KR102130171B1

KR102130171B1 - 반도체장치 및 반도체시스템

Info

Publication number: KR102130171B1
Application number: KR1020140003811A
Authority: KR
Inventors: 고복림
Original assignee: 에스케이하이닉스 주식회사
Priority date: 2014-01-13
Filing date: 2014-01-13
Publication date: 2020-07-03
Also published as: US20160306381A1; CN104778965B; KR20150084135A; US9696750B2; US9405313B2; US20150198968A1; CN104778965A

Abstract

반도체장치는 외부제어신호에 응답하여 외부커맨드로부터 모드레지스터라이트커맨드, 개시커맨드 및 종료커맨드를 생성하는 커맨드생성부; 상기 모드레지스터라이트커맨드에 응답하여 상기 외부커맨드로부터 정보신호를 추출하여 저장하고, 상기 정보신호를 출력하는 정보신호저장부; 상기 정보신호에 응답하여 종료신호를 생성하는 종료신호생성부; 및 상기 개시커맨드, 상기 종료커맨드 및 상기 종료신호에 응답하여 제어신호의 타이밍을 조절하기 위한 코드를 생성하는 코드생성부를 포함한다.

Description

반도체장치 및 반도체시스템{SEMICONDUCTOR DEVICE AND SEMICONDUCTOR SYSTEM}

본 발명은 반도체장치 및 반도체시스템을 포함하는 집적회로에 관한 것이다.

휴대용 컴퓨터, PDA, 휴대폰 등의 모바일 기기의 경우 휴대성이 높이기 위해 무게를 줄이는 것이 중요하다. 모바일 기기의 무게를 결정하는 중요 부품으로는 동작 전원을 공급하는 배터리가 있는데, 모바일 기기에서 사용되는 반도체장치의 소모전력을 감소시킬수록 배터리의 용량이 감소되므로, 반도체장치의 소모전력을 감소시킴으로써 모바일 기기의 무게를 줄일 수 있다. 모바일 기기의 경우 점차 다양한 서비스를 제공하는 멀티미디어 기기로 발전함에 따라 빠른 동작속도가 요구되고, 이에 따라 모바일 메모리 칩과 같은 반도체장치의 데이터 전송 속도는 모바일 기기의 동작속도를 결정하는 중요한 요소로 작용하고 있다.

최근, 반도체장치는 커맨드 및 어드레스를 다수의 핀들을 통해 커맨드 및 어드레스를 동시에 입력받는다. 이때, 다수의 핀들을 통해 입력받는 신호는 커맨드 및 어드레스에 관한 정보를 모두 포함하고, 커맨드디코더 및 어드레서디코더는 다수의 핀들을 통해 입력되는 신호를 디코딩하여 커맨드 및 어드레스를 추출한다.

동기식 반도체장치의 경우 커맨드 및 어드레스가 클럭에 동기되어 입력된다. DDR(Double Data Rate)방식의 반도체장치는 커맨드 및 어드레스를 클럭의 라이징에지(rising edge)와 폴링에지(falling edge)에 동기시켜 입력받고, SDR(Single Data Rate)방식의 반도체장치는 커맨드 및 어드레스를 클럭의 라이징에지(rising edge)에 동기시켜 입력받는다.

본 발명은 PVT 변동에 대한 정보를 포함하는 코드를 생성하는 반도체장치 및 반도체시스템을 제공한다.

이를 위해 본 발명은 외부제어신호에 응답하여 외부커맨드로부터 모드레지스터라이트커맨드, 개시커맨드 및 종료커맨드를 생성하는 커맨드생성부; 상기 모드레지스터라이트커맨드에 응답하여 상기 외부커맨드로부터 정보신호를 추출하여 저장하고, 상기 정보신호를 출력하는 정보신호저장부; 상기 정보신호에 응답하여 종료신호를 생성하는 종료신호생성부; 및 상기 개시커맨드, 상기 종료커맨드 및 상기 종료신호에 응답하여 제어신호의 타이밍을 조절하기 위한 코드를 생성하는 코드생성부를 포함하는 반도체장치를 제공한다.

또한, 본 발명은 외부제어신호, 외부커맨드를 인가하고, 코드를 입력받아 제어신호의 타이밍을 조절하는 컨트롤러; 및 상기 외부제어신호에 응답하여 상기 외부커맨드로부터 개시커맨드, 종료커맨드 및 정보신호를 생성하고, 상기 정보신호에 응답하여 종료신호를 생성하며, 상기 개시커맨드, 상기 종료커맨드 및 상기 종료신호에 응답하여 상기 코드를 생성하는 반도체장치를 포함하는 반도체시스템을 제공한다.

본 발명에 의하면 PVT 변동에 대한 정보를 포함하는 코드를 생성하고, 코드에 따라 PVT 변동에 따른 제어신호의 타이밍을 용이하게 조절할 수 있는 효과가 있다.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체시스템의 구성을 도시한 블럭도이다.
도 2는 도 1에 도시된 반도체시스템에 포함된 커맨드생성부의 동작을 설명하기 위한 표이다.
도 3은 도 1에 도시된 반도체시스템에 포함된 정보신호저장부에서 출력된 정보신호를 설명하기 위한 표이다.
도 4는 도 1에 도시된 반도체시스템에 포함된 종료신호생성부의 일 실시예에 따른 구성을 도시한 블럭도이다.
도 5는 도 1에 도시된 반도체시스템에 포함된 코드생성부의 일 실시예에 따른 구성을 도시한 블럭도이다.
도 6 및 도 7은 도 1에 도시된 반도체시스템의 동작을 설명하기 위한 타이밍도이다.

이하, 실시예를 통하여 본 발명을 더욱 상세히 설명하기로 한다. 이들 실시예는 단지 본 발명을 예시하기 위한 것이며, 본 발명의 권리 보호 범위가 이들 실시예에 의해 제한되는 것은 아니다.

도 1을 참고하면 본 실시예에 따른 반도체시스템은 컨트롤러(1) 및 반도체장치(2)로 구성된다. 반도체장치(2)는 커맨드생성부(21), 정보신호저장부(22), 종료신호생성부(23), 코드생성부(24), 코드저장부(25) 및 데이터입력부(26)로 구성된다.

컨트롤러(1)는 클럭인에이블신호(CKE) 및 칩선택신호(CS)에 응답하여 커맨드어드레스신호(CA<1:N>)를 반도체장치(2)에 인가한다. 클럭인에이블신호(CKE)는 내부클럭의 생성을 위해 인에이블되는 신호이다. 칩선택신호(CS)는 반도체장치(2)를 포함한 칩(미도시)을 선택하기 위해 인에이블되는 외부제어신호이다. 커맨드어드레스신호(CA<1:N>)는 외부커맨드 및 외부어드레스가 포함되어 동일한 핀(미도시)으로 전달된다. 실시예에 따라서 외부커맨드 및 외부어드레스가 별도의 신호로서 별도의 핀(미도시)을 통해 입력되도록 구현할 수도 있다. 컨트롤러(1)는 반도체장치(2)에서 생성된 코드(CODE<1:K>)를 입력받아 데이터스트로브신호(DQS)의 타이밍을 조절한다. 컨트롤러(1)는 코드(CODE<1:K>)에 따라 PVT 변동을 감지하여 데이터(DQ<1:J>)를 스트로빙하기 위한 제어신호인 데이터스트로브신호(DQS)의 타이밍을 조절한다. 컨트롤러(1)는 데이터(DQ<1:J>) 및 데이터스트로브신호(DQS)를 반도체장치(2)에 인가한다. PVT 변동은 반도체장치(2) 내부의 공정(Process), 전압(Voltage) 및 온도(Temperature) 조건이 변화함을 의미한다.

커맨드생성부(21)는 클럭인에이블신호(CKE) 및 칩선택신호(CS)와 함께 커맨드어드레스신호(CA<1:N>)의 로직레벨에 따라 선택적으로 인에이블되는 모드레지스터라이트커맨드(MRW), 개시커맨드(CMD_START), 종료커맨드(CMD_STOP) 및 모드레지스터리드커맨드(MRR)를 생성한다. 도 2에 도시된 바와 같이, 클럭인에이블신호(CKE)가 로직하이레벨('1')인 상태에서 칩선택신호(CS)가 로직로우레벨에서 로직하이레벨('0'->'1')로 천이하는 시점에서 제1 내지 제5 커맨드어드레스신호(CA<1:5>)가 '00000'의 로직레벨 조합으로 입력되는 경우 커맨드생성부(21)는 개시커맨드(CMD_START) 또는 종료커맨드(CMD_STOP)를 인에이블시키기 위한 설정신호(OP<1:7>)를 입력받는다. 즉, 커맨드생성부(21)는 칩선택신호(CS)가 로직로우레벨에서 로직하이레벨('0'->'1')로 천이하는 시점에서 제6 커맨드어드레스신호(CA<6>)로 설정신호(OP<7>)를 입력받고, 칩선택신호(CS)가 로직하이레벨에서 로직로우레벨('1'->'0')로 천이하는 시점에서 설정신호(OP<1:6>)를 제1 내지 제6 커맨드어드레스신호(CA<1:6>)로 입력받는다. 커맨드생성부(21)는 설정신호(OP<1:7>)의 로직레벨 조합이 '1001011'인 경우 인에이블된 개시커맨드(CMD_START)를 생성하고, 로직레벨 조합이 '1001101'인 경우 인에이블된 종료커맨드(CMD_STOP)를 생성한다. 모드레지스터라이트커맨드(MRW), 개시커맨드(CMD_START), 종료커맨드(CMD_STOP) 및 모드레지스터리드커맨드(MRR)가 인에이블되는 커맨드어드레스신호(CA<1:N>)의 로직레벨 조합은 실시예에 따라 다양하게 설정될 수 있다.

정보신호저장부(22)는 모드레지스터라이트커맨드(MRW)가 인에이블된 상태에서 커맨드어드레스신호(CA<1:N>)에서 정보신호(IS<1:M>)를 추출하여 저장하고, 출력한다. 정보신호(IS<1:M>)가 커맨드어드레스신호(CA<1:N>)에 포함되어 전송되는 방식은 실시예에 따라 다양하게 설정될 수 있다. 정보신호(IS<1:M>)는 종료신호(IS_STOP)가 인에이블되는 시점에 대한 정보를 포함한다. 예를 들어, 도 3에 도시된 바와 같이, 정보신호(IS<1:M>)가 '000···00'의 논리조합을 갖는 경우 종료신호(IS_STOP)는 디스에이블 상태를 유지하고, 정보신호(IS<1:M>)가 '000···01'의 논리조합을 갖는 경우 개시커맨드(CMD_START)가 인에이블된 시점부터 클럭(CLK)의 16 주기들이 경과된 시점에서 종료신호(IS_STOP)가 인에이블된다. 또한, 정보신호(IS<1:M>)가 '000···10'의 논리조합을 갖는 경우 개시커맨드(CMD_START)가 인에이블된 시점부터 클럭(CLK)의 32 주기들이 경과된 시점에서 종료신호(IS_STOP)가 인에이블되며, 정보신호(IS<1:M>)가 '111···11'의 논리조합을 갖는 경우 개시커맨드(CMD_START)가 인에이블된 시점부터 클럭(CLK)의 (2^M-1)*16 주기들이 경과된 시점에서 종료신호(IS_STOP)가 인에이블된다. 종료신호(IS_STOP)가 인에이블되는 시점을 조절하기 위한 정보신호(IS<1:M>)의 로직레벨 조합도 실시예에 따라 다양하게 설정할 수 있다.

종료신호생성부(23)는 정보신호(IS<1:M>)에 따라 인에이블 시점이 조절되는 종료신호(IS_STOP)를 생성한다. 종료신호(IS_STOP)는 개시커맨드(CMD_START)가 입력되는 시점부터 정보신호(IS<1:M>)에 의해 설정되는 클럭(CLK)의 기설정된 주기 구간이 경과된 시점에서 인에이블된다. 종료신호생성부(23)는 정보신호(IS<1:M>)의 로직레벨에 따라 디스에이블상태를 유지하거나, 인에이블 시점이 조절되는 종료신호(IS_STOP)를 생성한다.

코드생성부(24)는 개시커맨드(CMD_START), 종료커맨드(CMD_STOP) 및 종료신호(IS_STOP)에 응답하여 카운트된 코드(CODE<1:K>)를 생성한다. 코드생성부(24)는 개시커맨드(CMD_START)가 인에이블되는 시점부터 코드(CODE<1:K>)를 카운팅하고, 종료커맨드(CMD_STOP) 또는 종료신호(IS_STOP)가 인에이블되는 시점에서 코드(CODE<1:K>)를 카운팅하는 동작을 중단한다. PVT 변동에 따라 코드(CODE<1:K>)를 카운팅하는 동작속도가 변동하여, 코드(CODE<1:K>)의 로직레벨이 설정된다.

코드저장부(25)는 코드생성부(24)로부터 출력되는 코드(CODE<1:K>)를 저장한다. 코드저장부(25)는 모드레지스터리드커맨드(MRR)가 인에이블되는 경우 코드(CODE<1:K>)를 컨트롤러(1)로 전달한다. 컨트롤러(1)는 코드(CODE<1:K>)에 따라 PVT 변동을 감지하여 데이터(DQ<1:J>)를 스트로빙하기 위한 제어신호인 데이터스트로브신호(DQS)의 타이밍을 조절한다.

데이터입력부(26)는 컨트롤러(1)에서 타이밍이 조절된 데이터스트로브신호(DQS)에 응답하여 데이터(DQ<1:J>)를 입력받아 내부데이터(DIN)를 생성한다. 실시예에 따라 컨트롤러(1)가 복수의 데이터를 스트로빙하는 데이터스트로브신호의 타이밍을 조절하여 반도체장치(2)로 인가할 수 있도록 구현할 수도 있다.

도 4를 참고하면 종료신호생성부(23)는 카운팅신호생성부(230) 및 종료감지부(234)를 포함한다. 카운팅신호생성부(230)는 클럭버퍼(231), 분주기(232) 및 카운터(233)를 포함한다. 클럭버퍼(231)는 개시커맨드(CMD_START)가 인에이블되는 경우 클럭(CLK)을 버퍼링하여 반전클럭(CLKB)을 생성한다. 분주기(232)는 반전클럭(CLKB)을 분주하여 분주클럭(CLK_DIV)을 생성한다. 카운터(233)는 분주클럭(CLK_DIV)에 동기하여 순차적으로 카운팅된 카운팅신호(CNT<1:K>)를 생성한다. 종료감지부(234)는 카운팅신호(CNT<1:K>) 및 정보신호(IS<1:M>)를 입력받고, 카운팅신호(CNT<1:K>)가 정보신호(IS<1:M>)에 대응하는 로직레벨 조합을 갖는 경우 인에이블되는 종료신호(IS_STOP)를 생성한다. 카운팅신호(CNT<1:K>) 및 정보신호(IS<1:M>)가 상호 대응하는 로직레벨 조합은 실시예에 따라 다양하게 설정할 수 있다.

도 5를 참고하면 코드생성부(24)는 신호합성부(241) 및 코드카운터(242)를 포함한다. 신호합성부(241)는 종료신호(IS_STOP) 및 종료커맨드(CMD_STOP)를 합성하여 합성종료신호(STOP_SUM)를 생성한다. 합성종료신호(STOP_SUM)는 종료신호(IS_STOP) 또는 종료커맨드(CMD_STOP)가 인에이블되는 경우 인에이블된다. 코드카운터(242)는 개시커맨드(CMD_START)가 인에이블되는 시점부터 코드(CODE<1:K>)를 카운팅하고, 합성종료신호(STOP_SUM)가 인에이블되는 시점에서 코드(CODE<1:K>)의 카운팅동작을 종료한다.

이상 살펴본 반도체시스템의 동작을 도 6 및 도 7을 참고하여 살펴보면 다음과 같다.

도 6에 도시된 바와 같이, 종료신호(IS_STOP)가 로직로우레벨로 디스에이블 상태를 유지하는 경우 코드(CODE<1:K>)는 개시커맨드(CMD_START)가 인에이블되는 T11 시점부터 종료커맨드(CMD_STOP)가 인에이블되는 T12 시점까지 카운팅된다. 앞서, 도 2에서 도시된 바와 같이, 정보신호(IS<1:M>)가 '000···00'의 논리조합을 갖는 경우 종료신호(IS_STOP)는 디스에이블 상태를 유지한다.

도 7에 도시된 바와 같이, 종료신호(IS_STOP)가 T22 시점에서 로직하이레벨로 인에이블되면 코드(CODE<1:K>)는 개시커맨드(CMD_START)가 인에이블되는 T21 시점부터 종료신호(IS_STOP)가 인에이블되는 T22 시점까지 카운팅된다. 앞서, 도 2에서 도시된 바와 같이, 종료신호(IS_STOP)의 인에이블 시점은 정보신호(IS<1:M>)의 로직레벨 조합에 따라 조절된다.

이상 살펴본 바와 같이, 본 실시예에 따른 반도체시스템은 칩선택신호(CS)에 응답하여 커맨드어드레스신호(CA<1:N>)를 통해 입력된 신호에 의해 기설정된 구간동안 코드(CODE<1:K>)를 카운팅한다. 코드(CODE<1:K>)를 카운팅하는 구간은 개시커맨드(CMD_START)가 인에이블되는 시점부터 종료커맨드(CMD_STOP)가 인에이블되는 시점까지로 설정되거나 개시커맨드(CMD_START)가 인에이블되는 시점부터 종료신호(IS_STOP)가 인에이블되는 시점까지로 설정될 수 있다. 코드(CODE<1:K>)를 카운팅하는 구간은 일정하게 설정되지만 PVT 변동에 따라 코드(CODE<1:K>)를 카운팅하는 동작 속도가 가변하므로, 코드(CODE<1:K>)의 로직레벨 조합이 가변한다. 컨트롤러(1)는 코드(CODE<1:K>)의 로직레벨 조합에 따라 반도체장치(2)의 PVT 변동을 감지하고, 데이터(DQ<1:J>)를 스트로빙하기 위한 제어신호인 데이터스트로브신호(DQS)의 타이밍을 조절한다.

1: 컨트롤러 2: 반도체장치
21: 커맨드생성부 22: 정보신호저장부
23: 종료신호생성부 24: 코드생성부
25: 코드저장부 26: 데이터입력부
230: 카운팅신호생성부 231: 클럭버퍼
232: 분주기 233: 카운터
234: 종료감지부 241: 신호합성부
242: 코드카운터

Claims

외부제어신호에 응답하여 외부커맨드로부터 모드레지스터라이트커맨드, 개시커맨드 및 종료커맨드를 생성하는 커맨드생성부;
상기 모드레지스터라이트커맨드에 응답하여 상기 외부커맨드로부터 정보신호를 추출하여 저장하고, 상기 정보신호를 출력하는 정보신호저장부;
상기 정보신호에 응답하여 종료신호를 생성하는 종료신호생성부; 및
상기 개시커맨드, 상기 종료커맨드 및 상기 종료신호에 응답하여 제어신호의 타이밍을 조절하기 위한 코드를 생성하는 코드생성부를 포함하는 반도체장치.
◈청구항 2은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.◈

제 1 항에 있어서, 상기 외부제어신호는 상기 반도체장치를 포함하는 칩을 선택하기 위한 칩선택신호인 반도체장치.
◈청구항 3은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.◈

제 1 항에 있어서, 상기 정보신호는 상기 종료신호가 인에이블되는 시점에 대한 정보를 포함하는 반도체장치.
◈청구항 4은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.◈

제 1 항에 있어서, 상기 종료신호생성부는
상기 개시커맨드가 인에이블되는 시점부터 카운팅되는 카운팅신호를 생성하는 카운팅신호생성부; 및
상기 정보신호에 응답하여 상기 카운팅신호를 감지하여 상기 종료신호를 생성하는 종료감지부를 포함하는 반도체장치.
◈청구항 5은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.◈

제 4 항에 있어서, 상기 종료감지부는 상기 카운팅신호가 상기 정보신호에 대응되는 로직레벨 조합을 갖는 경우에 상기 종료신호를 생성하는 반도체장치.
◈청구항 6은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.◈

제 1 항에 있어서, 상기 코드생성부는
상기 종료커맨드 및 상기 종료신호에 응답하여 합성종료신호를 생성하는 신호합성부; 및
상기 개시커맨드 및 상기 합성종료신호에 응답하여 상기 코드를 카운팅하는 코드카운터를 포함하는 반도체장치.
◈청구항 7은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.◈

제 6 항에 있어서, 상기 합성종료신호는 상기 종료커맨드 또는 상기 종료신호가 인에이블되는 경우 인에이블되는 반도체장치.
◈청구항 8은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.◈

제 7 항에 있어서, 상기 코드카운터는 상기 개시커맨드가 인에이블되는 시점부터 상기 코드를 카운팅하고, 상기 합성종료신호가 인에이블되는 시점에서 상기 코드의 카운팅 동작을 중단하는 반도체장치.
◈청구항 9은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.◈

제 1 항에 있어서, 상기 커맨드생성부는 상기 외부제어신호에 응답하여 외부커맨드로부터 모드레지스터리드커맨드를 더 생성하는 반도체장치.
◈청구항 10은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.◈

제 9 항에 있어서, 상기 코드를 저장하고, 상기 모드레지스터리드커맨드에 응답하여 상기 코드를 출력하는 코드저장부를 더 포함하는 반도체장치.
◈청구항 11은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.◈

제 1 항에 있어서, 상기 제어신호는 상기 반도체장치에 입력되는 데이터를 스트로빙하기 위한 스트로빙신호인 반도체장치.
외부제어신호 및 외부커맨드를 생성하고, 코드를 입력받아 제어신호의 타이밍을 조절하는 컨트롤러; 및
상기 외부제어신호에 응답하여 상기 외부커맨드로부터 개시커맨드, 종료커맨드 및 정보신호를 생성하고, 상기 정보신호에 응답하여 종료신호를 생성하며, 상기 개시커맨드, 상기 종료커맨드 및 상기 종료신호에 응답하여 상기 코드를 생성하는 반도체장치를 포함하는 반도체시스템.
◈청구항 13은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.◈

제 12 항에 있어서, 상기 제어신호는 상기 반도체장치에 입력되는 데이터를 스트로빙하기 위한 스트로빙신호인 반도체시스템.
◈청구항 14은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.◈

제 12 항에 있어서, 상기 반도체장치는 상기 외부제어신호에 응답하여 상기 외부커맨드로부터 모드레지스터리드커맨드를 생성하고, 상기 모드레지스터리드커맨드에 응답하여 상기 코드를 상기 컨트롤러로 전달하는 반도체시스템.
◈청구항 15은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.◈

제 12 항에 있어서, 상기 정보신호는 상기 종료신호가 인에이블되는 시점에 대한 정보를 포함하는 반도체시스템.
◈청구항 16은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.◈

제 12 항에 있어서, 상기 반도체장치는
상기 외부제어신호에 응답하여 상기 외부커맨드로부터 모드레지스터라이트커맨드, 상기 개시커맨드 및 상기 종료커맨드를 생성하는 커맨드생성부;
상기 모드레지스터라이트커맨드에 응답하여 상기 외부커맨드로부터 상기 정보신호를 추출하여 저장하고, 상기 정보신호를 출력하는 정보신호저장부;
상기 정보신호에 응답하여 상기 종료신호를 생성하는 종료신호생성부; 및
상기 개시커맨드, 상기 종료커맨드 및 상기 종료신호에 응답하여 상기 코드를 생성하는 코드생성부를 포함하는 반도체시스템.
◈청구항 17은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.◈

제 16 항에 있어서, 상기 종료신호생성부는
상기 개시커맨드가 인에이블되는 시점부터 카운팅되는 카운팅신호를 생성하는 카운팅신호생성부; 및
상기 정보신호에 응답하여 상기 카운팅신호를 감지하여 상기 종료신호를 생성하는 종료감지부를 포함하는 반도체시스템.
◈청구항 18은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.◈

제 17 항에 있어서, 상기 종료감지부는 상기 카운팅신호가 상기 정보신호에 대응되는 로직레벨 조합을 갖는 경우에 상기 종료신호를 생성하는 반도체시스템.
◈청구항 19은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.◈

제 16 항에 있어서, 상기 코드생성부는
상기 종료커맨드 및 상기 종료신호에 응답하여 합성종료신호를 생성하는 신호합성부; 및
상기 개시커맨드 및 상기 합성종료신호에 응답하여 상기 코드를 카운팅하는 코드카운터를 포함하는 반도체시스템.
◈청구항 20은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.◈

제 19 항에 있어서, 상기 코드카운터는 상기 개시커맨드가 인에이블되는 시점부터 상기 코드를 카운팅하고, 상기 합성종료신호가 인에이블되는 시점에서 상기 코드의 카운팅 동작을 중단하는 반도체시스템.