KR102156780B1 - Organic light emitting diode display device and method for fabricating the same - Google Patents
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Abstract
본 발명은 박막 트랜지스터의 면적을 증가시키지 않고 킨크(kink) 현상을 방지할 수 있는 유기 발광 다이오드 표시 장치 및 이의 제조 방법에 관한 것으로, 본 발명의 유기 발광 다이오드 표시 장치는 기판 상에 형성되어 복수 개의 게이트 배선 및 복수개의 데이터 배선과 각각 접속된 제 1 박막 트랜지스터; 상기 제 1 박막 트랜지스터와 접속된 제 2 박막 트랜지스터; 및 상기 제 2 박막 트랜지스터와 접속된 유기 발광 소자를 포함하며, 상기 제 1, 제 2 박막 트랜지스터는 각각 채널 영역, 소스 영역 및 드레인 영역을 포함하는 반도체층, 게이트 절연막, 게이트 전극, 소스 콘택홀을 통해 상기 소스 영역과 접속된 소스 전극 및 드레인 콘택홀을 통해 상기 드레인 영역과 접속된 드레인 전극을 포함하며, 상기 제 2 박막 트랜지스터의 반도체층은 바디 영역을 더 포함하여 이루어져, 상기 소스 영역과 드레인 영역은 제 1 불순물이 도핑되고, 상기 바디 영역은 상기 제 1 불순물과 상이한 제 2 불순물이 도핑되며, 상기 바디 영역과 상기 소스 영역은 상기 소스 콘택홀을 공유하여 상기 바디 영역이 상기 소스 전극과 접속된다.The present invention relates to an organic light emitting diode display device capable of preventing kink without increasing an area of a thin film transistor, and a manufacturing method thereof, wherein the organic light emitting diode display device of the present invention is formed on a substrate to provide a plurality of A first thin film transistor connected to a gate line and a plurality of data lines, respectively; A second thin film transistor connected to the first thin film transistor; And an organic light emitting device connected to the second thin film transistor, wherein the first and second thin film transistors each include a semiconductor layer including a channel region, a source region, and a drain region, a gate insulating film, a gate electrode, and a source contact hole. A source electrode connected to the source region through a drain electrode and a drain electrode connected to the drain region through a drain contact hole, and the semiconductor layer of the second thin film transistor further includes a body region, and the source region and the drain region Is doped with a first impurity, the body region is doped with a second impurity different from the first impurity, and the body region and the source region share the source contact hole so that the body region is connected to the source electrode. .
Description
본 발명은 유기 발광 다이오드 표시 장치에 관한 것으로, 박막 트랜지스터의 킨크(Kink) 현상을 방지하여 신뢰성이 향상된 유기 발광 다이오드 표시 장치 및 이의 제조 방법에 관한 것이다.The present invention relates to an organic light emitting diode display device, and to an organic light emitting diode display device having improved reliability by preventing a kink phenomenon of a thin film transistor, and a method of manufacturing the same.
다양한 정보를 화면으로 구현하는 영상 표시 장치는 정보 통신 시대의 핵심 기술로, 더 얇고 더 가볍고 휴대가 가능하면서도 고성능의 방향으로 발전하고 있다. 공간성, 편리성의 추구로 구부릴 수 있는 플렉시블 디스플레이가 요구되면서 평판 표시 장치로 유기 발광층의 발광량을 제어하는 유기 발광 다이오드 표시 장치가 근래에 각광받고 있다.A video display device that implements a variety of information on a screen is a core technology in the information communication era, and is developing in a direction of thinner, lighter, portable, and high-performance. As a flexible display that can be bent is required in the pursuit of space and convenience, an organic light emitting diode display device that controls the amount of light emitted by an organic light emitting layer with a flat panel display device has recently been in the spotlight.
유기 발광 표시 장치는 기판 상에 형성된 박막 트랜지스터와 커패시터에 저장된 데이터에 의해 구동되어 영상을 표현한다. 박막 트랜지스터는 스위칭 박막 트랜지스터와 구동용 박막 트랜지스터를 포함하며, 구동용 박막 트랜지스터와 유기 발광 다이오드가 접속된다.The organic light emitting diode display is driven by a thin film transistor formed on a substrate and data stored in a capacitor to display an image. The thin film transistor includes a switching thin film transistor and a driving thin film transistor, and the driving thin film transistor and the organic light emitting diode are connected.
박막 트랜지스터와 유기 발광 다이오드는 서브 화소마다 형성된다. 유기 발광 다이오드는 제 1 전극, 제 2 전극 및 제 1 전극과 제 2 전극 사이에 형성된 유기 발광층을 포함하여 이루어져, 제 1 전극 및 제 2 전극에 전계를 가하여 발광층 내에 전자와 정공을 주입 및 전달시켜 발광층에서 쌍을 이룬 전자와 정공은 여기상태로부터 기저상태로 떨어지면서 발광한다.The thin film transistor and the organic light emitting diode are formed for each sub-pixel. The organic light emitting diode comprises a first electrode, a second electrode, and an organic light emitting layer formed between the first electrode and the second electrode. By applying an electric field to the first electrode and the second electrode, electrons and holes are injected and transferred into the light emitting layer. Electrons and holes paired in the emission layer emit light while falling from the excited state to the ground state.
그런데, 박막 트랜지스터가 저온 폴리 실리콘(Low Temperature Polycrystalline Silicon; LTPS)을 이용하여 형성된 반도체층을 포함하는 경우, 박막 트랜지스터의 크기가 축소됨에 따라 드레인 영역에서 강한 횡방향 전계가 발생하고, 이에 따라 드레인 영역에 강한 횡방향 전계에 의해 야기된 정공을 방전시키기 위한 통로가 없어 킨크(Kink) 현상이 발생되었다. 킨크 현상은 게이트 전압의 증가에 따라 드레인 전류가 포화(saturation)되지 못하고 계속적으로 증가하는 현상으로, 킨크 현상에 의해 유기 발광 다이오드 표시 장치의 신뢰성이 저하된다.However, when the thin film transistor includes a semiconductor layer formed using low temperature polycrystalline silicon (LTPS), a strong transverse electric field is generated in the drain region as the size of the thin film transistor is reduced, and accordingly, the drain region There was no passage for discharging holes caused by a strong transverse electric field in the lateral direction, and a kink phenomenon occurred. The kink phenomenon is a phenomenon in which the drain current is not saturated and continuously increases as the gate voltage increases, and the reliability of the organic light emitting diode display decreases due to the kink phenomenon.
상기와 같은 킨크 현상을 방지하기 위해, 박막 트랜지스터가 소스 단자, 드레인 단자, 게이트 단자 및 바디 단자의 총 4개의 터미널(Terminal)을 갖도록 형성하고, 소스 단자와 바디 단자를 접속시켜 소스 영역에 과잉된 정공을 바디 단자를 통해 방출시키는 방법이 개발되었다.In order to prevent the kink phenomenon as described above, the thin film transistor is formed to have a total of 4 terminals: a source terminal, a drain terminal, a gate terminal, and a body terminal, and the source terminal and the body terminal are connected to prevent excess A method of releasing holes through body terminals has been developed.
도 1은 4개의 터미널(Terminal)을 갖는 일반적인 박막 트랜지스터의 반도체층의 평면도이다.1 is a plan view of a semiconductor layer of a typical thin film transistor having four terminals.
도 1과 같이, 일반적인 박막 트랜지스터의 반도체층(10)은 채널 영역(10a), 소스 영역(10b), 드레인 영역(10c) 및 채널 영역(10a)과 연결된 바디 영역(10d)을 포함하여 이루어진다. 일반적으로, 바디 영역(10d)은 채널 영역(10a)에서 돌출된 구조로 형성되므로, 바디 영역(10d)을 포함하는 반도체층을 구비한 박막 트랜지스터는 소스 영역, 드레인 영역 및 채널 영역만을 갖는 3개의 터미널을 갖는 박막 트랜지스터보다 면적이 넓다. 특히, 소스 영역(10b)과 바디 영역(10d)을 접속시키기 위한 연결부(15)를 더 구비함에 따라 박막 트랜지스터의 면적이 현저히 증가한다.1, the
본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위한 것으로, 박막 트랜지스터의 면적을 증가시키지 않고 킨크(kink) 현상을 방지할 수 있는 유기 발광 다이오드 표시 장치 및 이의 제조 방법을 제공하는데, 그 목적이 있다.An object of the present invention is to provide an organic light emitting diode display and a method of manufacturing the same, which can prevent kink without increasing an area of a thin film transistor.
상기와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명의 유기 발광 다이오드 표시 장치는 기판 상에 형성되어 복수 개의 게이트 배선 및 복수개의 데이터 배선과 각각 접속된 제 1 박막 트랜지스터; 상기 제 1 박막 트랜지스터와 접속된 제 2 박막 트랜지스터; 및 상기 제 2 박막 트랜지스터와 접속된 유기 발광 소자를 포함하며, 상기 제 1, 제 2 박막 트랜지스터는 각각 채널 영역, 소스 영역 및 드레인 영역을 포함하는 반도체층, 게이트 절연막, 게이트 전극, 소스 콘택홀을 통해 상기 소스 영역과 접속된 소스 전극 및 드레인 콘택홀을 통해 상기 드레인 영역과 접속된 드레인 전극을 포함하며, 상기 제 2 박막 트랜지스터의 반도체층은 바디 영역을 더 포함하여 이루어져, 상기 소스 영역과 드레인 영역은 제 1 불순물이 도핑되고, 상기 바디 영역은 상기 제 1 불순물과 상이한 제 2 불순물이 도핑되며, 상기 바디 영역과 상기 소스 영역은 상기 소스 콘택홀을 공유하여 상기 바디 영역이 상기 소스 전극과 접속된다.The organic light emitting diode display of the present invention for achieving the above object includes: a first thin film transistor formed on a substrate and connected to a plurality of gate wires and a plurality of data wires, respectively; A second thin film transistor connected to the first thin film transistor; And an organic light emitting device connected to the second thin film transistor, wherein the first and second thin film transistors each include a semiconductor layer including a channel region, a source region, and a drain region, a gate insulating film, a gate electrode, and a source contact hole. A source electrode connected to the source region through a drain electrode and a drain electrode connected to the drain region through a drain contact hole, and the semiconductor layer of the second thin film transistor further includes a body region, and the source region and the drain region Is doped with a first impurity, the body region is doped with a second impurity different from the first impurity, and the body region and the source region share the source contact hole so that the body region is connected to the source electrode. .
상기 제 1 박막 트랜지스터의 드레인 전극과 상기 제 2 박막 트랜지스터의 게이트 전극이 접속된다.A drain electrode of the first thin film transistor and a gate electrode of the second thin film transistor are connected.
상기 기준 전압 배선과 상기 게이트 배선이 교차하는 영역에 형성된 제 3 박막 트랜지스터 및 일측이 상기 제 2 박막 트랜지스터와 접속되고 타측이 상기 제 3 박막 트랜지스터와 접속된 커패시터를 더 포함한다.A third thin film transistor formed in a region where the reference voltage line and the gate line intersect, and a capacitor having one side connected to the second thin film transistor and the other side connected to the third thin film transistor.
또한, 동일 목적을 달성하기 위한 본 발명의 유기 발광 다이오드 표시 장치의 제조 방법은 기판 상에 게이트 배선 및 데이터 배선과 접속된 제 1 박막 트랜지스터와 상기 제 1 박막 트랜지스터와 접속된 제 2 박막 트랜지스터를 형성하는 단계; 및 상기 제 2 박막 트랜지스터와 접속된 유기 발광 소자를 형성하는 단계를 포함하며, 상기 제 1, 제 2 박막 트랜지스터를 형성하는 단계는 반도체층을 형성하는 단계; 상기 반도체층 상에 게이트 절연막과 게이트 전극을 형성하는 단계; 상기 반도체층에 제 1 불순물을 도핑하여 채널 영역, 소스 영역 및 드레인 영역을 정의하는 단계; 및 소스 콘택홀을 통해 상기 소스 영역과 접속된 소스 전극 및 드레인 콘택홀을 통해 상기 드레인 영역과 접속된 드레인 전극을 형성하는 단계를 포함하며, 상기 제 2 박막 트랜지스터는 제 1 불순물과 다른 제 2 불순물을 도핑하여 반도체층에 바디 영역을 정의하는 단계를 더 포함하여 이루어져, 상기 바디 영역과 상기 소스 영역은 상기 소스 콘택홀을 공유하여 상기 바디 영역이 상기 소스 전극과 접속된다.In addition, the method of manufacturing an organic light emitting diode display device of the present invention for achieving the same purpose is to form a first thin film transistor connected to a gate wire and a data wire and a second thin film transistor connected to the first thin film transistor on a substrate. Step to do; And forming an organic light-emitting device connected to the second thin film transistor, wherein the forming of the first and second thin film transistors comprises: forming a semiconductor layer; Forming a gate insulating layer and a gate electrode on the semiconductor layer; Doping the semiconductor layer with a first impurity to define a channel region, a source region, and a drain region; And forming a source electrode connected to the source region through a source contact hole and a drain electrode connected to the drain region through a drain contact hole, wherein the second thin film transistor comprises a second impurity different from the first impurity. And defining a body region in the semiconductor layer by doping the body region, wherein the body region and the source region share the source contact hole so that the body region is connected to the source electrode.
상기 반도체층을 형성하는 단계는 상기 기판 상에 비정질 실리콘을 증착하고 상기 비정질 실리콘을 결정화하여 저온 폴리 실리콘막을 형성하는 단계; 상기 저온 폴리 실리콘막을 패터닝하는 단계를 포함한다.The forming of the semiconductor layer may include depositing amorphous silicon on the substrate and crystallizing the amorphous silicon to form a low-temperature polysilicon film; And patterning the low-temperature polysilicon film.
상기 제 1 불순물은 n형 불순물이며, 상기 제 2 불순물은 p형 불순물이다.The first impurity is an n-type impurity, and the second impurity is a p-type impurity.
상기 바디 영역을 상기 채널 영역에 인접하도록 형성한다.The body region is formed to be adjacent to the channel region.
상기 바디 영역을 상기 소스 영역 상에 형성하여 상기 바디 영역의 두께가 상기 소스 영역의 두께보다 얇고, 상기 바디 영역 하부에도 상기 소스 영역이 위치한다.The body region is formed on the source region so that the body region has a thickness smaller than that of the source region, and the source region is also located under the body region.
상기 바디 영역과 상기 소스 영역을 동일 평면 상에 형성하여, 상기 바디 영역과 상기 소스 영역의 두께가 동일하다.The body region and the source region are formed on the same plane, so that the body region and the source region have the same thickness.
상기와 같은 본 발명의 유기 발광 다이오드 표시 장치 및 이의 제조 방법은 추가적으로 반도체층의 면적을 증가시키지 않고 반도체층에 바디 영역을 구비하여, 바디 영역과 소스 영역이 소스 콘택홀을 공유함으로써, 채널 영역에서 핫캐리어(hot carrier)가 발생하면, 정공이 p 바디 영역을 통해서 소스 전극으로 빠져 나가므로, 킨크 현상을 방지하여 표시 장치의 신뢰성을 향상시킬 수 있다.The organic light emitting diode display of the present invention and its manufacturing method as described above have a body region in the semiconductor layer without additionally increasing the area of the semiconductor layer, so that the body region and the source region share a source contact hole, When a hot carrier occurs, holes pass through the p-body region to the source electrode, thereby preventing a kink phenomenon, thereby improving reliability of the display device.
도 1은 4개의 터미널(Terminal)을 갖는 일반적인 박막 트랜지스터의 반도체층의 평면도이다.
도 2a는 본 발명의 유기 발광 다이오드 표시 장치의 회로도이다.
도 2b는 제 2 박막 트랜지스터의 회로도이다.
도 3a는 본 발명의 유기 발광 다이오드 표시 장치의 회로부의 평면도이다.
도 3b는 도 3a의 제 2 박막 트랜지스터의 확대 평면도이다.
도 3c는 도 3b의 Ⅰ-Ⅰ'의 단면도이다.
도 4a는 다른 실시 예에 따른 제 2 박막 트랜지스터의 평면도이다.
도 4b는 도 4a의 Ⅰ-Ⅰ'의 단면도이다.
도 4c는 도 4a의 Ⅱ-Ⅱ'의 단면도이다.
도 5a 내지 도 5f는 본 발명의 유기 발광 다이오드 표시 장치의 회로부의 제조 방법을 나타낸 공정 평면도이다.
도 6a 내지 도 6f는 도 5a 내지 도 5f의 Ⅰ-Ⅰ'의 단면도이다.1 is a plan view of a semiconductor layer of a typical thin film transistor having four terminals.
2A is a circuit diagram of an organic light emitting diode display according to the present invention.
2B is a circuit diagram of a second thin film transistor.
3A is a plan view of a circuit part of an organic light emitting diode display according to the present invention.
3B is an enlarged plan view of the second thin film transistor of FIG. 3A.
3C is a cross-sectional view of I-I' of FIG. 3B.
4A is a plan view of a second thin film transistor according to another exemplary embodiment.
4B is a cross-sectional view of I-I' of FIG. 4A.
4C is a cross-sectional view taken along line II-II' of FIG. 4A.
5A to 5F are process plan views illustrating a method of manufacturing a circuit part of an organic light emitting diode display according to the present invention.
6A to 6F are cross-sectional views taken along line I-I' of FIGS. 5A to 5F.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 유기 발광 다이오드 표시 장치를 상세히 설명하면 다음과 같다.Hereinafter, the organic light emitting diode display of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.
도 2a는 본 발명의 유기 발광 다이오드 표시 장치의 회로도이다. 도 2b는 제 2 박막 트랜지스터의 회로도이다.2A is a circuit diagram of an organic light emitting diode display according to the present invention. 2B is a circuit diagram of a second thin film transistor.
도 2a와 같이, 본 발명의 유기 발광 다이오드 표시 장치는 제 1 박막 트랜지스터(T1), 제 1 박막 트랜지스터(T1)와 접속된 제 2 박막 트랜지스터(T2) 및 제 2 박막 트랜지스터(T2)와 접속된 유기 발광 소자(EL)를 포함한다. 특히, 구동 안정성을 향상시키기 위해 제 3 박막 트랜지스터(T3)를 더 포함하여 이루어질 수 있다. As shown in FIG. 2A, the organic light emitting diode display of the present invention includes a first thin film transistor T1, a second thin film transistor T2 connected to the first thin film transistor T1, and a second thin film transistor T2. It includes an organic light emitting element (EL). In particular, a third thin film transistor T3 may be further included to improve driving stability.
제 1 박막 트랜지스터(T1)는 스위칭 박막 트랜지스터로, 제 1 게이트 배선(GL1)의 제 1 스캔 신호에 응답하여 구동 박막 트랜지스터인 제 2 박막 트랜지스터(T2) 및 커패시터(C)의 일측 단자에 데이터 배선(DL)의 데이터 신호를 전달한다. 이 때, 제 1 박막 트랜지스터(T1)의 드레인 전극이 제 2 박막 트랜지스터(T2)의 게이트 전극과 접속되어 제 1, 제 2 박막 트랜지스터(T1, T2)가 연결된다.The first thin film transistor T1 is a switching thin film transistor, and in response to the first scan signal of the first gate wiring GL1, data is wired to one terminal of the second thin film transistor T2 and the capacitor C as the driving thin film transistor. It transmits the data signal of (DL). In this case, the drain electrode of the first thin film transistor T1 is connected to the gate electrode of the second thin film transistor T2 to connect the first and second thin film transistors T1 and T2.
제 2 박막 트랜지스터(T2)는 제 1 박막 트랜지스터(T1)를 통해 전달된 데이터 신호에 대응되는 전류를 유기 발광 소자(EL)로 출력한다. 유기 발광 소자(EL)는 제 1 전극, 제 2 전극 및 제 1 전극과 제 2 전극 사이에 구비된 유기 발광층을 포함하여 이루어진다. 제 1 전극은 제 2 박막 트랜지스터(T2)를 통해 데이터 배선(DL)과 평행한 전원 배선(VDD)과 접속되어 제 2 박막 트랜지스터(T2)에 흐르는 전류에 대응되는 광을 방출한다.The second thin film transistor T2 outputs a current corresponding to the data signal transmitted through the first thin film transistor T1 to the organic light emitting element EL. The organic light emitting device EL includes a first electrode, a second electrode, and an organic light emitting layer provided between the first electrode and the second electrode. The first electrode is connected to the power line VDD parallel to the data line DL through the second thin film transistor T2 to emit light corresponding to the current flowing through the second thin film transistor T2.
제 3 박막 트랜지스터(T3)는 유기 발광 다이오드 표시 장치의 구동 안정성을 향상시키기 위한 것으로, 데이터 배선(DL)과 평행한 기준 전압 배선(Vref)과 접속되어 제 2 게이트 배선(GL2)과 기준 전압 배선(Vref)가 교차하는 영역에 구비된다. 상기와 같은 제 3 박막 트랜지스터(T3)는 제 2 게이트 배선(GL2)의 제 2 스캔 신호에 응답하여 커패시터(C)의 타측 단자에 기준 전압을 공급한다.The third thin film transistor T3 is for improving the driving stability of the organic light emitting diode display, and is connected to the reference voltage line Vref parallel to the data line DL, so that the second gate line GL2 and the reference voltage line are connected. It is provided in the area where (Vref) intersects. The third thin film transistor T3 as described above supplies a reference voltage to the other terminal of the capacitor C in response to the second scan signal of the second gate line GL2.
제 1 내지 제 3 박막 트랜지스터는 채널 영역, 소스 영역 및 드레인 영역을 포함하는 반도체층, 게이트 절연막, 게이트 전극, 소스 콘택홀을 통해 소스 영역과 접속된 소스 전극 및 드레인 콘택홀을 통해 드레인 영역과 접속된 드레인 전극을 포함한다. 특히, 제 2 박막 트랜지스터(T2)의 반도체층은 바디 영역을 더 포함하여 이루어져, 소스 영역과 드레인 영역은 제 1 불순물이 도핑되고, 바디 영역은 제 1 불순물과 상이한 제 2 불순물이 도핑되며, 바디 영역과 소스 영역은 소스 콘택홀을 공유하여 바디 영역이 소스 전극과 접속된다.The first to third thin film transistors are connected to the drain region through a semiconductor layer including a channel region, a source region and a drain region, a gate insulating film, a gate electrode, and a source electrode connected to the source region through a source contact hole and a drain contact hole. A drain electrode. In particular, the semiconductor layer of the second thin film transistor T2 further includes a body region, the source region and the drain region are doped with a first impurity, the body region is doped with a second impurity different from the first impurity, and the body The region and the source region share a source contact hole so that the body region is connected to the source electrode.
상기와 같은 제 2 박막 트랜지스터(T2)는 도 2b와 같이, 게이트 단자(G), 소스 단자(S), 드레인 단자(D) 및 바디 단자(B)를 포함하여 이루어진다. 이 때, 바디 단자(B)는 소스 단자(S)와 접속되어 제 2 박막 트랜지스터(T2)를 구동할 때 소스 영역(110b)에 정공 농도가 증가하여 플로팅 바디 효과(floating body effect)에 의한 킨크 현상이 발생하는 것을 방지한다.The second thin film transistor T2 as described above includes a gate terminal (G), a source terminal (S), a drain terminal (D), and a body terminal (B), as shown in FIG. 2B. At this time, when the body terminal B is connected to the source terminal S and drives the second thin film transistor T2, the hole concentration in the
도 3a는 본 발명의 유기 발광 다이오드 표시 장치의 회로부의 평면도로, 게이트 배선, 데이터 배선, 전원 배선, 기준 전압 배선 및 제 1 내지 제 3 박막 트랜지스터만 도시하였다. 도 3b는 도 3a의 제 2 박막 트랜지스터의 확대 평면도이며, 도 3c는 도 3b의 Ⅰ-Ⅰ'의 단면도이다.3A is a plan view of a circuit portion of the organic light emitting diode display of the present invention, showing only a gate wiring, a data wiring, a power wiring, a reference voltage wiring, and first to third thin film transistors. 3B is an enlarged plan view of the second thin film transistor of FIG. 3A, and FIG. 3C is a cross-sectional view of I-I' of FIG. 3B.
도 3a 내지 도 3c와 같이, 본 발명의 제 2 박막 트랜지스터는 채널 영역(110a), 소스 영역(110b), 드레인 영역(110c) 및 바디 영역(110d)을 구비한 반도체층(110), 채널 영역(110a)과 중첩되는 게이트 전극(115a), 소스 콘택홀(120a)을 통해 소스 영역(110b) 및 바디 영역(110d)과 접속된 소스 전극(130a) 및 드레인 콘택홀(120b)을 통해 드레인 영역(110c)과 접속된 드레인 전극(130b)을 포함한다. 특히, 바디 영역(110d)의 두께가 소스 영역(110b)의 두께보다 얇고, 바디 영역(110d)이 소스 영역(110b)의 일부 영역 상에 구비되어, 바디 영역(110d) 하부에도 소스 영역(110b)이 위치한다. 즉, 바디 영역(110d)과 소스 영역(110b)이 중첩되도록 구비되어 바디 영역(110d)과 소스 영역(110b)이 소스 콘택홀(120a)을 공유한다.3A to 3C, the second thin film transistor of the present invention includes a
구체적으로, 채널 영역(110a)은 소스 영역(110b)과 드레인 영역(110c) 사이에 형성되며, 바디 영역(110d)은 채널 영역(110a)에 인접하도록 형성된다. 채널 영역(110a)은 불순물이 도핑되지 않은 진성 영역이며, 소스 영역(110b)과 드레인 영역(110c) 사이에 구비되어 소스 영역(110b) 및 드레인 영역(110c)은 제 1 불순물로 도핑되어 형성된다. 그리고, 바디 영역(110d)은 제 1 불순물과 상이한 제 2 불순물로 도핑되어 형성된다.Specifically, the
반도체층(110)은 기판(100) 상에 형성된 버퍼층(105) 상에 형성되며, 반도체층(110)을 덮도록 게이트 절연막(115)이 형성된다. 게이트 절연막(115) 상에는 채널 영역(110a)과 중첩되도록 게이트 전극(115a)이 구비되며, 게이트 전극(115a)을 덮도록 기판(100) 상에 층간 절연막(120)이 형성된다. 그리고, 게이트 절연막(115) 및 층간 절연막(120)을 선택적으로 제거하여 소스 영역(110b)과 바디 영역(110d)을 노출시키는 소스 콘택홀(120a)과 드레인 영역(110c)을 노출시키는 드레인 콘택홀(120b)이 형성된다.The
소스 콘택홀(120a)을 통해 전원 배선(VDD)과 연결된 소스 전극(130a)이 소스 영역(110b) 및 바디 영역(110d)과 접속되며, 드레인 콘택홀(120b)을 통해 드레인 전극(130b)이 드레인 영역(110c)과 접속된다.The
예를 들어, 제 2 박막 트랜지스터가 n형 박막 트랜지스터인 경우, 제 1 불순물은 n형 불순물이며, 제 2 불순물은 p형 불순물이다. 채널 영역(110a)에서 핫캐리어(hot carrier)가 발생하면, 전자는 n형 불순물로 도핑된 드레인 영역(110c)을 통해서 드레인 전극(130b)으로 빠져 나간다. 그리고, 정공은 p형 불순물로 도핑된 바디 영역(110d)을 통해서 소스 전극(130a)으로 빠져 나갈 수 있으므로, 정공이 소스 영역(110b)으로 이동하는 것을 효과적으로 억제하여 킨크 현상을 방지함으로써, 구동 박막 트랜지스터의 신뢰성이 향상된다.For example, when the second thin film transistor is an n-type thin film transistor, the first impurity is an n-type impurity, and the second impurity is a p-type impurity. When a hot carrier occurs in the
반대로, 제 2 박막 트랜지스터가 p형 박막 트랜지스터인 경우에는 제 1 불순물은 p형 불순물이며, 제 2 불순물은 n형 불순물이다. 채널 영역(110a)에서 핫캐리어(hot carrier)가 발생하면, 전자는 p형 불순물로 도핑된 드레인 영역(110c)을 통해서 드레인 전극(130b)으로 빠져 나간다. 그리고, 정공은 n형 불순물로 도핑된 바디 영역(110d)을 통해서 소스 전극(130a)으로 빠져 나갈 수 있으므로, 정공이 소스 영역(110b)으로 이동하는 것을 효과적으로 억제할 수 있다.Conversely, when the second thin film transistor is a p-type thin film transistor, the first impurity is a p-type impurity, and the second impurity is an n-type impurity. When a hot carrier occurs in the
즉, 상기와 같은 본 발명의 유기 발광 다이오드 표시 장치는 구동 박막 트랜지스터인 제 2 박막 트랜지스터의 면적을 증가시키지 않고도 킨크 효과를 효율적으로 방지하여 표시 장치의 신뢰성을 향상시킬 수 있다.That is, in the organic light emitting diode display of the present invention, the kink effect can be effectively prevented without increasing the area of the second thin film transistor, which is a driving thin film transistor, thereby improving reliability of the display device.
도 4a는 다른 실시 예에 따른 제 2 박막 트랜지스터의 평면도이다. 도 4b는 도 4a의 Ⅰ-Ⅰ'의 단면도이며, 도 4c는 도 4a의 Ⅱ-Ⅱ'의 단면도이다.4A is a plan view of a second thin film transistor according to another exemplary embodiment. 4B is a cross-sectional view of I-I' of FIG. 4A, and FIG. 4C is a cross-sectional view of II-II' of FIG. 4A.
도 4a 내지 도 4c와 같이, 본 발명의 다른 실시 예에 따른 제 2 박막 트랜지스터는 반도체층(210)의 바디 영역(210d)과 소스 영역(210b)의 두께가 동일하다. 이 때, 바디 영역(210d)은 소스 영역(210b)과 중첩되는 것이 아니라, 바디 영역(210d)과 소스 영역(210b)은 동일 평면 상에 형성된다.As shown in FIGS. 4A to 4C, in the second thin film transistor according to another exemplary embodiment of the present invention, the
바디 영역(210d)은 소스 영역(210b)의 일부 영역에 제 1 불순물을 도핑하지 않고 제 1 불순물이 도핑되지 않은 영역에만 제 2 불순물을 도핑하여 형성되며, 바디 영역(210d)과 소스 영역(210b)이 소스 콘택홀(220a)을 공유하여 바디 영역(210d)과 소스 영역(210b)이 소스 콘택홀(220a)을 통해 소스 전극(230a)과 접속된다.The
이하, 본 발명의 유기 발광 다이오드 표시 장치의 제조 방법을 구체적으로 설명하면 다음과 같다.Hereinafter, the method of manufacturing the organic light emitting diode display of the present invention will be described in detail.
도 5a 내지 도 5f는 본 발명의 유기 발광 다이오드 표시 장치의 회로부의 제조 방법을 나타낸 공정 평면도이며, 도 6a 내지 도 6f는 도 5a 내지 도 5f의 Ⅰ-Ⅰ'의 단면도이다.5A to 5F are process plan views illustrating a method of manufacturing a circuit part of the organic light emitting diode display device of the present invention, and FIGS. 6A to 6F are cross-sectional views of FIGS. 5A to 5F.
먼저, 도 5a 및 도 6a와 같이, 기판(100) 상에 버퍼층(105)을 형성하고, 버퍼층(105) 상에 비정질 실리콘을 증착하고 이를 결정화하여 저온 폴리 실리콘막을 형성한다. 그리고, 저온 폴리 실리콘막을 패터닝하여 반도체층(110)을 형성한다. 이 때, 반도체층(110)은 제 1, 제 3 박막 트랜지스터(T1, T3) 및 구동 박막 트랜지스터인 제 2 박막 트랜지스터(T2)가 형성될 영역에 형성된다.First, as shown in FIGS. 5A and 6A, a
도 5b 및 도 6b와 같이, 반도체층(110)을 덮도록 기판(100) 전면에 게이트 절연막(115)을 형성하고, 게이트 절연막(115) 상에 반도체층(110)의 일부 영역과 중첩되도록 게이트 전극(115a), 게이트 배선(GL1, GL2)을 형성한다. 이 때, 제 1 박막 트랜지스터(T1) 및 제 3 박막 트랜지스터는 각각 반도체층과 제 1 게이트 배선(GL1) 및 제 2 게이트 배선(GL2)이 중첩되는 영역이 게이트 전극으로 정의된다. 그리고, 제 2 박막 트랜지스터의 게이트 전극(115a)은 제 2 박막 트랜지스터(T1)의 반도체층(110)의 일부 영역과 중첩된다.5B and 6B, a
이어, 도 5c 및 도 6c와 같이, 게이트 전극(115), 게이트 배선(GL1, GL2)을 마스크로 이용하여 노출된 반도체층(110)의 양측에 제 1 불순물을 도핑하여, 각 반도체층(110)에 소스 영역(110b)과 드레인 영역(110c)을 형성한다. 제 1 불순물은 n형 불순물이다. 게이트 전극(115)과 중첩되는 영역의 반도체층(110)은 제 1 불순물이 도핑되지 않은 진성 영역으로, 채널 영역(110a)으로 정의된다.Subsequently, as shown in FIGS. 5C and 6C, a first impurity is doped on both sides of the exposed
그리고, 도 5d 및 도 6d와 같이, 제 2 박막 트랜지스터의 소스 영역(110b)의 일부 영역에 부분적으로 제 2 불순물을 도핑한다. 제 1 불순물은 n형 불순물이며, 제 2 불순물은 p형 불순물이다. 제 2 불순물이 도핑된 영역은 바디 영역(110d)으로 정의되며, 바디 영역(110d)은 드레인 영역(110c)과 채널 영역(110a)의 경계 부분에서 발생되는 핫캐리어(hot carrier)가 바디 영역을 통해 빠져 나가 킨크 현상을 방지한다.In addition, as shown in FIGS. 5D and 6D, a second impurity is partially doped in a partial region of the
바디 영역(110d)은 제 1 불순물이 형성된 영역에 제 2 불순물을 카운터 도핑하여 제 1 불순물이 도핑된 소스 영역(110b)의 일부 영역이 p형 불순물로 도핑되어 정의되며, 이 경우, 바디 영역(110d)은 소스 영역(110b) 상에 부분적으로 형성된다. 또한, 게이트 전극(115a)에 의해 노출된 영역 중 일부 영역에 제 1 불순물을 도핑하지 않고, 제 1 불순물이 도핑되지 않은 영역에 제 2 불순물을 도핑하여 바디 영역(110d)을 형성할 수도 있다. 이 경우에는 바디 영역(110d)과 소스 영역(110b)의 두께가 동일하다.The
이어, 도 5e 및 도 6e와 같이, 게이트 전극(115a)을 덮도록 층간 절연막(120)을 형성하고, 층간 절연막(120)과 게이트 절연막(115)을 선택적으로 제거하여 소스 콘택홀(120a)과 드레인 콘택홀(120b)을 형성한다. 이 때, 소스 콘택홀(120a)은 소스 영역(110b)과 바디 영역(110d)을 노출시키도록 형성되어, 소스 영역(110b)과 바디 영역(110d)은 소스 콘택홀(120a)을 공유하며, 드레인 콘택홀(120b)은 드레인 영역(110c)을 노출시키도록 형성된다.Subsequently, as shown in FIGS. 5E and 6E, an
그리고, 도 5f 및 도 6f와 같이, 전원 배선(VDD), 기준 전압 배선(Vref) 및 데이터 배선(DL)을 형성한다. 이 때, 데이터 배선(DL)은 제 1 박막 트랜지스터(T1)와 접속되며, 기준 전압 배선(Vref)은 제 3 박막 트랜지스터(T3)와 접속된다. 그리고, 전원 배선(VDD)는 제 2 박막 트랜지스터의 드레인 콘택홀(120b)을 통해 드레인 영역(110c)과 접속되어 드레인 전극(130b)이 형성되며, 동시에 제 2 박막 트랜지스터의 소스 영역(110b) 및 바디 영역(110d)과 접속되는 소스 전극(130a)이 형성된다.Then, as shown in FIGS. 5F and 6F, a power line VDD, a reference voltage line Vref, and a data line DL are formed. In this case, the data line DL is connected to the first thin film transistor T1, and the reference voltage line Vref is connected to the third thin film transistor T3. In addition, the power wiring VDD is connected to the
그리고, 도시하지는 않았으나, 제 2 박막 트랜지스터와 접속되도록 제 1 전극, 유기 발광층 및 제 2 전극을 포함하는 유기 발광 소자(EL)를 형성한다. 먼저, 제 2 박막 트랜지스터와 접속되도록 애노드(Anode)인 제 1 전극을 형성한다. 그리고, 제 1 전극 상에 유기 발광층을 형성하고, 유기 발광층을 덮도록 캐소드(Cathode)인 제 2 전극을 형성한다. 또한, 도시하지는 않았으나, 제 2 박막 트랜지스터의 게이트 전극(115a)과 중첩되는 커패시터를 형성한다. 이 때, 커패시터의 일측 단자는 제 1 박막 트랜지스터(T1)와 접속되며, 타측 단자는 제 3 박막 트랜지스터(T3)와 접속된다.Further, although not shown, an organic light-emitting device EL including a first electrode, an organic light-emitting layer, and a second electrode is formed to be connected to the second thin film transistor. First, a first electrode that is an anode is formed to be connected to the second thin film transistor. In addition, an organic emission layer is formed on the first electrode, and a second electrode, which is a cathode, is formed to cover the organic emission layer. Further, although not shown, a capacitor overlapping the
상기와 같은 본 발명의 유기 발광 다이오드 표시 장치는 유기 발광 소자(EL)과 접속되어 구동 박막 트랜지스터로 기능하는 제 2 박막 트랜지스터(T2)의 반도체층(110)이 채널 영역(110a) 소스 영역(110b), 드레인 영역(110c), 바디 영역(110d)을 포함하며, 바디 영역(110d)에는 소스 영역(110b) 및 드레인 영역(110c)에 도핑되는 불순물과 다른 불순물이 도핑된다.In the organic light emitting diode display of the present invention as described above, the
소스 영역(110b) 및 드레인 영역(110c)이 제 1 불순물로 도핑되는 경우, 바디 영역은 제 1 불순물과 상이한 제 2 불순물이 도핑되고, 채널 영역(110a)은 제 1, 제 2 불순물이 도핑되지 않은 진성 영역이다. 제 1 불순물은 n형 불순물이고 제 2 불순물은 p형 불순물이다. When the
따라서, 본 발명의 유기 발광 다이오드 표시 장치는 제 2 박막 트랜지스터(T2)의 동작 중에 드레인 영역(110c)의 횡방향 전계에 의해 드레인 영역(110c)과 채널 영역(110a)의 경계 부분에서 발생되는 핫캐리어(hot carrier)가 바디 영역(110d)을 통해 빠져 나갈 수 있으므로, 핫캐리어가 소스 영역(110b)으로 이동하는 것을 방지하여 표시 장치의 신뢰성이 향상된다. 더욱이, 상술한 바와 같이 일반적인 4개의 터미널의 박막 트랜지스터는 바디 영역 및 연결부를 추가로 구비함에 따라 소자의 면적이 현저히 증가하나, 본 발명은 소자의 면적 증가 없이 킨크 현상을 방지할 수 있다.Accordingly, in the organic light emitting diode display of the present invention, hot generated at the boundary between the
특히, 본 발명은 3개의 박막 트랜지스터와 1개의 커패시터가 하나의 화소 영역에 구비된 유기 발광 다이오드 표시 장치를 개시하였으나, 소스 영역과 바디 영역이 연결된 구동 박막 트랜지스터를 포함하는 어떠한 유기 발광 다이오드 표시 장치에 적용 가능하다.In particular, the present invention discloses an organic light emitting diode display device in which three thin film transistors and one capacitor are provided in one pixel region, but any organic light emitting diode display device including a driving thin film transistor connected to a source region and a body region Applicable.
한편, 이상에서 설명한 본 발명은 상술한 실시 예 및 첨부된 도면에 한정되는 것이 아니고, 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 여러 가지 치환, 변형 및 변경이 가능하다는 것이 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 있어 명백할 것이다.On the other hand, the present invention described above is not limited to the above-described embodiments and the accompanying drawings, and various substitutions, modifications and changes are possible within the scope of the technical spirit of the present invention. It will be obvious to those of ordinary skill in
DL: 데이터 배선 GL1: 제 1 게이트 배선
GL2: 제 2 게이트 배선 T1: 제 1 박막 트랜지스터
T2: 제 2 박막 트랜지스터 T3: 제 3 박막 트랜지스터
VDD: 전원 배선 Vref: 기준 전압 배선
100: 기판 105: 버퍼층
110: 반도체층 110a: 채널 영역
110b: 소스 영역 110c: 드레인 영역
110d: 바디 영역 115: 게이트 절연막
115a: 게이트 전극 120: 층간 절연막
120a: 소스 콘택홀 120b: 드레인 콘택홀
130a: 소스 전극 130b: 드레인 전극DL: data wiring GL1: first gate wiring
GL2: second gate wiring T1: first thin film transistor
T2: second thin film transistor T3: third thin film transistor
VDD: Power wiring Vref: Reference voltage wiring
100: substrate 105: buffer layer
110:
110b:
110d: body region 115: gate insulating film
115a: gate electrode 120: interlayer insulating film
120a:
130a:
Claims (15)
상기 제 1 박막 트랜지스터와 접속된 제 2 박막 트랜지스터; 및
상기 제 2 박막 트랜지스터와 접속된 유기 발광 소자를 포함하며,
상기 제 1, 제 2 박막 트랜지스터는 각각 채널 영역, 소스 영역 및 드레인 영역을 포함하는 반도체층, 게이트 절연막, 게이트 전극, 소스 콘택홀을 통해 상기 소스 영역과 접속된 소스 전극 및 드레인 콘택홀을 통해 상기 드레인 영역과 접속된 드레인 전극을 포함하며,
상기 제 2 박막 트랜지스터의 반도체층은 바디 영역을 더 포함하여 이루어져, 상기 소스 영역과 드레인 영역은 제 1 불순물이 도핑되고, 상기 바디 영역은 상기 제 1 불순물과 상이한 제 2 불순물이 도핑되며, 상기 바디 영역과 상기 소스 영역은 상기 소스 콘택홀을 공유하여 상기 바디 영역이 상기 소스 전극과 접속되며,
상기 바디 영역은 상기 소스 영역과 직접 접촉하는 유기 발광 다이오드 표시 장치.A first thin film transistor formed on the substrate and connected to a plurality of gate lines and a plurality of data lines, respectively;
A second thin film transistor connected to the first thin film transistor; And
Including an organic light emitting device connected to the second thin film transistor,
Each of the first and second thin film transistors includes a semiconductor layer including a channel region, a source region and a drain region, a gate insulating film, a gate electrode, and a source electrode and a drain contact hole connected to the source region through a source contact hole. And a drain electrode connected to the drain region,
The semiconductor layer of the second thin film transistor further includes a body region, the source region and the drain region are doped with a first impurity, the body region is doped with a second impurity different from the first impurity, and the body A region and the source region share the source contact hole so that the body region is connected to the source electrode,
The body region is in direct contact with the source region.
상기 제 1 불순물은 n형 불순물이며, 상기 제 2 불순물은 p형 불순물인 유기 발광 다이오드 표시 장치.The method of claim 1,
The first impurity is an n-type impurity, and the second impurity is a p-type impurity.
상기 바디 영역은 상기 채널 영역에 인접하도록 배치되는 유기 발광 다이오드 표시 장치.The method of claim 1,
The body region is an organic light emitting diode display that is disposed adjacent to the channel region.
상기 바디 영역은 상기 소스 영역 상에 배치되어 상기 바디 영역의 두께가 상기 소스 영역의 두께보다 얇고, 상기 바디 영역 하부에도 상기 소스 영역이 위치하는 유기 발광 다이오드 표시 장치.The method of claim 1,
The body region is disposed on the source region, the thickness of the body region is smaller than the thickness of the source region, and the source region is also located under the body region.
상기 바디 영역과 상기 소스 영역은 동일 평면 상에 위치하여, 상기 바디 영역과 상기 소스 영역의 두께가 동일한 유기 발광 다이오드 표시 장치.The method of claim 1,
The body region and the source region are positioned on the same plane, so that the body region and the source region have the same thickness.
상기 제 1 박막 트랜지스터의 드레인 전극과 상기 제 2 박막 트랜지스터의 게이트 전극이 접속된 유기 발광 다이오드 표시 장치.The method of claim 1,
An organic light-emitting diode display to which a drain electrode of the first thin film transistor and a gate electrode of the second thin film transistor are connected.
상기 데이터 배선과 평행한 기준 전압 배선과 전원 배선을 더 포함하여,
상기 기준 전압 배선과 상기 게이트 배선이 교차하는 영역에 형성된 제 3 박막 트랜지스터 및 일측이 상기 제 2 박막 트랜지스터와 접속되고 타측이 상기 제 3 박막 트랜지스터와 접속된 커패시터를 더 포함하는 유기 발광 다이오드 표시 장치.The method of claim 1,
Further comprising a reference voltage line and a power line parallel to the data line,
The organic light emitting diode display further comprises a third thin film transistor formed in a region where the reference voltage line and the gate line cross, and a capacitor having one side connected to the second thin film transistor and the other side connected to the third thin film transistor.
상기 제 2 박막 트랜지스터와 접속된 유기 발광 소자를 형성하는 단계를 포함하며,
상기 제 1, 제 2 박막 트랜지스터를 형성하는 단계는 반도체층을 형성하는 단계; 상기 반도체층 상에 게이트 절연막과 게이트 전극을 형성하는 단계; 상기 반도체층에 제 1 불순물을 도핑하여 채널 영역, 소스 영역 및 드레인 영역을 정의하는 단계; 및 소스 콘택홀을 통해 상기 소스 영역과 접속된 소스 전극 및 드레인 콘택홀을 통해 상기 드레인 영역과 접속된 드레인 전극을 형성하는 단계를 포함하며,
상기 제 2 박막 트랜지스터는 제 1 불순물과 다른 제 2 불순물을 도핑하여 반도체층에 바디 영역을 정의하는 단계를 더 포함하여 이루어져, 상기 바디 영역과 상기 소스 영역은 상기 소스 콘택홀을 공유하여 상기 바디 영역이 상기 소스 전극과 접속되며,
상기 바디 영역은 상기 소스 영역과 직접 접촉하는 유기 발광 다이오드 표시 장치의 제조 방법.Forming a first thin film transistor connected to a plurality of gate wires and a plurality of data wires, respectively, and a second thin film transistor connected to the first thin film transistor on a substrate; And
Forming an organic light emitting device connected to the second thin film transistor,
The forming of the first and second thin film transistors may include forming a semiconductor layer; Forming a gate insulating layer and a gate electrode on the semiconductor layer; Doping the semiconductor layer with a first impurity to define a channel region, a source region, and a drain region; And forming a source electrode connected to the source region through a source contact hole and a drain electrode connected to the drain region through a drain contact hole,
The second thin film transistor further comprises the step of defining a body region in the semiconductor layer by doping a second impurity different from the first impurity, wherein the body region and the source region share the source contact hole to form the body region. Is connected to the source electrode,
The method of manufacturing an organic light emitting diode display in which the body region directly contacts the source region.
상기 반도체층을 형성하는 단계는 상기 기판 상에 비정질 실리콘을 증착하고 상기 비정질 실리콘을 결정화하여 저온 폴리 실리콘막을 형성하는 단계;
상기 저온 폴리 실리콘막을 패터닝하는 단계를 포함하는 유기 발광 다이오드 표시 장치의 제조 방법.The method of claim 8,
The forming of the semiconductor layer may include depositing amorphous silicon on the substrate and crystallizing the amorphous silicon to form a low-temperature polysilicon film;
A method of manufacturing an organic light emitting diode display comprising the step of patterning the low-temperature polysilicon layer.
상기 제 1 불순물은 n형 불순물이며, 상기 제 2 불순물은 p형 불순물인 유기 발광 다이오드 표시 장치의 제조 방법.The method of claim 8,
The first impurity is an n-type impurity, and the second impurity is a p-type impurity.
상기 바디 영역을 상기 채널 영역에 인접하도록 형성하는 유기 발광 다이오드 표시 장치의 제조 방법.The method of claim 8,
A method of manufacturing an organic light emitting diode display, in which the body region is formed adjacent to the channel region.
상기 바디 영역을 상기 소스 영역 상에 형성하여 상기 바디 영역의 두께가 상기 소스 영역의 두께보다 얇고, 상기 바디 영역 하부에도 상기 소스 영역이 위치하는 유기 발광 다이오드 표시 장치의 제조 방법.The method of claim 8,
A method of manufacturing an organic light emitting diode display, wherein the body region is formed on the source region so that the body region has a thickness smaller than that of the source region, and the source region is also located under the body region.
상기 바디 영역과 상기 소스 영역을 동일 평면 상에 형성하여, 상기 바디 영역과 상기 소스 영역의 두께가 동일한 유기 발광 다이오드 표시 장치의 제조 방법.The method of claim 8,
A method of manufacturing an organic light emitting diode display by forming the body region and the source region on the same plane so that the body region and the source region have the same thickness.
상기 소스 콘택홀의 일부 영역은 상기 소스 영역과 중첩되며,
상기 소스 콘택홀의 나머지 영역은 상기 바디 영역과 중첩되는 유기 발광 다이오드 표시 장치.The method of claim 1,
Some regions of the source contact hole overlap the source region,
The organic light emitting diode display device wherein the remaining area of the source contact hole overlaps the body area.
상기 바디 영역은 상기 소스 영역과 함께 상기 채널 영역의 동일한 일측에 배치되며,
상기 드레인 영역은 상기 채널 영역의 타측에 배치되는 유기 발광 다이오드 표시 장치.The method of claim 1,
The body region is disposed on the same side of the channel region together with the source region,
The drain region is disposed on the other side of the channel region.
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