KR102154556B1 - Method of manufacturing a fine metal mask for microdisplay based on high resolution and low thermal expansion OLED through heterogeneous multilayer electro-forming and heat treatment - Google Patents

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Abstract

본 발명은 a) 기판 상에 포토레지스트층을 형성하는 단계; b) 상기 포토레지스트층 상에 마스크를 장착하고 노광 및 현상하여 패턴화된 포토레지스트층을 형성하는 단계; c) 상기 패턴화된 포토레지스트층 상에 니켈(Ni)을 함유하는 니켈(Ni)함유층과 철(Fe)층을 전주도금을 통해 교대로 적층하여 도금층을 형성하는 단계; d) 상기 패턴화된 포토레지스트층을 제거하는 단계; 및 e) 상기 기판을 제거하여 미세 금속 마스크(FMM)를 제조하는 단계;를 포함하는 미세 금속 마스크의 제조방법 및 이로부터 제조된 미세 금속 마스크에 관한 것이다.The present invention comprises the steps of: a) forming a photoresist layer on a substrate; b) mounting a mask on the photoresist layer, exposing and developing it to form a patterned photoresist layer; c) forming a plating layer by alternately laminating a nickel (Ni) containing layer and an iron (Fe) layer containing nickel (Ni) on the patterned photoresist layer through electroplating; d) removing the patterned photoresist layer; And e) manufacturing a fine metal mask (FMM) by removing the substrate, and a fine metal mask manufactured therefrom.

Description

이종 다층 전주도금과 열처리를 통한 고해상도 저열팽창성 OLED 기반 마이크로 디스플레이용 미세 금속 마스크의 제조방법 {Method of manufacturing a fine metal mask for microdisplay based on high resolution and low thermal expansion OLED through heterogeneous multilayer electro-forming and heat treatment}Method of manufacturing a fine metal mask for microdisplay based on high resolution and low thermal expansion OLED through heterogeneous multilayer electro-forming and heat treatment through heterogeneous multilayer electroplating and heat treatment }

본 발명은 이종 다층 전주도금과 열처리를 통한 고해상도 저열팽창성 OLED(Organic light emitting diodes) 기반 마이크로 디스플레이용 미세 금속 마스크의 제조방법에 관한 것이다.The present invention relates to a method of manufacturing a fine metal mask for a micro-display based on high-resolution, low-thermal expansion organic light emitting diodes (OLEDs) through heterogeneous multilayer electroplating and heat treatment.

고해상도 및 저전력을 가지는 표시 장치가 요구됨에 따라, 액정 표시 장치나 전계 발광 표시 장치와 같은 다양한 표시 장치들이 개발되고 있다.As a display device having high resolution and low power is required, various display devices such as a liquid crystal display device or an electroluminescent display device are being developed.

전계 발광 표시 장치는 액정 표시 장치 대비 저 발광, 저 소비 전력, 고해상도 등의 우수한 특성을 가져 차세대 표시 장치로 주목받고 있다.The electroluminescent display device is attracting attention as a next-generation display device because of its excellent characteristics such as low light emission, low power consumption, and high resolution compared to a liquid crystal display device.

전계 표시 장치는 유기 발광 표시 장치와 무기 발광 표시 장치가 있다. 즉, 발광층의 물질에 따라 유기 발광 표시 장치와 무기 발광 표시 장치로 구별될 수 있다.Electromagnetic display devices include an organic light emitting display device and an inorganic light emitting display device. That is, according to the material of the emission layer, an organic light emitting display device and an inorganic light emitting display device may be classified.

이 중에서도 유기 발광 표시 장치는 넓은 시야각을 가지고 빠른 응답속도를 가진다는 점, 저전력이 요구된다는 점에서 주목받고 있다.Among them, the organic light emitting diode display is attracting attention because it has a wide viewing angle, a fast response speed, and a low power requirement.

이러한 발광층을 구성하는 유기 물질은 미세 금속 마스크(FMM; fine metal mask) 방식에 의하여 기판 상에 화소를 형성하기 위한 패턴으로 형성될 수 있다.The organic material constituting such an emission layer may be formed as a pattern for forming a pixel on a substrate by a fine metal mask (FMM) method.

이때, 미세 금속 마스크, 즉 증착용 마스크는 기판 상에 형성될 패턴과 대응되는 관통홀을 가질 수 있어, 기판 상에 미세 금속 마스크를 정렬한 후 유기 물질을 증착함에 따라 화소를 형성하는 빨강(red), 초록(green), 파랑(blue)의 패턴을 형성할 수 있다.At this time, the fine metal mask, that is, the deposition mask, may have a through hole corresponding to the pattern to be formed on the substrate, so that the red (red) pixel is formed by depositing an organic material after aligning the fine metal mask on the substrate. ), green, and blue patterns can be formed.

고해상도 내지 초고해상도의 화소를 가지는 증착 패턴을 형성하기 위해서는 얇고 일정한 두께 및 미세하며 높은 정밀도를 가지는 관통홀을 가진 금속판이 요구된다.In order to form a deposition pattern having pixels of high resolution to ultra high resolution, a metal plate having a thin, constant thickness, fine, and high precision through-hole is required.

금속판을 얇게 하기 위한 방법으로는 압연이나 도금의 방법이 시도될 수 있다. 그러나, 압연된 금속판을 20 ㎛ 이하로 제조하는 경우에는 제품 품질이 저하됨에 따라 균일한 크기의 관통홀을 형성하기 어려운 문제점이 있다. 도금으로 형성된 금속판은 얇은 두께를 가질 수 있으나, 금속판이 합금으로 이루어진 경우에는 조성을 제어하기 어려운 문제점이 있으며, 일정한 합금 비율을 가지는 초기 도금층 상에 서브마이크로 단위 두께로 형성되는 금속판은 초기의 도금층과 동일한 합금 비율을 가질 수 있으나 마이크로 단위 두께의 금속판은 초기의 도금층과 동일한 합금 비율을 가지기 어려운 단점이 있다. 이에 따라, 두께가 1 ㎛ 이상인 도금 금속판은 열팽창계수의 증가로 인하여 제품 품질이 저하되는 문제점을 가진다.As a method for thinning the metal plate, a method of rolling or plating may be attempted. However, when the rolled metal sheet is manufactured to be less than 20 μm, there is a problem in that it is difficult to form a through hole having a uniform size as the product quality is deteriorated. The metal plate formed by plating may have a thin thickness, but when the metal plate is made of an alloy, it is difficult to control the composition, and the metal plate formed in submicro unit thickness on the initial plating layer having a constant alloy ratio is the same as the initial plating layer. Although it may have an alloy ratio, the micro-unit thickness metal plate has a disadvantage that it is difficult to have the same alloy ratio as the initial plating layer. Accordingly, a plated metal plate having a thickness of 1 μm or more has a problem in that product quality is deteriorated due to an increase in the coefficient of thermal expansion.

한편, 금속판에 관통홀을 형성하는 방법으로는 레이저 가공 방식 및 습식 식각(wet etching) 방식이 있다. 레이저 가공 방식은 레이저 가공장치를 이용하여 일정한 두께, 예컨대 100 내지 200 ㎛의 두께를 가지는 SUS(Steel Use Stainless) 기판상에 구현하고자 하는 솔더 스크린 프린팅(solder screen printing)을 위한 개구부를 순차적으로 정해진 형상에 따라 가공하는 방법이지만, 구현하고자 하는 패턴 크기가 100 ㎛ 이상이 되어야 하는 등 패턴 크기 축소에 제한을 받으며, 가공된 개구부의 벽면 조도가 좋지 않고 장비 의존도가 매우 높은 단점이 있다.On the other hand, methods of forming the through holes in the metal plate include a laser processing method and a wet etching method. In the laser processing method, openings for solder screen printing to be implemented on a SUS (Steel Use Stainless) substrate having a certain thickness, for example, 100 to 200 µm, are sequentially determined using a laser processing device. However, there is a disadvantage in that the pattern size to be implemented must be 100 µm or more, and the pattern size is limited, and the wall roughness of the processed opening is not good and the equipment dependence is very high.

이러한 단점 때문에 습식 식각을 이용한 미세 금속 마스크 제작 방법이 사용되고 있는데, 습식 식각을 이용한 방식은 예컨대 100 내지 200 ㎛ 두께의 SUS 기판상에 DFR(Dry Film Photo-resist)을 패터닝한 후 식각액을 이용하여 구현하고자 하는 개구부의 형상으로 SUS 기판을 식각하는 방식이다. 습식 식각을 이용한 금속 마스크 제작 방법은 레이저 가공 방식에 비해서 장비 의존성이 크지 않고 제작된 개구부의 형상 및 벽면 조도가 우수한 장점이 있으나, 습식 식각 공정의 특성상 정밀도 및 식각 깊이를 제어하기 힘든 단점이 있다.Because of these disadvantages, a method of manufacturing a fine metal mask using wet etching is used, and the method using wet etching is implemented using an etching solution after patterning DFR (Dry Film Photo-resist) on a SUS substrate having a thickness of, for example, 100 to 200 μm. This is a method of etching the SUS substrate in the shape of the desired opening. The method of manufacturing a metal mask using wet etching has the advantage of having less equipment dependence than the laser processing method and has excellent shape and wall roughness of the manufactured opening, but has a disadvantage in that it is difficult to control the precision and the etching depth due to the characteristics of the wet etching process.

이에 본 출원인은 종래의 문제점을 해결하기 위하여 거듭 연구한 결과, 두께가 1 ㎛ 이상임에도 일정한 합금 비율을 가지며, 증착용 마스크로서 적절하게 얇으면서도 일정한 두께를 가질 뿐만 아니라, 미세하며 높은 정밀도로 구현된 관통홀을 가진 미세 금속 마스크를 고안하여 본 발명을 완성하였다.Accordingly, the applicant of the present invention has repeatedly researched to solve the conventional problem, and has a certain alloy ratio even though the thickness is 1 µm or more, and has an appropriate thin and constant thickness as a deposition mask, and is implemented with fine and high precision. The present invention was completed by devising a fine metal mask having a through hole.

한편, 이에 대한 유사 선행문헌으로는 동일 발명자에 의해 출원된 대한민국 공개특허공보 제10-2018-0104964호가 제시되어 있다.On the other hand, as a similar prior document for this, Korean Laid-Open Patent Publication No. 10-2018-0104964 filed by the same inventor is presented.

대한민국 공개특허공보 제10-2018-0104964호 (2018.09.27)Korean Patent Application Publication No. 10-2018-0104964 (2018.09.27)

상기와 같은 문제점을 해결하기 위하여 본 발명은 도금 방식으로 제조됨에도 불구하고 일정한 합금 비율을 가지며, 높은 정밀도를 가져 고해상도를 제공할 수 있는 이종 다층 전주도금과 열처리를 통한 고해상도 저열팽창성 OLED 기반 마이크로 디스플레이용 미세 금속 마스크의 제조방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.In order to solve the above problems, the present invention has a constant alloy ratio, despite being manufactured by a plating method, and has high precision for high resolution, low thermal expansion OLED-based microdisplay through heterogeneous multi-layer electroplating and heat treatment that can provide high resolution. It is an object of the present invention to provide a method of manufacturing a fine metal mask.

상기 목적을 달성하기 위한 본 발명의 일 양태는 a) 기판 상에 포토레지스트층을 형성하는 단계; b) 상기 포토레지스트층 상에 마스크를 장착하고 노광 및 현상하여 패턴화된 포토레지스트층을 형성하는 단계; c) 상기 패턴화된 포토레지스트층 상에 니켈(Ni)을 함유하는 니켈(Ni)함유층과 철(Fe)층을 전주도금을 통해 교대로 적층하여 도금층을 형성하는 단계; d) 상기 패턴화된 포토레지스트층을 제거하는 단계; 및 e) 상기 기판을 제거하여 미세 금속 마스크(FMM)를 제조하는 단계;를 포함하는 미세 금속 마스크의 제조방법에 관한 것이다.One aspect of the present invention for achieving the above object is a) forming a photoresist layer on a substrate; b) mounting a mask on the photoresist layer, exposing and developing it to form a patterned photoresist layer; c) forming a plating layer by alternately laminating a nickel (Ni) containing layer and an iron (Fe) layer containing nickel (Ni) on the patterned photoresist layer through electroplating; d) removing the patterned photoresist layer; And e) manufacturing a fine metal mask (FMM) by removing the substrate.

상기 일 양태에 있어, 상기 c)단계에서 상기 도금층의 두께는 1 내지 30 ㎛일 수 있다. 이때, 상기 도금층에서 니켈(Ni)함유층 : 철(Fe)층의 두께비는 30 : 70 내지 40 : 60일 수 있다.In the above aspect, the thickness of the plating layer in step c) may be 1 to 30 μm. In this case, the thickness ratio of the nickel (Ni)-containing layer: the iron (Fe) layer in the plating layer may be 30:70 to 40:60.

상기 일 양태에 있어, 상기 c)단계에서 상기 니켈(Ni)함유층은 니켈-코발트(Ni-Co)합금층일 수 있으며, 이때 상기 c)단계의 도금층 중 니켈(Ni) : 코발트(Co) : 철(Fe)의 중량비는 30 내지 36 : 3 내지 7 : 57 내지 67일 수 있다.In the above aspect, in the step c), the nickel (Ni)-containing layer may be a nickel-cobalt (Ni-Co) alloy layer, and in this case, in the plating layer of the step c), nickel (Ni): cobalt (Co): iron The weight ratio of (Fe) may be 30 to 36: 3 to 7: 57 to 67.

또한, 상기 c)단계의 니켈-코발트(Ni-Co)합금층은 혼합 도금액 1 ℓ에 대하여 니켈전구체 10 내지 1000 g/ℓ, 코발트전구체 1 내지 100 g/ℓ, pH완충제 1 내지 100 g/ℓ, 광택제 0.1 내지 100 ㎖/ℓ 및 피트방지제 0.1 내지 10 ㎖/ℓ를 포함하는 혼합 도금액으로부터 형성된 것일 수 있다.In addition, the nickel-cobalt (Ni-Co) alloy layer of step c) is 10 to 1000 g/L of nickel precursor, 1 to 100 g/L of cobalt precursor, 1 to 100 g/L of pH buffer per 1 L of mixed plating solution. , It may be formed from a mixed plating solution containing 0.1 to 100 ㎖ / ℓ of a polishing agent and 0.1 to 10 ㎖ / ℓ of an anti-pit agent.

상기 다른 일 양태에 있어, 상기 c)단계에서 상기 니켈(Ni)함유층은 니켈(Ni)층일 수 있으며, 이때 상기 c)단계의 도금층 중 니켈(Ni) : 철(Fe)의 중량비는 30 내지 40 : 60 내지 70일 수 있다.In another aspect, in the step c), the nickel (Ni)-containing layer may be a nickel (Ni) layer, and in this case, the weight ratio of nickel (Ni): iron (Fe) in the plating layer in step c) is 30 to 40 : It may be 60 to 70.

또한, 상기 c)단계의 니켈(Ni)층은 니켈 도금액 1 ℓ에 대하여 니켈전구체 10 내지 1000 g/ℓ, pH완충제 1 내지 100 g/ℓ, 광택제 0.1 내지 100 ㎖/ℓ 및 피트방지제 0.1 내지 10 ㎖/ℓ를 포함하는 니켈 도금액으로부터 형성된 것일 수 있다.In addition, the nickel (Ni) layer of step c) is a nickel precursor 10 to 1000 g/L, a pH buffer 1 to 100 g/L, a brightener 0.1 to 100 mL/L, and a pit inhibitor 0.1 to 10 per 1 liter of the nickel plating solution. It may be formed from a nickel plating solution containing ml/L.

상기 일 양태에 있어, 상기 c)단계의 철(Fe)층은 철 도금액 1 ℓ에 대하여 철전구체 10 내지 1000 g/ℓ, pH완충제 1 내지 100 g/ℓ, 광택제 0.1 내지 100 ㎖/ℓ 및 피트방지제 0.1 내지 10 ㎖/ℓ를 포함하는 철 도금액으로부터 형성된 것일 수 있다.In the above aspect, the iron (Fe) layer of step c) is 10 to 1000 g/L of iron precursor, 1 to 100 g/L of pH buffer, 0.1 to 100 ㎖/L of brightener and pit per 1 L of iron plating solution. It may be formed from an iron plating solution containing 0.1 to 10 ml/ℓ of an inhibitor.

상기 일 양태에 있어, 상기 c)단계에서 상기 전주도금은 0.1 내지 10 ASD의 전류밀도로 수행되는 것일 수 있다.In the above aspect, the electroplating in step c) may be performed at a current density of 0.1 to 10 ASD.

상기 일 양태에 있어, 상기 미세 금속 마스크의 제조방법은 상기 d)단계 후 및 e)단계 전 열처리하는 단계를 더 포함하는 것일 수 있으며, 일 예시로 상기 열처리는 500 내지 1000℃의 온도로 수행되는 것일 수 있다.In the above aspect, the method of manufacturing the fine metal mask may further include a step of heat treatment after step d) and before step e), and as an example, the heat treatment is performed at a temperature of 500 to 1000°C. Can be.

본 발명에 따른 미세 금속 마스크의 제조방법은 포토리소그래피(Photolithography) 공정을 통해 미세 패턴을 먼저 형성한 후 도금층을 형성함으로써 높은 정밀도를 가져 고해상도를 제공할 수 있는 미세 금속 마스크를 제공할 수 있을 뿐만 아니라, 전주도금(electro-forming)을 통해 교대로 적층된 도금층을 형성함으로써 도금층이 일정한 합금 비율을 가지도록 할 수 있다는 장점이 있다.The method of manufacturing a fine metal mask according to the present invention can provide a fine metal mask capable of providing high resolution with high precision by first forming a fine pattern through a photolithography process and then forming a plating layer. , There is an advantage in that the plating layers can have a certain alloy ratio by forming alternately stacked plating layers through electro-forming.

또한, 전주도금을 통해 일정한 합금 비율을 가진 도금층을 제조한 후 이를 열처리함으로써 저열팽창의 인바(invar) 특성을 가진 미세 금속 마스크를 제조할 수 있으며, 이에 따라 미세 금속 마스크를 이용하여 제조되는 제품의 품질 저하를 방지할 수 있다.In addition, by preparing a plating layer having a certain alloy ratio through electroplating and then heat treating it, a fine metal mask having invar characteristics of low thermal expansion can be manufactured. Accordingly, a product manufactured using a fine metal mask can be It can prevent quality degradation.

이하 본 발명에 따른 미세 금속 마스크의 제조방법에 대하여 상세히 설명한다. 이때, 사용되는 기술 용어 및 과학 용어에 있어서 다른 정의가 없다면, 이 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 통상적으로 이해하고 있는 의미를 가지며, 하기의 설명에서 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있는 공지 기능 및 구성에 대한 설명은 생략한다.Hereinafter, a method of manufacturing a fine metal mask according to the present invention will be described in detail. At this time, unless there are other definitions in the technical and scientific terms used, they have the meanings commonly understood by those of ordinary skill in the technical field to which this invention belongs, and unnecessarily obscure the subject matter of the present invention in the following description. Description of possible known functions and configurations will be omitted.

또한, 본 발명의 구성 요소를 설명하는 데 있어서, 제1, 제2, A, B, (a), (b) 등의 용어를 사용할 수 있다. 이러한 용어는 그 구성 요소를 다른 구성 요소와 구별하기 위한 것일 뿐, 그 용어에 의해 해당 구성 요소의 본질이나 차례 또는 순서 등이 한정되지 않는다.In addition, in describing the constituent elements of the present invention, terms such as first, second, A, B, (a) and (b) may be used. These terms are only used to distinguish the component from other components, and the nature, order, or order of the component is not limited by the term.

통상적으로 미세 금속 마스크는 금속판을 얇게 제조한 후, 이 금속판에 관통홀을 형성하는 방법을 통해 제조된다.Typically, a fine metal mask is manufactured by thinly manufacturing a metal plate and then forming a through hole in the metal plate.

그러나, 앞서 발명의 배경이 되는 기술에서 설명한 바와 같이, 상기 통상적인 방법은 금속판을 얇게 제조하거나 높은 정밀도를 가지는 관통홀을 형성함에 있어 어려움이 있다.However, as described above in the background technology of the present invention, the conventional method has difficulty in manufacturing a thin metal plate or forming a through hole with high precision.

구체적으로, 금속판 제조 시, 압연 방식은 20 ㎛ 이하의 매우 얇은 두께로 압연하는 것이 어렵고, 도금 방식은 1 ㎛ 이상의 두께로 도금할 시 도금액의 조성을 지속적으로 유지하는 것이 어려워 일정한 합금 비율을 가지는 금속판의 제조가 힘들다는 단점이 있다.Specifically, when manufacturing a metal plate, it is difficult to roll to a very thin thickness of 20 μm or less in the rolling method, and in the plating method, it is difficult to continuously maintain the composition of the plating solution when plating to a thickness of 1 μm or more. There is a disadvantage that it is difficult to manufacture.

아울러, 금속판 제조 후 레이저 가공이나 습식 식각 가공을 통해 관통홀을 형성할 시 구현하고자 하는 패턴의 축소에 제한을 받아 고해상도를 가진 효시 장치를 개발함에 있어 한계가 있다. 또한, 레이저 가공은 식각된 개구부의 벽면 조도가 좋지 않고 장비 의존도가 매우 높은 단점이, 습식 가공은 금속 식각 공정의 특성상 정밀도 및 식각 깊이를 제어하기 힘든 단점이 있다.In addition, when forming a through hole through laser processing or wet etching after manufacturing a metal plate, there is a limitation in developing a display device having a high resolution because the reduction of the pattern to be implemented is limited. In addition, laser processing has a disadvantage in that the wall surface roughness of the etched opening is not good and equipment dependence is very high, and the wet processing has a disadvantage in that it is difficult to control the precision and the etching depth due to the characteristics of the metal etching process.

이에 본 출원인은 미세 패턴을 먼저 형성한 후 전주도금을 통해 도금층을 형성하는 방식 및 다층적층 방식을 통해, 도금 방식으로 제조됨에도 불구하고 일정한 합금 비율을 가지며, 높은 정밀도를 가져 고해상도를 제공할 수 있는 미세 금속 마스크의 제조방법 및 이로부터 제조된 미세 금속 마스크를 제공하고자 한다.Accordingly, the applicant of the present invention has a certain alloy ratio despite being manufactured in a plating method through a method of forming a plating layer through electroplating after forming a fine pattern first, and then through electroplating and a multi-layered method, and has a high precision and can provide high resolution. A method of manufacturing a fine metal mask and a fine metal mask manufactured therefrom are provided.

상세하게, 본 발명에 따른 미세 금속 마스크의 제조방법은 a) 기판 상에 포토레지스트층을 형성하는 단계; b) 상기 포토레지스트층 상에 마스크를 장착하고 노광 및 현상하여 패턴화된 포토레지스트층을 형성하는 단계; c) 상기 패턴화된 포토레지스트층 상에 니켈(Ni)을 함유하는 니켈(Ni)함유층과 철(Fe)층을 전주도금을 통해 교대로 적층하여 도금층을 형성하는 단계; d) 상기 패턴화된 포토레지스트층을 제거하는 단계; 및 e) 상기 기판을 제거하여 미세 금속 마스크(FMM)를 제조하는 단계;를 포함하는 것일 수 있다.In detail, the method of manufacturing a fine metal mask according to the present invention comprises the steps of: a) forming a photoresist layer on a substrate; b) mounting a mask on the photoresist layer, exposing and developing it to form a patterned photoresist layer; c) forming a plating layer by alternately laminating a nickel (Ni) containing layer and an iron (Fe) layer containing nickel (Ni) on the patterned photoresist layer through electroplating; d) removing the patterned photoresist layer; And e) manufacturing a fine metal mask (FMM) by removing the substrate.

이처럼, 포토리소그래피(Photolithography) 공정을 통해 미세 패턴을 먼저 형성한 후 도금층을 형성함으로써 높은 정밀도를 가져 고해상도를 제공할 수 있는 미세 금속 마스크를 제공할 수 있을 뿐만 아니라, 전주도금(electro-forming)을 통해 교대로 적층된 도금층을 형성함으로써 도금층이 일정한 합금 비율을 가지도록 할 수 있다는 장점이 있다.In this way, by forming a fine pattern first through a photolithography process and then forming a plating layer, a fine metal mask capable of providing high resolution with high precision can be provided, as well as electro-forming. There is an advantage in that the plating layers can have a constant alloy ratio by forming the plating layers alternately stacked through it.

이하, 본 발명에 따른 미세 금속 마스크의 제조방법의 각 단계에 대하여 상세히 설명한다.Hereinafter, each step of the method of manufacturing a fine metal mask according to the present invention will be described in detail.

먼저, a) 기판 상에 포토레지스트층을 형성하는 단계와 b) 상기 포토레지스트층 상에 마스크를 장착하고 노광 및 현상하여 패턴화된 포토레지스트층을 형성하는 단계를 순차적으로 수행할 수 있다. 이처럼 포토리소그래피 공정을 통해 패턴화된 포토레지스트층을 형성함으로써 매우 미세하면서 높은 정밀도를 가지는 미세 패턴을 형성할 수 있다.First, a) forming a photoresist layer on a substrate and b) forming a patterned photoresist layer by mounting a mask on the photoresist layer, exposing, and developing may be sequentially performed. By forming the patterned photoresist layer through the photolithography process as described above, a very fine pattern with high precision can be formed.

구체적으로, a)단계와 b)단계를 통한 포토레지스트층의 형성은 기존 공지된 포토리소그래피 공정을 이용하여 수행될 수 있으며, 그 방법을 특별히 제한하지 아니한다. 다만, 패턴화된 포토레지스트층을 통해 미세 금속 마스크에 관통홀을 형성하는 방식임에 따라, 상기 포토레지스트층의 두께가 도금층의 두께보다 두꺼워야 함은 물론이다.Specifically, the formation of the photoresist layer through steps a) and b) may be performed using a conventionally known photolithography process, and the method is not particularly limited. However, since the through hole is formed in the fine metal mask through the patterned photoresist layer, the thickness of the photoresist layer must be thicker than the thickness of the plating layer.

보다 구체적인 일 예시로, 상기 기판 상에 도포되는 포토레지스트층은 포토레지스트를 도포하여 형성되는 것일 수 있으며, 상기 포토레지스트는 감광성 수지일 수 있다. 감광성 수지는 통상의 포토리소그래피 공정에 사용되는 광에 의해 약품에 대한 내성이 변화되는 고분자 물질이면 무방하다. 포토레지스트는 광에 노출됨으로써 약품에 대하여 가용성이 되는 포지티브형 감광성 수지이거나, 광에 노출됨으로써 약품에 대해서 불용성이 되는 네거티브형 감광성 수지일 수 있다. 즉, 기판 상에 도포되는 포토레지스트는 포지티브 포토레지스트 또는 네거티브 포토레지스트일 수 있다.As a more specific example, the photoresist layer applied on the substrate may be formed by applying a photoresist, and the photoresist may be a photosensitive resin. The photosensitive resin may be a polymer material whose resistance to chemicals is changed by light used in a conventional photolithography process. The photoresist may be a positive photosensitive resin that becomes soluble to a drug by exposure to light, or a negative photosensitive resin that becomes insoluble to a drug by exposure to light. That is, the photoresist applied on the substrate may be a positive photoresist or a negative photoresist.

이때, 상기 기판은 통상적으로 사용되는 것이라면 특별히 한정하지 않고 사용할 수 있으며, 구체적으로 예를 들면 고분자 기판, 금속 기판 또는 유리 기판 등일 수 있다. 보다 구체적인 일 예시로, 고분자 기판은 폴리이미드, 폴리아미드, 폴리아크릴레이트, 폴리카보네이트 또는 폴리에테르케톤케톤 등의 기판일 수 있으며, 금속 기판은 SUS(steel use stainless), 알루미늄, 구리 등의 기판일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.In this case, the substrate may be used without particular limitation as long as it is commonly used, and specifically, may be a polymer substrate, a metal substrate, or a glass substrate. As a more specific example, the polymer substrate may be a substrate such as polyimide, polyamide, polyacrylate, polycarbonate or polyether ketone ketone, and the metal substrate may be a substrate such as SUS (steel use stainless), aluminum, copper, etc. However, it is not limited thereto.

아울러, 본 발명의 일 예에 있어, 상기 b)단계 후 및 c)단계 전, 원활한 전주도금을 위하여 금속 씨드층(seed layer)을 형성하는 단계를 더 포함할 수 있다. 기판이 전도성 물질로 이루어진 경우에는 본 단계가 필요하지 않으나, 절연성 기판일 경우 금속 씨드층을 미리 형성하여야 전주도금을 통해 니켈(Ni)함유층과 철(Fe)층을 형성할 수 있다. 이때 금속 씨드층은 당업계에서 통상적으로 사용되는 방식을 통해 형성될 수 있으며, 비 한정적이며 구체적인 일 예시로 스퍼터링 공정 등의 방식을 통해 티타늄(Ti), 팔라듐(Pd), 크롬(Cr), 구리(Cu) 등의 금속으로 금속 씨드층을 형성할 수 있다.In addition, in an example of the present invention, after the step b) and before the step c), the step of forming a metal seed layer for smooth electroplating may be further included. If the substrate is made of a conductive material, this step is not required. However, in the case of an insulating substrate, a metal seed layer must be formed in advance to form a nickel (Ni)-containing layer and an iron (Fe) layer through electroplating. At this time, the metal seed layer may be formed through a method commonly used in the art, and as a non-limiting example, titanium (Ti), palladium (Pd), chromium (Cr), copper through a method such as a sputtering process. A metal seed layer can be formed from a metal such as (Cu).

다음으로, c) 상기 패턴화된 포토레지스트층 상에 니켈(Ni)을 함유하는 니켈(Ni)함유층과 철(Fe)층을 전주도금을 통해 교대로 적층하여 도금층을 형성하는 단계를 수행할 수 있다.Next, c) forming a plated layer by alternately laminating a nickel (Ni) containing layer and an iron (Fe) layer containing nickel (Ni) on the patterned photoresist layer through electroplating can be performed. have.

상술한 바와 같이 미세하면서 높은 정밀도를 가지는 패턴이 형성된 포토레지스트층을 마스크로 하여 전주도금 공정을 수행함으로써 역시 매우 미세하면서 높은 정밀도를 가지는 관통홀이 형성된 미세 금속 마스크를 제조할 수 있다. 아울러, 전주도금 공정을 통해 도금층을 형성함으로써 균일전착성 및 내식성이 매우 우수하다. 또한, 전주도금 시 교대로 적층된 도금층을 형성함으로써 도금층이 일정한 합금 비율을 가지도록 할 수 있다는 장점이 있으며, 이를 통해 품질이 우수한 미세 금속 마스크를 제조할 수 있다.As described above, by performing the electroplating process using the photoresist layer on which the pattern having fine and high precision is formed as a mask, a fine metal mask having through holes having very fine and high precision can be manufactured. In addition, by forming a plating layer through the electroplating process, uniform electrodeposition and corrosion resistance are very excellent. In addition, there is an advantage in that the plating layers can have a certain alloy ratio by forming alternately stacked plating layers during electroplating, and through this, a fine metal mask having excellent quality can be manufactured.

구체적으로, 상기 니켈(Ni)을 함유하는 니켈(Ni)함유층과 철(Fe)층은 일반적인 전주도금 공정을 통해 형성될 수 있으며, 원하는 두께 및 합금 비율에 따라 그 공정을 달리 조절할 수 있다.Specifically, the nickel (Ni)-containing layer and the iron (Fe) layer containing nickel (Ni) may be formed through a general electroplating process, and the process may be differently adjusted according to a desired thickness and alloy ratio.

상세하게, 니켈(Ni)을 함유하는 니켈(Ni)함유층과 철(Fe)층은 패턴화된 포토레지스트층 상에 교대 적층된 것일 수 있으며, 상기 니켈(Ni)을 함유하는 니켈(Ni)함유층과 철(Fe)층이 순차적으로 다층형태로 적층된 것일 수 있다. 이때, 니켈(Ni)을 함유하는 니켈(Ni)함유층과 철(Fe)층의 각 적층 개수는 도금층의 총 두께 및 각 니켈(Ni)을 함유하는 니켈(Ni)함유층과 철(Fe)층의 두께에 따라 달라질 수 있음은 물론이다.Specifically, the nickel (Ni)-containing layer and the iron (Fe) layer containing nickel (Ni) may be alternately stacked on the patterned photoresist layer, and the nickel (Ni)-containing layer containing nickel (Ni) And iron (Fe) layers may be sequentially stacked in a multi-layered form. At this time, the number of stacks of the nickel (Ni)-containing layer and the iron (Fe) layer containing nickel (Ni) is the total thickness of the plating layer and the nickel (Ni)-containing layer and the iron (Fe) layer. Of course, it may vary depending on the thickness.

아울러, 본 발명의 일 예에 있어 상기 교대 적층시 패턴화된 포토레지스트층 상에 최초 및 최후 적층되는 층은 니켈(Ni)함유층일 수 있다. 이처럼 니켈(Ni)함유층을 처음과 마지막에 도금함으로써 철(Fe)층이 외부로 노출되는 것을 막아 철(Fe)이 공기와 산화 반응하여 녹이 발생하는 것을 방지할 수 있다.In addition, in an example of the present invention, the first and last layers stacked on the patterned photoresist layer during the alternating stacking may be a nickel (Ni)-containing layer. In this way, by plating the nickel (Ni)-containing layer first and last, it is possible to prevent the iron (Fe) layer from being exposed to the outside, thereby preventing the iron (Fe) from oxidizing and reacting with air and rust.

보다 구체적인 일 예시로, 상기 c)단계에서 상기 도금층의 두께는 1 내지 30 ㎛일 수 있으며, 보다 좋게는 1 내지 25 ㎛, 더욱 좋게는 5 내지 20 ㎛, 가장 좋게는 5 내지 15 ㎛일 수 있다. 이와 같은 두께를 가짐으로써 VR(Virtual Reality), AR(Augmented Reality) 등 마이크로 디스펠레이용 OLED 진공증착용 마스크, 또는 OLED(R,G,B) 진공증착용 마스크으로 활용이 가능할 수 있다.As a more specific example, the thickness of the plating layer in step c) may be 1 to 30 µm, more preferably 1 to 25 µm, more preferably 5 to 20 µm, and most preferably 5 to 15 µm. . By having such a thickness, it can be used as an OLED vacuum evaporation mask for micro-dispels such as VR (Virtual Reality) and AR (Augmented Reality), or as an OLED (R, G, B) vacuum evaporation mask.

한편, 본 발명의 일 예에 있어, 상기 도금층은 한 번의 도금에 의해 니켈(Ni)함유층과 철(Fe)층을 형성하지 않고, 니켈(Ni)함유층과 철(Fe)층을 교대로 적층하여 도금층을 형성함에 따라 도금액의 조성을 제어하는 것이 용이하며, 이에 따라 도금층의 두께가 1 ㎛ 이상으로 두꺼워지더라도 초기 도금되는 도금층과 말기 도금되는 도금층의 합금 비율을 일정하게 유지할 수 있다는 장점이 있다. 아울러, 도금층의 합금 비율을 일정하게 제어할 수 있음으로 인하여 후술하는 열처리 공정 시 저열팽창의 인바(invar) 특성을 가진 미세 금속 마스크를 제조할 수 있다는 장점이 있다.Meanwhile, in an example of the present invention, the plating layer does not form a nickel (Ni)-containing layer and an iron (Fe) layer by one plating, but by alternately stacking a nickel (Ni)-containing layer and an iron (Fe) layer. As the plating layer is formed, it is easy to control the composition of the plating solution, and thus, even if the thickness of the plating layer is increased to 1 μm or more, there is an advantage in that the alloy ratio between the plating layer to be plated initially and the plating layer to be plated at the end can be kept constant. In addition, since the alloy ratio of the plating layer can be constantly controlled, there is an advantage in that a fine metal mask having invar characteristics of low thermal expansion can be manufactured during the heat treatment process described later.

구체적인 일 예시로, 본 발명의 일 예에 있어, 상기 도금층에서 니켈(Ni)함유층 : 철(Fe)층의 두께비는 30 : 70 내지 40 : 60일 수 있으며, 보다 좋게는 니켈(Ni)함유층 : 철(Fe)층의 두께비는 31 : 69 내지 38 : 62, 더욱 좋게는 니켈(Ni)함유층 : 철(Fe)층의 두께비는 33 : 67 내지 37 : 63일 수 있다.As a specific example, in an example of the present invention, the thickness ratio of the nickel (Ni)-containing layer: the iron (Fe) layer in the plating layer may be 30:70 to 40:60, and more preferably, the nickel (Ni)-containing layer: The thickness ratio of the iron (Fe) layer may be 31:69 to 38:62, and more preferably, the thickness ratio of the nickel (Ni)-containing layer: the iron (Fe) layer may be 33:67 to 37:63.

보다 바람직한 일 예시로, 상기 도금층에서 니켈(Ni)함유층과 철(Fe)층의 총 두께는 각 금속의 중량 비율에 따라 달리 조절하는 것이 좋으며, 상기 c)단계에서 니켈(Ni)을 함유하는 니켈(Ni)함유층은 니켈(Ni)과 코발트(Co)의 합금으로 도금된 니켈-코발트(Ni-Co)합금층 또는 니켈(Ni)로 도금된 니켈(Ni)층일 수 있다.As a more preferable example, the total thickness of the nickel (Ni)-containing layer and the iron (Fe) layer in the plating layer is preferably adjusted differently according to the weight ratio of each metal, and in step c), nickel containing nickel (Ni) The (Ni)-containing layer may be a nickel-cobalt (Ni-Co) alloy layer plated with an alloy of nickel (Ni) and cobalt (Co) or a nickel (Ni) layer plated with nickel (Ni).

구체적인 일 예시로, 상기 니켈(Ni)함유층이 니켈-코발트(Ni-Co)합금층인 경우, 상기 c)단계의 도금층 중 니켈(Ni) : 코발트(Co) : 철(Fe)의 중량비는 30 내지 36 : 3 내지 7 : 57 내지 67일 수 있으며, 보다 좋게는 니켈(Ni) : 코발트(Co) : 철(Fe)의 중량비는 31 내지 35 : 3 내지 7 : 58 내지 66일 수 있으며, 더욱 좋게는 니켈(Ni) : 코발트(Co) : 철(Fe)의 중량비는 32 내지 34 : 4 내지 6 : 60 내지 64일 수 있다. 이와 같은 범위에서 후술하는 열처리 시 인바 특성을 가진 미세 금속 마스크를 제조할 수 있다.As a specific example, when the nickel (Ni)-containing layer is a nickel-cobalt (Ni-Co) alloy layer, the weight ratio of nickel (Ni): cobalt (Co): iron (Fe) in the plating layer in step c) is 30 To 36: 3 to 7: may be 57 to 67, more preferably nickel (Ni): cobalt (Co): iron (Fe) the weight ratio of 31 to 35: 3 to 7: 58 to 66, and more Preferably, the weight ratio of nickel (Ni): cobalt (Co): iron (Fe) may be 32 to 34: 4 to 6: 60 to 64. In such a range, a fine metal mask having Invar characteristics may be manufactured during heat treatment to be described later.

이때, 상기 c)단계의 니켈-코발트(Ni-Co)합금층은 통상적인 니켈-코발트 혼합 도금액으로부터 형성된 것일 수 있으며, 구체적으로 예를 들면 c)단계의 니켈-코발트(Ni-Co)합금층은 혼합 도금액 1 ℓ에 대하여 니켈전구체 10 내지 1000 g/ℓ, 코발트전구체 1 내지 100 g/ℓ, pH완충제 1 내지 100 g/ℓ, 광택제 0.1 내지 100 ㎖/ℓ 및 피트방지제 0.1 내지 10 ㎖/ℓ를 포함하는 혼합 도금액으로부터 형성된 것일 수 있으며, 보다 좋게는 혼합 도금액 1 ℓ에 대하여 니켈전구체 100 내지 800 g/ℓ, 코발트전구체 5 내지 50 g/ℓ, pH완충제 10 내지 80 g/ℓ, 광택제 0.3 내지 80 ㎖/ℓ 및 피트방지제 0.1 내지 10 ㎖/ℓ를 포함하는 혼합 도금액으로부터 형성된 것일 수 있으며, 더욱 좋게는 혼합 도금액 1 ℓ에 대하여 니켈전구체 300 내지 500 g/ℓ, 코발트전구체 10 내지 30 g/ℓ, pH완충제 20 내지 50 g/ℓ, 광택제 0.5 내지 50 ㎖/ℓ 및 피트방지제 1 내지 5 ㎖/ℓ를 포함하는 혼합 도금액으로부터 형성된 것일 수 있다. 상기 범위에서 니켈-코발트(Ni-Co)합금층이 효과적으로 도금될 수 있다.At this time, the nickel-cobalt (Ni-Co) alloy layer of step c) may be formed from a conventional nickel-cobalt mixed plating solution, and specifically, for example, the nickel-cobalt (Ni-Co) alloy layer of step c) For 1 liter of silver mixed plating solution, 10 to 1000 g/L of nickel precursor, 1 to 100 g/L of cobalt precursor, 1 to 100 g/L of pH buffer, 0.1 to 100 ㎖/L of brightener and 0.1 to 10 ㎖/L of pit inhibitor It may be formed from a mixed plating solution containing, and more preferably 100 to 800 g/L of nickel precursor, 5 to 50 g/L of cobalt precursor, 10 to 80 g/L of pH buffer, 0.3 to brightener per 1 liter of mixed plating solution. It may be formed from a mixed plating solution containing 80 ㎖/L and 0.1 to 10 ㎖/L of a pit inhibitor, and more preferably 300 to 500 g/L of nickel precursor and 10 to 30 g/L of cobalt precursor for 1 liter of mixed plating solution , pH buffering agent 20 to 50 g / ℓ, it may be formed from a mixed plating solution containing 0.5 to 50 ㎖ / ℓ of a polishing agent and 1 to 5 ㎖ / ℓ of a pit inhibitor. In the above range, a nickel-cobalt (Ni-Co) alloy layer can be effectively plated.

다른 구체적인 일 예시로, 상기 니켈(Ni)함유층은 니켈(Ni)층인 경우, 상기 c)단계의 도금층 중 니켈(Ni) : 철(Fe)의 중량비는 30 내지 40 : 60 내지 70일 수 있으며, 보다 좋게는 니켈(Ni) : 철(Fe)의 중량비는 31 내지 39 : 61 내지 69일 수 있으며, 더욱 좋게는 니켈(Ni) : 철(Fe)의 중량비는 33 내지 37 : 63 내지 67일 수 있다. 이와 같은 범위에서 후술하는 열처리 시 인바 특성을 가진 미세 금속 마스크를 제조할 수 있다.As another specific example, when the nickel (Ni)-containing layer is a nickel (Ni) layer, the weight ratio of nickel (Ni): iron (Fe) in the plating layer in step c) may be 30 to 40: 60 to 70, More preferably, the weight ratio of nickel (Ni): iron (Fe) may be 31 to 39: 61 to 69, even more preferably the weight ratio of nickel (Ni): iron (Fe) may be 33 to 37: 63 to 67 have. In such a range, a fine metal mask having Invar characteristics may be manufactured during heat treatment to be described later.

이때, 상기 c)단계의 니켈(Ni)층은 통상적인 니켈 도금액으로부터 형성된 것일 수 있으며, 구체적으로 예를 들면 c)단계의 니켈(Ni)층은 니켈 도금액 1 ℓ에 대하여 니켈전구체 10 내지 1000 g/ℓ, pH완충제 1 내지 100 g/ℓ, 광택제 0.1 내지 100 ㎖/ℓ 및 피트방지제 0.1 내지 10 ㎖/ℓ를 포함하는 니켈 도금액으로부터 형성된 것일 수 있으며, 보다 좋게는 니켈 도금액 1 ℓ에 대하여 니켈전구체 100 내지 800 g/ℓ, pH완충제 10 내지 80 g/ℓ, 광택제 0.3 내지 80 ㎖/ℓ 및 피트방지제 0.1 내지 10 ㎖/ℓ를 포함하는 니켈 도금액으로부터 형성된 것일 수 있으며, 더욱 좋게는 니켈 도금액 1 ℓ에 대하여 니켈전구체 300 내지 500 g/ℓ, pH완충제 20 내지 50 g/ℓ, 광택제 0.5 내지 50 ㎖/ℓ 및 피트방지제 1 내지 5 ㎖/ℓ를 포함하는 니켈 도금액으로부터 형성된 것일 수 있다. 상기 범위에서 니켈(Ni)층이 효과적으로 도금될 수 있다.At this time, the nickel (Ni) layer of step c) may be formed from a conventional nickel plating solution, and specifically, for example, the nickel (Ni) layer of step c) is 10 to 1000 g of a nickel precursor per 1 liter of the nickel plating solution. It may be formed from a nickel plating solution containing /ℓ, a pH buffering agent 1 to 100 g/ℓ, a polishing agent 0.1 to 100 mL/ℓ, and a pit inhibitor 0.1 to 10 mL/ℓ. More preferably, a nickel precursor per 1 liter of the nickel plating solution It may be formed from a nickel plating solution containing 100 to 800 g/ℓ, a pH buffering agent 10 to 80 g/ℓ, a polishing agent 0.3 to 80 ㎖/ℓ, and a pit inhibitor 0.1 to 10 ㎖/ℓ, more preferably 1 ℓ of a nickel plating solution The nickel precursor may be formed from a nickel plating solution containing 300 to 500 g/l of a nickel precursor, 20 to 50 g/l of a pH buffer, 0.5 to 50 ml/l of a brightening agent, and 1 to 5 ml/l of a pit inhibitor. In the above range, a nickel (Ni) layer can be effectively plated.

한편, 본 발명의 일 예에 있어, 상기 니켈전구체는 분자 내에 니켈(Ni)을 함유하는 화합물이면 제한되지 않으며, 구체적으로 니켈전구체는 니켈 무기염(salt) 및 니켈 유기염 등으로부터 선택될 수 있다. 일 예시로 니켈전구체는 니켈 썰파메이트(Ni sulfamate), 황산니켈(NiSO4), 염화니켈(NiCl2), 니켈 브롬화물(Ni　bromide),　니켈 플루오르화붕산염(Ni fluoroborate), 니켈 썰포네이트(Ni sulfonate), 니켈 알킬 썰포네이트(Ni alkyl sulfonate), 및 이들의 수화물 등에서 선택된 어느 하나 또는 둘 이상일 수 있으며, 바람직하게는 니켈 썰파메이트(Ni sulfamate)일 수 있다.Meanwhile, in an example of the present invention, the nickel precursor is not limited as long as it is a compound containing nickel (Ni) in a molecule, and specifically, the nickel precursor may be selected from nickel inorganic salts and nickel organic salts. . For example, the nickel precursor is nickel sulfamate, nickel sulfate (NiSO 4 ), nickel chloride (NiCl 2 ), nickel bromide, nickel fluoroborate, nickel sulfonate (Ni sulfonate), nickel alkyl sulfonate, and hydrates thereof, and may be any one or two or more, preferably nickel sulfamate.

상기 코발트전구체는 분자 내에 코발트(Co)를 함유하는 화합물이면 제한되지 않으며, 구체적으로 코발트전구체는 코발트 무기염(salt) 및 코발트 유기염 등으로부터 선택될 수 있다. 일 예시로 코발트전구체는 코발트 썰파메이트(Co sulfamate), 황산코발트(CoSO4), 염화코발트(CoCl2), 코발트 브롬화물(Co　bromide),　코발트 플루오르화붕산염(Co fluoroborate), 코발트 썰포네이트(Co sulfonate), 코발트 알킬 썰포네이트(Ni alkyl sulfonate), 및 이들의 수화물 등에서 선택된 어느 하나 또는 둘 이상일 수 있으며, 바람직하게는 코발트 썰파메이트(Co sulfamate)일 수 있다.The cobalt precursor is not limited as long as it is a compound containing cobalt (Co) in the molecule, and specifically, the cobalt precursor may be selected from cobalt inorganic salts and cobalt organic salts. For example, the cobalt precursor is cobalt sulfamate, cobalt sulfate (CoSO 4 ), cobalt chloride (CoCl 2 ), cobalt bromide, co fluoroborate, cobalt sulfonate Sulfonate), cobalt alkyl sulfonate (Ni alkyl sulfonate), and may be any one or two or more selected from these hydrates, preferably cobalt sulfamate (Co sulfamate).

상기 pH완충제는 예를 들어 붕산일 수 있으나, 반드시 이에 한정되는 것은 아니다.The pH buffering agent may be, for example, boric acid, but is not limited thereto.

상기 광택제는 통상적으로 사용되는 것이라면 특별히 한정하지 않고 사용할 수 있으며, 구체적인 일 예시로 NSF H-2(상품명), 사카린(saccharin), 1,3,6-나프탈렌 트리소디움설페이트(1,3,6-NTS ; 1,3,6-naphthalene trisodiumsulfate) 및 2,6-나프탈렌 디소디움설페이트(2,6-NDS ; 2,6-naphthalene disodiumsulfate) 등에서 선택되는 어느 하나 또는 둘 이상을 사용할 수 있다.　 The brightener may be used without particular limitation as long as it is commonly used, and specific examples include NSF H-2 (brand name), saccharin, 1,3,6-naphthalene trisodium sulfate (1,3,6- Any one or two or more selected from NTS; 1,3,6-naphthalene trisodiumsulfate) and 2,6-naphthalene disodiumsulfate (2,6-NDS; 2,6-naphthalene disodiumsulfate) may be used.

상기 피트방지제는 도금면에 피트가 생길 경우에 이것을 방지하는 약품으로서 통상적으로 사용되는 것이라면 특별히 한정하지 않고 사용할 수 있으며, 구체적인 일 예시로 폴리에틸렌글리콜, 폴리옥시에틸렌라우일 알콜이나 라우릴 황산나트륨 등의 계면활성제가 사용될 수 있다.The anti-pit agent is a chemical that prevents pits when formed on the plated surface, and can be used without particular limitation, as long as it is commonly used. As a specific example, an interface such as polyethylene glycol, polyoxyethylene lauryl alcohol or sodium lauryl sulfate Active agents can be used.

이 외에도 본 발명의 일 예에 따른 상기 혼합 도금액은 필요에 따라 소디움 라우릴설페이트(SLS ; sodium lauryl sulfate) 등의 습윤제, 2-부틴-1,4-디올(2-butyne-1,4-diol) 및 쿠마린 등에서 선택되는 하나 이상의 보조광택제 등을 더 포함할 수 있다.In addition, the mixed plating solution according to an embodiment of the present invention may be used as a wetting agent such as sodium lauryl sulfate (SLS), 2-butyne-1,4-diol, if necessary. ) And one or more auxiliary brighteners selected from coumarin and the like may be further included.

또한, 본 발명의 일 예에 있어, 상기 c)단계의 철(Fe)층은 통상적인 철 도금액으로부터 형성된 것일 수 있으며, 구체적으로 예를 들면 c)단계의 철(Fe)층은 철 도금액 1 ℓ에 대하여 철전구체 10 내지 1000 g/ℓ, pH완충제 1 내지 100 g/ℓ, 광택제 0.1 내지 100 g/ℓ 및 피트방지제 0.1 내지 10 g/ℓ를 포함하는 철 도금액으로부터 형성된 것일 수 있으며, 보다 좋게는 철 도금액 1 ℓ에 대하여 철전구체 50 내지 700 g/ℓ, pH완충제 10 내지 80 g/ℓ, 광택제 0.3 내지 80 g/ℓ 및 피트방지제 0.1 내지 10 g/ℓ를 포함하는 철 도금액으로부터 형성된 것일 수 있으며, 더욱 좋게는 철 도금액 1 ℓ에 대하여 철전구체 150 내지 400 g/ℓ, pH완충제 20 내지 50 g/ℓ, 광택제 0.5 내지 50 g/ℓ 및 피트방지제 1 내지 5 ㎖/ℓ를 포함하는 철 도금액으로부터 형성된 것일 수 있다. 상기 범위에서 철(Fe)층이 효과적으로 도금될 수 있다.In addition, in an example of the present invention, the iron (Fe) layer of step c) may be formed from a conventional iron plating solution, and specifically, for example, the iron (Fe) layer of step c) is 1 ℓ of iron plating solution. For iron precursor 10 to 1000 g / ℓ, pH buffer 1 to 100 g / ℓ, it may be formed from an iron plating solution containing 0.1 to 100 g / ℓ gloss and anti-pit agent 0.1 to 10 g / ℓ, more preferably It may be formed from an iron plating solution containing 50 to 700 g/L of iron precursor, 10 to 80 g/L of pH buffer, 0.3 to 80 g/L of brightener, and 0.1 to 10 g/L of pit inhibitor per 1 liter of iron plating solution. , More preferably, from an iron plating solution containing 150 to 400 g/L of iron precursor, 20 to 50 g/L of pH buffer, 0.5 to 50 g/L of brightener and 1 to 5 ㎖/L of pit inhibitor per 1 liter of iron plating solution It may be formed. In the above range, the iron (Fe) layer can be effectively plated.

이때, 상기 철전구체는 분자 내에 철(Fe)을 함유하는 화합물이면 제한되지 않으며, 구체적으로 철전구체는 철 무기염(salt) 및 철 유기염 등으로부터 선택될 수 있다. 일 예시로 철전구체는 황산제일철암모늄((NH4)2Fe(SO4)2), 황산제이철암모늄((NH4)Fe(SO4)2), 황산제일철(FeSO4), 황산제이철(Fe2(SO4)3), 염화제일철(FeCl2), 염화제이철(FeCl3), 질산제일철(Fe(NO3)2), 질산제이철(Fe(NO3)3), 및 이들의 수화물 등에서 선택된 어느 하나 또는 둘 이상일 수 있으며, 바람직하게는 황산제일철암모늄((NH4)2Fe(SO4)2)일 수 있다.In this case, the iron precursor is not limited as long as it is a compound containing iron (Fe) in the molecule, and specifically, the iron precursor may be selected from iron inorganic salts and iron organic salts. For example, the iron precursor is ammonium ferrous sulfate ((NH 4 ) 2 Fe(SO 4 ) 2 ), ammonium ferric sulfate ((NH 4 )Fe(SO 4 ) 2 ), ferrous sulfate (FeSO 4 ), ferric sulfate (Fe 2 (SO 4 ) 3 ), ferrous chloride (FeCl 2 ), ferric chloride (FeCl 3 ), ferrous nitrate (Fe(NO 3 ) 2 ), ferric nitrate (Fe(NO 3 ) 3 ), and hydrates thereof It may be any one or two or more, preferably ferrous ammonium sulfate ((NH 4 ) 2 Fe(SO 4 ) 2 ).

상기 pH완충제는 예를 들어 붕산일 수 있으나, 반드시 이에 한정되는 것은 아니다.The pH buffering agent may be, for example, boric acid, but is not limited thereto.

상기 광택제는 통상적으로 사용되는 것이라면 특별히 한정하지 않고 사용할 수 있으며, 구체적인 일 예시로 NSF H-2(상품명), 사카린(saccharin), 1,3,6-나프탈렌 트리소디움설페이트(1,3,6-NTS ; 1,3,6-naphthalene trisodiumsulfate) 및 2,6-나프탈렌 디소디움설페이트(2,6-NDS ; 2,6-naphthalene disodiumsulfate) 등에서 선택되는 어느 하나 또는 둘 이상을 사용할 수 있다.　 The brightener may be used without particular limitation as long as it is commonly used, and specific examples include NSF H-2 (brand name), saccharin, 1,3,6-naphthalene trisodium sulfate (1,3,6- Any one or two or more selected from NTS; 1,3,6-naphthalene trisodiumsulfate) and 2,6-naphthalene disodiumsulfate (2,6-NDS; 2,6-naphthalene disodiumsulfate) may be used.

상기 피트방지제는 도금면에 피트가 생길 경우에 이것을 방지하는 약품으로서 통상적으로 사용되는 것이라면 특별히 한정하지 않고 사용할 수 있으며, 구체적인 일 예시로 폴리에틸렌글리콜, 폴리옥시에틸렌라우일 알콜이나 라우릴 황산나트륨 등의 계면활성제가 사용될 수 있다.The anti-pit agent is a chemical that prevents pits when formed on the plated surface, and can be used without particular limitation, as long as it is commonly used. As a specific example, an interface such as polyethylene glycol, polyoxyethylene lauryl alcohol or sodium lauryl sulfate Active agents can be used.

이 외에도 본 발명의 일 예에 따른 상기 철 도금액은 소디움 라우릴설페이트(SLS ; sodium lauryl sulfate) 등의 습윤제, 2-부틴-1,4-디올(2-butyne-1,4-diol) 및 쿠마린 등에서 선택되는 하나 이상의 보조광택제 등을 더 포함할 수 있다.In addition, the iron plating solution according to an exemplary embodiment of the present invention includes a wetting agent such as sodium lauryl sulfate (SLS), 2-butyne-1,4-diol, and coumarin. It may further include one or more auxiliary brighteners selected from, etc.

본 발명의 일 예에 있어, 상기 c)단계의 전주도금은 통상적인 방식에 의해 수행될 수 있으며, 구체적으로 예를 들면 상기 c)단계에서 상기 전주도금은 0.1 내지 10 ASD(Ampere Per Square Deci-Metre, A/dm2)의 전류밀도로 수행되는 것일 수 있으며, 보다 좋게는 0.3 내지 5 ASD의 전류밀도로 수행되는 것일 수 있으며, 더욱 좋게는 0.5 내지 2 ASD의 전류밀도로 수행되는 것일 수 있다. 이와 같은 범위에서 도금층의 치밀성 및 균일전착성이 증가할 수 있다. 반면, 전류밀도가 0.1 ASD 미만으로 너무 낮을 경우 도금 속도가 너무 느릴 수 있으며, 10 ASD 초과로 너무 빠를 경우 전착 과정이 불규칙하게 일어나 조직의 핀홀(pin hole) 등을 야기해 표면특성이 저하될 수 있다.In an example of the present invention, the electroplating of the step c) may be performed by a conventional method, and specifically, for example, the electroplating of the electroplating of the step c) is 0.1 to 10 ASD (Ampere Per Square Deci- Metre, A/dm 2 ) may be performed with a current density, more preferably, may be performed with a current density of 0.3 to 5 ASD, and more preferably, may be performed with a current density of 0.5 to 2 ASD. . In this range, the density and uniform electrodeposition of the plating layer may increase. On the other hand, if the current density is too low as less than 0.1 ASD, the plating speed may be too slow, and if the current density is too high above 10 ASD, the electrodeposition process may occur irregularly, causing pinholes in the tissue, and the surface characteristics may deteriorate have.

다음으로, d) 상기 패턴화된 포토레지스트층을 제거하는 단계를 수행할 수 있다. 포토레지스트층의 제거 방법은 사용된 포토레지스트의 종류에 따라 달리 수행할 수 있으며, 당업계에서 통상적으로 사용되는 방법에 의해 제거될 수 있다. 구체적인 일 예시로, 상기 패턴화된 포토레지스트층은 50 내지 70℃의 수산화나트륨(NaOH) 또는 수산화칼륨(KOH) 등의 강알카리에 의해 팽윤되어 기판과의 밀착력이 약해져 박리 제거될 수 있다.Next, d) removing the patterned photoresist layer may be performed. The method of removing the photoresist layer may be performed differently depending on the type of photoresist used, and may be removed by a method commonly used in the art. As a specific example, the patterned photoresist layer may be swelled by strong alkali such as sodium hydroxide (NaOH) or potassium hydroxide (KOH) at 50 to 70° C. to weaken adhesion to the substrate, thereby removing peeling.

한편, 본 발명의 일 예에 따른 미세 금속 마스크의 제조방법은 상기 d)단계 후 및 e)단계 전 열처리하는 단계를 더 포함하는 것일 수 있다. 전술한 바와 같이, 전주도금을 통해 일정한 합금 비율을 가진 도금층을 제조한 후 이를 열처리함으로써 저열팽창의 인바(invar) 특성을 가진 미세 금속 마스크를 제조할 수 있으며, 이에 따라 미세 금속 마스크를 이용하여 제조되는 제품의 품질 저하를 방지할 수 있다.Meanwhile, a method of manufacturing a fine metal mask according to an exemplary embodiment of the present invention may further include performing heat treatment after step d) and before step e). As described above, by preparing a plating layer having a certain alloy ratio through electroplating and then heat treating it, a fine metal mask having invar characteristics of low thermal expansion can be manufactured, and accordingly, a fine metal mask can be manufactured. It can prevent the deterioration of the quality of the product being processed.

본 발명의 일 예에 있어, 상기 열처리는 인바 특성을 가진 미세 금속 마스크를 제조할 수 있는 온도라면 특별히 제한하지 않는다. 구체적으로 예를 들면 상기 열처리는 500 내지 1000℃의 온도로 수행되는 것일 수 있으며, 보다 좋게는 600 내지 1000℃, 더욱 좋게는 600 내지 800℃의 온도로 수행되는 것일 수 있다. 이와 같은 범위에서 열 층간 확산을 통해 인바 특성을 가진 미세 금속 마스크가 효과적으로 제조될 수 있다.In an example of the present invention, the heat treatment is not particularly limited as long as it is a temperature at which a fine metal mask having Invar characteristics can be manufactured. Specifically, for example, the heat treatment may be performed at a temperature of 500 to 1000°C, more preferably 600 to 1000°C, and even more preferably 600 to 800°C. In such a range, a fine metal mask having Invar characteristics can be effectively manufactured through thermal interlayer diffusion.

다음으로, e) 상기 기판을 제거하여 미세 금속 마스크(FMM)를 제조하는 단계를 수행할 수 있으며, 당업계에서 통상적으로 사용되는 방법에 의해 제거될 수 있다.Next, e) the step of manufacturing a fine metal mask (FMM) by removing the substrate may be performed, and may be removed by a method commonly used in the art.

이하, 실시예를 통해 본 발명에 따른 미세 금속 마스크의 제조방법에 대하여 더욱 상세히 설명한다. 다만 하기 실시예는 본 발명을 상세히 설명하기 위한 하나의 참조일 뿐 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니며, 여러 형태로 구현될 수 있다.Hereinafter, a method of manufacturing a fine metal mask according to the present invention will be described in more detail through examples. However, the following examples are only one reference for describing the present invention in detail, and the present invention is not limited thereto, and may be implemented in various forms.

또한 달리 정의되지 않은 한, 모든 기술적 용어 및 과학적 용어는 본 발명이 속하는 당업자 중 하나에 의해 일반적으로 이해되는 의미와 동일한 의미를 갖는다. 본원에서 설명에 사용되는 용어는 단지 특정 실시예를 효과적으로 기술하기 위함이고 본 발명을 제한하는 것으로 의도되지 않는다. 또한 명세서에서 특별히 기재하지 않은 첨가물의 단위는 중량%일 수 있다.Further, unless otherwise defined, all technical and scientific terms have the same meaning as commonly understood by one of ordinary skill in the art to which the present invention belongs. The terms used in the description herein are merely to effectively describe specific embodiments and are not intended to limit the invention. In addition, the unit of the additive not specifically described in the specification may be a weight %.

[실시예 1][Example 1]

SUS 기판의 일면에 드라이 필름 포토레지스트(DFR)을 롤온도 120℃, 롤압력 0.3 ㎫ 및 속도 1.0 m/min으로 라미네이팅한 후 포토마스크를 장착하고 노광(355 ㎚ UV) 및 현상(1 중량% Na2CO3 수용액)하여 패턴화된 포토레지스트층을 형성하였다.After laminating a dry film photoresist (DFR) on one side of the SUS substrate at a roll temperature of 120°C, a roll pressure of 0.3 MPa, and a speed of 1.0 m/min, a photomask is mounted and exposure (355 nm UV) and development (1 wt% Na 2 CO 3 aqueous solution) to form a patterned photoresist layer.

다음으로, 패턴화된 포토레지스트층이 형성된 기재를 혼합 도금액에 넣고 1 ASD의 전류밀도로 니켈-코발트(Ni-Co)합금층을 도금하였다.Next, the substrate on which the patterned photoresist layer was formed was placed in a mixed plating solution, and a nickel-cobalt (Ni-Co) alloy layer was plated at a current density of 1 ASD.

이때, 상기 혼합 도금액은 혼합 도금액 1 ℓ에 대하여 설파민산니켈 400 g/ℓ, 설파민산코발트 20 g/ℓ, 붕산 35 g/ℓ, NSF H-2(상품명) 30 ㎖/ℓ 및 피트방지제로 폴리옥시에틸렌라우일 알콜 3 ㎖/ℓ를 잔량의 증류수와 혼합하여 제조하였다.At this time, the mixed plating solution is 400 g/ℓ of nickel sulfamate, 20 g/ℓ of cobalt sulfamate, 35 g/ℓ of boric acid, 30 mL/ℓ of NSF H-2 (brand name), and poly It was prepared by mixing 3 ml/L of oxyethylene lauryl alcohol with the remaining amount of distilled water.

다음으로, 상기 니켈-코발트(Ni-Co)합금층이 도금된 기재를 철 도금액에 넣고 1 ASD의 전류밀도로 철(Fe)층을 도금하였다.Next, the base material plated with the nickel-cobalt (Ni-Co) alloy layer was placed in an iron plating solution, and the iron (Fe) layer was plated at a current density of 1 ASD.

이때, 상기 철 도금액은 철 도금액 1 ℓ에 대하여 황산제일철암모늄 250 g/ℓ, 붕산 40 g/ℓ, NSF H-2(상품명) 30 ㎖/ℓ 및 폴리에틸렌글리콜 10 ㎖/ℓ를 잔량의 증류수와 혼합하여 제조하였다.At this time, the iron plating solution was mixed with 250 g/ℓ of ferrous ammonium sulfate, 40 g/ℓ of boric acid, 30 mL/ℓ of NSF H-2 (brand name), and 10 mL/ℓ of polyethylene glycol with respect to 1 ℓ of the iron plating solution. Was prepared.

이처럼, 니켈-코발트(Ni-Co)합금층 및 철(Fe)층의 전주도금을 수회 반복 수행하여 총 두께 10 ㎛의 도금층을 형성하였으며, 처음과 마지막 전주도금은 니켈-코발트(Ni-Co) 도금으로 수행하였다. 이때 각 니켈-코발트(Ni-Co)합금층 및 철(Fe)층의 중량 비율은 니켈 33 : 코발트 5 : 철 62이 되도록 조절하였다.In this way, electroplating of the nickel-cobalt (Ni-Co) alloy layer and the iron (Fe) layer was repeatedly performed several times to form a plating layer having a total thickness of 10 µm, and the first and last electroplating were nickel-cobalt (Ni-Co). It was done by plating. At this time, the weight ratio of each nickel-cobalt (Ni-Co) alloy layer and iron (Fe) layer was adjusted to be nickel 33: cobalt 5: iron 62.

다음으로, 3 중량%의 NaOH 수용액으로 패턴화된 포토레지스트층을 박리하고, SUS 기판을 박리하여 미세 금속 마스크를 제조하였다.Next, the photoresist layer patterned with 3% by weight of NaOH aqueous solution was removed, and the SUS substrate was removed to prepare a fine metal mask.

[실시예 2] [Example 2]

실시예 1과 동일한 방법으로 미세 금속 마스크를 제조하되, 패턴화된 포토레지스트층을 박리 후 열처리를 수행하였다.A fine metal mask was prepared in the same manner as in Example 1, but after peeling the patterned photoresist layer, heat treatment was performed.

열처리는 500℃의 온도에서 3시간 동안 수행하였다.Heat treatment was performed at a temperature of 500° C. for 3 hours.

이상과 같이 특정된 사항들과 한정된 실시예를 통해 본 발명이 설명되었으나, 이는 본 발명의 보다 전반적인 이해를 돕기 위해서 제공된 것일 뿐, 본 발명은 상기의 실시예에 한정되는 것은 아니며, 본 발명이 속하는 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 이러한 기재로부터 다양한 수정 및 변형이 가능하다. Although the present invention has been described through the above-specified matters and limited embodiments, this is only provided to help a more general understanding of the present invention, and the present invention is not limited to the above embodiments, and the present invention pertains to Those of ordinary skill in the field can make various modifications and variations from these descriptions.

따라서, 본 발명의 사상은 설명된 실시예에 국한되어 정해져서는 아니되며, 후술하는 특허청구범위뿐 아니라 이 특허청구범위와 균등하거나 등가적 변형이 있는 모든 것들은 본 발명 사상의 범주에 속한다고 할 것이다.Therefore, the spirit of the present invention is limited to the described embodiments and should not be defined, and all things that are equivalent or equivalent to the claims as well as the claims to be described later fall within the scope of the spirit of the present invention. .

Claims (13)

a) 기판 상에 포토레지스트층을 형성하는 단계;
b) 상기 포토레지스트층 상에 마스크를 장착하고 노광 및 현상하여 패턴화된 포토레지스트층을 형성하는 단계;
c) 상기 패턴화된 포토레지스트층 상에 니켈(Ni)을 함유하는 니켈(Ni)함유층과 철(Fe)층을 전주도금을 통해 교대로 적층하여 도금층을 형성하는 단계;
d) 상기 패턴화된 포토레지스트층을 제거하는 단계; 및
e) 상기 기판을 제거하여 미세 금속 마스크(FMM)를 제조하는 단계;
를 포함하고,
상기 c)단계에서 상기 니켈(Ni)함유층은 니켈-코발트(Ni-Co)합금층이며,
상기 c)단계의 도금층 중 니켈(Ni) : 코발트(Co) : 철(Fe)의 중량비는 30 내지 36 : 3 내지 7 : 57 내지 67인 미세 금속 마스크의 제조방법.a) forming a photoresist layer on the substrate;
b) mounting a mask on the photoresist layer, exposing and developing it to form a patterned photoresist layer;
c) forming a plating layer by alternately laminating a nickel (Ni) containing layer and an iron (Fe) layer containing nickel (Ni) on the patterned photoresist layer through electroplating;
d) removing the patterned photoresist layer; And
e) manufacturing a fine metal mask (FMM) by removing the substrate;
Including,
In the step c), the nickel (Ni)-containing layer is a nickel-cobalt (Ni-Co) alloy layer,
The weight ratio of nickel (Ni): cobalt (Co): iron (Fe) in the plating layer of step c) is 30 to 36: 3 to 7: 57 to 67. 제 1항에 있어서,
상기 c)단계에서 상기 도금층의 두께는 1 내지 30 ㎛인, 미세 금속 마스크의 제조방법.The method of claim 1,
In the step c), the thickness of the plating layer is 1 to 30 μm, the method of manufacturing a fine metal mask. 제 2항에 있어서,
상기 도금층에서 니켈(Ni)함유층 : 철(Fe)층의 두께비는 30 : 70 내지 40 : 60인, 미세 금속 마스크의 제조방법.The method of claim 2,
The thickness ratio of the nickel (Ni)-containing layer: the iron (Fe) layer in the plating layer is 30:70 to 40:60, a method of manufacturing a fine metal mask. 삭제delete 삭제delete 제 1항에 있어서,
상기 c)단계의 니켈-코발트(Ni-Co)합금층은 혼합 도금액 1 ℓ에 대하여 니켈전구체 10 내지 1000 g/ℓ, 코발트전구체 1 내지 100 g/ℓ, pH완충제 1 내지 100 g/ℓ, 광택제 0.1 내지 100 ㎖/ℓ 및 피트방지제 0.1 내지 10 ㎖/ℓ를 포함하는 혼합 도금액으로부터 형성된 것인, 미세 금속 마스크의 제조방법.The method of claim 1,
The nickel-cobalt (Ni-Co) alloy layer of step c) is 10 to 1000 g/l of nickel precursor, 1 to 100 g/l of cobalt precursor, 1 to 100 g/l of pH buffer, brightener per 1 L of mixed plating solution. A method for producing a fine metal mask, which is formed from a mixed plating solution containing 0.1 to 100 ml/L and 0.1 to 10 ml/L of a pit inhibitor. 제 1항에 있어서,
상기 c)단계에서 상기 니켈(Ni)함유층은 니켈(Ni)층인, 미세 금속 마스크의 제조방법.The method of claim 1,
In the step c), the nickel (Ni)-containing layer is a nickel (Ni) layer, a method of manufacturing a fine metal mask. 제 7항에 있어서,
상기 c)단계의 도금층 중 니켈(Ni) : 철(Fe)의 중량비는 30 내지 40 : 60 내지 70인, 미세 금속 마스크의 제조방법.The method of claim 7,
The weight ratio of nickel (Ni): iron (Fe) in the plating layer of step c) is 30 to 40: 60 to 70, a method of manufacturing a fine metal mask. 제 7항에 있어서,
상기 c)단계의 니켈(Ni)층은 니켈 도금액 1 ℓ에 대하여 니켈전구체 10 내지 1000 g/ℓ, pH완충제 1 내지 100 g/ℓ, 광택제 0.1 내지 100 ㎖/ℓ 및 피트방지제 0.1 내지 10 ㎖/ℓ를 포함하는 니켈 도금액으로부터 형성된 것인, 미세 금속 마스크의 제조방법.The method of claim 7,
The nickel (Ni) layer of step c) is 10 to 1000 g/L of nickel precursor, 1 to 100 g/L of pH buffer, 0.1 to 100 ㎖/L of brightener and 0.1 to 10 ㎖/L of pit inhibitor per 1 L of nickel plating solution. A method of manufacturing a fine metal mask, which is formed from a nickel plating solution containing L. 제 1항에 있어서,
상기 c)단계의 철(Fe)층은 철 도금액 1 ℓ에 대하여 철전구체 10 내지 1000 g/ℓ, pH완충제 1 내지 100 g/ℓ, 광택제 0.1 내지 100 ㎖/ℓ 및 피트방지제 0.1 내지 10 ㎖/ℓ를 포함하는 철 도금액으로부터 형성된 것인, 미세 금속 마스크의 제조방법.The method of claim 1,
The iron (Fe) layer of step c) is 10 to 1000 g/L of iron precursor, 1 to 100 g/L of pH buffer, 0.1 to 100 ㎖/L of brightener and 0.1 to 10 ㎖/L of pit inhibitor per 1 liter of iron plating solution. A method of manufacturing a fine metal mask, which is formed from an iron plating solution containing ℓ. 제 1항에 있어서,
상기 c)단계에서 상기 전주도금은 0.1 내지 10 ASD의 전류밀도로 수행되는 것인, 미세 금속 마스크의 제조방법.The method of claim 1,
In the step c), the electroplating is performed at a current density of 0.1 to 10 ASD. 제 1항에 있어서,
상기 미세 금속 마스크의 제조방법은 상기 d)단계 후 및 e)단계 전 열처리하는 단계를 더 포함하는 것인, 미세 금속 마스크의 제조방법.The method of claim 1,
The method of manufacturing the fine metal mask further comprises performing heat treatment after the d) step and before the e) step. 제 12항에 있어서,
상기 열처리는 500 내지 1000℃의 온도로 수행되는 것인, 미세 금속 마스크의 제조방법.The method of claim 12,
The heat treatment is carried out at a temperature of 500 to 1000 ℃, the method of manufacturing a fine metal mask.
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