KR102206329B1 - Organic electro-luminescent device and method of fabricating the same - Google Patents
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Abstract
본 발명은, 다수의 화소영역을 갖는 표시영역이 정의된 제 1 기판과; 상기 각 화소영역 별로 형성된 제 1 전극과; 상기 제 1 전극의 가장자리와 중첩하며 각 화소영역을 둘러싸는 형성되며, 친수성 특성을 갖는 하부층과 소수성 특성을 갖는 상부층의 이중층 구조를 가지며 형성된 뱅크와; 상기 뱅크 내부로 상기 제 1 전극 상부에 형성된 유기 발광층과; 상기 유기 발광층 상부로 상기 표시영역 전면에 형성된 제 2 전극을 포함하는 유기전계 발광소자 및 이의 제조 방법을 제공한다. The present invention provides a first substrate in which a display area having a plurality of pixel areas is defined; A first electrode formed for each pixel area; A bank formed to overlap an edge of the first electrode and surround each pixel region, and has a double-layer structure of a lower layer having a hydrophilic property and an upper layer having a hydrophobic property; An organic light emitting layer formed on the first electrode in the bank; An organic light-emitting device including a second electrode formed on the organic light-emitting layer and on the entire surface of the display area, and a method of manufacturing the same are provided.
Description
본 발명은 유기전계 발광소자(Organic Electro-luminescent Device)에 관한 것이며, 특히 이중 구조의 뱅크를 구비하여 액상의 유기 발광층 형성 시 퍼짐 특성을 향상시킬 수 있으며 얼룩 불량을 억제할 수 있는 유기전계 발광소자 및 이의 제조 방법에 관한 것이다. The present invention relates to an organic electro-luminescent device, and in particular, an organic electro-luminescent device that has a double structure bank to improve spreading characteristics when forming a liquid organic light-emitting layer and to suppress spot defects And to a method of manufacturing the same.
평판 디스플레이(FPD ; Flat Panel Display)중 하나인 유기전계 발광소자는 높은 휘도와 낮은 동작 전압 특성을 갖는다. 또한 스스로 빛을 내는 자체발광형이기 때문에 명암대비(contrast ratio)가 크고, 초박형 디스플레이의 구현이 가능하며, 응답시간이 수 마이크로초(㎲) 정도로 동화상 구현이 쉽고, 시야각의 제한이 없으며 저온에서도 안정적이고, 직류 5V 내지 15V의 낮은 전압으로 구동하므로 구동회로의 제작 및 설계가 용이하다.An organic light emitting device, one of the flat panel displays (FPD), has high luminance and low operating voltage characteristics. In addition, since it is a self-luminous type that emits light by itself, it has a large contrast ratio, can implement an ultra-thin display, and it is easy to implement moving images with a response time of several microseconds (µs), and there is no limit on the viewing angle, and is stable even at low temperatures. And, since it is driven with a low voltage of 5V to 15V DC, it is easy to manufacture and design a driving circuit.
따라서, 전술한 바와 같은 장점을 갖는 유기전계 발광소자는 최근에는 TV, 모니터, 핸드폰 등 다양한 IT기기에 이용되고 있다. Accordingly, organic light emitting devices having the above-described advantages are recently used in various IT devices such as TVs, monitors, and mobile phones.
이하, 유기전계 발광소자의 기본적인 구조에 대해서 조금 더 상세히 설명한다. Hereinafter, the basic structure of the organic light emitting device will be described in more detail.
유기전계 발광소자는 크게 어레이 소자와 유기전계 발광 다이오드로 이루지고 있다. 상기 어레이 소자는 게이트 및 데이터 배선과 연결된 스위칭 박막트랜지스터와, 상기 유기전계 발광 다이오드와 연결된 구동 박막트랜지스터로 이루어지며, 상기 유기전계 발광 다이오드는 상기 구동 박막트랜지스터와 연결된 제 1 전극과 유기 발광층 및 제 2 전극으로 이루어지고 있다.The organic light emitting diode is largely composed of an array element and an organic light emitting diode. The array element includes a switching thin film transistor connected to a gate and a data line, and a driving thin film transistor connected to the organic light emitting diode, and the organic light emitting diode includes a first electrode, an organic light emitting layer, and a second electrode connected to the driving thin film transistor. It consists of an electrode.
이러한 구성을 갖는 유기전계 발광소자는 상기 유기 발광층으로부터 발생된 빛이 상기 제 1 전극 또는 제 2 전극을 향해 출사됨으로써 화상을 표시하게 되며, 개구율 등을 고려할 때, 근래에는 통상 상기 제 2 전극을 향해 출사되는 빛을 이용하여 화상을 표시하는 상부 발광 방식으로 제조되고 있다.The organic light emitting device having such a configuration displays an image by emitting light generated from the organic light emitting layer toward the first electrode or the second electrode. Considering the aperture ratio, etc., in recent years, it is usually directed toward the second electrode. It is manufactured in a top emission method that displays an image using the emitted light.
한편, 이러한 일반적인 유기발광 표시장치에 있어 상기 유기 발광층은 통상 쉐도우 마스크를 이용한 열증착법에 의해 형성되고 있는데, 근래들어 표시장치의 대형화에 의해 쉐도우 마스크의 처짐 등이 심하게 발생되어 증착 불량이 증가됨으로서 대면적의 기판에 대해서는 적용이 점점 어려워지고 있으며, 쉐도우 마스크를 이용한 열증착의 경우 쉐도우 이팩트 등이 발생됨으로서 현 기술력으로는 250PPI 이상의 고해상도를 갖는 유기전계 발광소자를 제조하는데 무리가 있다.On the other hand, in such a general organic light emitting display device, the organic light emitting layer is usually formed by a thermal evaporation method using a shadow mask. In recent years, due to an increase in the size of the display device, the shadow mask is severely sagged, resulting in increased deposition defects. It is becoming increasingly difficult to apply to a substrate of an area, and in the case of thermal evaporation using a shadow mask, a shadow effect is generated, so it is difficult to manufacture an organic electroluminescent device having a high resolution of 250 PPI or more with current technology.
따라서, 대면적의 유기전계 발광소자 제조를 위해 쉐도우 마스크를 이용한 열증착 공정을 대체하는 유기 발광층의 형성방법이 제안되었다.Therefore, a method of forming an organic light emitting layer has been proposed to replace the thermal evaporation process using a shadow mask for manufacturing a large area organic light emitting device.
제안된 유기 발광층의 형성방법은 액상의 유기 발광물질을 잉크젯 장치 또는 노즐 코팅 장치를 통해 격벽으로 둘러싸인 영역에 분사 또는 드롭핑한 후 경화시키는 것이다.The proposed method of forming an organic light-emitting layer is to spray or drop a liquid organic light-emitting material onto a region surrounded by a partition wall through an inkjet device or a nozzle coating device, and then cure it.
도 1a 내지 1b는 노즐 코팅 장치를 통해 액상의 유기 발광물질을 드롭핑하여 유기 발광층을 형성하는 단계를 간략히 나타낸 제조 공정 단면도이다.1A to 1B are cross-sectional views of a manufacturing process briefly showing a step of forming an organic emission layer by dropping a liquid organic emission material through a nozzle coating device.
액상의 유기 발광물질을 잉크젯 장치를 통해 각 화소영역별로 분사하거나 또는 노즐 코팅 장치를 통해 드롭핑을 하기 위해서는 액상 상태의 유기 발광물질이 각 화소영역(P) 내에서 주위로 흘러가는 것을 방지하기 위해 필수적으로 제 1 전극(50)이 형성된 각 화소영역을 둘러싸는 형태의 뱅크가 필요로 되고 있다. In order to spray liquid organic light-emitting material for each pixel area through an inkjet device or dropping through a nozzle coating device, to prevent the liquid organic light-emitting material from flowing to the surroundings within each pixel area (P). Essentially, a bank having a shape surrounding each pixel region in which the
따라서, 도 1a에 도시한 바와같이 유기 발광층(도 1b의 55)을 형성하기 이전에 각 화소영역(P)의 경계를 따라 뱅크(53)를 우선적으로 형성한다.Accordingly, as shown in FIG. 1A, prior to forming the organic emission layer (55 in FIG. 1B),
이때, 상기 뱅크(53)는 소수성 특성을 가질 수 있도록 유기절연물질에 불소(F) 성분이 포함되고 있다. 이렇게 뱅크(53)에 소수성 특성을 부여하는 것은 액상의 유기 발광 물질이 분사 또는 드롭핑 될 때 장비 자체가 가지는 오차 등에 의해 뱅크로 둘러싸인 화소영역(P) 내의 중앙부 분사되지 않고 약간 치우쳐 분사되어 뱅크 상에도 소정량 분사되더라도 상기 뱅크(53)에서 흘러내려 각 화소영역(P) 내에 위치하도록 하고, 나아가 액상의 유기 발광 물질의 분사량이 조금 과하게 이루어졌을 경우도 뱅크(53) 상부로 넘쳐 흐르는 것을 억제시키기 위함이다. At this time, the
소수성 특성을 갖게 되면 친수성 특성을 갖는 액상의 유기 발광 물질을 밀어내는 특성을 가지므로 상기 뱅크(53)의 상부에는 유기 발광 물질이 코팅되지 않고 뱅크(53)로 둘러싸인 영역에 대해서만 집중적으로 모이도록 할 수 있다. When it has a hydrophobic property, it has the property of repelling the liquid organic light-emitting material having hydrophilic properties. Therefore, the organic light-emitting material is not coated on the upper part of the
한편, 이러한 소수성 특성을 갖는 뱅크(53)는 기판(10)의 전면에 소수성 특성을 갖는 불소(F)가 섞인 유기절연물질을 도포하고 노광 마스크를 이용한 노광 및 현상 공정을 포함하는 마스크 공정을 진행함으로서 형성된다.On the other hand, in the
이후, 도 1b에 도시한 바와같이, 상기 뱅크(53)로 둘러싸인 각 화소영역(P) 내에 잉크젯 장치의 헤드 또는 노즐 코팅 장치(98)의 노즐이 위치하여 액상의 유기 발광 물질을 분사 또는 드롭핑 하게되면 각 화소영역(P) 내에 유기 발광 물질이 채워지게 되며, 이러한 상태에서 열처리를 진행하여 건조 및 경화시킴으로서 유기 발광층(55)을 형성하게 된다.Thereafter, as shown in FIG. 1B, the head of the inkjet device or the nozzle of the
하지만, 전술한 바와같이 유기 발광층(55)을 형성하게 되면 상기 뱅크(53) 형성 시 각 화소영역(P) 내에 불소 잔유물(54)이 남게됨으로서 액상의 유기 발광 물질이 분사 또는 드롭핑 될 때 각 화소영역(P) 내에서의 퍼짐 특성을 방해함으로서 각 화소영역(P) 내의 충분한 화소영역(P) 크기를 갖지 못하고 도 2(종래의 소수성 특성이 부여된 뱅크 주변에서 유기 발광층이 형성되지 않은 불량 상태를 나타낸 사진)것을 나타낸 에 도시한 바와같이, 뱅크와 인접하는 주변에는 유기 발광층이 형성되지 않거나, 타 영역 대비 얇은 두께를 갖게 됨으로서 얼룩 불량이 발생하거나 또는 두께 차이에 의해 열화가 빠른 속도로 진행되어 유기전계 발광소자의 수명을 단축시키는 문제가 발생되고 있다. However, when the
본 발명은 상기 문제점을 해결하기 위하여 안출된 것으로, 본 발명은 소수성 특성을 갖는 뱅크 형성 시 각 화소영역(P) 에 불소 잔유물이 남게되는 것을 억제하여 얼룩불량을 저감시키며, 나아가 뱅크 주변에서 유기 발광층이 형성되지 않거나 또는 얇은 두께를 가지며 형성되는 현상을 억제하는 동시에 소자 수명을 향상시킬 수 있는 유기전계 발광소자 및 이의 제조 방법을 제공하는 것을 그 목적으로 한다.The present invention was conceived to solve the above problem, and the present invention suppresses the fluorine residue from remaining in each pixel region P when a bank having hydrophobic properties is formed, thereby reducing spot defects, and furthermore, an organic emission layer around the bank. It is an object of the present invention to provide an organic electroluminescent device and a method of manufacturing the same, which is not formed or has a thin thickness and can suppress the phenomenon of being formed and improve the life of the device.
본원발명은 제 1 및 제 2 화소영역을 갖는 표시영역이 정의된 제 1 기판 상에 상기 각 제 1 및 제 2 화소영역 별로 게이트전극과 소스 및 드레인전극을 포함하는 구동 박막트랜지스터를 형성하는 단계와, 상기 구동 박막트랜지스터를 덮는 보호층을 형성하는 단계와, 상기 보호층 상부로, 상기 각 제 1 및 제 2 화소영역 별로 상기 드레인전극과 접촉되는 제 1 전극을 형성하는 단계와, 상기 제 1 전극의 가장자리와 중첩하며, 상기 각 제 1 및 제 2 화소영역을 둘러싸는 형태로 친수성 특성을 갖는 하부층과 소수성 특성을 갖는 상부층의 이중층 구조를 갖는 뱅크를 형성하는 단계와, 상기 뱅크에 의해 노출되는 상기 제 1 전극 상부에, 액상의 유기 발광 물질을 분사 또는 드롭핑하여 유기 발광층을 형성하는 단계와, 상기 유기 발광층 상부로 상기 표시영역 전면에 제 2 전극을 형성하는 단계를 포함하며, 상기 하부층은 폴리이미드 또는 아크릴로 이루어지며, 상기 상부층은 불소(F) 성분을 포함하며, 이러한 하부층과 상부층은 감광성 특성 및 상분리 특성을 가지며, 상기 보호층은 포토아크릴로 이루어져, 상기 보호층과 상기 뱅크는 서로 다른 물질로 이루어지며, 상기 보호층의 상기 드레인전극이 노출된 내부에 상기 제 1 전극과, 상기 제 1 전극 상부로 상기 하부층이 위치하며, 상기 하부층은 상기 보호층의 상기 드레인전극이 노출된 내부에 충진되며, 상기 이중층 구조를 갖는 뱅크를 형성하는 단계는, 상기 고분자 물질과 상기 저분자 물질이 혼합된 액상의 물질을 상기 제 1 전극 위로 코팅하여 뱅크 물질층을 형성하는 단계와, 상기 뱅크 물질층에 대해 열처리를 실시하여 상기 고분자 물질은 하부로 상기 저분자 물질을 상부로 이동시켜 상기 저분자 물질로 이루어진 하부층과 상기 고분자 물질로 이루어진 상부층의 이중층 구조를 이루는 뱅크층을 형성하는 단계를 포함하는 유기전계 발광소자의 제조 방법을 제공한다. In the present invention, the step of forming a driving thin film transistor including a gate electrode and a source and drain electrode for each of the first and second pixel regions on a first substrate on which a display region having first and second pixel regions is defined, and , Forming a protective layer covering the driving thin film transistor, forming a first electrode over the protective layer, in contact with the drain electrode for each of the first and second pixel regions, and the first electrode Forming a bank having a double-layer structure of a lower layer having a hydrophilic property and an upper layer having a hydrophobic property in a form that overlaps an edge of and surrounds each of the first and second pixel regions, and the bank exposed by the bank Forming an organic light-emitting layer by spraying or dropping a liquid organic light-emitting material over the first electrode, and forming a second electrode over the display area over the organic light-emitting layer, wherein the lower layer Made of mid or acrylic, the upper layer contains a fluorine (F) component, the lower layer and the upper layer have photosensitive characteristics and phase separation characteristics, the protective layer is made of photoacrylic, the protective layer and the bank are different It is made of a material, the first electrode is located inside the drain electrode of the protective layer, and the lower layer is located above the first electrode, and the lower layer is inside the drain electrode of the protective layer exposed. The step of forming a bank that is filled and has a double-layered structure may include forming a bank material layer by coating a liquid material in which the polymer material and the low molecular material are mixed on the first electrode, and the bank material layer An organic electroluminescent device comprising the step of performing heat treatment for the polymer material to form a bank layer forming a double layer structure of a lower layer made of the low molecular material and an upper layer made of the polymer material by moving the low-molecular material downward. It provides a method of manufacturing.
이때, 상기 친수성 특성을 갖는 하부층은 15,000 이상의 분자량을 갖는 친수성의 고분자 물질로 이루어지며, 상기 소수성 특성을 갖는 상부층은 10,000 미만의 분자량을 갖는 소수성의 저분자 물질로 이루어지는 것이 특징이며, 상기 이중층 구조를 갖는 뱅크를 형성하는 단계는, 상기 이중층 구조를 이루는 뱅크층에 대해 노광 및 현상을 진행하여 패터닝하는 단계를 더욱 포함하며, 상기 저분자 물질은 상기 불소(F)를 1 내지 10w% 포함하는 것이 특징이다. In this case, the lower layer having hydrophilic properties is made of a hydrophilic polymer material having a molecular weight of 15,000 or more, and the upper layer having hydrophobic properties is characterized in that it is made of a hydrophobic low-molecular material having a molecular weight of less than 10,000, and having the double layer structure. The step of forming the bank further includes the step of patterning by performing exposure and development on the bank layer forming the double layer structure, and the low molecular weight material is characterized in that it contains 1 to 10 w% of the fluorine (F).
그리고, 상기 열처리는 소프트 베이킹 공정으로 진행되며, 상기 열처리에 의해 상기 뱅크 물질층은 건조 및 경화되며, 상기 건조되는 과정에서 상기 열처리에 의해 상기 뱅크 물질층 내부의 분자들의 운동이 활발해지는 것이 특징이며, 상기 분자들의 운동에 의해, 상기 15,000 이상의 분자량을 갖는 상기 고분자 물질은 상기 뱅크 물질층 내에서 하부로 이동하게 되며, 10,000 미만의 분자량을 갖는 상기 저분자 물질은 상기 뱅크 물질층 내에서 상부로 이동하게 되는 것이 특징이다. In addition, the heat treatment is performed by a soft baking process, and the bank material layer is dried and hardened by the heat treatment, and the movement of molecules inside the bank material layer is activated by the heat treatment during the drying process. , By the movement of the molecules, the polymer material having a molecular weight of 15,000 or more moves downward in the bank material layer, and the low molecular material material having a molecular weight less than 10,000 moves upward in the bank material layer. It is characterized by being.
또한, 상기 하부층의 측면에서는 상기 액상의 유기 발광 물질을 끌어당기는 힘이 작용하여, 상기 액상의 유기 발광 물질은 상기 하부층의 측면과 접촉하는 것이 특징이며, 상기 유기 발광층을 형성하는 단계에서, 상기 액상의 유기 발광 물질의 건조 및 경화공정을 더욱 포함하여, 상기 액상의 유기 발광 물질 내의 솔벤트와 수분을 제거함으로써 경화된 유기발광층을 형성하는 것을 특징이다. In addition, a force to attract the liquid organic light-emitting material acts on the side of the lower layer, and the liquid organic light-emitting material comes into contact with the side of the lower layer. In the step of forming the organic light-emitting layer, the liquid It is characterized in that the cured organic light-emitting layer is formed by further comprising drying and curing the organic light-emitting material of, removing solvent and moisture in the liquid organic light-emitting material.
또한, 상기 뱅크는 상기 제 1 화소영역에 위치하는 상기 제 1 전극의 가장자리와 중첩되며, 상기 뱅크는 상기 제 1 화소영역과 인접하여 위치하는 상기 제 2 화소영역의 상기 소스전극 상부로 위치하며, 상기 구동 박막트랜지스터는 상기 게이트전극 상부로 산화물 반도체층을 더욱 포함하며, 상기 산화물 반도체층 상부로는, 상기 산화물 반도체층과 일부 중첩되는 에치스토퍼가 위치한다. In addition, the bank overlaps an edge of the first electrode positioned in the first pixel region, and the bank is positioned above the source electrode of the second pixel region positioned adjacent to the first pixel region, The driving thin film transistor further includes an oxide semiconductor layer over the gate electrode, and an etch stopper partially overlapping with the oxide semiconductor layer is positioned over the oxide semiconductor layer.
본 발명에 따른 유기전계 발광 소자는, 뱅크가 친수성 특성을 갖는 하부층과 소수성 특성을 갖는 상부층을 갖는 이중층 구조를 이룸으로서 상기 뱅크를 패터닝하여 형성 한 후에 상기 제 1 전극 상부에 소수성 물질의 잔사가 거의 없어 뱅크로 둘러싸인 각 화소영역 내의 액상의 유기 발광 물질의 분사 또는 드롭핑 시 퍼짐 특성이 우수하게 되며, 더욱이 친수성 특성을 갖는 하부층이 구비됨으로서 상기 유기 발광 물질을 끌어당기는 힘이 발생됨으로서 더욱더 퍼짐 특성을 향상시키는 동시에 뱅크와 인접한 주변 즉 화소영역 내의 테두리부까지 유기 발광 물질이 완전히 채우게 되는 효과를 구현할 수 있다.The organic electroluminescent device according to the present invention has a double-layer structure in which the bank has a lower layer having a hydrophilic property and an upper layer having a hydrophobic property, and after patterning the bank, the residue of the hydrophobic material is almost on the top of the first electrode. When spraying or dropping a liquid organic light-emitting material in each pixel area surrounded by banks, the spreading property is excellent, and a lower layer having hydrophilic properties is provided, thereby generating a force that attracts the organic light-emitting material. At the same time, it is possible to achieve an effect that the organic light-emitting material is completely filled to the periphery adjacent to the bank, that is, to the edge of the pixel area.
나아가 액상의 유기 발광물질의 퍼짐 특성 향상에 의해 각 화소영역 내에서 균일한 두께를 갖도록 형성됨으로서 열화를 억제하여 수명을 향상시키는 효과가 있다.Furthermore, since the liquid organic light-emitting material is formed to have a uniform thickness in each pixel area by improving the spreading characteristics, deterioration is suppressed and the lifespan is improved.
도 1a 내지 1b는 노즐 코팅 장치를 통해 액상의 유기 발광물질을 드롭핑하여 유기 발광층을 형성하는 단계를 간략히 나타낸 제조 공정 단면도.
도 2는 종래의 소수성 특성이 부여된 뱅크 주변에서 유기 발광층이 형성되지 않은 불량 상태를 나타낸 사진.
도 3은 유기전계 발광소자의 하나의 화소영역에 대한 회로도.
도 4는 본 발명의 실시예에 따른 유기전계 발광소자의 표시영역 일부에 대한 단면도.
도 5는 본 발명의 실시예의 일 변형예에 따른 유기전계 발광소자에 있어서의 구동 박막트랜지스터에 대한 단면도.
도 6은 본 발명의 실시예의 또 다른 변형예에 따른 유기전계 발광소자에 있어서의 구동 박막트랜지스터에 대한 단면도.
도 7a 내지 도 7h는 본 발명의 실시예에 따른 유기전계 발광소자의 제조 단계별 공정 단면도.
도 8a 내지 도 8e는 본 발명의 실시예의 변형예에 따른 유기전계 발광소자의 제조 단계별 공정 단면도.1A to 1B are cross-sectional views of a manufacturing process briefly showing a step of forming an organic emission layer by dropping a liquid organic emission material through a nozzle coating device.
2 is a photograph showing a defect state in which an organic emission layer is not formed around a bank to which a conventional hydrophobic property is provided.
3 is a circuit diagram of one pixel area of an organic light emitting diode.
4 is a cross-sectional view of a portion of a display area of an organic light emitting diode according to an exemplary embodiment of the present invention.
5 is a cross-sectional view of a driving thin film transistor in an organic light emitting device according to a modified example of the embodiment of the present invention.
6 is a cross-sectional view of a driving thin film transistor in an organic light emitting device according to another modification of the embodiment of the present invention.
7A to 7H are cross-sectional views in steps of manufacturing an organic light emitting diode according to an embodiment of the present invention.
8A to 8E are cross-sectional views in steps of manufacturing an organic light emitting diode according to a modified example of the embodiment of the present invention.
이하, 본 발명에 따른 바람직한 실시예를 도면을 참조하여 상세히 설명한다. Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings.
우선, 유기전계 발광소자의 구성 및 동작에 대해서 유기전계 발광소자의 하나의 화소영역에 대한 회로도인 도 3을 참조하여 간단히 설명한다. First, the configuration and operation of the organic light emitting device will be briefly described with reference to FIG. 3, which is a circuit diagram of one pixel area of the organic light emitting device.
도시한 바와 같이 유기전계 발광소자의 각 화소영역(P) 에는 스위칭(switching) 박막트랜지스터(STr)와 구동(driving) 박막트랜지스터(DTr), 스토리지 캐패시터(StgC), 그리고 유기전계 발광 다이오드(E)가 구비되고 있다. As shown, in each pixel region P of the organic light emitting device, a switching thin film transistor (STr), a driving thin film transistor (DTr), a storage capacitor (StgC), and an organic light emitting diode (E) Is provided.
즉, 제 1 방향으로 게이트 배선(GL)이 형성되어 있고, 상기 제 1 방향과 교차되는 제 2 방향으로 데이터 배선(DL)이 형성됨으로써 상기 게이트 배선(GL)과 데이터 배선(DL)에 의해 둘러싸인 영역으로 정의되는 화소영역(P)이 구비되고 있으며, 상기 데이터 배선(DL)과 이격하며 전원전압을 인가하기 위한 전원배선(PL)이 형성되어 있다. That is, the gate wiring GL is formed in the first direction, and the data wiring DL is formed in a second direction crossing the first direction, thereby being surrounded by the gate wiring GL and the data wiring DL. A pixel area P defined as a region is provided, and a power line PL for applying a power voltage is formed to be spaced apart from the data line DL.
또한, 상기 데이터 배선(DL)과 게이트 배선(GL)이 교차하는 부분에는 스위칭 박막트랜지스터(STr)가 형성되어 있으며, 상기 스위칭 박막트랜지스터(STr)와 전기적으로 연결된 구동 박막트랜지스터(DTr)가 형성되어 있다. In addition, a switching thin film transistor STr is formed at a portion where the data line DL and the gate line GL intersect, and a driving thin film transistor DTr electrically connected to the switching thin film transistor STr is formed. have.
상기 유기전계 발광 다이오드(E)의 일측 단자인 제 1 전극은 상기 구동 박막트랜지스터(DTr)의 드레인 전극과 연결되고 있으며, 타측 단자인 제 2 전극은 접지되고 있다. 이때, 상기 전원배선(PL)을 통해 전달되는 전원전압은 상기 구동 박마트랜지스터(DTr)을 통해 상기 유기전계 발광 다이오드(E)로 전달하게 된다. 또한, 상기 구동 박막트랜지스터(DTr)의 게이트 전극과 소스 전극 사이에는 스토리지 커패시터(StgC)가 형성되고 있다. The first electrode, which is one terminal of the organic light emitting diode E, is connected to the drain electrode of the driving thin film transistor DTr, and the second electrode, which is the other terminal, is grounded. In this case, the power voltage transmitted through the power wiring PL is transmitted to the organic light emitting diode E through the driving thin transistor DTr. In addition, a storage capacitor StgC is formed between the gate electrode and the source electrode of the driving thin film transistor DTr.
따라서, 상기 게이트 배선(GL)을 통해 신호가 인가되면 스위칭 박막트랜지스터(STr)가 온(on) 되고, 상기 데이터 배선(DL)의 신호가 구동 박막트랜지스터(DTr)의 게이트 전극에 전달되어 상기 구동 박막트랜지스터(DTr)가 온(on) 되므로 유기전계발광 다이오드(E)를 통해 빛이 출력된다. Therefore, when a signal is applied through the gate line GL, the switching thin film transistor STr is turned on, and the signal of the data line DL is transmitted to the gate electrode of the driving thin film transistor DTr to be driven. Since the thin film transistor DTr is turned on, light is output through the organic light emitting diode E.
이때, 상기 구동 박막트랜지스터(DTr)가 온(on) 상태가 되면, 전원배선(PL)으로부터 유기전계발광 다이오드(E)에 흐르는 전류의 레벨이 정해지며, 이로 인해 상기 유기전계 발광 다이오드(E)는 그레이 스케일(gray scale)을 구현할 수 있게 되며, 상기 스토리지 커패시터(StgC)는 스위칭 박막트랜지스터(STr)가 오프(off) 되었을 때, 상기 구동 박막트랜지스터(DTr)의 게이트 전압을 일정하게 유지시키는 역할을 함으로써 상기 스위칭 박막트랜지스터(STr)가 오프(off) 상태가 되더라도 다음 프레임(frame)까지 상기 유기전계발광 다이오드(E)에 흐르는 전류의 레벨을 일정하게 유지할 수 있게 된다.At this time, when the driving thin film transistor DTr is turned on, the level of the current flowing from the power wiring PL to the organic light emitting diode E is determined, and thus the organic light emitting diode E Is able to implement a gray scale, and the storage capacitor StgC serves to maintain a constant gate voltage of the driving thin film transistor DTr when the switching thin film transistor STr is off. By doing so, even if the switching thin film transistor STr is turned off, the level of the current flowing through the organic light emitting diode E can be kept constant until the next frame.
도 4는 본 발명의 실시예에 따른 유기전계 발광소자의 표시영역 일부에 대한 단면도이다. 이때, 설명의 편의를 위해 구동 박막트랜지스터(DTr)가 형성되는 영역을 구동영역(DA), 그리고 도면에는 나타내지 않았지만 각 화소영역(P) 내에 스위칭 박막트랜지스터가 형성되는 영역을 스위칭 영역(미도시)이라 정의한다.4 is a cross-sectional view of a portion of a display area of an organic light emitting diode according to an exemplary embodiment of the present invention. At this time, for convenience of explanation, the driving area DA is the area where the driving thin film transistor DTr is formed, and the area where the switching thin film transistor is formed in each pixel area P, although not shown in the drawing, is a switching area (not shown). It is defined as
도시한 바와 같이, 본 발명의 실시예에 따른 유기전계 발광소자(101)는 구동 및 스위칭 박막트랜지스터(DTr, 미도시)와 유기전계 발광 다이오드(E)가 형성된 제 1 기판(110)과, 인캡슐레이션을 위한 제 2 기판(170)으로 구성되고 있다. 이때, 상기 제 2 기판(170)은 무기절연막 또는 유기절연막 등으로 대체됨으로써 생략될 수 있다. As shown, the organic
우선, 구동 및 스위칭 박막트랜지스터(DTr, 미도시)와 유기전계 발광 다이오드(E)가 구비된 제 1 기판(110)의 구성에 대해 설명한다. First, the configuration of the
상기 제 1 기판(110)에는 상기 표시영역에는 서로 교차하며 화소영역(P)을 정의하며 게이트 배선(미도시) 및 데이터 배선(미도시)이 형성되고 있으며, 상기 게이트 배선(미도시) 또는 상기 데이터 배선(미도시)과 나란하게 전원배선(미도시)이 형성되고 있다. In the
또한, 다수의 각 화소영역(P)에는 상기 게이트 배선(미도시) 및 데이터 배선(미도시)과 연결되며 스위칭 박막트랜지스터(미도시)가 형성되어 있으며, 상기 스위칭 박막트랜지스터(미도시)의 일 전극 및 상기 전원배선(미도시)과 연결되며 구동 박막트랜지스터(DTr)가 형성되고 있다. In addition, a switching thin film transistor (not shown) is connected to the gate line (not shown) and a data line (not shown) in each of the plurality of pixel areas P, and one of the switching thin film transistors (not shown) It is connected to the electrode and the power wiring (not shown), and a driving thin film transistor DTr is formed.
이때, 상기 구동 박막트랜지스터(DTr)는 게이트 전극(115)과, 게이트 절연막(118)과, 산화물 반도체층(120)과, 에치스토퍼(122)와, 상기 에치스토퍼(122) 상에서 서로 이격하며 각각 상기 산화물 반도체층(120)과 접촉하는 소스 전극(133) 및 드레인 전극(136)으로 구성되고 있으며, 도면에 나타내지 않았지만 상기 스위칭 박막트랜지스터(미도시) 또한 상기 구동 박막트랜지스터(DTr)와 동일한 구조를 이루고 있다.At this time, the driving thin film transistor DTr is spaced apart from each other on the
한편, 본 발명의 실시예에 있어서는 상기 구동 및 스위칭 박막트랜지스터(DTr, 미도시)이 각각 상기 산화물 반도체층(120)이 구비된 것을 특징으로 하는 것을 일례로 보이고 있지만, 도 5(본 발명의 실시예의 일 변형예에 따른 유기전계 발광소자에 있어서 구동 박막트랜지스터에 대한 단면도)에 도시한 바와같이, 상기 스위칭 및 구동 박막트랜지스터(미도시, DTr)는 게이트 전극(213)과, 게이트 절연막(218)과, 순수 비정질 실리콘의 액티브층(220a)과 불순물 비정질 실리콘의 오믹콘택층(220b)으로 구성된 반도체층(220)과, 상기 반도체층(220) 상에서 서로 이격하는 소스 및 드레인 전극(233, 236)으로 구성될 수도 있다. On the other hand, in the embodiment of the present invention, the driving and switching thin film transistor (DTr, not shown) is shown as an example in which the
상기 스위칭 및 구동 박막트랜지스터(DTr, 미도시)는 실시예 및 일 변형예에 있어서는 게이트 전극(도 4의 115, 도 5의 213)이 최하부에 위치하는 보텀 게이트 구조를 이루는 것을 보이고 있지만, 반도체층이 최하부에 위치하며 이의 상부에 게이트 전극이 형성된 탑 게이트 구조를 이룰 수도 있다. The switching and driving thin film transistor (DTr, not shown) is shown to form a bottom gate structure in which the gate electrode (115 in Fig. 4, 213 in Fig. 5) is located at the bottom in the embodiment and the modified example. It is located at the lowermost portion and may form a top gate structure in which a gate electrode is formed.
즉, 도 6(본 발명의 실시예의 또 다른 변형예에 따른 유기전계 발광소자에 있어서 구동 박막트랜지스터에 대한 단면도)에 도시한 바와같이, 상기 스위칭 및 구동 박막트랜지스터(미도시, DTr)는 상기 제 1 기판(210)의 최하부에 폴리실리콘의 반도체층(313)을 구비하여 탑 게이트 구조를 갖도록 구성될 수도 있다. That is, as shown in FIG. 6 (a cross-sectional view of a driving thin film transistor in an organic light emitting device according to another modified example of the present invention), the switching and driving thin film transistor (not shown, DTr) is 1 The
이러한 경우, 상기 스위칭 및 구동 박막트랜지스터(미도시, DTr)는 순수 폴리실리콘의 액티브영역(313a)과 이의 양측에 불순물이 도핑된 폴리실리콘의 소스 및 드레인 영역(313b)으로 이루어진 반도체층(313)과, 게이트 절연막(316)과, 상기 액티브영역(313a)과 중첩하여 형성된 게이트 전극(320)과, 상기 소스 및 드레인 영역(313b)을 노출시키는 반도체층 콘택홀(325)을 갖는 층간절연막(323)과, 상기 반도체층 콘택홀(325)을 통해 각각 상기 소스 및 드레인 영역(313b)과 접촉하며 서로 이격하며 형성된 소스 및 드레인 전극(333, 336)을 포함하여 구성된다.In this case, the switching and driving thin film transistor (DTr) is a
이렇게 구동 및 스위칭 박막트랜지스터(DTr, 미도시)가 탑 게이트 구조를 이루는 경우, 보텀 게이트 구조 대비 층간절연막(323)이 더욱 구비되며, 게이트 배선(미도시)은 상기 게이트 절연막(316) 상에 구비되며, 데이터 배선(미도시)은 상기 층간절연막(323) 상에 형성된다.When the driving and switching thin film transistor (DTr, not shown) forms a top gate structure, an
한편, 도 4를 참조하면, 상기 구동 및 스위칭 박막트랜지스터(DTr, 미도시) 상부로 상기 구동 박막트랜지스터(DTr)의 드레인 전극(136)을 노출시키는 드레인 콘택홀(143)을 갖는 보호층(140)이 형성되어 있다. 이때, 상기 보호층(140)은 평탄한 표면을 이루도록 유기절연물질 예를들면 포토아크릴로 이루어지고 있다.Meanwhile, referring to FIG. 4, a
다음, 상기 보호층(140) 위로 상기 드레인 콘택홀(143)을 통해 상기 구동 박막트랜지스터(DTr)의 드레인 전극(136)과 접촉하며 각 화소영역(P)별로 제 1 전극(150)이 형성되어 있다.Next, the
이때, 상기 제 1 전극(150)은 일함수 값이 비교적 큰 즉, 4.8eV 내지 5.2eV 정도의 일함수 값을 갖는 투명 도전성 물질 예를들면 인듐-틴-옥사이드(ITO)로 이루어짐으로서 애노드 전극의 역할을 한다. In this case, the
한편, 상기 제 1 전극(147)은 일함수 값이 큰 투명 도전성 물질인 인듐-틴-옥사이드(ITO)로 이루어진 경우, 상부발광 방식으로 동작 시에는 유기전계 발광 다이오드(E)의 상부로의 발광효율 증대를 위해 반사율이 우수한 금속물질인 알루미늄(Al), 알루미늄 합금(AlNd) 중 어느 하나로 이루어진 반사층(미도시)이 상기 제 1 전극(150) 하부에 더욱 구비될 수 있다. On the other hand, when the first electrode 147 is made of indium-tin-oxide (ITO), which is a transparent conductive material having a large work function value, light emission from the top of the organic light emitting diode (E) when operating in the top emission mode In order to increase efficiency, a reflective layer (not shown) made of any one of aluminum (Al) and aluminum alloy (AlNd), which is a metal material having excellent reflectivity, may be further provided under the
이러한 반사층(미도시)이 상기 제 1 전극(150) 하부에 구비되는 경우, 상기 제 1 전극(150)의 상부에 형성되는 유기 발광층(155)으로부터 발광된 빛이 상기 반사층(미도시)을 통해 반사되어 상부로 반사시킴으로서 발광된 빛의 이용 효율을 증대시켜 최종적으로 휘도 특성을 향상시키는 효과를 갖게 된다.When such a reflective layer (not shown) is provided under the
그리고, 본 발명의 실시예에 따른 유기전계 발광소자(101)에 있어서 가장 특징적인 것으로, 상기 제 1 전극(150) 위로 각 화소영역(P)의 경계에 상기 제 1 전극(150)의 테두리와 중첩하며 상기 제 1 전극(150)의 중앙부를 노출시키며 뱅크(153)가 형성되어 있다. In addition, as the most characteristic of the organic
이때, 상기 뱅크(153)는 이중층 구조를 이루는 것이 특징이다. 이러한 이중층 구조를 이루는 뱅크(153)에 있어 그 하부층(153a)은 친수성 특성을 가지며 상부층(153b)은 소수성 특성을 갖는 물질로 이루어지는 것이 또 다른 특징이다. At this time, the
본 발명의 실시예에 따른 유기전계 발광소자(101)는 전술한 바와같이 뱅크(153)가 친수성 특성을 갖는 하부층(153a)과 소수성 특성을 갖는 상부층(153b)을 갖는 이중층 구조를 이룸으로서 상기 뱅크(153)를 패터닝하여 형성 한 후에 상기 제 1 전극(150) 상부에 소수성 물질의 잔사가 거의 없어 뱅크(153)로 둘러싸인 각 화소영역(P) 내의 액상의 유기 발광 물질의 분사 또는 드롭핑 시 퍼짐 특성이 우수하게 된다. The organic
더욱이 친수성 특성을 갖는 하부층(153a)이 구비됨으로서 상기 유기 발광 물질을 끌어당기는 힘이 발생됨으로서 더욱더 퍼짐 특성을 향상시키는 동시에 상기 뱅크(153)와 인접한 주변 즉 화소영역(P) 내의 테두리부까지 유기 발광 물질이 완전히 채우게 되는 효과를 구현할 수 있다.In addition, since the
다음, 상기 이중층 구조를 갖는 뱅크(153)로 둘러싸인 각 화소영역(P)별로 상기 제 1 전극(150) 위로 각각 적, 녹, 청색을 발광하는 유기 발광층(155)이 형성되고 있다. Next, an
이러한 유기 발광층(155)은 액상의 유기 발광 물질을 잉크젯 장치 또는 노즐 코팅 장치를 통해 분사 또는 드롭핑 하여 형성한 후 경화시킴으로서 완성된 것이 특징이다. The organic
이러한 유기 발광층(155)은 본 발명의 특징적인 구성인 이중층 구조를 갖는 뱅크(153)에 의해 각 화소영역(P) 내에서 뱅크(153)로 둘러싸인 영역 전면에 두께편차가 거의 없이 고른 두께를 가지며 형성된 것이 특징이다.The
한편, 상기 유기 발광층(155)은 도면에 있어서는 유기 발광 물질만으로 이루어진 단일층으로 구성됨을 보이고 있지만, 발광 효율을 높이기 위해 다중층 구조로 이루어질 수도 있다. Meanwhile, in the drawings, the
상기 유기 발광층(155)이 다중층 구조를 이루는 경우, 상기 애노드 전극의 역할을 하는 상기 제 1 전극(150) 상부로부터 순차적으로 정공주입층(hole injection layer), 정공수송층(hole transporting layer), 유기 발광 물질층(emitting material layer), 전자수송층(electron transporting layer) 및 전자주입층(electron injection layer)의 5중층 구조로 형성될 수도 있으며, 또는 정공수송층(hole transporting layer), 유기 발광 물질층(emitting material layer), 전자수송층(electron transporting layer) 및 전자주입층(electron injection layer)의 4중층 구조, 정공수송층(hole transporting layer), 유기 발광 물질층(emitting material layer), 전자수송층(electron transporting layer)의 3중층 구조로 형성될 수도 있다.When the
한편, 상기 유기 발광층(155) 상부에는 상기 표시영역 전면에 제 2 전극(160)이 형성되어 있다. 이때, 상기 제 2 전극(160)은 일함수 값이 비교적 낮은 금속물질 예를들면 알루미늄(Al), 알루미늄 합금(AlNd), 은(Ag), 마그네슘(Mg), 금(Au), 알루미늄마그네슘 합금(AlMg) 중 하나로 이루어짐으로서 캐소드 전극의 역할을 하고 있다. Meanwhile, a
이때, 상기 제 1 전극(150)과 유기 발광층(155)과 상기 제 2 전극(160)은 유기전계 발광 다이오드(E)를 이룬다.In this case, the
한편, 전술한 구성을 갖는 본 발명의 실시예에 따른 유기전계 발광소자(101)의 제 1 기판(110)에 대응하여 인캡슐레이션을 위한 제 2 기판(170)이 구비되고 있다. Meanwhile, a
상기 제 1 기판(110)과 제 2 기판(170)은 그 가장자리를 따라 실란트 또는 프릿으로 이루어진 접착제(미도시)가 구비되고 있으며, 이러한 접착제(미도시)에 의해 상기 제 1 기판(110)과 제 2 기판(170)이 합착되어 패널상태를 유지하고 있다. The
이때, 서로 이격하는 상기 제 1 기판(110)과 제 2 기판(170) 사이에는 진공의 상태를 갖거나 또는 불활성 기체로 채워짐으로써 불활성 가스 분위기를 가질 수 있다. In this case, the
상기 인캡슐레이션을 위한 상기 제 2 기판(170)은 유연한 특성을 갖는 플라스틱으로 이루어질 수도 있으며, 또는 유리기판으로 이루어질 수도 있다. The
한편, 전술한 실시예에 따른 유기전계 발광소자(101)는 제 1 기판(110)과 마주하여 이격하는 형태로 인캡슐레이션을 위한 제 2 기판(170)이 구비된 것을 나타내고 있지만, 변형예로서 상기 제 2 기판(170)은 점착층을 포함하는 필름 형태로 상기 제 1 기판(110)의 최상층에 구비된 상기 제 2 전극(160)과 접촉하도록 구성될 수도 있다. Meanwhile, the organic
또한, 본 발명의 실시예에 따른 또 다른 변형예로서 상기 제 2 전극(160) 상부로 유기절연막(미도시) 또는 무기절연막(미도시)이 더욱 구비되어 캡핑막이 형성될 수 있으며, 상기 유기절연막(미도시) 또는 무기절연막(162)은 그 자체로 인캡슐레이션 막(미도시)으로 이용될 수도 있으며, 이 경우 상기 제 2 기판(170)은 생략할 수도 있다. In addition, as another modified example according to the embodiment of the present invention, an organic insulating film (not shown) or an inorganic insulating film (not shown) may be further provided on the
이후에는 전술한 구성을 갖는 본 발명의 실시예에 따른 유기전계 발광소자의 제조 방법에 대해 설명한다. 이때, 본 발명의 실시예에 따른 유기전계 발광소자는 뱅크(153)의 구성에 특징이 있으며, 스위칭 및 구동 박막트랜지스터를 형성하는 단계까지는 일반적인 방법에 의해 제조되므로 이에 대해서는 그 설명을 간략히 하며, 이중층 구조를 갖는 뱅크를 형성하는 단계를 위주로 상세히 설명한다. Hereinafter, a method of manufacturing an organic light emitting diode according to an embodiment of the present invention having the above-described configuration will be described. At this time, the organic light emitting device according to the embodiment of the present invention is characterized in the configuration of the
도 7a 내지 도 7h는 본 발명의 실시예에 따른 유기전계 발광소자의 제조 단계별 공정 단면도이다. 7A to 7H are cross-sectional views of manufacturing steps of an organic light emitting device according to an exemplary embodiment of the present invention.
우선, 도 7a에 도시한 바와 같이, 투명한 재질의 제 1 기판(110) 상에 일반적인 방법을 진행하여 서로 교차하는 게이트 배선(미도시) 및 데이트 배선(미도시)과, 상기 데이터 배선(미도시)과 나란한 전원배선(미도시)을 형성하고, 나아가 스위칭 영역(미도시)에 상기 게이트 및 데이터 배선(미도시)과 연결된 스위칭 박막트랜지스터(미도시)를 형성하고, 동시에 구동영역(DA)에 상기 스위칭 박막트랜지스터(미도시) 및 전원배선(미도시)과 연결된 구동 박막트랜지스터(DTr)를 형성한다.First, as shown in FIG. 7A, a gate wiring (not shown) and a date wiring (not shown) crossing each other by performing a general method on a
이때, 상기 스위칭 및 구동 박막트랜지스터(미도시, DTr)는 산화물 반도체층(120)을 포함하거나, 비정질 실리콘의 액티브층과 불순물 비정질 실리콘의 오믹콘택층으로 이루어진 반도체층(도 5의 220)을 포함하여 게이트 전극(115)이 최하부에 구비되는 보텀 게이트 타입으로 형성할 수도 있으며, 또는 폴리실리콘의 반도체층(도 6의 320)을 구비하여 상기 폴리실리콘의 반도체층(도 6의 320이 가장 최저면에 형성되는 탑 게이트 타입으로 형성할 수도 있다.At this time, the switching and driving thin film transistor (not shown, DTr) includes an
도면에서는 일례로 상기 스위칭 및 구동 박막트랜지스터(미도시, DTr)가 산화물 반도체층(120)을 포함하여 보텀 게이트 타입으로 형성한 것을 일례로 도시하였다.In the drawing, as an example, the switching and driving thin film transistor (not shown, DTr) is formed in a bottom gate type including the
다음, 상기 스위칭 및 구동 박막트랜지스터(미도시, DTr) 위로 유기절연물질 예를들면 포토아크릴을 도포함으로서 평탄한 표면을 갖는 보호층(140)을 형성하고, 이에 대해 마스크 공정을 진행하여 패터닝함으로써 상기 구동 박막트랜지스터(DTr)의 드레인 전극(136)을 노출시키는 드레인 콘택홀(143)을 형성한다.Next, a
이후, 상기 드레인 콘택홀(143)을 구비한 보호층(140) 위로 일함수 값이 상대적으로 큰 투명 도전성 물질 예를들면 인듐-틴-옥사이드(ITO)를 증착하거나, 또는 반사율이 우수한 금속물질인 알루미늄(Al) 또는 알루미늄 합금(AlNd)을 우선 증착 후 이의 상부로 상기 인듐-틴-옥사이드(ITO)를 증착하고, 이에 대해 마스크 공정을 진행하여 패터닝함으로서 각 화소영역(P) 별로 상기 드레인 콘택홀(143)을 통해 상기 구동 박막트랜지스터(DTr)의 드레인 전극(136)과 접촉하는 제 1 전극(150)을 형성한다. 이때, 상기 반사율이 우수한 금속물질이 증착된 경우, 상기 제 1 전극(150) 하부에는 반사층(미도시)이 더욱 형성된다.Thereafter, on the
다음, 도 7b에 도시한 바와같이, 상기 제 1 전극(150)과 서로 이웃한 상기 제 1 전극(150) 사이로 노출된 상기 보호층(140) 위로 소수성 특성을 갖는 저분자 물질과 친수성 특성을 갖는 고분자 물질이 적정 함량비를 가지며 혼합된 것으로 감광성 특성 및 상분리 특성을 갖는 물질 예를들면 분자량이 십 수 내지 수천 정도 수준 바람직하게는 10 이상 1만 미만으로 불소(F) 성분을 포함하는 저분자 물질과 분자량이 만 내지 수 백만 바람직하게는 1만 5천 이상 100만 이하인 감광성의 고분자 물질 예를들면 폴리이미드 또는 아크릴이 혼합된 액상의 물질을 코팅장치(198) 일례로 스핀(spin) 코팅장치, 바(bar) 코팅장치, 슬릿(slit) 코팅장치 중 어느 하나를 이용하여 전면에 코팅함으로서 뱅크 물질층(151)을 형성한다.Next, as shown in FIG. 7B, on the
다음, 도 7c에 도시한 바와같이, 상기 뱅크 물질층(도 7b의 151)에 대해 열처리를 진행하여 소프트 베이킹 공정을 진행한다. 상기 열처리를 통한 소프트 베이킹 공정은 60℃ 내지 100℃ 정도의 온도 분위기를 갖는 오븐 또는 퍼나스에서 수 십초 내지 수 백 초간 진행하거나, 또는 60℃ 내지 100℃의 표면 온도를 갖는 핫 플레이트를 이용하여 수 십초 내지 수 백 초간 진행하는 것이 바람직하다.Next, as shown in FIG. 7C, a heat treatment is performed on the bank material layer (151 in FIG. 7B) to perform a soft baking process. The soft baking process through the heat treatment can be performed for tens to several hundred seconds in an oven or furnace having a temperature atmosphere of about 60°C to 100°C, or using a hot plate having a surface temperature of 60°C to 100°C. It is preferable to proceed for tens to several hundred seconds.
이러한 소프트 베이킹 공정에 의해 상기 뱅크 물질층(도 7b의 151)은 건조 및 경화되며, 건조되는 과정에서 공급되는 열에 의해 그 내부에서 분자들의 운동이 활발해지며, 이러한 분자들의 활발한 운동에 의해 1만 5천 이상의 분자량을 갖는 무거운 분자는 상기 뱅크 물질층(도 7b의 151)의 하부로 이동하고, 1만 미만의 분자량을 갖는 상대적으로 가벼운 분자는 상기 뱅크 물질층(도 7b의 151) 내에서 상부로 이동하는 상분리 현상이 발생한다. By this soft baking process, the bank material layer (151 in FIG. 7B) is dried and hardened, and the movement of molecules within the bank material layer (151 in FIG. 7B) is activated by the heat supplied during the drying process. Heavy molecules having a molecular weight of 1,000 or more move to the bottom of the bank material layer (151 in FIG. 7B), and relatively light molecules with a molecular weight of less than 10,000 move to the top in the bank material layer (151 in FIG. 7B). Moving phase separation occurs.
이러한 상분리 현상이 발생된 상태에서 상기 뱅크 물질층(도 7b의 151)에 열처리에 의해 공급되는 열에 의해 솔벤트 및 수분이 휘발되어 제거되며 경화됨으로서 최종적으로 친수성 특성을 갖는 고분자 물질로 이루어진 하부층(152a)과, 소수성 특성을 갖는 저분자 물질로 이루어진 상부층(152b)의 이중층 구조를 갖는 뱅크층(152)이 형성된다.In the state in which the phase separation phenomenon occurs, solvent and moisture are volatilized and removed by heat supplied by heat treatment to the bank material layer (151 in FIG. 7B), and finally, the
다음, 도 7d에 도시한 바와같이, 상기 이중층 구조를 갖는 뱅크층(도 7c의 152)에 대해 반사영역과 투과영역을 갖는 노광 마스크(미도시)를 위치시키고 상기 노광 마스크(미도시)를 이용한 노광을 실시한 후, 현상액을 이용한 현상을 실시한다.Next, as shown in Fig. 7D, an exposure mask (not shown) having a reflective region and a transmissive region is positioned with respect to the bank layer (152 of Fig. 7C) having the double-layer structure, and the exposure mask (not shown) is used. After performing exposure, development using a developer is performed.
상기 뱅크층(도 7c의 152)은 그 자체로 감광성 특성, 더욱 정확히는 빛을 받은 부분이 현상 후 남게되는 네거티브 타입의 특성을 가지므로 노광 시 노광 마스크(미도시)의 투과영역에 대응되는 부분은 현상액에 반응하지 않고, 노광 마스크(미도시)의 차단영역에 대응되는 부분은 현상액에 반응하여 제거되게 된다.Since the bank layer (152 in FIG. 7C) itself has a photosensitive characteristic, and more precisely, a negative-type characteristic in which the lighted portion remains after development, the portion corresponding to the transmission area of the exposure mask (not shown) during exposure is A portion that does not react to the developer and corresponds to the blocking region of the exposure mask (not shown) is removed in response to the developer.
이 경우, 본 발명의 실시예에 따른 특징적인 구성인 이중층 구조를 갖는 뱅크층(도 7c의 152)은 상기 제 1 전극(150)과 접촉하거나 인접하는 하부층(도 7c의 152a)은 고분자 물질로 이루어짐으로서 불소(F) 성분을 포함하는 저분자 물질은 거의 없으므로 현상액에 반응하여 제거된 후에는 상기 제 1 전극(150) 표면에 불소(F) 성분의 잔사는 남지 않고 완전히 제거되며, 설사 남는다 하더라도 종래 대비 그 양이 매우 미약한 수준이 된다.In this case, the bank layer (152 in FIG. 7C) having a double-layer structure, which is a characteristic configuration according to an embodiment of the present invention, is a lower layer (152a in FIG. 7C) in contact with or adjacent to the
이러한 현상 공정 진행에 의해 제거되지 않고 최종적으로 남게되는 뱅크층(도 7c의 152)은 친수성 특성을 갖는 하부층(153a)과 소수성 특성을 갖는 상부층(153b)의 이중층 구조를 가지며 각 화소영역(P)의 경계에 대응하여 상기 제 1 전극(150)의 가장자리부와 중첩하는 이중층 구조의 뱅크(153)를 이루게 된다. The bank layer (152 in FIG. 7C) that is not removed by the development process and finally remains has a double-layer structure of a
한편, 본 발명의 실시예에 따른 유기전계 발광소자의 제조방법에 있어서는 상분리가 가능한 물질을 이용하여 이중층 구조를 갖는 뱅크(153)를 형성하는 것을 보이고 있지만, 그 변형예로서 친수성 특성을 갖는 감광성 물질과 소수성 특성을 갖는 감광성 물질을 이용하여 이중층 구조의 뱅크(153)를 형성할 수도 있다.On the other hand, in the manufacturing method of the organic light emitting device according to the embodiment of the present invention, it is shown that the
도 8a 내지 도 8f는 본 발명의 실시예의 변형예에 따른 유기전계 발광소자의 제조 단계별 공정 단면도로서 이중층 구조의 뱅크를 형성하는 단계만을 나타낸 것이다. 이때, 도면에서는 스위칭 및 구동 박막트랜지스터는 생략하고 제 1 기판(110) 상에 제 1 전극(150)만을 간략히 도시하였다. 8A to 8F are cross-sectional views illustrating a step-by-step process of manufacturing an organic light-emitting device according to a modified example of the embodiment of the present invention, showing only the steps of forming a bank having a double layer structure. In this case, the switching and driving thin film transistors are omitted in the drawing, and only the
우선, 도 8a에 도시한 바와같이, 제 1 전극(150) 위로 전면에 친수성 특성을 갖는 감광성 물질 예를들면 폴리이미드 또는 아크릴을 코팅장치(미도시)를 이용하여 코팅함으로서 제 1 뱅크 물질층(451)을 형성한다.First, as shown in FIG. 8A, the first bank material layer is coated with a photosensitive material having hydrophilic properties, for example, polyimide or acrylic, on the entire surface of the
이후, 도 8b에 도시한 바와같이, 상기 제 1 뱅크 물질층(도 8a의 451)에 대해 열처리에 의한 소프트 베이킹을 진행하여 건조 및 경화시킴으로서 친수성 특성을 갖는 제 1 뱅크층(452)을 형성한다. Thereafter, as shown in FIG. 8B, soft baking by heat treatment is performed on the first bank material layer (451 in FIG. 8A) to dry and cure to form a
이 경우 상기 친수성 특성을 갖는 감광성 물질은 분자량에는 상관없는 것이 특징이다. 즉, 상기 친수성 특성을 갖는 감광성 물질은 고분자 물질이거나 또는 저분자 물질이여도 문제되지 않는다. In this case, the photosensitive material having the hydrophilic property is characterized in that it does not matter the molecular weight. That is, even if the photosensitive material having the hydrophilic property is a polymer material or a low molecular material, there is no problem.
다음, 도 8c에 도시한 바와같이, 상기 제 1 뱅크층(452) 위로 소수성 특성을 갖는 감광성 물질 예를들면 불소(F)를 포함하는 아크릴을 코팅장치(미도시)를 이용하여 코팅함으로서 제 2 뱅크 물질층(453)을 형성한다. Next, as shown in FIG. 8C, by coating the
이후, 도 8d에 도시한 바와같이, 상기 제 2 뱅크 물질층(도 8c의 453) 열처리에 의한 소프트 베이킹을 진행하여 건조 및 경화시킴으로서 제 2 뱅크층(454)을 형성한다. Thereafter, as shown in FIG. 8D, the second bank material layer (453 in FIG. 8C) is soft baked by heat treatment to dry and cure to form the
이 경우 상기 소수성 특성을 갖는 감광성 물질 또한 분자량에는 상관없는 것이 특징이다. 즉, 상기 소수성 특성을 갖는 감광성 물질은 고분자 물질이거나 저분자 물질이여도 문제되지 않는다.In this case, the photosensitive material having the hydrophobic property is also characterized in that it does not matter to the molecular weight. That is, even if the photosensitive material having the hydrophobic property is a polymer material or a low molecular material, there is no problem.
상기 친수성 특성을 갖는 제 1 뱅크층(452)은 이미 소프트 베이킹을 진행하여 경화된 상태이며, 이의 상부에 소수성 특성을 갖는 감광성 물질이 코팅되었으므로 상기 소수성 특성을 갖는 감광성 물질의 소프트 베이킹을 진행한다 하더라도 이미 경화된 상기 제 1 뱅크층(452) 내부로 상기 소수성 특성을 갖는 감광성 물질 분자가 이동할 수 없기 때문이다. The
다음, 도 8e에 도시한 바와같이, 2회의 코팅 공정과 소프트 베이킹 공정을 통해 순차 적층된 제 1 및 제 2 뱅크층(도 8d의 452, 454)에 대해 본 발명의 실시예에 따른 제조방법에서 언급바와 같이 노광 마스크를 이용하여 노광을 실시한 후, 현상액을 이용한 현상 공정을 진행하여 패터닝함으로서 도 6d 에 도시된 바와 동일한 친수성 특성을 갖는 하부층(153a)과 소수성 특성을 갖는 상부층(153b)의 이중층 구조를 갖는 뱅크(153)를 형성할 수 있다.Next, as shown in FIG. 8E, in the manufacturing method according to the embodiment of the present invention, for the first and second bank layers (452, 454 in FIG. 8D) sequentially stacked through two coating processes and a soft baking process. As mentioned above, the double layer structure of the
이러한 변형예에 따른 뱅크(153) 형성 방법에 의해서도 상기 제 1 전극(150)의 표면에는 소수성 특성을 갖는 물질의 잔사는 남지 않게 되며, 이후 단계에서 분사 또는 드롭핑되는 유기 발광 물질의 퍼짐 특성이 향상되는 것이 특징이다. Even by the method of forming the
이후 단계는 본 발명의 실시예에 따른 제조 방법과 동일하므로 이하 변형예에 따른 제조 방법은 생략한다.Since the subsequent steps are the same as the manufacturing method according to the embodiment of the present invention, the manufacturing method according to the following modification is omitted.
다음, 도 7e에 도시한 바와같이, 상기 이중층 구조를 갖는 뱅크(153)가 형성된 상기 제 1 기판(110)에 대응하여 잉크젯 장치 또는 노즐 코팅장치(199)를 이용하여 액상의 유기 발광 물질을 상기 뱅크(153)로 둘러싸인 각 화소영역(P) 에 대응하여 분사 또는 드롭핑 함으로서 상기 제 1 전극(150) 상부에 유기 발광 물질층(154)을 형성한다.Next, as shown in FIG. 7E, the liquid organic light-emitting material is prepared by using an inkjet device or a nozzle coating device 199 in correspondence to the
이때, 상기 액상의 유기 발광 물질을 분사 또는 드롭핑 하는 단계에서 상기 액상의 유기 발광 물질은 각 화소영역(P) 내에 분사 또는 드롭핑되면 상기 잉크젯 장치 또는 노즐 코팅 장치(199)의 자체 오차에 분사 또는 드롭핑 위치가 치우쳐 뱅크(153) 상에 드롭핑 된다 하더라도 상기 뱅크(153)의 상부층(153b)이 소수성 특성을 가지므로 상기 뱅크(153)로 둘러싸인 각 화소영역(P) 으로 흘러가게 된다. At this time, in the step of spraying or dropping the liquid organic light-emitting material, if the liquid organic light-emitting material is sprayed or dropped into each pixel area P, it is sprayed to the own error of the inkjet device or the nozzle coating device 199 Alternatively, even if the dropping position is biased and dropping is performed on the
또한, 상기 액상의 유기 발광 물질의 분사량이 조금 많더라도 상기 뱅크(153)의 상부층(153b)이 소수성 특성을 가지므로 유기 발광 물질을 밀어내는 경향을 가지므로 흘러 넘침을 방지하게 된다.In addition, even if the amount of the liquid organic light-emitting material sprayed is slightly large, the
나아가 상기 뱅크(153)는 그 하부층(153a)이 친수성 특성을 가지므로 각 뱅크(153)로 둘러싸인 각 화소영역(P) 내에서 상기 뱅크(153)의 하부층(153a) 측면에서는 상기 액상의 유기 발광물질을 끌어당기는 힘이 작용하여 상기 액상의 유기 발광 물질을 상기 제 1 전극(150)의 표면에서 잘 퍼지도록 하며 나아가 상기 뱅크(153)의 하부층(153a) 측면과 접촉한 상태를 갖도록 한다.Furthermore, since the
이러한 상태에서 도 7f에 도시한 바와같이, 상기 유기 발광 물질층(도 7e의 154)에 대해 건조 및 경화공정을 진행하여 솔벤트와 수분을 제거함으로서 경화된 상태의 유기 발광층(155)을 형성할 수 있다. In this state, as shown in FIG. 7F, the organic
이 경우, 상기 유기 발광층(155)은 상기 뱅크(153)의 하부층(155a)과 접촉하도록 형성됨으로서 종래와 같이 퍼짐 특성이 저하되어 뱅크(153)의 테두리 부분에 형성되지 않는 현상을 원천적으로 방지하는 효과가 있다.In this case, since the
한편, 도면에 있어서는 상기 제 1 전극(150) 위로 단일층 구조를 갖는 유기 발광층(153)만이 형성된 것을 일례로 보이고 있지만, 상기 유기 발광층(153)이 다수층으로 이루어진 경우, 상기 단일층의 유기 발광층(153)을 형성한 동일한 방법을 진행하거나, 또는 표시영역 내에 전면 증착하는 방법을 진행하여 상기 유기 발광층(153)의 하부 또는 상부에 정공주입층(hole injection layer)(미도시), 정공수송층(hole transporting layer)(미도시), 전자수송층(electron transporting layer)(미도시) 및 전자주입층(electron injection layer)(미도시)을 선택적으로 더욱 형성할 수 있다. Meanwhile, in the drawing, it is shown as an example that only the
다음, 도 7g에 도시한 바와같이, 상기 유기 발광층(155) 위로 일함수 값이 비교적 낮은 금속물질 예를들면 알루미늄(Al), 알루미늄 합금(AlNd), 은(Ag), 마그네슘(Mg), 금(Au), 알루미늄마그네슘 합금(AlMg) 중 어느 하나 또는 둘 이상을 혼합하여 표시영역 전면에 증착하여 제 2 전극(160)을 형성함으로서 본 발명의 실시예에 따른 유기전계 발광소자용 제 1 기판(110)을 완성한다. Next, as shown in FIG. 7G, a metal material having a relatively low work function value above the
이때, 전술한 방법에 의해 각 화소영역(P) 내에 순차 적층된 상기 제 1 전극(150)과 유기 발광층(155)과 제 2 전극(160)은 유기전계 발광 다이오드(E)를 이룬다.At this time, the
다음, 도 7h에 도시한 바와 같이, 상기 제 1 기판(110)과 대응하여 상기 유기발광 다이오드(E)의 인캡슐레이션을 위해 제 2 기판(170)이 대향하여 위치시키고, 상기 제 1 기판(110)과 제 2 기판(170)의 사이에는 투명하며 접착 특성을 갖는 프릿(Frit), 유기절연물질, 고분자 물질 중 어느 하나로 이루어진 페이스 씰(미도시)을 상기 제 1 기판(110)의 전면에 코팅한 상태에서 상기 제 1 기판(110)과 제 2 기판(170)을 합착하거나, 또는 진공 혹은 불활성 가스 분위기에서 상기 제 1 기판(110)의 가장자리를 따라 씰패턴(미도시)을 형성한 후 상기 제 1 및 제 2 기판(110, 170)을 합착함으로서 본 발명의 실시예에 따른 유기전계 발광소자를 완성한다.Next, as shown in FIG. 7H, a
한편, 상기 제 1 기판(110)의 상기 제 2 전극(160) 위로 무기절연물질 또는 유기절연물질을 증착 또는 도포하거나 또는 점착층(미도시)을 재개하여 필름(미도시)을 부착함으로서 인캡슐레이션 막(미도시)으로 이용할 경우, 상기 제 2 기판(170)은 생략될 수도 있다. On the other hand, by depositing or applying an inorganic insulating material or an organic insulating material on the
본 발명은 전술한 실시예 및 변형예로 한정되지 않고, 본 발명의 취지를 벗어나지 않는 한도내에서 다양하게 변경하여 실시할 수 있다. The present invention is not limited to the above-described embodiments and modifications, and various modifications may be made without departing from the scope of the present invention.
101 : 유기전계 발광소자 110 : 제 1 기판
115 : 게이트 전극 118 : 게이트 절연막
120 : 산화물 반도체층 122 : 에치스토퍼
133 : 소스 전극 136 : 드레인 전극
140 : 보호층 143 : 드레인 콘택홀
150 : 제 1 전극 153 : 뱅크
153a : (뱅크의)하부층 153b : (뱅크의)상부층
155 : 유기 발광층 160 : 제 2 전극
DA : 구동영역 DTr : 구동 박막트랜지스터
P : 화소영역101: organic light emitting device 110: first substrate
115: gate electrode 118: gate insulating film
120: oxide semiconductor layer 122: etch stopper
133: source electrode 136: drain electrode
140: protective layer 143: drain contact hole
150: first electrode 153: bank
153a: lower layer (of bank) 153b: upper layer (of bank)
155: organic emission layer 160: second electrode
DA: Driving area DTr: Driving thin film transistor
P: pixel area
Claims (10)
상기 구동 박막트랜지스터를 덮는 보호층을 형성하는 단계와;
상기 보호층 상부로, 상기 각 제 1 및 제 2 화소영역 별로 상기 드레인전극과 접촉되는 제 1 전극을 형성하는 단계와;
상기 제 1 전극의 가장자리와 중첩하며, 상기 각 제 1 및 제 2 화소영역을 둘러싸는 형태로 친수성 특성을 갖는 하부층과 소수성 특성을 갖는 상부층의 이중층 구조를 갖는 뱅크를 형성하는 단계와;
상기 뱅크에 의해 노출되는 상기 제 1 전극 상부에, 액상의 유기 발광 물질을 분사 또는 드롭핑하여 유기 발광층을 형성하는 단계와;
상기 유기 발광층 상부로 상기 표시영역 전면에 제 2 전극을 형성하는 단계
를 포함하며,
상기 하부층은 폴리이미드 또는 아크릴로 이루어지며, 상기 상부층은 1 내지 10w% 의 불소(F) 성분을 포함하며, 이러한 하부층과 상부층은 상분리 특성을 가지며,
상기 보호층은 포토아크릴로 이루어져, 상기 보호층과 상기 뱅크는 서로 다른 물질로 이루어지며,
상기 보호층의 상기 드레인전극이 노출된 내부에 상기 제 1 전극과, 상기 제 1 전극 상부로 상기 하부층이 위치하며,
상기 하부층은 상기 보호층의 상기 드레인전극이 노출된 내부에 충진되며,
상기 이중층 구조를 갖는 뱅크를 형성하는 단계는,
고분자 물질과 저분자 물질이 혼합된 액상의 물질을 상기 제 1 전극 위로 코팅하여 뱅크 물질층을 형성하는 단계와;
상기 뱅크 물질층에 대해 열처리를 실시하여 상기 고분자 물질은 하부로 상기 저분자 물질을 상부로 이동시켜 상기 고분자 물질로 이루어진 하부층과 상기 저분자 물질로 이루어진 상부층의 이중층 구조를 이루는 뱅크층을 형성하는 단계를 포함하며,
상기 고분자 물질은 15,000 이상의 분자량을 갖는 친수성으로 이루어지며, 상기 저분자 물질은 10,000 미만의 분자량을 갖는 소수성으로 이루어지는 유기전계 발광소자의 제조 방법.
Forming a driving thin film transistor including a gate electrode and a source and drain electrode for each of the first and second pixel regions on a first substrate on which a display region having first and second pixel regions is defined;
Forming a protective layer covering the driving thin film transistor;
Forming a first electrode over the protective layer and in contact with the drain electrode for each of the first and second pixel regions;
Forming a bank having a double-layer structure of a lower layer having a hydrophilic property and an upper layer having a hydrophobic property, overlapping with an edge of the first electrode and surrounding each of the first and second pixel regions;
Forming an organic light emitting layer by spraying or dropping a liquid organic light emitting material on the first electrode exposed by the bank;
Forming a second electrode over the organic emission layer on the entire surface of the display area
Including,
The lower layer is made of polyimide or acrylic, the upper layer contains 1 to 10 w% of fluorine (F) component, and the lower layer and the upper layer have a phase separation characteristic,
The protective layer is made of photoacrylic, the protective layer and the bank are made of different materials,
The first electrode and the lower layer are positioned above the first electrode in the protective layer where the drain electrode is exposed,
The lower layer is filled inside the protective layer to which the drain electrode is exposed,
Forming the bank having the double layer structure,
Forming a bank material layer by coating a liquid material in which a polymer material and a low molecular material are mixed on the first electrode;
A heat treatment is performed on the bank material layer so that the polymer material moves the low molecular weight material downward to form a bank layer forming a double layer structure of the lower layer made of the polymer material and the upper layer made of the low molecular material. And
The polymer material is made of hydrophilic having a molecular weight of 15,000 or more, and the low molecular material is a method of manufacturing an organic electroluminescent device made of hydrophobic having a molecular weight of less than 10,000.
상기 이중층 구조를 갖는 뱅크를 형성하는 단계는,
상기 이중층 구조를 이루는 뱅크층에 대해 노광 및 현상을 진행하여 패터닝하는 단계
를 더욱 포함하는 유기전계 발광소자의 제조 방법.
The method of claim 1,
Forming the bank having the double layer structure,
Exposing and developing the bank layer forming the double-layer structure to pattern it
The method of manufacturing an organic light emitting device further comprising a.
상기 열처리는 소프트 베이킹 공정으로 진행되며,
상기 열처리에 의해 상기 뱅크 물질층은 건조 및 경화되며,
상기 건조되는 과정에서 상기 열처리에 의해 상기 뱅크 물질층 내부의 분자들의 운동이 활발해지는 것이 특징인 유기전계 발광소자의 제조 방법.
The method of claim 1,
The heat treatment is performed by a soft baking process,
The bank material layer is dried and cured by the heat treatment,
The method of manufacturing an organic electroluminescent device, characterized in that the movement of molecules inside the bank material layer becomes active by the heat treatment during the drying process.
상기 분자들의 운동에 의해, 상기 15,000 이상의 분자량을 갖는 상기 고분자 물질은 상기 뱅크 물질층 내에서 하부로 이동하게 되며,
10,000 미만의 분자량을 갖는 상기 저분자 물질은 상기 뱅크 물질층 내에서 상부로 이동하게 되는 것이 특징인 유기전계 발광소자의 제조 방법.
The method of claim 5,
By the movement of the molecules, the polymer material having a molecular weight of 15,000 or more moves downward in the bank material layer,
The method of manufacturing an organic electroluminescent device, characterized in that the low molecular weight material having a molecular weight of less than 10,000 moves upward in the bank material layer.
상기 하부층의 측면에서는 상기 액상의 유기 발광 물질을 끌어당기는 힘이 작용하여,
상기 액상의 유기 발광 물질은 상기 하부층의 측면과 접촉하는 것이 특징인 유기전계 발광소자의 제조 방법.
The method of claim 1,
At the side of the lower layer, a force to attract the liquid organic light-emitting material acts,
The method of manufacturing an organic light-emitting device, wherein the liquid organic light-emitting material contacts a side surface of the lower layer.
상기 유기 발광층을 형성하는 단계에서,
상기 액상의 유기 발광 물질의 건조 및 경화공정을 더욱 포함하여,
상기 액상의 유기 발광 물질 내의 솔벤트와 수분을 제거함으로써 경화된 유기발광층을 형성하는 것을 특징인 유기전계 발광소자의 제조 방법.
The method of claim 1,
In the step of forming the organic emission layer,
Further comprising drying and curing the liquid organic light emitting material,
A method of manufacturing an organic light-emitting device, characterized in that a cured organic light-emitting layer is formed by removing solvent and moisture in the liquid organic light-emitting material.
상기 뱅크는 상기 제 1 화소영역에 위치하는 상기 제 1 전극의 가장자리와 중첩되며,
상기 뱅크는 상기 제 1 화소영역과 인접하여 위치하는 상기 제 2 화소영역의 상기 소스전극 상부로 위치하는 유기전계 발광소자의 제조방법.
The method of claim 1,
The bank overlaps an edge of the first electrode positioned in the first pixel region,
The bank is a method of manufacturing an organic light emitting diode disposed above the source electrode of the second pixel area adjacent to the first pixel area.
상기 구동 박막트랜지스터는 상기 게이트전극 상부로 산화물 반도체층을 더욱 포함하며,
상기 산화물 반도체층 상부로는, 상기 산화물 반도체층과 일부 중첩되는 에치스토퍼가 위치하는 유기전계 발광소자의 제조방법.The method of claim 1,
The driving thin film transistor further includes an oxide semiconductor layer over the gate electrode,
A method of manufacturing an organic electroluminescent device in which an etch stopper partially overlapping with the oxide semiconductor layer is positioned above the oxide semiconductor layer.
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Citations (2)
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JP2007094307A (en) * | 2005-09-30 | 2007-04-12 | Toppan Printing Co Ltd | Color filter and its manufacturing method |
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EP2141964B1 (en) * | 2007-05-31 | 2011-09-07 | Panasonic Corporation | Organic EL element and manufacturing method thereof |
GB2462845B (en) * | 2008-08-21 | 2011-07-27 | Cambridge Display Tech Ltd | Organic electronic devices and methods of making the same using solution processing techniques |
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---|---|---|---|---|
KR100834344B1 (en) * | 2001-12-29 | 2008-06-02 | 엘지디스플레이 주식회사 | an active matrix organic electroluminescence display and a manufacturing method of the same |
JP2007094307A (en) * | 2005-09-30 | 2007-04-12 | Toppan Printing Co Ltd | Color filter and its manufacturing method |
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