KR102104361B1 - Organic electro-luminescent device and method of fabricating the same - Google Patents
Organic electro-luminescent device and method of fabricating the same Download PDFInfo
- Publication number
- KR102104361B1 KR102104361B1 KR1020190094905A KR20190094905A KR102104361B1 KR 102104361 B1 KR102104361 B1 KR 102104361B1 KR 1020190094905 A KR1020190094905 A KR 1020190094905A KR 20190094905 A KR20190094905 A KR 20190094905A KR 102104361 B1 KR102104361 B1 KR 102104361B1
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- layer
- light emitting
- organic light
- bank
- electrode
- Prior art date
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/122—Pixel-defining structures or layers, e.g. banks
-
- H01L27/3246—
-
- H01L51/5203—
-
- H01L51/56—
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/805—Electrodes
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Abstract
본 발명은, 다수의 화소영역을 갖는 표시영역이 정의된 제 1 기판 상에 상기 각 화소영역 별로 제 1 전극을 형성하는 단계와; 상기 제 1 전극의 가장자리와 중첩하며 상기 각 화소영역을 둘러싸는 형태로 제 1 두께와 제 1 폭을 갖는 하부층과 상기 제 1 폭보다 작은 제 2 폭을 갖는 상부층으로 이루어진 이중층 구조의 뱅크를 형성하는 단계와; 상기 뱅크의 상부층으로 둘러싸인 영역 내부에 상기 뱅크의 하부층 및 제 1 전극 상부에 유기 발광층을 형성하는 단계와; 상기 유기 발광층 상부로 상기 표시영역 전면에 제 2 전극을 형성하는 단계를 포함하는 유기전계 발광소자의 제조 방법을 제공한다.The present invention includes forming a first electrode for each pixel region on a first substrate on which a display region having a plurality of pixel regions is defined; A bank of a double-layer structure comprising a lower layer having a first thickness and a first width and an upper layer having a second width smaller than the first width in a form that overlaps the edge of the first electrode and surrounds each pixel region. Step and; Forming an organic emission layer on the lower layer of the bank and on the first electrode in an area surrounded by the upper layer of the bank; It provides a method of manufacturing an organic light emitting device comprising the step of forming a second electrode on the entire surface of the display region over the organic light emitting layer.
Description
본 발명은 유기전계 발광소자(Organic Electro-luminescent Device)에 관한 것이며, 특히 이중 구조의 뱅크를 구비하여 액상의 유기 발광층 형성 시 각 화소영역 내에서 가장자리 부분과 중앙부의 두께 차이로 인해 발생되는 개구율 저하 및 이에 따른 수명 저하를 억제할 수 있는 유기전계 발광소자 및 이의 제조방법에 관한 것이다. The present invention relates to an organic electroluminescent device, in particular, a double structure bank is provided to form a liquid organic light emitting layer, and the aperture ratio caused by the difference in the thickness of the edge portion and the center portion in each pixel region is reduced. And it relates to an organic electroluminescent device capable of suppressing the decrease in life and the manufacturing method thereof.
평판 디스플레이(FPD ; Flat Panel Display)중 하나인 유기전계 발광소자는 높은 휘도와 낮은 동작 전압 특성을 갖는다. 또한 스스로 빛을 내는 자체발광형이기 때문에 명암대비(contrast ratio)가 크고, 초박형 디스플레이의 구현이 가능하며, 응답시간이 수 마이크로초(㎲) 정도로 동화상 구현이 쉽고, 시야각의 제한이 없으며 저온에서도 안정적이고, 직류 5V 내지 15V의 낮은 전압으로 구동하므로 구동회로의 제작 및 설계가 용이하다.An organic light emitting device, which is one of flat panel displays (FPDs), has high luminance and low operating voltage characteristics. In addition, because it is a self-emission type that emits light on its own, it has a large contrast ratio, and it is possible to implement an ultra-thin display, and it is easy to implement a moving image with a response time of a few microseconds. In addition, it is easy to manufacture and design a driving circuit since it is driven with a low voltage of 5V to 15V DC.
따라서, 전술한 바와 같은 장점을 갖는 유기전계 발광소자는 최근에는 TV, 모니터, 핸드폰 등 다양한 IT기기에 이용되고 있다. Therefore, the organic light emitting device having the above-mentioned advantages has been recently used in various IT devices such as TVs, monitors, and mobile phones.
이하, 유기전계 발광소자의 기본적인 구조에 대해서 조금 더 상세히 설명한다. Hereinafter, the basic structure of the organic light emitting device will be described in more detail.
유기전계 발광소자는 크게 어레이 소자와 유기전계 발광 다이오드로 이루지고 있다. 상기 어레이 소자는 게이트 및 데이터 배선과 연결된 스위칭 박막트랜지스터와, 상기 유기전계 발광 다이오드와 연결된 구동 박막트랜지스터로 이루어지며, 상기 유기전계 발광 다이오드는 상기 구동 박막트랜지스터와 연결된 제 1 전극과 유기 발광층 및 제 2 전극으로 이루어지고 있다.The organic light emitting device is mainly composed of an array device and an organic light emitting diode. The array element is composed of a switching thin film transistor connected to a gate and a data line, a driving thin film transistor connected to the organic light emitting diode, and the organic light emitting diode comprises a first electrode and an organic light emitting layer and a second connected to the driving thin film transistor. It is made of electrodes.
이러한 구성을 갖는 유기전계 발광소자는 상기 유기 발광층으로부터 발생된 빛이 상기 제 1 전극 또는 제 2 전극을 향해 출사됨으로써 화상을 표시하게 되며, 개구율 등을 고려할 때, 근래에는 통상 상기 제 2 전극을 향해 출사되는 빛을 이용하여 화상을 표시하는 상부 발광 방식으로 제조되고 있다.An organic electroluminescent device having such a configuration displays an image by emitting light emitted from the organic light emitting layer toward the first electrode or the second electrode, and considering the aperture ratio, etc., recently toward the second electrode It is manufactured by the upper emission method that displays an image by using the emitted light.
한편, 이러한 일반적인 유기발광 표시장치에 있어 상기 유기 발광층은 통상 쉐도우 마스크를 이용한 열증착법에 의해 형성되고 있는데, 근래들어 표시장치의 대형화에 의해 쉐도우 마스크의 처짐 등이 심하게 발생되어 증착 불량이 증가됨으로서 대면적의 기판에 대해서는 적용이 점점 어려워지고 있으며, 쉐도우 마스크를 이용한 열증착의 경우 쉐도우 이팩트(shadow effect) 등이 발생됨으로서 현 기술력으로는 250PPI 이상의 고해상도를 갖는 유기전계 발광소자를 제조하는데 무리가 있다.On the other hand, in such a general organic light emitting display device, the organic light emitting layer is usually formed by a thermal evaporation method using a shadow mask. Recently, as the display device is enlarged, sagging of the shadow mask or the like is severely generated, thereby increasing deposition defects. It is becoming increasingly difficult to apply to substrates of an area, and in the case of thermal deposition using a shadow mask, a shadow effect or the like is generated, and current technology has difficulty in manufacturing an organic light emitting device having a high resolution of 250 PPI or more.
따라서, 대면적의 유기전계 발광소자 제조를 위해 쉐도우 마스크를 이용한 열증착 공정을 대체하는 유기 발광층의 형성 방법이 제안되었다.Accordingly, a method of forming an organic light emitting layer that replaces a thermal deposition process using a shadow mask for manufacturing a large area organic light emitting device has been proposed.
제안된 유기 발광층의 형성방법은 액상의 유기 발광물질을 잉크젯 장치 또는 노즐 코팅 장치를 통해 격벽으로 둘러싸인 영역에 분사 또는 드롭핑 한 후 경화시키는 것이다.The method of forming the proposed organic light-emitting layer is to cure the liquid organic light-emitting material after spraying or dropping it into an area surrounded by a partition wall through an inkjet device or a nozzle coating device.
도 1은 노즐 코팅 장치를 통해 액상의 유기 발광물질을 드롭핑하여 유기 발광층을 형성하는 단계를 진행한 후의 유기전계 발광소자의 단면도이다.1 is a cross-sectional view of an organic light emitting device after performing a step of dropping a liquid organic light emitting material through a nozzle coating device to form an organic light emitting layer.
액상의 유기 발광물질을 잉크젯 장치를 통해 각 화소영역별로 분사하거나 또는 노즐 코팅 장치를 통해 드롭핑을 하기 위해서는 액상 상태의 유기 발광물질이 각 화소영역(P) 내에서 주위로 흘러가는 것을 방지하기 위해 필수적으로 제 1 전극(50)이 형성된 각 화소영역(P)을 둘러싸는 형태의 뱅크가 필요로 되고 있다. In order to spray liquid organic light emitting material for each pixel area through an inkjet device or to drop through a nozzle coating device, in order to prevent the organic light emitting material in a liquid state from flowing around in each pixel area P Essentially, a bank having a shape surrounding each pixel region P in which the
따라서, 도시한 바와같이 유기 발광층(도 1b의 55)이 구비되기 전에 각 화소영역(P)의 경계를 따라 단일층 구조를 갖는 뱅크(53)가 구비되고 있다. Therefore, as shown, before the organic light emitting layer (55 of FIG. 1B) is provided, a
이때, 상기 뱅크(53)는 소수성 특성을 갖는 유기물질로 이루어지고 있다. 이렇게 뱅크(53)가 소수성 특성을 갖도록 하는 것은 액상의 유기 발광 물질이 분사 또는 드롭핑 될 때 장비 자체가 가지는 오차 등에 의해 뱅크로 둘러싸인 화소영역(P) 내의 중앙부 분사되지 않고 약간 치우쳐 분사되어 뱅크(53) 상에도 소정량 분사되더라도 상기 뱅크(53)에서 흘러내려 각 화소영역(P) 내에 위치하도록 하고, 나아가 액상의 유기 발광 물질의 분사량이 조금 과하게 이루어졌을 경우도 상기 뱅크(53) 상부로 넘쳐 흐르는 것을 억제시키기 위함이다. At this time, the
소수성 특성을 갖게 되면 친수성 특성을 갖는 액상의 유기 발광 물질을 밀어내는 특성을 가지므로 상기 뱅크(53)의 상부에는 유기 발광 물질이 코팅되지 않고 뱅크(53)로 둘러싸인 영역에 대해서만 집중적으로 모이도록 할 수 있기 때문이다. When it has a hydrophobic property, it has a property of repelling a liquid organic light-emitting material having a hydrophilic property, so that the organic light-emitting material is not coated on the upper portion of the
상기 뱅크(53)로 둘러싸인 각 화소영역(P) 내에 잉크젯 장치의 헤드 또는 노즐 코팅 장치(98)의 노즐이 위치하여 액상의 유기 발광 물질을 분사 또는 드롭핑 하게 되면 각 화소영역(P) 내에 유기 발광 물질이 채워지게 되며, 이러한 상태에서 열처리를 진행하여 건조 및 경화시킴으로서 유기 발광층(55)이 형성되고 있다. When the head of the inkjet device or the nozzle of the nozzle coating device 98 is located in each pixel area P surrounded by the
하지만, 전술한 바와같이 잉크 젯 장치 또는 노즐 코팅 장치를 통해 유기 발광층(55)을 형성하게 되면 각 뱅크(53)로 둘러싸인 영역 내의 중앙부 대비 상기 뱅크(53)와 인접하는 가장자리 부분의 두께가 두껍게 형성되는 현상이 발생된다.However, when the organic
이는 경화되는 과정에서 뱅크(53)와 접촉하는 부분이 상대적으로 느리게 경화되며 중앙부로부터 경화가 이루어지면서 내부적으로 유기 발광물질이 가장자리 부분으로 이동하고 이 상태에서 최종적으로 경화되기 때문이다.This is because in the process of curing, the portion in contact with the
따라서 이러한 현상에 의해 각 화소영역(P) 내에서 상기 유기 발광층(55)은 중앙부에 대해서는 그 두께 편차가 거의 없이 평탄하게 형성되지만, 뱅크(53)와 인접하는 가장자리 부분으로 갈수록 점진적으로 그 두께가 증가하는 단면 형태를 이루게 된다. Accordingly, the organic
한편, 유기 발광층(55)은 두께가 다를 경우, 동일한 크기의 전류가 인가됨에 의해 그 발광 효율의 차이가 발생되며 이로 인해 도 2(종래의 소수성 특성을 갖는 단일층 구조의 뱅크를 구비하고 액상의 유기 발광물질을 이용하여 유기 발광층을 형성한 유기전계 발광소자에 있어 구동된 하나의 화소영역을 찍은 사진)에 도시한 바와같이, 뱅크 주변으로 유기 발광층이 평탄한 표면을 갖지 못하고 타 영역 대비 두껍게 형성된 부분이 어둡게 나타나게 되며, 이러한 어둡게 표시되는 부분은 사용자가 바라볼 때 얼룩처럼 느끼게 되므로 이렇게 두껍게 형성되는 부분에 대해서는 이를 사용자에게 보이지 않도록 하여 실질적인 발광영역이 되지 않도록 하고 있다. On the other hand, when the thickness of the organic light-emitting
따라서, 도 1을 참조하면 사용자가 실질적으로 바라보게 되는 각 화소영역(P)은 뱅크(53)로 둘러싸인 영역 전면이 아니라 유기 발광층(55)이 평판한 표면을 가지며 형성되어 균일한 휘도를 가지며 발광되는 발광영역(EA1) 부분이 되고 있으며, 이러한 구성을 갖는 종래의 유기전계 발광소자는 개구율이 매우 저하되고 있는 실정이다. Therefore, referring to FIG. 1, each pixel region P that is substantially viewed by the user is formed not on the entire surface of the region surrounded by the
본 발명은 상기 문제점을 해결하기 위하여 안출된 것으로, 본 발명은 뱅크로 둘러싸인 영역에서 뱅크와 인접하는 주변부까지 평탄한 표면을 갖도록 하여 각 화소영역 내에서 균일한 발광특성을 갖는 부분을 확장시킴으로서 개구율을 향상시킬 수 있는 유기전계 발광소자 및 이의 제조 방법을 제공하는 것을 그 목적으로 한다.The present invention was devised to solve the above problems, and the present invention improves the aperture ratio by expanding a portion having uniform light emission characteristics within each pixel region by having a flat surface from the region surrounded by the bank to the peripheral portion adjacent to the bank. An object of the present invention is to provide an organic electroluminescent device and a method for manufacturing the same.
상기 목적을 달성하기 위한 본 발명의 실시예에 따른 유기전계 발광소자의 제조 방법은, 다수의 화소영역을 갖는 표시영역이 정의된 제 1 기판 상에 상기 각 화소영역 별로 제 1 전극을 형성하는 단계와; 상기 제 1 전극의 가장자리와 중첩하며 상기 각 화소영역을 둘러싸는 형태로 제 1 두께와 제 1 폭을 갖는 하부층과 상기 제 1 폭보다 작은 제 2 폭을 갖는 상부층으로 이루어진 이중층 구조의 뱅크를 형성하는 단계와; 상기 뱅크의 상부층으로 둘러싸인 영역 내부에 상기 뱅크의 하부층 및 제 1 전극 상부에 유기 발광층을 형성하는 단계와; 상기 유기 발광층 상부로 상기 표시영역 전면에 제 2 전극을 형성하는 단계를 포함한다. In order to achieve the above object, a method of manufacturing an organic light emitting device according to an embodiment of the present invention includes forming a first electrode for each pixel area on a first substrate on which a display area having a plurality of pixel areas is defined. Wow; A bank of a double-layer structure comprising a lower layer having a first thickness and a first width and an upper layer having a second width smaller than the first width in a form that overlaps the edge of the first electrode and surrounds each pixel region. Step and; Forming an organic emission layer on the lower layer of the bank and on the first electrode in an area surrounded by the upper layer of the bank; And forming a second electrode on the entire surface of the display area over the organic emission layer.
이때, 상기 뱅크의 상부층과 하부층은 소수성 특성을 갖는 동일한 물질로 형성하는 것이 특징이다.At this time, the upper layer and the lower layer of the bank are characterized by being formed of the same material having hydrophobic properties.
그리고, 상기 제 1 두께는 상기 유기 발광층보다 얇으며, 0.2 내지 1.5㎛이며, 상기 뱅크의 상부층 외측으로 노출되는 상기 하부층의 폭은 1 내지 9㎛인 것이 바람직하다. And, the first thickness is thinner than the organic light emitting layer, 0.2 to 1.5㎛, it is preferable that the width of the lower layer exposed to the outside of the upper layer of the bank is 1 to 9㎛.
또한, 상기 유기 발광층은 상기 제 1 전극 상에 형성된 부분을 포함하여 상기 뱅크의 하부층 일부까지 평탄한 표면을 가지며 형성되는 것이 특징이며, 이때, 상기 유기 발광층은 액상의 유기 발광 물질을 잉크젯 장치를 통해 분사하거나 또는 노즐 코팅 장치를 통해 드롭핑하고 경화시켜 형성하는 것이 특징이다. In addition, the organic light emitting layer is characterized in that it is formed with a flat surface to a portion of the lower layer of the bank, including the portion formed on the first electrode, wherein the organic light emitting layer sprays a liquid organic light emitting material through an inkjet device Alternatively, it is formed by dropping and curing through a nozzle coating device.
그리고, 이중층 구조를 갖는 상기 뱅크를 형성하는 단계는, 상기 제 1 전극 위로 소수성 및 감광성 특성을 갖는 고분자 물질을 전면에 도포하여 뱅크 물질층을 형성하는 단계와; 상기 뱅크 물질층에 대해 빛의 투과영역과 차단영역 및 반투과영역을 갖는 노광 마스크를 이용한 노광을 실시하는 단계와; 노광이 이루어진 상기 뱅크 물질층을 현상하는 단계를 포함한다. The forming of the bank having a double layer structure may include forming a bank material layer by applying a polymer material having hydrophobic and photosensitive properties over the first electrode to the front surface; Subjecting the bank material layer to exposure using an exposure mask having a light transmissive area, a blocking area, and a semi-transmissive area; And developing the bank material layer exposed.
또한, 이중층 구조를 갖는 상기 뱅크를 형성하는 단계는, 상기 제 1 전극 위로 소수성 특성을 갖는 고분자 물질을 전면에 도포하여 뱅크 물질층을 형성하는 단계와; 상기 뱅크 물질층 위로 포토레지스트층을 형성하는 단계와; 상기 포토레지스트층에 대해 빛의 투과영역과 차단영역 및 반투과영역을 갖는 노광 마스크를 이용한 노광을 실시하는 단계와; 노광이 이루어진 상기 포토레지스트층을 현상하여 제 2 두께를 갖는 제 1 포토레지스트 패턴과 상기 제 2 두께보다 얇은 제 3 두께를 갖는 제 2 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계와; 상기 제 1 및 제 2 포토레지스트 패턴 외부로 노출된 상기 뱅크 물질층을 제거함으로서 동일한 두께를 갖는 뱅크 패턴을 형성하는 단계와; 애싱을 실시하여 상기 제 3 두께를 갖는 제 2 포토레지스트 패턴을 제거하여 상기 제 2 포토레지스트 패턴에 대응되는 상기 뱅크 패턴을 노출시키는 단계와; 상기 제 2 포토레지스트 패턴이 제거됨으로서 노출된 상기 뱅크 패턴에 대해 이방성 건식식각을 진행하여 그 두께를 낮춤으로서 상기 제 1 두께를 갖는 뱅크의 하부층을 형성하는 단계와; 스트립을 진행하여 상기 제 1 포토레지스트 패턴을 제거함으로서 상기 뱅크의 상부층을 형성하는 단계를 포함한다. In addition, the step of forming the bank having a double layer structure may include forming a bank material layer by applying a polymer material having a hydrophobic property over the first electrode to the front surface; Forming a photoresist layer over the bank material layer; Subjecting the photoresist layer to exposure using an exposure mask having a light transmissive area, a blocking area and a semi-transmissive area; Developing the exposed photoresist layer to form a first photoresist pattern having a second thickness and a second photoresist pattern having a third thickness thinner than the second thickness; Forming a bank pattern having the same thickness by removing the bank material layer exposed outside the first and second photoresist patterns; Removing the second photoresist pattern having the third thickness by performing ashing to expose the bank pattern corresponding to the second photoresist pattern; Forming an underlayer of the bank having the first thickness by performing anisotropic dry etching on the exposed bank pattern as the second photoresist pattern is removed to lower its thickness; And forming a top layer of the bank by proceeding a strip to remove the first photoresist pattern.
또한, 이중층 구조를 갖는 상기 뱅크를 형성하는 단계는, 상기 제 1 전극 위로 소수성 특성을 갖는 고분자 물질을 전면에 도포하여 뱅크 물질층을 형성하는 단계와; 상기 뱅크 물질층 위로 포토레지스트층을 형성하는 단계와; 상기 포토레지스트층에 대해 빛의 투과영역과 차단영역을 갖는 노광 마스크를 이용한 노광을 실시하는 단계와; 노광이 이루어진 상기 포토레지스트층을 현상하여 제 3 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계와; 상기 제 3 포토레지스트 패턴 외부로 노출된 상기 뱅크 물질층을 제거함으로서 동일한 두께를 갖는 뱅크 패턴을 형성하는 단계와; 애싱을 실시하여 상기 제 3 포토레지스트 패턴의 두께와 폭을 줄임으로서 상기 제 3 포토레지스트 패턴 외측으로 상기 뱅크 패턴을 노출시키는 단계와; 상기 제 3 포토레지스트 패턴의 두께와 폭이 줄어듦으로서 노출된 상기 뱅크 패턴에 대해 이방성 건식식각을 진행하여 그 두께를 낮춤으로서 상기 제 1 두께를 갖는 뱅크의 하부층을 형성하는 단계와; 스트립을 진행하여 상기 제 3 포토레지스트 패턴을 제거함으로서 상기 뱅크의 상부층을 형성하는 단계를 포함한다. In addition, the step of forming the bank having a double layer structure may include forming a bank material layer by applying a polymer material having a hydrophobic property over the first electrode to the front surface; Forming a photoresist layer over the bank material layer; Subjecting the photoresist layer to exposure using an exposure mask having light transmission and blocking areas; Developing a third photoresist pattern by developing the exposed photoresist layer; Forming a bank pattern having the same thickness by removing the bank material layer exposed outside the third photoresist pattern; Exposing the bank pattern to the outside of the third photoresist pattern by reducing ashing to reduce the thickness and width of the third photoresist pattern; Forming an underlayer of the bank having the first thickness by performing anisotropic dry etching on the exposed bank pattern by reducing the thickness and width of the third photoresist pattern; And forming a top layer of the bank by proceeding a strip to remove the third photoresist pattern.
본 발명에 따른 유기전계 발광 소자는, 전술한 바와같은 구성을 갖는 본 발명에 따른 유기전계 발광 소자는, 소수성 특성을 가지며 제 1 폭을 갖는 하부층과 상기 제 1 폭보다 작은 제 2 폭을 갖는 상부층을 갖는 이중층 구조의 뱅크가 형성되며, 나아가 상기 뱅크의 하부층은 유기 발광층의 두께보다 얇은 두께를 가지며 형성됨으로서 상기 뱅크의 하부층 상부에는 유기 발광층이 형성된다. The organic electroluminescent device according to the present invention, the organic electroluminescent device according to the present invention having the configuration as described above, has a hydrophobic property and a lower layer having a first width and an upper layer having a second width smaller than the first width A bank of a double layer structure having a is formed, and further, the lower layer of the bank has a thickness thinner than that of the organic light emitting layer, so that an organic light emitting layer is formed on the lower layer of the bank.
이때, 상기 뱅크의 하부층 상에 형성되는 유기 발광층은 각 화소영역의 중앙부에서의 동일한 수준의 평탄화된 표면을 갖는 부분이 존재함으로서 각 화소영역 내에서 유기 발광층의 평탄한 표면을 이루는 영역을 확장시키게 되며, 이에 의해 상기 뱅크의 하부층으로 둘러싸인 전 영역에 있어 유기 발광층은 평탄한 표면을 가지며 동일한 두께를 갖게 된다. At this time, the organic light emitting layer formed on the lower layer of the bank has a portion having the same level of flattened surface at the center of each pixel area, thereby extending the area constituting the flat surface of the organic light emitting layer in each pixel area. As a result, in the entire region surrounded by the lower layer of the bank, the organic light emitting layer has a flat surface and has the same thickness.
따라서, 종래의 단일층 구조를 갖는 뱅크가 구비된 유기전계 발광소자 대비 각 화소영역 내에서 그 발광영역이 확장되므로 개구율을 향상시키는 효과가 있다.Therefore, compared to an organic light emitting device having a bank having a conventional single-layer structure, the light emitting region is expanded in each pixel region, thereby improving the aperture ratio.
나아가, 각 화소영역 내에서 평탄한 표면을 갖는 유기 발광층이 확대됨으로서 균일한 휘도 특성을 갖게 됨으로서 휘도 불균일에 의한 얼굴 불량이 억제되어 표시품질을 향상시키는 효과가 있다. Furthermore, since the organic light emitting layer having a flat surface in each pixel region is enlarged to have uniform luminance characteristics, face defects due to luminance non-uniformity are suppressed, thereby improving display quality.
그리고, 상기 뱅크의 하부층이 구성됨에 의해 유기 발광층의 두께 균일도가 향상됨으로서 유기 발광층의 열화를 억제하여 수명을 연장시키는 효과가 있다.In addition, since the thickness uniformity of the organic light emitting layer is improved by forming the lower layer of the bank, there is an effect of suppressing deterioration of the organic light emitting layer and extending life.
도 1은 노즐 코팅 장치를 통해 액상의 유기 발광물질을 드롭핑하여 유기 발광층을 형성하는 단계를 진행한 후의 유기전계 발광소자의 단면도.
도 2는 종래의 소수성 특성을 갖는 단일층 구조의 뱅크를 구비하고 액상의 유기 발광물질을 이용하여 유기 발광층을 형성한 유기전계 발광소자에 있어 구동된 하나의 화소영역을 찍은 사진.
도 3은 유기전계 발광소자의 하나의 화소영역에 대한 회로도.
도 4는 본 발명의 실시예에 따른 유기전계 발광소자의 표시영역 일부에 대한 단면도.
도 5는 본 발명의 실시예의 일 변형예에 따른 유기전계 발광소자에 있어서 구동 박막트랜지스터에 대한 단면도.
도 6은 본 발명의 실시예의 또 다른 변형예에 따른 유기전계 발광소자에 있어서의 구동 박막트랜지스터에 대한 단면도.
도 7은 본 발명의 실시예에 따른 유기전계 발광소자에 있어 폭이 다른 이중층 구조의 뱅크를 구비하고 액상의 유기 발광물질을 이용하여 유기 발광층을 형성한 후 구동된 하나의 화소영역을 찍은 사진.
도 8은 비교예로서 종래의 단일층 구조를 갖는 유기전계 발광소자와 본 발명의 실시예에 따른 서로 다른 폭을 갖는 이중층 구조의 뱅크가 구비된 유기전계 발광소자에 있어 유기 발광층이 형성된 단계를 진행한 후의 하나의 화소영역을 각각 도시한 단면도.
도 9a 내지 도 9g는 본 발명의 제 1 실시예에 따른 유기전계 발광소자의 제조 단계별 공정 단면도.
도 10a 내지 10f는 본 발명의 제 1 실시예의 변형예에 따른 유기전계 발광소자의 제조 단계별 공정 단면도로서 이중층 구조의 뱅크를 형성하는 단계에 대한 공정 단면도.
도 11a 내지 도 11f는 본 발명의 제 2 실시예에 따른 유기전계 발광소자의 제조 단계별 공정 단면도.1 is a cross-sectional view of an organic electroluminescent device after performing a step of dropping a liquid organic light emitting material through a nozzle coating device to form an organic light emitting layer.
FIG. 2 is a photograph of one pixel region driven in an organic light emitting device having a conventional single layer structure bank having hydrophobic characteristics and forming an organic light emitting layer using a liquid organic light emitting material.
3 is a circuit diagram of one pixel area of an organic light emitting device.
4 is a cross-sectional view of a portion of a display area of an organic light emitting device according to an embodiment of the present invention.
5 is a cross-sectional view of a driving thin film transistor in an organic light emitting device according to a modification of the embodiment of the present invention.
6 is a cross-sectional view of a driving thin film transistor in an organic light emitting device according to another modification of the embodiment of the present invention.
7 is a photograph of one pixel region driven after forming an organic light emitting layer using a liquid organic light emitting material and having a bank of a double layer structure having a different width in the organic light emitting device according to the embodiment of the present invention.
8 is a comparative example of the conventional organic light emitting device having a single layer structure and the organic light emitting device having a bank of a double layer structure having a different width according to an embodiment of the present invention proceeds to the step of forming the organic light emitting layer A cross-sectional view showing one pixel area after each.
9A to 9G are process cross-sectional views of manufacturing steps of an organic light emitting device according to a first embodiment of the present invention.
10A to 10F are process sectional views of a step of manufacturing a step of manufacturing an organic light emitting device according to a modification of the first embodiment of the present invention;
11A to 11F are cross-sectional views of manufacturing steps of an organic light emitting device according to a second embodiment of the present invention.
이하, 본 발명에 따른 바람직한 실시예를 도면을 참조하여 상세히 설명한다. Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings.
우선, 유기전계 발광소자의 구성 및 동작에 대해서 유기전계 발광소자의 하나의 화소영역에 대한 회로도인 도 3을 참조하여 간단히 설명한다. First, the configuration and operation of the organic light emitting device will be briefly described with reference to FIG. 3, which is a circuit diagram for one pixel region of the organic light emitting device.
도시한 바와 같이 유기전계 발광소자의 각 화소영역(P)에는 스위칭(switching) 박막트랜지스터(STr)와 구동(driving) 박막트랜지스터(DTr), 스토리지 캐패시터(StgC), 그리고 유기전계 발광 다이오드(E)가 구비되고 있다. As illustrated, in each pixel region P of the organic light emitting device, a switching thin film transistor STr, a driving thin film transistor DTr, a storage capacitor StgC, and an organic light emitting diode E Is provided.
즉, 제 1 방향으로 게이트 배선(GL)이 형성되어 있고, 상기 제 1 방향과 교차되는 제 2 방향으로 데이터 배선(DL)이 형성됨으로써 상기 게이트 배선(GL)과 데이터 배선(DL)에 의해 둘러싸인 영역으로 정의되는 화소영역(P)이 구비되고 있으며, 상기 데이터 배선(DL)과 이격하며 전원전압을 인가하기 위한 전원배선(PL)이 형성되어 있다. That is, the gate wiring GL is formed in the first direction, and the data wiring DL is formed in the second direction crossing the first direction, thereby being surrounded by the gate wiring GL and the data wiring DL. A pixel area P defined as an area is provided, and a power supply line PL is formed to be spaced apart from the data line DL and to apply a power supply voltage.
또한, 상기 데이터 배선(DL)과 게이트 배선(GL)이 교차하는 부분에는 스위칭 박막트랜지스터(STr)가 형성되어 있으며, 상기 스위칭 박막트랜지스터(STr)와 전기적으로 연결된 구동 박막트랜지스터(DTr)가 형성되어 있다. In addition, a switching thin film transistor STr is formed at a portion where the data wiring DL and the gate wiring GL intersect, and a driving thin film transistor DTr electrically connected to the switching thin film transistor STr is formed. have.
상기 유기전계 발광 다이오드(E)의 일측 단자인 제 1 전극은 상기 구동 박막트랜지스터(DTr)의 드레인 전극과 연결되고 있으며, 타측 단자인 제 2 전극은 접지되고 있다. 이때, 상기 전원배선(PL)을 통해 전달되는 전원전압은 상기 구동 박마트랜지스터(DTr)을 통해 상기 유기전계 발광 다이오드(E)로 전달하게 된다. 또한, 상기 구동 박막트랜지스터(DTr)의 게이트 전극과 소스 전극 사이에는 스토리지 커패시터(StgC)가 형성되고 있다. The first electrode, which is one terminal of the organic light emitting diode E, is connected to the drain electrode of the driving thin film transistor DTr, and the second electrode, which is the other terminal, is grounded. At this time, the power voltage transmitted through the power supply wiring PL is transmitted to the organic light emitting diode E through the driving Bakmart transistor DTr. In addition, a storage capacitor StgC is formed between the gate electrode and the source electrode of the driving thin film transistor DTr.
따라서, 상기 게이트 배선(GL)을 통해 신호가 인가되면 스위칭 박막트랜지스터(STr)가 온(on) 되고, 상기 데이터 배선(DL)의 신호가 구동 박막트랜지스터(DTr)의 게이트 전극에 전달되어 상기 구동 박막트랜지스터(DTr)가 온(on) 되므로 유기전계발광 다이오드(E)를 통해 빛이 출력된다. Therefore, when a signal is applied through the gate line GL, the switching thin film transistor STr is turned on, and the signal of the data line DL is transmitted to the gate electrode of the driving thin film transistor DTr to drive the driving. Since the thin film transistor DTr is turned on, light is output through the organic light emitting diode E.
이때, 상기 구동 박막트랜지스터(DTr)가 온(on) 상태가 되면, 전원배선(PL)으로부터 유기전계발광 다이오드(E)에 흐르는 전류의 레벨이 정해지며, 이로 인해 상기 유기전계 발광 다이오드(E)는 그레이 스케일(gray scale)을 구현할 수 있게 되며, 상기 스토리지 커패시터(StgC)는 스위칭 박막트랜지스터(STr)가 오프(off) 되었을 때, 상기 구동 박막트랜지스터(DTr)의 게이트 전압을 일정하게 유지시키는 역할을 함으로써 상기 스위칭 박막트랜지스터(STr)가 오프(off) 상태가 되더라도 다음 프레임(frame)까지 상기 유기전계발광 다이오드(E)에 흐르는 전류의 레벨을 일정하게 유지할 수 있게 된다.At this time, when the driving thin film transistor DTr is turned on, the level of the current flowing from the power supply wiring PL to the organic light emitting diode E is determined, and thereby the organic light emitting diode E It is possible to implement a gray scale, and the storage capacitor StgC serves to keep the gate voltage of the driving thin film transistor DTr constant when the switching thin film transistor STr is turned off. By doing so, even when the switching thin film transistor STr is turned off, it is possible to maintain a constant level of the current flowing through the organic light emitting diode E until the next frame.
도 4는 본 발명의 실시예에 따른 유기전계 발광소자의 표시영역 일부에 대한 단면도이다. 이때, 구동 박막트랜지스터는 각 화소영역별로 형성되지만, 도면에 있어서는 하나의 화소영역에 대해서만 나타내었다. 4 is a cross-sectional view of a portion of a display area of an organic light emitting device according to an embodiment of the present invention. At this time, the driving thin film transistor is formed for each pixel area, but only one pixel area is shown in the drawing.
도시한 바와 같이, 본 발명의 실시예에 따른 유기전계 발광소자(101)는 구동 및 스위칭 박막트랜지스터(DTr, 미도시)와 유기전계 발광 다이오드(E)가 형성된 제 1 기판(110)과, 인캡슐레이션을 위한 제 2 기판(170)으로 구성되고 있다. 이때, 상기 제 2 기판(170)은 무기절연막 또는 유기절연막 등으로 대체됨으로써 생략될 수 있다. As illustrated, the organic
우선, 구동 및 스위칭 박막트랜지스터(DTr, 미도시)와 유기전계 발광 다이오드(E)가 구비된 제 1 기판(110)의 구성에 대해 설명한다. First, the configuration of the
상기 제 1 기판(110)에는 상기 표시영역에는 서로 교차하며 화소영역(P)을 정의하며 게이트 배선(미도시) 및 데이터 배선(130)이 형성되고 있으며, 상기 게이트 배선(미도시) 또는 상기 데이터 배선(130)과 나란하게 전원배선(미도시)이 형성되고 있다. The
또한, 다수의 각 화소영역(P)에는 상기 게이트 배선(미도시) 및 데이터 배선(130)과 연결되며 스위칭 박막트랜지스터(미도시)가 형성되어 있으며, 상기 스위칭 박막트랜지스터(미도시)의 일 전극 및 상기 전원배선(미도시)과 연결되며 구동 박막트랜지스터(DTr)가 형성되고 있다. In addition, a switching thin film transistor (not shown) is formed in each of the pixel regions P and is connected to the gate wiring (not shown) and
이때, 상기 구동 박막트랜지스터(DTr)는 게이트 전극(115)과, 게이트 절연막(118)과, 산화물 반도체층(120)과, 에치스토퍼(122)와, 상기 에치스토퍼(122) 상에서 서로 이격하며 각각 상기 산화물 반도체층(120)과 접촉하는 소스 전극(133) 및 드레인 전극(136)으로 구성되고 있으며, 도면에 나타내지 않았지만 상기 스위칭 박막트랜지스터(미도시) 또한 상기 구동 박막트랜지스터(DTr)와 동일한 구조를 이루고 있다.At this time, the driving thin film transistor DTr is spaced apart from each other on the gate electrode 115, the
한편, 본 발명의 실시예에 있어서는 상기 구동 및 스위칭 박막트랜지스터(DTr, 미도시)이 각각 상기 산화물 반도체층(120)이 구비된 것을 특징으로 하는 것을 일례로 보이고 있지만, 도 5(본 발명의 실시예의 일 변형예에 따른 유기전계 발광소자에 있어서 구동 박막트랜지스터에 대한 단면도)에 도시한 바와같이, 상기 스위칭 및 구동 박막트랜지스터(미도시, DTr)는 게이트 전극(213)과, 게이트 절연막(218)과, 순수 비정질 실리콘의 액티브층(220a)과 불순물 비정질 실리콘의 오믹콘택층(220b)으로 구성된 반도체층(220)과, 상기 반도체층(220) 상에서 서로 이격하는 소스 및 드레인 전극(233, 236)으로 구성될 수도 있다. On the other hand, in the embodiment of the present invention, the driving and switching thin film transistors (DTr, not shown) is shown as an example characterized in that the oxide semiconductor layer 120 is provided, respectively, Figure 5 (the practice of the present invention As shown in a cross-sectional view of a driving thin film transistor in an organic light emitting device according to a modification of the example, the switching and driving thin film transistor (not shown, DTr) includes a
상기 스위칭 및 구동 박막트랜지스터(DTr, 미도시)는 실시예 및 일 변형예에 있어서는 게이트 전극(도 4의 115, 도 5의 213)이 최하부에 위치하는 보텀 게이트 구조를 이루는 것을 보이고 있지만, 반도체층이 최하부에 위치하며 이의 상부에 게이트 전극이 형성된 탑 게이트 구조를 이룰 수도 있다. Although the switching and driving thin film transistor (DTr, not shown) shows that the gate electrode (115 in FIG. 4 and 213 in FIG. 5) forms a bottom gate structure in the bottom of the embodiment and one modification, the semiconductor layer The top gate structure may be formed at the bottom of which a gate electrode is formed.
즉, 도 6(본 발명의 실시예의 또 다른 변형예에 따른 유기전계 발광소자에 있어서 구동 박막트랜지스터에 대한 단면도)에 도시한 바와같이, 상기 스위칭 및 구동 박막트랜지스터(미도시, DTr)는 상기 제 1 기판(210)의 최하부에 폴리실리콘의 반도체층(313)을 구비하여 탑 게이트 구조를 갖도록 구성될 수도 있다. That is, as shown in FIG. 6 (cross-sectional view of the driving thin film transistor in the organic light emitting device according to another modification of the embodiment of the present invention), the switching and driving thin film transistor (not shown, DTr) is the
이러한 경우, 상기 스위칭 및 구동 박막트랜지스터(미도시, DTr)는 순수 폴리실리콘의 액티브영역(313a)과 이의 양측에 불순물이 도핑된 폴리실리콘의 소스 및 드레인 영역(313b)으로 이루어진 반도체층(313)과, 게이트 절연막(316)과, 상기 액티브영역(313a)과 중첩하여 형성된 게이트 전극(320)과, 상기 소스 및 드레인 영역(313b)을 노출시키는 반도체층 콘택홀(325)을 갖는 층간절연막(323)과, 상기 반도체층 콘택홀(325)을 통해 각각 상기 소스 및 드레인 영역(313b)과 접촉하며 서로 이격하며 형성된 소스 및 드레인 전극(333, 336)을 포함하여 구성된다.In this case, the switching and driving thin film transistor (not shown, DTr) is a
이렇게 구동 및 스위칭 박막트랜지스터(DTr, 미도시)가 탑 게이트 구조를 이루는 경우, 보텀 게이트 구조 대비 층간절연막(323)이 더욱 구비되며, 게이트 배선(미도시)은 상기 게이트 절연막(316) 상에 구비되며, 데이터 배선(미도시)은 상기 층간절연막(323) 상에 형성된다.When the driving and switching thin film transistors DTr (not shown) form a top gate structure, an
한편, 도 4를 참조하면, 상기 구동 및 스위칭 박막트랜지스터(DTr, 미도시) 상부로 상기 구동 박막트랜지스터(DTr)의 드레인 전극(136)을 노출시키는 드레인 콘택홀(143)을 갖는 보호층(140)이 형성되어 있다. 이때, 상기 보호층(140)은 평탄한 표면을 이루도록 유기절연물질 예를들면 포토아크릴로 이루어지고 있다.Meanwhile, referring to FIG. 4, a
다음, 상기 보호층(140) 위로 상기 드레인 콘택홀(143)을 통해 상기 구동 박막트랜지스터(DTr)의 드레인 전극(136)과 접촉하며 각 화소영역(P)별로 제 1 전극(150)이 형성되어 있다.Next, the
이때, 상기 제 1 전극(150)은 일함수 값이 비교적 큰 즉, 4.8eV 내지 5.2eV 정도의 일함수 값을 갖는 투명 도전성 물질 예를들면 인듐-틴-옥사이드(ITO)로 이루어짐으로서 애노드 전극의 역할을 한다. At this time, the
한편, 상기 제 1 전극(147)은 일함수 값이 큰 투명 도전성 물질인 인듐-틴-옥사이드(ITO)로 이루어진 경우, 상부발광 방식으로 동작 시에는 유기전계 발광 다이오드(E)의 상부로의 발광효율 증대를 위해 반사율이 우수한 금속물질인 알루미늄(Al), 알루미늄 합금(AlNd) 중 어느 하나로 이루어진 반사층(미도시)이 상기 제 1 전극(150) 하부에 더욱 구비될 수 있다. On the other hand, when the first electrode 147 is made of indium-tin-oxide (ITO), which is a transparent conductive material having a large work function value, when operating in an upper emission method, the organic light emitting diode E emits light upward. To increase efficiency, a reflective layer (not shown) made of any one of aluminum (Al) and aluminum alloy (AlNd), which is a metal material having excellent reflectance, may be further provided under the
이러한 반사층(미도시)이 상기 제 1 전극(150) 하부에 구비되는 경우, 상기 제 1 전극(150)의 상부에 형성되는 유기 발광층(155)으로부터 발광된 빛이 상기 반사층(미도시)을 통해 반사되어 상부로 반사시킴으로서 발광된 빛의 이용 효율을 증대시켜 최종적으로 휘도 특성을 향상시키는 효과를 갖게 된다.When such a reflective layer (not shown) is provided below the
한편, 본 발명의 실시예에 따른 유기전계 발광소자(101)에 있어서 가장 특징적인 것으로, 상기 제 1 전극(150) 위로 각 화소영역(P)의 경계에 상기 제 1 전극(150)의 테두리와 중첩하며 소수성 특성을 갖는 유기물질로 이루어지거나 또는 소수성 물질이 함유된 유기물질로 이루어지며 상기 제 1 전극(150)의 중앙부를 노출시키며 제 1 폭을 갖는 하부층(153a)과, 상기 제 1 폭보다 작은 제 2 폭을 갖는 상부층(153b)으로 이루어진 이중층 구조의 뱅크(153)가 형성되고 있다On the other hand, the most characteristic in the organic
이때, 상기 뱅크의 하부층(153a)의 두께는 이의 상부에 형성되는 유기 발광층(155)의 두께보다 얇으며, 0.2 내지 1.5㎛ 정도가 되는 것이 특징이다. 그리고, 상기 뱅크의 상부층(153b)의 외측으로 노출되는 상기 하부층(153a)은 그 폭이 1 내지 9㎛ 정도가 되는 것이 특징이다. At this time, the thickness of the
이때, 상기 제 1 폭은 종래의 유기전계 발광소자에 있어서 단일층 구조를 갖는 뱅크의 폭 수준이 되는 것이 특징이다. At this time, the first width is characterized in that the width of the bank having a single-layer structure in the conventional organic light emitting device.
본 발명의 실시예에 따른 유기전계 발광소자(101)는 전술한 바와같이 제 1 폭을 가지며 유기 발광층(155)의 두께보다 얇은 두께를 갖는 하부층(153a)과, 상기 제 1 폭보다 작은 제 2 폭을 갖는 상부층(153b)을 갖는 이중층 구조의 뱅크(153)가 구비됨으로서 상기 상부층(153a) 외측으로 노출된 상기 뱅크의 하부층(153a) 상부에 유기 발광층(155)이 형성되며, 이러한 뱅크의 하부층(153a)에 의해 화소영역(P)의 중앙부로 유기 발광 물질의 드로핑 시 모이도록 하여 뱅크와 인접하는 부분에서의 유기 발광층(155)의 두께가 두꺼워 지는 현상을 저감시키는 역할을 한다.The organic
나아가 상기 제 1 폭을 갖는 뱅크의 하부층(153a)으로 둘러싸인 영역이 실질적으로 종래의 유기전계 발광소자의 단일층 구조의 뱅크로 둘러싸인 영역과 동일한 크기를 가지며, 이에 의해 상기 제 1 폭보다 작은 제 2 폭을 갖는 상기 뱅크의 상부층(153b)으로 둘러싸인 영역은 종래의 유기전계 발광소자에 있어 뱅크로 둘러싸인 영역보다 큰 면적을 이루는 것이 특징이다. Furthermore, the region surrounded by the
이때, 본 발명의 실시예에 따른 특성 상 상기 뱅크의 하부층(153a)은 유기 발광층(155)의 두께보다 얇은 두께를 가지며 형성됨으로서 상기 뱅크의 하부층(153a) 상부에는 유기 발광층(155)이 형성된다. At this time, due to the characteristics of the embodiment of the present invention, the
더욱이 상기 뱅크의 하부층(153a) 상에 형성되는 유기 발광층(155)은 각 화소영역(P)의 중앙부에서의 동일한 수준의 평탄화된 표면을 갖는 부분이 존재함으로서 각 화소영역(P) 내에서 유기 발광층(155)의 평탄한 표면을 이루는 영역을 확장시키게 되며, 이에 의해 상기 뱅크의 하부층(153a)으로 둘러싸인 전 영역에 있어 유기 발광층(155)은 평탄한 표면을 가지며 동일한 두께를 갖게 된다. Moreover, the organic
따라서, 유기 발광층(155)이 평탄한 부분을 이루는 영역이 실질적으로 사용자가 바라보게 되는 발광영역이 된다고 하였을 경우, 종래의 단일층 구조를 갖는 뱅크가 구비된 유기전계 발광소자 대비 그 발광영역이 확장되므로 개구율을 향상시키게 된다.Therefore, when it is said that the region in which the organic
도 7은 본 발명의 실시예에 따른 유기전계 발광소자에 있어 폭이 다른 이중층 구조의 뱅크를 구비하고 액상의 유기 발광물질을 이용하여 유기 발광층을 형성한 후 구동된 하나의 화소영역을 찍은 사진이다.7 is a photograph of one pixel region driven after forming an organic light emitting layer using a liquid organic light emitting material and having a bank having a double layer structure having a different width in the organic light emitting device according to the embodiment of the present invention. .
도시한 바와같이, 종래의 유기전계 발광소자의 하나의 화소영역을 찍은 도 2와 비교할 때 각 화소영역 내에서 발광영역이 확장되었음을 알 수 있으며, 발광영역 전면에 걸쳐 유기 발광층(155)이 평탄한 표면을 가짐으로서 밝고 어두운 부분없이 고른 휘도 특성을 가지며 발광됨을 알 수 있다. As illustrated in FIG. 2, when comparing one pixel region of a conventional organic light emitting device with FIG. 2, it can be seen that the emission region is expanded within each pixel region, and the
도 8은 비교예로서 종래의 단일층 구조를 갖는 유기전계 발광소자와 본 발명의 실시예에 따른 서로 다른 폭을 갖는 이중층 구조의 뱅크가 구비된 유기전계 발광소자에 있어 유기 발광층이 형성된 단계를 진행한 후의 하나의 화소영역을 각각 도시한 단면도이다. 8 is a comparative example of the conventional organic light emitting device having a single layer structure and the organic light emitting device having a bank of a double layer structure having a different width according to an embodiment of the present invention proceeds to the step of forming the organic light emitting layer It is a cross-sectional view showing one pixel region after each.
도시한 바와같이, 동일한 크기의 화소영역이 구비되는 경우, 상기 화소영역은 실질적으로 게이트 배선(미도시)과 데이터 배선(130)에 의해 포획되는 영역이라 정의되지만, 설명의 편의를 위해 본 발명의 실시예에 따른 유기전계 발광소자에 있어 제 1 폭을 갖는 뱅크의 하부층(153a)으로 둘러싸인 영역이 새로운 화소영역(SP)이라 가정하면, 비교예의 경우는 단일층 구조의 뱅크(53)로 둘러싸인 영역이 화소영역(SP)이 된다.As illustrated, when a pixel area having the same size is provided, the pixel area is substantially defined as an area captured by the gate line (not shown) and the
이 경우 이들 두 유기전계 발광소자(1, 101)는 동일한 크기의 화소영역(SP)을 가짐을 알 수 있다.In this case, it can be seen that these two organic
하지만, 각 화소영역(SP) 내에서의 발광영역(EA1, EA2)의 크기는 본 발명의 실시예에 따른 유기전계 발광소자(101)가 더 큼(EA1 < EA2)을 알 수 있다.However, it can be seen that the size of the light emitting regions EA1 and EA2 in each pixel region SP is larger (EA1 <EA2) of the organic
비교예에 따른 단일층 구조의 뱅크(53)를 갖는 유기전계 발광소자(1)는 뱅크(53)로 둘러싸인 화소영역(SP) 전면이 발광영역이 되지 않고 상기 뱅크(53)를 기준으로 소정폭 즉, 유기전계 발광소자(53)의 표면이 평탄한 상태를 이루는 부분으로 이루어진 부분이 발광영역(EA1)이 된다. In the organic
따라서, 비교예에 따른 단일층 구조의 뱅크(53)를 갖는 유기전계 발광소자(1)는 화소영역(P) 내부에 상기 화소영역(P) 보다 작은 면적을 갖는 발광영역(EA1)이 형성된다.Accordingly, in the organic
하지만, 본 발명의 실시예에 따른 유기전계 발광소자(101)는 상기 뱅크의 하부층(153a)로 둘러싸인 영역과 뱅크의 상부층(153b)으로 둘러싸인 영역이 구성되며, 상기 뱅크의 하부층(153a)으로 둘러싸인 영역이 비교예에 따른 유기전계 발광소자의 화소영역(SP)에 대응되며, 상기 뱅크의 상부층(153b)으로 둘러싸인 영역은 종래의 화소영역(SP) 대비 더 큰 면적을 이루고 있다.However, the organic
그리고, 이러한 구성을 갖는 본 발명의 실시예에 따른 유기전계 발광소자(101)는 뱅크의 하부층(153a)으로 둘러싸인 전 면적에 대응하여 평탄한 표면을 갖는 유기 발광층(155)이 형성됨으로서 상기 뱅크의 하부층(153a)으로 둘러싸인 전 면적이 발광영역(EA2)이 된다. In addition, the organic
따라서, 본 발명의 실시예에 따른 유기전계 발광소자(101)는 종래의 유기전계 발광소자(1) 대비 각 화소영역(SP) 내에서의 발광영역(EA2)을 확대시키며, 이에 의해 개구율이 향상되는 효과를 가짐을 알 수 있다.Therefore, the organic
한편, 도 4를 참조하면, 이러한 구성을 갖는 본 발명의 실시예에 따른 유기전계 발광소자(101)는 뱅크의 상부층(153b)으로 둘러싸인 영역 내부에 상기 뱅크의 하부층(153a)과 제 1 전극(150) 위로 유기 발광층(155)이 구비되고 있다. 이때, 상기 유기 발광층(155)은 각 화소영역(P)에 대해 순차 반복하는 형태로 각각 적, 녹, 청색을 발광하는 물질로 이루지는 것이 특징이다.On the other hand, referring to Figure 4, the
이러한 유기 발광층(155)은 액상의 유기 발광 물질을 잉크젯 장치 또는 노즐 코팅 장치를 통해 분사 또는 드롭핑 하여 형성한 후 경화시킴으로서 완성된 것이 특징이다. The organic light-emitting
한편, 상기 유기 발광층(155)은 도면에 있어서는 유기 발광 물질만으로 이루어진 단일층으로 구성됨을 보이고 있지만, 발광 효율을 높이기 위해 다중층 구조로 이루어질 수도 있다. On the other hand, although the organic
상기 유기 발광층(155)이 다중층 구조를 이루는 경우, 도면에 나타내지 않았지만, 상기 애노드 전극의 역할을 하는 상기 제 1 전극(150) 상부로부터 순차적으로 정공주입층(hole injection layer), 정공수송층(hole transporting layer), 유기 발광 물질층(emitting material layer), 전자수송층(electron transporting layer) 및 전자주입층(electron injection layer)의 5중층 구조로 형성될 수도 있으며, 또는 정공수송층(hole transporting layer), 유기 발광 물질층(emitting material layer), 전자수송층(electron transporting layer) 및 전자주입층(electron injection layer)의 4중층 구조, 정공수송층(hole transporting layer), 유기 발광 물질층(emitting material layer), 전자수송층(electron transporting layer)의 3중층 구조로 형성될 수도 있다.When the organic
또한, 상기 유기 발광층(155) 상부에는 상기 표시영역 전면에 제 2 전극(160)이 형성되어 있다. 이때, 상기 제 2 전극(160)은 일함수 값이 비교적 낮은 금속물질 예를들면 알루미늄(Al), 알루미늄 합금(AlNd), 은(Ag), 마그네슘(Mg), 금(Au), 알루미늄마그네슘 합금(AlMg) 중 하나로 이루어짐으로서 캐소드 전극의 역할을 한다. In addition, a
이때, 상기 제 1 전극(150)과 유기 발광층(155)과 상기 제 2 전극(160)은 유기전계 발광 다이오드(E)를 이룬다.At this time, the
한편, 전술한 구성을 갖는 본 발명의 실시예에 따른 유기전계 발광소자(101)의 제 1 기판(110)에 대응하여 인캡슐레이션을 위한 제 2 기판(170)이 구비되고 있다. Meanwhile, a
상기 제 1 기판(110)과 제 2 기판(170)은 그 가장자리를 따라 실란트 또는 프릿으로 이루어진 접착제(미도시)가 구비되고 있으며, 이러한 접착제(미도시)에 의해 상기 제 1 기판(110)과 제 2 기판(170)이 합착되어 패널상태를 유지하고 있다. The
이때, 서로 이격하는 상기 제 1 기판(110)과 제 2 기판(170) 사이에는 진공의 상태를 갖거나 또는 불활성 기체로 채워짐으로써 불활성 가스 분위기를 가질 수 있다. At this time, the
상기 인캡슐레이션을 위한 상기 제 2 기판(170)은 유연한 특성을 갖는 플라스틱으로 이루어질 수도 있으며, 또는 유리기판으로 이루어질 수도 있다. The
한편, 전술한 실시예에 따른 유기전계 발광소자(101)는 제 1 기판(110)과 마주하여 이격하는 형태로 인캡슐레이션을 위한 제 2 기판(170)이 구비된 것을 나타내고 있지만, 변형예로서 상기 제 2 기판(170)은 점착층을 포함하는 필름 형태로 상기 제 1 기판(110)의 최상층에 구비된 상기 제 2 전극(160)과 접촉하도록 구성될 수도 있다. On the other hand, the organic
또한, 본 발명의 실시예에 따른 또 다른 변형예로서 상기 제 2 전극(160) 상부로 유기절연막(미도시) 또는 무기절연막(미도시)이 더욱 구비되어 캡핑막이 형성될 수 있으며, 상기 유기절연막(미도시) 또는 무기절연막(162)은 그 자체로 인캡슐레이션 막(미도시)으로 이용될 수도 있으며, 이 경우 상기 제 2 기판(170)은 생략할 수도 있다. In addition, as another modification according to an embodiment of the present invention, an organic insulating film (not shown) or an inorganic insulating film (not shown) is further provided on the
전술한 바와 같은 구성을 갖는 본 발명에 따른 유기전계 발광 소자(101)는, 소수성 특성을 가지며 제 1 폭을 갖는 하부층(153a)과 상기 제 1 폭보다 작은 제 2 폭을 갖는 상부층(153b)을 갖는 이중층 구조의 뱅크(153)가 형성되며, 나아가 상기 뱅크의 하부층(153a)은 유기 발광층(155)의 두께보다 얇은 두께를 가지며 형성됨으로서 상기 뱅크의 하부층(153a) 상부에는 유기 발광층(155)이 형성되며, 이때, 상기 뱅크의 하부층(153a) 상에 형성되는 유기 발광층(155)은 각 화소영역(P)의 중앙부에서의 동일한 수준의 평탄화된 표면을 갖는 부분이 존재함으로서 각 화소영역(P) 내에서 유기 발광층(155)의 평탄한 표면을 이루는 영역을 확장시키게 되며, 이에 의해 상기 뱅크의 하부층(153a)으로 둘러싸인 전 영역에 있어 유기 발광층(155)은 평탄한 표면을 가지며 동일한 두께를 갖게 된다. The
따라서, 종래의 단일층 구조를 갖는 뱅크가 구비된 유기전계 발광소자 대비 각 화소영역 내에서 그 발광영역이 확장되므로 개구율을 향상시키는 효과가 있다.Therefore, compared to an organic light emitting device having a bank having a conventional single-layer structure, the light emitting region is expanded in each pixel region, thereby improving the aperture ratio.
나아가, 각 화소영역(P) 내에서 평탄한 표면을 갖는 유기 발광층(155)이 확대됨으로서 균일한 휘도 특성을 갖게 됨으로서 휘도 불균일에 의한 얼굴 불량이 억제되어 표시품질을 향상시키는 효과가 있다. Furthermore, since the organic
그리고, 상기 뱅크의 하부층(153a)이 구성됨에 의해 유기 발광층(155)의 두께 균일도가 향상됨으로서 유기 발광층(155)의 열화를 억제하여 수명을 연장시키는 효과가 있다.In addition, since the thickness uniformity of the organic
이후에는 전술한 구성을 갖는 본 발명의 실시예에 따른 유기전계 발광소자의 제조 방법에 대해 설명한다. 이때, 본 발명의 실시예에 따른 유기전계 발광소자는 서로 다른 폭을 가지며 이중층 구조를 이루는 뱅크의 구성에 특징이 있으며, 스위칭 및 구동 박막트랜지스터를 형성하는 단계까지는 일반적인 방법에 의해 제조되므로 이에 대해서는 그 설명을 간략히 하며, 상기 서로 다른 폭을 갖는 이중층 구조를 갖는 뱅크를 형성하는 단계를 위주로 상세히 설명한다. Hereinafter, a method of manufacturing an organic light emitting device according to an embodiment of the present invention having the above-described configuration will be described. At this time, the organic light emitting device according to an embodiment of the present invention has a different width and is characterized by the configuration of a bank forming a double layer structure, and until the step of forming a switching and driving thin film transistor, it is manufactured by a general method. The description is briefly described, and the steps of forming the banks having the double layer structure having different widths will be mainly described.
도 9a 내지 도 9g는 본 발명의 제 1 실시예에 따른 유기전계 발광소자의 제조 단계별 공정 단면도이다. 9A to 9G are process cross-sectional views of manufacturing steps of an organic light emitting device according to a first embodiment of the present invention.
우선, 도 9a에 도시한 바와 같이, 투명한 재질의 제 1 기판(110) 상에 일반적인 방법을 진행하여 서로 교차하는 게이트 배선(미도시) 및 데이트 배선(미도시)과, 상기 데이터 배선(미도시)과 나란한 전원배선(미도시)을 형성하고, 나아가 스위칭 영역(미도시)에 상기 게이트 및 데이터 배선(미도시)과 연결된 스위칭 박막트랜지스터(미도시)를 형성하고, 동시에 구동영역(DA)에 상기 스위칭 박막트랜지스터(미도시) 및 전원배선(미도시)과 연결된 구동 박막트랜지스터(DTr)를 형성한다.First, as illustrated in FIG. 9A, a general method is performed on a
이때, 상기 스위칭 및 구동 박막트랜지스터(미도시, DTr)는 산화물 반도체층(120)을 포함하거나, 비정질 실리콘의 액티브층과 불순물 비정질 실리콘의 오믹콘택층으로 이루어진 반도체층(도 5의 220)을 포함하여 게이트 전극(115)이 최하부에 구비되는 보텀 게이트 타입으로 형성할 수도 있으며, 또는 폴리실리콘의 반도체층(도 6의 320)을 구비하여 상기 폴리실리콘의 반도체층(도 6의 320)이 가장 최저면에 형성되는 탑 게이트 타입으로 형성할 수도 있다.At this time, the switching and driving thin film transistor (not shown, DTr) includes an oxide semiconductor layer 120, or an active layer of amorphous silicon and a semiconductor layer made of an ohmic contact layer of impurity amorphous silicon (220 in FIG. 5). Thus, the gate electrode 115 may be formed as a bottom gate type provided at the bottom, or the semiconductor layer of the polysilicon (320 in FIG. 6) may be provided with a semiconductor layer of polysilicon (320 in FIG. 6). It can also be formed as a top gate type formed on a surface.
도면에서는 일례로 상기 스위칭 및 구동 박막트랜지스터(미도시, DTr)가 산화물 반도체층(120)을 포함하여 보텀 게이트 타입으로 형성한 것을 일례로 도시하였다.In the drawing, for example, the switching and driving thin film transistor (not shown, DTr) is formed as an example of a bottom gate type including the oxide semiconductor layer 120.
다음, 상기 스위칭 및 구동 박막트랜지스터(미도시, DTr) 위로 유기절연물질 예를들면 포토아크릴을 도포함으로서 평탄한 표면을 갖는 보호층(140)을 형성하고, 이에 대해 마스크 공정을 진행하여 패터닝함으로써 상기 구동 박막트랜지스터(DTr)의 드레인 전극(136)을 노출시키는 드레인 콘택홀(143)을 형성한다.Next, forming a
이후, 상기 드레인 콘택홀(143)을 구비한 보호층(140) 위로 일함수 값이 상대적으로 큰 투명 도전성 물질 예를들면 인듐-틴-옥사이드(ITO)를 증착하거나, 또는 반사율이 우수한 금속물질인 알루미늄(Al) 또는 알루미늄 합금(AlNd)을 우선 증착 후 이의 상부로 상기 인듐-틴-옥사이드(ITO)를 증착하고, 이에 대해 마스크 공정을 진행하여 패터닝함으로서 각 화소영역(P) 별로 상기 드레인 콘택홀(143)을 통해 상기 구동 박막트랜지스터(DTr)의 드레인 전극(136)과 접촉하는 제 1 전극(150)을 형성한다. 이때, 상기 반사율이 우수한 금속물질이 증착된 경우, 상기 제 1 전극(150) 하부에는 반사층(미도시)이 더욱 형성된다.Subsequently, a transparent conductive material having a relatively high work function value, for example, indium-tin-oxide (ITO) is deposited on the
다음, 도 9b에 도시한 바와 같이, 상기 제 1 전극(150)과 서로 이웃한 상기 제 1 전극(150) 사이로 노출된 상기 보호층(140) 위로 소수성 특성을 갖는 고분자 물질 예를들면 불소(F)가 함유된 폴리이미드(poly imide), 스티렌(styrene), 메틸마사크릴레이트(methyl mathacrylate), 폴리테트라플로우틸렌(polytetrafluoroethylene) 중 어느 하나 또는 둘 이상이 혼합된 물질을 전면에 도포하여 뱅크 물질층(151)을 형성한다. Next, as shown in FIG. 9B, a polymer material having hydrophobic properties, for example, fluorine (F), over the
이때, 이러한 소수성 특성을 갖는 고분자 물질은 감광성 특성을 갖도록 감광성 물질이 혼합되어 형성될 수도 있으며, 이렇게 소수성 및 감광성 특성을 갖는 고분자 물질로 상기 뱅크 물질층(151)이 이루어진 경우, 별도의 포토레지스트층 형성없이 상기 뱅크 물질층(151) 위로 빛의 투과영역(TA)과 차단영역(BA) 및 반투과영역(HTA)을 갖는 노광 마스크(198)를 위치시킨 후 노광을 실시한다.At this time, the polymer material having such hydrophobic properties may be formed by mixing a photosensitive material to have photosensitive properties, and when the
도면에 있어서는 상기 뱅크 물질층(151)이 현상 후 빛을 받은 부분이 남게되는 네가티브 타입의 감광성 특성을 갖는 것을 일례로 나타내었다. 화소영역(P)의 경계에 대응해서는 빛이 노광 마스크(198)를 통과한 빛이 도달할 수 있도록 투과영역(TA) 및 반투과영역(HTA)이 배치되고 있으며, 화소영역(P)의 중앙부에 대응해서는 차단영역(BA)이 대응되도록 노광 마스크(198)가 배치되고 있다.In the figure, the
다음, 도 9c에 도시한 바와같이, 상기 노광 마스크(도 9b의 198)를 통해 노광이 진행된 뱅크 물질층(도 9b의 151)에 대해 현상액을 이용한 현상을 실시한다.Next, as shown in FIG. 9C, a development using a developer is performed on the bank material layer (151 in FIG. 9B) exposed through the exposure mask (198 in FIG. 9B).
이렇게 뱅크 물질층(도 9b의 151)에 대해 현상 공정을 진행하면 상기 뱅크 물질층(도 9b의 151)은 그 자체로 감광성 특성을 가지므로 노광 시 노광 마스크(도 9b의 198)의 투과영역(도 9b의 TA)에 대응되는 부분은 현상액에 반응하지 않아 상기 뱅크 물질층(도 9b의 151) 형성시의 두께 그대로를 유지하게 되며, 노광 마스크(도 9b의 198)의 차단영역(도 9b의 BA)에 대응되는 부분은 현상액에 반응하여 제거되며, 반투과영역(도 9b의 HTA)에 대응된 부분에 대해서는 그 두께가 줄어든 상태가 된다.When the developing process is performed on the bank material layer (151 in FIG. 9B), the bank material layer (151 in FIG. 9B) has a photosensitive property in itself, and thus the transmission area of the exposure mask (198 in FIG. 9B) during exposure ( The portion corresponding to TA in FIG. 9B does not react with the developer, thereby maintaining the thickness at the time of formation of the bank material layer (151 in FIG. 9B), and the blocking area of the exposure mask (198 in FIG. 9B) (in FIG. 9B). The portion corresponding to BA) is removed in response to the developer, and the thickness corresponding to the portion corresponding to the semi-transmissive region (HTA in FIG. 9B) is reduced.
따라서, 상기 현상 공정을 진행하게 되면, 각 화소영역(P)의 경계에 대응해서 그 중앙부에 제 2 폭을 갖는 상부층(153b)이 형성되며, 상기 제 2 폭보다 큰 제 1 폭을 가져 상기 상부층(153b) 외측으로 1 내지 9㎛ 정도 노출되며 0.2 내지 1.5㎛ 정도의 두께를 갖는 하부층(153a)으로 이루어진 이중층 구조의 뱅크(153)가 형성된다. Accordingly, when the developing process is performed, an
한편, 전술한 본 발명의 제 1 실시예에 따른 유기전계 발광소자의 제조 방법의 경우, 뱅크 물질층(도 9b의 151)이 감광성 특성을 갖는 물질로 이루어진 것을 일례로 보이고 있지만, 상기 뱅크 물질층(도 9b의 151)은 감광성 특성이 없는 소수성 고분자 물질로 이루어질 수도 있다.On the other hand, in the case of the method of manufacturing the organic light emitting device according to the first embodiment of the present invention described above, the bank material layer (151 of FIG. 9B) is shown as an example, but is made of a material having a photosensitive property, the bank material layer (151 in FIG. 9B) may be made of a hydrophobic polymer material having no photosensitive properties.
따라서, 본 발명의 제 1 실시예의 변형예에 따른 유기전계 발광소자의 제조 방법으로서 상기 뱅크 물질층이 감광성 특성이 없는 소수성의 고분자 물질로 이루어지는 경우의 이중층 구조의 형성 방법에 대해 간단히 설명한다.Accordingly, a method of forming a double layer structure in the case where the bank material layer is made of a hydrophobic polymer material having no photosensitive properties will be briefly described as a method of manufacturing an organic light emitting device according to a modification of the first embodiment of the present invention.
도 10a 내지 10f는 본 발명의 제 1 실시예의 변형예에 따른 유기전계 발광소자의 제조 단계별 공정 단면도로서 이중층 구조의 뱅크를 형성하는 단계에 대한 공정 단면도이다. 10A to 10F are process cross-sectional views of steps of manufacturing an organic light emitting device according to a modification of the first embodiment of the present invention, and process steps for forming a bank of a double layer structure.
도 10a에 도시한 바와같이, 상기 제 1 전극 위로 감광성 특성 없이 소수성 특성을 갖는 고분자 물질을 전면에 도포하여 뱅크 물질층(151)을 형성한다.10A, a
이후, 상기 뱅크 물질층(151) 위로 포토레지스트를 도포하며 포토레지스트층(195)을 형성한다.Thereafter, a photoresist is applied over the
다음, 상기 포토레지스트층(195) 위로 빛의 투과영역(TA)과 차단영역(BA) 및 반투과영역(HTA)을 갖는 노광 마스크(198)를 위치시킨 후 노광을 실시한다.Next, an
도면에 있어서는 상기 포토레지스트층(195)이 현상 후 빛을 받은 부분이 남게되는 네가티브 타입의 감광성 특성을 갖는 것을 일례로 나타내었다. 상기 포토레지스트층(195) 위로 화소영역(P)의 경계에 대응해서는 빛이 노광 마스크(198)를 통과한 빛이 도달할 수 있도록 투과영역(TA) 및 반투과영역(HTA)이 배치되고 있으며, 화소영역(P)의 중앙부에 대응해서는 차단영역(BA)이 대응되도록 노광 마스크(198)가 배치되고 있다.In the drawing, it is shown that the
다음, 도 10b에 도시한 바와같이, 상기 노광 마스크(198)를 통해 노광이 진행된 상기 포토레지스트층(도 10a의 195)에 대해 현상액을 이용한 현상 공정을 진행한다. Next, as shown in FIG. 10B, a development process using a developer is performed on the photoresist layer (195 in FIG. 10A) where exposure has progressed through the
이때, 현상액에 노출된 상기 포토레지스트층(도 10a의 195)은 노광 시 노광 마스크(미도시)의 투과영역(TA)에 대응되는 부분은 현상액에 반응하지 않아 상기 포토레지스트층(도 10a의 195) 자체의 두께 그대로를 유지하게 되어 제 1 두께를 갖는 제 1 포토레지스트 패턴(195a)을 이루며, 노광 마스크(198)의 차단영역(BA)에 대응되는 부분은 현상액에 반응하여 제거되며, 노광 마스크(198)의 반투과영역(HTA)에 대응된 부분에 대해서는 그 두께가 줄어든 상태가 되어 상기 제 1 두께보다 작은 제 2 두께를 갖는 제 2 포토레지스트 패턴(195b)을 이루게 된다.At this time, the portion of the photoresist layer (195 in FIG. 10A) exposed to the developer does not react with the developer in the portion corresponding to the transmission area TA of the exposure mask (not shown) during exposure, so that the photoresist layer (195 in FIG. 10A) ) It maintains its own thickness, forming a
다음, 도 10c에 도시한 바와같이, 상기 제 1 및 제 2 포토레지스트 패턴(195a, 195b) 외부로 노출된 상기 뱅크 물질층(도 10b의 151)을 식각을 진행하여 제거함으로서 상기 제 1 및 제 2 포토레지스트 패턴(195a, 195b) 하부에 뱅크 패턴(152)을 형성한다.Next, as shown in FIG. 10C, the first and
이러한 뱅크 패턴(152)은 현 상태에서는 동일한 두께를 가지며 각 화소영역(P)의 경계에 형성된다.The
다음, 도 10d에 도시한 바와같이, 동일한 두께를 갖는 상기 뱅크 패턴(1552)이 형성된 상태에서 애싱(ashing)을 진행하여 상기 제 2 두께를 갖는 제 2 포토레지스트 패턴(도 10c의 195b)을 제거함으로서 상기 제 1 포토레지스트 패턴(195a) 외측으로 상기 뱅크 패턴(152)을 노출시킨다.Next, as shown in FIG. 10D, ashing is performed in a state in which the bank pattern 1552 having the same thickness is formed to remove the second photoresist pattern (195b in FIG. 10C). By doing so, the
이때, 상기 제 1 포토레지스트 패턴(195a) 또한 그 두께가 줄어들지만 여전히 상기 뱅크 패턴(152) 상부에 남아 있게 된다. At this time, the thickness of the
다음, 도 10e에 도시한 바와같이, 상기 제 1 포토레지스트 패턴(195a) 외부로 노출된 뱅크 패턴(도 10d의 152)에 대해 건식식각을 진행하여 그 두께를 줄임으로서 0.2 내지 1.5㎛ 정도의 두께를 갖는 뱅크의 하부층(153a)을 형성하고, 동시에 상기 제 1 포토레지스트 패턴(195a)에 의해 건식식각이 진행되지 않은 부분은 뱅크의 상부층(153a)을 이루도록 한다.Next, as shown in FIG. 10E, a dry etching is performed on the bank pattern (152 of FIG. 10D) exposed to the outside of the
이때, 상기 뱅크의 상부층(153a) 외측으로 노출된 상기 뱅크의 하부층(153b)의 폭은 1 내지 9㎛정도가 되는 것이 특징이다.In this case, the width of the
이후, 도 10f에 도시한 바와같이, 스트립(strip)을 진행하여 상기 제 1 포토레지스트 패턴(도 10e의 195a)을 제거함으로서 서로 다른 폭을 갖는 이중층 구조의 뱅크(153)를 완성한다.Thereafter, as shown in FIG. 10F, the strips are processed to remove the first photoresist pattern (195a in FIG. 10E) to complete the
한편, 전술한 제 1 실시예 및 이의 변형예와 같이 이중층 구조를 갖는 뱅크(153)를 형성한 이후에는 도 9d에 도시한 바와같이, 상기 이중층 구조를 갖는 뱅크(153)가 형성된 상기 제 1 기판(110)에 대응하여 잉크젯 장치 또는 노즐 코팅장치(199)를 이용하여 액상의 유기 발광 물질을 상기 뱅크(153)의 상부층으로 둘러싸인 영역에 대응하여 분사 또는 드롭핑 함으로서 상기 제 1 전극(150) 상부 및 상기 뱅크의 하부층 상부에 유기 발광 물질층(154)을 형성한다.On the other hand, after forming the
이때, 상기 액상의 유기 발광 물질을 분사 또는 드롭핑 하는 단계에서 상기 액상의 유기 발광 물질은 각 화소영역(P) 내에 분사 또는 드롭핑되면 상기 잉크젯 장치 또는 노즐 코팅 장치(199)의 자체 오차에 분사 또는 드롭핑 위치가 치우쳐 뱅크(153) 상에 드롭핑 된다 하더라도 상기 뱅크의 상부층(153b)이 소수성 특성을 가지므로 상기 뱅크(153)로 둘러싸인 각 화소영역(P)으로 흘러가게 된다. At this time, in the step of spraying or dropping the liquid organic light-emitting material, the liquid organic light-emitting material is sprayed or dropped in each pixel area P, and then sprayed on its own error of the inkjet device or
또한, 상기 액상의 유기 발광 물질의 분사량이 조금 많더라도 상기 뱅크의 상부층(153b)이 소수성 특성을 가지므로 유기 발광 물질을 밀어내는 경향을 가지므로 흘러 넘침을 방지하게 된다.In addition, even if the injection amount of the liquid organic light emitting material is slightly large, the
나아가 상기 뱅크의 하부층(153a)은 상기 유기 발광 물질층(154)의 두께 보다 얇은 두께를 가지므로 비록 상기 뱅크의 하부층(153a)이 소수성 특성을 갖더라도 이의 상부에는 유기 발광 물질층(154)이 형성된다. Furthermore, since the
이러한 상태에서 도 9e에 도시한 바와같이, 상기 유기 발광 물질층(도 9d의 154)에 대해 건조 및 경화공정을 진행하여 솔벤트와 수분을 제거함으로서 각 화소영역 내에 경화된 상태의 유기 발광층(155)을 형성할 수 있다. In this state, as shown in FIG. 9E, the organic
한편, 상기 뱅크의 하부층(153a) 상부에 형성되는 상기 유기 발광 물질층(도 9d의 154)은 경화공정 진행에 의해 상기 유기 발광층(155)을 이루는 단계에서 각 화소영역(P)의 중앙부에 구성되는 유기 발광층(155) 부분과 동일하게 평탄한 표면 상태를 유지하게 됨으로서 각 화소영역(P) 내에서 상기 유기 발광층(155)이 평탄한 부분이 상기 뱅크의 하부층(153a) 상부까지 확장되게 된다. Meanwhile, the organic light emitting material layer (154 in FIG. 9D) formed on the
이 경우, 상기 유기 발광층(155)은 각 화소영역(P)의 중앙부에서 상기 뱅크의 하부층(153a)의 일부까지 평탄한 표면을 갖게 됨으로서 상기 뱅크의 하부층(153a)의 측단부까지 발광영역을 이루더라도 동일한 휘도 특성을 갖게 된다. 따라서 각 화소영역(P) 내에서 발광영역(도 8의 EA2)이 종래의 단일층 구조를 갖는 뱅크(도 8의 53)가 구비된 유기전계 발광소자(도 8의 1) 대비 확장되는 효과를 갖게 된다. In this case, the organic
한편, 도면에 있어서는 상기 제 1 전극(150)과 뱅크의 하부층(153a) 위로 단일층 구조를 갖는 유기 발광층(155)만이 형성된 것을 일례로 보이고 있지만, 상기 유기 발광층(155)이 다수층으로 이루어질 수도 있으며, 이 경우, 상기 단일층의 유기 발광층(155)을 형성한 동일한 방법을 진행하거나, 또는 표시영역 내에 전면 증착하는 방법을 진행하여 상기 유기 발광층(155)의 하부 또는 상부에 정공주입층(hole injection layer)(미도시), 정공수송층(hole transporting layer)(미도시), 전자수송층(electron transporting layer)(미도시) 및 전자주입층(electron injection layer)(미도시) 중 어느 하나 이상을 선택적으로 더욱 형성할 수 있다. On the other hand, in the drawing, only the organic
다음, 도 9f에 도시한 바와같이, 상기 유기 발광층(155) 위로 일함수 값이 비교적 낮은 금속물질 예를들면 알루미늄(Al), 알루미늄 합금(AlNd), 은(Ag), 마그네슘(Mg), 금(Au), 알루미늄마그네슘 합금(AlMg) 중 어느 하나 또는 둘 이상을 혼합하여 표시영역 전면에 증착하여 제 2 전극(160)을 형성함으로서 본 발명의 제 1 실시예 및 이의 변형예에 따른 유기전계 발광소자용 제 1 기판(110)을 완성한다. Next, as shown in Figure 9f, a metal material having a relatively low work function value over the organic
이때, 전술한 방법에 의해 각 화소영역(P) 내에 순차 적층된 상기 제 1 전극(150)과 유기 발광층(155)과 제 2 전극(160)은 유기전계 발광 다이오드(E)를 이룬다.At this time, the
다음, 도 9g에 도시한 바와 같이, 상기 제 1 기판(110)과 대응하여 상기 유기발광 다이오드(E)의 인캡슐레이션을 위해 제 2 기판(170)이 대향하여 위치시키고, 상기 제 1 기판(110)과 제 2 기판(170)의 사이에는 투명하며 접착 특성을 갖는 프릿(Frit), 유기절연물질, 고분자 물질 중 어느 하나로 이루어진 페이스 씰(미도시)을 상기 제 1 기판(110)의 전면에 코팅한 상태에서 상기 제 1 기판(110)과 제 2 기판(170)을 합착하거나, 또는 진공 혹은 불활성 가스 분위기에서 상기 제 1 기판(110)의 가장자리를 따라 씰패턴(미도시)을 형성한 후 상기 제 1 및 제 2 기판(110, 170)을 합착함으로서 본 발명의 실시예에 따른 유기전계 발광소자를 완성한다.Next, as illustrated in FIG. 9G, a
한편, 상기 제 1 기판(110)의 상기 제 2 전극(160) 위로 무기절연물질 또는 유기절연물질을 증착 또는 도포하거나 또는 점착층(미도시)을 재개하여 필름(미도시)을 부착함으로서 인캡슐레이션 막(미도시)으로 이용할 경우, 상기 제 2 기판(170)은 생략될 수도 있다. On the other hand, by depositing or applying an inorganic insulating material or an organic insulating material on the
도 11a 내지 도 11f는 본 발명의 제 2 실시예에 따른 유기전계 발광소자의 제조 단계별 공정 단면도이다. 본 발명의 제 2 실시예 또한 서로 다른 폭을 갖는 이중층 구조의 뱅크를 형성하는 것이 특징이며, 그 외의 공정은 전술한 제 1 실시예와 동일하므로, 뱅크를 형성하는 단계에 대해서만 설명한다.11A to 11F are sectional views illustrating steps of manufacturing an organic light emitting device according to a second embodiment of the present invention. The second embodiment of the present invention is also characterized by forming a bank of a double layer structure having different widths, and the other processes are the same as those of the first embodiment described above, so only the step of forming the bank will be described.
우선, 도 11a에 도시한 바와같이, 상기 제 1 전극(450) 위로 소수성 특성을 갖지만 감광성 특성이 없는 고분자 물질을 도포함으로서 뱅크 물질층(451)을 형성한다.First, as illustrated in FIG. 11A, a
이후, 상기 뱅크 물질층(451) 위로 포토레지스트를 도포하며 포토레지스트층(495)을 형성한다.Subsequently, a photoresist is applied over the
다음, 상기 포토레지스트층(495) 위로 빛의 투과영역(TA)과 차단영역(BA)을 갖는 노광 마스크(498)를 위치시킨 후 노광을 실시한다.Next, an
도면에 있어서는 상기 포토레지스트층(495)이 현상 후 빛을 받은 부분이 남게되는 네가티브 타입의 감광성 특성을 갖는 것을 일례로 나타내었다. 상기 포토레지스트층(495) 위로 화소영역(P)의 경계에 대응해서는 빛이 노광 마스크를 통과한 빛이 도달할 수 있도록 투과영역(TA)이 배치되고 있으며, 화소영역(P)의 중앙부에 대응해서는 차단영역(BA)이 대응되도록 노광 마스크(498)가 배치되고 있다.In the drawing, it is shown that the
다음, 도 11b에 도시한 바와같이, 상기 노광 마스크(도 11a의 498)를 통해 노광이 진행된 상기 포토레지스트층(도 11a의 495)에 대해 현상액을 이용한 현상 공정을 진행함으로서 상기 뱅크 물질층(451) 상의 각 화소영역(P)의 경계에 동일한 두께를 갖는 제 3 포토레지스트 패턴(496)을 형성한다. Next, as shown in FIG. 11B, the
다음, 도 11c에 도시한 바와같이, 상기 제 3 포토레지스트 패턴(496) 외부로 노출된 상기 뱅크 물질층(도 11b의 451)을 식각을 진행하여 제거함으로서 상기 제 3 포토레지스트 패턴(496) 하부에 대응하여 뱅크 패턴(452)을 형성한다.Next, as illustrated in FIG. 11C, the third photoresist pattern 496 is lowered by removing the bank material layer (451 of FIG. 11B) exposed outside the third photoresist pattern 496 by etching. In response, a
이러한 뱅크 패턴(452)은 현 상태에서는 동일한 두께를 가지며 각 화소영역(P)의 경계에 형성된다.The
다음, 도 11d에 도시한 바와같이, 동일한 두께를 갖는 상기 뱅크 패턴(452)이 형성된 상태에서 등방성 애싱(ashing)을 진행하여 상기 제 3 포토레지스트 패턴(496)의 상부 및 측면에 대해 일정한 비율로 소정의 두께를 제거시킴으로서 그 부피가 줄어든 제 4 포토레지스트 패턴(496a)을 형성한다. Next, as illustrated in FIG. 11D, isotropic ashing is performed in the state in which the
이때, 상기 제 3 포토레지스트 패턴(도 11c의 496)이 그 부피가 줄어든 제 4 포토레지스트 패턴으로 변화됨에 의해 상기 제 4 포토레지스트 패턴(496a) 외측으로 상기 뱅크 패턴(452)이 노출된 상태를 이루게 된다. At this time, the state in which the
이때, 상기 제 4 포토레지스트 패턴 외측으로 노출되는 상기 뱅크 패턴은 1 내지 9㎛ 정도가 되도록 할 수 있으며, 이는 상기 애싱 진행시간 또는 애싱 진행시 유입되는 반응가스의 유입량을 적절히 조절함으로서 가능하다. At this time, the bank pattern exposed to the outside of the fourth photoresist pattern may be about 1 to 9 µm, which is possible by appropriately controlling the amount of reaction gas introduced during the ashing or the ashing time.
한편, 상기 뱅크 물질층(도 11b의 451)이 제거된 부분에 있어서는 식각에 의해 제거되는 특성 상 상기 뱅크 물질층(도 11b의 451)이 잔사가 남아있더라도 상기 애싱 진행에 의해 상기 뱅크 물질층(도 11b의 451)의 잔사가 완전히 제거될 수 있다. On the other hand, in the portion where the bank material layer (451 in FIG. 11B) is removed, even though the bank material layer (451 in FIG. 11B) remains due to the property removed by etching, the bank material layer ( The residue of 451) in FIG. 11B can be completely removed.
상기 뱅크 물질층(도 11b의 451)은 소수성 특성을 갖는 물질로 이루어짐으로서 이러한 소수성 특성을 갖는 잔사가 상기 제 1 전극(450) 상에 남아있게 되는 경우 액상의 유기 발광 물질의 퍼짐 특성을 저해시키는 요인으로 작용할 수 있다.The bank material layer (451 of FIG. 11B) is made of a material having hydrophobic properties, and thus, when a residue having such hydrophobic properties remains on the
하지만, 본 발명의 제 2 실시예에 따른 유기전계 발광소자의 제조 방법에 있어서는 제조 방법 특성 상 뱅크 물질층(도 11b의 451)의 제거 후 상기 제 3 포토레지스트 패턴(도 11c의 496)에 대해 애싱(ashing)을 더욱 진행하게 됨으로서 상기 애싱(ashing)에 의해 제 1 전극(450) 상에 남아있는 뱅크 물질층(도 11b의 451)을 이루는 물질의 잔사는 완전히 제거됨으로서 추후 유기 발광 물질층의 드롭핑 진행 시 퍼짐 특성을 향상시키는 효과가 있다. However, in the method of manufacturing the organic light emitting device according to the second embodiment of the present invention, the third photoresist pattern (496 in FIG. 11C) after the removal of the bank material layer (451 in FIG. 11B) As the ashing is further performed, the residue of the material forming the bank material layer (451 of FIG. 11B) remaining on the
다음, 도 11e에 도시한 바와같이, 상기 등방성 애싱(ashing)에 의해 그 두께 및 폭이 줄어든 상기 제 3 포토레지스트 패턴(496a)이 형성된 상태에서 상기 뱅크 패턴(도 11d의 452)과 반응하는 반응가스를 이용하여 이방성의 건식식각을 진행함으로서 상기 제 3 포토레지스트 패턴(496a) 외부로 노출된 뱅크 패턴(도 11d의 452)의 두께를 줄임으로서 0.2 내지 1.5㎛ 정도의 두께를 갖는 뱅크의 하부층(453a)을 형성한다.Next, as shown in FIG. 11E, a reaction of reacting with the bank pattern (452 in FIG. 11D) in the state in which the third photoresist pattern 496a whose thickness and width is reduced by the isotropic ashing is formed. By performing the anisotropic dry etching using gas, the thickness of the bank pattern (452 in FIG. 11D) exposed to the outside of the third photoresist pattern 496a is reduced, thereby reducing the thickness of the bank having a thickness of 0.2 to 1.5 μm ( 453a).
이때, 상기 제 3 포토레지스트 패턴(496a)에 의해 이방성의 건식식각이 진행되지 않는 부분은 뱅크의 상부층(453b)을 이루게 된다.At this time, a portion in which anisotropic dry etching is not performed by the third photoresist pattern 496a forms an
이후, 도 11f에 도시한 바와같이, 상기 뱅크의 상부층(453a)에 남아있는 제 3 포토레지스트 패턴(도 11e의 496a)을 스트립(strip)을 통해 제거함으로서 0.2 내지 1.5㎛ 정도의 두께를 갖는 하부층(453a)과 상기 하부층(453a)의 중앙부와 중첩하는 상부층(453b)을 갖는 이중층 구조의 뱅크(453)가 형성된다.Thereafter, as shown in FIG. 11F, the third photoresist pattern (496a in FIG. 11E) remaining in the
한편, 이러한 본 발명의 제 2 실시예에 따라 제조되는 이중층 구조의 뱅크(453)는 상기 뱅크의 상부층(453b) 외측으로 노출되는 하부층(453a)의 폭이 1 내지 9㎛ 정도가 되며, 제 1 실시예와 같이 상대적으로 고가인 반투과영역을 갖는 노광 마스크를 이용하지 않고, 일반적인 투과영역과 차단영역만으로 이루어진 저가의 노광 마스크를 이용하여 형성할 수 있으므로 제조 비용을 저감시킬 수 있는 장점이 있다. On the other hand, the
나아가 제 3 포토레지스트 패턴의 애싱 진행에 의해 소수성의 고분자 물질의 잔사를 상기 제 1 전극(450)의 표면에서 완전히 제거할 수 있으므로 유기 발광층(미도시) 형성 시 액상의 유기 발광물질의 퍼짐 특성을 향상시킬 수 있는 장점을 갖는다.Furthermore, since the residue of the hydrophobic polymer material can be completely removed from the surface of the
이후 공정은 전술한 제 1 실시예와 동일하게 진행되므로 그 설명은 생략한다.Since the process proceeds in the same manner as in the first embodiment described above, the description thereof will be omitted.
본 발명은 전술한 실시예 및 변형예로 한정되지 않고, 본 발명의 취지를 벗어나지 않는 한도내에서 다양하게 변경하여 실시할 수 있다. The present invention is not limited to the above-described embodiments and modifications, and can be implemented by variously changing within the limits without departing from the spirit of the present invention.
101 : 유기전계 발광소자 110 : 제 1 기판
115 : 게이트 전극 118 : 게이트 절연막
120 : 산화물 반도체층 122 : 에치스토퍼
133 : 소스 전극 136 : 드레인 전극
140 : 보호층 143 : 드레인 콘택홀
150 : 제 1 전극 153 : (이중층 구조의)뱅크
153a : 뱅크의 하부층 153b : 뱅크의 상부층
155 : 유기 발광층 160 : 제 2 전극
170 : 제 2 기판 DTr : 구동 박막트랜지스터
EA2 : 발광영역 P : 화소영역101: organic light emitting device 110: the first substrate
115: gate electrode 118: gate insulating film
120: oxide semiconductor layer 122: etch stopper
133: source electrode 136: drain electrode
140: protective layer 143: drain contact hole
150: first electrode 153: (double-layer structure) bank
153a: lower layer of the
155 organic
170: second substrate DTr: driving thin film transistor
EA2: Light emitting area P: Pixel area
Claims (10)
상기 제 1 전극의 가장자리와 중첩하며 상기 각 화소영역을 둘러싸는 형태로 제 1 두께와 제 1 폭을 갖는 하부층과, 상기 제 1 폭보다 작은 제 2 폭을 갖는 상부층으로 이루어진 뱅크와;
상기 뱅크의 상부층으로 둘러싸인 영역 내부의 상기 뱅크의 하부층 및 제 1 전극 상부에 직접 접촉되어 위치하는 유기 발광층과;
상기 표시영역 전면에 대응하여 상기 유기 발광층 상부로 위치하는 제 2 전극
을 포함하며, 상기 유기 발광층은 상기 하부층의 노출된 측면 및 상면을 덮으며, 상기 상부층의 측면까지 연장되어 상기 상부층의 측면 일부를 덮으며,
상기 상부층과 상기 하부층은 일체로 이루어지며, 상기 상부층과 상기 하부층이 동일한 물질을 가지며, 상기 상부층은 소수성 특성의 물질을 더 포함하는 유기전계 발광소자.
A first electrode positioned for each pixel area on a first substrate on which a display area having a plurality of pixel areas is defined;
A bank formed of a lower layer having a first thickness and a first width and an upper layer having a second width smaller than the first width, overlapping the edge of the first electrode and surrounding each pixel area;
An organic emission layer positioned in direct contact with the lower layer of the bank and the first electrode in an area surrounded by the upper layer of the bank;
A second electrode positioned above the organic emission layer corresponding to the entire surface of the display area
Including, The organic light emitting layer covers the exposed side and the upper surface of the lower layer, extends to the side of the upper layer to cover a part of the side of the upper layer,
The upper layer and the lower layer are integrally formed, and the upper layer and the lower layer have the same material, and the upper layer further comprises a hydrophobic material.
상기 하부층은 상기 소수성 특성의 물질을 더 포함하는 유기전계 발광소자.
According to claim 1,
The lower layer further comprises the hydrophobic material.
상기 제 1 두께는 상기 유기 발광층 보다 얇은 유기전계 발광소자.
According to claim 1,
The first thickness is an organic light emitting device thinner than the organic light emitting layer.
상기 제 1 두께는 0.2 내지 1.5㎛인 유기전계 발광소자.
The method of claim 5,
The first thickness of the organic electroluminescent device is 0.2 to 1.5㎛.
상기 하부층은 상기 상부층의 외측으로 제 3 폭을 가지고 돌출되도록, 상기 상부층과 완전히 겹쳐 위치하는 유기전계 발광소자.
According to claim 1,
The lower layer is an organic electroluminescent device positioned completely overlapping the upper layer so as to protrude with a third width to the outside of the upper layer.
상기 제 3 폭은 1 내지 9㎛인 유기전계 발광소자.
The method of claim 7,
The third width is 1 to 9㎛ organic electroluminescent device.
상기 하부층 상부로 위치하는 상기 유기 발광층의 일부는 상기 제 1 전극 상에 위치하는 상기 유기 발광층과 함께 평탄한 표면을 가지는 유기전계 발광소자.
According to claim 1,
A portion of the organic light emitting layer positioned on the lower layer has an organic light emitting device having a flat surface with the organic light emitting layer positioned on the first electrode.
상기 하부층으로 둘러싸인 영역 내부의 상기 유기발광층은 균일한 두께를 갖는 유기전계 발광소자. The method of claim 9,
The organic light emitting layer inside the region surrounded by the lower layer has an organic light emitting device having a uniform thickness.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020190094905A KR102104361B1 (en) | 2019-08-05 | 2019-08-05 | Organic electro-luminescent device and method of fabricating the same |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020190094905A KR102104361B1 (en) | 2019-08-05 | 2019-08-05 | Organic electro-luminescent device and method of fabricating the same |
Related Parent Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020120134299A Division KR102009357B1 (en) | 2012-11-26 | 2012-11-26 | Organic electro-luminescent device and method of fabricating the same |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20190096886A KR20190096886A (en) | 2019-08-20 |
| KR102104361B1 true KR102104361B1 (en) | 2020-04-24 |
Family
ID=67807721
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020190094905A KR102104361B1 (en) | 2019-08-05 | 2019-08-05 | Organic electro-luminescent device and method of fabricating the same |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR102104361B1 (en) |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20080063949A1 (en) * | 2004-10-13 | 2008-03-13 | Sharp Kabushiki Kaisha | Functional Substrate |
-
2019
- 2019-08-05 KR KR1020190094905A patent/KR102104361B1/en active IP Right Grant
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20080063949A1 (en) * | 2004-10-13 | 2008-03-13 | Sharp Kabushiki Kaisha | Functional Substrate |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR20190096886A (en) | 2019-08-20 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR102009357B1 (en) | Organic electro-luminescent device and method of fabricating the same | |
| KR102015846B1 (en) | Organic electro-luminescent device | |
| KR20140067645A (en) | Organic electro-luminescent device and method of fabricating the same | |
| KR102038817B1 (en) | Organic electro-luminescent device and method of fabricating the same | |
| US10651249B2 (en) | Organic light emitting diode display device and method of fabricating the same | |
| KR101592328B1 (en) | Array substrate and method of fabricating the same | |
| KR102015847B1 (en) | Organic electro-luminescent device | |
| KR102152846B1 (en) | Organic electro luminescent device and method of fabricating the same | |
| KR102122401B1 (en) | Organic electro luminescent device and method of fabricating the same | |
| KR102132443B1 (en) | Organic electro-luminescent device and method of fabricating the same | |
| CN110785868B (en) | Display substrate, display device and method of manufacturing display substrate | |
| KR102206329B1 (en) | Organic electro-luminescent device and method of fabricating the same | |
| KR102104361B1 (en) | Organic electro-luminescent device and method of fabricating the same | |
| KR102044137B1 (en) | Organic electro luminescent device and method of fabricating the same | |
| KR20050057940A (en) | Method for fabricating organic electro-luminance device | |
| JP2005222776A (en) | Organic electroluminescent device, manufacturing method of the same, substrate for the same, and electronic equipment | |
| JP2007024925A (en) | Display panel, method of manufacturing display panel and manufacture equipment of display panel | |
| KR102361967B1 (en) | Organic light emitting diode display device | |
| JP2006253054A (en) | Substrate, manufacturing method of substrate, electro-optical device, manufacturing method of electro-optical device, and electronic apparatus | |
| KR20160053343A (en) | Organic electro-luminescent device |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A107 | Divisional application of patent | ||
| A201 | Request for examination | ||
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
| E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
| GRNT | Written decision to grant |