KR102099938B1

KR102099938B1 - Ultraviolet light-emitting device

Info

Publication number: KR102099938B1
Application number: KR1020190037939A
Authority: KR
Inventors: 송현돈; 홍이랑
Original assignee: 엘지이노텍 주식회사
Priority date: 2019-04-01
Filing date: 2019-04-01
Publication date: 2020-05-26
Also published as: KR20190038782A

Abstract

실시 예는 다수의 수직 구조물과 다수의 수평 구조물에 의해 활성층의 측면의 볼륨을 극대화시켜, 자외선 광의 대부분을 차지하고 측방향으로 진행되는 광을 최대한 활성층의 측방향으로 외부로 추출할 수 있는 자외선 발광소자를 개시한다.The embodiment maximizes the volume of the side of the active layer by a plurality of vertical structures and a plurality of horizontal structures, which occupies most of the ultraviolet light and can extract light traveling in the lateral direction to the outside of the active layer as much as possible. Disclosed.

Description

자외선 발광 소자{Ultraviolet light-emitting device}Ultraviolet light-emitting device

실시예는 자외선 발광 소자에 관한 것이다.The embodiment relates to an ultraviolet light emitting device.

발광 다이오드(Light-Emitting Diode: LED)는 전류를 빛으로 변환시키는 반도체 발광 소자이다. A light-emitting diode (LED) is a semiconductor light-emitting device that converts current into light.

반도체 발광 소자는 고 휘도를 갖는 광을 얻을 수 있어, 디스플레이용 광원, 자동차용 광원 및 조명용 광원으로 폭넓게 사용되고 있다.Since the semiconductor light emitting device can obtain light having high luminance, it is widely used as a light source for a display, a light source for a vehicle, and a light source for illumination.

최근 들어, 자외선을 출력할 수 있는 자외선 발광 소자가 제안되었다.Recently, an ultraviolet light emitting device capable of outputting ultraviolet light has been proposed.

자외선 광은 자외선 발광 소자의 외부로 출사되기도 하지만, 많은 양의 자외선 광이 외부로 출사되지 못하고 자외선 발광 소자 내부에서 흡수되거나 소멸되므로, 광 추출 효율이 낮은 문제가 있다. Although ultraviolet light is also emitted to the outside of the ultraviolet light emitting device, a large amount of ultraviolet light is not emitted to the outside, but is absorbed or extinguished inside the ultraviolet light emitting device, and thus there is a problem of low light extraction efficiency.

자외선 광의 대부분은 활성층의 면을 따라 측방향으로 진행하는 TM 편광이다. Most of the ultraviolet light is TM polarized light traveling laterally along the surface of the active layer.

하지만, 자외선 발광 소자의 측면의 사이즈 제한으로 인해 TM 편광의 외부로 출사시키는 볼륨(volume)에 한계가 있다. However, due to the size limitation of the side surface of the ultraviolet light emitting device, there is a limit to the volume (volume) emitted to the outside of the TM polarization.

아울러, 플립형 자외선 발광 소자의 경우, 그 구조적인 제약으로 인해 전류의 집중으로 인해 균일한 광 효율을 얻기가 어렵다.In addition, in the case of a flip-type ultraviolet light emitting device, it is difficult to obtain uniform light efficiency due to concentration of electric current due to its structural limitation.

실시예는 발광 구조물의 측면의 볼륨을 극대화하여, 광 추출 효율을 향상시킬 수 있는 자외선 발광 소자를 제공한다.The embodiment maximizes the volume of the side surface of the light emitting structure, and provides an ultraviolet light emitting device capable of improving light extraction efficiency.

실시예는 전류의 집중을 분산시켜, 균일한 광 효율을 얻을 수 있는 자외선 발광 소자를 제공한다.The embodiment provides an ultraviolet light emitting device capable of dispersing the concentration of electric current and obtaining uniform light efficiency.

본 발명의 일 특징에 따른 자외선 발광소자는, 기판; 상기 기판 상에 배치되고, 제1 도전형 반도체층, 상기 제1 도전형 반도체층 상에 배치되는 활성층, 및 상기 활성층 상에 배치되는 제2 도전형 반도체층을 포함하는 발광 구조물; 상기 제1 도전형 반도체층과 접촉하는 제1 전극; 및 상기 제2 도전형 반도체층과 접촉하는 제2 전극을 포함하고, 상기 제1 도전형 반도체층, 상기 활성층, 및 상기 제2 도전형 반도체층은 각각 알루미늄을 포함하고, 상기 활성층은 자외선 광을 방출하고, 상기 기판은 제1 방향을 따라 서로 마주보는 일단과 타단을 포함하고, 상기 제2 전극은 상기 제1 방향을 따라 서로 마주보는 일단과 타단을 포함하고, 상기 제2 전극의 타단에서 제2 전극의 일단을 향하는 방향으로 오목한 제1 그루브와 제3 그루브, 및 상기 제2 전극의 일단에서 상기 제2 전극의 타단을 향하여 오목하고 상기 제1 그루브와 상기 제3 그루브 사이에 위치한 제2 그루브를 포함하고, 상기 제1 그루브, 상기 제2 그루브, 및 상기 제3 그루브는 각각 상기 제1 방향에 수직한 제2 방향으로 서로 이격되고, 상기 제1 전극은 상기 제1 그루브에 배치된 제1 연장부, 상기 제2 그루브에 배치된 제2 연장부, 상기 제3 그루브에 배치된 제3 연장부, 및 상기 제1 방향에 수직한 제2 방향을 따라 연장되는 연결 전극을 포함하고, 상기 연결 전극은 상기 제2 전극의 일단과 상기 기판의 일단 사이에 배치된 제1 연결 전극, 및 상기 제2 전극의 타단과 상기 기판의 타단 사이에 배치된 제2 연결 전극을 포함하고, 상기 제1 연결 전극은 상기 제2 연장부와 접촉하고, 상기 제2 연결 전극은 상기 제1 연장부, 및 상기 제3 연장부와 접촉하고, 상기 제2 전극은 상기 제1 방향을 따라 연장되는 수평부, 및 상기 제2 방향을 따라 연장되는 수직부를 포함하고, 상기 제2 연결 전극의 상기 제1 방향의 폭은 상기 제2 전극의 수직부의 상기 제1 방향의 폭보다 크다.
상기 발광 구조물은 상기 제1 방향으로 연장된 복수의 수평 구조물, 및 상기 제2 방향으로 연장된 복수의 수직 구조물을 포함하고, 상기 복수의 수평 구조물은 제1 수평 구조물, 제2 수평 구조물, 제3 수평 구조물, 및 제4 수평 구조물을 포함하고, 상기 복수의 수평 구조물은 각각 제1 방향으로 마주보는 일단 및 타단을 포함하고, 상기 복수의 수직 구조물은 상기 수평 구조물의 일단 사이에 배치된 제1 수직 구조물과 제3 수직 구조물, 및 상기 수평 구조물의 타단 사이에 배치된 제2 수직 구조물을 포함할 수 있다.
상기 제1 수직 구조물은 상기 제1 수평 구조물의 일단과 상기 제2 수평 구조물의 일단 사이에 배치되고, 상기 제2 수직 구조물은 상기 제2 수평 구조물의 타단과 상기 제3 수평 구조물의 타단 사이에 배치되고, 상기 제3 수직 구조물은 상기 제3 수평 구조물의 일단과 상기 제4 수평 구조물의 일단 사이에 배치될 수 있다.
상기 제1 수직 구조물은 상기 제1 수평 구조물 및 상기 제2 수평 구조물과 연결되고, 상기 제2 수직 구조물은 상기 제2 수평 구조물 및 상기 제3 수평 구조물과 연결되고, 상기 제3 수직 구조물은 상기 제3 수평 구조물 및 상기 제4 수평 구조물과 연결될 수 있다.
상기 제1 내지 제4 수평 구조물은 각각 상기 제1 방향의 제1 내지 제4 폭을 갖고, 상기 제1 내지 제3 수직 구조물은 각각 상기 제1 방향의 제5 내지 제7 폭을 갖고, 상기 제1 내지 제4 폭은 각각 상기 제1 내지 제4 수평 구조물의 제1 방향 최대폭이고, 상기 제5 내지 제7 폭은 각각 상기 제1 내지 제3 수직 구조물의 제1 방향 최대폭일 수 있다.
상기 제1 내지 제4 폭은 서로 같고, 상기 제5 내지 제7 폭은 서로 같을 수 있다.
상기 제1 내지 제4 폭은 상기 제5 내지 제7 폭보다 클 수 있다.
상기 제1 내지 제4 수평 구조물은 상기 제2 방향의 최대폭을 갖고, 상기 제5 내지 제7 폭은 상기 제1 내지 제4 수평 구조물의 제2 방향의 최대 폭과 같을 수 있다.
상기 제1 및 제3 연장부는 상기 제1 및 제3 수직 구조물과 각각 상기 제1 방향으로 이격되고, 상기 제2 수직 구조물과 상기 제2 방향으로 중첩될 수 있다.
상기 제2 연장부는 상기 제2 수직 구조물과 상기 제1 방향으로 이격되고, 상기 제1 및 제3 수직 구조물과 상기 제2 방향으로 중첩될 수 있다.
상기 제1 연장부와 상기 제1 수평 구조물 사이의 제1 최소 거리, 상기 제1 연장부와 상기 제2 수평 구조물 사이의 제2 최소 거리, 상기 제2 연장부와 상기 제2 수평 구조물 사이의 제3 최소 거리, 상기 제2 연장부와 상기 제3 수평 구조물 사이의 제4 최소 거리, 상기 제3 연장부와 상기 제3 수평 구조물 사이의 제5 최소 거리, 상기 제3 연장부와 상기 제4 수평 구조물 사이의 제6 최소 거리를 포함하고, 상기 제1 내지 제6 최소 거리는 상기 제2 방향의 거리이고, 상기 제1 내지 제6 최소 거리는 5 ㎛ 내지 20 ㎛일 수 있다.
상기 제1 내지 제6 최소 거리는 모두 같을 수 있다.
상기 복수의 수평 구조물은 상기 자외선 광의 TM 편광의 광 추출 효율이 증가되도록 발광구조물의 측면의 볼륨을 증가시키기 위해서 복수 개로 분리될 수 있다.
본 발명의 다른 실시 예에 따른 발광소자는, 기판; 상기 기판 상에 배치되고 제1 도전형 반도체층, 제2 도전형 반도체층 및 상기 제1 도전형 반도체층과 상기 제2 도전형 반도체층 사이에 배치되는 활성층을 포함하는 발광 구조물; 상기 제1 도전형 반도체층과 전기적으로 연결되는 제1 전극; 및 상기 제2 도전형 반도체층과 전기적으로 연결된 제2 전극; 을 포함하고, 상기 제1 도전형 반도체층, 상기 활성층, 및 상기 제2 도전형 반도체층은 각각 알루미늄을 포함하고, 상기 활성층은 자외선 광을 생성하고, 상기 기판은 제1 방향을 따라 서로 마주보는 일단 및 타단을 포함하고, 상기 제2 전극은, 상기 제1 방향을 따라 서로 마주보는 일단과 타단을 각각 포함하는 제1 내지 제4 수평 전극, 상기 제1 수평 전극의 일단과 상기 제2 수평 전극의 일단 사이에 배치되고, 상기 제1 방향에 수직한 제2 방향으로 연장된 제1 수직 전극, 상기 제2 수평 전극의 타단과 상기 제3 수평 전극의 타단 사이에서 상기 제2 방향을 따라 연장된 제2 수직 전극, 및 상기 제3 수평 전극의 일단과 상기 제4 수평 전극의 일단 사이에서 상기 제2 방향을 따라 연장된 제3 수직 전극을 포함하고, 상기 제1 내지 제4 수평 전극의 일단은 상기 기판의 일단과 인접하고, 상기 제1 내지 제4 수평 전극의 타단은 상기 기판의 타단과 인접하고, 상기 제1 전극은, 상기 제1 수평 전극과 상기 제2 수평 전극 사이 영역에 배치된 제1 부, 상기 제2 수평 전극과 상기 제3 수평 전극 사이 영역에 배치된 제2 부, 상기 제3 수평 전극과 상기 제4 수평 전극 사이 영역에 배치된 제3 부, 및 상기 제1 부 및 제3 부와 접촉하고, 상기 제2 방향으로 연장되는 연결 전극을 포함하고, 상기 제1 부는 상기 제1 수평 전극의 타단과 상기 제2 수평 전극의 타단 사이 영역에서 상기 제1 수직 전극을 향하여 연장되고, 상기 제2 부는 상기 제2 수평 전극의 일단과 상기 제3 수평 전극의 일단 사이 영역에서 상기 제2 수직 전극을 향하여 연장되고, 상기 제3 부는 상기 제3 수평 전극의 타단과 상기 제4 수평 전극의 타단 사이 영역에서 상기 제3 수직 전극을 향하여 연장되고, 상기 연결 전극은 상기 제1 내지 제4 수평 전극의 타단과 상기 기판의 타단 사이에 배치되고, 상기 연결 전극의 제1 방향 폭은 상기 제1 내지 제3 수직 전극의 제1 방향 폭보다 넓을 수 있다.
상기 제1 내지 제4 수평 전극은 각각 상기 제1 방향의 제1 내지 제4 폭을 갖고, 상기 제1 내지 제3 수직 전극은 각각 상기 제1 방향의 제5 내지 제7 폭을 갖고, 상기 제1 내지 제4 폭은 각각 상기 제1 내지 제4 수평 전극의 제1 방향 최대폭이고, 상기 제5 내지 제7 폭은 각각 상기 제1 내지 제3 수직 전극의 제1 방향 최대폭이고, 상기 제1 내지 제4 폭은 서로 같고, 상기 제5 내지 제7 폭은 서로 같을 수 있다.
상기 제1 내지 제4 폭은 상기 제5 내지 제7 폭 보다 클 수 있다.
상기 제1 내지 제4 수평 전극은 상기 제2 방향의 최대폭을 갖고, 상기 제5 내지 제7 폭은 상기 제1 내지 제4 수평 전극의 제2 방향의 최대 폭과 같을 수 있다.
상기 제1 및 제3 부는 상기 제1 및 제3 수직 전극과 각각 상기 제1 방향으로 이격되고, 상기 제2 수직 전극과 상기 제2 방향으로 중첩되고, 상기 제2 부는 상기 제2 수직 전극과 상기 제1 방향으로 이격되고, 상기 제1 및 제3 수직 전극과 상기 제2 방향으로 중첩될 수 있다.
상기 발광 구조물은 상기 제1 도전형 반도체층 상에 배치되고 상기 활성층과 상기 제2 도전형 반도체층을 포함하는 발광부를 포함하고, 상기 발광부는, 상기 제1 방향을 따라 배치된 제1 수평 발광부, 제2 수평 발광부, 제3 수평 발광부, 제4 수평 발광부, 상기 제1 수평 발광부와 상기 제2 수평 발광부 사이에 배치된 제1 수직 발광부, 상기 제2 수평 발광부와 상기 제3 수평 발광부 사이에 배치된 제2 수평 발광부, 및 상기 제3 수평 발광부와 상기 제4 수평 발광부 사이에 배치된 제3 수직 발광부를 포함하고, 상기 제1 내지 제4 수평 발광부는 각각 상기 제1 방향으로 마주보는 일단과 타단을 포함하고, 상기 제1 수직 발광부는 상기 제1 수평 발광부의 일단과 상기 제2 수평 발광부의 일단 사이에 배치되고, 상기 제2 수직 발광부는 상기 제2 수평 발광부의 타단과 상기 제3 수평 발광부의 타단 사이에 배치되고, 상기 제3 수직 발광부는 상기 제3 수평 발광부의 일단과 상기 제4 수평 발광부의 일단 사이에 배치되고, 상기 제1 내지 제4 수평 전극은 상기 제1 내지 제4 수평 발광부 상에 각각 배치되고, 상기 제1 내지 제4 수직 전극은 상기 제1 내지 제4 수직 발광부 상에 각각 배치되고, 상기 제1 내지 제4 수평 발광부는 상기 자외선 광의 TM 편광의 광 추출 효율이 증가되도록 발광구조물의 측면의 볼륨을 증가시키기 위해서 복수 개로 분리될 수 있다.
상기 제1 내지 제3 수직 발광부는 각각 상기 제1 방향의 일단, 상기 일단과 마주보는 타단을 포함하고, 상기 제1 수직 발광부의 일단과 상기 제1 및 제2 수평 발광부의 일단은 동일 평면 상에 위치하고, 상기 제2 수직 발광부의 타단과 상기 제2 및 제3 수평 발광부의 타단은 동일 평면 상에 위치하고, 상기 제3 수직 발광부의 일단과 상기 제3 및 제4 수평 발광부의 일단은 동일 평면 상에 위치할 수 있다.An ultraviolet light emitting device according to an aspect of the present invention, the substrate; A light emitting structure disposed on the substrate and including a first conductivity type semiconductor layer, an active layer disposed on the first conductivity type semiconductor layer, and a second conductivity type semiconductor layer disposed on the active layer; A first electrode in contact with the first conductivity type semiconductor layer; And a second electrode in contact with the second conductivity type semiconductor layer, wherein the first conductivity type semiconductor layer, the active layer, and the second conductivity type semiconductor layer each include aluminum, and the active layer emits ultraviolet light. The substrate, the substrate includes one end and the other end facing each other along the first direction, and the second electrode includes one end and the other end facing each other along the first direction, and a second end from the other end of the second electrode. A first groove and a third groove that are concave in the direction toward one end of the second electrode, and a second groove that is concave toward the other end of the second electrode at one end of the second electrode and is located between the first groove and the third groove The first groove, the second groove, and the third groove are spaced apart from each other in a second direction perpendicular to the first direction, and the first electrode is the first electrode disposed in the first groove. An extension portion, a second extension portion disposed in the second groove, a third extension portion disposed in the third groove, and a connection electrode extending in a second direction perpendicular to the first direction, the connection The electrode includes a first connection electrode disposed between one end of the second electrode and one end of the substrate, and a second connection electrode disposed between the other end of the second electrode and the other end of the substrate, and the first connection An electrode contacts the second extension, the second connection electrode contacts the first extension, and the third extension, and the second electrode extends along the first direction, and It includes a vertical portion extending along the second direction, the width of the first direction of the second connection electrode is greater than the width of the first direction of the vertical portion of the second electrode.
The light emitting structure includes a plurality of horizontal structures extending in the first direction, and a plurality of vertical structures extending in the second direction, wherein the plurality of horizontal structures includes a first horizontal structure, a second horizontal structure, and a third A horizontal structure, and a fourth horizontal structure, wherein each of the plurality of horizontal structures includes one end and the other end facing in a first direction, and the plurality of vertical structures is a first vertical disposed between one end of the horizontal structure. It may include a structure and a third vertical structure, and a second vertical structure disposed between the other ends of the horizontal structure.
The first vertical structure is disposed between one end of the first horizontal structure and one end of the second horizontal structure, and the second vertical structure is disposed between the other end of the second horizontal structure and the other end of the third horizontal structure. The third vertical structure may be disposed between one end of the third horizontal structure and one end of the fourth horizontal structure.
The first vertical structure is connected to the first horizontal structure and the second horizontal structure, the second vertical structure is connected to the second horizontal structure and the third horizontal structure, and the third vertical structure is the first It can be connected to the 3 horizontal structure and the 4th horizontal structure.
The first to fourth horizontal structures each have first to fourth widths in the first direction, and the first to third vertical structures have fifth to seventh widths in the first direction, respectively. The first to fourth widths may be maximum widths of the first to fourth horizontal structures, respectively, and the fifth to seventh widths may be maximum widths of the first to third vertical structures, respectively.
The first to fourth widths may be the same, and the fifth to seventh widths may be the same.
The first to fourth widths may be greater than the fifth to seventh widths.
The first to fourth horizontal structures may have a maximum width in the second direction, and the fifth to seventh widths may be the same as the maximum width in the second direction of the first to fourth horizontal structures.
The first and third extensions may be spaced apart from the first and third vertical structures in the first direction, respectively, and may overlap the second vertical structure and the second direction.
The second extension part may be spaced apart from the second vertical structure in the first direction, and may overlap the first and third vertical structures in the second direction.
A first minimum distance between the first extension and the first horizontal structure, a second minimum distance between the first extension and the second horizontal structure, and a second distance between the second extension and the second horizontal structure. 3 minimum distance, fourth minimum distance between the second extension and the third horizontal structure, fifth minimum distance between the third extension and the third horizontal structure, and the third extension and the fourth horizontal A sixth minimum distance between structures may be included, the first to sixth minimum distances may be distances in the second direction, and the first to sixth minimum distances may be 5 μm to 20 μm.
The first to sixth minimum distances may be the same.
The plurality of horizontal structures may be separated into a plurality to increase the volume of the side surface of the light emitting structure so that the light extraction efficiency of TM polarization of the ultraviolet light is increased.
A light emitting device according to another embodiment of the present invention, the substrate; A light emitting structure disposed on the substrate and including a first conductivity type semiconductor layer, a second conductivity type semiconductor layer, and an active layer disposed between the first conductivity type semiconductor layer and the second conductivity type semiconductor layer; A first electrode electrically connected to the first conductivity type semiconductor layer; And a second electrode electrically connected to the second conductivity type semiconductor layer. The first conductive semiconductor layer, the active layer, and the second conductive semiconductor layer each include aluminum, the active layer generates ultraviolet light, and the substrates face each other along the first direction. First to fourth horizontal electrodes including one end and the other end, the second electrode including one end and the other end facing each other along the first direction, and one end and the second horizontal electrode of the first horizontal electrode A first vertical electrode disposed between the ends of the first and extending in a second direction perpendicular to the first direction, extending along the second direction between the other end of the second horizontal electrode and the other end of the third horizontal electrode A second vertical electrode, and a third vertical electrode extending in the second direction between one end of the third horizontal electrode and one end of the fourth horizontal electrode, and one end of the first to fourth horizontal electrodes Adjacent to one end of the substrate, the other end of the first to fourth horizontal electrode is adjacent to the other end of the substrate, the first electrode, the first horizontal electrode and the second horizontal electrode disposed in the region 1 part, a second part disposed in a region between the second horizontal electrode and the third horizontal electrode, a third part disposed in a region between the third horizontal electrode and the fourth horizontal electrode, and the first part and the first A third contact, and including a connecting electrode extending in the second direction, wherein the first part extends toward the first vertical electrode in a region between the other end of the first horizontal electrode and the other end of the second horizontal electrode , The second portion extends toward the second vertical electrode in a region between one end of the second horizontal electrode and one end of the third horizontal electrode, and the third portion is the other end of the third horizontal electrode and the fourth horizontal electrode In the region between the other ends of the extending toward the third vertical electrode, the connecting electrode is disposed between the other end of the first to fourth horizontal electrode and the other end of the substrate, the width of the first direction of the connecting electrode is the first Wider than the first direction width of the first to third vertical electrodes Can be.
The first to fourth horizontal electrodes each have first to fourth widths in the first direction, and the first to third vertical electrodes have fifth to seventh widths in the first direction, respectively. The first to fourth widths are maximum widths in the first direction of the first to fourth horizontal electrodes, and the fifth to seventh widths are maximum widths in the first direction to the first to third vertical electrodes, respectively. The fourth width may be the same, and the fifth to seventh widths may be the same.
The first to fourth widths may be greater than the fifth to seventh widths.
The first to fourth horizontal electrodes may have a maximum width in the second direction, and the fifth to seventh widths may be the same as the maximum width in the second direction of the first to fourth horizontal electrodes.
The first and third parts are spaced apart from the first and third vertical electrodes in the first direction, respectively, and overlapped with the second vertical electrodes in the second direction, and the second parts are the second vertical electrodes and the It may be spaced apart in the first direction, and may overlap the first and third vertical electrodes in the second direction.
The light emitting structure includes a light emitting unit disposed on the first conductive type semiconductor layer and including the active layer and the second conductive type semiconductor layer, and the light emitting unit includes a first horizontal light emitting unit disposed in the first direction. , A second horizontal light emitting unit, a third horizontal light emitting unit, a fourth horizontal light emitting unit, a first vertical light emitting unit disposed between the first horizontal light emitting unit and the second horizontal light emitting unit, the second horizontal light emitting unit and the A second horizontal light emitting part disposed between the third horizontal light emitting part and a third vertical light emitting part arranged between the third horizontal light emitting part and the fourth horizontal light emitting part, wherein the first to fourth horizontal light emitting parts Each of which includes one end and the other end facing the first direction, the first vertical light emitting unit is disposed between one end of the first horizontal light emitting unit and one end of the second horizontal light emitting unit, the second vertical light emitting unit is the second It is disposed between the other end of the horizontal light emitting unit and the other end of the third horizontal light emitting unit, the third vertical light emitting unit is disposed between one end of the third horizontal light emitting unit and one end of the fourth horizontal light emitting unit, the first to fourth horizontal Electrodes are respectively disposed on the first to fourth horizontal light emitting units, and the first to fourth vertical electrodes are respectively disposed on the first to fourth vertical light emitting units, and the first to fourth horizontal light emitting units are respectively In order to increase the light extraction efficiency of the TM polarization of the ultraviolet light, a plurality of side surfaces may be separated to increase the volume of the light emitting structure.
Each of the first to third vertical light emitting units includes one end in the first direction and the other end facing the one end, and one end of the first vertical light emitting unit and one end of the first and second horizontal light emitting units are on the same plane. Located, the other end of the second vertical light emitting unit and the other end of the second and third horizontal light emitting units are located on the same plane, and one end of the third vertical light emitting unit and one end of the third and fourth horizontal light emitting units are on the same plane Can be located.

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실시예는 종래의 전류 집중을 분산시켜 전류 스프레딩 효과를 얻을 수 있고, 이러한 전류 스프레딩 효과에 의해 균일한 광 효율을 얻을 수 있다.In the embodiment, the current spreading effect can be obtained by dispersing the current concentration, and uniform light efficiency can be obtained by the current spreading effect.

실시예는 다수의 수직 구조물과 다수의 수평 구조물에 의해 활성층의 측면의 볼륨을 극대화시켜, 자외선 광의 대부분을 차지하고 측방향으로 진행되는 광을 최대한 활성층의 측방향으로 외부로 추출되도록 하여, 광 추출 효율을 현저히 향상시킬 수 있다. The embodiment maximizes the volume of the side of the active layer by a plurality of vertical structures and a plurality of horizontal structures, so that light that occupies most of the ultraviolet light and proceeds in the lateral direction is extracted to the outside in the lateral direction of the active layer as much as possible, and the light extraction efficiency Can be significantly improved.

실시예는 제1 수평 전극 라인과 수평 구조물 사이의 간격을 5㎛ 내지 15㎛가 되도록 설정함으로써, 전류 스프레딩 효과를 증대시켜 보다 균일한 광 효율을 얻을 수 있다. In the embodiment, by setting the distance between the first horizontal electrode line and the horizontal structure to be 5 μm to 15 μm, the current spreading effect can be increased to obtain more uniform light efficiency.

도 1은 제1 실시예에 따른 플립형 자외선 발광 소자를 도시한 평면도이다.
도 2는 도1의 플립형 자외선 발광 소자를 도시한 단면도이다.
도 3은 전류의 흐름을 도시한 도면이다.
도 4a는 수평 구조물을 상세히 도시한 단면도이다.
도4b는 도 4a서 전극과 수평 구조물 사이의 간격에 따른 전류 밀도를 도시한 그래프이다.
도 5는 전극과 수평 구조물 사이의 간격에 따른 전류 밀도 차이를 도시한 그래프이다.
도 6은 제2 실시예에 따른 플립형 자외선 발광 소자를 도시한 평면도이다.
도 7은 제3 실시예에 따른 플립형 자외선 발광 소자를 도시한 평면도이다.
도 8은 실시예에 따른 발광 소자 패키지를 도시한 단면도이다.1 is a plan view showing a flip-type ultraviolet light emitting device according to a first embodiment.
2 is a cross-sectional view showing the flip-type ultraviolet light emitting device of FIG. 1.
3 is a view showing the flow of current.
4A is a cross-sectional view showing a horizontal structure in detail.
4B is a graph showing the current density according to the distance between the electrode and the horizontal structure in FIG. 4A.
5 is a graph showing the difference in current density according to the gap between the electrode and the horizontal structure.
6 is a plan view showing a flip-type ultraviolet light emitting device according to a second embodiment.
7 is a plan view showing a flip-type ultraviolet light emitting device according to a third embodiment.
8 is a cross-sectional view showing a light emitting device package according to an embodiment.

발명에 따른 실시예의 설명에 있어서, 각 구성 요소의 " 상(위) 또는 하(아래)"에 형성되는 것으로 기재되는 경우에 있어, 상(위) 또는 하(아래)는 두개의 구성 요소들이 서로 직접 접촉되거나 하나 이상의 또 다른 구성 요소가 두 개의 구성 요소들 사이에 배치되어 형성되는 것을 모두 포함한다. 또한 "상(위) 또는 하(아래)"으로 표현되는 경우 하나의 구성 요소를 기준으로 위쪽 방향 뿐만 아니라 아래쪽 방향의 의미도 포함할 수 있다.In the description of the embodiment according to the invention, in the case of being described as being formed in the "top (top) or bottom (bottom)" of each component, the top (top) or bottom (bottom) is the two components of each other This includes both direct contact or forming one or more other components disposed between two components. In addition, when expressed as "up (up) or down (down)", it may include the meaning of the downward direction as well as the upward direction based on one component.

도 1은 제1 실시예에 따른 플립형 자외선 발광 소자를 도시한 평면도이고, 도 2는 도1의 플립형 자외선 발광 소자를 도시한 단면도이다.1 is a plan view showing a flip-type ultraviolet light-emitting device according to a first embodiment, and FIG. 2 is a cross-sectional view showing the flip-type ultraviolet light-emitting device of FIG. 1.

도 1을 참조하면, 제1 실시예에 따른 플립형 자외선 발광 소자(10)는 기판(11), 발광 구조물(20), 반사층(45) 및 제1 및 제2 전극(21, 23, 33)을 포함할 수 있다.Referring to FIG. 1, the flip-type ultraviolet light emitting device 10 according to the first embodiment includes a substrate 11, a light emitting structure 20, a reflective layer 45, and first and second electrodes 21, 23, and 33. It can contain.

상기 발광 구조물(20)은 제1 도전형 반도체층(15), 활성층(17) 및 제2 도전형 반도체층(19)을 포함할 수 있지만, 이에 대해서는 한정하지 않는다.The light emitting structure 20 may include a first conductivity type semiconductor layer 15, an active layer 17 and a second conductivity type semiconductor layer 19, but is not limited thereto.

제1 실시예에 따른 플립형 자외선 발광 소자(10)는 상기 기판(11)과 상기 제1 도전형 반도체층(15) 사이의 격자 상수 차이에 의한 격자 부정합을 완화시켜주기 위해 상기 기판(11)과 상기 제1 도전형 반도체층(15) 사이에 버퍼층(13)을 더 포함할 수 있지만, 이에 대해서는 한정하지 않는다.The flip type ultraviolet light emitting device 10 according to the first embodiment is provided with the substrate 11 to alleviate lattice mismatch caused by a difference in lattice constant between the substrate 11 and the first conductive semiconductor layer 15. A buffer layer 13 may be further included between the first conductivity type semiconductor layer 15, but is not limited thereto.

상기 버퍼층(13)에 의해 상기 기판(11) 상에 형성된 발광 구조물(20)에 결함, 예컨대 크랙(cracks), 보이드(void), 그레인(grain) 및 굴곡(bowing)이 발생하지 않는다.Defects such as cracks, voids, grains, and bowing do not occur in the light emitting structure 20 formed on the substrate 11 by the buffer layer 13.

도시되지 않았지만, 상기 버퍼층(13)과 상기 제1 도전형 반도체층(15) 사이에 도펀트를 포함하지 않는 비 도전형 반도체층이 더 포함될 수 있지만, 이에 대해서는 한정하지 않는다.Although not illustrated, a non-conductive semiconductor layer that does not contain a dopant may be further included between the buffer layer 13 and the first conductive semiconductor layer 15, but is not limited thereto.

상기 버퍼층(13), 상기 비도전형 반도체층, 상기 제1 도전형 반도체층(15), 활성층(17) 및 제2 도전형 반도체층(19)은 III족 및 V족 화합물 반도체 재질로 형성될 수 있지만, 이에 대해서는 한정하지 않는다. The buffer layer 13, the non-conductive semiconductor layer, the first conductive semiconductor layer 15, the active layer 17, and the second conductive semiconductor layer 19 may be formed of a group III and V compound semiconductor material However, it is not limited to this.

상기 화합물 반도체 재질로는 예컨대, Al, In, Ga 및 N을 포함할 수 있지만, 이에 대해서는 한정하지 않는다. The compound semiconductor material may include, for example, Al, In, Ga and N, but is not limited thereto.

상기 기판(11)은 열 전도성 및/또는 투과도가 우수한 재질로 형성될 수 있지만, 이에 대해서는 한정하지 않는다. 예컨대, 상기 기판(11)은 사파이어(Al₂O₃), SiC, Si, GaAs, GaN, ZnO, Si, GaP, InP 및 Ge로 이루어지는 그룹으로부터 선택된 적어도 하나로 형성될 수 있지만, 이에 대해서는 한정하지 않는다.The substrate 11 may be formed of a material having excellent thermal conductivity and / or permeability, but is not limited thereto. For example, the substrate 11 may be formed of at least one selected from the group consisting of sapphire (Al ₂ O ₃ ), SiC, Si, GaAs, GaN, ZnO, Si, GaP, InP, and Ge, but is not limited thereto. .

상기 기판(11) 또는 상기 버퍼층(13) 아래에 상기 제1 도전형 반도체층(15)이 형성될 수 있다.The first conductivity type semiconductor layer 15 may be formed under the substrate 11 or the buffer layer 13.

상기 제1 도전형 반도체층(15)은 예를 들어, n형 도펀트를 포함하는 n형 반도체층일 수 있지만, 이에 대해서는 한전하지 않는다. 상기 제1 도전형 반도체층(15)은 예컨대 AlGaN 또는 GaN를 포함할 수 있지만, 이에 대해서는 한정하지 않는다. 상기 n형 도펀트는 Si, Ge 또는 Sn를 포함할 수 있지만, 이에 대해서는 한정하지 않는다. The first conductivity-type semiconductor layer 15 may be, for example, an n-type semiconductor layer including an n-type dopant, but this is not limited. The first conductive semiconductor layer 15 may include, for example, AlGaN or GaN, but is not limited thereto. The n-type dopant may include Si, Ge, or Sn, but is not limited thereto.

상기 제1 도전형 반도체층(15)은 제1 캐리어, 예컨대 전자(electrons)를 상기 활성층(17)으로 공급하여 주기 위한 도전층으로서의 역할을 하며, 상기 활성층(17)의 제2 캐리어, 예컨대 정공(holes)이 상기 버퍼층(13)으로 넘어가지 못하게 하는 장벽층으로서의 역할을 할 수 있다. The first conductivity type semiconductor layer 15 serves as a conductive layer for supplying a first carrier, for example, electrons, to the active layer 17, and a second carrier, for example, a hole in the active layer 17 It may serve as a barrier layer that prevents (holes) from passing into the buffer layer 13.

상기 제1 도전형 반도체층(15)에 고농도의 도펀트가 도핑됨으로써, 전자가 자유롭게 이동할 수 있는 도전층으로서의 역할을 할 수 있다. The dopant having a high concentration is doped into the first conductivity type semiconductor layer 15, so that it can serve as a conductive layer through which electrons can freely move.

상기 제1 도전형 반도체층(15)은 상기 활성층(17)과 같거나 더 큰 밴드갭을 가지는 화합물 반도체 재질로 형성함으로써, 활성층(17)의 정공이 버퍼층(13)으로 넘어가지 못하게 하는 장벽층으로서의 역할을 할 수 있다.The first conductive semiconductor layer 15 is formed of a compound semiconductor material having a band gap equal to or greater than that of the active layer 17, thereby preventing a hole in the active layer 17 from passing into the buffer layer 13 It can serve as a.

상기 제1 도전형 반도체층(15) 아래에 상기 활성층(17)이 형성될 수 있다.The active layer 17 may be formed under the first conductivity type semiconductor layer 15.

상기 활성층(17)은 예컨대 상기 제1 도전형 반도체층(15)으로부터 공급된 전자와 상기 제2 도전형 반도체층(19)으로부터 공급된 정공을 재결합시켜 자외선 광을 발광시킬 수 있다. 자외선 광의 생성을 위해 상기 활성층(17)은 적어도 와이드 밴드갭을 가져야 한다.The active layer 17 may emit ultraviolet light by recombining electrons supplied from the first conductivity type semiconductor layer 15 and holes supplied from the second conductivity type semiconductor layer 19, for example. In order to generate ultraviolet light, the active layer 17 must have at least a wide band gap.

상기 활성층(17)은 단일 양자 우물 구조(SQW), 다중 양자 우물 구조(MQW), 양자점 구조 및 양자선 구조 중 어느 하나를 포함할 수 있다. The active layer 17 may include any one of a single quantum well structure (SQW), a multiple quantum well structure (MQW), a quantum dot structure, and a quantum wire structure.

상기 활성층(17)은 GaN, InGaN, AlGaN 및 AlInGaN으로부터 선택된 하나 또는 이들의 주기적인 반복으로 형성될 수 있다. The active layer 17 may be formed by one or a periodic repetition selected from GaN, InGaN, AlGaN and AlInGaN.

상기 활성층(17)은 170nm 내지 210nm 파장의 심 자외선(deep ultraviolet) 광을 생성하지만, 이에 대해서는 한정하지 않는다.The active layer 17 generates deep ultraviolet light having a wavelength of 170 nm to 210 nm, but is not limited thereto.

상기 활성층(17) 아래에 상기 제2 도전형 반도체층(19)이 형성될 수 있다. The second conductivity type semiconductor layer 19 may be formed under the active layer 17.

상기 제2 도전형 반도체층(19)은 예컨대 p형 도펀트를 포함하는 p형 반도체층일 수 있지만, 이에 대해서는 한정하지 않는다. 상기 제2 도전형 반도체층(19)은 예컨대 AlGaN 또는 GaN일 수 있지만, 이에 대해서는 한정하지 않는다. 상기 p형 도펀트는 Mg, Zn, Ca, Sr 또는 Ba를 포함할 수 있지만, 이에 대해서는 한정하지 않는다. The second conductivity-type semiconductor layer 19 may be, for example, a p-type semiconductor layer including a p-type dopant, but is not limited thereto. The second conductive semiconductor layer 19 may be, for example, AlGaN or GaN, but is not limited thereto. The p-type dopant may include Mg, Zn, Ca, Sr or Ba, but is not limited thereto.

상기 제2 도전형 반도체층(19)은 정공을 상기 활성층(17)으로 공급하여 주기 위한 도전층으로서의 역할을 할 수 있다. The second conductivity type semiconductor layer 19 may serve as a conductive layer for supplying holes to the active layer 17.

상기 제2 도전형 반도체층(19)에 고농도의 도펀트가 도핑됨으로써, 정공이 자유롭게 이동할 수 있는 도전층으로서의 역할을 할 수 있다. The second conductivity type semiconductor layer 19 is doped with a high concentration of dopant, so that it can serve as a conductive layer through which holes can freely move.

상기 활성층(17)의 전자가 상기 제2 도전형 반도체층(19)으로 넘어오지 못하도록 하기 위해 상기 활성층(17)과 상기 제2 도전형 반도체층(19) 사이에 제3 도전형 반도체층이 형성될 수 있지만, 이에 대해서는 한정하지 않는다.A third conductivity type semiconductor layer is formed between the active layer 17 and the second conductivity type semiconductor layer 19 to prevent electrons from the active layer 17 from falling into the second conductivity type semiconductor layer 19. It can, but is not limited to this.

보다 확실하게 활성층(17)의 전자가 상기 제2 도전형 반도체층(19)으로 넘어가지 못하도록 하기 위해, 상기 활성층(17)과 상기 제2 도전형 반도체층(19) 또는 상기 제3 도전형 반도체층 사이에 전자 차단층이 형성될 수 있지만, 이에 대해서는 한정하지 않는다.In order to more reliably prevent electrons of the active layer 17 from falling into the second conductivity type semiconductor layer 19, the active layer 17 and the second conductivity type semiconductor layer 19 or the third conductivity type semiconductor An electron blocking layer may be formed between the layers, but is not limited thereto.

예컨대, 상기 제3 도전형 반도체층과 상기 전자 차단층은 AlGaN로 형성될 수 있지만, 이에 대해서는 한정하지 않는다.For example, the third conductivity type semiconductor layer and the electron blocking layer may be formed of AlGaN, but are not limited thereto.

예컨대, 상기 전자 차단층은 적어도 상기 제3 도전형 반도체층보다 큰 밴드갭을 가질 수 있지만, 이에 대해서는 한정하지 않는다. For example, the electron blocking layer may have a larger band gap than at least the third conductivity type semiconductor layer, but is not limited thereto.

예컨대, 상기 제3 도전형 반도체층과 상기 전자 차단층이 AlGaN로 형성되는 경우, 상기 전자 차단층이 상기 제3 도전형 반도체층보다 큰 밴드갭을 갖도록 하기 위해, 상기 전자 차단층이 상기 제3 도전형 반도체층보다 더 높은 Al 함량을 가질 수 있지만, 이에 대해서는 한정하지 않는다.For example, when the third conductivity-type semiconductor layer and the electron blocking layer are formed of AlGaN, the electron blocking layer is the third to make the electron blocking layer have a larger band gap than the third conductivity-type semiconductor layer. It may have a higher Al content than the conductive semiconductor layer, but is not limited thereto.

제1 실시예에 따른 플립형 자외선 발광 소자(10)는 자외선 광이 측면 방향보다는 상기 기판(11)이 있는 전방 방향으로 진행되는 것이 바람직하다. In the flip-type ultraviolet light emitting device 10 according to the first embodiment, it is preferable that ultraviolet light travels in a front direction where the substrate 11 is located, rather than in a lateral direction.

하지만, 상기 활성층(17)에서 생성된 자외선 광은 TE 편광과 TM 편광으로 구성될 수 있다. TE 편광은 상기 활성층(17)의 면에 대해 수직인 방향으로 진행하는데 반해, TM 편광은 상기 활성층(17)의 면에 대해 평행한 방향으로 진행할 수 있다.However, the ultraviolet light generated in the active layer 17 may be composed of TE polarization and TM polarization. TE polarization may proceed in a direction perpendicular to the surface of the active layer 17, whereas TM polarization may proceed in a direction parallel to the surface of the active layer 17.

문제는 자외선 광의 대부분은 TM 편광이라는 것이다. 하지만, 상기 발광 구조물(20), 특히 활성층(17)의 측면은 활성층(17)의 상면이나 배면에 비해 매우 작은 사이즈를 갖고 있기 때문에 활성층(17)의 측면을 통해 외부로 출사되는 자외선 양은 매우 적게 된다.The problem is that most of the ultraviolet light is TM polarized. However, since the side surface of the light emitting structure 20, especially the active layer 17 has a very small size compared to the top surface or the back surface of the active layer 17, the amount of ultraviolet light emitted to the outside through the side surface of the active layer 17 is very small. do.

따라서, 자외선 광이 상기 기판(11)을 통해 외부로 출사되는 양이 가시 광선에 비해 매우 낮다.Therefore, the amount of ultraviolet light emitted through the substrate 11 to the outside is very low compared to visible light.

제1 실시예는 이러한 문제를 해소하기 위해 제안된 발명으로서, 상기 발광 구조물(20)의 측면의 볼륨을 극대화할 수 있다. The first embodiment is a proposed invention to solve this problem, it is possible to maximize the volume of the side of the light emitting structure (20).

이에 대한 보다 상세한 설명은 추후 설명한다.This will be explained in more detail later.

상기 제2 도전형 반도체층(19) 아래에 반사층(45)이 형성될 수 있다. A reflective layer 45 may be formed under the second conductivity type semiconductor layer 19.

상기 반사층(45)은 상기 활성층(17)으로부터 하부 방향으로 진행된 자외선 광을 상부 방향으로 반사시키는 역할을 할 수 있다. The reflective layer 45 may serve to reflect ultraviolet light traveling in the downward direction from the active layer 17 in the upper direction.

아울러, 상기 반사층(45)은 상기 기판(11)의 상면에 의해 반사되어 하부 방향으로 진행되고 상기 활성층(17)과 상기 제2 도전형 반도체층(19)을 경유한 자외선 광을 다시 상부 방향으로 반사시키는 역할을 할 수 있다. In addition, the reflective layer 45 is reflected by the upper surface of the substrate 11 and proceeds in a downward direction, and the ultraviolet light passing through the active layer 17 and the second conductivity type semiconductor layer 19 is turned upward again. It can serve as a reflector.

제1 실시예는 상기 제2 도전형 반도체층(19)의 배면에 반사층(45)을 형성함으로써, 상기 기판(11)의 상면에 의해 하부 방향으로 반사된 자외선 광이나 활성층(17)으로부터 하부 방향으로 진행된 자외선 광을 다시 상부 방향으로 반사시켜, 광 추출 효율을 현저하게 향상시킬 수 있다. In the first embodiment, the reflective layer 45 is formed on the rear surface of the second conductivity-type semiconductor layer 19, so that the ultraviolet light reflected by the upper surface of the substrate 11 or the active layer 17 is downwardly reflected. By reflecting the advanced ultraviolet light back to the upper direction, it is possible to significantly improve the light extraction efficiency.

상기 반사층(45)은 반사성이 우수한 재질로 형성될 수 있지만, 이에 대해서는 한정하지 않는다. The reflective layer 45 may be formed of a material having excellent reflectivity, but is not limited thereto.

상기 반사층(45)은 단일층으로 형성되거나 다수의 층으로 형성될 수 있다. The reflective layer 45 may be formed of a single layer or a plurality of layers.

상기 반사층(45)은 예컨대, 도전성이 우수한 금속 물질로 형성될 수 있는데, Ag, Ni, Al, Rh, Pd, Ir, Ru, Mg, Zn, Pt, Au, Hf로 이루어지는 그룹으로부터 선택된 하나 또는 이들의 합금을 포함할 수 있지만, 이에 대해서는 한정하지 않는다. The reflective layer 45 may be formed of a metal material having excellent conductivity, for example, one selected from the group consisting of Ag, Ni, Al, Rh, Pd, Ir, Ru, Mg, Zn, Pt, Au, Hf, or these. Alloy, but is not limited thereto.

실험 결과, 반사층(45)으로 Al을 사용하는 경우, 제1 실시예에 따른 자외선 발광 소자(10)의 광 추출 효율은 16.4%인데 반해, 반사층(45)으로 Ag을 사용하는 경우, 제1 실시예에 따른 자외선 발광 소자(10)의 광 추출 효율은 13.8%임을 확인할 수 있다. As a result of the experiment, when Al is used as the reflective layer 45, the light extraction efficiency of the ultraviolet light emitting device 10 according to the first embodiment is 16.4%, whereas when using Ag as the reflective layer 45, the first implementation It can be seen that the light extraction efficiency of the ultraviolet light emitting device 10 according to the example is 13.8%.

결국, 자외선 광의 파장에 따라 반사성이 우수한 물질이 서로 상이함을 알 수 있다. As a result, it can be seen that materials having excellent reflectivity differ according to the wavelength of ultraviolet light.

상기 제1 전극(21, 23)은 상기 제1 도전형 반도체층(15) 아래에 형성되고, 상기 제2 전극(33)은 상기 반사층(45) 아래에 형성될 수 있지만, 이에 대해서는 한정하지 않는다.The first electrodes 21 and 23 may be formed under the first conductivity type semiconductor layer 15, and the second electrode 33 may be formed under the reflective layer 45, but are not limited thereto. .

상기 반사층(45)이 형성되지 않는 경우, 상기 제2 전극(33)은 상기 제2 도전형 반도체층(19) 아래에 형성될 수 있다. When the reflective layer 45 is not formed, the second electrode 33 may be formed under the second conductivity type semiconductor layer 19.

상기 제1 및 제2 전극(21, 23, 33)은 서로 동일한 재질로 형성되거나 서로 상이한 재질로 형성될 수 있다.The first and second electrodes 21, 23, and 33 may be formed of the same material or different materials.

상기 제1 및 제2 전극(21, 23, 33)은 단일층으로 형성되거나 다수의 층으로 형성될 수 있다.The first and second electrodes 21, 23, and 33 may be formed of a single layer or a plurality of layers.

상기 제1 및 제2 전극(21, 23, 33)은 예컨대 도전성이 우수한 금속 재질로 형성될 수 있는데, 알루미늄(Al), 티타늄(Ti), 크롬(Cr), 니켈(Ni), 백금(Pt), 금(Au), 텅스텐(W), 구리(Cu) 및 몰리브텐(Mo)으로 이루어지는 그룹으로부터 선택된 하나 또는 이들의 합금을 포함할 수 있지만, 이에 대해서는 한정하지 않는다.The first and second electrodes 21, 23, and 33 may be formed of, for example, a metal material having excellent conductivity. Aluminum (Al), titanium (Ti), chromium (Cr), nickel (Ni), platinum (Pt) ), Gold (Au), tungsten (W), copper (Cu), and molybdenum (Mo).

상기 제1 전극(21, 23)이 상기 제1 도전형 반도체층(15) 아래에 형성되기 위해 상기 발광 구조물(20)은 메사 식각될 수 있지만, 이에 대해서는 한정하지 않는다.The light emitting structure 20 may be mesa-etched so that the first electrodes 21 and 23 are formed under the first conductivity type semiconductor layer 15, but are not limited thereto.

상기 메사 식각은 상기 반사층(45)이 형성되기 전에 수행될 수 있지만, 이에 대해서는 한정하지 않는다.The mesa etching may be performed before the reflective layer 45 is formed, but is not limited thereto.

상기 제1 도전형 반도체층(15)이 노출되도록 상기 제2 도전형 반도체층(19)과 상기 활성층(17)이 제거되고 상기 제1 도전형 반도체층(15)의 배면도 일정 깊이 이상 제거될 수 있다. The second conductivity type semiconductor layer 19 and the active layer 17 are removed so that the first conductivity type semiconductor layer 15 is exposed, and the back surface of the first conductivity type semiconductor layer 15 is also removed by a predetermined depth or more. Can be.

예컨대, 상기 식각으로 제거된 제1 도전형 반도체층(15)의 깊이는 상기 제2 도전형 반도체층(19) 아래에 형성된 제1 전극(21, 23)의 두께보다 깊도록 형성될 수 있다. 이러한 경우, 상기 제1 도전형 반도체층(15) 아래에 형성된 상기 활성층(17)의 상면은 상기 제1 전극(21, 23)의 배면보다 낮게 위치될 수 있다. 따라서, 상기 제1 전극(21, 23)에 의한 제1 및 제2 도전형 반도체층(19) 사이의 전기적인 쇼트를 방지할 수 있다. For example, the depth of the first conductivity type semiconductor layer 15 removed by the etch may be formed to be deeper than the thickness of the first electrodes 21 and 23 formed under the second conductivity type semiconductor layer 19. In this case, an upper surface of the active layer 17 formed under the first conductivity type semiconductor layer 15 may be positioned lower than the rear surfaces of the first electrodes 21 and 23. Therefore, electrical shorts between the first and second conductivity type semiconductor layers 19 by the first electrodes 21 and 23 can be prevented.

도시되지 않았지만, 이러한 전기적인 쇼트를 원천적으로 차단하기 위해, 상기 제1 전극(21, 23)에 인접한 상기 발광 구조물(20)의 측면, 즉 적어도 상기 제1 도전형 반도체층(15)의 측면, 상기 활성층(17)의 측면 및 상기 제2 도전형 반도체층(19)의 측면은 절연 물질 또는 전기 전도도가 낮은 물질로 형성된 보호층이 형성될 수 있지만, 이에 대해서는 한정하지 않는다. Although not illustrated, in order to fundamentally block the electrical short, a side surface of the light emitting structure 20 adjacent to the first electrodes 21 and 23, that is, at least a side surface of the first conductivity type semiconductor layer 15, A protective layer formed of an insulating material or a material having low electrical conductivity may be formed on the side surface of the active layer 17 and the side surface of the second conductivity-type semiconductor layer 19, but is not limited thereto.

이러한 메사 식각에 의해 발광 구조물(20)이 섬 모양(island shape)으로 형성될 수 있다. The light emitting structure 20 may be formed in an island shape by the mesa etching.

설명의 편의를 위해, 제1 도전형 반도체층(15)의 일면이 노출된 영역을 제1 영역이라 명명하고, 상기 제1 영역을 제외한 나머지 영역, 즉 노출되지 않은 제1 도전형 반도체층(15)에 대응하는 활성층(17)과 제2 도전형 반도체층(19)의 영역을 제2 영역이라 명명할 수 있다. For convenience of description, a region in which one surface of the first conductivity-type semiconductor layer 15 is exposed is referred to as a first region, and other regions except the first region, that is, the first conductivity-type semiconductor layer 15 that is not exposed. The regions of the active layer 17 and the second conductivity-type semiconductor layer 19 corresponding to) may be referred to as a second region.

상기 제1 전극(21, 23)은 상기 제1 영역의 상기 제1 도전형 반도체층(15) 아래에 형성되고, 상기 제2 전극(33)은 상기 제2 영역의 상기 제2 도전형 반도체층(19) 아래에 형성될 수 있다.The first electrodes 21 and 23 are formed under the first conductivity type semiconductor layer 15 in the first region, and the second electrode 33 is the second conductivity type semiconductor layer in the second region. (19) can be formed below.

상기 발광 구조물(20)은 다수의 수직 구조물(37a, 37b, 37c, 37d)과 다수의 수평 구조물(35a, 35b, 35c, 35d, 35e)을 포함할 수 있다. The light emitting structure 20 may include a plurality of vertical structures 37a, 37b, 37c, 37d and a plurality of horizontal structures 35a, 35b, 35c, 35d, 35e.

상기 수직 구조물(37a, 37b, 37c, 37d) 사이는 이격되고 상기 수평 구조물(35a, 35b, 35c, 35d, 35e) 사이는 이격될 수 있다.The vertical structures 37a, 37b, 37c, and 37d may be spaced apart and the horizontal structures 35a, 35b, 35c, 35d, and 35e may be spaced apart.

상기 수직 구조물(37a, 37b, 37c, 37d) 사이 그리고 상기 수평 구조물(35a, 35b, 35c, 35d, 35e) 사이는 상기 제1 도전형 반도체층(15)이 노출된 제1 영역이 될 수 있다. Between the vertical structures 37a, 37b, 37c, 37d and between the horizontal structures 35a, 35b, 35c, 35d, 35e may be a first region in which the first conductive semiconductor layer 15 is exposed. .

상기 수직 구조물(37a, 37b, 37c, 37d)은 인접하는 수평 구조물(35a, 35b, 35c, 35d, 35e)로부터 각각 연장 형성되고, 상기 수평 구조물(35a, 35b, 35c, 35d, 35e)은 인접하는 수직 구조물(37a, 37b, 37c, 37d)로부터 각각 연장 형성될 수 있다. The vertical structures 37a, 37b, 37c, 37d are formed to extend from adjacent horizontal structures 35a, 35b, 35c, 35d, 35e, respectively, and the horizontal structures 35a, 35b, 35c, 35d, 35e are adjacent. It may be formed extending from the vertical structures (37a, 37b, 37c, 37d), respectively.

다시 말해, 상기 다수의 수직 구조물(37a, 37b, 37c, 37d)과 상기 다수의 수평 구조물(35a, 35b, 35c, 35d, 35e)은 일체로 형성되어 상기 발광 구조물(20)로 구성될 수 있다. In other words, the plurality of vertical structures 37a, 37b, 37c, and 37d and the plurality of horizontal structures 35a, 35b, 35c, 35d, and 35e may be integrally formed and configured as the light emitting structure 20. .

상기 수평 구조물(35a, 35b, 35c, 35d, 35e) 및 상기 수직 구조물(37a, 37b, 37c, 37d) 각각은 상기 제1 도전형 반도체층(15), 상기 활성층(17) 및 상기 제2 도전형 반도체층(19)을 포함할 수 있다. Each of the horizontal structures 35a, 35b, 35c, 35d, 35e and the vertical structures 37a, 37b, 37c, 37d includes the first conductivity type semiconductor layer 15, the active layer 17, and the second conductivity Type semiconductor layer 19 may be included.

따라서, 상기 수평 구조물(35a, 35b, 35c, 35d, 35e)과 상기 수직 구조물(37a, 37b, 37c, 37d) 또한 광을 생성할 수 있는 일종의 서브 발광 구조물(20)일 수 있다. Therefore, the horizontal structures 35a, 35b, 35c, 35d, 35e and the vertical structures 37a, 37b, 37c, 37d may also be sub-light emitting structures 20 capable of generating light.

상기 수평 구조물(35a, 35b, 35c, 35d, 35e)과 상기 수직 구조물(37a, 37b, 37c, 37d)은 구부러진 강물 모양으로 형성될 수 있지만, 이에 대해서는 한정하지 않는다. The horizontal structures 35a, 35b, 35c, 35d, 35e and the vertical structures 37a, 37b, 37c, 37d may be formed in a curved river shape, but are not limited thereto.

예컨대, 제1 수평 구조물(35a)의 일단에 제1 수직 구조물(37a)의 일단이 연결되고, 상기 제1 수직 구조물(37a)의 타단에 제2 수평 구조물(35b)의 일단이 연결되고, 상기 제2 수평 구조물(35b)의 타단에 제2 수직 구조물(37b)의 일단이 연결될 수 있다. For example, one end of the first vertical structure 37a is connected to one end of the first horizontal structure 35a, one end of the second horizontal structure 35b is connected to the other end of the first vertical structure 37a, and the One end of the second vertical structure 37b may be connected to the other end of the second horizontal structure 35b.

상기 제2 수직 구조물(37b)의 타단에 제3 수평 구조물(35c)의 일단이 연결되고, 상기 제3 수평 구조물(35c)의 타단에 제3 수직 구조물(37c)의 일단이 연결되고, 상기 제3 수직 구조물(37c)의 타단에 제4 수평 구조물(35d)의 일단이 연결될 수 있다.One end of a third horizontal structure 35c is connected to the other end of the second vertical structure 37b, and one end of a third vertical structure 37c is connected to the other end of the third horizontal structure 35c, and the second 3 One end of the fourth horizontal structure 35d may be connected to the other end of the vertical structure 37c.

상기 제4 수평 구조물(35d)의 타단에 제4 수직 구조물(37d)의 일단이 연결되고, 상기 제4 수직 구조물(37d)이 타단에 제5 수평 구조물(35e)의 일단이 연결될 수 있다. One end of the fourth vertical structure 37d may be connected to the other end of the fourth horizontal structure 35d, and one end of the fifth horizontal structure 35e may be connected to the other end of the fourth vertical structure 37d.

상기 다수의 수평 구조물(35a, 35b, 35c, 35d, 35e) 사이에 상기 제2 도전형 반도체층(19), 상기 활성층(17) 및 상기 제1 도전형 반도체층(15)의 일부 영역이 제거되어 형성된 다수의 그루부가 형성될 수 있다. 예컨대, 상기 제1 수평 구조물(35a)과 제2 수평 구조물(35b) 사이에 제1 그루브(47a)가 형성되고, 상기 제2 수평 구조물(35b)과 제3 수평 구조물(35c) 사이에 제2 그루브(47b)가 형성되고, 상기 제3 수평 구조물(35c)과 제4 수평 구조물(35d) 사이에 제3 그루브(47c)가 형성되고, 상기 제4 수평 구조물(35d)과 제5 수평 구조물(35e) 사이에 제4 그루브(47d)가 형성될 수 있다.Some regions of the second conductivity type semiconductor layer 19, the active layer 17, and the first conductivity type semiconductor layer 15 are removed between the plurality of horizontal structures 35a, 35b, 35c, 35d, and 35e. A plurality of grooves formed can be formed. For example, a first groove 47a is formed between the first horizontal structure 35a and the second horizontal structure 35b, and a second groove is formed between the second horizontal structure 35b and the third horizontal structure 35c. A groove (47b) is formed, a third groove (47c) is formed between the third horizontal structure (35c) and the fourth horizontal structure (35d), the fourth horizontal structure (35d) and the fifth horizontal structure ( Between 35e), a fourth groove 47d may be formed.

상기 제1 전극(21, 23)은 한 쌍으로 형성될 수 있다. 즉, 상기 제1 전극은 제1 및 제2 전극 부재(21, 23)를 포함할 수 있다. The first electrodes 21 and 23 may be formed in a pair. That is, the first electrode may include first and second electrode members 21 and 23.

상기 제1 및 제2 전극 부재(21, 23)는 서로 대향하며 서로 대칭으로 배치될 수 있다. The first and second electrode members 21 and 23 may be disposed to face each other and symmetrically to each other.

상기 제1 및 제2 전극 부재(21, 23)는 서로 전기적으로 연결되거나 발광 소자 패키지로 제조될 때 발광 소자 패키지의 단일 전극층에 동시에 전기적으로 형성될 수 있다. The first and second electrode members 21 and 23 may be electrically connected to each other or simultaneously formed on a single electrode layer of the light emitting device package when manufactured as a light emitting device package.

상기 제1 및 제2 전극 부재(21, 23) 각각은 제1 수직 전극 라인(25, 29)과 상기 제1 수직 전극 라인(25, 29)으로부터 분기된 다수의 제1 수평 전극 라인(27a, 27b, 31a, 31b)을 포함할 수 있다. Each of the first and second electrode members 21 and 23 has a plurality of first horizontal electrode lines 27a branched from the first vertical electrode lines 25 and 29 and the first vertical electrode lines 25 and 29, respectively. 27b, 31a, 31b).

상기 제1 전극 부재(21)의 제1 수직 전극 라인(25)과 상기 제2 전극 부재(23)의 제1 수직 전극 라인(29)은 서로 평행하게 배치되며 상기 수직 구조물(37a, 37b, 37c, 37d)과 평행하게 배치될 수 있지만, 이에 대해서는 한정하지 않는다.The first vertical electrode line 25 of the first electrode member 21 and the first vertical electrode line 29 of the second electrode member 23 are disposed parallel to each other and the vertical structures 37a, 37b, 37c , 37d), but is not limited thereto.

상기 제1 전극 부재(21)의 제1 수직 전극 라인(25)과 상기 제2 전극 부재(23)의 제1 수직 전극 라인(29)은 수직 방향으로 길게 연장된 바 형상으로 형성될 수 있지만, 이에 대해서는 한정하지 않는다.The first vertical electrode line 25 of the first electrode member 21 and the first vertical electrode line 29 of the second electrode member 23 may be formed in a bar shape extending in a vertical direction, This is not limited.

상기 제1 전극 부재(21)의 제1 수평 전극 라인(27a, 27b)과 상기 제2 전극 부재(23)의 제1 수평 전극 라인(31a, 31b)은 서로 평행하게 배치되며 상기 수평 구조물(35a, 35b, 35c, 35d, 35e)에 평행하게 배치될 수 있지만, 이에 대해서는 한정하지 않는다.The first horizontal electrode lines 27a and 27b of the first electrode member 21 and the first horizontal electrode lines 31a and 31b of the second electrode member 23 are disposed parallel to each other and the horizontal structure 35a , 35b, 35c, 35d, 35e), but is not limited thereto.

상기 제1 전극 부재(21)의 제1 수평 전극 라인(27a, 27b)과 상기 제2 전극 부재(23)의 제1 수평 전극 라인(31a, 31b)은 수평 방향으로 길게 연장된 바 형상으로 형성될 수 있지만, 이에 대해서는 한정하지 않는다.The first horizontal electrode lines 27a and 27b of the first electrode member 21 and the first horizontal electrode lines 31a and 31b of the second electrode member 23 are formed in a bar shape extending in a horizontal direction. It can, but is not limited to this.

예컨대, 상기 제2 전극 부재(23)의 제1 수평 전극 라인(31a)은 상기 제1 및 제2 수평 구조물(35a, 35b) 사이의 제1 그루브(47a)에 형성되고, 상기 제1 전극 부재(21)의 제1 수평 전극 라인(27a)은 상기 제2 및 제3 수평 구조물(35b, 35c) 사이의 제2 그루브(47b)에 형성되고, 상기 제2 전극 부재(23)의 또 다른 제1 수평 전극 라인(31b)은 제3 및 제4 수평 구조물(35c, 35d) 사이의 제3 그루브(47c)에 형성되며, 상기 제1 전극 부재(21)의 또 다른 제1 수평 전극 라인(27b)은 제4 및 제5 수평 구조물(35d, 35e) 사이의 제4 그루브(47d)에 형성될 수 있다. For example, a first horizontal electrode line 31a of the second electrode member 23 is formed in a first groove 47a between the first and second horizontal structures 35a, 35b, and the first electrode member The first horizontal electrode line 27a of 21 is formed in a second groove 47b between the second and third horizontal structures 35b, 35c, and another agent of the second electrode member 23 is formed. One horizontal electrode line 31b is formed in the third groove 47c between the third and fourth horizontal structures 35c and 35d, and another first horizontal electrode line 27b of the first electrode member 21 is formed. ) May be formed in the fourth groove 47d between the fourth and fifth horizontal structures 35d and 35e.

상기 제2 전극(33)은 상기 발광 구조물(20) 아래, 다시 말해 다수의 수평 구조물(35a, 35b, 35c, 35d, 35e)과 다수의 수직 구조물(37a, 37b, 37c, 37d) 아래에 형성될 수 있다.The second electrode 33 is formed under the light emitting structure 20, that is, under a plurality of horizontal structures 35a, 35b, 35c, 35d, 35e and under a plurality of vertical structures 37a, 37b, 37c, 37d. Can be.

상기 제2 전극(33) 또한 상기 발광 구조물(20)과 마찬가지로 구부러진 강물 모양으로 형성될 수 있지만, 이에 대해서는 한정하지 않는다.The second electrode 33 may also be formed in the shape of a curved river, like the light emitting structure 20, but is not limited thereto.

상기 제2 전극(33)은 상기 발광 구조물(20), 다시 말해 제2 도전형 반도체층(19) 또는 반사층(45) 아래에 형성되므로, 상기 제2 도전형 반도체층(19) 또는 상기 반사층(45)의 형상에 대응되어 형성될 수 있다. Since the second electrode 33 is formed under the light emitting structure 20, that is, the second conductivity type semiconductor layer 19 or the reflection layer 45, the second conductivity type semiconductor layer 19 or the reflection layer ( 45).

상기 제2 전극(33)은 다수의 제2 수평 전극 라인(41a, 41b, 41c, 41d, 41e) 과 다수의 제2 수직 전극 라인(43a, 43b, 43c, 43d)을 포함할 수 있다. The second electrode 33 may include a plurality of second horizontal electrode lines 41a, 41b, 41c, 41d, 41e and a plurality of second vertical electrode lines 43a, 43b, 43c, 43d.

상기 제2 수직 전극 라인(43a, 43b, 43c, 43d) 사이는 이격되고 상기 제2 수평 전극 라인(41a, 41b, 41c, 41d, 41e) 사이는 이격될 수 있다.The second vertical electrode lines 43a, 43b, 43c, and 43d may be spaced apart and the second horizontal electrode lines 41a, 41b, 41c, 41d, and 41e may be spaced apart.

상기 제2 수직 전극 라인(43a, 43b, 43c, 43d)은 인접하는 제2 수평 전극 라인(41a, 41b, 41c, 41d, 41e) 으로부터 연장 형성되고, 상기 제2 수평 전극 라인(41a, 41b, 41c, 41d, 41e)은 인접하는 제2 수직 전극 라인(43a, 43b, 43c, 43d)으로부터 연장 형성될 수 있다. The second vertical electrode lines 43a, 43b, 43c, and 43d are formed to extend from adjacent second horizontal electrode lines 41a, 41b, 41c, 41d, 41e, and the second horizontal electrode lines 41a, 41b, 41c, 41d, and 41e) may extend from adjacent second vertical electrode lines 43a, 43b, 43c, and 43d.

다시 말해, 상기 다수의 제2 수직 전극 라인(43a, 43b, 43c, 43d)과 상기 다수의 제2 수평 전극 라인(41a, 41b, 41c, 41d, 41e) 은 일체로 형성되어 상기 제2 전극(33)으로 구성될 수 있다. In other words, the plurality of second vertical electrode lines 43a, 43b, 43c, 43d and the plurality of second horizontal electrode lines 41a, 41b, 41c, 41d, 41e are integrally formed to form the second electrode ( 33).

상기 제1 수평 전극 라인(27a, 27b, 31a, 31b)은 인접하는 수평 구조물(35a, 35b, 35c, 35d, 35e)을 구동시키는데 사용될 수 있다. 다시 말해, 상기 제1 수평 전극 라인(27a, 27b, 31a, 31b)은 인접하는 수평 구조물(35a, 35b, 35c, 35d, 35e)에 의해 공유될 수 있다. The first horizontal electrode lines 27a, 27b, 31a, 31b may be used to drive adjacent horizontal structures 35a, 35b, 35c, 35d, 35e. In other words, the first horizontal electrode lines 27a, 27b, 31a, 31b may be shared by adjacent horizontal structures 35a, 35b, 35c, 35d, 35e.

상기 제1 수평 전극 라인(27a, 27b, 31a, 31b)은 인접하는 수평 구조물(35a, 35b, 35c, 35d, 35e) 상에 제2 수평 전극 라인(41a, 41b, 41c, 41d, 41e) 과의 사이에서 인접하는 수평 구조물(35a, 35b, 35c, 35d, 35e)을 동시에 발광시킬 수 있다. 예컨대, 상기 제1 전극(23)의 제1 수평 전극 라인(31a)과 제1 수평 구조물(35a) 상의 제2 전극(33)의 제2 수평 전극 라인(41a) 사이의 전원에 의해 상기 제1 수평 구조물(35a)이 발광될 수 있다. 이와 동시에, 상기 제1 전극(23)의 제1 수평 전극 라인(31a)과 제2 수평 구조물(35b) 상의 제2 전극(33)의 또 다른 제2 수평 전극 라인(41b) 사이의 전원에 의해 상기 제2 수평 구조물(35b)이 발광될 수 있다. The first horizontal electrode lines (27a, 27b, 31a, 31b) and the second horizontal electrode line (41a, 41b, 41c, 41d, 41e) on the adjacent horizontal structure (35a, 35b, 35c, 35d, 35e) The adjacent horizontal structures 35a, 35b, 35c, 35d, and 35e can be simultaneously emitted. For example, the first horizontal electrode line 31a of the first electrode 23 and the second horizontal electrode line 41a of the second electrode 33 on the first horizontal structure 35a are powered by the first. The horizontal structure 35a may emit light. At the same time, by the power between the first horizontal electrode line 31a of the first electrode 23 and another second horizontal electrode line 41b of the second electrode 33 on the second horizontal structure 35b. The second horizontal structure 35b may emit light.

도 4a에 도시한 바와 같이, 상기 수평 구조물(35a, 35b)의 폭을 W1이라 명명하고, 상기 제1 수평 전극 라인(31a)의 폭을 W2라 명명하고, 상기 수평 구조물(35a, 35b) 사이의 갭, 다시 말해 그루브(47a)의 폭을 G라 명명하고, 상기 제1 수평 전극 라인(31a)과 상기 수평 구조물(35a, 35b) 사이의 간격을 L이라 명명할 수 있다. 4A, the width of the horizontal structures 35a and 35b is named W1, the width of the first horizontal electrode line 31a is named W2, and the horizontal structures 35a and 35b are interposed. The gap of, that is, the width of the groove 47a may be referred to as G, and an interval between the first horizontal electrode line 31a and the horizontal structures 35a and 35b may be referred to as L.

상기 제1 수평 전극 라인(31a)과 상기 제1 수평 전극 라인(31a)과 인접하는 수평 구조물(35a, 35b) 사이의 간격(L)은 동일할 수 있지만, 이에 대해서는 한정하지 않는다.The distance L between the first horizontal electrode line 31a and the first horizontal electrode line 31a and adjacent horizontal structures 35a and 35b may be the same, but is not limited thereto.

예컨대, 상기 제1 수평 전극 라인(31a)과 상기 수평 구조물(35a, 35b) 사이의 간격(L)은 상기 제1 수평 전극 라인(31a)과 상기 수평 구조물(35a, 35b) 사이의 간격(L)과 동일할 수 있다. For example, an interval L between the first horizontal electrode line 31a and the horizontal structures 35a and 35b is an interval L between the first horizontal electrode line 31a and the horizontal structures 35a and 35b. ).

상기 수평 구조물(35a, 35b)의 폭(W1)과 그루브(47a)의 폭(G)은 서로 동일하거나 상이할 수 있다. The width W1 of the horizontal structures 35a and 35b and the width G of the groove 47a may be the same or different.

상기 수평 구조물(35a, 35b)의 폭(W1)은 상기 그루브(47a)의 폭보다 크도록 설계될 수 있지만, 이에 대해서는 한정하지 않는다. The width W1 of the horizontal structures 35a and 35b may be designed to be larger than the width of the groove 47a, but is not limited thereto.

상기 제1 수평 전극 라인(31a)의 폭은 상기 제2 수평 라인(41a, 41b)의 폭과 동일할 수 있지만, 이에 대해서는 한정하지 않는다.The width of the first horizontal electrode line 31a may be the same as the width of the second horizontal line 41a, 41b, but is not limited thereto.

도 4b에 도시한 바와 같이, 상기 제1 수평 전극 라인(31a)과 상기 수평 구조물(35a, 35b) 사이의 간격이 5㎛ 내지 15㎛인 경우에 수평 구조물(35a, 35b)에서의 전류 밀도가 비교적 균일하게 된다. As shown in FIG. 4B, when the distance between the first horizontal electrode line 31a and the horizontal structures 35a, 35b is 5 μm to 15 μm, the current density in the horizontal structures 35a, 35b is It becomes relatively uniform.

상기 제1 수평 전극 라인(31a)과 상기 수평 구조물(35a, 35b) 사이의 간격이 20㎛ 이상인 경우, 제1 수평 전극 라인(31a)과 인접한 수평 구조물(35a, 35b)에서 수평 방향으로 멀어질수록 전류 밀도가 급격히 하강하는 것을 알 수 있다. When the distance between the first horizontal electrode line 31a and the horizontal structures 35a and 35b is 20 μm or more, the horizontal direction away from the horizontal structures 35a and 35b adjacent to the first horizontal electrode line 31a is increased. It can be seen that the current density decreases rapidly.

도 5에 도시한 바와 같이, 상기 제1 수평 전극 라인(31a)과 상기 수평 구조물(35a, 35b) 사이의 간격이 5㎛인 경우, 수평 구조물(35a, 35b)에서의 최소 전류 밀도와 최대 전류 밀도 차이가 13A/cm²으로서 비교적 낮다. 이에 반해, 상기 제1 수평 전극 라인(31a)과 상기 수평 구조물(35a, 35b) 사이의 간격이 20㎛, 50㎛ 및 100㎛인 경우 수평 구조물(35a, 35b)에서의 최소 전류 밀도와 최대 전류 밀도 차이가 각각 34A/cm², 32A/cm² 및 30A/cm²으로서 매우 높게 된다.As shown in FIG. 5, when the distance between the first horizontal electrode line 31a and the horizontal structures 35a, 35b is 5 μm, the minimum current density and maximum current in the horizontal structures 35a, 35b The density difference is relatively low as 13 A / cm ² . In contrast, when the distance between the first horizontal electrode line 31a and the horizontal structures 35a, 35b is 20 μm, 50 μm, and 100 μm, the minimum current density and maximum current in the horizontal structures 35a, 35b The density differences are very high, 34A / cm ² , 32A / cm ² and 30A / cm ² respectively.

도 3에 도시한 바와 같이, 제1 실시예는 발광 구조물(20)을 다수의 수직 구조물(37a, 37b, 37c, 37d)과 다수의 수평 구조물(35a, 35b, 35c, 35d, 35e)로 형성하고, 이들 수평 구조물(35a, 35b, 35c, 35d, 35e) 사이의 그루부에 제1 전극(21, 23)의 제1 수평 전극 라인(27a, 27b, 31a, 31b)을 형성하고 수직 구조물(37a, 37b, 37c, 37d) 및 수평 구조물(35a, 35b, 35c, 35d, 35e) 상에 제2 전극(33)의 제2 수평 전극 라인(41a, 41b, 41c, 41d, 41e) 을 형성할 수 있다. As shown in FIG. 3, the first embodiment forms the light emitting structure 20 into a plurality of vertical structures 37a, 37b, 37c, 37d and a plurality of horizontal structures 35a, 35b, 35c, 35d, 35e. And form the first horizontal electrode lines 27a, 27b, 31a, 31b of the first electrodes 21, 23 in the grooves between these horizontal structures 35a, 35b, 35c, 35d, 35e, and vertical structures ( 37a, 37b, 37c, 37d) and horizontal structures 35a, 35b, 35c, 35d, 35e to form second horizontal electrode lines 41a, 41b, 41c, 41d, 41e of the second electrode 33 Can be.

따라서, 제1 실시예는 종래의 전류 집중을 분산시켜 전류 스프레딩 효과를 얻을 수 있고, 이러한 전류 스프레딩 효과에 의해 균일한 광 효율을 얻을 수 있다.Therefore, in the first embodiment, the current spreading effect can be obtained by dispersing the conventional current concentration, and the uniform light efficiency can be obtained by the current spreading effect.

제1 실시예는 다수의 수직 구조물(37a, 37b, 37c, 37d)과 다수의 수평 구조물(35a, 35b, 35c, 35d, 35e)에 의해 활성층(17)의 측면의 볼륨을 극대화시켜, 자외선 광의 대부분을 차지하고 측방향으로 진행되는 광을 최대한 활성층(17)의 측방향으로 외부로 추출되도록 하여, 광 추출 효율을 현저히 향상시킬 수 있다. The first embodiment maximizes the volume of the side surface of the active layer 17 by the plurality of vertical structures 37a, 37b, 37c, 37d and the plurality of horizontal structures 35a, 35b, 35c, 35d, 35e, thereby providing ultraviolet light. By taking most of the light and proceeding in the lateral direction to be extracted to the outside in the lateral direction of the active layer 17 as much as possible, the light extraction efficiency can be remarkably improved.

제1 실시예는 제1 수평 전극 라인(27a, 27b, 31a, 31b)과 수평 구조물(35a, 35b, 35c, 35d, 35e) 사이의 간격을 5㎛ 내지 15㎛가 되도록 설정함으로써, 전류 스프레딩 효과를 증대시켜 보다 균일한 광 효율을 얻을 수 있다. In the first embodiment, the current spreading is performed by setting the interval between the first horizontal electrode lines 27a, 27b, 31a, 31b and the horizontal structures 35a, 35b, 35c, 35d, 35e to be 5 μm to 15 μm. By increasing the effect, more uniform light efficiency can be obtained.

도 6은 제2 실시예에 따른 플립형 자외선 발광 소자를 도시한 평면도이다.6 is a plan view showing a flip-type ultraviolet light emitting device according to a second embodiment.

제2 실시예에서 제1 실시예와 동일한 구성 요소에 대해서는 동일한 도면 부호를 부여하고, 보다 상세한 설명은 생략한다.In the second embodiment, the same reference numerals are assigned to the same components as the first embodiment, and detailed descriptions are omitted.

제2 실시예에서 생략된 설명은 제1 실시예의 설명으로부터 용이하게 이해될 수 있다. The description omitted in the second embodiment can be easily understood from the description of the first embodiment.

도 6을 참조하면, 제2 실시예에 따른 플립형 자외선 발광 소자(10A)는 기판(11)(도 2의 11), 발광 구조물(20)(도 2의 20), 반사층(도 2의 45) 및 제1 및 제2 전극(59)을 포함할 수 있다.Referring to FIG. 6, the flip-type ultraviolet light emitting device 10A according to the second embodiment includes a substrate 11 (11 in FIG. 2), a light emitting structure 20 (20 in FIG. 2), and a reflective layer (45 in FIG. 2). And first and second electrodes 59.

상기 발광 구조물(20)(20)은 제1 도전형 반도체층(15)(도 2의 15), 활성층(17)(도 2의 17) 및 제2 도전형 반도체층(19)(도 2의 19)을 포함할 수 있지만, 이에 대해서는 한정하지 않는다.The light emitting structures 20 and 20 include a first conductivity type semiconductor layer 15 (15 in FIG. 2), an active layer 17 (17 in FIG. 2), and a second conductivity type semiconductor layer 19 (in FIG. 2). 19), but is not limited thereto.

상기 발광 구조물(20)은 다수의 수평 구조물(61a, 61b, 61c, 61d, 61e)을 포함할 수 있다. 상기 다수의 수평 구조물(61a, 61b, 61c, 61d, 61e)은 서로 간에 이격되도록 형성될 수 있다.The light emitting structure 20 may include a plurality of horizontal structures 61a, 61b, 61c, 61d, 61e. The plurality of horizontal structures 61a, 61b, 61c, 61d, and 61e may be formed to be spaced apart from each other.

상기 다수의 수평 구조물(61a, 61b, 61c, 61d, 61e)을 제외한 나머지 영역을 제1 영역이라 명명하고, 상기 다수의 수평 구조물(61a, 61b, 61c, 61d, 61e)을 포함하는 영역을 제2 영역이라 명명할 수 있다.Areas other than the plurality of horizontal structures 61a, 61b, 61c, 61d, and 61e are referred to as first areas, and areas including the plurality of horizontal structures 61a, 61b, 61c, 61d and 61e are excluded. It can be called 2 domain.

상기 제1 영역은 메사 식각에 의해 상기 제2 도전형 반도체층(19)과 상기 활성층(17) 그리고 상기 제1 도전형 반도체층(15)이 일정 깊이로 제거된 영역일 수 있다. The first region may be a region in which the second conductivity type semiconductor layer 19, the active layer 17, and the first conductivity type semiconductor layer 15 are removed to a certain depth by mesa etching.

상기 다수의 수평 구조물(61a, 61b, 61c, 61d, 61e) 사이에 다수의 그루브(47a, 47b, 47c, 47d)가 형성될 수 있다.A plurality of grooves 47a, 47b, 47c, and 47d may be formed between the plurality of horizontal structures 61a, 61b, 61c, 61d, and 61e.

상기 제2 전극(59)은 다수의 제2 수평 전극 라인(57a, 57b, 57c, 57d, 57e) 을 포함할 수 있다. The second electrode 59 may include a plurality of second horizontal electrode lines 57a, 57b, 57c, 57d, 57e.

상기 다수의 제2 수평 전극 라인(57a, 57b, 57c, 57d, 57e) 은 상기 다수의 수평 구조물(61a, 61b, 61c, 61d, 61e) 상에 형성될 수 있다. 구체적으로 상기 제2 수평 전극 라인(57a, 57b, 57c, 57d, 57e) 은 상기 제2 도전형 반도체층(19) 아래에 형성될 수 있다. 만일 상기 제2 도전형 반도체층(19) 아래에 반사층이 형성되어 있는 경우, 상기 제2 수평 전극 라인(57a, 57b, 57c, 57d, 57e) 은 상기 반사층 아래에 형성될 수 있다. 이때, 상기 반사층 또한 상기 다수의 수평 구조물(61a, 61b, 61c, 61d, 61e) 상에 개별적으로 형성되므로, 각 반사층은 서로 간에 이격될 수 있다. The plurality of second horizontal electrode lines 57a, 57b, 57c, 57d and 57e may be formed on the plurality of horizontal structures 61a, 61b, 61c, 61d and 61e. Specifically, the second horizontal electrode lines 57a, 57b, 57c, 57d, and 57e may be formed under the second conductivity type semiconductor layer 19. If a reflective layer is formed under the second conductivity type semiconductor layer 19, the second horizontal electrode lines 57a, 57b, 57c, 57d and 57e may be formed under the reflective layer. At this time, since the reflective layers are also individually formed on the plurality of horizontal structures 61a, 61b, 61c, 61d, and 61e, each reflective layer may be spaced apart from each other.

상기 제1 전극(51)은 제1 수직 전극 라인(53)과 다수의 제1 수평 전극 라인(55a, 55b, 55c, 55d, 55e, 55f)을 포함할 수 있다. The first electrode 51 may include a first vertical electrode line 53 and a plurality of first horizontal electrode lines 55a, 55b, 55c, 55d, 55e, 55f.

상기 다수의 제1 수평 전극 라인(55a, 55b, 55c, 55d, 55e, 55f)은 상기 다수의 수평 구조물(61a, 61b, 61c, 61d, 61e) 사이의 그루브(47a, 47b, 47c, 47d)에 형성될 수 있다. 구체적으로, 상기 다수의 제1 수평 전극 라인(55a, 55b, 55c, 55d, 55e, 55f)은 그루브(47a, 47b, 47c, 47d)의 제1 도전형 반도체층(15) 아래에 형성될 수 있다. The plurality of first horizontal electrode lines 55a, 55b, 55c, 55d, 55e, 55f are grooves 47a, 47b, 47c, 47d between the plurality of horizontal structures 61a, 61b, 61c, 61d, 61e Can be formed on. Specifically, the plurality of first horizontal electrode lines 55a, 55b, 55c, 55d, 55e, and 55f may be formed under the first conductive semiconductor layer 15 of the grooves 47a, 47b, 47c, and 47d. have.

상기 제1 전극(51)의 제1 수평 전극 라인(55a, 55b, 55c, 55d, 55e, 55f)은 인접하는 수평 구조물(61a, 61b, 61c, 61d, 61e)을 구동시키는데 사용될 수 있다. 다시 말해, 상기 제1 전극(51)의 제1 수평 전극 라인(55a, 55b, 55c, 55d, 55e, 55f)은 인접하는 수평 구조물(61a, 61b, 61c, 61d, 61e)에 의해 공유될 수 있다. The first horizontal electrode lines 55a, 55b, 55c, 55d, 55e, 55f of the first electrode 51 may be used to drive adjacent horizontal structures 61a, 61b, 61c, 61d, 61e. In other words, the first horizontal electrode lines 55a, 55b, 55c, 55d, 55e, 55f of the first electrode 51 may be shared by adjacent horizontal structures 61a, 61b, 61c, 61d, 61e. have.

상기 제1 전극(51)의 제1 수평 전극 라인(55a, 55b, 55c, 55d, 55e, 55f)은 인접하는 수평 구조물(61a, 61b, 61c, 61d, 61e) 상에 제2 전극(59)의 제2 수평 전극 라인(57a, 57b, 57c, 57d, 57e) 과의 사이에서 인접하는 수평 구조물(61a, 61b, 61c, 61d, 61e)을 동시에 발광시킬 수 있다. 예컨대, 상기 제1 전극(51)의 제1 수평 전극 라인(55b)과 제1 수평 구조물(61a) 상의 제2 전극(59)의 제2 수평 전극 라인(57a) 사이의 전원에 의해 상기 제1 수평 구조물(61a)이 발광될 수 있다. 이와 동시에, 상기 제1 전극(51)의 제1 수평 전극 라인(55b)과 제2 수평 구조물(61b) 상의 제2 전극(59)의 또 다른 제2 수평 전극 라인(57b) 사이의 전원에 의해 상기 제2 수평 구조물(61b)이 발광될 수 있다. The first horizontal electrode lines 55a, 55b, 55c, 55d, 55e, 55f of the first electrode 51 are second electrodes 59 on adjacent horizontal structures 61a, 61b, 61c, 61d, 61e. The adjacent horizontal structures 61a, 61b, 61c, 61d and 61e may be simultaneously emitted from the second horizontal electrode lines 57a, 57b, 57c, 57d and 57e. For example, the first horizontal electrode line 55b of the first electrode 51 and the second horizontal electrode line 57a of the second electrode 59 on the first horizontal structure 61a are powered by the first. The horizontal structure 61a may emit light. At the same time, by the power between the first horizontal electrode line 55b of the first electrode 51 and another second horizontal electrode line 57b of the second electrode 59 on the second horizontal structure 61b. The second horizontal structure 61b may emit light.

전류 스프레딩 효과를 증대시키기 위해 상기 제1 수평 전극 라인(55a, 55b, 55c, 55d, 55e, 55f)과 인접하는 수평 구조물(61a, 61b, 61c, 61d, 61e) 사이의 간격은 5㎛ 내지 15㎛일 수 있다. In order to increase the current spreading effect, the distance between the first horizontal electrode lines 55a, 55b, 55c, 55d, 55e, 55f and adjacent horizontal structures 61a, 61b, 61c, 61d, 61e is 5 μm to It may be 15㎛.

도 7은 제3 실시예에 따른 플립형 자외선 발광 소자를 도시한 평면도이다.7 is a plan view showing a flip-type ultraviolet light emitting device according to a third embodiment.

제3 실시예에서 제1 실시예와 동일한 구성 요소에 대해서는 동일한 도면 부호를 부여하고, 보다 상세한 설명은 생략한다.In the third embodiment, the same reference numerals are assigned to the same components as in the first embodiment, and detailed descriptions are omitted.

제3 실시예에서 생략된 설명은 제1 실시예의 설명으로부터 용이하게 이해될 수 있다. The description omitted in the third embodiment can be easily understood from the description of the first embodiment.

도 7을 참조하면, 제3 실시예에 따른 플립형 자외선 발광 소자(10B)는 기판(11)(도 2의 11), 발광 구조물(도 2의 20), 반사층(도 2의 45) 및 제1 및 제2 전극(71, 77)을 포함할 수 있다.Referring to FIG. 7, the flip-type ultraviolet light emitting device 10B according to the third embodiment includes a substrate 11 (11 in FIG. 2), a light emitting structure (20 in FIG. 2), a reflective layer (45 in FIG. 2), and a first And second electrodes 71 and 77.

상기 발광 구조물은 제1 도전형 반도체층(도 2의 15), 활성층(도 2의 17) 및 제2 도전형 반도체층(도 2의 19)을 포함할 수 있지만, 이에 대해서는 한정하지 않는다.The light emitting structure may include a first conductivity type semiconductor layer (15 in FIG. 2), an active layer (17 in FIG. 2), and a second conductivity type semiconductor layer (19 in FIG. 2), but is not limited thereto.

상기 발광 구조물은 수직 구조물(87)과 다수의 수평 구조물(83a, 83b, 83c, 83d, 83e)을 포함할 수 있다. 상기 다수의 수평 구조물(83a, 83b, 83c, 83d, 83e)은 서로 간에 이격되도록 형성될 수 있다.The light emitting structure may include a vertical structure 87 and a plurality of horizontal structures 83a, 83b, 83c, 83d, and 83e. The plurality of horizontal structures 83a, 83b, 83c, 83d, and 83e may be formed to be spaced apart from each other.

상기 다수의 수평 구조물(83a, 83b, 83c, 83d, 83e)은 상기 수직 구조물(87)로부터 분기되거나 연장되어 형성될 수 있다. The plurality of horizontal structures 83a, 83b, 83c, 83d, and 83e may be formed by branching or extending from the vertical structure 87.

상기 수직 구조물(87)과 다수의 수평 구조물(83a, 83b, 83c, 83d, 83e)을 제외한 나머지 영역을 제1 영역이라 명명하고, 상기 수직 구조물(87)과 다수의 수평 구조물(83a, 83b, 83c, 83d, 83e)을 포함하는 영역을 제2 영역이라 명명할 수 있다.Areas other than the vertical structure 87 and the plurality of horizontal structures 83a, 83b, 83c, 83d, and 83e are called first areas, and the vertical structure 87 and the plurality of horizontal structures 83a, 83b, 83c, 83d, 83e) may be referred to as a second region.

상기 제1 영역은 메사 식각에 의해 상기 제2 도전형 반도체층과 상기 활성층 그리고 상기 제1 도전형 반도체층이 일정 깊이로 제거된 영역일 수 있다. The first region may be a region in which the second conductivity type semiconductor layer, the active layer, and the first conductivity type semiconductor layer are removed to a certain depth by mesa etching.

상기 다수의 수평 구조물(83a, 83b, 83c, 83d, 83e) 사이에 다수의 그루브(47a, 47b, 47c, 47d)가 형성될 수 있다.A plurality of grooves 47a, 47b, 47c, and 47d may be formed between the plurality of horizontal structures 83a, 83b, 83c, 83d, and 83e.

상기 제1 전극(71)은 제1 수직 전극 라인(73)과 다수의 제1 수평 전극 라인(75a, 75b, 75c, 75d, 75e, 75f)을 포함할 수 있다. The first electrode 71 may include a first vertical electrode line 73 and a plurality of first horizontal electrode lines 75a, 75b, 75c, 75d, 75e, and 75f.

상기 제1 수직 전극 라인(73)은 상기 수직 구조물(87)과 평행하게 배치될 수 있지만, 이에 대해서는 한정하지 않는다.The first vertical electrode line 73 may be disposed parallel to the vertical structure 87, but is not limited thereto.

상기 제1 수평 전극 라인(75a, 75b, 75c, 75d, 75e, 75f)은 상기 수평 구조물(83a, 83b, 83c, 83d, 83e)과 평행하게 배치될 수 있지만, 이에 대해서는 한정하지 않는다.The first horizontal electrode lines 75a, 75b, 75c, 75d, 75e, and 75f may be disposed parallel to the horizontal structures 83a, 83b, 83c, 83d, 83e, but are not limited thereto.

상기 제1 수평 전극 라인(75a, 75b, 75c, 75d, 75e, 75f)은 상기 제1 수직 전극 라인(73)으로부터 분기되거나 연장되어 형성될 수 있다.The first horizontal electrode lines 75a, 75b, 75c, 75d, 75e, and 75f may be formed by branching or extending from the first vertical electrode line 73.

상기 제1 수평 전극 라인(75a, 75b, 75c, 75d, 75e, 75f) 각각은 상기 수평 구조물(83a, 83b, 83c, 83d, 83e) 사이의 그루브(47a, 47b, 47c, 47d)에 형성될 수 있다. 구체적으로, 상기 제1 수평 전극 라인(75a, 75b, 75c, 75d, 75e, 75f)은 상기 그루브(47a, 47b, 47c, 47d)의 상기 제1 도전형 반도체층(15) 아래에 형성될 수 있다. Each of the first horizontal electrode lines 75a, 75b, 75c, 75d, 75e, and 75f is formed in a groove 47a, 47b, 47c, 47d between the horizontal structures 83a, 83b, 83c, 83d, 83e. Can be. Specifically, the first horizontal electrode lines 75a, 75b, 75c, 75d, 75e, and 75f may be formed under the first conductivity type semiconductor layer 15 of the grooves 47a, 47b, 47c, 47d. have.

상기 제2 전극(77)은 제2 수직 전극 라인(79)과 다수의 제2 수평 전극 라인(81a, 81b, 81c, 81d, 81e) 을 포함할 수 있다. The second electrode 77 may include a second vertical electrode line 79 and a plurality of second horizontal electrode lines 81a, 81b, 81c, 81d, and 81e.

상기 제2 수직 전극 라인(79)은 상기 제1 수직 전극 라인(73) 또는 상기 수직 구조물(87)과 평행하게 배치되며 상기 수직 구조물(87) 상에 형성될 수 있다.The second vertical electrode line 79 is disposed parallel to the first vertical electrode line 73 or the vertical structure 87 and may be formed on the vertical structure 87.

상기 제2 수직 전극 라인(79)은 상기 제1 수직 전극 라인(73)과 대향으로 배치될 수 있다. 즉, 상기 제1 수직 전극 라인(73)은 자외선 발광 소자(10B)의 일측에 배치되고, 상기 제2 수직 전극 라인(79)은 자외선 발광 소자(10B)의 타측, 즉 수직 구조물(87) 상에 형성될 수 있다. The second vertical electrode line 79 may be disposed opposite to the first vertical electrode line 73. That is, the first vertical electrode line 73 is disposed on one side of the ultraviolet light emitting element 10B, and the second vertical electrode line 79 is on the other side of the ultraviolet light emitting element 10B, that is, on the vertical structure 87. Can be formed on.

상기 제2 수평 전극 라인(81a, 81b, 81c, 81d, 81e) 은 상기 제2 수직 전극 라인(79)으로부터 분기되거나 연장되어 형성될 수 있다. The second horizontal electrode lines 81a, 81b, 81c, 81d, and 81e may be formed by branching or extending from the second vertical electrode line 79.

상기 다수의 제2 수평 전극 라인(81a, 81b, 81c, 81d, 81e) 은 상기 다수의 수평 구조물(83a, 83b, 83c, 83d, 83e) 상에 형성될 수 있다. 구체적으로 상기 제2 수평 전극 라인(81a, 81b, 81c, 81d, 81e) 은 상기 제2 도전형 반도체층 아래에 형성될 수 있다. 만일 상기 제2 도전형 반도체층 아래에 반사층이 형성되어 있는 경우, 상기 제2 수평 전극 라인(81a, 81b, 81c, 81d, 81e) 은 상기 반사층 아래에 형성될 수 있다. 이때, 상기 반사층 또한 상기 다수의 수평 구조물(83a, 83b, 83c, 83d, 83e) 상에 개별적으로 형성되므로, 각 반사층은 서로 간에 이격될 수 있다. The plurality of second horizontal electrode lines 81a, 81b, 81c, 81d, and 81e may be formed on the plurality of horizontal structures 83a, 83b, 83c, 83d, 83e. Specifically, the second horizontal electrode lines 81a, 81b, 81c, 81d, and 81e may be formed under the second conductivity type semiconductor layer. If a reflective layer is formed under the second conductivity type semiconductor layer, the second horizontal electrode lines 81a, 81b, 81c, 81d, and 81e may be formed under the reflective layer. At this time, since the reflective layers are also individually formed on the plurality of horizontal structures 83a, 83b, 83c, 83d, and 83e, each reflective layer may be spaced apart from each other.

상기 다수의 제1 수평 전극 라인(75a, 75b, 75c, 75d, 75e, 75f)과 상기 다수의 제2 수평 전극 라인(81a, 81b, 81c, 81d, 81e) 은 서로 교대로 배치될 수 있다. The plurality of first horizontal electrode lines 75a, 75b, 75c, 75d, 75e, 75f and the plurality of second horizontal electrode lines 81a, 81b, 81c, 81d, 81e may be alternately arranged.

상기 제1 수평 전극 라인(75a, 75b, 75c, 75d, 75e, 75f) 사이에 상기 제2 수평 전극 라인(81a, 81b, 81c, 81d, 81e) 이 배치되고, 상기 제2 수평 전극 라인(81a, 81b, 81c, 81d, 81e) 사이에 상기 제1 수평 전극 라인(75a, 75b, 75c, 75d, 75e, 75f)이 배치될 수 있다. The second horizontal electrode lines 81a, 81b, 81c, 81d, 81e are disposed between the first horizontal electrode lines 75a, 75b, 75c, 75d, 75e, 75f, and the second horizontal electrode line 81a , 81b, 81c, 81d, 81e), the first horizontal electrode lines 75a, 75b, 75c, 75d, 75e, 75f may be disposed.

상기 제1 수평 전극 라인(75a, 75b, 75c, 75d, 75e, 75f)은 인접하는 수평 구조물(83a, 83b, 83c, 83d, 83e)을 구동시키는데 사용될 수 있다. 다시 말해, 상기 제1 수평 전극 라인(75a, 75b, 75c, 75d, 75e, 75f)은 인접하는 수평 구조물(83a, 83b, 83c, 83d, 83e)에 의해 공유될 수 있다. The first horizontal electrode lines 75a, 75b, 75c, 75d, 75e, and 75f may be used to drive adjacent horizontal structures 83a, 83b, 83c, 83d, 83e. In other words, the first horizontal electrode lines 75a, 75b, 75c, 75d, 75e, and 75f may be shared by adjacent horizontal structures 83a, 83b, 83c, 83d, and 83e.

상기 제1 수평 전극 라인(75a, 75b, 75c, 75d, 75e, 75f)은 인접하는 수평 구조물(83a, 83b, 83c, 83d, 83e) 상에 제2 수평 전극 라인(81a, 81b, 81c, 81d, 81e) 과의 사이에서 인접하는 수평 구조물(83a, 83b, 83c, 83d, 83e)을 동시에 발광시킬 수 있다. 예컨대, 상기 제1 전극(71)의 제1 수평 전극 라인(75b)과 제1 수평 구조물(83a) 상의 제2 수평 전극 라인(81a) 사이의 전원에 의해 상기 제1 수평 구조물(83a)이 발광될 수 있다. 이와 동시에, 상기 제1 전극(71)의 제1 수평 전극 라인(75b)과 제2 수평 구조물(83b) 상의 제2 전극(77)의 또 다른 제2 수평 전극 라인(81b) 사이의 전원에 의해 상기 제2 수평 구조물(83b)이 발광될 수 있다. The first horizontal electrode lines 75a, 75b, 75c, 75d, 75e, and 75f are second horizontal electrode lines 81a, 81b, 81c, 81d on adjacent horizontal structures 83a, 83b, 83c, 83d, 83e. , 81e) and adjacent horizontal structures 83a, 83b, 83c, 83d, and 83e can simultaneously emit light. For example, the first horizontal structure 83a emits light by power between the first horizontal electrode line 75b of the first electrode 71 and the second horizontal electrode line 81a on the first horizontal structure 83a. Can be. At the same time, by the power between the first horizontal electrode line 75b of the first electrode 71 and another second horizontal electrode line 81b of the second electrode 77 on the second horizontal structure 83b. The second horizontal structure 83b may emit light.

전류 스프레딩 효과를 증대시키기 위해 상기 제1 수평 전극 라인(75a, 75b, 75c, 75d, 75e, 75f)과 인접하는 수평 구조물(83a, 83b, 83c, 83d, 83e) 사이의 간격은 5㎛ 내지 15㎛일 수 있다. To increase the current spreading effect, the distance between the first horizontal electrode lines 75a, 75b, 75c, 75d, 75e, 75f and adjacent horizontal structures 83a, 83b, 83c, 83d, 83e is 5 μm to It may be 15㎛.

도 8은 실시예에 따른 발광 소자 패키지를 도시한 단면도이다.8 is a cross-sectional view showing a light emitting device package according to an embodiment.

도 8을 참조하면, 실시예에 따른 발광 소자 패키지는 몸체(330)와, 상기 몸체(330)에 설치된 제1 리드 프레임(310) 및 제2 리드 프레임(320)과, 상기 몸체(330)에 설치되어 상기 제1 리드 프레임(310) 및 제2 리드 프레임(320)으로부터 전원을 공급받는 제1 실시예 내지 제3 실시예들에 따른 발광 소자(10)와, 상기 발광 소자(10)를 포위하는 몰딩부재(340)를 포함한다.Referring to FIG. 8, the light emitting device package according to the embodiment includes a body 330, a first lead frame 310 and a second lead frame 320 installed on the body 330, and the body 330. The light emitting device 10 according to the first to third embodiments installed and supplied with power from the first lead frame 310 and the second lead frame 320 and the light emitting device 10 are surrounded. It includes a molding member 340.

상기 몸체(330)는 실리콘 재질, 합성수지 재질, 또는 금속 재질을 포함하여 형성될 수 있으며, 상기 발광 소자(10)의 주위에 경사면이 형성될 수 있다.The body 330 may be formed of a silicon material, a synthetic resin material, or a metal material, and an inclined surface may be formed around the light emitting device 10.

상기 제1 리드 프레임(310) 및 제2 리드 프레임(320)은 서로 전기적으로 분리되며, 상기 발광 소자(10)에 전원을 제공한다.The first lead frame 310 and the second lead frame 320 are electrically separated from each other, and provide power to the light emitting device 10.

또한, 상기 제1,2 리드 프레임(310,320)은 상기 발광 소자(10)에서 발생된 빛을 반사시켜 광 효율을 증가시킬 수 있으며, 상기 발광 소자(10)에서 발생된 열을 외부로 배출시키는 역할을 할 수도 있다.In addition, the first and second lead frames 310 and 320 may reflect light generated from the light emitting device 10 to increase light efficiency, and discharge heat generated from the light emitting device 10 to the outside. You can also do

상기 발광 소자(10)는 상기 제1 리드 프레임(310), 제2 리드 프레임(320) 및 상기 몸체(330) 중 어느 하나 위에 설치될 수 있으며, 와이어 방식, 다이 본딩 방식 등에 의해 상기 제1,2 리드 프레임(310,320)에 전기적으로 연결될 수 있으나, 이에 대해 한정하지는 않는다.The light emitting device 10 may be installed on any one of the first lead frame 310, the second lead frame 320, and the body 330, and the first, by wire, die bonding, etc. 2 may be electrically connected to the lead frames 310 and 320, but is not limited thereto.

실시예에서는 제1 실시예에 따른 발광 소자(10)가 예시되어 있으며, 두개의 와이어(350)를 통해 상기 제1,2 리드 프레임(310,320)과 전기적으로 연결된 것이 예시되어 있으나, 제2 실시예에 따른 발광 소자(10)의 경우 상기 와이어(350)없이 상기 제1,2 리드 프레임(310,320)과 전기적으로 연결될 수 있으며, 제3 실시예에 따른 발광 소자(10)의 경우 하나의 와이어(350)를 이용하여 상기 제1,2 리드 프레임(310,320)과 전기적으로 연결될 수 있다.In the embodiment, the light emitting device 10 according to the first embodiment is illustrated, and it is illustrated that the first and second lead frames 310 and 320 are electrically connected through two wires 350, but the second embodiment In the case of the light emitting device 10 according to the first and second lead frames 310 and 320 can be electrically connected without the wire 350, in the case of the light emitting device 10 according to the third embodiment, one wire 350 ) May be electrically connected to the first and second lead frames 310 and 320.

상기 몰딩부재(340)는 상기 발광 소자(10)를 포위하여 상기 발광 소자(10)를 보호할 수 있다. 또한, 상기 몰딩부재(340)에는 형광체가 포함되어 상기 발광 소자(10)에서 방출된 광의 파장을 변화시킬 수 있다.The molding member 340 may surround the light emitting device 10 to protect the light emitting device 10. In addition, a phosphor is included in the molding member 340 to change the wavelength of the light emitted from the light emitting device 10.

또한, 상기 발광 소자 패키지(200)는 COB(Chip On Board) 타입을 포함하며, 상기 몸체(330)의 상면은 평평하고, 상기 몸체(330)에는 복수의 발광 소자(10)가 설치될 수도 있다.In addition, the light emitting device package 200 includes a COB (Chip On Board) type, the top surface of the body 330 is flat, and the body 330 may be provided with a plurality of light emitting devices 10. .

10, 10A, 10B: 자외선 발광 소자 11: 기판
13: 버퍼층 15: 제1 도전형 반도체층
17: 활성층 19: 제2 도전형 반도체층
20: 발광 구조물 21, 23, 51, 71: 제1 전극
25, 29, 53, 73: 제1 수직 전극 라인
27a, 27b, 31a, 31b, 55a 내지 55f, 75a 내지 75f: 제1 수평 전극 라인
33, 59, 77: 제2 전극
35a 내지 35e, 61a 내지 61e, 85a 내지 85e: 수평 구조물
37a 내지 37d, 87: 수직 구조물
41a 내지 41e, 57a 내지 57e, 81a 내지 81e: 제2 수평 전극 라인
43a 내지 43d, 79: 제2 수직 전극 라인
45: 반사층
47a 내지 47d: 그루브10, 10A, 10B: ultraviolet light emitting element 11: substrate
13: buffer layer 15: first conductivity type semiconductor layer
17: active layer 19: second conductivity type semiconductor layer
20: light emitting structure 21, 23, 51, 71: first electrode
25, 29, 53, 73: first vertical electrode line
27a, 27b, 31a, 31b, 55a to 55f, 75a to 75f: first horizontal electrode line
33, 59, 77: second electrode
35a to 35e, 61a to 61e, 85a to 85e: horizontal structure
37a-37d, 87: vertical structure
41a to 41e, 57a to 57e, 81a to 81e: second horizontal electrode line
43a to 43d, 79: second vertical electrode line
45: reflective layer
47a-47d: Groove

Claims

기판;
상기 기판 상에 배치되고, 제1 도전형 반도체층, 상기 제1 도전형 반도체층 상에 배치되는 활성층, 및 상기 활성층 상에 배치되는 제2 도전형 반도체층을 포함하는 발광 구조물;
상기 제1 도전형 반도체층과 접촉하는 제1 전극; 및
상기 제2 도전형 반도체층과 접촉하는 제2 전극을 포함하고,
상기 제1 도전형 반도체층, 상기 활성층, 및 상기 제2 도전형 반도체층은 각각 알루미늄을 포함하고,
상기 활성층은 자외선 광을 방출하고,
상기 기판은 제1 방향을 따라 서로 마주보는 일단과 타단을 포함하고,
상기 제2 전극은 상기 제1 방향을 따라 서로 마주보고 상기 기판의 일단과 인접한 일단, 및 상기 기판의 타단과 인접한 타단을 포함하고, 상기 제2 전극의 타단에서 제2 전극의 일단을 향하는 방향으로 오목한 제1 그루브와 제3 그루브, 및 상기 제2 전극의 일단에서 상기 제2 전극의 타단을 향하여 오목하고 상기 제1 그루브와 상기 제3 그루브 사이에 위치한 제2 그루브를 포함하고,
상기 제1 그루브, 상기 제2 그루브, 및 상기 제3 그루브는 각각 상기 제1 방향에 수직한 제2 방향으로 서로 이격되고,
상기 제1 전극은 상기 제1 그루브에 배치된 제1 연장부, 상기 제2 그루브에 배치된 제2 연장부, 상기 제3 그루브에 배치된 제3 연장부, 및 상기 제1 방향에 수직한 제2 방향을 따라 연장되는 연결 전극을 포함하고,
상기 연결 전극은 상기 제2 전극의 일단과 상기 기판의 일단 사이에 배치된 제1 연결 전극, 및 상기 제2 전극의 타단과 상기 기판의 타단 사이에 배치된 제2 연결 전극을 포함하고,
상기 제1 연결 전극은 상기 제2 연장부와 접촉하고,
상기 제2 연결 전극은 상기 제1 연장부, 및 상기 제3 연장부와 접촉하고,
상기 제2 전극은 상기 제1 방향을 따라 연장되는 수평부, 및 상기 제2 방향을 따라 연장되는 수직부를 포함하고,
상기 제2 연결 전극의 상기 제1 방향의 폭은 상기 제2 전극의 수직부의 상기 제1 방향의 폭 및 상기 제2 전극의 수평부의 상기 제2 방향의 폭보다 크고,
상기 제2 도전형 반도체층은 상기 제2 전극의 수평부에 대응되는 복수 개의 수평 구조물, 및 상기 제2 전극의 수직부에 대응되는 복수 개의 수직 구조물을 포함하고,
상기 제2 도전형 반도체층은 상기 제2 전극의 일단과 인접한 일단, 및 상기 제2 전극의 타단과 인접한 타단을 포함하고,
상기 제2 도전형 반도체층의 일단과 상기 기판의 일단 사이의 상기 제1 방향의 이격 거리는 상기 제2 도전형 반도체층의 수직 구조물의 제1 방향의 폭 및 상기 제2 도전형 반도체층의 수평 구조물의 제2 방향의 폭보다 크고,
상기 활성층에서 방출되는 자외선 광의 TM 편광의 광 추출 효율이 증가되도록 상기 제2 도전형 반도체층의 복수 개의 수평 구조물은 제2 방향으로 이격 배치된 발광 소자.
Board;
A light emitting structure disposed on the substrate and including a first conductivity type semiconductor layer, an active layer disposed on the first conductivity type semiconductor layer, and a second conductivity type semiconductor layer disposed on the active layer;
A first electrode in contact with the first conductivity type semiconductor layer; And
And a second electrode in contact with the second conductivity type semiconductor layer,
The first conductivity type semiconductor layer, the active layer, and the second conductivity type semiconductor layer each include aluminum,
The active layer emits ultraviolet light,
The substrate includes one end and the other end facing each other along the first direction,
The second electrode faces each other along the first direction, and includes one end adjacent to one end of the substrate and the other end adjacent to the other end of the substrate, in a direction toward the one end of the second electrode from the other end of the second electrode. A concave first groove and a third groove, and a second groove located at one end of the second electrode toward the other end of the second electrode and positioned between the first groove and the third groove,
The first groove, the second groove, and the third groove are each spaced apart from each other in a second direction perpendicular to the first direction,
The first electrode may include a first extension portion disposed in the first groove, a second extension portion disposed in the second groove, a third extension portion disposed in the third groove, and a first perpendicular to the first direction. It includes a connecting electrode extending in two directions,
The connection electrode includes a first connection electrode disposed between one end of the second electrode and one end of the substrate, and a second connection electrode disposed between the other end of the second electrode and the other end of the substrate,
The first connection electrode is in contact with the second extension,
The second connection electrode contacts the first extension portion and the third extension portion,
The second electrode includes a horizontal portion extending along the first direction, and a vertical portion extending along the second direction,
The width of the second connection electrode in the first direction is greater than the width of the vertical portion of the second electrode in the first direction and the width of the horizontal portion of the second electrode in the second direction,
The second conductivity-type semiconductor layer includes a plurality of horizontal structures corresponding to the horizontal portion of the second electrode, and a plurality of vertical structures corresponding to the vertical portion of the second electrode,
The second conductivity-type semiconductor layer includes one end adjacent to one end of the second electrode and the other end adjacent to the other end of the second electrode,
The separation distance in the first direction between one end of the second conductivity type semiconductor layer and one end of the substrate is a width in a first direction of a vertical structure of the second conductivity type semiconductor layer and a horizontal structure of the second conductivity type semiconductor layer. Greater than the width of the second direction of,
A plurality of horizontal structures of the second conductive type semiconductor layer are spaced apart in the second direction so that the light extraction efficiency of TM polarization of the ultraviolet light emitted from the active layer is increased.

제1 항에 있어서,
상기 발광 구조물은 상기 제1 방향으로 연장된 복수의 수평 구조물, 및 상기 제2 방향으로 연장된 복수의 수직 구조물을 포함하고,
상기 복수의 수평 구조물은 제1 수평 구조물, 제2 수평 구조물, 제3 수평 구조물, 및 제4 수평 구조물을 포함하고,
상기 복수의 수평 구조물은 각각 제1 방향으로 마주보는 일단 및 타단을 포함하고,
상기 복수의 수직 구조물은 상기 수평 구조물의 일단 사이에 배치된 제1 수직 구조물과 제3 수직 구조물, 및 상기 수평 구조물의 타단 사이에 배치된 제2 수직 구조물을 포함하는 발광 소자.
According to claim 1,
The light emitting structure includes a plurality of horizontal structures extending in the first direction, and a plurality of vertical structures extending in the second direction,
The plurality of horizontal structures includes a first horizontal structure, a second horizontal structure, a third horizontal structure, and a fourth horizontal structure,
Each of the plurality of horizontal structures includes one end and the other end facing the first direction,
The plurality of vertical structures includes a first vertical structure and a third vertical structure disposed between one end of the horizontal structure, and a second vertical structure disposed between the other ends of the horizontal structure.

제2 항에 있어서,
상기 제1 수직 구조물은 상기 제1 수평 구조물의 일단과 상기 제2 수평 구조물의 일단 사이에 배치되고,
상기 제2 수직 구조물은 상기 제2 수평 구조물의 타단과 상기 제3 수평 구조물의 타단 사이에 배치되고,
상기 제3 수직 구조물은 상기 제3 수평 구조물의 일단과 상기 제4 수평 구조물의 일단 사이에 배치된 발광 소자.
According to claim 2,
The first vertical structure is disposed between one end of the first horizontal structure and one end of the second horizontal structure,
The second vertical structure is disposed between the other end of the second horizontal structure and the other end of the third horizontal structure,
The third vertical structure is a light emitting device disposed between one end of the third horizontal structure and one end of the fourth horizontal structure.

제3 항에 있어서,
상기 제1 수직 구조물은 상기 제1 수평 구조물 및 상기 제2 수평 구조물과 연결되고,
상기 제2 수직 구조물은 상기 제2 수평 구조물 및 상기 제3 수평 구조물과 연결되고,
상기 제3 수직 구조물은 상기 제3 수평 구조물 및 상기 제4 수평 구조물과 연결된 발광 소자.
According to claim 3,
The first vertical structure is connected to the first horizontal structure and the second horizontal structure,
The second vertical structure is connected to the second horizontal structure and the third horizontal structure,
The third vertical structure is a light emitting device connected to the third horizontal structure and the fourth horizontal structure.

제3항 또는 제4 항에 있어서,
상기 제1 내지 제4 수평 구조물은 각각 상기 제1 방향의 제1 내지 제4 폭을 갖고,
상기 제1 내지 제3 수직 구조물은 각각 상기 제1 방향의 제5 내지 제7 폭을 갖고,
상기 제1 내지 제4 폭은 각각 상기 제1 내지 제4 수평 구조물의 제1 방향 최대폭이고,
상기 제5 내지 제7 폭은 각각 상기 제1 내지 제3 수직 구조물의 제1 방향 최대폭인 발광 소자.
The method of claim 3 or 4,
The first to fourth horizontal structures each have first to fourth widths in the first direction,
The first to third vertical structures each have a fifth to seventh width in the first direction,
The first to fourth widths are maximum widths in the first direction of the first to fourth horizontal structures, respectively.
Each of the fifth to seventh widths is a maximum width in the first direction of the first to third vertical structures.

제5 항에 있어서,
상기 제1 내지 제4 폭은 서로 같고,
상기 제5 내지 제7 폭은 서로 같은 발광 소자.
The method of claim 5,
The first to fourth widths are the same as each other,
The fifth to seventh widths are the same light-emitting elements.

제6 항에 있어서,
상기 제1 내지 제4 폭은 상기 제5 내지 제7 폭보다 큰 발광 소자.
The method of claim 6,
The first to fourth widths are larger than the fifth to seventh width light emitting devices.

제7 항에 있어서,
상기 제1 내지 제4 수평 구조물은 상기 제2 방향의 최대폭을 갖고,
상기 제5 내지 제7 폭은 상기 제1 내지 제4 수평 구조물의 제2 방향의 최대 폭과 같은 발광 소자.
The method of claim 7,
The first to fourth horizontal structures have a maximum width in the second direction,
The fifth to seventh widths are the same as the maximum width in the second direction of the first to fourth horizontal structures.

제7 항에 있어서,
상기 제1 및 제3 연장부는 상기 제1 및 제3 수직 구조물과 각각 상기 제1 방향으로 이격되고, 상기 제2 수직 구조물과 상기 제2 방향으로 중첩된 발광 소자.
The method of claim 7,
The first and third extending portions are spaced apart from the first and third vertical structures in the first direction, respectively, and the second vertical structure and the second light emitting device overlap the second direction.

제9 항에 있어서,
상기 제2 연장부는 상기 제2 수직 구조물과 상기 제1 방향으로 이격되고,
상기 제1 및 제3 수직 구조물과 상기 제2 방향으로 중첩된 발광 소자.
The method of claim 9,
The second extension is spaced apart from the second vertical structure in the first direction,
A light emitting device overlapping the first and third vertical structures in the second direction.

제2 항에 있어서,
상기 제1 연장부와 상기 제1 수평 구조물 사이의 제1 최소 거리, 상기 제1 연장부와 상기 제2 수평 구조물 사이의 제2 최소 거리, 상기 제2 연장부와 상기 제2 수평 구조물 사이의 제3 최소 거리, 상기 제2 연장부와 상기 제3 수평 구조물 사이의 제4 최소 거리, 상기 제3 연장부와 상기 제3 수평 구조물 사이의 제5 최소 거리, 상기 제3 연장부와 상기 제4 수평 구조물 사이의 제6 최소 거리를 포함하고,
상기 제1 내지 제6 최소 거리는 상기 제2 방향의 거리이고,
상기 제1 내지 제6 최소 거리는 5 ㎛ 내지 20 ㎛인 발광 소자.
According to claim 2,
A first minimum distance between the first extension and the first horizontal structure, a second minimum distance between the first extension and the second horizontal structure, and a second distance between the second extension and the second horizontal structure. 3 minimum distance, fourth minimum distance between the second extension and the third horizontal structure, fifth minimum distance between the third extension and the third horizontal structure, and the third extension and the fourth horizontal Includes a sixth minimum distance between structures,
The first to sixth minimum distances are distances in the second direction,
The first to sixth minimum distance is 5 µm to 20 µm.

제11 항에 있어서,
상기 제1 내지 제6 최소 거리는 모두 같은 발광 소자.
The method of claim 11,
The first to sixth minimum distances are all the same light emitting device.

제2 항에 있어서,
상기 복수의 수평 구조물은 상기 자외선 광의 TM 편광의 광 추출 효율이 증가되도록 발광구조물의 측면의 볼륨을 증가시키기 위해서 복수 개로 분리된 발광 소자.
According to claim 2,
The plurality of horizontal structures are separated into a plurality of light emitting devices to increase the volume of the side surface of the light emitting structure so that the light extraction efficiency of the TM polarization of the ultraviolet light is increased.

기판;
상기 기판 상에 배치되고 제1 도전형 반도체층, 제2 도전형 반도체층 및 상기 제1 도전형 반도체층과 상기 제2 도전형 반도체층 사이에 배치되는 활성층을 포함하는 발광 구조물;
상기 제1 도전형 반도체층과 전기적으로 연결되는 제1 전극; 및
상기 제2 도전형 반도체층과 전기적으로 연결된 제2 전극; 을 포함하고,
상기 제1 도전형 반도체층, 상기 활성층, 및 상기 제2 도전형 반도체층은 각각 알루미늄을 포함하고,
상기 활성층은 자외선 광을 생성하고,
상기 기판은 제1 방향을 따라 서로 마주보는 일단 및 타단을 포함하고,
상기 제2 전극은,
상기 제1 방향을 따라 서로 마주보는 일단과 타단을 각각 포함하는 제1 내지 제4 수평 전극,
상기 제1 수평 전극의 일단과 상기 제2 수평 전극의 일단 사이에 배치되고, 상기 제1 방향에 수직한 제2 방향으로 연장된 제1 수직 전극,
상기 제2 수평 전극의 타단과 상기 제3 수평 전극의 타단 사이에서 상기 제2 방향을 따라 연장된 제2 수직 전극, 및
상기 제3 수평 전극의 일단과 상기 제4 수평 전극의 일단 사이에서 상기 제2 방향을 따라 연장된 제3 수직 전극을 포함하고,
상기 제1 내지 제4 수평 전극의 일단은 상기 기판의 일단과 인접하고,
상기 제1 내지 제4 수평 전극의 타단은 상기 기판의 타단과 인접하고,
상기 제1 전극은,
상기 제1 수평 전극과 상기 제2 수평 전극 사이 영역에 배치된 제1 부,
상기 제2 수평 전극과 상기 제3 수평 전극 사이 영역에 배치된 제2 부,
상기 제3 수평 전극과 상기 제4 수평 전극 사이 영역에 배치된 제3 부, 및 상기 제1 부 및 제3 부와 접촉하고, 상기 제2 방향으로 연장되는 연결 전극을 포함하고,
상기 제1 부는 상기 제1 수평 전극의 타단과 상기 제2 수평 전극의 타단 사이 영역에서 상기 제1 수직 전극을 향하여 연장되고,
상기 제2 부는 상기 제2 수평 전극의 일단과 상기 제3 수평 전극의 일단 사이 영역에서 상기 제2 수직 전극을 향하여 연장되고,
상기 제3 부는 상기 제3 수평 전극의 타단과 상기 제4 수평 전극의 타단 사이 영역에서 상기 제3 수직 전극을 향하여 연장되고,
상기 연결 전극은 상기 제1 내지 제4 수평 전극의 타단과 상기 기판의 타단 사이에 배치되고,
상기 연결 전극의 제1 방향 폭은 상기 제1 내지 제3 수직 전극의 제1 방향 폭보다 넓고,
상기 자외선 광의 TM 편광의 광 추출 효율이 증가되도록 상기 제2 전극의 상기 제1 내지 제4 수평 전극은 제2 방향으로 이격 배치된 발광 소자.
Board;
A light emitting structure disposed on the substrate and including a first conductivity type semiconductor layer, a second conductivity type semiconductor layer, and an active layer disposed between the first conductivity type semiconductor layer and the second conductivity type semiconductor layer;
A first electrode electrically connected to the first conductivity type semiconductor layer; And
A second electrode electrically connected to the second conductivity type semiconductor layer; Including,
The first conductivity type semiconductor layer, the active layer, and the second conductivity type semiconductor layer each include aluminum,
The active layer generates ultraviolet light,
The substrate includes one end and the other end facing each other along the first direction,
The second electrode,
First to fourth horizontal electrodes each including one end and the other end facing each other along the first direction,
A first vertical electrode disposed between one end of the first horizontal electrode and one end of the second horizontal electrode, and extending in a second direction perpendicular to the first direction,
A second vertical electrode extending in the second direction between the other end of the second horizontal electrode and the other end of the third horizontal electrode, and
And a third vertical electrode extending in the second direction between one end of the third horizontal electrode and one end of the fourth horizontal electrode,
One end of the first to fourth horizontal electrodes is adjacent to one end of the substrate,
The other end of the first to fourth horizontal electrodes is adjacent to the other end of the substrate,
The first electrode,
A first portion disposed in a region between the first horizontal electrode and the second horizontal electrode,
A second part disposed in a region between the second horizontal electrode and the third horizontal electrode,
A third portion disposed in an area between the third horizontal electrode and the fourth horizontal electrode, and a connection electrode contacting the first portion and the third portion and extending in the second direction,
The first portion extends toward the first vertical electrode in an area between the other end of the first horizontal electrode and the other end of the second horizontal electrode,
The second portion extends toward the second vertical electrode in a region between one end of the second horizontal electrode and one end of the third horizontal electrode,
The third portion extends toward the third vertical electrode in a region between the other end of the third horizontal electrode and the other end of the fourth horizontal electrode,
The connection electrode is disposed between the other end of the first to fourth horizontal electrodes and the other end of the substrate,
The width in the first direction of the connection electrode is wider than the width in the first direction of the first to third vertical electrodes,
The first to fourth horizontal electrodes of the second electrode are spaced apart in a second direction so that the light extraction efficiency of the TM polarization of the ultraviolet light is increased.

제14 항에 있어서,
상기 제1 내지 제4 수평 전극은 각각 상기 제1 방향의 제1 내지 제4 폭을 갖고,
상기 제1 내지 제3 수직 전극은 각각 상기 제1 방향의 제5 내지 제7 폭을 갖고,
상기 제1 내지 제4 폭은 각각 상기 제1 내지 제4 수평 전극의 제1 방향 최대폭이고,
상기 제5 내지 제7 폭은 각각 상기 제1 내지 제3 수직 전극의 제1 방향 최대폭이고,
상기 제1 내지 제4 폭은 서로 같고,
상기 제5 내지 제7 폭은 서로 같은 발광 소자.
The method of claim 14,
The first to fourth horizontal electrodes each have first to fourth widths in the first direction,
The first to third vertical electrodes each have a fifth to seventh width in the first direction,
The first to fourth widths are maximum widths of the first to fourth horizontal electrodes in the first direction, respectively.
The fifth to seventh widths are maximum widths of the first to third vertical electrodes in the first direction, respectively.
The first to fourth widths are the same as each other,
The fifth to seventh widths are the same light-emitting elements.

제15 항에 있어서,
상기 제1 내지 제4 폭은 상기 제5 내지 제7 폭 보다 큰 발광 소자.
The method of claim 15,
The first to fourth widths are larger than the fifth to seventh width light emitting devices.

제16 항에 있어서,
상기 제1 내지 제4 수평 전극은 상기 제2 방향의 최대폭을 갖고,
상기 제5 내지 제7 폭은 상기 제1 내지 제4 수평 전극의 제2 방향의 최대 폭과 같은 발광 소자.
The method of claim 16,
The first to fourth horizontal electrodes have a maximum width in the second direction,
The fifth to seventh widths are the same as the maximum width in the second direction of the first to fourth horizontal electrodes.

제16 항에 있어서,
상기 제1 및 제3 부는 상기 제1 및 제3 수직 전극과 각각 상기 제1 방향으로 이격되고, 상기 제2 수직 전극과 상기 제2 방향으로 중첩되고,
상기 제2 부는 상기 제2 수직 전극과 상기 제1 방향으로 이격되고,
상기 제1 및 제3 수직 전극과 상기 제2 방향으로 중첩된 발광 소자.
The method of claim 16,
The first and third parts are spaced apart from the first and third vertical electrodes in the first direction, respectively, and overlapped with the second vertical electrodes in the second direction,
The second part is spaced apart from the second vertical electrode in the first direction,
A light emitting device overlapping the first and third vertical electrodes in the second direction.

제18 항에 있어서,
상기 발광 구조물은 상기 제1 도전형 반도체층 상에 배치되고 상기 활성층과 상기 제2 도전형 반도체층을 포함하는 발광부를 포함하고,
상기 발광부는,
상기 제1 방향을 따라 배치된 제1 수평 발광부, 제2 수평 발광부, 제3 수평 발광부, 제4 수평 발광부,
상기 제1 수평 발광부와 상기 제2 수평 발광부 사이에 배치된 제1 수직 발광부, 상기 제2 수평 발광부와 상기 제3 수평 발광부 사이에 배치된 제2 수직 발광부, 및 상기 제3 수평 발광부와 상기 제4 수평 발광부 사이에 배치된 제3 수직 발광부를 포함하고,
상기 제1 내지 제4 수평 발광부는 각각 상기 제1 방향으로 마주보는 일단과 타단을 포함하고,
상기 제1 수직 발광부는 상기 제1 수평 발광부의 일단과 상기 제2 수평 발광부의 일단 사이에 배치되고,
상기 제2 수직 발광부는 상기 제2 수평 발광부의 타단과 상기 제3 수평 발광부의 타단 사이에 배치되고,
상기 제3 수직 발광부는 상기 제3 수평 발광부의 일단과 상기 제4 수평 발광부의 일단 사이에 배치되고,
상기 제1 내지 제4 수평 전극은 상기 제1 내지 제4 수평 발광부 상에 각각 배치되고,
상기 제1 내지 제4 수직 전극은 상기 제1 내지 제4 수직 발광부 상에 각각 배치되고,
상기 제1 내지 제4 수평 발광부는 상기 자외선 광의 TM 편광의 광 추출 효율이 증가되도록 발광구조물의 측면의 볼륨을 증가시키기 위해서 복수 개로 분리된 발광 소자.
The method of claim 18,
The light emitting structure includes a light emitting unit disposed on the first conductivity type semiconductor layer and including the active layer and the second conductivity type semiconductor layer,
The light emitting unit,
A first horizontal light emitting unit, a second horizontal light emitting unit, a third horizontal light emitting unit, a fourth horizontal light emitting unit disposed in the first direction,
A first vertical light emitting unit disposed between the first horizontal light emitting unit and the second horizontal light emitting unit, a second vertical light emitting unit disposed between the second horizontal light emitting unit and the third horizontal light emitting unit, and the third And a third vertical light emitting part disposed between the horizontal light emitting part and the fourth horizontal light emitting part,
Each of the first to fourth horizontal light emitting units includes one end and the other end facing the first direction,
The first vertical light emitting part is disposed between one end of the first horizontal light emitting part and one end of the second horizontal light emitting part,
The second vertical light emitting part is disposed between the other end of the second horizontal light emitting part and the other end of the third horizontal light emitting part,
The third vertical light emitting part is disposed between one end of the third horizontal light emitting part and one end of the fourth horizontal light emitting part,
The first to fourth horizontal electrodes are respectively disposed on the first to fourth horizontal light emitting units,
The first to fourth vertical electrodes are respectively disposed on the first to fourth vertical light emitting units,
The first to fourth horizontal light emitting units are separated into a plurality of light emitting elements to increase the volume of the side of the light emitting structure so that the light extraction efficiency of TM polarization of the ultraviolet light is increased.

제19 항에 있어서,
상기 제1 내지 제3 수직 발광부는 각각 상기 제1 방향의 일단, 상기 일단과 마주보는 타단을 포함하고,
상기 제1 수직 발광부의 일단과 상기 제1 및 제2 수평 발광부의 일단은 동일 평면 상에 위치하고,
상기 제2 수직 발광부의 타단과 상기 제2 및 제3 수평 발광부의 타단은 동일 평면 상에 위치하고,
상기 제3 수직 발광부의 일단과 상기 제3 및 제4 수평 발광부의 일단은 동일 평면 상에 위치한 발광 소자.The method of claim 19,
Each of the first to third vertical light emitting units includes one end in the first direction and the other end facing the one end,
One end of the first vertical light emitting part and one end of the first and second horizontal light emitting parts are located on the same plane,
The other end of the second vertical light emitting part and the other end of the second and third horizontal light emitting parts are located on the same plane,
One end of the third vertical light emitting unit and one end of the third and fourth horizontal light emitting units are positioned on the same plane.