KR20090116840A - Light emitting device and method for fabricating the same - Google Patents

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KR20090116840A KR20080042601A KR20080042601A KR20090116840A KR 20090116840 A KR20090116840 A KR 20090116840A KR 20080042601 A KR20080042601 A KR 20080042601A KR 20080042601 A KR20080042601 A KR 20080042601A KR 20090116840 A KR20090116840 A KR 20090116840A
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박형조
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Abstract

PURPOSE: A light emitting device and a method for fabricating the same are provided to improve the luminance of the emitting device by driving a stable operation voltage without luminosity deterioration. CONSTITUTION: In a light emitting device and a method for fabricating the same, a semiconductor layer(50) of the second conductive type is formed on a second electrode layer. A current shielding layer(70) is formed in the semiconductor layer of the second conductive type. An active layer(40) is formed on the semiconductor layer of the second conductive type. The semiconductor layer(30) of the first conductivity type is formed on the active layer. The first electrode layer is formed on the semiconductor layer of the first conductivity type. At least a part of the first electrode layer, the second electrode layers, and a current shielding layer are arranged to be the same vertical surface. An ohmic electrode layer(80) is formed between the second electrode layers and the current shielding layer.

Description

발광 소자 및 그 제조방법{LIGHT EMITTING DEVICE AND METHOD FOR FABRICATING THE SAME} LIGHT EMITTING DEVICE AND METHOD FOR FABRICATING THE SAME}

본 발명은 발광 소자 및 그 제조방법에 관한 것이다.The present invention relates to a light emitting device and a method of manufacturing the same.

최근, 발광 소자로써 LED(Light Emitting Diode)를 이용한 장치가 많이 연구되고 있다.Recently, many devices using light emitting diodes (LEDs) as light emitting devices have been studied.

LED는 화합물 반도체의 특성을 이용하여 전기 신호를 빛으로 변환시키는 것으로, 제1 도전형의 반도체층, 활성층, 제2 도전형의 반도체층이 적층되어 전원이 인가됨에 따라 상기 활성층에서 빛을 방출한다. 상기 제1 도전형의 반도체층은 N형 반도체층이 되고 상기 제2 도전형의 반도체층은 P형 반도체층이 될 수 있고, 또는 그 반대가 될 수도 있다.The LED converts an electrical signal into light using characteristics of a compound semiconductor, and the first conductive semiconductor layer, the active layer, and the second conductive semiconductor layer are stacked to emit light from the active layer as power is applied. . The first conductive semiconductor layer may be an N-type semiconductor layer, and the second conductive semiconductor layer may be a P-type semiconductor layer, or vice versa.

한편, 상기 제1 도전형의 반도체층에 전원을 인가하는 제1 전극층과 상기 제2 도전형의 반도체층에 전원을 인가하는 제2 전극층이 수직 방향으로 배치되는 수직형 LED 구조에서, 상기 제1 전극층의 하측에 전류가 집중되는 현상이 발생될 수 있다.Meanwhile, in the vertical LED structure in which a first electrode layer applying power to the first conductive semiconductor layer and a second electrode layer applying power to the second conductive semiconductor layer are arranged in a vertical direction, the first A phenomenon in which current is concentrated under the electrode layer may occur.

상기 제1 전극층의 하측에 전류가 집중되는 형상이 발생되는 경우, 동작 전 압이 상승되고 광도가 저하될 수 있으며, 결과적으로 발광 소자의 신뢰성이 떨어진다.When the shape in which the current is concentrated below the first electrode layer is generated, the operating voltage may be increased and the brightness may be decreased, and as a result, the reliability of the light emitting device is low.

실시예는 발광 소자 및 그 제조방법을 제공한다.The embodiment provides a light emitting device and a method of manufacturing the same.

실시예는 전류 집중 현상을 제거할 수 있는 발광 소자 및 그 제조방법을 제공한다.The embodiment provides a light emitting device capable of eliminating current concentration and a method of manufacturing the same.

실시예는 안정적인 동작 전압으로 구동될 수 있고, 광도가 저하됨없이 안정적으로 동작될 수 있는 발광 소자 및 그 제조방법을 제공한다.The embodiment provides a light emitting device and a method of manufacturing the same, which can be driven at a stable operating voltage and can be operated stably without deterioration of brightness.

본 발명의 실시예에 따른 발광 소자는 제2 전극층; 상기 제2 전극층 상에 형성된 제2 도전형의 반도체층; 상기 제2 도전형의 반도체층에 형성된 전류 차단층; 상기 제2 도전형의 반도체층 상에 형성된 활성층; 상기 활성층 상에 형성된 제1 도전형의 반도체층; 및 상기 제1 도전형의 반도체층 상에 형성된 제1 전극층이 포함된다.The light emitting device according to the embodiment of the present invention includes a second electrode layer; A second conductive semiconductor layer formed on the second electrode layer; A current blocking layer formed on the second conductive semiconductor layer; An active layer formed on the second conductive semiconductor layer; A first conductive semiconductor layer formed on the active layer; And a first electrode layer formed on the first conductive semiconductor layer.

본 발명의 실시예에 따른 발광 소자 제조방법은 기판 상에 Un-doped GaN층, 제1 도전형의 반도체층, 활성층 및 제2 도전형의 반도체층을 형성하는 단계; 상기 제2 도전형의 반도체층에 전류 차단층을 형성하는 단계; 상기 제2 도전형의 반도체층 상에 제2 전극층을 형성하는 단계; 및 상기 기판 및 Un-doped GaN층을 제거하고, 상기 제1 도전형의 반도체층 상에 제1 전극층을 형성하는 단계가 포함된다.A light emitting device manufacturing method according to an embodiment of the present invention comprises the steps of forming an Un-doped GaN layer, a first conductive semiconductor layer, an active layer and a second conductive semiconductor layer on a substrate; Forming a current blocking layer on the second conductive semiconductor layer; Forming a second electrode layer on the second conductive semiconductor layer; And removing the substrate and the un-doped GaN layer and forming a first electrode layer on the first conductive semiconductor layer.

실시예는 발광 소자 및 그 제조방법을 제공할 수 있다.The embodiment can provide a light emitting device and a method of manufacturing the same.

실시예는 전류 집중 현상을 제거할 수 있는 발광 소자 및 그 제조방법을 제공할 수 있다.The embodiment can provide a light emitting device capable of removing a current concentration phenomenon and a method of manufacturing the same.

실시예는 안정적인 동작 전압으로 구동될 수 있고, 광도가 저하됨없이 안정적으로 동작될 수 있는 발광 소자 및 그 제조방법을 제공할 수 있다.The embodiment can provide a light emitting device and a method of manufacturing the same, which can be driven at a stable operating voltage and can be operated stably without deterioration of brightness.

본 발명에 따른 실시 예의 설명에 있어서, 각 층(막), 영역, 패턴 또는 구조물들이 기판, 각 층(막), 영역, 패드 또는 패턴들의 "상/위(on)"에 또는 "아래(under)"에 형성되는 것으로 기재되는 경우에 있어, "상/위(on)"와 "아래(under)"는 "직접(directly)" 또는 "다른 층을 개재하여 (indirectly)" 형성되는 것을 모두 포함한다. 또한 각 층의 상/위 또는 아래에 대한 기준은 도면을 기준으로 설명한다.In the description of an embodiment according to the present invention, each layer (film), region, pattern or structure may be "on" or "under" the substrate, each layer (film), region, pad or pattern. "On" and "under" include both "directly" or "indirectly" formed through another layer, as described in do. In addition, the criteria for the above / above or below of each layer will be described with reference to the drawings.

도면에서 각층의 두께나 크기는 설명의 편의 및 명확성을 위하여 과장되거나 생략되거나 또는 개략적으로 도시되었다. 또한 각 구성요소의 크기는 실제크기를 전적으로 반영하는 것은 아니다.In the drawings, the thickness or size of each layer is exaggerated, omitted, or schematically illustrated for convenience and clarity of description. In addition, the size of each component does not necessarily reflect the actual size.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예에 따른 발광 소자 및 그 제조방법에 대해 상세히 설명하도록 한다.Hereinafter, a light emitting device and a method of manufacturing the same according to an embodiment of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 1 내지 도 6은 본 발명의 제1 실시예에 따른 발광 소자 및 그 제조방법을 설명하는 도면이다.1 to 6 are views illustrating a light emitting device and a method of manufacturing the same according to a first embodiment of the present invention.

먼저, 도 6을 참조하면, 본 발명의 제1 실시예에 따른 발광 소자는 제2 전극층(90)과, 상기 제2 전극층(90) 상에 형성된 오믹 전극층(80)과, 상기 오믹 전극 층(80) 상에 형성된 제2 도전형의 반도체층(50), 활성층(40) 및 제1 도전형의 반도체층(30)과, 상기 제1 도전형의 반도체층(30) 상에 형성된 제1 전극층(100)이 포함된다. 또한, 상기 제2 도전형의 반도체층(50)에는 전류가 흐르는 경로를 변화시키기 위한 전류 차단층(70)이 형성된다.First, referring to FIG. 6, the light emitting device according to the first embodiment of the present invention includes a second electrode layer 90, an ohmic electrode layer 80 formed on the second electrode layer 90, and an ohmic electrode layer ( The second conductive semiconductor layer 50, the active layer 40, and the first conductive semiconductor layer 30 formed on the 80 and the first electrode layer formed on the first conductive semiconductor layer 30. 100 is included. In addition, a current blocking layer 70 is formed in the second conductive semiconductor layer 50 to change a path through which a current flows.

상기 오믹 전극층(80)은 상기 제2 전극층(90)와 하면 및 측면이 접촉하여 형성될 수도 있으며, 상기 오믹 전극층(80)의 상면과 상기 제2 전극층(90)의 상면은 동일 수평 평면 상에 형성될 수도 있다.The ohmic electrode layer 80 may be formed by contacting a bottom surface and a side surface of the second electrode layer 90, and an upper surface of the ohmic electrode layer 80 and an upper surface of the second electrode layer 90 may be disposed on the same horizontal plane. It may be formed.

상기 제1 전극층(100)과 상기 오믹 전극층(80)은 수직 방향으로 배치된다. 또는, 상기 제1 전극층(100)과 상기 제2 전극층(90)은 수직 방향으로 배치된다. 즉, 상기 제1 전극층(100)과 상기 오믹 전극층(80) 또는 제2 전극층(90)은 적어도 일부분이 동일 수직 평면 상에 배치될 수 있다.The first electrode layer 100 and the ohmic electrode layer 80 are disposed in a vertical direction. Alternatively, the first electrode layer 100 and the second electrode layer 90 are disposed in the vertical direction. That is, at least a portion of the first electrode layer 100 and the ohmic electrode layer 80 or the second electrode layer 90 may be disposed on the same vertical plane.

실시예에 따른 발광 소자에서는 상기 제2 도전형의 반도체층(50) 내에 전류 차단층(70)을 형성한다. 상기 전류 차단층(70)은 상기 제2 도전형의 반도체층(50)과 상기 오믹 전극층(80)의 경계부에 형성될 수 있다. 예를 들어, 상기 전류 차단층(70)은 상면과 측면이 상기 제2 도전형의 반도체층(50)과 접촉하고, 하면이 상기 오믹 전극층(80)과 접촉한다.In the light emitting device according to the embodiment, the current blocking layer 70 is formed in the second conductive semiconductor layer 50. The current blocking layer 70 may be formed at a boundary between the second conductive semiconductor layer 50 and the ohmic electrode layer 80. For example, an upper surface and a side surface of the current blocking layer 70 contact the second conductive semiconductor layer 50, and a lower surface contact the ohmic electrode layer 80.

상기 전류 차단층(70)은 절연 특성을 갖는 물질로 형성되며, 예를 들어, 상기 제2 도전형의 반도체층(50)이 산화된 산화물로 형성될 수 있다. 상기 전류 차단층(70)은 플라즈마 산화 공정으로 형성된 GaxOy 형태로 형성될 수 있으며, 10~100nm의 두께를 갖는다.The current blocking layer 70 may be formed of a material having an insulating property. For example, the second conductive semiconductor layer 50 may be formed of an oxidized oxide. The current blocking layer 70 may be formed in the form of Ga x O y formed by a plasma oxidation process, and has a thickness of 10 to 100 nm.

상기 전류 차단층(70)이 형성됨에 따라 도 6에 화살표로 도시된 바와 같이, 상기 오믹 전극층(80)에서 상기 제1 전극층(100)으로 흐르는 전류는 상기 제1 전극층(100)의 하측으로 집중되어 흐르지 않고, 제2 도전형의 반도체층(50), 활성층(40) 및 제1 도전형의 반도체층(30)의 넓은 영역으로 퍼져 흐르게 된다.As the current blocking layer 70 is formed, as shown by an arrow in FIG. 6, current flowing from the ohmic electrode layer 80 to the first electrode layer 100 is concentrated to the lower side of the first electrode layer 100. Instead of flowing, it spreads to a wide area of the second conductive semiconductor layer 50, the active layer 40, and the first conductive semiconductor layer 30.

따라서, 상기 제1 전극층(100)의 하측으로 전류가 집중되어 흐르는 전류 집중 현상을 방지할 수 있고, 결과적으로 안정적인 동작 전압으로 구동될 수 있으며, 광도가 향상될 수 있다.Therefore, it is possible to prevent the current concentration phenomenon in which the current is concentrated under the first electrode layer 100, and as a result, can be driven at a stable operating voltage, and the brightness can be improved.

도 7은 본 발명의 제2 실시예에 따른 발광 소자를 설명하는 도면이고, 도 8은 본 발명의 제3 실시예에 따른 발광 소자를 설명하는 도면이다.7 is a view illustrating a light emitting device according to a second embodiment of the present invention, and FIG. 8 is a view illustrating a light emitting device according to a third embodiment of the present invention.

도 7 및 도 8에 도시된 발광 소자는 도 6에 도시된 발광 소자와 기본적인 특징은 유사하다. 다만, 도 7 및 도 8에 도시된 발광 소자에서 상기 전류 차단층(70)의 형성 위치가 변경된 것이 도시되어 있고, 그에 따라 상기 제1 전극층(100)의 형성 위치가 변경될 수도 있다.7 and 8 are similar in basic features to the light emitting device shown in FIG. However, in FIG. 7 and FIG. 8, the position at which the current blocking layer 70 is formed is changed, and thus the position at which the first electrode layer 100 is formed may be changed.

본 발명의 실시예들에서, 상기 전류 차단층(70)은 상기 제2 도전형의 반도체층의(50)의 하부면의 중앙 영역에 형성되거나, 중앙 영역의 이외의 영역에 형성될 수 있다. 또한, 상기 전류 차단층(70)은 적어도 2개가 서로 다른 크기를 갖도록 형성될 수도 있다. In embodiments of the present invention, the current blocking layer 70 may be formed in a central region of the lower surface of the second conductive semiconductor layer 50 or in a region other than the central region. In addition, at least two current blocking layers 70 may be formed to have different sizes.

이하에서는 도 1 내지 도 6을 참조하여 본 발명의 실시예에 따른 발광 소자의 제조방법에 대해 상세히 설명하도록 한다.Hereinafter, a method of manufacturing a light emitting device according to an embodiment of the present invention will be described in detail with reference to FIGS. 1 to 6.

도 1 내지 도 6은 본 발명의 실시예에 따른 발광 소자의 제조방법을 설명하 기 위한 도면이다.1 to 6 are views for explaining a method of manufacturing a light emitting device according to an embodiment of the present invention.

도 1을 참조하면, 기판(10) 상에 Un-doped GaN층(20), 제1 도전형의 반도체층(30), 활성층(40) 및 제2 도전형의 반도체층(50)을 형성한다. 또한, 상기 기판(10)과 상기 Un-doped GaN층(20) 사이에는 버퍼층(미도시)가 더 형성될 수도 있다.Referring to FIG. 1, an un-doped GaN layer 20, a first conductive semiconductor layer 30, an active layer 40, and a second conductive semiconductor layer 50 are formed on a substrate 10. . In addition, a buffer layer (not shown) may be further formed between the substrate 10 and the un-doped GaN layer 20.

상기 기판(10)은 사파이어(Al2O3), Si, SiC, GaAs, ZnO, MgO 중 적어도 어느 하나로 형성될 수도 있다. The substrate 10 may be formed of at least one of sapphire (Al 2 O 3 ), Si, SiC, GaAs, ZnO, MgO.

상기 버퍼층은 AlInN/GaN, InxGa1-xN/GaN, AlxInyGa1-x-yN/InxGa1-xN/GaN 등과 같은 적층 구조를 이루는 멀티층으로 형성될 수도 있고, 예를 들어, 트리메틸 갈륨(TMGa)과 트리메틸 인듐(TMIn) 및 트리메틸 알루미늄(TMAl)을 수소 가스 및 암모니아 가스와 함께 상기 챔버 내부로 주입시킴으로써 성장시킬 수 있다. The buffer layer may be formed of a multi layer having a stacked structure such as AlInN / GaN, InxGa 1-x N / GaN, Al x In y Ga 1-xy N / In x Ga 1-x N / GaN, or the like. For example, trimethyl gallium (TMGa), trimethyl indium (TMIn) and trimethyl aluminum (TMAl) can be grown by injecting hydrogen gas and ammonia gas into the chamber.

상기 Un-doped GaN층(20)은 트리메틸 갈륨(TMGa)을 수소 가스 및 암모니아 가스와 함께 상기 챔버에 주입하여 성장시킬 수 있다.The undoped GaN layer 20 may be grown by injecting trimethyl gallium (TMGa) into the chamber together with hydrogen gas and ammonia gas.

상기 제1 도전형의 반도체층(30)은 제1 도전형의 불순물 이온이 주입된 질화물 반도체층이 될 수 있고, 예를 들어, N형 불순물 이온이 주입된 반도체층이 될 수 있다. 상기 제1 도전형의 반도체층(30)은 트리메틸 갈륨(TMGa), N형 불순물(예를 들어, Si)을 포함하는 사이렌 가스(SiN4) 및 을 수소 가스 및 암모니아 가스와 함께 상기 챔버에 주입하여 성장시킬 수 있다.The first conductive semiconductor layer 30 may be a nitride semiconductor layer implanted with impurity ions of the first conductivity type, for example, a semiconductor layer implanted with N-type impurity ions. The first conductive semiconductor layer 30 is injected with siren gas (SiN 4 ) containing trimethyl gallium (TMGa), N-type impurities (eg, Si) and hydrogen gas and ammonia gas into the chamber. Can be grown.

그리고, 상기 제1 도전형의 반도체층(30) 상에 활성층(40) 및 제2 도전형의 반도체층(50)을 형성한다.The active layer 40 and the second conductive semiconductor layer 50 are formed on the first conductive semiconductor layer 30.

상기 활성층(40)은 단일 양자 우물 구조 또는 다중 양자 우물(Multi-Quantum Well) 구조로 형성될 수 있고, 예를 들어, InGaN 우물층/GaN 장벽층의 적층구조로 형성될 수도 있다.The active layer 40 may be formed of a single quantum well structure or a multi-quantum well structure. For example, the active layer 40 may be formed of a stacked structure of an InGaN well layer / GaN barrier layer.

상기 제2 도전형의 반도체층(50)은 제2 도전형의 불순물 이온이 주입된 질화물 반도체층이 될 수 있고, 예를 들어, P형 불순물 이온이 주입된 반도체층이 될 수 있다. 상기 제2 도전형의 반도체층(50)은 트리메틸 갈륨(TMGa), P형 불순물(예를 들어, Mg)을 포함하는 비세틸 사이클로 펜타디에닐 마그네슘(EtCp2Mg){Mg(C2H5C5H4)2} 및 을 수소 가스 및 암모니아 가스와 함께 상기 챔버에 주입하여 성장시킬 수 있다.The second conductive semiconductor layer 50 may be a nitride semiconductor layer implanted with impurity ions of the second conductivity type, for example, a semiconductor layer implanted with P-type impurity ions. The second conductive semiconductor layer 50 is bicetyl cyclopentadienyl magnesium (EtCp 2 Mg) containing trimethyl gallium (TMGa) and P-type impurities (eg, Mg) {Mg (C 2 H 5 C 5 H 4 ) 2 } and may be grown together by injecting hydrogen gas and ammonia gas into the chamber.

도 2를 참조하면, 상기 제2 도전형의 반도체층(50) 상에 마스크(60)를 형성하고, O2 플라즈마 공정을 통해 선택적으로 전류 차단층(70)을 형성한다.Referring to FIG. 2, a mask 60 is formed on the second conductive semiconductor layer 50, and a current blocking layer 70 is selectively formed through an O 2 plasma process.

상기 전류 차단층(70)은 산화물인 GaxOy 형태로 형성될 수 있다. 예를 들어, 상기 전류 차단층(70)은 다음과 같은 화학식을 통해 형성될 수도 있다.The current blocking layer 70 may be formed in the form of Ga x O y, which is an oxide. For example, the current blocking layer 70 may be formed through the following formula.

4GaN+3O2 -> 2Ga2O3+2N2 4GaN + 3O 2- > 2Ga 2 O 3 + 2N 2

한편, 상기 마스크(60)의 패턴에 따라 도 7 및 도 8에 도시된 형태의 전류 차단층(70)이 형성될 수도 있다.Meanwhile, the current blocking layer 70 shown in FIGS. 7 and 8 may be formed according to the pattern of the mask 60.

도 3을 참조하면, 상기 전류 차단층(70)을 형성한 후, 상기 마스크(60)를 제거한다.Referring to FIG. 3, after the current blocking layer 70 is formed, the mask 60 is removed.

도 4를 참조하면, 상기 제2 도전형의 반도체층(50) 및 전류 차단층(70) 상에 오믹 전극층(80) 및 제2 전극층(90)을 형성한다.Referring to FIG. 4, an ohmic electrode layer 80 and a second electrode layer 90 are formed on the second conductive semiconductor layer 50 and the current blocking layer 70.

상기 오믹 전극층(80)은 투명 전극층으로 형성될 수도 있고, 예를 들어, ITO, ZnO, RuOx, TiOx, IrOx 중 적어도 어느 하나로 형성될 수도 있다. The ohmic electrode layer 80 may be formed of a transparent electrode layer, for example, may be formed of at least one of ITO, ZnO, RuOx, TiOx, IrOx.

또한, 상기 오믹 전극층(80)은 반사층 및 접착층 중 적어도 어느 하나를 포함할 수 있다.In addition, the ohmic electrode layer 80 may include at least one of a reflective layer and an adhesive layer.

상기 제2 전극층(90)은 예를 들어, 티탄(Ti), 크롬(Cr), 니켈(Ni), 알루미늄(Al), 백금(Pt), 금(Au), 도전성 기판 중 적어도 어느 하나로 형성될 수도 있다.For example, the second electrode layer 90 may be formed of at least one of titanium (Ti), chromium (Cr), nickel (Ni), aluminum (Al), platinum (Pt), gold (Au), and a conductive substrate. It may be.

도 5를 참조하면, 도 4의 결과물에서, 상기 기판(10) 및 Un-doped GaN층(20)을 제거한다. 버퍼층이 형성된 경우에 상기 버퍼층도 제거된다.Referring to FIG. 5, in the resultant product of FIG. 4, the substrate 10 and the un-doped GaN layer 20 are removed. When the buffer layer is formed, the buffer layer is also removed.

도 6을 참조하면, 도 5의 결과물에서, 칩 분리를 위한 아이솔레이션(isolation) 에칭 공정이 진행된다. Referring to FIG. 6, in the result of FIG. 5, an isolation etching process for chip separation is performed.

그리고, 상기 제1 도전형의 반도체층(30) 상에 제1 전극층(100)을 형성한다. 상기 제1 전극층(100)은 예를 들어, 티탄(Ti), 크롬(Cr), 니켈(Ni), 알루미늄(Al), 백금(Pt), 금(Au) 중 적어도 어느 하나로 형성될 수도 있다.The first electrode layer 100 is formed on the first conductive semiconductor layer 30. For example, the first electrode layer 100 may be formed of at least one of titanium (Ti), chromium (Cr), nickel (Ni), aluminum (Al), platinum (Pt), and gold (Au).

이와 같은 방법으로, 도 6에 도시된 발광 소자가 제조될 수 있다.In this way, the light emitting device shown in FIG. 6 can be manufactured.

이상에서 실시예를 중심으로 설명하였으나 이는 단지 예시일 뿐 본 발명을 한정하는 것이 아니며, 본 발명이 속하는 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 본 실시예의 본질적인 특성을 벗어나지 않는 범위에서 이상에 예시되지 않은 여러 가지의 변형과 응용이 가능함을 알 수 있을 것이다. 예를 들어, 실시예에 구체적으로 나타난 각 구성 요소는 변형하여 실시할 수 있는 것이다. 그리고 이러한 변형과 응용에 관계된 차이점들은 첨부된 청구 범위에서 규정하는 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.Although the above description has been made based on the embodiments, these are merely examples and are not intended to limit the present invention. Those skilled in the art to which the present invention pertains may not have been exemplified above without departing from the essential characteristics of the present embodiments. It will be appreciated that many variations and applications are possible. For example, each component specifically shown in the embodiment can be modified. And differences relating to such modifications and applications will have to be construed as being included in the scope of the invention defined in the appended claims.

도 1 내지 도 6은 본 발명의 제1 실시예에 따른 발광 소자 및 그 제조방법을 설명하는 도면.1 to 6 are views illustrating a light emitting device and a method of manufacturing the same according to a first embodiment of the present invention.

도 7은 본 발명의 제2 실시예에 따른 발광 소자를 설명하는 도면.7 is a view for explaining a light emitting device according to a second embodiment of the present invention.

도 8는 본 발명의 제3 실시예에 따른 발광 소자를 설명하는 도면.8 is a view for explaining a light emitting device according to a third embodiment of the present invention.

Claims (12)

제2 전극층;A second electrode layer; 상기 제2 전극층 상에 형성된 제2 도전형의 반도체층;A second conductive semiconductor layer formed on the second electrode layer; 상기 제2 도전형의 반도체층에 형성된 전류 차단층;A current blocking layer formed on the second conductive semiconductor layer; 상기 제2 도전형의 반도체층 상에 형성된 활성층;An active layer formed on the second conductive semiconductor layer; 상기 활성층 상에 형성된 제1 도전형의 반도체층; 및A first conductive semiconductor layer formed on the active layer; And 상기 제1 도전형의 반도체층 상에 형성된 제1 전극층이 포함되는 발광 소자.A light emitting device comprising a first electrode layer formed on the first conductive semiconductor layer. 제 1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 제1 전극층, 제2 전극층 및 전류 차단층은 적어도 일부분이 동일 수직면 상에 배치되는 발광 소자.The first electrode layer, the second electrode layer and the current blocking layer is at least partially disposed on the same vertical surface. 제 1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 전류 차단층은 상면 및 측면이 상기 제2 도전형의 반도체층과 접촉하고, 하면이 상기 제2 전극층에 대향하여 형성되는 발광 소자.The current blocking layer has a light emitting device having a top surface and a side surface in contact with the second conductive semiconductor layer, and a bottom surface of the current blocking layer facing the second electrode layer. 제 1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 전류 차단층은 상기 제2 도전형의 반도체층의 산화물로 형성되는 발광 소자.And the current blocking layer is formed of an oxide of the second conductive semiconductor layer. 제 1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 전류 차단층은 복수개로 이격되어 형성되는 발광 소자.The current blocking layer is formed of a plurality of light emitting devices spaced apart. 제 1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 제2 전극층과 상기 전류 차단층 사이에 오믹 전극층이 형성되는 발광 소자.The ohmic electrode layer is formed between the second electrode layer and the current blocking layer. 제 1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 전류 차단층은 상기 제2 도전형의 반도체층의 하부면의 중앙 영역에 형성되거나 중앙 영역 이외의 영역에 형성되는 발광 소자.The current blocking layer is formed in the central region of the lower surface of the second conductive semiconductor layer or in a region other than the central region. 제 1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 전류 차단층은 상기 제2 도전형의 반도체층의 하부면에 형성되고, 적어도 2개의 전류 차단층은 서로 다른 크기를 갖는 발광 소자.The current blocking layer is formed on a lower surface of the semiconductor layer of the second conductivity type, the at least two current blocking layer has a different size. 기판 상에 Un-doped GaN층, 제1 도전형의 반도체층, 활성층 및 제2 도전형의 반도체층을 형성하는 단계;Forming an un-doped GaN layer, a first conductive semiconductor layer, an active layer, and a second conductive semiconductor layer on the substrate; 상기 제2 도전형의 반도체층에 전류 차단층을 형성하는 단계;Forming a current blocking layer on the second conductive semiconductor layer; 상기 제2 도전형의 반도체층 상에 제2 전극층을 형성하는 단계; 및Forming a second electrode layer on the second conductive semiconductor layer; And 상기 기판 및 Un-doped GaN층을 제거하고, 상기 제1 도전형의 반도체층 상에 제1 전극층을 형성하는 단계가 포함되는 발광 소자 제조방법.Removing the substrate and the un-doped GaN layer, and forming a first electrode layer on the first conductive semiconductor layer. 제 9항에 있어서,The method of claim 9, 상기 전류 차단층은 상기 제2 도전형의 반도체층의 산화물로 형성되는 발광 소자 제조방법.And the current blocking layer is formed of an oxide of the second conductive semiconductor layer. 제 9항에 있어서,The method of claim 9, 상기 제2 전극층을 형성하기 전 상기 제2 도전형의 반도체층 및 전류 차단층 상에 오믹 전극층을 형성하는 단계가 포함되는 발광 소자 제조방법.Before forming the second electrode layer, forming the ohmic electrode layer on the second conductive semiconductor layer and the current blocking layer. 우리제 9항에 있어서,According to claim 9, 상기 전류 차단층을 형성하는 단계는 상기 제2 도전형의 반도체층 상에 마스크를 형성하고 O2 플라즈마 공정을 수행하여 GaxOy 형태의 산화물을 형성하는 단계를 포함하는 발광 소자 제조방법.The forming of the current blocking layer may include forming a mask on the second conductive semiconductor layer and forming an oxide having a Ga x O y type by performing an O 2 plasma process.
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