KR102192947B1 - 산화알루미늄층을 포함하는 접철형 커패시터 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 접철형 커패시터로서 보다 상세하게는 산화알루미늄층을 이용한 커패시터 구성에 관한 것으로, 본 발명에 따른 산화알루미늄층을 포함하는 접철형 커패시터는 적어도 하나의 마주보는 면을 형성하기 위하여 절곡부를 가지며 절곡되는 알루미늄 기판; 상기 절곡부의 적어도 일부 영역을 제외한 상기 알루미늄 기판의 양면 또는 일면에 형성된 산화알루미늄층; 및 상기 산화알루미늄층 및 상기 알루미늄 기판의 절곡부 상에서 연속하여 형성되며, 상기 알루미늄 기판의 마주보는 면에서 접합되는 전극층을 포함한다. 본 발명에 따르면, 알루미늄층을 형성한 후 별도의 절연층을 형성하지 않고 알루미늄층을 양극산화하여 Al2O3 절연층을 형성하기 때문에, 제조 공정이 간소하여 제조 원가를 낮출 수 있으며, 또한, 본 발명에 따르면 보다 간소한 공정으로 산화알루미늄층을 포함하는 커패시터를 적층하여 고용량 및 고신뢰성을 갖는 접철형 커패시터를 제공할 수 있다.

Description

산화알루미늄층을 포함하는 접철형 커패시터{Folding type capacitor comprising aluminium oxide layer}
본 발명은 접철형 커패시터로서 보다 상세하게는 산화알루미늄층을 이용한 커패시터 구성에 관한 것이다.
커패시터는 전기를 저장하거나 방출하는 축전지로서의 용도와 직류를 통하지 않는 성질을 이용하는 용도가 있으며, 서로 절연된 두 개의 평판전극을 접근시켜 양극 사이에 유전체를 끼워 넣은 구조로 이루어져 있다.
커패시터에 직류 전류를 걸어주면 각 전극에 전하가 축적되면서 전류가 흐르다가 전하 축적이 끝나면 전류가 흐르지 않게 된다. 그러나 전극을 바꾸어 다시 직류전류를 걸어주면 순간적으로 전류가 흐르게 된다. 이러한 특성을 살려 커패시터는, 전기를 저장하는 용도 외에, 직류전류는 차단하고 교류전류는 통과시키는 용도로도 사용된다.
이러한 커패시터는 사용하는 유전체 재질에 따라 공기커패시터, 진공커패시터, 가스커패시터, 액체커패시터, 운모(마이카)커패시터, 세라믹커패시터, 종이 커패시터, 플라스틱 필름커패시터, 전해커패시터 등으로 나뉜다.
전해커패시터에는 알루미늄 전해커패시터와 탄탈 전해커패시터가 있는데, 통상 전해커패시터라 하면 알루미늄 전해커패시터를 말한다. 전해커패시터는 얇은 산화막을 유전체로서 사용하며 전극으로는 알루미늄을 사용한다. 유전체를 매우 얇게 할 수 있으므로 커패시터의 체적에 비해 큰 용량을 얻을 수 있다.
한편 최근에는 세라믹과 금속(니켈)을 번갈아 쌓아 만든 적층 세라믹 커패시터(Multi-Layer Ceramic Capacitor; MLCC)에 대한 연구가 활발히 진행되고 있다. 머리카락 하나 굵기인 0.3㎜ 높이에 200~1000겹까지 세라믹과 금속을 번갈아 쌓아 적층 세라믹 커패시터를 형성한다.
적층 세라믹 커패시터는, 니켈은 금속이므로 전기가 통하나 세라믹은 전기가 통하지 않는 원리를 응용하여, 세라믹과 니켈을 여러 층 쌓아 전기를 저장할 수 있게 한 것이다.
적층 세라믹 커패시터는 휴대폰, 스마트폰, LCD TV, 컴퓨터 등 전자제품에 수 백개씩 필수적으로 들어가는 핵심 부품으로서, 전자기기의 소형화 추세로 인해 작고 용량이 큰 것일수록 뛰어난 기술력이 필요하다.
그러나 이러한 적층 세라믹 커패시터는 다층으로 쌓아 커패시터를 만들 때 두께가 커지고, 또한 금속과 절연층을 계속 쌓아야 하기 때문에 설비 비용이 높은 공정을 사용하므로 제조 원가가 높은 문제점이 있다.
상술한 기술적 과제를 해결하기 위하여 본 발명은 공정이 간소하여 제조 원가를 낮출 수 있는 고용량 커패시터 구조를 제안하는 것을 목적으로 한다.
또한, 본 발명에 따르면 보다 간소한 공정으로 적층 가능한 고용량 및 고신뢰성을 갖는 커패시터 구조를 제안하는 것을 목적으로 한다.
상기 기술적 과제를 해결하기 위한 본 실시예에 따른 산화알루미늄층을 포함하는 접철형 커패시터는 적어도 하나의 마주보는 면을 형성하기 위하여 절곡부를 가지며 절곡되는 알루미늄 기판; 상기 절곡부의 적어도 일부 영역을 제외한 상기 알루미늄 기판의 양면 또는 일면에 형성된 산화알루미늄층; 및 상기 산화알루미늄층 및 상기 알루미늄 기판의 절곡부 상에서 연속하여 형성되며, 상기 알루미늄 기판의 마주보는 면에서 접합되는 전극층을 포함한다.
상기 산화알루미늄층을 포함하는 접철형 커패시터는, 상기 알루미늄 기판상에 형성된 각각의 상기 전극층에 모두 접속되어 상기 전극층에 전극을 인가하는 제1 리드선을 포함하는 것을 특징으로 하는 접철형 산화알루미늄층을 포함한다.
상기 산화알루미늄층을 포함하는 접철형 커패시터는, 상기 알루미늄 기판에 접속되어 상기 알루미늄 기판에 전극을 인가하는 제2 리드선을 포함한다.
상기 산화알루미늄층을 포함하는 접철형 커패시터는, 상기 절곡부의 적어도 일부 영역에는 소정의 깊이를 갖는 홈부가 형성되는 것이 바람직하다.
상기 산화알루미늄층을 포함하는 접철형 커패시터는, 상기 절곡부의 적어도 일부 영역을 제외한 상기 알루미늄 기판의 양면 또는 일면에 상기 산화알루미늄층을 형성하기 위하여 상기 홈부 내에 형성되는 마스킹부를 포함한다.
상기 산화알루미늄층을 포함하는 접철형 커패시터는, 상기 산화알루미늄층을 포함하는 접철형 커패시터를 봉지하기 위한 봉지부재를 더 포함한다.
상기 기술적 과제를 해결하기 위한 본 실시예에 따른 산화알루미늄층을 포함하는 접철형 커패시터 제조 방법은 알루미늄 기판의 적어도 하나의 마주보는 면을 형성하기 위하여 휘어지는 절곡부를 고려하여 상기 절곡부의 적어도 일부 영역을 제외한 상기 알루미늄 기판의 양면 또는 일면에 산화알루미늄층을 형성하는 단계; 상기 알루미늄 기판의 양면 또는 일면 각각에 상기 산화알루미늄층 및 상기 알루미늄 기판의 절곡부 상에서 연속하는 전극층을 형성하는 단계; 및 상기 양면 또는 일면 각각에 형성된 상기 전극층이 상기 알루미늄 기판의 마주보는 면에서 접합되도록 상기 알루미늄 기판을 절곡하는 단계를 포함한다.
상기 산화알루미늄층을 형성하는 단계에 앞서, 상기 절곡부의 적어도 일부에 소정의 깊이를 갖는 홈부를 형성하는 단계; 및 상기 절곡부의 적어도 일부 영역을 제외한 상기 알루미늄 기판의 양면 또는 일면에 상기 산화알루미늄층을 형성하기 위하여 상기 홈부 내에 마스킹부를 형성하는 단계를 포함한다.
상기 산화알루미늄층을 포함하는 접철형 커패시터 제조 방법은, 상기 알루미늄 기판상에 형성된 각각의 상기 전극층에 모두 접속되어 상기 전극층에 전극을 인가하는 제1 리드선을 형성하는 단계를 더 포함한다.
상기 산화알루미늄층을 포함하는 접철형 커패시터 제조 방법은, 상기 알루미늄 기판에 접속되어 상기 알루미늄 기판에 전극을 인가하는 제2 리드선을 형성하는 단계를 더 포함한다.
상기 산화알루미늄층을 포함하는 접철형 커패시터 제조 방법은, 상기 산화알루미늄층을 포함하는 접철형 커패시터를 봉지하기 위한 봉지부재를 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 접철형 산화알루미늄층을 포함한다.
본 발명에 따르면, 알루미늄층을 형성한 후 별도의 절연층을 형성하지 않고 알루미늄층을 양극산화하여 Al2O3 절연층을 형성하기 때문에, 제조 공정이 간소하여 제조 원가를 낮출 수 있으며, 또한, 본 발명에 따르면 보다 간소한 공정으로 산화알루미늄층을 포함하는 커패시터를 적층하여 고용량 및 고신뢰성을 갖는 접철형 커패시터를 제공할 수 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 산화알루미늄층을 포함하는 접철형 커패시터를 나타내는 도이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 산화알루미늄층을 포함하는 접철형 커패시터의 제조방법을 나타내는 도이다.
도 3 내지 9는 본 발명의 일 실시예에 따른 산화알루미늄층을 포함하는 접철형 커패시터의 제조과정을 나타내는 도이다.
이하의 내용은 단지 발명의 원리를 예시한다. 그러므로 당업자는 비록 본 명세서에 명확히 설명되거나 도시되지 않았지만 발명의 원리를 구현하고 발명의 개념과 범위에 포함된 다양한 장치를 발명할 수 있는 것이다. 또한, 본 명세서에 열거된 모든 조건부 용어 및 실시예들은 원칙적으로, 발명의 개념이 이해되도록 하기 위한 목적으로만 명백히 의도되고, 이와같이 특별히 열거된 실시예들 및 상태들에 제한적이지 않는 것으로 이해되어야 한다.
상술한 목적, 특징 및 장점은 첨부된 도면과 관련한 다음의 상세한 설명을 통하여 보다 분명해 질 것이며, 그에 따라 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자가 발명의 기술적 사상을 용이하게 실시할 수 있을 것이다.
또한, 발명을 설명함에 있어서 발명과 관련된 공지 기술에 대한 구체적인 설명이 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 경우에 그 상세한 설명을 생략하기로 한다. 이하에는 첨부한 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예에 대해 상세하게 설명한다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 산화알루미늄층(130)을 포함하는 접철형 커패시터(10)(이하, 접철형 커패시터(10)라 함)의 구조를 나타내는 도이다.
도 1을 참조하면, 본 실시예에 따른 접철형 커패시터(10)는 알루미늄 기판(100), 산화알루미늄층(130), 전극층(140), 제1 리드선(150) 및 제2 리드선(160)을 포함한다.
본 실시예에 따른 알루미늄 기판(100)은 아노다이징 공정을 통해 산화알루미늄층(130)을 형성하기 위한 것이며, 커패시터(10)의 전극으로서의 기능도 함께 수행할 수 있다. 또한 후술하는 적층 구조에서 알루미늄의 연성을 이용하여 복수의 커패시터(10)를 결합하여 고용량의 커패시터(10)를 구성할 수 있다.
또한, 본 실시예에서 알루미늄 기판(100)의 경우 순수 알루미늄으로 형성되는 기판 뿐만 아니라 용도에 따라 알루미늄을 포함하는 다양한 합금으로 형성되는 금속 기판을 포함할 수 있다.
본 실시예에서 알루미늄 기판(100)은 적어도 하나의 마주보는 면을 형성하기 위하여 절곡부를 가지며 휘어져서 서로 접철된다.
본 실시예에서 산화알루미늄층(130)은 알루미늄 기판(100)의 양면 또는 일면 중 절곡부의 적어도 일부 영역을 제외한 기판의 양면 또는 일면에 형성되며, 후술하는 전극층(140)과 알루미늄 기판(100)을 서로 절연시키는 역할을 한다. 즉, 산화 알루미늄층은 전기가 통하지 않는 절연체이므로, 본 발명의 바람직한 실시 예에 따른 커패시터(10)에서 절연층 또는 유전층의 역할을 수행할 수 있다.
따라서, 본 발명의 바람직한 실시 예에 따른 커패시터(10)는 알루미늄 기판(100)층을 양극 산화시켜 절연층을 형성하므로, 별도의 절연층을 형성할 필요가 없으며, 그 제조 공정을 간소화할 수 있다.
본 실시예에서 전극층(140)은 산화알루미늄층(130) 및 상기 알루미늄 기판(100)의 절곡부 상에서 연속하여 형성되며, 상기 알루미늄 기판(100)의 마주보는 면에서 접합된다.
더욱 바람직하게는 전극층(140)은 알루미늄기판의 각각의 면 전체에서 알루미늄 기판(100)에 형성된 산화알루미늄층(130) 상 및 후술되는 홈부(110)에 미리 형성된 마스킹부(120) 상에 형성될 수 있다.
따라서, 각각의 알루미늄 기판(100)의 면 상에 형성되는 전극층(140)은 하나의 전극부를 형성하며 절곡부를 가지며 휘어지는 알루미늄 기판(100)에 따라 서로 마주보게 된다. 이때, 마주보는 전극층(140)은 서로 접합되게 된다.
본 실시예에서 접합된다는 것은 직접적으로 마주보는 전극층(140)이 접합되는 것 뿐만 아니라 간접적으로 다른 층을 사이에 포함하고 서로 접합되는 것을 포함한다.
본 실시예에서 제1 리드선(150)은 알루미늄 기판(100)상에 형성된 각각의 상기 전극층(140)에 모두 접속되어 전극층(140)에 전극을 인가한다. 즉, 본 실시예에서 제1 리드선(150)은 알루미늄 기판(100) 양면에 형성된 각각의 전극층(140)을 전기적으로 연결시키고 이를 통해 하나의 전극을 인가하게 된다. 따라서 전체적으로 각각의 전극층(140)은 하나의 전극부로 기능을 수행할 수 있다.
따라서, 본 실시예에서는 절곡되어 접철되는 각각의 전극층(140)을 하나의 전극부로 연결하여 전극부의 표면적을 커패시터(10)의 체적에 비하여 크게 증가 시킬수 있으며 이를 통해 전체 커패시터(10)의 용량을 증가시키는 것도 가능하다.
또한 본 실시예에서 산화알루미늄층(130)을 포함하는 접철형 커패시터(10)는 제2 리드선(160)을 더 포함한다. 제2 리드선(160)은 알루미늄 기판(100)에 접속되어 상기 알루미늄 기판(100)에 전극을 인가하게 된다. 즉 제1 리드선(150)이 전극층(140)에 인가한 전극과 다른 전극을 알루미늄 기판(100)에 전극을 인가하게 된다.
이때, 본 실시예에서 알루미늄 기판(100)과 전극층(140)은 알루미늄 기판(100)상에 형성된 산화알루미늄층(130)을 통해 전기적으로 절연되게 되며 따라서 다른 전극이 인가되는 알루미늄 기판(100)과 전극층(140)을 통해 본 실시예에 따른 접철형 커패시터(10)를 구현할 수 있게 된다.
나아가 본 실시예에서 산화알루미늄층(130)을 포함하는 접철형 커패시터(10)는 홈부(110)와 마스킹부(120)를 더 포함할 수 있다.
홈부(110)는 알루미늄 기판(100)이 절곡됨에 있어서 이에 따라 절곡부에 집중되는 압력으로 알루미늄 기판(100)이 끊어지는 것을 방지하기 위하여 미리 절곡되는 위치에 형성될 수 있다. 이때 홈부(110)는 절곡되는 절곡라인을 따라 라인홈으로 형성될 수 있으며, 또한 홈부(110)의 깊이나 폭은 알루미늄 기판(100)의 두께나 휘어지는 각도에 따라 달라 질 수 있다.
또한, 마스킹부(120)는 절곡부의 적어도 일부 영역을 제외한 상기 알루미늄 기판(100)의 양면 또는 일면에 상기 산화알루미늄층(130)을 형성하기 위하여 홈부(110) 내에 형성될 수 있다.
이하, 도 2를 참고하여 본 실시예에 따른 접철형 커패시터(10)의 제조방법에 대하여 보다 상세히 설명한다.
도 2를 참조하면, 본 실시예에 따른 산화알루미늄층(130)을 포함하는 접철형 커패시터(10)는 산화 알루미늄층 형성 단계(S100), 전극층 형성 단계(S200), 알루미늄 기판 절곡 단계(S300)를 포함한다. 또한, 산화 알루미늄층 형성 단계(S100)에 앞서, 홈부 형성 단계 및 마스킹부 형성 단계를 더 포함할 수 있다.
먼저, 본 실시예에서 홈부 형성 단계는 알루미늄 기판(100)의 절곡되는 위치로서 절곡부의 적어도 일부에 소정의 깊이를 갖는 홈을 형성한다. 홈부(110)의 형성은 기계가공이나 프레스 성형 또는 V-cut등의 공정을 통해 형성될 수 있으며, 도 3을 참조하면 본 실시예에는 양면 또는 일면에 대하여 대응되는 위치에 형성하는 것으로 도시하고 있으나, 단면에 대해서만 형성하는 것도 가능하며 또한 각각의 면에서 다른 위치에서 다른 폭이나 두께를 갖도록 형성하는 것도 가능하다.
본 실시예에서 홈부(110)는 알루미늄 기판(100)이 절곡됨에 있어서 이에 따라 절곡부에 집중되는 압력으로 알루미늄 기판(100)이 끊어지는 것을 방지하기 위하여 미리 절곡되는 위치에 형성된다.
다음 마스킹부 형성 단계를 도 4를 참조하여 설명한다.
본 실시예에서 마스킹부 형성 단계는 절곡부의 적어도 일부 영역을 제외한 상기 알루미늄 기판(100)의 양면 또는 일면에 상기 산화알루미늄층(130)을 형성하기 위하여 상기 홈부(110) 내에 마스킹부(120)를 형성한다. 도 4를 참조하면 마스킹부 형성 단계는 홈부 형성 단계에서 형성된 공간을 마스킹 잉크등으로 채우는 것으로서, 절곡시 홈부(110)의 유전체 피말 결함등을 방지하기 위한 것이며 나아가 이후 형성되는 전극층(140)과 알루미늄 기판(100)의 절연을 위해 형성된다.
이때, 마스킹은 실리콘이나 우레탄 등의 폴리머소제를 스크린 프린팅, 디스펜싱, 잉크젯 프린팅 등의 공정을 통해 형성할 수 있다.
다음, 산화알루미늄층 형성 단계(S100)는 알루미늄 기판(100)의 적어도 하나의 마주보는 면을 형성하기 위하여 휘어지는 절곡부를 고려하여 상기 절곡부의 적어도 일부 영역을 제외한 상기 알루미늄 기판(100)의 양면 또는 일면에 산화알루미늄층(130)을 형성한다.
도 5를 참조하면, 본 실시예에서 산화알루미늄층 형성 단계(S100)는 알루미늄 기판(100)의 양면 또는 일면에 대하여 마스킹부(120)를 제외하여 노출된 부분에 대하여 형성된다. 즉, 노출된 알루미늄 기판(100)의 표면에 대하여 유전층으로서 산화알루미늄층(130)을 형성하기 위하여 양극산화공정(아노다이징)을 진행한다. 이때의 공정은 에칭이나 황산법, 수산법 등을 통해 진행될 수 있으며, 형성되는 산화알루미늄층(130)은 배리어(Barrier) 타입 또는 포어(Pore) 타입으로 구성될 수 있다.
다음 본 실시예에 따른 전극층 형성 단계(S200)는 알루미늄 기판(100)의 양면 또는 일면 각각에 상기 산화알루미늄층(130) 및 상기 알루미늄 기판(100)의 절곡부 상에서 연속하는 전극층(140)을 형성한다.
도 6을 참조하면, 본 실시예에 따른 전극층(140)은 알루미늄기판의 각각의 면 전체에서 알루미늄 기판(100)에 형성된 산화알루미늄층(130) 상 및 홈부(110)에 미리 형성된 마스킹부(120) 상에 형성된다.
즉, 알루미늄 기판(100)에 형성된 산화알루미늄층(130) 및 마스킹부(120) 상에 전극층(140)이 형성되게 된다. 따라서 알루미늄 기판(100)과 전극층(140)은 산화알루미늄층(130) 또는 마스킹부(120)를 통해 서로 절연되게 된다. 이때 전극층(140)의 형성은 Ni, NiCr, NiCr/Cu, Al등의 금속을 PVD(Physical Vapor Deposition), CVD(Chemical Vapor Deposition)나 무전해 도금이나 전해 도금 등의 공정을 통해 수행될 수 있다.
본 실시예에서 알루미늄 기판 절곡 단계(S300)는 양면 또는 일면 각각에 형성된 상기 전극층(140)이 상기 알루미늄 기판(100)의 마주보는 면에서 접합되도록 상기 알루미늄 기판(100)을 절곡한다.
즉 도 7를 참조하면, 궁극적으로 전극의 표면적 증대를 위해 전극층(140)이 서로 접합될 수 있도록 절곡기를 통해 절곡하거나 또는 프레스기를 이용하여 압착하여 지그재그로 알루미늄 기판(100)이 절곡 되도록 한다.
즉 알루미늄 기판 절곡 단계(S300)는 알루미늄 기판(100)에 형성된 전극층(140)이 서로 접합될때까지 수행될 수 있으며, 따라서 각각의 알루미늄 기판(100)의 면 상에 형성되는 전극층(140)은 하나의 전극부를 형성하며 절곡부를 가지며 휘어지는 알루미늄 기판(100)에 따라 서로 마주보게 되고, 마주보는 전극층(140)은 서로 접합되게 된다.
다음, 본 실시예에 따른 접철형 커패시터(10) 제조 방법은 리드선 형성 단계를 더 포함할 수 있다. 도 8을 참조하면 리드선 형성 단계는 알루미늄 기판(100)상에 형성된 각각의 상기 전극층(140)에 모두 접속되어 상기 전극층(140)에 전극을 인가하는 제1 리드선(150)을 형성하고, 알루미늄 기판(100)에 접속되어 상기 알루미늄 기판(100)에 전극을 인가하는 제2 리드선(160)을 형성한다.
바람직하게는 리드선 형성 단계는 알루미늄 기판 절곡 단계(S300) 이전 또는 알루미늄 기판 절곡 단계(S300) 중에 수행될 수 있다. 즉 알루미늄 기판 절곡 단계(S300) 이전에 제1 리드선(150)을 본딩 또는 프레스 등을 통해 각각의 전극층(140)에 접속하고 알루미늄 기판 절곡 단계(S300)를 통해 전극층(140)을 서로 접합하면서 공정을 보다 안정적으로 수행할 수 있다.
나아가, 도 9를 참조하면 본 실시예에 따른 접철형 커패시터(10) 제조 방법은 상술한 단계를 통해 제조된 접철형 커패시터(10)를 봉지하기 위하여 봉지부(200)로 봉지하는 단계를 더 포함할 수 있다.
이상의 본 발명에 따르면 보다 간소한 공정으로 산화알루미늄층을 포함하는 커패시터를 적층하여 고용량 및 고신뢰성을 갖는 접철형 커패시터를 제공할 수 있다.
이상의 설명은 본 발명의 기술 사상을 예시적으로 설명한 것에 불과한 것으로서, 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 본 발명의 본질적인 특성에서 벗어나지 않는 범위 내에서 다양한 수정, 변경 및 치환이 가능할 것이다.
따라서, 본 발명에 개시된 실시예 및 첨부된 도면들은 본 발명의 기술 사상을 한정하기 위한 것이 아니라 설명하기 위한 것이고, 이러한 실시예 및 첨부된 도면에 의하여 본 발명의 기술 사상의 범위가 한정되는 것은 아니다. 본 발명의 보호 범위는 아래의 청구 범위에 의하여 해석되어야 하며, 그와 동등한 범위 내에 있는 모든 기술 사상은 본 발명의 권리 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.

Claims (11)

  1. 적어도 하나의 마주보는 면을 형성하기 위하여 절곡부를 가지며 절곡되는 알루미늄 기판;
    상기 절곡부를 제외한 상기 알루미늄 기판의 양면에 형성된 산화알루미늄층; 및
    상기 산화알루미늄층 및 상기 알루미늄 기판의 절곡부 상에서 연속하여 형성되며, 상기 알루미늄 기판의 마주보는 면에서 접합되는 전극층을 포함하는, 접철형 커패시터.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 산화알루미늄층을 포함하는 접철형 커패시터는,
    상기 알루미늄 기판상에 형성된 각각의 상기 전극층에 모두 접속되어 상기 전극층에 전극을 인가하는 제1 리드선을 포함하는 것을 특징으로 하는, 접철형 커패시터.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 산화알루미늄층을 포함하는 접철형 커패시터는,
    상기 알루미늄 기판에 접속되어 상기 알루미늄 기판에 전극을 인가하는 제2 리드선을 포함하는 것을 특징으로 하는, 접철형 커패시터.
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 산화알루미늄층을 포함하는 접철형 커패시터는,
    상기 절곡부의 적어도 일부 영역에는 소정의 깊이를 갖는 홈부가 형성되는 것을 특징으로 하는, 접철형 커패시터.
  5. 제 4 항에 있어서,
    상기 산화알루미늄층을 포함하는 접철형 커패시터는,
    상기 절곡부를 제외한 상기 알루미늄 기판의 양면에 상기 산화알루미늄층을 형성하기 위하여 상기 홈부 내에 형성되는 마스킹부를 포함하는 것을 특징으로 하는, 접철형 커패시터.
  6. 제 1 항에 있어서,
    상기 산화알루미늄층을 포함하는 접철형 커패시터는,
    상기 산화알루미늄층을 포함하는 접철형 커패시터를 봉지하기 위한 봉지부재를 더 포함하는 것을 특징으로 하는, 접철형 커패시터.
  7. 알루미늄 기판의 적어도 하나의 마주보는 면을 형성하기 위하여 휘어지는 절곡부를 고려하여 상기 절곡부를 제외한 상기 알루미늄 기판의 양면에 산화알루미늄층을 형성하는 단계;
    상기 산화알루미늄층 및 상기 알루미늄 기판의 절곡부 상에서 연속하는 전극층을 형성하는 단계; 및
    상기 전극층이 상기 알루미늄 기판의 마주보는 면에서 접합되도록 상기 알루미늄 기판을 절곡하는 단계를 포함하는, 접철형 커패시터 제조 방법.
  8. 제 7 항에 있어서,
    상기 산화알루미늄층을 형성하는 단계에 앞서,
    상기 절곡부의 적어도 일부에 소정의 깊이를 갖는 홈부를 형성하는 단계; 및
    상기 절곡부를 제외한 상기 알루미늄 기판의 양면에 상기 산화알루미늄층을 형성하기 위하여 상기 홈부 내에 마스킹부를 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는, 접철형 커패시터 제조 방법.
  9. 제 7 항에 있어서,
    상기 산화알루미늄층을 포함하는 접철형 커패시터 제조 방법은,
    상기 알루미늄 기판상에 형성된 각각의 상기 전극층에 모두 접속되어 상기 전극층에 전극을 인가하는 제1 리드선을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는, 접철형 커패시터 제조 방법.
  10. 제 7 항에 있어서,
    상기 산화알루미늄층을 포함하는 접철형 커패시터 제조 방법은,
    상기 알루미늄 기판에 접속되어 상기 알루미늄 기판에 전극을 인가하는 제2 리드선을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는, 접철형 커패시터 제조 방법.
  11. 제 7 항에 있어서,
    상기 산화알루미늄층을 포함하는 접철형 커패시터 제조 방법은,
    상기 산화알루미늄층을 포함하는 접철형 커패시터를 봉지하기 위한 봉지부재를 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는, 접철형 커패시터 제조 방법.
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