KR102140857B1 - 대전방지성 방오층의 형상 분석을 위한 시편 및 그 제작방법 - Google Patents

대전방지성 방오층의 형상 분석을 위한 시편 및 그 제작방법 Download PDF

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Abstract

본 발명은 대전방지성 방오층의 형상을 분석하기 위한 시편 및 그 제작 방법에 관한 것으로서, 고분자 기재상에 형성된 전도성 고분자를 포함하는 대전방지성 방오층상에 Pt를 코팅함으로써, 전도성 고분자에 의한 Pt의 확산(diffusion) 및 방오층의 염색 효과에 의해 고분자 기재층과 대전방지성 방오층과의 명암(contrast) 차이가 발생되게 하였다. 이로 인해 TEM을 이용하여 고분자 기재상에 형성된 대전방지성 방오층의 형상을 보다 명확하게 구분할 수 있다.

Description

대전방지성 방오층의 형상 분석을 위한 시편 및 그 제작방법{A SPECIMEN FOR ANALYZING ANTISTATIC ANTIFOULING LAYER AND A METHOD FOR PREPARING SAME}
본 발명은 대전방지성 방오층의 형상 분석에 사용되는 시편 및 그 제작 방법 관한 것으로서, 특히 TEM을 이용하여 대전방지성 방오층 형상 분석에 유용한 시편 및 그 제장 방법에 관한 것이다.
편광판 보호필름은 LCD 제조 공정에서 편광판 및 백라이트 유닛에 점착시켜 제품 표면을 보호하는 역할을 한다. 상기 편광판 보호필름으로는 일반적으로 PET(polyethylene terephthalate) 필름이 사용되는데, 필름의 오염을 방지하기 위해 수십 ㎚ 두께의 방오층을 코팅하여 사용하기도 한다. 또한, 이러한 보호 필름은 공정상 LCD module 생산 과정의 마지막 단계에서 제거되는데, 필름 박리 시 발생하는 약 1kV에서 5kV의 약한 정전기 때문에 불량이 발생하며, 불량률은 약 20% 정도라고 알려져 있다. 따라서, 정전기에 의한 불량을 방지하고자 폴리우레탄(polyurethane)과 같은 바인더에 PEDOT:PSS [poly(3,4-ethylenedioxythiophene) polystyrene sulfonate]와 같은 전도성 고분자를 혼합하여 제조된 대전방지성 방오층을 PET 필름에 코팅하여 사용하고 있다.
본 발명이 해결하고자 하는 과제는, 고분자 기재상에 형성된 대전방지성 방오층의 형상을 TEM을 이용하여 보다 명확하게 분석할 수 있는 시편 및 이를 제작하는 방법을 제공하는 것이다.
또한, 본 발명은 상기 시편을 사용하여 고분자 기재상에 형성된 대전방지성 방오층의 형상을 분석하는 방법을 제공하고자 한다.
본 발명은 전술한 과제를 해결하기 위해,
고분자 기재; 상기 고분자 기재 상에 형성된, 전도성 고분자를 포함하는 대전방지성 방오층, 및 상기 대전방지성 방오층상에 형성된 Pt 코팅층을 포함하는, 대전방지성 방오층의 형상을 분석하기 위한 시편을 제공한다.
일 실시예에 따르면, 상기 Pt 코팅층 상에 탄소 보호층을 더 포함할 수 있다.
본 발명은 또한,
대전방지성 방오층의 형상을 분석하기 위한 시편 제작 방법으로서,
고분자 기재상에 전도성 고분자를 포함하는 대전방지성 방오층을 형성하는 단계; 및
상기 대전방지성 방오층 상에 직접 Pt 코팅층을 형성하는 단계를 포함하는 방법을 제공한다.
일 실시예에 따르면, 상기 Pt 코팅층 상에 탄소 보호층을 형성하는 단계를 더 포함할 수 있다.
일 실시예에 따르면, 상기 전도성 고분자가 PEDOT:PSS를 포함하는 것일 수 있다.
일 실시예에 따르면, 상기 대전방지성 방오층이 2 내지 20 중량%의 전도성 고분자 및 80 내지 98 중량%의 고분자 수지 바인더를 포함하는 조성물로부터 제조되는 것일 수 있다.
일 실시예에 따르면, 상기 대전방지성 방오층의 두께가 30nm 내지 200nm 일 수 있다.
일 실시예에 따르면, 상기 Pt 코팅층의 두께가 5nm 내지 20nm일 수 있다.
또한, 본 발명의 다른 과제를 해결하기 위해, 전술한 방법으로 제작된 시편에 대해 TEM을 이용하여 대전방지성 방오층의 형상을 분석하는 방법을 제공한다.
본 발명은 고분자 기재상에 형성된 전도성 고분자를 포함하는 대전방지성 방오층상에 Pt를 직접적으로 코팅하여, 전도성 고분자에 의한 Pt의 확산(diffusion) 및 방오층의 염색 효과에 의해 고분자 기재층과 대전방지성 방오층과의 명암(contrast) 차이가 발생되게 함으로써, TEM을 이용하여 고분자 기재상에 형성된 대전방지성 방오층의 형상을 보다 명확하게 구분할 수 있도록 하였다.
도 1은 종래의 방법으로 제작된 PET/방오층을 포함하는 시편의 SEM 이미지이다.
도 2는 본 발명에 따른 방법으로 제작된 PET/폴리우레탄-PEDOT:PSS 방오층을 포함하는 시편의 FETEM(Field Emission Transmission Electron Microscopy)-BF(bright-field) 이미지이다.
도 3은 본 발명에 따른 방법으로 제작된 PET/폴리우레탄-PEDOT:PSS 방오층을 포함하는 시편에서 방오층에 포함된 Pt의 함량을 분석한 EDS(Energy Dispersive Spectrometer) 측정 결과이다.
도 4는 비교예 2에 따라 폴리우레탄으로만 형성된 방오층을 포함하는 시편의 FETEM-BF 이미지이다.
도 5는 본 발명에 따른 방법으로 제작된 PET/폴리우레탄-PEDOT:PSS 방오층을 포함하는 시편에서 방오층 두께 변화에 따른 FETEM-BF 이미지를 나타낸 것이다.
본 발명은 다양한 변환을 가할 수 있고 여러 가지 실시예를 가질 수 있는 바, 특정 실시예들을 도면에 예시하고 상세한 설명에 상세하게 설명하고자 한다. 그러나, 이는 본 발명을 특정한 실시 형태에 대해 한정하려는 것이 아니며, 본 발명의 사상 및 기술 범위에 포함되는 모든 변환, 균등물 내지 대체물을 포함하는 것으로 이해되어야 한다. 본 발명을 설명함에 있어서 관련된 공지 기술에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 흐릴 수 있다고 판단되는 경우 그 상세한 설명을 생략한다.
본 발명은 TEM 을 이용하여 대전방지성 방오층 형상을 TEM을 이용하여 분석하는데 유용한 시편 및 그 제작 방법에 관한 것이다.
여기서, TEM이라 함은 모든 종류의 투과전자현미경(transmission electron microscope)을 포함하며, 예를 들어 일반 TEM(Universial design TEM), STEM (Scanning transmission electron microscope), FE-TEM(Field emission transmission electron microscope) 등을 모두 포함하는 것으로 이해되어야 한다.
전도성 고분자를 포함한 대전 방지 기능을 가진 방오층을 코팅한 편광판 보호필름은 방오층 두께에 따라서 표면 저항이 바뀌는 경향을 나타낼 수 있는데, 이러한 방오층의 두께와 표면 저항 사이의 상관관계를 확인하고자 분석을 위해서는 보호필름 상에 형성된 대전방지성 방오층의 두께가 명확히 측정되어야 한다.
그러나, 일반적으로 방오층의 두께는 약 50㎚로 매우 얇고, 기재와 방오층 모두 탄소화합물이기 때문에 contrast 대비가 작아 전자현미경을 활용한 방오층 관찰이 어렵다는 문제가 있어왔다.
본 발명은, 이러한 종래의 문제를 해결하기 위해,
고분자 기재; 상기 고분자 기재 상에 형성된, 전도성 고분자를 포함하는 대전방지성 방오층; 및 상기 대전방지성 방오층상에 직접 형성된 Pt 코팅층을 포함하는, 대전방지성 방오층의 형상을 분석하기 위한 시편을 제공한다.
바람직한 실시예에 따르면, 상기 Pt 코팅층 상에 탄소 보호층을 더 포함한다.
또한 본 발명은 대전방지성 방오층의 형상을 분석하기 위한 시편 제작 방법으로서,
고분자 기재상에 전도성 고분자를 포함하는 대전방지성 방오층을 형성하는 단계; 및
상기 대전방지성 방오층상에 직접 Pt 코팅층을 형성하는 단계를 포함하는 방법을 제공한다.
본 발명에 따르면 대전방지성 방오층 표면에 직접 Pt를 코팅한 후 TEM(Transmission electron microscope) 이미지를 측정함으로써, 대전방지성 방오층과 기재가 명확히 구별되어 나타나도록 할 수 있다.
본 발명에 있어서, Pt 코팅은 스퍼터링과 같이 당업계 공지된 기술을 사용할 수 있으며, 특별히 제한되지 않는다.
또한, 상기 Pt 코팅층 상에 탄소 보호층을 형성하는 단계를 더 포함할 수 있다. 탄소 보호층은 유성펜과 같은 유기물 잉크 펜을 사용하여 관심 영역에 긋는 것과 같이 당업계 공지된 기술을 사용하여 형성될 수 있으며 특별히 제한되지 않는다.
특히, TEM 분석을 위한 시편의 제작을 위해 FIB(Focused Ion Beam)을 사용하는 경우 Pt 코팅층 상에 탄소 보호층을 형성하는 것이 바람직하다.
일반적으로 고분자 시료의 FIB(Focused Ion Beam)를 이용한 박편을 제작할 경우, Ion beam에 대해 상대적으로 약한 고분자 표면을 보호하기 위해 탄소 보호층(carbon protection)을 형성한 이후 Pt 코팅을 진행하는 방법으로 전처리가 되어 왔다. 그러나, 이러한 종래의 방법에서는 고분자 기재와 방오층이 모두 탄소화합물로 이루어져 contrast 차이가 발생하지 않기 때문에, 고분자 기재 상에 형성된 방오층의 두께 및 형상을 관찰하는데 어려움이 있어 왔다.
본 발명은 고분자 시료의 TEM 박편을 제작하는 방법에 있어서, 탄소 보호층(carbon protection) 형성 이후에 진행되던 Pt 코팅을 방오층상에 직접적으로 수행함으로써, 상기 방오층에 포함된 전도성 고분자에 의해 Pt가 확산 및 염색되는 효과를 얻을 수 있으며, 이러한 효과로 인해 Pt 코팅층, 방오층 및 기재층의 contrast가 발생되어 상기 Pt 코팅층, 방오층 및 기재층의 경계가 명확히 구분됨으로써, 기재 상에 형성된 방오층의 형상 및 두께를 보다 명확히 측정할 수 있다.
상기 대전방지성 방오층은 당업계 공지된 방법으로 형성될 수 있으며 특별히 제한되지 않는다. 예를 들어, 2 내지 20 중량%의 전도성 고분자 및 80 내지 98 중량%의 고분자 수지 바인더를 포함하는 조성물로부터 제조될 수 있으며, 필요에 따라 다양한 첨가제를 추가로 포함할 수 있다. 상기 전도성 고분자의 함량은 방오층 형성용 조성물 총중량을 기준으로 2 내지 20 중량%, 바람직하게는 2 내지 15 중량%, 보다 바람직하게는 2 내지 10 중량%일 수 있다.
일 실시예에 따르면, 상기 전도성 고분자는 폴리티오펜계, 폴리피롤계, 폴리스티렌계 및 폴리아닐린계으로 이루어진 군에서 선택되는 하나 이상일 수 있으며, 바람직하게는 폴리티오펜계, 폴리스티렌계 전도성 고분자 일 수 있다.
일반적으로, 상기 대전방지성 방오층에 사용되는 전도성 고분자로는 폴리에틸렌디옥시티오펜(PEDOT)이 분산되어 있는 수분산액에 폴리스티렌술폰산(PSS)을 도펀트(dopant)로 첨가한 형태의 전도성 고분자인 PEDOT:PSS가 주로 사용될 수 있으며, 대전방지성 방오층에 PEDOT:PSS 적용 후 표면 저항이 낮아지는 것을 확인할 수 있다. 하지만, 이들로 한정되는 것은 아니며 공지의 전도성 고분자를 제한없이 사용할 수 있다.
PEDOT:PSS는 하기 화학식 1에서 나타내었듯이 두 개의 ionomer가 결합된 고분자이다. Sulfonated polystyrene의 sulfonyl 기가 negative charge를, PEDOT의 polythiophene 부분이 positive charge를 가지며, 간단한 doping 만으로 1000 S/㎝ 가량의 높은 전기 전도도를 나타낼 수 있다.
[화학식 1]
Figure 112017121880934-pat00001
또한, 상기 고분자 수지 바인더로는 폴리에스테르계, 폴리우레탄계, 아크릴수지계, 폴리비닐계, 폴리올레핀계로 이루어진 군에서 선택되는 하나 이상의 고분자 수지를 포함하는 것일 수 있으며, 바람직하게는 폴리우레탄계 고분자를 포함하는 것일 수 있다.
상기 보호필름으로 사용되는 고분자 기재는 폴리에스테르, 폴리스티렌, 폴리이미드, 폴리아미드, 폴리술포네이트, 폴리카보네이트, 폴리아크릴레이트, 폴리에틸렌, 폴리프로필렌 등으로 이루어진 군에서 선택되는 하나 이상의 고분자를 포함하는 것일 수 있다.
일 실시예에 따르면, 상기 대전방지성 방오층의 두께는 30nm 내지 200nm, 바람직하게는 30nm 내지 150nm 일 수 있다.
일 실시예에 따르면, 상기 Pt 코팅층의 두께는 5nm 내지 20nm일 수 있으며, 바람직하게는 5nm 내지 15nm, 보다 바람직하게는 5nm 내지 10nm의 두께로 코팅될 수 있다.
본 발명은, 상기 전도성 고분자를 포함하는 대전방지성 방오층에 Pt가 직접적으로 코팅됨에 따라, 상기 Pt 코팅층에 포함된 방오층 내로 확산(diffusion) 되면서 전자현미경 전처리 기법 중 염색과 같은 전처리 효과를 주어 기재와 방오층간의 콘트라스트(contrast) 차이를 유도할 수 있다. 예를 들면, 방오층 내 전도성 고분자인 PEDOT:PSS의 음 전하(negative charge)와 Pt 코팅 시 발생하는 Pt 금속의 양 전하(positive charge)와의 이온성 상호작용(ionic interaction)이 발생하여 Pt가 방오층 내로 확산(diffusion) 되어 기재와의 콘트라스트(contrast) 차이가 발생될 수 있다.
일 실시예에 따르면, 상기 대전방지성 방오층에 포함된 Pt의 함량이 Pt 코팅층과의 거리에 관계없이 방오층 전체의 영역에서 거의 일정한 함량으로 분포될 수 있다. 상기 방오층 내에 Pt 함량을 분석한 결과, tail 형상을 보이는 일반적인 diffusion profile과 달리 방오층의 전체 영역에서 거의 일정한 함량을 유지하다가, 방오층의 끝 영역에서 Pt 함량이 계단 형태로 감소하는 profile을 보였다. 이는 단순히 Pt가 방오층에 diffusion 된 것이 아니라 일종의 반응을 통해 방오층만을 염색시키는 효과를 줄 수 있음을 나타내는 것일 수 있다.
이하, 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 본 발명의 실시예에 대하여 상세히 설명한다. 그러나 본 발명은 여러 가지 상이한 형태로 구현될 수 있으며 여기에서 설명하는 실시예에 한정되지 않는다.
<분석 장비>
- Pt coating system(Hitachi E-1030)
시료 표면을 보호하고 charging 현상을 감소시키고자 하였으며 100초 동안 스퍼터링을 진행하여 코팅 두께는 10㎚로 예상되었다.
- 탄소보호층은 유기물 잉크를 사용하는 유성펜을 활용하여 관찰하고자 하는 관심 영역 위에 그어 도포하여 형성하였다.
- Dual beam focused ion beam(FEI Helios450F1)
100㎚ 두께 이하의 얇은 박편을 제작하기 위해 사용하였다. Ion beam의 current를 9.3nA, 80pA 로 낮추면서 순차적으로 가공하였다.
- TEM(FE-STEM, TITIAN G2 80-200 Chemi-STEM)
방오층 관찰을 위해 사용하였다(가속전압: 80~200㎸, 분해능: point of resolution(240pm), Energy spread: 0.8Ev).
<비교예 1: PET/PEDOT:PSS-PU/ carbon protection /Pt>
PET 기재 상에 PEDOT:PSS 전도성 고분자 3중량% 및 폴리우레탄(PU) 바인더 97중량%를 포함하는 조성물을 이용하여 대전방지성 방오층을 약 50nm 두께를 목표 두께로 형성하였다. 이후 상기 대전방지성 방오층의 표면을 보호하기 위해 carbon protection을 수행한 후 상기 carbon protection층 상에 Pt 코팅층을 10nm의 두께로 형성하여 PET/PEDOT:PSS-PU/carbon protection/Pt 순서로 적층된 적층체를 제조하였다. FIB를 이용하여 TEM 측정을 위한 상기 적층체의 시편을 제작하였다. 상기 제조된 시편의 FETEM STEM BF 이미지를 도 1에 나타내었다.
상기와 같이 전처리된 시편의 경우 방오층이 carbon 계열의 얇은 층이고, PET 및 carbon protection층 또한 carbon 계열의 물질이므로, TEM 이미지 상에서 contrast 차이가 발생하지 않아 방오층의 구분이 어려움을 알 수 있다.
<실시예 1: PET/PEDOT:PSS-PU/Pt/carbon protection>
PET 기재 상에 PEDOT:PSS 전도성 고분자 3중량% 및 폴리우레탄(PU) 바인더 97중량%를 포함하는 조성물을 이용하여 대전방지성 방오층을 약 50nm 두께를 목표 두께로하여 형성하였다. 상기 대전방지성 방오층상에 Pt 코팅층을 10nm의 두께로 형성한 후 carbon protection을 형성하여 PET/PEDOT:PSS-PU/Pt/carbon protection 순서로 적층된 적층체를 제조하였다. FIB를 이용하여 TEM 측정을 위한 상기 적층체의 시편을 제작하였다. 상기 제조된 시편의 FETEM STEM BF 이미지를 도 2에 나타내었다.
도 2의 결과로부터 나타나듯이 탄소화합물에 비해 상대적으로 어둡게 관찰되는 Pt 코팅층 때문에 방오층과 carbon protection층의 경계를 구분할 수 있었다. 또한, Pt 코팅층 아래 Pt 코팅층과 contrast가 상이한 층이 추가적으로 관찰되었으며, 이는 방오층 target 두께와 유사한 약 50㎚로 측정되었다. 이로부터, 상기 방오층은 탄소화합물로만 이루어진 고분자 기재인 PET층과 명확한 contrast를 나타낼 수 있음을 알 수 있다. 또한 TEM 이미지에서 PET 기재와 방오층의 경계가 평탄하게 관찰되었으며, 전반적으로 층의 두께가 일정하게 형성되었음을 명확하게 구분할 수 있었다.
이에, 방오층의 EDS(Energy Dispersive Spectrometer) 성분 분석을 진행하여 방오층 내 Pt 함량을 분석하였다. 상기 분석 결과를 도 3에 나타내었다. 상기 EDS 분석 결과 방오층 내부에서 Pt가 검출되었으며, line scan 결과 도 3과 같이 방오층 내에서 Pt 코팅층과의 거리에 관계없이 일정한 함량의 Pt가 검출됨을 확인할 수 있었다. 상기한 결과로부터 Pt 코팅층의 Pt가 방오층 내로 확산(diffusion) 되었으며, Pt의 확산 때문에 방오층에 상대적으로 어두운 contrast가 부여되어 고분자 기재상에 형성된 방오층을 명확하게 관찰할 수 있음을 알 수 있다.
또한, 본 발명의 한 가지 특이점으로는, 거리에 따라 그 함량이 점차 감소하는 tail 형상을 보이는 일반적인 확산 특성과는 달리 상기 방오층 내부에서 측정된 Pt 함량이 방오층 내부에서 거의 일정하다가, 방오층의 끝 영역에서 Pt 함량이 계단 형태로 감소하는 profile을 보인다는 것인데. 이는 단순히 Pt가 방오층에 단순히 확산 되는 것이 아니라 일종의 반응을 통해 방오층만을 염색시키는 효과를 주었다고 볼 수 있으며, 이는 방오층에 포함된 PEDOT:PSS 와의 반응 때문일 것으로 추측할 수있다.
<비교예 2: PET/PU/Pt/carbon protection>
PET 기재 상에 폴리우레탄(PU) 바인더를 포함하는 조성물을 이용하여 대전방지성 방오층을 약 50nm 두께를 목표 두께로하여 형성하였다. 상기 대전방지성 방오층상에 Pt 코팅층을 10nm의 두께로 형성한 후 carbon protection을 형성하여 PET/PU/Pt/carbon protection 순서로 적층된 적층체를 제조하였다. FIB를 이용하여 TEM 측정을 위한 상기 적층체의 시편을 제작하였다. 상기 제조된 시편의 FETEM STEM BF 이미지를 도 4에 나타내었다.
상기와 같이 PEDOT:PSS 전도성 고분자 없이 폴리우레탄(PU) 만을 동일한 두께로 코팅하여 얻은 시편에서는 도 4에서 나타나듯이 방오층이 관찰되지 않았으며, Pt 코팅층 만이 확인되었다.
따라서, PEDOT:PSS가 Pt 코팅층의 Pt를 방오층으로 diffusion 시켰고 그와 동시에 PEDOT:PSS와의 반응을 유도하여, TEM 이미지에서 방오층을 관찰할 수 있도록 하였음을 확인할 수 있다. 상기 확산반응은 PEDOT:PSS의 negative charge와 Pt(metal)의 positive charge가 ionic interaction에 의한 것을 추측할 수 있다.
<실시예 2: 두께별 방오층 경향 분석>
50㎚와 150㎚ target 두께로 하여 2종의 시편을 제작하였다.
PET 기재 상에 PEDOT:PSS 전도성 고분자 3중량% 및 폴리우레탄(PU) 바인더 97중량%를 포함하는 조성물을 이용하여 대전방지성 방오층을 약 50nm 및 150nm 두께를 목표 두께로하여 형성하였다. 상기 대전방지성 방오층상에 Pt 코팅층을 10nm의 두께로 형성한 후 carbon protection을 형성하여 PET/PEDOT:PSS-PU/Pt/carbon protection 순서로 적층된 적층체를 제조하였다. FIB를 이용하여 TEM 측정을 위한 상기 적층체의 시편을 제작하였다.
상기 제조된 시편의 TEM 이미지를 도 5에 나타내었다. target 50㎚ 두께 시편은 약 25㎚로, target 150㎚ 두께 시편은 약 60㎚로 측정되었다. 측정 두께가 예상 두께 보다 얇게 측정되었는데, 이는 실험실에서 제작한 시편이어서 target 두께 보다 얇게 코팅되었을 것으로 예상할 수 있다. 하지만 두께 차이가 약 3배 정도로 두께 경향이 일치함을 확인하였다.
상기 결과로부터 Pt 코팅이라는 단순한 전처리를 통해 TEM 이미지에서 방오층을 명확히 관찰할 수 있을 뿐만 아니라, 전도성 고분자인 PEDOT:PSS에 의해 Pt 코팅층의 Pt가 방오층으로 diffusion되어 반응했음을 알 수 있었다.
이상으로 본 발명 내용의 특정한 부분을 상세히 기술하였는바, 당업계의 통상의 지식을 가진 자에게 있어서, 이러한 구체적 기술은 단지 바람직한 실시 양태일 뿐이며, 이에 의해 본 발명의 범위가 제한되는 것이 아닌 점은 명백할 것이다. 따라서 본 발명의 실질적인 범위는 첨부된 청구항들과 그것들의 등가물에 의하여 정의된다고 할 것이다.

Claims (9)

  1. 고분자 기재;
    상기 고분자 기재 상에 형성된, 전도성 고분자를 포함하는 대전방지성 방오층; 및
    상기 대전방지성 방오층상에 직접 형성된 Pt 코팅층을 포함하는, 대전방지성 방오층의 형상을 분석하기 위한 시편.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 Pt 코팅층 상에 탄소 보호층을 더 포함하는, 대전방지성 방오층의 형상을 분석하기 위한 시편.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 전도성 고분자가 PEDOT:PSS를 포함하는 것인, 대전방지성 방오층의 형상을 분석하기 위한 시편.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 대전방지성 방오층이 전도성 고분자 2 내지 20 중량% 및 고분자 수지 바인더 80 내지 98%를 포함하는 조성물로부터 제조되는 것인, 대전방지성 방오층의 형상을 분석하기 위한 시편.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 대전방지성 방오층의 두께가 30nm 내지 200nm 인, 대전방지성 방오층의 형상을 분석하기 위한 시편.
  6. 제1항에 있어서,
    상기 Pt 코팅층의 두께가 5nm 내지 20nm인, 대전방지성 방오층의 형상을 분석하기 위한 시편.
  7. 고분자 기재 상에 전도성 고분자를 포함하는 대전방지성 방오층을 형성하는 단계; 및
    상기 대전방지성 방오층 상에 직접 Pt 코팅층을 형성하는 단계를 포함하는 대전방지성 방오층의 형상을 분석하기 위한 시편 제작 방법.
  8. 제7항에 있어서,
    상기 Pt 코팅층 상에 탄소 보호층을 형성하는 단계를 더 포함하는 것인 대전방지성 방오층의 형상을 분석하기 위한 시편 제작 방법.
  9. 제1항 내지 제6항 중 어느 한 항의 시편에 대해 TEM을 이용하여 대전방지성 방오층의 형상을 분석하는 방법.
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