KR102115500B1 - 기판처리장치 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 기판처리장치에 관한 것으로, 보다 상세하게는, 기판에 박막을 형성하는 기판처리장치에 관한 것이다.
본 발명은, 기판처리를 위한 밀폐된 처리공간(S)을 형성하는 공정챔버(100)와; 복수의 기판(10)들이 안착되는 기판지지부(300)와; 상기 기판지지부(300)와 대향되어 상기 공정챔버(100) 상측에 설치되며, 상기 기판지지부(300)에 안착된 기판(10)에 가스를 분사하는 가스분사부(200)와; 상기 공정챔버(100)에 설치되며 상기 가스분사부(200)로부터 분사된 가스를 외부로 배기하는 가스배기부를 포함하며, 상기 기판지지부(300)는, 상면에 복수의 기판안착부(316)가 구비되며 상기 기판안착부(316) 둘레에 홈부(312)가 형성되는 기판지지플레이트(310)와, 상기 기판지지플레이트(310)를 지지하며 회전하는 지지부(301)와, 가스 배기를 위한 복수의 관통부들이 구비되며 상기 홈부(312)의 상단을 복개하여 상기 관통부를 통해 상기 홈부(312)로 유입된 가스가 상기 기판지지부(300)의 측방으로 배기되도록 하는 배기가이드유로(326)를 형성하는 배기가이드부재(320)를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치를 개시한다.

Description

기판처리장치{substrate processing apparatus}
본 발명은 기판처리장치에 관한 것으로, 보다 상세하게는, 기판에 박막을 형성하는 기판처리장치에 관한 것이다.
반도체소자를 제조하기 위해 기판 상에 박막을 형성하는 방법으로, 화학기상증착법(CVD, Chemical Vapor Deposition), 물리적기상증착법(PVD, Physical Vapor Deposition), 원자층증착법(ALD, Atomic Layer Deposition) 등이 있다.
이 중 원자층증착법은, 기판 상에 가스를 공급하여 박막을 형성하는 방식이므로, 챔버 내에 기판상에 소스가스, 퍼지가스 및 반응가스를 분사하는 가스분사부와 내부의 가스를 배기하는 가스배기부를 구비한다.
도 1은, 원자층증착법을 이용하여 기판처리를 하는 종래의 기판처리장치의 일예를 보여주는 도면이다.
종래의 기판처리장치는, 도 1에 도시된 바와 같이, 밀폐된 처리공간을 형성하는 챔버본체(100)와, 공정챔버(100) 상측에 설치되며 공정챔버(100) 내부로 기판처리를 위한 가스를 분사하는 가스분사부(200)와, 상기 공정챔버(100) 하측에 설치되어 하나 이상의 기판(10)을 지지하는 기판지지부(300)와, 공정챔버(100)에 설치되어 처리공간의 가스를 외부로 배기하는 가스배기부를 포함한다.
상기 가스분사부(200)는, 복수의 기판(10)들을 지지하는 기판지지부(300)와 대응되는 형상으로 형성되고, 기판지지부(300) 상측에 설치되어 기판지지부(300) 상면에 안착된 기판(10)들을 향하여 가스를 분사한다.
상기 기판지지부(300)는, 복수의 기판(10)들이 기판지지부(300)을 중앙을 중심으로 원주방향으로 등간격으로 이격되어 안착되고, 가스분사부(200)에 대하여 상대회전한다.
종래의 기판처리장치는, 기판지지부(300)가 기판지지부(300)의 중앙을 중심으로 가스분사부(200)에 대해 회전하고 기판(10)들을 향하여 분사된 가스가 기판지지부(300)의 반경방향으로 흘러 공정챔버(100)의 측면에 설치된 가스배기부를 통해 공정챔버(100) 외부로 배기되므로, 기판(10)을 향해 분사되어 박막형성에 영향을 미친 가스가 바로 기판(10) 상에서 제거되지 못하여 기판(10) 상에 공급되는 가스의 분포가 기판(10)의 가장자리로 갈수록 적어지는 문제점이 있다.
즉, 종래의 기판처리장치는, 기판처리장치내의 가스배기가 원활히 이루어지지 않아 기판(10)의 위치에 따라 박막의 두께에 영향을 주는 가스의 분포가 상이하게 나타나고 이에 따라 박막의 균일도가 떨어지게 된다.
상술한 문제점은, 기판(10) 상에 형성되는 박막의 균일도를 떨어뜨리므로 가스분사부(200)에서 분사된 가스의 흐름을 개선하여 기판(10) 상의 가스의 분포를 균일하게 함으로써, 박막의 균일도를 향상시키기 위한 기술 개발이 요구된다.
본 발명의 목적은, 기판 상에 박막을 형성하는 가스의 분포를 균일하게 하여 기판 상에 형성되는 박막의 균일도를 향상시킬 수 있는 기판처리장치를 제공하는 데 있다.
본 발명은, 상기와 같은 본 발명의 목적을 달성하기 위하여 창출된 것으로서, 기판처리를 위한 밀폐된 처리공간(S)을 형성하는 공정챔버(100)와; 복수의 기판(10)들이 안착되는 기판지지부(300)와; 상기 기판지지부(300)와 대향되어 상기 공정챔버(100) 상측에 설치되며, 상기 기판지지부(300)에 안착된 기판(10)에 가스를 분사하는 가스분사부(200)와; 상기 공정챔버(100)에 설치되며 상기 가스분사부(200)로부터 분사된 가스를 외부로 배기하는 가스배기부를 포함하는 기판처리장치를 개시한다.
상기 기판지지부(300)는, 상면에 복수의 기판안착부(316)가 구비되며 상기 기판안착부(316) 둘레에 홈부(312)가 형성되는 기판지지플레이트(310)와, 상기 기판지지플레이트(310)를 지지하며 회전하는 지지부(301)와, 가스 배기를 위한 복수의 관통부들이 구비되며 상기 홈부(312)의 상단을 복개하여 상기 관통부를 통해 상기 홈부(312)로 유입된 가스가 상기 기판지지부(300)의 측방으로 배기되도록 하는 배기가이드유로(326)를 형성하는 배기가이드부재(320)를 포함할 수 있다.
상기 배기가이드부재(320)는, 상기 기판안착부(316)에 대응되는 영역에 개방부(322)가 형성되며 상기 홈부(312)를 복개하는 상면부(321)를 포함할 수 있다.
상기 배기가이드부재(320)는, 상기 기판지지플레이트(310)의 측방을 제외한 나머지 부분에서 하측으로 돌출되어 상기 홈부(312)에 삽입되는 측벽부(325)를 더 포함할 수 있다.
상기 배기가이드유로(326)는, 상기 홈부(312) 및 상기 배기가이드부재(320) 사이 공간에 형성될 수 있다.
상기 관통부는, 상기 상면부(321)를 관통하며 상기 개방부(322)의 둘레에 형성되는 배기홀(324)일 수 있다.
상기 관통부는, 상기 상면부(321)를 관통하며 상기 개방부(322)의 둘레에 형성되는 배기슬릿일 수 있다.
상기 복수의 배기홀(324)들은, 상기 개방부(322)의 둘레를 따라 이격되어 등간격으로 배치될 수 있다.
상기 복수의 배기홀(324)들은, 상기 개방부(322)의 둘레를 따라 이격되어 상이한 간격으로 배치될 수 있다.
상기 지지부(301)는, 상기 기판지지플레이트(310)의 중심부에 결합되어 회전하며, 상기 복수의 기판안착부(316)는, 상기 지지부(301)에 의한 상기 기판지지플레이트(310)의 회전방향을 따라 배치될 수 있다.
이때, 상기 복수의 배기홀(324)들은, 상기 기판지지플레이트(310)의 중심부로부터 거리에 따라 상이한 직경을 가질 수 있다.
상기 기판지지플레이트(310)는, 상기 기판안착부(316) 보다 돌출된 돌출부(317)가 상기 기판안착부(316)와 상기 홈부(312) 사이에 형성될 수 있다.
상기 가스배기부는, 상기 배기가이드유로(326)에서 배출된 가스를 유입하여 외부로 배기하기 위하여 상기 공정챔버(100)의 측벽과 간격을 두고 상기 기판지지플레이트(310)의 가장자리를 따라 형성되는 배기유로홈부(400)를 포함할 수 있다.
상기 배기유로홈부(400)의 상단은, 기판처리가 수행되는 동안 상기 배기가이드유로(326)의 하측경계(L1) 보다 낮거나 같은 높이에 위치될 수 있다.
상기 공정챔버(100)는, 상측이 개방된 챔버본체(110)와, 상기 챔버본체(110)의 상측에 결합되어 상기 처리공간(S)을 형성하는 상부리드(120)를 포함할 수 있다.
상기 상부리드(120) 및 상기 가스분사부(200) 중 적어도 어느 하나는, 상기 챔버본체(110)의 내측벽과 상기 가스분사부(200)의 가스분사영역 사이에서 상기 가스분사영역보다 하측으로 더 돌출된 가이드부(122)를 포함할 수 있다.
상기 가스분사부(200)는, 상기 기판지지부(300)를 향해 소스가스를 분사하는 소스가스 분사부, 반응가스를 분사하는 반응가스 분사부 및 소스가스 분사부와 반응가스 분사부 사이에 가스혼합을 방지하기 위한 퍼지가스를 분사하는 퍼지가스 분사부을 포함할 수 있다.
상기 소스가스 분사부, 퍼지가스 분사부 및 반응가스 분사부는, 상기 기판지지플레이트(310)의 회전축을 중심으로 상기 기판안착부(316)의 배치방향을 따라 배치될 수 있다.
본 발명에 따른 기판처리장치는, 기판지지부에서 기판이 안착되는 기판안착부의 둘레를 따라 형성되며 가스분사부에서 분사되어 기판 상의 박막형성에 기여한 가스가 더 이상 기판 상에 머물지 않도록 바로 배기시키는 복수의 배기홀들 또는 배기슬릿을 구비함으로써, 기판 상에서의 가스의 분포를 균일하게 할 수 있는 이점이 있다.
이때, 본 발명에 따른 기판처리장치는, 배기홀들 또는 배기슬릿을 통과한 가스가 기판지지부의 반경방향으로 형성된 배기유로를 통해 기판지지부의 측방으로 배출되도록 함으로써, 가스가 기판지지부를 상하로 관통하여 통과하지 않아 기판지지부의 하부에 설치되는 히터와 같은 구조물이 가스에 의해 손상되는 것을 방지할 수 있다.
그리고, 본 발명에 따른 기판처리장치는, 공정챔버 상부 일부가 배기유로가 위치되는 지점까지 하측을 향하여 돌출되도록 하여 공정챔버의 상부에 형성되는 공간을 제거함으로써, 기판지지부의 배기유로를 통해 배출된 가스가 공정챔버 상부에 형성되는 공간으로 확산되는 것을 방지하여 가스배기구로 향하는 가스의 유동을 개선할 수 있는 이점이 있다.
도 1은, 종래의 기판처리장치를 보여주는 도면이다.
도 2는, 본 발명의 일 실시예에 따른 기판처리장치를 보여주는 도면이다.
도 3은, 도 2의 A부분을 확대하여 보여주는 확대도이다.
도 4는, 도 2의 기판처리장치의 구성 일부를 보여주는 평면도이다.
도 5는, 도 2의 기판처리장치의 구성 일부를 보여주는 사시도이다.
도 6은, 도 4의 Ⅰ-Ⅰ방향 단면도이다.
이하 본 발명에 따른 기판처리장치에 관하여 첨부된 도면을 참조하여 설명하면 다음과 같다.
본 발명에 따른 기판처리장치는, 기판처리를 위한 밀폐된 처리공간(S)을 형성하는 공정챔버(100)와; 복수의 기판(10)들을 지지하는 기판지지부(300)와; 상기 기판지지부(300)와 대향 하도록 상기 공정챔버(100) 상측에 설치되며, 상기 기판지지부(300)에 안착된 기판(10)에 가스를 분사하는 가스분사부(200)와; 상기 공정챔버(100)에 설치되며 상기 가스분사부(200)로부터 분사된 가스를 외부로 배기하는 가스배기부를 포함할 수 있다.
상기 공정챔버(100)는, 기판처리를 위한 밀폐된 처리공간(S)을 형성하는 구성으로 다양한 구성이 가능하다.
상기 공정챔버(100)는, 상측이 개방된 챔버본체(110)와, 챔버본체(110)의 상부에 결합되어 밀폐된 처리공간(S)을 형성하는 상부리드(120)를 포함할 수 있다.
그리고, 상기 공정챔버(100)는, 기판인입 또는 기판반출을 위한 하나 이상의 게이트(111)가 일측에 형성될 수 있다.
상기 기판지지부(300)는, 공정챔버(100)에 회전가능하게 설치되며, 상면 둘레를 따라 복수의 기판(10)들이 안착되는 구성으로 다양한 구성이 가능하다.
상기 기판지지부(300)는, 상하구동부(미도시)에 의해 상하이동되는 지지부(301)와 중앙부(C)에서 결합되어 공정챔버(100) 내에서 상하이동될 수 있다.
상기 지지부(301)는, 공정챔버(100)의 하측에서 관통되어 공정챔버(100)에 설치될 수 있다.
상기 지지부(301)는, 기판지지부(300)의 중심(C)을 지나는 수직방향 회전축을 중심으로 기판지지부(300)를 회전시키기 위하여 회전모터(미도시)와 결합되어 회전될 수 있다.
상기 기판지지부(300)는, 평면형상이 원형 또는 다각형 등의 형상으로 이루어질 수 있다.
상기 기판지지부(300)는, 공정환경에 따라 다양한 재질로 이루어질 수 있고, 예를 들어 그래파이트(Graphite) 재질로 형성수 있다.
상기 기판지지부(300)는, 상면 둘레를 따라 복수의 기판(10)들이 안착되는 기판안착부(316)가 구비될 수 있다.
상기 기판안착부(316)에는, 공정챔버(100)로의 기판인입 또는 기판인출시 상하이동되는 리프트핀(미도시)을 위한 리프트핀홀(600)이 형성될 수 있다.
상기 가스분사부(200)는, 기판지지부(300)와 마주보도록 공정챔버(100) 상측에 설치되어 공정챔버(100) 내부로 기판처리를 위한 가스를 분사하는 구성으로 다양한 구성이 가능하다.
예로서, 상기 가스분사부(200)는, 기판지지부(300)의 상면에 안착되는 기판(10)에 가스를 분사하기 위하여, 기판지지부(300)와 대응되는 평면형상으로 공정챔버(100)의 상부리드(120)에 설치될 수 있다.
상기 기판처리장치가 원자층증착장치인 경우, 상기 가스분사부(200)는, 상기 기판지지부(300)를 향해 소스가스를 분사하는 소스가스 분사부(미도시), 반응가스를 분사하는 반응가스 분사부(미도시) 및 소스가스 분사부과 반응가스 분사부 사이에 가스혼합을 방지하기 위한 퍼지가스를 분사하는 퍼지가스 분사부(미도시)를 포함할 수 있다.
상기 분사부들은, 기판지지부(300)의 둘레 방향을 따라 순차적으로 배치될 수 있다.
예를들어, 상기 소스가스 분사부, 퍼지가스 분사부 및 반응가스 분사부는, 기판지지부(300)의 회전축을 중심으로 기판(10)의 배치방향을 따라 배치될 수 있다.
구체적으로, 상기 가스분사부(200)는, 한국공개특허 제10-2014-0000447호에 개시된 가스분사장치와 동일하게 구성될 수 있다.
상기 가스배기부는, 공정챔버(100)에 형성되는 배기구(402)를 통해 외부의 진공펌프와 연결되어 가스를 외부로 배기하는 구성으로 다양한 구성이 가능하다.
상기 가스배기부는, 처리공간(S)내의 가스를 유입하여 외부로 배기하기 위하여 공정챔버(100)의 측벽과 간격을 두고 기판지지플레이트(310)의 가장자리를 따라 형성되는 배기유로홈부(400)를 포함할 수 있다.
상기 배기유로훔부(400)는, 도 2에 도시된 바와 같이, 히터부(500)에 가스가 유입되지 않도록 기판지지플레이트(310)의 가장자리에 최대한 근접하게 위치됨이 바람직하다.
상기 배기유로홈부(400)는, 상단에 배기가이드유로(326)에서 배출된 가스가 흡입되는 배플(baffle)이 결합될 수 있다.
상기 배플 주변의 가스는 외부에 설치된 진공펌프에 의해 배플로 흡인된 후 외부배기유로를 따라 이동하여 배기될 수 있다.
한편, 종래의 기판처리장치는, 상술한 바와 같이, 기판지지부(300)가 가스분사부(200)에 대해 회전하고 기판(10)들을 향하여 분사된 가스가 기판지지부(300) 상면에서 반경방향으로 흘러 공정챔버(100) 외부로 배기되므로, 기판(10)을 향해 분사되어 박막형성에 영향을 미친 가스가 바로 기판(10) 상에서 제거되지 못하여 기판(10) 상에 공급되는 가스의 분포가 기판(10)의 가장자리로 갈수록 적어지는 문제점이 있다.
또한, 종래의 기판처리장치는, 상기 기판지지부(300)의 하부에 기판(10)을 가열하기 위한 히터부(500)가 설치되는 것이 일반적이다.
상기 히터부(500)는, 기판(10)을 공정온도로 가열하기 위한 것으로, 전원인가시 발열되는 발열부재(미도시)와 발열부재를 보호하기 위하여 발열부재를 커버부재를 포함할 수 있다.
이때, 가스가 히터부(500)의 내부로 유입되는 경우, 가스가 히터부(500)의 발열부재와 반응하거나 히터부(500)의 내부에 증착되어 히터부(500)가 손상되며 수명이 단축되는 문제점이 있다.
이에 본 발명에 따른 기판처리장치에서, 상기 기판지지부(300)는, 기판지지부(300)를 향해 분사된 가스가 기판(10)의 박막형성에 기여한 후 바로 배기되도록 하며, 기판지지부(300)의 하부에 설치되는 히터부(500)와 같은 구조물이 손상되지 않도록 가스가 기판지지부(300)의 측방으로 배기되도록 하는 복수의 기판 안착모듈(320)을 포함할 수 있다.
구체적으로, 상기 기판지지부(300)는, 상면에 복수의 기판안착부(316)가 구비되며 기판안착부(316) 둘레에 홈부(312)가 형성되는 기판지지플레이트(310)와, 기판지지플레이트(310)를 지지하며 회전하는 지지부(301)와, 가스 배기를 위한 복수의 관통부들이 구비되며 홈부(312)의 상단을 복개하여 관통부를 통해 홈부(312)로 유입된 가스가 기판지지부(300)의 측방으로 배기되도록 하는 배기가이드유로(326)를 형성하는 배기가이드부재(320)를 포함할 수 있다.
상기 기판지지플레이트(310)는, 지지부(301)와 결합되어 상하이동 및 회전되며 후술하는 복수의 배기가이드부재(320)들과 결합되는 구성으로 다양한 구성이 가능하다.
상기 기판지지플레이트(310)는, 복수의 배기가이드부재(320)을 상면에서 지지하는 수평단면이 원형인 플레이트로 이루어질 수 있다.
상기 기판지지플레이트(310)는, 지지부(301)의 회전축을 중심으로 원주방향을 따라서 배치되며 기판(10)이 안착되는 기판안착부(316)를 구비할 수 있다.
예로서, 상기 기판안착부(316)는, 도 4 및 도 5에 도시된 바와 같이, 6개로 이루어져 기판지지플레이트(310)의 상면 둘레를 따라 배치될 수 있다.
상기 기판안착부(316)는, 기판(10)과 대응되는 형상으로 이루어져 기판(10)이 안착되는 구성으로 다양한 구성이 가능하다.
이때, 상기 기판지지플레이트(310)는, 기판안착부(316) 둘레에 홈부(312)가 형성될 수 있다.
상기 홈부(312)는, 도 5에 도시된 바와 같이, 배기가이드유로(326)를 통과한 가스가 기판지지플레이트(310)의 측방에서 배출될 수 있도록, 기판지지플레이트(310)의 상면 및 측면의 경계를 이루는 모서리(E)까지 이어지도록 형성될 수 있다.
그리고, 상기 기판지지플레이트(310)는, 도 6에 도시된 바와 같이, 기판(10)이 안정적으로 안착될 수 있도록 기판안착부(316) 보다 돌출된 돌출부(317)가 기판안착부(316)와 홈부(312) 사이에 형성될 수 있다.
그리고 상기 배기가이드부재(320)는, 가스 배기를 위한 복수의 관통부들이 구비되며 홈부(312)의 상단을 복개하여 관통부를 통해 홈부(312)로 유입된 가스가 기판지지부(300)의 측방으로 배기되도록 하는 배기가이드유로(326)를 형성하는 구성으로 다양한 구성이 가능하다.
상기 배기가이드부재(320)는, 홈부(312)의 상단을 복개함으로써 홈부(312)와 배기가이드부재(320) 사이에 배기가이드유로(236)을 형성할 수 있다.
일 실시예에서, 상기 배기가이드부재(320)는, 상기 기판안착부(316)에 대응되는 영역에 개방부(322)가 형성되며 상기 홈부(312)를 복개하는 상면부(321)를 포함할 수 있다.
상기 상면부(321)는, 개방부(322)가 형성되는 플레이트로, 기판지지플레이트(310)에 형성되는 홈부(312)를 복개하는 한편 홈부(312) 또는 기판안착부(316)에 형성되는 단차구조(미도시)에 의해 지지되어 기판지지플레이트(310)에 결합될 수 있다.
상기 개방부(322)는, 기판안착부(316)가 삽입될 수 있도록 기판안착부(316)와 동일한 형상으로 이루어질 수 있다.
이때, 상기 관통부는, 가스배기를 위한 구성으로, 상면부(321)를 관통하며 상기 개방부(322)의 둘레에 형성되는 배기홀(324)이거나 또는 호형상으로 형성되는 배기슬릿일 수 있다.
상기 관통부가 배기홀(324)인 경우, 상기 복수의 배기홀(324)들은 상기 개방부(322)의 둘레를 따라 이격되어 등간격으로 배치되거나 또는 상이한 간격으로 배치될 수 있다.
또한, 상기 복수의 배기홀(324)들은, 기판지지플레이트(310)의 중심부로부터 거리에 따라 상이한 직경을 가지도록 형성될 수 있다.
상기 복수의 배기홀(324)들은, 개방부(322)의 둘레에 한 줄로 형성될 수 있으나, 공정환경에 따라 여러 줄로 형성될 수 있음은 물론이다.
다른 일 실시예에서, 상기 배기가이드부재(320)는, 상면부(321)에 더하여, 상면부(321) 중 기판지지플레이트(310)의 측방을 제외한 나머지 부분에서 하측으로 돌출되어 상기 홈부(312)에 삽입되는 측벽부(325)를 더 포함할 수 있다.
한편, 상기와 같은 구성을 가지는 배기가이드부재(320)에 의하여 관통부를 통과한 가스가 상기 배기가이드유로(326)을 통해 배기유로홈부(400)으로 가이드될 수 있다.
상기 배기유로홈부(400)의 상단은, 가스의 흐름을 방해하지 않기 위하여, 기판처리가 수행되는 동안 상기 배기가이드유로(326)의 하측경계(L1) 보다 낮거나 같은 높이에 위치됨이 바람직하다.
이를 통해, 상기 배기유로홈부(400)는, 배기가이드유로(326)에서 배출된 가스의 유동을 방해하지 않으면서 가스가 기판지지플레이트(310) 하부의 히터부(500)로 유입되는 것을 방지할 수 있다.
한편, 상기 배기가이드유로(326)를 통해 배출된 가스는 공정챔버(100) 내에서 가스배기부의 배기유로홈부(400)를 향하는 방향이 아닌 다른 방향으로 확산될 수 있다.
상기 배기가이드유로(326)를 통해 배출된 가스가 다른 방향으로 확산되는 경우, 가스의 배기경로를 방해하여 가스가 원활히 배기되지 않는 문제점이 있다.
따라서, 상기 배기가이드유로(326)를 통해 배출된 가스가 다른 방향으로 확산되는 것을 방지하기 위하여, 상기 상부리드(120) 및 상기 가스분사부 중 적어도 어느 하나는, 챔버본체(110)의 내측벽과 가스분사부(200)의 가스분사영역 사이에서 가스분사영역보다 하측으로 더 돌출된 가이드부(122)를 포함할 수 있다.
상기 가이드부(122)는, 가스의 유동을 방해하지 않기 위하여 배기가이드유로(326)의 상측경계(L2) 보다 높거나 같은 높이까지 돌출됨이 바람직하다.
상기 가이드부(122)는, 공정챔버(100) 내의 불필요한 공간을 제거 함으로써, 배기가이드유로(326)에서 배출된 가스가 다른 방향으로 확산되지 않고 외부배기유로를 향해 흐르도록 가이드하는 구성으로 다양한 구성이 가능하다.
도 2는, 상기 가이드부(122)가 상부리드(120)와 일체로 형성되는 경우를 도시하였으나 이는 일 실시예일뿐, 이에 한정되는 것은 아니다.
이상은 본 발명에 의해 구현될 수 있는 바람직한 실시예의 일부에 관하여 설명한 것에 불과하므로, 주지된 바와 같이 본 발명의 범위는 위의 실시예에 한정되어 해석되어서는 안 될 것이며, 위에서 설명된 본 발명의 기술적 사상과 그 근본을 함께하는 기술적 사상은 모두 본 발명의 범위에 포함된다고 할 것이다.
100: 공정챔버 200: 가스분사부
300: 기판지지부

Claims (13)

  1. 기판처리를 위한 밀폐된 처리공간(S)을 형성하는 공정챔버(100)와; 복수의 기판(10)들이 안착되는 기판지지부(300)와; 상기 기판지지부(300)와 대향되어 상기 공정챔버(100) 상측에 설치되며, 상기 기판지지부(300)에 안착된 기판(10)에 가스를 분사하는 가스분사부(200)와; 상기 공정챔버(100)에 설치되며 상기 가스분사부(200)로부터 분사된 가스를 외부로 배기하는 가스배기부를 포함하며,
    상기 기판지지부(300)는,
    상면에 복수의 기판안착부(316)가 구비되며 상기 기판안착부(316) 둘레에 홈부(312)가 형성되는 기판지지플레이트(310)와, 상기 기판지지플레이트(310)를 지지하며 회전하는 지지부(301)와, 가스 배기를 위한 복수의 관통부들이 구비되며 상기 홈부(312)의 상단을 복개하여 상기 관통부를 통해 상기 홈부(312)로 유입된 가스가 상기 기판지지부(300)의 측방으로 배기되도록 하는 배기가이드유로(326)를 형성하는 배기가이드부재(320)를 포함하며,
    상기 홈부(312)는, 상기 배기가이드유로(326)를 통과한 가스가 상기 기판지지플레이트(310)의 측방에서 배출되도록 형성되는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  2. 청구항 1에 있어서,
    상기 배기가이드부재(320)는,
    상기 기판안착부(316)에 대응되는 영역에 개방부(322)가 형성되며 상기 홈부(312)를 복개하는 상면부(321)를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  3. 청구항 2에 있어서,
    상기 배기가이드부재(320)는, 상기 기판지지플레이트(310)의 측방을 제외한 나머지 부분에서 하측으로 돌출되어 상기 홈부(312)에 삽입되는 측벽부(325)를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  4. 청구항 2에 있어서,
    상기 배기가이드유로(326)는,
    상기 홈부(312) 및 상기 배기가이드부재(320) 사이 공간에 형성되는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  5. 청구항 2에 있어서,
    상기 관통부는, 상기 상면부(321)를 관통하며 상기 개방부(322)의 둘레에 형성되는 배기홀(324)인 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  6. 청구항 2에 있어서,
    상기 관통부는, 상기 상면부(321)를 관통하며 상기 개방부(322)의 둘레에 형성되는 배기슬릿인 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  7. 청구항 5에 있어서,
    상기 복수의 배기홀(324)들은, 상기 개방부(322)의 둘레를 따라 이격되어 등간격으로 배치되는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  8. 청구항 5에 있어서,
    상기 복수의 배기홀(324)들은, 상기 개방부(322)의 둘레를 따라 이격되어 상이한 간격으로 배치되는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  9. 청구항 5에 있어서,
    상기 지지부(301)는, 상기 기판지지플레이트(310)의 중심부에 결합되어 회전하며,
    상기 복수의 기판안착부(316)는, 상기 지지부(301)에 의한 상기 기판지지플레이트(310)의 회전방향을 따라 배치되며,
    상기 복수의 배기홀(324)들은, 상기 기판지지플레이트(310)의 중심부로부터 거리에 따라 상이한 직경을 가지는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  10. 청구항 5에 있어서,
    상기 기판지지플레이트(310)는,
    상기 기판안착부(316) 보다 돌출된 돌출부(317)가 상기 기판안착부(316)와 상기 홈부(312) 사이에 형성되는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  11. 청구항 1에 있어서,
    상기 가스배기부는, 상기 배기가이드유로(326)에서 배출된 가스를 유입하여 외부로 배기하기 위하여 상기 공정챔버(100)의 측벽과 간격을 두고 상기 기판지지플레이트(310)의 가장자리를 따라 형성되는 배기유로홈부(400)를 포함하며,
    상기 배기유로홈부(400)의 상단은, 기판처리가 수행되는 동안 상기 배기가이드유로(326)의 하측경계(L1) 보다 낮거나 같은 높이에 위치되는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  12. 청구항 11에 있어서,
    상기 공정챔버(100)는, 상측이 개방된 챔버본체(110)와, 상기 챔버본체(110)의 상측에 결합되어 상기 처리공간(S)을 형성하는 상부리드(120)를 포함하며,
    상기 상부리드(120) 및 상기 가스분사부(200) 중 적어도 어느 하나는, 상기 챔버본체(110)의 내측벽과 상기 가스분사부(200)의 가스분사영역 사이에서 상기 가스분사영역보다 하측으로 더 돌출된 가이드부(122)를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  13. 청구항 1 내지 12 중 어느 하나의 항에 있어서,
    상기 가스분사부(200)는,
    상기 기판지지부(300)를 향해 소스가스를 분사하는 소스가스 분사부, 반응가스를 분사하는 반응가스 분사부 및 소스가스 분사부와 반응가스 분사부 사이에 가스혼합을 방지하기 위한 퍼지가스를 분사하는 퍼지가스 분사부을 포함하며,
    상기 소스가스 분사부, 퍼지가스 분사부 및 반응가스 분사부는,
    상기 기판지지플레이트(310)의 회전축을 중심으로 상기 기판안착부(316)의 배치방향을 따라 배치되는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
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