KR102109436B1 - Apparatus for Adjusting Substrate Temperature - Google Patents

Apparatus for Adjusting Substrate Temperature Download PDF

Info

Publication number
KR102109436B1
KR102109436B1 KR1020180124992A KR20180124992A KR102109436B1 KR 102109436 B1 KR102109436 B1 KR 102109436B1 KR 1020180124992 A KR1020180124992 A KR 1020180124992A KR 20180124992 A KR20180124992 A KR 20180124992A KR 102109436 B1 KR102109436 B1 KR 102109436B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
substrate
carrier
cooling
heating
hole
Prior art date
Application number
KR1020180124992A
Other languages
Korean (ko)
Other versions
KR20200044360A (en
Inventor
김대일
박경배
조용흠
김찬귀
Original Assignee
주식회사 넵시스
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 주식회사 넵시스 filed Critical 주식회사 넵시스
Priority to KR1020180124992A priority Critical patent/KR102109436B1/en
Publication of KR20200044360A publication Critical patent/KR20200044360A/en
Application granted granted Critical
Publication of KR102109436B1 publication Critical patent/KR102109436B1/en

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • H01L21/67248Temperature monitoring
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017Apparatus for fluid treatment
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67098Apparatus for thermal treatment
    • H01L21/67103Apparatus for thermal treatment mainly by conduction

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)

Abstract

기판 온도조절 장치는 상부가 자전축에 결합하여 선택적으로 자전하고 하부에는 기판 캐리어 모듈이 선택적으로 결합하는 기판 캐리어 결합부를 갖는 자전 기판부와 자전 기판부의 내부에 결합하고 하부는 기판 캐리어 모듈에 결합하여 기판 캐리어 모듈을 가열 또는 냉각시키는 온도조절 기판을 구비한다. 온도조절 기판은 내부에 열매체 관로를 갖는 가열기판과 열기판의 하부에 결합하고 내부에 냉매체 관로를 갖는 냉각기판을 구비한다.The substrate temperature control device is coupled to the inside of the rotating substrate portion and the rotating substrate portion having a substrate carrier coupling portion to which the upper portion is selectively coupled to the rotating shaft and the substrate carrier module is selectively coupled to the lower portion, and the lower portion is coupled to the substrate carrier module It has a temperature control substrate for heating or cooling the carrier module. The temperature-controlled substrate is provided with a heating substrate having a heating medium pipe therein and a cooling substrate having a refrigerant body pipeline therein coupled to a lower portion of the hot plate.

Description

기판 온도조절 장치{Apparatus for Adjusting Substrate Temperature}Substrate temperature control device {Apparatus for Adjusting Substrate Temperature}

본 발명은 기판 온도조절 장치에 관한 것으로, 상세하게는 증착기판의 온도를 균일하고 신속하게 조절할 수 있는 기판 온도조절 장치에 관한 것이다.The present invention relates to a substrate temperature control device, and more particularly, to a substrate temperature control device capable of uniformly and rapidly controlling the temperature of the deposited substrate.

진공증착 장치는, 챔버 내부를 진공 상태로 유지하면서, 아래쪽에는 증착물을 배치하고, 위쪽에는 유리패널과 같은 피코팅 증착기판을 배치하여, 증착기판 표면에 증착물을 코팅하는 장치이다.The vacuum deposition apparatus is an apparatus for coating a deposition substance on a surface of the deposition substrate by maintaining a vacuum inside the chamber, disposing deposits on the bottom, and coating coated deposition substrates such as glass panels on the top.

증착공정을 보면, 도가니 내의 증착물를 가열하여 챔버 내부로 공급하면, 기화된 증착물이 증착기판으로 이동한다. 기화된 증착물의 원자, 분자는 상대적으로 낮은 온도의 증착기판에서 응축하면서 박막을 형성한다.Looking at the deposition process, when the deposit in the crucible is heated and supplied into the chamber, the vaporized deposit moves to the deposition substrate. Atoms and molecules of vaporized deposits condense on a relatively low temperature deposition substrate to form a thin film.

기판 캐리어 모듈은 증착기판을 고정 지지하여 챔버 내부로 삽입하는 장치인데, 증착 과정에서 표면이 증착되는 것을 막기 위해 일정온도 이상으로 유지시킨다. 한편, 증착기판은 증착효율을 높이기 위해 일정온도 이하로 유지되어야 하는데, 이는 기판 캐리어 모듈의 온도 조건과 충돌할 수 있다.The substrate carrier module is a device for fixing the deposition substrate and inserting it into the chamber, which is maintained above a certain temperature to prevent the surface from being deposited during the deposition process. On the other hand, the deposition substrate must be maintained below a certain temperature in order to increase the deposition efficiency, which may conflict with the temperature conditions of the substrate carrier module.

이와 같이, 증착기판을 일정온도 이하로 유지하기 위해서는, 상반된 온도조건을 갖는 증착기판과 기판 캐리어 모듈의 온도를 조건에 맞게 균일하고 신속하게 조절할 필요가 있다. 증착기판의 온도를 조절하는 장치의 선행기술로는 특허공개 제2015-0022152호(온도조절 장치 및 기판처리 장치) 등이 있다.As described above, in order to maintain the deposition substrate at a predetermined temperature or less, it is necessary to uniformly and rapidly adjust the temperature of the deposition substrate and substrate carrier module having opposite temperature conditions according to the conditions. Prior art of a device for controlling the temperature of a deposition substrate is Patent Publication No. 2015-0022152 (temperature control device and substrate processing device).

그러나, 이러한 종래기술로는 증착기판과 기판 캐리어 모듈의 온도 상반성을 효과적으로 제어하는데 한계가 있다.However, there is a limit to effectively controlling the temperature reciprocity of the deposition substrate and the substrate carrier module with such a conventional technique.

본 발명은 종래기술의 문제점을 해결하기 위한 것으로,The present invention is to solve the problems of the prior art,

첫째, 온도조절 기판을 구성하는 가열기판과 냉각기판의 온도 분포를 균일하게 하여 마스크 캐리어에 전달되는 온도를 균일하게 하고,First, by uniformizing the temperature distribution of the heating substrate and the cooling substrate constituting the temperature control substrate, the temperature transmitted to the mask carrier is uniform,

둘째, 증착기판을 원하는 온도로 신속하게 조절할 수 있는, 기판 온도조절 장치를 제공하고자 한다.Second, it is intended to provide a substrate temperature control device that can quickly adjust a deposited substrate to a desired temperature.

이러한 목적을 달성하기 위한 본 발명의 기판 온도조절 장치는 자전 기판부, 온도조절 기판 등을 포함하여 구성할 수 있다.The substrate temperature control device of the present invention for achieving this object may be configured to include a rotating substrate portion, a temperature control substrate and the like.

자전 기판부는, 상부가 자전축에 결합하여 선택적으로 자전하고, 하부에는 기판 캐리어 모듈이 선택적으로 결합하는 기판 캐리어 결합부를 구비할 수 있다.The rotating substrate portion may have a substrate carrier coupling portion to which the upper portion is selectively rotated by being coupled to the rotating shaft, and a substrate carrier module is selectively coupled to the lower portion.

온도조절 기판은 자전 기판부의 내부에 결합할 수 있다. 온도조절 기판의 하부는 기판 캐리어 모듈에 결합하여 기판 캐리어 모듈을 가열 또는 냉각시킬 수 있다. The temperature-controlling substrate may be coupled to the rotating substrate portion. The lower portion of the temperature control substrate may be coupled to the substrate carrier module to heat or cool the substrate carrier module.

온도조절 기판은 가열기판, 냉각기판을 포함할 수 있다. 가열기판은 내부에 열매체 관로를 구비할 수 있다. 냉각기판은 가열기판의 하부에 결합하고 내부에 냉매체 관로를 구비할 수 있다.The temperature-controlling substrate may include a heating substrate and a cooling substrate. The heating substrate may be provided with a heating medium conduit therein. The cooling substrate may be coupled to the lower portion of the heating substrate and may have a refrigerant body pipeline therein.

본 발명의 기판 온도조절 장치에서, 열매체 관로 또는 냉매체 관로는, 열매체 또는 냉매체가 유입하는 나선형 유입관로와 열매체 또는 냉매체가 유출하는 나선형 유출관로를 구비할 수 있다. 나선형 유출관로는 나선형 유입관로 사이에 삽입되는 이중 나선 구조일 수 있다.In the substrate temperature control device of the present invention, the heating medium pipe or the refrigerant body pipeline may include a spiral inlet pipe through which the heating medium or refrigerant flows and a spiral outflow pipe through which the heating medium or refrigerant flows. The spiral outflow pipe may be a double-helix structure inserted between the spiral inflow pipes.

본 발명의 기판 온도조절 장치에서, 열매체 관로의 나선형 유입관로는 냉매체 관로의 나선형 유입관로 상에 적층되고, 열매체 관로의 나선형 유출관로는 냉매체 관로의 나선형 유출관로 상에 적층될 수 있다.In the substrate temperature control device of the present invention, the spiral inlet duct of the heat medium duct may be stacked on the helical inflow duct of the refrigerant body duct, and the helical outflow duct of the heat medium duct may be stacked on the helical outflow duct of the refrigerant body duct.

본 발명의 기판 온도조절 장치에서, 기판 캐리어 모듈은 증착기판이 하부에 결합하는 마스크 캐리어를 포함할 수 있다.In the substrate temperature control apparatus of the present invention, the substrate carrier module may include a mask carrier to which the deposition substrate is coupled.

가열기판, 냉각기판 및 마스크 캐리어는 상하로 연통하는 가열기판 유입홀, 냉각기판 유입홀 및 캐리어 유입홀과 가열기판 유입홀, 냉각기판 유입홀 및 캐리어 유입홀과 이격되어 상하로 연통하는 가열기판 유출홀, 냉각기판 유출홀 및 캐리어 유출홀을 각각 구비할 수 있다.The heating substrate, the cooling substrate, and the mask carrier are separated from the heating substrate inlet hole, the cooling substrate inlet hole, and the carrier inlet hole, and the heating substrate inlet hole, the cooling substrate inlet hole, and the carrier inlet hole, which communicate vertically. Each of the holes, the cooling substrate outlet hole, and the carrier outlet hole may be provided.

보조 냉매체는, 가열기판 유입홀, 냉각기판 유입홀 및 캐리어 유입홀을 통해 증착기판으로 유입할 수 있고, 캐리어 유출홀, 냉각기판 유출홀 및 가열기판 유출홀을 통해 외부로 유출될 수 있다.The auxiliary refrigerant may be introduced into the deposition substrate through the heating substrate inlet hole, the cooling substrate inlet hole and the carrier inlet hole, and may be discharged to the outside through the carrier outlet hole, the cooling substrate outlet hole, and the heating substrate outlet hole.

본 발명의 기판 온도조절 장치에서, 가열기판 유입홀, 냉각기판 유입홀 및 캐리어 유입홀은 제1 수직축을 따라 배열되고, 가열기판 유출홀, 냉각기판 유출홀 및 캐리어 유출홀은 제1 수직축과 이격되는 제2 수직축을 따라 배열될 수 있다.In the substrate temperature control device of the present invention, the heating substrate inlet hole, the cooling substrate inlet hole, and the carrier inlet hole are arranged along the first vertical axis, and the heating substrate outlet hole, the cooling substrate outlet hole, and the carrier outlet hole are spaced apart from the first vertical axis. Can be arranged along the second vertical axis.

본 발명의 기판 온도조절 장치에서, 캐리어 유출홀, 냉각기판 유출홀 및 가열기판 유출홀을 통해 유출하는 보조 냉매체는 냉각기판의 냉매체 관로를 통해 외부로 배출될 수 있다.In the substrate temperature control device of the present invention, the auxiliary refrigerant flowing out through the carrier outlet hole, the cooling substrate outlet hole, and the heating substrate outlet hole may be discharged to the outside through the refrigerant body conduit of the cooling substrate.

본 발명의 기판 온도조절 장치에서, 가열기판, 냉각기판 및 마스크 캐리어는 상하로 연통하는 가열기판 유입홀, 냉각기판 유입홀 및 캐리어 유입홀을 각각 구비하고, 마스크 캐리어는 캐리어 유입홀과 이격되어 상하로 연통하는 캐리어 유출홀을 구비하고, 냉각기판은 냉각기판 유입홀과 이격되고 하방 개방과 상방 폐쇄의 반관통 형태로 구성되어 하단에서 냉매체 관로까지 연통하며 하방은 캐리어 유출홀과 연통하는 냉각기판 유출홀을 구비할 수 있다. 이 경우, 보조 냉매체는, 가열기판 유입홀, 냉각기판 유입홀 및 캐리어 유입홀을 통해 증착기판으로 유입된 후, 캐리어 유출홀 및 냉각기판 유출홀을 통과한 후, 냉각기판의 냉매체 관로를 통하여 외부로 배출될 수 있다.In the substrate temperature control device of the present invention, the heating substrate, the cooling substrate and the mask carrier are provided with a heating substrate inlet hole, a cooling substrate inlet hole and a carrier inlet hole, respectively, which are vertically communicated, and the mask carrier is spaced apart from the carrier inlet hole and up and down. It is provided with a carrier outlet hole communicating with, the cooling substrate is separated from the inlet hole of the cooling substrate and is composed of a semi-penetrating type of opening downward and closing upward to communicate with the refrigerant body from the bottom, and the lower side is the cooling substrate communicating with the carrier outlet hole. It may be provided with an outlet hole. In this case, the auxiliary refrigerant body enters the deposition substrate through the heating substrate inlet hole, the cooling substrate inlet hole, and the carrier inlet hole, and then passes through the carrier outlet hole and the cooling substrate outlet hole, and then passes through the refrigerant body conduit of the cooling substrate. It can be discharged to the outside.

본 발명의 기판 온도조절 장치는 가열기판 상부에 열확산 방지판을 포함할 수 있다.The substrate temperature control device of the present invention may include a heat diffusion prevention plate on the top of the heating substrate.

본 발명의 기판 온도조절 장치는 가열기판과 냉각기판 사이에 열 전도판을 포함할 수 있다.The substrate temperature control device of the present invention may include a heat conduction plate between the heating substrate and the cooling substrate.

본 발명의 기판 온도조절 장치에서, 열매체 관로 또는 냉매체 관로는 원형, 반원형, 타원형, 삼각형, 사각형, 장공형 중에서 선택되는 단면 형상을 가질 수 있다.In the substrate temperature control device of the present invention, the heat medium conduit or the refrigerant conduit may have a cross-sectional shape selected from round, semicircular, elliptical, triangular, square, and long hole types.

본 발명의 기판 온도조절 장치에서, 가열기판이 냉각기판 속으로 또는 냉각기판이 가열기판 속으로 돌출하여, 열매체 관로와 냉매체 관로의 적어도 일부가 수평방향으로 겹칠 수 있다.In the substrate temperature control device of the present invention, the heating substrate protrudes into the cooling substrate or the cooling substrate protrudes into the heating substrate, so that at least a portion of the heat medium conduit and the refrigerant conduit may overlap in the horizontal direction.

이러한 구성을 갖는 본 발명의 기판 온도조절 장치에 의하면, 열매체 관로와 냉매체 관로의 유입관로와 유출관로를 서로 교차시킨 이중 나선 구조로 구성함으로써, 가열기판 또는 냉각기판의 온도 분포를 균일하게 할 수 있고, 이를 통해 마스크 캐리어에 균일한 온도를 전달할 수 있다.According to the substrate temperature control device of the present invention having such a configuration, it is possible to make the temperature distribution of the heating substrate or the cooling substrate uniform by constructing a double helix structure in which the inlet pipe and the outlet pipe of the heat medium pipe line and the refrigerant body pipe cross each other. Thereby, it is possible to transmit a uniform temperature to the mask carrier.

본 발명의 기판 온도조절 장치에 의하면, 보조 냉매체를 증착기판에 직접 유입 및 배출시킴으로써, 증착기판의 온도를 신속하게 제어할 수 있다.According to the substrate temperature control device of the present invention, the temperature of the deposition substrate can be quickly controlled by introducing and discharging the auxiliary refrigerant directly into the deposition substrate.

또한, 본 발명의 기판 온도조절 장치에 의하면, 열매체 관로와 냉매체 관로의 대향 면적을 넓히거나 교차시킴으로써, 가열기판에서 냉각기판으로의 열전달 효율을 극대화할 수 있다.In addition, according to the substrate temperature control device of the present invention, the heat transfer efficiency from the heating substrate to the cooling substrate can be maximized by widening or crossing the opposite areas between the heat medium pipe line and the refrigerant body pipe line.

도 1은 본 발명에 따른 기판 온도조절 장치를 적용한 증착장치의 단면도이다.
도 2는 본 발명에 따른 기판 온도조절 장치를 갖는 자전부의 단면도이다.
도 3은 본 발명에 따른 기판 온도조절 장치에서 열매체 및 냉매체가 이동하는 경로를 도시하고 있다.
도 4는 본 발명에 따른 기판 온도조절 장치에서 가열기판의 열매체 관로를 도시하고 있다.
도 5는 본 발명에 따른 기판 온도조절 장치에서 냉각기판의 냉매체 관로를 도시하고 있다.
도 6은 본 발명에 따른 기판 온도조절 장치에서 열매체 관로와 냉매체 관로의 교차 적층 구조를 도시하고 있다.
도 7은 발명에 따른 기판 온도조절 장치에서 열매체 관로와 냉매체 관로의 형상과 상대적 위치를 도시하고 있다.
도 8은 본 발명에 따른 기판 온도조절 장치에서 증착기판 냉각용 보조 냉매체가 이동하는 제1 경로를 도시하고 있다.
도 9는 본 발명에 따른 기판 온도조절 장치에서 증착기판 냉각용 보조 냉매체가 이동하는 제2 경로를 도시하고 있다.
도 10은 본 발명에 따른 기판 온도조절 장치에서 증착기판 냉각용 보조 냉매체가 이동하는 제3 경로를 도시하고 있다.
1 is a cross-sectional view of a deposition apparatus to which a substrate temperature control device according to the present invention is applied.
2 is a cross-sectional view of a rotating part having a substrate temperature control device according to the present invention.
3 shows a path through which the heat medium and the coolant body move in the substrate temperature control device according to the present invention.
Figure 4 shows a heating medium conduit of the heating substrate in the substrate temperature control device according to the present invention.
5 is a diagram illustrating a refrigerant body conduit of a cooling substrate in the substrate temperature control device according to the present invention.
Figure 6 shows a cross-layer structure of the heat medium pipe and the refrigerant body pipe in the substrate temperature control device according to the present invention.
Figure 7 shows the shape and the relative position of the heat medium pipe and the refrigerant body pipe in the substrate temperature control device according to the invention.
8 illustrates a first path in which the auxiliary refrigerant for cooling the deposited substrate moves in the substrate temperature control device according to the present invention.
9 illustrates a second path in which the auxiliary refrigerant for cooling the deposited substrate moves in the substrate temperature control device according to the present invention.
10 shows a third path in which the auxiliary refrigerant for cooling the deposited substrate moves in the substrate temperature control device according to the present invention.

이하, 첨부도면을 참조하여 본 발명을 상세히 설명한다.Hereinafter, the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 1은 본 발명에 따른 기판 온도조절 장치를 적용한 증착장치의 단면도이다.1 is a cross-sectional view of a deposition apparatus to which a substrate temperature control device according to the present invention is applied.

도 1에 도시한 바와 같이, 진공증착 장치는 챔버(100), 돔부(200), 공전부(300), 자전부(400), 도가니부(500) 등으로 구성할 수 있다.As shown in FIG. 1, the vacuum deposition apparatus may be configured of a chamber 100, a dome portion 200, an idle portion 300, a rotating portion 400, a crucible portion 500, and the like.

챔버(100)는 밀폐 공간을 구비할 수 있다. 챔버(100)는 증착기판이 출입하는 기판 출입구(미도시), 기화 증착물이 유입하는 증착물 유입홀(H1) 등을 구비할 수 있다. 챔버(100)는 하부 돔부(220)의 상측 가장자리를 지지하는 돔 지지부(110)를 내벽 일측에 돌출하는 형태로 구비할 수 있다.The chamber 100 may be provided with a closed space. The chamber 100 may include a substrate entrance (not shown) through which the deposition substrate enters, a deposition inflow hole H1 through which vaporized deposition material flows, and the like. The chamber 100 may include a dome support 110 supporting the upper edge of the lower dome 220 protruding from one side of the inner wall.

돔부(200)는 챔버(100) 내에 상부 돔부(210)와 하부 돔부(220)로 분리하여 챔버(100) 내의 상측과 하측 일부를 폐쇄하는 형태로 구성할 수 있다. 상부 돔부(210)는 공전부(300)에 결합하여 회전 및 승강할 수 있다. 상부 돔부(210)는 자전부(400)의 하측으로 증착물을 공급하는 증착물 배출홀(H2)을 구비할 수 있다. 하부 돔부(220)는 상부 돔부(210)의 하부에 대칭되게 위치할 수 있다. 하부 돔부(220)는 하부 일측이 챔버(100)의 내측 하면에 결합하여 고정될 수 있다. The dome part 200 may be configured to be separated into an upper dome part 210 and a lower dome part 220 in the chamber 100 to close a part of the upper side and the lower side of the chamber 100. The upper dome 210 may rotate and elevate by being coupled to the idler 300. The upper dome 210 may have a deposit discharge hole H2 for supplying deposits to the lower side of the rotating part 400. The lower dome portion 220 may be symmetrically positioned under the upper dome portion 210. The lower dome portion 220 may be fixed by combining one lower side with an inner lower surface of the chamber 100.

공전부(300)는 일측이 챔버(100)의 상부 외측에 결합하고 타측은 챔버(100)의 상부벽을 관통하여 챔버(100) 내로 삽입될 수 있다. 공전부(300)는 공전축(310), 공전 모터(320), 공전 프레임(330), 승강 모터(340), 승강 프레임(350), 틸팅부(360) 등으로 구성하여, 공전 프레임(330)과 상부 돔부(210)를 선택적으로 회전 또는 공전시킬 수 있고, 공전 프레임(330)에 대해 자전부(400)를 틸팅시킬 수 있다. 틸팅부(360)는 틸팅 모터(361), 틸팅축(363) 등으로 구성할 수 있다. The revolving portion 300 may be inserted into the chamber 100 by one side coupled to the upper outer side of the chamber 100 and the other side penetrating the upper wall of the chamber 100. The revolving unit 300 is composed of an revolving shaft 310, an revolving motor 320, an revolving frame 330, an elevating motor 340, an elevating frame 350, a tilting unit 360, and the like, an orbiting frame 330 ) And the upper dome 210 may be selectively rotated or revolved, and the rotating part 400 may be tilted relative to the revolving frame 330. The tilting unit 360 may be configured with a tilting motor 361, a tilting shaft 363, or the like.

자전부(400)는 자전축(410), 자전 모터(420), 기판 고정부(430), 후드(440), 자전 제어부(B) 등으로 구성하여, 증착기판(600)을 고정하는 기판 고정부(430)를 선택적으로 회전, 승강시킬 수 있다.The rotating part 400 is composed of a rotating shaft 410, a rotating motor 420, a substrate fixing portion 430, a hood 440, a rotating control portion B, and the like, and a substrate fixing portion fixing the deposition substrate 600. The 430 may be selectively rotated and elevated.

도가니부(500)는 증착물을 기화시켜 챔버(100)의 내부, 정확하게는 돔부(200)의 내부로 공급할 수 있다. 도가니부(500)는 챔버(100)의 하부 외측에서 장공 형태의 증착물 유입홀(H1)을 따라 수평 이동할 수 있다. 도가니부(500)는 다수를 구비할 수 있다.The crucible 500 may vaporize the deposition material and supply it to the interior of the chamber 100, to the interior of the dome 200. The crucible 500 may be horizontally moved along the inlet hole H1 in the form of a long hole from the lower outside of the chamber 100. The crucible 500 may be provided with a plurality.

도 2는 본 발명에 따른 기판 온도조절 장치를 갖는 자전부의 단면도이다.2 is a cross-sectional view of a rotating part having a substrate temperature control device according to the present invention.

도 2에 도시한 바와 같이, 자전부(400)는 기판 고정부(430), 자전 기판부(450), 온도조절 기판(460), 기판 캐리어 모듈(700) 등을 포함할 수 있다. As shown in FIG. 2, the rotating part 400 may include a substrate fixing part 430, a rotating substrate part 450, a temperature control substrate 460, a substrate carrier module 700, and the like.

기판 고정부(430)는 증착기판(600)을 선택적으로 고정 지지하는 것으로, 클램프 프레임(431), 클램프 팁(433) 등으로 구성할 수 있다.The substrate fixing part 430 selectively supports the deposition substrate 600 and may be configured of a clamp frame 431, a clamp tip 433, and the like.

클램프 프레임(431)은 상측 일부가 기판 승강부(미도시)의 하측에 결합하여 기판 승강부(미도시)의 상하 이동에 따라 승강할 수 있다.The upper portion of the clamp frame 431 may be coupled to the lower side of the substrate lifting portion (not shown) to move up and down according to the vertical movement of the substrate lifting portion (not shown).

클램프 팁(433)은 클램프 프레임(431)의 하단 외측에서 내측으로 소정길이 절곡 연장하는 형태로 구성할 수 있다. 클램프 팁(433)은 중앙에 상하로 관통하는 증착물 통과홀(H3)을 구비할 수 있다. 클램프 팁(433)은 내측 상면 가장자리에 마스크(720)의 하단 외측을 지지하는 마스크 안착홈(R1)을 구비할 수 있다.The clamp tip 433 may be configured to extend a predetermined length from the bottom outer side of the clamp frame 431 to the inside. The clamp tip 433 may include a deposit through hole H3 that penetrates vertically in the center. The clamp tip 433 may include a mask seating groove R1 supporting the lower outer side of the mask 720 at the inner upper edge.

자전 기판부(450)는 상측이 자전축(410)에 결합하여 회전할 수 있다. 자전 기판부(450)는 하측에 기판 캐리어 모듈(700)을 고정 지지할 수 있다. 자전 기판부(450)의 하면에는, 기판 캐리어 모듈(700)의 상측 일부를 내장 지지할 수 있는 기판캐리어 지지홈(R2)을 구비할 수 있다. 기판캐리어 지지홈(R2)은 기판 캐리어 결합부로서 기능할 수 있다.The rotating substrate portion 450 may rotate while the upper side is coupled to the rotating shaft 410. The rotating substrate portion 450 may fix the substrate carrier module 700 on the lower side. The lower surface of the rotating substrate portion 450 may be provided with a substrate carrier support groove R2 capable of internally supporting a part of the upper portion of the substrate carrier module 700. The substrate carrier support groove R2 may function as a substrate carrier coupling portion.

온도조절 기판(460)은 기판 캐리어 모듈(700) 및 증착기판(600)을 일정온도로 유지시키는데 사용되는 것으로, 가열기판(461), 냉각기판(463) 등을 적층하여 구성할 수 있다. 온도조절 기판(460)은 자전 기판부(450) 내에 일체로 결합될 수 있고, 하부에는 기판 캐리어 모듈(700)이 결합할 수 있다. 가열기판(461)은 내부에 열매체 관로를 구비할 수 있고, 냉각기판(463)은 내부에 냉매체 관로를 구비할 수 있다. 자전 기판부(450)의 내면과 가열기판(461) 사이에는 열확산 방지판(462)을, 가열기판(461)과 냉각기판(463) 사이에는 열 전도판(464)을 삽입할 수 있다.The temperature control substrate 460 is used to maintain the substrate carrier module 700 and the deposition substrate 600 at a constant temperature, and may be configured by laminating a heating substrate 461, a cooling substrate 463, and the like. The temperature regulating substrate 460 may be integrally coupled to the rotating substrate portion 450, and the substrate carrier module 700 may be coupled to the lower portion. The heating substrate 461 may have a heat medium pipe line therein, and the cooling substrate 463 may have a refrigerant body line inside. A heat diffusion preventing plate 462 may be inserted between the inner surface of the rotating substrate portion 450 and the heating substrate 461, and a heat conduction plate 464 may be inserted between the heating substrate 461 and the cooling substrate 463.

기판 캐리어 모듈(700)은 증착기판(600)을 고정 지지하는 것으로, 기판 고정부(430)에 의해 하단이 지지되어 자전 기판부(450)의 하단, 정확하게는 온도조절 기판(460)의 하부에 밀착 고정될 수 있다.The substrate carrier module 700 is a fixed support for the deposition substrate 600, and the lower end is supported by the substrate fixing part 430, to the lower part of the rotating substrate part 450, and precisely to the lower part of the temperature control substrate 460. Can be fixed in close contact.

기판 캐리어 모듈(700)은 마스크 캐리어(710), 마스크(720) 등으로 구성할 수 있다. The substrate carrier module 700 may be configured as a mask carrier 710, a mask 720, and the like.

마스크 캐리어(710)는 플레이트 형태로 구성할 수 있다. 마스크 캐리어(710)는 하부가 증착기판(600)과 결합하면서 증착기판(600)과 사이에 미세 캐비티(C)를 형성할 수 있다. 미세 캐비티(C)는 상하 높이가 200㎛ 이하일 수 있다.The mask carrier 710 may be configured in the form of a plate. The mask carrier 710 may form a fine cavity C between the deposition substrate 600 and the bottom while the bottom is combined with the deposition substrate 600. The fine cavity C may have a vertical height of 200 μm or less.

마스크 캐리어(710)는 캐리어 유입홀(M10)과 캐리어 유출홀(M20)을 구비할 수 있다.The mask carrier 710 may include a carrier inlet hole M10 and a carrier outlet hole M20.

마스크(720)는 증착기판(600)을 내장 지지하는 것으로, 마스크 캐리어(710)의 대략 하부 외측에 결합할 수 있다. 마스크(720)는 중앙 영역에 증착기판(600)을 내장할 수 있는 마스크 관통부(H4)를 구비할 수 있다. 마스크(720)는 증착기판(600)을 안착 지지하는 기판 안착홈을 마스크 관통부(H4)의 가장자리를 따라 형성할 수 있다.The mask 720 is a built-in support for the deposition substrate 600, and may be coupled to an approximately lower outer side of the mask carrier 710. The mask 720 may include a mask penetrating portion H4 capable of embedding the deposition substrate 600 in the central region. The mask 720 may form a substrate seating groove for seating and supporting the deposition substrate 600 along the edge of the mask penetration portion H4.

캐리어 유입홀(M10)은 마스크 캐리어(710)를 상하로 관통하여 형성할 수 있다. 캐리어 유입홀(M10)은 가열기판(461) 및 냉각기판(463)을 각각 상하로 관통하는 가열기판 유입홀 및 냉각기판 유입홀과 연통할 수 있다.The carrier inlet hole M10 may be formed by penetrating the mask carrier 710 up and down. The carrier inlet hole M10 may communicate with the heating substrate inlet hole and the cooling substrate inlet hole through the heating substrate 461 and the cooling substrate 463, respectively.

캐리어 유입홀(M10)은 마스크 캐리어(710)의 대략 중앙에 위치할 수 있다. 캐리어 유입홀(M10)은 외부로부터 유입하는 냉매체를 미세 캐비티(C) 내로 공급하여 증착기판(600)의 상면에 직접 공급할 수 있다. 냉매체는 미세 캐비티(C) 내에서 반응없이 이동하면서 증착기판(600)에 냉기를 공급하는 것으로, He(헬륨) 기체 등을 사용할 수 있다.The carrier inlet hole M10 may be located at the center of the mask carrier 710. The carrier inlet hole M10 may supply the refrigerant flowing from the outside into the fine cavity C to directly supply it to the top surface of the deposition substrate 600. The coolant body is supplied with cold air to the deposition substrate 600 while moving without reaction in the fine cavity C, and He (helium) gas or the like can be used.

캐리어 유출홀(M20)은 캐리어 유입홀(M10)을 통해 유입한 냉매체를 외부로 배출하는 것으로, 마스크 캐리어(710)를 상하로 관통하여 형성할 수 있다. 캐리어 유출홀(M20)은 가열기판(461) 및 냉각기판(463)을 각각 상하로 관통하는 가열기판 유출홀 및 냉각기판 유출홀과 각각 연통할 수 있다. 캐리어 유출홀(M20)는 캐리어 유입홀(M10)과 이격되어 구성할 수 있다. 캐리어 유출홀(M20)의 시작 지점은 증착기판(600)의 가장자리 영역에 위치하여, 유입한 냉매체가 증착기판(600) 전체에 고르게 영향을 미치게 하는 것이 바람직할 수 있다.The carrier outlet hole M20 discharges the refrigerant introduced through the carrier inlet hole M10 to the outside, and may be formed by penetrating the mask carrier 710 up and down. The carrier outlet hole M20 may communicate with the heating substrate outlet hole and the cooling substrate outlet hole respectively penetrating the heating substrate 461 and the cooling substrate 463 up and down, respectively. The carrier outlet hole M20 may be configured to be spaced apart from the carrier inlet hole M10. The starting point of the carrier outlet hole M20 is located in the edge region of the deposition substrate 600, and it may be desirable to allow the introduced refrigerant to evenly affect the entire deposition substrate 600.

가열기판 유입홀, 냉각기판 유입홀 및 캐리어 유입홀(M10)과 가열기판 유출홀, 냉각기판 유출홀 및 캐리어 유출홀(M20)은 수직 관로로만 구성할 수도 있고, 상하 방향과 수평 방향의 관로가 결합하는 형태로 구성할 수도 있다. The heating substrate inlet hole, the cooling substrate inlet hole, and the carrier inlet hole M10 and the heating substrate outlet hole, the cooling substrate outlet hole, and the carrier outlet hole M20 may be composed of only vertical pipelines, and vertical and horizontal pipelines may be used. It can also be configured in a combined form.

오링(OR1~OR4)은 냉매체가 새는 것을 차단하는 것으로, 열확산 방지판(462)과 가열판(461) 사이, 가열판(461)과 열 전도판(464) 사이, 열 전도판(464)과 냉각판(463) 사이, 냉각판(463)과 마스크 캐리어(710) 사이, 마스크 캐리어(710)와 마스크(720) 사이의 경계에서 냉매체가 통과하는 홀이나 관로에 선택적으로 구비할 수 있다.O-ring (OR1 ~ OR4) is to prevent the refrigerant body from leaking, between the heat diffusion prevention plate 462 and the heating plate 461, between the heating plate 461 and the heat conduction plate 464, the heat conduction plate 464 and the cooling plate Between 463, between the cooling plate 463 and the mask carrier 710, at the boundary between the mask carrier 710 and the mask 720 may be selectively provided in a hole or a passage through which the refrigerant body passes.

도 3은 본 발명에 따른 기판 온도조절 장치에서 열매체 및 냉매체가 이동하는 경로를 도시하고 있다.3 shows a path through which the heat medium and the coolant body move in the substrate temperature control device according to the present invention.

도 3에 도시한 바와 같이, 가열기판(461)은 내부에 열매체 관로를 구비할 수 있다. 열매체 관로는 자전축(410) 내부를 통하여 유입하는 열매체를 가열기판(461) 전체를 고르게 경유시킨 후 자전축(410) 내부를 통해 외부로 배출할 수 있다. 열매체는 자전축(410)에서 가열기판(461)으로 바로 유입할 수도 있고, 자전 기판부(450)를 거쳐 가열기판(461)으로 유입할 수도 있다. 이 경우, 자전 기판부(450)는 열매체 이동관로를 구비할 수 있다.As shown in FIG. 3, the heating substrate 461 may have a heat medium conduit therein. The heating medium channel may discharge the heating medium flowing through the inside of the rotating shaft 410 evenly through the entire heating substrate 461 and then discharge the outside through the inside of the rotating shaft 410. The heat medium may directly flow from the rotating shaft 410 to the heating substrate 461 or may pass through the rotating substrate portion 450 to the heating substrate 461. In this case, the rotating substrate portion 450 may be provided with a heating medium moving pipe.

냉각기판(463)은 가열기판(461)의 하측에 결합하고 내부에 냉매체 관로를 구비할 수 있다. 냉매체 관로는 자전축(410) 내부를 통하여 유입하는 냉매체를 냉각기판(463) 전체를 고르게 경유시킨 후 자전축(410) 내부를 통해 외부로 배출할 수 있다. 냉매체는 자전축(410)에서 가열기판(461)을 관통하여 냉각기판(463)으로 바로 유입할 수도 있고, 자전 기판부(450)를 거쳐 냉각기판(463)으로 유입할 수도 있다. 이 경우, 자전 기판부(450)는 냉매체 이동관로를 구비할 수 있다. The cooling substrate 463 may be coupled to the lower side of the heating substrate 461 and may have a refrigerant body conduit therein. The refrigerant passage may be discharged to the outside through the inside of the rotating shaft 410 after the refrigerant flowing through the inside of the rotating shaft 410 is evenly passed through the entire cooling substrate 463. The refrigerant body may pass directly through the heating substrate 461 at the rotating shaft 410 and flow directly into the cooling substrate 463 or through the rotating substrate portion 450 to the cooling substrate 463. In this case, the rotating substrate portion 450 may include a refrigerant body moving pipe.

도 4는 본 발명에 따른 기판 온도조절 장치에서 가열기판의 열매체 관로를 도시하고 있다.Figure 4 shows a heating medium conduit of the heating substrate in the substrate temperature control device according to the present invention.

도 4에 도시한 바와 같이, 가열기판(461)은 내부에 나선 패턴의 열매체 관로(T10)를 구비할 수 있다.As illustrated in FIG. 4, the heating substrate 461 may include a heat medium conduit T10 having a spiral pattern therein.

열매체 관로(T10)는 열매체 유입관로(T11)와 열매체 유출관로(T12)로 구성할 수 있다. 열매체 유입관로(T11)는 가열기판(461)의 외측에서 중심까지 나선 형태로 구성되어 열매체를 가열기판(461)의 외측에서 중심까지 이동시킬 수 있다. 열매체 유출관로(T12)는 가열기판(461)의 중심에서 외측까지 나선 형태로 구성되어 열매체를 가열기판(461)의 중심에서 외측으로 이동시킬 수 있다. 열매체 유출관로(T12)는 열매체 유입관로(T11)의 사이에 배치할 수 있다. 이러한 이중 나선 구조를 통해, 유입하는 열매체와 유출하는 열매체의 온도 차이로 인한 가열기판(461)의 온도 편차를 방지 내지 최소화할 수 있다.The heat medium conduit T10 may be composed of a heat medium inlet conduit T11 and a heat medium outlet conduit T12. The heating medium inlet pipe T11 is configured in a spiral form from the outside to the center of the heating substrate 461 to move the heating medium from the outside to the center of the heating substrate 461. The heat medium outlet pipe T12 is configured in a spiral form from the center to the outside of the heating substrate 461 to move the heat medium from the center of the heating substrate 461 to the outside. The heat medium outlet pipe T12 may be disposed between the heat medium inlet pipe T11. Through this double helix structure, it is possible to prevent or minimize the temperature deviation of the heating substrate 461 due to the temperature difference between the inflowing heat medium and the outgoing heat medium.

도 4에서, 열매체 관로(T10)를 온도 균일도 확보가 양호한 사각형 나선 패턴으로 도시하였으나, 원형 나선 패턴 등을 배제하는 것은 아니다. In FIG. 4, although the heat medium pipe T10 is illustrated as a square spiral pattern having good temperature uniformity, the circular spiral pattern and the like are not excluded.

도 5는 본 발명에 따른 기판 온도조절 장치에서 냉각기판의 냉매체 관로를 도시하고 있다.5 is a diagram illustrating a refrigerant body conduit of a cooling substrate in the substrate temperature control device according to the present invention.

도 5에 도시한 바와 같이, 냉각기판(463)은 내부에 나선 패턴의 냉매체 관로(T20)를 구비할 수 있다.As shown in FIG. 5, the cooling substrate 463 may have a refrigerant pattern conduit T20 in a spiral pattern therein.

냉매체 관로(T20)는 냉매체 유입관로(T21)와 냉매체 유출관로(T22)로 구성할 수 있다. 냉매체 유입관로(T21)는 냉각기판(463)의 외측에서 중심까지 나선 형태로 구성되어 냉매체를 냉각기판(463)의 외측에서 중심까지 이동시킬 수 있다. 냉매체 유출관로(T22)는 냉각기판(463)의 중심에서 외측까지 나선 형태로 구성되어 냉매체를 냉각기판(463)의 중심에서 외측으로 이동시킬 수 있다. 냉매체 유출관로(T22)는 냉매체 유입관로(T21)의 사이에 배치할 수 있다. 이러한 이중 나선 구조를 통해, 유입하는 냉매체와 유출하는 냉매체의 온도 차이로 인한 냉각기판(463)의 온도 편차를 방지 내지 최소화할 수 있다.The refrigerant body pipe T20 may include a refrigerant body inlet pipe T21 and a refrigerant body outlet pipe T22. The refrigerant body inlet pipe T21 is configured in a spiral form from the outside to the center of the cooling substrate 463 to move the refrigerant body from the outside to the center of the cooling substrate 463. The refrigerant body outlet pipe T22 is configured in a spiral form from the center of the cooling substrate 463 to the outside, so that the refrigerant body can be moved outward from the center of the cooling substrate 463. The refrigerant flow outlet pipe T22 may be disposed between the refrigerant flow inflow pipes T21. Through this double helix structure, it is possible to prevent or minimize the temperature deviation of the cooling substrate 463 due to the temperature difference between the inflowing refrigerant body and the outgoing refrigerant body.

도 5에서, 냉매체 관로(T20)를 온도 균일도 확보가 양호한 사각형 나선 패턴으로 도시하였으나, 원형 나선 패턴 등을 배제하는 것은 아니다. In FIG. 5, the refrigerant body conduit T20 is illustrated in a square spiral pattern with good temperature uniformity, but the circular spiral pattern and the like are not excluded.

도 6은 본 발명에 따른 기판 온도조절 장치에서 열매체 관로와 냉매체 관로의 교차 적층 구조를 도시하고 있다.Figure 6 shows a cross-layer structure of the heat medium pipe and the refrigerant body pipe in the substrate temperature control device according to the present invention.

도 6에 도시한 바와 같이, 가열기판(461) 내의 열매체 관로(T10)와 냉각기판(463) 내의 냉매체 관로(T20)를 상하로 교차시켜 적층할 수 있다. 열매체 유입관로(T11)는 냉매체 유입관로(T21) 상에 적층하고, 열매체 유출관로(T12)는 냉매체 유출관로(T22) 상에 적층할 수 있다. 이러한 교차 적층을 통해, 열매체 관로(T10)와 냉매체 관로(T20)가 열적으로 상하 대칭 구조를 이루면서 가열기판(461)의 열을 냉각기판(463)으로 균일하게 전달될 수 있고, 그 결과 마스크 캐리어(710)에 직접 영향을 미치는 냉각기판(463)의 온도 편차를 방지 내지 최소화할 수 있다.As shown in FIG. 6, the heat medium conduit T10 in the heating substrate 461 and the refrigerant medium conduit T20 in the cooling substrate 463 may be stacked by crossing them vertically. The heat medium inlet pipe T11 may be stacked on the refrigerant medium inlet pipe T21, and the heat medium outlet pipe T12 may be stacked on the refrigerant medium outlet pipe T22. Through such cross-lamination, heat of the heating substrate 461 can be uniformly transferred to the cooling substrate 463 while the heat medium conduit T10 and the refrigerant conduit T20 form a thermally symmetrical structure. The temperature deviation of the cooling substrate 463 directly affecting the carrier 710 may be prevented or minimized.

도 7은 발명에 따른 기판 온도조절 장치에서 열매체 관로와 냉매체 관로의 형상과 상대적 위치를 도시하고 있다.Figure 7 shows the shape and the relative position of the heat medium pipe and the refrigerant body pipe in the substrate temperature control device according to the invention.

도 7의 (a)와 같이, 열매체 관로(T10)와 냉매체 관로(T20)의 단면을 원형으로 구성하고, 열매체 관로(T10)와 냉매체 관로(T20)를 상하로 정배치할 수 있다.As shown in FIG. 7 (a), the cross sections of the heat medium conduit T10 and the refrigerant medium conduit T20 may be configured in a circular shape, and the heat medium conduit T10 and the refrigerant medium conduit T20 may be arranged vertically.

도 7의 (b)와 같이, 열매체 관로(T10)와 냉매체 관로(T20)를 상하로 정배치하되, 열매체 관로(T10)의 단면을 삼각 형태로 하고 냉매체 관로(T20)의 단면을 역삼각 형태로 구성하여, 열매체 관로(T10)와 냉매체 관로(T20)의 대향 면적을 증가시킬 수 있다. 이러한 열매체 관로(T10)와 냉매체 관로(T20)의 삼각형 단면 구조를 통해, 가열기판(461)의 열을 냉각기판(463)으로 보다 효과적으로 전달할 수 있다.As shown in (b) of FIG. 7, the heat medium conduit T10 and the refrigerant medium conduit T20 are arranged vertically, but the cross section of the heat medium conduit T10 is triangular and the cross section of the refrigerant medium conduit T20 is reversed. By configuring in each form, it is possible to increase the opposite areas of the heat medium conduit (T10) and the refrigerant medium conduit (T20). Through the triangular cross-sectional structure of the heat medium conduit (T10) and the refrigerant medium conduit (T20), heat from the heating substrate (461) can be more effectively transferred to the cooling substrate (463).

도 7의 (c)와 같이, 열매체 관로(T10)와 냉매체 관로(T20)를 상하로 정배치하되, 열매체 관로(T10)의 단면을 하측이 절단된 반원 형태로 하고 냉매체 관로(T20)의 단면을 상측이 절단된 반원 형태로 구성하여, 열매체 관로(T10)와 냉매체 관로(T20)의 대향 면적을 증가시킬 수 있다. 이러한 열매체 관로(T10)와 냉매체 관로(T20)의 반원형 단면 구조를 통해, 가열기판(461)에서 냉각기판(463)으로 열을 보다 효과적으로 전달할 수 있다.As shown in FIG. 7 (c), the heat medium conduit T10 and the refrigerant medium conduit T20 are arranged vertically, but the cross section of the heat medium conduit T10 is cut into a semicircle with the lower side cut and the refrigerant medium conduit T20. By configuring the cross section of the upper side in a semi-circular shape, the opposite areas of the heat medium conduit (T10) and the refrigerant medium conduit (T20) can be increased. Through the semi-circular cross-sectional structure of the heat medium conduit (T10) and the refrigerant medium conduit (T20), heat can be more effectively transferred from the heating substrate (461) to the cooling substrate (463).

도 7의 (d)와 같이, 열매체 관로(T10)와 냉매체 관로(T20)를 상하로 정배치하되, 열매체 관로(T10)와 냉매체 관로(T20)의 단면을 모두 거의 사각 형태로 구성하여, 열매체 관로(T10)와 냉매체 관로(T20)의 대향 면적을 증가시킬 수 있다. 이러한 열매체 관로(T10)와 냉매체 관로(T20)의 사각형 단면 구조를 통해, 가열기판(461)의 열을 냉각기판(463)으로 좀더 효과적으로 전달할 수 있다.7 (d), the heat medium conduit (T10) and the refrigerant medium conduit (T20) are vertically arranged, but the cross sections of the heat medium conduit (T10) and the refrigerant medium conduit (T20) are all configured in a substantially square shape. , It is possible to increase the opposing areas of the heat medium conduit (T10) and the refrigerant medium conduit (T20). Through the rectangular cross-sectional structure of the heat medium conduit (T10) and the refrigerant medium conduit (T20), the heat of the heating substrate 461 can be more effectively transferred to the cooling substrate 463.

도 7의 (e),(f)와 같이, 가열기판(461)의 열을 냉각기판(463)으로 좀더 효과적으로 전달하기 위해, 열매체 관로(T10)와 냉매체 관로(T20)의 적어도 일부가 수평방향으로 겹쳐지는 형태로 구성할 수 있다. 이를 위해서는, 가열기판(461)이 냉각기판(463) 속으로 또는 냉각기판(463)이 가열기판(461 속으로 돌출, 즉 삽입되는 구조를 취할 수 있다.As shown in FIGS. 7 (e) and 7 (f), at least a portion of the heat medium conduit T10 and the refrigerant conduit T20 are horizontal in order to more effectively transfer the heat of the heating substrate 461 to the cooling substrate 463. It can be configured to overlap in the direction. To this end, the heating substrate 461 may have a structure in which the cooling substrate 463 is protruded into the cooling substrate 463 or the cooling substrate 463 is inserted into the heating substrate 461.

도 7의 (e)는 열매체 관로(T10)와 냉매체 관로(T20)를 삼각 형태로 상하 교차시키되, 열전달 효과를 높이기 위해 열매체 관로(T10)의 단면을 역삼각 형태로 하고 냉매체 관로(T20)의 단면을 삼각 형태로 구성하고 있다.7 (e), the heat medium conduit (T10) and the refrigerant medium conduit (T20) are vertically crossed in a triangular shape, but in order to increase the heat transfer effect, the cross section of the heat medium conduit (T10) is made into an inverted triangle and the refrigerant medium conduit (T20) ) Has a triangular cross section.

도 7의 (f)는 열매체 관로(T10)와 냉매체 관로(T20)를 곡선 형태로 상하 교차시키되, 열전달 효과를 높이기 위해 열매체 관로(T10)와 냉매체 관로(T20)의 단면을 장공 또는 타원 형태로 구성하고 있다.7 (f) crosses the heating medium conduit T10 and the refrigerant medium conduit T20 up and down in a curved form, but the cross sections of the heating medium conduit T10 and the refrigerant medium conduit T20 are elongated or ellipsoidal in order to increase the heat transfer effect. Form.

도 8은 본 발명에 따른 기판 온도조절 장치에서 증착기판 냉각용 보조 냉매체가 이동하는 제1 경로를 도시하고 있다.8 illustrates a first path in which the auxiliary refrigerant for cooling the deposited substrate moves in the substrate temperature control device according to the present invention.

도 8에 도시한 바와 같이, 증착기판(600)을 냉각시키는 보조 냉매체는 증착기판(600)으로 직접 공급할 수 있다. 이 경우, 보조 냉매체는 가열기판(461), 냉각기판(463) 및 마스크 캐리어(710)를 각각 상하로 관통하는 가열기판 유입홀, 냉각기판 유입홀 및 캐리어 유입홀을 통과하여 증착기판(600)으로 공급될 수 있다. 유입된 보조 냉매체는 캐리어 유출홀, 냉각기판 유출홀 및 가열기판 유출홀을 통해 외부로 배출될 수 있다. 가열기판 유입홀, 냉각기판 유입홀 및 캐리어 유입홀은 제1 수직축을 따라 배열되고, 가열기판 유출홀, 냉각기판 유출홀 및 캐리어 유출홀은 제1 수직축과 이격되는 제2 수직축을 따라 배열될 수 있다.As illustrated in FIG. 8, the auxiliary refrigerant body cooling the deposition substrate 600 may be directly supplied to the deposition substrate 600. In this case, the auxiliary refrigerant body passes through the heating substrate inlet hole, the cooling substrate inlet hole, and the carrier inlet hole through the heating substrate 461, the cooling substrate 463, and the mask carrier 710, respectively, and the deposition substrate 600 ). The introduced auxiliary refrigerant body may be discharged to the outside through a carrier outlet hole, a cooling substrate outlet hole, and a heating substrate outlet hole. The heating substrate inlet hole, the cooling substrate inlet hole, and the carrier inlet hole are arranged along the first vertical axis, and the heating substrate outlet hole, the cooling substrate outlet hole, and the carrier outlet hole may be arranged along the second vertical axis spaced apart from the first vertical axis. have.

도 9는 본 발명에 따른 기판 온도조절 장치에서 증착기판 냉각용 보조 냉매체가 이동하는 제2 경로를 도시하고 있다.9 illustrates a second path in which the auxiliary refrigerant for cooling the deposited substrate moves in the substrate temperature control device according to the present invention.

도 9와 같이, 보조 냉매체는 가열기판 유입홀, 냉각기판 유입홀 및 캐리어 유입홀을 통과하여 증착기판(600)으로 공급된 후, 캐리어 유출홀, 냉각기판 유출홀 및 가열기판 유출홀을 통해 배출하되, 가열기판 유출홀을 통해 배출되는 보조 냉매체를 냉각기판(463)의 냉매체 관로(T20)를 통해 외부로 배출할 수 있다. 이 경우, 보조 냉매체는 냉각기판(463)의 냉매체와 섞여 외부로 배출되거나 또는 냉각기판(463)를 냉각시키는 냉매체로 기능하게 할 수 있다. 여기서, 가열기판 유출홀을 통해 배출되는 보조 냉매체는 자전 기판부(450)를 거쳐 냉각기판(463)의 냉매체 관로(T20)로 이동하고, 이를 위해 자전 기판부(450)는 내부에 보조 냉매체 이동관로를 구비할 수 있다.As shown in FIG. 9, the auxiliary refrigerant is passed through the heating substrate inlet hole, the cooling substrate inlet hole, and the carrier inlet hole, and then supplied to the deposition substrate 600, through the carrier outlet hole, the cooling substrate outlet hole, and the heating substrate outlet hole. Although discharged, the auxiliary refrigerant body discharged through the heating substrate outlet hole may be discharged to the outside through the refrigerant body pipe T20 of the cooling substrate 463. In this case, the auxiliary refrigerant body may be mixed with the refrigerant body of the cooling substrate 463 to be discharged to the outside or function as a refrigerant body to cool the cooling substrate 463. Here, the auxiliary refrigerant body discharged through the heating substrate outlet hole moves through the rotating substrate portion 450 to the refrigerant body pipe T20 of the cooling substrate 463, and for this purpose, the rotating substrate portion 450 is assisted therein. It may be provided with a refrigerant flow path.

도 10은 본 발명에 따른 기판 온도조절 장치에서 증착기판 냉각용 보조 냉매체가 이동하는 제3 경로를 도시하고 있다.10 shows a third path in which the auxiliary refrigerant for cooling the deposited substrate moves in the substrate temperature control device according to the present invention.

도 10에 도시한 바와 같이, 보조 냉매체는 가열기판 유입홀, 냉각기판 유입홀 및 캐리어 유입홀을 통과하여 증착기판(600)으로 공급된 후, 캐리어 유출홀 및 냉각기판 유출홀을 통해 배출하되, 냉각기판 유출홀을 냉각기판(463)의 냉매체 관로(T20)와 연결하여 냉매체 관로(T20)를 통해 외부로 배출할 수 있다. 이 경우, 보조 냉매체는 냉각기판(463)의 냉매체와 섞여 외부로 배출되거나 또는 냉각기판(463)을 냉각시키는 냉매체로 기능하게 할 수 있다. 여기서, 냉각기판 유출홀은 냉각기판(463)을 상하로 관통하는 형태가 아닌 하방 개방과 상방 폐쇄의 반관통 유출홀일 수 있다. 냉각기판 유출홀 및 냉매체 관로(T20)를 통해 배출되는 보조 냉매체는 자전 기판부(450) 및 자전축(410)을 거쳐 외부로 배출될 수 있다. As illustrated in FIG. 10, the auxiliary refrigerant is supplied to the deposition substrate 600 through the heating substrate inlet hole, the cooling substrate inlet hole and the carrier inlet hole, and then discharged through the carrier outlet hole and the cooling substrate outlet hole. , The cooling substrate outlet hole may be connected to the refrigerant body pipeline T20 of the cooling substrate 463 to be discharged to the outside through the refrigerant body pipeline T20. In this case, the auxiliary refrigerant body may be mixed with the refrigerant body of the cooling substrate 463 to be discharged to the outside or function as a refrigerant body to cool the cooling substrate 463. Here, the cooling substrate outflow hole may be a semi-perforated outflow hole of downward opening and upward closing, not in a form that penetrates the cooling substrate 463 vertically. The cooling substrate outlet hole and the auxiliary refrigerant body discharged through the refrigerant body pipe T20 may be discharged to the outside through the rotating substrate portion 450 and the rotating shaft 410.

이상 본 발명을 여러 실시예에 기초하여 설명하였으나, 이는 본 발명을 예증하기 위한 것이다. 통상의 기술자라면, 이러한 실시예를 다양하게 변형하거나 수정할 수 있을 것이다. 그러나, 본 발명의 권리범위는 아래의 특허청구범위에 의해 정해지므로, 그러한 변형이나 수정은 본 발명의 권리범위에 포함되는 것으로 해석될 수 있다.The present invention has been described above based on various embodiments, but this is for illustrating the present invention. Those skilled in the art will be able to variously modify or modify these embodiments. However, since the scope of the present invention is defined by the following claims, such modifications or modifications may be interpreted as being included in the scope of the present invention.

100 : 챔버 110 : 돔 지지부
200 : 돔부 210 : 상부 돔부
220 : 하부 돔부 300 : 공전부
310 : 공전축 320 : 공전 모터
330 : 공전 프레임 340 : 승강 모터
350 : 승강 프레임 360 : 틸팅부
361 : 틸팅 모터 363 : 틸팅축
400 : 자전부 410 : 자전축
420 : 자전 모터 430 : 기판 고정부
431 : 클램프 프레임 433 : 클램프 팁
440 : 후드 450 : 자전 기판부
460 : 온도조절 기판 461 : 가열기판
462 : 열확산 방지판 463 : 냉각기판
464 : 열 전도판 500 : 도가니부
600 : 증착기판 700 : 기판 캐리어 모듈
710 : 마스크 캐리어 720 : 마스크
B : 자전 제어부 C : 미세 캐비티
H1 : 증착물 유입홀 H2 : 증착물 배출홀
H3 : 층착물 통과홀 H4 : 마스크 관통부
M10 : 캐리어 유입홀 M20 : 캐리어 유출홀
OR1~OR4 : 오링 R1 : 마스크 안착홈
R2 : 기판캐리어 지지홈 T10 : 열매체 관로
T11 : 열매체 유입관로 T12 : 열매체 유출관로
T20 : 냉매체 관로 T21 : 냉매체 유입관로
T22 : 냉매체 유출관로
100: chamber 110: dome support
200: dome 210: upper dome
220: lower dome portion 300: idle portion
310: revolution shaft 320: revolution motor
330: idle frame 340: elevating motor
350: lifting frame 360: tilting unit
361: Tilting motor 363: Tilting shaft
400: rotating part 410: rotating shaft
420: rotating motor 430: substrate fixing
431: clamp frame 433: clamp tip
440: hood 450: rotating substrate portion
460: temperature control board 461: heating substrate
462: thermal diffusion prevention plate 463: cooling substrate
464: heat conduction plate 500: crucible
600: deposition substrate 700: substrate carrier module
710: mask carrier 720: mask
B: Rotating control part C: Fine cavity
H1: Deposit inflow hole H2: Deposit discharge hole
H3: Laminate through hole H4: Mask penetration
M10: Carrier inlet hole M20: Carrier outlet hole
OR1 ~ OR4: O-ring R1: Mask seating groove
R2: Substrate carrier support groove T10: Heat medium channel
T11: Heat medium inlet pipe T12: Heat medium outlet pipe
T20: refrigerant body pipeline T21: refrigerant body inlet pipeline
T22: refrigerant flow outlet

Claims (11)

기판 온도조절 장치에 있어서,
상부는 자전축에 결합하여 선택적으로 자전하고, 하부에는 기판 캐리어 모듈이 선택적으로 결합하는 기판 캐리어 결합부를 갖는 자전 기판부; 및
상기 자전 기판부의 내부에 결합하고, 하부는 상기 기판 캐리어 모듈에 결합하여 상기 기판 캐리어 모듈을 가열 또는 냉각시키는 온도조절 기판을 포함하되,
상기 온도조절 기판은
내부에 열매체 관로를 갖는 가열기판; 및
상기 가열기판의 하부에 결합하고 내부에 냉매체 관로를 갖는 냉각기판을 포함하는, 기판 온도조절 장치.
In the substrate temperature control device,
The upper portion is rotated selectively coupled to the rotating shaft, the lower portion of the rotating substrate having a substrate carrier coupling portion to which the substrate carrier module is selectively coupled; And
It is coupled to the interior of the rotating substrate portion, the lower portion includes a temperature-controlled substrate for heating or cooling the substrate carrier module by being coupled to the substrate carrier module,
The temperature control substrate
A heating substrate having a heat medium channel therein; And
And a cooling substrate coupled to a lower portion of the heating substrate and having a refrigerant body passage therein.
제1항에 있어서, 상기 열매체 관로 또는 냉매체 관로는
열매체 또는 냉매체가 유입하는 나선형 유입관로와 열매체 또는 냉매체가 유출하는 나선형 유출관로를 가지되, 상기 나선형 유출관로는 상기 나선형 유입관로 사이에 삽입되는 이중 나선 구조를 갖는, 기판 온도조절 장치.
The method according to claim 1, wherein the heat medium conduit or the refrigerant medium conduit
A substrate temperature control device having a helical inlet pipe through which a heat medium or a refrigerant body flows and a helical outlet pipe through which a heat medium or a refrigerant body flows, wherein the spiral outlet pipe has a double helix structure inserted between the spiral inlet pipes.
제2항에 있어서,
상기 열매체 관로의 나선형 유입관로는 상기 냉매체 관로의 나선형 유입관로 상에 적층되고, 상기 열매체 관로의 나선형 유출관로는 상기 냉매체 관로의 나선형 유관로 상에 적층되는, 기판 온도조절 장치.
According to claim 2,
The spiral temperature inlet pipe of the heat medium pipe is laminated on the spiral inlet pipe of the refrigerant body pipe, and the spiral outlet pipe of the heat medium pipe is laminated on the spiral oil pipe of the refrigerant body pipe, the substrate temperature control device.
제1항에 있어서,
상기 기판 캐리어 모듈은 기판이 하부에 결합하는 마스크 캐리어를 포함하고,
상기 가열기판, 냉각기판 및 마스크 캐리어는 상하로 연통하는 가열기판 유입홀, 냉각기판 유입홀 및 캐리어 유입홀과 상기 가열기판 유입홀, 냉각기판 유입홀 및 캐리어 유입홀과 이격되어 상하로 연통하는 가열기판 유출홀, 냉각기판 유출홀 및 캐리어 유출홀을 각각 구비하고,
상기 가열기판 유입홀, 냉각기판 유입홀 및 캐리어 유입홀을 통해 보조 냉매체를 기판으로 유입시킨 후 상기 캐리어 유출홀, 냉각기판 유출홀 및 가열기판 유출홀을 통해 상기 보조 냉매체를 유출시키는, 기판 온도조절 장치.
According to claim 1,
The substrate carrier module includes a mask carrier to which the substrate is coupled,
The heating substrate, the cooling substrate and the mask carrier are vertically spaced apart from the heating substrate inlet hole, the cooling substrate inlet hole, and the carrier inlet hole, and the heating substrate inlet hole, the cooling substrate inlet hole, and the carrier inlet hole, which communicate vertically. Equipped with a substrate outlet hole, a cooling substrate outlet hole, and a carrier outlet hole, respectively.
After flowing the auxiliary refrigerant through the heating substrate inlet hole, the cooling substrate inlet hole and the carrier inlet hole into the substrate, the carrier outlet hole, the cooling substrate outlet hole and the heating substrate outlet hole through the auxiliary refrigerant body, the substrate Thermostat.
제4항에 있어서,
상기 가열기판 유입홀, 냉각기판 유입홀 및 캐리어 유입홀은 제1 수직축을 따라 배열되고,
상기 가열기판 유출홀, 냉각기판 유출홀 및 캐리어 유출홀은 상기 제1 수직축과 이격되는 제2 수직축을 따라 배열되는, 기판 온도조절 장치.
The method of claim 4,
The heating substrate inlet hole, the cooling substrate inlet hole and the carrier inlet hole are arranged along the first vertical axis,
The heating substrate outlet hole, the cooling substrate outlet hole and the carrier outlet hole are arranged along a second vertical axis spaced apart from the first vertical axis, the substrate temperature control device.
제4항 또는 제5항에 있어서, 상기 캐리어 유출홀, 냉각기판 유출홀 및 가열기판 유출홀을 통해 유출하는 상기 보조 냉매체는
상기 냉각기판의 냉매체 관로를 통해 외부로 배출되는, 기판 온도조절 장치.
According to claim 4 or 5, wherein the carrier outlet hole, the cooling substrate outlet hole and the auxiliary refrigerant flowing out through the heating substrate outlet hole is
The substrate temperature control device, which is discharged to the outside through the refrigerant body pipe of the cooling substrate.
제1항에 있어서,
상기 기판 캐리어 모듈은 기판이 하부에 결합하는 마스크 캐리어를 포함하고,
상기 가열기판, 냉각기판 및 마스크 캐리어는 상하로 연통하는 가열기판 유입홀, 냉각기판 유입홀 및 캐리어 유입홀을 각각 구비하고,
상기 마스크 캐리어는 상기 캐리어 유입홀과 이격되어 상하로 연통하는 캐리어 유출홀을 구비하며,
상기 냉각기판은 상기 냉각기판 유입홀과 이격되고 하방 개방과 상방 폐쇄의 반관통 형태로 구성되어 하단에서 상기 냉매체 관로까지 연통하고 하방은 상기 캐리어 유출홀과 연통하는 냉각기판 유출홀을 구비하여,
상기 가열기판 유입홀, 냉각기판 유입홀 및 캐리어 유입홀을 통해 보조 냉매체를 기판으로 유입시킨 후 상기 캐리어 유출홀 및 냉각기판 유출홀을 통해 상기 보조 냉매체를 유출시키되, 상기 캐리어 유출홀 및 냉각기판 유출홀로부터 유출하는 상기 보조 냉매체는 상기 냉각기판의 냉매체 관로를 통해 외부로 배출되는, 기판 온도조절 장치.
According to claim 1,
The substrate carrier module includes a mask carrier to which the substrate is coupled,
The heating substrate, the cooling substrate and the mask carrier are provided with a heating substrate inlet hole, a cooling substrate inlet hole and a carrier inlet hole, respectively, which communicate vertically,
The mask carrier is provided with a carrier outlet hole spaced apart from the carrier inlet hole to communicate up and down,
The cooling substrate is spaced apart from the cooling substrate inlet hole, and is configured in a semi-penetrating form of downward opening and upward closing to communicate with the refrigerant body channel from the bottom, and the lower side has a cooling substrate outlet hole communicating with the carrier outlet hole,
The auxiliary refrigerant is introduced into the substrate through the heating substrate inlet hole, the cooling substrate inlet hole and the carrier inlet hole, and then the auxiliary refrigerant body is discharged through the carrier outlet hole and the cooling substrate outlet hole, and the carrier outlet hole and cooling The auxiliary refrigerant flowing out from the substrate outlet hole is discharged to the outside through the refrigerant body conduit of the cooling substrate, the substrate temperature control device.
제1항에 있어서,
상기 가열기판 상부에 열확산 방지판을 포함하는, 기판 온도조절 장치.
According to claim 1,
A substrate temperature control device comprising a heat diffusion prevention plate on the heating substrate.
제1항 또는 제8항에 있어서,
상기 가열기판과 상기 냉각기판 사이에 열 전도판을 포함하는, 기판 온도조절 장치.
The method of claim 1 or 8,
And a heat conduction plate between the heating substrate and the cooling substrate.
제1항에 있어서, 상기 열매체 관로 또는 냉매체 관로는
원형, 반원형, 타원형, 삼각형, 사각형, 장공형 중에서 선택되는 단면 형상을 갖는, 기판 온도조절 장치.
The method according to claim 1, wherein the heat medium conduit or the refrigerant medium conduit
A substrate temperature control device having a cross-sectional shape selected from circular, semicircular, oval, triangular, square, and long hole shapes.
제1항에 있어서,
상기 가열기판이 상기 냉각기판 속으로 또는 상기 냉각기판이 상기 가열기판 속으로 돌출하여, 상기 열매체 관로와 상기 냉매체 관로의 적어도 일부가 수평방향으로 겹치는, 기판 온도조절 장치.
According to claim 1,
A substrate temperature control device, wherein the heating substrate protrudes into the cooling substrate or the cooling substrate protrudes into the heating substrate such that at least a portion of the heat medium conduit and the refrigerant conduit overlap horizontally.
KR1020180124992A 2018-10-19 2018-10-19 Apparatus for Adjusting Substrate Temperature KR102109436B1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020180124992A KR102109436B1 (en) 2018-10-19 2018-10-19 Apparatus for Adjusting Substrate Temperature

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020180124992A KR102109436B1 (en) 2018-10-19 2018-10-19 Apparatus for Adjusting Substrate Temperature

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20200044360A KR20200044360A (en) 2020-04-29
KR102109436B1 true KR102109436B1 (en) 2020-05-12

Family

ID=70466727

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020180124992A KR102109436B1 (en) 2018-10-19 2018-10-19 Apparatus for Adjusting Substrate Temperature

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR102109436B1 (en)

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100782522B1 (en) 2003-09-05 2007-12-06 신메이와 인더스트리즈,리미티드 Vacuum film forming method and device
JP2009114517A (en) 2007-11-08 2009-05-28 Seiko Epson Corp Vapor deposition apparatus, vapor deposition method, and method of manufacturing organic el apparatus

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101288307B1 (en) * 2011-05-31 2013-07-22 주성엔지니어링(주) Evaporation deposition apparatus and evaporation deposition method using the smae
CN104233195B (en) * 2014-08-28 2017-02-08 京东方科技集团股份有限公司 Evaporation equipment and evaporation method

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100782522B1 (en) 2003-09-05 2007-12-06 신메이와 인더스트리즈,리미티드 Vacuum film forming method and device
JP2009114517A (en) 2007-11-08 2009-05-28 Seiko Epson Corp Vapor deposition apparatus, vapor deposition method, and method of manufacturing organic el apparatus

Also Published As

Publication number Publication date
KR20200044360A (en) 2020-04-29

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6119060B2 (en) Thermal reactor with improved gas flow distribution
US10529597B2 (en) Heater elements with enhanced cooling
CN100476331C (en) Heating apparatus, coating and development apparatus, and heating method
JP5544669B2 (en) Gas injection unit and thin film deposition apparatus and method using the same
KR101719444B1 (en) Substrate support device
TW201944529A (en) Ceramic wafer heater with integrated pressurized helium cooling
CN104278253A (en) Chemical deposition apparatus having conductance control
TWI600787B (en) Methods and apparatus for delivering process gases to a substrate
CN100398696C (en) Emissivity-change-free pumping plate kit in a single wafer chamber
JP6875386B2 (en) CVD equipment
TW201829808A (en) Measurement assembly for measuring a deposition rate, evaporation source, deposition apparatus, and method therefor
TW201944531A (en) Ceramic wafer heater having cooling channels with minimum fluid drag
TW201726566A (en) Glass manufacturing apparatuses with cooling devices and methods of using the same
KR101753758B1 (en) Vaporizer and substrate disposition apparatus including the same
JPH10280150A (en) Device for treating substrate to be treated
KR101535547B1 (en) Substrate processing apparatus
KR20210067929A (en) Brine supply temperature control system for semiconductor process equipment
WO2019127675A1 (en) Cooling system and evaporator
KR102109436B1 (en) Apparatus for Adjusting Substrate Temperature
CN106796871A (en) Cellular multizone gas distribution plate
KR102109435B1 (en) Substrate-Carrying Module for Controlling Substrate Temperature
CN105074884A (en) Apparatus for processing substrate
KR101218569B1 (en) Apparatus for depositing thin film
TWI833789B (en) Substrate processing method and substrate processing device
JP2019064701A (en) Storage tank and temperature control device

Legal Events

Date Code Title Description
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant