KR102184941B1 - Solar cell and manufacturing method thereof - Google Patents
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Abstract
본 발명은 태양 전지 및 그 제조 방법에 관한 것이다.
본 발명에 따른 태양 전지의 일례는 반도체 기판; 반도체 기판의 후면에 서로 이격되어 배치되는 복수의 제1 전극과 복수의 제2 전극; 복수의 제1 전극과 접속하는 제1 도전성 배선; 및 복수의 제2 전극과 접속하는 제2 도전성 배선;을 포함하고, 반도체 기판 또는 제1, 2 도전성 배선 각각에는 복수의 그루브(groove)가 형성된다.
이와 같은 태양 전지를 제조하는 방법의 일례는 후면에 복수의 제1, 2 전극이 형성된 반도체 기판과 전면에 제1, 2 도전성 배선이 형성된 절연성 부재를 준비하는 단계; 및 반도체 기판의 후면에 절연성 부재를 얼라인하여 배치하는 단계; 반도체 기판과 절연성 부재에 열처리 공정을 수행하여 반도체 기판의 후면에 절연성 부재를 접속시키는 열처리 단계;를 포함하고, 열처리 단계는 절연성 부재를 영역별로 선택적으로 수행할 수 있다.The present invention relates to a solar cell and a method of manufacturing the same.
An example of a solar cell according to the present invention is a semiconductor substrate; A plurality of first electrodes and a plurality of second electrodes disposed to be spaced apart from each other on the rear surface of the semiconductor substrate; A first conductive wiring connected to the plurality of first electrodes; And a second conductive wiring connected to the plurality of second electrodes, wherein a plurality of grooves are formed in each of the semiconductor substrate or the first and second conductive wirings.
An example of a method of manufacturing such a solar cell includes: preparing a semiconductor substrate having a plurality of first and second electrodes formed on a rear surface and an insulating member having first and second conductive wirings formed on the front surface; And aligning and disposing an insulating member on a rear surface of the semiconductor substrate. A heat treatment step of connecting the insulating member to the rear surface of the semiconductor substrate by performing a heat treatment process on the semiconductor substrate and the insulating member, wherein the heat treatment step may selectively perform the insulating member for each region.
Description
본 발명은 태양 전지 및 그 제조 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a solar cell and a method of manufacturing the same.
일반적인 태양 전지는 p형과 n형처럼 서로 다른 도전성 타입(conductive type)의 반도체로 이루어진 기판(substrate) 및 에미터부(emitter), 그리고 기판과 에미터부에 각각 연결된 전극을 구비한다. 이때, 기판과 에미터부의 계면에는 p-n 접합이 형성되어 있다.A typical solar cell includes a substrate made of semiconductors of different conductive types, such as a p-type and an n-type, and an emitter, and electrodes connected to the substrate and the emitter, respectively. At this time, a p-n junction is formed at the interface between the substrate and the emitter part.
이와 같이 반도체 기판을 사용하는 태양 전지는 구조에 따라 컨벤셔널 타입, 후면 컨텍 타입 등 다양한 종류로 나눌 수 있다. As such, solar cells using a semiconductor substrate can be classified into various types, such as a conventional type and a rear contact type, depending on the structure.
컨벤셔널 타입은 에미터부가 기판의 전면에 위치하고, 에미터부에 연결된 전극이 기판의 전면에, 기판에 연결되는 전극이 기판의 후면에 위치하며, 후면 컨텍 타입은 에미터부가 기판의 후면에 위치하며, 전극이 모두 기판의 후면에 위치한다.In the conventional type, the emitter part is located on the front side of the board, the electrode connected to the emitter part is located on the front side of the board, and the electrode connected to the board is located on the back side of the board. , All electrodes are located on the back side of the substrate.
본 발명은 태양 전지 및 그 제조 방법을 제공하는데 그 목적이 있다.An object of the present invention is to provide a solar cell and a method for manufacturing the same.
본 발명에 따른 태양 전지의 일례는 반도체 기판; 반도체 기판의 후면에 서로 이격되어 배치되는 복수의 제1 전극과 복수의 제2 전극; 복수의 제1 전극과 접속하는 제1 도전성 배선; 및 복수의 제2 전극과 접속하는 제2 도전성 배선;을 포함하고, 반도체 기판 또는 제1, 2 도전성 배선 각각에는 복수의 그루브(groove)가 형성된다.An example of a solar cell according to the present invention is a semiconductor substrate; A plurality of first electrodes and a plurality of second electrodes disposed to be spaced apart from each other on the rear surface of the semiconductor substrate; A first conductive wiring connected to the plurality of first electrodes; And a second conductive wiring connected to the plurality of second electrodes, wherein a plurality of grooves are formed in each of the semiconductor substrate or the first and second conductive wirings.
여기서, 복수의 제1, 2 전극의 길이 방향과 제1, 2 도전성 배선에 형성된 그루브의 길이 방향은 서로 동일하거나 다를 수 있다.Here, the longitudinal directions of the plurality of first and second electrodes and the longitudinal directions of the grooves formed in the first and second conductive lines may be the same or different from each other.
일례로, 복수의 제1, 2 전극은 제1 방향으로 길게 연장될 수 있고, 제1, 2 도전성 배선 각각은 하나의 통전극으로 형성되며, 하나의 통전극으로 형성된 제1 도전성 배선 및 하나의 통전극으로 형성된 제2 도전성 배선 각각에는 복수의 제1, 2 전극의 길이 방향과 동일한 길이 방향을 갖는 복수의 그루브가 형성될 수 있다.For example, a plurality of first and second electrodes may be elongated in a first direction, and each of the first and second conductive wires is formed as a single conductive electrode, and a first conductive wire and a single conductive wire are formed as a single conductive electrode. A plurality of grooves having the same length direction as that of the plurality of first and second electrodes may be formed in each of the second conductive wires formed as a current electrode.
여기서, 제1 도전성 배선에서 복수의 그루브가 형성되어 반도체 기판 방향으로 돌출된 부분이 복수의 제1 전극에 접속되며, 제2 도전성 배선에서 복수의 그루브가 형성되어 반도체 기판 방향으로 돌출된 부분이 복수의 제2 전극에 접속될 수 있다.Here, a plurality of grooves are formed in the first conductive wiring, and portions protruding in the direction of the semiconductor substrate are connected to the plurality of first electrodes, and a plurality of portions protruding in the semiconductor substrate direction are formed in the second conductive wiring. Can be connected to the second electrode of.
아울러, 다른 일례로, 제1 도전성 배선은 제1 전극과 연결되는 제1 접속부와 일단이 제1 접속부의 끝단에 연결되며, 타단이 인터커넥터와 접속되는 제1 패드부를 포함하고, 제2 도전성 배선은 제2 전극과 연결되는 제2 접속부와 일단이 제2 접속부의 끝단에 연결되며, 타단이 인터커넥터와 접속되는 제2 패드부를 포함하며, 이와 같은 제1 도전성 배선과 제2 도전성 배선은 절연성 부재의 전면에 구비될 수 있다.In addition, as another example, the first conductive wire includes a first connection part connected to the first electrode and a first pad part having one end connected to the end of the first connection part, the other end connected to the interconnector, and a second conductive wire Includes a second connection part connected to the second electrode and a second pad part having one end connected to the end of the second connection part and the other end connected to the interconnector, and the first conductive wire and the second conductive wire are insulating members It can be provided on the front of.
이때, 절연성 부재와 반도체 기판은 각각 낱개로 접속되어 하나의 개별 소자로 형성될 수 있다.In this case, the insulating member and the semiconductor substrate may be individually connected to each other to form a single individual device.
아울러, 제1, 2 접속부 각각은 복수 개로 형성되어 제1 방향으로 뻗어 있으며, 제1 패드부는 복수 개의 제1 접속부 끝단에 제1 방향과 교차하는 제2 방향으로 연결되고, 제2 패드부는 복수 개의 제1 접속부 끝단에 제2 방향으로 연결될 수 있다.In addition, each of the first and second connection portions is formed in a plurality and extends in the first direction, the first pad portion is connected to the ends of the plurality of first connecting portions in a second direction crossing the first direction, and the second pad portion is It may be connected to the end of the first connector in the second direction.
여기서, 반도체 기판에는 제2 방향으로 길게 뻗어 있는 복수의 그루브가 형성되며, 절연성 부재에도 제2 방향으로 길게 뻗어 있는 복수의 그루브가 형성될 수 있다.Here, a plurality of grooves extending in the second direction may be formed in the semiconductor substrate, and a plurality of grooves extending in the second direction may also be formed in the insulating member.
이때, 복수 개의 제1, 2 접속부에는 반도체 기판에 형성된 복수의 그루브에 의해 물결 무늬 형태의 그루브가 형성될 수 있다.In this case, grooves in the shape of a wave pattern may be formed in the plurality of first and second connection portions by the plurality of grooves formed in the semiconductor substrate.
또한, 제1, 2 도전성 배선 각각은 복수 개의 와이어 형태로 구비될 수 있다.In addition, each of the first and second conductive wires may be provided in the form of a plurality of wires.
이때, 복수 개의 와이어 형태로 구비되는 제1, 2 도전성 배선의 길이 방향은 제1 방향과 교차하는 제2 방향으로 뻗어 형성될 수 있으며, 이때, 복수 개의 와이어 형태로 구비되는 제1, 2 도전성 배선에는 복수의 그루브가 형성될 수 있다.이와 같은 태양 전지를 제조하는 방법의 일례는 후면에 복수의 제1, 2 전극이 형성된 반도체 기판과 전면에 제1, 2 도전성 배선이 형성된 절연성 부재를 준비하는 단계; 및 반도체 기판의 후면에 절연성 부재를 얼라인하여 배치하는 단계; 반도체 기판과 절연성 부재에 열처리 공정을 수행하여 반도체 기판의 후면에 절연성 부재를 접속시키는 열처리 단계;를 포함하고, 열처리 단계는 절연성 부재를 영역별로 선택적으로 수행할 수 있다.At this time, the length directions of the first and second conductive wires provided in the form of a plurality of wires may be formed to extend in a second direction crossing the first direction, and at this time, the first and second conductive wires provided in the form of a plurality of wires A plurality of grooves may be formed in the solar cell. An example of a method of manufacturing such a solar cell is to prepare a semiconductor substrate having a plurality of first and second electrodes formed on the rear surface and an insulating member having first and second conductive wires formed on the front surface. step; And aligning and disposing an insulating member on a rear surface of the semiconductor substrate. A heat treatment step of connecting the insulating member to the rear surface of the semiconductor substrate by performing a heat treatment process on the semiconductor substrate and the insulating member, wherein the heat treatment step may selectively perform the insulating member for each region.
여기서, 열처리 단계는 절연성 부재의 제1 영역을 열처리하는 제1 영역 열처리 단계와 절연성 부재에서 제1 영역과 가장 멀리 이격된 제2 영역을 열처리 하는 제2 영역 열처리 단계를 포함하며, 이때, 제1 영역은 절연성 부재의 영역 중에서 제1, 2 전극의 어느 한 끝단과 중첩되는 영역이고, 제2 영역은 절연성 부재의 영역 중에서 제1, 2 전극의 나머지 한 끝단과 중첩되는 영역일 수 있다.Here, the heat treatment step includes a first region heat treatment step of heat treatment of the first region of the insulating member and a second region heat treatment step of heat treatment of a second region spaced farthest from the first region of the insulating member, wherein the first The region may be a region overlapping one end of the first and second electrode among the insulating member regions, and the second region may be a region overlapping with the other end of the first and second electrode among regions of the insulating member.
이때, 열처리 단계는 제1 영역 열처리 단계와 제2 영역 열처리 단계를 순차적으로 수행할 수 있다.In this case, the heat treatment step may sequentially perform the first region heat treatment step and the second region heat treatment step.
아울러, 열처리 단계는 제1, 2 영역 열처리 단계 이후, 제1 영역과 제2 영역 사이에 위치하는 제3 영역을 열처리 하는 제3 영역 열처리 단계;를 더 포함할 수 있다.In addition, the heat treatment step may further include a third region heat treatment step of heat treating a third region positioned between the first region and the second region after the first and second region heat treatment steps.
이와 같이 본 발명에 따른 태양 전지는 통전극으로 형성되는 제1, 2 도전성 배선에 복수의 그루브가 형성되도록 하여, 반도체 기판의 열팽창 스트레스를 최소화할 수 있다.As described above, in the solar cell according to the present invention, a plurality of grooves are formed in the first and second conductive wiring formed as a conductive electrode, thereby minimizing the thermal expansion stress of the semiconductor substrate.
아울러, 본 발명에 따른 태양 전지 및 그 제조 방법은 영역별로 선택적으로 열처리를 수행함으로써, 반도체 기판과 절연성 부재가 밴딩되는 높이를 최소화할 수 있고, 이로 인하여 반도체 기판이 받는 열팽창 스트레스를 최소화할 수 있다.In addition, the solar cell and its manufacturing method according to the present invention can minimize the height at which the semiconductor substrate and the insulating member are bent by selectively performing heat treatment for each region, thereby minimizing the thermal expansion stress received by the semiconductor substrate. .
도 1 내지 도 3d는 본 발명에 따른 태양 전지의 제1 실시예를 설명하기 위한 도이다.
도 4 내지 도 8c는 본 발명에 따른 태양 전지의 제2 실시예를 설명하기 위한 도이다.
도 9 내지 도 12b는 제2 실시예에 따른 태양 전지를 제조하는 방법의 일례에 대해 설명하기 위한 도이다.
아울러, 도 13 및 도 14는 본 발명에 따른 태양 전지 제조 방법의 효과를 설명하기 위한 도이다.
도 15a 내지 도 17은 본 발명에 따른 태양 전지의 제3 실시예를 설명하기 위한 도이다.
도 18은 제3 실시예에 따른 태양 전지를 제조하는 방법의 일례에 대해 설명하기 위한 도이다.1 to 3D are diagrams for explaining a first embodiment of a solar cell according to the present invention.
4 to 8C are diagrams for explaining a second embodiment of the solar cell according to the present invention.
9 to 12B are diagrams for explaining an example of a method of manufacturing a solar cell according to the second embodiment.
In addition, FIGS. 13 and 14 are diagrams for explaining the effect of the solar cell manufacturing method according to the present invention.
15A to 17 are diagrams for explaining a third embodiment of a solar cell according to the present invention.
18 is a view for explaining an example of a method of manufacturing a solar cell according to the third embodiment.
아래에서는 첨부한 도면을 참고로 하여 본 발명의 실시예에 대하여 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 상세히 설명한다. 그러나 본 발명은 여러 가지 다양한 형태로 구현될 수 있으며 여기에서 설명하는 실시예에 한정되지 않는다. 그리고 도면에서 본 발명을 명확하게 설명하기 위해서 설명과 관계없는 부분은 생략하였으며, 명세서 전체를 통하여 유사한 부분에 대해서는 유사한 도면 부호를 부여하였다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings so that those of ordinary skill in the art may easily implement the present invention. However, the present invention may be implemented in various forms and is not limited to the embodiments described herein. In the drawings, parts irrelevant to the description are omitted in order to clearly describe the present invention, and similar reference numerals are given to similar parts throughout the specification.
이하에서, 전면이라 함은 직사광이 입사되는 반도체 기판의 일면 또는 전면 유리 기판의 일면 일 수 있으며, 후면이라 함은 직사광이 입사되지 않거나, 직사광이 아닌 반사광이 입사될 수 있는 반도체 기판의 반대면 또는 전면 유리 기판의 반대면일 수 있다.Hereinafter, the front surface may be one surface of the semiconductor substrate to which direct sunlight is incident, or the rear surface may be the opposite surface of the semiconductor substrate where direct sunlight is not incident or reflected light other than direct sunlight may be incident. It may be the opposite side of the front glass substrate.
이하에서는 첨부한 도면을 참고로 하여 본 발명의 실시예에 따른 태양전지에 대하여 설명한다.Hereinafter, a solar cell according to an embodiment of the present invention will be described with reference to the accompanying drawings.
도 1 내지 도 3d는 본 발명에 따른 태양 전지의 제1 실시예를 설명하기 위한 도이다.1 to 3D are diagrams for explaining a first embodiment of a solar cell according to the present invention.
여기서, 도 1은 본 발명의 제1 실시예에 따른 태양 전지의 일부 사시도이고, 도 2는 본 발명의 제1 실시예에 따른 태양 전지의 후면에 형성된 전극의 패턴을 설명하기 위한 도이고, 도 3a는 도 2에서 3a-3a 라인에 따른 단면도, 도 3b는 도 2에서 3b-3b 라인에 따른 단면도, 도 3c는 도 2에서 3c-3c 라인에 따른 단면도, 도 3d는 도 2에서 3d-3d 라인에 따른 단면도이다.Here, FIG. 1 is a partial perspective view of a solar cell according to a first embodiment of the present invention, and FIG. 2 is a view for explaining a pattern of an electrode formed on the rear surface of the solar cell according to the first embodiment of the present invention. 3A is a cross-sectional view taken along
도 1 내지 도 3d에 도시된 바와 같이, 본 발명에 따른 태양 전지의 일례는 반도체 기판(110), 반사 방지막(130), 에미터부(121), 후면 전계부(back surface field;BSF, 172), 복수의 제1 전극(C141), 복수의 제2 전극(C142), 제1 도전성 배선(P141) 및 제2 도전성 배선(P142)을 포함할 수 있다.1 to 3D, an example of a solar cell according to the present invention is a
여기서, 반사 방지막(130)과 후면 전계부(172)는 생략되는 것도 가능하나, 이하에서는 도 1 및 도 2에 도시된 바와 같이 반사 방지막(130)과 후면 전계부(172)가 포함된 것을 일례로 설명한다.Here, the
반도체 기판(110)은 제1 도전성 타입, 예를 들어 n형 도전성 타입의 실리콘으로 이루어진 반도체 기판(110)일 수 있다. 이와 같은 반도체 기판(110)은 실리콘 재질로 형성되는 웨이퍼에 제1 도전성 타입의 불순물이 도핑되어 형성될 수 있다. The
에미터부(121)는 전면과 마주보고 있는 반도체 기판(110)의 후면 내에 서로 이격되어 위치하며, 서로 나란한 방향으로 뻗어 있다. 이와 같은 에미터부(121)는 복수 개일 수 있으며, 복수의 에미터부(121)는 반도체 기판(110)의 도전성 타입과 반대인 제2 도전성 타입, 예를 들어, p형 타입일 수 있다. 이에 따라, 에미터부(121)는 반도체 기판(110)과 p-n 접합을 형성할 수 있다.The
이와 같은 에미터부(121)는 반도체 기판(110)에 제2 도전성 타입의 불순물이 확산되어 형성될 수 있다.The
후면 전계부(172)는 반도체 기판(110)의 후면 내부에 복수 개가 위치할 수 있으며, 복수의 에미터부(121)와 나란한 방향으로 이격되어 형성되며 복수의 에미터부(121)와 동일한 방향으로 뻗어 있다. 따라서, 도 1 및 도 2에 도시한 것처럼, 반도체 기판(110)의 후면에서 복수의 에미터부(121)와 복수의 후면 전계부(172)는 교대로 위치한다.A plurality of rear
복수의 후면 전계부(172)는 반도체 기판(110)과 동일한 도전성 타입의 불순물이 반도체 기판(110)보다 고농도로 함유한 불순물, 예를 들어 n++ 부이다. The plurality of rear
복수의 제1 전극(C141)은 에미터부(121)와 각각 물리적 및 전기적으로 연결되어 에미터부(121)를 따라서 연장된다. 따라서, 예를 들어, 에미터부(121)가 제1 방향(x)으로 길게 형성된 경우, 제1 전극(C141)도 제1 방향(x)으로 길게 형성될 수 있다.The plurality of first electrodes C141 are physically and electrically connected to the
복수의 제2 전극(C142)은 후면 전계부(172)를 통하여 반도체 기판(110)과 각각 물리적 및 전기적으로 연결되어 복수의 후면 전계부(172)를 따라서 연장된다. 따라서, 후면 전계부(172)가 제1 방향(x)으로 길게 형성된 경우, 제2 전극(C142)도 제1 방향(x)으로 길게 형성될 수 있다.The plurality of second electrodes C142 are physically and electrically connected to the
이와 같은 제1 전극(C141)과 제2 전극(C142)은 반도체 기판(110)의 후면에 전극 형성을 위한 시드층(seed layer)을 형성한 이후, 일례로 도금 방식이나 스크린 프린팅에 의해 형성될 수 있고, 재질은 일례로 구리(Cu)를 포함할 수 있다.After forming a seed layer for electrode formation on the rear surface of the
여기서, 반도체 기판(110)의 후면 상에서 제1 전극(C141)과 제2 전극(C142)은 서로 물리적으로 이격되어 전기적으로 격리되어 있으며, 제1 전극(C141)의 두께와 제2 전극(C142)의 두께는 서로 동일할 수 있다.Here, on the rear surface of the
제1 도전성 배선(P141)은 도 1에 도시된 바와 같이, 반도체 기판(110)의 후면 중 제1 기판 영역(AP1)에 위치하며, 복수의 제1 전극(C141)에 접속될 수 있다. As shown in FIG. 1, the first conductive wiring P141 is located in the first substrate region AP1 of the rear surface of the
여기서, 제1 도전성 배선(P141)은 도 2에 도시된 바와 같이, 하나의 통전극으로 형성되며, 제1 도전성 배선(P141)에서 제1 방향(x)으로의 끝단은 반도체 기판(110)의 밖으로 노출될 수 있으며, 반도체 기판(110)의 밖으로 노출된 부분에 인터커넥터가 연결될 수 있다.Here, as shown in FIG. 2, the first conductive wiring P141 is formed as a single conductive electrode, and an end of the first conductive wiring P141 in the first direction x is the
아울러, 제2 도전성 배선(P142)은 도 1에 도시된 바와 같이, 반도체 기판(110)의 후면 중 제2 기판 영역(AP2)에 위치하며, 복수의 제2 전극(C142)에 접속될 수 있다. 여기서, 제2 도전성 배선(P142)은 도 2에 도시된 바와 같이, 하나의 통전극으로 형성되며, 제 2 도전성 배선에서 제1 방향(x)으로의 끝단은 반도체 기판(110)의 밖으로 노출될 수 있으며, 반도체 기판(110)의 밖으로 노출된 부분에 인터커넥터가 연결될 수 있다.In addition, the second conductive wiring P142 is positioned in the second substrate region AP2 of the rear surface of the
여기서, 반도체 기판(110)의 후면에서 제1 기판 영역(AP1)과 제2 기판 영역(AP2)의 경계선은 제1, 2 전극(C141, C142)의 길이 방향인 제1 방향(x)과 교차하는 제2 방향(y)으로 형성될 수 있다.Here, the boundary line between the first substrate region AP1 and the second substrate region AP2 on the rear surface of the
따라서, 제1 도전성 배선(P141)은 에미터부(121) 상에 형성된 제1 전극(C141)을 통하여 해당 에미터부(121)쪽으로 이동한 전하, 예를 들어, 정공을 수집하고, 제2 도전성 배선(P142)은 후면 전계부(172) 상에 형성된 제2 전극(C142)을 통하여 해당 후면 전계부(172)쪽으로 이동한 전하, 예를 들어, 전자를 수집할 수 있다. Accordingly, the first conductive wiring P141 collects charges, for example, holes, that have moved toward the
이와 같은 구조로 제조된 본 발명에 따른 태양 전지에서 제1 도전성 배선(P141)을 통하여 수집된 정공과 제2 도전성 배선(P142)을 통하여 수집된 전자는 외부의 회로 장치를 통하여 외부 장치의 전력으로 이용될 수 있다.Holes collected through the first conductive wiring P141 and electrons collected through the second conductive wiring P142 in the solar cell according to the present invention manufactured with such a structure are converted to power of the external device through the external circuit device. Can be used.
지금까지는 반도체 기판(110)이 단결정 실리콘 반도체 기판(110)이고, 에미터부(121)와 후면 전계부(172)가 확산 공정을 통하여 형성된 경우를 예로 설명하였다.Until now, the case where the
그러나, 이와 다르게 비정질 실리콘 재질로 형성된 에미터부(121)와 후면 전계부(172)가 결정질 반도체 기판(110)과 접합하는 이종 접합 태양 전지나, 에미터부(121)가 반도체 기판(110)의 전면에 위치하고, 반도체 기판(110)에 형성된 복수의 비아홀을 통해 반도체 기판(110)의 후면에 형성된 제1 전극(C141)과 연결되는 구조의 태양 전지에서도 본 발명이 동일하게 적용될 수 있다.However, differently, a heterojunction solar cell in which the
이와 같은 구조를 갖는 태양 전지는 인터커넥터에 의해 서로 인접하는 태양 전지를 연결할 수 있으며, 이에 따라 복수 개의 태양 전지가 직렬로 연결될 수 있다.Solar cells having such a structure may connect adjacent solar cells to each other by an interconnector, and thus, a plurality of solar cells may be connected in series.
한편, 본 발명에 따른 태양 전지는 도 1 및 도 2에 도시된 바와 같이, 제1, 2 도전성 배선(P141, P142) 각각에는 복수의 그루브(GP1, GP2)가 형성될 수 있다. 이와 같이, 제1, 2 도전성 배선(P141, P142)에 형성된 그루브(GP1, GP2)의 각각의 길이 방향은 복수의 제1, 2 전극(C141, C142)의 길이 방향, 일례로 제1 방향(x)과 동일할 수 있다.Meanwhile, in the solar cell according to the present invention, as shown in FIGS. 1 and 2, a plurality of grooves GP1 and GP2 may be formed in each of the first and second conductive wires P141 and P142. As described above, the longitudinal directions of the grooves GP1 and GP2 formed in the first and second conductive wires P141 and P142 are the longitudinal directions of the plurality of first and second electrodes C141 and C142, for example, the first direction ( May be the same as x).
이와 같이, 제1, 2 도전성 배선(P141, P142) 각각에 복수의 그루브(GP1, GP2)가 형성되는 경우, 제1, 2 전극(C141, C142)과 제1, 2 도전성 배선(P141, P142) 각각의 접속을 보다 용이하게 할 수 있다.In this way, when a plurality of grooves GP1 and GP2 are formed in each of the first and second conductive wires P141 and P142, the first and second electrodes C141 and C142 and the first and second conductive wires P141 and P142 ) Each connection can be made easier.
아울러, 제1, 2 도전성 배선(P141, P142) 각각을 통전극으로 형성하는 경우, 제1, 2 전극(C141, C142)의 열팽창 계수와 반도체 기판(110)의 열팽창 계수 차이로 인하여, 접속 공정의 냉각 과정에서 반도체 기판(110)에 비하여 제1, 2 전극(C141, C142)과 제1, 2 도전성 배선(P141, P142)이 과도하게 많이 수축하면서 반도체 기판(110)의 제1, 2 전극(C141, C142)의 길이 방향 양 끝단이 밴딩(bending)될 수 있지만, 본 발명과 같이, 제1, 2 도전성 배선(P141, P142) 각각에 복수의 그루브(GP1, GP2)가 형성되는 경우, 반도체 기판(110)의 중앙 부분이 반도체 기판(110)의 제1 방향(x) 양 끝단보다 반도체 기판(110)의 전면 방향으로 솟아오르는 밴딩 현상을 보다 완화할 수 있다.In addition, when each of the first and second conductive wirings P141 and P142 is formed as a current electrode, due to the difference between the coefficient of thermal expansion of the first and second electrodes C141 and C142 and the coefficient of thermal expansion of the
이와 같은 그루브(GP1, GP2)의 구체적인 구조에 대해 설명하면 다음과 같다.The detailed structure of the grooves GP1 and GP2 will be described as follows.
먼저, 도 2에서, 반도체 기판(110)의 제1 기판 영역(AP1)에서 제2 방향(y)의 단면을 살펴보면, 도 3a에 도시된 바와 같이, 제1 도전성 배선(P141)에는 복수의 제1 그루브(GP1)가 형성되어, 반도체 기판(110) 방향으로 돌출된 제1 도전성 배선(P141)의 부분이 복수의 제1 전극(C141)에 접속될 수 있다.First, in FIG. 2, looking at a cross section in the second direction y in the first substrate region AP1 of the
따라서, 제1 도전성 배선(P141)에서, 제1 그루브(GP1)가 형성된 부분과 제1 전극(C141) 사이의 거리는 제1 그루브(GP1)가 형성되지 않은 부분과 제2 전극(C142) 사이의 거리보다 상대적으로 작을 수 있다. Accordingly, in the first conductive wiring P141, the distance between the portion in which the first groove GP1 is formed and the first electrode C141 is between the portion in which the first groove GP1 is not formed and the second electrode C142. It can be relatively smaller than the distance.
이에 따라, 본 발명은 제1 도전성 배선(P141)을 보다 용이하게 제1 전극(C141)에 접속시키고, 제2 전극(C142)과 이격시킬 수 있다.Accordingly, according to the present invention, the first conductive wiring P141 can be more easily connected to the first electrode C141 and separated from the second electrode C142.
이때, 제1 도전성 배선(P141)에서, 제1 그루브(GP1)가 형성된 부분과 반도체 기판(110) 사이의 거리(H1P1)는 제1 그루브(GP1)가 형성되지 않은 부분과 반도체 기판(110) 사이의 거리(H2P1)보다 짧을 수 있다.In this case, in the first conductive wiring P141, the distance H1P1 between the portion where the first groove GP1 is formed and the
아울러, 제1 도전성 배선(P141)과 제1 전극(C141) 사이는 도전성 재질의 전극 접착제(ECA)에 의해 접속될 수 있고, 제1 도전성 배선(P141)과 제2 전극(C142) 사이는 절연성 재질의 절연층(IL)에 의해 절연될 수 있다.In addition, between the first conductive wire P141 and the first electrode C141 may be connected by an electrode adhesive (ECA) made of a conductive material, and the first conductive wire P141 and the second electrode C142 are insulative. It may be insulated by an insulating layer IL made of a material.
다음, 도 2에서, 반도체 기판(110)의 제2 기판 영역(AP2)에서 제2 방향(y)의 단면을 살펴보면, 도 3b에 도시된 바와 같이, 제2 도전성 배선(P142)에는 복수의 제2 그루브(GP2)가 형성되어, 반도체 기판(110) 방향으로 돌출된 제2 도전성 배선(P142)의 부분이 복수의 제2 전극(C142)에 접속될 수 있다.Next, in FIG. 2, looking at a cross section in the second direction y in the second substrate region AP2 of the
따라서, 제2 도전성 배선(P142)에서, 제2 그루브(GP2)가 형성된 부분과 제2 전극(C142) 사이의 거리는 제2 그루브(GP2)가 형성되지 않은 부분과 제1 전극(C141) 사이의 거리보다 상대적으로 작을 수 있다. Accordingly, in the second conductive wiring P142, the distance between the portion where the second groove GP2 is formed and the second electrode C142 is between the portion where the second groove GP2 is not formed and the first electrode C141. It can be relatively smaller than the distance.
이에 따라, 본 발명은 제2 도전성 배선(P142)을 보다 용이하게 제2 전극(C142)에 접속시키고, 제1 전극(C141)과 이격시킬 수 있다.Accordingly, according to the present invention, the second conductive wiring P142 can be more easily connected to the second electrode C142 and separated from the first electrode C141.
이때, 제2 도전성 배선(P142)에서, 제2 그루브(GP2)가 형성된 부분과 반도체 기판(110) 사이의 거리(H1P2)는 제2 그루브(GP2)가 형성되지 않은 부분과 반도체 기판(110) 사이의 거리(H2P2)보다 짧을 수 있다.At this time, in the second conductive wiring P142, the distance H1P2 between the portion where the second groove GP2 is formed and the
아울러, 제2 도전성 배선(P142)과 제2 전극(C142) 사이는 도전성 재질의 전극 접착제(ECA)에 의해 접속될 수 있고, 제2 도전성 배선(P142)과 제1 전극(C141) 사이는 절연성 재질의 절연층(IL)에 의해 절연될 수 있다.In addition, between the second conductive wire P142 and the second electrode C142 may be connected by an electrode adhesive (ECA) made of a conductive material, and the second conductive wire P142 and the first electrode C141 are insulating It may be insulated by an insulating layer IL made of a material.
이와 같은 제1 도전성 배선(P141)의 제1 그루브(GP1)와 제2 도전성 배선(P142)의 제2 그루브(GP2)는 서로 엇갈려 형성될 수 있다. 따라서, 동일한 전극의 제1 방향(x) 단면을 보면, 제1 도전성 배선(P141)의 높이와 제2 도전성 배선(P142)의 높이는 서로 달라 단차가 형성될 수 있다.The first groove GP1 of the first conductive line P141 and the second groove GP2 of the second conductive line P142 may be formed to alternate with each other. Accordingly, when looking at a cross section of the same electrode in the first direction (x), the height of the first conductive line P141 and the height of the second conductive line P142 are different from each other, and a step may be formed.
즉, 제1, 2 전극(C141, C142) 각각은 반도체 기판(110)의 제1 기판 영역(AP1) 및 제2 기판 영역(AP2) 모두에 형성되고, 제1 기판 영역(AP1)에서는 제1 전극(C141)과 제1 도전성 배선(P141)이 서로 접속되고, 제2 기판 영역(AP2)에서는 제2 전극(C142)과 제2 도전성 배선(P142)이 서로 접속될 수 있다.That is, each of the first and second electrodes C141 and C142 is formed in both the first substrate region AP1 and the second substrate region AP2 of the
이때, 도 2에서, 제1 전극(C141)과 중첩되는 제1, 2 도전성 배선(P141, P142)을 보면, 제1 도전성 배선(P141)에만 제1 그루브(GP1)가 형성되나, 제2 도전성 배선(P142)에는 제2 그루브(GP2)가 형성되지 않을 수 있다.At this time, in FIG. 2, when looking at the first and second conductive wires P141 and P142 overlapping the first electrode C141, the first groove GP1 is formed only on the first conductive wire P141, but the second conductive line The second groove GP2 may not be formed in the wiring P142.
아울러, 제2 전극(C142)과 중첩되는 제1, 2 도전성 배선(P141, P142)을 보면, 제2 도전성 배선(P142)에만 제2 그루브(GP2)가 형성되고, 제1 도전성 배선(P141)에는 제1 그루브(GP1)가 형성되지 않을 수 있다.In addition, looking at the first and second conductive wires P141 and P142 overlapping the second electrode C142, the second groove GP2 is formed only on the second conductive wire P142, and the first conductive wire P141 The first groove GP1 may not be formed in the.
따라서, 도 2에서 제1 전극(C141)의 단면을 보면, 도 3c에 도시된 바와, 제1 도전성 배선(P141)과 제2 도전성 배선(P142)은 DP12 만큼의 높이의 단차를 가질 수 있다. 즉, 반도체 기판(110)의 후면으로부터 제1 도전성 배선(P141)까지의 높이가 반도체 기판(110)의 후면으로부터 제2 도전성 배선(P142)까지의 높이보다 작을 수 있다.Accordingly, looking at a cross-section of the first electrode C141 in FIG. 2, as illustrated in FIG. 3C, the first conductive line P141 and the second conductive line P142 may have a height difference equal to DP12. That is, the height from the rear surface of the
따라서, 제1 기판 영역(AP1)에서 제1 전극(C141)과 제1 도전성 배선(P141) 사이의 거리가 제2 기판 영역(AP2)에서 제1 전극(C141)과 제2 도전성 배선(P142) 사이의 거리보다 작을 수 있다. 이에 따라, 제1 기판 영역(AP1)에서 제1 전극(C141)과 제1 도전성 배선(P141)은 전극 접착제(ECA)에 의해 용이하게 접착될 수 있으며, 제2 기판 영역(AP2)에서 절연층(IL)에 의해 용이하게 절연될 수 있다.Accordingly, the distance between the first electrode C141 and the first conductive line P141 in the first substrate area AP1 is the first electrode C141 and the second conductive line P142 in the second substrate area AP2 May be less than the distance between them. Accordingly, the first electrode C141 and the first conductive wiring P141 in the first substrate region AP1 can be easily adhered by the electrode adhesive ECA, and the insulating layer in the second substrate region AP2 It can be easily insulated by (IL).
아울러, 도 2에서 제2 전극(C142)의 단면을 보면, 도 3d에 도시된 바와 같이, 제1 도전성 배선(P141)의 높이가 제2 도전성 배선(P142)의 높이보다 작을 수 있다.In addition, looking at the cross-section of the second electrode C142 in FIG. 2, as illustrated in FIG. 3D, the height of the first conductive line P141 may be smaller than the height of the second conductive line P142.
따라서, 제2 기판 영역(AP2)에서 제2 전극(C142)과 제2 도전성 배선(P142) 사이의 거리가 제1 기판 영역(AP1)에서 제2 전극(C142)과 제1 도전성 배선(P141) 사이의 거리보다 작을 수 있다. 이에 따라, 제2 기판 영역(AP2)에서 제2 전극(C142)과 제2 도전성 배선(P142)은 전극 접착제(ECA)에 의해 용이하게 접착될 수 있으며, 제1 기판 영역(AP1)에서 절연층(IL)에 의해 용이하게 절연될 수 있다.Accordingly, the distance between the second electrode C142 and the second conductive line P142 in the second substrate area AP2 is the second electrode C142 and the first conductive line P141 in the first substrate area AP1 May be less than the distance between them. Accordingly, the second electrode C142 and the second conductive wiring P142 in the second substrate area AP2 can be easily adhered by the electrode adhesive ECA, and the insulating layer in the first substrate area AP1 It can be easily insulated by (IL).
이와 같이, 제1, 2 도전성 배선(P141, P142)에 제1, 2 그루브(GP1, GP2)가 형성되는 경우, 제1, 2 도전성 배선(P141, P142)을 반도체 기판(110)의 후면에 접속시키기 위한 열처리 공정에서 제1, 2 그루브(GP1, GP2)가 직선화되면서, 반도체 기판(110)의 제1 방향(x) 양끝단이 밴딩되는 것을 보다 억제할 수 있고, 반도체 기판(110)이 받을 수 있는 열팽창 계수 차이에 의한 스트레스도 보다 저감할 수 있다.In this way, when the first and second grooves GP1 and GP2 are formed in the first and second conductive wires P141 and P142, the first and second conductive wires P141 and P142 are placed on the rear surface of the
이와 같은 본 발명의 제1 실시예에 따른 태양 전지는 제1, 2 전극(C141, C142)이 형성된 반도체 기판(110)의 후면에, 제1 그루브(GP1)가 미리 형성된 제1 도전성 배선(P141)과 제2 그루부가 미리 형성된 제2 도전성 배선(P142)을 열처리 방법을 통하여 접속시킴으로써 형성될 수 있다.The solar cell according to the first embodiment of the present invention includes a first conductive wiring P141 having a first groove GP1 formed in advance on the rear surface of the
지금까지는 후면에 제1, 2 전극(C141, C142)이 형성된 반도체 기판(110)의 후면에 통전극 형태를 갖는 제1, 2 도전성 배선(P141, P142)을 형성하되, 반도체 기판(110)의 밴딩을 억제하기 위하여 제1, 2 도전성 배선(P141, P142)에 제1, 2 전극(C141, C142)의 길이 방향으로 복수의 제1, 2 그루브(GP1, GP2)가 형성된 경우를 일례로 설명하였으나, 본 발명에 따른 태야 전지의 제2 실시예는 제1, 2 도전성 배선(P141, P142)은 통전극 형태와 다르게, 제1, 2 도전성 배선(P141, P142)이 복수 개의 접속부와 패드부 형태로 구성될 수도 있으며, 이와 같은 제1, 2 도전성 배선(P141, P142)은 절연성 부재의 일면에 미리 형성된 상태에서, 반도체 기판(110)의 후면에 접속될 수 있다.Until now, first and second conductive wires P141 and P142 having a conductive electrode shape have been formed on the rear surface of the
이와 같은 경우, 반도체 기판(110)의 밴딩을 억제하기 위하여, 본 발명의 제2 실시예에 따른 태양 전지는 제1, 2 도전성 배선(P141, P142)을 반도체 기판(110)의 후면에 접속하는 열처리 공정을 특정한 방법으로 수행할 수 있으며, 이에 따라, 반도체 기판(110) 및 절연성 부재 모두에 특정 방향으로 그루브(GP1, GP2)가 형성될 수 있고, 아울러, 제1, 2 전극(C141, C142) 및 제1, 2 도전성 배선(P141, P142)의 접속부도 길이 방향에 따른 단면이 물결 모양의 그루브를 가질 수 있다.In this case, in order to suppress the bending of the
이하에서는, 이와 같이, 본 발명의 제2 실시예에 따른 태양 전지의 구조에 대해서 먼저 설명하고, 그 이후, 제2 실시예에 따른 태양 전지의 제조 방법에 대해서 설명한다.Hereinafter, as described above, a structure of a solar cell according to a second embodiment of the present invention will be first described, and thereafter, a method of manufacturing a solar cell according to a second embodiment will be described.
도 4 내지 도 8c는 본 발명에 따른 태양 전지의 제2 실시예를 설명하기 위한 도이다.4 to 8C are diagrams for explaining a second embodiment of the solar cell according to the present invention.
도 4 내지 도 8c는 본 발명에 따른 태양 전지의 제2 실시예를 설명하기 위한 도이다.4 to 8C are diagrams for explaining a second embodiment of the solar cell according to the present invention.
도 4은 본 발명의 일례에 따른 태양 전지의 일부 사시도의 일례이고, 도 5는 도 4에 도시한 태양 전지를 라인 3b-3b를 따라 잘라 도시한 단면도이고, 도 6는 도 4 및 도 5에서 설명한 태양 전지에서 각각 낱개로 접속되기 이전 상태의 반도체 기판(110)과 절연성 부재(200)의 전극 패턴에 관한 일례를 설명하기 위한 도이다.4 is an example of a partial perspective view of a solar cell according to an example of the present invention, FIG. 5 is a cross-sectional view of the solar cell shown in FIG. 4 taken along
여기서, 도 6의 (a)는 반도체 기판(110)의 후면에 배치되는 제1 전극(C141)과 제2 전극(C142)의 패턴 일례 설명하기 위한 도이고, 도 6의 (b)는 도 6의 (a)에서 4(b)-4(b) 라인에 따른 단면도이고, 도 6의 (c)는 절연성 부재(200)의 전면에 배치되는 제1 도전성 배선(P141)과 제2 도전성 배선(P142)의 패턴 일례을 설명하기 위한 도이고, 도 6의 (d)는 도 6의 (c)에서 4(d)-4(d) 라인에 따른 단면도이다.Here, FIG. 6A is a diagram for explaining an example of a pattern of the first electrode C141 and the second electrode C142 disposed on the rear surface of the
도 4 이하에서는 도 1 내지 도 3c 중에서 중복되는 내용에 대한 설명은 생략하고, 다른 점을 위주로 설명한다.In FIG. 4, descriptions of overlapping contents in FIGS. 1 to 3C will be omitted, and different points will be mainly described.
도 4 및 도 5를 참고로 하면, 본 발명에 따른 태양 전지의 일례는 반도체 기판(110), 반사 방지막(130), 에미터부(121), 후면 전계부(172)(back surface field;BSF, 172), 복수의 제1 전극(C141), 복수의 제2 전극(C142), 제1 도전성 배선(P141) 및 제2 도전성 배선(P142) 및 절연성 부재(200)를 포함할 수 있다.4 and 5, an example of a solar cell according to the present invention is a
여기서, 반사 방지막(130)과 후면 전계부(172)는 생략될 수도 있으며, 아울러, 반사 방지막(130)과 빛이 입사되는 반도체 기판(110) 사이에 위치하며, 반도체 기판(110)과 동일한 도전성 타입의 불순물이 반도체 기판(110)보다 높은 농도로 함유된 불순물부인 전면 전계부(미도시)를 더 구비하는 것도 가능하다.Here, the
이하에서는 도 4 및 도 5에 도시된 바와 같이 반사 방지막(130)과 후면 전계부(172)가 포함된 것을 일례로 설명한다.Hereinafter, as illustrated in FIGS. 4 and 5, a case in which the
도 4 및 도 5에서 앞선 도 1 내지 도 3c에서 설명한 반도체 기판(110)이 적용될 수 있고, 반도체 기판(110)의 후면에 형성되는 제1, 2 전극(C141, C142)도 동일하게 적용될 수 있다. 여기서, 제1, 2 전극(C141, C142)의 평면 패턴은 도 6의 (a) 및 (b)에 도시된 바와 같으며, 이에 대해서는 도 1 및 도 2에서 설명한 바와 동일하므로 생략한다. The
이때, 도 4에 도시된 바와 같이, 본 발명의 제2 실시예에 따라 반도체 기판(110)과 절연성 부재(200)가 각각 낱개로 접속되어 하나의 개별소자로 형성될 수 있다.In this case, as shown in FIG. 4, the
즉, 반도체 기판(110)의 후면에는 도 4 및 도 5에 도시된 바와 같이, 제1, 2 도전성 배선(P141, P142)이 구비된 절연성 부재(200)가 접속될 수 있다.That is, the insulating
이에 따라, 제1 전극(C141)과 제1 도전성 배선(P141)이 서로 접속될 수 있으며, 제2 전극(C142)과 제2 도전성 배선(C142)이 서로 접속될 수 있다.Accordingly, the first electrode C141 and the first conductive wire P141 may be connected to each other, and the second electrode C142 and the second conductive wire C142 may be connected to each other.
이와 같이, 하나의 개별 소자로 형성된 태양 전지에는 전체적으로 복수의 그루브(GV)가 형성될 수 있다. 즉, 제2 실시예에 따른 태양 전지는 반도체 기판(110) 및 절연성 부재(200)에 동일한 기울기와 형태를 갖는 복수의 그루브(GV)가 형성될 수 있다. In this way, a plurality of grooves GV may be formed as a whole in a solar cell formed of one individual device. That is, in the solar cell according to the second embodiment, a plurality of grooves GV having the same slope and shape may be formed in the
이와 같이 반도체 기판(110)과 절연성 부재(200)에 형성되는 복수의 그루브(GV)에 대해서는 도 7 이하에서 설명한다.The plurality of grooves GV formed in the
이때, 본 발명의 제2 실시예에 따른 그루브(GV)의 형태는 앞선 도 1 내지 도 3c에서 설명한 제1, 2 도전성 배선(P141, P142) 각각에 형성되는 그루브(GP1, GP2)의 형태나 형성 방향이 다를 수 있다.At this time, the shape of the groove GV according to the second embodiment of the present invention is the shape of the grooves GP1 and GP2 formed in each of the first and second conductive wires P141 and P142 described in FIGS. 1 to 3C. The formation direction may be different.
여기서, 절연성 부재(200)의 전면에 구비되는 제1, 2 도전성 배선(P141, P142)에 대해 구체적으로 설명하면 다음과 같다.Here, the first and second conductive wirings P141 and P142 provided on the front surface of the insulating
제1 도전성 배선(P141)은 도 6의 (c) 및 (d)에 도시된 바와 같이, 제1 접속부(PC141)와 제1 패드부(PP141)를 포함할 수 있다.The first conductive wiring P141 may include a first connection part PC141 and a first pad part PP141 as shown in FIGS. 6C and 6D.
여기서, 제1 접속부(PC141)는 복수 개로 형성될 수 있으며, 제1 접속부(PC141) 각각의 길이 방향은 복수의 제1 전극(C141)과 동일한 제1 방향(x)으로 형성될 수 있다. 이때, 이와 같은 제1 접속부(PC141)는 제1 전극(C141)과 중첩되는 부분에서 서로 전기적으로 연결될 수 있다.Here, a plurality of first connection parts PC141 may be formed, and a length direction of each of the first connection parts PC141 may be formed in the same first direction x as the plurality of first electrodes C141. In this case, the first connection part PC141 may be electrically connected to each other at a portion overlapping the first electrode C141.
아울러, 제1 패드부(PP141)는 도 6의 (c)에 도시된 바와 같이, 제2 방향(y)으로 형성되어, 일단이 제1 접속부(PC141)의 끝단에 연결되며, 타단이 인터커넥터(IC)와 접속될 수 있다. In addition, the first pad part PP141 is formed in the second direction y, as shown in (c) of FIG. 6, one end is connected to the end of the first connection part PC141, and the other end is an interconnector. (IC) can be connected.
제2 도전성 배선(P142)은 도 6의 (c) 및 (d)에 도시된 바와 같이, 제2 접속부(PC142)와 제2 패드부(PP142)를 포함할 수 있다. The second conductive wiring P142 may include a second connection part PC142 and a second pad part PP142 as shown in FIGS. 6C and 6D.
여기서, 제2 접속부(PC142)는 복수 개로 형성될 수 있으며, 제2 접속부(PC142) 각각의 길이 방향은 복수의 제2 전극(C142)과 동일한 제1 방향(x)으로 형성될 수 있다. 이때, 제2 접속부(PC142)는 제2 전극(C142)과 중첩되는 부분에서 서로 전기적으로 연결될 수 있다. Here, the second connection part PC142 may be formed in plural, and the length direction of each of the second connection parts PC142 may be formed in the same first direction x as the plurality of second electrodes C142. In this case, the second connector PC142 may be electrically connected to each other at a portion overlapping the second electrode C142.
아울러, 제2 패드부(PP142)는 도 6의 (c)에 도시된 바와 같이, 일단이 제2 접속부(PC142)의 끝단에 연결되며, 타단이 인터커넥터(IC)와 접속될 수 있다. In addition, as shown in FIG. 6C, the second pad part PP142 may have one end connected to the end of the second connection part PC142 and the other end connected to the interconnector IC.
따라서, 절연성 부재(200)의 전면에서, 제1 방향(x)의 양끝단 중 일단에는 제1 패드부(PP141)가 형성되고, 타단에는 제2 패드부(PP142)가 형성될 수 있다. Accordingly, on the front surface of the insulating
이와 같은 제1 도전성 배선(P141) 및 제2 도전성 배선(P142)의 재질은 Cu, Au, Ag, Al 중 적어도 어느 하나를 포함하여 형성될 수 있다.The material of the first conductive wiring P141 and the second conductive wiring P142 may be formed of at least one of Cu, Au, Ag, and Al.
도 6의 (a) 및 (b)에 도시된 하나의 반도체 기판(110)의 후면에 도 6의 (c) 및 (d)에 도시된 하나의 절연성 부재(200)의 전면이 부착되어 접속됨으로써, 하나의 일체형 개별 소자를 형성할 수 있다. 즉, 절연성 부재(200)와 반도체 기판(110)은 1:1로 결합 또는 부착될 수 있다.By attaching and connecting the front surface of one insulating
이때, 도 4 및 도 5에 도시된 바와 같이, 제1 도전성 배선(P141)은 도전성 재질의 전극 접착제(ECA)를 통하여 제1 전극(C141)에 전기적으로 연결될 수 있으며, 제2 도전성 배선(P142)은 도전성 재질의 전극 접착제(ECA)를 통하여 제2 전극(C142)에 전기적으로 연결될 수 있다.In this case, as shown in FIGS. 4 and 5, the first conductive wiring P141 may be electrically connected to the first electrode C141 through an electrode adhesive ECA made of a conductive material, and the second conductive wiring P142 ) May be electrically connected to the second electrode C142 through an electrode adhesive ECA made of a conductive material.
이와 같은 전극 접착제(ECA)의 재질은 전도성 물질이면, 특별한 제한이 없으며, 솔더 패이스트, 도전성 패이스트(conductive paste), 또는 도전성 필름(conductive film)이 전극 접착제(ECA)로 사용될 수 있다. The material of the electrode adhesive ECA is not particularly limited as long as it is a conductive material, and a solder paste, a conductive paste, or a conductive film may be used as the electrode adhesive ECA.
또한, 전술한 제1 전극(C141)과 제2 전극(C142) 사이 및 제1 도전성 배선(P141)과 제2 도전성 배선(P142) 사이에는 단락을 방지하는 절연층(IL)이 위치할 수 있다. 이와 같은 절연층(IL)은 에폭시(epoxy)와 같은 절연성 수지가 포함될 수 있다.In addition, an insulating layer IL for preventing a short circuit may be disposed between the above-described first electrode C141 and the second electrode C142 and between the first conductive wiring P141 and the second conductive wiring P142. . The insulating layer IL may include an insulating resin such as epoxy.
아울러, 도 4 및 도 5에서는 제1 전극(C141)과 제1 도전성 배선(P141)의 제1 접속부(PC141)가 서로 중첩되고, 제2 전극(C142)과 제2 도전성 배선(P142)의 제2 접속부(PC142)가 중첩되는 경우만 도시하고 있으나, 이와 다르게 제1 전극(C141)과 제2 접속부(PC142)가 서로 중첩될 수 있고, 제2 전극(C142)과 제1 접속부(PC141)가 서로 중첩될 수도 있다. 이와 같은 경우, 제1 전극(C141)과 제2 접속부(PC142) 사이 및 제2 전극(C142)과 제1 접속부(PC141) 사이에도 단락을 방지하는 절연층(IL)이 위치할 수 있다.In addition, in FIGS. 4 and 5, the first connection portions PC141 of the first electrode C141 and the first conductive line P141 overlap each other, and the second electrode C142 and the second conductive line P142 are 2 Only the case where the connection part PC142 overlaps is shown, but differently, the first electrode C141 and the second connection part PC142 may overlap each other, and the second electrode C142 and the first connection part PC141 are They can also overlap each other. In this case, an insulating layer IL for preventing a short circuit may be positioned between the first electrode C141 and the second connection part PC142 and between the second electrode C142 and the first connection part PC141.
절연성 부재(200)는 제1 도전성 배선(P141)과 제2 도전성 배선(P142)의 후면에 배치될 수 있다. The insulating
이와 같은 절연성 부재(200)의 재질은 절연성 재질이면 특별한 제한이 없으나, 상대적으로 녹는점이 높은 것이 바람직할 수 있으며, 일례로, 고온에 대해 내열성 있는 polyimide, epoxy-glass, polyester, BT(bismaleimide triazine) 레진 중 적어도 하나의 재질을 포함하여 형성될 수 있다.The material of the insulating
이와 같은 본 발명에 따른 태양 전지는 절연성 부재(200)의 전면에 제1 도전성 배선(P141)과 제2 도전성 배선(P142)이 미리 형성되고, 반도체 기판(110)의 후면에 복수의 제1 전극(C141) 및 복수의 제2 전극(C142)이 미리 형성된 상태에서, 절연성 부재(200)와 반도체 기판(110)이 각각 낱개로 접속되어 하나의 개별 소자로 형성될 수 있다. In the solar cell according to the present invention, a first conductive wire P141 and a second conductive wire P142 are formed in advance on the front surface of the insulating
즉, 하나의 절연성 부재(200)에 부착되어 접속되는 반도체 기판(110)은 하나일 수 있고, 이와 같은 하나의 절연성 부재(200)와 하나의 반도체 기판(110)은 서로 부착되어 하나의 일체형 개별 소자로 형성되어 하나의 태양 전지 셀을 형성할 수 있다.That is, the
보다 구체적으로 설명하면, 하나의 절연성 부재(200)와 하나의 반도체 기판(110)을 서로 부착하여 하나의 일체형 개별 소자로 형성하는 공정에 의해, 하나의 반도체 기판(110)의 후면에 형성된 복수의 제1 전극(C141)과 복수의 제2 전극(C142) 각각은 하나의 절연성 부재(200)의 전면에 형성된 제1 도전성 배선(P141) 및 제2 도전성 배선(P142)과 부착되어 전기적으로 서로 연결될 수 있다. More specifically, by a process of attaching one insulating
이와 같은 본 발명에 따른 태양 전지에서, 제1 도전성 배선(P141) 및 제2 도전성 배선(P142) 각각의 두께(T2)는 제1 전극(C141) 및 제2 전극(C142) 각각의 두께(T1)보다 클 수 있다. In the solar cell according to the present invention, the thickness T2 of each of the first conductive wiring P141 and the second conductive wiring P142 is the thickness T1 of each of the first electrode C141 and the second electrode C142 Can be greater than ).
이와 같이, 제1 접속부(PC141)와 제2 접속부(PC142) 각각의 두께(T2)를 제1 전극(C141) 및 제2 전극(C142) 각각의 두께(T1)보다 크게 함으로써, 태양 전지 제조 공정 시간을 보다 단축할 수 있고, 제1 전극(C141)과 제2 전극(C142)을 반도체 기판(110)의 후면에 바로 형성하는 것보다 기판에 대한 열팽창 스트레스를 보다 감소시킬 수 있어, 태양 전지의 효율을 보다 향상시킬 수 있다.In this way, by making the thickness (T2) of each of the first connection portion (PC141) and the second connection portion (PC142) larger than the thickness (T1) of each of the first electrode (C141) and the second electrode (C142), the solar cell manufacturing process The time can be further shortened, and the thermal expansion stress on the substrate can be further reduced than that of directly forming the first electrode C141 and the second electrode C142 on the rear surface of the
이와 같은 절연성 부재(200)는 제1 도전성 배선(P141)과 제2 도전성 배선(P142)을 반도체 기판(110)의 후면에 형성된 제1 전극(C141)과 제2 전극(C142)에 접착시킬 때에, 공정을 보다 용이하게 도와주는 역할을 할 수 있다.When the insulating
이와 같은 구조로 제조된 본 발명에 따른 태양 전지에서 제1 도전성 배선(P141)을 통하여 수집된 정공과 제2 도전성 배선(P142)을 통하여 수집된 전자는 외부의 회로 장치를 통하여 외부 장치의 전력으로 이용될 수 있다.Holes collected through the first conductive wiring P141 and electrons collected through the second conductive wiring P142 in the solar cell according to the present invention manufactured with such a structure are converted to power of the external device through the external circuit device. Can be used.
지금까지는 반도체 기판(110)이 결정질 실리콘 반도체 기판(110)이고, 에미터부(121)와 후면 전계부(172)가 확산 공정을 통하여 형성된 경우를 예로 설명하였다.Until now, the case where the
그러나, 이와 다르게 비정질 실리콘 재질로 형성된 에미터부(121)와 후면 전계부(172)가 결정질 반도체 기판(110)과 접합하는 이종 접합 태양 전지나, 에미터부(121)가 반도체 기판(110)의 전면에 위치하고, 반도체 기판(110)에 형성된 복수의 비아홀을 통해 반도체 기판(110)의 후면에 형성된 제1 전극(C141)과 연결되는 구조의 태양 전지에서도 본 발명이 동일하게 적용될 수 있다.However, differently, a heterojunction solar cell in which the
이와 같은 구조를 갖는 태양 전지는 인터커넥터(IC)에 의해 서로 인접하는 태양 전지를 연결할 수 있으며, 이에 따라 복수 개의 태양 전지가 직렬로 연결될 수 있다.A solar cell having such a structure may connect adjacent solar cells to each other by an interconnector (IC), and accordingly, a plurality of solar cells may be connected in series.
이와 같이 본 발명에 따른 태양 전지는 하나의 반도체 기판(110)에 하나의 절연성 부재(200)만 결합되어, 하나의 일체형 개별 소자를 형성함으로써, 태양 전지 모듈 제조 공정을 보다 용이하게 할 수 있으며, 태양 전지 모듈 제조 공정 중에 어느 하나의 태양 전지에 포함된 반도체 기판(110)이 파손되거나 결함이 발생하더라도 하나의 일체형 개별 소자로 형성되는 해당 태양 전지만 교체할 수 있고, 공정 수율을 보다 향상시킬 수 있다. As described above, in the solar cell according to the present invention, only one insulating
아울러, 이와 같이, 하나의 일체형 개별 소자로 형성되는 태양 전지는 제조 공정시 반도체 기판(110)에 가해지는 열팽창 스트레스를 최소화할 수 있다.In addition, as described above, the solar cell formed of one integrated individual device may minimize thermal expansion stress applied to the
여기서, 절연성 부재(200)의 면적을 반도체 기판(110)의 면적과 동일하거나 크게 함으로써, 태양 전지와 태양 전지를 서로 연결할 때에, 절연성 부재(200)의 전면에 인터커넥터(IC)가 부착될 수 있는 영역을 충분히 확보할 수 있다. 이를 위해, 절연성 부재(200)의 면적은 반도체 기판(110)의 면적보다 클 수 있다.Here, by making the area of the insulating
이를 위해, 절연성 부재(200)의 제1 방향(x)으로의 길이를 반도체 기판(110)의 제1 방향(x)으로의 길이보다 길게 할 수 있다. To this end, the length of the insulating
이와 같은 반도체 기판(110)의 후면과 절연성 부재(200)의 전면은 서로 부착되어, 제1 전극(C141)과 제1 도전성 배선(P141)이 서로 연결되고, 제2 전극(C142)과 제2 도전성 배선(P142)이 서로 연결될 수 있다. The rear surface of the
이하에서는 도 6의 (a)에 도시된 반도체 기판(110)과 도 6의 (c)에 도시된 절연성 부재(200)가 각각 낱개로 접속됨에 따라, 반도체 기판(110)과 절연성 부재(200)에는 복수의 그루브(GV)가 형성될 수 있다.Hereinafter, as the
도 7는 도 6에 도시된 반도체 기판(110)과 절연성 부재(200)가 서로 접속된 상태를 설명하기 위한 도이고, 도 8a는 도 7에서 8a-8a 라인의 단면을 도시한 것이고, 도 8b는 도 7에서 8b-8b 라인의 단면을 도시한 것이고, 도 8c는 도 7에서 8c-8c 라인의 단면을 도시한 것이다.FIG. 7 is a diagram for explaining a state in which the
도 7에 도시된 바와 같이, 하나의 반도체 기판(110)이 하나의 절연성 부재(200)에 완전히 중첩 접속되어 하나의 태양 전지 개별 소자가 형성될 수 있다.As shown in FIG. 7, one
이때, 도 7에 도시된 바와 같이, 반도체 기판(110) 및 절연성 부재(200)에는 복수의 그루브(GV)가 형성될 수 있다. 이와 같은 복수의 그루브(GV) 각각은 제1, 2 전극(C141, C142)의 길이 방향인 제1 방향(x)과 교차하는 제2 방향(y)으로 길게 뻗어 형성될 수 있다.In this case, as shown in FIG. 7, a plurality of grooves GV may be formed in the
이에 따라, 도 8a에 도시된 바와 같이, 제2 실시예에 따른 태양 전지의 제2 방향(y)의 단면 형태는 복수의 그루브(GV)의 길이 방향과 동일하므로, 반도체 기판(110) 및 절연성 부재(200)의 제2 방향(y) 단면에는 그루브(GV)가 형성되지 않고 평평(flat)할 수 있다.Accordingly, as shown in FIG. 8A, since the cross-sectional shape of the solar cell according to the second embodiment in the second direction y is the same as the length direction of the plurality of grooves GV, the
아울러, 도 8b 및 도 8c에 도시된 바와 같이, 제2 실시예에 따른 태양 전지의 제1 방향(x)의 단면 형태는 복수의 그루브(GV)의 길이 방향과 교차하므로, 반도체 기판(110) 및 절연성 부재(200)의 제1 방향(x) 단면에는 복수의 그루브(GV) 각각의 단면 형태가 보일 수 있다. 따라서, 반도체 기판(110) 및 절연성 부재(200)의 제1 방향(x) 단면은 복수의 그루브(GV)에 의한 요철이 형성될 수 있다.In addition, as shown in FIGS. 8B and 8C, since the cross-sectional shape of the solar cell according to the second embodiment in the first direction x crosses the length direction of the plurality of grooves GV, the
이때, 반도체 기판(110)에 형성된 복수의 그루브(GV)와 절연성 부재(200)에 형성된 복수의 그루브(GV)의 위치, 형태 및 기울기는 서로 동일할 수 있다. 즉, 그루브(GV)에 의해 반도체 기판(110) 및 절연성 부재(200)의 동일한 위치에 봉우리나 골짜기가 형성될 수 있으며, 각 그루브(GV)의 높이도 동일할 수 있다. 즉, 반도체 기판(110)에 형성된 그루브(GV)의 높이는 절연성 부재(200)에 형성된 그루브(GV)의 높이와 동일할 수 있다.In this case, the positions, shapes, and inclinations of the plurality of grooves GV formed in the
이때, 반도체 기판(110) 및 절연성 부재(200)에 형성되는 그루브(GV)의 높이(HGV)는 대략 2mm 내지5mm 사이일 수 있다.In this case, the height HGV of the groove GV formed in the
이에 따라, 도 8b에 도시된 바와 같이, 반도체 기판(110) 및 절연성 부재(200) 사이에 형성되는 제1 방향(x)으로 뻗어 있는 제1 전극(C141)과 제1 접속부(PC141)에도 제1 방향(x)을 따라 그루브가 형성될 수 있다.Accordingly, as shown in FIG. 8B, the first electrode C141 and the first connection part PC141 extending in the first direction x formed between the
이때, 제1 전극(C141)과 제1 접속부(PC141)에 형성된 그루브의 형상은 반도체 기판(110) 및 절연성 부재(200)에 형성된 복수의 그루브(GV)의 형태(이때, 복수의 그루브(GV) 각각의 길이 방향은 제2 방향(y)으로 길게 형성됨)로 인하여 물결 무늬 형태의 그루브를 가질 수 있다.At this time, the shape of the groove formed in the first electrode C141 and the first connection part PC141 is the shape of the plurality of grooves GV formed in the
또한, 도 8c에 도시된 바와 같이, 제1 방향(x)으로 뻗어 있는 제2 전극(C142)과 제2 도전성 배선(P142)에도 제1 방향(x)을 따라 물결 무늬 형태의 그루브가 형성될 수 있다.In addition, as shown in FIG. 8C, a groove in the shape of a wave pattern may be formed in the second electrode C142 and the second conductive line P142 extending in the first direction x along the first direction x. I can.
아울러, 여기서, 도 8b에 도시된 바와 같이, 제1 접속부(PC141)와 제2 패드부(PP142) 사이의 이격된 공간에도 절연층(IL)이 채워질 수 있으며, 도 8c에 도시된 바와 같이, 제2 접속부(PC142)와 제1 패드부(PP141) 사이의 이격된 공간에는 절연층(IL)이 채워질 수 있다.In addition, here, as shown in FIG. 8B, the insulating layer IL may also be filled in the spaced apart space between the first connection part PC141 and the second pad part PP142, and as shown in FIG. 8C, The insulating layer IL may be filled in a space spaced apart between the second connection part PC142 and the first pad part PP141.
아울러, 도 7, 도 8b 및 도 8c에 도시된 바와 같이, 제1 패드부(PP141)와 제2 패드부(PP142) 각각은 반도체 기판(110)과 중첩되는 제1 영역(PP141-S1, PP142-S1)과, 반도체 기판(110)과 중첩되지 않는 제2 영역(PP141-S2, PP142-S2)을 포함할 수 있다.In addition, as shown in FIGS. 7, 8B, and 8C, each of the first pad portion PP141 and the second pad portion PP142 overlaps the
이와 같이, 인터커넥터(IC)와 연결될 수 있는 공간을 확보하기 위하여 마련된 제1 패드부(PP141)의 제2 영역(PP141-S2) 및 제2 패드부(PP142)의 제2 영역(PP142-S2)에 인터커넥터(IC)가 연결될 수 있다. In this way, the second area PP141-S2 of the first pad part PP141 and the second area PP142-S2 of the second pad part PP142 are provided to secure a space that can be connected to the interconnector IC. ) Can be connected to the interconnector (IC).
본 발명에 따른 제1 패드부(PP141)와 제2 패드부(PP142) 각각은 제2 영역(PP141-S2, PP142-S2)을 구비함으로써, 인터커넥터(IC)를 보다 용이하게 연결할 수 있으며, 아울러, 인터커넥터(IC)를 연결할 때에, 반도체 기판(110)에 대한 열팽창 스트레스를 최소화할 수 있다.Each of the first pad portion PP141 and the second pad portion PP142 according to the present invention has second regions PP141-S2 and PP142-S2, so that the interconnector IC can be more easily connected, In addition, when connecting the interconnector IC, it is possible to minimize thermal expansion stress on the
지금까지는 반도체 기판(110)에 형성된 제1 전극(C141) 및 제2 전극(C142)이 절연성 부재(200)에 형성된 제1 접속부(PC141) 및 제2 접속부(PC142)와 나란한 방향으로 중첩되어 연결되는 경우에 대해 설명하였으나, 이와 다르게, 반도체 기판(110)에 형성된 제1 전극(C141) 및 제2 전극(C142)이 절연성 부재(200)에 형성된 제1 접속부(PC141) 및 제2 접속부(PC142)와 교차하는 방향으로 중첩되어 접속할 수도 있다. Until now, the first electrode (C141) and the second electrode (C142) formed on the
또한, 도시된 바와 다르게 제1 접속부(PC141)와 제2 접속부(PC142)가 복수 개로 형성되지 않고, 하나의 통전극으로 형성될 수 있으며, 하나의 통전극으로 형성되는 제1 접속부(PC141)에는 복수 개의 제1 전극(C141)이 접속될 수 있고, 하나의 통전극으로 형성되는 제2 접속부(PC142)에는 복수 개의 제2 전극(C142)이 접속될 수 있다. In addition, unlike shown, the first connection part PC141 and the second connection part PC142 are not formed in plural, but may be formed as a single conductive electrode, and the first connection part PC141 formed as a single conductive electrode A plurality of first electrodes C141 may be connected, and a plurality of second electrodes C142 may be connected to the second connector PC142 formed as a single current electrode.
이와 같은 경우, 하나의 통전극으로 형성되는 제1 접속부(PC141) 와 제2 접속부(PC142) 각각에는 반도체 기판(110) 및 절연성 부재(200)에 형성되는 그르부와 동일한 형태 및 동일한 방향으로 뻗어 있는 복수의 그루브(GV)가 형성될 수 있다.In this case, each of the first connection part PC141 and the second connection part PC142 formed as a single conductive electrode has the same shape and the same direction as the groove formed on the
아울러, 지금까지는 제1 패드부(PP141)와 제2 패드부(PP142)가 각각 하나로만 형성된 경우를 일례로 설명하였으나, 이와 다르게, 제1 패드부(PP141)와 제2 패드부(PP142)가 각각 복수 개로 형성될 수도 있다. 복수 개로 형성된 제1 패드부(PP141) 또는 제2 패드부(PP142) 각각에 복수 개의 제1 접속부(PC141) 또는 복수 개의 제2 접속부(PC142)가 연결될 수도 있다. In addition, until now, a case in which only one of the first pad portion PP141 and the second pad portion PP142 is formed has been described as an example, but differently, the first pad portion PP141 and the second pad portion PP142 are Each may be formed in plural. A plurality of first connection parts PC141 or a plurality of second connection parts PC142 may be connected to each of the first pad part PP141 or the second pad part PP142 formed in plurality.
아울러, 도 4 내지 도 8c에서는 본 발명에 따른 태양 전지에서 절연성 부재(200)가 구비된 경우를 일례로 도시하고 설명하였으나, 이와 다르게, 절연성 부재(200)는 제1, 2 전극(C141, C142)과 제1, 2 도전성 배선(P141, P142)이 서로 접속된 이후 제거될 수 있고, 이와 같이, 절연성 부재(200)가 제거된 상태에서 인터커넥터(IC)가 제1 도전성 배선(P141) 또는 제2 도전성 배선(P142)에 접속될 수 있다.In addition, FIGS. 4 to 8C illustrate and describe a case in which the insulating
지금까지는 본 발명에 따른 태양 전지 모듈의 일례에 대해서 설명하였지만, 이하에서는 도 9 내지 도 12b를 참조하여 제2 실시예에 따른 태양 전지를 제조하는 방법의 일례에 대해 설명한다.Until now, an example of the solar cell module according to the present invention has been described, but an example of a method of manufacturing the solar cell according to the second embodiment will be described below with reference to FIGS. 9 to 12B.
도 9는 본 발명에 따른 태양 전지 제조 방법의 일례를 설명하기 위한 공정 순서도이고, 도 10은 도 9에서 S2 공정을 설명하기 위한 도이고, 도 12a 및 도 12b는 도 9에서 S3 공정을 설명하기 위한 도이다.9 is a process flow chart for explaining an example of a solar cell manufacturing method according to the present invention, FIG. 10 is a diagram for explaining the S2 process in FIG. 9, and FIGS. 12A and 12B are for explaining the S3 process in FIG. 9 It is also for.
본 발명에 따른 태양 전지의 제조 방법은 도 9에 도시된 바와 같이, 반도체 기판(110)과 절연성 부재(200)를 준비하는 단계(S1), 반도체 기판(110)의 후면 위에 절연성 부재(200)의 전면을 얼라인하여 배치하는 단계(S2), 및 반도체 기판(110)과 절연성 부재(200)에 열처리 공정을 수행하여 반도체 기판(110)과 절연성 부재(200)를 접속시키는 단계(S3)를 포함할 수 있다.As shown in FIG. 9, the method of manufacturing a solar cell according to the present invention includes the steps of preparing the
여기의 S1 단계에서, 반도체 기판(110)의 후면에는 도 6의 (a) 및 (b)에 도시된 바와 같이, 복수의 제1, 2 전극(C141, C142)이 형성된 상태일 수 있다.Here, in step S1, a plurality of first and second electrodes C141 and C142 may be formed on the rear surface of the
아울러, 절연성 부재(200)의 전면에는 도 6의 (c) 및 (d)에 도시된 바와 같이, 제1, 2 도전성 배선(P141, P142)이 형성된 상태일 수 있다.In addition, first and second conductive wires P141 and P142 may be formed on the front surface of the insulating
이때의 반도체 기판(110)과 절연성 부재(200)는 열처리 공정을 수행하기 이전이므로, 전술한 복수의 그루브(GV)가 형성되지 않은 상태이다.At this time, since the
아울러, 얼라인 단계(S2)에서는 반도체 기판(110)의 후면에 절연성 부재(200)를 얼라인할 때에는, 도 10에 도시된 바와 같이, 반도체 기판(110)의 후면에 형성된 제1, 2 전극(C141, C142) 각각이 절연성 부재(200)의 전면에 형성된 제1, 2 도전성 배선(P141, P142) 각각에 일치하도록 배치할 수 있다. In addition, when aligning the insulating
이와 같은 얼라인 단계(S2)는 반도체 기판(110)의 후면에서 제1, 2 전극(C141, C142) 각각의 위에는 도시된 바와 같이, 전극 접착제(ECA)를 형성하기 위한 전극 접착제 패이스트(ECAP)를 도포하고, 제1, 2 전극(C141, C142) 사이로 노출되는 반도체 기판(110)의 후면에는 절연층(IL)을 형성하기 위한 절연층 패이스트(ILP)를 도포한 상태에서 수행될 수 있다.This alignment step (S2) is an electrode adhesive paste (ECAP) for forming an electrode adhesive (ECA), as shown on each of the first and second electrodes C141 and C142 from the rear surface of the
아울러, 얼라인 단계(S2)에서는 하나의 반도체 기판(110)에 하나의 절연성 부재(200)를 얼라인할 수 있다. 즉, 반도체 기판(110)과 절연성 부재(200)를 각각 낱개로 얼라인할 수 있다. In addition, in the alignment step S2, one insulating
이와 같이 반도체 기판(110)과 절연성 부재(200)를 각각 낱개로 얼라인하는 이유는 이후의 열처리 공정에서 반도체 기판(110)과 절연성 부재(200)의 열팽창 계수 차이로 인하여 얼라인이 틀어지는 것을 최소화하기 위함이다.The reason for aligning the
아울러, 반도체 기판(110)과 절연성 부재(200)를 각각 낱개로 접속시키는 경우, 태양 전지 모듈을 제조하는 이후의 모듈화 공정에서 반도체 기판(110)과 절연성 부재(200)가 각각 낱개로 접속되어 형성된 개별 소자에 결함이 발견된 경우, 해당 소자만 교체하거나 수리가 가능하므로, 모듈화 공정의 생산 수율 및 공정 비용을 보다 절감할 수 있기 때문이다.In addition, in the case of connecting the
이후, 열처리 단계(S3)에서는 도 11에 도시된 바와 같이, 반도체 기판(110)과 절연성 부재(200)가 가접합된 상태에서 열처리 장치(TH)에 의해 열처리 단계가 수행될 수 있다. Thereafter, in the heat treatment step S3, a heat treatment step may be performed by the heat treatment apparatus TH in a state in which the
이때의 열처리 장치(TH)는 반도체 기판(110)이 가접합된 절연성 부재(200)의 후면 전쳬를 한꺼번에 열처리 하는 것이 아니라, 절연성 부재(200)를 영역별로 선택적으로 열처리할 수 있다. 즉, 열처리 단계에서는 절연성 부재(200)를 복수의 영역(TS1~TS9)으로 구분한 상태에서, 각 영역별로 열처리가 수행될 수 있다.In this case, the heat treatment apparatus TH may not heat-treat the entire rear surface of the insulating
일례로, 도 12a에 도시된 바와 같이, 절연성 부재(200)는 복수 개의 영역(TS1~TS9)(일례로, 9개의 영역)으로 구분될 수 있다. 이때, 각 영역(TS1~TS9)은 제1, 2 전극(C141, C142)의 길이 방향과 교차하는 제2 방향(y)으로 구분될 수 있다.For example, as illustrated in FIG. 12A, the insulating
또는, 이와 다르게 도 12b에 도시된 바와 같이, 절연성 부재(200)의 복수 개의 영역(TS1~TS9)은 매트릭스 형태로 구분될 수 있다. Alternatively, differently, as shown in FIG. 12B, a plurality of regions TS1 to TS9 of the insulating
이와 같이, 절연성 부재(200)를 복수의 영역(TS1~TS9)으로 구분한 상태에서, 반도체 기판(110)과 절연성 부재(200)에 가해지는 열팽창 스트래스를 최대한 분산시켜, 반도체 기판(110)과 절연성 부재(200)가 밴딩되는 것을 최소화하기 위해, 열처리 장치(TH)는 각 영역(TS1~TS9)을 선택적으로 순차적으로 열처리할 수 있다.In this way, in a state in which the insulating
이때, 반도체 기판(110)과 절연성 부재(200)에 가해지는 열팽창 스트래스를 보다 감소하기 위하여, 열처리 단계에서는 절연성 부재(200)의 제1 영역(TS1)을 열처리하는 제1 영역 열처리 단계, 절연성 부재(200)에서 제1 영역(TS1)과 가장 멀리 이격된 제2 영역(TS2)을 열처리 하는 제2 영역 열처리 단계 및 제1 영역(TS1)과 제2 영역(TS2) 사이에 위치하는 제3 영역(TS3)을 열처리 하는 제3 영역 열처리 단계를 포함할 수 있다.At this time, in order to further reduce the thermal expansion stress applied to the
여기서, 제1 영역(TS1)은 절연성 부재(200)의 영역 중에서 제1, 2 전극(C141, C142)의 어느 한 끝단과 중첩되는 영역이고, 제2 영역(TS2)은 절연성 부재(200)의 영역 중에서 제1, 2 전극(C141, C142)의 나머지 한 끝단과 중첩되는 영역일 수 있다.Here, the first region TS1 is a region overlapping one end of the first and second electrodes C141 and C142 among the regions of the insulating
따라서, 도 12a를 일례로 설명하면, 제1 도전성 배선(P141)에 포함된 복수의 제1 접속부(PC141)는 제1 전극(C141)과 동일한 위치에서 중첩되고, 제2 도전성 배선(P142)에 포함된 복수의 제2 접속부(PC142)는 제2 전극(C142)과 동일한 위치에서 중첩되므로, 제1 영역 열처리 단계에서는 절연성 부재(200)의 한쪽 끝단에 인접하여 제2 방향(y)으로 형성되는 제1 영역(TS1)을 열처리하고, 제2 영역 열처리 단계에서는 절연성 부재(200)의 나머지 한쪽 끝단에 인접하여 제2 방향(y)으로 형성되는 제2 영역(TS2)을 열처리할 수 있으며, 제3 영역 열처리 단계에서는 절연성 부재(200)의 중앙에 제2 방향(y)으로 형성되는 제3 영역(TS3)을 열처리할 수 있다. Accordingly, referring to FIG. 12A as an example, the plurality of first connection parts PC141 included in the first conductive wire P141 overlap at the same position as the first electrode C141, and are attached to the second conductive wire P142. Since the included plurality of second connection parts PC142 overlap at the same position as the second electrode C142, in the first region heat treatment step, it is formed in the second direction y adjacent to one end of the insulating
따라서, 열처리 장치(TH)는 도 12a 및 도 12b에서, 절연성 부재(200)에서 제1 영역(TS1)부터 제9 영역(TS9)까지 표시된 영역의 번호에 따라 화살표 방향대로 순차적으로 열처리 공정을 수행될 수 있다.Accordingly, the heat treatment apparatus TH sequentially performs a heat treatment process in the direction of the arrow according to the number of the regions indicated from the first region TS1 to the ninth region TS9 in FIGS. 12A and 12B. Can be.
이때, 각 영역별 열처리 단계에서는 냉각 공정이 함께 수행될 수 있다. 따라서, 제1 영역 열처리 단계에 의해 열처리 공정과 냉각 공정이 함께 수행되고, 제2 영역 열처리 단계에 의해 열처리 공정과 냉각 공정이 함께 수행될 수 있다.In this case, the cooling process may be performed together in the heat treatment step for each region. Accordingly, the heat treatment process and the cooling process may be performed together by the first region heat treatment step, and the heat treatment process and the cooling process may be performed together by the second region heat treatment step.
이와 같이, 열처리 단계가 절연성 부재(200)의 영역별로 선택적으로 모두 수행되면, 전극 접착제 패이스트(ECAP)와 절연층 패이스트(ILP)가 각각 경화되면서, 도 4 내지 도 8c에서 설명한 바와 같이, 제1 전극(C141)과 제1 도전성 배선(P141) 사이 및 제2 전극(C142)과 제2 도전성 배선 사이(P142)는 전극 잡착제에 의해 서로 접속되고, 제1, 2 전극(C141, C142) 사이 및 제1, 2 도전성 배선(P141, P142) 사이는 절연층(IL)이 형성되어, 반도체 기판(110)과 절연성 부재(200)가 각각 낱개로 접속된 개별 소자를 완성할 수 있다.As described above, when the heat treatment step is selectively performed for each area of the insulating
아울러, 도 9 내지 도 12b에서는 제2 실시예에 따른 태양 전지를 제조하는 방법을 일례로 설명하였지만, 제1 실시예에 따른 태양 전지도 도 9 내지 도 12b에서 설명한 방법과 동일하게 제조될 수 있다.In addition, in FIGS. 9 to 12B, a method of manufacturing a solar cell according to the second embodiment has been described as an example, but a solar cell according to the first embodiment may also be manufactured in the same manner as the method described in FIGS. 9 to 12B. .
이에 따라, 반도체 기판(110)과 절연성 부재(200)가 열팽창 계수 차이에 의해 밴딩되는 정도를 보다 완화시킬 수 있다. 이하의 도 13 및 도 14를 참조하여 설명하면 다음과 같다.Accordingly, the degree to which the
도 13 및 도 14는 도 9 내지 도 12b에서 설명한 본 발명에 따른 태양 전지 제조 방법의 효과를 설명하기 위한 도이다.13 and 14 are diagrams for explaining the effect of the solar cell manufacturing method according to the present invention described in FIGS. 9 to 12B.
여기서, 도 13의 (a)와 같이, 각각 낱개로 배치된 반도체 기판(110)과 절연성 부재(200) 전체에 한번의 열처리 공정을 수행한 경우, 반도체 기판(110), 제1, 2 전극(C141, C142), 제1, 2 도전성 배선(P141, P142), 및 절연성 부재(200)의 열팽창 계수 차이에 의해 도 13의 (b)에 도시된 바와 같이, 반도체 기판(110)과 절연성 부재(200)는 밴딩될 수 있다. 이때, 밴딩되는 높이(CH)는 대략 10mm ~ 15mm일 수 있다.Here, as shown in (a) of FIG. 13, when a single heat treatment process is performed on the
그러나, 도 14의 (a)와 같은 각각 낱개로 배치된 반도체 기판(110)과 절연성 부재(200)를 각 영역별로 선택적 및 순차적으로 열처리 공정을 수행하면, 열팽창 계수 차이에 의한 열팽창 스트레스를 분산시킬 수 있고, 이로 인하여 도 14의 (b)에 도시된 바와 같이, 반도체 기판(110)과 절연성 부재(200)가 밴딩되는 높이(HGV)를 현저하게 감소시킬 수 있다. However, if the
따라서, 반도체 기판(110) 및 절연성 부재(200)의 영역별 열처리에 의해 형성되는 복수의 그루브(GV) 각각의 높이(HGV)는 전술한 바와 같이, 2mm 내지 5mm 로 현저하게 감소시킬 수 있다.Accordingly, the height HGV of each of the plurality of grooves GV formed by heat treatment for each region of the
이에 따라, 밴딩에 의해 발생할 수 있는 반도체 기판(110)의 결함을 보다 감소시키며, 공정 수율을 보다 향상시킬 수 있다.Accordingly, defects of the
이하에서는 제1, 2 도전성 배선이 복수 개의 와이어 형태로 구비되는 경우의 일례에 대해 설명한다.Hereinafter, an example in which the first and second conductive wirings are provided in the form of a plurality of wires will be described.
도 15a 내지 도 17은 본 발명에 따른 태양 전지의 제3 실시예를 설명하기 위한 도이다.15A to 17 are diagrams for explaining a third embodiment of a solar cell according to the present invention.
이하의 도 15a 내지 도 17에서는 도 1 내지 도 14에서 설명한 바와 동일한 내용에 대해서는 구체적인 설명을 생략하고, 다른 점을 위주로 설명한다.In FIGS. 15A to 17 below, detailed descriptions of the same contents as those described in FIGS. 1 to 14 are omitted, and different points will be mainly described.
여기서, 도 15a 및 도 15b는 본 발명에 따른 태양 전지에 제1, 2 도전성 배선(P141, P142)이 복수 개의 와이어로 형성될 경우를 설명하기 위한 도이다. 여기서, 도 15a은 태양 전지의 일부 사시도를 도시한 것이고, 도 15b는 도 15a에 도시된 태양 전지의 후면에 형성된 제1, 2 전극(C141, C142)의 패턴을 도시한 것이다.Here, FIGS. 15A and 15B are diagrams for explaining a case in which the first and second conductive wirings P141 and P142 are formed of a plurality of wires in the solar cell according to the present invention. Here, FIG. 15A shows a partial perspective view of the solar cell, and FIG. 15B shows the patterns of the first and second electrodes C141 and C142 formed on the rear surface of the solar cell shown in FIG. 15A.
도 16은 도 15b와 같은 태양 전지의 후면에 제1, 2 도전성 배선(P141, P142)을 접속시킨 평면을 도시한 것이고, 도 17은 도 16에서 17-17 라인에 따른 단면을 도시한 것이다.FIG. 16 is a plan view showing the first and second conductive wires P141 and P142 connected to the rear surface of the solar cell as shown in FIG. 15B, and FIG. 17 is a cross-sectional view taken along line 17-17 in FIG. 16.
도 15a에 도시된 바와 같이, 태양 전지의 제3 실시예는 반사 방지막(130), 반도체 기판(110), 에미터부(121), 후면 전계부(172), 및 복수의 제1, 2 전극(C141, C142)을 포함할 수 있다.As shown in FIG. 15A, the third embodiment of the solar cell includes an
아울러, 복수의 제1, 2 전극(C141, C142)은 도 15b에 도시된 바와 같이, 서로 교번되어 제1 방향(x)으로 길게 뻗어 형성될 수 있다. 여기서, 반사 방지막(130), 반도체 기판(110), 에미터부(121), 후면 전계부(172) 및 복수의 제1, 2 전극(C141, C142)에 대한 설명은 앞선 도 4 내지 도 8c에서 설명한 바와 동일할 수 있다.In addition, the plurality of first and second electrodes C141 and C142 may be alternately formed to extend in the first direction x, as shown in FIG. 15B. Here, a description of the
제1, 2 도전성 배선(P141, P142)은 앞선 도 4 내지 도 8c에서 설명한 바와 다르게, 도 16에 도시된 바와 같이, 복수 개의 와이어나 리본(ribbon) 형태로 구비될 수 있다.The first and second conductive wires P141 and P142 may be provided in the form of a plurality of wires or ribbons, as shown in FIG. 16, differently from those described in FIGS. 4 to 8C.
여기서, 복수 개의 와이어 형태로 구비된 제1, 2 도전성 배선(P141, P142) 각각은 도 16에 도시된 바와 같이, 태양 전지의 후면에 형성되는 제1, 2 전극(C141, C142)의 길이 방향과 교차하는 방향인, 제2 방향(y)으로 길게 배치되어 형성될 수 있다. Here, each of the first and second conductive wires P141 and P142 provided in the form of a plurality of wires is a longitudinal direction of the first and second electrodes C141 and C142 formed on the rear surface of the solar cell, as shown in FIG. 16. It may be formed to be elongated in the second direction y, which is a direction intersecting with.
이때, 제1, 2 도전성 배선(P141, P142)과 각 제1, 2 전극(C141, C142)은 서로 교차하여 중첩되는 부분 중에서 서로 인접하는 태양 전지의 직렬 연결을 위하여 필요한 부분에서 서로 접속되거나 절연될 수 있다.At this time, the first and second conductive wires (P141, P142) and the first and second electrodes (C141, C142) are intersected and insulated from each other at a part necessary for serial connection of adjacent solar cells among overlapping parts. Can be.
이때, 제1, 2 도전성 배선(P141, P142)은 각 제1, 2 전극(C141, C142)에 전극 접착제(ECA)에 의해 접속될 수 있다. 여기서, 전극 접착제(ECA)의 재질은 도 4 내지 도 8c에서 설명한 바와 동일할 수 있다.In this case, the first and second conductive wires P141 and P142 may be connected to each of the first and second electrodes C141 and C142 by an electrode adhesive ECA. Here, the material of the electrode adhesive ECA may be the same as described in FIGS. 4 to 8C.
아울러, 제1, 2 도전성 배선(P141, P142)과 각 제1, 2 전극(C141, C142) 사이는 절연층(IL)에 의해 절연될 수 있다. 여기서, 절연층(IL)은 도 4 내지 도 8c에서 설명한 바와 동일할 수 있다.In addition, between the first and second conductive wires P141 and P142 and each of the first and second electrodes C141 and C142 may be insulated by the insulating layer IL. Here, the insulating layer IL may be the same as described in FIGS. 4 to 8C.
서로 바로 인접한 두 개의 태양 전지에 접속된 제1, 2 도전성 배선(P141, P142)은 별도의 인터커넥터(미도시)를 통해 서로 직렬 연결될 수도 있고, 별도의 인터커넥터(미도시) 없이 바로 연결될 수도 있다.The first and second conductive wires P141 and P142 connected to the two solar cells immediately adjacent to each other may be connected in series to each other through separate interconnectors (not shown), or may be directly connected without a separate interconnector (not shown). have.
즉, 어느 한 태양 전지의 제1 전극(C141)에 접속된 제1 도전성 배선(P141)은 바로 인접한 태양 전지의 제2 전극(C142)에 접속된 제2 도전성 배선(P142)에 별도의 인터커넥터(미도시)를 통해 전기적으로 직렬 연결될 수도 있고, 또한 이와 다르게, 어느 한 태양 전지의 제1 전극(C141)에 접속된 제1 도전성 배선(P141)은 별도의 인터커넥터(미도시) 없이, 바로 인접한 태양 전지의 제2 전극(C142)에 접속될 수도 있다.That is, the first conductive wire P141 connected to the first electrode C141 of one solar cell is a separate interconnector to the second conductive wire P142 connected to the second electrode C142 of the adjacent solar cell. The first conductive wiring P141 connected to the first electrode C141 of any one solar cell may be electrically connected in series through (not shown), and, alternatively, without a separate interconnector (not shown), It may be connected to the second electrode C142 of an adjacent solar cell.
이와 같이, 복수 개의 와이어 형태로 구비되는 제1, 2 도전성 배선(P141, P142)은 도 17에 도시된 바와 같이, 제1 방향(x)을 따라 그루브가 형성될 수 있다.In this way, the first and second conductive wires P141 and P142 provided in the form of a plurality of wires may have grooves formed along the first direction x, as shown in FIG. 17.
구체적으로, 도 17에 도시된 바와 같이, 제1 도전성 배선(P141)에서 제1 전극(C141)과 접속하는 부분의 높이가 제2 전극(C142)과 절연되는 부분의 높이보다 낮게 형성되어, 제1 도전성 배선(P141)에는 물결 무늬 형태의 그루브가 형성될 수 있으며, 제2 도전성 배선(P142)에서도 제2 전극(C142)과 접속하는 부분의 높이가 제1 전극(C141)과 절연되는 부분의 높이보다 낮게 형성되어, 제2 도전성 배선(P142)에도 물결 무늬 형태의 그루브가 형성될 수 있다.Specifically, as shown in FIG. 17, the height of the portion of the first conductive wiring P141 connected to the first electrode C141 is lower than the height of the portion insulated from the second electrode C142, 1 A wave-patterned groove may be formed in the conductive wiring P141, and the height of the portion connected to the second electrode C142 in the second conductive wiring P142 is equal to that of the portion insulated from the first electrode C141. Since it is formed lower than the height, the groove in the form of a wave pattern may be formed in the second conductive wiring P142 as well.
아울러, 도 17에서는 반도체 기판(110)에는 그루브가 형성되지 않은 것으로 도시되어 있지만, 반도체 기판(110)에도 제1, 2 도전성 배선(P141, P142)과 같이 제1 방향(x)을 따라 그루브가 형성될 수 있다.In addition, although it is shown that the groove is not formed in the
이와 같이, 제1, 2 도전성 배선(P141, P142)의 그루브는 앞선 도 12a에서 설명한 바와 유사한 방법으로 태양 전지를 제조함으로써 형성될 수 있다.In this way, the grooves of the first and second conductive wirings P141 and P142 may be formed by manufacturing the solar cell in a similar manner as described in FIG. 12A.
도 18은 제3 실시예에 따른 태양 전지를 제조하는 방법의 일례에 대해 설명하기 위한 도이다.18 is a view for explaining an example of a method of manufacturing a solar cell according to the third embodiment.
도 18에 도시된 바와 같이, 제1, 2 도전성 배선(P141, P142)의 그루브는 반도체 기판(110)의 후면에 제1 방향(x)으로 형성된 복수 개의 제1, 2 전극(C141, C142) 위에 제1, 2 도전성 배선(P141, P142)을 제2 방향(y)으로 길게 배치시킨 후에, 반도체 기판(110)의 후면을 영역별로 선택적으로 열처리 함으로써 형성될 수 있다.As shown in FIG. 18, the grooves of the first and second conductive wires P141 and P142 are formed in the first direction x on the rear surface of the
이때, 열처리 단계는 반도체 기판(110)의 제1 영역(TS1)을 열처리하는 제1 영역(TS1) 열처리 단계, 반도체 기판(110)에서 제1 영역(TS1)과 가장 멀리 이격된 제2 영역(TS2)을 열처리 하는 제2 영역(TS2) 열처리 단계를 포함하고, 아울러, 제1, 2 영역 열처리 단계 이후, 제1 영역(TS1)과 제2 영역(TS2) 사이에 위치하는 제3 영역(TS3)을 열처리 하는 제3 영역(TS3) 열처리 단계를 포함할 수 있다.In this case, the heat treatment step is a heat treatment step of the first region TS1 for heat treatment of the first region TS1 of the
이와 같은 방법으로 열처리 단계를 수행함으로써, 열처리 단계에 의해 반도체 기판(110)의 밴딩 정도를 최소화할 수 있다.By performing the heat treatment step in this way, it is possible to minimize the degree of bending of the
이상의 설명은 본 발명의 기술 사상을 예시적으로 설명한 것에 불과한 것으로서, 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 본 발명의 본질적인 특성에서 벗어나지 않는 범위 내에서 다양한 수정, 변경 및 치환이 가능할 것이다. 따라서, 본 발명에 개시된 실시예 및 첨부된 도면들은 본 발명의 기술 사상을 한정하기 위한 것이 아니라 설명하기 위한 것이고, 이러한 실시예 및 첨부된 도면에 의하여 본 발명의 기술 사상의 범위가 한정되는 것은 아니다. 본 발명의 보호 범위는 아래의 청구범위에 의하여 해석되어야 하며, 그와 동등한 범위 내에 있는 모든 기술 사상은 본 발명의 권리범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.The above description is merely illustrative of the technical idea of the present invention, and those of ordinary skill in the technical field to which the present invention belongs can make various modifications, changes, and substitutions within the scope not departing from the essential characteristics of the present invention. will be. Accordingly, the embodiments disclosed in the present invention and the accompanying drawings are not intended to limit the technical idea of the present invention, but to explain, and the scope of the technical idea of the present invention is not limited by these embodiments and the accompanying drawings. . The scope of protection of the present invention should be interpreted by the following claims, and all technical ideas within the scope equivalent thereto should be interpreted as being included in the scope of the present invention.
Claims (21)
상기 반도체 기판의 후면에 서로 이격되어 배치되는 복수의 제1 전극과 복수의 제2 전극;
상기 복수의 제1 전극과 접속하는 제1 도전성 배선; 및
상기 복수의 제2 전극과 접속하는 제2 도전성 배선;을 포함하고,
상기 반도체 기판 또는 상기 제1, 2 도전성 배선 각각에는 복수의 그루브(groove)가 형성되고,
상기 복수의 제1, 2 전극은 제1 방향으로 길게 연장되고,
상기 복수의 그루브는 각각 상기 반도체 기판의 전면 및 후면에 동일한 패턴으로 형성되거나, 상기 제1, 2 도전성 배선 각각의 전면 및 후면에 동일한 패턴으로 형성되는 태양 전지.A semiconductor substrate;
A plurality of first electrodes and a plurality of second electrodes disposed to be spaced apart from each other on the rear surface of the semiconductor substrate;
A first conductive wiring connected to the plurality of first electrodes; And
Including; a second conductive wiring connected to the plurality of second electrodes,
A plurality of grooves are formed in each of the semiconductor substrate or the first and second conductive wires,
The plurality of first and second electrodes are elongated in a first direction,
The plurality of grooves are formed in the same pattern on the front and rear surfaces of the semiconductor substrate, respectively, or are formed in the same pattern on the front and rear surfaces of the first and second conductive lines, respectively.
상기 제1, 2 도전성 배선 각각은 하나의 통전극으로 형성되며,
상기 하나의 통전극으로 형성된 제1 도전성 배선 및 상기 하나의 통전극으로 형성된 제2 도전성 배선 각각에는 상기 복수의 제1, 2 전극의 길이 방향과 동일한 길이 방향을 갖는 상기 복수의 그루브가 형성되는 태양 전지.The method of claim 1,
Each of the first and second conductive wires is formed of one conductive electrode,
The plurality of grooves having the same length direction as that of the plurality of first and second electrodes are formed in each of the first conductive wiring formed by the one conductive electrode and the second conductive wiring formed by the one conductive electrode battery.
상기 제1 도전성 배선에서 상기 복수의 그루브가 형성되어 상기 반도체 기판 방향으로 돌출된 부분이 상기 복수의 제1 전극에 접속되는 태양 전지.The method of claim 4,
A solar cell in which the plurality of grooves are formed in the first conductive wiring and a portion protruding toward the semiconductor substrate is connected to the plurality of first electrodes.
상기 제2 도전성 배선에서 상기 복수의 그루브가 형성되어 반도체 기판 방향으로 돌출된 부분이 상기 복수의 제2 전극에 접속되는 태양 전지.The method of claim 4,
A solar cell in which the plurality of grooves are formed in the second conductive wiring and a portion protruding toward the semiconductor substrate is connected to the plurality of second electrodes.
상기 제1 도전성 배선은
상기 제1 전극과 연결되는 제1 접속부와
일단이 상기 제1 접속부의 끝단에 연결되며, 타단이 인터커넥터와 접속되는 제1 패드부를 포함하고,
상기 제2 도전성 배선은
상기 제2 전극과 연결되는 제2 접속부와
일단이 상기 제2 접속부의 끝단에 연결되며, 타단이 인터커넥터와 접속되는 제2 패드부를 포함하는 태양 전지.The method of claim 1,
The first conductive wiring is
A first connection part connected to the first electrode,
One end is connected to the end of the first connection part, and the other end includes a first pad part connected to the interconnector,
The second conductive wiring is
A second connection part connected to the second electrode,
A solar cell including a second pad part having one end connected to the end of the second connection part and the other end connected to the interconnector.
상기 제1 도전성 배선과 상기 제2 도전성 배선은 절연성 부재의 전면에 구비되는 태양 전지.The method of claim 7,
The first conductive wiring and the second conductive wiring are provided on a front surface of an insulating member.
상기 절연성 부재와 상기 반도체 기판은 각각 낱개로 접속되어 하나의 개별 소자로 형성되는 태양 전지.The method of claim 8,
The insulating member and the semiconductor substrate are individually connected to each other to form a single individual element.
상기 제1, 2 접속부 각각은 복수 개로 형성되어 상기 제1 방향으로 뻗어 있으며,
상기 제1 패드부는 상기 복수 개의 제1 접속부 끝단에 상기 제1 방향과 교차하는 제2 방향으로 연결되고,
상기 제2 패드부는 상기 복수 개의 제1 접속부 끝단에 상기 제2 방향으로 연결되는 태양 전지.The method of claim 9,
Each of the first and second connecting portions is formed in a plurality and extends in the first direction,
The first pad part is connected to ends of the plurality of first connection parts in a second direction crossing the first direction,
The second pad part is connected to the ends of the plurality of first connection parts in the second direction.
상기 반도체 기판에는 상기 제2 방향으로 길게 뻗은 그루브가 상기 제1 방향으로 복수 개 형성되는 태양 전지.The method of claim 10,
A solar cell in which a plurality of grooves extending in the second direction are formed in the first direction in the semiconductor substrate.
상기 절연성 부재에는 상기 제2 방향으로 길게 뻗은 그루브가 상기 제1 방향으로 복수 개 형성되는 태양 전지. The method of claim 10,
A solar cell in which a plurality of grooves extending in the second direction are formed in the first direction in the insulating member.
상기 복수 개의 제1, 2 접속부에는 상기 반도체 기판에 형성된 복수의 그루브에 의해 물결 무늬 형태의 그루브가 형성되는 태양 전지.The method of claim 10,
A solar cell in which a wave pattern-shaped groove is formed in the plurality of first and second connection portions by a plurality of grooves formed in the semiconductor substrate.
상기 제1, 2 도전성 배선 각각은 복수 개의 와이어 형태로 구비되는 태양 전지.The method of claim 1,
Each of the first and second conductive wires is provided in the form of a plurality of wires.
상기 복수 개의 와이어 형태로 구비되는 상기 제1, 2 도전성 배선의 길이 방향은 상기 제1 방향과 교차하는 제2 방향으로 뻗어 있는 태양 전지.The method of claim 14,
A solar cell in which a length direction of the first and second conductive wiring provided in the form of a plurality of wires extends in a second direction crossing the first direction.
상기 복수 개의 와이어 형태로 구비되는 상기 제1, 2 도전성 배선에는 상기 제2 방향으로 복수 개의 그루브가 형성되는 태양 전지.The method of claim 15,
A solar cell in which a plurality of grooves are formed in the second direction in the first and second conductive wires provided in the form of a plurality of wires.
상기 반도체 기판의 후면에 상기 절연성 부재를 얼라인하여 배치하는 단계;
상기 반도체 기판과 상기 절연성 부재에 열처리 공정을 수행하여 상기 반도체 기판의 후면에 상기 절연성 부재를 접속시키는 열처리 단계;를 포함하고,
상기 열처리 단계는 상기 절연성 부재를 복수의 영역으로 구획하고, 구획된 영역별로 열처리 공정을 선택적으로 수행하여, 상기 반도체 기판의 전면 및 후면에 동일한 패턴의 그루브를 형성하거나, 상기 제1, 2 도전성 배선 각각의 전면 및 후면에 동일한 패턴의 그루브를 형성하는 태양 전지 제조 방법.Preparing a semiconductor substrate on which a plurality of first and second electrodes are formed on a rear surface and an insulating member on which first and second conductive lines are formed on a front surface; And
Aligning and disposing the insulating member on a rear surface of the semiconductor substrate;
A heat treatment step of performing a heat treatment process on the semiconductor substrate and the insulating member to connect the insulating member to the rear surface of the semiconductor substrate; and
In the heat treatment step, the insulating member is divided into a plurality of regions, and a heat treatment process is selectively performed for each of the partitioned regions to form grooves of the same pattern on the front and rear surfaces of the semiconductor substrate, or the first and second conductive wirings A solar cell manufacturing method in which grooves of the same pattern are formed on the front and rear surfaces of each.
상기 열처리 단계는 상기 절연성 부재의 제1 영역을 열처리하는 제1 영역 열처리 단계와 상기 절연성 부재에서 상기 제1 영역과 가장 멀리 이격된 제2 영역을 열처리 하는 제2 영역 열처리 단계를 포함하는 태양 전지 제조 방법.The method of claim 17,
The heat treatment step includes a first region heat treatment step of heat-treating a first region of the insulating member and a second region heat treatment step of heat treatment of a second region farthest from the first region in the insulating member. Way.
상기 제1 영역은 상기 절연성 부재의 영역 중에서 상기 제1, 2 전극의 어느 한 끝단과 중첩되는 영역이고,
상기 제2 영역은 상기 절연성 부재의 영역 중에서 상기 제1, 2 전극의 나머지 한 끝단과 중첩되는 영역인 태양 전지 제조 방법.The method of claim 18,
The first region is a region overlapping with one end of the first and second electrodes among regions of the insulating member,
The second region is a region of the insulating member that overlaps with the other ends of the first and second electrodes.
상기 열처리 단계는 상기 제1 영역 열처리 단계와 상기 제2 영역 열처리 단계를 순차적으로 수행하는 태양 전지 제조 방법.The method of claim 18,
The heat treatment step is a solar cell manufacturing method in which the first region heat treatment step and the second region heat treatment step are sequentially performed.
상기 열처리 단계는
상기 제1, 2 영역 열처리 단계 이후, 상기 제1 영역과 상기 제2 영역 사이에 위치하는 제3 영역을 열처리 하는 제3 영역 열처리 단계;를 더 포함하는 태양 전지 제조 방법.The method of claim 18,
The heat treatment step
After the first and second region heat treatment steps, a third region heat treatment step of heat treatment of a third region positioned between the first region and the second region; and a solar cell manufacturing method further comprising.
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