KR102176875B1 - Novel compound and organic light emitting device comprising the same - Google Patents

Abstract

본 명세서는 신규한 화합물 및 이를 포함하는 유기 발광 소자를 제공한다. The present specification provides a novel compound and an organic light-emitting device including the same.

Description

신규한 화합물 및 이를 포함하는 유기 발광 소자{NOVEL COMPOUND AND ORGANIC LIGHT EMITTING DEVICE COMPRISING THE SAME}A novel compound and an organic light-emitting device including the same TECHNICAL FIELD [NOVEL COMPOUND AND ORGANIC LIGHT EMITTING DEVICE COMPRISING THE SAME}

본 명세서는 화학식 1로 표시되는 화합물 및 이를 포함하는 유기 발광 소자에 관한 것이다. The present specification relates to a compound represented by Chemical Formula 1 and an organic light-emitting device including the same.

본 출원은 2018년 2월 27일 한국특허청에 제출된 한국 특허 출원 제10-2018-0023621호의 출원일의 이익을 주장하며, 그 내용 전부는 본 명세서에 포함된다.This application claims the benefit of the filing date of the Korean Patent Application No. 10-2018-0023621 filed with the Korean Intellectual Property Office on February 27, 2018, the entire contents of which are incorporated herein.

일반적으로 유기 발광 현상이란 유기 물질을 이용하여 전기에너지를 빛에너지로 전환시켜주는 현상을 말한다. 유기 발광 현상을 이용하는 유기 발광 소자는 통상 양극과 음극 및 이 사이에 유기물층을 포함하는 구조를 가진다. 여기서 유기물층은 유기 발광 소자의 효율과 안정성을 높이기 위하여 각기 다른 물질로 구성된 다층의 구조로 이루어진 경우가 많으며, 예컨대 정공 주입층, 정공 수송층, 발광층, 전자 수송층, 전자 주입층 등으로 이루어 질 수 있다. 이러한 유기 발광 소자의 구조에서 두 전극 사이에 전압을 걸어주게 되면 양극에서는 정공이, 음극에서는 전자가 유기물층에 주입되게 되고, 주입된 정공과 전자가 만났을 때 엑시톤(exciton)이 형성되며, 이 엑시톤이 다시 바닥상태로 떨어질 때 빛이 나게 된다. In general, the organic light emission phenomenon refers to a phenomenon in which electrical energy is converted into light energy using an organic material. An organic light emitting device using the organic light emitting phenomenon has a structure including an anode, a cathode, and an organic material layer therebetween. Here, the organic material layer is often made of a multi-layered structure composed of different materials in order to increase the efficiency and stability of the organic light-emitting device.For example, it may be formed of a hole injection layer, a hole transport layer, a light emitting layer, an electron transport layer, an electron injection layer, and the like. In the structure of such an organic light-emitting device, when a voltage is applied between the two electrodes, holes are injected from the anode and electrons from the cathode are injected into the organic material layer, and excitons are formed when the injected holes and electrons meet. It glows when it falls back to the ground.

상기와 같은 유기 발광 소자를 위한 새로운 재료의 개발이 계속 요구되고 있다.Development of a new material for the organic light emitting device as described above is continuously required.

한국 등록특허공보 제10-1317923호Korean Patent Publication No. 10-1317923

본 명세서에는 화학식 1로 표시되는 화합물 및 이를 포함하는 유기 발광 소자가 기재된다. In the present specification, a compound represented by Chemical Formula 1 and an organic light emitting device including the same are described.

본 명세서의 일 실시상태는 하기 화학식 1로 표시되는 화합물을 제공한다. An exemplary embodiment of the present specification provides a compound represented by Formula 1 below.

[화학식 1] [Formula 1]

상기 화학식 1에 있어서,In Formula 1,

X는 수소; 또는 시아노기이고,X is hydrogen; Or a cyano group,

R은 치환 또는 비치환된 N을 적어도 하나 포함하는 헤테로고리기이며,R is a heterocyclic group containing at least one substituted or unsubstituted N,

Ar은 수소; 중수소; 치환 또는 비치환된 알킬기; 또는 치환 또는 비치환된 아릴기이며,Ar is hydrogen; heavy hydrogen; A substituted or unsubstituted alkyl group; Or a substituted or unsubstituted aryl group,

a는 0 내지 4의 정수이며,a is an integer from 0 to 4,

a가 2 이상인 경우, Ar은 서로 같거나 상이하다.When a is 2 or more, Ar is the same as or different from each other.

또한, 본 명세서의 일 실시상태는 제1 전극, 제2 전극, 및 상기 제1 전극과 제2 전극 사이에 배치된 1층 이상의 유기물층을 포함하는 유기 발광 소자로서, 상기 유기물층은 전술한 화학식 1으로 표시되는 화합물을 포함하는 것인 유기 발광 소자를 제공한다.In addition, an exemplary embodiment of the present specification is an organic light emitting device including a first electrode, a second electrode, and at least one organic material layer disposed between the first electrode and the second electrode, wherein the organic material layer is represented by Formula 1 above. It provides an organic light-emitting device comprising the compound to be displayed.

상기 화학식 1로 표시되는 화합물은 유기 발광 소자의 유기물층의 재료, 예를 들어 정공 주입, 정공 수송, 정공 주입과 정공 수송, 전자 차단, 발광, 정공 차단, 전자 수송 또는 전자 주입 재료로 사용될 수 있다. 적어도 하나의 실시상태에 따른 화학식 1의 화합물은 유기 발광 소자에서 효율, 구동 전압 및/또는 수명 특성을 향상시킬 수 있다.The compound represented by Formula 1 may be used as a material for the organic material layer of the organic light emitting device, for example, hole injection, hole transport, hole injection and hole transport, electron blocking, light emission, hole blocking, electron transport or electron injection material. The compound of Formula 1 according to at least one exemplary embodiment may improve efficiency, driving voltage, and/or lifetime characteristics in an organic light-emitting device.

본 발명의 일 실시상태에 따른 화학식 1의 화합물은 전자 수용 능력이 높고, 내열성이 우수하여 유기 발광 소자 제작시 적절한 증착 온도를 유지할 수 있다. 또한, 승화 온도가 높아 승화 정제 방법으로 고순도화가 가능하며, 유기 발광 소자 제조시 증착용 성막 장치 또는 유기 발광 소자에 오염을 일으키지 않는다.The compound of Formula 1 according to an exemplary embodiment of the present invention has high electron-accepting capacity and excellent heat resistance, and thus can maintain an appropriate deposition temperature when fabricating an organic light-emitting device. In addition, the sublimation temperature is high, so it is possible to achieve high purity by a sublimation purification method, and does not cause contamination of the deposition apparatus or the organic light emitting device when manufacturing the organic light emitting device.

또한, 본 발명의 일 실시상태에 따른 화합물은 △E_ST(일중항 에너지와 삼중항 에너지의 차이)가 0.3eV 이하인 TADF(지연 형광) 특성을 가질 수 있다.In addition, the compound according to an exemplary embodiment of the present invention may have a TADF (delayed fluorescence) characteristic in which ΔE _ST (difference between singlet energy and triplet energy) is 0.3 eV or less.

도 1은 기판(1), 양극(2), 발광층(3) 및 음극(4)으로 이루어진 유기 발광 소자의 예를 도시한 것이다.
도 2는 기판(1), 양극(2), 정공 주입층(5), 정공 수송층(6), 발광층(3), 전자 수송층(7) 및 음극(4)으로 이루어진 유기 발광 소자의 예를 도시한 것이다.
도 3은 기판(1), 양극(2), 정공 주입층(5), 정공 수송층(6), 전자 차단층(8), 발광층(3), 정공 차단층(9), 전자 주입 및 수송층(10) 및 음극(4)으로 이루어진 유기 발광 소자의 예를 도시한 것이다.1 shows an example of an organic light-emitting device comprising a substrate 1, an anode 2, a light-emitting layer 3, and a cathode 4.
FIG. 2 shows an example of an organic light-emitting device comprising a substrate 1, an anode 2, a hole injection layer 5, a hole transport layer 6, a light-emitting layer 3, an electron transport layer 7 and a cathode 4 I did it.
3 is a substrate 1, an anode 2, a hole injection layer 5, a hole transport layer 6, an electron blocking layer 8, a light emitting layer 3, a hole blocking layer 9, an electron injection and transport layer ( 10) and a cathode 4 are shown as an example of an organic light-emitting device.

이하 본 명세서에 대하여 더욱 상세히 설명한다. Hereinafter, the present specification will be described in more detail.

본 명세서의 일 실시상태는 상기 화학식 1로 표시되는 화합물을 제공한다. An exemplary embodiment of the present specification provides a compound represented by Chemical Formula 1.

상기 치환기들의 예시들은 아래에서 설명하나, 이에 한정되는 것은 아니다. Examples of the substituents are described below, but are not limited thereto.

본 명세서에 있어서,

는 연결 부위를 의미한다.In this specification,

Means the connection site.

본 명세서에서 "치환 또는 비치환된" 이라는 용어는 중수소; 할로겐기; 니트릴기; 니트로기; 하이드록시기; 아미노기; 포스핀옥사이드기; 알콕시기; 아릴옥시기; 알킬티옥시기; 아릴티옥시기; 알킬술폭시기; 아릴술폭시기; 실릴기; 붕소기; 알킬기; 시클로알킬기; 알케닐기; 아릴기; 아르알킬기; 아르알케닐기; 알킬아릴기; 알킬아민기; 아랄킬아민기; 헤테로아릴아민기; 아릴아민기; 아릴포스핀기; 및 헤테로고리기로 이루어진 군에서 선택된 1개 이상의 기로 치환 또는 비치환되거나, 상기 기 중 2 이상의 기가 연결된 기로 치환 또는 비치환된 것을 의미한다. 예컨대, "2 이상의 기가 연결된 기"는 바이페닐기일 수 있다. 즉, 바이페닐기는 아릴기일 수도 있고, 2개의 페닐기가 연결된 기로 해석될 수도 있다.In the present specification, the term "substituted or unsubstituted" refers to deuterium; Halogen group; Nitrile group; Nitro group; Hydroxy group; Amino group; Phosphine oxide group; Alkoxy group; Aryloxy group; Alkyl thioxy group; Arylthioxy group; Alkyl sulfoxy group; Arylsulfoxy group; Silyl group; Boron group; Alkyl group; Cycloalkyl group; Alkenyl group; Aryl group; Aralkyl group; Aralkenyl group; Alkylaryl group; Alkylamine group; Aralkylamine group; Heteroarylamine group; Arylamine group; Arylphosphine group; And substituted or unsubstituted with one or more groups selected from the group consisting of a heterocyclic group, or substituted or unsubstituted with a group to which two or more groups are linked. For example, "a group to which two or more groups are linked" may be a biphenyl group. That is, the biphenyl group may be an aryl group or may be interpreted as a group to which two phenyl groups are connected.

본 명세서에 있어서, "인접한" 기는 해당 치환기가 치환된 원자와 직접 연결된 원자에 치환된 치환기, 해당 치환기와 입체구조적으로 가장 가깝게 위치한 치환기, 또는 해당 치환기가 치환된 원자에 치환된 다른 치환기를 의미할 수 있다. 예컨대, 벤젠고리에서 오쏘(ortho)위치로 치환된 2개의 치환기 및 지방족 고리에서 동일 탄소에 치환된 2개의 치환기는 서로 "인접한"기로 해석될 수 있다. 또는, 카바졸에서 N에 치환된 치환기와 카바졸의 1번 탄소 또는 8번 탄소의 치환기가 "인접한 기"로 해석될 수 있다.In this specification, "adjacent" The group may refer to a substituent substituted on an atom directly connected to the atom where the corresponding substituent is substituted, a substituent positioned three-dimensionally closest to the corresponding substituent, or another substituent substituted on an atom where the corresponding substituent is substituted. For example, two substituents substituted at an ortho position in a benzene ring and two substituents substituted at the same carbon in an aliphatic ring may be interpreted as "adjacent" to each other. Alternatively, a substituent substituted for N in carbazole and a substituent on carbon 1 or 8 of carbazole may be interpreted as "adjacent group".

본 명세서에 있어서, 할로겐기의 예로는 불소, 염소, 브롬 또는 요오드가 있다.In the present specification, examples of the halogen group include fluorine, chlorine, bromine or iodine.

본 명세서에 있어서, 실릴기는 -SiR_aR_bR_c의 화학식으로 표시될 수 있고, 상기 R_a, R_b 및 R_c는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 치환 또는 비치환된 알킬기; 또는 치환 또는 비치환된 아릴기일 수 있다. 상기 실릴기는 구체적으로 트리메틸실릴기, 트리에틸실릴기, t-부틸디메틸실릴기, 비닐디메틸실릴기, 프로필디메틸실릴기, 트리페닐실릴기, 디페닐실릴기, 페닐실릴기 등이 있으나 이에 한정되지 않는다. In the present specification, the silyl group may be represented by the formula of -SiR _a R _b R _c , wherein R _a , R _b and R _c are the same as or different from each other, and each independently hydrogen; A substituted or unsubstituted alkyl group; Or it may be a substituted or unsubstituted aryl group. The silyl group specifically includes a trimethylsilyl group, a triethylsilyl group, a t-butyldimethylsilyl group, a vinyldimethylsilyl group, a propyldimethylsilyl group, a triphenylsilyl group, a diphenylsilyl group, a phenylsilyl group, etc., but is not limited thereto. Does not.

본 명세서에 있어서, 붕소기는 -BR_dR_e의 화학식으로 표시될 수 있고, 상기 R_d 및 R_e는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 치환 또는 비치환된 알킬기; 또는 치환 또는 비치환된 아릴기일 수 있다. 상기 붕소기는 구체적으로 디메틸붕소기, 디에틸붕소기, t-부틸메틸붕소기, 디페닐붕소기, 페닐붕소기 등이 있으나 이에 한정되지 않는다.In the present specification, the boron group may be represented by the formula of -BR _d R _e , wherein R _d and R _e are the same as or different from each other, and each independently hydrogen; A substituted or unsubstituted alkyl group; Or it may be a substituted or unsubstituted aryl group. Specifically, the boron group includes a dimethyl boron group, a diethyl boron group, a t-butylmethyl boron group, a diphenyl boron group, and a phenyl boron group, but is not limited thereto.

본 명세서에 있어서, 알킬기는 직쇄 또는 분지쇄일 수 있고, 탄소수는 특별히 한정되지 않으나 1 내지 40인 것이 바람직하다. 일 실시상태에 따르면, 상기 알킬기의 탄소수는 1 내지 20이다. 또 하나의 실시상태에 따르면, 상기 알킬기의 탄소수는 1 내지 10이다. 또 하나의 실시상태에 따르면, 상기 알킬기의 탄소수는 1 내지 6이다. 알킬기의 구체적인 예로는 메틸, 에틸, 프로필, n-프로필, 이소프로필, 부틸, n-부틸, 이소부틸, tert-부틸, sec-부틸, 1-메틸부틸, 1-에틸부틸, 펜틸, n-펜틸, 이소펜틸, 네오펜틸, tert-펜틸, 헥실, n-헥실, 1-메틸펜틸, 2-메틸펜틸, 3,3-디메틸부틸, 2-에틸부틸, 헵틸, n-헵틸, 1-메틸헥실, 시클로펜틸메틸, 시클로헥실메틸, 옥틸, n-옥틸, tert-옥틸, 1-메틸헵틸, 2-에틸헥실, 2-프로필펜틸, n-노닐, 2,2-디메틸헵틸, 1-에틸프로필, 1,1-디메틸프로필, 이소헥실, 4-메틸헥실, 5-메틸헥실 등이 있으나, 이들에 한정되지 않는다.In the present specification, the alkyl group may be linear or branched, and the number of carbon atoms is not particularly limited, but is preferably 1 to 40. According to an exemplary embodiment, the alkyl group has 1 to 20 carbon atoms. According to another exemplary embodiment, the alkyl group has 1 to 10 carbon atoms. According to another exemplary embodiment, the alkyl group has 1 to 6 carbon atoms. Specific examples of the alkyl group include methyl, ethyl, propyl, n-propyl, isopropyl, butyl, n-butyl, isobutyl, tert-butyl, sec-butyl, 1-methylbutyl, 1-ethylbutyl, pentyl, n-pentyl , Isopentyl, neopentyl, tert-pentyl, hexyl, n-hexyl, 1-methylpentyl, 2-methylpentyl, 3,3-dimethylbutyl, 2-ethylbutyl, heptyl, n-heptyl, 1-methylhexyl, Cyclopentylmethyl, cyclohexylmethyl, octyl, n-octyl, tert-octyl, 1-methylheptyl, 2-ethylhexyl, 2-propylpentyl, n-nonyl, 2,2-dimethylheptyl, 1-ethylpropyl, 1 ,1-dimethylpropyl, isohexyl, 4-methylhexyl, 5-methylhexyl, and the like, but are not limited thereto.

본 명세서에 있어서, 알콕시기는 직쇄, 분지쇄 또는 고리쇄일 수 있다. 알콕시기의 탄소수는 특별히 한정되지 않으나, 탄소수 1 내지 40인 것이 바람직하다. 구체적으로, 메톡시, 에톡시, n-프로폭시, 이소프로폭시, i-프로필옥시, n-부톡시, 이소부톡시, tert-부톡시, sec-부톡시, n-펜틸옥시, 네오펜틸옥시, 이소펜틸옥시, n-헥실옥시, 3,3-디메틸부틸옥시, 2-에틸부틸옥시, n-옥틸옥시, n-노닐옥시, n-데실옥시, 벤질옥시, p-메틸벤질옥시 등이 될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.In the present specification, the alkoxy group may be linear, branched or cyclic. The number of carbon atoms of the alkoxy group is not particularly limited, but it is preferably 1 to 40 carbon atoms. Specifically, methoxy, ethoxy, n-propoxy, isopropoxy, i-propyloxy, n-butoxy, isobutoxy, tert-butoxy, sec-butoxy, n-pentyloxy, neopentyloxy, Isopentyloxy, n-hexyloxy, 3,3-dimethylbutyloxy, 2-ethylbutyloxy, n-octyloxy, n-nonyloxy, n-decyloxy, benzyloxy, p-methylbenzyloxy, etc. May be, but is not limited thereto.

본 명세서에 기재된 알킬기, 알콕시기 및 그 외 알킬기 부분을 포함하는 치환체는 직쇄 또는 분쇄 형태를 모두 포함한다.Substituents including an alkyl group, an alkoxy group, and other alkyl group moieties described in the present specification include all of a straight chain or a branched form.

본 명세서에 있어서, 알케닐기는 직쇄 또는 분지쇄일 수 있고, 탄소수는 특별히 한정되지 않으나, 2 내지 40인 것이 바람직하다. 일 실시상태에 따르면, 상기 알케닐기의 탄소수는 2 내지 20이다. 또 하나의 실시상태에 따르면, 상기 알케닐기의 탄소수는 2 내지 10이다. 또 하나의 실시상태에 따르면, 상기 알케닐기의 탄소수는 2 내지 6이다. 구체적인 예로는 비닐, 1-프로페닐, 이소프로페닐, 1-부테닐, 2-부테닐, 3-부테닐, 1-펜테닐, 2-펜테닐, 3-펜테닐, 3-메틸-1-부테닐, 1,3-부타디에닐, 알릴, 1-페닐비닐-1-일, 2-페닐비닐-1-일, 2,2-디페닐비닐-1-일, 2-페닐-2-(나프틸-1-일)비닐-1-일, 2,2-비스(디페닐-1-일)비닐-1-일, 스틸베닐기, 스티레닐기 등이 있으나 이들에 한정되지 않는다.In the present specification, the alkenyl group may be a linear or branched chain, and the number of carbon atoms is not particularly limited, but is preferably 2 to 40. According to an exemplary embodiment, the alkenyl group has 2 to 20 carbon atoms. According to another exemplary embodiment, the alkenyl group has 2 to 10 carbon atoms. According to another exemplary embodiment, the alkenyl group has 2 to 6 carbon atoms. Specific examples include vinyl, 1-propenyl, isopropenyl, 1-butenyl, 2-butenyl, 3-butenyl, 1-pentenyl, 2-pentenyl, 3-pentenyl, 3-methyl-1- Butenyl, 1,3-butadienyl, allyl, 1-phenylvinyl-1-yl, 2-phenylvinyl-1-yl, 2,2-diphenylvinyl-1-yl, 2-phenyl-2-( Naphthyl-1-yl)vinyl-1-yl, 2,2-bis(diphenyl-1-yl)vinyl-1-yl, stilbenyl group, styrenyl group, and the like, but are not limited thereto.

본 명세서에 있어서, 시클로알킬기는 특별히 한정되지 않으나, 탄소수 3 내지 60인 것이 바람직하며, 일 실시상태에 따르면, 상기 시클로알킬기의 탄소수는 3 내지 40이다. 또 하나의 실시상태에 따르면, 상기 시클로알킬기의 탄소수는 3 내지 20이다. 또 하나의 실시상태에 따르면, 상기 시클로알킬기의 탄소수는 3 내지 6이다. 구체적으로 시클로프로필, 시클로부틸, 시클로펜틸, 3-메틸시클로펜틸, 2,3-디메틸시클로펜틸, 시클로헥실, 3-메틸시클로헥실, 4-메틸시클로헥실, 2,3-디메틸시클로헥실, 3,4,5-트리메틸시클로헥실, 4-tert-부틸시클로헥실, 시클로헵틸, 시클로옥틸 등이 있으나, 이에 한정되지 않는다. In the present specification, the cycloalkyl group is not particularly limited, but preferably has 3 to 60 carbon atoms, and according to an exemplary embodiment, the cycloalkyl group has 3 to 40 carbon atoms. According to another exemplary embodiment, the number of carbon atoms of the cycloalkyl group is 3 to 20. According to another exemplary embodiment, the cycloalkyl group has 3 to 6 carbon atoms. Specifically, cyclopropyl, cyclobutyl, cyclopentyl, 3-methylcyclopentyl, 2,3-dimethylcyclopentyl, cyclohexyl, 3-methylcyclohexyl, 4-methylcyclohexyl, 2,3-dimethylcyclohexyl, 3, 4,5-trimethylcyclohexyl, 4-tert-butylcyclohexyl, cycloheptyl, cyclooctyl, and the like, but are not limited thereto.

본 명세서에 있어서, 알킬아민기는 탄소수는 특별히 한정되지 않으나, 1 내지 40인 것이 바람직하다. 알킬아민기의 구체적인 예로는 메틸아민기, 디메틸아민기, 에틸아민기, 디에틸아민기 등이 있으나, 이들에만 한정되는 것은 아니다.In the present specification, the number of carbon atoms in the alkylamine group is not particularly limited, but is preferably 1 to 40. Specific examples of the alkylamine group include a methylamine group, a dimethylamine group, an ethylamine group, and a diethylamine group, but are not limited thereto.

본 명세서에 있어서, 아릴아민기의 예로는 치환 또는 비치환된 모노아릴아민기 또는 치환 또는 비치환된 디아릴아민기가 있다. 상기 아릴아민기 중의 아릴기는 단환식 아릴기일 수 있고, 다환식 아릴기일 수 있다. 상기 2 이상의 아릴기를 포함하는 아릴아민기는 단환식 아릴기, 다환식 아릴기, 또는 단환식 아릴기와 다환식 아릴기를 동시에 포함할 수 있다. In the present specification, examples of the arylamine group include a substituted or unsubstituted monoarylamine group or a substituted or unsubstituted diarylamine group. The aryl group in the arylamine group may be a monocyclic aryl group or a polycyclic aryl group. The arylamine group including two or more aryl groups may include a monocyclic aryl group, a polycyclic aryl group, or a monocyclic aryl group and a polycyclic aryl group at the same time.

아릴아민기의 구체적인 예로는 페닐아민기, 나프틸아민기, 바이페닐아민기, 안트라세닐아민기, 3-메틸페닐아민기, 4-메틸나프틸아민기, 2-메틸비페닐아민기, 9-메틸안트라세닐아민기, 디페닐아민기, 페닐나프틸아민기, 디톨릴아민기, 페닐 톨릴아민기 등이 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.Specific examples of the arylamine group include phenylamine group, naphthylamine group, biphenylamine group, anthracenylamine group, 3-methylphenylamine group, 4-methylnaphthylamine group, 2-methylbiphenylamine group, and 9- A methylanthracenylamine group, a diphenylamine group, a phenylnaphthylamine group, a ditolylamine group, a phenyltolylamine group, and the like, but are not limited thereto.

본 명세서에 있어서, 헤테로아릴아민기의 예로는 치환 또는 비치환된 모노헤테로아릴아민기 또는 치환 또는 비치환된 디헤테로아릴아민기가 있다. 상기 헤테로아릴아민기 중의 헤테로아릴기는 단환식 헤테로아릴기일 수 있고, 다환식 헤테로아릴기일 수 있다. 2 이상의 헤테로아릴기를 포함하는 헤테로아릴아민기는 단환식 헤테로아릴기, 다환식 헤테로아릴기, 또는 단환식 헤테로아릴기와 다환식 헤테로아릴기를 동시에 포함할 수 있다. In the present specification, examples of the heteroarylamine group include a substituted or unsubstituted monoheteroarylamine group or a substituted or unsubstituted diheteroarylamine group. The heteroaryl group in the heteroarylamine group may be a monocyclic heteroaryl group or a polycyclic heteroaryl group. The heteroarylamine group including two or more heteroaryl groups may include a monocyclic heteroaryl group, a polycyclic heteroaryl group, or a monocyclic heteroaryl group and a polycyclic heteroaryl group at the same time.

본 명세서에 있어서, 아릴헤테로아릴아민기는 아릴기 및 헤테로아릴기로 치환된 아민기를 의미한다.In the present specification, an arylheteroarylamine group means an amine group substituted with an aryl group and a heteroaryl group.

본 명세서에 있어서, 아릴포스핀기의 예로는 치환 또는 비치환된 모노아릴포스핀기 또는 치환 또는 비치환된 디아릴포스핀기가 있다. 상기 아릴포스핀기 중의 아릴기는 단환식 아릴기일 수 있고, 다환식 아릴기일 수 있다. 2 이상의 아릴기를 포함하는 아릴포스핀기는 단환식 아릴기, 다환식 아릴기, 또는 단환식 아릴기와 다환식 아릴기를 동시에 포함할 수 있다.In the present specification, examples of the arylphosphine group include a substituted or unsubstituted monoarylphosphine group or a substituted or unsubstituted diarylphosphine group. The aryl group in the arylphosphine group may be a monocyclic aryl group or a polycyclic aryl group. The arylphosphine group including two or more aryl groups may include a monocyclic aryl group, a polycyclic aryl group, or a monocyclic aryl group and a polycyclic aryl group at the same time.

본 명세서에 있어서, 아릴기는 특별히 한정되지 않으나 탄소수 6 내지 60인 것이 바람직하며, 단환식 아릴기 또는 다환식 아릴기일 수 있다. 일 실시상태에 따르면, 상기 아릴기의 탄소수는 6 내지 30이다. 일 실시상태에 따르면, 상기 아릴기의 탄소수는 6 내지 20이다. 단환식 아릴기로는 페닐기, 바이페닐기, 터페닐기 등이 될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 다환식 아릴기로는 나프틸기, 안트라세닐기, 페난트레닐기, 파이레닐기, 페릴레닐기, 크라이세닐기, 플루오레닐기 등이 될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.In the present specification, the aryl group is not particularly limited, but is preferably 6 to 60 carbon atoms, and may be a monocyclic aryl group or a polycyclic aryl group. According to an exemplary embodiment, the aryl group has 6 to 30 carbon atoms. According to an exemplary embodiment, the aryl group has 6 to 20 carbon atoms. The monocyclic aryl group may be a phenyl group, a biphenyl group, or a terphenyl group, but is not limited thereto. The polycyclic aryl group may be a naphthyl group, an anthracenyl group, a phenanthrenyl group, a pyrenyl group, a perylenyl group, a chrysenyl group, a fluorenyl group, and the like, but is not limited thereto.

본 명세서에 있어서, 플루오레닐기는 치환될 수 있고, 치환기 2개가 서로 결합하여 스피로 구조를 형성할 수 있다.In the present specification, the fluorenyl group may be substituted, and two substituents may be bonded to each other to form a spiro structure.

상기 플루오레닐기가 치환되는 경우,

,

등의 스피로플루오레닐기,

(9,9-디메틸플루오레닐기), 및

(9,9-디페닐플루오레닐기) 등의 치환된 플루오레닐기가 될 수 있다. 다만, 이에 한정되는 것은 아니다.When the fluorenyl group is substituted,

,

Spirofluorenyl groups such as,

(9,9-dimethylfluorenyl group), and

It may be a substituted fluorenyl group such as (9,9-diphenylfluorenyl group). However, it is not limited thereto.

본 명세서에 있어서, 헤테로고리기는 이종원자로 N, O, P, S, Si 및 Se 중 1개 이상을 포함하는 고리기로서, 탄소수는 특별히 한정되지 않으나 탄소수 1 내지 60인 것이 바람직하다. 일 실시상태에 따르면, 상기 헤테로고리기의 탄소수는 1 내지 30이다. 헤테로고리기의 예로는 피리디닐기, 피롤릴기, 피리미디닐기, 피리다지닐기, 퓨라닐기, 티오페닐기, 이미다졸릴기, 피라졸릴기, 옥사졸릴기, 이소옥사졸릴기, 티아졸릴기, 이소티아졸릴기, 트리아졸릴기, 옥사디아졸릴기, 티아디아졸릴기, 디티아졸릴기, 테트라졸릴기, 피라닐기, 티오피라닐기, 피라지닐기, 옥사지닐기, 티아지닐기, 디옥시닐기, 트리아지닐기, 테트라지닐기, 퀴놀리닐기, 이소퀴놀리닐기, 퀴놀릴기, 퀴나졸리닐기, 퀴녹살리닐기, 나프티리디닐기, 아크리디닐기, 크산테닐기, 페난트리디닐기, 디아자나프탈레닐기, 트리아자인데닐기, 인돌릴기, 인돌리닐기, 인돌리지닐기, 프탈라지닐기, 피리도피리미디닐기, 피리도피라지닐기, 피라지노피라지닐기, 벤조티아졸릴기, 벤즈옥사졸릴기, 벤즈이미다졸릴기, 벤조티오페닐기, 벤조퓨라닐기, 디벤조티오페닐기, 디벤조퓨라닐기, 카바졸릴기, 벤조카바졸릴기, 디벤조카바졸릴기, 인돌로카바졸릴기, 인데노카바졸릴기, 페나지닐기, 이미다조피리디닐기, 페녹사지닐기, 페난트리디닐기, 페난트롤리닐(phenanthrolinyl)기, 페노티아지닐(phenothiazinyl)기, 이미다조피리디닐기, 이미다조페난트리디닐기 등이 있으나, 이들에만 한정되는 것은 아니다.In the present specification, the heterocyclic group is a cyclic group including at least one of N, O, P, S, Si and Se as a hetero atom, and the number of carbons is not particularly limited, but is preferably 1 to 60 carbon atoms. According to an exemplary embodiment, the number of carbon atoms of the heterocyclic group is 1 to 30. Examples of the heterocyclic group include a pyridinyl group, pyrrolyl group, pyrimidinyl group, pyridazinyl group, furanyl group, thiophenyl group, imidazolyl group, pyrazolyl group, oxazolyl group, isoxazolyl group, thiazolyl group, Isothiazolyl group, triazolyl group, oxadiazolyl group, thiadiazolyl group, dithiazolyl group, tetrazolyl group, pyranyl group, thiopyranyl group, pyrazinyl group, oxazinyl group, thiazinyl group, dioxynyl group , Triazinyl group, tetrazinyl group, quinolinyl group, isoquinolinyl group, quinolyl group, quinazolinyl group, quinoxalinyl group, naphthyridinyl group, acridinyl group, xanthenyl group, phenanthridinyl group, diazanaph Thalenyl group, triazindenyl group, indolyl group, indolinyl group, indolizinyl group, phthalazinyl group, pyridopyrimidinyl group, pyridopyrazinyl group, pyrazinopyrazinyl group, benzothiazolyl group, benzoxa Jolyl group, benzimidazolyl group, benzothiophenyl group, benzofuranyl group, dibenzothiophenyl group, dibenzofuranyl group, carbazolyl group, benzocarbazolyl group, dibenzocarbazolyl group, indolocarbazolyl group, indeno Carbazolyl group, phenazinyl group, imidazopyridinyl group, phenoxazinyl group, phenanthridinyl group, phenanthrolinyl group, phenothiazinyl group, imidazopyridinyl group, imidazophenane Tridinyl groups, etc., but are not limited thereto.

본 명세서에 있어서, 헤테로고리기의 고리를 구성하는 원자수는 3 내지 25이다. 또 하나의 실시상태에 있어서, 헤테로고리기의 고리를 구성하는 원자수는 5 내지 17이다.In the present specification, the number of atoms constituting the ring of the heterocyclic group is 3 to 25. In another exemplary embodiment, the number of atoms constituting the ring of the heterocyclic group is 5 to 17.

본 명세서에 있어서, 헤테로아릴기는 방향족인 것을 제외하고는 전술한 헤테로고리기에 관한 설명이 적용될 수 있다.In the present specification, the description of the aforementioned heterocyclic group may be applied except that the heteroaryl group is aromatic.

본 명세서에 있어서, 아랄킬아민기는 아릴기와 알킬기로 치환된 아민기를 의미한다.In the present specification, the aralkylamine group means an amine group substituted with an aryl group and an alkyl group.

본 명세서에 있어서, 아르알케닐기는 아릴기로 치환된 알케닐기를 의미한다.In the present specification, an aralkenyl group means an alkenyl group substituted with an aryl group.

본 명세서에 있어서, 아르알킬기는 아릴기로 치환된 알킬기를 의미한다.In the present specification, an aralkyl group means an alkyl group substituted with an aryl group.

본 명세서에 있어서, 알킬아릴기는 알킬기로 치환된 아릴기를 의미한다.In the present specification, an alkylaryl group means an aryl group substituted with an alkyl group.

본 명세서에 있어서, 아릴옥시기, 아릴티옥시기, 아릴술폭시기, 아르알킬기, 아르알케닐기, 아랄킬아민기, 아릴아민기, 아릴포스핀기 및 아릴헤테로아릴아민기 중의 아릴기에는 전술한 아릴기에 관한 설명이 적용될 수 있다.In the present specification, the aryl group among the aryloxy group, arylthioxy group, arylsulfoxy group, aralkyl group, aralkenyl group, aralkylamine group, arylamine group, arylphosphine group and arylheteroarylamine group includes the aryl group described above. A description of this may apply.

본 명세서에 있어서, 알킬티옥시기, 알킬술폭시기, 알킬아릴기, 알킬아민기 및 아랄킬아민기 중의 알킬기에는 전술한 알킬기에 관한 설명이 적용될 수 있다. In the present specification, the above-described description of the alkyl group may be applied to the alkyl group among the alkyl thioxy group, alkyl sulfoxy group, alkylaryl group, alkylamine group and aralkylamine group.

본 명세서에 있어서, 헤테로아릴아민기 및 아릴헤테로아릴아민기 중의 헤테로아릴기에는 전술한 헤테로아릴기에 관한 설명이 적용될 수 있다. In the present specification, the above description of the heteroaryl group may be applied to the heteroaryl group among the heteroarylamine group and the arylheteroarylamine group.

본 명세서에 있어서, 아릴렌기는 2가기인 것을 제외하고는 전술한 아릴기에 관한 설명이 적용될 수 있다. In the present specification, the description of the aryl group described above may be applied except that the arylene group is a divalent group.

본 명세서에 있어서, 헤테로아릴렌기는 2가기인 것을 제외하고는 전술한 헤테로아릴기에 관한 설명이 적용될 수 있다.In the present specification, the description of the aforementioned heteroaryl group may be applied except that the heteroarylene group is a divalent group.

본 명세서에 있어서, 인접하는 기와 서로 결합하여 고리를 형성한다는 의미는 인접하는 기와 서로 결합하여 치환 또는 비치환된 지방족 탄화수소고리; 치환 또는 비치환된 방향족 탄화수소고리; 치환 또는 비치환된 지방족 헤테로고리; 치환 또는 비치환된 방향족 헤테로고리; 또는 이들의 축합고리를 형성하는 것을 의미한다.In the present specification, the meaning of bonding with adjacent groups to form a ring means a substituted or unsubstituted aliphatic hydrocarbon ring by bonding with adjacent groups; A substituted or unsubstituted aromatic hydrocarbon ring; Substituted or unsubstituted aliphatic heterocycle; Substituted or unsubstituted aromatic heterocycle; Or it means to form a condensed ring of these.

본 명세서에 있어서, 지방족 탄화수소고리란 방향족이 아닌 고리로서 탄소와 수소 원자로만 이루어진 고리를 의미한다. 구체적으로, 지방족 탄화수소고리의 예로는 시클로프로판, 시클로부탄, 시클로부텐, 시클로펜탄, 시클로펜텐, 시클로헥산, 시클로헥센, 1,4-시클로헥사디엔, 시클로헵탄, 시클로헵텐, 시클로옥탄, 시클로옥텐 등이 있으나, 이들에만 한정되는 것은 아니다.In the present specification, the aliphatic hydrocarbon ring is a ring that is not aromatic and refers to a ring consisting only of carbon and hydrogen atoms. Specifically, examples of the aliphatic hydrocarbon ring include cyclopropane, cyclobutane, cyclobutene, cyclopentane, cyclopentene, cyclohexane, cyclohexene, 1,4-cyclohexadiene, cycloheptane, cycloheptene, cyclooctane, cyclooctene, etc. However, it is not limited to these.

본 명세서에 있어서, 방향족 탄화수소고리란 탄소와 수소 원자로만 이루어진 방향족의 고리를 의미한다. 구체적으로, 방향족 탄화수소고리의 예로는 벤젠, 나프탈렌, 안트라센, 페난트렌, 페릴렌, 플루오란텐, 트리페닐렌, 페날렌, 파이렌, 테트라센, 크라이센, 펜타센, 플루오렌, 인덴, 아세나프틸렌, 벤조플루오렌, 스피로플루오렌 등이 있으나 이들에만 한정되는 것은 아니다.In the present specification, the aromatic hydrocarbon ring refers to an aromatic ring consisting only of carbon and hydrogen atoms. Specifically, examples of the aromatic hydrocarbon ring include benzene, naphthalene, anthracene, phenanthrene, perylene, fluoranthene, triphenylene, phenalene, pyrene, tetracene, chrysene, pentacene, fluorene, indene, ace Naphthylene, benzofluorene, spirofluorene, and the like, but are not limited thereto.

본 명세서에 있어서, 지방족 헤테로고리란 헤테로원자 중 1개 이상을 포함하는 지방족 고리를 의미한다. 구체적으로, 지방족 헤테로고리의 예로는 옥시레인(oxirane), 테트라하이드로퓨란, 1,4-디옥세인(1,4-dioxane), 피롤리딘, 피페리딘, 모르폴린(morpholine), 옥세판, 아조케인, 티오케인 등이 있으나 이들에만 한정되는 것은 아니다.In the present specification, the aliphatic heterocycle refers to an aliphatic ring containing at least one heteroatom. Specifically, examples of the aliphatic heterocycle include oxirane, tetrahydrofuran, 1,4-dioxane, pyrrolidine, piperidine, morpholine, oxephan, There are azocaine and thiocane, but are not limited to these.

본 명세서에 있어서, 방향족 헤테로고리란 헤테로원자 중 1개 이상을 포함하는 방향족 고리를 의미한다. 구체적으로, 방향족 헤테로고리의 예로는 피리딘, 피롤, 피리미딘, 피리다진, 퓨란, 티오펜, 이미다졸, 피라졸, 옥사졸, 이소옥사졸, 티아졸, 이소티아졸, 트리아졸, 옥사디아졸, 티아디아졸, 디티아졸, 테트라졸, 피란, 티오피란, 디아진, 옥사진, 티아진, 다이옥신, 트리아진, 테트라진, 이소퀴놀린, 퀴놀린, 퀴놀, 퀴나졸린, 퀴녹살린, 나프티리딘, 아크리딘, 페난트리딘, 디아자나프탈렌, 트리아자인덴, 인돌, 인돌리진, 벤조티아졸, 벤즈옥사졸, 벤즈이미다졸, 벤조티오펜, 벤조퓨란, 디벤조티오펜, 디벤조퓨란, 카바졸, 벤조카바졸, 디벤조카바졸, 페나진, 이미다조피리딘, 페녹사진, 페난트리딘, 인돌로카바졸, 인데노카바졸 등이 있으나, 이들에만 한정되는 것은 아니다.In the present specification, the aromatic heterocycle means an aromatic ring containing at least one heteroatom. Specifically, examples of the aromatic heterocycle include pyridine, pyrrole, pyrimidine, pyridazine, furan, thiophene, imidazole, pyrazole, oxazole, isoxazole, thiazole, isothiazole, triazole, oxadiazole , Thiadiazole, dithiazole, tetrazole, pyran, thiopyran, diazine, oxazine, thiazine, dioxin, triazine, tetrazine, isoquinoline, quinoline, quinol, quinazoline, quinoxaline, naphthyridine, a Cridine, phenanthridine, diazanaphthalene, triazainden, indole, indolizine, benzothiazole, benzoxazole, benzimidazole, benzothiophene, benzofuran, dibenzothiophene, dibenzofuran, carbazole , Benzocarbazole, dibenzocarbazole, phenazine, imidazopyridine, phenoxazine, phenanthridine, indolocarbazole, indenocarbazole, and the like, but are not limited thereto.

본 명세서에 있어서, 상기 지방족 탄화수소고리, 방향족 탄화수소고리, 지방족 헤테로고리 및 방향족 헤테로고리는 단환 또는 다환일 수 있다. In the present specification, the aliphatic hydrocarbon ring, aromatic hydrocarbon ring, aliphatic hetero ring and aromatic hetero ring may be monocyclic or polycyclic.

본 명세서에 있어서, 삼중항 에너지(T1)는 기저 상태(ground state)의 에너지 준위와 삼중항 여기(excited) 상태의 에너지 준위의 차이 값이다.In the present specification, the triplet energy T1 is the difference between the energy level of the ground state and the energy level of the triplet excited state.

본 명세서에 있어서 일중항 에너지(S1)는 기저 상태(ground state)의 에너지 준위와 일중항 여기(excited) 상태의 에너지 준위의 차이 값이다.In the present specification, the singlet energy S1 is the difference between the energy level of the ground state and the energy level of the singlet excited state.

본 명세서에 있어서, 삼중항 에너지 및 일중항 에너지는 형광과 인광 측정이 가능한 분광 기기를 이용하여 측정 가능하다.In the present specification, triplet energy and singlet energy can be measured using a spectroscopic device capable of measuring fluorescence and phosphorescence.

상기 삼중항 에너지는 액화 질소를 이용한 극저온 상태에서 톨루엔이나 테트라하이드로퓨란(THF)을 용매로 하여 10^-5M 농도로 용액을 제조하고, 용액에 물질의 흡수 파장대의 광원을 조사하여 발광하는 스펙트럼으로부터 일중항 발광을 제외하고, 삼중항 발광 스펙트럼을 분석하여 확인할 수 있다. 광원으로부터 전자가 여기되면 전자가 삼중항 에너지 준위에 머무는 시간이 일중항 에너지 준위에 머무는 시간보다 훨씬 길기 때문에 극저온 상태에서 두 성분의 분리가 가능하다.The triplet energy is from a spectrum that emits light by preparing a solution at a concentration of 10 ^-5 M using toluene or tetrahydrofuran (THF) as a solvent in a cryogenic state using liquid nitrogen, and irradiating the solution with a light source in the absorption wavelength band of the substance. Excluding the singlet emission, it can be confirmed by analyzing the triplet emission spectrum. When an electron is excited from a light source, the time that the electron stays in the triplet energy level is much longer than that in the singlet energy level, so that the two components can be separated in a cryogenic state.

상기 일중항 에너지는 형광 기기를 이용하여 측정하며, 전술한 삼중항 에너지 준위 측정 방법과 달리 상온에서 광원을 조사하여 측정할 수 있다. 하기 실시예에 삼중항 에너지와 일중항 에너지의 보다 상세한 측정 방법을 기술하였다.The singlet energy is measured using a fluorescent device, and unlike the triplet energy level measurement method described above, it can be measured by irradiating a light source at room temperature. In the following examples, a more detailed method of measuring triplet energy and singlet energy is described.

본 명세서에 있어서, “HOMO”는 최고 점유 분자 오비탈(the highest occupied molecular orbital)이고, “LUMO”는 최저 비점유 분자 오비탈(the lowest unoccupied molecular orbital)이다.In the present specification, “HOMO” is the highest occupied molecular orbital, and “LUMO” is the lowest unoccupied molecular orbital.

본 명세서에 있어서, “에너지 준위”는 에너지 크기를 의미하는 것이다. 따라서 진공 준위로부터 마이너스(-) 방향으로 에너지 준위가 표시되는 경우에도, 에너지 준위는 해당 에너지 값의 절대값을 의미하는 것으로 해석된다. 예컨대, 에너지 준위가 ‘크다’는 것은 진공 준위로부터 마이너스 방향으로 절대값이 커지는 것을 의미한다. 또한 본 명세서에 있어서, 에너지 준위가 ‘깊다’ 또는 ‘높다’ 등의 표현은 에너지 준위가 크다는 표현과 그 의미가 같은 것이다.In the present specification, “energy level” refers to the energy level. Therefore, even when the energy level is displayed in the negative (-) direction from the vacuum level, the energy level is interpreted to mean the absolute value of the corresponding energy value. For example, when the energy level is'large', it means that the absolute value increases in the negative direction from the vacuum level. In addition, in the present specification, expressions such as “deep” or “high” with an energy level have the same meaning as the expression that the energy level is large.

상기 HOMO 에너지 준위는 박막 표면에 UV를 조사하고, 이때 튀어나오는 전자(electron)를 검출하여 물질의 이온화 전위(ionization potential)을 측정하는 UPS(UV photoelectron spectroscopy)를 이용하여 측정하거나, 측정 대상 물질을 전해액과 함께 용매에 녹인 후 전압 주사(voltage sweep)를 통하여 산화 전위(oxidation potential)를 측정하는 CV(cyclic voltammetry)를 이용하여 측정할 수 있다.The HOMO energy level is measured using UV photoelectron spectroscopy (UPS), which measures the ionization potential of the material by irradiating UV on the surface of the thin film, and at this time, detecting electrons that protrude. It can be measured using cyclic voltammetry (CV), which measures oxidation potential through voltage sweep after dissolving in a solvent together with an electrolyte.

상기 LUMO 에너지 준위는 IPES(Inverse Photoelectron Spectroscopy) 또는 전기화학적 환원 전위(electrochemical reduction potential)의 측정을 통하여 구할 수 있다. 상기 방법 이외에도, LUMO 에너지 준위는 HOMO 에너지 준위와 일중항 에너지 준위를 이용하여 계산할 수 있다.The LUMO energy level can be obtained through measurement of Inverse Photoelectron Spectroscopy (IPES) or electrochemical reduction potential. In addition to the above method, the LUMO energy level can be calculated using the HOMO energy level and the singlet energy level.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 HOMO 에너지 준위와 상기 LUMO 에너지 준위는 측정 화합물이 5mM 농도, 전해질이 0.1M 농도로 용해된 다이메틸폼아마이드(dimethylformamide, DMF) 용액의 산화, 환원 전위를 페로센 화합물을 기준으로 비교하여 확인하는 순환 전압 전류법(cyclic voltammetry; CV)으로 측정한 값일 수 있다. 구체적으로 본 명세서의 HOMO 에너지 준위와 LUMO 에너지 준위는 후술하는 실시예의 에너지 준위 측정 방법으로 측정하였다.In the exemplary embodiment of the present specification, the HOMO energy level and the LUMO energy level are ferrocene as the oxidation and reduction potentials of a dimethylformamide (DMF) solution in which a measurement compound is dissolved in a concentration of 5 mM and an electrolyte is dissolved in a concentration of 0.1 M. It may be a value measured by cyclic voltammetry (CV), which is confirmed by comparing the compound. Specifically, the HOMO energy level and the LUMO energy level of the present specification were measured by the energy level measurement method of Examples to be described later.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 Ar은 수소이다.In the exemplary embodiment of the present specification, Ar is hydrogen.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 a는 0이다.In the exemplary embodiment of the present specification, a is 0.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 R은 하기 화학식 2로 표시된다.In an exemplary embodiment of the present specification, R is represented by the following formula (2).

[화학식 2][Formula 2]

상기 화학식 2에 있어서,In Formula 2,

R1 내지 R8은 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 중수소; 치환 또는 비치환된 알킬기; 치환 또는 비치환된 아릴기; 또는 치환 또는 비치환된 헤테로고리기이거나, 서로 인접한 기끼리 결합하여 치환 또는 비치환된 고리를 형성한다.R1 to R8 are the same as or different from each other, and each independently hydrogen; heavy hydrogen; A substituted or unsubstituted alkyl group; A substituted or unsubstituted aryl group; Or a substituted or unsubstituted heterocyclic group, or groups adjacent to each other are bonded to each other to form a substituted or unsubstituted ring.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 R1 내지 R8은 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 중수소; 치환 또는 비치환된 알킬기; 치환 또는 비치환된 아릴기; 또는 치환 또는 비치환된 헤테로고리기이거나, R1 및 R2가 서로 결합하여 치환 또는 비치환된 고리를 형성하거나, R2 및 R3가 서로 결합하여 치환 또는 비치환된 고리를 형성하거나, R3 및 R4가 서로 결합하여 치환 또는 비치환된 고리를 형성하거나, R5 및 R6가 서로 결합하여 치환 또는 비치환된 고리를 형성하거나, R6 및 R7이 서로 결합하여 치환 또는 비치환된 고리를 형성하거나, R7 및 R8이 서로 결합하여 치환 또는 비치환된 고리를 형성한다.In the exemplary embodiment of the present specification, R1 to R8 are the same as or different from each other, and each independently hydrogen; heavy hydrogen; A substituted or unsubstituted alkyl group; A substituted or unsubstituted aryl group; Or a substituted or unsubstituted heterocyclic group, or R1 and R2 are bonded to each other to form a substituted or unsubstituted ring, or R2 and R3 are bonded to each other to form a substituted or unsubstituted ring, or R3 and R4 are each Combine to form a substituted or unsubstituted ring, or R5 and R6 combine with each other to form a substituted or unsubstituted ring, or R6 and R7 combine with each other to form a substituted or unsubstituted ring, or R7 and R8 are Combined with each other to form a substituted or unsubstituted ring.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 R1 내지 R8은 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 중수소; 치환 또는 비치환된 C_1-10의 알킬기; 치환 또는 비치환된 C_6-30의 아릴기; 또는 치환 또는 비치환된 C_2-30의 헤테로고리기이거나, 서로 인접한 기끼리 결합하여 치환 또는 비치환된 C_6-30의 고리를 형성한다.In the exemplary embodiment of the present specification, R1 to R8 are the same as or different from each other, and each independently hydrogen; heavy hydrogen; A substituted or unsubstituted C _1-10 alkyl group; A substituted or unsubstituted C _6-30 aryl group; Or a substituted or unsubstituted C _2-30 heterocyclic group, or adjacent groups are bonded to each other to form a substituted or unsubstituted C _6-30 ring.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 R1 내지 R8은 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 중수소; 치환 또는 비치환된 C_1-6의 알킬기; 치환 또는 비치환된 C_6-20의 아릴기; 또는 치환 또는 비치환된 C_2-20의 헤테로고리기이거나, 서로 인접한 기끼리 결합하여 치환 또는 비치환된 C_6-24의 고리를 형성한다.In the exemplary embodiment of the present specification, R1 to R8 are the same as or different from each other, and each independently hydrogen; heavy hydrogen; A substituted or unsubstituted C _1-6 alkyl group; A substituted or unsubstituted C _6-20 aryl group; Or a substituted or unsubstituted C _2-20 heterocyclic group, or adjacent groups are bonded to each other to form a substituted or unsubstituted C _6-24 ring.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 R1 내지 R8은 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 중수소; 치환 또는 비치환된 C_1-6의 알킬기; 치환 또는 비치환된 C_6-12의 아릴기; 또는 치환 또는 비치환된 C_2-16의 헤테로고리기이거나, 서로 인접한 기끼리 결합하여 치환 또는 비치환된 C_6-20의 고리를 형성한다.In the exemplary embodiment of the present specification, R1 to R8 are the same as or different from each other, and each independently hydrogen; heavy hydrogen; A substituted or unsubstituted C _1-6 alkyl group; A substituted or unsubstituted C _6-12 aryl group; Or a substituted or unsubstituted C _2-16 heterocyclic group, or groups adjacent to each other are bonded to each other to form a substituted or unsubstituted C _6-20 ring.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 R1 내지 R8 중 서로 인접한 기끼리 결합하여 형성한 치환 또는 비치환된 고리는 치환 또는 비치환된 벤젠; 또는 치환 또는 비치환된 벤조퓨란; 치환 또는 비치환된 벤조티오펜; 또는 치환 또는 비치환된 인덴이다.In an exemplary embodiment of the present specification, a substituted or unsubstituted ring formed by bonding adjacent groups of R1 to R8 to each other is substituted or unsubstituted benzene; Or substituted or unsubstituted benzofuran; Substituted or unsubstituted benzothiophene; Or substituted or unsubstituted indene.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 R1 내지 R8 중 서로 인접한 기끼리 결합하여 형성한 치환 또는 비치환된 고리는 벤젠; 벤조퓨란; 벤조티오펜; 또는 메틸기로 치환된 인덴이다. In an exemplary embodiment of the present specification, a substituted or unsubstituted ring formed by bonding adjacent groups of R1 to R8 to each other is benzene; Benzofuran; Benzothiophene; Or indene substituted with a methyl group.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 R1 내지 R8은 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 중수소; 알킬기; 아릴기; 또는 R61로 치환 또는 비치환된 헤테로고리기이거나, 서로 인접한 기끼리 결합하여 방향족 탄화수소고리 또는 헤테로고리를 형성한다.In the exemplary embodiment of the present specification, R1 to R8 are the same as or different from each other, and each independently hydrogen; heavy hydrogen; Alkyl group; Aryl group; Or a heterocyclic group substituted or unsubstituted with R61, or groups adjacent to each other are bonded to each other to form an aromatic hydrocarbon ring or a heterocycle.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 R61은 치환 또는 비치환된 알킬기; 치환 또는 비치환된 아릴기; 또는 치환 또는 비치환된 헤테로고리기이다.In the exemplary embodiment of the present specification, R61 is a substituted or unsubstituted alkyl group; A substituted or unsubstituted aryl group; Or a substituted or unsubstituted heterocyclic group.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 R61은 치환 또는 비치환된 C_1-10의 알킬기; 치환 또는 비치환된 C_6-20의 아릴기; 또는 치환 또는 비치환된 C_2-20의 헤테로고리기이다.In the exemplary embodiment of the present specification, R61 is a substituted or unsubstituted C _1-10 alkyl group; A substituted or unsubstituted C _6-20 aryl group; Or a substituted or unsubstituted C _2-20 heterocyclic group.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 R61은 치환 또는 비치환된 C_1-6의 알킬기; 치환 또는 비치환된 C_6-16의 아릴기; 또는 치환 또는 비치환된 C_2-16의 헤테로고리기이다.In the exemplary embodiment of the present specification, R61 is a substituted or unsubstituted C _1-6 alkyl group; A substituted or unsubstituted C _6-16 aryl group; Or a substituted or unsubstituted C _2-16 heterocyclic group.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 R61은 알킬기, 아릴기 또는 시아노기로 치환 또는 비치환된 아릴기; 또는 헤테로고리기이다.In the exemplary embodiment of the present specification, R61 is an aryl group unsubstituted or substituted with an alkyl group, an aryl group, or a cyano group; Or a heterocyclic group.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 R61의 헤테로고리기는 O 및 S로 이루어진 군에서 선택된 1개 이상의 원소를 포함하는 헤테로고리기이다.In the exemplary embodiment of the present specification, the heterocyclic group of R61 is a heterocyclic group containing at least one element selected from the group consisting of O and S.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 R61의 헤테로고리기는 헤테로아릴기이다.In the exemplary embodiment of the present specification, the heterocyclic group of R61 is a heteroaryl group.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 R61의 헤테로고리기는 O 및 S로 이루어진 군에서 선택된 1개 이상의 원소를 포함하는 헤테로아릴기이다.In the exemplary embodiment of the present specification, the heterocyclic group of R61 is a heteroaryl group containing at least one element selected from the group consisting of O and S.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 화학식 2는 하기 화학식 2-1 내지 2-3 중 어느 하나로 표시된다.In the exemplary embodiment of the present specification, Formula 2 is represented by any one of Formulas 2-1 to 2-3 below.

[화학식 2-1][Formula 2-1]

[화학식 2-2][Formula 2-2]

[화학식 2-3][Formula 2-3]

상기 화학식 2-1 내지 2-3에 있어서,In Formulas 2-1 to 2-3,

X1은 O; S; C(R31)(R32); 또는 N(R33)이고,X1 is O; S; C(R31)(R32); Or N(R33),

X2는 O; S; C(R34)(R35); 또는 N(R36)이고,X2 is O; S; C(R34)(R35); Or N(R36),

Y는 O; S; C(R37)(R38); 또는 N(R39)이고,Y is O; S; C(R37)(R38); Or N(R39),

R31 및 R32는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 알킬기; 또는 아릴기이거나, R31 및 R32는 각각 페닐기이며 서로 결합하여 플루오렌 고리를 형성하고,R31 and R32 are the same as or different from each other, and each independently hydrogen; Alkyl group; Or an aryl group, R31 and R32 are each a phenyl group and are bonded to each other to form a fluorene ring,

R34 및 R35는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 알킬기; 또는 아릴기이거나, R34 및 R35는 각각 페닐기이며 서로 결합하여 플루오렌 고리를 형성하고,R34 and R35 are the same as or different from each other, and each independently hydrogen; Alkyl group; Or an aryl group, R34 and R35 are each a phenyl group and are bonded to each other to form a fluorene ring,

R37 및 R38은 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 알킬기; 또는 아릴기이거나, R37 및 R38은 각각 페닐기이며 서로 결합하여 플루오렌 고리를 형성하고,R37 and R38 are the same as or different from each other, and each independently hydrogen; Alkyl group; Or an aryl group, R37 and R38 are each a phenyl group and are bonded to each other to form a fluorene ring,

R33, R36 및 R39는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 알킬기; 치환 또는 비치환된 아릴기; 또는 치환 또는 비치환된 헤테로고리기이며,R33, R36 and R39 are the same as or different from each other, and each independently a substituted or unsubstituted alkyl group; A substituted or unsubstituted aryl group; Or a substituted or unsubstituted heterocyclic group,

R40 및 R41은 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 알킬기이며,R40 and R41 are the same as or different from each other, and each independently an alkyl group,

a1은 0 또는 1이고, a2는 0 또는 1이며, a40은 0 또는 1이고, a41은 0 또는 1이며, a1+a2+a40+a41은 1 이상이다.a1 is 0 or 1, a2 is 0 or 1, a40 is 0 or 1, a41 is 0 or 1, and a1+a2+a40+a41 is 1 or more.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 화학식 2-1은 하기 화학식 4-1 또는 4-2로 표시된다.In the exemplary embodiment of the present specification, Formula 2-1 is represented by the following Formula 4-1 or 4-2.

[화학식 4-1][Formula 4-1]

[화학식 4-2][Formula 4-2]

상기 화학식 4-1 및 4-2에 있어서, In Formulas 4-1 and 4-2,

X1, X2, R40 및 R41의 정의는 화학식 2-1에서 정의한 바와 같고,The definitions of X1, X2, R40 and R41 are as defined in Formula 2-1,

a1은 0 또는 1이고, a2는 0 또는 1이며, a1+a2는 1 또는 2이고,a1 is 0 or 1, a2 is 0 or 1, a1+a2 is 1 or 2,

a40은 0 또는 1이고, a41은 0 또는 1이며, a40+a41은 1 또는 2이다.a40 is 0 or 1, a41 is 0 or 1, and a40+a41 is 1 or 2.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 화학식 2-1은 하기 화학식 4-3으로 표시된다.In an exemplary embodiment of the present specification, Chemical Formula 2-1 is represented by Chemical Formula 4-3 below.

[화학식 4-3][Chemical Formula 4-3]

상기 화학식 4-3에 있어서,In Formula 4-3,

X1 및 X2의 정의는 화학식 2-1에서 정의한 바와 같고,The definitions of X1 and X2 are as defined in Formula 2-1,

a1은 0 또는 1이고, a2는 0 또는 1이며, a1+a2는 1 또는 2이다.a1 is 0 or 1, a2 is 0 or 1, and a1+a2 is 1 or 2.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 화학식 2-1은 하기 화학식 5-1 내지 5-4 중 어느 하나로 표시된다.In an exemplary embodiment of the present specification, Chemical Formula 2-1 is represented by any one of Chemical Formulas 5-1 to 5-4 below.

[화학식 5-1][Chemical Formula 5-1]

[화학식 5-2][Formula 5-2]

[화학식 5-3][Chemical Formula 5-3]

[화학식 5-4][Chemical Formula 5-4]

상기 화학식 5-1 내지 5-4에 있어서, X1, X2, R40 및 R41의 정의는 화학식 2-1에서 정의한 바와 같다.In Formulas 5-1 to 5-4, the definitions of X1, X2, R40 and R41 are as defined in Formula 2-1.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 화학식 2-3은 하기 화학식 3-2 내지 3-7 중 어느 하나로 표시된다.In an exemplary embodiment of the present specification, Formula 2-3 is represented by any one of Formulas 3-2 to 3-7 below.

[화학식 3-2][Chemical Formula 3-2]

[화학식 3-3][Chemical Formula 3-3]

[화학식 3-4][Formula 3-4]

[화학식 3-5][Formula 3-5]

[화학식 3-6][Formula 3-6]

[화학식 3-7][Formula 3-7]

상기 화학식 3-2 내지 3-7에 있어서,In Formulas 3-2 to 3-7,

Y의 정의는 화학식 2-3에서 정의한 바와 같다.The definition of Y is as defined in Chemical Formula 2-3.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 R31 및 R32는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; C_1-10의 알킬기; 또는 C_6-20의 아릴기이거나, R31 및 R32는 각각 페닐기이며 서로 결합하여 플루오렌 고리를 형성한다.In the exemplary embodiment of the present specification, R31 and R32 are the same as or different from each other, and each independently hydrogen; C _1-10 alkyl group; Or C _6-20 is an aryl group, R31 and R32 are each a phenyl group and are bonded to each other to form a fluorene ring.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 R31 및 R32는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; C_1-6의 알킬기; 또는 C_6-12의 아릴기이거나, R31 및 R32는 각각 페닐기이며 서로 결합하여 플루오렌 고리를 형성한다.In the exemplary embodiment of the present specification, R31 and R32 are the same as or different from each other, and each independently hydrogen; C _1-6 alkyl group; Or C _6-12 is an aryl group, R31 and R32 are each a phenyl group, and are bonded to each other to form a fluorene ring.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 R31 및 R32는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 메틸기; 또는 페닐기이거나, R31 및 R32는 각각 페닐기이며 서로 결합하여 플루오렌 고리를 형성한다.In the exemplary embodiment of the present specification, R31 and R32 are the same as or different from each other, and each independently hydrogen; Methyl group; Or a phenyl group, R31 and R32 are each a phenyl group, and are bonded to each other to form a fluorene ring.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 R34 및 R35는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; C_1-10의 알킬기; 또는 C_6-20의 아릴기이거나, R34 및 R35는 각각 페닐기이며 서로 결합하여 플루오렌 고리를 형성한다.In the exemplary embodiment of the present specification, R34 and R35 are the same as or different from each other, and each independently hydrogen; C _1-10 alkyl group; Or a C _6-20 aryl group, or R34 and R35 are each a phenyl group and are bonded to each other to form a fluorene ring.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 R34 및 R35는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; C_1-6의 알킬기; 또는 C_6-12의 아릴기이거나, R34 및 R35는 각각 페닐기이며 서로 결합하여 플루오렌 고리를 형성한다.In the exemplary embodiment of the present specification, R34 and R35 are the same as or different from each other, and each independently hydrogen; C _1-6 alkyl group; Or C _6-12 is an aryl group, or R34 and R35 are each a phenyl group and are bonded to each other to form a fluorene ring.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 R34 및 R35는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 메틸기; 또는 페닐기이거나, R34 및 R35는 각각 페닐기이며 서로 결합하여 플루오렌 고리를 형성한다.In the exemplary embodiment of the present specification, R34 and R35 are the same as or different from each other, and each independently hydrogen; Methyl group; Or a phenyl group, R34 and R35 are each a phenyl group, and are bonded to each other to form a fluorene ring.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 R37 및 R38은 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; C_1-10의 알킬기; 또는 C_6-20의 아릴기이거나, R37 및 R38은 각각 페닐기이며 서로 결합하여 플루오렌 고리를 형성한다.In the exemplary embodiment of the present specification, R37 and R38 are the same as or different from each other, and each independently hydrogen; C _1-10 alkyl group; Or C _6-20 is an aryl group, R37 and R38 are each a phenyl group and are bonded to each other to form a fluorene ring.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 R37 및 R38은 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; C_1-6의 알킬기; 또는 C_6-12의 아릴기이거나, R37 및 R38은 각각 페닐기이며 서로 결합하여 플루오렌 고리를 형성한다.In the exemplary embodiment of the present specification, R37 and R38 are the same as or different from each other, and each independently hydrogen; C _1-6 alkyl group; Or an aryl group of C _6-12 , R37 and R38 are each a phenyl group and are bonded to each other to form a fluorene ring.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 R37 및 R38은 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 메틸기; 또는 페닐기이거나, R37 및 R38은 각각 페닐기이며 서로 결합하여 플루오렌 고리를 형성한다.In the exemplary embodiment of the present specification, R37 and R38 are the same as or different from each other, and each independently hydrogen; Methyl group; Or a phenyl group, R37 and R38 are each a phenyl group, and are bonded to each other to form a fluorene ring.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 R33, R36 및 R39는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 C_1-10의 알킬기; 치환 또는 비치환된 C_6-20의 아릴기; 또는 치환 또는 비치환된 C_2-20의 헤테로고리기이다.In the exemplary embodiment of the present specification, R33, R36, and R39 are the same as or different from each other, and each independently a substituted or unsubstituted C _1-10 alkyl group; A substituted or unsubstituted C _6-20 aryl group; Or a substituted or unsubstituted C _2-20 heterocyclic group.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 R33, R36 및 R39는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 C_1-6의 알킬기; 치환 또는 비치환된 C_6-16의 아릴기; 또는 치환 또는 비치환된 C_2-16의 헤테로고리기이다.In the exemplary embodiment of the present specification, R33, R36, and R39 are the same as or different from each other, and each independently a substituted or unsubstituted C _1-6 alkyl group; A substituted or unsubstituted C _6-16 aryl group; Or a substituted or unsubstituted C _2-16 heterocyclic group.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 R33, R36 및 R39는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 알킬기, 아릴기 또는 시아노기로 치환 또는 비치환된 아릴기; 또는 헤테로고리기이다.In the exemplary embodiment of the present specification, R33, R36, and R39 are the same as or different from each other, and each independently an aryl group unsubstituted or substituted with an alkyl group, an aryl group, or a cyano group; Or a heterocyclic group.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 R33, R36 및 R39의 헤테로고리기는 O 및 S로 이루어지는 군에서 선택된 1개 이상의 원소를 포함하는 헤테로고리기이다.In the exemplary embodiment of the present specification, the heterocyclic group of R33, R36, and R39 is a heterocyclic group containing at least one element selected from the group consisting of O and S.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 R33, R36 및 R39의 헤테로고리기는 헤테로아릴기이다.In an exemplary embodiment of the present specification, the heterocyclic group of R33, R36, and R39 is a heteroaryl group.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 R33, R36 및 R39의 헤테로고리기는 O 및 S로 이루어지는 군에서 선택된 1개 이상의 원소를 포함하는 헤테로아릴기이다.In the exemplary embodiment of the present specification, the heterocyclic group of R33, R36, and R39 is a heteroaryl group containing at least one element selected from the group consisting of O and S.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 R33, R36 및 R39는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 페닐기; 메틸페닐기; 시아노페닐기; 바이페닐기; 디메틸플루오레닐기; 디벤조퓨라닐기; 또는 디벤조티오페닐기이다.In the exemplary embodiment of the present specification, R33, R36, and R39 are the same as or different from each other, and each independently a phenyl group; Methylphenyl group; Cyanophenyl group; Biphenyl group; Dimethylfluorenyl group; Dibenzofuranyl group; Or a dibenzothiophenyl group.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 R33, R36 및 R39는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 페닐기; 4-메틸페닐기; 4-시아노페닐기; (1,1'-바이페닐)-4-일기; 9,9'-디메틸-9H-플루오렌-2-일기; 디벤조퓨란-3-일기; 또는 디벤조티오펜-3-일기이다.In the exemplary embodiment of the present specification, R33, R36, and R39 are the same as or different from each other, and each independently a phenyl group; 4-methylphenyl group; 4-cyanophenyl group; (1,1'-biphenyl)-4-yl group; 9,9'-dimethyl-9H-fluoren-2-yl group; Dibenzofuran-3-yl group; Or a dibenzothiophen-3-yl group.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 X1 및 X2는 같다.In the exemplary embodiment of the present specification, X1 and X2 are the same.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 X1 및 X2는 상이하다.In the exemplary embodiment of the present specification, X1 and X2 are different.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 R40 및 R41은 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 C_1-10의 알킬기이다.In the exemplary embodiment of the present specification, R40 and R41 are the same as or different from each other, and each independently a C _1-10 alkyl group.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 R40 및 R41은 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 C_1-6의 알킬기이다.In the exemplary embodiment of the present specification, R40 and R41 are the same as or different from each other, and each independently a C _1-6 alkyl group.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 R40 및 R41은 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 메틸기; 또는 t-부틸기이다.In the exemplary embodiment of the present specification, R40 and R41 are the same as or different from each other, and each independently a methyl group; Or t-butyl group.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 R40 및 R41은 서로 같다.In the exemplary embodiment of the present specification, R40 and R41 are the same as each other.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 R41 및 R41은 서로 상이하다.In the exemplary embodiment of the present specification, R41 and R41 are different from each other.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 화학식 1은 하기 화학식 7-1 내지 7-3 중 어느 하나로 표시된다.In an exemplary embodiment of the present specification, Formula 1 is represented by any one of the following Formulas 7-1 to 7-3.

[화학식 7-1][Chemical Formula 7-1]

[화학식 7-2][Chemical Formula 7-2]

[화학식 7-3][Chemical Formula 7-3]

상기 화학식 7-1 내지 7-3에 있어서, X, R, Ar 및 a의 정의는 화학식 1에서 정의한 바와 같다.In Formulas 7-1 to 7-3, the definitions of X, R, Ar, and a are as defined in Formula 1.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 화학식 1은 하기 화학식 8-1 내지 8-3 중 어느 하나로 표시된다.In an exemplary embodiment of the present specification, Formula 1 is represented by any one of the following Formulas 8-1 to 8-3.

[화학식 8-1][Chemical Formula 8-1]

[화학식 8-2][Formula 8-2]

[화학식 8-3][Chemical Formula 8-3]

상기 화학식 8-1 내지 8-3에 있어서, X, R, Ar 및 a의 정의는 화학식 1에서 정의한 바와 같다.In Formulas 8-1 to 8-3, the definitions of X, R, Ar, and a are as defined in Formula 1.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 화학식 1은 하기 화학식 9로 표시된다.In an exemplary embodiment of the present specification, Formula 1 is represented by the following Formula 9.

[화학식 9][Formula 9]

상기 화학식 9에 있어서,In Formula 9,

G1 내지 G5 중 어느 하나는 X이고, G1 내지 G5 중 어느 하나는 R이고, G1 내지 G5 중 X 또는 R이 아닌 기는 수소이며,Any one of G1 to G5 is X, any one of G1 to G5 is R, and a group other than X or R of G1 to G5 is hydrogen,

X 및 R의 정의는 화학식 1에서 정의한 바와 같다.The definition of X and R is as defined in Chemical Formula 1.

본 발명의 일 실시상태에 있어서, 상기 화학식 1의 화합물은 하기 화합물 중에서 선택된 어느 하나이다.In an exemplary embodiment of the present invention, the compound of Formula 1 is any one selected from the following compounds.

전술한 화학식 1의 화합물은 당기술분야에 알려져 있는 재료와 반응 조건을 이용하여 제조될 수 있다. The compound of Formula 1 described above can be prepared using materials and reaction conditions known in the art.

본 발명은 상기 화학식 1의 코어 구조에 다양한 치환기를 도입함으로써 화합물의 HOMO 및 LUMO 에너지 준위를 조절하여, 다양한 에너지 밴드갭을 갖는 화합물을 제공한다.The present invention provides a compound having various energy band gaps by adjusting the HOMO and LUMO energy levels of the compound by introducing various substituents to the core structure of Formula 1 above.

일 실시상태에 있어서, 상기 화학식 1로 표시되는 화합물은 지연 형광 물질이다. 지연 형광 물질은 일중항 엑시톤을 삼중항 엑시톤으로 바꾸어 빛으로 전환하는 인광 물질과 달리, 삼중항 엑시톤을 일중항 엑시톤로 바꾸어 빛으로 전환하는 물질이며, 이 과정 때문에 지연 형광 특색을 보인다. 지연 형광 물질도 이론적으로는 일중항 엑시톤과 삼중항 엑시톤을 모두 빛으로 바꿀 수 있기 때문에 100% 내부 양자 효율이 가능하여, 인광 물질이 가지고 있는 수명과 효율의 한계를 극복할 수 있다.In an exemplary embodiment, the compound represented by Formula 1 is a delayed fluorescent material. The delayed fluorescent material is a material that converts triplet excitons into singlet excitons and converts them into light, unlike phosphorescent materials that convert singlet excitons into triplet excitons and converts them into light, and because of this process, they exhibit delayed fluorescence characteristics. Since delayed fluorescent materials can theoretically convert both singlet excitons and triplet excitons into light, 100% internal quantum efficiency is possible, thereby overcoming the limitations of lifespan and efficiency of phosphorescent materials.

지연 형광(열 여기형 지연 형광이라고도 함: Thermally Activated Delayed Fluorescence: 이하, 적절히 ‘TADF’라고 약기함) 현상이란 실온 또는 발광 소자 중의 발광층 온도에서 전계 여기에 의해 발생한 75%의 삼중항 엑시톤이 일중항 엑시톤으로 역항간 교차(Reverse Intersystem Crossing: 이하, 적절히 ‘RISC’라고 약기함)가 일어나는 현상이다. 역항간 교차에 의해 발생한 일중항 엑시톤이 직접 여기에 의해 발생한 25%의 일중항 엑시톤와 마찬가지로 형광 발광하여 100%의 내부 양자 효율이 가능하다.Delayed fluorescence (also referred to as thermally excited delayed fluorescence: Thermally Activated Delayed Fluorescence: hereinafter, appropriately abbreviated as'TADF') is a singlet of 75% triplet excitons generated by electric field excitation at room temperature or at the temperature of the light emitting layer in the light emitting element This is a phenomenon in which reverse intersystem crossing (hereinafter, properly abbreviated as'RISC') occurs with excitons. Singlet excitons generated by crossover between inverse terms fluoresces as well as 25% singlet excitons generated by direct excitation, thereby enabling an internal quantum efficiency of 100%.

TADF 현상을 발현시키기 위해서는 유기 화합물의 삼중항 에너지 및 일중항 에너지의 차이(△E_ST)를 작게 하는 것이 유효하다. △E_ST를 작게 하기 위해서는, 분자 내의 최고 점유 분자 오비탈(HOMO)과 최저 비점유 분자 오비탈(LUMO)을 국재화시키는 것(명확하게 분리하는 것)이 중요하다.In order to express the TADF phenomenon, it is effective to reduce the difference (ΔE _ST ) between the triplet energy and the singlet energy of the organic compound. In order to make the ΔE _ST small, it is important to localize (clearly separate) the highest occupied molecular orbital (HOMO) and the lowest non-occupied molecular orbital (LUMO) in the molecule.

본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 화학식 1로 표시되는 화합물의 일중항 에너지(S1_D)와 삼중항 에너지(T1_D)의 차(△E_{ST_D})는 0eV 이상 0.3eV 이하이다.According to an exemplary embodiment of the present specification, the difference (ΔE _{ST_D} ) between the singlet energy (S1 _D ) and the triplet energy (T1 _D ) of the compound represented by Formula 1 is 0 eV or more and 0.3 eV or less.

일 실시상태에 있어서, 상기 화학식 1로 표시되는 화합물의 일중항 에너지(S1_D)와 삼중항 에너지(T1_D)의 차(△E_{ST_D}) 0eV 이상 0.2eV 이하이다. 상기 화학식 1로 표시되는 화합물의 일중항 에너지(S1_D)와 삼중항 에너지(T1_D)의 차가 상기 범위를 만족하는 경우, 삼중항 에너지 준위의 엑시톤이 역항간 교차(RISC)에 의해 일중항 에너지 준위로 이동하는 비율 및 속도가 증가하여 삼중항 에너지 준위에 엑시톤이 머무는 시간이 줄어들게 되므로 유기 발광 소자의 효율 및 수명이 증가하는 이점이 있다.In an exemplary embodiment, the difference (ΔE _{ST_D} ) between the singlet energy (S1 _D ) and the triplet energy (T1 _D ) of the compound represented by Formula 1 is 0 eV or more and 0.2 eV or less. When the difference between the singlet energy (S1 _D ) and the triplet energy (T1 _D ) of the compound represented by Chemical Formula 1 satisfies the above range, the exciton of the triplet energy level is singlet energy by inverse crossover (RISC) As the rate and speed of moving to the level increases, the time for the exciton to stay in the triplet energy level decreases, thereby increasing the efficiency and lifespan of the organic light emitting device.

일 실시상태에 있어서, 상기 화학식 1로 표시되는 화합물의 삼중항 에너지(T1_D)는 2.1eV 내지 2.8eV 이다.In an exemplary embodiment, the triplet energy (T1 _D ) of the compound represented by Formula 1 is 2.1 eV to 2.8 eV.

또한, 본 발명에 따른 유기 발광 소자는 제1 전극, 제2 전극, 및 상기 제1 전극과 제2 전극 사이에 배치된 1층 이상의 유기물층을 포함하는 유기 발광 소자로서, 상기 유기물층은 상기 화학식 1로 표시되는 화합물을 포함한다.In addition, the organic light emitting device according to the present invention is an organic light emitting device comprising a first electrode, a second electrode, and one or more organic material layers disposed between the first electrode and the second electrode, wherein the organic material layer is represented by Formula 1 above. Including the indicated compound.

일 실시상태에 있어서, 상기 화학식 1로 표시되는 화합물은 발광층에 포함된다.In an exemplary embodiment, the compound represented by Formula 1 is included in the emission layer.

일 실시상태에 있어서, 상기 유기물층은 발광층을 포함하고, 상기 발광층은 도판트를 포함하며, 상기 도판트는 상기 화학식 1로 표시되는 화합물이다.In an exemplary embodiment, the organic material layer includes an emission layer, the emission layer includes a dopant, and the dopant is a compound represented by Chemical Formula 1.

일 실시상태에 있어서, 상기 화학식 1로 표시되는 화합물을 포함하는 발광층은 호스트를 더 포함한다. 이 경우, 화학식 1로 표시되는 화합물은 도판트로 작용할 수 있다. 이 때, 상기 화학식 1의 화합물의 함량은 상기 호스트 100 중량부 대비 1 중량부 내지 50 중량부이다.In an exemplary embodiment, the light emitting layer including the compound represented by Formula 1 further includes a host. In this case, the compound represented by Formula 1 may act as a dopant. In this case, the content of the compound of Formula 1 is 1 to 50 parts by weight based on 100 parts by weight of the host.

일 실시상태에 있어서, 상기 호스트의 삼중항 에너지(T1_H)는 2.4eV 내지 3.2eV 이다.In one embodiment, the triplet energy (T1 _H ) of the host is 2.4 eV to 3.2 eV.

일 실시상태에 있어서, 상기 호스트의 일중항 에너지(S1_H)는 2.6eV 내지 3.6eV 이다. In one embodiment, the singlet energy (S1 _H ) of the host is 2.6eV to 3.6eV.

일 실시상태에 있어서, 상기 호스트 물질로는 상기 호스트의 삼중항 에너지(T1_H)가 상기 화학식 1로 표시되는 화합물의 삼중항 에너지(T1_D)보다 큰 화합물이라면 적절히 선택하여 사용할 수 있다. In an exemplary embodiment, as the host material, if a compound having a triplet energy (T1 _H ) of the host is greater than the triplet energy (T1 _D ) of the compound represented by Chemical Formula 1 may be appropriately selected and used.

일 실시상태에 있어서, 상기 호스트는 하기 화합물 중에서 선택된 어느 하나일 수 있으나, 이에 한정되지 않는다.In an exemplary embodiment, the host may be any one selected from the following compounds, but is not limited thereto.

본 명세서의 유기 발광 소자의 유기물층은 단층 구조로 이루어질 수도 있으나, 2층 이상의 유기물층이 적층된 다층 구조로 이루어질 수 있다. 예컨대, 본 명세서의 유기 발광 소자는 유기물층으로서 발광층 외에, 정공 주입층, 정공 버퍼층, 정공 수송층, 전자 차단층, 정공 차단층, 전자 수송층 및 전자 주입층 중 적어도 한 층을 포함할 수 있다.The organic material layer of the organic light emitting device of the present specification may have a single-layer structure, but may have a multilayer structure in which two or more organic material layers are stacked. For example, the organic light emitting device of the present specification may include at least one of a hole injection layer, a hole buffer layer, a hole transport layer, an electron blocking layer, a hole blocking layer, an electron transport layer, and an electron injection layer in addition to the emission layer as an organic material layer.

일 예에 따르면, 상기 유기 발광 소자는 기판 상에 양극, 1층 이상의 유기물층 및 음극이 순차적으로 적층된 정방향 구조(normal type)의 유기 발광 소자일 수 있다. 다른 예에 따르면, 상기 유기 발광 소자는 기판 상에 음극, 1층 이상의 유기물층 및 양극이 순차적으로 적층된 역방향 구조(inverted type)의 유기 발광 소자일 수 있다.According to an example, the organic light-emitting device may be a normal type organic light-emitting device in which an anode, one or more organic material layers, and a cathode are sequentially stacked on a substrate. According to another example, the organic light-emitting device may be an organic light-emitting device of an inverted type in which a cathode, one or more organic material layers, and an anode are sequentially stacked on a substrate.

본 명세서의 유기 발광 소자는 유기물층 중 1층 이상이 상기 화학식 1의 화합물, 즉 상기 화학식 1로 표시되는 화합물을 포함하는 것을 제외하고는 당 기술분야에 알려져 있는 재료와 방법으로 제조될 수 있다.The organic light-emitting device of the present specification may be manufactured by materials and methods known in the art, except that at least one of the organic material layers includes the compound of Formula 1, that is, the compound of Formula 1.

예컨대, 본 명세서의 유기 발광 소자는 기판 상에 제1 전극, 유기물층 및 제2 전극을 순차적으로 적층시킴으로써 제조할 수 있다. 이 때 스퍼터링법(sputtering)이나 전자빔 증발법(e-beam evaporation)과 같은 PVD(physical Vapor Deposition)방법을 이용하여, 기판 상에 금속 또는 전도성을 가지는 금속 산화물 또는 이들의 합금을 증착시켜 양극을 형성하고, 그 위에 정공 주입층, 정공 수송층, 발광층 및 전자 수송층을 포함하는 유기물층을 형성한 후, 그 위에 음극으로 사용할 수 있는 물질을 증착시킴으로써 제조될 수 있다. 이와 같은 방법 외에도, 기판 상에 음극 물질부터 유기물층, 양극 물질을 차례로 증착시켜 유기 발광 소자를 만들 수 있다. For example, the organic light emitting device of the present specification may be manufactured by sequentially laminating a first electrode, an organic material layer, and a second electrode on a substrate. At this time, using a PVD (physical vapor deposition) method such as sputtering or e-beam evaporation, a metal or conductive metal oxide or alloy thereof is deposited on the substrate to form an anode. And, after forming an organic material layer including a hole injection layer, a hole transport layer, a light emitting layer, and an electron transport layer thereon, it can be prepared by depositing a material that can be used as a cathode thereon. In addition to this method, an organic light emitting device may be manufactured by sequentially depositing a cathode material, an organic material layer, and an anode material on a substrate.

또한, 상기 화학식 1의 화합물은 유기 발광 소자의 제조시 진공 증착법 뿐만 아니라 용액 도포법에 의하여 유기물층으로 형성될 수 있다. 여기서, 용액 도포법이라 함은 스핀 코팅, 딥코팅, 닥터 블레이딩, 잉크젯 프린팅, 스크린 프린팅, 스프레이법, 롤 코팅 등을 의미하지만, 이들만으로 한정되는 것은 아니다.In addition, the compound of Formula 1 may be formed as an organic material layer by a solution coating method as well as a vacuum deposition method when manufacturing an organic light emitting device. Here, the solution coating method refers to spin coating, dip coating, doctor blading, inkjet printing, screen printing, spray method, roll coating, and the like, but is not limited thereto.

이와 같은 방법 외에도, 기판 상에 음극 물질로부터 유기물층, 양극 물질을 차례로 증착시켜 유기 발광 소자를 만들 수도 있다. 다만, 제조 방법이 이에 한정되는 것은 아니다. In addition to this method, an organic light emitting device may be manufactured by sequentially depositing an organic material layer and an anode material from a cathode material on a substrate. However, the manufacturing method is not limited thereto.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 제1 전극은 양극이고, 상기 제2 전극은 음극이다. In the exemplary embodiment of the present specification, the first electrode is an anode, and the second electrode is a cathode.

또 하나의 실시상태에 있어서, 상기 제1 전극은 음극이고, 상기 제2 전극은 양극이다. In another exemplary embodiment, the first electrode is a cathode, and the second electrode is an anode.

상기 유기 발광 소자는 예컨대 하기와 같은 적층 구조를 가질 수 있으나, 이에만 한정되는 것은 아니다. The organic light-emitting device may have, for example, a stacked structure as described below, but is not limited thereto.

(1) 양극/정공 수송층/발광층/음극(1) anode/hole transport layer/light-emitting layer/cathode

(2) 양극/정공 주입층/정공 수송층/발광층/음극(2) anode/hole injection layer/hole transport layer/light emitting layer/cathode

(3) 양극/정공 주입층/정공 버퍼층/정공 수송층/발광층/음극(3) anode/hole injection layer/hole buffer layer/hole transport layer/light emitting layer/cathode

(4) 양극/정공 수송층/발광층/전자 수송층/음극(4) anode/hole transport layer/light-emitting layer/electron transport layer/cathode

(5) 양극/정공 수송층/발광층/전자 수송층/전자 주입층/음극(5) anode/hole transport layer/light emitting layer/electron transport layer/electron injection layer/cathode

(6) 양극/정공 주입층/정공 수송층/발광층/전자 수송층/음극(6) anode/hole injection layer/hole transport layer/light-emitting layer/electron transport layer/cathode

(7) 양극/정공 주입층/정공 수송층/발광층/전자 수송층/전자 주입층/음극(7) Anode/hole injection layer/hole transport layer/light emitting layer/electron transport layer/electron injection layer/cathode

(8) 양극/정공 주입층/정공 버퍼층/정공 수송층/발광층/전자 수송층/음극(8) Anode/hole injection layer/hole buffer layer/hole transport layer/light-emitting layer/electron transport layer/cathode

(9) 양극/정공 주입층/정공 버퍼층/정공 수송층/발광층/전자 수송층/전자 주입층/음극(9) Anode/hole injection layer/hole buffer layer/hole transport layer/light-emitting layer/electron transport layer/electron injection layer/cathode

(10) 양극/ 정공 수송층/전자 차단층/발광층/전자 수송층/음극(10) Anode/hole transport layer/electron blocking layer/light emitting layer/electron transport layer/cathode

(11) 양극/ 정공 수송층/전자 차단층/발광층/전자 수송층/전자 주입층/음극(11) Anode/hole transport layer/electron blocking layer/light emitting layer/electron transport layer/electron injection layer/cathode

(12) 양극/정공 주입층/정공 수송층/전자 차단층/발광층/전자 수송층/음극(12) Anode/hole injection layer/hole transport layer/electron blocking layer/light emitting layer/electron transport layer/cathode

(13) 양극/정공 주입층/정공 수송층/전자 차단층/발광층/전자 수송층/전자 주입층/음극(13) anode/hole injection layer/hole transport layer/electron blocking layer/light emitting layer/electron transport layer/electron injection layer/cathode

(14) 양극/정공 수송층/발광층/정공 차단층/전자 수송층/음극(14) anode/hole transport layer/light emitting layer/hole blocking layer/electron transport layer/cathode

(15) 양극/정공 수송층/발광층/정공 차단층/전자 수송층/전자 주입층/음극(15) anode/hole transport layer/light emitting layer/hole blocking layer/electron transport layer/electron injection layer/cathode

(16) 양극/정공 주입층/정공 수송층/발광층/정공 차단층/전자 수송층/음극(16) anode/hole injection layer/hole transport layer/light emitting layer/hole blocking layer/electron transport layer/cathode

(17) 양극/정공 주입층/정공 수송층/발광층/정공 차단층/전자 수송층/전자 주입층/음극(17) anode/hole injection layer/hole transport layer/light emitting layer/hole blocking layer/electron transport layer/electron injection layer/cathode

예컨대, 본 명세서의 일 실시상태에 따른 유기 발광 소자의 구조는 도 1 내지 3에 예시되어 있다. For example, the structure of an organic light-emitting device according to an exemplary embodiment of the present specification is illustrated in FIGS. 1 to 3.

도 1은 기판(1), 양극(2), 발광층(3) 및 음극(4)으로 이루어진 유기 발광 소자의 예를 도시한 것이다. 이와 같은 구조에 있어서, 상기 화학식 1의 화합물은 발광층에 포함될 수 있다.1 shows an example of an organic light-emitting device comprising a substrate 1, an anode 2, a light-emitting layer 3, and a cathode 4. In such a structure, the compound of Formula 1 may be included in the emission layer.

도 2는 기판 (1), 양극(2), 정공 주입층(5), 정공 수송층(6), 발광층(3), 전자 수송층(7) 및 음극(4)으로 이루어진 유기 발광 소자의 예를 도시한 것이다. 이와 같은 구조에 있어서, 상기 화학식 1의 화합물은 상기 정공 주입층 또는 정공 수송층에 포함될 수 있으나, 바람직하게는 발광층에 포함된다.FIG. 2 shows an example of an organic light emitting device comprising a substrate 1, an anode 2, a hole injection layer 5, a hole transport layer 6, a light emitting layer 3, an electron transport layer 7 and a cathode 4 I did it. In such a structure, the compound of Formula 1 may be included in the hole injection layer or the hole transport layer, but is preferably included in the emission layer.

도 3은 기판(1), 양극(2), 정공 주입층(5), 정공 수송층(6), 전자 차단층(8), 발광층(3), 정공 차단층(9), 전자 주입 및 수송층(10) 및 음극(4)으로 이루어진 유기 발광 소자의 예를 도시한 것이다. 이와 같은 구조에 있어서, 상기 화학식 1의 화합물은 정공 주입층(5), 정공 수송층(6), 전자 차단층(8), 발광층(3), 정공 차단층(9) 또는 전자 주입 및 수송층(10)에 포함될 수 있으나, 바람직하게는 발광층에 포함된다.3 is a substrate 1, an anode 2, a hole injection layer 5, a hole transport layer 6, an electron blocking layer 8, a light emitting layer 3, a hole blocking layer 9, an electron injection and transport layer ( 10) and a cathode 4 are shown as an example of an organic light-emitting device. In such a structure, the compound of Formula 1 is a hole injection layer (5), a hole transport layer (6), an electron blocking layer (8), a light emitting layer (3), a hole blocking layer (9), or an electron injection and transport layer (10). ), but is preferably included in the light emitting layer.

상기 양극 물질로는 통상 유기물층으로 정공 주입이 원활할 수 있도록 일함수가 큰 물질이 바람직하다. 본 발명에서 사용될 수 있는 양극 물질의 구체적인 예로는 바나듐, 크롬, 구리, 아연, 금과 같은 금속 또는 이들의 합금; 아연 산화물, 인듐 산화물, 인듐주석 산화물(ITO), 인듐아연 산화물(IZO)과 같은 금속 산화물; ZnO:Al 또는 SnO₂:Sb와 같은 금속과 산화물의 조합; 폴리(3-메틸티오펜), 폴리[3,4-(에틸렌-1,2-디옥시)티오펜](PEDOT), 폴리피롤 및 폴리아닐린과 같은 전도성 고분자 등이 있으나, 이들에만 한정되는 것은 아니다.As the anode material, a material having a large work function is preferable so that holes can be smoothly injected into the organic material layer. Specific examples of the cathode material that can be used in the present invention include metals such as vanadium, chromium, copper, zinc, and gold, or alloys thereof; Metal oxides such as zinc oxide, indium oxide, indium tin oxide (ITO), and indium zinc oxide (IZO); Combinations of metals and oxides such as ZnO:Al or SnO ₂ :Sb; Poly(3-methylthiophene), poly[3,4-(ethylene-1,2-dioxy)thiophene] (PEDOT), conductive polymers such as polypyrrole and polyaniline, and the like, but are not limited thereto.

상기 정공 주입층은 전극으로부터 수취받은 정공을 발광층 또는 발광층쪽으로 구비된 인접한 층에 주입하는 층이다. 상기 정공 주입 물질로는 정공을 수송하는 능력을 가져 양극에서의 정공 주입 효과, 발광층 또는 발광 재료에 대하여 우수한 정공 주입 효과를 갖고, 발광층에서 생성된 엑시톤의 전자 주입층 또는 전자 주입 재료에의 이동을 방지하며, 또한, 박막 형성 능력이 우수한 화합물을 사용하는 것이 바람직하다. 상기 정공 주입 물질의 HOMO(highest occupied molecular orbital)는 양극 물질의 일함수와 주변 유기물층의 HOMO 사이인 것이 바람직하다. 상기 정공 주입 물질의 구체적인 예로는 금속 포피린(porphyrin), 올리고티오펜, 아릴아민 계열의 유기물, 헥사니트릴헥사아자트리페닐렌 계열의 유기물, 퀴나크리돈(quinacridone)계열의 유기물, 페릴렌(perylene) 계열의 유기물, 안트라퀴논 및 폴리아닐린과 폴리티오펜 계열의 전도성 고분자 등이 있으나, 이들에만 한정되는 것은 아니다.The hole injection layer is a layer for injecting holes received from an electrode into a light emitting layer or a layer adjacent to the light emitting layer. The hole injection material has the ability to transport holes, and thus has a hole injection effect at the anode, an excellent hole injection effect for the light emitting layer or the light emitting material, and transfer of excitons generated in the light emitting layer to the electron injection layer or the electron injection material. It is preferable to use a compound that prevents and has excellent thin film formation ability. The HOMO (highest occupied molecular orbital) of the hole injection material is preferably between the work function of the positive electrode material and the HOMO of the surrounding organic material layer. Specific examples of the hole injection material include metal porphyrin, oligothiophene, arylamine-based organic material, hexanitrile hexaazatriphenylene-based organic material, quinacridone-based organic material, perylene There are a series of organic substances, anthraquinone, and polyaniline and a polythiophene series of conductive polymers, but are not limited thereto.

상기 정공 수송층은 정공 주입층으로부터 정공을 수취하여 발광층 또는 발광층쪽으로 구비된 인접한 층에 정공을 수송하는 층이다. 상기 정공 수송 물질로는 양극이나 정공 주입층으로부터 정공을 수송받아 발광층으로 옮겨줄 수 있는 물질로 정공에 대한 이동성이 큰 물질이 적합하다. 상기 정공 수송 물질의 구체적인 예로는 NPD(N,N-dinaphthyl-N,N'-diphenylbenzidine), TPD(N,N'-bis-(3-methylphenyl)-N,N'-bis-(phenyl)-benzidine), s-TAD 및 MTDATA(4,4',4"- Tris(N-3-methylphenyl-N-phenyl-amino)-triphenylamine), 트라이아졸 유도체, 옥사다이아졸 유도체, 이미다졸 유도체, 폴리아릴알케인 유도체, 피라졸린 유도체 및 피라졸론 유도체, 페닐렌다이아민 유도체, 아릴아민 유도체, 아미노 치환 칼콘 유도체, 옥사졸 유도체, 스타이릴안트라센 유도체, 플루오렌온 유도체, 하이드라존 유도체, 스틸벤 유도체, 실라제인 유도체, 폴리실레인계, 아닐린계 공중합체, 도전성 고분자 올리고머(특히 싸이오펜 올리고머) 등을 들 수 있으나, 이에 한정되지 않는다.The hole transport layer is a layer that receives holes from the hole injection layer and transports holes to a light emitting layer or an adjacent layer provided toward the light emitting layer. The hole transport material is a material capable of transporting holes from an anode or a hole injection layer and transferring them to the emission layer, and a material having high mobility for holes is suitable. Specific examples of the hole transport material include NPD (N,N-dinaphthyl-N,N'-diphenylbenzidine), TPD (N,N'-bis-(3-methylphenyl)-N,N'-bis-(phenyl)- benzidine), s-TAD and MTDATA(4,4',4"- Tris(N-3-methylphenyl-N-phenyl-amino)-triphenylamine), triazole derivatives, oxadiazole derivatives, imidazole derivatives, polyaryl Alkane derivatives, pyrazoline derivatives and pyrazolone derivatives, phenylenediamine derivatives, arylamine derivatives, amino substituted chalcone derivatives, oxazole derivatives, styrylanthracene derivatives, fluorenone derivatives, hydrazone derivatives, stilbene derivatives, Silasein derivatives, polysilane-based, aniline-based copolymers, conductive polymer oligomers (especially thiophene oligomers), and the like, but are not limited thereto.

정공 주입층과 정공 수송층 사이에 추가로 정공 버퍼층이 구비될 수 있다. 정공 버퍼층으로는 당기술분야에 알려져 있는 정공 주입 또는 수송 재료를 사용할 수 있다. A hole buffer layer may be additionally provided between the hole injection layer and the hole transport layer. As the hole buffer layer, a hole injection or transport material known in the art may be used.

정공 수송층과 발광층 사이에 전자 차단층이 구비될 수 있으며, 당 기술분야에 알려져 있는 재료가 사용될 수 있다. 상기 전자 차단층은 발광층으로주터 전자가 양극으로 유입되는 것을 방지하고 발광층으로 유입되는 정공의 흐름을 조절하여 소자 전체의 성능을 조절하는 층이다. 상기 전자 차단 물질로는 발광층으로부터 양극으로의 전자의 유입을 방지하고, 발광층 또는 발광 재료에 대하여 주입되는 정공의 흐름을 조절하는 능력을 갖는 화합물이 바람직하다. 일 실시상태에 있어서, 전자 차단층으로는 아릴아민 계열의 유기물이 사용될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.An electron blocking layer may be provided between the hole transport layer and the light emitting layer, and materials known in the art may be used. The electron blocking layer is a layer that prevents electrons from flowing into the light-emitting layer and controls the flow of holes flowing into the light-emitting layer to control the performance of the entire device. The electron blocking material is preferably a compound having the ability to prevent the inflow of electrons from the emission layer to the anode and to control the flow of holes injected into the emission layer or the emission material. In one embodiment, an arylamine-based organic material may be used as the electron blocking layer, but is not limited thereto.

전자 수송층과 발광층 사이에 정공 차단층이 구비될 수 있으며, 당 기술분야에 알려져 있는 재료가 사용될 수 있다. 상기 정공 차단층은 발광층으로부터 정공이 음극으로 유입되는 것을 차단하고 발광층으로 유입되는 전자를 조절하여 소자 전체의 성능을 조절하는 층이다. 정공 차단 물질로는 발광층으로부터 음극으로의 정공의 유입을 방지하고, 발광층 또는 발광 재료에 대하여 주입되는 전자를 조절하는 능력을 갖는 화합물이 바람직하다. 정공 차단 물질로는 소자 내 사용되는 유기물층의 구성에 따라 적절한 물질을 사용할 수 있다. 상기 정공 차단층은 발광층과 음극 사이에 위치하며, 바람직하게는 발광층에 접하여 구비된다.A hole blocking layer may be provided between the electron transport layer and the light emitting layer, and materials known in the art may be used. The hole blocking layer is a layer that blocks the introduction of holes from the emission layer to the cathode and controls the electrons flowing into the emission layer to control the performance of the entire device. The hole blocking material is preferably a compound having the ability to prevent the inflow of holes from the light emitting layer to the cathode and control electrons injected into the light emitting layer or the light emitting material. As the hole blocking material, an appropriate material may be used according to the configuration of the organic material layer used in the device. The hole blocking layer is located between the emission layer and the cathode, and is preferably provided in contact with the emission layer.

전자 수송층은 전자의 수송을 원활하게 하는 역할을 할 수 있다. Alq₃(tris(8-hydroxyquinolino)aluminum), PBD, TAZ, spiro-PBD, BAlq, SAlq와 같은 당 기술분야에 알려진 재료가 사용될 수 있다. 상기 전자 수송층의 두께는 1nm 내지 50nm일 수 있다. 여기서, 상기 전자 수송층의 두께가 1nm 이상이면, 전자 수송 특성이 저하되는 것을 방지할 수 있는 이점이 있고, 50nm 이하이면, 전자 수송층의 두께가 너무 두꺼워 전자의 이동을 향상시키기 위해 구동전압이 상승되는 것을 방지할 수 있는 이점이 있다.The electron transport layer may play a role of facilitating the transport of electrons. Materials known in the art such as Alq ₃ (tris(8-hydroxyquinolino)aluminum), PBD, TAZ, spiro-PBD, BAlq, and SAlq may be used. The electron transport layer may have a thickness of 1 nm to 50 nm. Here, if the thickness of the electron transport layer is 1 nm or more, there is an advantage of preventing deterioration of the electron transport characteristics, and if the thickness of the electron transport layer is 50 nm or less, the thickness of the electron transport layer is too thick and the driving voltage is increased to improve the movement of electrons. There is an advantage that can prevent it.

상기 전자 주입층은 전자의 주입을 원활하게 하는 역할을 한다. Alq₃(tris(8-hydroxyquinolino)aluminum), PBD, TAZ, spiro-PBD, BAlq 또는 SAlq과 같은 당 기술분야에 알려져 있는 유기물이나 착체 또는 금속 화합물로 이루어질 수 있다. 전자 주입층에 사용될 수 있는 유기물은 플루오레논, 안트라퀴노다이메탄, 다이페노퀴논, 티오피란 다이옥사이드, 옥사졸, 옥사다이아졸, 트리아졸, 이미다졸, 벤조이미다졸, 페릴렌테트라카복실산, 프레오레닐리덴 메탄, 안트론 등과 그들의 유도체, 금속 착체 화합물 및 함질소 5원환 유도체 등이 있으나, 이에 한정되지 않는다. 상기 금속 화합물로는 금속 할로겐화물이 사용될 수 있으며, 예컨대 LiQ, LiF, NaF, KF, RbF, CsF, FrF, BeF₂, MgF₂, CaF₂, SrF₂, BaF₂ 및 RaF₂ 등이 사용될 수 있다. 상기 전자 주입층의 두께는 1nm 내지 50nm일 수 있다. 여기서, 상기 전자 주입층의 두께가 1nm 이상이면, 전자 주입 특성이 저하되는 것을 방지할 수 있는 이점이 있고, 50nm 이하이면, 전자 주입층의 두께가 너무 두꺼워 전자의 이동을 향상시키기 위해 구동전압이 상승되는 것을 방지할 수 있는 이점이 있다. 일 실시상태에 있어서, 상기 전자 주입층은 상기 유기물과 상기 금속 화합물을 혼합하여 형성할 수 있다.The electron injection layer serves to facilitate electron injection. Alq ₃ (tris(8-hydroxyquinolino)aluminum), PBD, TAZ, spiro-PBD, BAlq or SAlq known in the art, such as organic substances or complexes or metal compounds. Organic substances that can be used in the electron injection layer are fluorenone, anthraquinodimethane, diphenoquinone, thiopyran dioxide, oxazole, oxadiazole, triazole, imidazole, benzoimidazole, perylenetetracarboxylic acid, preorenyli Den methane, anthrone, and the like, derivatives thereof, metal complex compounds, and nitrogen-containing 5-membered ring derivatives, but are not limited thereto. With the metal compound is a metal halide, and cargo may be used, such as LiQ, LiF, may be is used NaF, KF, RbF, CsF, FrF, BeF _2, MgF _2, CaF _2, SrF _2, BaF ₂ and RaF ₂ etc. . The thickness of the electron injection layer may be 1 nm to 50 nm. Here, when the thickness of the electron injection layer is 1 nm or more, there is an advantage of preventing deterioration of the electron injection characteristics, and when the thickness of the electron injection layer is 50 nm or less, the thickness of the electron injection layer is too thick and the driving voltage is reduced to improve the movement of electrons. There is an advantage that can prevent it from rising. In an exemplary embodiment, the electron injection layer may be formed by mixing the organic material and the metal compound.

상기 음극 물질로는 통상 유기물층으로 전자 주입이 용이하도록 일함수가 작은 물질인 것이 바람직하다. 음극 물질의 구체적인 예로는 마그네슘, 칼슘, 나트륨, 칼륨, 티타늄, 인듐, 이트륨, 리튬, 가돌리늄, 알루미늄, 은, 주석 및 납과 같은 금속 또는 이들의 합금; LiF/Al 또는 LiO₂/Al과 같은 다층 구조 물질 등이 있으나, 이들에만 한정되는 것은 아니다. 상기 음극은 유기 발광 소자가 전면 또는 양면 발광 구조일 경우, 빛을 투과할 수 있을 정도로 얇은 두께로 형성할 수 있으며, 유기 발광 소자가 배면 발광 구조일 경우, 빛을 반사시킬 수 있을 정도로 두껍게 형성할 수 있다. It is preferable that the cathode material is a material having a small work function to facilitate electron injection into the organic material layer. Specific examples of the negative electrode material include metals such as magnesium, calcium, sodium, potassium, titanium, indium, yttrium, lithium, gadolinium, aluminum, silver, tin, and lead, or alloys thereof; There are multi-layered materials such as LiF/Al or LiO ₂ /Al, but are not limited thereto. The cathode may be formed to have a thickness thin enough to transmit light when the organic light emitting device has a front or double-sided light emitting structure, and when the organic light emitting device has a rear light emitting structure, the cathode may be formed thick enough to reflect light. I can.

상기 발광층과 양극 또는 음극 사이, 상기 발광층과 전하 생성층 사이에는 전술한 정공 주입층, 정공 버퍼층, 정공 수송층, 전자 차단층, 정공 차단층, 전자 수송층, 전자 주입층과 같은 1층 이상의 유기물층이 더 포함될 수 있다.One or more organic material layers such as the above-described hole injection layer, hole buffer layer, hole transport layer, electron blocking layer, hole blocking layer, electron transport layer, and electron injection layer are further formed between the emission layer and the anode or the cathode, and between the emission layer and the charge generation layer. Can be included.

상기 발광 물질로는 정공 수송층과 전자 수송층으로부터 정공과 전자를 각각 수송받아 결합시킴으로써 가시광선 영역의 빛을 낼 수 있는 물질로서, 형광이나 인광에 대한 양자 효율이 좋은 물질이 바람직하다. 구체적인 예로는 8-하이드록시퀴놀린 알루미늄 착물(Alq₃); 카르바졸 계열 화합물; 이량체화 스티릴(dimerized styryl) 화합물; BAlq; 10-하이드록시벤조퀴놀린-금속 화합물; 벤즈옥사졸, 벤조티아졸 및 벤즈이미다졸 계열의 화합물; 폴리(p-페닐렌비닐렌)(PPV) 계열의 고분자; 스피로(spiro) 화합물; 폴리플루오렌, 루브렌 등이 있으나, 이들에만 한정되는 것은 아니다.The light-emitting material is a material capable of emitting light in a visible light region by transporting and bonding holes and electrons from the hole transport layer and the electron transport layer, respectively, and a material having good quantum efficiency for fluorescence or phosphorescence is preferable. Specific examples include 8-hydroxyquinoline aluminum complex (Alq ₃ ); Carbazole-based compounds; Dimerized styryl compounds; BAlq; 10-hydroxybenzoquinoline-metal compound; Benzoxazole, benzothiazole and benzimidazole-based compounds; Poly(p-phenylenevinylene) (PPV)-based polymer; Spiro compounds; Polyfluorene, rubrene, and the like, but are not limited thereto.

상기 발광층은 호스트 재료 및 도판트 재료를 포함할 수 있다. 호스트 재료는 축합 방향족환 유도체 또는 헤테로환 함유 화합물 등이 있다. 구체적으로 축합 방향족환 유도체로는 안트라센 유도체, 파이렌 유도체, 나프탈렌 유도체, 펜타센 유도체, 페난트렌 화합물, 플루오란텐 화합물 등이 있고, 헤테로환 함유 화합물로는 카바졸 유도체, 디벤조퓨란 유도체, 래더형 퓨란 화합물, 피리미딘 유도체 등이 있으나, 이에 한정되지 않는다. The emission layer may include a host material and a dopant material. Host materials include condensed aromatic ring derivatives or heterocyclic-containing compounds. Specifically, condensed aromatic ring derivatives include anthracene derivatives, pyrene derivatives, naphthalene derivatives, pentacene derivatives, phenanthrene compounds, and fluoranthene compounds, and heterocycle-containing compounds include carbazole derivatives, dibenzofuran derivatives, and ladders. Type furan compounds, pyrimidine derivatives, and the like, but are not limited thereto.

상기 발광층의 도판트 재료로는 방향족 아민 유도체, 스티릴아민 화합물, 카바졸기가 치환된 방향족 탄화수소 화합물, 붕소 착체, 플루오란텐 화합물, 금속 착체 등이 있다. 상기 방향족 아민 유도체로는 치환 또는 비치환된 아릴아민기를 갖는 축합 방향족환 유도체로서, 아릴아민기를 갖는 파이렌, 안트라센, 크라이센, 페리플란텐 등을 사용할 수 있다. 상기 스티릴아민 화합물로는 치환 또는 비치환된 아릴아민에 적어도 1개의 아릴비닐기가 치환된 화합물을 사용할 수 있다. 상기 스티릴아민 화합물의 예로는 스티릴아민, 스티릴디아민, 스티릴트리아민, 스티릴테트라아민 등이 있으나, 이에 한정되지 않는다. 상기 금속 착체로는 이리듐 착체, 백금 착체 등을 사용할 수 있으나, 이에 한정되지 않는다. The dopant material of the light emitting layer includes an aromatic amine derivative, a styrylamine compound, an aromatic hydrocarbon compound substituted with a carbazole group, a boron complex, a fluoranthene compound, and a metal complex. As the aromatic amine derivative, as a condensed aromatic ring derivative having a substituted or unsubstituted arylamine group, pyrene, anthracene, chrysene, periflanthene and the like having an arylamine group may be used. As the styrylamine compound, a compound in which at least one arylvinyl group is substituted with a substituted or unsubstituted arylamine may be used. Examples of the styrylamine compound include, but are not limited to, styrylamine, styryldiamine, styryltriamine, and styryltetraamine. The metal complex may be an iridium complex or a platinum complex, but is not limited thereto.

본 발명에 따른 유기 발광 소자는 사용되는 재료에 따라 전면 발광형, 후면 발광형 또는 양면 발광형일 수 있다.The organic light emitting device according to the present invention may be a top emission type, a bottom emission type, or a double-sided emission type depending on the material used.

<제조예><Production Example>

상기 화학식 1로 표시되는 화합물은 하기와 같이 할라이드가 치환된 벤젠 또는 시아노벤젠에 다양한 종류의 카바졸류를 버크벌드(Buchwald) 반응을 통해 도입하고, 최종적으로 아이소인돌린-1,3-다이온을 도입하여 제조할 수 있다. The compound represented by Chemical Formula 1 introduces various types of carbazoles to halide-substituted benzene or cyanobenzene through a Buchwald reaction, and finally isoindoline-1,3-dione It can be produced by introducing.

제조예 1-1: 화합물 1의 합성Preparation Example 1-1: Synthesis of Compound 1

화합물 1-A의 합성Synthesis of compound 1-A

1-클로로-4-플루오로벤젠 30 g(229.8 mmol), 소듐터트뷰톡사이드 275.8 mmol, 5-페닐-5,12-다이하이드로인돌로[3,2-a]카바졸 229.8 mmol 및 톨루엔 300 mL를 혼합하고 리플럭스하여 30분 가열하고 테트라키스트라이페닐포스핀팔라듐 4.6 mmol을 첨가하여 리플럭스 상태로 3시간 교반하였다. 반응 후 실온으로 되돌린 반응 용액을 물을 이용하여 추출하고 유기층을 클로로포름/헥산으로 2회 재결정을 실시하여, 화합물 1-A 87.5 g을 얻었다(수율 86%).1-chloro-4-fluorobenzene 30 g (229.8 mmol), sodium tertbutoxide 275.8 mmol, 5-phenyl-5,12-dihydroindolo[3,2-a]carbazole 229.8 mmol and toluene 300 mL After mixing and refluxing, heating for 30 minutes, 4.6 mmol of tetrakistriphenylphosphine palladium was added, and the mixture was stirred for 3 hours in a reflux state. After the reaction, the reaction solution returned to room temperature was extracted with water, and the organic layer was recrystallized twice with chloroform/hexane to obtain 87.5 g of compound 1-A (yield 86%).

MS[M+H]⁺ = 443MS[M+H] ⁺ = 443

화합물 1의 합성Synthesis of compound 1

화합물 1-A 20 g(45.1 mmol), 소듐터트뷰톡사이드 54.2 mmol, 아이소인돌린-1,3-다이온 45.1 mmol 및 톨루엔 200 mL를 혼합하고 리플럭스하여 30분 가열하고 테트라키스트라이페닐포스핀팔라듐 0.9 mmol을 첨가하여 리플럭스 상태로 2시간 교반하였다. 반응 후 실온으로 되돌린 반응 용액을 물을 이용하여 추출하고 유기층을 클로로포름/헥산으로 2회 재결정을 실시하여, 화합물 1 18 g을 얻었다(수율 72%).Compound 1-A 20 g (45.1 mmol), sodium tertbutoxide 54.2 mmol, isoindolin-1,3-dione 45.1 mmol, and toluene 200 mL were mixed, refluxed, heated for 30 minutes, tetrakistriphenylphosphine 0.9 mmol of palladium was added and the mixture was stirred for 2 hours in a reflux state. After the reaction, the reaction solution returned to room temperature was extracted with water, and the organic layer was recrystallized twice with chloroform/hexane to obtain 18 g of compound 1 (yield 72%).

MS[M+H]⁺ = 554MS[M+H] ⁺ = 554

제조예 1-2: 화합물 2의 합성Preparation Example 1-2: Synthesis of Compound 2

화합물 1-B의 합성Synthesis of compound 1-B

1-클로로-4-플루오로벤젠 30 g(229.8 mmol), 소듐터트뷰톡사이드 275.8 mmol, 5-페닐-5,8-다이하이드로인돌로[2,3-c]카바졸 229.8 mmol 및 톨루엔 300 mL를 혼합하고 리플럭스하여 30분 가열하고 테트라키스트라이페닐포스핀팔라듐 4.6 mmol을 첨가하여 리플럭스 상태로 3시간 교반하였다. 반응 후 실온으로 되돌린 반응 용액을 물을 이용하여 추출하고 유기층을 클로로포름/헥산으로 2회 재결정을 실시하여, 화합물 1-B 84.5 g을 얻었다(수율 83%).1-chloro-4-fluorobenzene 30 g (229.8 mmol), sodium tertbutoxide 275.8 mmol, 5-phenyl-5,8-dihydroindolo[2,3-c]carbazole 229.8 mmol and toluene 300 mL After mixing and refluxing, heating for 30 minutes, 4.6 mmol of tetrakistriphenylphosphine palladium was added, and the mixture was stirred for 3 hours in a reflux state. After the reaction, the reaction solution returned to room temperature was extracted with water, and the organic layer was recrystallized twice with chloroform/hexane to obtain 84.5 g of compound 1-B (yield 83%).

MS[M+H]⁺ = 443MS[M+H] ⁺ = 443

화합물 2의 합성Synthesis of compound 2

화합물 1-B 20 g(45.1 mmol), 소듐터트뷰톡사이드 54.2 mmol, 아이소인돌린-1,3-다이온 45.1 mmol 및 톨루엔 200 mL를 혼합하고 리플럭스하여 30분 가열하고 테트라키스트라이페닐포스핀팔라듐 0.9 mmol을 첨가하여 리플럭스 상태로 2시간 교반하였다. 반응 후 실온으로 되돌린 반응 용액을 물을 이용하여 추출하고 유기층을 클로로포름/헥산으로 2회 재결정을 실시하여, 화합물 2 18.5 g을 얻었다(수율 74%).Compound 1-B 20 g (45.1 mmol), sodium tertbutoxide 54.2 mmol, isoindolin-1,3-dione 45.1 mmol and toluene 200 mL were mixed, refluxed, heated for 30 minutes, and tetrakistriphenylphosphine 0.9 mmol of palladium was added and the mixture was stirred for 2 hours in a reflux state. After the reaction, the reaction solution returned to room temperature was extracted with water, and the organic layer was recrystallized twice with chloroform/hexane to obtain 18.5 g of compound 2 (yield 74%).

MS[M+H]⁺ = 554MS[M+H] ⁺ = 554

제조예 1-3: 화합물 3의 합성Preparation Example 1-3: Synthesis of Compound 3

화합물 1-C의 합성Synthesis of compound 1-C

1-클로로-4-플루오로벤젠 30 g(229.8 mmol), 소듐터트뷰톡사이드 275.8 mmol, 9-페닐-9H,9'H-3,3'-바이카바졸 229.8 mmol 및 톨루엔 300mL를 혼합하고 리플럭스하여 30분 가열하고 테트라키스트라이페닐포스핀팔라듐 4.6 mmol을 첨가하여 리플럭스 상태로 3시간 교반하였다. 반응 후 실온으로 되돌린 반응 용액을 물을 이용하여 추출하고 유기층을 클로로포름/헥산으로 2회 재결정을 실시하여, 화합물 1-C 95.4 g을 얻었다(수율 80%).1-chloro-4-fluorobenzene 30 g (229.8 mmol), sodium tertbutoxide 275.8 mmol, 9-phenyl-9H,9'H-3,3'-bicarbazole 229.8 mmol and 300 mL of toluene were mixed and rippled After heating for 30 minutes by lux, 4.6 mmol of tetrakistriphenylphosphine palladium was added, and the mixture was stirred in a reflux state for 3 hours. After the reaction, the reaction solution returned to room temperature was extracted with water, and the organic layer was recrystallized twice with chloroform/hexane to obtain 95.4 g of compound 1-C (yield 80%).

MS[M+H]⁺ = 519MS[M+H] ⁺ = 519

화합물 3의 합성Synthesis of compound 3

화합물 1-C 23.4 g(45.1 mmol), 소듐터트뷰톡사이드 54.2 mmol, 아이소인돌린-1,3-다이온 45.1 mmol 및 톨루엔 200 mL를 혼합하고 리플럭스하여 30분 가열하고 테트라키스트라이페닐포스핀팔라듐 0.9 mmol을 첨가하여 리플럭스 상태로 2시간 교반하였다. 반응 후 실온으로 되돌린 반응 용액을 물을 이용하여 추출하고 유기층을 클로로포름/헥산으로 2회 재결정을 실시하여, 화합물 3 19.9 g을 얻었다(수율 70%).Compound 1-C 23.4 g (45.1 mmol), sodium tertbutoxide 54.2 mmol, isoindolin-1,3-dione 45.1 mmol and toluene 200 mL were mixed, refluxed, heated for 30 minutes, and tetrakistriphenylphosphine 0.9 mmol of palladium was added and the mixture was stirred for 2 hours in a reflux state. After the reaction, the reaction solution returned to room temperature was extracted with water, and the organic layer was recrystallized twice with chloroform/hexane to obtain 19.9 g of compound 3 (yield 70%).

MS[M+H]⁺ = 630MS[M+H] ⁺ = 630

제조예 1-4: 화합물 4의 합성Preparation Example 1-4: Synthesis of Compound 4

화합물 1-D의 합성Synthesis of compound 1-D

5-클로로-2-플루오로벤조나이트릴 30 g(192.8 mmol), 소듐터트뷰톡사이드 231.4 mmol, 5-페닐-5,12-다이하이드로인돌로[3,2-a]카바졸 192.8 mmol 및 톨루엔 200 mL를 혼합하고 리플럭스하여 30분 가열하고 테트라키스트라이페닐포스핀팔라듐 3.8 mmol을 첨가하여 리플럭스 상태로 3시간 교반하였다. 반응 후 실온으로 되돌린 반응 용액을 물을 이용하여 추출하고 유기층을 클로로포름/헥산으로 2회 재결정을 실시하여, 화합물 1-D 59 g을 얻었다(수율 81%).5-chloro-2-fluorobenzonitrile 30 g (192.8 mmol), sodium tertbutoxide 231.4 mmol, 5-phenyl-5,12-dihydroindolo[3,2-a]carbazole 192.8 mmol and toluene 200 mL was mixed, refluxed, heated for 30 minutes, tetrakistriphenylphosphine palladium 3.8 mmol was added, and the mixture was stirred for 3 hours under reflux. After the reaction, the reaction solution returned to room temperature was extracted with water, and the organic layer was recrystallized twice with chloroform/hexane to obtain 59 g of compound 1-D (yield 81%).

MS[M+H]⁺ = 468MS[M+H] ⁺ = 468

화합물 4의 합성Synthesis of compound 4

화합물 1-D 21.1 g(45.1 mmol), 소듐터트뷰톡사이드 54.2 mmol, 아이소인돌린-1,3-다이온 45.1 mmol 및 톨루엔 200 mL를 혼합하고 리플럭스하여 30분 가열하고 테트라키스트라이페닐포스핀팔라듐 0.9 mmol을 첨가하여 리플럭스 상태로 2시간 교반하였다. 반응 후 실온으로 되돌린 반응 용액을 물을 이용하여 추출하고 유기층을 클로로포름/헥산으로 2회 재결정을 실시하여, 화합물 4 19 g을 얻었다(수율 73%).Compound 1-D 21.1 g (45.1 mmol), sodium tertbutoxide 54.2 mmol, isoindolin-1,3-dione 45.1 mmol and toluene 200 mL were mixed, refluxed, heated for 30 minutes, and tetrakistriphenylphosphine 0.9 mmol of palladium was added and the mixture was stirred for 2 hours in a reflux state. After the reaction, the reaction solution returned to room temperature was extracted with water, and the organic layer was recrystallized twice with chloroform/hexane to obtain 19 g of compound 4 (yield 73%).

MS[M+H]⁺ = 579MS[M+H] ⁺ = 579

제조예 1-5: 화합물 5의 합성Preparation Example 1-5: Synthesis of Compound 5

화합물 1-E의 합성Synthesis of compound 1-E

5-클로로-2-플루오로벤조나이트릴 30 g(192.8 mmol), 소듐터트뷰톡사이드 231.4 mmol, 5-페닐-5,8-다이하이드로인돌로[2,3-c]카바졸 192.8 mmol 및 톨루엔 200 mL를 혼합하고 리플럭스하여 30분 가열하고 테트라키스트라이페닐포스핀팔라듐 3.8 mmol을 첨가하여 리플럭스 상태로 3시간 교반하였다. 반응 후 실온으로 되돌린 반응 용액을 물을 이용하여 추출하고 유기층을 클로로포름/헥산으로 2회 재결정을 실시하여, 화합물 1-E 75.8 g을 얻었다(수율 84%).5-chloro-2-fluorobenzonitrile 30 g (192.8 mmol), sodium tertbutoxide 231.4 mmol, 5-phenyl-5,8-dihydroindolo[2,3-c]carbazole 192.8 mmol and toluene 200 mL was mixed, refluxed, heated for 30 minutes, tetrakistriphenylphosphine palladium 3.8 mmol was added, and the mixture was stirred for 3 hours under reflux. After the reaction, the reaction solution returned to room temperature was extracted with water, and the organic layer was recrystallized twice with chloroform/hexane to obtain 75.8 g of compound 1-E (yield 84%).

MS[M+H]⁺ = 468MS[M+H] ⁺ = 468

화합물 5의 합성Synthesis of compound 5

화합물 1-E 21.1 g(45.1 mmol), 소듐터트뷰톡사이드 54.2 mmol, 아이소인돌린-1,3-다이온 45.1 mmol 및 톨루엔 200 mL를 혼합하고 리플럭스하여 30분 가열하고 테트라키스트라이페닐포스핀팔라듐 0.9 mmol을 첨가하여 리플럭스 상태로 2시간 교반하였다. 반응 후 실온으로 되돌린 반응 용액을 물을 이용하여 추출하고 유기층을 클로로포름/헥산으로 2회 재결정을 실시하여, 화합물 5 19.6 g을 얻었다(수율 75%).Compound 1-E 21.1 g (45.1 mmol), sodium tertbutoxide 54.2 mmol, isoindolin-1,3-dione 45.1 mmol and toluene 200 mL were mixed, refluxed, heated for 30 minutes, and tetrakistriphenylphosphine 0.9 mmol of palladium was added and the mixture was stirred for 2 hours in a reflux state. After the reaction, the reaction solution returned to room temperature was extracted with water, and the organic layer was recrystallized twice with chloroform/hexane to obtain 19.6 g of compound 5 (yield 75%).

MS[M+H]⁺ = 579MS[M+H] ⁺ = 579

제조예 1-6: 화합물 6의 합성Preparation Example 1-6: Synthesis of Compound 6

화합물 1-F의 합성Synthesis of compound 1-F

5-클로로-2-플루오로벤조나이트릴 30 g(192.8 mmol), 소듐터트뷰톡사이드 231.4 mmol, 9-페닐-9H,9'H-3,3'-바이카바졸 192.8 mmol 및 톨루엔 200 mL를 혼합하고 리플럭스하여 30분 가열하고 테트라키스트라이페닐포스핀팔라듐 3.8 mmol을 첨가하여 리플럭스 상태로 3시간 교반하였다. 반응 후 실온으로 되돌린 반응 용액을 물을 이용하여 추출하고 유기층을 클로로포름/헥산으로 2회 재결정을 실시하여, 화합물 1-F 82.9 g을 얻었다(수율 79%).5-chloro-2-fluorobenzonitrile 30 g (192.8 mmol), sodium tertbutoxide 231.4 mmol, 9-phenyl-9H,9'H-3,3'-bicarbazole 192.8 mmol and toluene 200 mL The mixture was refluxed, heated for 30 minutes, tetrakistriphenylphosphine palladium 3.8 mmol was added, and the mixture was stirred for 3 hours in a reflux state. After the reaction, the reaction solution returned to room temperature was extracted with water, and the organic layer was recrystallized twice with chloroform/hexane to obtain 82.9 g of compound 1-F (yield 79%).

MS[M+H]⁺ = 544MS[M+H] ⁺ = 544

화합물 6의 합성Synthesis of compound 6

화합물 1-F 24.5 g(45.1 mmol), 소듐터트뷰톡사이드 54.2 mmol, 아이소인돌린-1,3-다이온 45.1 mmol 및 톨루엔 200 mL를 혼합하고 리플럭스하여 30분 가열하고 테트라키스트라이페닐포스핀팔라듐 0.9 mmol을 첨가하여 리플럭스 상태로 2시간 교반하였다. 반응 후 실온으로 되돌린 반응 용액을 물을 이용하여 추출하고 유기층을 클로로포름/헥산으로 2회 재결정을 실시하여, 화합물 6 21.3 g을 얻었다(수율 72%).Compound 1-F 24.5 g (45.1 mmol), sodium tertbutoxide 54.2 mmol, isoindolin-1,3-dione 45.1 mmol and toluene 200 mL were mixed, refluxed, heated for 30 minutes, and tetrakistriphenylphosphine 0.9 mmol of palladium was added and the mixture was stirred for 2 hours in a reflux state. After the reaction, the reaction solution returned to room temperature was extracted with water, and the organic layer was recrystallized twice with chloroform/hexane to obtain 21.3 g of compound 6 (yield 72%).

MS[M+H]⁺ = 655MS[M+H] ⁺ = 655

제조예 1-7: 화합물 7의 합성Preparation Example 1-7: Synthesis of Compound 7

화합물 1-G의 합성Synthesis of compound 1-G

2-클로로-6-플루오로벤조나이트릴 30 g(192.8 mmol), 소듐터트뷰톡사이드 231.4 mmol, 5-페닐-5,12-다이하이드로인돌로[3,2-a]카바졸 192.8 mmol 및 톨루엔 200 mL를 혼합하고 리플럭스하여 30분 가열하고 테트라키스트라이페닐포스핀팔라듐 3.8 mmol을 첨가하여 리플럭스 상태로 3시간 교반하였다. 반응 후 실온으로 되돌린 반응 용액을 물을 이용하여 추출하고 유기층을 클로로포름/헥산으로 2회 재결정을 실시하여, 화합물 1-G 69.5 g을 얻었다(수율 77%).2-chloro-6-fluorobenzonitrile 30 g (192.8 mmol), sodium tertbutoxide 231.4 mmol, 5-phenyl-5,12-dihydroindolo[3,2-a]carbazole 192.8 mmol and toluene 200 mL was mixed, refluxed, heated for 30 minutes, tetrakistriphenylphosphine palladium 3.8 mmol was added, and the mixture was stirred for 3 hours under reflux. After the reaction, the reaction solution returned to room temperature was extracted with water, and the organic layer was recrystallized twice with chloroform/hexane to obtain 69.5 g of compound 1-G (yield 77%).

MS[M+H]⁺ = 468MS[M+H] ⁺ = 468

화합물 7의 합성Synthesis of compound 7

화합물 1-G 21.1 g(45.1 mmol), 소듐터트뷰톡사이드 54.2 mmol, 아이소인돌린-1,3-다이온 45.1 mmol 및 톨루엔 200 mL를 혼합하고 리플럭스하여 30분 가열하고 테트라키스트라이페닐포스핀팔라듐 0.9 mmol을 첨가하여 리플럭스 상태로 2시간 교반하였다. 반응 후 실온으로 되돌린 반응 용액을 물을 이용하여 추출하고 유기층을 클로로포름/헥산으로 2회 재결정을 실시하여, 화합물 7 17.7 g을 얻었다(수율 68%).Compound 1-G 21.1 g (45.1 mmol), sodium tertbutoxide 54.2 mmol, isoindolin-1,3-dione 45.1 mmol and toluene 200 mL were mixed, refluxed, heated for 30 minutes, and tetrakistriphenylphosphine 0.9 mmol of palladium was added and the mixture was stirred for 2 hours in a reflux state. After the reaction, the reaction solution returned to room temperature was extracted with water, and the organic layer was recrystallized twice with chloroform/hexane to obtain 17.7 g of compound 7 (yield 68%).

MS[M+H]⁺ = 579MS[M+H] ⁺ = 579

제조예 1-8: 화합물 8의 합성Preparation Example 1-8: Synthesis of Compound 8

화합물 1-H의 합성Synthesis of compound 1-H

2-클로로-6-플루오로벤조나이트릴 30 g(192.8 mmol), 소듐터트뷰톡사이드 231.4 mmol, 5-페닐-5,8-다이하이드로인돌로[2,3-c]카바졸 192.8 mmol 및 톨루엔 200 mL를 혼합하고 리플럭스하여 30분 가열하고 테트라키스트라이페닐포스핀팔라듐 3.8 mmol을 첨가하여 리플럭스 상태로 3시간 교반하였다. 반응 후 실온으로 되돌린 반응 용액을 물을 이용하여 추출하고 유기층을 클로로포름/헥산으로 2회 재결정을 실시하여, 화합물 1-H 70.4 g을 얻었다(수율 78%).2-chloro-6-fluorobenzonitrile 30 g (192.8 mmol), sodium tertbutoxide 231.4 mmol, 5-phenyl-5,8-dihydroindolo[2,3-c]carbazole 192.8 mmol and toluene 200 mL was mixed, refluxed, heated for 30 minutes, tetrakistriphenylphosphine palladium 3.8 mmol was added, and the mixture was stirred for 3 hours under reflux. After the reaction, the reaction solution returned to room temperature was extracted with water, and the organic layer was recrystallized twice with chloroform/hexane to obtain 70.4 g of compound 1-H (yield 78%).

MS[M+H]⁺ = 468MS[M+H] ⁺ = 468

화합물 8의 합성Synthesis of compound 8

화합물 1-H 21.1 g(45.1 mmol), 소듐터트뷰톡사이드 54.2 mmol, 아이소인돌린-1,3-다이온 45.1 mmol 및 톨루엔 200 mL를 혼합하고 리플럭스하여 30분 가열하고 테트라키스트라이페닐포스핀팔라듐 0.9 mmol을 첨가하여 리플럭스 상태로 2시간 교반하였다. 반응 후 실온으로 되돌린 반응 용액을 물을 이용하여 추출하고 유기층을 클로로포름/헥산으로 2회 재결정을 실시하여, 화합물 8 18 g을 얻었다(수율 69%).Compound 1-H 21.1 g (45.1 mmol), sodium tertbutoxide 54.2 mmol, isoindolin-1,3-dione 45.1 mmol and toluene 200 mL were mixed, refluxed, heated for 30 minutes, tetrakistriphenylphosphine 0.9 mmol of palladium was added and the mixture was stirred for 2 hours in a reflux state. After the reaction, the reaction solution returned to room temperature was extracted with water, and the organic layer was recrystallized twice with chloroform/hexane to obtain 18 g of compound 8 (yield 69%).

MS[M+H]⁺ = 579MS[M+H] ⁺ = 579

제조예 1-9: 화합물 9의 합성Preparation Example 1-9: Synthesis of Compound 9

화합물 1-I의 합성Synthesis of compound 1-I

2-클로로-6-플루오로벤조나이트릴 30 g(192.8 mmol), 소듐터트뷰톡사이드 231.4 mmol, 9-페닐-9H,9'H-3,3'-바이카바졸 192.8 mmol 및 톨루엔 200 mL를 혼합하고 리플럭스하여 30분 가열하고 테트라키스트라이페닐포스핀팔라듐 3.8 mmol을 첨가하여 리플럭스 상태로 3시간 교반하였다. 반응 후 실온으로 되돌린 반응 용액을 물을 이용하여 추출하고 유기층을 클로로포름/헥산으로 2회 재결정을 실시하여, 화합물 1-I 78.7 g을 얻었다(수율 75%).2-chloro-6-fluorobenzonitrile 30 g (192.8 mmol), sodium tertbutoxide 231.4 mmol, 9-phenyl-9H,9'H-3,3'-bicarbazole 192.8 mmol, and toluene 200 mL The mixture was refluxed, heated for 30 minutes, tetrakistriphenylphosphine palladium 3.8 mmol was added, and the mixture was stirred for 3 hours in a reflux state. After the reaction, the reaction solution returned to room temperature was extracted with water, and the organic layer was recrystallized twice with chloroform/hexane to obtain 78.7 g of compound 1-I (yield 75%).

MS[M+H]⁺ = 544MS[M+H] ⁺ = 544

화합물 9의 합성Synthesis of compound 9

화합물 1-I 24.5 g(45.1 mmol), 소듐터트뷰톡사이드 54.2 mmol, 아이소인돌린-1,3-다이온 45.1 mmol 및 톨루엔 200 mL를 혼합하고 리플럭스하여 30분 가열하고 테트라키스트라이페닐포스핀팔라듐 0.9 mmol을 첨가하여 리플럭스 상태로 2시간 교반하였다. 반응 후 실온으로 되돌린 반응 용액을 물을 이용하여 추출하고 유기층을 클로로포름/헥산으로 2회 재결정을 실시하여, 화합물 9 18.9 g을 얻었다(수율 64%).Compound 1-I 24.5 g (45.1 mmol), sodium tertbutoxide 54.2 mmol, isoindolin-1,3-dione 45.1 mmol and toluene 200 mL were mixed, refluxed, heated for 30 minutes, and tetrakistriphenylphosphine 0.9 mmol of palladium was added and the mixture was stirred for 2 hours in a reflux state. After the reaction, the reaction solution returned to room temperature was extracted with water, and the organic layer was recrystallized twice with chloroform/hexane to obtain 18.9 g of compound 9 (yield 64%).

MS[M+H]⁺ = 655MS[M+H] ⁺ = 655

제조예 1-10: 화합물 10의 합성Preparation Example 1-10: Synthesis of Compound 10

화합물 1-J의 합성Synthesis of compound 1-J

4-클로로-2-플루오로벤조나이트릴 30 g(192.8 mmol), 소듐터트뷰톡사이드 231.4 mmol, 5-(다이벤조[b,d]퓨란-2-일)-5,7-다이하이드로인돌로[2,3-b]카바졸 192.8 mmol 및 톨루엔 200 mL를 혼합하고 리플럭스하여 30분 가열하고 테트라키스트라이페닐포스핀팔라듐 3.8 mmol을 첨가하여 리플럭스 상태로 3시간 교반하였다. 반응 후 실온으로 되돌린 반응 용액을 물을 이용하여 추출하고 유기층을 클로로포름/헥산으로 2회 재결정을 실시하여, 화합물 1-J 76.4 g을 얻었다(수율 71%).4-chloro-2-fluorobenzonitrile 30 g (192.8 mmol), sodium tertbutoxide 231.4 mmol, 5-(dibenzo[b,d]furan-2-yl)-5,7-dihydroindolo [2,3-b] 192.8 mmol of carbazole and 200 mL of toluene were mixed, refluxed, heated for 30 minutes, tetrakistriphenylphosphine palladium 3.8 mmol was added, and the mixture was stirred for 3 hours under reflux. After the reaction, the reaction solution returned to room temperature was extracted with water, and the organic layer was recrystallized twice with chloroform/hexane to obtain 76.4 g of compound 1-J (yield 71%).

MS[M+H]⁺ = 558MS[M+H] ⁺ = 558

화합물 10의 합성Synthesis of compound 10

화합물 1-J 25.1 g(45.1 mmol), 소듐터트뷰톡사이드 54.2 mmol, 아이소인돌린-1,3-다이온 45.1 mmol 및 톨루엔 200 mL를 혼합하고 리플럭스하여 30분 가열하고 테트라키스트라이페닐포스핀팔라듐 0.9 mmol을 첨가하여 리플럭스 상태로 2시간 교반하였다. 반응 후 실온으로 되돌린 반응 용액을 물을 이용하여 추출하고 유기층을 클로로포름/헥산으로 2회 재결정을 실시하여, 화합물 10 18.4 g을 얻었다(수율 61%).Compound 1-J 25.1 g (45.1 mmol), sodium tertbutoxide 54.2 mmol, isoindolin-1,3-dione 45.1 mmol and toluene 200 mL were mixed, refluxed, heated for 30 minutes, and tetrakistriphenylphosphine 0.9 mmol of palladium was added and the mixture was stirred for 2 hours in a reflux state. After the reaction, the reaction solution returned to room temperature was extracted with water, and the organic layer was recrystallized twice with chloroform/hexane to obtain 18.4 g of compound 10 (yield 61%).

MS[M+H]⁺ = 669MS[M+H] ⁺ = 669

제조예 1-11: 화합물 11의 합성Preparation Example 1-11: Synthesis of Compound 11

화합물 1-K의 합성Synthesis of compound 1-K

3-클로로-4-플루오로벤조나이트릴 30 g(192.8 mmol), 소듐터트뷰톡사이드 231.4 mmol, 3,6-비스(다이벤조[b,d]퓨란-2-일)-9H-카바졸 192.8 mmol 및 톨루엔 200 mL를 혼합하고 리플럭스하여 30분 가열하고 테트라키스트라이페닐포스핀팔라듐 3.8 mmol을 첨가하여 리플럭스 상태로 3시간 교반하였다. 반응 후 실온으로 되돌린 반응 용액을 물을 이용하여 추출하고 유기층을 클로로포름/헥산으로 2회 재결정을 실시하여, 화합물 1-K 83.3 g을 얻었다(수율 68%).3-chloro-4-fluorobenzonitrile 30 g (192.8 mmol), sodium tertbutoxide 231.4 mmol, 3,6-bis(dibenzo[b,d]furan-2-yl)-9H-carbazole 192.8 200 mL of mmol and toluene were mixed, refluxed, heated for 30 minutes, tetrakistriphenylphosphine palladium 3.8 mmol was added, and the mixture was stirred for 3 hours under reflux. After the reaction, the reaction solution returned to room temperature was extracted with water, and the organic layer was recrystallized twice with chloroform/hexane to obtain 83.3 g of compound 1-K (yield 68%).

MS[M+H]⁺ = 635MS[M+H] ⁺ = 635

화합물 11의 합성Synthesis of compound 11

화합물 1-K 28.6 g(45.1 mmol), 소듐터트뷰톡사이드 54.2 mmol, 아이소인돌린-1,3-다이온 45.1 mmol 및 톨루엔 200 mL를 혼합하고 리플럭스하여 30분 가열하고 테트라키스트라이페닐포스핀팔라듐 0.9 mmol을 첨가하여 리플럭스 상태로 2시간 교반하였다. 반응 후 실온으로 되돌린 반응 용액을 물을 이용하여 추출하고 유기층을 클로로포름/헥산으로 2회 재결정을 실시하여, 화합물 11 20.2 g을 얻었다(수율 60%).Compound 1-K 28.6 g (45.1 mmol), sodium tertbutoxide 54.2 mmol, isoindolin-1,3-dione 45.1 mmol and toluene 200 mL were mixed, refluxed, heated for 30 minutes, and tetrakistriphenylphosphine 0.9 mmol of palladium was added and the mixture was stirred for 2 hours in a reflux state. After the reaction, the reaction solution returned to room temperature was extracted with water, and the organic layer was recrystallized twice with chloroform/hexane to obtain 20.2 g of compound 11 (yield 60%).

MS[M+H]⁺ = 746MS[M+H] ⁺ = 746

제조예 1-12: 화합물 12의 합성Preparation Example 1-12: Synthesis of Compound 12

화합물 1-L의 합성Synthesis of compound 1-L

3-클로로-4-플루오로벤조나이트릴 30 g(192.8 mmol), 소듐터트뷰톡사이드 231.4 mmol, 9,9''-다이([1,1'-바이페닐]-4-일)-9H,9'H,9''H-3,3':6',3''-터카바졸 192.8 mmol 및 톨루엔 200 mL를 혼합하고 리플럭스하여 30분 가열하고 테트라키스트라이페닐포스핀팔라듐 3.8 mmol을 첨가하여 리플럭스 상태로 3시간 교반하였다. 반응 후 실온으로 되돌린 반응 용액을 물을 이용하여 추출하고 유기층을 클로로포름/헥산으로 2회 재결정을 실시하여, 화합물 1-L 117.5 g을 얻었다(수율 65%).3-chloro-4-fluorobenzonitrile 30 g (192.8 mmol), sodium tertbutoxide 231.4 mmol, 9,9''-di([1,1'-biphenyl]-4-yl)-9H, 9'H,9''H-3,3':6',3''-Tercarbazole 192.8 mmol and 200 mL of toluene were mixed, refluxed, heated for 30 minutes, and tetrakistriphenylphosphine palladium 3.8 mmol It was added and stirred for 3 hours in a reflux state. After the reaction, the reaction solution returned to room temperature was extracted with water, and the organic layer was recrystallized twice with chloroform/hexane to obtain 117.5 g of compound 1-L (yield 65%).

MS[M+H]⁺ = 937MS[M+H] ⁺ = 937

화합물 12의 합성Synthesis of compound 12

화합물 1-L 42.3 g(45.1 mmol), 소듐터트뷰톡사이드 54.2 mmol, 아이소인돌린-1,3-다이온 45.1 mmol 및 톨루엔 200 mL를 혼합하고 리플럭스하여 30분 가열하고 테트라키스트라이페닐포스핀팔라듐 0.9 mmol을 첨가하여 리플럭스 상태로 2시간 교반하였다. 반응 후 실온으로 되돌린 반응 용액을 물을 이용하여 추출하고 유기층을 클로로포름/헥산으로 2회 재결정을 실시하여, 화합물 12 27.4 g을 얻었다(수율 58%).Compound 1-L 42.3 g (45.1 mmol), sodium tertbutoxide 54.2 mmol, isoindolin-1,3-dione 45.1 mmol and toluene 200 mL were mixed, refluxed, heated for 30 minutes, and tetrakistriphenylphosphine 0.9 mmol of palladium was added and the mixture was stirred for 2 hours in a reflux state. After the reaction, the reaction solution returned to room temperature was extracted with water, and the organic layer was recrystallized twice with chloroform/hexane to obtain 27.4 g of compound 12 (yield 58%).

MS[M+H]⁺ = 1048MS[M+H] ⁺ = 1048

제조예 1-13: 화합물 13의 합성Preparation Example 1-13: Synthesis of Compound 13

화합물 1-M의 합성Synthesis of compound 1-M

5-클로로-2-플루오로벤조나이트릴 30 g(192.8 mmol), 소듐터트뷰톡사이드 231.4 mmol, 8H-벤조퓨로[2,3-c]카바졸 192.8 mmol 및 톨루엔 200 mL를 혼합하고 리플럭스하여 30분 가열하고 테트라키스트라이페닐포스핀팔라듐 3.8 mmol을 첨가하여 리플럭스 상태로 3시간 교반하였다. 반응 후 실온으로 되돌린 반응 용액을 물을 이용하여 추출하고 유기층을 클로로포름/헥산으로 2회 재결정을 실시하여, 화합물 1-M 53 g을 얻었다(수율 70%).5-chloro-2-fluorobenzonitrile 30 g (192.8 mmol), sodium tertbutoxide 231.4 mmol, 8H-benzofuro[2,3-c] carbazole 192.8 mmol and 200 mL of toluene were mixed and reflux Then, the mixture was heated for 30 minutes, 3.8 mmol of tetrakistriphenylphosphine palladium was added, and the mixture was stirred for 3 hours in a reflux state. After the reaction, the reaction solution returned to room temperature was extracted with water, and the organic layer was recrystallized twice with chloroform/hexane to obtain 53 g of compound 1-M (yield 70%).

MS[M+H]⁺ = 393MS[M+H] ⁺ = 393

화합물 13의 합성Synthesis of compound 13

화합물 1-M 17.7 g(45.1 mmol), 소듐터트뷰톡사이드 54.2 mmol, 아이소인돌린-1,3-다이온 45.1 mmol 및 톨루엔 200 mL를 혼합하고 리플럭스하여 30분 가열하고 테트라키스트라이페닐포스핀팔라듐 0.9 mmol을 첨가하여 리플럭스 상태로 2시간 교반하였다. 반응 후 실온으로 되돌린 반응 용액을 물을 이용하여 추출하고 유기층을 클로로포름/헥산으로 2회 재결정을 실시하여, 화합물 13 14.5 g을 얻었다(수율 64%).Compound 1-M 17.7 g (45.1 mmol), sodium tertbutoxide 54.2 mmol, isoindolin-1,3-dione 45.1 mmol and toluene 200 mL were mixed, refluxed, heated for 30 minutes, and tetrakistriphenylphosphine 0.9 mmol of palladium was added and the mixture was stirred for 2 hours in a reflux state. After the reaction, the reaction solution returned to room temperature was extracted with water, and the organic layer was recrystallized twice with chloroform/hexane to obtain 14.5 g of compound 13 (yield 64%).

MS[M+H]⁺ = 504MS[M+H] ⁺ = 504

제조예 1-14: 화합물 14의 합성Preparation Example 1-14: Synthesis of Compound 14

화합물 1-N의 합성Synthesis of compound 1-N

5-클로로-2-플루오로벤조나이트릴 30 g(192.8 mmol), 소듐터트뷰톡사이드 231.4 mmol, 8H-벤조[4,5]사이에노[2,3-c]카바졸 192.8 mmol 및 톨루엔 200 mL를 혼합하고 리플럭스하여 30분 가열하고 테트라키스트라이페닐포스핀팔라듐 3.8 mmol을 첨가하여 리플럭스 상태로 3시간 교반하였다. 반응 후 실온으로 되돌린 반응 용액을 물을 이용하여 추출하고 유기층을 클로로포름/헥산으로 2회 재결정을 실시하여, 화합물 1-N 52.8 g을 얻었다(수율 67%).5-chloro-2-fluorobenzonitrile 30 g (192.8 mmol), sodium tertbutoxide 231.4 mmol, 8H-benzo[4,5]cyeno[2,3-c]carbazole 192.8 mmol and toluene 200 mL was mixed, refluxed, heated for 30 minutes, tetrakistriphenylphosphine palladium 3.8 mmol was added, and the mixture was stirred for 3 hours under reflux. After the reaction, the reaction solution returned to room temperature was extracted with water, and the organic layer was recrystallized twice with chloroform/hexane to obtain 52.8 g of compound 1-N (yield 67%).

MS[M+H]⁺ = 409MS[M+H] ⁺ = 409

화합물 14의 합성Synthesis of compound 14

화합물 1-N 18.4 g(45.1 mmol), 소듐터트뷰톡사이드 54.2 mmol, 아이소인돌린-1,3-다이온 45.1 mmol 및 톨루엔 200 mL를 혼합하고 리플럭스하여 30분 가열하고 테트라키스트라이페닐포스핀팔라듐 0.9 mmol을 첨가하여 리플럭스 상태로 2시간 교반하였다. 반응 후 실온으로 되돌린 반응 용액을 물을 이용하여 추출하고 유기층을 클로로포름/헥산으로 2회 재결정을 실시하여, 화합물 14 14.5 g을 얻었다(수율 62%).Compound 1-N 18.4 g (45.1 mmol), sodium tertbutoxide 54.2 mmol, isoindolin-1,3-dione 45.1 mmol and toluene 200 mL were mixed, refluxed, heated for 30 minutes, and tetrakistriphenylphosphine 0.9 mmol of palladium was added and the mixture was stirred for 2 hours in a reflux state. After the reaction, the reaction solution returned to room temperature was extracted with water, and the organic layer was recrystallized twice with chloroform/hexane to obtain 14.5 g of compound 14 (yield 62%).

MS[M+H]⁺ = 520MS[M+H] ⁺ = 520

제조예 1-15: 화합물 15의 합성Preparation Example 1-15: Synthesis of Compound 15

화합물 1-O의 합성Synthesis of compound 1-O

1-클로로-4-플루오로벤젠 25.2 g(192.8 mmol), 소듐터트뷰톡사이드 231.4 mmol, 8,8-다이메틸-5,8-다이하이드로인데노[2,1-c]카바졸 192.8 mmol 및 톨루엔 200 mL를 혼합하고 리플럭스하여 30분 가열하고 테트라키스트라이페닐포스핀팔라듐 3.8 mmol을 첨가하여 리플럭스 상태로 3시간 교반하였다. 반응 후 실온으로 되돌린 반응 용액을 물을 이용하여 추출하고 유기층을 클로로포름/헥산으로 2회 재결정을 실시하여, 화합물 1-O 52.4 g을 얻었다(수율 69%).1-chloro-4-fluorobenzene 25.2 g (192.8 mmol), sodium tertbutoxide 231.4 mmol, 8,8-dimethyl-5,8-dihydroindeno[2,1-c]carbazole 192.8 mmol and 200 mL of toluene was mixed, refluxed, heated for 30 minutes, tetrakistriphenylphosphine palladium 3.8 mmol was added, and the mixture was stirred for 3 hours under reflux. After the reaction, the reaction solution returned to room temperature was extracted with water, and the organic layer was recrystallized twice with chloroform/hexane to obtain 52.4 g of compound 1-O (yield 69%).

MS[M+H]⁺ = 394MS[M+H] ⁺ = 394

화합물 15의 합성Synthesis of compound 15

화합물 1-O 17.8 g(45.1 mmol), 소듐터트뷰톡사이드 54.2 mmol, 아이소인돌린-1,3-다이온 45.1 mmol 및 톨루엔 200 mL를 혼합하고 리플럭스하여 30분 가열하고 테트라키스트라이페닐포스핀팔라듐 0.9 mmol을 첨가하여 리플럭스 상태로 2시간 교반하였다. 반응 후 실온으로 되돌린 반응 용액을 물을 이용하여 추출하고 유기층을 클로로포름/헥산으로 2회 재결정을 실시하여, 화합물 15 14.8 g을 얻었다(수율 65%).Compound 1-O 17.8 g (45.1 mmol), sodium tertbutoxide 54.2 mmol, isoindolin-1,3-dione 45.1 mmol and toluene 200 mL were mixed, refluxed, heated for 30 minutes, and tetrakistriphenylphosphine 0.9 mmol of palladium was added and the mixture was stirred for 2 hours in a reflux state. After the reaction, the reaction solution returned to room temperature was extracted with water, and the organic layer was recrystallized twice with chloroform/hexane to obtain 14.8 g of compound 15 (yield 65%).

MS[M+H]⁺ = 505MS[M+H] ⁺ = 505

제조예 1-16: 화합물 16의 합성Preparation Example 1-16: Synthesis of Compound 16

화합물 1-P의 합성Synthesis of compound 1-P

3-클로로-4-플루오로벤조나이트릴 30 g(192.8 mmol), 소듐터트뷰톡사이드 231.4 mmol, 11H-벤조[a]카바졸 192.8 mmol 및 톨루엔 200 mL를 혼합하고 리플럭스하여 30분 가열하고 테트라키스트라이페닐포스핀팔라듐 3.8 mmol을 첨가하여 리플럭스 상태로 3시간 교반하였다. 반응 후 실온으로 되돌린 반응 용액을 물을 이용하여 추출하고 유기층을 클로로포름/헥산으로 2회 재결정을 실시하여, 화합물 1-P 48.3 g을 얻었다(수율 71%).3-chloro-4-fluorobenzonitrile 30 g (192.8 mmol), sodium tertbutoxide 231.4 mmol, 11H-benzo[a] carbazole 192.8 mmol and 200 mL of toluene were mixed, refluxed, heated for 30 minutes, and tetra 3.8 mmol of key triphenylphosphine palladium was added, and the mixture was stirred for 3 hours in a reflux state. After the reaction, the reaction solution returned to room temperature was extracted with water, and the organic layer was recrystallized twice with chloroform/hexane to obtain 48.3 g of compound 1-P (yield 71%).

MS[M+H]⁺ = 353MS[M+H] ⁺ = 353

화합물 16의 합성Synthesis of compound 16

화합물 1-P 15.9 g(45.1 mmol), 소듐터트뷰톡사이드 54.2 mmol, 아이소인돌린-1,3-다이온 45.1 mmol 및 톨루엔 200 mL를 혼합하고 리플럭스하여 30분 가열하고 테트라키스트라이페닐포스핀팔라듐 0.9 mmol을 첨가하여 리플럭스 상태로 2시간 교반하였다. 반응 후 실온으로 되돌린 반응 용액을 물을 이용하여 추출하고 유기층을 클로로포름/헥산으로 2회 재결정을 실시하여, 화합물 16 14 g을 얻었다(수율 67%).Compound 1-P 15.9 g (45.1 mmol), sodium tertbutoxide 54.2 mmol, isoindolin-1,3-dione 45.1 mmol and toluene 200 mL were mixed, refluxed, heated for 30 minutes, and tetrakistriphenylphosphine 0.9 mmol of palladium was added and the mixture was stirred for 2 hours in a reflux state. After the reaction, the reaction solution returned to room temperature was extracted with water, and the organic layer was recrystallized twice with chloroform/hexane to obtain 14 g of compound 16 (yield 67%).

MS[M+H]⁺ = 464MS[M+H] ⁺ = 464

제조예 1-17: 화합물 17의 합성Preparation Example 1-17: Synthesis of Compound 17

화합물 1-Q의 합성Synthesis of compound 1-Q

3-클로로-4-플루오로벤조나이트릴 30 g(192.8 mmol), 소듐터트뷰톡사이드 231.4 mmol, 7H-벤조[c]카바졸 192.8 mmol 및 톨루엔 200 mL를 혼합하고 리플럭스하여 30분 가열하고 테트라키스트라이페닐포스핀팔라듐 3.8 mmol을 첨가하여 리플럭스 상태로 3시간 교반하였다. 반응 후 실온으로 되돌린 반응 용액을 물을 이용하여 추출하고 유기층을 클로로포름/헥산으로 2회 재결정을 실시하여, 화합물 1-Q 49.6 g을 얻었다(수율 73%).3-chloro-4-fluorobenzonitrile 30 g (192.8 mmol), sodium tertbutoxide 231.4 mmol, 7H-benzo[c] carbazole 192.8 mmol and 200 mL of toluene were mixed, refluxed, heated for 30 minutes, and tetra 3.8 mmol of key triphenylphosphine palladium was added, and the mixture was stirred for 3 hours in a reflux state. After the reaction, the reaction solution returned to room temperature was extracted with water, and the organic layer was recrystallized twice with chloroform/hexane to obtain 49.6 g of compound 1-Q (yield 73%).

MS[M+H]⁺ = 353MS[M+H] ⁺ = 353

화합물 17의 합성Synthesis of compound 17

화합물 1-Q 15.9 g(45.1 mmol), 소듐터트뷰톡사이드 54.2 mmol, 아이소인돌린-1,3-다이온 45.1 mmol 및 톨루엔 200 mL를 혼합하고 리플럭스하여 30분 가열하고 테트라키스트라이페닐포스핀팔라듐 0.9 mmol을 첨가하여 리플럭스 상태로 2시간 교반하였다. 반응 후 실온으로 되돌린 반응 용액을 물을 이용하여 추출하고 유기층을 클로로포름/헥산으로 2회 재결정을 실시하여, 화합물 17 13.2 g을 얻었다(수율 63%).Compound 1-Q 15.9 g (45.1 mmol), sodium tertbutoxide 54.2 mmol, isoindolin-1,3-dione 45.1 mmol and toluene 200 mL were mixed, refluxed, heated for 30 minutes, and tetrakistriphenylphosphine 0.9 mmol of palladium was added and the mixture was stirred for 2 hours in a reflux state. After the reaction, the reaction solution returned to room temperature was extracted with water, and the organic layer was recrystallized twice with chloroform/hexane to obtain 13.2 g of compound 17 (yield 63%).

MS[M+H]⁺ = 464MS[M+H] ⁺ = 464

제조예 1-18: 화합물 18의 합성Preparation Example 1-18: Synthesis of Compound 18

화합물 1-R의 합성Synthesis of compound 1-R

3-클로로-4-플루오로벤조나이트릴 30 g(192.8 mmol), 소듐터트뷰톡사이드 231.4 mmol, 7H-벤조[b]카바졸 192.8 mmol 및 톨루엔 200 mL를 혼합하고 리플럭스하여 30분 가열하고 테트라키스트라이페닐포스핀팔라듐 3.8 mmol을 첨가하여 리플럭스 상태로 3시간 교반하였다. 반응 후 실온으로 되돌린 반응 용액을 물을 이용하여 추출하고 유기층을 클로로포름/헥산으로 2회 재결정을 실시하여, 화합물 1-R 51.7 g을 얻었다(수율 76%).3-chloro-4-fluorobenzonitrile 30 g (192.8 mmol), sodium tertbutoxide 231.4 mmol, 7H-benzo[b] carbazole 192.8 mmol and 200 mL of toluene were mixed, refluxed, heated for 30 minutes, and tetra 3.8 mmol of key triphenylphosphine palladium was added, and the mixture was stirred for 3 hours in a reflux state. After the reaction, the reaction solution returned to room temperature was extracted with water, and the organic layer was recrystallized twice with chloroform/hexane to obtain 51.7 g of compound 1-R (yield 76%).

MS[M+H]⁺ = 353MS[M+H] ⁺ = 353

화합물 18의 합성Synthesis of compound 18

화합물 1-R 15.9 g(45.1 mmol), 소듐터트뷰톡사이드 54.2 mmol, 아이소인돌린-1,3-다이온 45.1 mmol 및 톨루엔 200 mL를 혼합하고 리플럭스하여 30분 가열하고 테트라키스트라이페닐포스핀팔라듐 0.9 mmol을 첨가하여 리플럭스 상태로 2시간 교반하였다. 반응 후 실온으로 되돌린 반응 용액을 물을 이용하여 추출하고 유기층을 클로로포름/헥산으로 2회 재결정을 실시하여, 화합물 18 13.8 g을 얻었다(수율 66%).Compound 1-R 15.9 g (45.1 mmol), sodium tertbutoxide 54.2 mmol, isoindolin-1,3-dione 45.1 mmol and toluene 200 mL were mixed, refluxed, heated for 30 minutes, and tetrakistriphenylphosphine 0.9 mmol of palladium was added and the mixture was stirred for 2 hours in a reflux state. After the reaction, the reaction solution returned to room temperature was extracted with water, and the organic layer was recrystallized twice with chloroform/hexane to obtain 13.8 g of compound 18 (yield 66%).

MS[M+H]⁺ = 464MS[M+H] ⁺ = 464

상기 화합물 1 내지 18 이외에도, 상기 제조예와 동일한 반응을 이용하여 치환기 종류를 다양하게 도입하여 기타 화학식 1로 표시되는 화합물을 합성할 수 있다.In addition to the compounds 1 to 18, other compounds represented by Chemical Formula 1 may be synthesized by introducing various types of substituents using the same reaction as in Preparation Example.

<비교예 1><Comparative Example 1>

ITO(indium tin oxide)가 1,000Å의 두께로 박막 코팅된 유리 기판을 세제를 녹인 증류수에 넣고 초음파로 세척하였다. 이 때, 세제로는 피셔사(Fischer Co.) 제품을 사용하였으며, 증류수로는 밀러포어사(Millipore Co.) 제품의 필터(Filter)로 2차로 걸러진 증류수를 사용하였다. ITO를 30분간 세척한 후 증류수로 2회 반복하여 초음파 세척을 10분간 진행하였다. 증류수 세척이 끝난 후, 이소프로필알콜, 아세톤, 메탄올의 용제로 초음파 세척을 하고 건조시킨 후 플라즈마 세정기로 수송시켰다. 또한, 산소 플라즈마를 이용하여 상기 기판을 5분간 세정한 후 진공 증착기로 기판을 수송시켰다. 이렇게 준비된 ITO 투명 전극 위에 각 박막을 진공 증착법으로 진공도 5Х10^-4 ㎩로 적층하였다. 먼저, ITO 상에 하기 화합물 HAT-CN을 500Å의 두께로 열 진공 증착하여 정공 주입층을 형성하였다.A glass substrate coated with a thin film of ITO (indium tin oxide) having a thickness of 1,000Å was put in distilled water dissolved in a detergent and washed with ultrasonic waves. In this case, Fischer Co. product was used as a detergent, and distilled water secondarily filtered with a filter made by Millipore Co. was used as distilled water. After washing the ITO for 30 minutes, it was repeated twice with distilled water to perform ultrasonic cleaning for 10 minutes. After washing with distilled water, ultrasonic washing was performed with a solvent of isopropyl alcohol, acetone, and methanol, dried, and then transported to a plasma cleaner. In addition, after cleaning the substrate for 5 minutes using oxygen plasma, the substrate was transported to a vacuum evaporator. Each thin film was stacked on the thus prepared ITO transparent electrode by vacuum evaporation at a vacuum degree of 5Х10 ^-4 Pa. First, the following compound HAT-CN was thermally vacuum deposited on ITO to a thickness of 500 Å to form a hole injection layer.

상기 정공 주입층 위에 정공을 수송하는 물질인 하기 화합물 4-4'-비스[N-(1-나프틸)-N-페닐아미노]비페닐(NPB)(300Å)를 진공 증착하여 정공 수송층을 형성하였다.A hole transport layer was formed by vacuum deposition of the following compound 4-4'-bis[N-(1-naphthyl)-N-phenylamino]biphenyl (NPB) (300Å), which is a material that transports holes on the hole injection layer. I did.

상기 정공 수송층 위에 막 두께 100Å으로 하기 화합물 N-([1,1'-비스페닐]-4-yl)-N-(4-(11-([1,1'-비페닐]-4-yl)-11H-벤조[a]카바졸-5-yl)페닐)-[1,1'-비페닐]-4-아민(EB1)(100Å)를 진공 증착하여 전자 차단층을 형성하였다.Compound N-([1,1'-bisphenyl]-4-yl)-N-(4-(11-([1,1'-biphenyl]-4-yl) with a film thickness of 100Å on the hole transport layer )-11H-benzo[a]carbazole-5-yl)phenyl)-[1,1'-biphenyl]-4-amine (EB1) (100Å) was vacuum deposited to form an electron blocking layer.

이어서, 상기 전자 차단층 위에 막 두께 300Å으로 아래와 같은 m-CBP(삼중항 에너지=2.9eV)와 화합물 4CzIPN을 70:30의 중량비로 진공 증착하여 발광층을 형성하였다.Subsequently, on the electron blocking layer, m-CBP (triplet energy = 2.9 eV) and compound 4CzIPN were vacuum-deposited at a weight ratio of 70:30 as shown below with a thickness of 300 Å to form a light emitting layer.

상기 발광층 위에 막 두께 100Å으로 화합물 HB1을 진공 증착하여 정공 차단층을 형성하였다.A hole blocking layer was formed by vacuum depositing compound HB1 on the emission layer with a thickness of 100 Å.

상기 정공 차단층 위에 하기 화합물 ET1과 화합물 LiQ(Lithium Quinolate)를 1:1의 중량비로 진공 증착하여 300Å의 두께로 전자 주입 및 수송층을 형성하였다. 상기 전자 주입 및 수송층 위에 12Å두께로 리튬플로라이드(LiF)와 2,000Å 두께로 알루미늄을 순차적으로 증착하여 음극을 형성하였다.On the hole blocking layer, the following compound ET1 and the compound LiQ (Lithium Quinolate) were vacuum-deposited at a weight ratio of 1:1 to form an electron injection and transport layer with a thickness of 300Å. Lithium fluoride (LiF) at a thickness of 12 Å and aluminum at a thickness of 2,000 Å were sequentially deposited on the electron injection and transport layer to form a negative electrode.

상기의 과정에서 유기물의 증착속도는 0.4 Å/sec 내지 0.7 Å/sec를 유지하였고, 음극의 리튬플로라이드는 0.3 Å/sec, 알루미늄은 2 Å/sec의 증착 속도를 유지하였으며, 증착시 진공도는 2×10^-7 torr 내지 5×10^-6 torr를 유지하여, 유기 발광 소자를 제작하였다. In the above process, the deposition rate of organic material was maintained at 0.4 Å/sec to 0.7 Å/sec, lithium fluoride at the cathode was maintained at 0.3 Å/sec, and the deposition rate for aluminum was 2 Å/sec. An organic light emitting device was manufactured by maintaining 2×10 ^-7 torr to 5×10 ^-6 torr.

<실험예 1 내지 18><Experimental Examples 1 to 18>

상기 비교예 1에서 화합물 4CzIPN 대신 하기 표 1의 화합물을 사용한 것을 제외하고는 비교예 1과 동일한 방법으로 유기 발광 소자를 제작하였다.An organic light-emitting device was manufactured in the same manner as in Comparative Example 1, except that the compound of Table 1 below was used instead of the compound 4CzIPN in Comparative Example 1.

<비교예 2><Comparative Example 2>

상기 비교예 1에서 화합물 4CzIPN 대신 하기 T1의 화합물을 사용한 것을 제외하고는 비교예 1과 동일한 방법으로 유기 발광 소자를 제작하였다.An organic light-emitting device was manufactured in the same manner as in Comparative Example 1, except that the compound of T1 was used instead of the compound 4CzIPN in Comparative Example 1.

실험예 1 내지 18 및 비교예 1 내지 2에 의해 제작된 유기 발광 소자에 전류를 인가하였을 때, 하기 [표 1]의 결과를 얻었다.When an electric current was applied to the organic light-emitting devices manufactured according to Experimental Examples 1 to 18 and Comparative Examples 1 to 2, the results shown in Table 1 were obtained.

구분division 화합물
(발광층)compound
(Luminescent layer) 전압
(V@10mA/cm²)Voltage
(V@10mA/cm ² ) 효율
(cd/A@10mA/cm²)efficiency
(cd/A@10mA/cm ² ) CIE 색좌표
(x,y)CIE color coordinates
(x,y) 비교예 1Comparative Example 1 4CzIPN4CzIPN 4.54.5 1414 (0.32, 0.62)(0.32, 0.62) 실험예 1Experimental Example 1 1One 4.14.1 1919 (0.23, 0.63)(0.23, 0.63) 실험예 2Experimental Example 2 22 4.14.1 2020 (0.22, 0.62)(0.22, 0.62) 실험예 3Experimental Example 3 33 4.04.0 2020 (0.23, 0.62)(0.23, 0.62) 실험예 4Experimental Example 4 44 4.04.0 2222 (0.24, 0.66)(0.24, 0.66) 실험예 5Experimental Example 5 55 4.04.0 2121 (0.23, 0.67)(0.23, 0.67) 실험예 6Experimental Example 6 66 3.93.9 2222 (0.23, 0.68)(0.23, 0.68) 실험예 7Experimental Example 7 77 3.93.9 2222 (0.24, 0.67)(0.24, 0.67) 실험예 8Experimental Example 8 88 4.04.0 2121 (0.24, 0.68)(0.24, 0.68) 실험예 9Experimental Example 9 99 3.93.9 2020 (0.24, 0.66)(0.24, 0.66) 실시예 10Example 10 1010 4.14.1 1919 (0.23, 0.63)(0.23, 0.63) 실시예 11Example 11 1111 4.14.1 1919 (0.24, 0.63)(0.24, 0.63) 실시예 12Example 12 1212 4.04.0 2020 (0.24, 0.65)(0.24, 0.65) 실시예 13Example 13 1313 3.93.9 2121 (0.23, 0.64)(0.23, 0.64) 실시예 14Example 14 1414 4.04.0 2020 (0.24, 0.65)(0.24, 0.65) 실시예 15Example 15 1515 4.14.1 2020 (0.24, 0.66)(0.24, 0.66) 실시예 16Example 16 1616 4.04.0 1919 (0.23, 0.65)(0.23, 0.65) 실시예 17Example 17 1717 4.04.0 2121 (0.23, 0.66)(0.23, 0.66) 실시예 18Example 18 1818 3.93.9 2020 (0.24, 0.63)(0.24, 0.63) 비교예 2Comparative Example 2 T1T1 4.74.7 44 (0.20, 0.51)(0.20, 0.51)

상기 표 1에서 보는 바와 같이, 상기 화학식 1의 구조를 코어로 하는 화합물을 사용한 실험예 1 내지 18의 소자는 4CzIPN을 사용한 소자보다 전압이 낮고, 효율이 올라가는 결과를 얻었다.As shown in Table 1, the devices of Experimental Examples 1 to 18 using the compound having the structure of Formula 1 as a core had a lower voltage and increased efficiency than the devices using 4CzIPN.

또한, 비교예 2의 소자와 본원 실시예를 비교해보면 아이소인돌린-1,3-다이온에 고리가 추가로 축합된 구조 보다 본원 실시예들의 구조가 전압 및 효율 모두에서 특성이 향상됨을 알 수 있었다.In addition, when comparing the device of Comparative Example 2 with the example of the present application, it can be seen that the structure of the present examples has improved characteristics in both voltage and efficiency than the structure in which a ring is additionally condensed with isoindolin-1,3-dione there was.

상기 표 1의 결과와 같이, 본 발명에 따른 화합물은 발광 능력이 우수하고 색순도가 높아 지연 형광 유기 발광 소자에 적용 가능함을 확인할 수 있었다.As shown in the results of Table 1, it was confirmed that the compound according to the present invention has excellent light-emitting ability and high color purity, so that it can be applied to a delayed fluorescent organic light-emitting device.

<실시예 2><Example 2>

삼중항 에너지의 측정Measurement of triplet energy

삼중항 에너지(T1)는 수명이 긴 삼중항 엑시톤의 특성을 이용해 극저온 상태에서 측정하였다. 구체적으로, 화합물을 톨루엔 용매에 용해하여 10^-5M의 농도의 시료를 제조한 후, 상기 시료를 석영 키트에 담아 77K로 냉각시키고, 300nm 광원을 인광 측정용 시료에 조사하여 파장을 변경하면서 인광 스펙트럼을 측정한다. 스펙트럼의 측정에는 분광광도계(FP-8600 spectrophotometer, JASCO사)를 이용하였다.Triplet energy (T1) was measured in cryogenic conditions using the characteristics of triplet excitons with a long life. Specifically, after dissolving the compound in a toluene solvent to prepare a sample having a concentration of 10 ^-5 M, the sample was put in a quartz kit and cooled to 77 K, and a 300 nm light source was irradiated to the sample for phosphorescence measurement, and phosphorescence while changing the wavelength. Measure the spectrum. For the measurement of the spectrum, a spectrophotometer (FP-8600 spectrophotometer, JASCO) was used.

인광 스펙트럼의 세로축은 인광 강도로, 가로축은 파장으로 하였다. 인광 스펙트럼의 단파장측의 상승에 대해 접선을 긋고, 그 접선과 가로축의 교점의 파장값(λ_edge1(nm))을 구한 후, 이 파장값을 하기 환산식 1에 대입하여 삼중항 에너지를 산출하였다.The vertical axis of the phosphorescence spectrum was made into phosphorescence intensity, and the horizontal axis was made into wavelength. A tangent line was drawn with respect to the rise of the short wavelength side of the phosphorescent spectrum, the wavelength value (λ _edge1 (nm)) of the intersection of the tangent line and the horizontal axis was calculated, and then this wavelength value was substituted into the following conversion equation 1 to calculate triplet energy. .

환산식 1：T1(eV) = 1239.85/λ_edge1 Conversion Formula 1: T1(eV) = 1239.85/λ _edge1

인광 스펙트럼의 단파장측의 상승에 대한 접선은 이하와 같이 긋는다. 우선, 스펙트럼의 극대값 중 가장 단파장측의 극대값을 확인한다. 이 때, 스펙트럼의 극대 피크 강도의 15％ 이하의 피크 강도를 갖는 극대점은, 상기 서술한 가장 단파장측의 극대값에는 포함시키지 않는다. 인광 스펙트럼의 단파장측으로부터 상기 극대값까지의 스펙트럼 곡선 상의 각 점에 있어서의 접선을 생각한다. 이 접선 중 기울기 값이 제일 큰 접선(즉, 변곡점에 있어서의 접선)을 당해 인광 스펙트럼의 단파장측의 상승에 대한 접선으로 한다. The tangent to the rise on the short wavelength side of the phosphorescence spectrum is drawn as follows. First, among the maximum values of the spectrum, the maximum value on the shortest wavelength side is checked. At this time, the maximum point having a peak intensity of 15% or less of the maximum peak intensity of the spectrum is not included in the maximum value of the shortest wavelength side described above. The tangent line at each point on the spectrum curve from the short wavelength side of the phosphorescence spectrum to the maximum value is considered. Among these tangents, the tangent with the largest inclination value (that is, the tangent to the inflection point) is taken as the tangent to the rise of the short wavelength side of the phosphorescent spectrum.

일중항 에너지의 측정Measurement of singlet energy

일중항 에너지(S1)는 다음의 방법으로 측정하였다.Singlet energy (S1) was measured by the following method.

측정 대상이 되는 화합물의 10^-5M 톨루엔 용액을 조제하여 석영 셀에 넣고, 상온(300K)에서 시료의 300nm 광원의 발광 스펙트럼(세로축：발광 강도, 가로축：파장)을 측정하였다. 이 발광 스펙트럼의 단파장측의 상승에 대해 접선을 긋고, 그 접선과 가로축의 교점의 파장값(λ_edge2(㎚))을 하기 환산식 2에 대입하여 일중항 에너지를 산출하였다. 상기 발광 스펙트럼은 JASCO사의 분광 광도계(FP-8600 spectrophotometer)를 이용하여 측정하였다.A 10 ^-5 M toluene solution of the compound to be measured was prepared and placed in a quartz cell, and the emission spectrum (vertical axis: luminescence intensity, horizontal axis: wavelength) of the 300 nm light source of the sample was measured at room temperature (300 K). A tangent line was drawn with respect to the rise on the short wavelength side of the emission spectrum, and the wavelength value (λ _edge2 (nm)) of the intersection of the tangent line and the horizontal axis was substituted into the following conversion equation 2 to calculate singlet energy. The emission spectrum was measured using a JASCO spectrophotometer (FP-8600 spectrophotometer).

환산식 2：S1(eV) = 1239.85/λ_edge2 Conversion formula 2: S1(eV) = 1239.85/λ _edge2

발광 스펙트럼의 단파장측의 상승에 대한 접선은 이하와 같이 긋는다. 우선, 스펙트럼의 극대값 중 가장 단파장측의 극대값을 확인한다. 발광 스펙트럼의 단파장측으로부터 상기 극대값까지의 스펙트럼 곡선 상의 각 점에 있어서의 접선을 생각한다. 이 접선 중 기울기 값이 제일 큰 접선(즉, 변곡점에 있어서의 접선)을 당해 발광 스펙트럼의 단파장측의 상승에 대한 접선으로 한다. 스펙트럼의 극대 피크 강도의 15％ 이하의 피크 강도를 갖는 극대점은, 상기 서술한 가장 단파장측의 극대값에는 포함시키지 않는다.The tangent to the rise on the short wavelength side of the emission spectrum is drawn as follows. First, among the maximum values of the spectrum, the maximum value on the shortest wavelength side is checked. The tangent line at each point on the spectrum curve from the short wavelength side of the emission spectrum to the maximum value is considered. Among these tangent lines, the tangent line with the largest inclination value (that is, the tangent line at the inflection point) is taken as the tangent to the rise of the short wavelength side of the emission spectrum. The maximum point having a peak intensity of 15% or less of the maximum peak intensity of the spectrum is not included in the maximum value on the shortest wavelength side described above.

화합물compound S1(eV)S1(eV) T1(eV)T1(eV) △E_ST(eV)△E _ST (eV) 1One 2.542.54 2.392.39 0.150.15 22 2.552.55 2.392.39 0.160.16 33 2.542.54 2.392.39 0.150.15 44 2.432.43 2.402.40 0.030.03 55 2.422.42 2.382.38 0.040.04 66 2.422.42 2.372.37 0.050.05 77 2.432.43 2.412.41 0.020.02 88 2.442.44 2.422.42 0.020.02 99 2.432.43 2.402.40 0.030.03 1010 2.442.44 2.412.41 0.030.03 1111 2.432.43 2.402.40 0.030.03 1212 2.432.43 2.392.39 0.040.04 1313 2.442.44 2.392.39 0.050.05 1414 2.432.43 2.382.38 0.050.05 1515 2.442.44 2.392.39 0.050.05 1616 2.422.42 2.382.38 0.040.04 1717 2.432.43 2.382.38 0.050.05 1818 2.442.44 2.402.40 0.040.04 T1T1 2.742.74 2.382.38 0.360.36 4CzIPN4CzIPN 2.442.44 2.392.39 0.050.05

본원 실시예들에 사용된 화합물 1 내지 18은 모두 △E_ST가 0.3eV 이하로 지연 형광 물질로 적합하였다.Compounds 1 to 18 used in the present examples were all suitable as delayed fluorescent materials with ΔE _ST of 0.3 eV or less.

비교예로 사용된 화합물 T1는 지연 형광 물질로 적합하지 않은 것을 확인할 수 있었다.It was confirmed that the compound T1 used as a comparative example was not suitable as a delayed fluorescent material.

비교예로 사용한 화합물 4CzIPN는 △E_ST가 0.3eV 이하로 지연 형광 물질에 해당하나, 표 1 에서 살펴본 바와 같이 화합물 1 내지 18이 전압 및 효율 면에서 특성이 모두 향상됨을 알 수 있었다.Compound 4CzIPN used as a comparative example corresponds to a delayed fluorescent material with ΔE _ST of 0.3 eV or less, but as shown in Table 1, it was found that the characteristics of Compounds 1 to 18 were both improved in terms of voltage and efficiency.

이상을 통해 본 발명의 바람직한 실험예에 대하여 설명하였지만, 본 발명은 이에 한정되는 것이 아니고 특허청구범위와 발명의 상세한 설명의 범위 안에서 여러 가지로 변형하여 실시하는 것이 가능하고 이 또한 발명의 범주에 속한다.Although the preferred experimental examples of the present invention have been described above, the present invention is not limited thereto, and it is possible to perform various modifications within the scope of the claims and the detailed description of the invention, and this also belongs to the scope of the invention. .

1: 기판
2: 양극
3: 발광층
4: 음극
5: 정공 주입층
6: 정공 수송층
7: 전자 수송층
8: 전자 차단층
9: 정공 차단층
10: 전자 주입 및 수송층1: substrate
2: anode
3: light emitting layer
4: cathode
5: hole injection layer
6: hole transport layer
7: electron transport layer
8: electron blocking layer
9: hole blocking layer
10: electron injection and transport layer

Claims (9)

하기 화학식 1로 표시되는 화합물:
[화학식 1]

상기 화학식 1에 있어서,
X는 수소; 또는 시아노기이고,
Ar은 수소이며,
a는 4의 정수이며,
R은 하기 화학식 2-1 내지 2-3 중 어느 하나로 표시되고,
[화학식 2-1]

[화학식 2-2]

[화학식 2-3]

상기 화학식 2-1 내지 2-3에 있어서,
X1은 O; S; C(R31)(R32); 또는 N(R33)이고,
X2는 O; S; C(R34)(R35); 또는 N(R36)이고,
Y는 O; S; C(R37)(R38); 또는 N(R39)이고,
R31 및 R32는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 알킬기; 또는 아릴기이거나, R31 및 R32는 각각 페닐기이며 서로 결합하여 플루오렌 고리를 형성하고,
R34 및 R35는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 알킬기; 또는 아릴기이거나, R34 및 R35는 각각 페닐기이며 서로 결합하여 플루오렌 고리를 형성하고,
R37 및 R38은 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 알킬기; 또는 아릴기이거나, R37 및 R38은 각각 페닐기이며 서로 결합하여 플루오렌 고리를 형성하고,
R33, R36 및 R39는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 알킬기; 치환 또는 비치환된 아릴기; 또는 치환 또는 비치환된 헤테로고리기이며,
R40 및 R41은 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 알킬기이며,
a1은 0 또는 1이고, a2는 0 또는 1이며, a40은 0 또는 1이고, a41은 0 또는 1이며, a1+a2+a40+a41은 1 이상이고, a1+a2는 1 또는 2이다.Compound represented by the following formula (1):
[Formula 1]

In Formula 1,
X is hydrogen; Or a cyano group,
Ar is hydrogen,
a is an integer of 4,
R is represented by any one of the following formulas 2-1 to 2-3,
[Formula 2-1]

[Formula 2-2]

[Formula 2-3]

In Formulas 2-1 to 2-3,
X1 is O; S; C(R31)(R32); Or N(R33),
X2 is O; S; C(R34)(R35); Or N(R36),
Y is O; S; C(R37)(R38); Or N(R39),
R31 and R32 are the same as or different from each other, and each independently hydrogen; Alkyl group; Or an aryl group, R31 and R32 are each a phenyl group and are bonded to each other to form a fluorene ring,
R34 and R35 are the same as or different from each other, and each independently hydrogen; Alkyl group; Or an aryl group, R34 and R35 are each a phenyl group and are bonded to each other to form a fluorene ring,
R37 and R38 are the same as or different from each other, and each independently hydrogen; Alkyl group; Or an aryl group, R37 and R38 are each a phenyl group and are bonded to each other to form a fluorene ring,
R33, R36 and R39 are the same as or different from each other, and each independently a substituted or unsubstituted alkyl group; A substituted or unsubstituted aryl group; Or a substituted or unsubstituted heterocyclic group,
R40 and R41 are the same as or different from each other, and each independently an alkyl group,
a1 is 0 or 1, a2 is 0 or 1, a40 is 0 or 1, a41 is 0 or 1, a1+a2+a40+a41 is 1 or more, and a1+a2 is 1 or 2. 삭제delete 삭제delete 청구항 1에 있어서, 상기 화학식 2-3은 하기 화학식 3-2 내지 3-7 중 어느 하나로 표시되는 것인 화합물:
[화학식 3-2]

[화학식 3-3]

[화학식 3-4]

[화학식 3-5]

[화학식 3-6]

[화학식 3-7]

상기 화학식 3-2 내지 3-7에 있어서,
Y의 정의는 화학식 2-3에서 정의한 바와 같다.The compound of claim 1, wherein Formula 2-3 is represented by any one of the following Formulas 3-2 to 3-7:
[Chemical Formula 3-2]

[Chemical Formula 3-3]

[Formula 3-4]

[Formula 3-5]

[Formula 3-6]

[Formula 3-7]

In Formulas 3-2 to 3-7,
The definition of Y is as defined in Chemical Formula 2-3. 청구항 1에 있어서, 상기 화학식 2-1은 하기 화학식 5-1 내지 5-4 중 어느 하나로 표시되는 것인 화합물:
[화학식 5-1]

[화학식 5-2]

[화학식 5-3]

[화학식 5-4]

상기 화학식 5-1 내지 5-4에 있어서,
X1, X2, R40 및 R41의 정의는 화학식 2-1에서 정의한 바와 같다.The compound of claim 1, wherein the formula 2-1 is represented by any one of the following formulas 5-1 to 5-4:
[Chemical Formula 5-1]

[Formula 5-2]

[Chemical Formula 5-3]

[Chemical Formula 5-4]

In Formulas 5-1 to 5-4,
The definitions of X1, X2, R40 and R41 are as defined in Formula 2-1. 청구항 1에 있어서, 상기 화학식 1로 표시되는 화합물은 하기 구조 중에서 선택되는 어느 하나인 것인 화합물:

.The compound according to claim 1, wherein the compound represented by Formula 1 is any one selected from the following structures:

. 청구항 1에 있어서, 상기 화학식 1로 표시되는 화합물의 일중항 에너지(S1_D)와 삼중항 에너지(T1_D)의 차(△E_{ST_D})는 0eV 이상 0.3eV 이하인 것인 화합물.The compound of claim 1, wherein the difference (ΔE _{ST_D} ) between the singlet energy (S1 _D ) and the triplet energy (T1 _D ) of the compound represented by Formula 1 is 0 eV or more and 0.3 eV or less. 제1 전극, 제2 전극, 및 상기 제1 전극과 제2 전극 사이에 배치된 1층 이상의 유기물층을 포함하는 유기 발광 소자로서, 상기 유기물층은 청구항 1 및 4 내지 7 중 어느 하나의 항에 따른 화합물을 포함하는 것인 유기 발광 소자.An organic light-emitting device comprising a first electrode, a second electrode, and one or more organic material layers disposed between the first electrode and the second electrode, wherein the organic material layer is a compound according to any one of claims 1 and 4 to 7 The organic light emitting device comprising a. 청구항 8에 있어서,
상기 유기물층은 발광층을 포함하며,
상기 발광층은 도판트를 포함하며,
상기 도판트는 상기 화학식 1로 표시되는 화합물인 것인 유기 발광 소자.The method of claim 8,
The organic material layer includes an emission layer,
The emission layer includes a dopant,
The dopant is an organic light emitting device that is a compound represented by Chemical Formula 1.

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