 광학특성을 저하시키는 문제가 있었다.
Accordingly, various studies have been conducted on a positive photosensitive resin composition having improved physical properties (Korean Patent Publication No. 10-2004-0078554, Korean Patent No. 10-0758867, and Japanese Patent Publication No. 2004. -286968). However, although this photosensitive resin composition achieved relatively high transparency, it was not satisfactory in terms of sensitivity. In addition, when forming a cured film having a desired pattern through coating, exposure, and development from a photosensitive resin composition, scum often occurs in the formed pattern, and thus there is a problem of deteriorating optical properties when used as an insulating film for a liquid crystal display device.

한국공개특허 제10-2004-0078554호Korean Patent Publication No. 10-2004-0078554 한국특허 제10-0758867호Korean Patent No. 10-0758867 일본공개특허 제2004-286968호Japanese Patent Publication No. 2004-286968

따라서, 본 발명의 목적은 고감도를 확보할 뿐만 아니라 우수한 패턴 형성성을 나타내고 스컴(scum) 발생이 없는 포지티브형 감광성 수지 조성물, 및 이로부터 제조된 경화막을 제공하는 것이다.
Accordingly, an object of the present invention is to provide a positive photosensitive resin composition that not only secures high sensitivity, but also exhibits excellent pattern formation and does not generate scum, and a cured film prepared therefrom.

상기 목적을 달성하기 위하여 본 발명은 In order to achieve the above object, the present invention

(1) (1-1) 카복실기 함유 불포화 단량체로부터 유도되는 구성단위를 포함하고, (1-2) 에폭시기를 1개 이상 포함하는 불포화 단량체로부터 유도되는 구성단위, 및 (1-3) 페놀성 수산기를 포함하는 불포화 단량체로부터 유도되는 구성단위로 이루어진 군으로부터 선택된 1종 이상의 구성단위, 및 (1-4) 상기 구성단위 (1-1) 내지 (1-3)과 상이한 불포화 단량체로부터 유도되는 구성단위를 포함하는 공중합체 1종 이상;(1) (1-1) a structural unit derived from an unsaturated monomer containing a carboxyl group, (1-2) a structural unit derived from an unsaturated monomer containing one or more epoxy groups, and (1-3) a phenolic At least one structural unit selected from the group consisting of structural units derived from an unsaturated monomer containing a hydroxyl group, and (1-4) a configuration derived from an unsaturated monomer different from the structural units (1-1) to (1-3) At least one type of copolymer containing units;

(2) 감광제(photoactive compound); 및(2) photoactive compounds; And

(3) 하기 화학식 1의 화합물(3) a compound of the following formula (1)

을 포함하는 감광성 수지 조성물을 제공한다:It provides a photosensitive resin composition comprising:

Figure 112013078550913-pat00001
Figure 112013078550913-pat00001

상기 식에서, In the above formula,

X는 할로겐이고;X is halogen;

n은 0 내지 4의 정수이고;n is an integer from 0 to 4;

Y는 OH, SH 또는 NH2이고;Y is OH, SH or NH 2 ;

R은 C1-C6 알킬렌 또는 카르보닐기로 중단되는 C1-C6 알킬렌이고;R is C 1 -C 6 C 1 is interrupted by an alkylene group, or -C 6 alkylene;

상기 알킬렌 중의 수소는 페놀기로 치환될 수 있다.
Hydrogen in the alkylene may be substituted with a phenol group.

본 발명의 포지티브형 감광성 수지 조성물은 고감도를 확보할 뿐만 아니라 우수한 패턴 형성성을 나타내고 스컴(scum) 발생을 가져오지 않아 액정표시장치용 절연막으로 사용될 수 있는 경화막의 제조에 유용하게 사용될 수 있다.
The positive photosensitive resin composition of the present invention not only secures high sensitivity, but also exhibits excellent pattern formation and does not cause scum, so it can be usefully used in the manufacture of a cured film that can be used as an insulating film for a liquid crystal display.

본 발명에 따른 포지티브형 감광성 수지 조성물은 (1) (1-1) 카복실기 함유 불포화 단량체로부터 유도되는 구성단위를 포함하고, (1-2) 에폭시기를 1개 이상 포함하는 불포화 단량체로부터 유도되는 구성단위, 및 (1-3) 페놀성 수산기를 포함하는 불포화 단량체로부터 유도되는 구성단위로 이루어진 군으로부터 선택된 1종 이상의 구성단위, 및 (1-4) 상기 구성단위 (1-1) 내지 (1-3)과 상이한 불포화 단량체로부터 유도되는 구성단위를 포함하는 공중합체 1종 이상; (2) 감광제(photoactive compound); 및 (3) 상기 화학식 1의 화합물을 포함하며, 필요에 따라, (4) 에폭시계 화합물; (5) 용매; 및 (6) 기타 성분으로서 (6-1) 계면활성제 및/또는 (6-2) 실란 커플링제를 추가로 포함할 수 있다.
The positive photosensitive resin composition according to the present invention comprises (1) (1-1) a structural unit derived from an unsaturated monomer containing a carboxyl group, and (1-2) a constitution derived from an unsaturated monomer containing at least one epoxy group Unit, and (1-3) at least one structural unit selected from the group consisting of a structural unit derived from an unsaturated monomer containing a phenolic hydroxyl group, and (1-4) the structural units (1-1) to (1- At least one copolymer comprising a structural unit derived from an unsaturated monomer different from 3); (2) photoactive compounds; And (3) the compound of Formula 1, and if necessary, (4) an epoxy-based compound; (5) solvent; And (6) as other components (6-1) a surfactant and/or (6-2) a silane coupling agent.

이하, 본 발명의 구성 성분에 대하여 구체적으로 설명한다.
Hereinafter, the constituent components of the present invention will be described in detail.

(1) 공중합체(1) copolymer

본 발명에서는 공중합체가 1종 이상 사용되며, 본 발명에 사용되는 공중합체는 (1-1) 카복실기 함유 불포화 단량체로부터 유도되는 구성단위를 포함하고, (1-2) 에폭시기를 1개 이상 포함하는 불포화 단량체로부터 유도되는 구성단위, 및 (1-3) 페놀성 수산기를 포함하는 불포화 단량체로부터 유도되는 구성단위로 이루어진 군으로부터 선택된 1종 이상의 구성단위, 및 (1-4) 상기 구성단위 (1-1) 내지 (1-3)과 상이한 불포화 단량체로부터 유도되는 구성단위를 포함한다.
In the present invention, one or more copolymers are used, and the copolymer used in the present invention includes a structural unit derived from an unsaturated monomer containing (1-1) a carboxyl group, and (1-2) contains one or more epoxy groups. Constituent units derived from unsaturated monomers, and (1-3) at least one constituent unit selected from the group consisting of constituent units derived from unsaturated monomers containing phenolic hydroxyl groups, and (1-4) the constituent units (1 Constituent units derived from unsaturated monomers different from -1) to (1-3) are included.

(1-1) 카복실기 함유 불포화 단량체로부터 유도되는 구성단위(1-1) Constituent units derived from unsaturated monomers containing carboxyl groups

상기 카복실기 함유 불포화 단량체는 불포화 모노카복실산, 불포화 디카복실산 및 불포화 트리카복실산 등과 같이 분자 중에 1개 이상의 카복실기를 갖는 불포화 다가 카복실산 등의 불포화 카복실산을 예시할 수 있다. 상기 불포화 모노카복실산으로서는, 예컨대 (메트)아크릴산, 크로톤산, α-클로로아크릴산, 신남산 등을 들 수 있다. 이중에서 현상성의 면에서 (메트)아크릴산이 바람직하고, 메타크릴산이 중합적인 측면에서 보다 바람직하다.The carboxyl group-containing unsaturated monomer may be an unsaturated carboxylic acid such as an unsaturated polyhydric carboxylic acid having one or more carboxyl groups in a molecule such as an unsaturated monocarboxylic acid, an unsaturated dicarboxylic acid, and an unsaturated tricarboxylic acid. Examples of the unsaturated monocarboxylic acid include (meth)acrylic acid, crotonic acid, α-chloroacrylic acid, and cinnamic acid. Among them, (meth)acrylic acid is preferable from the viewpoint of developability, and methacrylic acid is more preferable from the viewpoint of polymerization.

상기 (1-1) 카복실기 함유 불포화 단량체로부터 유도되는 구성단위의 함량은 공중합체 총 중량에 대하여 1 내지 50 중량%, 바람직하게는 3 내지 45 중량%일 수 있다. 상기 범위이면 노광 감도가 향상되며 양호한 현상성을 유지할 수 있다.
The content of the structural unit derived from the (1-1) carboxyl group-containing unsaturated monomer may be 1 to 50% by weight, preferably 3 to 45% by weight, based on the total weight of the copolymer. In this range, exposure sensitivity is improved and good developability can be maintained.

(1-2) 에폭시기를 1개 이상 포함하는 불포화 단량체로부터 유도되는 구성단위(1-2) Constituent units derived from unsaturated monomers containing at least one epoxy group

본 발명에서 구성단위 (1-2)는 에폭시기를 1개 이상 포함하는 불포화 단량체로부터 유도되며, 에폭시기를 1개 이상 포함하는 불포화 단량체의 구체적인 예로는 글리시딜(메트)아크릴레이트, 4-히드록시부틸(메트)아크릴레이트글리시딜에테르, 3,4-에폭시부틸(메트)아크릴레이트, 4,5-에폭시펜틸(메트)아크릴레이트, 5,6-에폭시헥실(메트)아크릴레이트, 6,7-에폭시헵틸(메트)아크릴레이트, 2,3-에폭시시클로펜틸(메트)아크릴레이트, 3,4-에폭시시클로헥실(메트)아크릴레이트, α-에틸글리시딜아크릴레이트, α-n-프로필글리시딜아크릴레이트, α-n-부틸글리시딜아크릴레이트, N-(4-(2,3-에폭시프로폭시)-3,5-디메틸벤질)아크릴아미드, N-(4-2,3-에폭시프로폭시)-3,5-디메틸페닐프로필)아크릴아미드, 알릴글리시딜에테르, 2-메틸알릴글리시딜에테르 및 이들의 혼합물을 들 수 있으며, 바람직하게는 상온 보관안정성 및 용해성의 면에서 글리시딜(메트)아크릴레이트, 4-히드록시부틸(메트)아크릴레이트글리시딜에테르 및 이들의 혼합물을 들 수 있다. In the present invention, the structural unit (1-2) is derived from an unsaturated monomer containing at least one epoxy group, and specific examples of the unsaturated monomer containing at least one epoxy group include glycidyl (meth)acrylate, 4-hydroxy Butyl (meth)acrylate glycidyl ether, 3,4-epoxybutyl (meth)acrylate, 4,5-epoxypentyl (meth)acrylate, 5,6-epoxyhexyl (meth)acrylate, 6,7 -Epoxyheptyl (meth)acrylate, 2,3-epoxycyclopentyl (meth)acrylate, 3,4-epoxycyclohexyl (meth)acrylate, α-ethylglycidyl acrylate, α-n-propylgly Cidylacrylate, α-n-butylglycidylacrylate, N-(4-(2,3-epoxypropoxy)-3,5-dimethylbenzyl)acrylamide, N-(4-2,3- Epoxypropoxy)-3,5-dimethylphenylpropyl)acrylamide, allyl glycidyl ether, 2-methyl allyl glycidyl ether, and mixtures thereof, preferably in terms of room temperature storage stability and solubility. And glycidyl (meth)acrylate, 4-hydroxybutyl (meth)acrylate glycidyl ether, and mixtures thereof.

상기 (1-2) 에폭시기를 1개 이상 포함하는 불포화 단량체로부터 유도되는 구성단위의 함량은 공중합체 총 중량에 대하여 5 내지 45 중량%, 바람직하게는 10 내지 40 중량%일 수 있다. 상기 범위이면 조성물의 저장안정성이 유지되고, 후경화후 잔막률 향상에 유리하다.
The content of the constituent unit derived from the unsaturated monomer containing at least one (1-2) epoxy group may be 5 to 45% by weight, preferably 10 to 40% by weight, based on the total weight of the copolymer. If it is within the above range, the storage stability of the composition is maintained, and it is advantageous to improve the residual film rate after post curing.

(1-3) 페놀성 수산기를 포함하는 불포화 단량체로부터 유도되는 구성단위(1-3) Constituent units derived from unsaturated monomers containing phenolic hydroxyl groups

상기 페놀성 수산기를 포함하는 불포화 단량체로부터 유도되는 구성단위는 하기 화학식 2로 나타낼 수 있다:The structural unit derived from the unsaturated monomer containing the phenolic hydroxyl group can be represented by the following formula (2):

Figure 112013078550913-pat00002
Figure 112013078550913-pat00002

상기 식에서, In the above formula,

R1은 수소, C1-C6 알킬, 할로겐 또는 시아노이고;R 1 is hydrogen, C 1 -C 6 alkyl, halogen or cyano;

R2는 C1-C6 알킬이고, a는 0 내지 4의 정수이며, a가 2 이상의 정수인 경우 복수의 R2는 서로 동일하거나 상이할 수 있고;R 2 is C 1 -C 6 alkyl, a is an integer of 0 to 4, and when a is an integer of 2 or more, a plurality of R 2 may be the same or different from each other;

b는 1 내지 5의 정수이고, a와 b의 합은 1 내지 5의 정수이며;b is an integer from 1 to 5, and the sum of a and b is an integer from 1 to 5;

Y는 단일결합 또는 C1-C6 알킬렌이고;Y is a single bond or C 1 -C 6 alkylene;

상기 알킬 및 알킬렌은 하나 이상의 할로겐, 니트로, C1-C6 알콕시 또는 C6-C12 아릴로 치환될 수 있다. The alkyl and alkylene may be substituted with one or more halogen, nitro, C 1 -C 6 alkoxy or C 6 -C 12 aryl.

페놀성 수산기를 포함하는 불포화 단량체의 구체적인 예로는 p-히드록시페닐(메트)아크릴레이트, m-히드록시페닐(메트)아크릴레이트, p-히드록시페닐메틸(메트)아크릴레이트, p-히드록시페닐메틸-α-클로로아크릴레이트, m-히드록시페닐메틸(메트)아크릴레이트, 2-(p-히드록시페닐)에틸(메트)아크릴레이트, 2-(p-히드록시페닐)에틸-α-트리플루오로메틸아크릴레이트, 2-(p-히드록시페닐)에틸-α-클로로아크릴레이트, 2-(p-히드록시페닐)에틸-α-브로모아크릴레이트, 2-(p-히드록시페닐)에틸-α-시아노아크릴레이트, 2-(m-히드록시페닐)에틸(메트)아크릴레이트, 2-(3,5-디히드록시페닐)에틸(메트)아크릴레이트, 2-(3,5-디메틸-4-히드록시페닐)에틸(메트)아크릴레이트, 1-(p-히드록시페닐)-1-메틸에틸(메트)아크릴레이트, 1-(m-히드록시페닐)-1-메틸에틸(메트)아크릴레이트, 1-(3,5-디히드록시페닐)-1-메틸에틸(메트)아크릴레이트 및 이들의 혼합물을 들 수 있다. Specific examples of unsaturated monomers containing a phenolic hydroxyl group include p-hydroxyphenyl (meth)acrylate, m-hydroxyphenyl (meth)acrylate, p-hydroxyphenylmethyl (meth)acrylate, p-hydroxy Phenylmethyl-α-chloroacrylate, m-hydroxyphenylmethyl (meth)acrylate, 2-(p-hydroxyphenyl)ethyl (meth)acrylate, 2-(p-hydroxyphenyl)ethyl-α- Trifluoromethylacrylate, 2-(p-hydroxyphenyl)ethyl-α-chloroacrylate, 2-(p-hydroxyphenyl)ethyl-α-bromoacrylate, 2-(p-hydroxyphenyl )Ethyl-α-cyanoacrylate, 2-(m-hydroxyphenyl)ethyl(meth)acrylate, 2-(3,5-dihydroxyphenyl)ethyl(meth)acrylate, 2-(3, 5-Dimethyl-4-hydroxyphenyl)ethyl(meth)acrylate, 1-(p-hydroxyphenyl)-1-methylethyl(meth)acrylate, 1-(m-hydroxyphenyl)-1-methyl Ethyl (meth)acrylate, 1-(3,5-dihydroxyphenyl)-1-methylethyl (meth)acrylate, and mixtures thereof.

상기 (1-3) 페놀성 수산기를 포함하는 불포화 단량체로부터 유도되는 구성단위의 함량은 공중합체 총 중량에 대하여 5 내지 70 중량%, 바람직하게는 15 내지 65 중량%일 수 있다. 상기 범위이면 높은 패턴 형성성과 고감도를 구현할 수 있다.
The content of the constituent units derived from the (1-3) unsaturated monomer containing a phenolic hydroxyl group may be 5 to 70% by weight, preferably 15 to 65% by weight, based on the total weight of the copolymer. Within the above range, high pattern formation and high sensitivity can be implemented.

(1-4) 상기 구성단위 (1-1) 내지 (1-3)과 상이한 불포화 단량체로부터 유도되는 구성단위(1-4) A structural unit derived from an unsaturated monomer different from the structural units (1-1) to (1-3)

상기 구성단위 (1-1) 내지 (1-3)과 상이한 불포화 단량체의 구체적인 예로는 N-메틸말레이미드, N-에틸말레이미드, N-프로필말레이미드, N-이소프로필말레이미드, N-부틸말레이미드, N-이소부틸말레이미드, N-t-부틸말레이미드, N-시클로헥실말레이미드, N-벤질말레이미드, Ｎ-페닐말레이미드, N-클로로페닐말레이미드, N-메틸페닐말레이미드, N-브로모페닐말레이미드, N-메톡시페닐말레이미드, N-카복시페닐말레이미드, N-니트로페닐말레이미드, N-나프틸말레이미드와 같은 N-치환 말레이미드; 메틸(메트)아크릴레이트, 에틸(메트)아크릴레이트, 부틸(메트)아크릴레이트, 디메틸아미노에틸(메트)아크릴레이트, 이소부틸(메트)아크릴레이트, t-부틸(메트)아크릴레이트, 시클로헥실(메트)아크릴레이트, 에틸헥실(메트)아크릴레이트, 테트라히드로퍼프릴(메트)아크릴레이트, 히드록시에틸(메트)아크릴레이트, 2-히드록시프로필(메트)아크릴레이트, 2-히드록시-3-클로로프로필(메트)아크릴레이트, 4-히드록시부틸(메트)아크릴레이트, 디메틸아미노에틸(메트)아크릴레이트, 글리세롤(메트)아크릴레이트, 메틸 α-히드록시메틸아크릴레이트, 에틸 α-히드록시메틸아크릴레이트, 프로필 α-히드록시메틸아크릴레이트, 부틸 α-히드록시메틸아크릴레이트, 2-메톡시에틸(메트)아크릴레이트, 3-메톡시부틸(메트)아크릴레이트, 에톡시디에틸렌글리콜(메트)아크릴레이트, 메톡시트리에틸렌글리콜(메트)아크릴레이트, 메톡시트리프로필렌글리콜(메트)아크릴레이트, 폴리(에틸렌글리콜)메틸에테르(메트)아크릴레이트, 테트라플루오로프로필(메트)아크릴레이트, 1,1,1,3,3,3-헥사플루오로이소프로필(메트)아크릴레이트, 옥타플루오로펜틸(메트)아크릴레이트, 헵타데카플루오로데실(메트)아크릴레이트, 이소보닐(메트)아크릴레이트, 디시클로펜타닐(메트)아크릴레이트, 디시클로펜테닐(메트)아크릴레이트, 디시클로펜타닐옥시에틸(메트)아크릴레이트, 디시클로펜테닐옥시에틸(메트)아크릴레이트 및 부티로락톤(메트)아크릴레이트를 포함하는 불포화 카복실산 에스테르류; N-비닐피롤리돈, N-비닐카바졸 및 N-비닐모폴린과 같은 N-비닐을 포함하는 N-비닐 삼차아민류; 비닐메틸에테르 및 비닐에틸에테르를 포함하는 불포화 에테르류를 들 수 있다. 상기 예시된 화합물로부터 유도되는 구성단위는 단독으로 또는 2종 이상 조합되어 공중합체에 포함될 수 있다.Specific examples of unsaturated monomers different from the structural units (1-1) to (1-3) include N-methylmaleimide, N-ethylmaleimide, N-propylmaleimide, N-isopropylmaleimide, and N-butyl Maleimide, N-isobutylmaleimide, Nt-butylmaleimide, N-cyclohexylmaleimide, N-benzylmaleimide, N-phenylmaleimide, N-chlorophenylmaleimide, N-methylphenylmaleimide, N- N-substituted maleimide such as bromophenylmaleimide, N-methoxyphenylmaleimide, N-carboxyphenylmaleimide, N-nitrophenylmaleimide, and N-naphthylmaleimide; Methyl (meth)acrylate, ethyl (meth)acrylate, butyl (meth)acrylate, dimethylaminoethyl (meth)acrylate, isobutyl (meth)acrylate, t-butyl (meth)acrylate, cyclohexyl ( Meth)acrylate, ethylhexyl (meth)acrylate, tetrahydrofurpril (meth)acrylate, hydroxyethyl (meth)acrylate, 2-hydroxypropyl (meth)acrylate, 2-hydroxy-3- Chloropropyl (meth)acrylate, 4-hydroxybutyl (meth)acrylate, dimethylaminoethyl (meth)acrylate, glycerol (meth)acrylate, methyl α-hydroxymethyl acrylate, ethyl α-hydroxymethyl Acrylate, propyl α-hydroxymethyl acrylate, butyl α-hydroxymethyl acrylate, 2-methoxyethyl (meth) acrylate, 3-methoxybutyl (meth) acrylate, ethoxydiethylene glycol (meth) Acrylate, methoxytriethylene glycol (meth)acrylate, methoxytripropylene glycol (meth)acrylate, poly(ethylene glycol)methyl ether (meth)acrylate, tetrafluoropropyl (meth)acrylate, 1, 1,1,3,3,3-hexafluoroisopropyl (meth)acrylate, octafluoropentyl (meth)acrylate, heptadecafluorodecyl (meth)acrylate, isobornyl (meth)acrylate, Dicyclopentanyl (meth)acrylate, dicyclopentenyl (meth)acrylate, dicyclopentanyloxyethyl (meth)acrylate, dicyclopentenyloxyethyl (meth)acrylate and butyrolactone (meth)acrylate Unsaturated carboxylic acid esters containing; N-vinyl tertiary amines including N-vinyl such as N-vinylpyrrolidone, N-vinylcarbazole and N-vinylmorpholine; And unsaturated ethers including vinyl methyl ether and vinyl ethyl ether. Constituent units derived from the above-exemplified compounds may be included in the copolymer alone or in combination of two or more.

상기 (1-1) 내지 (1-3)과 상이한 불포화 단량체로부터 유도되는 구성단위(1-4)의 함량은 공중합체 총 중량에 대하여 10 내지 70 중량%, 바람직하게는 15 내지 65 중량%일 수 있다. 상기 범위이면 패턴 형성성이 우수하다.
The content of the constituent unit (1-4) derived from an unsaturated monomer different from the above (1-1) to (1-3) is 10 to 70% by weight, preferably 15 to 65% by weight, based on the total weight of the copolymer. I can. If it is the above range, pattern formation is excellent.

본 발명에서, (메트)아크릴이란 아크릴 및/또는 메타크릴을, (메트)아크릴레이트란 아크릴레이트 및/또는 메타크릴레이트를 말한다. In the present invention, (meth)acrylic refers to acrylic and/or methacrylic, and (meth)acrylate refers to acrylate and/or methacrylate.

또한, 본 발명에 사용되는 공중합체는 500 내지 50,000, 바람직하게는 1,000 내지 50,000, 더욱 바람직하게는 3,000 내지 30,000의 중량평균분자량을 가질 수 있다. 상기 범위의 중량평균분자량을 가지는 경우 기판에의 부착성이 향상되며, 우수한 물리적 성질 및 내화학성을 가진다. 상기 중량평균분자량은 겔 투과 크로마토그래피(gel permeation chromatography; GPC, 테트라히드로퓨란을 용출용매로 함)로 측정한 폴리스티렌 환산의 중량평균분자량을 말한다.In addition, the copolymer used in the present invention may have a weight average molecular weight of 500 to 50,000, preferably 1,000 to 50,000, more preferably 3,000 to 30,000. When it has a weight average molecular weight in the above range, adhesion to the substrate is improved, and excellent physical properties and chemical resistance are obtained. The weight average molecular weight refers to a weight average molecular weight in terms of polystyrene measured by gel permeation chromatography (GPC, using tetrahydrofuran as an elution solvent).

본 발명에 사용되는 공중합체는 공지의 방법으로 합성될 수 있다.The copolymer used in the present invention can be synthesized by a known method.

상기 공중합체 또는 공중합체 혼합물의 함량은 잔부량의 용매를 제외한 감광성 수지 조성물 전체 중량에 대하여 50 내지 95 중량%, 바람직하게는 60 내지 85 중량%일 수 있다. 상기의 범위이면 현상후의 패턴 현상이 양호하고, 잔막률 및 내화학성 등의 특성이 향상된다.
The content of the copolymer or copolymer mixture may be 50 to 95% by weight, preferably 60 to 85% by weight, based on the total weight of the photosensitive resin composition excluding the remaining amount of the solvent. Within the above range, pattern development after development is good, and properties such as a film residual rate and chemical resistance are improved.

(2) 감광제(2) photosensitizer

본 발명의 감광성 수지 조성물은 상기 감광제로서 g, h, i-선(ray)에 감응하는 퀴논디아지드계 감광제를 포함할 수 있으며, 상기 퀴논디아지드계 감광제는 방사선의 조사에 의해 카복실산을 발생하는 1,2-퀴논디아지드 화합물이고, 페놀성 화합물 또는 알코올성 화합물(이하, 「모핵」이라 함)과 1,2-나프토퀴논디아지드술폰산할라이드의 축합물을 사용할 수 있다.The photosensitive resin composition of the present invention may include a quinone diazide photosensitive agent sensitive to g, h, i-rays as the photosensitive agent, and the quinone diazide photosensitive agent generates carboxylic acid by irradiation with radiation. It is a 1,2-quinone diazide compound, and a condensation product of a phenolic compound or an alcoholic compound (hereinafter referred to as "mother core") and a 1,2-naphthoquinone diazide sulfonic acid halide can be used.

상기 모핵으로서는, 예를 들면 트리히드록시벤조페논, 테트라히드록시벤조페논, 펜타히드록시벤조페논, 헥사히드록시벤조페논 또는 (폴리히드록시페닐)알칸 등일 수 있다.Examples of the parent nucleus may be trihydroxybenzophenone, tetrahydroxybenzophenone, pentahydroxybenzophenone, hexahydroxybenzophenone or (polyhydroxyphenyl)alkane.

이들의 구체적인 예로는, 예를 들면 트리히드록시벤조페논으로서 2,3,4-트리히드록시벤조페논, 2,4,6-트리히드록시벤조페논 등; 테트라히드록시벤조페논으로서, 2,2',4,4'-테트라히드록시벤조페논, 2,3,4,3'-테트라히드록시벤조페논, 2,3,4,4'-테트라히드록시벤조페논, 2,3,4,2'-테트라히드록시-4'-메틸벤조페논, 2,3,4,4'-테트라히드록시-3'-메톡시벤조페논 등; 펜타히드록시벤조페논으로서, 2,3,4,2',6'-펜타히드록시벤조페논 등; 헥사히드록시벤조페논으로서 2,4,6,3',4',5'-헥사히드록시벤조페논, 3,4,5,3',4',5'-헥사히드록시벤조페논 등; (폴리히드록시페닐)알칸으로서, 비스(2,4-디히드록시페닐)메탄, 비스(p-히드록시페닐)메탄, 트리(p-히드록시페닐)메탄, 1,1,1-트리(p-히드록시페닐)에탄, 비스(2,3,4-트리히드록시페닐)메탄, 2,2-비스(2,3,4-트리히드록시페닐)프로판, 1,1,3-트리스(2,5-디메틸-4-히드록시페닐)-3-페닐프로판, 4,4'-[1-[4-[1-[4-히드록시페닐]-1-메틸에틸]페닐]에틸리덴]비스페놀, 비스(2,5-디메틸-4-히드록시페닐)-2-히드록시페닐메탄, 3,3,3',3'-테트라메틸-1,1'스피로비인덴-5,6,7,5',6',7'-헥산올, 2,2,4-트리메틸-7,2',4'-트리히드록시프로판 등; 그 밖의 모핵으로서, 2-메틸-2-(2,4-디히드록시페닐)-4-(4-히드록시페닐)-7-히드록시크로멘, 2-[비스{(5-이소프로필-4-히드록시-2-메틸)페닐}메틸]벤젠, 1-[1-(3-{1-(4-히드록시페닐)-1-메틸에틸}-4,6-디히드록시페닐)-1-메틸에틸]-3-(1-(3-{1-(4-히드록시페닐)-1-메틸에틸}-4,6-디히드록시페닐)-1-메틸에틸)벤젠, 4,6-비스{1-(4-히드록시페닐)-1-메틸에틸}-1,3-디히드록시벤젠일 수 있다. Specific examples of these include, for example, trihydroxybenzophenone as 2,3,4-trihydroxybenzophenone, 2,4,6-trihydroxybenzophenone, and the like; As tetrahydroxybenzophenone, 2,2',4,4'-tetrahydroxybenzophenone, 2,3,4,3'-tetrahydroxybenzophenone, 2,3,4,4'-tetrahydroxy Benzophenone, 2,3,4,2'-tetrahydroxy-4'-methylbenzophenone, 2,3,4,4'-tetrahydroxy-3'-methoxybenzophenone, and the like; As pentahydroxybenzophenone, 2,3,4,2',6'- pentahydroxybenzophenone, etc.; 2,4,6,3',4',5'-hexahydroxybenzophenone, 3,4,5,3',4',5'-hexahydroxybenzophenone, etc. as hexahydroxybenzophenone; As (polyhydroxyphenyl)alkane, bis(2,4-dihydroxyphenyl)methane, bis(p-hydroxyphenyl)methane, tri(p-hydroxyphenyl)methane, 1,1,1-tri( p-hydroxyphenyl)ethane, bis(2,3,4-trihydroxyphenyl)methane, 2,2-bis(2,3,4-trihydroxyphenyl)propane, 1,1,3-tris( 2,5-dimethyl-4-hydroxyphenyl)-3-phenylpropane, 4,4'-[1-[4-[1-[4-hydroxyphenyl]-1-methylethyl]phenyl]ethylidene] Bisphenol, bis(2,5-dimethyl-4-hydroxyphenyl)-2-hydroxyphenylmethane, 3,3,3',3'-tetramethyl-1,1'spirobiindene-5,6,7 ,5',6',7'-hexanol, 2,2,4-trimethyl-7,2',4'-trihydroxypropane, etc.; As other parent nuclei, 2-methyl-2-(2,4-dihydroxyphenyl)-4-(4-hydroxyphenyl)-7-hydroxychromen, 2-[bis{(5-isopropyl- 4-hydroxy-2-methyl)phenyl}methyl]benzene, 1-[1-(3-{1-(4-hydroxyphenyl)-1-methylethyl}-4,6-dihydroxyphenyl)- 1-methylethyl]-3-(1-(3-{1-(4-hydroxyphenyl)-1-methylethyl}-4,6-dihydroxyphenyl)-1-methylethyl)benzene, 4, 6-bis{1-(4-hydroxyphenyl)-1-methylethyl}-1,3-dihydroxybenzene.

또한, 상기 예시한 모핵의 에스테르 결합을 아미드 결합으로 변경한 1,2-나프토퀴논디아지드술폰산아미드류, 예를 들면 2,3,4-트리히드록시벤조페논-1,2-나프토퀴논디아지드-4-술폰산아미드 등도 바람직하게 사용된다. In addition, 1,2-naphthoquinone diazide sulfonic acid amides in which the ester bond of the parent nucleus is changed to an amide bond, for example, 2,3,4-trihydroxybenzophenone-1,2-naphthoquinone Diazide-4-sulfonic acid amide and the like are also preferably used.

또한, 1,2-나프토퀴논디아지드술폰산할라이드로는, 1,2-나프토퀴논디아지드술폰산클로라이드가 바람직하고, 그 구체적인 예로는 1,2-나프토퀴논디아지드-4-술폰산클로라이드 및 1,2-나프토퀴논디아지드-5-술폰산클로라이드를 들 수 있다. 이 중, 1,2-나프토퀴논디아지드-5-술폰산클로라이드를 사용하는 것이 바람직하다.In addition, 1,2-naphthoquinone diazide sulfonic acid halide is preferably 1,2-naphthoquinone diazide sulfonic acid chloride, and specific examples thereof include 1,2-naphthoquinone diazide-4-sulfonic acid chloride and 1,2-naphthoquinone diazide-5-sulfonic acid chloride. Among these, it is preferable to use 1,2-naphthoquinonediazide-5-sulfonic acid chloride.

축합 반응에 사용하는 모핵과 1,2-나프토퀴논디아지드술폰산할라이드의 사용량은 모핵 1 몰에 대하여 1,2-나프토퀴논디아지드술폰산할라이드 1.0 내지 6.0 몰, 바람직하게는 1.0 내지 5.0 몰일 수 있다. 축합 반응은 공지된 방법에 의해 실시할 수 있다.The amount of the parent nucleus and 1,2-naphthoquinone diazide sulfonic acid halide used in the condensation reaction may be 1.0 to 6.0 moles, preferably 1.0 to 5.0 moles, of 1,2-naphthoquinone diazide sulfonic acid halide per 1 mole of the parent nucleus. have. The condensation reaction can be carried out by a known method.

상기 퀴논디아지드계 감광제는 고감도, 높은 잔막률 측면에서, 하기 화학식 3으로 표시되는 화합물일 수 있다:The quinone diazide photosensitive agent may be a compound represented by the following Formula 3 in terms of high sensitivity and high film residual rate:

Figure 112013078550913-pat00003
Figure 112013078550913-pat00003

상기 식에서, In the above formula,

R은 각각 독립적으로 수소, 또는 하기 화학식 3a 또는 3b의 화합물이고, 이중에서 적어도 하나는 화학식 3a 또는 3b의 화합물이다.Each R is independently hydrogen or a compound of the following formula 3a or 3b, of which at least one is a compound of formula 3a or 3b.

[화학식 3a][Formula 3a]

Figure 112013078550913-pat00004
Figure 112013078550913-pat00004

[화학식 3b][Formula 3b]

Figure 112013078550913-pat00005
Figure 112013078550913-pat00005

상기 감광제는 공중합체 100 중량부(고형분 함량기준)에 대하여 0.5 내지 40 중량부, 바람직하게는 10 내지 30 중량부의 양으로 사용할 수 있다. 상기 범위에서 우수한 현상후 잔막율, 감도 및 현상성을 발휘할 수 있다.
The photosensitizer may be used in an amount of 0.5 to 40 parts by weight, preferably 10 to 30 parts by weight, based on 100 parts by weight of the copolymer (based on solid content). In the above range, excellent post-development film retention rate, sensitivity, and developability can be exhibited.

(3) 화학식 1의 화합물(3) compound of formula 1

본 발명에 사용되는 화학식 1의 화합물은 하기 구조를 가지며, 바람직하게는 4-히드록시페닐아세트산 또는 3-(4-히드록시페닐)프로피온산일 수 있다.The compound of Formula 1 used in the present invention has the following structure, and may preferably be 4-hydroxyphenylacetic acid or 3-(4-hydroxyphenyl)propionic acid.

[화학식 1][Formula 1]

Figure 112013078550913-pat00006
Figure 112013078550913-pat00006

상기 식에서, In the above formula,

X는 할로겐이고;X is halogen;

n은 0 내지 4의 정수이고;n is an integer from 0 to 4;

Y는 OH, SH 또는 NH2이고;Y is OH, SH or NH 2 ;

R은 C1-C6 알킬렌 또는 카르보닐기로 중단되는 C1-C6 알킬렌이고;R is C 1 -C 6 C 1 is interrupted by an alkylene group, or -C 6 alkylene;

상기 알킬렌 중의 수소는 페놀기로 치환될 수 있다.Hydrogen in the alkylene may be substituted with a phenol group.

R의 정의 중 "카르보닐기로 중단되는 C1-C6 알킬렌"은 주쇄에 카르보닐기를 갖는(카르보닐기가 개재된) C1-C6 알킬렌을 의미한다.Definition of the R "C 1 -C 6 alkylene which is interrupted by a carbonyl group" are (with a carbonyl group interposed therebetween) with a carbonyl group in the main chain and C 1 -C 6 alkylene means.

상기 화학식 1의 화합물은 공중합체 100 중량부(고형분 함량기준)에 대하여 1 내지 35 중량부, 바람직하게는 2 내지 15 중량부의 양으로 사용할 수 있다. 상기 범위에서 우수한 감도 및 스컴 개선을 발휘할 수 있다. The compound of Formula 1 may be used in an amount of 1 to 35 parts by weight, preferably 2 to 15 parts by weight, based on 100 parts by weight of the copolymer (based on solid content). In the above range, excellent sensitivity and scum improvement can be exhibited.

화학식 1의 화합물로서는 4-히드록시페닐아세트산 또는 3-(4-히드록시페닐)프로피온산이 감도면에서 바람직하다.
As the compound of Formula 1, 4-hydroxyphenylacetic acid or 3-(4-hydroxyphenyl)propionic acid is preferable from the viewpoint of sensitivity.

(4) 에폭시계 화합물(4) Epoxy compound

본 발명에 사용되는 에폭시계 화합물은 하기 화학식 4의 반복단위를 포함하는 화합물이다:The epoxy-based compound used in the present invention is a compound containing a repeating unit represented by the following formula (4):

Figure 112013078550913-pat00007
Figure 112013078550913-pat00007

상기 식에서, In the above formula,

R5는 수소 또는 C1-C4 알킬이고; R 5 is hydrogen or C 1 -C 4 alkyl;

R6는 C1-C10 알킬렌, 페닐렌, C3-C10 시클로알킬렌, C3-C10 헤테로시클로알킬렌 또는 C2-C10 헤테로알킬렌이며, 상기 R6는 하나 이상의 히드록시기로 치환될 수 있다.R 6 is C 1 -C 10 alkylene, phenylene, C 3 -C 10 cycloalkylene, C 3 -C 10 heterocycloalkylene or C 2 -C 10 heteroalkylene, wherein R 6 is at least one hydroxy group Can be substituted with

본 발명에서 사용되는 "헤테로알킬렌"이라는 용어는 다른 언급이 없으면 사슬 내에 O, S, N 중에서 선택된 하나 이상의 헤테로원자를 함유하는 알킬렌을 의미한다. The term "heteroalkylene" used in the present invention means an alkylene containing one or more heteroatoms selected from O, S, and N in the chain unless otherwise stated.

상기 화학식 4에서 R5의 구체적인 예로는 수소, 메틸, 에틸, 프로필, n-부틸, 이소부틸 및 tert-부틸 등을 들 수 있으며, 바람직하게는 수소 또는 메틸일 수 있다. Specific examples of R 5 in Formula 4 may include hydrogen, methyl, ethyl, propyl, n-butyl, isobutyl, and tert-butyl, and preferably hydrogen or methyl.

R6의 구체적인 예로는 메틸렌, 에틸렌, 프로필렌, 부틸렌, 펜틸렌, 헥실렌, 헵틸렌, 옥틸렌, 노닐렌, 데실렌, -C2H4-O-C2H4-, -C4H8-O-C4H8-, -C4H8-O-CH3-, -C4H8-O-C2H4-, -C2H4-O-CH3-, -C2H4-COO-C2H4-, -C4H8-COO-C4H8-, -C4H8-COO-CH3-, -C4H8-COO-C2H4-, -C2H4-COO-CH3-, -C2H4-OCONH-C2H4-, 및 -C2H4-CH(OH)-C2H4- 등을 들 수 있으며, 바람직하게는 메틸렌 또는 -C4H8-O-CH3-일 수 있다. Specific examples of R 6 include methylene, ethylene, propylene, butylene, pentylene, hexylene, heptylene, octylene, nonylene, decylene, -C 2 H 4 -OC 2 H 4 -, -C 4 H 8 -OC 4 H 8 -, -C 4 H 8 -O-CH 3 -, -C 4 H 8 -OC 2 H 4 -, -C 2 H 4 -O-CH 3 -, -C 2 H 4 -COO -C 2 H 4 -, -C 4 H 8 -COO-C 4 H 8 -, -C 4 H 8 -COO-CH 3 -, -C 4 H 8 -COO-C 2 H 4 -, -C 2 H 4 -COO-CH 3 -, -C 2 H 4 -OCONH-C 2 H 4 -, and -C 2 H 4 -CH(OH)-C 2 H 4 -, and the like, preferably methylene Or -C 4 H 8 -O-CH 3 -.

본 발명에 사용되는 화학식 4의 반복단위를 포함하는 에폭시계 화합물의 중량평균분자량은 1,000 내지 9,000, 바람직하게는 1,000 내지 7,000, 더욱 바람직하게는 2,000 내지 5,000일 수 있다. 상기 범위의 중량평균분자량을 가지는 경우 부착성이 향상되며, 우수한 내화학성을 가진다. 상기 중량평균분자량은 겔 투과 크로마토그래피(gel permeation chromatography; GPC, 테트라히드로퓨란을 용출용매로 함)로 측정한 폴리스티렌 환산의 중량평균분자량을 말한다.The weight average molecular weight of the epoxy-based compound including the repeating unit of Formula 4 used in the present invention may be 1,000 to 9,000, preferably 1,000 to 7,000, more preferably 2,000 to 5,000. When it has a weight average molecular weight in the above range, adhesion is improved and has excellent chemical resistance. The weight average molecular weight refers to a weight average molecular weight in terms of polystyrene measured by gel permeation chromatography (GPC, using tetrahydrofuran as an elution solvent).

상기 에폭시계 화합물은 알려져 있는 방법으로 합성될 수 있다. 또한, 화학식 4의 반복단위에 대해서 불포화 카르복실산 에스테르 화합물 또는 이미드 화합물로부터 유도되는 반복단위를 0.9 내지 0.3 대 0.1 내지 0.7의 몰비로 갖는 에폭시계 화합물일 수도 있다. 이들 불포화 카르복실산 에스테르 화합물 또는 이미드 화합물은 메틸(메트)아크릴레이트, 에틸(메트)아크릴레이트, 부틸(메트)아크릴레이트 등의 알킬(메트)아크릴레이트류, 스티렌류, N-위치 치환말레이드류 중에서 선택되는 1종 이상일 수 있다.The epoxy-based compound can be synthesized by a known method. In addition, it may be an epoxy compound having a molar ratio of 0.9 to 0.3 to 0.1 to 0.7 of a repeating unit derived from an unsaturated carboxylic acid ester compound or an imide compound with respect to the repeating unit of Formula 4. These unsaturated carboxylic acid ester compounds or imide compounds are alkyl (meth)acrylates such as methyl (meth)acrylate, ethyl (meth)acrylate, and butyl (meth)acrylate, styrene, N-position substituted male It may be one or more selected from Drew.

상기 에폭시계 화합물은 공중합체 100 중량부(고형분 함량기준)에 대하여 0.5 내지 30 중량부, 바람직하게는 2 내지 25 중량부의 양으로 사용할 수 있다. 상기 범위이면 우수한 잔막율 및 내화학성을 구현할 수 있다.
The epoxy-based compound may be used in an amount of 0.5 to 30 parts by weight, preferably 2 to 25 parts by weight, based on 100 parts by weight of the copolymer (based on solid content). If it is within the above range, excellent film remaining rate and chemical resistance may be implemented.

(5) 용매(5) solvent

본 발명의 감광성 수지 조성물은 통상적인 방법에 의해 제조될 수 있으며, 바람직하게는 상기한 성분들을 용매와 혼합한 액상 조성물로 제조될 수 있다. 본 발명에 따른 감광성 수지 조성물에 있어서, 용매의 함유량은 특별히 한정되지 않지만, 얻어지는 감광성 수지 조성물의 도포성, 안정성 등의 관점에서, 조성물 총 중량을 기준으로 고형분 함량이 5 내지 70 중량%, 바람직하게는 10 내지 50 중량%가 되도록 용매를 포함할 수 있다. The photosensitive resin composition of the present invention may be prepared by a conventional method, and preferably may be prepared as a liquid composition in which the above-described components are mixed with a solvent. In the photosensitive resin composition according to the present invention, the content of the solvent is not particularly limited, but from the viewpoint of coating properties, stability, etc. of the obtained photosensitive resin composition, the solid content is 5 to 70% by weight, preferably based on the total weight of the composition. May include a solvent so as to be 10 to 50% by weight.

상기에서 고형분이란 본 발명의 조성물에서 용매를 제거한 것을 의미한다.In the above, the solid content means removing the solvent from the composition of the present invention.

이러한 용매의 구체적인 예로는 에틸렌글리콜모노메틸에테르아세테이트, 에틸렌글리콜모노에틸에테르아세테이트 등의 에틸렌글리콜모노알킬에테르아세테이트류; 프로필렌글리콜모노메틸에테르, 프로필렌글리콜모노에틸에테르, 프로필렌글리콜모노프로필에테르, 프로필렌글리콜모노부틸에테르 등의 프로필렌글리콜모노알킬에테르류; 프로필렌글리콜디메틸에테르, 프로필렌글리콜디에틸에테르, 프로필렌글리콜디프로필에테르, 프로필렌글리콜디부틸에테르 등의 프로필렌글리콜디알킬에테르류; 디프로필렌글리콜디메틸에테르 등의 디프로필렌글리콜디알킬에테르류; 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트, 프로필렌글리콜모노에틸에테르아세테이트, 프로필렌글리콜모노프로필에테르아세테이트, 프로필렌글리콜모노부틸에테르아세테이트 등의 프로필렌글리콜모노알킬에테르아세테이트류; 에틸셀로솔브, 부틸셀로솔브 등의 셀로솔브류; 부틸카르비톨 등의 카르비톨류; 락트산 메틸, 락트산 에틸, 락트산 n-프로필, 락트산 이소프로필 등의 락트산 에스테르류; 아세트산 에틸, 아세트산 n-프로필, 아세트산 이소프로필, 아세트산 n-부틸, 아세트산 이소부틸, 아세트산 n-아밀, 아세트산 이소아밀, 프로피온산 이소프로필, 프로피온산 n-부틸, 프로피온산 이소부틸 등의 지방족 카복실산 에스테르류; 3-메톡시프로피온산메틸, 3-메톡시프로피온산에틸, 3-에톡시프로피온산메틸, 3-에톡시프로피온산에틸, 피루브산메틸, 피루브산에틸 등의 에스테르류; 톨루엔, 크실렌 등의 방향족 탄화수소류; 2-헵타논, 3-헵타논, 4-헵타논, 시클로헥사논 등의 케톤류; N-디메틸포름아미드, N-메틸아세트아미드, N,N-디메틸아세트아미드, N-메틸피롤리돈 등의 아미드류; γ-부티로락톤 등의 락톤류; 및 이들의 혼합물을 들 수 있다. 이 중에서도 디프로필렌글리콜디메틸에테르, 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트, 3-메톡시프로피온산 메틸이 도막성이 양호하고 안정성이 높다는 관점에서 보다 바람직하다.
Specific examples of such a solvent include ethylene glycol monoalkyl ether acetates such as ethylene glycol monomethyl ether acetate and ethylene glycol monoethyl ether acetate; Propylene glycol monoalkyl ethers such as propylene glycol monomethyl ether, propylene glycol monoethyl ether, propylene glycol monopropyl ether, and propylene glycol monobutyl ether; Propylene glycol dialkyl ethers such as propylene glycol dimethyl ether, propylene glycol diethyl ether, propylene glycol dipropyl ether, and propylene glycol dibutyl ether; Dipropylene glycol dialkyl ethers such as dipropylene glycol dimethyl ether; Propylene glycol monoalkyl ether acetates such as propylene glycol monomethyl ether acetate, propylene glycol monoethyl ether acetate, propylene glycol monopropyl ether acetate, and propylene glycol monobutyl ether acetate; Cellosolves such as ethyl cellosolve and butyl cellosolve; Carbitols such as butyl carbitol; Lactic acid esters such as methyl lactate, ethyl lactate, n-propyl lactate, and isopropyl lactate; Aliphatic carboxylic acid esters such as ethyl acetate, n-propyl acetate, isopropyl acetate, n-butyl acetate, isobutyl acetate, n-amyl acetate, isoamyl acetate, isopropyl propionate, n-butyl propionate, and isobutyl propionate; Esters such as methyl 3-methoxypropionate, ethyl 3-methoxypropionate, methyl 3-ethoxypropionate, ethyl 3-ethoxypropionate, methyl pyruvate, and ethyl pyruvate; Aromatic hydrocarbons such as toluene and xylene; Ketones such as 2-heptanone, 3-heptanone, 4-heptanone, and cyclohexanone; Amides such as N-dimethylformamide, N-methylacetamide, N,N-dimethylacetamide, and N-methylpyrrolidone; lactones such as γ-butyrolactone; And mixtures thereof. Among these, dipropylene glycol dimethyl ether, propylene glycol monomethyl ether acetate, and methyl 3-methoxypropionate are more preferable from the viewpoint of good coating properties and high stability.

(6) 기타 성분(6) Other ingredients

본 발명은 감광성 수지 조성물의 특성을 개선하기 위하여 기타 성분들을 추가로 포함할 수 있다. 상기 기타 성분들로는 예컨대, (6-1) 계면활성제 및/또는 (6-2) 실란 커플링제 등을 들 수 있다.
The present invention may further include other components to improve the properties of the photosensitive resin composition. Examples of the other components include (6-1) surfactant and/or (6-2) silane coupling agent.

(6-1) 계면활성제(6-1) surfactant

본 발명의 포지티브형 감광성 수지 조성물은 필요에 따라, 코팅성 향상 및 결점 생성 방지 효과를 위해 계면활성제를 추가로 포함할 수 있다. 상기 계면활성제의 종류는 특별히 한정되지 않으나, 바람직하게는 불소계 계면활성제, 실리콘계 계면활성제, 비이온계 계면활성제 및 그 밖의 계면활성제를 들 수 있다. 상기 계면활성제의 예로는 BM-1000, BM-1100(BM CHEMIE사 제조), 메가팩 F142 D, 메가팩 F172, 메가팩 F173, 메가팩 F183, F-470, F-471, F-475, F-482, F-489(다이닛뽄잉크 가가꾸고교(주)제조), 플로라드 FC-135, 플로라드 FC-170C, 플로라드 FC-430, 플로라드 FC-431(스미또모 스리엠(주) 제조), 서프론 S-112, 서프론 S-113, 서프론 S-131, 서프론 S-141, 서프론 S-145, 서프론 S-382, 서프론 SC-101, 서프론 SC-102, 서프론 SC-103, 서프론 SC-104, 서프론 SC-105, 서프론 SC-106(아사히 가라스(주) 제조), 에프톱 EF301, 에프톱 303, 에프톱 352(신아끼따 가세이(주) 제조), SH-28 PA, SH-190, SH-193, SZ-6032, SF-8428, DC-57, DC-190(도레 실리콘(주) 제조), DC 3PA, DC7PA, SH11PA, SH21PA, SH8400, GE, FZ-2100, FZ-2110, FZ-2122, FZ-2222, FZ-2233(다우코닝도레이 실리콘사(주)제조), TSF-4440, TSF-4300, TSF-4445, TSF-4446, TSF-4460, TSF-4452(도시바 실리콘사(주)제조), 및 BYK-333(BYK사(주) 제조) 등의 불소계 및 실리콘계 계면활성제; 폴리옥시에틸렌라우릴에테르, 폴리옥시 에틸렌스테아릴에테르, 폴리옥시에틸렌올레일에테르 등의 폴리옥시에틸렌알킬에테르류, 폴리옥시에틸렌옥틸페닐에테르, 폴리옥시에틸렌노닐페닐에테르 등의 폴리옥시에틸렌아릴에테르류, 및 폴리옥시에틸렌디라우레이트, 폴리옥시에틸렌디스테아레이트 등의 폴리옥시에틸렌디알킬에스테르류 등의 비이온계 계면활성제; 및 오르가노실록산 폴리머 KP341(신에쓰 가가꾸고교(주) 제조), (메트)아크릴산계 공중합체 폴리플로우 No. 57, 95(교에이샤유지 가가꾸고교(주) 제조) 등을 들 수 있다. 이들은 단독으로 또는 2종 이상을 조합하여 사용할 수 있다. If necessary, the positive photosensitive resin composition of the present invention may further include a surfactant to improve coating properties and prevent defects. The type of the surfactant is not particularly limited, but preferably, a fluorine-based surfactant, a silicone-based surfactant, a nonionic surfactant, and other surfactants are mentioned. Examples of the surfactants include BM-1000, BM-1100 (manufactured by BM CHEMIE), Megapack F142 D, Megapack F172, Megapack F173, Megapack F183, F-470, F-471, F-475, F -482, F-489 (manufactured by Dai Nippon Ink Chemicals, Inc.), Florade FC-135, Florade FC-170C, Florade FC-430, Florade FC-431 (Sumitomo 3M Co., Ltd.) Manufacture), Suffron S-112, Suffron S-113, Suffron S-131, Suffron S-141, Suffron S-145, Suffron S-382, Suffron SC-101, Suffron SC-102 , Surfron SC-103, Surfron SC-104, Surfron SC-105, Surfron SC-106 (manufactured by Asahi Glass Co., Ltd.), Ftop EF301, Ftop 303, Ftop 352 (Shin Akita Kasei Co., Ltd.), SH-28 PA, SH-190, SH-193, SZ-6032, SF-8428, DC-57, DC-190 (manufactured by Toray Silicon Co., Ltd.), DC 3PA, DC7PA, SH11PA, SH21PA, SH8400, GE, FZ-2100, FZ-2110, FZ-2122, FZ-2222, FZ-2233 (manufactured by Dow Corning Toray Silicon Co., Ltd.), TSF-4440, TSF-4300, TSF-4445, TSF Fluorine-based and silicone-based surfactants such as -4446, TSF-4460, TSF-4452 (manufactured by Toshiba Silicon Corporation), and BYK-333 (manufactured by BYK Corporation); Polyoxyethylene alkyl ethers such as polyoxyethylene lauryl ether, polyoxyethylene stearyl ether, and polyoxyethylene oleyl ether, and polyoxyethylene aryl ethers such as polyoxyethylene octylphenyl ether and polyoxyethylene nonylphenyl ether And nonionic surfactants such as polyoxyethylene dialkyl esters such as polyoxyethylene dilaurate and polyoxyethylene distearate; And organosiloxane polymer KP341 (manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.), (meth)acrylic acid-based copolymer polyflow No. 57, 95 (manufactured by Kyoeisha Yuji Kagaku High School Co., Ltd.), and the like. These can be used alone or in combination of two or more.

상기 계면활성제는 공중합체 100 중량부(고형분 함량기준)에 대하여 0.001 내지 5 중량부, 바람직하게는 0.05 내지 3 중량부의 양으로 사용할 수 있다. 상기 범위에서 조성물의 코팅이 원활해진다.
The surfactant may be used in an amount of 0.001 to 5 parts by weight, preferably 0.05 to 3 parts by weight, based on 100 parts by weight of the copolymer (based on solid content). In the above range, the coating of the composition becomes smooth.

(6-2) 실란 커플링제(6-2) Silane coupling agent

본 발명에 따른 감광성 수지 조성물은 도막과 기판과의 밀착성을 향상시키기 위해 실란 커플링제를 접착조제로서 추가로 포함할 수 있다. 이러한 실란 커플링제는 예를 들면, 카복실기, 메타크릴로일기, 이소시아네이트기, 에폭시기, 이미다졸기, 티올기, 아민기 등의 반응성 치환기를 가질 수 있다. 실란 커플링제의 구체적인 예로는 트리메톡시실릴벤조산, γ-메타크릴옥시프로필트리메톡시실란, 비닐트리아세톡시실란, 비닐트리메톡시실란, γ-이소시아네이토프로필트리에톡시실란, γ-글리시독시프로필트리메톡시실란, γ-글리시독시프로필트리에톡시실란, β-(3,4-에폭시시클로헥실)에틸트리메톡시실란, N-페닐-3-아미노프로필트리에톡시실란 및 이들의 혼합물을 들 수 있다. The photosensitive resin composition according to the present invention may further include a silane coupling agent as an adhesive agent in order to improve adhesion between the coating film and the substrate. Such a silane coupling agent may have, for example, a reactive substituent such as a carboxyl group, a methacryloyl group, an isocyanate group, an epoxy group, an imidazole group, a thiol group, or an amine group. Specific examples of the silane coupling agent include trimethoxysilylbenzoic acid, γ-methacryloxypropyltrimethoxysilane, vinyltriacetoxysilane, vinyltrimethoxysilane, γ-isocyanatopropyltriethoxysilane, γ- Glycidoxypropyltrimethoxysilane, γ-glycidoxypropyltriethoxysilane, β-(3,4-epoxycyclohexyl)ethyltrimethoxysilane, N-phenyl-3-aminopropyltriethoxysilane, and And mixtures thereof.

상기 실란 커플링제는 공중합체 혼합물 100 중량부(고형분 함량기준)에 대하여 0.001 내지 5 중량부, 바람직하게는 0.05 내지 3 중량부의 양으로 사용할 수 있다. 상기 범위에서 기판과의 접착력이 양호해진다.The silane coupling agent may be used in an amount of 0.001 to 5 parts by weight, preferably 0.05 to 3 parts by weight, based on 100 parts by weight of the copolymer mixture (based on solid content). In the above range, the adhesion to the substrate becomes good.

이 외에도, 본 발명의 감광성 수지 조성물은 물성을 해하지 않는 범위 내에서, 용해촉진제, 증감제, 산화방지제, 광 안정제(자외선 흡수제) 등의 기타의 첨가제를 포함할 수 있다.
In addition, the photosensitive resin composition of the present invention may contain other additives such as a dissolution accelerator, a sensitizer, an antioxidant, and a light stabilizer (ultraviolet absorber) within a range that does not harm physical properties.

또한, 본 발명은 상기 포지티브형 감광성 수지 조성물을 이용하여 제조된 경화막을 제공한다.In addition, the present invention provides a cured film prepared by using the positive photosensitive resin composition.

상기 경화막은 당 기술분야에 알려져 있는 방법, 예컨대 기재 위에 상기 포지티브형 감광성 수지 조성물을 도포한 후 경화하는 과정을 거쳐 제조할 수 있다. 보다 구체적으로, 상기 경화는 기재 위에 도포된 조성물을 예컨대, 60 내지 130℃에서 60 내지 130초간 예비 경화(pre-bake)하여 용매를 제거한 후, 원하는 패턴이 형성된 포토마스크를 이용하여 노광하고 현상액(예: 테트라메틸암모늄하이드로옥사이드 용액(TMAH))으로 현상함으로써 코팅층에 패턴을 형성할 수 있다. 이후, 패턴화된 코팅층을 필요에 따라 예컨대 10분 내지 5시간 동안 150 내지 300℃에서 후경화(post-bake)하여 목적하는 경화막을 제조할 수 있다. 상기 노광은 200 내지 450 nm의 파장대에서 20 내지 200 mJ/㎠의 노광량으로 수행할 수 있다.The cured film may be prepared by a method known in the art, for example, applying the positive photosensitive resin composition on a substrate and then curing it. More specifically, in the curing, the composition applied on the substrate is pre-bake at 60 to 130° C. for 60 to 130 seconds to remove the solvent, and then exposed using a photomask having a desired pattern, and a developer ( Example: A pattern can be formed on the coating layer by developing with tetramethylammonium hydroxide solution (TMAH)). Thereafter, if necessary, the patterned coating layer may be post-bake at 150 to 300° C. for 10 minutes to 5 hours to prepare a desired cured film. The exposure may be performed at an exposure amount of 20 to 200 mJ/cm 2 in a wavelength range of 200 to 450 nm.

이와 같이, 본 발명에 따른 포지티브형 감광성 수지 조성물을 사용하여 경화막을 형성하면, 우수한 패턴 형성성을 나타내고 스컴(scum) 발생을 갖지 않는 경화막을 고감도로 달성할 수 있다.As described above, when a cured film is formed using the positive photosensitive resin composition according to the present invention, a cured film having excellent pattern formation properties and no scum generation can be achieved with high sensitivity.

본 발명에 따라 제조된 경화막은 우수한 물성에 기인하여 액정표시장치의 층간 절연막으로서 유용하게 사용될 수 있다. 따라서, 본 발명은 상기 경화막으로 이루어진 절연막을 포함하는 전자부품을 제공한다.
The cured film prepared according to the present invention can be usefully used as an interlayer insulating film of a liquid crystal display device due to its excellent physical properties. Accordingly, the present invention provides an electronic component including an insulating film made of the cured film.

이하, 하기 실시예에 의하여 본 발명을 좀 더 상세하게 설명하고자 한다. 단, 하기 실시예는 본 발명을 예시하기 위한 것일 뿐 본 발명의 범위가 이들만으로 한정되는 것은 아니다.Hereinafter, the present invention will be described in more detail by the following examples. However, the following examples are for illustrative purposes only, and the scope of the present invention is not limited thereto.

하기 제조예에 기재된 중량평균분자량은 겔 투과 크로마토그래피(GPC)에 의해 측정한 폴리스티렌 환산값이다.
The weight average molecular weight described in the following preparation examples is a polystyrene conversion value measured by gel permeation chromatography (GPC).

제조예 1: 공중합체 A-1의 제조Preparation Example 1: Preparation of Copolymer A-1

냉각관 및 교반기를 구비한 플라스크에 용매로서 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트 200 중량부를 넣고 천천히 교반하면서 용매의 온도를 70℃로 상승시킨 후, 여기에 메타크릴산 13.5 중량부, 글리시딜메타크릴레이트 31.0 중량부, 스티렌 13.6 중량부, 메틸메타크릴레이트 32.3 중량부 및 이소보닐메타크릴레이트 9.7 중량부를 첨가하고, 이어서 라디칼 중합개시제로서의 2,2'-아조비스(2,4-디메틸발레로니트릴) 3 중량부를 5시간에 걸쳐 적가하여 중합반응을 수행하였다. 얻어진 공중합체 A-1(고형분 농도 = 30 중량%)의 중량평균분자량은 9,800이었다.
Add 200 parts by weight of propylene glycol monomethyl ether acetate as a solvent to a flask equipped with a cooling tube and a stirrer, and slowly increase the temperature of the solvent to 70°C while stirring, and then 13.5 parts by weight of methacrylic acid, glycidyl methacrylate. 31.0 parts by weight, 13.6 parts by weight of styrene, 32.3 parts by weight of methyl methacrylate and 9.7 parts by weight of isobornyl methacrylate were added, followed by 2,2'-azobis (2,4-dimethylvaleronitrile) as a radical polymerization initiator 3 parts by weight was added dropwise over 5 hours to carry out polymerization. The weight average molecular weight of the obtained copolymer A-1 (solid content concentration = 30% by weight) was 9,800.

제조예 2: 공중합체 A-2의 제조Preparation Example 2: Preparation of Copolymer A-2

냉각관 및 교반기를 구비한 플라스크에 용매로서 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트 200 중량부를 넣고 천천히 교반하면서 용매의 온도를 70℃로 상승시킨 후, 여기에 메타크릴산 4.4 중량부, p-히드록시페닐메틸메타크릴레이트 52.2 중량부, 메틸메타크릴레이트 35.2 중량부 및 이소보닐메타크릴레이트 8.1 중량부를 첨가하고, 이어서 라디칼 중합개시제로서의 2,2'-아조비스(2,4-디메틸발레로니트릴) 3 중량부를 5시간에 걸쳐 적가하여 중합반응을 수행하였다. 얻어진 공중합체 A-2(고형분 농도 = 30 중량%)의 중량평균분자량은 12,700이었다.
In a flask equipped with a cooling tube and a stirrer, 200 parts by weight of propylene glycol monomethyl ether acetate as a solvent was added, and the temperature of the solvent was raised to 70° C. while slowly stirring, followed by 4.4 parts by weight of methacrylic acid and p-hydroxyphenylmethyl. 52.2 parts by weight of methacrylate, 35.2 parts by weight of methyl methacrylate, and 8.1 parts by weight of isobornyl methacrylate were added, followed by 3 parts by weight of 2,2'-azobis (2,4-dimethylvaleronitrile) as a radical polymerization initiator Part was added dropwise over 5 hours to carry out polymerization. The weight average molecular weight of the obtained copolymer A-2 (solid content concentration = 30% by weight) was 12,700.

제조예 3: 공중합체 A-3의 제조Preparation Example 3: Preparation of Copolymer A-3

메타크릴산 14.9 중량부, 글리시딜메타크릴레이트 25.7 중량부, p-히드록시페닐메틸메타크릴레이트 18.6 중량부, 스티렌 31.8 중량부 및 감마부티로락톤메타크릴레이트 8.9 중량부를 사용한 것을 제외하고는, 상기 제조예 1과 동일한 방법으로 공중합체 A-3(고형분 농도: 30 중량%, 중량평균분자량: 10,400)를 제조하였다.
Except for using 14.9 parts by weight of methacrylic acid, 25.7 parts by weight of glycidyl methacrylate, 18.6 parts by weight of p-hydroxyphenylmethyl methacrylate, 31.8 parts by weight of styrene, and 8.9 parts by weight of gamma butyrolactone methacrylate , Copolymer A-3 (solid content concentration: 30% by weight, weight average molecular weight: 10,400) was prepared in the same manner as in Preparation Example 1.

제조예 4: 에폭시계 화합물 C-1의 제조Preparation Example 4: Preparation of epoxy compound C-1

냉각관 및 교반기를 구비한 플라스크에 글리시딜메타크릴레이트 100 중량부와 용매로서 3-메톡시프로피온산 메틸 195 중량부를 넣고 질소를 투입한 후 천천히 교반하면서 용매의 온도를 60℃로 상승시켰다. 광중합 개시제로서의 아조비스이소부티로니트릴을 3 중량부 첨가한 후 온도를 유지하며 2시간에 걸쳐 중합 반응을 수행하여 중량평균분자량이 3,500이고, 고형분 함량이 34.5 중량%인 하기 화학식 5의 반복단위를 갖는 화합물 C-1을 얻었다.In a flask equipped with a cooling tube and a stirrer, 100 parts by weight of glycidyl methacrylate and 195 parts by weight of methyl 3-methoxypropionate as a solvent were added, and nitrogen was added thereto, and the temperature of the solvent was raised to 60° C. while stirring slowly. After adding 3 parts by weight of azobisisobutyronitrile as a photopolymerization initiator, the polymerization reaction was carried out over 2 hours while maintaining the temperature to obtain a repeating unit of the following formula (5) having a weight average molecular weight of 3,500 and a solid content of 34.5% by weight. Having compound C-1 was obtained.

Figure 112013078550913-pat00008
Figure 112013078550913-pat00008

실시예 1Example 1

(1) 제조예 1에서 제조한 공중합체 A-1 70중량부(고형분 함량)와 제조예 2에서 제조한 공중합체 A-2 30중량부(고형분 함량)의 혼합물, (2) 퀴논디아지드계 감광제(MIPHOTO TPA523, 미원상사제) 18.6중량부(고형분 함량), (3) 화학식 1의 화합물(a: 4-히드록시페닐아세트산) 3중량부(고형분 함량), (4) 제조예 4에서 제조한 에폭시계 화합물 C-1 13중량부(고형분 함량), (5) 계면활성제(FZ-2122, 다우코닝도레이사 실리콘사제) 0.15중량부(고형분 함량), 및 (6) 실란 커플링제(KBE-9007, 신에츠 실리콘사제) 0.22중량부(고형분 함량)를 용매인 3-메톡시프로피온산 메틸(MMP) 340중량부와 2시간 동안 혼합하여 액상 형태인 감광성 수지 조성물을 제조하였다.
(1) A mixture of 70 parts by weight (solid content) of the copolymer A-1 prepared in Preparation Example 1 and 30 parts by weight (solid content) of the copolymer A-2 prepared in Preparation Example 2, (2) quinone diazide type Photosensitizer (MIPHOTO TPA523, manufactured by Miwon Corporation) 18.6 parts by weight (solid content), (3) compound of formula 1 (a: 4-hydroxyphenylacetic acid) 3 parts by weight (solid content), (4) prepared in Preparation Example 4 13 parts by weight (solid content) of one epoxy compound C-1, (5) 0.15 parts by weight (solid content) of surfactant (FZ-2122, manufactured by Dow Corning Toray Silicone Co., Ltd.), and (6) silane coupling agent (KBE- 9007, manufactured by Shin-Etsu Silicone Co.) 0.22 parts by weight (solid content) was mixed with 340 parts by weight of methyl 3-methoxypropionate (MMP) as a solvent for 2 hours to prepare a liquid photosensitive resin composition.

실시예 2 내지 7 및 비교예 1 내지 4Examples 2 to 7 and Comparative Examples 1 to 4

하기 표 1과 같이 각각의 성분의 종류 및 함량(중량부)을 변경한 것 이외에는, 실시예 1과 동일한 방법으로 감광성 수지 조성물을 제조하였다.A photosensitive resin composition was prepared in the same manner as in Example 1, except that the type and content (parts by weight) of each component were changed as shown in Table 1 below.

공중합체Copolymer 감광제Photosensitizer 화학식1및 기타 화합물Formula 1 and other compounds 에폭시계 화합물Epoxy compound 계면활성제Surfactants 실란 커플링제Silane coupling agent 실시예 1Example 1 A-1A-1 7070 18.618.6 aa 33 1313 0.150.15 0.220.22 A-2A-2 3030 실시예 2Example 2 A-1A-1 7070 18.618.6 aa 5.55.5 1313 0.150.15 0.220.22 A-2A-2 3030 실시예 3Example 3 A-1A-1 7070 18.618.6 aa 88 1313 0.150.15 0.220.22 A-2A-2 3030 실시예 4Example 4 A-1A-1 7070 18.618.6 aa 5.55.5 -- 0.150.15 0.220.22 A-2A-2 3030 실시예 5Example 5 A-1A-1 6060 18.618.6 aa 5.55.5 1313 0.150.15 0.220.22 A-2A-2 4040 실시예 6Example 6 A-1A-1 7070 18.618.6 bb 5.55.5 1313 0.150.15 0.220.22 A-2A-2 3030 실시예 7Example 7 A-3A-3 100100 18.618.6 aa 5.55.5 1313 0.150.15 0.220.22 비교예 1Comparative Example 1 A-1A-1 7070 18.618.6 cc 5.55.5 1313 0.150.15 0.220.22 A-2A-2 3030 비교예 2Comparative Example 2 A-1A-1 7070 18.618.6 dd 5.55.5 1313 0.150.15 0.220.22 A-2A-2 3030 비교예 3Comparative Example 3 A-1A-1 7070 18.618.6 -- -- 1313 0.150.15 0.220.22 A-2A-2 3030 비교예 4Comparative Example 4 A-3A-3 100100 18.618.6 -- -- 1313 0.150.15 0.220.22

a : 4-히드록시페닐아세트산a: 4-hydroxyphenylacetic acid

b : 3-(4-히드록시페닐)프로피온산b: 3-(4-hydroxyphenyl)propionic acid

c : 아세트산c: acetic acid

d : 3-메톡시페놀
d: 3-methoxyphenol

상기 실시예 1 내지 7 및 비교예 1 내지 4에서 제조된 감광성 수지 조성물로부터 막을 제조하여 그 경화막 제조시의 감도, 패턴 형성성 및 스컴 발생여부를 측정하여 그 결과를 하기 표 2에 나타내었다.
A film was prepared from the photosensitive resin compositions prepared in Examples 1 to 7 and Comparative Examples 1 to 4, and the sensitivity, pattern formation, and scum generated during the production of the cured film were measured, and the results are shown in Table 2 below.

1. 감도 측정1. Sensitivity measurement

[시편의 제조][Preparation of specimen]

감광성 수지 조성물을 실리콘 나이트라이드 기판에 스핀 코팅한 후에 100℃를 유지한 고온플레이트 위에서 90초간 예비경화(pre-bake)하여 두께 4 ㎛의 건조막을 형성하였다. 이 막 상부에 1 내지 15 ㎛까지의 1 ㎛ 크기 차이의 정사각형 홀 패턴을 갖는 마스크를 적용한 후, 200 내지 450 nm의 파장을 내는 어라이너(aligner, 모델명 MA6)를 이용하여, 노광기준으로서 마스크와 기판사이의 간격을 25 ㎛으로 하고, 365 nm 기준으로 하여 15 mW/cm2인 자외선을 0 내지 200 mJ/㎠이 되도록 일정시간 노광하고, 2.38 중량% 테트라메틸암모늄하이드로옥사이드 수용성 현상액으로 23 ℃에서 스프레이 노즐을 통해 현상하여 각각의 시편을 제조하였다.The photosensitive resin composition was spin-coated on a silicon nitride substrate, and then pre-cured for 90 seconds on a high-temperature plate maintained at 100° C. to form a dry film having a thickness of 4 μm. After applying a mask having a square hole pattern with a difference of 1 μm in size from 1 to 15 μm on the top of the film, an aligner (model name MA6) emitting a wavelength of 200 to 450 nm was used, and the mask and The spacing between the substrates is 25 µm, and 15 mW/cm 2 based on 365 nm is exposed for a certain period of time to 0 to 200 mJ/cm 2, and at 23° C. with a 2.38 wt% tetramethylammonium hydroxide aqueous developer. Each specimen was prepared by developing through a spray nozzle.

[감도 측정] [Sensitivity measurement]

상기 과정에 의해 마스크 크기 10 ㎛에 대해서 패터닝된 홀 패턴(hole pattern)의 CD(critical dimension: 선폭, 단위: ㎛) 10 ㎛를 구현하는 노광 에너지를 구하였다. 수치가 작을수록 우수하다고 할 수 있다.
Exposure energy for implementing a CD (critical dimension: line width, unit: µm) of 10 µm of a patterned hole pattern for a mask size of 10 µm by the above process was obtained. The smaller the number, the better.

2. 패턴 형성성 측정(노광량: 90 mJ/㎠, 마스크 크기: 10 ㎛)2. Measurement of pattern formation (exposure amount: 90 mJ/㎠, mask size: 10 ㎛)

상기 감도 측정을 위한 경화막 제조 과정에서 90 mJ/㎠의 노광량을 적용하고 마스크 크기 10 ㎛에 대해서 패터닝된 홀 패턴의 CD를 측정하여, 하기 식으로부터 패턴 형성성(%) 값을 구하였다. 패턴 형성성 값이 작을수록 우수하다고 할 수 있다.In the process of manufacturing the cured film for measuring the sensitivity, an exposure amount of 90 mJ/cm 2 was applied, and the CD of the patterned hole pattern was measured for a mask size of 10 μm, and the pattern formability (%) value was obtained from the following equation. It can be said that the smaller the pattern formability value, the better.

패턴 형성성(%)=[(마스크 크기－홀 패턴의 CD)／(마스크 크기)]×100
Pattern formation (%)=[(mask size-CD of hole pattern)/(mask size)]×100

3. 스컴 확인3. Check scum

상기 감도 측정을 위한 경화막 제조 과정에서 90 mJ/㎠의 노광량을 적용하고 마스크 크기 10 ㎛에 대해서 패터닝된 홀 패턴을 단면 주사전자현미경(SEM)으로 관찰하여 스컴 존재유무를 확인하였다. 스컴이 없어야만 우수하다고 할 수 있다.In the process of manufacturing the cured film for measuring the sensitivity, an exposure amount of 90 mJ/cm 2 was applied and the patterned hole pattern for a mask size of 10 µm was observed with a cross-sectional scanning electron microscope (SEM) to confirm the presence or absence of scum. It can be said that it is excellent only if there is no scum.

감도[mJ/cm2]Sensitivity[mJ/cm 2 ] 패턴 형성성[%]Pattern formation [%] 스컴 발생Scum occurs 실시예 1Example 1 7676 -4.1-4.1 XX 실시예 2Example 2 7070 -5.6-5.6 XX 실시예 3Example 3 6161 -8.7-8.7 XX 실시예 4Example 4 6767 -5-5 XX 실시예 5Example 5 8080 -3-3 XX 실시예 6Example 6 6565 -6.6-6.6 XX 실시예 7Example 7 8282 -2.8-2.8 XX 비교예 1Comparative Example 1 120120 5.85.8 OO 비교예 2Comparative Example 2 115115 3.93.9 OO 비교예 3Comparative Example 3 133133 12.712.7 OO 비교예 4Comparative Example 4 140140 17.817.8 OO

상기 표 2의 실험결과로부터, 화학식 1의 화합물을 사용하는 본 발명에 따른 실시예 1 내지 7의 감광성 수지 조성물을 사용하여 경화막을 제조하는 경우, 고감도 및 우수한 패턴 형성성을 나타낼 뿐만 아니라 스컴도 발생하지 않았다.From the experimental results in Table 2 above, when a cured film is prepared using the photosensitive resin composition of Examples 1 to 7 according to the present invention using the compound of Formula 1, it not only exhibits high sensitivity and excellent pattern formation, but also generates scum. Did not do it.

반면, 화학식 1의 화합물을 사용하지 않은 비교예 1 내지 4의 감광성 수지 조성물은 감도 및 패턴 형성성 측면에서 본 발명의 경우에 비해 확실히 뒤떨어지고, 스컴도 발생시킴을 알 수 있다.On the other hand, it can be seen that the photosensitive resin compositions of Comparative Examples 1 to 4 without using the compound of Formula 1 are clearly inferior to the case of the present invention in terms of sensitivity and pattern formation, and scum is also generated.

Claims (5)

(1) (1-1) 카복실기 함유 불포화 단량체로부터 유도되는 구성단위를 포함하고, (1-2) 에폭시기를 1개 이상 포함하는 불포화 단량체로부터 유도되는 구성단위, 및 (1-3) 페놀성 수산기를 포함하는 불포화 단량체로부터 유도되는 구성단위로 이루어진 군으로부터 선택된 1종 이상의 구성단위, 및 (1-4) 상기 구성단위 (1-1) 내지 (1-3)과 상이한 불포화 단량체로부터 유도되는 구성단위를 포함하는 공중합체 1종 이상;
(2) 감광제(photoactive compound); 및
(3) 하기 화학식 1의 화합물로서 4-히드록시페닐아세트산 또는 3-(4-히드록시페닐)프로피온산;
을 포함하는 감광성 수지 조성물:
[화학식 1]
Figure 112020091533041-pat00009

상기 식에서,
X는 할로겐이고;
n은 0 내지 4의 정수이고;
Y는 OH, SH 또는 NH2이고;
R은 C1-C6 알킬렌 또는 카르보닐기로 중단되는 C1-C6 알킬렌이고;
상기 알킬렌 중의 수소는 페놀기로 치환될 수 있다.(1) (1-1) a structural unit derived from an unsaturated monomer containing a carboxyl group, (1-2) a structural unit derived from an unsaturated monomer containing one or more epoxy groups, and (1-3) a phenolic At least one structural unit selected from the group consisting of structural units derived from an unsaturated monomer containing a hydroxyl group, and (1-4) a configuration derived from an unsaturated monomer different from the structural units (1-1) to (1-3) At least one type of copolymer containing units;
(2) photoactive compounds; And
(3) 4-hydroxyphenylacetic acid or 3-(4-hydroxyphenyl)propionic acid as a compound represented by the following formula (1);
Photosensitive resin composition comprising:
[Formula 1]
Figure 112020091533041-pat00009

In the above formula,
X is halogen;
n is an integer from 0 to 4;
Y is OH, SH or NH 2 ;
R is C 1 -C 6 C 1 is interrupted by an alkylene group, or -C 6 alkylene;
Hydrogen in the alkylene may be substituted with a phenol group. 제 1 항에 있어서,
상기 (1-3) 페놀성 수산기를 포함하는 불포화 단량체로부터 유도되는 구성단위가 하기 화학식 2로 표시되는 것을 특징으로 하는 감광성 수지 조성물:
[화학식 2]
Figure 112013078550913-pat00010

상기 식에서,
R1은 수소, C1-C6 알킬, 할로겐 또는 시아노이고;
R2는 C1-C6 알킬이고, a는 0 내지 4의 정수이며, a가 2 이상의 정수인 경우 복수의 R2는 서로 동일하거나 상이할 수 있고;
b는 1 내지 5의 정수이고, a와 b의 합은 1 내지 5의 정수이며;
Y는 단일결합 또는 C1-C6 알킬렌이고;
상기 알킬 및 알킬렌은 하나 이상의 할로겐, 니트로, C1-C6 알콕시 또는 C6-C12 아릴로 치환될 수 있다.The method of claim 1,
A photosensitive resin composition, characterized in that the structural unit derived from the unsaturated monomer containing the (1-3) phenolic hydroxyl group is represented by the following formula (2):
[Formula 2]
Figure 112013078550913-pat00010

In the above formula,
R 1 is hydrogen, C 1 -C 6 alkyl, halogen or cyano;
R 2 is C 1 -C 6 alkyl, a is an integer of 0 to 4, and when a is an integer of 2 or more, a plurality of R 2 may be the same or different from each other;
b is an integer from 1 to 5, and the sum of a and b is an integer from 1 to 5;
Y is a single bond or C 1 -C 6 alkylene;
The alkyl and alkylene may be substituted with one or more halogen, nitro, C 1 -C 6 alkoxy or C 6 -C 12 aryl. 제 1 항에 있어서,
상기 감광제가 하기 화학식 3의 구조를 갖는 퀴논디아지드계 감광제인 것을 특징으로 하는 감광성 수지 조성물:
[화학식 3]
Figure 112013078550913-pat00011

상기 식에서,
R은 각각 독립적으로 수소, 또는 하기 화학식 3a 또는 3b의 화합물이고, 이중에서 적어도 하나는 화학식 3a 또는 3b의 화합물이다.
[화학식 3a]
Figure 112013078550913-pat00012

[화학식 3b]
Figure 112013078550913-pat00013
The method of claim 1,
The photosensitive resin composition, characterized in that the photosensitive agent is a quinone diazide photosensitive agent having the structure of the following formula (3):
[Formula 3]
Figure 112013078550913-pat00011

In the above formula,
Each R is independently hydrogen or a compound of the following formula 3a or 3b, of which at least one is a compound of formula 3a or 3b.
[Formula 3a]
Figure 112013078550913-pat00012

[Formula 3b]
Figure 112013078550913-pat00013
 제 1 항에 있어서,
상기 감광성 수지 조성물이 하기 화학식 4의 반복단위를 포함하는 에폭시계 화합물을 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 감광성 수지 조성물:
[화학식 4]
Figure 112013078550913-pat00014

상기 식에서,
R5는 수소 또는 C1-C4 알킬이고;
R6는 C1-C10 알킬렌, 페닐렌, C3-C10 시클로알킬렌, C3-C10 헤테로시클로알킬렌 또는 C2-C10 헤테로알킬렌이며, 상기 R6는 하나 이상의 히드록시기로 치환될 수 있다.The method of claim 1,
The photosensitive resin composition, characterized in that the photosensitive resin composition further comprises an epoxy-based compound containing a repeating unit of the following formula (4):
[Formula 4]
Figure 112013078550913-pat00014

In the above formula,
R 5 is hydrogen or C 1 -C 4 alkyl;
R 6 is C 1 -C 10 alkylene, phenylene, C 3 -C 10 cycloalkylene, C 3 -C 10 heterocycloalkylene or C 2 -C 10 heteroalkylene, wherein R 6 is at least one hydroxy group Can be substituted with 제 1 항에 있어서
상기 화학식 1의 화합물이 3-(4-히드록시페닐)프로피온산인 것을 특징으로 하는 감광성 수지 조성물.The method of claim 1
The photosensitive resin composition, wherein the compound of Formula 1 is 3-(4-hydroxyphenyl)propionic acid.
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Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007171572A (en) * 2005-12-22 2007-07-05 Jsr Corp Radiation-sensitive resin composition, interlayer insulating film and microlens, and method for manufacturing them

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KR101267674B1 (en) * 2010-11-12 2013-05-24 롬엔드하스전자재료코리아유한회사 Photo-sensitivity resin composition, its Dielectric insulating film and Electronic device
KR101400181B1 (en) * 2010-12-30 2014-06-27 삼성디스플레이 주식회사 Positive photosensitive resin composition, photosensitive resin layer prepared by using the same, and display device including the photosensitive resin layer
KR101807881B1 (en) * 2011-12-29 2017-12-12 롬엔드하스전자재료코리아유한회사 Photosensitive resin composition and dielectric layer using same

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007171572A (en) * 2005-12-22 2007-07-05 Jsr Corp Radiation-sensitive resin composition, interlayer insulating film and microlens, and method for manufacturing them

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