KR102184561B1 - 전자부품 및 전자부품 실장기판 - Google Patents

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Abstract

본 개시는 유전물질 및 상기 유전물질에 매립된 내부전극을 포함하는 바디, 상기 내부전극과 연결되며 상기 바디 상에 배치된 외부전극, 상기 외부전극과 연결되며 상기 바디의 일 측에 배치된 제 1 기판, 및 상기 제 1 기판과 연결되며 상기 제 1 기판의 일 측에 배치된 제 2 기판을 포함하며, 상기 제 1 및 제 2 기판은 영률(Young' modulus)이 상이한 전자부품 및 상기 전자부품 실장 기판에 관한 것이다.

Description

전자부품 및 전자부품 실장기판{ELECTRONIC COMPONENT AND BOARD HAVING THE SAME}
본 개시는 회로기판에 실장 되는 소형 전자부품에 관한 것이다.
커패시터, 인턱터, 압전체 소자, 바리스터 또는 서미스터 등의 소형 전자부품은 보통 유전물질로 이루어진 바디, 상기 바디 내부에 배치된 내부전극 및 상기 내부전극과 접속되도록 바디 표면에 배치된 외부전극을 구비한다. 이들 전자부품 중 적층 세라믹 커패시터(MLCC: Multi Layer Ceramic Capacitor)는 소형이면서도 고용량이 보장되고 실장이 용이하다는 장점으로 인하여 컴퓨터, PDA, 휴대폰 등의 이동 통신장치의 전자부품으로서 널리 사용되고 있다.
일반적으로, 적층 세라믹 커패시터는 회로기판의 실장 패드 상에 솔더링을 통하여 실장되며, 이를 통하여 다른 외부 회로와 전기적으로 연결된다. 이때, 강 유전물질을 재료로 사용하는 적층 세라믹 커패시터는 압전 현상에 의하여 진동이 발생할 수 있다. 상기 적층 세라믹 커패시터의 진동은 솔더를 통하여 적층 세라믹 커패시터가 실장된 회로기판에 전달될 수 있으며, 그 결과 진동음(acoustic noise)이 발생할 수 있다. 상기 진동음은 일부 전자제품에서 심각하게 문제되고 있다.
본 개시의 여러 목적 중 하나는 회로기판 실장에 따라 발생하는 진동음을 저감할 수 있는 새로운 구조의 전자부품을 제공하는 것이다.
본 개시를 통하여 제안하는 여러 해결 수단 중 하나는 전자부품의 바디와 회로기판 사이에 상기 전자부품의 바디에서 발생하는 진동을 저감시켜줄 수 있는 영률(Young' modulus)이 상이한 복수의 기판을 도입하는 것이다.
본 개시의 여러 효과 중 일 효과로서 회로기판 실장에 따라 발생하는 진동음을 저감할 수 있는 새로운 구조의 전자부품을 제공할 수 있다.
도 1은 일례에 따른 전자부품을 개략적으로 나타낸 사시도다.
도 2는 도 1의 전자부품의 개략적인 A-A'면 절단 단면도다.
도 3은 도 2의 전자부품의 변형예를 보여주는 개략적인 X 영역 확대도다.
도 4는 일례에 따른 전자부품 실장기판을 개략적으로 나타낸 사시도다.
도 5는 도 4의 전자부품 실장기판의 개략적인 B-B'면 절단 단면도다.
도 6은 다른 일례에 따른 전자부품을 개략적으로 나타낸 사시도다.
도 7은 도 6의 전자부품의 개략적인 C-C'면 절단 단면도다.
도 8은 도 7의 전자부품의 변형예를 보여주는 개략적인 Y 영역 확대도다.
도 9는 다른 일례에 따른 전자부품 실장기판을 개략적으로 나타낸 사시도다.
도 10은 도 9의 전자부품 실장기판의 개략적인 D-D'면 절단 단면도다.
도 11은 전자부품 실장기판의 진동음 발생 메카니즘을 개략적으로 나타낸다.
도 12는 본 개시에 따른 전자부품의 진동음 저감 효과를 나타낸다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 개시에 대해 설명한다. 도면에서 요소들의 형상 및 크기 등은 보다 명확한 설명을 위해 과장되거나 축소될 수 있다.
한편, 설명의 편의상 전자부품을 적층 세라믹 커패시터 구조를 기초로 설명하지만, 본 개시가 반드시 이에 한정되는 것은 아니며, 진동이 발생하는 다양한 종류의 소형 전자부품에도 적용될 수 있음은 물론이다.
도 1은 일례에 따른 전자부품을 개략적으로 나타내는 사시도 이다.
도 2는 도 1의 전자부품의 개략적인 A-A'면 절단 단면도 이다.
도면을 참조하면, 일례에 따른 전자부품(1A)은 유전물질(15) 및 상기 유전물질(15)에 매립된 내부전극(11, 12)을 포함하는 바디(10), 상기 내부전극(11, 12)과 연결되며 상기 바디(10) 상에 배치된 외부전극(21, 22), 상기 외부전극(21, 22)과 연결되며 상기 바디(10)의 일 측에 배치된 고(高) 영률 기판(30), 및 상기 제 1 기판(30)과 연결되며 상기 고 영률 기판(30)의 일 측에 배치된 저(低) 영률 기판(40)을 포함한다.
바디(10)의 형상에는 특별한 제한이 있는 것은 아니며, 예를 들면 도시된 바와 같이 육면체 형상으로 이루어질 수 있다. 예를 들면, 바디(10)는 제 1 방향으로 대향하는 제 1 면(10a) 및 제 2 면(10b), 제 2 방향으로 대향하며 상기 제 1 면 및 제 2 면을 연결하는 제 3 면(10c) 및 제 4 면(10d), 제3 방향으로 대향하며 제 1 면 및 제2 면을 연결하는 제 5 면(10e) 및 제 6 면(10f)을 가질 수 있다. 이때, 소성 과정에서 유전물질의 소성 수축으로 인하여 바디(10)이 완전한 직선을 가진 육면체 형상을 가지지는 못하나, 실질적으로 육면체 형상을 가질 수는 있다.
바디(10)는 유전물질(15), 예를 들면, 복수의 유전체층으로 구성된다. 복수의 유전체층은 소성된 상태로써, 인접하는 유전체층끼리의 경계는 확인할 수 없을 정도로 일체화되어 있을 수 있다. 유전체층은 높은 유전율을 갖는 세라믹 분말로 형성될 수 있으며, 상기 세라믹 분말은 예를 들면 티탄산바륨(BaTiO3)계 분말, 티탄산스트론튬(SrTiO3)계 분말 등을 사용할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니며, 다른 공지의 세라믹 분말을 이용할 수도 있음은 물론이다. 바디(10)는 이러한 세라믹 분말을 포함하는 슬러리를 캐리어 필름(carrier film)상에 도포 및 건조하여 복수 개의 세라믹 그린 시트를 마련한 후 각각의 그린 시트 상에 소정 두께로 도전성 금속을 포함하는 도전성 페이스트를 인쇄하여 내부전극(11, 12)을 형성한 후 적층하고, 이러한 적층체의 상부 및 하부에는 내부전극(11, 12)이 인쇄되지 않은 그린 시트를 적층한 후, 이들을 소성하는 방법으로 형성할 수 있다.
바디(10)의 내부에는 유전물질(15)에 매립된 복수의 내부전극(11, 12)이 배치된다. 복수의 내부전극(11, 12)은 상술한 바와 같이 유전체층 상에 소정 두께로 도전성 금속을 포함하는 도전성 페이스트를 인쇄하여 형성될 수 있으며, 그 사이에 배치된 유전체층에 의해 서로 전기적으로 절연될 수 있다. 도전성 금속은 니켈(Ni), 구리(Cu), 팔라듐(Pd), 또는 이들의 합금 등일 수 있으나, 물론 이에 한정되는 것은 아니다.
복수의 내부전극(11, 12)은 제 1 내부전극(11) 및 제 2 내부전극(12)을 포함하는 것일 수 있으며, 이들은, 예를 들면, 유전물질(15)을 사이에 두고 바디(10)의 제 1 방향의 제 1 면(10a) 및 제 2 면(10b)을 통하여 번갈아 노출되도록 배치될 수 있다. 제 1 내부전극(11) 및 제 2 내부전극(12)은 제 1 외부전극(21) 및 제 2 외부전극(22)과 각각 연결될 수 있다. 제 1 내부전극(11) 및 제 2 내부전극(12)은 서로 중첩되어 용량을 형성할 수 있다. 제 1 내부전극(11) 및 제 2 내부전극(12)은 각각 제 1 외부전극(21) 및 제 2 외부전극(22)를 통하여 반대 극성의 전압이 인가될 수 있다. 다만, 이러한 배치 형태는 예시에 불과하며, 내부전극의 배치 형태가 반드시 이에 한정되는 것은 아니다. 즉, 공지의 다른 형태로 배치될 수도 있음은 물론이다.
바디(10)의 외부에는 내부전극(11, 12)과 연결되는 외부전극(21, 22)이 배치된다. 외부전극(21, 22)은, 예를 들면, 구리(Cu) 분말을 함유하는 도전성 페이스트를 바디(10)의 표면에 도포하여 형성될 수 있다. 외부전극(21, 22)는 복수의 금속 전극층으로 구성될 수도 있으며, 예를 들면, 구리(Cu)를 주성분으로 하는 기초 전극 상에, 니켈(Ni) 도금층 및 주석(Sn) 도금층을 형성한 것일 수도 있다. 또한, 도금층 상에는 수지 조성물을 도포한 후 이를 경화하여 수지 전극층을 형성할 수도 있다. 수지 조성물은 도전성 분말과 베이스 수지를 포함할 수 있으며, 이에 한정되는 것은 아니나 베이스 수지는 열경화성 수지인 에폭시 수지일 수 있다.
외부전극(21, 22)은 바디(10)상에 서로 이격되어 배치된 제 1 외부전극(21) 및 제 2 외부전극(22)을 포함하는 것일 수 있으며, 이들은, 예를 들면, 각각 바디(10)의 제 1 방향의 제 1 면(10a) 및 제 2 면(10b)을 덮도록 배치될 수 있다. 제 1 외부전극(21) 및 제 2 외부전극(22)은 제 1 내부전극(11) 및 제 2 내부전극(12)과 각각 연결될 수 있다. 제 1 내부전극(11) 및 제 2 내부전극(12)은 각각 제 1 외부전극(21) 및 제 2 외부전극(22)를 통하여 반대 극성의 전압이 인가될 수 있다. 다만, 이러한 배치 형태는 예시에 불과하며, 외부전극(21, 22)의 배치 형태가 반드시 이에 한정되는 것은 아니다. 즉, 공지의 다른 형태로 배치될 수도 있음은 물론이다.
고(高) 영률 기판(30)은 1차적으로 바디(10)의 진동을 억제하기 위한 것으로, 높은 영률을 갖는 물질, 예를 들면, 세라믹 물질로 구성된다. 높은 영률을 갖는 물질은 강성이 우수하기 때문에 바디(10)의 진동을 효과적으로 억제할 수 있다. 고(高) 영률 기판(30)의 영률은 대략 200 GPa 내지 400 GPa 정도일 수 있으며, 이러한 범위에서 바디(10)의 진동을 효과적으로 억제할 수 있다. 세라믹 물질로는, 예를 들면, 알루미나(alumina)가 사용될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니며, 높은 영률을 갖는 물질이라면 특별한 사정이 없는 한 적용이 가능하다.
저(低) 영률 기판(40)은 2차적으로 고(高) 영률 기판(30)으로부터 전달되는 진동을 흡수하기 위한 것으로, 낮은 영률을 갖는 물질, 예를 들면, 연성 물질로 구성된다. †F은 영률을 갖는 물질은 진동 흡수 효과가 우수하기 때문에 전자부품 실장 후 회로기판(100)으로 전달되는 바디(10)의 진동을 최소화할 수 있다. 저(低) 영률 기판(40)의 영률은 대략 3 GPa 내지 120 GPa 정도일 수 있으며, 이러한 범위에서 바디(10)의 진동을 효과적으로 흡수할 수 있다. 연성 물질로는, 예를 들면, 연성회로기판(FPCB)에 사용되는 물질들, 예컨대 폴리이미드(polyimide), 폴리에틸렌나프탈레이트(polyethylenenaphthalate) 등이 사용될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니며, 낮은 영률을 갖는 물질이라면 특별한 사정이 없는 한 적용이 가능하다.
한편, 단순히 고(高) 영률 기판(30) 만을 바디(10)와 회로기판(100) 사이에 배치하는 경우에는 고(高) 영률 기판(30)은 진동 흡수가 작기 때문에 바디(10)의 변위가 그대로 회로기판(100)에 전달될 수 있으며, 따라서 진동음 감소 효과가 미비하다. 반대로, 단순히 저(低) 영률 기판(40) 만을 사용하는 경우에는 저(低) 영률 기판(40)이 파동을 잘 전달하는 매질로만 작용하여 역시 진동음 감소 효과가 미비하다. 따라서, 바디(10)와 회로기판(100) 사이에 적어도 고(高) 영률 기판(30) 및 저(低) 영률 기판(40)을 함께 배치해야만 충분한 진동음 감소 효과를 가질 수 있다.
고(高) 영률 기판(30) 상에는 접합재(71, 72)를 통하여 외부전극(21, 22)과 연결된 접속전극(51, 52)이 배치될 수 있다. 접합재(71, 72)로는, 예를 들면, 주석(Sn)-안티몬(Sb) 합금, 주석(Sn)-은(Ag)-구리(Cu) 합금 등의 땜납이나, 도전성 접착제를 이용할 수 있다. 접속전극(51, 52)은, 예를 들면, 도전성 페이스트를 고(高) 영률 기판(30) 상에 도포하여 형성될 수 있다. 또는, 도전성 재료를 고(高) 영률 기판(30) 상에 도금하는 방법으로 형성될 수도 있다. 도금은 전해도금, 무전해도금 어느 것이든 적용 가능하다. 접속전극(51, 52)은 구리(Cu)를 포함하는 것일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니며, 도전성 물질이면 무엇이든 적용 가능하다.
접속전극(51, 52)은 고(高) 영률 기판(30) 상에 서로 이격되어 배치된 제 1 접속전극(51) 및 제 2 접속전극(52)을 포함하는 것일 수 있으며, 이들은, 예를 들면, 각각 고(高) 영률 기판(30)의 제 1 방향의 양 단부를 둘러싸도록 배치될 수 있다. 접합재(71, 72)는 각각 상기 제 1 접속전극(51) 및 제 2 접속전극(52)과 연결되는 제 1 접합재(71) 및 제 2 접합재(72)를 포함하는 것일 수 있다. 제 1 접속전극(51)은 제 1 접합재(71)을 통하여 제 1 외부전극(21)과 연결될 수 있으며, 제 2 접속전극(52)는 제 2 접합재(72)를 통하여 제 2 외부전극(22)과 연결될 수 있다. 다만, 이러한 배치 형태는 예시에 불과하며, 접속전극(51, 52)의 배치 형태가 반드시 이에 한정되는 것은 아니다. 즉, 외부전극(21, 22)의 배치 형태에 맞춰서 적절하게 변형될 수 있음은 물론이며, 경우에 따라서는 고(高) 영률 기판(30) 내에 매립된 형태일 수도 있다.
저(低) 영률 기판(40) 상에는 접합재(81, 82)를 통하여 접속전극(51, 52)과 연결된 접속전극(61, 62)이 배치될 수 있다. 접합재(81, 82)로는, 예를 들면, 주석(Sn)-안티몬(Sb) 합금, 주석(Sn)-은(Ag)-구리(Cu) 합금 등의 땜납이나, 도전성 접착제를 이용할 수 있다. 접속전극(61, 62)은, 예를 들면, 도전성 페이스트를 저(低) 영률 기판(40) 상에 도포하여 형성될 수 있다. 또는, 도전성 재료를 고 저(低) 영률 기판(40) 상에 도금하는 방법으로 형성될 수도 있다. 도금은 전해도금, 무전해도금 어느 것이든 적용 가능하다. 접속전극(61, 62)는 구리(Cu)를 포함하는 것일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니며, 도전성 물질이면 무엇이든 적용 가능하다.
접속전극(61, 62)은 저(低) 영률 기판(40) 상에 서로 이격되어 배치된 제 3 접속전극(61) 및 제 4 접속전극(62)을 포함하는 것일 수 있으며, 이들은, 예를 들면, 각각 저(低) 영률 기판(40)의 제 1 방향의 양 단부를 둘러싸도록 배치될 수 있다. 접합재(81, 82)는 각각 제 3 접속전극(61) 및 제 4 접속전극(62)과 연결되는 제 3 접합재(81) 및 제 4 접합재(82)를 포함하는 것일 수 있다. 제 3 접속전극(61)은 제 3 접합재(81)를 통하여 제 1 접속전극(51)과 연결될 수 있으며, 제 4 접속전극(62)은 제 4 접합재(82)를 통하여 제 2 접속전극(52)과 연결될 수 있다. 다만, 이러한 배치 형태는 예시에 불과하며, 접속전극(61, 62)의 배치 형태가 반드시 이에 한정되는 것은 아니다. 즉, 접속전극(51, 52)의 배치 형태에 맞춰서 적절하게 변형될 수 있음은 물론이며, 경우에 따라서는 저(低) 영률 기판(40) 내에 매립된 형태일 수도 있다.
도 3은 도 2의 전자부품의 변형예를 보여주는 개략적인 X 영역 확대도다.
도 3 (a)를 참조하면, 접속전극(51, 52)는 고(高) 영률 기판(30)을 관통하는 형태일 수도 있다. 예를 들면, 접속전극(51, 52)은 고(高) 영률 기판(30)을 관통하며 서로 이격되어 배치된 제 1 접속전극(51) 및 제 2 접속전극(52)을 포함하는 것일 수 있다. 또한, 접속전극(61, 62)은 저(低) 영률 기판(40)을 관통하는 형태일 수도 있다. 예를 들면, 접속전극(61, 62)은 저(低) 영률 기판(40)을 관통하며 서로 이격되어 배치된 제 3 접속전극(61) 및 제 4 접속전극(62)을 포함하는 것일 수 있다.
도 3 (b)를 참조하면, 고(高) 영률 기판(30) 및 저(低) 영률 기판(40)은 서로 접하는 것일 수도 있다. 이때, 이들 고(高) 영률 기판(30) 및 저(低) 영률 기판(40) 상에는 접합재(71, 72)를 통하여 외부전극(21, 22)과 연결되는 접속전극(51, 52)이 배치될 수 있다. 예를 들면, 접속전극(51, 52)은 고(高) 영률 기판(30) 및 저(低) 영률 기판(40) 상에 서로 이격되어 배치된 제 1 접속전극(51) 및 제 2 접속전극(52)을 포함하는 것일 수 있으며, 이들은, 예를 들면, 각각 고(高) 영률 기판(30) 및 저(低) 영률 기판(40)의 제 1 방향의 양 단부를 둘러싸도록 배치될 수 있다. 다만, 도 2에서와 같이 고(高) 영률 기판(30) 및 저(低) 영률 기판(40)이 이격되어 있는 경우가 상술한 메커니즘 관점에서 보다 바람직할 수 있다.
도 4는 일례에 따른 전자부품 실장기판을 개략적으로 나타내는 사시도 이다.
도 5는 도 4의 전자부품 실장기판의 개략적인 B-B'면 절단 단면도 이다.
도면을 참조하면, 일례에 따른 전자부품(1A) 실장기판은 전극패드(111, 112)를 갖는 회로기판(100) 및 상기 회로기판(100)의 전극패드(111, 112)를 통하여 회로기판(100)에 실장 된 전자부품(1A)을 포함한다.
일례에 따른 전자부품(1A) 실장기판은 전자부품(1A)의 바디(10)와 회로기판(100) 사이에 고(高) 영률 기판(30) 및 저(低) 영률 기판(40)이 배치된다. 구체적으로, 바디(10)와 저(低) 영률 기판(40) 사이에 고(高) 영률 기판(30)이 배치되고, 고(高) 영률 기판(30)과 회로기판(100) 사이에 저(低) 영률 기판(40)이 배치된다.
접속전극(61, 62)은 회로기판(100)의 전극패드(111, 112)와 접합재(121, 122)를 통하여 연결된다. 회로기판(100)의 전극패드(111, 112)는 도전성 물질, 예를 들면, 구리(Cu) 등을 포함하는 것일 수 있다. 접합재(121, 122)로는, 예를 들면, 주석(Sn)-안티몬(Sb) 합금, 주석(Sn)-은(Ag)-구리(Cu) 합금 등의 땜납이나, 도전성 접착제를 이용할 수 있다.
회로기판(100)의 전극패드(111, 112)는 회로기판 상에 또는 내에 서로 이격되어 배치된 제 1 전극패드(111) 및 제 2 전극패드(112)를 포함하는 것일 수 있다. 접합재(121, 122)는 제 1 전극패드(111)와 제 3 접속전극(61)을 연결하는 제 5 접합재(121) 및 제 2 전극패드(112)와 제 4 접속전극(62)를 연결하는 제 6 접합재(122)를 포함하는 것일 수 있다. 다만, 이러한 배치 형태는 예시에 불과하며, 전극패드(111, 112)의 배치 형태가 반드시 이에 한정되는 것은 아니다. 즉, 접속전극(61, 62)의 배치 형태에 맞춰서 적절하게 변형될 수 있음은 물론이다.
회로기판(100)은, 예를 들면, 전자제품의 메인보드, 패키지의 인터포저 기판 등일 수 있으며, 이에 한정되는 것은 아니며, 이 외에도 전자부품을 실장 할 수 있는 다양한 종류의 회로기판일 수 있음은 물론이다. 회로기판(100)의 구체적인 구성에 대해서는 생략한다.
도 6은 다른 일례에 따른 전자부품을 개략적으로 나타내는 사시도 이다.
도 7은 도 6의 전자부품의 개략적인 C-C'면 절단 단면도 이다.
도 8은 도 7의 전자부품의 변형예를 보여주는 개략적인 Y 영역 확대도다.
도면을 참조하면, 다른 일례에 따른 전자부품(1B)은 유전물질(15) 및 상기 유전물질(15)에 매립된 내부전극(11, 12)을 포함하는 바디(10), 상기 내부전극(11, 12)과 연결되며 상기 바디(10) 상에 배치된 외부전극(21, 22), 상기 외부전극(21, 22)과 연결되며 상기 바디(10)의 일 측에 배치된 저(低) 영률 기판(40), 및 상기 제 1 기판(30)과 연결되며 상기 저(低) 영률 기판(40)의 일 측에 배치된 고(高) 영률 기판(30)을 포함한다.
즉, 다른 일례에 따른 전자부품(1B)은 일례에 따른 전자부품(1A)와 달리 저(低) 영률 기판(40)이 바디(10) 측에 배치되며, 고(高) 영률 기판(30)이 회로기판(100) 측에 배치된다. 그 외의 다른 구성은 상술한 내용이 동일 또는 유사하게 적용될 수 있는바, 이에 대한 자세한 설명은 생략한다.
저(低) 영률 기판(40)은 1차적으로 바디(40)의 변위를 파동의 형태로 전환하기 위한 것으로, 상술한 바와 같이 낮은 영률을 갖는 물질, 예를 들면, 연성 물질로 구성된다. †F은 영률을 갖는 물질은 변형이 쉽게 일어나는바 바디(40)의 변위를 효과적으로 파동의 형태로 전환할 수 있다. 저(低) 영률 기판(40)의 영률은 상술한 바와 같이 대략 3 GPa 내지 120 GPa 정도일 수 있으며, 이러한 범위에서 바디(10)의 변위를 효과적으로 파동의 현태로 전환할 수 있다. 연성 물질로는, 예를 들면, 상술한 바와 같이 연성회로기판(FPCB)에 사용되는 물질들, 예컨대 폴리이미드(polyimide), 폴리에틸렌나프탈레이트(polyethylenenaphthalate) 등이 사용될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니며, 낮은 영률을 갖는 물질이라면 특별한 사정이 없는 한 적용이 가능하다.
고(高) 영률 기판(30)은 2차적으로 상기 저(低) 영률 기판(40)으로부터 전달되는 파동을 억제하기 위한 것으로, 높은 영률을 갖는 물질, 예를 들면, 세라믹 물질로 구성된다. 높은 영률을 갖는 물질은 강성이 우수하기 때문에 파동을 효과적으로 억제할 수 있다. 고(高) 영률 기판(30)의 영률은 상술한 바와 같이 대략 200 GPa 내지 400 GPa 정도일 수 있으며, 이러한 범위에서 파동을 효과적으로 억제할 수 있다. 세라믹 물질로는, 예를 들면, 상술한 바와 같이 알루미나(alumina)가 사용될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니며, 높은 영률을 갖는 물질이라면 특별한 사정이 없는 한 적용이 가능하다.
한편, 상술한 바와 같이 단순히 고(高) 영률 기판(30) 만을 바디(10)와 회로기판(100) 사이에 배치하는 경우에는 고(高) 영률 기판(30)은 진동 흡수가 작기 때문에 바디(10)의 변위가 그대로 회로기판(100)에 전달될 수 있으며, 따라서 진동음 감소 효과가 미비하다. 반대로, 단순히 저(低) 영률 기판(40) 만을 사용하는 경우에는 저(低) 영률 기판(40)이 파동을 잘 전달하는 매질로만 작용하여 역시 진동음 감소 효과가 미비하다. 따라서, 상술한 바와 같이 바디(10)와 회로기판(100) 사이에 적어도 고(高) 영률 기판(30) 및 저(低) 영률 기판(40)을 함께 배치해야만 충분한 진동음 감소 효과를 가질 수 있다.
도 9는 다른 일례에 따른 전자부품 실장기판을 개략적으로 나타낸 사시도다.
도 10은 도 9의 전자부품 실장기판의 개략적인 D-D'면 절단 단면도다.
도면을 참조하면, 다른 일례에 따른 전자부품(1B) 실장기판은 전극패드(111, 112)를 갖는 회로기판(100) 및 상기 회로기판(100)의 전극패드(111, 112)를 통하여 회로기판(100)에 실장 된 전자부품(1A)을 포함한다.
다른 일례에 따른 전자부품(1B) 실장기판 역시 전자부품(1A)의 바디(10)와 회로기판(100) 사이에 고(高) 영률 기판(30) 및 저(低) 영률 기판(40)이 배치된다. 다만, 바디(10)와 고(高) 영률 기판(30) 사이에 저(低) 영률 기판(40)이 배치되고, 저(低) 영률 기판(40)과 회로기판(100) 사이에 고(高) 영률 기판(30)이 배치된다.
즉, 다른 일례에 따른 전자부품(1B) 실장기판은 일례에 따른 전자부품(1A) 실장기판과 달리 저(低) 영률 기판(40)이 바디(10) 측에 배치되며, 고(高) 영률 기판(30)이 회로기판(100) 측에 배치된다. 그 외의 다른 구성은 상술한 내용이 동일하게 적용될 수 있는바, 이에 대한 자세한 설명은 생략한다.
도 11은 전자부품 실장기판의 진동음 발생 메카니즘을 개략적으로 나타낸다.
도면을 참조하면, 전자부품(301)의 진동(V1)은 도 9 (b) 또는 도 9 (C)의 형태일 수 있으며, 접합재(302)는 전자부품(301)의 진동(V1)을 회로기판(303)에 전달하는 매개체 역할을 수행한다. 따라서, 전자부품(301)의 진동(V1)이 회로기판(303)에 전달되어 회로기판(303) 진동(V2)에 의한 소음, 즉 진동음이 발생한다.
도 12는 본 개시에 따른 전자부품의 진동음 저감 효과를 나타낸다.
도면을 참조하면, 도 11 에서와 같이 고(高) 영률 기판 및 저(低) 영률 기판의 배치 없이 솔더링으로만 전자부품을 회로기판에 실장하는 경우 대비, 본 개시와 같이 고(高) 영률 기판 및 저(低) 영률 기판을 사이에 두고 전자부품을 회로기판에 실장하는 경우, 진동음 감소 효과가 매우 우수함을 알 수 있다. 특히, 5MHz 이상의 고주파 영역에서의 진동음 감소에 큰 효과를 보였다.
한편, 진동음 평가에 사용된 시료의 바디는 다음과 같이 제작되었다. 우선, 티탄산바륨(BaTiO3) 등의 파우더를 포함하여 형성된 슬러리를 캐리어 필름(carrier film)상에 도포 및 건조하여 제조된 복수 개의 세라믹 그린 시트를 마련하였으며, 이로써 유전체층을 형성하였다. 다음으로, 스크린을 이용하여 상기 그린 시트 상에 니켈 내부전극용 도전성 페이스트로 내부전극을 형성한 후 적층하고 세라믹 적층체를 만들었다. 상기 세라믹 적층체를 85?에서 1000kgf/cm2 압력조건으로 등압 압축성형(isostatic pressing) 하였다. 압착이 완료된 세라믹 적층체를 개별 칩의 형태로 절단하였고, 절단된 칩은 대기 분위기에서 230?, 60시간 유지하여 탈바인더를 진행하였다. 이후, 1200?에서 내부전극이 산화되지 않도록 Ni/NiO 평형 산소분압보다 낮은 10-11atm ~10-10atm의 산소분압하 환원분위기에서 소성하였다.
또한, 진동음 평가에 사용된 시료의 고(高) 영률 기판으로는 영률 300 GPa 정도, 두께 0.3 mm 정도의 판 형상의 알루미나를 사용하였으며, 저(低) 영률 기판으로는 영률 50 GPa 정도, 두께 0.2 mm 정도의 연성회로기판(FPCB)를 사용하였다. 또한, 기계적 및 전기적 연결은 솔더링을 통해 수행하였다.
또한, 진동음 평가에 사용된 시료 각각의 구성요소는 각각 도 3, 도 7, 및 도 9 에 도시한 바와 같은 형태로 배치하였다.
한편, 진동음은 12.5V의 DC 전압에 3Vpp의 펄스파를 인가하여 무향실에서 소음(진동음)을 측정하였다.
본 개시에서 연결된다는 의미는 직접 연결된 것뿐만 아니라, 접착제 층 등을 통하여 간접적으로 연결된 것을 포함하는 개념이다. 또한, 전기적으로 연결된다는 의미는 물리적으로 연결된 경우와 연결되지 않은 경우를 모두 포함하는 개념이다. 또한, 제1, 제2 등의 표현은 한 구성요소와 다른 구성요소를 구분 짓기 위해 사용되는 것으로, 해당 구성요소들의 순서 및/또는 중요도 등을 한정하지 않는다. 경우에 따라서는 권리범위를 벗어나지 않으면서, 제1 구성요소는 제2 구성요소로 명명될 수도 있고, 유사하게 제2 구성요소는 제1 구성요소로 명명될 수도 있다.
본 개시에서 사용된 일례 라는 표현은 서로 동일한 실시 예를 의미하지 않으며, 각각 서로 다른 고유한 특징을 강조하여 설명하기 위해서 제공된 것이다. 그러나, 상기 제시된 일례들은 다른 일례의 특징과 결합되어 구현되는 것을 배제하지 않는다. 예를 들어, 특정한 일례에서 설명된 사항이 다른 일례에서 설명되어 있지 않더라도, 다른 일례에서 그 사항과 반대되거나 모순되는 설명이 없는 한, 다른 일례에 관련된 설명으로 이해될 수 있다.
본 개시에서 사용된 용어는 단지 일례를 설명하기 위해 사용된 것으로, 본 개시를 한정하려는 의도가 아니다. 이때, 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다.
이상에서 본 발명의 실시 형태에 대하여 상세하게 설명하였지만 본 발명의 권리 범위는 이에 한정되는 것은 아니고, 청구 범위에 기재된 본 발명의 기술적 사항을 벗어나지 않는 범위 내에서 다양한 수정 및 변형이 가능 하다는 것은 당 기술 분야의 통상의 지식을 가진 자에게는 자명할 것이다.
10: 바디
11, 12: 내부전극
21, 22: 외부전극
30: 고(高) 영률 기판
40: 저(低) 영률 기판
51, 52, 61, 62: 접속전극
71, 72, 81, 82: 접합재
100: 회로기판
111, 112: 접속패드
121, 122: 접합재
301: 전자부품
302: 접합재
303: 회로기판

Claims (16)

  1. 유전물질 및 상기 유전물질에 매립된 내부전극을 포함하는 바디;
    상기 내부전극과 연결되며 상기 바디 상에 배치된 외부전극;
    상기 외부전극과 연결되며 제1 및 제2 접속 전극을 포함하고 상기 바디의 일 측에 배치된 제 1 기판; 및
    상기 제 1 기판과 연결되며 제3 및 제4 접속 전극을 포함하고 상기 제 1 기판의 일 측에 배치된 제 2 기판;
    을 포함하며, 상기 제 1 및 제 2 기판은 영률(Young' modulus)이 상이하고,
    상기 제1 접속 전극과 제3 접속 전극 사이에 배치되는 제3 접합재를 포함하고, 상기 제2 접속 전극과 제4 접속 전극 사이에 배치되는 제4 접합재를 포함하는 전자부품.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 1 기판은 상기 제 2 기판보다 높은 영률을 갖는,
    전자부품.
  3. 제 2 항에 있어서,
    상기 제 1 기판은 상기 바디의 진동을 억제하며,
    상기 제 2 기판은 상기 제 1 기판으로부터 전달되는 진동을 흡수하는,
    전자부품.
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 1 기판은 상기 제 2 기판보다 낮은 영률을 갖는,
    전자부품.
  5. 제 4 항에 있어서,
    상기 제 1 기판은 바디의 변위를 파동의 형태로 전환하고,
    상기 제 2 기판은 상기 제 1 기판으로부터 전달되는 파동을 억제하는,
    전자부품.
  6. 제 1 항에 있어서,
    상기 바디, 상기 제 1 기판, 및 상기 제 2 기판은 이 순서로 배치된,
    전자부품.
  7. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 1 및 제 2 기판 중 하나는 영률이 200 GPa 내지 400 GPa 이고,
    상기 제 1 및 제 2 기판 중 다른 하나는 영률이 3 GPa 내지 120 GPa 인,
    전자부품.
  8. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 1 및 제 2 기판 중 하나는 세라믹 물질을 포함하고,
    상기 제 1 및 제 2 기판 중 다른 하나는 연성 물질을 포함하는,
    전자부품.
  9. 제 1 항에 있어서,
    상기 외부전극은 제 1 외부전극 및 제 2 외부전극을 포함하며,
    상기 제 1 및 제 2 외부전극은 상기 바디 상에 서로 이격되어 배치된,
    전자부품.
  10. 제 9 항에 있어서,
    상기 바디는 복수의 유전체층 및 복수의 내부전극을 포함하며,
    상기 복수의 내부전극은 상기 제 1 및 제 2 외부전극과 각각 연결되며 상기 복수의 유전체층을 통하여 서로 이격되는 제 1 및 제 2 내부전극을 포함하는,
    전자부품.
  11. 제 9 항에 있어서,
    상기 전자부품은,
    상기 제 1 외부전극과 연결된 제 1 접속전극; 및
    상기 제 2 외부전극과 연결된 제 2 접속전극;
    을 더 포함하며,
    상기 제 1 및 제 2 접속전극은 상기 제 1 기판 상에 서로 이격되어 배치된,
    전자부품.
  12. 제 11 항에 있어서,
    상기 전자부품은,
    상기 제 1 접속전극과 연결된 제 3 접속전극; 및
    상기 제 2 접속전극과 연결된 제 4 접속전극;
    을 더 포함하며,
    상기 제 3 및 제 4 접속전극은 상기 제 2 기판 상에 서로 이격되어 배치된,
    전자부품.
  13. 제 9 항에 있어서,
    상기 전자부품은,
    상기 제 1 외부전극과 연결된 제 1 접속전극; 및
    상기 제 2 외부전극과 연결된 제 2 접속전극;
    을 더 포함하며,
    상기 제 1 및 제 2 접속전극은 상기 제 1 기판을 관통하며 서로 이격되어 배치된,
    전자부품.
  14. 제 13 항에 있어서,
    상기 전자부품은,
    상기 제 1 접속전극과 연결된 제 3 접속전극; 및
    상기 제 2 접속전극과 연결된 제 4 접속전극;
    을 더 포함하며,
    상기 제 3 및 제 4 접속전극은 상기 제 2 기판을 관통하며 서로 이격되어 배치된,
    전자부품.
  15. 제 9 항에 있어서,
    상기 전자부품은,
    상기 제 1 외부전극과 연결된 제 1 접속전극; 및
    상기 제 2 외부전극과 연결된 제 2 접속전극;
    을 더 포함하며,
    상기 제 1 및 제 2 접속전극은 상기 제 1 및 상기 제 2 기판 상에 서로 이격되어 배치된,
    전자부품.
  16. 전극패드를 갖는 회로기판; 및
    상기 회로기판의 전극패드를 통하여 회로기판에 실장된 전자부품;
    을 포함하며,
    상기 전자부품은 제 1 항 내지 제 15 항 중 어느 한 항의 전자부품이며,
    상기 제 1 기판은 상기 바디 및 상기 제 2 기판 사이에 배치되고,
    상기 제 2 기판은 상기 제 1 기판 및 상기 회로기판 사이에 배치된,
    전자부품 실장 기판.
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