KR102142716B1 - 발광소자 - Google Patents

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Abstract

실시 예는, 기판, 상기 기판 상에 제1 전극, 상기 제1 전극 상에 배치되며, 제1 반도체층, 제2 반도체층 및 상기 제1, 2 반도체층 사이에 배치된 활성층을 포함하는 발광구조물 및 상기 제2 반도체층 상에 배치된 제2 전극을 포함하고, 상기 제2 전극은, 상기 제2 반도체층의 일측에 배치된 패드전극 및 상기 패드전극에서 연장되며, 육각형 구조로 이루어진 가지전극을 포함하는 발광소자를 제공한다.

Description

발광소자{Light emitting device}
실시 예는 발광소자에 관한 것이다.
LED(Light Emitting Diode; 발광 다이오드)는 화합물 반도체의 특성을 이용해 전기 신호를 적외선, 가시광선 또는 빛의 형태로 변환시키는 소자로, 가정용 가전제품, 리모콘, 전광판, 표시기, 각종 자동화 기기 등에 사용되고, 점차 LED의 사용 영역이 넓어지고 있는 추세이다.
보통, 소형화된 LED는 PCB(Printed Circuit Board) 기판에 직접 장착하기 위해서 표면실장소자(Surface Mount Device)형으로 만들어지고 있고, 이에 따라 표시소자로 사용되고 있는 LED 램프도 표면실장소자 형으로 개발되고 있다. 이러한 표면실장소자는 기존의 단순한 점등 램프를 대체할 수 있으며, 이것은 다양한 칼라를 내는 점등표시기용, 문자표시기 및 영상표시기 등으로 사용된다.
이와 같이 LED의 사용 영역이 넓어지면서, 생활에 사용되는 전등, 구조 신호용 전등 등에 요구되는 휘도가 높이지는 바, LED의 발광휘도를 증가시키는 것이 중요하다.
실시 예의 목적은, 발광구조물의 발광 면적을 확대하기 위한 전극구조가 개선된 발광소자를 제공함에 있다.
실시 예는, 기판, 상기 기판 상에 제1 전극, 상기 제1 전극 상에 배치되며, 제1 반도체층, 제2 반도체층 및 상기 제1, 2 반도체층 사이에 배치된 활성층을 포함하는 발광구조물 및 상기 제2 반도체층 상에 배치된 제2 전극을 포함하고, 상기 제2 전극은, 상기 제2 반도체층의 일측에 배치된 패드전극 및 상기 패드전극에서 연장되며, 육각형 구조로 이루어진 가지전극을 포함할 수 있다.
실시 예에 따른 발광소자는, 제2 반도체층의 상면이 육각형 형상을 가지도록 육각형 구조로 제2 반도체층의 상면에 배치된 제2 전극을 형성함으로써, 제2 전극의 폭을 축소시킬 수 있으며 제2 반도체층의 상면으로 전원을 균일하게 공급하도록 함으로써, 활성층에서의 발광 면적을 향상시킬 수 있는 이점이 있다.
도 1은 실시 예에 따른 발광소자를 나타낸 사시도이다.
도 2는 도 1에 나타낸 발광소자의 단면을 나타낸 단면사시도이다.
도 3은 도 1에 나타낸 제2 전극을 나타낸 사시도이다.
도 4 내지 도 6은 실시 예에 따른 발광소자에 대한 다양한 실시 예를 나타낸 단면도이다.
도 7은 제1 실시 예에 따른 표시 장치를 나타낸 분해 사시도이다.
도 8은 제2 실시 예에 따른 표시 장치를 나타낸 단면도이다.
도 9는 실시 예에 따른 조명장치를 나타낸 분해 사시도이다.
본 발명의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 수 있으며, 단지 본 실시예들은 본 발명의 개시가 완전하도록 하고, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다. 명세서 전체에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성 요소를 지칭한다.
공간적으로 상대적인 용어인 "아래(below)", "아래(beneath)", "하부(lower)", "위(above)", "상부(upper)" 등은 도면에 도시되어 있는 바와 같이 하나의 소자 또는 구성 요소들과 다른 소자 또는 구성 요소들과의 상관관계를 용이하게 기술하기 위해 사용될 수 있다. 공간적으로 상대적인 용어는 도면에 도시되어 있는 방향에 더하여 사용시 또는 동작 시 소자의 서로 다른 방향을 포함하는 용어로 이해되어야 한다. 예를 들면, 도면에 도시되어 있는 소자를 뒤집을 경우, 다른 소자의 "아래(below)"또는 "아래(beneath)"로 기술된 소자는 다른 소자의 "위(above)"에 놓여질 수 있다. 따라서, 예시적인 용어인 "아래"는 아래와 위의 방향을 모두 포함할 수 있다. 소자는 다른 방향으로도 배향될 수 있고, 이에 따라 공간적으로 상대적인 용어들은 배향에 따라 해석될 수 있다.
본 명세서에서 사용된 용어는 실시예들을 설명하기 위한 것이며 본 발명을 제한하고자 하는 것은 아니다. 본 명세서에서, 단수형은 문구에서 특별히 언급하지 않는 한 복수형도 포함한다. 명세서에서 사용되는 "포함한다(comprises)" 및/또는 "포함하는(comprising)"은 언급된 구성요소, 단계, 동작 및/또는 소자는 하나 이상의 다른 구성요소, 단계, 동작 및/또는 소자의 존재 또는 추가를 배제하지 않는다.
다른 정의가 없다면, 본 명세서에서 사용되는 모든 용어(기술 및 과학적 용어를 포함)는 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 공통적으로 이해될 수 있는 의미로 사용될 수 있을 것이다. 또 일반적으로 사용되는 사전에 정의되어 있는 용어들은 명백하게 특별히 정의되어 있지 않은 한 이상적으로 또는 과도하게 해석되지 않는다.
도면에서 각층의 두께나 크기는 설명의 편의 및 명확성을 위하여 과장되거나 생략되거나 또는 개략적으로 도시되었다. 또한 각 구성요소의 크기와 면적은 실제크기나 면적을 전적으로 반영하는 것은 아니다.
또한, 실시예에서 발광소자의 구조를 설명하는 과정에서 언급하는 각도와 방향은 도면에 기재된 것을 기준으로 한다. 명세서에서 발광소자를 이루는 구조에 대한 설명에서, 각도에 대한 기준점과 위치관계를 명확히 언급하지 않은 경우, 관련 도면을 참조하도록 한다.
도 1은 실시 예에 따른 발광소자를 나타낸 사시도, 도 2는 도 1에 나타낸 발광소자의 단면을 나타낸 단면사시도 및 도 3은 도 1에 나타낸 제2 전극을 나타낸 사시도이다.
도 1 내지 도 3을 참조하면, 발광소자(100)는 기판(110), 기판(110) 상에 배치된 제1 전극(120), 제1 전극(120) 상에 발광구조물(140) 및 발광구조물(140) 상에 제2 전극(150)을 포함할 수 있다.
기판(110)은 열전도성이 우수한 물질을 이용하여 형성하거나, 또는 전도성 물질로 형성할 수 있는데, 금속 물질 또는 전도성 세라믹을 이용하여 형성할 수 있다. 지지기판(110)은 단일층으로 형성될 수 있고, 이중 구조 또는 그 이상의 다중 구조로 형성될 수 있다.
즉, 기판(110)은 금속 재질, 예를 들어 Au, Ni, W, Mo, Cu, Al, Ta, Ag, Pt, Cr중에서 선택된 어느 하나로 형성하거나 둘 이상의 합금으로 형성할 수 있으며, 서로 다른 둘 이상의 물질을 적층하여 형성할 수 있다. 또한 지지기판(110)은 Si, Ge, GaAs, ZnO, SiC, SiGe, GaN, Ga2O3 와 같은 캐리어 웨이퍼로 구현될 수 있다.
이와 같은 기판(110)은 발광소자(100)에서 발생하는 열의 방출을 용이하게 하여 발광소자(100)의 열적 안정성을 향상시킬 수 있다.
기판(110) 상에는 제1 금속층(112)이 형성될 수 있다.
제1 금속층(112)은 기판(110)과 제1 전극(120)의 결합을 위하여 형성될 수 있으며, 예를 들어 금(Au), 주석(Sn), 인듐(In), 은(Ag), 니켈(Ni), 나이오븀(Nb), 알루미늄(Au), 팔라듐(Pd), 및 구리(Cu) 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.
또한, 제1 금속층(112)은 금속의 확산을 방지하는 물질로 형성될 수 있으며, 예를 들어, 백금(Pt), 팔라듐(Pd), 텅스텐(W), 니켈(Ni), 루테늄(Ru), 몰리브덴(Mo), 이리듐(Ir), 로듐(Rh), 탄탈(Ta), 하프늄(Hf), 지르코늄(Zr), 니오브(Nb), 바나듐(V), 철(Fe), 티타늄(Ti) 중 적어도 하나 또는 둘 이상의 합금을 포함할 수 있고, 이에 한정을 두지 않는다.
제1 금속층(112)은 발광 소자(100)의 제조 공정상 발생할 수 있는 깨짐, 또는 박리와 같은 기계적 손상을 최소화할 수 있다.
또한, 제1 금속층(112)은 기판(110)을 구성하는 금속 물질이 발광 구조물(140)으로 확산되는 것을 방지할 수 있다.
제1 금속층(112)은 스퍼터링 증착 방법을 사용하여 형성할 수 있다. 또한, 실시예에 따라 전기 화학적인 금속 증착 방법이나, 유테틱 메탈을 이용한 본딩 방법 등을 사용할 수도 있으며, 복수의 층으로 형성될 수도 있다.
도 2에 나타낸 바와 같이, 제1 금속층(112) 상에는 제1 전극(120)이 형성될 수 있으며, 제1 전극(120)은 제2 금속층(122), 반사층(124) 및 오믹층(126) 중 적어도 한 층을 포함할 수 있다. 예를 들어, 제1 전극(120)은 제2 금속층(122)/반사층(124)/오믹층(126)의 구조이거나, 반사층(124)/오믹층(126)의 적층 구조이거나, 제2 금속층(122)/반사층(124)의 구조일 수 있으나, 이에 대해 한정하지는 않는다. 예컨대, 제1 전극(120)은 제2 금속층(122) 상에 반사층(124) 및 오믹층(126)이 순차로 적층된 형태일 수 있다.
제2 금속층(122)은 배리어 금속(barrier metal), 또는 본딩 금속, 예를 들어, Ti, Au, Sn, Ni, Cr, Ga, In, Bi, Cu, Ag 또는 Ta 중 적어도 하나를 포함할 수 있으며, 이에 한정을 두지 않는다.
반사층(124)은 제2 금속층(122) 및 오믹층(126) 사이에 배치될 수 있으며, 반사특성이 우수한 물질, 예를들어 Ag, Ni, Al, Rh, Pd, Ir, Ru, Mg, Zn, Pt, Au, Hf 및 이들의 선택적인 조합으로 구성된 물질 중에서 형성되거나, 상기 금속 물질과 IZO, IZTO, IAZO, IGZO, IGTO, AZO, ATO 등의 투광성 전도성 물질을 이용하여 단일층 또는 다층으로 형성할 수 있다.
또한, 반사층(124)은 IZO/Ni, AZO/Ag, IZO/Ag/Ni, AZO/Ag/Ni 등으로 적층할 수 있다. 또한 반사층(124)이 발광구조물(140)과 오믹 접촉하는 물질로 형성할 경우, 오믹층(126)은 별도로 형성하지 않을 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.
오믹층(126)은 발광구조물(140)의 하면에 오믹 접촉되며, 층 또는 복수의 패턴으로 형성될 수 있다. 오믹층(126)은 투광성 전극과 금속이 선택적으로 사용될 수 있으며, 예를 들어, ITO(indium tin oxide), IZO(indium zinc oxide), IZTO(indium zinc tin oxide), IAZO(indium aluminum zinc oxide), IGZO(indium gallium zinc oxide), IGTO(indium gallium tin oxide), AZO(aluminum zinc oxide), ATO(antimony tin oxide), GZO(gallium zinc oxide), IrOx, RuOx, RuOx/ITO, Ni, Ag, Ni/IrOx/Au, 및 Ni/IrOx/Au/ITO 중 하나 이상을 이용하여 단층 또는 다층으로 구현할 수 있다. 오믹층(126)은 발광구조물(140)에 포함된 제1 반도체층(142)에 캐리어의 주입을 원활히 하기 위한 것으로, 반드시 형성되어야 하는 것은 아니다.
제1 전극(120) 상에는 발광구조물(140)의 측면 및 상면 일부분을 감싸는 패시베이션층(130)이 형성될 수 있다.
여기서, 패시베이션층(130)은 절연물질로 형성될 수 있으며, 예를 들면 SiO2, SiOx, SiOxNy, Si3N4, Al2O3 로 형성될 수 있으나, 이에 한정을 두지 않는다.
또한, 패시베이션층(130)은 발광구조물(140)의 상면에 배치된 제2 전극(150)의 측면에 접촉되게 배치될 수 있으며, 이에 한정을 두지 않는다.
발광구조물(140)은 제1 반도체층(142), 활성층(144) 및 제2 반도체층(146)을 포함할 수 있으며, 제1, 2 반도체층(142, 146) 사이에 활성층(144)이 배치될 수 있다.
제1 반도체층(142)은 활성층(144)에 정공을 주입하도록 p형 반도체층으로 구현될 수 있다. 제1 반도체층(142)은 예를들어, InxAlyGa1-x-yN (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성식을 갖는 반도체 재료로 구현될 수 있다.
제1 반도체층(142)은 예를 들어 GaN, AlN, AlGaN, InGaN, InN, InAlGaN, AlInN, AlGaAs, GaP, GaAs, GaAsP 및 AlGaInP 등에서 선택될 수 있으며, Mg, Zn, Ca, Sr, Ba 등의 p형 도펀트가 도핑될 수 있다.
제2 반도체층(146)은 활성층(144) 상에 배치되어 활성층(144)으로 전자를 주입하도록 n형 반도체층으로 구현될 수 있다. 제2 반도체층(146)은 InxAlyGa1-x-yN (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성식을 갖는 반도체 재료로 구현될 수 있다.
제2 반도체층(146)은 예를 들어 GaN, AlN, AlGaN, InGaN, InN, InAlGaN, AlInN, AlGaAs, GaP, GaAs, GaAsP 및 AlGaInP 등에서 선택될 수 있으며, Si, Ge, Sn, Se, 및 Te 등의 n형 도펀트가 도핑될 수 있다.
제1, 2 반도체층(142) 사이에 배치된 활성층(144)은 2족-6족 또는 3족-5족 원소의 화합물 반도체 재료를 이용하여 단일 또는 다중 양자 우물 구조, 양자 선(Quantum-Wire) 구조, 또는 양자 점(Quantum Dot) 구조 등으로 형성될 수 있다.
활성층(144)은 양자우물구조로 형성된 경우 예컨데, InxAlyGa1-x-yN ((0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성식을 갖는 우물층과 InaAlbGa1-a-bN (0≤a≤1, 0≤b≤1, 0≤a+b≤1)의 조성식을 갖는 장벽층을 갖는 단일 또는 다중 양자우물구조를 가질 수 있다. 우물층은 장벽층의 밴드 갭보다 작은 밴드 갭을 갖는 물질로 형성될 수 있다.
활성층(144)의 위 또는/및 아래에는 도전성 클래드층(미도시)이 형성될 수 있다. 도전성 클래드층(미도시)은 AlGaN계 반도체로 형성될 수 있으며, 상기 활성층(144)의 밴드 갭보다는 큰 밴드 갭을 가질 수 있다.
한편, 활성층(144)과 제1 반도체층(142) 사이에 삽입층(미도시)이 형성될 수 있으며, 상기 삽입층은 고 전류 인가시 제2 반도체층(146)으로부터 활성층(144)으로 주입되는 전자가 활성층(144)에서 재결합되지 않고 제1 반도체층(142)으로 흐르는 현상을 방지하는 전자 차단층(Electron blocking layer)일 수 있다.
상기 삽입층은 활성층(144)에 포함된 장벽층의 밴드갭보다 큰 밴드갭을 가질 수 있으며, p 형 AlGaN 과 같은 Al 을 포함한 반도체층으로 형성될 수 있으며, 활성층(144)보다 상대적으로 큰 밴드갭을 가짐으로써, 제2 반도체층(146)으로부터 주입된 전자가 활성층(144)에서 재결합되지 않고 제1 반도체층(142)으로 주입되는 현상을 방지할 수 있다. 이에 따라 활성층(144)에서 전자와 정공의 재결합 확률을 높이고 누설전류를 방지할 수 있다.
상술한 제1 반도체층(142), 활성층(144) 및 제2 반도체층(146)은 예를 들어, 유기금속 화학 증착법(MOCVD; Metal Organic Chemical Vapor Deposition), 화학 증착법(CVD; Chemical Vapor Deposition), 플라즈마 화학 증착법(PECVD; Plasma-Enhanced Chemical Vapor Deposition), 분자선 성장법(MBE; Molecular Beam Epitaxy), 수소화물 기상 성장법(HVPE; Hydride Vapor Phase Epitaxy), 스퍼터링(Sputtering) 등의 방법을 이용하여 형성될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.
또한, 제1 반도체층(142) 및 제2 반도체층(146) 내의 도전형 도펀트의 도핑 농도는 균일 또는 불균일하게 형성될 수 있다. 즉, 복수의 반도체층은 다양한 도핑 농도 분포를 갖도록 형성될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.
또한, 제1 반도체층(142)이 n 형 반도체층으로 구현되고, 제2 반도체층(146)이 p형 반도체층으로 구현될 수 있으며, 제2 반도체층(146) 상에는 n형 또는 p형 반도체층을 포함하는 제3 반도체층(미도시)이 형성될 수도 있다. 이에 따라, 발광 소자(100)는 np, pn, npn, pnp 접합 구조 중 적어도 어느 하나를 가질 수 있다.
제2 전극(150)은 도 2에 나타낸 바와 같이 제2 반도체층(146)의 상면에 배치되며, 제2 반도체층(146)의 상면을 통하여 전류를 공급할 수 있다.
제2 전극(150)은 전도성 물질, 예를 들어 In, Co, Si, Ge, Au, Pd, Pt, Ru, Re, Mg, Zn, Hf, Ta, Rh, Ir, W, Ti, Ag, Cr, Mo, Nb, Al, Ni, Cu, 및 WTi 중에서 선택된 금속 또는 합금을 이용하여 단층 또는 다층으로 형성될 수 있다.
제2 전극(150)은 제2 반도체층(146)의 일측에 배치된 패드전극(152) 및 패드전극(152)에서 연장되어 제2 반도체층(146)의 상면이 육각형 형상으로 노출되게 육각형 구조로 이루어진 가지전극(154)을 포함할 수 있다.
실시 예에서, 제2 전극(150)은 제2 반도체층(146)의 상면 중 일측 모서리에 패드전극(152)이 배치되며, 제2 반도체층(146)의 상면에서 상기 일측 모서리를 제외한 부분에 상기 육각형 구조(뼈대)로 이루어진 가지전극(154)이 배치된 것으로 설명하지만, 패드전극(152)은 서도 대칭되는 일측 모서리에 적어도 2이상 배치되거나, 제2 반도체층(146)의 상면 일부에 배치될 수 있으며, 이에 한정을 두지 않는다.
또한, 가지전극(154)는 상기 육각형 구조 이외에도, 원형, 타원형 또는 다각형 형태로 배치될 수 있으며, 이에 한정을 두지 않는다.
도 3에 나타낸 바와 같이, 패드전극(152)은 발광소자 패키지(미도시)에 포함된 리드프레임(미도시)에 배치되는 경우, 상기 리드프레임과 와이어(미도시)를 통해 전기적으로 연결되는 전극이므로, 소정의 면적을 가질 수 있다.
이때, 가지전극(154)은 육각형 구조(뼈대)를 이루며, 제2 반도체층(146)의 상면에 배치되어 패드전극(152)으로 공급되는 전원을 제2 반도체층(146)으로 확산시켜 공급할 수 있다.
즉, 가지전극(154)은 육각형 구조를 가짐으로써, 패드전극(152)으로 공급된 전원을 육각형 구조를 이루는 6개의 변으로 확산시킴으로써, 제2 반도체층(146)으로 전원을 균일하게 공급함으로써 전류 군집 현상을 방지할 수 있다.
여기서, 가지전극(154)의 6개의 변 중 한 변의 폭(d1)은 1 ㎛ 내지 5 ㎛일 수 있다.
즉, 가지전극(154)은 1 ㎛ 보다 얇은 폭(d1)을 가지는 경우, 6개의 변 형성시 6개의 변 중 적어도 하나의 변이 끊어질 수 있으므로 공정 효율이 낮아지게되며, 5 ㎛ 보다 두꺼운 폭(d1)을 가지는 경우 6개의 변에 대한 형성이 용이하지만 제2 반도체층(154)의 상면이 노출되는 영역이 축소되어 결과적으로 발광 면적을 축소됨으로써 발광 효율이 낮아질 수 있다.
가지전극(154)의 6개의 변 중 한 변의 두께(d2)는 한 변의 폭(d1)과 동일하거나 크게 형성할 수 있으며, 이에 한정을 두지 않는다.
즉, 가지전극(154)은 한 변의 두께(d2)가 한 변의 폭(d1) 보다 작은 경우, 6개의 변 형성시 적어도 하나의 변이 끊어질 수 있으며 단면적이 작아짐으로써 저항이 증가되어 결과적으로 패드전극(152)에서 공급되는 전류의 확산이 용이하지 않게되며, 한 변의 두께(d2)가 한 변의 폭(d1) 보다 동일하거나 큰 경우 상술한 바와 같이 단면적이 증가되어 저항이 감소되어 결과적으로 패드전극(152)에서 공급되는 전류의 확산이 용이할 수 있다.
또한, 가지전극(154)은 6개의 변의 길이(d3)가 모두 동일하거나, 적어도 하나의 변의 길이(d3)가 다를 수 있으며, 이에 한정을 두지 않는다.
실시 예에서, 가지전극(154)은 동일한 길이(d3)을 가지는 6개의 변으로 상기 육각형 구조를 이루는 것으로 설명한다.
즉, 가지전극(154)은 한 변의 길이(d3)가 220 ㎛ 내지 230 ㎛일 수 있으며, 육각형 구조의 중심에서 한 변까지의 거리(d4)가 190 ㎛ 내지 200 ㎛ 일 수 있으며, 이에 한정을 두지 않는다.
여기서, 가지전극(154)은 한 변의 길이(d3)가 220 ㎛ 미만 및 거리(d4)가 190 ㎛ 미만인 경우 가지전극(154)에 의해 노출되는 제2 반도체층(146)의 육각형 형상의 상면 면적이 감소되어 발광 효율이 낮아질 수 있으며, 한 변이 길이(d3)가 230 ㎛ 보다 크고 거리(d4)가 200 ㎛ 보다 큰 경우, 가지전극(154)에 의해 노출되는 제2 반도체층(146)의 육각형 형상의 상면 면적이 증가되어 발광 효율이 증가될 수 있으나 패드전극(152)에서 공급되는 전류의 확산이 낮아짐으로써 전류가 전극패드(152)에 인접한 제2 반도체층(146)에 집중될 우려가 있다.
상술한 바와 같이, 가지전극(154)은 육각형 구조로 형성함으로써, 제2 반도체층(146)의 상면에 균일하게 전류를 공급하도록 함으로써, 전류 집중을 방지할 수 있음으로써 제2 반도체층(146)에서 전하가 균일하게 활성층(144)의 중심 및 중심을 기준으로 양측면에 제공함으로써, 발광소자(100)의 발광 효율을 향상시킬 수 있는 이점이 있다.
도 4 내지 도 6은 실시 예에 따른 발광소자에 대한 다양한 실시 예를 나타낸 단면도이다.
도 4를 참조하면, 발광소자(200)는 기판(210), 기판(210) 상에 제1 금속층(212), 제1 금속층(212) 상에 제1 전극(220), 제1 전극(220) 상에 배치되며 발광구조물(240)의 측면에 배치면 패시베이션층(230), 제1 전극(220) 상에 배치된 발광구조물(240) 및 발광구조물(240) 상에 배치된 제2 전극(250)을 포함할 수 있다.
여기서, 기판(210), 제1 금속층(212), 제1 전극(220) 및 패시베이션층(230)에 대한 설명은 도 1 및 도 2에서 자세히 설명한 바, 설명을 생략하기로 한다.
제1 전극(220)은 제2 금속층(222), 반사층(224) 및 오믹층(226)을 포함할 수 있으며, 도 1 내지 도 3에서 상술한 바 설명을 생략한다.
발광구조물(240)은 제1 반도체층(242), 활성층(244) 및 제2 반도체층(246)을 포함할 수 있으며, 제1 반도체층(242)은 제1 전극(220)과 전기적으로 연결되며, 활성층(244)으로 정공을 제공하는 p형 반도체층일 수 있으며, 제2 반도체층(246)은 활성층(244) 상에 배치되며 제2 전극(250)과 전기적으로 연결되어 활성층(244)으로 전하를 제공하는 n형 반도체층일 수 있다.
여기서, 제1 반도체층(242), 활성층(244) 및 제2 반도체층(246)은 도 1 및 도 2에서 설명한바 자세한 설명을 생략하며, 도 1 및 도 2과 다른 부분에 대하여 설명하기로 한다.
또한, 제1 반도체층(242), 활성층(244) 및 제2 반도체층(246)은 측면이 경사지게 형성될 수 있으며, 이에 한정을 두지 않는다.
제2 전극(250)은 도 1 내지 도 3에서 설명한 바와 같이 전극패드(미도시)와 가지전극(254)를 가질 수 있으며 가지전극(254)은 육각형 구조를 가지는 것으로 설명한다. 이와 달리, 가지전극(254)는 원형, 타원형 또는 다각형 구조를 가질 수 있으며 이에 한정하지 않는다.
즉, 제2 반도체층(246)은 육각형 구조를 가지는 제2 전극(250)이 배치되는 홈(g)이 형성될 수 있으며, 홈(g)은 제2 전극(250)의 하면 및 측면이 제2 반도체층(246)에 접촉되도록 하여, 제2 전극(250)과 제2 반도체층(246) 사이의 접촉 면적을 확대함으로써, 제2 전극(250)으로 공급되는 전류의 확산을 도 1에 나타낸 발광소자(100) 보다 증가시킬 수 있다. 홈(g)의 단면은 사각형으로 도면에 도시되었으나 이에 한정하지 않으며 다각형, 원형 또는 타원형으로 형성할 수 있다.
여기서, 홈(g)의 깊이(b1)은 제2 전극(250)에 포함된 가지전극(254)의 두께(d2) 대비 0.5배 내지 1배일 수 있다.
즉, 홈(g)의 깊이(b1)는 가지전극(254)의 두께(d2) 대비 0.5배 미만인 경우 가지전극(254)의 측면, 홈(g)의 측면을 형성하는 제2 반도체층(246)에 접촉면적이 크지 않아 전류확산의 효과가 미비하며, 가지전극(254)의 두께(d2) 대비 1배 보다 큰 경우 가지전극(254)의 측면과 제2 반도체층(246)에 접촉면적이 가지전극(254)의 두께(d2) 대비 1배인 경우와 비교하여 전류확산의 효과가 크게 향상되지 않으며, 가지전극(254) 배치 시 공정 효율이 낮아질 수 있다.
또한, 홈(g)의 폭(b2)은 가지전극(254)의 폭(d1)과 동일하게 형성될 수 있다.
도 5를 참조하면, 발광소자(300)는 기판(310), 기판(310) 상에 제1 금속층(312), 제1 금속층(312) 상에 제1 전극(320), 제1 전극(320) 상에 발광구조물(340), 발광구조물(340)의 측면에 배치된 패시베이션층(330) 및 발광구조물(340) 상에 배치된 제2 전극(350)을 포함할 수 있다.
여기서, 기판(310), 제1 금속층(312), 제1 전극(320) 및 패시베이션층(330)에 대한 설명은 도 1 및 도 2에서 자세히 설명한 바, 설명을 생략하기로 한다.
발광구조물(340)은 제1 반도체층(342), 활성층(344) 및 제2 반도체층(346)을 포함할 수 있으며, 제1 반도체층(342)은 제1 전극(320)과 전기적으로 연결되며, 활성층(344)으로 정공을 제공하는 p형 반도체층일 수 있으며, 제2 반도체층(346)은 활성층(344) 상에 배치되며 제2 전극(350)과 전기적으로 연결되어 활성층(344)으로 전하를 제공하는 n형 반도체층일 수 있다.
여기서, 제1 반도체층(342), 활성층(344) 및 제2 반도체층(346)은 도 1 및 도 2에서 설명한바 자세한 설명을 생략하며, 도 1 및 도 2과 다른 부분에 대하여 설명하기로 한다.
제2 전극(350)은 도 1 내지 도 3에서 설명한 바와 같이 전극패드(미도시)와 가지전극(354)를 가질 수 있으며 가지전극(354)은 육각형 구조를 가지는 것으로 설명한다. 이와 달리 가지전극(354)는 원형, 타원형 또는 다각형 구조를 가질 수 있으며 이에 한정하지 않는다.
이때, 제2 반도체층(346)의 상면에는 광 추출 구조(p)가 형성되어, 발광 효율을 향상시킬 수 있다.
광 추출 구조(p)는 제2 반도체층(346)의 상면에 형성되는 것으로 나타내었으나, 제2 반도체층(346)의 상에 투광성 전극층(미도시)을 형성하는 경우, 상기 투광성 전극층의 상면 일부 또는 전체에 형성될 수 있다.
광 추출 구조(p)는 규칙적 또는 불규칙적 형상 및 배열을 갖도록 형성될 수 있고, 예를 들어 형상의 측 단면이 원기둥, 다각기둥, 원뿔, 다각뿔, 원뿔대 및 다각뿔대 등 다양한 형상을 가질 수 있으며, 이에 한정을 두지 않는다.
여기서, 제2 전극(350)에 포함된 가지전극(354)은 제2 반도체층(346)의 광 추출 구조(p) 상에 배치될 수 있다.
실시 예에서는 나타내지 않았으나, 도 4에 나타낸 바와 같이 제2 반도체층(346)의 상면에 형성된 광 추출 구조(p)의 하단부에는 제2 전극(350)에 포함된 가지전극(354)가 배치되는 홈(미도시)이 형성될 수 있으며, 이에 한정을 두지 않는다.
도 6을 참조하면, 발광소자(400)은 기판(410), 기판(410) 상에 상에 제1 금속층(412), 제1 금속층(412) 상에 제1 전극(420), 제1 전극(420) 상에 전류차단층(CBL:Curret Blocking Layer, 460), 제1 전극(420) 및 전류차단층(460) 상에 발광구조물(440), 발광구조물(440)의 측면에 배치된 패시베이션층(430) 및 발광구조물(440) 상에 제2 전극(450)을 포함할 수 있다.
여기서, 기판(410), 제1 금속층(412), 제1 전극(420) 및 패시베이션층(430)에 대한 설명은 도 1 및 도 2에서 자세히 설명한 바, 설명을 생략하기로 한다.
발광구조물(440)은 제1 반도체층(442), 활성층(444) 및 제2 반도체층(446)을 포함할 수 있으며, 제1 반도체층(442)은 제1 전극(420)과 전기적으로 연결되며, 활성층(444)으로 정공을 제공하는 p형 반도체층일 수 있으며, 제2 반도체층(446)은 활성층(444) 상에 배치되며 제2 전극(450)과 전기적으로 연결되어 활성층(444)으로 전하를 제공하는 n형 반도체층일 수 있다.
여기서, 제1 반도체층(442), 활성층(444) 및 제2 반도체층(446)은 도 1 및 도 2에서 설명한바 자세한 설명을 생략하며, 도 1 및 도 2과 다른 부분에 대하여 설명하기로 한다.
제2 전극(450)은 도 1 내지 도 3에서 설명한 바와 같이 전극패드(미도시)와 가지전극(454)를 가질 수 있으며 가지전극(454)은 육각형 구조를 가지는 것으로 설명한다. 이와 달리, 가지전극(454)는 원형, 타원형 또는 다각형 구조를 가질 수 있으며 이에 한정하지 않는다.
전류차단층(460)은 제2 전극(450)에 포함된 가지전극(454)과 일부분이 수직적으로 중첩되게 제1 전극(320) 상에 배치될 수 있다.
전류차단층(460)은 전기 절연성을 가지는 재질, 제1 전극(420) 또는 제1 금속층(412)보다 전기 전도성이 낮은 재질 및 제1 반도체층(442)과 쇼트키 접촉을 형성하는 재질 중 적어도 하나를 이용하여 형성될 수 있으며, 예를 들어 SiO2, SiOx, SiOxNy, Si3N4, Al2O3, TiOx, TiO2, Ti, Al, Pt 및 Cr 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.
전류차단층(460)은 가지전극(454)과 수직적으로 중첩되는 제1 전극(420)과 발광구조물(440) 사이에 배치됨으로써, 제1 반도체층(442)으로 공급되는 전류의 군집현상을 방지할 수 있다.
이때, 전류차단층(460)은 가지전극(454)과 동일한 육각형 구조로 형성될 수 있으며, 이에 한정을 두지 않는다.
도 6에 나타낸 바와 같이, 전류차단층(460)은 제2 반도체층(446) 상의 가장자리에 배치된 가지전극(454)과 수직적으로 중첩되는 위치에는 배치되지 않고, 제2 반도체층(446)의 가장자리를 제외한 중심부에 배치된 가지전극(454)과 수직적으로 중첩되게 배치될 수 있으며, 이에 한정을 두지 않는다.
이때, 전류차단층(460)의 폭(b3)은 가지전극(454)의 폭(d1) 대비 1배 내지 2배일 수 있다.
즉, 전류차단층(460)의 폭(b3)는 가지전극(454)의 폭(d1) 대비 1배 미만인 경우 가지전극(454)에 대응하는 제1 반도체층(452)으로 공급되는 전류의 군집 현상이 발생될 우려가 높으며, 가지전극(454)의 폭(d1) 대비 2배 보다 큰 경우 제1 반도체층(452)으로 공급되는 전류의 군집 현상을 방지할 수 있으나 가지전극(454)의 폭(d1) 대비 2배인 경우 전류의 군집 현상을 방지하는 효과가 크지 않음으로써 제조 원가의 상승을 가져올 수 있다.
도 4 내지 도 6에 나타낸 발광소자(200, 300, 400)는 서로 다른 구조를 가지고 있으나, 서로 결합될 수 있으며, 이에 한정을 두지 않는다.
도 7은 제1 실시 예에 따른 표시 장치를 나타낸 분해 사시도이다.
도 7을 참조하면, 실시예에 따른 표시 장치(1000)는 도광판(1041), 도광판(1041)에 빛을 제공하는 광원 모듈(1031), 도광판(1041) 아래에 반사 부재(1022), 도광판(1041) 위에 광학 시트(1051), 광학 시트(1051) 위에 표시 패널(1061) 및 도광판(1041), 광원 모듈(1031) 및 반사 부재(1022)를 수납하는 바텀 커버(1011)를 포함할 수 있으며, 이에 한정되지 않는다.
바텀 커버(1011), 반사시트(1022), 도광판(1041), 광학 시트(1051)는 라이트유닛(1050)으로 정의될 수 있다.
도광판(1041)은 빛을 확산시켜 면광원화 시키는 역할을 한다. 도광판(1041)은 투명한 재질로 이루어지며, 예를 들어, PMMA(polymethylmethacrylate)와 같은 아크릴 수지 계열, PET(polyethylene terephthalate), PC(poly carbonate), COC(cycloolefin copolymer) 및 PEN(polyethylene naphtha late) 수지 중 하나를 포함할 수 있다.
광원 모듈(1031)은 도광판(1041)의 적어도 일 측면에 빛을 제공하며, 궁극적으로는 표시 장치의 광원으로써 작용하게 된다.
광원 모듈(1031)은 적어도 하나를 포함하며, 도광판(1041)의 일 측면에서 직접 또는 간접적으로 광을 제공할 수 있다. 광원 모듈(1031)은 기판(1033)과 상기에 개시된 실시 예에 따른 발광소자 패키지(1035)를 포함하며, 발광소자 패키지(1035)는 기판(1033) 상에 소정 간격으로 어레이될 수 있다.
기판(1033)은 회로패턴(미도시)을 포함하는 인쇄회로기판(PCB, Printed Circuit Board)일 수 있다. 다만, 기판(1033)은 일반 PCB 뿐 아니라, 메탈 코어 PCB(MCPCB, Metal Core PCB), 연성 PCB(FPCB, Flexible PCB) 등을 포함할 수도 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. 발광소자 패키지(1035)는 바텀 커버(1011)의 측면 또는 방열 플레이트 상에 탑재될 경우, 기판(1033)은 제거될 수 있다. 여기서, 상기 방열 플레이트의 일부는 바텀 커버(1011)의 상면에 접촉될 수 있다.
그리고, 복수의 발광소자 패키지(1035)는 기판(1033) 상에 빛이 방출되는 출사면이 도광판(1041)과 소정 거리 이격되도록 탑재될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. 발광소자 패키지(1035)는 도광판(1041)의 일측 면인 입광부에 광을 직접 또는 간접적으로 제공할 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.
도광판(1041) 아래에는 반사 부재(1022)가 배치될 수 있다. 반사 부재(1022)는 도광판(1041)의 하면으로 입사된 빛을 반사시켜 위로 향하게 함으로써, 라이트유닛(1050)의 휘도를 향상시킬 수 있다. 반사 부재(1022)는 예를 들어, PET, PC, PVC 레진 등으로 형성될 수 있으나, 이에 대해 한정하지는 않는다. 반사 부재(1022)는 상기 바텀 커버(1011)의 상면일 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.
바텀 커버(1011)는 도광판(1041), 광원 모듈(1031) 및 반사 부재(1022) 등을 수납할 수 있다. 이를 위해, 바텀 커버(1011)는 상면이 개구된 박스(box) 형상을 갖는 수납부(1012)가 구비될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. 바텀 커버(1011)는 탑 커버와 결합될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.
바텀 커버(1011)는 금속 재질 또는 수지 재질로 형성될 수 있으며, 프레스 성형 또는 압출 성형 등의 공정을 이용하여 제조될 수 있다. 또한 바텀 커버(1011)는 열 전도성이 좋은 금속 또는 비 금속 재료를 포함할 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.
표시 패널(1061)은 예컨대, LCD 패널로서, 서로 대향되는 투명한 재질의 제 1 및 제 2기판, 그리고 제 1 및 제 2기판 사이에 개재된 액정층을 포함한다. 표시 패널(1061)의 적어도 일면에는 편광판이 부착될 수 있으며, 이러한 편광판의 부착 구조로 한정하지는 않는다. 표시 패널(1061)은 광학 시트(1051)를 통과한 광에 의해 정보를 표시하게 된다. 이러한 표시 장치(1000)는 각 종 휴대 단말기, 노트북 컴퓨터의 모니터, 랩탑 컴퓨터의 모니터, 텔레비젼 등에 적용될 수 있다.
광학 시트(1051)는 표시 패널(1061)과 도광판(1041) 사이에 배치되며, 적어도 한 장의 투광성 시트를 포함한다. 광학 시트(1051)는 예컨대 확산 시트, 수평 및 수직 프리즘 시트, 및 휘도 강화 시트 등과 같은 시트 중에서 적어도 하나를 포함할 수 있다. 상기 확산 시트는 입사되는 광을 확산시켜 주고, 상기 수평 또는/및 수직 프리즘 시트는 입사되는 광을 표시 영역으로 집광시켜 주며, 상기 휘도 강화 시트는 손실되는 광을 재사용하여 휘도를 향상시켜 준다. 또한 표시 패널(1061) 위에는 보호 시트가 배치될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.
여기서, 광원 모듈(1031)의 광 경로 상에는 광학 부재로서, 상기 도광판(1041), 및 광학 시트(1051)를 포함할 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.
도 8은 제2 실시 예에 따른 표시 장치를 나타낸 단면도이다.
도 8을 참조하면, 표시 장치(1100)는 바텀 커버(1152), 상기에 개시된 발광 소자(1124)가 어레이된 기판(1120), 광학 부재(1154), 및 표시 패널(1155)을 포함한다.
기판(1120)과 발광소자 패키지(1124)는 광원 모듈(1160)로 정의될 수 있다. 바텀 커버(1152), 적어도 하나의 광원 모듈(1160), 광학 부재(1154)는 라이트유닛(1150)으로 정의될 수 있다. 바텀 커버(1152)에는 수납부(1153)를 구비할 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. 광원 모듈(1160)은 기판(1120) 및 상기 기판(1120) 위에 배열된 복수의 발광 소자(1124)를 포함한다.
여기서, 광학 부재(1154)는 렌즈, 도광판, 확산 시트, 수평 및 수직 프리즘 시트, 및 휘도 강화 시트 등에서 적어도 하나를 포함할 수 있다. 상기 도광판은 PC 재질 또는 PMMA(polymethyl methacrylate) 재질로 이루어질 수 있으며, 이러한 도광판은 제거될 수 있다. 상기 확산 시트는 입사되는 광을 확산시켜 주고, 상기 수평 및 수직 프리즘 시트는 입사되는 광을 표시 영역으로 집광시켜 주며, 상기 휘도 강화 시트는 손실되는 광을 재사용하여 휘도를 향상시켜 준다.
광학 부재(1154)는 상기 광원 모듈(1160) 위에 배치되며, 상기 광원 모듈(1160)로부터 방출된 광을 면 광원하거나, 확산, 집광 등을 수행하게 된다.
도 9는 실시 예에 따른 조명장치를 나타낸 분해 사시도이다.
도 9를 참조하면, 실시 예에 따른 조명 장치는 커버(2100), 광원 모듈(2200), 방열체(2400), 전원 제공부(2600), 내부 케이스(2700), 소켓(2800)을 포함할 수 있다. 또한, 실시 예에 따른 조명 장치는 부재(2300)와 홀더(2500) 중 어느 하나 이상을 더 포함할 수 있다. 광원 모듈(2200)은 실시 예에 따른 발광소자 패키지를 포함할 수 있다.
예컨대, 커버(2100)는 벌브(bulb) 또는 반구의 형상을 가지며, 속이 비어 있고, 일 부분이 개구된 형상으로 제공될 수 있다. 커버(2100)는 광원 모듈(2200)과 광학적으로 결합될 수 있다. 예를 들어, 커버(2100)는 광원 모듈(2200)로부터 제공되는 빛을 확산, 산란 또는 여기 시킬 수 있다. 커버(2100)는 일종의 광학 부재일 수 있다. 커버(2100)는 방열체(2400)와 결합될 수 있다. 커버(2100)는 방열체(2400)와 결합하는 결합부를 가질 수 있다.
커버(2100)의 내면에는 유백색 도료가 코팅될 수 있다. 유백색의 도료는 빛을 확산시키는 확산재를 포함할 수 있다. 커버(2100)의 내면의 표면 거칠기는 상기 커버(2100)의 외면의 표면 거칠기보다 크게 형성될 수 있다. 이는 광원 모듈(2200)로부터의 빛이 충분히 산란 및 확산되어 외부로 방출시키기 위함이다.
커버(2100)의 재질은 유리(glass), 플라스틱, 폴리프로필렌(PP), 폴리에틸렌(PE), 폴리카보네이트(PC) 등일 수 있다. 여기서, 폴리카보네이트는내광성, 내열성, 강도가 뛰어나다. 커버(2100)는 외부에서 광원 모듈(2200)이 보이도록 투명할 수 있고, 불투명할 수 있다. 커버(2100)는 블로우(blow) 성형을 통해 형성될 수 있다.
광원 모듈(2200)은 방열체(2400)의 일 면에 배치될 수 있다. 따라서, 상기 광원 모듈(2200)로부터의 열은 상기 방열체(2400)로 전도된다. 광원 모듈(2200)은 발광소자(2210), 연결 플레이트(2230), 커넥터(2250)를 포함할 수 있다.
부재(2300)는 방열체(2400)의 상면 위에 배치되고, 복수의 발광소자 패키지(2210)들과 커넥터(2250)이 삽입되는 가이드홈(2310)들을 갖는다. 가이드홈(2310)은 발광소자 패키지(2210)의 기판 및 커넥터(2250)와 대응된다.
부재(2300)의 표면은 빛 반사 물질로 도포 또는 코팅된 것일 수 있다. 예를 들면, 부재(2300)의 표면은 백색의 도료로 도포 또는 코팅된 것일 수 있다. 이러한 부재(2300)는 커버(2100)의 내면에 반사되어 광원 모듈(2200)측 방향으로 되돌아오는 빛을 다시 커버(2100) 방향으로 반사한다. 따라서, 실시 예에 따른 조명 장치의 광 효율을 향상시킬 수 있다.
부재(2300)는 예로서 절연 물질로 이루어질 수 있다. 광원 모듈(2200)의 연결 플레이트(2230)는 전기 전도성의 물질을 포함할 수 있다. 따라서, 방열체(2400)와 연결 플레이트(2230) 사이에 전기적인 접촉이 이루어질 수 있다. 부재(2300)는 절연 물질로 구성되어 연결 플레이트(2230)와 방열체(2400)의 전기적 단락을 차단할 수 있다. 방열체(2400)는 광원 모듈(2200)로부터의 열과 전원 제공부(2600)로부터의 열을 전달받아 방열한다.
홀더(2500)는 내부 케이스(2700)의 절연부(2710)의 수납홈(2719)을 막는다. 따라서, 내부 케이스(2700)의 절연부(2710)에 수납되는 전원 제공부(2600)는 밀폐된다. 홀더(2500)는 가이드 돌출부(2510)를 갖는다. 가이드 돌출부(2510)는 전원 제공부(2600)의 돌출부(2610)가 관통하는 홀을 구비할 수 있다.
전원 제공부(2600)는 외부로부터 제공받은 전기적 신호를 처리 또는 변환하여 광원 모듈(2200)로 제공한다. 전원 제공부(2600)는 내부 케이스(2700)의 수납홈(2719)에 수납되고, 홀더(2500)에 의해 내부 케이스(2700)의 내부에 밀폐된다.
전원 제공부(2600)는 돌출부(2610), 가이드부(2630), 베이스(2650), 돌출부(2670)를 포함할 수 있다.
가이드부(2630)는 베이스(2650)의 일 측에서 외부로 돌출된 형상을 갖는다. 가이드부(2630)는 홀더(2500)에 삽입될 수 있다. 베이스(2650)의 일 면 위에 다수의 부품이 배치될 수 있다. 다수의 부품은 예를 들어, 외부 전원으로부터 제공되는 교류 전원을 직류 전원으로 변환하는 직류변환장치, 광원 모듈(2200)의 구동을 제어하는 구동칩, 광원 모듈(2200)을 보호하기 위한 ESD(ElectroStatic discharge) 보호 소자 등을 포함할 수 있으나 이에 대해 한정하지는 않는다.
돌출부(2670)는 베이스(2650)의 다른 일 측에서 외부로 돌출된 형상을 갖는다. 돌출부(2670)는 내부 케이스(2700)의 연결부(2750) 내부에 삽입되고, 외부로부터의 전기적 신호를 제공받는다. 예컨대, 돌출부(2670)는 내부 케이스(2700)의 연결부(2750)의 폭과 같거나 작게 제공될 수 있다. 돌출부(2670)에는 "+ 전선"과 "- 전선"의 각 일 단이 전기적으로 연결되고, "+ 전선"과 "- 전선"의 다른 일 단은 소켓(2800)에 전기적으로 연결될 수 있다.
내부 케이스(2700)는 내부에 상기 전원 제공부(2600)와 함께 몰딩부를 포함할 수 있다. 몰딩부는 몰딩 액체가 굳어진 부분으로서, 전원 제공부(2600)가 내부 케이스(2700) 내부에 고정될 수 있도록 한다.
실시예에 따른 발광소자 패키지는 상기한 바와 같이 설명된 실시예들의 구성과 방법이 한정되게 적용될 수 있는 것이 아니라, 상기 실시예들은 다양한 변형이 이루어질 수 있도록 각 실시예들의 전부 또는 일부가 선택적으로 조합되어 구성될 수도 있다.
사전에 정의된 용어와 같이 일반적으로 사용되는 용어들은 관련 기술의 문맥 상의 의미와 일치하는 것으로 해석되어야 하며, 본 발명에서 명백하게 정의하지 않는 한, 이상적이거나 과도하게 형식적인 의미로 해석되지 않는다.
기술적이거나 과학적인 용어를 포함한 모든 용어들은, 다르게 정의되지 않는 한, 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 일반적으로 이해되는 것과 동일한 의미를 가진다.
이상에서 기재된 "포함하다", "구성하다" 또는 "가지다" 등의 용어는, 특별히 반대되는 기재가 없는 한, 해당 구성 요소가 내재될 수 있음을 의미하는 것이므로, 다른 구성 요소를 제외하는 것이 아니라 다른 구성 요소를 더 포함할 수 있는 것으로 해석되어야 한다.
이상에서는 바람직한 실시예에 대하여 도시하고 설명하였지만, 본 발명은 상술한 특정의 실시예에 한정되지 아니하며, 청구범위에서 청구하는 본 발명의 요지를 벗어남이 없이 당해 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진자에 의해 다양한 변형실시가 가능한 것은 물론이고, 이러한 변형실시들은 본 발명의 기술적 사상이나 전망으로부터 개별적으로 이해되어져서는 안될 것이다.

Claims (7)

  1. 기판;
    상기 기판 상에 제1 전극;
    상기 제1 전극 상에 배치되며, 제1 반도체층, 제2 반도체층 및 상기 제1, 2 반도체층 사이에 배치된 활성층을 포함하는 발광구조물;
    상기 제1 전극 상에 배치되며 상기 발광 구조물의 측면 상에 배치되는 패시베이션층;
    상기 제2 반도체층 상에 배치된 제2 전극; 및
    상기 제1 전극과 상기 제1 반도체층 사이에 배치된 전류차단층;을 포함하고,
    상기 제1 전극은,
    상기 기판 상에 배치되는 제2 금속층;
    상기 제2 금속층 상에 배치되는 반사층; 및
    상기 반사층 상에 배치되는 오믹층을 포함하고,
    상기 제2 전극은,
    상기 제2 반도체층의 일측에 배치된 패드전극; 및
    상기 패드전극에서 연장되며, 육각형 구조로 이루어진 가지전극;을 포함하고,
    상기 가지전극은 상기 제2 반도체층의 상면에 형성된 홈 내에 배치되고,
    상기 가지전극의 6개의 변은 동일한 길이를 가지고,
    상기 가지전극의 두께는 상기 가지전극의 폭과 동일한 크기를 가지고,
    상기 홈의 폭은 상기 가지전극의 폭과 동일하고,
    상기 홈의 깊이는 상기 가지전극의 두께보다 작고,
    상기 가지전극의 상면은 상기 제2 반도체층의 상면보다 상부에 배치되고,
    상기 전류차단층은 상기 가지전극과 동일한 육각형 구조를 가지며, 일부가 상기 가지전극과 수직 방향으로 중첩되는 영역에 배치되고,
    상기 전류차단층의 폭은 상기 가지전극의 폭의 2배 이하의 범위에서 상기 가지전극보다 큰 폭을 가지는 발광소자.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 가지전극의 폭은 1 ㎛ 내지 5 ㎛ 이고,
    상기 가지전극의 변의 길이는 220 ㎛ 내지 230 ㎛ 이고,
    상기 육각형 구조의 중심에서 상기 가지전극의 한 변까지의 거리는 190 ㎛ 내지 200 ㎛ 인 발광소자.
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