KR102195136B1 - 플라즈마 처리 장치 및 방법 - Google Patents

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KR102195136B1
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Abstract

플라즈마 처리 장치에 관한 것으로서, 처리실, 상기 처리실 내에 설치되고, 샘플이 전사된 기판을 재치하는 재치대, 상기 처리실의 상부에 설치되는 상부 전극, 상기 재치대의 하부에 설치되는 하부 전극, 상기 상부 전극 및 상기 하부 전극에 바이어스 전압을 인가하여 플라즈마를 발생시키는 플라즈마 발생부 및 상기 기판에 바이어스 전압을 인가하는 기판 바이어스 인가부를 포함할 수 있다.

Description

플라즈마 처리 장치 및 방법{APPARATUS AND METHOD FOR PROCESSING PLASMA}
본 발명은 플라즈마 처리 장치 및 방법에 관한 것이다.
최근 반도체 소자, LCD, 유기EL, PDP(Plasma Display Panel) 등의 구성부품들은 그 구조가 더욱 정밀해지고 있는데, 이렇게 정밀한 구성부품들의 제조 공정 또는 재생 공정을 위해서 일반적으로 플라즈마 처리 장치가 사용되고 있다.
종래의 플라즈마 처리 장치는 유도성 결합 플라즈마 소스(Inductively coupled plasma source), 마이크로파 플라즈마 소스(Microwave plasma source), 또는 용량성 결합 플라즈마 소스(Capacitively coupled plasma source) 등을 사용하며, 일반적으로 용량 결합형 평판 플라즈마 처리 장치가 널리 사용되고 있다.
한편, 종래의 플라즈마 처리 장치는 상하부 전극의 바이어스를 통해 플라즈마와 플럭스(Flux)가 형성되고, 이를 통해 플라즈마의 방향성과 에너지를 조절하는데, 일반적으로, 상하부 전극만으로 플라즈마 형성시 구성하는 요소의 밀도 분포 조절이 어려운 문제점이 있다.
이로 인해, 현재로서는 높은 에너지의 양이온, 음이온의 밀도와 낮은 에너지의 라디칼(radical)의 밀도를 각각 조절할 수 있는 방법이 필요한 실정이다. 예를 들어, 2차원 소재의 표면 활성화를 위해서는 낮은 에너지를 갖는 라디칼의 상대적 밀도를 증가시키는 기술이 필요하다.
실제로, 안정적인 표면 특성을 갖는 2차원 소재 위 고품위 박막을 화학적으로 증착하기 위해서는 표면 활성화가 필수적이다. 그러나, 2차원 소재의 경우 플라즈마 에너지가 조금만 높으면 쉽게 식각되는 문제가 발생하므로, 샘플 소재 주위 영역에서 이온이나 라디칼을 밀어내거나 당기어 미세하게 플라즈마 에너지를 조절하는 것이 요구된다.
그러나, 종래의 플라즈마 처리 장치의 경우, 전술한 바와 같이 플라즈마의 전체적인 플럭스(Flux)만을 조절할 뿐, 하부 전극에서의 미세한 에너지 조절이 어려워, 이러한 문제를 해결하지 못하는 어려움이 있었다.
또한, 2차원 소재 위 활성화 되는 부분을 패터닝하기 위해서는 별도의 패터닝 공정이 필요하다. 이에, 종래의 플라즈마 처리 장치의 경우, 패터닝 공정으로서 주로 리소그래피(Lithography) 공정을 이용하고 있는데 이는 가격적 측면에서 비효율 적이며, PR 등 마스크로 쓰이는 재료로 인해 발생하는 불순물 등이 2차원 소재의 성능을 저하시키는 문제가 있었다.
아울러, 현재로서는 메카니컬 마스크(Mechanical mask)를 활용할 수 없는 공정과 같이, 마스크로 쓰이는 재료나 어플리케이션에 따라서 패터닝이 필요하지만 적용하기 어려운 경우, 이를 해결할 수 있는 적절한 방안 또한 없다는 한계가 있었다.
본 발명은 전술한 종래 기술의 문제점을 해결하기 위한 것으로서, 하부 전극의 일측에 형성되어 추가적으로 바이어스 전압을 인가하는 금속을 이용한 전극의 제어를 통해 플라즈마 이온의 움직임을 제어함으로써, 보다 미세한 영역에서 플라즈마 이온 밀도 등의 조절이 가능하며, 이로 인해, 2차원 소재 등의 표면 활성화 정도를 더욱 미세하고 효율적으로 조절할 수 있도록 하는 플라즈마 처리 장치 및 방법을 제공하고자 한다.
또한, 하부 전극의 일측에 형성되어 추가적으로 바이어스 전압을 인가하는 금속의 패터닝을 통해 부분적으로 바이어스를 인가할 수 있도록 함으로써, 2차원 소재 등의 표면을 선택적으로 활성화시킬 수 있도록 하는 플라즈마 처리 장치 및 방법을 제공하고자 한다.
다만, 본 실시예가 이루고자 하는 기술적 과제는 상기된 바와 같은 기술적 과제들로 한정되지 않으며, 또 다른 기술적 과제들이 존재할 수 있다.
상술한 기술적 과제를 달성하기 위한 기술적 수단으로서, 본 발명의 일 실시예는, 플라즈마 처리 장치에 관한 것으로서, 처리실, 상기 처리실 내에 설치되고, 샘플이 전사된 기판을 재치하는 재치대, 상기 처리실의 상부에 설치되는 상부 전극, 상기 재치대의 하부에 설치되는 하부 전극, 상기 상부 전극 및 상기 하부 전극에 바이어스 전압을 인가하여 플라즈마를 발생시키는 플라즈마 발생부 및 상기 기판에 바이어스 전압을 인가하는 기판 바이어스 인가부를 포함할 수 있다. 여기서, 상기 기판 바이어스 인가부는 상기 기판에 인가되는 바이어스 전압을 제어함으로써 상기 발생된 플라즈마를 이용하여 상기 샘플을 활성화시킬 수 있다.
본 발명의 다른 일 실시예는, 플라즈마 처리 방법에 관한 것으로서, 처리실 내에 설치되고, 샘플이 전사된 기판을 재치하는 단계, 상기 처리실의 상부에 설치되는 상부 전극 및 상기 재치대의 하부에 설치되는 하부 전극에 바이어스 전압을 인가하여 플라즈마를 발생시키는 단계 및 상기 기판에 바이어스 전압을 인가하는 단계를 포함할 수 있다. 여기서, 상기 기판에 바이어스 전압을 인가하는 단계는 상기 기판에 인가되는 바이어스 전압을 제어함으로써 상기 발생된 플라즈마를 이용하여 상기 샘플을 활성화시킬 수 있다.
본 발명의 또 다른 일 실시예는, 컴퓨터 프로그램으로서 컴퓨팅 장치에 의해 실행될 경우, 처리실 내에 설치되고, 샘플이 전사된 기판을 재치하고, 상기 처리실의 상부에 설치되는 상부 전극 및 상기 재치대의 하부에 설치되는 하부 전극에 바이어스 전압을 인가하여 플라즈마를 발생시키고, 상기 기판에 바이어스 전압을 인가하고, 상기 기판에 인가되는 바이어스 전압을 제어함으로써 상기 발생된 플라즈마를 이용하여 상기 샘플을 활성화시키도록 하는 명령어들의 시퀀스를 포함하는 매체에 저장된 컴퓨터 프로그램을 제공할 수 있다.
상술한 과제 해결 수단은 단지 예시적인 것으로서, 본 발명을 제한하려는 의도로 해석되지 않아야 한다. 상술한 예시적인 실시예 외에도, 도면 및 발명의 상세한 설명에 기재된 추가적인 실시예가 존재할 수 있다.
전술한 본 발명의 과제 해결 수단 중 어느 하나에 의하면, 하부 전극의 일측에 형성되어 추가적으로 바이어스 전압을 인가하는 금속을 이용한 전극의 제어를 통해 플라즈마 이온의 움직임을 제어함으로써, 보다 미세한 영역에서 플라즈마 이온 밀도 등의 조절이 가능하며, 이로 인해, 2차원 소재 등의 표면 활성화 정도를 더욱 미세하고 효율적으로 조절할 수 있도록 하는 플라즈마 처리 장치 및 방법을 제공할 수 있다.
또한, 본 발명은 하부 전극의 일측에 형성되어 추가적으로 바이어스 전압을 인가하는 금속의 패터닝을 통해 부분적으로 바이어스를 인가할 수 있도록 함으로써, 2차원 소재 등의 표면을 선택적으로 활성화시킬 수 있도록 하는 플라즈마 처리 장치 및 방법을 제공할 수 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 플라즈마 처리 장치의 구성을 나타낸 도면이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 플라즈마 처리 장치의 처리실의 구성을 나타낸 도면이다.
도 3 및 도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 플라즈마 처리 장치의 플라즈마 처리 모습을 나타낸 도면이다.
도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 플라즈마 처리 방법을 나타낸 도면이다.
아래에서는 첨부한 도면을 참조하여 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 본 발명의 실시예를 상세히 설명한다. 그러나 본 발명은 여러 가지 상이한 형태로 구현될 수 있으며 여기에서 설명하는 실시예에 한정되지 않는다. 그리고 도면에서 본 발명을 명확하게 설명하기 위해서 설명과 관계없는 부분은 생략하였으며, 명세서 전체를 통하여 유사한 부분에 대해서는 유사한 도면 부호를 붙였다.
명세서 전체에서, 어떤 부분이 다른 부분과 "연결"되어 있다고 할 때, 이는 "직접적으로 연결"되어 있는 경우뿐 아니라, 그 중간에 다른 소자를 사이에 두고 "전기적으로 연결"되어 있는 경우도 포함한다. 또한 어떤 부분이 어떤 구성요소를 "포함"한다고 할 때, 이는 특별히 반대되는 기재가 없는 한 다른 구성요소를 제외하는 것이 아니라 다른 구성요소를 더 포함할 수 있는 것을 의미한다.
본 명세서에 있어서 '부(部)'란, 하드웨어에 의해 실현되는 유닛(unit), 소프트웨어에 의해 실현되는 유닛, 양방을 이용하여 실현되는 유닛을 포함한다. 또한, 1 개의 유닛이 2 개 이상의 하드웨어를 이용하여 실현되어도 되고, 2 개 이상의 유닛이 1 개의 하드웨어에 의해 실현되어도 된다.
본 명세서에 있어서 단말 또는 디바이스가 수행하는 것으로 기술된 동작이나 기능 중 일부는 해당 단말 또는 디바이스와 연결된 서버에서 대신 수행될 수도 있다. 이와 마찬가지로, 서버가 수행하는 것으로 기술된 동작이나 기능 중 일부도 해당 서버와 연결된 단말 또는 디바이스에서 수행될 수도 있다.
이하, 첨부된 구성도 또는 처리 흐름도를 참고하여, 본 발명의 실시를 위한 구체적인 내용을 설명하도록 한다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 플라즈마 처리 장치의 구성을 나타낸 도면이다.
도 1을 참조하면, 플라즈마 처리 장치(10)는 기판(100) 및 처리실(200)을 포함할 수 있다.
기판(100)에는 샘플이 전사될 수 있다. 예를 들어, 기판(100)은 유리, 웨이퍼, 플렉서블 기판(PI, PET) 중 어느 하나로 구성될 수 있다.
샘플은 예를 들어, 탄소 나노 튜브와 같은 1차원 소재를 포함할 수 있다. 또한, 샘플은 예를 들어, 그래핀 소재와 같은 2 차원 소재를 포함할 수 있다. 이러한, 2차원 소재는 매우 안정적인 표면 특성을 갖기 때문에 2차원 소재 상에 고품위 박막 증착을 위한 화학 반응 기반 필름 형성 공정이 잘 진행되지 않는 다는 문제점이 있다. 이에 따라, 2차원 소재를 다양한 전자소자 및 센서에 적용하기 위해서는 표면에 대해 활성화 공정이 필수적으로 요구된다. 본원 발명은 다양한 전자소자 및 센서에 2차원 소재를 적용하기 위해 2차원 소재의 표면을 활성화하는 기술에 해당하며, 표면의 활성화 정도를 제어하고 원하는 부분만 국부적으로 활성화할 수 있도록 하는 구성을 기술적 특징으로 가지고 있다.
본원 발명을 통해, 샘플은 전자소자 및 센서에 적용 가능하도록 활성화될 수 있으며, 패터닝된 기판(100)을 이용하여 부분적으로 바이어싱 전압을 인가시킴으로써 샘플의 전체 영역 중 원하는 일부 영역만 국부적으로 선택하여 활성화될 수 있다.
처리실(200)은 내부에 기판(100)을 재치하고, 상부 및 하부에 설치되는 전극에 바이어스 전압을 인가하여 플라즈마를 발생시키며, 발생된 플라즈마를 이용하여 기판(100)의 샘플을 활성화시키되, 기판(100)에 인가되는 바이어스 전압을 제어함으로써, 샘플의 활성화 정도를 제어할 수 있다.
처리실(200)에 대해서는 아래에서 보다 구체적으로 설명하도록 한다.
이하에서는 도 2를 참조하여, 본 발명의 일 실시예에 따른 플라즈마 처리 장치의 처리실에 대해 보다 구체적으로 설명하기로 한다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 플라즈마 처리 장치의 처리실의 구성을 나타낸 도면이다.
도 2를 참조하면, 처리실(200)은 재치대(210), 상부 전극(230), 하부 전극(250) 플라즈마 발생부(270) 및 기판 바이어스 인가부(290)를 포함할 수 있다.
재치대(210)는 처리실(200) 내에 설치되고, 샘플이 전사된 기판(100)을 재치할 수 있다.
여기서, 재치대(210)는 처리실(200) 내부의 진공 상태가 해제된 후, 기판(100)을 재치할 수 있고, 재치대(210)에 의해 기판(100)이 재치되는 경우, 처리실(200) 내부는 다시 진공 상태로 설정될 수 있다.
상부 전극(230)은 처리실(200) 내의 상부 측에 설치되고, 후술되는 플라즈마 발생부(270)로부터 바이어스 전압을 인가 받을 수 있다. 하부 전극(250)은 재치대(210)의 하부 측에 설치되고, 후술되는 플라즈마 발생부(270)로부터 바이어스 전압을 인가 받을 수 있다. 예를 들어, 상부 전극(230) 및 하부 전극(250)은 금, 백금, 은과 같은 금속으로 구성될 수 있다.
플라즈마 발생부(270)는 상부 전극(230) 및 하부 전극(250)에 바이어스 전압을 인가하여 플라즈마를 발생시킬 수 있다. 보다 구체적으로, 플라즈마 발생부(270)는 상부 전극(230) 및 하부 전극(250)에 바이어스 전압을 인가하여, 상부 전극(230) 및 하부 전극(250) 사이에 플라즈마 플럭스(Flux)가 형성되도록 할 수 있다.
여기서, 플라즈마 발생부(270)는 처리실(200)의 진공 상태를 확인한 후, 상부 전극(230) 및 하부 전극(250)에 바이어스 전압을 인가하여 플라즈마를 발생시킬 수 있다.
또한, 플라즈마 발생부(270)는 사용자에 의해 설정된 바이어스 전압값에 기초하여 상부 전극(230) 및 하부 전극(250)에 바이어스 전압을 인가할 수 있고, 설정된 플라즈마 소스에 기초하여 플라즈마를 발생시킬 수 있으며, 발생된 플라즈마를 확인한 후, 설정된 플라즈마 처리 시간에 기초하여 플라즈마를 이용해 샘플의 활성화를 수행할 수 있다.
여기서, 플라즈마 소스는 종류에 따라 음이온, 양이온 및 라디칼(Radical)을 형성할 수 있고, 이렇게 생성된 음이온, 양이온 및 라디칼(Radical)에 의해 기판(100)의 샘플이 활성화될 수 있다.
기판 바이어스 인가부(290)는 기판(100)에 바이어스 전압을 인가할 수 있다. 여기서, 기판 바이어스 인가부(290)는 하부 전극(250)의 일측에 형성될 수 있다.
여기서, 기판 바이어스 인가부(290)는 앞서 설정된 플라즈마 처리 시간 및 바이어스 전압값에 기초하여 기판(100)에 바이어스 전압을 인가할 수 있다.
한편, 기판 바이어스 인가부(290)에 의해 바이어스 전압이 인가된 기판(100) 은 양극 혹은 음극으로 대전될 수 있고, 이로 인해, 발생하는 인력 혹은 척력에 의해 샘플의 표면으로 전해지는 플라즈마 이온들의 밀도가 제어될 수 있다.
즉, 기판 바이어스 인가부(290)는 기판(100)에 양극 바이어스 전압 및 음극 바이어스 전압 중 적어도 어느 하나를 인가함으로써 기판(100)의 일측에 형성되는 양이온 플라즈마 및 음이온 플라즈마 중 적어도 어느 하나를 강화(인력을 형성) 또는 약화(척력을 형성)시킬 수 있고, 이를 통해, 인력 또는 척력을 발생시켜 샘플의 표면으로 전해지는 플라즈마 이온들의 밀도를 제어할 수 있다. 이에 대해서는 아래에서 보다 구체적으로 설명하도록 한다.
이하에서는 도 3 및 도 4를 참조하여, 본 발명의 일 실시예에 따른 플라즈마 처리 장치에서 플라즈마 처리하는 것에 대해 보다 구체적으로 설명하기로 한다.
도 3 및 도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 플라즈마 처리 장치의 플라즈마 처리 모습을 나타낸 도면이다.
도 3을 참조하면, 플라즈마 발생부(270)는 상부 전극(230) 및 하부 전극(250)를 통해 플라즈마를 발생시키고, 기판 바이어스 인가부(290)는 기판(100)에 바이어스 전압을 인가하여 기판(100) 상에 전사된 샘플(300)을 활성화시킬 수 있다.
보다 구체적으로, 기판 바이어스 인가부(290)는 표면이 금속막(310)으로 덮인 기판(100)에 바이어스 전압을 인가시킴으로써 기판(100) 상에 전사된 샘플(300)을 활성화시킬 수 있다.
또한, 기판 바이어스 인가부(290)는 샘플(300)이 금속, 그래핀, 탄소나노튜브 등의 전도성이 높은 재료인 경우, 샘플(300) 자체에 바이어스 전압을 인가시킴으로써 샘플(300)을 활성화시킬 수 있다.
아울러, 기판 바이어스 인가부(290)는 기판(100)에 인가되는 양극 바이어스 전압 및 음극 바이어스 전압 중 적어도 어느 하나를 인가함으로써 기판(100)의 일측에 형성되는 양이온 플라즈마 및 음이온 플라즈마 중 적어도 어느 하나를 강화 또는 약화시킬 수 있고, 이를 통해, 인력 또는 척력을 발생시켜 샘플(300)의 표면으로 전해지는 플라즈마 이온들의 밀도를 제어할 수 있다.
예를 들어, 기판 바이어스 인가부(290)가 기판(100)에 양극 바이어스 전압을 인가하는 경우, 양극 바이어스 전압에 의해 발생하는 척력으로 인해 양이온 플라즈마가 밀려나고, 인력으로 인해 음이온 플라즈마가 끌려오게 된다, 이에 따라, 양이온 플라즈마에 의한 플라즈마 밀도가 감소될 수 있고, 음이온 플라즈마에 의한 플라즈마 밀도가 증가될 수 있다. 즉, 플라즈마 밀도의 증감에 따라 샘플(300)의 표면에 대한 활성화 정도가 증감될 수 있다.
또한, 기판 바이어스 인가부(290)가 기판(100)에 음극 바이어스 전압을 인가하는 경우, 음극 바이어스 전압에 의해 발생하는 인력으로 인해 음이온 플라즈마가 밀려나고, 인력으로 인해 양이온 플라즈마가 끌려오게 된다. 이에 따라 양이온 플라즈마에 의한 플라즈마 밀도가 증가될 수 있고, 음이온 플라즈마에 의한 플라즈마 밀도가 감소될 수 있다. 즉, 플라즈마 밀도의 증감에 따라 샘플(300)의 표면에 대한 활성화 정도가 증감될 수 있다.
상기 구성에 의해, 본원 발명의 기판 바이어스 인가부(290)는 기판(100)에 양극 바이어스 전압 또는 음극 바이어스 전압을 인가하여, 샘플(300)의 표면으로 전해지는 양이온 플라즈마 또는 음이온 플라즈마의 밀도를 제어함으로써, 샘플(300)의 활성화 정도를 제어할 수 있다.
또한, 도 4를 참조하면, 기판(100)은 패턴이 형성되어 있는 패턴 영역(400)을 포함할 수 있다. 이 경우, 기판(100)은 절연체일 수 있고, 패턴 영역(400)은 특정 패턴이 형성되어 있는 전도체(예를 들어, 전도성이 높은 금속체 또는 그래핀 소재 등)로 구성될 수 있다.
아울러, 이러한 경우, 기판 바이어스 인가부(290)가 패턴 영역(400)을 포함하는 기판(100)에 바이어스 전압을 인가함으로써, 기판(100)의 패턴 영역(400) 상에 위치하는 일부 영역만 양극 혹은 음극으로 대전시킬 수 있으며, 이로 인해, 발생하는 인력 혹은 척력에 의해 패턴 영역(400) 상의 샘플(300)의 표면으로 전해지는 플라즈마 이온들의 밀도가 제어될 수 있다.
여기서, 기판 바이어스 인가부(290)는 샘플(300) 자체에 바이어스 전압을 인가하지 않으므로, 샘플(300)은 도체, 반도체 및 절연체 중 적어도 어느 하나로 형성될 수 있다.
예를 들어, 기판 바이어스 인가부(290)가 패턴 영역(400)을 포함하는 기판(100)에 양극 바이어스 전압을 인가하는 경우, 양극 바이어스 전압에 의해 발생하는 척력으로 인해 양이온 플라즈마가 밀려나고, 인력으로 인해 음이온 플라즈마가 끌려오게 된다. 이에 따라, 양이온 플라즈마에 의한 플라즈마 밀도가 감소될 수 있고, 음이온 플라즈마에 의한 플라즈마 밀도가 증가될 수 있다. 즉, 플라즈마 밀도의 증감에 따라, 기판에 전사된 샘플의 전체 영역 중 기판에 형성된 패턴 영역(400) 상에 위치하는 샘플(300)의 일부 영역에 대한 활성화 정도가 선택적으로 증감될 수 있다.
또한, 기판 바이어스 인가부(290)가 기판(100)에 음극 바이어스 전압을 인가하는 경우, 음극 바이어스 전압에 의해 발생하는 인력으로 인해 음이온 플라즈마가 밀려나고, 인력으로 인해 양이온 플라즈마가 끌려오게 된다. 이에 따라 양이온 플라즈마에 의한 플라즈마 밀도가 증가될 수 있고, 음이온 플라즈마에 의한 플라즈마 밀도가 감소될 수 있다. 즉, 플라즈마 밀도의 증감에 따라, 기판에 전사된 샘플의 전체 영역 중 기판에 형성된 패턴 영역(400) 상에 위치하는 샘플(300)의 일부 영역에 대한 활성화 정도가 선택적으로 증감될 수 있다.
도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 플라즈마 처리 방법을 나타낸 도면이다. 도 5에 도시된 플라즈마 처리 방법은 도 1 내지 도 4에 도시된 실시예에 의해 시계열적으로 처리되는 단계들을 포함한다. 따라서, 이하 생략된 내용이라고 하더라도 도 1 내지 도 4에 도시된 실시예에 따른 플라즈마 처리 방법에 적용될 수 있음을 유의해야 한다.
도 5를 참조하면, 단계 S510에서 샘플이 전사된 기판(100)을 재치대(210)에 재치할 수 있다.
단계 S530에서 플라즈마 처리 장치(10)는 상부 전극(230) 및 하부 전극(250)에 바이어스 전압을 인가하여 플라즈마를 발생시킬 수 있다.
단계 S550에서 플라즈마 처리 장치(10)는 기판(100)에 바이어스 전압을 인가할 수 있다.
단계 S570에서 플라즈마 처리 장치(10)는 기판(100)에 인가되는 바이어스 전압을 제어할 수 있다.
단계 S590에서 플라즈마 처리 장치(10)는 인가되는 바이어스 전압을 제어하여 기판(100)에 전사된 샘플의 활성화 정도를 제어할 수 있다.
상술한 설명에서, 단계 S510 내지 S590은 본 발명의 구현예에 따라서, 추가적인 단계들로 더 분할되거나, 더 적은 단계들로 조합될 수 있다. 또한, 일부 단계는 필요에 따라 생략될 수도 있고, 단계 간의 순서가 변경될 수도 있다.
본 발명의 일 실시예는 컴퓨터에 의해 실행되는 프로그램 모듈과 같은 컴퓨터에 의해 실행 가능한 명령어를 포함하는 기록 매체의 형태로도 구현될 수 있다. 컴퓨터 판독 가능 매체는 컴퓨터에 의해 액세스될 수 있는 임의의 가용 매체일 수 있고, 휘발성 및 비휘발성 매체, 분리형 및 비분리형 매체를 모두 포함한다. 또한, 컴퓨터 판독가능 매체는 컴퓨터 저장 매체를 모두 포함할 수 있다. 컴퓨터 저장 매체는 컴퓨터 판독가능 명령어, 데이터 구조, 프로그램 모듈 또는 기타 데이터와 같은 정보의 저장을 위한 임의의 방법 또는 기술로 구현된 휘발성 및 비휘발성, 분리형 및 비분리형 매체를 모두 포함한다.
전술한 본 발명의 설명은 예시를 위한 것이며, 본 발명이 속하는 기술분야의 통상의 지식을 가진 자는 본 발명의 기술적 사상이나 필수적인 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 쉽게 변형이 가능하다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 이상에서 기술한 실시예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적이 아닌 것으로 이해해야만 한다. 예를 들어, 단일형으로 설명되어 있는 각 구성 요소는 분산되어 실시될 수도 있으며, 마찬가지로 분산된 것으로 설명되어 있는 구성 요소들도 결합된 형태로 실시될 수 있다.
본 발명의 범위는 상세한 설명보다는 후술하는 특허청구범위에 의하여 나타내어지며, 특허청구범위의 의미 및 범위 그리고 그 균등 개념으로부터 도출되는 모든 변경 또는 변형된 형태가 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 한다.
10: 플라즈마 처리 장치
100: 기판
200: 처리실
210: 재치대
230: 상부 전극
250: 하부 전극
270: 플라즈마 발생부
290: 기판 바이어스 인가부

Claims (5)

  1. 플라즈마 처리 장치에 있어서,
    처리실;
    상기 처리실 내에 설치되고, 샘플이 전사된 기판을 재치하는 재치대;
    상기 처리실의 상부에 설치되는 상부 전극;
    상기 재치대의 하부에 설치되는 하부 전극;
    상기 상부 전극 및 상기 하부 전극에 바이어스 전압을 인가하여 음이온, 양이온 및 라디칼(Radical)을 포함하는 플라즈마를 발생시키는 플라즈마 발생부; 및
    상기 기판에 바이어스 전압을 인가하는 기판 바이어스 인가부
    를 포함하고,
    상기 기판 바이어스 인가부는 상기 기판에 인가되는 바이어스 전압을 제어함으로써 상기 발생된 플라즈마를 이용하여 상기 샘플을 활성화시키고,
    상기 기판 바이어스 인가부는 상기 기판에 인가되는 양극 바이어스 전압 및 음극 바이어스 전압 중 적어도 어느 하나를 제어함으로써 상기 플라즈마를 강화 또는 약화시키고 상기 플라즈마의 밀도를 제어함으로써 상기 샘플의 활성화 정도를 선택적으로 증감시고,
    상기 기판은 패턴이 형성되어 있는 패턴 영역을 포함하고,
    상기 기판 바이어스 인가부는 상기 기판의 상기 패턴 영역 상에 위치하는 일부 영역을 대전시킴으로써 상기 패턴 영역 상에 위치하는 상기 플라즈마의 밀도를 제어하키는 것인, 플라즈마 처리 장치.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 샘플은 1차원 소재 또는 2 차원 소재를 포함하는 것인, 플라즈마 처리 장치.
  3. 삭제
  4. 삭제
  5. 제 1 항에 있어서,
    상기 기판 바이어스 인가부는 상기 기판에 전사된 샘플의 전체 영역 중 상기 기판에 형성된 패턴 영역 상에 위치하는 일부 영역을 활성화시키는 것인, 플라즈마 처리 장치.
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