KR102130027B1 - 전극의 오정렬 검출 시스템 및 방법 - Google Patents

전극의 오정렬 검출 시스템 및 방법 Download PDF

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Abstract

본 발명의 일 실시예에 따른 오정렬 검출 시스템은 전극 조립체가 놓여지는 기준 지그, 전극 조립체와 기준 지그의 어느 한 모퉁이에 대해서 제1각도와 제2각도로 엑스선을 조사하는 빔 발생부, 기준 지그의 상기 모퉁이에서 상기 전극 조립체 모퉁이의 위치 좌표를 계산하는 계산부를 포함한다.

Description

전극의 오정렬 검출 시스템 및 방법{SYSTEM AND METHOD FOR DETECTING MISALIGNMENT OF ELECTRODE}
본 발명은 이차 전지의 검사 방법에 관한 것으로, 특히 적층형 전극 조립체를 가지는 이차 전지의 전극 정렬 상태를 용이하게 검출할 수 있는 시스템 및 방법을 제공하는 것이다.
이차 전지(rechargeable battery)는 일차전지와 달리 충전 및 방전을 반복적으로 수행하는 전지이다. 소용량의 이차 전지는 휴대폰이나 노트북 컴퓨터 및 캠코더와 같이 휴대가 가능한 소형 전자기기에 사용되고, 대용량 이차 전지는 하이브리드 자동차 등의 모터 구동용 전원으로 사용될 수 있다.
이러한 이차 전지는 양극, 세퍼레이터 및 음극이 교대로 적층된 구조의 전극 조립체, 전극 조립체를 내장하는 케이스, 케이스의 개구를 밀폐하는 캡 플레이트, 및 캡 플레이트 상에 위치하여 전극 조립체에 전기적으로 연결되는 전극단자를 포함한다.
전극 조립체는 양극, 세퍼레이터 및 음극이 적층된 상태로 권취하여 형성한 젤리롤 구조, 개별로 이루어진 양극, 세퍼레이터 및 음극을 반복 적층한 적층형 구조를 가질 수 있다.
이 중, 적층형 전극 조립체의 구조는 개별로 이루어지는 양극, 세퍼레이터 및 음극을 반복 적층하여 형성하며, 서로의 정렬 상태에 따라서 이차 전지의 안전성에 영향을 미치게 된다.
따라서, 제조 공정시 이들의 정렬 상태를 검사해야 하나, 박판 형태의 양극, 음극의 적층 상태를 육안으로 파악하는 것은 용이하지 않으며 정확성이 떨어지는 문제점이 있다.
따라서, 본 발명은 적층형 전극 조립체의 전극들의 정렬 상태를 용이하게 파악할 수 있는 전극의 오정렬 검출 시스템 및 방법을 제공하는 것이다.
본 발명의 일 실시예에 따른 오정렬 검출 시스템은 전극 조립체가 놓여지는 기준 지그, 전극 조립체와 기준 지그의 어느 한 모퉁이에 대해서 제1각도와 제2각도로 엑스선을 조사하는 빔 발생부, 기준 지그의 상기 모퉁이에서 상기 전극 조립체 모퉁이의 위치 좌표를 계산하는 계산부를 포함한다.
상기 기준 지그는 기준 지그의 모퉁이에서 일정거리 이격되어 상기 기준 지그의 상부로 돌출된 단차부를 포함할 수 있다.
상기 계산부는 상기 기준 지그의 모퉁이에서 상기 단차부 모퉁이의 위치 좌표를 실제 측정 위치값과 비교하여 계산된 좌표값을 보정할 수 있다.
상기 전극 조립체는 적층형 전극 조립체일 수 있다.
본 발명의 다른 실시예에 따른 전극 조립체의 전극의 오정렬을 검출하는 방법에 있어서, 상기 기준 지그 위에 상기 전극 조립체를 배치하는 단계, 기준 지그 및 상기 전극 조립체의 제1 모퉁이에 위치하는 각각의 양극과 음극 꼭지점들의 제1 좌표를 구하는 단계, 제1 좌표에 위치하는 상기 전극 조립체에서 각각의 음극의 꼭지점과 양극의 꼭지점 사이의 제1 거리를 계산하는 단계, 제1 거리와 기준 거리를 비교하여 상기 양극 및 음극의 오정렬을 판단하는 단계를 포함한다.
상기 제1 좌표를 구하는 단계는, 제1 모퉁이에 대해서 제1 각도로 1차 엑스레이 촬영하는 단계, 제1 모퉁이에 대해서 제2 각도로 2차 엑스레이 촬영하는 단계를 포함하고, 제1 좌표는 상기 1차 엑스레이 촬영한 영상 및 상기 2차 엑스레이 촬영한 영상으로부터 구할 수 있다.
상기 제1 좌표에 위치하는 상기 기준 지그의 꼭지점과 상기 기준 지그의 단차부 꼭지점 사이의 거리의 측정된 거리와 실측된 거리로부터 실제 촬영시 조사된 실제 각도를 구하여 측정된 좌표와 거리값을 보정하는 단계를 더 포함할 수 있다.
상기 기준 지그 및 상기 전극 조립체의 제2 모퉁이에 위치하는 꼭지점들의 제2 좌표를 구하는 단계를 더 포함하고, 제2 좌표를 구하는 단계는, 제2 모퉁이에 대해서 상기 제1 각도로 3차 엑스레이 촬영하는 단계, 제2 모퉁이에 대해서 상기 제2 각도로 4차 엑스레이 촬영하는 단계를 포함할 수 있다.
상기 제2 좌표에 위치하는 상기 기준 지그의 꼭지점과 상기 기준 지그의 단차부 꼭지점 사이의 거리의 측정된 거리와 실측된 거리로부터 실제 촬영시 조사된 실제 각도를 구하여 측정된 좌표와 거리값을 보정하는 단계를 더 포함할 수 있다.
본 발명에 따른 오정렬 검출 시스템을 사용하면, 양극 및 음극의 모퉁이 꼭지점에 대한 좌표를 용이하게 구할 수 있다. 따라서, 좌표로부터 양극 및 음극 사이의 상대적인 거리를 구하여 이들 사이의 오정렬을 용이하게 검출할 수 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 엑스레이 촬영 장치의 개략적인 구성도이다.
도 2는 엑스레이 촬영을 설명하기 위한 개략적인 평면도이다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 전극 조립체의 개략적인 분해 사시도이다.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따라서 전극의 정렬을 확인하는 방법을 설명하기 위한 도면이다.
도 5 내지 도 7은 본 발명의 일 실시예에 따른 좌표 구하는 방법을 설명하기 위한 도면이다.
도 8은 본 발명의 일 실시예에 따른 기준 지그와 전극 조립체를 도시한 평면도이다.
도 9는 도 8의 기준 지그와 전극 조립체를 제1 각도 및 제2 각도로 촬영한 개략적인 단면도이다.
도 10 및 도 11은 본 발명의 일 실시예에 따라서 꼭지점 사이의 거리를 구하는 방법을 설명하기 위한 도면이다.
이하, 첨부한 도면을 참고로 하여 본 발명의 여러 실시예들에 대하여 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 상세히 설명한다. 본 발명은 여러 가지 상이한 형태로 구현될 수 있으며 여기에서 설명하는 실시예들에 한정되지 않는다.
본 발명을 명확하게 설명하기 위해서 설명과 관계없는 부분은 생략하였으며, 명세서 전체를 통하여 동일 또는 유사한 구성요소에 대해서는 동일한 참조 부호를 붙이도록 한다.
또한, 도면에서 나타난 각 구성의 크기 및 두께는 설명의 편의를 위해 임의로 나타내었으므로, 본 발명이 반드시 도시된 바에 한정되지 않는다.
도면에서 여러 층 및 영역을 명확하게 표현하기 위하여 두께를 확대하여 나타내었다. 그리고 도면에서, 설명의 편의를 위해, 일부 층 및 영역의 두께를 과장되게 나타내었다. 층, 막, 영역, 판 등의 부분이 다른 부분 "위에" 또는 "상에" 있다고 할 때, 이는 다른 부분 "바로 위에" 있는 경우뿐 아니라 그 중간에 또 다른 부분이 있는 경우도 포함한다.
또한, 명세서 전체에서, 어떤 부분이 어떤 구성요소를 "포함" 한다고 할 때, 이는 특별히 반대되는 기재가 없는 한 다른 구성요소를 제외하는 것이 아니라 다른 구성요소를 더 포함할 수 있는 것을 의미한다. 또한, 명세서 전체에서, "~상에"라 함은 대상 부분의 위 또는 아래에 위치함을 의미하는 것이며, 반드시 중력 방향을 기준으로 상 측에 위치하는 것을 의미하는 것은 아니다.
이하에서는 첨부한 도면을 참조하여 본 발명의 한 실시예에 따른 이차 전지에 대해서 구체적으로 설명한다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 엑스레이 촬영 장치의 개략적인 구성도이고, 도 2는 엑스레이 촬영을 설명하기 위한 개략적인 평면도이다.
도 1에 도시된 바와 같이, 본 발명의 한 실시예에 따른 엑스레이 촬영 장치(1000)는 대상물이 놓여지는 받침대(10), 대상물을 촬영하는 촬영부(200), 받침대(10)에 위치하는 기준 지그(300)를 포함한다.
촬영부(200)는 엑스선을 조사하는 빔생성부(21), 촬영된 영상을 저장하고 분석하는 계산부(22) 및 촬영된 영상 또는 데이터를 표시하는 표시부(23)를 포함한다.
계산부(22)는 촬영된 영상으로부터 기준 지그 또는 전극 조립체와 같은 촬영 대상물로부터 각도, 거리 및 좌표 등을 계산할 수 있다.
기준 지그(300)는 촬영 대상물에 X-선이 설정된 각도로 입사될 수 있도록 X-선의 조사 각도를 확인하기 위한 기준 지그이다.
기준 지그(300)는 두께를 가지며, 상기 기준 지그(300)의 상부에는 단차부가 형성될 수 있다. 이하에서는 기준 지그(300)의 두 변이 만나는 점 또는 단차부의 두 변이 만나는 점을 꼭지점이라 한다.
도 2에서와 같이, 엑스선은 기준 지그의 제1 모퉁이(C1) 및 제2 모퉁이(C2)에 일정한 각도(θ), 예를 들어 제1 각도 및 제2 각도로 조사될 수 있으며, 이때 제1 각도는 30도이고, 제2 각도는 45도 일 수 있다.
이하에서는 도 1 및 도 2의 정렬 확인 장치를 이용하여 이차 전지용 극판의 정렬을 확인하는 방법에 대해서 도면을 참조하여 설명한다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 전극 조립체의 개략적인 분해 사시도이고, 도 4는 본 발명의 일 실시예에 따라서 전극의 정렬을 확인하는 방법을 설명하기 위한 도면이다.
먼저, 도 1에서와 같이, 엑스레이 촬영 장치(1000)에 정렬을 확인하고자 하는 전극 조립체(400)를 배치한다. 이때, 전극 조립체(400)는 단차부의 경계선 내에 위치하도록 배치될 수 있다.
도 3을 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 전극 조립체는 세퍼레이터(43)를 사이에 두고 음극(41)과 양극(42)을 반복 적층하여 적층형으로 이루어진다. 세퍼레이터(43)는 리튬 이온을 통과시키는 폴리머 필름일 수 있다.
음극(41)은 금속 박판의 집전체에 활물질을 도포한 활성층(41a)과 활물질을 도포하지 않아 금속 박판이 노출된 무지부(41b)를 포함한다. 음극(41)의 금속 박판은 구리(Cu) 박판일 수 있다.
양극(42)은 금속 박판의 집전체에 활물질을 도포한 활성층(42a)과 활물질을 도포하지 않아 금속 박판이 노출된 무지부(42b)를 포함한다. 양극(42)의 금속 박판은 알루미늄(Al) 박판일 수 있다.
복수의 무지부(41b, 42b)는 동일한 극성끼리 전기적으로 연결되어 외부 단자와 전기적으로 연결될 수 있다. 무지부(41b, 42)는 동일한 방향으로 돌출(도 1 및 도 4 참조)될 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니며, 반대 방향으로 돌출될 수 있다.
전극 조립체(400)는 파우치(도시하지 않음)형 케이스에 밀봉되며, 무지부(41b, 42b) 또는 무지부(41b, 42b) 와 연결된 연결 부재(도시하지 않음)를 통해서 파우치 밖으로 돌출되어 외부 단자와 연결될 수 있다.
이하에서는, 설명의 편의상 전극 조립체는 전극 조립체에 포함된 하나의 음극(41) 및 양극(42)을 도시하였다.
도 4를 참조하면, 기준 지그(300)의 제1 모퉁이(C1)에 대해서, 제1 각도(θ1)로 1차 엑스레이 촬영을 진행하고, 제2 각도(θ2)로 제1 모퉁이(C1)를 2차 엑스레이 촬영을 진행한다. 이때, 제1 각도(θ1)는 45도이고, 제2 각도(θ2)는 30도일 수 있다.
다음, 기준 지그의 제2 모퉁이(C2)에 대해서, 제1 각도(θ1)로 3차 엑스레이 촬영을 진행하고, 제2 각도(θ2)로 제2 모퉁이(C2)를 4차 엑스레이 촬영을 진행한다.
그런 다음, 촬영된 영상으로부터 전극 조립체의 오정렬을 판단한다.
도 5 내지 도 7은 본 발명의 일 실시예에 따른 좌표 구하는 방법을 설명하기 위한 도면이다.
오정렬은 하기 수학식들로부터 구한 X, Y 좌표를 통해서 판단할 수 있으며, 이러한 계산은 촬영부의 계산부를 통해서 진행될 수 있으며, 촬영된 영상 및 계산된 결과는 표시부를 통해서 확인할 수 있다.
이하에서는 양극 및 음극의 두 개의 모퉁이(이하, 제1 모퉁이 및 제2 모퉁이라 함)에 대해서 X, Y좌표를 구하는 방법에 대해서 설명한다. 이때, 제1 모퉁이(C1)와 제2 모퉁이(C2)의 꼭지점은 동일한 일변 상에 위치할 수 있다.
먼저, 도 5에서와 같이, 평행한 두 직선 사이의 거리(d)는 [수학식 1]로 구할 수 있다.
[수학식 1]
Figure 112018071117101-pat00001
따라서, 엑스선 촬영에 의하여 보이는 두 꼭지점을 지나는 평행한 두 직선 사이의 최소 거리는 [수학식 1] 및 도 5에서와 같이 d의 거리로 나타낼 수 있다.
이때, 본 발명에 따른 제1 각도(θ1) 및 제2 각도(θ2)로 엑스선 촬영한, 제1 모퉁이에 위치하는 제1 꼭지점의 위치는 도 6에서와 같이 각각 m1, m2 기울기를 가지는 직선으로 나타낼 수 있다. 그리고, 제1 모퉁이 및 제2 모퉁이 꼭지점은 전극의 일변을 중심으로 반대편에 위치하므로, 제2 모퉁이의 제1 각도(θ1) 및 제2 각도(θ2)에 대한 직선은 도 7에서와 같이 반대 기울기를 가질 수 있다.
따라서, 제1 모퉁이에서 기준 지그(300)의 제1 꼭지점(P1)과 단차부의 제2 꼭지점(P2)의 좌표는 도 8에 도시한 직선으로부터 구할 수 있다.
이하에서 좀 더 구체적으로 설명한다.
도 8은 본 발명의 일 실시예에 따른 기준 지그와 전극 조립체를 도시한 평면도이고, 도 9는 도 8의 기준 지그와 전극 조립체를 제1 각도 및 제2 각도로 촬영한 개략적인 단면도이고, 도 10 및 도 11은 본 발명의 일 실시예에 따라서 꼭지점 사이의 거리를 구하는 방법을 설명하기 위한 도면이다.
도 8 및 도 9에서와 같이, 제1 모퉁이에서 기준 지그(300)의 꼭지점을 제1 꼭지점(P1), 단차부의 꼭지점을 제2 꼭지점(P2), 음극의 꼭지점을 제3 꼭지점(P3), 양극의 꼭지점을 제4 꼭지점(P4)이라고 한다. 그리고, 제2 모퉁이에서, 기준 지그(300)의 꼭지점을 제5 꼭지점(P5), 단차부의 꼭지점을 제6 꼭지점(P6)이라고 하고, 음극의 꼭지점을 제7 꼭지점(P7)이라 하고, 양극의 꼭지점을 제8 꼭지점(P8)이라 한다.
먼저, 제1 모퉁이에 위치하는 기준 지그(300)의 제1 꼭지점(P1)에서부터 단차부의 제2 꼭지점의 좌표(P2)는, 제1 각도(θ1)에서 기울기(m1)가 평행한 제1 직선(YY1) 및 제2 직선(YY2)과, 제2 각도에서 기울기(m2)가 평행한 제3 직선(YO1) 및 제4 직선(YO2)으로 구할 수 있다. 이하, 제1 각도(θ1)에서 음극의 꼭지점을 지나는 직선을 Y1, Y2, ..이라 하고, 제2 각도(θ2)에서 음극의 꼭지점을 지나는 직선을 W1, W2, ..이라 한다. 그리고, 제2 모퉁이에서, 제1 각도(θ1)에서 음극의 꼭지점을 지나는 직선을 Y1', Y2', ..이라 하고, 제2 각도(θ2)에서 음극의 꼭지점을 지나는 직선을 W1', W2', ..이라 한다
이때, 도 8 및 도 9에 도시한 제1 꼭지점(P1)과 제3 꼭지점(P3) 사이의 거리는 제1 각도(θ1)에서 hi라 하고, 제2 각도(θ2)에서는 ℓi이라 한다. 음극에서의 제1 꼭지점(P1)과 제4 꼭지점(P4) 사이의 거리는 제1 각도(θ1)에서 ei라 하고, 제2 각도(θ2)에서는 fi라 한다. 기준이 되는 제1 꼭지점(P1)과 제2 꼭지점(P2) 사이의 거리는 r이라 한다.
도 8에 도시된 평행한 두 직선 사이의 거리는 상기 [수학식 1]로부터 구해질 수 있다.위 [수학식 1]에서의 |b-a|값은 각각 기울기 m1, m2에서의 a, b임을 알 수 있으므로, 도 10에서와 같이 직선 1(YY1), 직선 2(YY1), 직선 3(YO1) 및 직선 4(YO2)는 각각 y=m1x, y=m1x+ai, y=m2x, y=m1x+bi 가 된다. 이를 통해서 하기와 같이 제1 직선(YY1) 및 제2 직선(YY2)의 ai를 구하고, 제3 직선(YO1) 및 제4 직선(YO2)의 bi를 구한다.
m1, m2는 각각 tan(θ1), tan(θ2)로 구할 수 있다.
Figure 112018071117101-pat00002
Figure 112018071117101-pat00003
Figure 112018071117101-pat00004
이후, 이들 수학식을 x 및 y에 대해서 정리하면, 하기 두 직선의 교점이 꼭지점의 좌표가 된다.
Figure 112018071117101-pat00005
Figure 112018071117101-pat00006
Figure 112018071117101-pat00007
동일한 방법으로 제1 각도(θ1) 및 제2 각도(θ2)에서 기준 지그 모퉁이의 꼭지점(P1)과 P2, P4까지의 좌표, P5에서부터 P6, P7, P8까지의 좌표도 동일하게 계산할 수 있으며, 계산된 좌표값을 이용하여 기준 지그의 모퉁이의 꼭지점(P1, P5)에서부터 각 꼭지점(P2, P4, P6, P7, P8)들의 거리(h1, h2, h3..)도 계산할 수 있다.
한편 실제 엑스선 촬영된 영상으로부터 계산된 상기 꼭지점들의 거리는 실제로 측정되는 거리와 다를 수 있다. 이처럼, 계산된 꼭지점들의 거리와 실제로 측정되는 거리가 다른 원인은 여러가지 요인이 있을 수 있으나, 실제 엑스레이 촬영시 설정된 각도가 아닌 다른 각도(이하에서는, 실제 각도라 함)에서 촬영된 것이 주 요인이다.
엑스레이 촬영 장비에 특정 각도, 예를 들어 30도를 설정하고, 촬영을 진행하더라도 실제 촬영된 각도가 설정된 각도와 다를 수 있다. 따라서, 기준 지그(300)를 통해서 엑스레이 촬영 장비의 촬영 각도를 검증하는 것이 필요하다.
따라서, 위와 같이 실제 촬영된 각도가 설정된 각도와 다른 경우 설정된 각도를 바탕으로 구한 각 꼭지점의 좌표 또한 다르다. 즉, 기준 지그(300)의 기준 거리에 따라서 구해지는 기준 좌표는 제1 꼭지점의 좌표가 (0, 0)이고, 제2 꼭지점의 좌표가 (10, 10)일 수 있으나, 실제 촬영된 영상으로부터 측정된 거리로부터 구한 제1 거리(h0)에 따른 제1 꼭지점의 좌표가 (0, 0)이고, 제2 꼭지점의 좌표가 (11, 12)일 수 있다.
이처럼, 설정된 각도와 촬영된 각도가 다를 경우, 일정거리 이격된 제1 꼭지점(P1)과 제2 꼭지점(P2)의 실제거리와 엑스선에 의하여 측정된 제1 꼭지점(P1)과 제2 꼭지점(P2)의 거리를 도 11과 같이 삼각 함수를 이용하여 실제 각도를 구한다. 예를 들어, 30도로 설정하여 촬영하고, 실제 촬영된 영상으로부터 측정된 제1 거리로부터 구한 실제 촬영된 각도는 32도 일 수 있다.
위의 방법으로 계산된 좌표로부터 구한 제3 꼭지점(P3)과 제4 꼭지점(P4)의 좌표를 통해서, 제3 꼭지점(P3)과 제4 꼭지점(P4) 사이의 거리(G1)를 구하고, 제7 꼭지점(P7)과 제8 꼭지점(P8)의 좌표를 통해서, 제7 꼭지점과 제8 꼭지점 사이의 거리(G2)를 구할 수 있다. 이때, 꼭지점 사이의 거리(G1, G2)는 꼭지점들 사이의 상대적 거리이다.
제3 꼭지점(P3)과 제7 꼭지점(P7)은 음극(41)의 꼭지점 위치이고, 제4 꼭지점(P4)과 제8 꼭지점(P8)은 양극(42)의 꼭지점의 위치이므로, 이들 좌표를 통해서 양극과 음극 사이의 상대적 위치 및 이들 사이의 간격을 알 수 있다.
음극(41) 및 양극(42)은 대략 사각형 모양이므로, 두 개의 모퉁이(C1, C2)에 대해서 XY 좌표를 구하고 미리 정해지는 음극(41) 및 양극(42)의 가로 길이 또는 세로 길이를 더해, 나머지 두 개의 모퉁이(C3, C4)의 위치를 파악할 수 있다.
한편, 적층형 전극 조립체(400)에서는 양극과 음극의 상대적인 적층 위치에 따라서 오정렬을 판단한다. 전지의 특성상 양극이 음극보다 작게 형성되고, 양극의 경계선이 음극의 경계선 밖으로 돌출되지 않도록 적층 되어야 한다. 만약, 양극의 경계선(또는 꼭지점)이 음극의 경계선 밖에 위치할 경우 양극과 음극이 오정렬된 것으로, 불량으로 판정한다.
본 발명의 일 실시예에서는 양극과 음극에 대해서 두 개의 모퉁이의 좌표를 구함으로써, 양극과 음극이 적층되는 형태, 즉 이웃하는 양극과 음극 사이의 상대적인 위치를 용이하게 파악할 수 있다.
따라서, 음극의 경계선 밖으로 양극이 돌출되어 오정렬되는 것뿐 아니라, 양극과 음극 사이의 상대적 거리로부터 오정렬 된 정도 또한 용이하게 파악할 수 있다.
설명의 편의상 하나의 양극 및 음극에 대해서 설명하였으나, 본 발명의 일 실시예에 따른 엑스레이 촬영 장치를 이용하면 각 모퉁이에 대해서 서로 다른 각도로 촬영된 영상만으로, 전극 조립체 내에 포함된 모든 양극 및 음극에 대해서 각 꼭지점의 좌표를 구하여, 각각에 대해서 오정렬을 판단할 수 있다.
이처럼, 모든 양극 및 음극의 위치를 파악하면 오정렬된 양극 또는 음극이 적층되는 층의 위치를 알 수 있다. 따라서, 오정렬이 발생한 전극의 적층 공정만을 수정하여 오정렬이 발생되지 않는 양극 및 음극을 포함하는 전극 조립체를 제조할 수 있다.
이상 본 발명의 바람직한 실시예에 대하여 설명하였지만, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니며 특허청구범위와 발명의 상세한 설명 및 첨부한 도면의 범위 안에서 여러 가지로 변형하여 실시할 수 있다.

Claims (9)

  1. 전극 조립체가 놓여지는 기준 지그,
    상기 전극 조립체와 기준 지그의 어느 한 모퉁이에 대해서 제1각도와 제2각도로 엑스선을 조사하는 빔 발생부,
    상기 기준 지그의 상기 모퉁이에서 상기 전극 조립체 모퉁이의 위치 좌표를 계산하는 계산부
    를 포함하고,
    상기 기준 지그는 상기 기준 지그의 모퉁이에서 일정거리 이격되어 상기 기준 지그의 상부로 돌출된 단차부를 포함하는 오정렬 검출 시스템.
  2. 삭제
  3. 제1항에서,
    상기 계산부는 상기 기준 지그의 모퉁이에서 상기 단차부 모퉁이의 위치 좌표를 실제 측정 위치값과 비교하여 계산된 좌표값을 보정하는 오정렬 검출 시스템.
  4. 제1항에서,
    상기 전극 조립체는 적층형 전극 조립체인 오정렬 검출 시스템.
  5. 제1항, 제3항 및 제4항 중 어느 한 항의 오정렬 검출 시스템을 통해서 전극 조립체의 전극의 오정렬을 검출하는 방법에 있어서,
    상기 기준 지그 위에 상기 전극 조립체를 배치하는 단계,
    상기 기준 지그 및 상기 전극 조립체의 제1 모퉁이에 위치하는 각각의 양극과 음극 꼭지점들의 제1 좌표를 구하는 단계,
    상기 제1 좌표에 위치하는 상기 전극 조립체에서 각각의 음극의 꼭지점과 양극의 꼭지점 사이의 제1 거리를 계산하는 단계,
    상기 제1 거리와 기준 거리를 비교하여 상기 양극 및 음극의 오정렬을 판단하는 단계,
    상기 제1 좌표에 위치하는 상기 기준 지그의 꼭지점과 상기 기준 지그의 단차부 꼭지점 사이의 거리의 측정된 거리와 실측된 거리로부터 실제 촬영시 조사된 실제 각도를 구하여 측정된 좌표와 거리값을 보정하는 단계를 포함하고,
    상기 제1 좌표를 구하는 단계는,
    상기 제1 모퉁이에 대해서 제1 각도로 1차 엑스레이 촬영하는 단계,
    상기 제1 모퉁이에 대해서 제2 각도로 2차 엑스레이 촬영하는 단계
    를 포함하고,
    상기 제1 좌표는 상기 1차 엑스레이 촬영한 영상 및 상기 2차 엑스레이 촬영한 영상으로부터 구하는 전극의 오정렬을 검출하는 방법.
  6. 삭제
  7. 삭제
  8. 제5항에서,
    상기 기준 지그 및 상기 전극 조립체의 제2 모퉁이에 위치하는 꼭지점들의 제2 좌표를 구하는 단계
    를 더 포함하고,
    상기 제2 좌표를 구하는 단계는,
    상기 제2 모퉁이에 대해서 상기 제1 각도로 3차 엑스레이 촬영하는 단계,
    상기 제2 모퉁이에 대해서 상기 제2 각도로 4차 엑스레이 촬영하는 단계
    를 포함하는 오정렬을 검출하는 방법.
  9. 제8항에서,
    상기 제2 좌표에 위치하는 상기 기준 지그의 꼭지점과 상기 기준 지그의 단차부 꼭지점 사이의 거리의 측정된 거리와 실측된 거리로부터 실제 촬영시 조사된 실제 각도를 구하여 측정된 좌표와 거리값을 보정하는 단계
    를 더 포함하는 오정렬을 검출하는 방법.
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