KR102096961B1 - Display panel manufacturing method - Google Patents

Abstract

높은 생산성으로 높은 품질의 기판을 생산할 수 있는 기판 처리 장치, 디바이스 제조 방법 및 마스크를 제공한다. 조명 영역에서 소정 곡률로 원통면 모양으로 만곡한 제1 면을 따르도록, 마스크의 패턴을 지지하는 마스크 지지 부재와, 투영 영역에서 소정의 제2 면을 따르도록, 상기 기판을 지지하는 기판 지지 부재와, 마스크의 패턴이 소정의 주사 노광 방향으로 이동하도록 마스크 지지 부재를 회전시키고, 또한, 기판이 주사 노광 방향으로 이동하도록 기판 지지 부재를 이동시키는 구동 기구를 구비하며, 마스크 지지 부재는, 제1 면의 직경을 φ로 하고, 주사 노광 방향에 직교하는 방향의 제1 면의 길이를 L로 한 경우, 1.3≤L/φ≤3.8을 만족한다. Provided is a substrate processing apparatus, a device manufacturing method, and a mask capable of producing a high quality substrate with high productivity. A mask support member supporting a pattern of a mask so as to follow the first surface curved in a cylindrical shape at a predetermined curvature in the illumination area, and a substrate support member supporting the substrate so as to follow a predetermined second surface in the projection area And a driving mechanism for rotating the mask support member so that the pattern of the mask moves in the predetermined scanning exposure direction, and also moving the substrate support member so that the substrate moves in the scanning exposure direction, the mask support member comprising: When the diameter of the surface is φ and the length of the first surface in the direction orthogonal to the scanning exposure direction is L, 1.3 ≤ L / φ ≤ 3.8 is satisfied.

Description

표시 패널 제조 방법{DISPLAY PANEL MANUFACTURING METHOD}Display panel manufacturing method {DISPLAY PANEL MANUFACTURING METHOD}

본 발명은, 마스크의 패턴을 기판에 투영하고, 해당 기판에 해당 패턴을 노광하는 기판 처리 장치, 디바이스 제조 방법 및 이것에 이용하는 원통 마스크에 관한 것이다.The present invention relates to a substrate processing apparatus for projecting a pattern of a mask onto a substrate and exposing the pattern to the substrate, a device manufacturing method, and a cylindrical mask used therein.

액정 디스플레이 등의 표시 디바이스나, 반도체 등, 각종 디바이스를 제조하는 디바이스 제조 시스템이 있다. 디바이스 제조 시스템은, 노광 장치 등의 기판 처리 장치를 구비하고 있다. 특허 문헌 1에 기재된 기판 처리 장치는, 조명 영역에 배치된 마스크에 형성되어 있는 패턴의 상(像)을, 투영 영역에 배치되어 있는 기판 등에 투영하고, 기판에 해당 패턴을 노광한다. 기판 처리 장치에 이용되는 마스크는, 평면 모양의 것, 원통 모양의 것 등이 있다. 2. Description of the Related Art There are device manufacturing systems for manufacturing various devices such as semiconductors and display devices such as liquid crystal displays. The device manufacturing system is equipped with a substrate processing apparatus such as an exposure apparatus. The substrate processing apparatus described in Patent Literature 1 projects an image of a pattern formed on a mask disposed in an illumination region, a substrate disposed in a projection region, or the like, and exposes the pattern on the substrate. The mask used for the substrate processing apparatus includes a flat shape, a cylindrical shape, and the like.

특허 문헌 1 : 일본특허공개 제2007－299918호 공보Patent Document 1: Japanese Patent Publication No. 2007-299918

기판 처리 장치는, 마스크를 원통 형상으로 하고 마스크를 회전시킴으로써, 연속하여 기판에 노광을 행할 수 있다. 또, 기판 처리 장치로서는, 기판을 장척(長尺)의 시트 모양으로 하여 연속적으로 투영 영역 아래로 보내는 롤·투·롤 방식도 있다. 이와 같이, 기판 처리 장치는, 원통 형상의 마스크를 회전시키고, 또한, 기판의 반송 방법으로서, 롤·투·롤 방식을 이용함으로써, 기판과 마스크 양쪽 모두를 연속하여 반송할 수 있다. The substrate processing apparatus can continuously expose the substrate by making the mask cylindrical and rotating the mask. Further, as the substrate processing apparatus, there is also a roll-to-roll method in which the substrate is continuously elongated into a sheet-like shape and continuously sent under the projection area. As described above, the substrate processing apparatus can continuously transport both the substrate and the mask by rotating the cylindrical mask and using a roll-to-roll method as a method for transporting the substrate.

여기서, 기판 처리 장치는, 통상, 효율 좋게 기판에 패턴을 노광하고, 생산성을 향상시키는 것이 요구되어진다. 마스크로서 원통 마스크를 이용하는 경우도 마찬가지이다. Here, the substrate processing apparatus is usually required to expose a pattern to a substrate efficiently and to improve productivity. The same applies to the case of using a cylindrical mask as a mask.

본 발명의 형태는, 높은 생산성으로 높은 품질의 기판을 생산할 수 있는 기판 처리 장치, 디바이스 제조 방법 및 원통 마스크를 제공하는 것을 목적으로 한다. It is an object of the present invention to provide a substrate processing apparatus, a device manufacturing method and a cylindrical mask capable of producing a high quality substrate with high productivity.

본 발명의 제1 형태에 따르면, 조명광의 조명 영역에 배치되는 마스크의 패턴으로부터의 광속(光束)을, 기판이 배치되는 투영 영역에 투사하는 투영 광학계와, 조명 영역에서 소정 곡률로 원통면 모양으로 만곡(灣曲)한 제1 면을 따르도록, 마스크의 패턴을 지지하는 마스크 지지 부재와, 투영 영역에서 소정의 제2 면을 따르도록 기판을 지지하는 기판 지지 부재와, 마스크의 패턴이 소정의 주사 노광 방향으로 이동하도록 마스크 지지 부재를 회전시키고, 또한, 기판이 상기 주사 노광 방향으로 이동하도록 기판 지지 부재를 이동시키는 구동 기구를 구비하며, 마스크 지지 부재는, 제1 면의 직경을 φ로 하고, 주사 노광 방향에 직교하는 방향의 제1 면의 길이를 L로 한 경우, 1.3≤L/φ≤3.8인 기판 처리 장치가 제공된다. According to the first aspect of the present invention, the light beam from the pattern of the mask disposed in the illumination area of the illumination light is projected into the projection area in which the substrate is disposed, and in a cylindrical shape at a predetermined curvature in the illumination area The mask support member supporting the pattern of the mask to follow the curved first surface, the substrate support member supporting the substrate to follow the predetermined second surface in the projection area, and the pattern of the mask are predetermined A driving mechanism is provided to rotate the mask supporting member to move in the scanning exposure direction, and to move the substrate supporting member so that the substrate moves in the scanning exposure direction. The mask supporting member has a diameter of the first surface as φ. , When the length of the first surface in the direction orthogonal to the scanning exposure direction is L, a substrate processing apparatus of 1.3 ≤ L / φ ≤ 3.8 is provided.

본 발명의 제2 형태에 따르면, 제1 형태에 기재된 기판 처리 장치를 이용하여 상기 기판에 상기 마스크의 패턴을 형성하는 것과, 상기 기판 처리 장치에 상기 기판을 공급하는 것을 포함하는 디바이스 제조 방법이 제공된다. According to a second aspect of the present invention, there is provided a device manufacturing method comprising forming the pattern of the mask on the substrate using the substrate processing apparatus according to the first aspect and supplying the substrate to the substrate processing apparatus. do.

본 발명의 제3 형태에 따르면, 원통 모양의 외주면을 따라서 전자 디바이스용 마스크 패턴이 형성되고, 중심선의 둘레로 회전 가능한 원통 마스크로서, 상기 외주면의 직경이 φ, 상기 외주면의 상기 중심선의 방향의 길이가 La가 되는 원통 기재를 가지며, 상기 원통 기재의 외주면에 형성 가능한 마스크 패턴의 상기 중심선의 방향의 최대의 길이를 L로 했을 때, L≤La의 범위에서, 상기 직경 φ와 상기 길이 L의 비율 L/φ가, 1.3≤L/φ≤3.8의 범위로 설정되는 원통 마스크가 제공된다. According to a third aspect of the present invention, a mask pattern for an electronic device is formed along a cylindrical outer circumferential surface and is a cylindrical mask rotatable around a center line, wherein the outer circumferential surface has a diameter of φ and a length in the direction of the center line of the outer circumferential surface. When L is the maximum length in the direction of the center line of the mask pattern that can be formed on the outer circumferential surface of the cylindrical substrate with L being L, in the range of L≤La, the ratio of the diameter φ to the length L A cylindrical mask in which L / φ is set in a range of 1.3 ≦ L / φ ≦ 3.8 is provided.

본 발명의 제4 형태에 따르면, 소정의 중심선으로부터 일정 반경의 원통면을 따라서 마스크 패턴이 형성되고, 상기 중심선의 둘레로 회전 가능하게 노광 장치에 장착되는 원통 마스크로서, 상기 원통면에는, 장변 치수 Ld, 단변 치수 Lc, 어스펙트비 Asp를 Ld/Lc로 하는 표시 화면 영역과, 그 주변에 인접하여 마련되는 주변 회로 영역을 포함하는 표시 패널용 장방형의 마스크 영역이, 상기 원통면의 주방향(周方向)으로 간격 Sx를 두고, n개(n≥2) 늘어놓아 형성되고, 상기 마스크 영역의 긴 길이 방향의 치수 L을 상기 표시 화면 영역의 장변 치수 Ld의 e1배(e1≥1), 상기 마스크 영역의 짧은 길이 방향의 치수를 상기 표시 화면 영역의 단변 치수 Lc의 e2배(e2≥1)로 했을 때, 상기 원통면의 상기 중심선의 방향에 관한 길이는 상기 치수 L 이상으로 설정됨과 아울러, 상기 원통면의 직경을 φ, 원주율을 π로 했을 때, πφ=n(e2·Lc＋Sx)로 설정되고, 게다가, 상기 치수 L과 상기 직경 φ와의 비 L/φ가, 1.3≤L/φ≤3.8의 범위가 되도록, 상기 직경 φ, 상기 개수 n, 상기 간격 Sx가 설정되는 원통 마스크가 제공된다. According to a fourth aspect of the present invention, a mask pattern is formed along a cylindrical surface of a predetermined radius from a predetermined center line, and is a cylindrical mask rotatably mounted around the center line, mounted on the exposure apparatus, wherein the cylindrical surface has a long side dimension. A rectangular mask area for a display panel including a display screen area having Ld, a short-side dimension Lc, and an aspect ratio Asp of Ld / Lc and a peripheral circuit area provided adjacent to the periphery of the cylindrical surface is provided in the main direction (周 方向), the spacing Sx is formed, and n (n≥2) are arranged in a row, and the dimension L in the long longitudinal direction of the mask area is e1 times (e1≥1) of the long side dimension Ld of the display screen area, the When the dimension in the short length direction of the mask area is e2 times (e2≥1) of the short side dimension Lc of the display screen area, the length in the direction of the center line of the cylindrical surface is set to the dimension L or more, Prize When the diameter of the cylindrical surface is φ and the circumference is π, πφ = n (e2 · Lc + Sx) is set, and furthermore, the ratio L / φ between the dimension L and the diameter φ is 1.3≤L / φ≤3.8 In order to be within the range, a cylindrical mask is provided in which the diameter φ, the number n, and the spacing Sx are set.

본 발명의 형태에 의하면, 마스크 지지 부재에 의해서 유지되는 원통면 모양의 마스크 형상, 또는 마스크에 형성되는 패턴의 원통면 모양 형상의 직경 φ와 길이 L의 관계를 상기 범위와 같이 설정함으로써, 높은 생산성으로 효율적으로 디바이스 패턴의 노광이나 전사를 행할 수 있다. 또, 직경 φ와 길이 L의 관계를 상기 범위와 같이 함으로써, 표시 패널용 패턴의 복수개를 원통 마스크의 주면(周面)을 따라서 늘어놓은 다면취(多面取)인 경우도, 다양한 표시 사이즈의 패널을 효율적으로 배치할 수 있다. According to the aspect of the present invention, high productivity is obtained by setting the relationship between the diameter φ and the length L of the cylindrical surface-shaped mask shape held by the mask support member or the pattern formed on the mask as in the above range. The device pattern can be efficiently exposed or transferred. In addition, by making the relationship between the diameter φ and the length L equal to the above-mentioned range, a panel having various display sizes can also be used in the case of multiple chamfers in which a plurality of display panel patterns are arranged along the main surface of the cylindrical mask. Can be efficiently arranged.

도 1은, 제1 실시 형태의 디바이스 제조 시스템의 전체 구성을 나타내는 도면이다.
도 2는, 제1 실시 형태의 노광 장치(기판 처리 장치)의 전체 구성을 나타내는 도면이다.
도 3은, 도 2에 나타내는 노광 장치의 조명 영역 및 투영 영역의 배치를 나타내는 도면이다.
도 4는, 도 2에 나타내는 노광 장치의 조명 광학계 및 투영 광학계의 구성을 나타내는 도면이다.
도 5는, 원통 마스크에 조사되는 조명 광속의 상태와, 원통 마스크로부터 생기는 투영 광속의 상태를 나타내는 도면이다.
도 6은, 원통 마스크를 구성하는 원통 드럼과 마스크의 개략 구성을 나타내는 사시도이다.
도 7은, 원통 마스크의 마스크면에 표시 패널용 마스크를 1면취(面取)하는 경우의 배치예를 나타내는 전개도이다.
도 8은, 원통 마스크의 마스크면에 동일 사이즈의 마스크를 일렬로 3개 늘어놓아 3면취하는 배치예를 나타내는 전개도이다.
도 9는, 원통 마스크의 마스크면에 동일 사이즈의 마스크를 일렬로 4개 늘어놓아 4면취하는 배치예를 나타내는 전개도이다.
도 10은, 원통 마스크의 마스크면에 동일 사이즈의 마스크를 2행 2열로 4면취하는 배치예를 나타내는 전개도이다.
도 11은, 어스펙트비 2：1인 표시 패널용 마스크의 2면취의 배치예를 설명하는 전개도이다.
도 12는, 특정의 허용 디포커스량(defocus量) 하(下)에서, 원통 마스크의 직경과 노광 슬릿폭과의 관계를 시뮬레이션한 그래프이다.
도 13은, 60인치 표시 패널용 마스크를 1면취하는 경우의 구체예를 나타내는 전개도이다.
도 14는, 마스크의 2면취의 배치예를 나타내는 전개도이다.
도 15는, 32인치 표시 패널용 마스크의 2면취의 제1 배치예를 나타내는 전개도이다.
도 16은, 32인치 표시 패널용 마스크의 2면취의 제2 배치예를 나타내는 전개도이다.
도 17은, 32인치 표시 패널용 마스크를 1면취하는 경우의 구체예를 나타내는 전개도이다.
도 18은, 32인치 표시 패널용 마스크의 3면취의 구체적인 배치예를 나타내는 전개도이다.
도 19는, 37인치 표시 패널용 마스크의 3면취의 구체적인 배치예를 나타내는 전개도이다.
도 20은, 제2 실시 형태의 노광 장치(기판 처리 장치)의 전체 구성을 나타내는 도면이다.
도 21은, 제3 실시 형태의 노광 장치(기판 처리 장치)의 전체 구성을 나타내는 도면이다.
도 22는, 디바이스 제조 시스템에 의한 디바이스 제조 방법을 나타내는 플로우 차트이다. 1 is a diagram showing the overall configuration of a device manufacturing system according to the first embodiment.
2 is a view showing the overall configuration of the exposure apparatus (substrate processing apparatus) of the first embodiment.
3 is a view showing the arrangement of the illumination area and the projection area of the exposure apparatus shown in FIG. 2.
4 is a view showing the configuration of an illumination optical system and a projection optical system of the exposure apparatus shown in FIG. 2.
It is a figure which shows the state of the illumination light beam irradiated to the cylindrical mask, and the state of the projection light beam generated from the cylindrical mask.
6 is a perspective view showing a schematic configuration of a cylindrical drum and a mask constituting a cylindrical mask.
7 is an exploded view showing an arrangement example in a case where a mask for a display panel is chamfered on a mask surface of a cylindrical mask.
8 is an exploded view showing an arrangement example in which three masks of the same size are arranged in a row on a mask surface of a cylindrical mask, and three chamfering is performed.
9 is an exploded view showing an arrangement example in which four masks of the same size are arranged in a row on a mask surface of a cylindrical mask, and four chamfering is performed.
10 is an exploded view showing an arrangement example in which four masks are chamfered in two rows and two columns on the mask surface of the cylindrical mask.
11 is a developed view for explaining an arrangement example of two chamfers of a mask for a display panel having an aspect ratio of 2: 1.
12 is a graph simulating the relationship between the diameter of the cylindrical mask and the exposure slit width under a specific allowable defocus amount.
13 is a developed view showing a specific example in the case of chamfering a mask for a 60-inch display panel.
14 is a developed view showing an example of the arrangement of two chamfers of the mask.
15 is a developed view showing a first arrangement example of two chamfers of a mask for a 32-inch display panel.
16 is a developed view showing a second arrangement example of two chamfers of a mask for a 32-inch display panel.
17 is a developed view showing a specific example in the case of chamfering a mask for a 32-inch display panel.
18 is a developed view showing a specific arrangement example of three chamfers of a mask for a 32-inch display panel.
19 is a developed view showing a specific arrangement example of three chamfers of a mask for a 37-inch display panel.
20 is a view showing the overall configuration of the exposure apparatus (substrate processing apparatus) of the second embodiment.
21 is a diagram showing the overall configuration of the exposure apparatus (substrate processing apparatus) of the third embodiment.
22 is a flow chart showing a device manufacturing method using a device manufacturing system.

본 발명을 실시하기 위한 형태(실시 형태)에 대해, 도면을 참조하면서 상세하게 설명한다. 이하의 실시 형태에 기재한 내용에 의해 본 발명이 한정되는 것은 아니다. 또, 이하에 기재한 구성요소에는, 당업자가 용이하게 상정(想定)할 수 있는 것, 실질적으로 동일한 것이 포함된다. 게다가, 이하에 기재한 구성요소는 적절히 조합시키 것이 가능하다. 또, 본 발명의 요지를 일탈하지 않는 범위에서 구성요소의 여러 가지의 생략, 치환 또는 변경을 행할 수 있다. 예를 들면, 이하의 실시 형태에서는, 디바이스로서 플렉시블·디스플레이를 제조하는 경우로서 설명하지만 이것에 한정되지 않는다. 디바이스로서는, 동박(銅箔) 등에 의한 배선 패턴이 형성되는 배선 기판, 다수의 반도체 소자(트랜지스터, 다이오드 등)가 형성되는 기판 등을 제조할 수도 있다. EMBODIMENT OF THE INVENTION The form (embodiment) for implementing this invention is demonstrated in detail, referring drawings. The present invention is not limited by the contents described in the following embodiments. In addition, the components described below include those that can be easily assumed by those skilled in the art and substantially the same. Moreover, the components described below can be appropriately combined. In addition, various omissions, substitutions, or changes of components can be made without departing from the gist of the present invention. For example, the following embodiments are described as a case of manufacturing a flexible display as a device, but are not limited to this. As the device, a wiring substrate on which a wiring pattern by copper foil or the like is formed, a substrate on which a number of semiconductor elements (transistors, diodes, etc.) are formed, or the like can also be manufactured.

[제1 실시 형태][First Embodiment]

제1 실시 형태는, 기판에 노광 처리를 실시하는 기판 처리 장치가 노광 장치이다. 또, 노광 장치는, 노광 후의 기판에 각종 처리를 실시하여 디바이스를 제조하는 디바이스 제조 시스템에 조립되어 있다. 먼저, 디바이스 제조 시스템에 대해 설명한다. In the first embodiment, a substrate processing apparatus that performs exposure processing on a substrate is an exposure apparatus. In addition, the exposure apparatus is assembled in a device manufacturing system that manufactures a device by performing various treatments on a substrate after exposure. First, a device manufacturing system will be described.

＜디바이스 제조 시스템＞<Device manufacturing system>

도 1은, 제1 실시 형태의 디바이스 제조 시스템의 구성을 나타내는 도면이다. 도 1에 나타내는 디바이스 제조 시스템(1)은, 디바이스로서의 플렉시블·디스플레이를 제조하는 라인(플렉시블·디스플레이 제조 라인)이다. 플렉시블·디스플레이로서는, 예를 들면 유기 EL디스플레이 등이 있다. 이 디바이스 제조 시스템(1)은, 가요성의 기판(P)을 롤 모양으로 권회(卷回)한 공급용 롤(FR1)로부터, 해당 기판(P)을 송출하고, 송출된 기판(P)에 대해서 각종 처리를 연속적으로 실시한 후, 처리 후의 기판(P)을 가요성의 디바이스로서 회수용 롤(FR2)에 권취하는, 이른바 롤·투·롤(Roll　to　Roll) 방식으로 되어 있다. 제1 실시 형태의 디바이스 제조 시스템(1)에서는, 필름 모양의 시트인 기판(P)이 공급용 롤(FR1)로부터 송출되고, 공급용 롤(FR1)로부터 송출된 기판(P)이, 차례로, n대의 처리 장치(U1, U2, U3, U4, U5, …, Un)를 거쳐, 회수용 롤(FR2)에 권취될 때까지의 예를 나타내고 있다. 먼저, 디바이스 제조 시스템(1)의 처리 대상이 되는 기판(P)에 대해 설명한다. 1 is a diagram showing a configuration of a device manufacturing system according to the first embodiment. The device manufacturing system 1 shown in FIG. 1 is a line for manufacturing a flexible display as a device (flexible display manufacturing line). Examples of the flexible display include an organic EL display and the like. The device manufacturing system 1 sends the substrate P from the supply roll FR1 in which the flexible substrate P is wound in a roll shape, and with respect to the delivered substrate P After various treatments are continuously performed, the substrate P after treatment is a so-called roll-to-roll method, which is wound on a recovery roll FR2 as a flexible device. In the device manufacturing system 1 of 1st Embodiment, the board | substrate P which is a film-like sheet is sent out from the supply roll FR1, and the board | substrate P sent out from the supply roll FR1 is sequentially, An example is shown until it is wound up on the recovery roll FR2 through n processing units U1, U2, U3, U4, U5, ..., Un. First, the substrate P to be processed in the device manufacturing system 1 will be described.

기판(P)은, 예를 들면, 수지(樹脂) 필름, 스테인리스강 등의 금속 또는 합금으로 이루어지는 박(포일(foil)) 등이 이용된다. 수지 필름의 재질로서는, 예를 들면, 폴리에틸렌 수지, 폴리프로필렌 수지, 폴리에스테르 수지, 에틸렌 비닐 공중합체 수지, 폴리염화비닐 수지, 셀룰로오스 수지, 폴리아미드 수지, 폴리이미드 수지, 폴리카보네이트 수지, 폴리스틸렌 수지, 초산비닐수지 중 하나 또는 둘 이상을 포함하고 있다. As the substrate P, for example, a foil (foil) made of a metal or alloy such as a resin film or stainless steel is used. As the material of the resin film, for example, polyethylene resin, polypropylene resin, polyester resin, ethylene vinyl copolymer resin, polyvinyl chloride resin, cellulose resin, polyamide resin, polyimide resin, polycarbonate resin, polystyrene resin, It contains one or more of vinyl acetate resins.

기판(P)은, 예를 들면, 기판(P)에 실시되는 각종 처리에서 받은 열에 의한 변형량을 실질적으로 무시할 수 있도록, 열팽창 계수가 현저하게 크지 않은 것을 선정하는 것이 바람직하다. 열팽창 계수는, 예를 들면, 무기 필러를 수지 필름에 혼합하는 것에 의해서, 프로세스 온도 등에 따른 문턱값 보다도 작게 설정되어 있어도 괜찮다. 무기 필러는, 예를 들면, 산화 티탄, 산화 아연, 알루미나, 산화 규소 등이라도 좋다. 또, 기판(P)은, 플로트법(float法) 등에 의해 제조된 두께 100㎛ 정도의 매우 얇은 유리의 단층체라도 좋고, 이 매우 얇은 유리에 상기의 수지 필름, 박 등을 접합한 적층체라도 좋다. It is preferable that the substrate P has a thermal expansion coefficient that is not remarkably large so that, for example, the amount of deformation due to heat received in various processes performed on the substrate P can be substantially neglected. The thermal expansion coefficient may be set to be smaller than a threshold value depending on the process temperature or the like, for example, by mixing the inorganic filler with the resin film. The inorganic filler may be titanium oxide, zinc oxide, alumina, silicon oxide, or the like, for example. Further, the substrate P may be a single-layered body made of a very thin glass having a thickness of about 100 µm manufactured by a float method or the like, or a laminate formed by bonding the above resin film, foil or the like to this very thin glass. good.

이와 같이 구성된 기판(P)은, 롤 모양으로 권회됨으로써 공급용 롤(FR1)이 되고, 이 공급용 롤(FR1)이, 디바이스 제조 시스템(1)에 장착된다. 공급용 롤(FR1)이 장착된 디바이스 제조 시스템(1)은, 1개의 디바이스를 제조하기 위한 각종의 처리를, 공급용 롤(FR1)로부터 송출되는 기판(P)에 대해서 반복하여 실행한다. 이 때문에, 처리 후의 기판(P)은, 복수의 디바이스가 연결된 상태가 된다. 즉, 공급용 롤(FR1)로부터 송출되는 기판(P)은, 다면취용(多面取用) 기판으로 되어 있다. 또, 기판(P)은, 미리 소정의 전처리에 의해서, 그 표면을 개질하여 활성화한 것, 혹은, 표면에 정밀 패터닝을 위한 미세(微細)한 격벽 구조(요철 구조)를 임프린트법(imprint法) 등에 의해 형성한 것이라도 좋다. The board | substrate P comprised in this way becomes a roll FR1 for supply by winding in roll shape, and this roll FR1 for supply is attached to the device manufacturing system 1. The device manufacturing system 1 equipped with the supply roll FR1 repeatedly performs various processes for manufacturing one device for the substrate P sent out from the supply roll FR1. For this reason, the board | substrate P after processing is in the state where several devices were connected. That is, the board | substrate P sent out from the supply roll FR1 is a multi-faceted board | substrate. Further, the substrate P is modified and activated by a predetermined pre-treatment in advance, or a fine partition structure (irregularity structure) for precise patterning on the surface is imprinted. It may be formed by, for example.

처리 후의 기판(P)은, 롤 모양으로 권회됨으로써 회수용 롤(FR2)로서 회수된다. 회수용 롤(FR2)은, 도시하지 않은 다이싱(dicing) 장치에 장착된다. 회수용 롤(FR2)이 장착된 다이싱 장치는, 처리 후의 기판(P)을, 디바이스마다 분할(다이싱)함으로써, 복수개의 디바이스로 한다. 기판(P)의 치수는, 예를 들면, 폭 방향(단척(短尺)이 되는 방향)의 치수가 10cm~2m 정도이며, 긴 길이 방향(장척(長尺)이 되는 방향)의 치수가 10m 이상이다. 또, 기판(P)의 치수는, 상기한 치수로 한정되지 않는다. The board | substrate P after processing is recovered as roll FR2 for collection | recovery by winding in roll shape. The recovery roll FR2 is attached to a dicing apparatus (not shown). The dicing apparatus equipped with the recovery roll FR2 is made into a plurality of devices by dividing (dicing) the substrate P after processing for each device. The dimensions of the substrate P are, for example, about 10 cm to 2 m in the width direction (direction of short axis), and of 10 m or more in the lengthwise direction (direction of long length). to be. Moreover, the dimension of the board | substrate P is not limited to the above-mentioned dimension.

도 1에서는, X방향, Y방향 및 Z방향이 직교하는 직교좌표계로 되어 있다. X방향은, 수평면 내에서 공급용 롤(FR1) 및 회수용 롤(FR2)을 연결하는 방향이며, 도 1에서의 좌우 방향이다. Y방향은, 수평면 내에서 X방향으로 직교하는 방향이며, 도 1에서의 전후 방향이다. Y방향은, 공급용 롤(FR1) 및 회수용 롤(FR2)의 축방향으로 되어 있다. Z방향은, 연직 방향이며, 도 1에서의 상하 방향이다. In Fig. 1, the X-direction, Y-direction and Z-direction are orthogonal coordinate systems. The X direction is a direction in which the supply roll FR1 and the recovery roll FR2 are connected in a horizontal plane, and is a left-right direction in FIG. 1. The Y direction is a direction orthogonal to the X direction in a horizontal plane, and is a front-rear direction in FIG. 1. The Y direction is the axial direction of the supply roll FR1 and the recovery roll FR2. The Z direction is a vertical direction, and is a vertical direction in FIG. 1.

디바이스 제조 시스템(1)은, 기판(P)을 공급하는 기판 공급 장치(2)와, 기판 공급 장치(2)에 의해서 공급된 기판(P)에 대해서 각종 처리를 실시하는 처리 장치(U1~Un)와, 처리 장치(U1~Un)에 의해서 처리가 실시된 기판(P)을 회수하는 기판 회수 장치(4)와, 디바이스 제조 시스템(1)의 각 장치를 제어하는 상위 제어 장치(5)를 구비한다. The device manufacturing system 1 includes a substrate supply device 2 for supplying a substrate P, and processing devices U1 to Un that perform various processing on the substrate P supplied by the substrate supply device 2. ), The substrate recovery apparatus 4 for recovering the substrate P processed by the processing apparatuses U1 to Un, and the upper control apparatus 5 for controlling each apparatus of the device manufacturing system 1. Be equipped.

기판 공급 장치(2)에는, 공급용 롤(FR1)이 회전 가능하게 장착된다. 기판 공급 장치(2)는, 장착된 공급용 롤(FR1)로부터 기판(P)을 송출하는 구동 롤러(DR1)와, 기판(P)의 폭 방향(Y방향)에서의 위치를 조정하는 엣지 포지션 컨트롤러(EPC1)를 가진다. 구동 롤러(DR1)는, 기판(P)의 표리 양면을 사이에 끼워 지지하면서 회전하여, 기판(P)을 공급용 롤(FR1)로부터 회수용 롤(FR2)로 향하는 반송 방향으로 송출함으로써, 기판(P)을 처리 장치(U1~Un)에 공급한다. 이 때, 엣지 포지션 컨트롤러(EPC1)는, 기판(P)의 폭 방향의 단부(엣지)에서의 위치가, 목표 위치에 대해서 ±십수 ㎛ 정도의 범위로부터 ±수십 ㎛ 정도의 범위에 들어가도록, 기판(P)을 폭 방향으로 이동시켜, 기판(P)의 폭 방향에서의 위치를 수정한다. The substrate supply apparatus 2 is rotatably mounted with a supply roll FR1. The board | substrate supply apparatus 2 is the drive roller DR1 which sends out the board | substrate P from the attached supply roll FR1, and the edge position which adjusts the position of the board | substrate P in the width direction (Y direction). It has a controller (EPC1). The driving roller DR1 rotates while supporting both sides of the front and back sides of the substrate P, thereby discharging the substrate P in the conveying direction from the supply roll FR1 to the recovery roll FR2. (P) is supplied to the processing apparatuses U1 to Un. At this time, the edge position controller EPC1 is such that the position at the end (edge) in the width direction of the substrate P is within the range of about ± 10 μm from the range of about ± 10 μm with respect to the target position. (P) is moved in the width direction to correct the position of the substrate P in the width direction.

기판 회수 장치(4)에는, 회수용 롤(FR2)이 회전 가능하게 장착된다. 기판 회수 장치(4)는, 처리 후의 기판(P)을 회수용 롤(FR2) 측으로 끌어 당기는 구동 롤러(DR2)와, 기판(P)의 폭 방향(Y방향)에서의 위치를 조정하는 엣지 포지션 컨트롤러(EPC2)를 가진다. 기판 회수 장치(4)는, 구동 롤러(DR2)에 의해 기판(P)의 표리 양면을 사이에 끼워 지지하면서 회전하고, 기판(P)을 반송 방향으로 끌어 당김과 아울러, 회수용 롤(FR2)을 회전시킴으로써, 기판(P)을 감아올린다. 이 때, 엣지 포지션 컨트롤러(EPC2)는, 엣지 포지션 컨트롤러(EPC1)와 마찬가지로 구성되며, 기판(P)의 폭 방향의 단부(엣지)가 폭 방향에서 흐트러지지 않도록, 기판(P)의 폭 방향에서의 위치를 수정한다. The roll FR2 for recovery is rotatably mounted to the substrate recovery apparatus 4. The board | substrate recovery apparatus 4 is the drive roller DR2 which pulls the board | substrate P after a process to the recovery roll FR2 side, and the edge position which adjusts the position of the board | substrate P in the width direction (Y direction). It has a controller (EPC2). The substrate recovery device 4 rotates while supporting the front and rear surfaces of the substrate P with the drive roller DR2 interposed therebetween, and pulls the substrate P in the conveying direction, and recovers the roll FR2. By rotating, the board | substrate P is wound up. At this time, the edge position controller EPC2 is configured similarly to the edge position controller EPC1, and in the width direction of the substrate P, so that the end portion (edge) in the width direction of the substrate P is not disturbed in the width direction. Correct the location of

처리 장치(U1)는, 기판 공급 장치(2)로부터 공급된 기판(P)의 표면에 감광성(感光性) 기능액을 도포하는 도포 장치이다. 감광성 기능액으로서는, 예를 들면, 포토레지스트(photoresist), 감광성 실란 커플링재(감광성 친발액성(親撥液性) 개질재, 감광성 도금 환원재 등), UV경화 수지액 등이 이용된다. 처리 장치(U1)는, 기판(P)의 반송 방향의 상류측으로부터 순서대로, 도포 기구(Gp1)와 건조 기구(Gp2)가 마련되어 있다. 도포 기구(Gp1)는, 기판(P)이 감겨지는 실린더 롤러(R1)와, 실린더 롤러(R1)에 대향하는 도포 롤러(R2)를 가진다. 도포 기구(Gp1)는, 공급된 기판(P)을 실린더 롤러(R1)에 감은 상태에서, 실린더 롤러(R1) 및 도포 롤러(R2)에 의해 기판(P)을 사이에 끼워 지지한다. 그리고, 도포 기구(Gp1)는, 실린더 롤러(R1) 및 도포 롤러(R2)를 회전시킴으로써, 기판(P)을 반송 방향으로 이동시키면서, 도포 롤러(R2)에 의해 감광성 기능액을 도포한다. 건조 기구(Gp2)는, 열풍 또는 드라이 에어 등의 건조용 에어를 내뿜어, 감광성 기능액에 포함되는 용질(용제 또는 물)을 제거하고, 감광성 기능액이 도포된 기판(P)을 건조시킴으로써, 기판(P) 상에 감광성 기능층을 형성한다. The processing device U1 is a coating device that applies a photosensitive functional liquid to the surface of the substrate P supplied from the substrate supply device 2. As the photosensitive functional liquid, for example, photoresist, photosensitive silane coupling material (photosensitive lyophilic modifier, photosensitive plated reducing material, etc.), UV curing resin liquid, or the like is used. The processing apparatus U1 is provided with a coating mechanism Gp1 and a drying mechanism Gp2 in order from the upstream side in the transport direction of the substrate P. The coating mechanism Gp1 has a cylinder roller R1 on which the substrate P is wound, and a coating roller R2 facing the cylinder roller R1. The coating mechanism Gp1 supports the substrate P sandwiched by the cylinder roller R1 and the application roller R2 while the supplied substrate P is wound around the cylinder roller R1. Then, the application mechanism Gp1 applies the photosensitive functional liquid by the application roller R2 while moving the substrate P in the conveying direction by rotating the cylinder roller R1 and the application roller R2. The drying mechanism Gp2 blows out drying air such as hot air or dry air, removes the solute (solvent or water) contained in the photosensitive functional liquid, and dries the substrate P on which the photosensitive functional liquid is applied. A photosensitive functional layer is formed on (P).

처리 장치(U2)는, 기판(P)의 표면에 형성된 감광성 기능층을 안정되도록, 처리 장치(U1)로부터 반송된 기판(P)을 소정 온도(예를 들면, 수 10~120℃ 정도)까지 가열하는 가열 장치이다. 처리 장치(U2)는, 기판(P)의 반송 방향의 상류측으로부터 순서대로, 가열 챔버(HA1)와 냉각 챔버(HA2)가 마련되어 있다. 가열 챔버(HA1)는, 그 내부에 복수의 롤러 및 복수의 에어·턴바가 마련되어 있고, 복수의 롤러 및 복수의 에어·턴바는, 기판(P)의 반송 경로를 구성하고 있다. 복수의 롤러는, 기판(P)의 이면에 구름 접촉하여 마련되며, 복수의 에어·턴바는, 기판(P)의 표면측에 비접촉 상태로 마련된다. 복수의 롤러 및 복수의 에어·턴바는, 기판(P)의 반송 경로를 길게 하도록, 사행(蛇行, 구불구불함) 모양의 반송 경로가 되는 배치로 되어 있다. 가열 챔버(HA1) 내를 통과하는 기판(P)은, 사행 모양의 반송 경로를 따라서 반송되면서 소정 온도까지 가열된다. 냉각 챔버(HA2)는, 가열 챔버(HA1)에서 가열된 기판(P)의 온도가, 후공정(처리 장치(U3))의 환경 온도와 일치하도록, 기판(P)을 환경 온도까지 냉각한다. 냉각 챔버(HA2)는, 그 내부에 복수의 롤러가 마련되며, 복수의 롤러는, 가열 챔버(HA1)와 마찬가지로, 기판(P)의 반송 경로를 길게 하도록, 사행 모양의 반송 경로가 되는 배치로 되어 있다. 냉각 챔버(HA2) 내를 통과하는 기판(P)은, 사행 모양의 반송 경로를 따라서 반송되면서 냉각된다. 냉각 챔버(HA2)의 반송 방향에서의 하류측에는, 구동 롤러(DR3)가 마련되며, 구동 롤러(DR3)는, 냉각 챔버(HA2)를 통과한 기판(P)을 사이에 끼워 지지하면서 회전함으로써, 기판(P)을 처리 장치(U3)로 향하여 공급한다. The processing apparatus U2 allows the substrate P conveyed from the processing apparatus U1 to a predetermined temperature (for example, about 10 to 120 ° C) to stabilize the photosensitive functional layer formed on the surface of the substrate P. It is a heating device for heating. The processing apparatus U2 is provided with the heating chamber HA1 and the cooling chamber HA2 in order from the upstream side in the conveyance direction of the substrate P. In the heating chamber HA1, a plurality of rollers and a plurality of air turn bars are provided therein, and the plurality of rollers and the plurality of air turn bars constitute a transport path of the substrate P. The plurality of rollers are provided in rolling contact with the back surface of the substrate P, and the plurality of air turn bars are provided in a non-contact state on the surface side of the substrate P. The plurality of rollers and the plurality of air turnbars are arranged to be serpentine, meandering conveyance paths so as to lengthen the conveyance path of the substrate P. The substrate P passing through the heating chamber HA1 is heated to a predetermined temperature while being conveyed along a meandering transport path. The cooling chamber HA2 cools the substrate P to the environmental temperature so that the temperature of the substrate P heated in the heating chamber HA1 matches the environmental temperature of the post-process (processing device U3). The cooling chamber HA2 is provided with a plurality of rollers therein, and the plurality of rollers are arranged in a meander-shaped transfer path so as to lengthen the transfer path of the substrate P, similarly to the heating chamber HA1. It is done. The substrate P passing through the cooling chamber HA2 is cooled while being conveyed along a meandering conveyance path. On the downstream side in the conveyance direction of the cooling chamber HA2, a driving roller DR3 is provided, and the driving roller DR3 rotates while supporting and sandwiching the substrate P that has passed through the cooling chamber HA2, The substrate P is supplied toward the processing apparatus U3.

처리 장치(기판 처리 장치)(U3)는, 처리 장치(U2)로부터 공급된, 표면에 감광성 기능층이 형성된 기판(감광 기판)(P)에 대해서, 디스플레이용 회로 또는 배선등의 패턴을 투영 노광하는 노광 장치이다. 상세는 후술하지만, 처리 장치(U3)는, 반사형의 원통 마스크(M)(원통 드럼(21))에 조명 광속을 조명하고, 조명 광속이 마스크(M)에 의해 반사됨으로써 얻어지는 투영 광속을 기판(P)에 투영 노광한다. 처리 장치(U3)는, 처리 장치(U2)로부터 공급된 기판(P)을 반송 방향의 하류측으로 보내는 구동 롤러(DR4)와, 기판(P)의 폭 방향(Y방향)서의 위치를 조정하는 엣지 포지션 컨트롤러(EPC3)를 가진다. 구동 롤러(DR4)는, 기판(P)의 표리 양면을 사이에 끼워 지지하면서 회전하고, 기판(P)을 반송 방향의 하류측으로 송출함으로써, 기판(P)을 노광 위치에서 안정적으로 지지하는 회전 드럼(기판 지지 드럼)(25)으로 향하여 공급한다. 엣지 포지션 컨트롤러(EPC3)는, 엣지 포지션 컨트롤러(EPC1)와 마찬가지로 구성되며, 노광 위치에서의 기판(P)의 폭 방향이 목표 위치가 되도록, 기판(P)의 폭 방향에서의 위치를 수정한다. The processing apparatus (substrate processing apparatus) U3 projects and exposes a pattern such as a circuit or wiring for a display to a substrate (photosensitive substrate) P provided with a photosensitive functional layer on the surface supplied from the processing apparatus U2 It is an exposure apparatus. Although the details will be described later, the processing apparatus U3 illuminates the illumination light flux on the reflective cylindrical mask M (cylindrical drum 21), and substrates the projection light flux obtained by reflecting the illumination light flux by the mask M (P) is projected and exposed. The processing apparatus U3 adjusts the position of the drive roller DR4 which sends the board | substrate P supplied from the processing apparatus U2 to the downstream side of a conveyance direction, and the width direction (Y direction) of the board | substrate P. It has an edge position controller (EPC3). The driving roller DR4 rotates while supporting the front and rear sides of the substrate P between them, and rotates the substrate P to the downstream side in the conveying direction, thereby stably supporting the substrate P at the exposure position. It is supplied toward (substrate support drum) 25. The edge position controller EPC3 is configured similarly to the edge position controller EPC1, and corrects the position of the substrate P in the width direction so that the width direction of the substrate P at the exposure position becomes the target position.

또, 처리 장치(U3)는, 노광 후의 기판(P)에 늘어짐을 부여한 상태에서, 기판(P)을 반송 방향의 하류측으로 보내는 2조의 구동 롤러(DR6, DR7)를 가지는 버퍼부(DL)를 구비하고 있다. 2조의 구동 롤러(DR6, DR7)는, 기판(P)의 반송 방향으로 소정의 간격을 두고 배치되어 있다. 구동 롤러(DR6)는, 반송되는 기판(P)의 상류측을 사이에 끼워 지지하여 회전하고, 구동 롤러(DR7)는, 반송되는 기판(P)의 하류측을 사이에 끼워 지지하여 회전함으로써, 기판(P)을 처리 장치(U4)로 향하여 공급한다. 이 때, 기판(P)은, 늘어짐이 부여되고 있기 때문에, 구동 롤러(DR7) 보다도 반송 방향의 하류측에서 발생하는 반송 속도의 변동을 흡수할 수 있어, 반송 속도의 변동에 의한 기판(P)으로의 노광 처리의 영향을 절연할 수 있다. 또, 처리 장치(U3) 내에는, 원통 마스크(M)(이후, 간단하게 '마스크(M)'라고도 함)의 마스크 패턴의 일부분의 상(像)과 기판(P)을 상대적으로 위치 맞춤(얼라이먼트)하기 위해, 기판(P)에 미리 형성된 얼라이먼트 마크, 혹은 회전 드럼(기판 지지 드럼)(25)의 외주면의 일부에 형성된 기준 패턴 등을 검출하는 얼라이먼트 현미경(AMG1, AMG2)이 마련되어 있다. Moreover, the processing apparatus U3 has the buffer part DL which has two sets of drive rollers DR6 and DR7 which sends the board | substrate P to the downstream side of a conveyance direction, in the state which gave the stretched to the board | substrate P after exposure. I have it. The two sets of drive rollers DR6 and DR7 are arranged at predetermined intervals in the conveying direction of the substrate P. The driving roller DR6 rotates by sandwiching the upstream side of the substrate P to be conveyed therebetween, and the driving roller DR7 rotates by supporting and rotating the downstream side of the substrate P conveyed therebetween, The substrate P is supplied toward the processing apparatus U4. At this time, since the sagging is given to the substrate P, the fluctuation in the conveying speed generated at the downstream side in the conveying direction can be absorbed than the drive roller DR7, and the substrate P due to the fluctuation in the conveying speed It is possible to insulate the influence of the exposure treatment to. Further, in the processing apparatus U3, the image and the substrate P of a part of the mask pattern of the cylindrical mask M (hereinafter, simply referred to as 'mask M') are relatively positioned ( For alignment), alignment microscopes AMG1 and AMG2 for detecting alignment marks previously formed on the substrate P or reference patterns formed on a part of the outer peripheral surface of the rotating drum (substrate support drum) 25 are provided.

처리 장치(U4)는, 처리 장치(U3)로부터 반송된 노광 후의 기판(P)에 대해서, 습식에 의한 현상(現象) 처리, 무전해 도금 처리 등을 행하는 습식 처리 장치이다. 처리 장치(U4)는, 그 내부에, 연직 방향(Z방향)으로 계층화된 3개의 처리조(BT1, BT2, BT3)와, 기판(P)을 반송하는 복수의 롤러를 가진다. 복수의 롤러는, 3개의 처리조(BT1, BT2, BT3)의 내부를, 기판(P)이 순서대로 통과하는 반송 경로가 되도록 배치된다. 처리조(BT3)의 반송 방향에서의 하류측에는, 구동 롤러(DR8)가 마련되며, 구동 롤러(DR8)는, 처리조(BT3)를 통과한 기판(P)을 사이에 끼워 지지하면서 회전함으로써, 기판(P)을 처리 장치(U5)로 향하여 공급한다. The processing apparatus U4 is a wet processing apparatus that performs development processing by wet, electroless plating processing, and the like on the substrate P after exposure conveyed from the processing apparatus U3. The processing apparatus U4 has three processing tanks BT1, BT2, BT3 layered in the vertical direction (Z direction) and a plurality of rollers for conveying the substrate P therein. The plurality of rollers are arranged such that the insides of the three treatment tanks BT1, BT2, BT3 are transport paths through which the substrate P passes in order. On the downstream side in the conveyance direction of the processing tank BT3, a driving roller DR8 is provided, and the driving roller DR8 rotates while supporting and sandwiching the substrate P that has passed through the processing tank BT3, The substrate P is supplied toward the processing apparatus U5.

도시는 생략하지만, 처리 장치(U5)는, 처리 장치(U4)로부터 반송된 기판(P)을 건조시키는 건조 장치이다. 처리 장치(U5)는, 처리 장치(U4)에서 습식 처리된 기판(P)에 부착하는 액적(液滴)을 제거함과 아울러, 기판(P)의 수분 함유량을 조정한다. 처리 장치(U5)에 의해 건조된 기판(P)은, 추가로 몇 개의 처리 장치를 거쳐, 처리 장치(Un)로 반송된다. 그리고, 처리 장치(Un)에서 처리된 후, 기판(P)은, 기판 회수 장치(4)의 회수용 롤(FR2)에 감아올려진다. Although not shown, the processing device U5 is a drying device for drying the substrate P conveyed from the processing device U4. The processing apparatus U5 removes droplets adhering to the substrate P wet-processed by the processing apparatus U4 and adjusts the moisture content of the substrate P. The board | substrate P dried by the processing apparatus U5 is further conveyed to the processing apparatus Un via several processing apparatuses. And after being processed by the processing apparatus Un, the board | substrate P is wound up on the recovery roll FR2 of the board | substrate recovery apparatus 4.

상위 제어 장치(5)는, 기판 공급 장치(2), 기판 회수 장치(4) 및 복수의 처리 장치(U1~Un)를 통괄 제어한다. 상위 제어 장치(5)는, 기판 공급 장치(2) 및 기판 회수 장치(4)를 제어하여, 기판(P)을 기판 공급 장치(2)로부터 기판 회수 장치(4)로 향하여 반송시킨다. 또, 상위 제어 장치(5)는, 기판(P)의 반송에 동기(同期)시키면서, 복수의 처리 장치(U1~Un)를 제어하여, 기판(P)에 대한 각종 처리를 실행시킨다. The upper level control device 5 collectively controls the substrate supply device 2, the substrate recovery device 4, and the plurality of processing devices U1 to Un. The upper level control device 5 controls the substrate supply device 2 and the substrate recovery device 4 to convey the substrate P from the substrate supply device 2 to the substrate recovery device 4. Further, the upper level control device 5 controls the plurality of processing devices U1 to Un while synchronizing the transfer of the substrate P, and executes various processes for the substrate P.

＜노광 장치(기판 처리 장치)＞<Exposure device (substrate processing device)>

다음으로, 제1 실시 형태의 처리 장치(U3)로서의 노광 장치(기판 처리 장치)의 구성에 대해서, 도 2 내지 도 5를 참조하여 설명한다. 도 2는, 제1 실시 형태의 노광 장치(기판 처리 장치)의 전체 구성을 나타내는 도면이다. 도 3은, 도 2에 나타내는 노광 장치의 조명 영역 및 투영 영역의 배치를 나타내는 도면이다. 도 4는, 도 2에 나타내는 노광 장치의 조명 광학계 및 투영 광학계의 구성을 나타내는 도면이다. 도 5는, 마스크에 조사되는 조명 광속, 및 마스크로부터 사출하는 투영 광속 의 상태를 나타내는 도면이다. Next, the configuration of the exposure apparatus (substrate processing apparatus) as the processing apparatus U3 of the first embodiment will be described with reference to FIGS. 2 to 5. 2 is a view showing the overall configuration of the exposure apparatus (substrate processing apparatus) of the first embodiment. 3 is a view showing the arrangement of the illumination area and the projection area of the exposure apparatus shown in FIG. 2. 4 is a view showing the configuration of an illumination optical system and a projection optical system of the exposure apparatus shown in FIG. 2. It is a figure which shows the state of the illumination light beam irradiated to a mask, and the projection light beam emitted from a mask.

도 2에 나타내는 노광 장치(U3)는, 이른바 주사 노광 장치이며, 기판(P)을 반송 방향으로 반송하면서, 원통 모양의 마스크(M)의 외주면에 형성된 마스크 패턴의 상(像)을, 기판(P)의 표면에 투영 노광한다. 또, 도 2에서는, X방향, Y방향 및 Z방향이 직교하는 직교좌표계로 되어 있고, 도 1과 동일한 직교좌표계로 되어 있다. The exposure apparatus U3 shown in FIG. 2 is a so-called scanning exposure apparatus, and an image of a mask pattern formed on the outer circumferential surface of the cylindrical mask M while conveying the substrate P in the conveying direction is a substrate ( Projection exposure is performed on the surface of P). 2, the X-direction, the Y-direction, and the Z-direction are orthogonal coordinate systems which are orthogonal, and are the same orthogonal coordinate systems as in FIG.

먼저, 노광 장치(U3)에 이용되는 마스크(M)(도 1 중의 원통 마스크(M))에 대해 설명한다. 마스크(M)는, 예를 들면 금속제의 원통체를 이용한 반사형의 마스크로 되어 있다. 마스크(M)의 패턴은, Y방향으로 연장하는 제1 축(AX1)을 중심으로 하는 곡률 반경 Rm이 되는 외주면(원주면)을 가지는 원통 기재에 형성된다. 마스크(M)의 원주면은, 소정의 마스크 패턴이 형성된 마스크면(제1 면)(P1)으로 되어 있다. 마스크면(P1)은, 소정 방향으로 광속을 높은 효율로 반사하는 고반사부와 소정 방향으로 광속을 반사하지 않거나 또는 낮은 효율로 반사하는 반사 억제부(저반사부)를 포함한다. 마스크 패턴은, 고반사부 및 반사 억제부에 의해 형성되어 있다. 여기서, 반사 억제부는, 소정 방향으로 반사하는 광이 적게 되면 좋다. 이 때문에, 반사 억제부는, 광을 흡수하는 재료나, 광을 투과하는 재료, 혹은 특정 방향 이외로 광을 회절시키는 재료로 구성할 수 있다. 노광 장치(U3)는, 상기 구성의 마스크(M)로서, 알루미늄이나 SUS 등의 금속의 원통 기재로 작성한 마스크를 이용할 수 있다. 이 때문에, 노광 장치(U3)는, 염가의 마스크를 이용하여 노광을 행할 수 있다. First, the mask M (cylindrical mask M in FIG. 1) used in the exposure apparatus U3 will be described. The mask M is, for example, a reflective mask using a metal cylindrical body. The pattern of the mask M is formed in the cylindrical base material which has the outer peripheral surface (circular surface) which becomes the radius of curvature Rm centering on the 1st axis AX1 extending in the Y direction. The circumferential surface of the mask M is a mask surface (first surface) P1 on which a predetermined mask pattern is formed. The mask surface P1 includes a high-reflection portion that reflects the light flux in a predetermined direction with high efficiency, and a reflection suppression portion (low-reflection portion) that does not reflect the light flux in a predetermined direction or reflects with low efficiency. The mask pattern is formed by a high reflection portion and a reflection suppression portion. Here, the reflection suppression unit may be provided with less light reflected in a predetermined direction. For this reason, the reflection suppressing portion can be formed of a material that absorbs light, a material that transmits light, or a material that diffracts light in a specific direction. As the exposure device U3, a mask made of a cylindrical base material of metal such as aluminum or SUS can be used as the mask M of the above-described configuration. For this reason, the exposure apparatus U3 can perform exposure using an inexpensive mask.

또, 마스크(M)는, 1개의 표시 디바이스에 대응하는 패널용 패턴의 전체 또는 일부가 형성되어 있어도 괜찮고, 복수개의 표시 디바이스에 대응하는 패널용 패턴이 형성되어 있어도 괜찮다. 또, 마스크(M)는, 패널용 패턴이 제1 축(AX1) 둘레의 주방향(周方向)으로 반복하여 복수개 형성된 다면취(多面取), 혹은 소형의 패널용 패턴이 제1 축(AX1)에 평행한 방향으로 반복하여 복수 형성된 다면취라도 좋다. 게다가, 마스크(M)는, 제1 표시 디바이스의 패널용 패턴과, 제1 표시 디바이스와 사이즈 등이 다른 제2 표시 디바이스의 패널용 패턴이 형성된 다른 사이즈 패턴의 다면취라도 좋다. 또, 마스크(M)는, 제1 축(AX1)을 중심으로 하는 곡률 반경 Rm이 되는 원주면을 가지고 있으면 좋고, 원통체의 형상으로 한정되지 않는다. 예를 들면, 마스크(M)는, 원주면을 가지는 원호 모양의 판재라도 좋다. 또, 마스크(M)는, 박판 모양이라도 좋고, 박판 모양의 마스크(M)를 만곡시켜, 원주면을 가지도록 해도 괜찮다. Further, the mask M may be formed entirely or partially of a panel pattern corresponding to one display device, or a panel pattern corresponding to a plurality of display devices may be formed. In addition, the mask M has a multi-faceted, or small-sized panel pattern in which a plurality of panel patterns are repeatedly formed in a circumferential direction around the first axis AX1, or the first axis AX1. ) May be formed by repeating in a direction parallel to the polyhedron. Moreover, the mask M may be a multi-faceted chamfer of a pattern for a panel of the first display device and a pattern for a panel of the second display device having a size different from that of the first display device. Moreover, the mask M should just have the circumferential surface which becomes the radius of curvature Rm centering on the 1st axis AX1, and is not limited to the shape of a cylindrical body. For example, the mask M may be an arc-shaped plate material having a circumferential surface. Moreover, the mask M may be in the form of a thin plate, or the thin plate-shaped mask M may be curved to have a circumferential surface.

다음으로, 도 2에 나타내는 노광 장치(U3)에 대해 설명한다. 노광 장치(U3)는, 상기한 구동 롤러(DR4, DR6, DR7), 기판 지지 드럼(25), 엣지 포지션 컨트롤러(EPC3) 및 얼라이먼트 현미경(AMG1, AMG2) 외에, 마스크 유지 기구(11)와, 기판 지지 기구(12)와, 조명 광학계(IL)와, 투영 광학계(PL)와, 하위 제어 장치(16)를 가진다. 노광 장치(U3)는, 광원 장치(13)로부터 사출된 조명광을, 조명 광학계(IL)와 투영 광학계(PL)의 일부를 매개로 하여, 마스크 유지 기구(11)의 마스크 유지 드럼(21)(이하, '원통 드럼(21)'이라고도 함)에 지지되는 마스크(M)의 패턴이 형성되어 있는 마스크면(P1)에 조사하고, 마스크(M)의 마스크면(P1)에서 반사한 투영 광속(결상광)을, 투영 광학계(PL)를 매개로 하여 기판 지지 기구(12)의 기판 지지 드럼(25)에서 지지되는 기판(P)에 투사한다. Next, the exposure apparatus U3 shown in FIG. 2 is demonstrated. The exposure apparatus U3 includes the above-described driving rollers DR4, DR6, and DR7, the substrate support drum 25, the edge position controller EPC3, and the alignment microscopes AMG1 and AMG2, as well as the mask holding mechanism 11, It has a substrate support mechanism 12, an illumination optical system IL, a projection optical system PL, and a lower control device 16. The exposure apparatus U3 is provided with the illumination light emitted from the light source apparatus 13 through the illumination optical system IL and a part of the projection optical system PL, and the mask holding drum 21 of the mask holding mechanism 11 ( Hereinafter, the projection light flux irradiated to the mask surface P1 on which the pattern of the mask M supported by the 'cylindrical drum 21' is formed and reflected from the mask surface P1 of the mask M ( The imaging light) is projected onto the substrate P supported by the substrate supporting drum 25 of the substrate supporting mechanism 12 via the projection optical system PL.

하위 제어 장치(16)는, 노광 장치(U3)의 각 부를 제어하고, 각 부에 처리를 실행시킨다. 하위 제어 장치(16)는, 디바이스 제조 시스템(1)의 상위 제어 장치(5)의 일부 또는 전부라도 괜찮다. 또, 하위 제어 장치(16)는, 상위 제어 장치(5)에 의해 제어되며, 상위 제어 장치(5)와는 별도의 장치라도 좋다. 하위 제어 장치(16)는, 예를 들면, 컴퓨터를 포함한다. The lower control device 16 controls each part of the exposure apparatus U3, and executes processing for each part. The lower control device 16 may be part or all of the upper control device 5 of the device manufacturing system 1. Moreover, the lower control device 16 is controlled by the upper control device 5, and may be a separate device from the upper control device 5. The lower control device 16 includes, for example, a computer.

마스크 유지 기구(11)는, 마스크(M)를 유지하는 원통 드럼(21)과, 원통 드럼(21)을 회전시키는 제1 구동부(22)를 가지고 있다. 원통 드럼(21)은, 마스크(M)의 제1 축(AX1)을 회전 중심으로 하는 곡률 반경 Rm인 원통이 되도록 마스크(M)를 유지한다. 제1 구동부(22)는, 하위 제어 장치(16)에 접속되며, 제1 축(AX1)을 회전 중심으로 원통 드럼(21)을 회전시킨다. The mask holding mechanism 11 has a cylindrical drum 21 for holding the mask M, and a first drive unit 22 for rotating the cylindrical drum 21. The cylindrical drum 21 holds the mask M so as to be a cylinder having a radius of curvature Rm centering around the first axis AX1 of the mask M as a rotation center. The first drive unit 22 is connected to the lower control device 16 and rotates the cylindrical drum 21 about the first axis AX1 about the rotation.

또, 마스크 유지 기구(11)의 원통 드럼(21)은, 그 외주면에 고반사부와 저반사부에서 마스크 패턴을 직접 형성했지만, 이 구성에 한정되지 않는다. 마스크 유지 기구(11)로서의 원통 드럼(21)은, 그 외주면을 따라 박판 모양의 반사형 마스크(M)를 감아 유지해도 괜찮다. 또, 마스크 유지 기구(11)로서의 원통 드럼(21)은, 미리 반경 Rm이고 원호 모양으로 만곡시킨 판 모양의 반사형 마스크(M)를 원통 드럼(21)의 외주면에 착탈 가능하게 유지해도 괜찮다. Moreover, although the cylindrical drum 21 of the mask holding mechanism 11 directly formed the mask pattern in the high reflection part and the low reflection part on the outer peripheral surface, it is not limited to this structure. The cylindrical drum 21 as the mask holding mechanism 11 may be wound around and holds a thin plate-shaped reflective mask M along its outer circumferential surface. Further, the cylindrical drum 21 as the mask holding mechanism 11 may have a plate-shaped reflective mask M, which is a radius Rm in advance and curved in a circular arc shape, to be detachably attached to the outer peripheral surface of the cylindrical drum 21.

기판 지지 기구(12)는, 기판(P)을 지지하는 기판 지지 드럼(25)과, 기판 지지 드럼(25)을 회전시키는 제2 구동부(26)와, 한쌍의 에어·턴바(ATB1, ATB2)와, 한쌍의 가이드 롤러(27, 28)를 가지고 있다. 기판 지지 드럼(25)은, Y방향으로 연장하는 제2 축(AX2)을 중심으로 하는 곡률 반경 Rp가 되는 외주면(원주면)을 가지는 원통 형상으로 형성되어 있다. 여기서, 제1 축(AX1)과 제2 축(AX2)은 서로 평행하게 되어 있고, 제1 축(AX1) 및 제2 축(AX2)을 통과하는(포함하는) 면을 중심면(CL)으로 하고 있다. 기판 지지 드럼(25)의 원주면의 일부는, 기판(P)을 지지하는 지지면(P2)으로 되어 있다. 즉, 기판 지지 드럼(25)은, 그 지지면(P2)에 기판(P)이 감겨짐으로써, 기판(P)을 원통면 모양으로 만곡시켜 안정적으로 지지한다. 제2 구동부(26)는, 하위 제어 장치(16)에 접속되고, 제2 축(AX2)을 회전 중심으로 기판 지지 드럼(25)을 회전시킨다. 한쌍의 에어·턴바(ATB1, ATB2)와 한쌍의 가이드 롤러(27, 28)가, 기판 지지 드럼(25)을 사이에 두고, 기판(P)의 반송 방향의 상류측 및 하류측에 각각 마련되어 있다. 가이드 롤러(27)는 구동 롤러(DR4)로부터 반송된 기판(P)을 에어·턴바(ATB1)를 매개로 하여 기판 지지 드럼(25)으로 안내하고, 가이드 롤러(28)는 기판 지지 드럼(25)을 거쳐 에어·턴바(ATB2)로부터 반송된 기판(P)을 구동 롤러(DR6)로 안내한다. The substrate support mechanism 12 includes a substrate support drum 25 for supporting the substrate P, a second drive unit 26 for rotating the substrate support drum 25, and a pair of air turnbars ATB1 and ATB2 Wow, it has a pair of guide rollers 27 and 28. The substrate supporting drum 25 is formed in a cylindrical shape having an outer circumferential surface (circumferential surface) which is a radius of curvature Rp about the second axis AX2 extending in the Y direction. Here, the first axis AX1 and the second axis AX2 are parallel to each other, and the surface passing through (including) the first axis AX1 and the second axis AX2 is the central surface CL. Doing. A part of the circumferential surface of the substrate support drum 25 is a support surface P2 that supports the substrate P. That is, the substrate support drum 25 is stably supported by bending the substrate P in the shape of a cylindrical surface by winding the substrate P on the support surface P2. The 2nd drive part 26 is connected to the lower control apparatus 16, and rotates the board | substrate support drum 25 about the 2nd axis AX2 about a rotation center. A pair of air turnbars (ATB1, ATB2) and a pair of guide rollers (27, 28) are provided on the upstream side and the downstream side in the conveyance direction of the substrate P with the substrate supporting drum 25 interposed therebetween. . The guide roller 27 guides the substrate P conveyed from the drive roller DR4 to the substrate support drum 25 via the air turn bar ATB1, and the guide roller 28 guides the substrate support drum 25 ), The substrate P conveyed from the air turn bar ATB2 is guided to the driving roller DR6.

기판 지지 기구(12)는, 제2 구동부(26)에 의해 기판 지지 드럼(25)을 회전시킴으로써, 기판 지지 드럼(25)에 도입한 기판(P)을, 기판 지지 드럼(25)의 지지면(P2)에서 지지하면서, 소정 속도로 장척 방향(X방향)으로 보낸다. The board | substrate support mechanism 12 rotates the board | substrate support drum 25 by the 2nd drive part 26, and the board | substrate P introduce | transduced into the board | substrate support drum 25 is supported surface of the board | substrate support drum 25 While supporting at (P2), it is sent in a long direction (X direction) at a predetermined speed.

이 때, 제1 구동부(22) 및 제2 구동부(26)에 접속된 하위 제어 장치(16)는, 원통 드럼(21)과 기판 지지 드럼(25)을 소정의 회전 속도비로 동기 회전시키는 것에 의해서, 마스크(M)의 마스크면(P1)에 형성된 마스크 패턴의 투영상(投影像)이, 기판 지지 드럼(25)의 지지면(P2)에 감겨진 기판(P)의 표면(원주면을 따라 만곡한 면)에 연속적으로 반복하여 주사 노광된다. 노광 장치(U3), 제1 구동부(22) 및 제2 구동부(26)가 본 실시 형태의 이동 기구가 된다. 또, 도 2에 나타낸 노광 장치(U3)에서는, 가이드 롤러(27) 보다도 기판(P)의 반송 방향 상류측의 부분이 기판 지지 드럼(25)의 지지면(P2)에 기판(P)을 공급하는 기판 공급부가 된다. 기판 공급부에는, 도 1에서 나타낸 공급용 롤(FR1)을 직접 마련해도 좋다. 마찬가지로, 가이드 롤러(28) 보다도 기판(P)의 반송 방향 하류측의 부분이 기판 지지 드럼(25)의 지지면(P2)으로부터 기판(P)을 회수하는 기판 회수부가 된다. 기판 회수부에, 도 1에서 나타낸 회수용 롤(FR2)을 직접 마련해도 좋다. At this time, the lower control device 16 connected to the first drive unit 22 and the second drive unit 26 synchronizes the cylindrical drum 21 and the substrate support drum 25 at a predetermined rotational speed ratio. , The projection image of the mask pattern formed on the mask surface P1 of the mask M is wound around the support surface P2 of the substrate support drum 25 (along the circumferential surface) The curved surface) is continuously and repeatedly scanned and exposed. The exposure apparatus U3, the first drive unit 22, and the second drive unit 26 become the movement mechanism of this embodiment. Moreover, in the exposure apparatus U3 shown in FIG. 2, the part upstream of the conveyance direction of the board | substrate P than the guide roller 27 supplies the board | substrate P to the support surface P2 of the board | substrate support drum 25. It becomes a substrate supply part. The supply roll FR1 shown in FIG. 1 may be directly provided in the substrate supply section. Similarly, the portion on the downstream side of the conveyance direction of the substrate P rather than the guide roller 28 becomes a substrate recovery part for recovering the substrate P from the support surface P2 of the substrate support drum 25. The recovery roll FR2 shown in FIG. 1 may be directly provided in the substrate recovery section.

광원 장치(13)는, 마스크(M)에 조명되는 조명 광속(EL1)을 출사한다. 광원 장치(13)는, 광원(31)과 도광 부재(32)를 가진다. 광원(31)은, 소정의 파장의 광을 사출하는 광원이다. 광원(31)은, 예를 들면 수은 램프 등의 램프 광원, 엑시머 레이저 등의 기체 레이저 광원, 레이저 다이오드, 발광 다이오드(LED) 등의 고체 레이저 광원이다. 광원(31)이 사출하는 조명광은, 예를 들면 수은 램프를 이용하는 경우는 자외역의 휘선(g선, h선, i선)을 이용할 수 있고, 엑시머 레이저 광원을 이용하는 경우는 KrF 엑시머 레이저광(파장 248nm)이나 ArF 엑시머 레이저광(파장 193nm) 등의 원자외광(DUV 광)을 이용할 수 있다. 여기서, 광원(31)은, i선(365nm의 파장)보다 짧은 파장을 포함하는 조명 광속(EL1)을 사출하는 것이 바람직하다. 그러한 조명 광속(EL1)으로서, YAG 레이저의 제3 고조파로서 사출되는 레이저광(파장 355nm), YAG 레이저의 제4 고조파로서 사출되는 레이저광(파장 266nm)을 사용할 수도 있다. The light source device 13 emits the illumination light beam EL1 illuminated by the mask M. The light source device 13 has a light source 31 and a light guide member 32. The light source 31 is a light source that emits light of a predetermined wavelength. The light source 31 is, for example, a lamp light source such as a mercury lamp, a gas laser light source such as an excimer laser, or a solid state laser light source such as a laser diode or a light emitting diode (LED). The illumination light emitted from the light source 31 may use, for example, an ultraviolet ray (g-line, h-line, i-line) when using a mercury lamp, or KrF excimer laser light (when using an excimer laser light source). Wavelength (248 nm) or ArF excimer laser light (wavelength 193 nm), such as ultra-violet light (DUV light) can be used. Here, it is preferable that the light source 31 emits the illumination light beam EL1 containing a wavelength shorter than the i-line (wavelength of 365 nm). As such illumination light beam EL1, laser light (wavelength 355 nm) emitted as the third harmonic of the YAG laser and laser light (wavelength 266 nm) emitted as the fourth harmonic of the YAG laser may be used.

도광 부재(32)는, 광원(31)으로부터 출사된 조명 광속(EL1)을 조명 광학계(IL)로 안내한다. 도광 부재(32)는, 광 파이버, 또는 미러를 이용한 릴레이 모듈등으로 구성된다. 또, 도광 부재(32)는, 조명 광학계(IL)가 복수 마련되어 있는 경우, 광원(31)으로부터의 조명 광속(EL1)을 복수로 분할하고, 복수의 조명 광속(EL1)을 복수의 조명 광학계(IL)로 안내한다. 본 실시 형태의 도광 부재(32)는, 광원(31)으로부터 사출된 조명 광속(EL1)을 소정의 편광 상태의 광으로서 편광 빔 스플리터(PBS)에 입사시킨다. 편광 빔 스플리터(PBS)는, 마스크(M)를 낙사(落射) 조명하기 위해서 마스크(M)와 투영 광학계(PL)와의 사이에 마련되며, S편광의 직선 편광이 되는 광속을 반사하고, P편광의 직선 편광이 되는 광속을 투과한다. 이 때문에, 광원 장치(13)는, 편광 빔 스플리터(PBS)에 입사하는 조명 광속(EL1)이 직선 편광(S편광)의 광속이 되는 조명 광속(EL1)을 출사한다. 광원 장치(13)는, 편광 빔 스플리터(PBS)에 파장 및 위상이 일치한 편광 레이저를 출사한다. 예를 들면, 광원 장치(13)는, 광원(31)으로부터 사출되는 광속이 편광된 광인 경우, 도광 부재(32)로서, 편파면(偏波面) 유지 파이버를 이용하여, 광원 장치(13)로부터 출력된 레이저광의 편광 상태를 유지한 채로 도광한다. 또, 예를 들면, 광원(31)으로부터 출력된 광속을 광 파이버로 안내하고, 광 파이버로부터 출력된 광을 편광판에서 편광시켜도 괜찮다. 즉 광원 장치(13)는, 랜덤 편광의 광속이 안내되고 있는 경우, 랜덤 편광의 광속을 편광판에서 편광시켜도 괜찮다. 또 광원 장치(13)는, 렌즈 등을 이용한 릴레이 광학계에 의해, 광원(31)으로부터 출력된 광속을 안내해도 괜찮다. The light guide member 32 guides the illumination light beam EL1 emitted from the light source 31 to the illumination optical system IL. The light guide member 32 is composed of an optical fiber or a relay module using a mirror. In addition, when a plurality of illumination optical systems IL are provided, the light guiding member 32 divides the illumination light beam EL1 from the light source 31 into a plurality, and the plurality of illumination light beams EL1 is divided into a plurality of illumination optical systems ( IL). The light guide member 32 of the present embodiment causes the illumination light beam EL1 emitted from the light source 31 to enter the polarization beam splitter PBS as light in a predetermined polarization state. The polarizing beam splitter (PBS) is provided between the mask M and the projection optical system PL to illuminate the mask M, and reflects a light beam that becomes linearly polarized light of S polarization, and P polarized light. It transmits the light beam that becomes the linearly polarized light. For this reason, the light source device 13 emits the illumination light beam EL1 in which the illumination light beam EL1 incident on the polarization beam splitter PBS becomes a light beam of linearly polarized light (S polarization). The light source device 13 emits a polarization laser having the same wavelength and phase to the polarization beam splitter (PBS). For example, in the case where the light flux emitted from the light source 31 is polarized light, the light source device 13 uses, as the light guiding member 32, a polarization-surface holding fiber, from the light source device 13. The light is guided while maintaining the polarization state of the output laser light. Further, for example, the light flux output from the light source 31 may be guided to the optical fiber, and the light output from the optical fiber may be polarized by a polarizing plate. That is, the light source device 13 may polarize the light beam of random polarization with a polarizing plate when the light beam of random polarization is guided. Further, the light source device 13 may guide the light flux output from the light source 31 by a relay optical system using a lens or the like.

여기서, 도 3에 나타내는 바와 같이, 제1 실시 형태의 노광 장치(U3)는, 이른바 멀티 렌즈 방식을 상정한 노광 장치이다. 또, 도 3에는, 원통 드럼(21)에 유지된 마스크(M) 상의 조명 영역(IR)을 -Z측으로부터 본 평면도(도 3의 좌측 도면)와, 기판 지지 드럼(25)에 지지된 기판(P) 상의 투영 영역(PA)을 ＋Z측으로부터 본 평면도(도 3의 우측 도면)가 도시되어 있다. 도 3의 부호 Xs는, 원통 드럼(21) 및 기판 지지 드럼(25)의 이동 방향(회전 방향)을 나타낸다. 멀티 렌즈 방식의 노광 장치(U3)는, 마스크(M) 상의 복수(제1 실시 형태에서는 예를 들면 6개)의 조명 영역(IR1~IR6)에 조명 광속(EL1)을 각각 조명하고, 각 조명 광속(EL1)이 각 조명 영역(IR1~IR6)으로 반사됨으로써 얻어지는 복수의 투영 광속(EL2)을, 기판(P) 상의 복수(제1 실시 형태에서는 예를 들면 6개)의 투영 영역(PA1~PA6)에 투영 노광한다. Here, as shown in FIG. 3, the exposure apparatus U3 of 1st Embodiment is an exposure apparatus which assumed the so-called multi-lens system. In Fig. 3, a plan view (left view in Fig. 3) of the illumination area IR on the mask M held by the cylindrical drum 21 seen from the -Z side, and a substrate supported by the substrate support drum 25 A plan view (right view in Fig. 3) of the projection area PA on the (P) view from the + Z side is shown. Reference numeral Xs in FIG. 3 denotes a moving direction (rotational direction) of the cylindrical drum 21 and the substrate supporting drum 25. The multi-lens type exposure apparatus U3 illuminates the illumination luminous flux EL1 in the plurality of (for example, six in the first embodiment) illumination regions IR1 to IR6 on the mask M, respectively. A plurality (for example, six in the first embodiment) of the projection areas PA1 to the plurality of projection light beams EL2 obtained by reflecting the light beams EL1 to the respective illumination regions IR1 to IR6 are provided. PA6).

먼저, 조명 광학계(IL)에 의해 조명되는 복수의 조명 영역(IR1~IR6)에 대해 설명한다. 도 3에 나타내는 바와 같이, 복수의 조명 영역(IR1~IR6)은, 중심면(CL)을 사이에 두고, 회전 방향의 상류측의 마스크(M) 상에 제1 조명 영역(IR1), 제3 조명 영역(IR3) 및 제5 조명 영역(IR5)이 배치되고, 회전 방향의 하류측의 마스크(M) 상에 제2 조명 영역(IR2), 제4 조명 영역(IR4) 및 제6 조명 영역(IR6)이 배치된다. 각 조명 영역(IR1~IR6)은, 마스크(M)의 축방향(Y방향)으로 연장하는 평행한 단변 및 장변을 가지는 가늘고 긴 사다리꼴 모양의 영역으로 되어 있다. 이 때, 사다리꼴 모양의 각 조명 영역(IR1~IR6)은, 그 단변이 중심면(CL)측에 위치하고, 그 장변이 외측에 위치하는 영역으로 되어 있다. 제1 조명 영역(IR1), 제3 조명 영역(IR3) 및 제5 조명 영역(IR5)은, 축방향으로 소정의 간격을 두고 배치되어 있다. 또, 제2 조명 영역(IR2), 제4 조명 영역(IR4) 및 제6 조명 영역(IR6)은, 축방향으로 소정의 간격을 두고 배치되어 있다. 이 때, 제2 조명 영역(IR2)은, 축방향에서, 제1 조명 영역(IR1)과 제3 조명 영역(IR3)과의 사이에 배치된다. 마찬가지로, 제3 조명 영역(IR3)은, 축방향에서, 제2 조명 영역(IR2)과 제4 조명 영역(IR4)과의 사이에 배치된다. 제4 조명 영역(IR4)은, 축방향에서, 제3 조명 영역(IR3)과 제5 조명 영역(IR5)과의 사이에 배치된다. 제5 조명 영역(IR5)은, 축방향에서, 제4 조명 영역(IR4)과 제6 조명 영역(IR6)과의 사이에 배치된다. 각 조명 영역(IR1~IR6)은, Y방향으로 서로 이웃하는 사다리꼴 모양의 조명 영역의 사변부(斜邊部)의 삼각부끼리가, 마스크(M)의 주방향(X방향)으로 회전했을 때에 서로 겹치도록(오버랩하도록) 배치되어 있다. 또, 제1 실시 형태에서, 각 조명 영역(IR1~IR6)은, 사다리꼴 모양의 영역으로 했지만, 장방형 모양의 영역이라도 좋다. First, the plurality of illumination regions IR1 to IR6 illuminated by the illumination optical system IL will be described. As shown in FIG. 3, the plurality of illumination regions IR1 to IR6 are disposed on the mask M on the upstream side in the rotational direction with the center plane CL interposed therebetween, and the first illumination region IR1 and the third. The illumination region IR3 and the fifth illumination region IR5 are disposed, and the second illumination region IR2, the fourth illumination region IR4, and the sixth illumination region on the mask M on the downstream side in the rotation direction ( IR6) is deployed. Each of the illumination regions IR1 to IR6 is an elongated trapezoidal region having parallel short sides and long sides extending in the axial direction (Y direction) of the mask M. At this time, each of the trapezoidal illumination areas IR1 to IR6 is an area in which the short sides are located on the center surface CL side and the long sides are located outside. The first illumination region IR1, the third illumination region IR3, and the fifth illumination region IR5 are arranged at predetermined intervals in the axial direction. Moreover, the 2nd illumination area IR2, the 4th illumination area IR4, and the 6th illumination area IR6 are arrange | positioned at predetermined intervals in the axial direction. At this time, the second illumination region IR2 is disposed between the first illumination region IR1 and the third illumination region IR3 in the axial direction. Similarly, the third illumination region IR3 is arranged between the second illumination region IR2 and the fourth illumination region IR4 in the axial direction. The fourth illumination region IR4 is disposed between the third illumination region IR3 and the fifth illumination region IR5 in the axial direction. The fifth illumination region IR5 is disposed between the fourth illumination region IR4 and the sixth illumination region IR6 in the axial direction. When each of the illumination regions IR1 to IR6 is rotated in the main direction (X direction) of the triangular portions of the quadrilateral portions of the trapezoidal illumination region adjacent to each other in the Y direction. They are arranged to overlap (overlap) each other. In addition, in the first embodiment, each of the illumination regions IR1 to IR6 is a trapezoidal region, but may be a rectangular region.

또, 마스크(M)는, 마스크 패턴이 형성되는 패턴 형성 영역(A3)과, 마스크 패턴이 형성되지 않은 패턴 비형성 영역(A4)을 가진다. 패턴 비형성 영역(A4)은, 조명 광속(EL1)을 반사하기 어려운 저반사 영역(반사 억제부)이며, 패턴 형성 영역(A3)을 프레임 모양으로 둘러싸서 배치되어 있다. 제1~제6 조명 영역(IR1~IR6)은, 패턴 형성 영역(A3)의 Y방향의 전체 폭을 커버하도록, 배치되어 있다. Moreover, the mask M has a pattern formation region A3 in which a mask pattern is formed, and a pattern non-forming region A4 in which a mask pattern is not formed. The pattern non-formation region A4 is a low-reflection region (reflection suppressing portion) that is difficult to reflect the illumination light beam EL1, and is arranged around the pattern-forming region A3 in a frame shape. The first to sixth illumination regions IR1 to IR6 are arranged to cover the entire width in the Y direction of the pattern forming region A3.

조명 광학계(IL)는, 복수의 조명 영역(IR1~IR6)을 따라 복수(제1 실시 형태에서는 예를 들면 6개) 마련되어 있다. 복수의 조명 광학계(분할 조명 광학계)(IL1~IL6)에는, 광원 장치(13)로부터의 조명 광속(EL1)이 각각 입사한다. 각 조명 광학계(IL1~IL6)는, 광원 장치(13)로부터 입사된 각 조명 광속(EL1)을, 각 조명 영역(IR1~IR6)으로 각각 안내한다. 즉, 제1 조명 광학계(IL1)는, 조명 광속(EL1)을 제1 조명 영역(IR1)으로 안내하고, 마찬가지로, 제2~제6 조명 광학계(IL2~IL6)는, 조명 광속(EL1)을 제2~제6 조명 영역(IR2~IR6)으로 안내한다. 복수의 조명 광학계(IL1~IL6)는, 중심면(CL)을 사이에 두고, 제1, 제3, 제5 조명 영역(IR1, IR3, IR5)이 배치되는 측(도 2의 좌측)에, 제1 조명 광학계(IL1), 제3 조명 광학계(IL3) 및 제5 조명 광학계(IL5)가 배치된다. 제1 조명 광학계(IL1), 제3 조명 광학계(IL3) 및 제5 조명 광학계(IL5)는, Y방향으로 소정의 간격을 두고 배치된다. 또, 복수의 조명 광학계(IL1~IL6)는, 중심면(CL)을 사이에 두고, 제2, 제4, 제6 조명 영역(IR2, IR4, IR6)이 배치되는 측(도 2의 우측)에, 제2 조명 광학계(IL2), 제4 조명 광학계(IL4) 및 제6 조명 광학계(IL6)가 배치된다. 제2 조명 광학계(IL2), 제4 조명 광학계(IL4) 및 제6 조명 광학계(IL6)는, Y방향으로 소정의 간격을 두고 배치된다. 이 때, 제2 조명 광학계(IL2)는, 축방향에서, 제1 조명 광학계(IL1)와 제3 조명 광학계(IL3)와의 사이에 배치된다. 마찬가지로, 제3 조명 광학계(IL3), 제4 조명 광학계(IL4), 제5 조명 광학계(IL5)는, 축방향에서, 제2 조명 광학계(IL2)와 제4 조명 광학계(IL4)와의 사이, 제3 조명 광학계(IL3)와 제5 조명 광학계(IL5)와의 사이, 제4 조명 광학계(IL4)와 제6 조명 광학계(IL6)와의 사이에 배치된다. 또, 제1 조명 광학계(IL1), 제3 조명 광학계(IL3) 및 제5 조명 광학계(IL5)와, 제2 조명 광학계(IL2), 제4 조명 광학계(IL4) 및 제6 조명 광학계(IL6)는, Y방향으로부터 보아 대칭으로 배치되어 있다. The illumination optical system IL is provided in plurality (for example, six in the first embodiment) along the plurality of illumination regions IR1 to IR6. The illumination light beams EL1 from the light source device 13 respectively enter the plurality of illumination optical systems (split illumination optical systems) IL1 to IL6. Each illumination optical system IL1-IL6 guides each illumination light beam EL1 incident from the light source device 13 to each illumination area IR1-IR6, respectively. That is, the first illumination optical system IL1 guides the illumination light beam EL1 to the first illumination area IR1, and similarly, the second to sixth illumination optical systems IL2 to IL6 transmit the illumination light flux EL1. It leads to the 2nd-6th illumination area IR2-IR6. The plurality of illumination optical systems IL1 to IL6 are disposed on the side (left side in FIG. 2) in which the first, third, and fifth illumination regions IR1, IR3, and IR5 are disposed with the center plane CL interposed therebetween. The first illumination optical system IL1, the third illumination optical system IL3, and the fifth illumination optical system IL5 are disposed. The first illumination optical system IL1, the third illumination optical system IL3, and the fifth illumination optical system IL5 are arranged at predetermined intervals in the Y direction. Further, the plurality of illumination optical systems IL1 to IL6 are disposed on the side where the second, fourth, and sixth illumination regions IR2, IR4, and IR6 are disposed with the center plane CL interposed therebetween (right side in FIG. 2). In the second illumination optical system IL2, the fourth illumination optical system IL4 and the sixth illumination optical system IL6 are arranged. The second illumination optical system IL2, the fourth illumination optical system IL4, and the sixth illumination optical system IL6 are arranged at predetermined intervals in the Y direction. At this time, the second illumination optical system IL2 is disposed between the first illumination optical system IL1 and the third illumination optical system IL3 in the axial direction. Similarly, the third illumination optical system IL3, the fourth illumination optical system IL4, and the fifth illumination optical system IL5 are, in the axial direction, between the second illumination optical system IL2 and the fourth illumination optical system IL4. It is arranged between the 3rd illumination optical system IL3 and the 5th illumination optical system IL5, and between the 4th illumination optical system IL4 and the 6th illumination optical system IL6. Further, the first illumination optical system IL1, the third illumination optical system IL3 and the fifth illumination optical system IL5, the second illumination optical system IL2, the fourth illumination optical system IL4 and the sixth illumination optical system IL6 Are arranged symmetrically as viewed from the Y direction.

다음으로, 도 4를 참조하여, 각 조명 광학계(IL1~IL6)에 대해 설명한다. 또, 각 조명 광학계(IL1~IL6)는, 동일한 구성으로 되어 있기 때문에, 제1 조명 광학계(IL1)(이하, 간단하게 '조명 광학계(IL)'라고 함)를 예로 설명한다. Next, with reference to FIG. 4, each illumination optical system IL1-IL6 is demonstrated. Further, since each of the illumination optical systems IL1 to IL6 has the same configuration, the first illumination optical system IL1 (hereinafter simply referred to as 'lighting optical system IL') will be described as an example.

조명 광학계(IL)는, 조명 영역(IR)(제1 조명 영역(IR1))을 균일한 조도로 조명할 수 있도록, 광원 장치(13)의 광원(31)으로부터의 조명 광속(EL1)을 마스크(M) 상의 조명 영역(IR)에 쾰러(Kohler) 조명한다. 또, 조명 광학계(IL)는, 편광 빔 스플리터(PBS)를 이용한 낙사 조명계로 되어 있다. 조명 광학계(IL)는, 광원 장치(13)로부터의 조명 광속(EL1)의 입사측으로부터 순서대로, 조명 광학 모듈(ILM)과, 편광 빔 스플리터(PBS)와, 1/4 파장판(41)을 가진다. The illumination optical system IL masks the illumination light flux EL1 from the light source 31 of the light source device 13 so as to illuminate the illumination region IR (the first illumination region IR1) with uniform illuminance. Kohler illuminates the illumination region (IR) on (M). In addition, the illumination optical system IL is a falling illumination system using a polarizing beam splitter (PBS). The illumination optical system IL includes, in order from the incident side of the illumination light beam EL1 from the light source device 13, the illumination optical module ILM, the polarizing beam splitter (PBS), and the quarter wave plate 41 Have

도 4에 나타내는 바와 같이, 조명 광학 모듈(ILM)은, 조명 광속(EL1)의 입사측으로부터 순서대로, 콜리메이터 렌즈(51)와, 플라이아이(fly eye) 렌즈(52)와, 복수의 콘덴서 렌즈(53)와, 실린드리칼 렌즈(54)와, 조명 시야 조리개(55)와, 릴레이 렌즈계(56)를 포함하고 있으며, 제1 광축(BX1) 상에 마련되어 있다. 콜리메이터 렌즈(51)는, 도광 부재(32)로부터 사출하는 광을 입사하여, 플라이아이 렌즈(52)의 입사측의 면 전체를 조사한다. 플라이아이 렌즈(52)의 출사측의 면의 중심은, 제1 광축(BX1) 상에 배치된다. 플라이아이 렌즈(52)는, 콜리메이터 렌즈(51)로부터의 조명 광속(EL1)을, 다수의 점광원상(点光源像)으로 분할한 면광원상(面光源像)을 생성한다. 조명 광속(EL1)은 그 면광원상으로부터 생성된다. 이 때, 점광원상이 생성되는 플라이아이 렌즈(52)의 출사측의 면은, 플라이아이 렌즈(52)로부터 조명 시야 조리개(55)를 매개로 하여 후술하는 투영 광학계(PL)의 제1 오목면 거울(72)에 이르는 각종 렌즈에 의해서, 제1 오목면 거울(72)의 반사면이 위치하는 동면(瞳面)과 광학적으로 공역(共役)이 되도록 배치된다. 플라이아이 렌즈(52)의 출사측에 마련되는 콘덴서 렌즈(53)의 광축은, 제1 광축(BX1) 상에 배치된다. 콘덴서 렌즈(53)는, 플라이아이 렌즈(52)의 출사측에 형성된 다수의 점광원상의 각각으로부터의 광을, 조명 시야 조리개(55) 상에서 중첩시키고, 균일한 조도 분포로 조명 시야 조리개(55)를 조사한다. 조명 시야 조리개(55)는, 도 3에 나타낸 조명 영역(IR)과 상사(相似)가 되는 사다리꼴 또는 장방형의 직사각형 모양의 개구부를 가지며, 그 개구부의 중심은 제1 광축(BX1) 상에 배치된다. 조명 시야 조리개(55)로부터 마스크(M)에 이르는 광로 중에 마련되는 릴레이 렌즈계(결상계)(56), 편광 빔 스플리터(PBS), 1/4 파장판(41)에 의해서, 조명 시야 조리개(55)의 개구부는 마스크(M) 상의 조명 영역(IR)과 광학적으로 공역인 관계로 배치된다. 릴레이 렌즈계(56)는, 제1 광축(BX1)을 따라서 배치된 복수의 렌즈(56a, 56b, 56c, 56d)로 구성되며, 조명 시야 조리개(55)의 개구부를 투과한 조명 광속(EL1)을 편광 빔 스플리터(PBS)를 매개로 하여 마스크(M) 상의 조명 영역(IR)에 조사한다. 콘덴서 렌즈(53)의 출사측으로서, 조명 시야 조리개(55)에 인접한 위치에는, 실린드리칼 렌즈(54)가 마련되어 있다. 실린드리칼 렌즈(54)는, 입사측이 평면이 되고 출사측이 볼록 원통 렌즈면이 되는 평(平)볼록 실린드리칼 렌즈이다. 실린드리칼 렌즈(54)의 광축은, 제1 광축(BX1) 상에 배치된다. 실린드리칼 렌즈(54)는, 마스크(M) 상의 조명 영역(IR)을 조사하는 조명 광속(EL1)의 각 주광선을, XZ 면내에서는 수렴시키고, Y방향에 관해서는 평행 상태로 한다. As shown in Fig. 4, the illumination optical module ILM includes a collimator lens 51, a fly eye lens 52, and a plurality of condenser lenses in order from the incident side of the illumination light beam EL1. 53, a cylindrical lens 54, an illumination field stop 55, and a relay lens system 56 are provided on the first optical axis BX1. The collimator lens 51 enters light emitted from the light guide member 32 and irradiates the entire surface of the fly-eye lens 52 on the incident side. The center of the surface of the fly-eye lens 52 on the exit side is disposed on the first optical axis BX1. The fly-eye lens 52 generates a surface light source image obtained by dividing the illumination light beam EL1 from the collimator lens 51 into a plurality of point light source images. The illumination light beam EL1 is generated from the surface light source image. At this time, the exit-side surface of the fly-eye lens 52 in which the point light source image is generated is the first concave surface of the projection optical system PL, which will be described later, via the illumination field stop 55 from the fly-eye lens 52 By various lenses reaching the mirror 72, the first concave mirror 72 is disposed so as to be optically conjugate with the same surface on which the reflective surface is located. The optical axis of the condenser lens 53 provided on the exit side of the fly-eye lens 52 is disposed on the first optical axis BX1. The condenser lens 53 superimposes light from each of the plurality of point light sources formed on the exit side of the fly-eye lens 52 on the illumination field stop 55, and the illumination field stop 55 with a uniform illuminance distribution To investigate. The illumination field stop 55 has a trapezoidal or rectangular rectangular-shaped opening which is similar to the illumination area IR shown in Fig. 3, and the center of the opening is disposed on the first optical axis BX1. . The illumination field stop 55 is provided by a relay lens system (imaging system) 56, a polarizing beam splitter (PBS), and a quarter wave plate 41 provided in the optical path from the illumination field stop 55 to the mask M. The opening of) is optically conjugated with the illumination area IR on the mask M. The relay lens system 56 is composed of a plurality of lenses 56a, 56b, 56c, and 56d disposed along the first optical axis BX1, and illuminates the illumination light flux EL1 that has passed through the opening of the illumination field stop 55. The illumination region IR on the mask M is irradiated through the polarization beam splitter (PBS). As the exit side of the condenser lens 53, a cylindrical lens 54 is provided at a position adjacent to the illumination field stop 55. The cylindrical lens 54 is a flat convex cylindrical lens in which the incident side becomes a flat surface and the exit side becomes a convex cylindrical lens surface. The optical axis of the cylindrical lens 54 is disposed on the first optical axis BX1. The cylindrical lens 54 converges each principal ray of the illumination light beam EL1 irradiating the illumination region IR on the mask M within the XZ plane, and is parallel to the Y direction.

편광 빔 스플리터(PBS)는, 조명 광학 모듈(ILM)과 중심면(CL)과의 사이에 배치되어 있다. 편광 빔 스플리터(PBS)는, 파면(波面) 분할면에서 S편광의 직선 편광이 되는 광속을 반사하고, P편광의 직선 편광이 되는 광속을 투과한다. 여기서, 편광 빔 스플리터(PBS)에 입사하는 조명 광속(EL1)을 S편광의 직선 편광으로 하면, 조명 광속(EL1)은 편광 빔 스플리터(PBS)의 파면 분할면에서 반사하고, 1/4 파장판(41)을 투과하여 원편광이 되어 마스크(M) 상의 조명 영역(IR)을 조사한다. 마스크(M) 상의 조명 영역(IR)에서 반사한 투영 광속(EL2)은, 다시 1/4 파장판(41)을 통과하는 것에 의해서 원편광으로부터 직선 P편광으로 변환되고, 편광 빔 스플리터(PBS)의 파면 분할면을 투과하여 투영 광학계(PL)를 향한다. 편광 빔 스플리터(PBS)는, 파면 분할면에 입사된 조명 광속(EL1)의 대부분을 반사함과 아울러, 투영 광속(EL2)의 대부분을 투과하는 것이 바람직하다. 편광 빔 스플리터(PBS)의 파면 분할면에서의 편광 분리 특성은 소광비(消光比)로 나타내지지만, 그 소광비는 파면 분할면을 향하는 광선의 입사각에 의해서도 변화하기 때문에, 파면 분할면의 특성은, 실용상의 결상 성능에의 영향이 문제가 되지 않도록, 조명 광속(EL1)이나 투영 광속(EL2)의 NA(개구수)도 고려하여 설계된다. The polarizing beam splitter PBS is disposed between the illumination optical module ILM and the center plane CL. The polarization beam splitter (PBS) reflects a light beam that becomes linearly polarized light of S polarization on a wavefront split surface, and transmits a light beam that becomes linearly polarized light of P polarization. Here, if the illumination light beam EL1 incident on the polarization beam splitter PBS is linearly polarized by S polarization, the illumination light flux EL1 reflects from the wavefront splitting surface of the polarization beam splitter PBS, and a quarter wave plate It passes through (41), becomes circularly polarized light, and irradiates the illumination area IR on the mask M. The projection light beam EL2 reflected from the illumination area IR on the mask M is converted from circularly polarized light into linear P-polarized light by passing through the quarter wave plate 41 again, and a polarization beam splitter (PBS) It transmits through the wavefront dividing surface of and faces the projection optical system PL. It is preferable that the polarization beam splitter (PBS) reflects most of the illumination light beam EL1 incident on the wavefront splitting surface and transmits most of the projection light beam EL2. The polarization splitting characteristics of the polarization beam splitter (PBS) on the wavefront splitting surface are indicated by the extinction ratio, but since the extinction ratio also varies with the angle of incidence of the light beam toward the wavefront splitting surface, the characteristics of the wavefront splitting surface are practical. In order that the influence on the imaging performance of the image does not become a problem, it is also designed in consideration of the NA (number of apertures) of the illumination light beam EL1 or the projection light beam EL2.

도 5는, 마스크(M) 상의 조명 영역(IR)에 조사되는 조명 광속(EL1)과, 조명 영역(IR)에서 반사된 투영 광속(EL2)의 거동을, XZ면(제1 축(AX1)과 수직인 면) 내에서 과장하여 나타낸 도면이다. 도 5에 나타내는 바와 같이, 상기한 조명 광학계(IL)는, 마스크(M)의 조명 영역(IR)에서 반사되는 투영 광속(EL2)의 주광선이 텔레센트릭(평행계)이 되도록, 마스크(M)의 조명 영역(IR)에 조사되는 조명 광속(EL1)의 각 주광선을, XZ면(제1 축(AX1)과 수직인 면) 내에서는 의도적으로 비텔레센트릭한 상태로 하고, YZ면(중심면(CL)과 평행) 내에서는 텔레센트릭한 상태로 한다. 조명 광속(EL1)의 그러한 특성은, 도 4 중에 나타낸 실린드리칼 렌즈(54)에 의해서 부여된다. Fig. 5 shows the behavior of the illumination light beam EL1 irradiated to the illumination area IR on the mask M and the projection light beam EL2 reflected from the illumination area IR, in the XZ plane (first axis AX1). And the vertical plane). As shown in Fig. 5, the above-described illumination optical system IL is configured such that the main light of the projection light beam EL2 reflected from the illumination area IR of the mask M is a telecentric (parallel system). ) Each main ray of the illumination light beam EL1 irradiated to the illumination area IR of) is intentionally non-telecentric in the XZ plane (the plane perpendicular to the first axis AX1), and the YZ plane ( In the center plane (parallel to CL), it is telecentric. Such characteristics of the illumination light beam EL1 are imparted by the cylindrical lens 54 shown in FIG. 4.

구체적으로는, 마스크면(P1) 상의 조명 영역(IR)의 주방향의 중앙의 점 Q1을 통과하여 제1 축(AX1)을 향하는 선과, 마스크면(P1)의 반경 Rm의 1/2의 원과의 교점 Q2(1/2 반경 위치)를 설정했을 때, 조명 영역(IR)을 통과하는 조명 광속(EL1)의 각 주광선이, XZ면에서는 교점 Q2를 향하도록, 실린드리칼 렌즈(54)의 볼록 원통 렌즈면의 곡률을 설정한다. 이와 같이 하면, 조명 영역(IR) 내에서 반사한 투영 광속(EL2)의 각 주광선은, XZ면내에서는, 제1 축(AX1), 점 Q1, 교점 Q2를 통과하는 직선과 평행(텔레센트릭)한 상태가 된다. Specifically, a line passing through the central point Q1 in the main direction of the illumination area IR on the mask surface P1 toward the first axis AX1 and a circle of 1/2 of the radius Rm of the mask surface P1 Cylindrical lens 54 so that each principal ray of illumination light flux EL1 passing through illumination region IR faces intersection Q2 in the XZ plane when intersection Q2 (1/2 radius position) with is set Set the curvature of the convex cylindrical lens surface. In this way, each main ray of the projection light beam EL2 reflected in the illumination region IR is parallel to the straight line passing through the first axis AX1, point Q1, and intersection Q2 in the XZ plane (telecentric). It becomes one state.

다음으로, 투영 광학계(PL)에 의해 투영 노광되는 복수의 투영 영역(PA1~PA6)에 대해 설명한다. 도 3에 나타내는 바와 같이, 기판(P) 상의 복수의 투영 영역(PA1~PA6)은, 마스크(M) 상의 복수의 조명 영역(IR1~IR6)과 대응시켜서 배치되어 있다. 즉, 기판(P) 상의 복수의 투영 영역(PA1~PA6)은, 중심면(CL)을 사이에 두고, 반송 방향의 상류측의 기판(P) 상에 제1 투영 영역(PA1), 제3 투영 영역(PA3) 및 제5 투영 영역(PA5)이 배치되며, 반송 방향의 하류측의 기판(P) 상에 제2 투영 영역(PA2), 제4 투영 영역(PA4) 및 제6 투영 영역(PA6)이 배치된다. 각 투영 영역(PA1~PA6)은, 기판(P)의 폭 방향(Y방향)으로 연장하는 단변 및 장변을 가지는 가늘고 긴 사다리꼴 모양(직사각형 모양)의 영역으로 되어 있다. 이 때, 사다리꼴 모양의 각 투영 영역(PA1~PA6)은, 그 단변이 중심면(CL)측에 위치하고, 그 장변이 외측에 위치하는 영역으로 되어 있다. 제1 투영 영역(PA1), 제3 투영 영역(PA3) 및 제5 투영 영역(PA5)은, 폭 방향으로 소정의 간격을 두고 배치되어 있다. 또, 제2 투영 영역(PA2), 제4 투영 영역(PA4) 및 제6 투영 영역(PA6)은, 폭 방향으로 소정의 간격을 두고 배치되어 있다. 이 때, 제2 투영 영역(PA2)은, 축방향에서, 제1 투영 영역(PA1)과 제3 투영 영역(PA3)과의 사이에 배치된다. 마찬가지로, 제3 투영 영역(PA3)은, 축방향에서, 제2 투영 영역(PA2)과 제4 투영 영역(PA4)과의 사이에 배치된다. 제4 투영 영역(PA4)은, 축방향에서, 제3 투영 영역(PA3)과 제5 투영 영역(PA5)과의 사이에 배치된다. 제5 투영 영역(PA5)은, 축방향에서, 제4 투영 영역(PA4)과 제6 투영 영역(PA6)과의 사이에 배치된다. 각 투영 영역(PA1~PA6)은, 각 조명 영역(IR1~IR6)과 마찬가지로, Y방향으로 서로 이웃하는 사다리꼴 모양의 투영 영역(PA)의 사변부의 삼각부끼리가, 기판(P)의 반송 방향에 관해서 겹치도록(오버랩하도록) 배치되어 있다. 이 때, 투영 영역(PA)은, 서로 이웃하는 투영 영역(PA)의 중복하는 영역에서의 노광량이, 중복하지 않은 영역에서의 노광량과 실질적으로 동일하게 되는 형상으로 되어 있다. 그리고, 제1~제6 투영 영역(PA1~PA6)은, 기판(P) 상에 노광되는 노광 영역(A7)의 Y방향의 전체 폭을 커버하도록, 배치되어 있다. Next, a plurality of projection areas PA1 to PA6 projected and exposed by the projection optical system PL will be described. As shown in FIG. 3, the plurality of projection areas PA1 to PA6 on the substrate P are arranged in correspondence with the plurality of illumination areas IR1 to IR6 on the mask M. That is, the plurality of projection areas PA1 to PA6 on the substrate P, the first projection area PA1 and the third on the substrate P on the upstream side in the transport direction, with the center surface CL therebetween. The projection area PA3 and the fifth projection area PA5 are disposed, and the second projection area PA2, the fourth projection area PA4 and the sixth projection area on the substrate P on the downstream side in the transport direction ( PA6) is deployed. Each of the projection regions PA1 to PA6 is an elongated trapezoidal (rectangular shape) region having short sides and long sides extending in the width direction (Y direction) of the substrate P. At this time, each of the trapezoidal projection areas PA1 to PA6 is an area in which the short sides are located on the center surface CL side and the long sides are located outside. The first projection area PA1, the third projection area PA3, and the fifth projection area PA5 are arranged at predetermined intervals in the width direction. Moreover, the 2nd projection area PA2, the 4th projection area PA4, and the 6th projection area PA6 are arrange | positioned at predetermined intervals in the width direction. At this time, the second projection area PA2 is disposed between the first projection area PA1 and the third projection area PA3 in the axial direction. Similarly, the 3rd projection area PA3 is arrange | positioned between the 2nd projection area PA2 and the 4th projection area PA4 in an axial direction. The fourth projection area PA4 is disposed in the axial direction between the third projection area PA3 and the fifth projection area PA5. The 5th projection area PA5 is arrange | positioned between the 4th projection area PA4 and the 6th projection area PA6 in an axial direction. In each projection area PA1 to PA6, like the respective illumination areas IR1 to IR6, the triangular portions of the quadrilateral portions of the trapezoidal projection areas PA adjacent to each other in the Y direction are transported in the conveyance direction of the substrate P Regarding, it is arrange | positioned so that it may overlap (overlap). At this time, the projection area PA has a shape such that the exposure amount in the overlapping regions of the projection regions PA adjacent to each other is substantially the same as the exposure amount in the non-overlapping regions. Then, the first to sixth projection regions PA1 to PA6 are arranged to cover the entire width in the Y direction of the exposure region A7 exposed on the substrate P.

여기서, 도 2에서, XZ면내에서 보았을 때, 마스크(M) 상의 조명 영역(IR1(및 IR3, IR5))의 중심점으로부터 조명 영역(IR2(및 IR4, IR6))의 중심점까지의 둘레 길이는, 지지면(P2)을 따른 기판(P) 상의 투영 영역(PA1(및 PA3, PA5))의 중심점으로부터 투영 영역(PA2(및 PA4, PA6))의 중심점까지의 둘레 길이와, 실질적으로 동일하게 설정되어 있다. Here, in FIG. 2, when viewed within the XZ plane, the circumferential length from the center point of the illumination area IR1 (and IR3, IR5) on the mask M to the center point of the illumination area IR2 (and IR4, IR6) is: Set substantially the same as the circumferential length from the center point of the projection areas PA1 (and PA3, PA5) on the substrate P along the support surface P2 to the center point of the projection areas PA2 (and PA4, PA6). It is done.

투영 광학계(PL)는, 복수의 투영 영역(PA1~PA6)에 따라 복수(제1 실시 형태에서는 예를 들면 6개) 마련되어 있다. 복수의 투영 광학계(분할 투영 광학계)(PL1~PL6)에는, 복수의 조명 영역(IR1~IR6)으로부터 반사된 복수의 투영 광속(EL2)이 각각 입사한다. 각 투영 광학계(PL1~PL6)는, 마스크(M)에서 반사된 각 투영 광속(EL2)을, 각 투영 영역(PA1~PA6)으로 각각 안내한다. 즉, 제1 투영 광학계(PL1)는, 제1 조명 영역(IR1)으로부터의 투영 광속(EL2)을 제1 투영 영역(PA1)으로 안내하고, 마찬가지로, 제2~제6 투영 광학계(PL2~PL6)는, 제2~제6 조명 영역(IR2~IR6)으로부터의 각 투영 광속(EL2)을 제2~제6 투영 영역(PA2~PA6)으로 안내한다. 복수의 투영 광학계(PL1~PL6)는, 중심면(CL)을 사이에 두고, 제1, 제3, 제5 투영 영역(PA1, PA3, PA5)이 배치되는 측(도 2의 좌측)에, 제1 투영 광학계(PL1), 제3 투영 광학계(PL3) 및 제5 투영 광학계(PL5)가 배치된다. 제1 투영 광학계(PL1), 제3 투영 광학계(PL3) 및 제5 투영 광학계(PL5)는, Y방향으로 소정의 간격을 두고 배치된다. 또, 복수의 투영 광학계(PL1~PL6)는, 중심면(CL)을 사이에 두고, 제2, 제4, 제6 투영 영역(PA2, PA4, PA6)이 배치되는 측(도 2의 우측)에, 제2 투영 광학계(PL2), 제4 투영 광학계(PL4) 및 제6 투영 광학계(PL6)가 배치된다. 제2 투영 광학계(PL2), 제4 투영 광학계(PL4) 및 제6 투영 광학계(PL6)는, Y방향으로 소정의 간격을 두고 배치된다. 이 때, 제2 투영 광학계(PL2)는, 축방향에서, 제1 투영 광학계(PL1)와 제3 투영 광학계(PL3)와의 사이에 배치된다. 마찬가지로, 제3 투영 광학계(PL3), 제4 투영 광학계(PL4), 제5 투영 광학계(PL5)는, 축방향에서, 제2 투영 광학계(PL2)와 제4 투영 광학계(PL4)와의 사이, 제3 투영 광학계(PL3)와 제5 투영 광학계(PL5)와의 사이, 제4 투영 광학계(PL4)와 제6 투영 광학계(PL6)와의 사이에 배치된다. 또, 제1 투영 광학계(PL1), 제3 투영 광학계(PL3) 및 제5 투영 광학계(PL5)와, 제2 투영 광학계(PL2), 제4 투영 광학계(PL4) 및 제6 투영 광학계(PL6)는, Y방향으로부터 보아 대칭으로 배치되어 있다. The projection optical system PL is provided in plural (for example, six in the first embodiment) according to the plural projection regions PA1 to PA6. A plurality of projection light beams EL2 reflected from the plurality of illumination regions IR1 to IR6 are incident on the plurality of projection optical systems (split projection optical systems) PL1 to PL6, respectively. Each projection optical system PL1-PL6 guides each projection light beam EL2 reflected by the mask M to each projection area PA1-PA6, respectively. That is, the first projection optical system PL1 guides the projection light beam EL2 from the first illumination area IR1 to the first projection area PA1, and similarly, the second to sixth projection optical systems PL2 to PL6 ) Guides each projection light beam EL2 from the second to sixth illumination regions IR2 to IR6 to the second to sixth projection regions PA2 to PA6. The plurality of projection optical systems PL1 to PL6 are disposed on the side (left side in FIG. 2) on which the first, third, and fifth projection regions PA1, PA3, and PA5 are disposed with the center plane CL interposed therebetween. The first projection optical system PL1, the third projection optical system PL3, and the fifth projection optical system PL5 are disposed. The first projection optical system PL1, the third projection optical system PL3, and the fifth projection optical system PL5 are arranged at predetermined intervals in the Y direction. Moreover, the side where the 2nd, 4th, and 6th projection areas PA2, PA4, PA6 are arrange | positioned with the center plane CL interposed between the some projection optical systems PL1-PL6 (right side of FIG. 2) In the second projection optical system PL2, the fourth projection optical system PL4 and the sixth projection optical system PL6 are arranged. The second projection optical system PL2, the fourth projection optical system PL4, and the sixth projection optical system PL6 are arranged at predetermined intervals in the Y direction. At this time, the second projection optical system PL2 is disposed between the first projection optical system PL1 and the third projection optical system PL3 in the axial direction. Similarly, the third projection optical system PL3, the fourth projection optical system PL4, and the fifth projection optical system PL5 are, in the axial direction, between the second projection optical system PL2 and the fourth projection optical system PL4. It is arrange | positioned between 3rd projection optical system PL3 and 5th projection optical system PL5, and between 4th projection optical system PL4 and 6th projection optical system PL6. Moreover, the 1st projection optical system PL1, the 3rd projection optical system PL3, and the 5th projection optical system PL5, the 2nd projection optical system PL2, the 4th projection optical system PL4, and the 6th projection optical system PL6 Are arranged symmetrically as viewed from the Y direction.

다시, 도 4를 참조하여, 각 투영 광학계(PL1~PL6)에 대해 설명한다. 또, 각 투영 광학계(PL1~PL6)는, 동일한 구성으로 되어 있기 때문에, 제1 투영 광학계(PL1)(이하, 간단하게 '투영 광학계(PL)'라고 함)를 예로 설명한다. Again, with reference to FIG. 4, each projection optical system PL1-PL6 is demonstrated. In addition, since each of the projection optical systems PL1 to PL6 has the same configuration, the first projection optical system PL1 (hereinafter simply referred to as the 'projection optical system PL') will be described as an example.

투영 광학계(PL)는, 마스크(M) 상의 조명 영역(IR)(제1 조명 영역(IR1))에서의 마스크 패턴의 상을, 기판(P) 상의 투영 영역(PA)에 투영한다. 투영 광학계(PL)는, 마스크(M)로부터의 투영 광속(EL2)의 입사측으로부터 순서대로, 상기의 1/4 파장판(41)과, 상기의 편광 빔 스플리터(PBS)와, 투영 광학 모듈(PLM)을 가진다. The projection optical system PL projects the image of the mask pattern in the illumination region IR (first illumination region IR1) on the mask M onto the projection region PA on the substrate P. The projection optical system PL, in order from the incidence side of the projection light beam EL2 from the mask M, is the above-mentioned quarter wave plate 41, the polarizing beam splitter (PBS), and the projection optical module. (PLM).

1/4 파장판(41) 및 편광 빔 스플리터(PBS)는, 조명 광학계(IL)와 겸용으로 되어 있다. 환언하면, 조명 광학계(IL) 및 투영 광학계(PL)는, 1/4 파장판(41) 및 편광 빔 스플리터(PBS)를 공유하고 있다. The quarter wave plate 41 and the polarizing beam splitter (PBS) are used in combination with the illumination optical system IL. In other words, the illumination optical system IL and the projection optical system PL share a quarter wave plate 41 and a polarizing beam splitter (PBS).

조명 영역(IR)에서 반사된 투영 광속(EL2)은, 텔레센트릭한 상태(각 주광선이 서로 평행한 상태)가 되어, 투영 광학계(PL)에 입사한다. 조명 영역(IR)에서 반사된 원편광이 되는 투영 광속(EL2)은, 1/4 파장판(41)에 의해 원편광으로부터 직선 편광(P편광)으로 변환된 후, 편광 빔 스플리터(PBS)에 입사한다. 편광 빔 스플리터(PBS)에 입사한 투영 광속(EL2)은, 편광 빔 스플리터(PBS)를 투과한 후, 투영 광학 모듈(PLM)에 입사한다. The projection light beam EL2 reflected by the illumination region IR is in a telecentric state (a state in which each main ray is parallel to each other) and enters the projection optical system PL. The projection light beam EL2, which becomes the circularly polarized light reflected from the illumination area IR, is converted from the circularly polarized light to linearly polarized light (P polarized light) by the quarter wave plate 41, and then to the polarizing beam splitter (PBS). To join. The projection light beam EL2 incident on the polarization beam splitter PBS enters the projection optical module PLM after passing through the polarization beam splitter PBS.

투영 광학 모듈(PLM)은, 조명 광학 모듈(ILM)에 대응하여 마련되어 있다. 즉, 제1 투영 광학계(PL1)의 투영 광학 모듈(PLM)은, 제1 조명 광학계(IL1)의 조명 광학 모듈(ILM)에 의해서 조명되는 제1 조명 영역(IR1)의 마스크 패턴의 상을, 기판(P) 상의 제1 투영 영역(PA1)에 투영한다. 마찬가지로, 제2~제6 투영 광학계(PL2~PL6)의 투영 광학 모듈(LM)은, 제2~제6 조명 광학계(IL2~IL6)의 조명 광학 모듈(ILM)에 의해서 조명되는 제2~제6 조명 영역(IR2~IR6)의 마스크 패턴의 상을, 기판(P) 상의 제2~제6 투영 영역(PA2~PA6)에 투영한다. The projection optical module PLM is provided corresponding to the illumination optical module ILM. That is, the projection optical module PLM of the first projection optical system PL1 images the mask pattern of the first illumination area IR1 illuminated by the illumination optical module ILM of the first illumination optical system IL1, Projected to the first projection area PA1 on the substrate P. Similarly, the projection optical modules LM of the second to sixth projection optical systems PL2 to PL6 are second to third illuminated by the illumination optical modules ILM of the second to sixth illumination optical systems IL2 to IL6. 6 The image of the mask patterns of the illumination regions IR2 to IR6 is projected onto the second to sixth projection regions PA2 to PA6 on the substrate P.

도 4에 나타내는 바와 같이, 투영 광학 모듈(PLM)은, 조명 영역(IR)에서의 마스크 패턴의 상을 중간상면(P7)에 결상하는 제1 광학계(61)와, 제1 광학계(61)에 의해 결상한 중간상의 적어도 일부를 기판(P)의 투영 영역(PA)에 재결상하는 제2 광학계(62)와, 중간상이 형성되는 중간상면(P7)에 배치된 투영 시야 조리개(63)를 구비한다. 또, 투영 광학 모듈(PLM)은, 포커스 보정 광학 부재(64)와, 상(像)시프트용 광학 부재(65)와, 배율 보정용 광학 부재(66)와, 로테이션 보정 기구(67)와, 편광 조정 기구(편광 조정 수단)(68)를 구비한다. As shown in FIG. 4, the projection optical module PLM is provided to the first optical system 61 and the first optical system 61 that form the image of the mask pattern in the illumination region IR on the intermediate image plane P7. A second optical system 62 that re-images at least a part of the intermediate image formed by the image on the projection area PA of the substrate P, and a projection field stop 63 disposed on the intermediate image surface P7 on which the intermediate image is formed. . In addition, the projection optical module PLM includes a focus correction optical member 64, an image shift optical member 65, a magnification correction optical member 66, a rotation correction mechanism 67, and polarization An adjustment mechanism (polarization adjustment means) 68 is provided.

제1 광학계(61) 및 제2 광학계(62)는, 예를 들면 다이슨계(dyson系)를 변형한 텔레센트릭한 반사 굴절광학계이다. 제1 광학계(61)는, 그 광축(이하, '제2 광축(BX2)'이라고 함)이 중심면(CL)에 대해서 실질적으로 직교한다. 제1 광학계(61)는, 제1 편향 부재(70)와, 제1 렌즈군(71)과, 제1 오목면 거울(72)을 구비한다. 제1 편향 부재(70)는, 제1 반사면(P3)과 제2 반사면(P4)을 가지는 삼각 프리즘이다. 제1 반사면(P3)은, 편광 빔 스플리터(PBS)로부터의 투영 광속(EL2)을 반사시키고, 반사시킨 투영 광속(EL2)을 제1 렌즈군(71)을 통과하여 제1 오목면 거울(72)에 입사시키는 면으로 되어 있다. 제2 반사면(P4)은, 제1 오목면 거울(72)에서 반사된 투영 광속(EL2)이 제1 렌즈군(71)을 통과하여 입사하고, 입사한 투영 광속(EL2)을 투영 시야 조리개(63)로 향하여 반사하는 면으로 되어 있다. 제1 렌즈군(71)은, 각종 렌즈를 포함하며, 각종 렌즈의 광축은, 제2 광축(BX2) 상에 배치되어 있다. 제1 오목면 거울(72)은, 제1 광학계(61)의 동면(瞳面)에 배치되고, 플라이아이 렌즈(52)에 의해 생성되는 다수의 점광원상과 광학적으로 공역인 관계로 설정된다. The first optical system 61 and the second optical system 62 are, for example, telecentric reflective refractive optical systems modified from a dyson system. In the first optical system 61, its optical axis (hereinafter referred to as "second optical axis BX2") is substantially orthogonal to the center plane CL. The first optical system 61 includes a first deflection member 70, a first lens group 71, and a first concave mirror 72. The first deflection member 70 is a triangular prism having a first reflective surface P3 and a second reflective surface P4. The first reflective surface P3 reflects the projection light beam EL2 from the polarization beam splitter PBS, and passes the reflected projection light beam EL2 through the first lens group 71 to form a first concave mirror ( 72). In the second reflection surface P4, the projection light beam EL2 reflected from the first concave mirror 72 passes through the first lens group 71 and enters, and the incident projection light beam EL2 is projected to the viewing field. It is a surface which reflects toward (63). The first lens group 71 includes various lenses, and the optical axes of the various lenses are arranged on the second optical axis BX2. The first concave mirror 72 is disposed on the same surface of the first optical system 61, and is set in an optically conjugate relationship with a plurality of point light source images generated by the fly-eye lens 52. .

편광 빔 스플리터(PBS)로부터의 투영 광속(EL2)은, 제1 편향 부재(70)의 제1 반사면(P3)에서 반사되고, 제1 렌즈군(71)의 상반분(上半分)의 시야 영역을 통과하여 제1 오목면 거울(72)에 입사한다. 제1 오목면 거울(72)에 입사한 투영 광속(EL2)은, 제1 오목면 거울(72)에서 반사되고, 제1 렌즈군(71)의 하반분(下半分)의 시야 영역을 통과하여 제1 편향 부재(70)의 제2 반사면(P4)에 입사한다. 제2 반사면(P4)에 입사한 투영 광속(EL2)은, 제2 반사면(P4)에서 반사되고, 포커스 보정 광학 부재(64) 및 상시프트용 광학 부재(65)를 통과하여, 투영 시야 조리개(63)에 입사한다. The projection light beam EL2 from the polarization beam splitter PBS is reflected by the first reflection surface P3 of the first deflection member 70, and the field of view of the upper half of the first lens group 71 It passes through the region and enters the first concave mirror 72. The projection light flux EL2 incident on the first concave mirror 72 is reflected by the first concave mirror 72 and passes through the lower half of the field of view of the first lens group 71 It enters the second reflective surface P4 of the first deflection member 70. The projection light beam EL2 incident on the second reflective surface P4 is reflected by the second reflective surface P4, passes through the focus correction optical member 64 and the optical member 65 for vertical shift, and projects a projection field of view. The aperture 63 is incident.

투영 시야 조리개(63)는, 투영 영역(PA)의 형상을 규정하는 개구를 가진다. 즉, 투영 시야 조리개(63)의 개구의 형상이 투영 영역(PA)의 실질적인 형상을 규정하게 된다. 따라서, 조명 광학계(IL) 내의 조명 시야 조리개(55)의 개구의 형상을, 투영 영역(PA)의 실질적인 형상과 상사인 사다리꼴 모양으로 하는 경우는, 투영 시야 조리개(63)를 생략할 수 있다. The projection visual field stop 63 has an opening that defines the shape of the projection area PA. That is, the shape of the opening of the projection field stop 63 defines the substantial shape of the projection area PA. Therefore, when the shape of the opening of the illumination field stop 55 in the illumination optical system IL is a trapezoid shape that is substantially similar to the actual shape of the projection area PA, the projection field stop 63 can be omitted.

제2 광학계(62)는, 제1 광학계(61)와 동일한 구성이며, 중간상면(P7)을 사이에 두고 제1 광학계(61)와 대칭으로 마련되어 있다. 제2 광학계(62)는, 그 광축(이하, '제3 광축(BX3)'이라고 함)이 중심면(CL)에 대해서 실질적으로 직교하고, 제2 광축(BX2)과 평행하게 되어 있다. 제2 광학계(62)는, 제2 편향 부재(80)와, 제2 렌즈군(81)과, 제2 오목면 거울(82)을 구비한다. 제2 편향 부재(80)는, 제3 반사면(P5)과 제4 반사면(P6)을 가진다. 제3 반사면(P5)은, 투영 시야 조리개(63)로부터의 투영 광속(EL2)을 반사시키고, 반사시킨 투영 광속(EL2)을 제2 렌즈군(81)을 통과하여 제2 오목면 거울(82)에 입사시키는 면으로 되어 있다. 제4 반사면(P6)은, 제2 오목면 거울(82)에서 반사된 투영 광속(EL2)이 제2 렌즈군(81)을 통과하여 입사하고, 입사한 투영 광속(EL2)을 투영 영역(PA)으로 향하여 반사하는 면으로 되어 있다. 제2 렌즈군(81)은, 각종 렌즈를 포함하며, 각종 렌즈의 광축은, 제3 광축(BX3) 상에 배치되어 있다. 제2 오목면 거울(82)은, 제2 광학계(62)의 동면에 배치되고, 제1 오목면 거울(72)에 결상한 다수의 점광원상과 광학적으로 공역인 관계로 설정된다. The 2nd optical system 62 is the same structure as the 1st optical system 61, and is provided symmetrically with the 1st optical system 61 with the intermediate image surface P7 interposed therebetween. In the second optical system 62, its optical axis (hereinafter referred to as "third optical axis BX3") is substantially orthogonal to the central surface CL, and is parallel to the second optical axis BX2. The second optical system 62 includes a second deflection member 80, a second lens group 81, and a second concave mirror 82. The second deflection member 80 has a third reflective surface P5 and a fourth reflective surface P6. The third reflective surface P5 reflects the projection light beam EL2 from the projection field stop 63, and passes the reflected projection light beam EL2 through the second lens group 81 to form a second concave mirror ( 82). In the fourth reflective surface P6, the projection light beam EL2 reflected from the second concave mirror 82 passes through the second lens group 81 and enters, and the incident projection light beam EL2 is projected into the projection area ( PA). The second lens group 81 includes various lenses, and the optical axes of the various lenses are disposed on the third optical axis BX3. The second concave mirror 82 is disposed on the same surface of the second optical system 62 and is set in an optically conjugate relationship with a plurality of point light source images formed on the first concave mirror 72.

투영 시야 조리개(63)로부터의 투영 광속(EL2)은, 제2 편향 부재(80)의 제3 반사면(P5)에서 반사되고, 제2 렌즈군(81)의 상반분의 시야 영역을 통과하여 제2 오목면 거울(82)에 입사한다. 제2 오목면 거울(82)에 입사한 투영 광속(EL2)은, 제2 오목면 거울(82)에서 반사되고, 제2 렌즈군(81)의 하반분의 시야 영역을 통과하여 제2 편향 부재(80)의 제4 반사면(P6)에 입사한다. 제4 반사면(P6)에 입사한 투영 광속(EL2)은, 제4 반사면(P6)에서 반사되고, 배율 보정용 광학 부재(66)를 통과하여, 투영 영역(PA)에 투사된다. 이것에 의해, 조명 영역(IR)에서의 마스크 패턴의 상은, 투영 영역(PA)에 등배(×1)로 투영된다. The projection light beam EL2 from the projection field stop 63 is reflected by the third reflection surface P5 of the second deflection member 80 and passes through the field of view of the upper half of the second lens group 81. The second concave mirror 82 is incident. The projection light flux EL2 incident on the second concave mirror 82 is reflected by the second concave mirror 82 and passes through the viewing area in the lower half of the second lens group 81, so that the second deflection member It is incident on the fourth reflective surface P6 of (80). The projection light beam EL2 incident on the fourth reflective surface P6 is reflected by the fourth reflective surface P6, passes through the optical member 66 for magnification correction, and is projected onto the projection area PA. Thereby, the image of the mask pattern in the illumination area IR is projected equally (x1) to the projection area PA.

포커스 보정 광학 부재(64)는, 제1 편향 부재(70)와 투영 시야 조리개(63)와의 사이에 배치되어 있다. 포커스 보정 광학 부재(64)는, 기판(P) 상에 투영되는 마스크 패턴의 상의 포커스 상태를 조정한다. 포커스 보정 광학 부재(64)는, 예를 들면, 2매의 쐐기 모양의 프리즘을 반대 방향(도 4에서는 X방향에 대해 반대 방향)으로 하여, 전체로서 투명한 평행 평판이 되도록 서로 겹친 것이다. 이 한쌍의 프리즘을 서로 대향하는 면 사이의 간격을 변화시키지 않고 경사면 방향으로 슬라이드시키는 것에 의해, 평행 평판으로서의 두께를 가변으로 한다. 이것에 의해서 제1 광학계(61)의 실효적인 광로 길이를 미세 조정하고, 중간상면(P7) 및 투영 영역(PA)에 형성되는 마스크 패턴의 상의 핀트(pint) 상태가 미세 조정된다. The focus correction optical member 64 is disposed between the first deflection member 70 and the projection field stop 63. The focus correction optical member 64 adjusts the focus state of the image of the mask pattern projected on the substrate P. The focus correcting optical members 64 are, for example, two wedge-shaped prisms in opposite directions (opposite to the X direction in Fig. 4) so as to be superimposed on each other so as to form a transparent flat plate as a whole. The thickness as a parallel plate is made variable by sliding this pair of prisms in the inclined surface direction without changing the distance between the surfaces facing each other. Thereby, the effective optical path length of the first optical system 61 is finely adjusted, and the pint state of the mask pattern formed on the intermediate image plane P7 and the projection area PA is finely adjusted.

상시프트용 광학 부재(65)는, 제1 편향 부재(70)와 투영 시야 조리개(63)와의 사이에 배치되어 있다. 상시프트용 광학 부재(65)는, 기판(P) 상에 투영되는 마스크 패턴의 상을 상면(像面) 내에서 이동 가능하게 조정한다. 상시프트용 광학 부재(65)는, 도 4의 XZ면내에서 경사 가능한 투명한 평행 평판 유리와, 도 4의 YZ면내에서 경사 가능한 투명한 평행 평판 유리로 구성된다. 그 2매의 평행 평판 유리의 각 경사량을 조정함으로써, 중간상면(P7) 및 투영 영역(PA)에 형성되는 마스크 패턴의 상을 X방향이나 Y방향으로 미소(微小) 시프트시킬 수 있다. The optical member 65 for vertical shift is arrange | positioned between the 1st deflection member 70 and the projection visual field stop 63. The optical member 65 for image shift adjusts the image of the mask pattern projected on the board | substrate P so that it can be moved within an image surface. The optical member 65 for image shift is comprised of the transparent parallel flat plate glass which can be inclined in the XZ plane of FIG. 4, and the transparent parallel flat plate glass which can be inclined in the YZ plane of FIG. By adjusting the amount of inclination of the two parallel flat plate glass, the image of the mask pattern formed on the intermediate image plane P7 and the projection area PA can be slightly shifted in the X direction or the Y direction.

배율 보정용 광학 부재(66)는, 제2 편향 부재(80)와 기판(P)과의 사이에 배치되어 있다. 배율 보정용 광학 부재(66)는, 예를 들면, 오목 렌즈, 볼록 렌즈, 오목 렌즈의 3매를 소정 간격으로 동축에 배치하고, 전후의 오목 렌즈는 고정하고, 사이의 볼록 렌즈를 광축(주광선) 방향으로 이동시키도록 구성한 것이다. 이것에 의해서, 투영 영역(PA)에 형성되는 마스크 패턴의 상은, 텔레센트릭한 결상 상태를 유지하면서, 등방적으로 미소량만큼 확대 또는 축소된다. 또, 배율 보정용 광학 부재(66)를 구성하는 3매의 렌즈군의 광축은, 투영 광속(EL2)의 주광선과 평행이 되도록 XZ면내에서는 경사져 있다. The optical member 66 for magnification correction is arrange | positioned between the 2nd deflection member 80 and the board | substrate P. In the optical member 66 for magnification correction, for example, three concave lenses, convex lenses, and concave lenses are arranged on the coaxial at a predetermined interval, the front and rear concave lenses are fixed, and the convex lenses therebetween are optical axes (main beam). It is configured to move in the direction. Thereby, the image of the mask pattern formed in the projection area PA is enlarged or reduced by a minute amount isotropically while maintaining a telecentric imaging state. Further, the optical axis of the three lens groups constituting the optical member 66 for magnification correction is inclined within the XZ plane so as to be parallel to the main light beam of the projection light beam EL2.

로테이션 보정 기구(67)는, 예를 들면, 액추에이터(도시 생략)에 의해서, 제1 편향 부재(70)를 Z축과 평행한 축 둘레로 미소 회전시키는 것이다. 이 로테이션 보정 기구(67)는, 제1 편향 부재(70)의 회전에 의해서, 중간상면(P7)에 형성되는 마스크 패턴의 상을, 그 중간상면(P7) 내에서 미소 회전시킬 수 있다. The rotation correction mechanism 67 is a microrotation of the first deflection member 70 around an axis parallel to the Z axis by, for example, an actuator (not shown). The rotation correction mechanism 67 can minutely rotate the image of the mask pattern formed on the intermediate upper surface P7 by rotating the first deflection member 70 within the intermediate upper surface P7.

편광 조정 기구(68)는, 예를 들면, 액추에이터(도시 생략)에 의해서, 1/4 파장판(41)을, 판면에 직교하는 축 둘레로 회전시켜, 편광 방향을 조정하는 것이다. 편광 조정 기구(68)는, 1/4 파장판(41)을 회전시키는 것에 의해서, 투영 영역(PA)에 투사되는 투영 광속(EL2)의 조도를 조정할 수 있다. The polarization adjustment mechanism 68 rotates the quarter wave plate 41 around an axis orthogonal to the plate surface by, for example, an actuator (not shown) to adjust the polarization direction. The polarization adjustment mechanism 68 can adjust the illuminance of the projection light beam EL2 projected on the projection area PA by rotating the quarter wave plate 41.

이와 같이 구성된 투영 광학계(PL)에서, 마스크(M)로부터의 투영 광속(EL2)은, 조명 영역(IR)으로부터 텔레센트릭한 상태(각 주광선이 서로 평행한 상태)에서 출사하고, 1/4 파장판(41) 및 편광 빔 스플리터(PBS)를 통과하여 제1 광학계(61)에 입사한다. 제1 광학계(61)에 입사한 투영 광속(EL2)은, 제1 광학계(61)의 제1 편향 부재(70)의 제1 반사면(평면거울)(P3)에서 반사되고, 제1 렌즈군(71)을 통과하여 제1 오목면 거울(72)에서 반사된다. 제1 오목면 거울(72)에서 반사된 투영 광속(EL2)은, 다시 제1 렌즈군(71)을 통과하여 제1 편향 부재(70)의 제2 반사면(평면거울)(P4)에서 반사되고, 포커스 보정 광학 부재(64) 및 상시프트용 광학 부재(65)를 투과하여, 투영 시야 조리개(63)에 입사한다. 투영 시야 조리개(63)를 통과한 투영 광속(EL2)은, 제2 광학계(62)의 제2 편향 부재(80)의 제3 반사면(평면거울)(P5)에서 반사되고, 제2 렌즈군(81)을 통과하여 제2 오목면 거울(82)에서 반사된다. 제2 오목면 거울(82)에서 반사된 투영 광속(EL2)은, 다시 제2 렌즈군(81)을 통과하여 제2 편향 부재(80)의 제4 반사면(평면거울)(P6)에서 반사되어, 배율 보정용 광학 부재(66)에 입사한다. 배율 보정용 광학 부재(66)로부터 출사한 투영 광속(EL2)은, 기판(P) 상의 투영 영역(PA)에 입사하고, 조명 영역(IR) 내에 나타내어지는 마스크 패턴의 상이 투영 영역(PA)에 등배(×1)로 투영된다. In the projection optical system PL configured as described above, the projection light flux EL2 from the mask M is emitted in a telecentric state from the illumination area IR (states in which each main light beam is parallel to each other), and 1/4 It passes through the wavelength plate 41 and the polarizing beam splitter (PBS) and enters the first optical system 61. The projection light flux EL2 incident on the first optical system 61 is reflected from the first reflective surface (planar mirror) P3 of the first deflecting member 70 of the first optical system 61, and the first lens group It passes through (71) and is reflected by the first concave mirror (72). The projection light beam EL2 reflected from the first concave mirror 72 passes through the first lens group 71 again and is reflected from the second reflective surface (planar mirror) P4 of the first deflecting member 70. It passes through the focus correcting optical member 64 and the optical member 65 for image shift, and is incident on the projection field stop 63. The projection luminous flux EL2 that has passed through the projection field stop 63 is reflected by the third reflective surface (planar mirror) P5 of the second deflection member 80 of the second optical system 62, and the second lens group It passes through 81 and is reflected by the second concave mirror 82. The projection light beam EL2 reflected from the second concave mirror 82 passes through the second lens group 81 again and is reflected from the fourth reflective surface (planar mirror) P6 of the second deflecting member 80. And enters the optical member 66 for magnification correction. The projection light beam EL2 emitted from the optical member 66 for magnification correction enters the projection area PA on the substrate P, and the image of the mask pattern represented in the illumination area IR is equal to the projection area PA (× 1).

본 실시 형태에서, 제1 편향 부재(70)의 제2 반사면(평면거울)(P4)과, 제2 편향 부재(80)의 제3 반사면(평면거울)(P5)은, 중심면(CL)(혹은 광축(BX2), BX3)에 대해서 45°경사진 면으로 되어 있지만, 제1 편향 부재(70)의 제1 반사면(평면거울)(P3)과, 제2 편향 부재(80)의 제4 반사면(평면거울)(P6)은, 중심면(CL)(혹은 광축(BX2), BX3)에 대해서 45°이외의 각도로 설정된다. 제1 편향 부재(70)의 제1 반사면(P3)의 중심면(CL)(혹은 광축(BX2))에 대한 각도 α°(절대치)는, 도 5에서, 점 Q1, 교점 Q2, 제1 축(AX1)을 통과하는 직선과 중심면(CL)과의 이루는 각도를 θs°로 했을 때, α°=45°+θs°/2의 관계로 정해진다. 마찬가지로, 제2 편향 부재(80)의 제4 반사면(P6)의 중심면(CL)(혹은 제2 광축(BX2))에 대한 각도 β°(절대치)는, 기판 지지 드럼(25)의 외주면의 주방향에 관한 투영 영역(PA) 내의 중심점을 통과하는 투영 광속(EL2)의 주광선과 중심면(CL)과의 ZX면내에서의 각도를εs°로 했을 때, β°=45°+εs°/2의 관계로 정해진다. In the present embodiment, the second reflective surface (planar mirror) P4 of the first deflection member 70 and the third reflective surface (planar mirror) P5 of the second deflection member 80 are center surfaces ( CL) (or the optical axis BX2, BX3) has a 45 ° inclined surface, but the first reflecting surface (planar mirror) P3 of the first deflecting member 70 and the second deflecting member 80 The fourth reflective surface (planar mirror) P6 of is set at an angle other than 45 ° with respect to the central surface CL (or optical axes BX2 and BX3). The angle α ° (absolute value) of the first deflecting member 70 with respect to the central surface CL (or the optical axis BX2) of the first reflective surface P3 is, in FIG. 5, point Q1, intersection Q2, first When the angle between the straight line passing through the axis AX1 and the center surface CL is θs °, it is determined in the relationship of α ° = 45 ° + θs ° / 2. Similarly, the angle β ° (absolute value) with respect to the center surface CL (or the second optical axis BX2) of the fourth reflective surface P6 of the second deflection member 80 is the outer peripheral surface of the substrate support drum 25 When the angle in the ZX plane between the principal ray of the projection light beam EL2 passing through the center point in the projection area PA with respect to the main direction and the center plane CL is εs °, β ° = 45 ° + εs ° / 2.

＜마스크 및 마스크 지지 드럼＞<Mask and mask support drum>

다음으로, 도 6 및 도 7을 이용하여, 제1 실시 형태의 노광 장치(U3)에서의 마스크 유지 기구(11)의 원통 드럼(마스크 유지 드럼)(21)과 마스크(M)의 구성에 대해 설명한다. 도 6은, 원통 드럼(21) 및 그 외주면에 형성되는 마스크(M)의 개략 구성을 나타내는 사시도이다. 도 7은, 원통 드럼(21)의 외주면을 평면으로 전개했을 때의 마스크면(P1)의 개략 구성을 나타내는 전개도이다. Next, with reference to Figs. 6 and 7, the configuration of the cylindrical drum (mask holding drum) 21 and mask M of the mask holding mechanism 11 in the exposure apparatus U3 of the first embodiment Explain. 6 is a perspective view showing a schematic configuration of a cylindrical drum 21 and a mask M formed on its outer circumferential surface. 7 is an exploded view showing a schematic configuration of the mask surface P1 when the outer circumferential surface of the cylindrical drum 21 is flatly developed.

본 실시 형태에서는, 마스크(M)를 반사형의 얇은 시트 마스크로 하고, 원통 드럼(21)의 외주면에 감은 경우와, 원통 드럼(21)을 금속제의 원통 기재로 구성하고, 원통 기재의 외주면에 반사형의 마스크 패턴을 직접 형성하는 경우 중 어디에도 적용 가능하지만, 여기에서는 간단하게 하기 위해, 후자의 경우로 설명한다. 원통 드럼(21)의 외주면(직경 φ)인 마스크면(P1)에 형성되는 마스크(M)는, 앞의 도 3에 나타낸 바와 같이, 패턴 형성 영역(A3)과 패턴 비형성 영역(차광대(遮光帶) 영역)(A4)으로 구성된다. 도 6, 도 7 중에 나타내는 마스크(M)는, 투영 광학계(PL1~PL6)의 각 투영 영역(PA1~PA6)을 매개로 하여, 도 3 중의 기판(P) 상의 노광 영역(A7)에 투영되는 패턴 형성 영역(A3)에 대응하고 있다. 마스크(M)(패턴 형성 영역(A3))는, 원통 드럼(21)의 외주면의 주방향의 거의 전역에 형성되지만, 그 제1 축(AX1)과 평행한 방향(Y방향)의 폭(길이)을 L로 하면, 원통 드럼(21)의 외주면의 제1 축(AX1)과 평행한 방향(Y방향)의 길이 La 보다도 작다. 또, 본 실시 형태의 경우, 마스크(M)는 원통 드럼(21)의 외주면의 360°에 걸쳐 조밀하게 배치되는 것이 아니라, 주방향에 관해서 소정 치수의 여백부(92)를 사이에 두고 마련된다. 따라서, 그 여백부(92)의 주방향의 양단은, 마스크(M)(패턴 형성 영역(A3))의 주사 노광 방향에 관한 종단(終端)과 시단(始端)에 대응한다. In the present embodiment, the mask M is a reflective thin sheet mask, wound on the outer circumferential surface of the cylindrical drum 21, and the cylindrical drum 21 is made of a cylindrical cylindrical base material, and is provided on the outer circumferential surface of the cylindrical base material. Any of the cases in which the reflective mask pattern is directly formed may be applied, but for simplicity, the latter case will be described. The mask M formed on the mask surface P1 which is the outer circumferential surface (diameter φ) of the cylindrical drum 21, as shown in FIG. 3 above, has a pattern forming region A3 and a pattern non-forming region (shielding band (遮光 帶) region) (A4). The mask M shown in FIGS. 6 and 7 is projected to the exposure area A7 on the substrate P in FIG. 3 via each projection area PA1 to PA6 of the projection optical systems PL1 to PL6. It corresponds to the pattern formation area A3. The mask M (pattern forming region A3) is formed almost entirely in the main direction of the outer circumferential surface of the cylindrical drum 21, but the width (length in the direction (Y direction) parallel to the first axis AX1) ) Is L, smaller than the length La in the direction parallel to the first axis AX1 (Y direction) of the outer circumferential surface of the cylindrical drum 21. In addition, in the case of this embodiment, the mask M is not disposed densely over 360 ° of the outer circumferential surface of the cylindrical drum 21, but is provided with a margin portion 92 of a predetermined dimension interposed therebetween. . Therefore, both ends of the margin part 92 in the main direction correspond to the end and the start end in the scanning exposure direction of the mask M (pattern forming region A3).

또, 도 6에서, 원통 드럼(21)의 양단면부에는 제1 축(AX1)과 동축의 샤프트(SF)가 마련된다. 샤프트(SF)는, 노광 장치(U3) 내의 소정 위치에 마련된 베어링을 매개로 하여 원통 드럼(21)을 지지한다. 베어링은, 금속의 볼이나 니들 등을 사용한 접촉식의 것, 혹은 정압(靜壓) 기체 베어링과 같은 비접촉식의 것이 사용된다. 게다가, 원통 드럼(21)의 외주면(마스크면(P1)) 중, 제1 축(AX1)과 평행한 Y방향에 관해서, 마스크(M)의 영역 보다도 외측의 단부 영역 각각에, 원통 드럼(21)(마스크(M))의 회전 각도 위치를 고정밀도로 계측하기 위한 인코더 스케일을 주방향의 전면(全面)에 형성해도 좋다. 회전 각도 위치를 계측하는 인코더 스케일이 새겨 마련된 스케일 원판을 샤프트(SF)와 동축에 고정해도 좋다. In addition, in FIG. 6, the first shaft AX1 and the shaft SF coaxially are provided at both end faces of the cylindrical drum 21. The shaft SF supports the cylindrical drum 21 via a bearing provided at a predetermined position in the exposure apparatus U3. The bearing is a contact type using a metal ball or needle, or a non-contact type such as a static pressure gas bearing. Moreover, among the outer circumferential surfaces (mask surface P1) of the cylindrical drum 21, in the Y-direction parallel to the first axis AX1, the cylindrical drum 21 is provided in each of the end regions outside the region of the mask M. ) (The encoder scale for measuring the rotation angle position of the mask M) with high precision may be formed on the entire surface in the main direction. The scale disc provided with the encoder scale measuring the rotation angle position may be fixed to the shaft SF and coaxially.

여기서, 도 7은, 도 6의 원통 드럼(21)의 외주면을, 여백부(92) 중의 절단선(94)에서 절단하여, 전개한 상태이다. 또, 이하에서는, 외주면을 전개한 상태에서 Y방향에 직교하는 방향을 θ방향으로 한다. 도 7에 나타내는 바와 같이, 마스크면(P1)의 전체 둘레 길이는, 직경이 φ이므로, 원주율을 π로 하여, πφ가 된다. 또, 마스크면(P1)의 제1 축(AX1)과 평행한 방향의 전체 길이 La에 대해서, 마스크(M)(패턴 형성 영역(A3))의 제1 축(AX1)과 평행한 Y방향의 길이 L는, L≤La로 형성되고, θ방향으로는 길이 Lb로 형성된다. 마스크면(P1)의 전체 둘레 길이 πφ로부터 길이 Lb를 뺀 길이가, 여백부(92)의 θ방향의 합계 치수이다. 여백부(92) 내의 Y방향의 이산적인 위치 각각에는, 마스크(M)의 위치 맞춤을 위한 얼라이먼트 마크도 형성된다. Here, FIG. 7 is a state in which the outer circumferential surface of the cylindrical drum 21 of FIG. 6 is cut off at a cutting line 94 in the margin portion 92, and developed. In addition, in the following, the direction orthogonal to the Y direction in the state where the outer circumferential surface is expanded is set to the θ direction. As shown in Fig. 7, the entire circumferential length of the mask surface P1 has a diameter of φ, so that the circumferential ratio is π and πφ. Moreover, with respect to the total length La in the direction parallel to the first axis AX1 of the mask surface P1, in the Y direction parallel to the first axis AX1 of the mask M (pattern formation area A3) The length L is formed by L≤La, and is formed by the length Lb in the θ direction. The length obtained by subtracting the length Lb from the entire circumferential length πφ of the mask surface P1 is the total dimension of the margin portion 92 in the θ direction. Alignment marks for alignment of the mask M are also formed at each of the discrete positions in the Y direction in the margin portion 92.

여기서, 도 7에 나타낸 마스크(M)는, 액정 표시 디스플레이, 유기 EL디스플레이 등에서 사용되는 표시 패널 중 하나에 대응한 패턴을 형성하기 위한 마스크로 한다. 그 경우, 마스크(M)에 형성되는 패턴으로서는, 표시 패널의 표시 화면의 각 화소를 구동시키는 TFT용 전극이나 배선을 형성하는 패턴이나, 표시 디바이스의 표시 화면의 각 화소의 패턴이나, 표시 디바이스의 칼라 필터나 블랙 매트릭스의 패턴 등이 있다. 마스크(M)(패턴 형성 영역(A3))에는, 도 7에 나타내는 바와 같이, 표시 패널의 표시 화면에 대응하는 패턴이 형성되는 표시 화면 영역(DPA)과, 표시 화면 영역(DPA)의 주위에 배치되며, 표시 화면을 구동하기 위한 회로 등의 패턴이 형성되는 주변 회로 영역(TAB)이 마련된다. Here, the mask M shown in FIG. 7 is used as a mask for forming a pattern corresponding to one of the display panels used in liquid crystal display displays, organic EL displays, and the like. In that case, as a pattern formed on the mask M, a pattern for forming a TFT electrode or wiring driving each pixel on the display screen of the display panel, a pattern for each pixel on the display screen of the display device, or a display device Color filters or black matrix patterns. In the mask M (pattern formation area A3), as shown in FIG. 7, around the display screen area DPA and the display screen area DPA where a pattern corresponding to the display screen of the display panel is formed. A peripheral circuit area TAB in which a pattern such as a circuit for driving the display screen is formed is provided.

마스크(M) 상의 표시 화면 영역(DPA)의 크기는, 제조하는 표시 패널의 표시부의 크기(대각(對角) 길이 Le의 인치 사이즈)에 대응하지만, 도 2, 도 4에 나타낸 투영 광학계(PL)의 투영 배율이 등배(×1)인 경우는, 마스크(M) 상의 표시 화면 영역(DPA)의 실치수(대각 길이 Le)가 실제의 표시 화면의 인치 사이즈가 된다. 본 실시 형태에서는, 표시 화면 영역(DPA)이, 장변 Ld와 단변 Lc인 장방형으로 하지만, 장변 Ld와 단변 Lc의 길이의 비(어스펙트비)는, 전형적인 예에서는, Ld：Lc=16：9나 Ld：Lc=2：1이 된다. 어스펙트비 16：9는 이른바 하이비전(hi-vision) 사이즈(와이드 사이즈)에서 이용하는 화면의 종횡비이다. 또, 어스펙트비 2：1은 스코프(scope) 사이즈로 불리는 화면의 종횡비이며, 텔레비전 화상에서는 4K2K의 슈퍼 하이비전 사이즈에서 사용되는 어스펙트비이다. 일례로서, 어스펙트비가 16：9이고 화면 사이즈가 50인치(Le=127cm)인 표시 패널의 경우, 마스크(M) 상의 표시 화면 영역(DPA)의 장변 Ld는 약 110.7cm, 단변 Lc는 약 62.3cm가 된다. 또, 동일 화면 사이즈(50인치)에서, 어스펙트비가 2：1인 경우는, 표시 화면 영역(DPA)의 장변 Ld는 약 113.6cm, 단변 Lc는 약 56.8cm가 된다. The size of the display screen area DPA on the mask M corresponds to the size of the display portion of the display panel to be manufactured (inch size of diagonal length Le), but the projection optical system PL shown in FIGS. 2 and 4 When the projection magnification of) is equal (× 1), the actual size (diagonal length Le) of the display screen area DPA on the mask M becomes the inch size of the actual display screen. In this embodiment, the display screen area DPA is a rectangular shape with long sides Ld and short sides Lc, but the ratio (aspect ratio) of the lengths of long sides Ld and short sides Lc is Ld: Lc = 16: 9 in a typical example. B Ld: Lc = 2: 1. The aspect ratio 16: 9 is an aspect ratio of a screen used in a so-called hi-vision size (wide size). The aspect ratio 2: 1 is an aspect ratio of a screen called a scope size, and is an aspect ratio used in a super high-definition size of 4K2K in a television image. As an example, in the case of a display panel having an aspect ratio of 16: 9 and a screen size of 50 inches (Le = 127 cm), the long side Ld of the display screen area DPA on the mask M is about 110.7 cm, and the short side Lc is about 62.3. It becomes cm. In the same screen size (50 inches), when the aspect ratio is 2: 1, the long side Ld of the display screen area DPA is about 113.6 cm, and the short side Lc is about 56.8 cm.

도 7과 같이, 1개의 표시 패널용 마스크(M)(표시 화면 영역(DPA)과 주변 회로 영역(TAB)을 포함함)를 원통 드럼(21)의 외주면에 형성하는 경우, 표시 화면 영역(DPA)의 장변 Ld의 방향이 θ방향(원통 드럼(21)의 주방향)이 되도록 배치하는 것이 좋다. 이것은, 원통 드럼(21)의 직경 φ를 너무 작게 하지 않고, 원통 드럼(21)의 제1 축(AX1) 방향의 길이 La를 너무 크게 하지 않기 위함이다. 그래서, 주변 회로 영역(TAB)의 폭 치수를 포함한 마스크(M)의 크기(Lb×L)의 일례를 들어 본다. 주변 회로 영역(TAB)의 폭 치수는 회로 구성에 의해서 다양하지만, 도 7 중의 표시 화면 영역(DPA)의 Y방향의 양단측에 위치하는 주변 회로 영역(TAB)의 Y방향의 폭의 합계를, 표시 화면 영역(DPA)의 Y방향의 길이 Lc의 10%, 표시 화면 영역(DPA)의 θ방향의 양단측에 위치하는 주변 회로 영역(TAB)의 θ방향의 폭의 합계를, 표시 화면 영역(DPA)의 θ방향의 길이 Ld의 10%로서 간주한다. 7, when one display panel mask M (including the display screen area DPA and the peripheral circuit area TAB) is formed on the outer peripheral surface of the cylindrical drum 21, the display screen area DPA It is good to arrange so that the direction of the long side Ld of () is the direction (the main direction of the cylindrical drum 21). This is because the diameter φ of the cylindrical drum 21 is not made too small, and the length La in the first axis AX1 direction of the cylindrical drum 21 is not made too large. Thus, an example of the size (Lb × L) of the mask M including the width dimension of the peripheral circuit area TAB is given. The width dimension of the peripheral circuit area TAB varies depending on the circuit configuration, but the sum of the widths in the Y direction of the peripheral circuit areas TAB located at both ends of the Y direction of the display screen area DPA in FIG. 10% of the length Lc in the Y direction of the display screen area DPA and the sum of the widths in the θ direction of the peripheral circuit areas TAB located at both ends in the θ direction of the display screen area DPA are displayed. DPA) is considered as 10% of the length Ld in the θ direction.

이 경우, 어스펙트비 16：9인 50인치의 표시 패널에서는, 마스크(M)의 장변 Lb는 121.76cm, 단변 L는 68.49cm가 된다. 여백부(92)의 θ방향의 치수는 제로 이상이므로, 원통 드럼(21)의 직경 φ는, φ≥Lb/π의 계산으로부터, 38.76cm 이상이 된다. 따라서, 어스펙트비 16：9인 50인치의 표시 패널의 패턴을 기판(P)에 주사 노광하기 위해서는, 직경 φ가 38.76mm 이상, 마스크면(P1)의 제1 축(AX1)과 평행한 방향의 길이 La가 단변 L(68.49cm) 이상인 원통 드럼(21)이 필요하게 된다. 이 경우, 직경 φ와 마스크(M)의 단변 L의 비 L/φ는 약 1.77이다. 또, 주변 회로 영역(TAB)의 θ방향의 폭의 합계를, 표시 화면 영역(DPA)의 θ방향의 길이 Ld의 20%로 가정해 보면, 마스크(M)의 장변 Lb는 132.83cm, 단변 L는 68.49cm, 원통 드럼(21)의 직경 φ는 42.28cm 이상이 되며, 직경 φ와 마스크(M)의 단변 L의 비 L/φ는 약 1.62이다. In this case, in a 50-inch display panel with an aspect ratio of 16: 9, the long side Lb of the mask M is 121.76 cm, and the short side L is 68.49 cm. Since the dimension in the θ direction of the margin portion 92 is zero or more, the diameter φ of the cylindrical drum 21 is 38.76 cm or more from the calculation of φ≥Lb / π. Therefore, in order to scan and expose the pattern of a 50-inch display panel with an aspect ratio of 16: 9 to the substrate P, the diameter φ is 38.76 mm or more, and is parallel to the first axis AX1 of the mask surface P1. A cylindrical drum 21 having a length La of shorter side L (68.49 cm) or more is required. In this case, the ratio L / φ of the diameter φ and the short side L of the mask M is about 1.77. Further, assuming that the sum of the widths in the θ direction of the peripheral circuit area TAB is 20% of the length Ld in the θ direction of the display screen area DPA, the long side Lb of the mask M is 132.83 cm, and the short side L Is 68.49 cm, the diameter φ of the cylindrical drum 21 is 42.28 cm or more, and the ratio L / φ of the diameter φ and the short side L of the mask M is about 1.62.

동일한 조건에서, 어스펙트비 2：1인 50인치의 표시 패널의 경우, 마스크(M)의 장변 Lb는 124.96cm, 단변 L는 62.48cm가 된다. 이것에 의해, 원통 드럼(21)의 직경 φ는, φ≥Lb/π의 계산으로부터, 39.78cm 이상이 된다. 따라서, 어스펙트비 2：1인 50인치의 표시 패널의 패턴을 기판(P)에 주사 노광하기 위해서는, 직경 φ가 39.78cm 이상, 마스크면(P1)의 제1 축(AX1)과 평행한 방향의 길이 La가 단변 L(62.48cm) 이상의 원통 드럼(21)이 필요하게 된다. 이 경우, 직경 φ와 마스크(M)의 단변 L의 비 L/φ는 약 1.57이다. 또, 주변 회로 영역(TAB)의 θ방향의 폭의 합계를, 표시 화면 영역(DPA)의 θ방향의 길이 Ld의 20%로 가정해 보면, 마스크(M)의 장변 Lb는 136.31cm, 단변 L는 62.48cm, 원통 드럼(21)의 직경 φ는 43.39cm 이상이 되며, 직경 φ와 마스크(M)의 단변 L의 비 L/φ는 약 1.44이다. Under the same conditions, in the case of a 50-inch display panel with an aspect ratio of 2: 1, the long side Lb of the mask M is 124.96 cm, and the short side L is 62.48 cm. As a result, the diameter φ of the cylindrical drum 21 is 39.78 cm or more from the calculation of φ≥Lb / π. Therefore, in order to scan and expose the pattern of a 50-inch display panel with an aspect ratio of 2: 1 to the substrate P, the diameter φ is 39.78 cm or more, and is parallel to the first axis AX1 of the mask surface P1. The length La of the short side L (62.48cm) or more of the cylindrical drum 21 is required. In this case, the ratio L / φ of the diameter φ and the short side L of the mask M is about 1.57. Further, assuming that the sum of the widths in the θ direction of the peripheral circuit area TAB is 20% of the length Ld in the θ direction of the display screen area DPA, the long side Lb of the mask M is 136.31 cm, and the short side L Is 62.48 cm, the diameter φ of the cylindrical drum 21 is 43.39 cm or more, and the ratio L / φ of the diameter φ and the short side L of the mask M is about 1.44.

도 7과 같이, 단일의 표시 패널용 패턴이 형성된 마스크(M)를 원통 드럼(마스크 유지 드럼)(21)의 외주면에 배치하는 경우, 주사 노광 방향과 직교하는 Y방향의 마스크(M)의 길이 L과, 마스크면(P1)의 직경 φ와의 관계는, 1.3≤L/φ≤3.8의 범위에 들어간다. 그런데, 도 7에 나타낸 마스크(M)의 배치를 도 7 중에서 90°회전시켜, 마스크(M)의 장변 Lb를 Y방향, 단변 L을 θ방향으로 한 경우는, 상기의 관계로부터 벗어나게 된다. 예를 들면, 앞의 어스펙트비 16：9인 50인치의 표시 패널의 경우, 주변 회로 영역(TAB)의 θ방향의 폭을 표시 화면 영역(DPA)의 길이 Ld의 10%로 하면, 마스크(M)의 장변 Lb는 121.76cm, 단변 L는 68.49cm이기 때문에, 마스크면(P1)의 제1 축(AX1)과 평행한 방향의 길이 L의 최소치는 Lb(121.76cm)가 되고, 원통 드럼(21)의 직경 φ는, φ≥L/π의 계산으로부터, 21.80cm 이상이 된다. 따라서, 직경 φ와 마스크(M)의 제1 축(AX1)과 평행한 방향의 길이 Lb와의 비 Lb/φ는 약 5.59가 된다. 마찬가지로, 어스펙트비 2：1인 50인치의 표시 패널의 경우는, 마스크(M)의 장변 Lb가 124.96cm, 단변 L이 62.48cm이기 때문에, 마스크면(P1)의 제1 축(AX1)과 평행한 방향의 길이 L의 최소치는 Lb(124.96cm), 원통 드럼(21)의 직경 φ는, φ≥L/π의 계산으로부터, 19.89cm 이상이 된다. 따라서, 직경 φ와 마스크(M)의 제1 축(AX1)과 평행한 방향의 길이 Lb와의 비 Lb/φ는 약 6.28이 된다. As shown in Fig. 7, when the mask M on which a single display panel pattern is formed is disposed on the outer peripheral surface of the cylindrical drum (mask holding drum) 21, the length of the mask M in the Y direction orthogonal to the scanning exposure direction The relationship between L and the diameter φ of the mask surface P1 falls within a range of 1.3 ≤ L / φ ≤ 3.8. However, when the arrangement of the mask M shown in FIG. 7 is rotated 90 ° in FIG. 7, the long side Lb of the mask M is set to the Y direction and the short side L is set to the θ direction, and the relationship is deviated from the above relationship. For example, in the case of a 50-inch display panel with an aspect ratio of 16: 9 above, if the width in the θ direction of the peripheral circuit area TAB is 10% of the length Ld of the display screen area DPA, the mask ( Since the long side Lb of M) is 121.76 cm and the short side L is 68.49 cm, the minimum value of the length L in the direction parallel to the first axis AX1 of the mask surface P1 is Lb (121.76 cm), and the cylindrical drum ( The diameter φ of 21) is 21.80 cm or more from the calculation of φ≥L / π. Therefore, the ratio Lb / φ between the diameter φ and the length Lb in the direction parallel to the first axis AX1 of the mask M is about 5.59. Similarly, in the case of a 50-inch display panel with an aspect ratio of 2: 1, the long side Lb of the mask M is 124.96 cm, and the short side L is 62.48 cm, so that the first axis AX1 of the mask surface P1 is The minimum value of the length L in the parallel direction is Lb (124.96 cm), and the diameter φ of the cylindrical drum 21 is 19.89 cm or more from calculation of φ≥L / π. Therefore, the ratio Lb / φ between the diameter φ and the length Lb in the direction parallel to the first axis AX1 of the mask M is about 6.28.

이와 같이, 마스크(M)의 사이즈(Lb×L)가 동일해도, 그 장변과 단변의 방향에 의해서, 비 L/φ(또는 Lb/φ)의 값이 크게 변화한다. 비 L/φ(또는 Lb/φ)가 크다는 것은, 원통 드럼(21)의 직경 φ가 작고, 마스크면(P1)의 만곡이 가파르게 되기 때문에, 패턴 전사의 충실도를 유지하기 위해, 도 3에 나타낸 조명 영역(IR) 또는 투영 영역(PA)의 주사 노광 방향 Xs의 폭을 좁게 하는 것으로 연결된다. 혹은, 원통 드럼(21)의 제1 축(AX1)과 평행한 방향의 길이가 배증(倍增)하게 되며, Y방향으로 배치하는 복수의 투영 광학계(PL)(조명 광학계(IL))의 수를 추가로 늘리는 것으로 연결된다. 한편, 비 L/φ(또는 Lb/φ)가 작게 된다는 것은, 1개는 원통 드럼(21) 상의 마스크(M)의 제1 축(AX1)과 평행한 방향의 길이가 작고, 예를 들면 도 3 중의 6개의 투영 영역(PA1~PA6) 중 절반 정도밖에 사용하지 않은 상황이며, 또 하나는 원통 드럼(21)의 직경 φ가 너무 커서, 도 6, 도 7에서 나타낸 여백부(92)의 θ방향의 치수가 필요 이상으로 크게 되는 상황이다. 이상과 같기 때문에, 원통 드럼(마스크 유지 드럼)(21)의 외형의 치수 조건을, 1.3≤L/φ≤3.8의 관계로 함으로써, 표시 패널용 패턴이 형성된 마스크(M)를 사용한 정밀한 노광 작업을 효율적으로 실시할 수 있어, 생산성을 향상시킬 수 있다. Thus, even if the size (Lb × L) of the mask M is the same, the value of the ratio L / φ (or Lb / φ) varies greatly depending on the direction of the long side and the short side. When the ratio L / φ (or Lb / φ) is large, the diameter φ of the cylindrical drum 21 is small, and the curvature of the mask surface P1 becomes steep. It is connected by narrowing the width of the scanning exposure direction Xs of the illumination area IR or the projection area PA. Alternatively, the length in the direction parallel to the first axis AX1 of the cylindrical drum 21 is doubled, and the number of plural projection optical systems PL (illumination optical systems IL) arranged in the Y direction is multiplied. It leads to further increase. On the other hand, when the ratio L / φ (or Lb / φ) is small, one has a small length in a direction parallel to the first axis AX1 of the mask M on the cylindrical drum 21, for example, Of the three out of six projection areas PA1 to PA6, only about half is used, and the other is the diameter φ of the cylindrical drum 21 is too large, θ of the margin portion 92 shown in FIGS. 6 and 7 It is a situation in which the dimension of the direction becomes larger than necessary. As described above, by setting the dimensional condition of the outer shape of the cylindrical drum (mask holding drum) 21 to a relationship of 1.3≤L / φ≤3.8, a precise exposure operation using the mask M with a pattern for a display panel is formed. It can be carried out efficiently, and productivity can be improved.

도 6 및 도 7에 나타내는 예에서는, 원통 드럼(마스크 유지 드럼)(21)의 외주면(마스크면(P1))에, 1면의 표시 패널용 패턴을 가지는 마스크(M)가 담지(擔持)되는 예였지만, 마스크면(P1)에 복수면의 표시 패널용 패턴을 형성하는 경우도 있다. 그 경우 중 몇 개의 예를 도 8~도 10에 의해 설명한다. In the example shown in FIGS. 6 and 7, a mask M having a pattern for a display panel on one surface is supported on the outer circumferential surface (mask surface P1) of the cylindrical drum (mask holding drum) 21. Although it was an example, a pattern for a plurality of display panels may be formed on the mask surface P1. Some examples in that case will be described with reference to FIGS. 8 to 10.

도 8은, 마스크면(P1) 상에 3개의 동일 사이즈의 마스크(M1)를 원통 드럼(21)의 둘레 길이방향(θ방향)으로 배치하는 경우의 개략 구성을 나타내는 전개도이다. 도 9는, 마스크면(P1) 상에 4개의 동일 사이즈의 마스크(M2)를 원통 드럼(21)의 둘레 길이방향(θ방향)으로 배치하는 경우의 개략 구성을 나타내는 전개도이다. 도 10은, 도 9에 나타낸 마스크(M2)를 90°회전시켜, 마스크면(P1) 상에서 Y방향으로 2개의 마스크(M2)를 늘어놓고, 그것을 원통 드럼(21)의 둘레 길이방향(θ방향)으로 2조 배치하는 경우의 개략 구성을 나타내는 전개도이다. 도 8 내지 도 10에 나타내는 예는, 원통 드럼(21)의 1회전 중에, 기판(P) 상에 동일 사이즈의 표시 패널이 복수개(여기에서는 3개 또는 4개) 노광되기 때문에, 다면취의 마스크(M)로 불린다. 또, 도 8에 나타내는 바와 같이, 투영 광학계(PL)를 매개로 하여 기판(P) 상에 주사 노광해야 할 마스크면(P1) 상의 영역의 전체를, 도 7에 맞추어 마스크(M)로 하고, 마스크(M) 중에는 표시 패널이 될 마스크(M1)(도 9, 10에서는 M2)가, 주사 노광 방향(θ방향)으로 소정의 간격 Sx를 따라서 배열된다. 각 마스크(M1)(도 9, 10에서는 M2)에는, 도 7과 마찬가지로, 대각 길이 Le인 표시 화면 영역(DPA)과, 그것을 둘러싸는 주변 회로 영역(TAB)이 포함되어 있다. 8 is an exploded view showing a schematic configuration when three masks M1 of the same size are arranged on the mask surface P1 in the circumferential longitudinal direction (θ direction) of the cylindrical drum 21. 9 is an exploded view showing a schematic configuration when four masks M2 of the same size are arranged on the mask surface P1 in the circumferential longitudinal direction (θ direction) of the cylindrical drum 21. In Fig. 10, the mask M2 shown in Fig. 9 is rotated by 90 degrees, and two masks M2 are arranged on the mask surface P1 in the Y direction, and the circumferential length direction of the cylindrical drum 21 (θ direction) ) Is a developed view showing a schematic configuration when two sets are arranged. In the example shown in FIGS. 8 to 10, a plurality of display panels of the same size (three or four here) are exposed on the substrate P during one rotation of the cylindrical drum 21. It is called (M). 8, the entire area on the mask surface P1 to be scanned and exposed on the substrate P via the projection optical system PL is set as the mask M in accordance with FIG. Among the masks M, a mask M1 (M2 in Figs. 9 and 10) to be a display panel is arranged along a predetermined interval Sx in the scanning exposure direction (theta direction). Each mask M1 (M2 in Figs. 9 and 10) includes a display screen area DPA having a diagonal length Le and a peripheral circuit area TAB surrounding it, as in Fig. 7.

먼저, 도 8에 나타내는 예로부터 상술한다. 도 8에서, 가장 큰 장방형은, 원통 드럼(21)의 외주면인 마스크면(P1)이다. 마스크면(P1)은, 절단선(94)을 θ방향의 원점으로 했을 때, 0°로부터 360°까지의 회전각에 걸쳐 θ방향으로 길이 πφ를 가지며, 제1 축(AX1)과 평행한 Y방향으로 길이 La를 가진다. 마스크면(P1)의 내측에 파선으로 나타낸 영역은, 기판(P) 상에 노광해야 할 전(全)영역(도 3 중의 노광 영역(A7))에 대응한 마스크(M)가 된다. 마스크(M) 내에 θ방향으로 늘어놓여지는 3개의 마스크(M1)는, 표시 화면 영역(DPA)의 장변 방향이 Y방향이 되고, 단변 방향이 θ방향이 되도록 배치된다. 또, 각 마스크(M1)의 θ방향으로 인접하는 간격 Sx 내에는, 원통 드럼(21) 상의 마스크(M(또는 M1))의 위치를 특정하기 위한 얼라이먼트 마크(마스크 마크)(96)가, Y방향의 3개소에 이산적으로 마련되어 있다. 이들 마스크 마크(96)는, 원통 드럼(21)의 주방향의 소정 위치에 외주면(마스크면(P1))에 대향하여 배치된 미도시의 마스크 얼라이먼트 광학계를 매개로 하여 검출된다. 노광 장치(U3)는, 마스크 얼라이먼트 광학계에 의해서 검출되는 각 마스크 마크(96)의 위치에 근거하여, 원통 드럼(21) 전체, 혹은 각 마스크(M1)마다의 회전 방향(θ방향)의 위치 어긋남과 Y방향의 위치 어긋남을 계측한다. First, it demonstrates from the example shown in FIG. In Fig. 8, the largest rectangle is the mask surface P1 that is the outer peripheral surface of the cylindrical drum 21. The mask surface P1 has a length πφ in the θ direction over a rotation angle from 0 ° to 360 ° when the cutting line 94 is the origin of the θ direction, and is parallel to the first axis AX1. It has a length La in the direction. The area indicated by the broken line inside the mask surface P1 is a mask M corresponding to the entire area to be exposed on the substrate P (the exposure area A7 in FIG. 3). The three masks M1 arranged in the θ direction in the mask M are arranged such that the long side direction of the display screen area DPA becomes the Y direction, and the short side direction becomes the θ direction. In addition, in the space Sx adjacent to the θ direction of each mask M1, an alignment mark (mask mark) 96 for specifying the position of the mask M (or M1) on the cylindrical drum 21 is Y It is provided discretely in three directions. These mask marks 96 are detected via a mask alignment optical system (not shown) arranged at a predetermined position in the circumferential direction of the cylindrical drum 21 opposite to the outer circumferential surface (mask surface P1). The exposure apparatus U3 shifts the position of the entire cylindrical drum 21 or the rotational direction (theta direction) for each mask M1 based on the position of each mask mark 96 detected by the mask alignment optical system. The positional displacement in the Y and Y directions is measured.

일반적으로, 기판(P) 상에 표시 패널의 디바이스를 형성하는 경우는 다수의 층을 적층할 필요가 있으며, 그 때문에 노광 장치는, 기판(P) 상의 어느 위치에 마스크(M(또는 M1))의 패턴을 노광했는지를 특정하기 위한 얼라이먼트 마크(기판 마크)를, 마스크(M(또는 M1))와 함께 기판(P) 상에 전사한다. 도 8에서는, 그러한 기판 마크(96a)가 각 마스크(M1)의 Y방향의 양단 부분으로서, θ방향으로 떨어진 3개소의 각각에 형성되어 있다. 기판 마크(96a)가 점유하는 마스크(또는 기판(P)) 상의 영역은, Y방향의 폭으로서 수mm 정도이다. 따라서, 기판(P) 상에 노광해야 할 마스크면(P1) 상의 마스크(M)의 Y방향의 길이 L은, 각 마스크(M1)의 Y방향의 치수와, 각 마스크(M1)의 Y방향의 양측에 확보되는 기판 마크(96a)의 영역의 Y방향의 치수와의 합계가 된다. In general, in the case of forming the device of the display panel on the substrate P, it is necessary to stack a plurality of layers, and therefore, the exposure apparatus is provided with a mask M (or M1) at any position on the substrate P. The alignment mark (substrate mark) for specifying whether or not the pattern of the light is exposed is transferred onto the substrate P together with the mask M (or M1). In Fig. 8, such a substrate mark 96a is formed at each of three places separated in the θ direction as both ends of the Y direction of each mask M1. The area on the mask (or substrate P) occupied by the substrate mark 96a is about Y in width in the Y direction. Therefore, the length L in the Y direction of the mask M on the mask surface P1 to be exposed on the substrate P is the dimension of the Y direction of each mask M1 and the Y direction of each mask M1. It becomes the sum of the dimension of the area of the board | substrate mark 96a secured on both sides in the Y direction.

또, 마스크면(P1) 상의 마스크(M) 전체의 θ방향의 길이 Lb는, 각 마스크(M1)의 θ방향의 치수와 각 간격 Sx의 Y방향의 치수를 합계한 길이를 Px로 하면, Lb=3Px가 된다. 앞의 도 7과 같이, 단일의 표시 패널에 대응한 마스크(M)를 배치하는 경우는, 소정 길이의 여백부(92)를 마련하는 것이 좋지만, 도 8과 같이, θ방향으로 간격 Sx를 마련하여 복수의 마스크(M1)를 배치하는 경우는, 여백부(92)의 θ방향의 길이를 제로로 할 수 있다. 즉, 각 마스크(M1)의 θ방향의 길이는 표시 패널의 사이즈에 의해서 저절로 정해지며, 간격 Sx로서 필요한 최소 치수도 미리 결정되므로, φ=3Px/π의 관계를 만족하도록, 원통 드럼(21)의 직경 φ를 설정하면 된다. 반대로, 노광 장치(U3)에 장착 가능한 원통 드럼(21)의 직경 φ의 범위가 대체로 정해져 있는 경우는, 간격 Sx의 치수를 바꿈(크게 함)으로써 조정할 수 있다. The length Lb in the θ direction of the entire mask M on the mask surface P1 is equal to Lb if the length obtained by summing the dimensions in the θ direction of each mask M1 and the Y direction in each interval Sx is Px. = 3Px. As shown in FIG. 7, in the case of disposing the mask M corresponding to a single display panel, it is preferable to provide a margin portion 92 having a predetermined length, but as shown in FIG. 8, an interval Sx is provided in the θ direction. Thus, when a plurality of masks M1 are arranged, the length of the margin portion 92 in the θ direction can be zero. That is, since the length of each mask M1 in the θ direction is determined by the size of the display panel, and the minimum dimension required as the spacing Sx is also predetermined, the cylindrical drum 21 meets the relationship of φ = 3Px / π It is sufficient to set the diameter φ of. Conversely, when the range of the diameter φ of the cylindrical drum 21 that can be attached to the exposure apparatus U3 is generally determined, it can be adjusted by changing (large) the dimension of the spacing Sx.

여기서, 도 8과 같은 마스크(M)의 구체적인 치수의 일례를 설명한다. 도 8에서, 마스크(M1)의 표시 화면 영역(DPA)의 대각 길이 Le를 32인치(81.28cm), 주변 회로 영역(TAB)의 Y방향, θ방향의 각 치수를 표시 화면 영역(DPA)의 치수의 10% 정도로 하고, 기판 마크(96a)를 형성하는 영역의 Y방향의 치수를 0.5cm(양측을 합하여 1cm)로 한 경우를 상정한다. 어스펙트비 16：9인 표시 패널에서는, 마스크(M1)의 단변 치수가 48.83cm, 장변 치수가 77.93cm가 되고, 어스펙트비 2：1인 표시 패널에서는, 마스크(M1)의 단변 치수가 43.83cm, 장변 치수가 79.97cm가 된다. 여백부(92)의 치수를 제로로 하며, Lb=πφ=3Px를 만족하도록, 3개의 마스크(M1)와 3개의 간격 Sx를 θ방향으로 늘어놓은 경우, 마스크(M1)의 θ방향의 길이를 Lg로 하면, 간격 Sx는, Sx=(Lb－3Lg)/3에서 구해진다. Here, an example of the specific dimension of the mask M like FIG. 8 is demonstrated. In Fig. 8, the diagonal length Le of the display screen area DPA of the mask M1 is 32 inches (81.28 cm), and the respective dimensions in the Y direction and the θ direction of the peripheral circuit area TAB are displayed in the display screen area DPA. It is assumed that the size is about 10%, and the dimension in the Y direction of the region forming the substrate mark 96a is 0.5 cm (1 cm by combining both sides). In the display panel with an aspect ratio of 16: 9, the short side dimension of the mask M1 is 48.83 cm, and the long side dimension is 77.93 cm. In the display panel with the aspect ratio 2: 1, the short side dimension of the mask M1 is 43.83. cm, the long side becomes 79.97 cm. When the dimension of the margin portion 92 is zero and Lb = πφ = 3Px is satisfied, when three masks M1 and three spaces Sx are arranged in the θ direction, the length in the θ direction of the mask M1 is increased. In the case of Lg, the interval Sx is obtained from Sx = (Lb-3Lg) / 3.

그래서, 어스펙트비 16：9인 표시 패널용 마스크(M1)와, 어스펙트비 2：1인 표시 패널용 마스크(M1) 모두가, 동일 지름의 원통 드럼(21)의 마스크면(P1) 상에 배치 가능하게 하는 경우에는, 원통 드럼(21)의 직경 φ를 43cm 정도로 하면 된다. 이 경우, 어스펙트비 16：9인 표시 패널에서는 마스크(M1)의 사이의 간격 Sx를 1.196cm, 어스펙트비 2：1인 표시 패널에서는 마스크(M1)의 사이의 간격 Sx를 5.045cm로 설정하면 좋다. Therefore, both the mask M1 for a display panel with an aspect ratio of 16: 9 and the mask M1 for a display panel with an aspect ratio of 2: 1 are on the mask surface P1 of the cylindrical drum 21 of the same diameter. In the case where it is possible to arrange in, the diameter φ of the cylindrical drum 21 may be about 43 cm. In this case, the spacing Sx between the masks M1 is 1.196 cm on the display panel with an aspect ratio of 16: 9, and the spacing Sx between the masks M1 is set to 5.045 cm on the display panel with an aspect ratio of 2: 1. It is good.

마스크면(P1) 상의 마스크(M)의 Y방향의 길이 L는, 마스크(M1)의 Y방향 치수와 기판 마크(96a)의 형성 영역의 Y방향 치수(1cm)와의 합계이므로, 어스펙트비 16：9인 표시 패널용 마스크(M)에서는, L=78.93cm, 어스펙트비 2：1인 표시 패널용 마스크(M)에서는, L=80.97cm가 된다. 따라서, 원통 드럼(21)의 직경 φ(43cm)와 마스크(M)의 Y방향의 길이 L과의 비는, 어스펙트비 16：9인 표시 패널용 원통 드럼(21)에서는, L/φ=1.84, 어스펙트비 2：1인 표시 패널용 원통 드럼(21)에서는, L/φ=1.88이 된다. 어느 경우도, 그 비 L/φ는, 1.3~3.8의 범위에 들어간다. Since the length L in the Y direction of the mask M on the mask surface P1 is the sum of the Y-direction dimension of the mask M1 and the Y-direction dimension (1 cm) of the formation region of the substrate mark 96a, the aspect ratio is 16 In the mask M for a display panel of 9: persons, L = 78.93 cm, and in the mask M for a display panel of 2: 1 ratio, L = 80.97 cm. Therefore, the ratio between the diameter φ (43 cm) of the cylindrical drum 21 and the length L in the Y direction of the mask M is L / φ = in the cylindrical drum 21 for a display panel having an aspect ratio of 16: 9. In the cylindrical drum 21 for a display panel with 1.84 and an aspect ratio of 2: 1, L / φ = 1.88. In either case, the ratio L / φ falls within the range of 1.3 to 3.8.

또, 어스펙트비 16：9인 표시 패널의 패턴을 기판(P) 상에 노광하는 경우와, 어스펙트비 2：1인 표시 패널의 패턴을 기판(P) 상에 노광하는 경우에, 기판(P) 상의 간격 Sx의 θ방향의 치수를 필요 최소한으로 하는 경우는, 저절로 원통 드럼(21)의 직경 φ를 바꿀 필요가 있다. 예를 들면, 간격 Sx를 2cm로 하는 경우, 어스펙트비 16：9인 표시 패널용 마스크(M1)가 형성되는 원통 드럼(21)의 직경 φ는, πφ=3(Lg＋Sx)의 관계로부터, φ≥43.77cm가 된다. 한편, 어스펙트비 2：1인 표시 패널용 마스크(M1)가 형성되는 원통 드럼(21)의 직경 φ는, φ≥40.1cm가 된다. 이 경우도, 어스펙트비 16：9인 표시 패널용 원통 드럼(21)에서는, 비 L/φ=1.80, 어스펙트비 2：1인 표시 패널용 원통 드럼(21)에서는, 비 L/φ=2.02가 되며, 1.3~3.8의 범위에 들어간다. In addition, in the case of exposing the pattern of the display panel with the aspect ratio 16: 9 on the substrate P, and when exposing the pattern of the display panel with the aspect ratio 2: 1 on the substrate P, the substrate ( When the dimension in the θ direction of the space Sx on the P) is minimized, it is necessary to change the diameter φ of the cylindrical drum 21 by itself. For example, when the interval Sx is 2 cm, the diameter φ of the cylindrical drum 21 on which the display panel mask M1 having an aspect ratio of 16: 9 is formed is φ from a relationship of πφ = 3 (Lg + Sx). ≥43.77cm. On the other hand, the diameter φ of the cylindrical drum 21 on which the display panel mask M1 having an aspect ratio of 2: 1 is formed is φ≥40.1cm. Also in this case, in the cylindrical drum 21 for display panel with aspect ratio 16: 9, ratio L / φ = 1.80, in cylindrical drum 21 for display panel with aspect ratio 2: 1, ratio L / φ = 2.02, and is in the range of 1.3 to 3.8.

또, 그와 같이 노광 장치(U3)에 장착해야 할 원통 드럼(21)(마스크(M))의 직경 φ가 변화하는 경우에 대비하여, 노광 장치(U3)에는, 그 직경 φ의 차분(差分)의 1/2 정도, 원통 드럼(21)의 제1 축(AX1)의 Z방향의 위치를 시프트시키는 기구가 마련된다. 상기의 예에서는, 직경 φ의 차이는, 3.67cm이므로, 원통 드럼(21)의 제1 축(AX1)(샤프트(SF))은 Z방향으로 1.835cm정도 시프트시켜 지지된다. 게다가, 원통 드럼(21)의 제1 축(AX1)의 Z방향으로의 시프트량이 큰 경우는, 도 4 중에 나타낸 실린드리칼 렌즈(54)를, 도 5와 같은 조명 조건을 만족하는 볼록 원통면의 곡률을 가지는 것으로 변경하고, 제1 편향 부재(70)의 제1 반사면(평면거울)(P3)의 각도 α°를 조정함과 아울러, 편광 빔 스플리터(PBS)와 1/4 파장판(41)을 전체적으로 XZ 면내에서 미소량 경사시킬 필요도 있다. In addition, in preparation for the case where the diameter φ of the cylindrical drum 21 (mask M) to be attached to the exposure apparatus U3 changes as described above, the exposure apparatus U3 has a difference of the diameter φ. ), A mechanism for shifting the position of the cylindrical drum 21 in the Z direction of the first axis AX1 is provided. In the above example, since the difference in diameter φ is 3.67 cm, the first axis AX1 (shaft SF) of the cylindrical drum 21 is supported by shifting about 1.835 cm in the Z direction. Moreover, when the shift amount of the cylindrical drum 21 in the Z direction of the first axis AX1 is large, the cylindrical lens 54 shown in FIG. 4 is a convex cylindrical surface that satisfies the lighting conditions as shown in FIG. 5. Change to one having a curvature of, and adjust the angle α ° of the first reflective surface (planar mirror) P3 of the first deflection member 70, and a polarization beam splitter (PBS) and a quarter wave plate ( It is also necessary to incline 41) in a small amount within the XZ plane as a whole.

이상, 도 8과 같이 원통 드럼(21)에 형성되는 마스크(M)(3개의 마스크(M1)를 포함함)에는, 기판(P) 상에 전사되는 표시 패널용 패턴(마스크(M1))에 부수(付隨)하여, 복수의 기판 마크(96a)가 θ방향(주사 노광 방향)으로 마련되어 있다. 따라서, 노광 장치(U3)에 의해서, 기판(P) 상에 표시 패널용 패턴(마스크(M1))과 함께 복수의 기판 마크(96a)를 차례로 전사해 두면, 노광시의 각종 문제를 확인할 수 있다. 예를 들면, 기판(P) 상에 전사된 기판 마크(96a)를 이용하여, 기판(P) 상에 생긴 결함(예를 들면 티끌 부착)의 위치를 특정하거나, 혹은 마스크의 패터닝 오차, 포커스 오차, 서로 겹침 노광시의 겹침 오차 등의 각종 오프셋 오차를 계측할 수 있다. 계측된 오프셋 오차는, 마스크 전체의 관리에 더하여, 원통 마스크(21) 상의 각 마스크(M1)의 위치 관리, 기판(P) 상에 전사되는 각 표시 패널의 패턴(마스크(M1))의 위치 관리(보정)에 이용된다.As described above, the mask M (including three masks M1) formed on the cylindrical drum 21 as shown in FIG. 8 includes a pattern (mask M1) for a display panel transferred onto the substrate P. Incidentally, a plurality of substrate marks 96a are provided in the θ direction (scanning exposure direction). Therefore, when the plurality of substrate marks 96a are sequentially transferred with the display panel pattern (mask M1) on the substrate P by the exposure apparatus U3, various problems during exposure can be confirmed. . For example, by using the substrate mark 96a transferred on the substrate P, the location of a defect (for example, dust) formed on the substrate P is specified, or the patterning error or focus error of the mask , It is possible to measure various offset errors such as overlapping errors during overlapping exposure with each other. The measured offset error, in addition to the management of the entire mask, the position management of each mask M1 on the cylindrical mask 21, the position management of the pattern (mask M1) of each display panel transferred on the substrate P Used for (correction).

도 9는, 예를 들면 어스펙트비 2：1인 표시 패널용 마스크(M2)를 Y방향이 표시 화면 영역(DPA)의 장변이 되도록, θ방향으로 4개 늘어놓아 원통 드럼(21)의 마스크면(P1) 상에 배치한 예를 나타낸다. 각 마스크(M2)의 θ방향의 측변(장변)에는 간격 Sx가 마련되고, 마스크 마크(96), 기판 마크(96a)도 앞의 도 8과 동일하게 마련된다. 이 경우, 마스크면(P1)의 주방향(θ방향)의 전체 길이 πφ(=Lb)는, πφ=4Px=4(Lg＋Sx)가 된다. 여기서, 표시 화면 영역(DPA)의 화면 사이즈를 24인치(Le=60.96cm)로 하고, 주변 회로 영역(TAB)의 θ방향의 합계폭을 표시 화면 영역(DPA)의 θ방향으로 길이의 10%, 주변 회로 영역(TAB)의 Y방향의 합계폭을 표시 화면 영역(DPA)의 Y방향 길이의 20%, 또, 마스크(M2)의 Y방향의 양단부의 각각에 배치되는 기판 마크(96a)의 형성 영역의 Y방향의 합계폭을 1cm로 한다. Fig. 9 shows a mask of the cylindrical drum 21 by arranging four masks M2 for a display panel with an aspect ratio of 2: 1 in the θ direction so that the Y direction becomes the long side of the display screen area DPA, for example. An example arranged on the surface P1 is shown. The space Sx is provided on the side (long side) in the θ direction of each mask M2, and the mask mark 96 and the substrate mark 96a are also provided in the same manner as in FIG. 8 above. In this case, the total length πφ (= Lb) in the main direction (θ direction) of the mask surface P1 is πφ = 4Px = 4 (Lg + Sx). Here, the screen size of the display screen area DPA is 24 inches (Le = 60.96 cm), and the total width in the θ direction of the peripheral circuit area TAB is 10% of the length in the θ direction of the display screen area DPA. , The total width in the Y direction of the peripheral circuit area TAB is 20% of the length in the Y direction of the display screen area DPA, and the substrate mark 96a disposed at each of both ends of the mask M2 in the Y direction. The total width of the formation region in the Y direction is 1 cm.

이 경우, 표시 화면 영역(DPA)의 사이즈는, 장변 54.52cm, 단변 27.26cm이기 때문에, 마스크면(P1) 상의 노광용의 마스크(M)의 Y방향의 전체 길이 L는, 마스크(M2)와 기판 마크(96a)의 형성 영역을 포함하며, L=66.43cm가 된다. 또, 마스크면(P1) 상의 마스크(M2)의 θ방향의 길이 Lg는, Lg=29.99cm가 되기 때문에, 간격 Sx를 1cm로 하면, 마스크(M)(원통 드럼(21))의 직경 φ는, πφ≥4Px로부터, 39.46cm 이상이 된다. 따라서, 도 9와 같이, 어스펙트비 2：1인 표시 패널용 마스크(M2)의 4면분(面分)을 원통 드럼(21)에 마련한 경우도, 비 L/φ는 1.67이 되고, 1.3~3.8의 범위에 들어간다. In this case, since the size of the display screen area DPA is 54.52 cm on the long side and 27.26 cm on the short side, the total length L in the Y direction of the mask M for exposure on the mask surface P1 is the mask M2 and the substrate. It includes the formation region of the mark 96a, and L = 66.43 cm. Further, since the length Lg in the θ direction of the mask M2 on the mask surface P1 is Lg = 29.99cm, if the interval Sx is 1 cm, the diameter φ of the mask M (cylindrical drum 21) is , From πφ≥4Px, it becomes 39.46cm or more. Therefore, as shown in Fig. 9, even when four faces of the mask M2 for the display panel having an aspect ratio of 2: 1 are provided on the cylindrical drum 21, the ratio L / φ becomes 1.67, and is 1.3 to It falls within the range of 3.8.

도 10은, 도 9에 나타낸 마스크(M2)를 90°회전시켜 장변을 θ방향을 향해서 배치하고, θ방향으로 2개, Y방향으로 2개인 합계 4개를 마스크면(P1) 상에 배열한 경우의 예를 나타낸다. 또 여기에서는, Y방향으로 늘어서는 2개의 마스크(M)의 사이에, 기판 마크(96a)의 형성 영역이 마련되는 것으로 한다. 따라서, 기판 마크(96a)의 형성 영역의 Y방향의 합계폭을 2cm로 하면, 마스크면(P1) 상에 형성되는 마스크(M)의 Y방향의 전체 길이(단변) L는, 61.98cm가 되고, 마스크(M)의 θ방향의 전체 길이(장변) πφ는 132.86cm, 마스크(M)(원통 마스크(21))의 직경 φ는 42.29cm 이상이 되어, 비 L/φ는 1.47이 된다. 10, the mask M2 shown in FIG. 9 is rotated 90 °, the long sides are arranged toward the θ direction, and a total of four, two in the θ direction and two in the Y direction, are arranged on the mask surface P1. Here is an example of the case. Here, it is assumed that a region for forming the substrate mark 96a is provided between two masks M arranged in the Y direction. Therefore, when the total width in the Y direction of the formation region of the substrate mark 96a is 2 cm, the total length (short side) L in the Y direction of the mask M formed on the mask surface P1 is 61.98 cm. , The total length (long side) πφ of the mask M in the θ direction is 132.86 cm, and the diameter φ of the mask M (cylindrical mask 21) is 42.29 cm or more, and the ratio L / φ is 1.47.

그런데, 4개의 마스크(M2)를 도 9, 또는 도 10과 같이 배치하는 경우, 간격 Sx를 조정하면, 원통 드럼(21)의 직경 φ와 마스크면(P1)의 Y방향의 치수 La를 일정하게 해 둘 수 있다. 도 9와 도 10의 경우에, 마스크(M)로서 Y방향의 길이 L이 큰 것은, 도 9의 경우의 L=66.43cm이며, 원통 드럼(21)(마스크(M))으로서 직경 φ가 큰 것은, 도 10의 경우의 φ≥42.29cm이다. 여기서, 외주면(마스크면(P1))의 Y방향의 치수 La가 La≥66.43cm, 직경 φ가 φ≥42.3cm인 원통 드럼(21)을 이용하면, 도 9와 도 10의 어느 배치라도, 마스크(M2)의 4면취가 가능하다. 이 경우도, 비 L/φ는 1.57이 되어, 1.3~3.8의 범위가 된다. By the way, when the four masks M2 are arrange | positioned like FIG. 9 or FIG. 10, when adjusting the spacing Sx, the diameter phi of the cylindrical drum 21 and the dimension La in the Y direction of the mask surface P1 are made constant. You can do it. In the case of Figs. 9 and 10, the length L in the Y direction as the mask M is large, L = 66.43 cm in the case of Fig. 9, and the diameter φ is large as the cylindrical drum 21 (mask M). It is φ≥42.29cm in the case of FIG. 10. Here, if the cylindrical drum 21 having the dimension La in the Y direction of the outer circumferential surface (mask surface P1) La≥66.43cm and diameter φ≥42.3cm is used, the mask in any arrangement of FIGS. 9 and 10 is used. Four chamfers of (M2) are possible. Also in this case, the ratio L / φ becomes 1.57, and becomes the range of 1.3-3.8.

도 8 내지 도 10에 나타내는 바와 같이, 마스크면(P1)에는, 여러 가지의 배치 규칙으로 표시 디바이스용 마스크 패턴(마스크(M, M1, M2))이 배치될 가능성이 있다. 이것에 대해서, 원통 드럼(마스크 유지 드럼)(21)의 마스크면(P1)(외주면)의 주사 노광 방향(θ방향)과 직교하는 방향(Y방향)의 길이 L과 원통 드럼(21)의 직경 φ와의 관계가, 1.3≤L/φ≤3.8의 관계를 만족함으로써, 도 8 내지 도 10과 같이, 다양한 사이즈의 표시 패널의 마스크 패턴(마스크(M1, M2))을 복수 배치한 경우도, 간극(간격 Sx)를 줄인 상태에서 마스크 패턴을 배치할 수 있다. 8 to 10, there is a possibility that a mask pattern (masks M, M1, M2) for a display device is arranged on the mask surface P1 by various arrangement rules. On the other hand, the length L in the direction orthogonal to the scanning exposure direction (θ direction) of the mask surface P1 (outer circumferential surface) of the cylindrical drum (mask holding drum) 21 and the diameter of the cylindrical drum 21 When the relationship with φ satisfies the relationship of 1.3 ≤ L / φ ≤ 3.8, even when a plurality of mask patterns (masks M1, M2) of display panels of various sizes are arranged, as shown in FIGS. The mask pattern can be arranged with the (interval Sx) reduced.

또, 원통 드럼(21)은, 1.3≤L/φ≤3.8의 관계를 만족함으로써, 조명 광학계(IL) 및 투영 광학계(PL)의 수의 증가를 억제하면서, 장치의 대형화를 억제할 수 있다. 즉, 원통 드럼(21)이 가늘고 길게 되어, 조명 광학계(IL) 및 투영 광학계(PL)의 수가 증가하는 것을 억제할 수 있다. 또, 원통 드럼(21)의 직경 φ가 크게 되어, 장치의 Z방향의 치수가 크게 되는 것을 억제할 수 있다. Moreover, the cylindrical drum 21 can suppress the increase in the number of illumination optical systems IL and projection optical systems PL while suppressing the enlargement of the apparatus by satisfying the relationship of 1.3 ≤ L / φ ≤ 3.8. That is, the cylindrical drum 21 becomes elongated, and it can suppress that the number of illumination optical systems IL and projection optical systems PL increases. Moreover, the diameter phi of the cylindrical drum 21 becomes large, and it can suppress that the dimension in the Z direction of the apparatus becomes large.

여기서, 도 7과 같이, 어스펙트비 2：1인 표시 패널용 1면취의 마스크(M)를, 원통 드럼(21)의 외주면(마스크면(P1))의 전면(全面)에 형성하는 경우에, 도 6, 도 7 중의 여백부(92)의 θ방향의 치수를 제로로 하고, 마스크면(P1)의 Y방향(제1 축(AX1) 방향)의 치수 La를 La=L로 하는 경우를 상정한다. 또, 먼저 설명한 바와 같이, 화면 표시 영역(DPA)의 주위에 배치되는 주변 회로 영역(TAB)은, 화면 표시 영역(DPA)의 20% 정도가 되는 경우가 있다. 그렇지만, 주변 회로 영역(TAB)의 치수 비율은, 실제의 패턴의 사양, 설계에 의해서 화면 표시 영역(DPA)의 주위의 어느 부분에 회로가 되는 단자부가 배치되는지에 의해서 변화한다. 그 때문에, 정확하게는 특정할 수 없지만, 마스크(M)로서의 종횡비가 보다 확대하는 방향으로 증가하는 것으로 하고, 화면 표시 영역(DPA)의 단변에 인접하는 주변 회로 영역(TAB)의 합계폭이, 화면 표시 영역(DPA)의 장변 Ld의 20% 정도로 되는 것으로 가정한다. 또 화면 표시 영역(DPA)의 장변에 인접하는 주변 회로 영역(TAB)의 합계폭은, 화면 표시 영역(DPA)의 단변 Lc의 0~10% 정도라고 가정한다. 그러한 가정 하에서, 화면 표시 영역(DPA)이 어스펙트비 2：1인 50인치 표시 패널의 경우, 화면 표시 영역(DPA)의 장변 Ld는 113.59cm, 단변 Lc는 56.8cm가 된다. 따라서, 도 7 중의 마스크(M)의 θ방향의 길이 Lb(=πφ)는 136.31cm, 원통 드럼(21)(마스크(M))의 직경 φ는 43.39cm, Y방향의 길이 L(=La)는 56.8~62.48cm가 되며, 길이 L과 직경 φ의 비 L/φ는, 1.30~1.44가 된다. 이와 같이, 어스펙트비가 큰 표시 패널용 마스크의 전체를, 원통 드럼(21)의 외주면(마스크면(P1))의 전면에 1면취로 형성하는 경우에, 비 L/φ는 가장 작은 값 1.3이 된다. 또, 화면 표시 영역(DPA)의 어스펙트비 2：1인 경우에, 마스크(M)가 장변 방향으로만 주변 회로 영역(TAB)의 폭을 포함하여 20% 크게 되는 경우는, 도 7과 같은 1면취의 마스크(M)의 종횡비(Lb/L)가 2.4가 되는 것이며, Lb=πφ로부터, 비 L/φ=π/2.4≒1.30으로서 도출된다. Here, as shown in Fig. 7, in the case of forming a mask M of one chamfer for a display panel with an aspect ratio of 2: 1 on the entire surface of the outer peripheral surface (mask surface P1) of the cylindrical drum 21 In the case where the dimension in the θ direction of the margin portion 92 in FIGS. 6 and 7 is zero, and the dimension La in the Y direction (first axis AX1 direction) of the mask surface P1 is La = L. I assume. In addition, as described above, the peripheral circuit area TAB disposed around the screen display area DPA may be about 20% of the screen display area DPA. However, the dimensional ratio of the peripheral circuit area TAB varies depending on the specification and design of the actual pattern, in which part of the periphery of the screen display area DPA is arranged the terminal portion serving as a circuit. Therefore, although it cannot be accurately specified, it is assumed that the aspect ratio as the mask M increases in the direction of enlargement, and the total width of the peripheral circuit area TAB adjacent to the short side of the screen display area DPA is the screen. It is assumed that it is about 20% of the long side Ld of the display area DPA. It is also assumed that the total width of the peripheral circuit area TAB adjacent to the long side of the screen display area DPA is about 0 to 10% of the short side Lc of the screen display area DPA. Under such assumptions, in the case of a 50-inch display panel with an aspect ratio of 2: 1 of the screen display area DPA, the long side Ld of the screen display area DPA is 113.59 cm, and the short side Lc is 56.8 cm. Accordingly, the length Lb (= πφ) in the θ direction of the mask M in FIG. 7 is 136.31 cm, the diameter φ of the cylindrical drum 21 (mask M) is 43.39 cm, and the length L (= La) in the Y direction. Is 56.8 to 62.48 cm, and the ratio L / φ between the length L and the diameter φ is 1.30 to 1.44. Thus, in the case where the entire mask for the display panel having a large aspect ratio is formed in one chamfer on the front surface of the cylindrical drum 21 (mask surface P1), the ratio L / φ is the smallest value 1.3. do. When the aspect ratio of the screen display area DPA is 2: 1, the mask M becomes 20% larger than the width of the peripheral circuit area TAB only in the long side direction, as shown in FIG. 7. The aspect ratio (Lb / L) of the one-chamfered mask M is 2.4, and is derived as the ratio L / φ = π / 2.4 / 1.30 from Lb = πφ.

또, 인쇄기와 같이, 도 7 중의 마스크(M)를 90°회전시켜 원통 드럼(21)의 마스크면(P1)의 거의 전면에 배치시키는 경우는, 앞서 설명한 대로, 비 L/φ가 너무 크게 된다. 상기의 조건과 같이, 화면 표시 영역(DPA)의 어스펙트비 2：1인 경우에, 1면취의 마스크(M)가 장변 방향으로만 주변 회로 영역(TAB)의 폭을 포함하여 20% 크게 되고, 여백부(92)의 θ방향의 치수가 제로인 경우, L/Lb(πφ)=2.4/1이 되어, 비 L/φ는 7.54가 된다. 이 경우, 앞에 예시한 50인치의 표시 패널용 1면취의 마스크(M)의 경우, Y방향의 길이 L이 136.31cm, θ방향의 길이 Lb(πφ)가 56.8cm가 되며, 원통 드럼(21)(마스크(M))의 직경 φ는 18.1cm가 된다. 이와 같이, 마스크(M)의 장변 방향을 θ방향으로 한 경우와 Y방향으로 한 경우에, 비 L/φ는 크게 변화한다. In addition, when the mask M in FIG. 7 is rotated 90 ° as in the printing machine and disposed on almost the entire surface of the mask surface P1 of the cylindrical drum 21, as described above, the ratio L / φ becomes too large. . As in the above conditions, when the aspect ratio of the screen display area DPA is 2: 1, the mask M of one chamfer becomes 20% larger including the width of the peripheral circuit area TAB only in the long side direction. , When the dimension in the θ direction of the margin portion 92 is zero, L / Lb (πφ) = 2.4 / 1, and the ratio L / φ is 7.54. In this case, in the case of the chamfered mask M for the 50-inch display panel illustrated above, the length L in the Y direction is 136.31 cm, the length Lb in the θ direction (πφ) is 56.8 cm, and the cylindrical drum 21 The diameter φ of the (mask M) is 18.1 cm. As described above, in the case where the long side direction of the mask M is set to the θ direction and the Y direction is set, the ratio L / φ changes greatly.

노광 장치(U3)의 투영 광학계(PL)는, 원통 드럼(21)의 직경 φ이 크게 변화하는 경우, 특히 직경 φ가 작게 되는 경우에는, 투영에 의한 디스토션(distortion) 오차나 원호에 의한 투영상면의 변화의 점이 크게 되기 때문에, 양호한 투영상을 기판(P) 상에 노광하는 것이 곤란하게 된다. 그 경우는, 예를 들면 도 11과 같이, 어스펙트비 2：1인 화면 표시 영역(DPA)을 가지는 표시 패널용 장변 방향을 Y방향으로 한 마스크(M2)의 2개를 θ방향으로 늘어놓으면 된다. The projection optical system PL of the exposure apparatus U3 has a distortion error due to projection or a projection image due to an arc when the diameter φ of the cylindrical drum 21 changes greatly, especially when the diameter φ becomes small. Since the point of change of is increased, it becomes difficult to expose a good projection image on the substrate P. In that case, for example, as shown in Fig. 11, if two of the masks M2 with the long side direction of the display panel having the screen display area DPA having an aspect ratio of 2: 1 in the Y direction are arranged in the θ direction, do.

도 11에서, 2개의 마스크(M2) 각각은, 어스펙트비 2：1인 화면 표시 영역(DPA)과, 화면 표시 영역(DPA)의 Y방향의 양측에 배치되는 주변 회로 영역(TAB)을 포함한다. 주변 회로 영역(TAB)의 Y방향의 폭의 합계는, 화면 표시 영역(DPA)의 장변의 치수 Ld의 20%로 하고, 마스크(M2)의 오른쪽 가까이에는 간격 Sx가 마련되는 것으로 한다. 마스크(M2)의 주위에 기판 마크(96a)나 마스크 마크(96)를 배치하지 않는다고 가정하면, 2개의 마스크(M2)와 간격 Sx를 포함하는 마스크(M)의 전체(마스크면(P1))의 Y방향의 치수 L는 L=1.2·Ld, θ방향의 치수 πφ(Lb)는 πφ=2(Lc＋Sx)가 된다. 화면 표시 영역(DPA)의 어스펙트비 Asp를, Asp=Ld/Lc로 하면, 비 L/φ는 이하와 같이 나타내어진다. In Fig. 11, each of the two masks M2 includes a screen display area DPA having an aspect ratio of 2: 1, and a peripheral circuit area TAB arranged on both sides of the Y direction of the screen display area DPA. do. It is assumed that the sum of the widths in the Y direction of the peripheral circuit areas TAB is 20% of the dimension Ld of the long sides of the screen display area DPA, and the space Sx is provided near the right side of the mask M2. Assuming that the substrate mark 96a or the mask mark 96 is not disposed around the mask M2, the entirety of the mask M including the two masks M2 and the spacing Sx (mask surface P1) The dimension L in the Y direction is L = 1.2 · Ld, and the dimension πφ (Lb) in the θ direction is πφ = 2 (Lc + Sx). When the aspect ratio Asp of the screen display area DPA is set to Asp = Ld / Lc, the ratio L / φ is expressed as follows.

L/φ=0.6·π·Asp·Lc/(Lc＋Sx)L / φ = 0.6 · π · Asp · Lc / (Lc + Sx)

여기서, 간격 Sx를 제로로 하면, 비 L/φ는, L/φ=0.6·π·Asp가 되고, 어스펙트비 2：1인 표시 패널용 마스크(M2)의 2개를 도 11과 같은 방향으로 배치한 경우, 원통 드럼(21)(마스크면(P1))의 직경 φ와 제1 축(AX1) 방향의 길이 L(=La)와의 비 L/φ는 3.77(약 3.8)이 된다. 이 경우, 화면 표시 영역(DPA)(2：1)이 50인치이면, 직경 φ는 36.16cm, 길이 L(La)는 136.31cm가 된다. 마찬가지로, 도 11에 나타낸 마스크(M2)를, 어스펙트비 16：9인 표시 패널용으로 한 경우는, 간격 Sx를 제로로 하면, L/φ=0.6·π·Asp의 관계로부터, 비 L/φ는 3.35가 된다. 이 경우, 화면 표시 영역(DPA)(16：9)이 50인치이면, 직경 φ는 39.64cm, 길이 L(La)는 132.83cm가 된다. Here, when the interval Sx is set to zero, the ratio L / φ becomes L / φ = 0.6 · π · Asp, and the two of the display panel masks M2 having an aspect ratio of 2: 1 are in the same direction as in FIG. 11. When arranged as, the ratio L / φ between the diameter φ of the cylindrical drum 21 (mask surface P1) and the length L (= La) in the first axis AX1 direction is 3.77 (about 3.8). In this case, if the screen display area DPA (2: 1) is 50 inches, the diameter phi is 36.16 cm and the length L (La) is 136.31 cm. Similarly, when the mask M2 shown in Fig. 11 is used for a display panel having an aspect ratio of 16: 9, when the spacing Sx is zero, the ratio L / is obtained from the relationship of L / φ = 0.6 · π · Asp. φ becomes 3.35. In this case, if the screen display area (DPA) 16: 9 is 50 inches, the diameter phi is 39.64 cm and the length L (La) is 132.83 cm.

이상과 같이, 화면 표시 영역(DPA)의 단변 방향이 원통 드럼(21)의 주방향(θ방향)을 향하고, 장변 방향이 원통 드럼(21)의 제1 축(AX1)의 방향(Y방향)을 향하도록 마스크(M)를 배치하는 경우에도, 2개 이상의 동일한 마스크(M2)를 θ방향으로 늘어놓음으로써, 비 L/φ를 3.8 이하로 할 수 있다. 또, 도 11에서 나타낸 마스크(M2)를, 동일 조건에서 θ방향으로 n개 늘어놓는다고 하면, 앞의 비 L/φ를 나타내는 관계식은 이하와 같이 된다. As described above, the short side direction of the screen display area DPA is directed to the main direction (θ direction) of the cylindrical drum 21, and the long side direction is the direction (Y direction) of the first axis AX1 of the cylindrical drum 21. Even when the mask M is arranged so as to face, the ratio L / φ can be made 3.8 or less by arranging two or more identical masks M2 in the θ direction. Further, if n masks M2 shown in Fig. 11 are arranged in the θ direction under the same conditions, the relational expression representing the previous ratio L / φ is as follows.

L/φ=1.2·π·Asp·Lc/n(Lc＋Sx) L / φ = 1.2 · π · Asp · Lc / n (Lc + Sx)

이 관계식으로부터, 제조하고 싶은 표시 패널용 마스크(M2)의 원통 드럼(21) 상에서의 배치, 필요한 간격 Sx 등을, 1.3≤L/φ≤3.8을 만족하도록 설정할 수 있다. From this relational expression, the arrangement of the display panel mask M2 to be manufactured on the cylindrical drum 21, the required spacing Sx, and the like can be set to satisfy 1.3 ≤ L / φ ≤ 3.8.

또, 마스크면(P1)은, 표시 패널 디바이스용 마스크 패턴의 마스크(M1, M2)를, 앞의 도 8과 같이 3개 늘어놓거나, 도 9와 같이 4개 늘어놓거나 함으로써, 비 L/φ를 3.8보다도 작게 하여 배치하는 것이 가능해진다. 이 경우, 비 L/φ가 어떤 값이 될지는, Y방향이 긴 길이가 되는 마스크(M1, M2)를 θ방향으로 n개 늘어놓는 경우의 관계식으로부터 구해진다. 표시 화면 영역(DPA)의 주위의 주변 회로 영역(TAB)의 폭에 의해서, 마스크(M1, M2)의 종횡 치수도 바뀌기 때문에, 표시 화면 영역(DPA)의 긴 길이 방향의 양측(또는 편측)의 주변 회로 영역(TAB)에 의해서 확대하는 마스크(M1, M2)의 긴 길이 방향의 치수의 확대 배율을 e1, 표시 화면 영역(DPA)의 짧은 길이 방향의 양측(또는 편측)의 주변 회로 영역(TAB)에 의해서 확대하는 마스크(M1, M2)의 짧은 길이 방향의 치수의 확대 배율을 e2로 한다. In addition, the mask surface P1 has a ratio L / φ by arranging three masks M1 and M2 of the mask pattern for the display panel device as shown in FIG. 8 or four as shown in FIG. 9. It becomes possible to arrange it smaller than 3.8. In this case, what value the ratio L / φ is to be obtained is obtained from a relational expression in the case where n masks M1 and M2 having a long length in the Y direction are arranged in the θ direction. Since the vertical and horizontal dimensions of the masks M1 and M2 also change depending on the width of the peripheral circuit area TAB around the display screen area DPA, both sides (or one side) in the long length direction of the display screen area DPA are changed. The enlarged magnification of the dimension in the long length direction of the masks M1 and M2 enlarged by the peripheral circuit area TAB is e1, and the peripheral circuit area TAB on both sides (or one side) in the short length direction of the display screen area DPA The magnification of the dimensions in the short length direction of the masks M1 and M2 to be enlarged by) is e2.

따라서, 마스크면(P1)의 Y방향의 치수 La가 마스크(M1, M2)의 긴 길이 방향의 치수와 일치하도록 배치하는 경우, 마스크면(P1) 상의 마스크 영역의 Y방향의 길이 L는, L=La=e1·Ld가 된다. 마찬가지로, 마스크면(P1) 상의 마스크 영역의 θ방향의 길이 πφ(Lb)는, πφ=n(e2ㆍLc＋Sx)가 되어, 비 L/φ는 이하의 관계식으로 나타내어진다. Therefore, when the dimension La in the Y direction of the mask surface P1 is matched with the dimension in the long length direction of the masks M1 and M2, the length L in the Y direction of the mask area on the mask surface P1 is L = La = e1 · Ld. Similarly, the length πφ (Lb) in the θ direction of the mask region on the mask surface P1 is πφ = n (e2 · Lc + Sx), and the ratio L / φ is expressed by the following relational expression.

L/φ=e1·π·Asp·Lc/n(e2ㆍLc＋Sx)L / φ = e1 · π · Asp · Lc / n (e2 · Lc + Sx)

이 관계식에서, 도 11에 나타낸 마스크(M2)의 경우는, n=2, e1=1.2, e2=1.0으로 했다. In this relational expression, in the case of the mask M2 shown in Fig. 11, n = 2, e1 = 1.2, and e2 = 1.0.

예를 들면, 표시 패널 디바이스용 마스크(M2)의 표시 화면 영역(DPA)의 종횡비를 16：9(Asp=1.778)로 한 경우에, 마스크(M2)를 θ방향으로 3면 병렬로 배치(n=3)하면, 간격 Sx가 제로인 경우, 비 L/φ는, L/φ=e1·π·Asp/n·e2가 되며, 확대 배율 e1를 1.2, 확대 배율 e2를 1.0으로 했다고 해도, 비 L/φ는 2.23이 된다. For example, when the aspect ratio of the display screen area DPA of the mask M2 for the display panel device is 16: 9 (Asp = 1.778), the masks M2 are arranged in three directions in parallel in the θ direction (n = 3), if the interval Sx is zero, the ratio L / φ becomes L / φ = e1 · π · Asp / n · e2, even if the magnification e1 is 1.2 and the magnification e2 is 1.0. / φ becomes 2.23.

게다가, 앞의 도 10에 나타낸 바와 같이, 2행 2열로 마스크(M2)(24인치)를 배치한 4면취 전체의 마스크 영역의 종횡비가, θ방향으로 표시 화면 영역(DPA)의 장변 방향을 향한 1면취의 마스크(M)(50인치)의 종횡비와 거의 동일하면, 주변 회로 영역(TAB)의 단자부의 치수의 차이, 혹은 간격 Sx의 차이만으로, 동일 치수의 원통 드럼(21)으로 하는 것이 가능하게 된다. Furthermore, as shown in FIG. 10 above, the aspect ratio of the entire masked area of the four chamfers in which the masks M2 (24 inches) are arranged in two rows and two columns is directed toward the long side of the display screen area DPA in the θ direction. If the aspect ratio of the mask (M) (50 inches) of one chamfer is almost the same, it is possible to make the cylindrical drum 21 of the same dimension only by the difference in the dimension of the terminal portion of the peripheral circuit area TAB, or the difference in the spacing Sx. Is done.

이상과 같이, 표시 패널의 표시 화면 영역(DPA)의 어스펙트비가 16：9나 2：1 등과 같이, 2：1에 가까운 경우, 그 표시 패널용 마스크(M, M1, M2)를 효율적으로 원통 드럼(21)의 외주면에 배열하기 위해서는, 원통 드럼(원통 마스크)(21)의 주사 노광 방향(θ방향)과 직교하는 방향(Y방향)의 길이 L과 직경 φ와의 관계가, 1.3≤L/φ≤3.8을 만족하도록 하는 것이 좋다. 게다가, 단일의 마스크(M, M1, M2)의 종횡비가 2：1에 가까운 경우, 그들 마스크를 다면취로 복수 배열할 때에는, 다면취에 의해서 점유되는 마스크면(P1) 상의 마스크 영역 전체의 종횡비(L：Lb)를, 1：1에 가깝게 하면 좋다. 또, 간격 Sx(또는 여백부(92))는 일정하게 하는 것이 바람직하다. As described above, if the aspect ratio of the display screen area (DPA) of the display panel is close to 2: 1, such as 16: 9 or 2: 1, the masks M, M1, M2 for the display panel are effectively cylindrical. To arrange on the outer circumferential surface of the drum 21, the relationship between the length L in the direction orthogonal to the scanning exposure direction (theta direction) of the cylindrical drum (cylindrical mask) 21 (the Y direction) and the diameter φ is 1.3 ≤ L / It is good to satisfy φ≤3.8. Moreover, when the aspect ratios of the single masks M, M1 and M2 are close to 2: 1, when a plurality of these masks are arranged in multiple faces, the aspect ratio of the entire mask area on the mask face P1 occupied by the face faces ( It is good to make L: Lb) close to 1: 1. Moreover, it is preferable to make the interval Sx (or the margin part 92) constant.

또, 원통 드럼(21)의 외주면(마스크면(P1))의 직경 φ와, 마스크면(P1)에 형성되는 마스크 패턴의 제1 축(AX1)의 방향의 전체 길이 L(La)와의 관계는, 1.3≤L/φ≤3.8을 만족하도록 하는 것이 좋지만, 또한, 1.3≤L/φ≤2.6으로 하면, 상기의 효과를 바람직하게 얻을 수 있다. 일례로서는, 도 11에 나타낸 마스크(M2)의 긴 길이 방향이 θ방향이 되도록, 마스크(M2)를 90°회전시켜, Y방향으로 간격을 두지 않고 2개 늘어놓아 2면취로 하는 경우, L/φ≒2.6이 된다. 이 경우, 1개의 마스크(M2)의 θ방향의 길이 πφ(Lb)는, πφ=e1·Ld이며, Y방향으로 늘어서는 2개의 마스크(M2)의 합계의 길이 L는, L=2·e2·Lc이다. 따라서, Asp=Ld/Lc로부터, 비 L/φ는, L/φ=2π·e2/e1·Asp가 되며, e1=1.2, e2=1.0, Asp=2/1로 하면, L/φ=π/1.2≒2.6이 된다. In addition, the relationship between the diameter φ of the outer circumferential surface (mask surface P1) of the cylindrical drum 21 and the total length L (La) in the direction of the first axis AX1 of the mask pattern formed on the mask surface P1 is , It is preferable to satisfy 1.3≤L / φ≤3.8, but if 1.3≤L / φ≤2.6, the above effects can be obtained. As an example, when the mask M2 is rotated by 90 ° so that the long length direction of the mask M2 shown in Fig. 11 is the θ direction, and two chamfers are arranged in a row without spacing in the Y direction, L / It becomes φ ≒ 2.6. In this case, the length πφ (Lb) in the θ direction of one mask M2 is πφ = e1 · Ld, and the length L of the sum of the two masks M2 lined in the Y direction is L = 2 · e2 · It is Lc. Therefore, from Asp = Ld / Lc, the ratio L / φ becomes L / φ = 2π · e2 / e1 · Asp, and when e1 = 1.2, e2 = 1.0, Asp = 2/1, L / φ = π /1.2≒2.6.

또, 노광 장치(U3)는, 마스크(M(M1, M2))를 교환 가능하게 하는 것이 바람직하다. 마스크를 교환 가능하게 함으로써, 여러 가지의 사이즈의 표시 패널, 혹은 전자 회로 기판용 마스크 패턴을 기판(P)에 투영 노광할 수 있다. 또, 원통 드럼(21)의 마스크면(P1)에 형성되는 마스크(M, M1, M2 등)의 면수(面數)가 여러 가지인 경우라도, 각 마스크 사이에 생기는 간극(간격 Sx)을 필요 이상으로 크게 취하지 않게 된다. 즉, 마스크면(P1)의 전면적에 차지하는 유효한 마스크 영역의 비율(마스크 이용율)의 저하를 억제할 수 있다. Moreover, it is preferable that the exposure apparatus U3 makes the masks M (M1, M2) interchangeable. By making the mask replaceable, a display panel of various sizes or a mask pattern for an electronic circuit board can be projected and exposed to the substrate P. In addition, even if the number of surfaces of the masks M, M1, M2, etc. formed on the mask surface P1 of the cylindrical drum 21 is various, a gap (interval Sx) generated between the masks is required. It will not take too much. That is, it is possible to suppress a decrease in the ratio of the effective mask area (mask utilization rate) occupying the entire area of the mask surface P1.

또, 마스크(M(M1, M2))는, 원통 드럼(21)의 마스크면(P1)의 직경 φ와, 주사 노광 방향과 직교하는 방향(Y방향)의 마스크 영역의 길이 L이, 모두 대략 동일하게 되도록 교환 가능하게 하는 것이 바람직하다. 이것에 의해, 마스크(M(M1, M2))를 교환하는 것만으로, 노광 장치(U3)측의 투영 광학계(PL)나 조명 광학계(IL), 혹은 기판(P)과 마스크면(P1)과의 거리 등의 다른 부분의 조정이 불필요, 혹은 매우 약간의 조정량으로 끝낼 수 있어, 마스크 교환 후에도 동일한 상품질(像品質)로 여러 가지의 디바이스의 패턴을 전사할 수 있다. Further, the masks M (M1, M2) have a diameter φ of the mask surface P1 of the cylindrical drum 21 and a length L of the mask region in a direction orthogonal to the scanning exposure direction (Y direction), all of which are approximately. It is preferable to make it interchangeable so that it becomes the same. Thereby, only by exchanging the masks M (M1, M2), the projection optical system PL or illumination optical system IL on the exposure apparatus U3 side, or the substrate P and the mask surface P1 Adjustment of other parts such as the distance of is unnecessary or can be completed with a very small adjustment amount, and patterns of various devices can be transferred with the same product quality even after the mask is replaced.

또, 상기의 실시 형태에서는, 원통 드럼(21)의 직경 φ를 일정하게 하여, 면취수(面取數)나 배열의 방향을 다르게 한 여러 가지의 면수의 디바이스용 마스크(M1, M2)를 마스크면(P1) 상에 배치하는 경우, 혹은 원통 드럼(21)의 직경 φ를 다르게 하여 여러 가지의 면수의 디바이스를 마스크면(P1) 상에 배치하는 경우가 있다. 그렇지만, 어느 경우도, 원통 모양의 마스크면(P1)의 형상을, 1.3≤L/φ≤3.8의 관계를 만족하도록 함으로써, 마스크면(P1)에 복수의 마스크 패턴을 적은 간극으로 배치할 수 있다. 이것에 의해, 디바이스(표시 패널)의 패턴을 기판(P)에 효율 좋게 전사시킬 수 있다. 또, 원통 드럼(21)에 의한 원통 마스크를, 1.3≤L/φ≤3.8의 관계를 만족하는 형상으로 함으로써, 복수의 디바이스 패턴의 간극을 줄이면서, 여러 가지의 크기의 디바이스의 패턴을 효율 좋게 배치할 수 있고, 또 원통 마스크의 직경 φ의 변화를 줄일 수 있다. Moreover, in the above-mentioned embodiment, the masks M1 and M2 for various surface number devices, which have a constant diameter φ of the cylindrical drum 21 and have different surface chamfers and arrangement directions, are masked. In some cases, the devices of various surface numbers may be arranged on the mask surface P1 by disposing them on the surface P1 or by changing the diameter φ of the cylindrical drum 21. However, in any case, by making the shape of the cylindrical mask surface P1 satisfy the relationship of 1.3≤L / φ≤3.8, a plurality of mask patterns can be arranged on the mask surface P1 with a small gap. . Thereby, the pattern of a device (display panel) can be efficiently transferred to the board | substrate P. In addition, by making the cylindrical mask formed by the cylindrical drum 21 satisfy the relationship of 1.3 ≤ L / φ ≤ 3.8, the gap between a plurality of device patterns is reduced, and patterns of devices of various sizes are efficiently formed. It can be arranged, and the change in the diameter φ of the cylindrical mask can be reduced.

또, 도 8 내지 도 11에 나타내는 바와 같이, 마스크(M1, M2)의 장착면수는, 제조하는 표시 패널(디바이스)의 사이즈에 따라서, 2면, 3면, 4면, 혹은 그것 이상으로 할 수 있다. 마스크(M1, M2)의 장착면수를 3면, 4면으로 늘려 가면 간극(간격 Sx)의 치수를 보다 작게 할 수 있다. 8 to 11, the number of mounting surfaces of the masks M1 and M2 can be 2, 3, 4, or more depending on the size of the display panel (device) to be manufactured. have. If the number of mounting surfaces of the masks M1 and M2 is increased to three or four, the dimension of the gap (interval Sx) can be made smaller.

또, 원통 드럼(21)은, 1.3≤L/φ≤3.8을 만족함으로써, 롤 지름(직경 φ)에 대해서, 조명 영역(IR) 또는 투영 영역(PA)의 주사 노광 방향(θ방향)의 폭, 이른바 노광 슬릿폭을 최적화(크게)할 수 있다. 이하, 도 12를 이용하여, 원통 드럼(21)의 마스크면(P1)의 직경 φ와, 주사 노광 방향의 노광 슬릿폭과의 관계에 대해 설명한다. Further, the cylindrical drum 21 satisfies 1.3≤L / φ≤3.8, so that the width of the scanning exposure direction (θ direction) of the illumination area IR or the projection area PA with respect to the roll diameter (diameter φ) , The so-called exposure slit width can be optimized (large). Hereinafter, the relationship between the diameter phi of the mask surface P1 of the cylindrical drum 21 and the exposure slit width in the scanning exposure direction will be described with reference to FIG. 12.

도 12는, 원통 드럼(21)(마스크면(P1))의 직경 φ와 노광 슬릿폭 D의 관계를, 디포커스(Defocus)량을 변화시켜 시뮬레이션한 그래프이다. 도 12에서, 세로축은 노광 슬릿폭 D[mm]를 나타내고, 이것은 기판(P) 상에 형성되는 투영 영역(PA)(도 3)의 θ방향(X방향)의 폭을 나타낸다. 세로축은 원통 드럼(21)(마스크면(P1))의 직경 φ[mm]를 나타낸다. 또, 디포커스량은, 노광 장치(U3)의 투영 광학계(PL)의 상측(傷惻)(기판(P)측)의 개구수 NA, 노광용의 조명광의 파장 λ, 프로세스 정수 k(k=1)에 의해서 정의되는 초점 심도 DOF에 근거하여 결정된다. 여기에서는, 투영상의 베스트 포커스면과 기판(P)의 표면과의 포커스 방향의 편차량(디포커스량)이, 25㎛와 50㎛인 2종류의 경우에 대해 시뮬레이션했다. 12 is a graph simulating the relationship between the diameter φ of the cylindrical drum 21 (mask surface P1) and the exposure slit width D by changing the amount of defocus. In Fig. 12, the vertical axis represents the exposure slit width D [mm], which represents the width in the θ direction (X direction) of the projection area PA (Fig. 3) formed on the substrate P. The vertical axis represents the diameter φ [mm] of the cylindrical drum 21 (mask surface P1). In addition, the defocus amount is the numerical aperture NA on the upper side (substrate P) side of the projection optical system PL of the exposure apparatus U3, the wavelength λ of the illumination light for exposure, and the process constant k (k = 1) Focus depth defined by) is determined based on the DOF. Here, two types of cases in which the deviation amount (defocus amount) in the focus direction between the best focus surface of the projected image and the surface of the substrate P are 25 µm and 50 µm are simulated.

여기서, 도 12의 시뮬레이션에서는, 투영 광학계(PL)의 개구수 NA를 0.0875, 조명광의 파장 λ을 수은 램프의 i선인 365nm, 프로세스 정수 k를 0.5 정도로 했으므로, 초점 심도 DOF는, DOF=k ·λ／NA²로부터, 폭으로 약 50㎛(약 -25㎛ ~ ＋25㎛) 정도 얻어진다. 또, 이 조건에서의 해상력으로서는, 2.5㎛L/S를 얻을 수 있다. 도 12 중의 파선으로 나타낸 25㎛ 디포커스시(defocus時)는, 노광 슬릿폭 D 내에서 초점 심도 DOF의 1/2 정도의 포커스 편차가 생기는 상태이며, 실선으로 나타낸 50㎛ 디포커스시는, 노광 슬릿폭 D 내에서 초점 심도 DOF 정도의 포커스 편차가 생기는 상태이다. 즉, 파선으로 나타낸 25㎛ 디포커스시의 그래프는, 초점 심도 DOF의 폭의 1/2(폭으로 25㎛)를, 이 원통 드럼(21)의 마스크면(P1)의 만곡에 의한 오차로서 허용한 경우의 직경 φ와 노광 슬릿폭 D의 관계를 나타내며, 실선으로 나타낸 50㎛ 디포커스시의 그래프는, 초점 심도 DOF의 폭 정도까지를, 이 원통 드럼(21)의 마스크면(P1)의 만곡에 의한 오차로서 허용한 경우의 직경 φ와 노광 슬릿폭 D의 관계를 나타내고 있다. Here, in the simulation of FIG. 12, since the numerical aperture NA of the projection optical system PL is 0.0875, the wavelength λ of the illumination light is 365 nm, which is the i-line of the mercury lamp, and the process constant k is about 0.5, the depth of focus DOF is DOF = k · λ About 50 µm (about -25 µm to +25 µm) in width is obtained from / NA ² . Moreover, as a resolution under this condition, 2.5 µm L / S can be obtained. The defocusing time of 25 µm shown by the broken line in FIG. 12 is a state in which a focus deviation of about 1/2 of the depth of focus DOF occurs within the exposure slit width D, and at 50 µm defocusing shown by the solid line, exposure is performed. Within the slit width D, there is a state in which a focus deviation of the depth of focus DOF occurs. That is, the graph at the time of defocusing at 25 μm indicated by the broken line allows 1/2 of the width of the depth of focus DOF (25 μm in width) as an error due to curvature of the mask surface P1 of the cylindrical drum 21. A graph showing the relationship between the diameter φ in one case and the exposure slit width D, and the graph at the time of 50 μm defocus shown by a solid line, curves the mask surface P1 of the cylindrical drum 21 up to the depth of the depth of focus DOF. The relationship between the diameter φ and the exposure slit width D when allowed as an error by is shown.

도 12에서는, 원통 드럼(21)의 직경 φ를 100mm~1000mm의 범위로 바꾸었을 때에 허용되는 디포커스량(ΔZ로 함)이, 25㎛가 되는 노광 슬릿폭 D와, 50㎛가 되는 노광 슬릿폭 D를, 이하의 계산에 의해 구했다. In FIG. 12, when the diameter φ of the cylindrical drum 21 is changed to a range of 100 mm to 1000 mm, the allowable defocus amount (hereinafter referred to as ΔZ) is an exposure slit width D of 25 μm and an exposure slit of 50 μm. The width D was determined by the following calculation.

D=2·[(φ/2)²－(φ/2－ΔZ)²]^0.5 D = 2 · [(φ / 2) ² － (φ / 2-ΔZ) ² ] ^0.5

이 시뮬레이션으로부터, 예를 들면, 직경 φ가 500mm인 경우, 디포커스량 ΔZ로서 25㎛까지 허용한다고 한 경우의 노광 슬릿폭 D의 최대치는 약 7.1mm가 되고, 디포커스량 ΔZ로서 50㎛까지 허용한다고 한 경우의 노광 슬릿폭 D의 최대치는 약 10.0mm가 된다. From this simulation, for example, when the diameter φ is 500 mm, the maximum value of the exposure slit width D in the case of allowing up to 25 μm as the defocus amount ΔZ is about 7.1 mm, and up to 50 μm as the defocus amount ΔZ. The maximum value of the exposure slit width D when it is said to be about 10.0 mm.

도 12에 나타내는 바와 같이, 원통 드럼(21)의 직경 φ가 커질수록, 허용되는 디포커스량을 만족하는 노광 슬릿폭 D는 커진다. 표시 화면 영역(DPA)의 어스펙트비가 2：1이고, 표시 화면 영역(DPA)의 긴 길이 방향으로만 주변 회로 영역(TAB)이 마련되는 도 11과 같은 마스크(M2)의 경우, 그 마스크(M2)의 1면만을 원통 드럼(21)의 마스크면(P1)의 전체 둘레에, 여백부(92)(간격 Sx)를 만들지 않고 형성하면, 그 마스크(M2)의 긴 길이 방향을, 원통 드럼(21)의 주방향(θ방향)으로 할지, 제1 축(AX1)의 방향(Y방향)으로 할지에 의해, 비 L/φ는 크게 바뀐다. 마스크(M2)의 긴 길이 방향을 도 11과 같이 Y방향으로 하면, 마스크(M2)의 1면의 θ방향의 길이 Lc(짧은 길이)가, 원통 드럼(21)의 외주면의 전체 둘레 길이 πφ와 동일하게 되어, φ=Lc/π가 된다. 이 때, 원통 드럼(21) 상의 마스크(M2)의 제1 축(AX1)의 방향(Y방향)의 길이 L는, 도 11의 경우와 마찬가지로, L=1.2·Ld가 된다. 어스펙트비 2：1로부터, Ld=2Lc이기 때문에, 이 경우의 비 L/φ는, L/φ=2.4·π≒7.5가 된다. 한편, 마스크(M2)의 짧은 길이 방향을 Y방향으로 하면, 마스크(M2)의 1면의 θ방향의 전체 둘레 길이 πφ는 1.2·Ld가 되고, 원통 드럼(21) 상의 마스크(M2)의 Y방향의 길이 L는 Lc가 된다. 따라서, 이 경우의 비 L/φ는, L/φ=π/2.4≒1.3이 된다. 12, as the diameter phi of the cylindrical drum 21 increases, the exposure slit width D satisfying the allowable defocus amount increases. In the case of the mask M2 as shown in FIG. 11 in which the aspect ratio of the display screen area DPA is 2: 1 and the peripheral circuit area TAB is provided only in the long longitudinal direction of the display screen area DPA, the mask ( If only one surface of M2) is formed around the entire circumference of the mask surface P1 of the cylindrical drum 21 without creating a margin portion 92 (interval Sx), the long longitudinal direction of the mask M2 is cylindrical drum. The ratio L / φ largely changes depending on whether the direction is the main direction (θ direction) of (21) or the direction (Y direction) of the first axis AX1. When the long length direction of the mask M2 is set to the Y direction as shown in FIG. 11, the length Lc (short length) in the θ direction of one surface of the mask M2 is equal to the total circumferential length πφ of the outer peripheral surface of the cylindrical drum 21. It becomes the same and becomes phi = Lc / π. At this time, the length L in the direction (Y direction) of the first axis AX1 of the mask M2 on the cylindrical drum 21 is L = 1.2 · Ld, as in the case of FIG. 11. Since the aspect ratio 2: 1 is Ld = 2Lc, the ratio L / φ in this case is L / φ = 2.4 · π ≒ 7.5. On the other hand, if the short length direction of the mask M2 is set to the Y direction, the total circumferential length πφ in the θ direction of one surface of the mask M2 becomes 1.2 · Ld, and Y of the mask M2 on the cylindrical drum 21 The length L in the direction is Lc. Therefore, the ratio L / φ in this case is L / φ = π / 2.4 ≒ 1.3.

마스크의 Y방향의 길이 L을, 노광 장치(U3)의 투영 광학계(PL)의 각 투영 영역(PA1~PA6)(도 3)의 Y방향의 합계 치수의 범위 내로 설정하기로 하여, 길이 L을 일정하게 하면, 비 L/φ가 1.3으로부터 7.5로 약 6배 변화하는 것은, 원통 드럼(21)의 직경 φ가 약 6배 변화하는 것을 의미한다. 직경 φ의 약 6배의 변화는, 도 12중에서는, 예를 들면, 직경 φ=150mm로부터 900mm로의 변화에 상당한다. 이 경우, 허용 디포커스량 ΔZ를 25㎛로 한 경우의 노광 슬릿폭 D는, φ 150mm일 때의 약 3.9mm로부터 φ 900mm일 때의 약 9.5mm로 변화한다. 따라서, 마스크의 Y방향의 길이 L을 일정으로 하는 경우, 직경 φ가 900mm인 원통 마스크로부터, 직경 φ가 150mm인 원통 마스크로 바꾸면, 노광 슬릿폭 D는 약 40%로 감소하게 된다. 허용 디포커스량 ΔZ를 50㎛로 한 경우도 동일하다. The length L in the Y direction of the mask is set to be within the range of the total dimension in the Y direction of each of the projection areas PA1 to PA6 (FIG. 3) of the projection optical system PL of the exposure apparatus U3, and the length L is set. If it is made constant, about 6 times the ratio L / φ changes from 1.3 to 7.5 means that the diameter φ of the cylindrical drum 21 changes about 6 times. The change of about 6 times the diameter φ corresponds to a change from diameter φ = 150 mm to 900 mm in FIG. 12, for example. In this case, the exposure slit width D when the allowable defocus amount ΔZ is set to 25 μm is changed from about 3.9 mm at φ150 mm to about 9.5 mm at φ900 mm. Therefore, when the length L in the Y direction of the mask is constant, when the cylindrical mask having a diameter of φ 900 mm is changed to a cylindrical mask having a diameter of 150 mm, the exposure slit width D is reduced to about 40%. The same is true when the allowable defocus amount ΔZ is 50 μm.

이 때문에, 비 L/φ가 1.3 내지 7.5의 범위를 대상으로 하면, 투영상의 콘트라스트를 일정하게 노광을 행하는 경우에는, 단순하게는 기판(P)에 부여되는 노광량이 40%로 감소해 버린다. 기판(P)에 부여되는 노광량을 적정값(100%)으로 하기 위해서는, 노광 슬릿폭 D로서 9.5mm로 설정되는 투영 영역(PA)에 의한 노광시의 기판(P)의 이동 속도에 대해서, 약 40%의 속도로 기판(P)을 이동시키게 된다. 즉, 기판(P)의 반송 속도 자체를 약 40%로 떨어뜨리게 되므로, 스루풋(throughput)(생산성)은 절반 이하가 되어 버린다. 노광 슬릿폭 D로서 3.9mm로 설정되는 투영 영역(PA)을 사용한 노광시에도, 기판(P)의 반송 속도를 떨어뜨리지 않기 위해서는, 투영 영역(PA) 내의 투영상의 휘도, 즉 조명 광속(EL1)의 조도를 높이는 것이 고려되어진다. 그 경우, 마스크면(P1)을 조사하는 조명 광속(EL1)의 조도는, 노광 슬릿폭 D가 9.5mm인 경우의 조도에 대해서 약 2.5배로 할 필요가 있다. For this reason, when the ratio L / φ is targeted in the range of 1.3 to 7.5, when the contrast of the projected image is constantly exposed, the exposure amount applied to the substrate P is simply reduced to 40%. In order to make the exposure amount applied to the substrate P an appropriate value (100%), the movement speed of the substrate P during exposure by the projection area PA set to 9.5 mm as the exposure slit width D is about The substrate P is moved at a rate of 40%. That is, since the transfer speed itself of the substrate P is dropped to about 40%, the throughput (productivity) is less than half. Even in exposure using the projection area PA set to 3.9 mm as the exposure slit width D, in order not to lower the transfer speed of the substrate P, the luminance of the projection image in the projection area PA, that is, the illumination light beam EL1 ) Is considered to be increased. In that case, the illuminance of the illumination light beam EL1 irradiating the mask surface P1 needs to be about 2.5 times the illuminance when the exposure slit width D is 9.5 mm.

이것에 대해서, 도 11과 같은 마스크(M2)의 2면취를 채용하면, 비 L/φ를 약 3.8(1.2·π) 이하의 범위(1.3~3.8)로 할 수 있다. 마스크의 Y방향의 길이 L을 일정하게 하는 경우, 원통 마스크(원통 드럼(21))의 직경 φ의 변화는 약 3배의 범위가 되고, 예를 들면 φ=900mm~300mm의 사이에서 고려되면 좋다. 도 12의 시뮬레이션에 의해, 직경 φ가 300mm일 때에 허용 디포커스량 ΔZ를 25㎛로 하는 경우의 노광 슬릿폭 D는, 약 5.5mm가 된다. 따라서, 노광 슬릿폭 D가 약 9.5mm인 경우에 대해서, 기판(P)의 반송 속도는 약 60% 정도까지의 감소로 끝난다. 이와 같이, 원통 드럼(21)의 마스크면(P1) 상에 형성되는 마스크 영역의 종횡비(L：πφ)를, 비 L/φ가 약 1.3~약 3.8이 되도록 제한하는 것에 의해, 노광 슬릿폭 D의 변화를 억제할 수 있다. On the other hand, if two chamfers of the mask M2 as shown in Fig. 11 are employed, the ratio L / φ can be set to a range (1.3 to 3.8) of about 3.8 (1.2 · π) or less. When the length L in the Y direction of the mask is made constant, the change in diameter φ of the cylindrical mask (cylindrical drum 21) is in the range of about 3 times, and may be considered between, for example, φ = 900mm to 300mm. . 12, the exposure slit width D when the allowable defocus amount ΔZ is 25 µm when the diameter φ is 300 mm is about 5.5 mm. Therefore, for the case where the exposure slit width D is about 9.5 mm, the conveyance speed of the substrate P ends with a decrease of about 60%. As described above, by limiting the aspect ratio (L: πφ) of the mask region formed on the mask surface P1 of the cylindrical drum 21 so that the ratio L / φ is about 1.3 to about 3.8, the exposure slit width D Changes can be suppressed.

마찬가지로, 도 11의 마스크(M2)를, 도 8과 같이 θ방향으로 간격 Sx 제로로 하여 3개 늘어놓은 경우는, L/φ=0.4π·Asp가 되고, 원통 드럼(21)의 직경 φ는, 예를 들면, 500mm~900mm까지 약 1.8배의 범위에서 변화할 가능성이 있다. 디포커스량 25㎛에서의 노광 슬릿폭 D는, 직경 φ가 900mm인 경우의 약 9.5mm로부터 약 7.1mm로 감소하지만, 이것은 스루풋이 약 75%로 저감하는 것에 상당한다. 그렇지만, 앞의 예와 같이, 스루풋이 절반 이하가 되는 경우 보다도 개선된다. 게다가, 도 11의 마스크(M2)를, 도 9와 같이 θ방향으로 간격 Sx를 제로로 하여 4개 늘어놓은 경우는, L/φ=0.3π·Asp가 되고, 원통 드럼(21)의 직경 φ는, 예를 들면, 700mm~900mm까지 약 1.3배의 범위에서 변화할 가능성이 있다. 디포커스량 25㎛에서의 노광 슬릿폭 D는, 직경 φ가 900mm인 경우의 약 9.5mm로부터 약 8.4mm로 감소한다. 이것은 스루풋이 약 88%로 저감하는 것에 상당하지만, 앞의 예와 같이 스루풋이 절반 이하가 되는 경우 보다도 큰 폭으로 개선되어, 실질적으로 로스가 없는 노광이 가능해진다. 또, 노광 슬릿폭 D의 75%나 88% 정도의 감소라면, 광원(31)의 발광 강도를 높이거나, 광원의 수를 늘리거나 함으로써, 용이하게 조명 광속(EL1)의 조도를 올릴 수 있어, 스루풋의 저하를 전혀 없게 할 수 있다. 또, 마스크 영역의 사이즈는, 일정값에 가까워짐에 따라서, 스루풋이 일정하게 되는 것을 알 수 있다. 즉, 표시 화상 영역(DPA)의 화면 사이즈(대각 길이 Le)에 따라서, 마스크(M)의 1면취, 마스크(M1)나 마스크(M2)의 다면취를 나누어 사용함으로써, 마스크 영역의 사이즈(L×πφ)가 일정한 원통 드럼(21)(직경 φ가 변하지 않음)으로 할 수 있어, 스루풋은 일정하게 유지된다. Similarly, when three masks M2 in Fig. 11 are arranged in the θ direction with the spacing Sx zero as shown in Fig. 8, L / φ = 0.4π · Asp, and the diameter φ of the cylindrical drum 21 is , For example, there is a possibility that it may vary in the range of about 1.8 times from 500 mm to 900 mm. The exposure slit width D at a defocus amount of 25 μm is reduced from about 9.5 mm to about 7.1 mm when the diameter φ is 900 mm, but this corresponds to a reduction in throughput of about 75%. However, as in the previous example, it is improved than when the throughput is less than half. In addition, when four masks M2 of FIG. 11 are arranged in the θ direction with zero spacing Sx as shown in FIG. 9, L / φ = 0.3π · Asp, and the diameter φ of the cylindrical drum 21 May change, for example, in the range of about 1.3 times from 700 mm to 900 mm. The exposure slit width D at a defocus amount of 25 µm is reduced from about 9.5 mm when the diameter φ is 900 mm to about 8.4 mm. This is equivalent to a reduction in throughput of about 88%, but as in the previous example, the throughput is significantly improved compared to the case where the throughput is less than half, and a substantially loss-free exposure becomes possible. Further, if the exposure slit width is reduced by about 75% or 88%, the illuminance of the illumination light beam EL1 can be easily increased by increasing the light emission intensity of the light source 31 or increasing the number of light sources. It is possible to eliminate the drop in throughput at all. In addition, it can be seen that the throughput becomes constant as the size of the mask region approaches the constant value. That is, according to the screen size (diagonal length Le) of the display image area DPA, the size of the mask area L is obtained by dividing one chamfer of the mask M and the chamfer of the mask M1 or the mask M2. The cylindrical drum 21 having a constant xπφ can be made (the diameter φ does not change), so that the throughput is kept constant.

그런데, 비 L/φ의 범위를 약 1.3~약 3.8로 했지만, 이것은 도 11에서 나타낸 바와 같이, 어스펙트비 2：1인 표시 패널용 마스크(M2)의 긴 길이 방향의 치수가, 주변 회로 영역(TAB)의 폭을 포함하여, 표시 화면 영역(DPA)의 긴 길이 방향의 치수 Ld에 대해서 20% 증가하는 경우(1.2배가 되는 경우)를 상정했기 때문이다. 그래서, 마스크의 긴 길이 방향의 치수가, 표시 화면 영역(DPA)의 긴 길이 방향의 치수 Ld에 대해서 e1배로 확대했다고 하면, 비 L/φ는, Asp=Ld/Lc로서, 이하의 범위로 나타내어진다. By the way, although the ratio L / φ range was set to about 1.3 to about 3.8, as shown in Fig. 11, the dimension in the long length direction of the mask M2 for the display panel with the aspect ratio 2: 1 is the peripheral circuit area. This is because it is assumed that a 20% increase in the length Ld of the display screen area DPA, including the width of (TAB), is increased by 20% (when it becomes 1.2 times). Therefore, if the lengthwise dimension of the mask is enlarged by e1 times with respect to the lengthwise dimension Ld of the display screen area DPA, the ratio L / φ is expressed as Asp = Ld / Lc in the following range. Lose.

π/(e1·Asp)≤L/φ≤e1·ππ / (e1 · Asp) ≤L / φ≤e1 · π

이 조건을 만족하는 원통 드럼(21)(원통 마스크)을 이용함으로써, 본 실시 형태의 노광 장치(U3)는, 원통면에 의한 투영 오차에 의해서 생기는 투영상의 디스토션이나, 원호에 의한 투영상면의 변화(포커스 어긋남)를 억제하면서, 표시 패널(디바이스)용 마스크 패턴의 복수를, 간극을 줄여서 기판(P) 상에 늘어놓아 전사할 수 있다. By using the cylindrical drum 21 (cylindrical mask) that satisfies this condition, the exposure apparatus U3 of the present embodiment is capable of distorting a projected image caused by a projection error due to a cylindrical surface or projecting a projected image by an arc. While suppressing the change (focus shift), a plurality of mask patterns for a display panel (device) can be transferred while being arranged on the substrate P with a small gap.

이상, 본 실시 형태에서의 원통 마스크(원통 드럼(21)) 상에 형성되는 마스크(M, M1, M2) 등의 배치예를 정리해 보면, 도 13, 도 14와 같이 된다. 도 13은, 앞의 도 7과 마찬가지로, θ방향을 긴 길이 방향으로 하는 마스크(M)의 1면취의 경우를 나타내고, 도 14는, 앞의 도 11과 마찬가지로, Y방향을 긴 길이 방향으로 하는 마스크(M2)를 θ방향으로 2개 늘어놓은 2면취인 경우를 나타낸다. 도 13은, 도 7과 마찬가지로, 표시 화면 영역(DPA)의 대각 길이 Le(인치)인 표시 패널용 마스크(M)를 장변이 θ방향이 되는 방향으로 배치한 경우이다. 이 경우, 표시 화면 영역(DPA)의 장변 치수 Ld와 단변 치수 Lc의 비(Ld/Lc)를 어스펙트비 Asp로 하고, 표시 화면 영역(DPA)의 주위의 주변 회로 영역(TAB)을 포함하는 마스크(M)의 전체를, 원통 드럼(21)의 외주면(마스크면(P1))에 여백없이 형성하면, 마스크(M)의 θ방향의 길이 πφ는, πφ=e1·Ld=e1·Asp·Lc가 되고, Y방향의 길이 L는, L=e2·Lc가 된다. 먼저 설명한 대로, e1는, 표시 화면 영역(DPA)의 긴 길이 방향의 양측 또는 편측에 부속하는 주변 회로 영역(TAB)의 합계폭에 의해서, 마스크(M)의 긴 길이 방향이 표시 화면 영역(DPA)의 긴 길이 방향에 대해서 어느 정도 확대하는지를 나타낸 확대 배율이다. 마찬가지로, e2는, 표시 화면 영역(DPA)의 짧은 길이 방향의 양측 또는 편측에 부속하는 주변 회로 영역(TAB)의 합계폭(도 13 중의 Ta)에 의해서, 마스크(M)의 짧은 길이 방향이 표시 화면 영역(DPA)의 짧은 길이 방향에 대해서 어느 정도 확대하는지를 나타낸 확대 배율이다. 이상으로부터, 원통 드럼(21)의 외주면(마스크면(P1))으로서 최저한 필요한 크기는, πφ×L이며, 이 때의 마스크(M)의 길이 L과 직경 φ의비 L/φ는, 이하와 같이 나타내어진다. The arrangement examples of the masks M, M1, M2, etc. formed on the cylindrical mask (cylindrical drum 21) in this embodiment are summarized as shown in Figs. 13 and 14. Fig. 13 shows the case of one chamfering of the mask M with the long direction in the θ direction as in the previous Fig. 7, and Fig. 14 shows the Y direction with the long direction in the same direction as in Fig. 11 above. It shows the case of two chamfers in which two masks M2 are arranged in the θ direction. FIG. 13 is a case in which the mask M for a display panel having a diagonal length Le (inch) of the display screen area DPA is arranged in a direction in which the long sides are in the θ direction, as in FIG. 7. In this case, the ratio (Ld / Lc) of the long side dimension Ld and the short side dimension Lc of the display screen area DPA is set to the aspect ratio Asp, and includes the peripheral circuit area TAB around the display screen area DPA. If the entire mask M is formed on the outer circumferential surface (mask surface P1) of the cylindrical drum 21 without any margin, the length πφ of the mask M in the θ direction is πφ = e1 · Ld = e1 · Asp · It becomes Lc, and the length L in a Y direction becomes L = e2 * Lc. As described earlier, in e1, the long length direction of the mask M is the display screen area DPA by the total width of the peripheral circuit areas TAB attached to both sides or one side in the long length direction of the display screen area DPA. ) Is an enlarged magnification showing how much is enlarged with respect to the long length direction. Similarly, in e2, the short length direction of the mask M is displayed by the total width (Ta in FIG. 13) of the peripheral circuit areas TAB attached to both sides or one side in the short length direction of the display screen area DPA. This is an enlargement magnification showing how much the screen area DPA is enlarged with respect to the short length direction. From the above, the minimum required size as the outer peripheral surface (mask surface P1) of the cylindrical drum 21 is πφ × L, and the ratio L / φ of the length L and the diameter φ of the mask M at this time is as follows. It is shown together.

L/φ=π·e2/e1·AspL / φ = π · e2 / e1 · Asp

마스크(M)의 종횡비(πφ：L)가 보다 크게 되는 경우를 상정하여, 표시 화면 영역(DPA)의 장변에 인접한 주변 회로 영역(TAB)의 폭 Ta를 제로(e2=1)로 하고, 확대 배율 e1를 1.2(20% 증가)로 하면, 비 L/φ는, π/1.2·Asp가 된다. 따라서, 어스펙트비 Asp가 2(2/1)인 경우, 비 L/φ는, π/2.4≒1.3이 되며, 어스펙트비 Asp가 1.778(16/9)인 경우, 비 L/φ는, π/2.134≒1.47이 된다. Assuming that the aspect ratio (πφ: L) of the mask M becomes larger, the width Ta of the peripheral circuit area TAB adjacent to the long side of the display screen area DPA is set to zero (e2 = 1), and enlarged. When the magnification e1 is 1.2 (20% increase), the ratio L / φ becomes π / 1.2 · Asp. Therefore, when the aspect ratio Asp is 2 (2/1), the ratio L / φ becomes π / 2.4 ≒ 1.3, and when the aspect ratio Asp is 1.778 (16/9), the ratio L / φ is It becomes π / 2.134 ≒ 1.47.

도 14는, 도 11과 마찬가지로, 표시 화면 영역(DPA)의 장변 방향을 Y방향으로 하는 2개의 마스크(M2)를, θ방향으로 늘어놓는 2면취인 경우이며, 어스펙트비 Asp, 확대 배율 e1, e2의 정의는 도 13의 경우와 동일하다. 표시 화면 영역(DPA)의 주위의 주변 회로 영역(TAB)을 포함하는 1개의 마스크(M2)의 사이즈는 L×Lg가 되고, 이 마스크(M2)의 2개가 θ방향으로 간격 Sx를 사이에 두고 병설된다. 따라서, 2개의 마스크(M2)와 2개의 간격 Sx를 포함하는 마스크 전체를, 원통 드럼(21)의 외주면(마스크면(P1))에 여백없이 형성하는 경우, 마스크 전체의 θ방향의 길이 πφ는, πφ=2(Lg＋Sx)가 되고, Y방향의 길이 L는, L=e1·Ld가 된다. 따라서, 이 때의 비 L/φ는, 이하와 같이 나타내어진다. FIG. 14 is a case of two chamfers in which two masks M2 having the long side direction of the display screen area DPA in the Y direction are arranged in the θ direction, as in FIG. 11, and the aspect ratio Asp and magnification e1 , e2 is the same as in FIG. 13. The size of one mask M2 including the peripheral circuit area TAB around the display screen area DPA is L × Lg, and two of these masks M2 are spaced with an interval Sx in the θ direction. It is juxtaposed. Accordingly, when the entire mask including the two masks M2 and the two spaces Sx is formed on the outer peripheral surface (mask surface P1) of the cylindrical drum 21 without any margin, the length πφ of the entire mask in the θ direction is , πφ = 2 (Lg + Sx), and the length L in the Y direction is L = e1 · Ld. Therefore, the ratio L / φ at this time is expressed as follows.

L/φ=π·e1·Ld/2(Lg＋Sx)L / φ = π · e1 · Ld / 2 (Lg + Sx)

여기서, 확대 배율 e1를 1.2(20% 증가), 표시 화면 영역(DPA)의 장변에 인접한 주변 회로 영역(TAB)의 폭 Ta를 제로(e2=1)로 하고, 간격 Sx도 제로로 가정하면, Lg=e2·Lc, Ld=Asp·Lc의 관계로부터, 비 L/φ는, 0.6π·Asp가 된다. Here, assuming that the magnification e1 is 1.2 (increase by 20%), the width Ta of the peripheral circuit area TAB adjacent to the long side of the display screen area DPA is zero (e2 = 1), and the spacing Sx is also assumed to be zero, From the relationship of Lg = e2 · Lc and Ld = Asp · Lc, the ratio L / φ is 0.6π · Asp.

따라서, 어스펙트비 Asp가 2(2/1)인 경우, 비 L/φ는, 약 3.8이 되고, 어스펙트비 Asp가 1.778(16/9)인 경우, 비 L/φ는, 약 3.4가 된다. Therefore, when the aspect ratio Asp is 2 (2/1), the ratio L / φ is about 3.8, and when the aspect ratio Asp is 1.778 (16/9), the ratio L / φ is about 3.4 do.

이와 같이, 원통 모양의 마스크면(P1) 상에 배치하는 표시 패널(디바이스)의 사이즈(인치수), 표시 화면 영역(DPA)의 어스펙트비 Asp, 주변 회로 영역(TAB)의 폭 등이 정해지면, 그것에 근거하여, 비 L/φ가 노광 장치(U3)의 장치 사양에 적합한 바람직한 원통 마스크(원통 드럼(21))를 간단하게 제작할 수 있다. In this way, the size (inches) of the display panel (device) disposed on the cylindrical mask surface P1, the aspect ratio Asp of the display screen area DPA, the width of the peripheral circuit area TAB, and the like are determined. On the basis of the paper, it is possible to easily produce a preferable cylindrical mask (cylindrical drum 21) whose ratio L / φ is suitable for the device specifications of the exposure apparatus U3.

또한, 도 15 내지 도 18을 이용하여 구체예를 설명한다. 먼저, 상술의 도 7 혹은 도 13에 나타내는 바와 같이, 표시 화면 영역(DPA)의 장변 방향을 θ방향으로 한 마스크(M)를 원통 드럼(21)의 마스크면(P1) 상에 1면취하는 경우를 비교의 기준으로 한다. 여기서, 구체예에서는, 노광 장치(U3)의 투영 광학계(PL)는 등배로 마스크 패턴을 기판(P) 상에 투영하는 것으로 한다. 따라서, 원통 드럼(21)의 마스크면(P1)에는, 실제의 표시 패널과 실치수 크기의 마스크 패턴이 형성된다. 또, 표시 패널의 표시 화면 영역(DPA)은, 하이비전 사이즈(어스펙트비 16：9)이고 60인치의 화면으로 한다. 이 경우, 표시 화면 영역(DPA)의 단변 치수 Lc는 74.7cm, 장변 치수 Ld는 132.8cm, 대각 길이 Le는 152.4cm가 된다. 또, 주변 회로 영역(TAB)도 포함한 마스크(M) 전체의 크기는, 표시 화면 영역(DPA)의 장변 방향에 관한 확대 배율 e1를 1.2(20% 증가), 단변 방향에 관한 확대 배율 e2를 1.15(15% 증가)로 하여, 긴 길이 방향(θ방향)으로 e1·Ld=159.4cm, 짧은 길이 방향(Y방향)으로 e2·Lc=85.9cm로 했다. 게다가, 도 6 또는 도 7에 나타낸 여백부(92)의 θ방향의 길이를 5.0cm로 한다. 이상의 조건에서 마스크(M)를 원통 드럼(21)의 마스크면(P1)에 마련하기 때문에, 마스크면(P1)의 θ방향의 치수 πφ는 164.4cm가 된다. 따라서, 원통 드럼(21)의 직경 φ는, 52.33cm 이상일 필요가 있으며, 예를 들면, 52.5cm로 설정된다. 또, 이상의 조건의 마스크(M) 전체의 Y방향의 길이는, 85.9cm로 했지만, 이 마스크(M)를 기준으로 하므로, 노광 장치(U3)의 각 투영 광학계(PL1~PL6)의 투영 영역(PA1~PA6)을 Y방향으로 연결한 노광 영역의 Y방향의 전체 폭은, 85.9cm 보다도 조금 크게, 87cm인 것으로 한다. 여기서, 도 12에 나타내는 시뮬레이션 결과로부터, 원통 드럼(21)(원통 마스크(M))의 직경 φ를 52.5cm로 하면, 허용되는 디포커스량을 25㎛로 한 경우의 노광 슬릿폭 D는 7.4mm가 되며, 허용되는 디포커스량을 50㎛로 한 경우의 노광 슬릿폭 D는 10.3mm가 된다. 따라서, 도 13에 나타낸 기준이 되는 마스크(M)(원통 드럼(21))를 사용하여 기판(P)을 주사 노광할 때에는, 노광 슬릿폭 D가 7.4mm 이하, 또는 10.3mm 이하를 기준으로 하여 각종 노광 조건(기판(P)의 이동 속도, 조명 광속(EL1)의 조도 등)이 최적화되어 있는 것으로 한다. 즉, 허용되는 디포커스량 ΔZ를 25㎛ 이하로 하고 싶은 경우는, 노광 슬릿폭 D(투영 영역(PA)의 주사 노광 방향의 폭)가 7.4mm 이하의 소정값이 되도록, 도 4 중의 조명 시야 조리개(55)의 개구, 또는 투영 광학계(PL) 내의 투영 시야 조리개(63)의 개구가 조정된다. In addition, specific examples will be described with reference to FIGS. 15 to 18. First, as shown in FIG. 7 or 13, when the mask M with the long side direction of the display screen area DPA in the θ direction is chamfered on the mask surface P1 of the cylindrical drum 21, Is used as a reference for comparison. Here, in the specific example, it is assumed that the projection optical system PL of the exposure apparatus U3 projects the mask pattern on the substrate P at equal magnification. Therefore, an actual display panel and a full-scale mask pattern are formed on the mask surface P1 of the cylindrical drum 21. In addition, the display screen area (DPA) of the display panel is a high-vision size (aspect ratio 16: 9) and is a 60-inch screen. In this case, the short side dimension Lc of the display screen area DPA is 74.7 cm, the long side dimension Ld is 132.8 cm, and the diagonal length Le is 152.4 cm. In addition, the size of the entire mask M including the peripheral circuit area TAB is 1.2 (20% increase) in the magnification e1 in the long direction of the display screen area DPA, and 1.15 in the magnification e2 in the short direction. (15% increase), e1 · Ld = 159.4cm in the long length direction (θ direction) and e2 · Lc = 85.9cm in the short length direction (Y direction). Furthermore, the length in the θ direction of the margin portion 92 shown in FIG. 6 or 7 is set to 5.0 cm. Since the mask M is provided on the mask surface P1 of the cylindrical drum 21 under the above conditions, the dimension πφ of the mask surface P1 in the θ direction is 164.4 cm. Therefore, the diameter φ of the cylindrical drum 21 needs to be 52.33 cm or more, and is set to 52.5 cm, for example. In addition, although the length in the Y direction of the entire mask M under the above conditions was 85.9 cm, since this mask M is used as a reference, the projection area of each projection optical system PL1 to PL6 of the exposure apparatus U3 ( It is assumed that the overall width in the Y direction of the exposure area in which the PA1 to PA6) are connected in the Y direction is slightly larger than 85.9 cm, and 87 cm. Here, from the simulation result shown in FIG. 12, when the diameter φ of the cylindrical drum 21 (cylindrical mask M) is 52.5 cm, the exposure slit width D when the allowable defocus amount is 25 μm is 7.4 mm. And the exposure slit width D when the allowable defocus amount is 50 μm is 10.3 mm. Therefore, when the substrate P is scanned and exposed using the mask M (cylindrical drum 21) serving as the reference shown in Fig. 13, the exposure slit width D is 7.4 mm or less, or 10.3 mm or less. It is assumed that various exposure conditions (movement speed of the substrate P, illuminance of the illumination light beam EL1, etc.) are optimized. That is, when the allowable defocus amount ΔZ is to be 25 μm or less, the illumination field in FIG. 4 is such that the exposure slit width D (width in the scanning exposure direction of the projection area PA) is a predetermined value of 7.4 mm or less. The aperture of the aperture 55 or the aperture of the projection field of view aperture 63 in the projection optical system PL is adjusted.

다음으로, 도 13에 나타낸 60인치 표시 패널용 마스크(M)를 위해 설정한 원통 드럼(21)의 외주면(마스크면(P1))에, 어스펙트비 16：9(Asp=16/9)인 32인치 표시 패널용 마스크(M3)를 배치하는 경우를 설명한다. 원통 드럼(21)의 마스크면(P1)의 크기는, Y방향이 길이 L=85.9cm, θ방향의 길이 πφ=164.4cm이지만, 기준이 되는 마스크(M)와 마찬가지로, 표시 화면 영역(DPA)의 긴 길이 방향이 θ방향이 되도록 32인치 표시 패널용 마스크(M3)의 하나를 배치(1면취)하면, 마스크면(P1) 상의 마스크(M3)의 주위에 넓은 여백부가 가능해진다. Next, on the outer peripheral surface (mask surface P1) of the cylindrical drum 21 set for the mask M for the 60-inch display panel shown in Fig. 13, the aspect ratio is 16: 9 (Asp = 16/9). The case of disposing the mask M3 for a 32-inch display panel will be described. The size of the mask surface P1 of the cylindrical drum 21 is L = 85.9cm in the Y direction and πφ = 164.4cm in the length in the θ direction, but similar to the reference mask M, the display screen area DPA When one of the masks M3 for a 32-inch display panel is arranged (1 chamfered) so that the long length direction of θ is in the θ direction, wide margins are possible around the mask M3 on the mask surface P1.

이 32인치 표시 패널의 경우, 표시 화면 영역(DPA)의 장변의 치수 Ld는 70.8cm, 단변의 치수 Lc는 39.9cm가 된다. 또, 표시 화면 영역(DPA)의 긴 길이 방향의 양측 또는 편측에 인접하는 주변 회로 영역(TAB)에 의한 확대 배율 e1를 1.2(20% 증가) 정도로 하면, 마스크(M3)의 θ방향의 치수는 15cm 정도 확대되어, 85.8cm가 되며, 또 θ방향으로 5cm 정도의 여백부(92)를 마련하기로 하면, 전체 길이에서는 90.8cm가 된다. 따라서, 마스크(M3)는, 기준의 마스크(M)용으로 준비한 원통 드럼(21)의 마스크면(P1) 상에서 전체 둘레 길이(πφ=164.4cm)의 약 55%로 형성되는 것에 지나지 않는다. 또, 기준이 되는 원통 드럼(21)의 마스크면(P1)의 Y방향의 길이 L이 85.9cm인 것에 대해, 마스크(M3)의 Y방향의 길이는, 표시 화면 영역(DPA)의 짧은 길이 방향의 확대 배율 e2를 1.15(15% 증가) 정도로 하면, 45.8cm가 된다. 따라서, 마스크(M3)는, 기준이 되는 원통 드럼(21)의 마스크면(P1) 상에서 Y방향의 치수(L=85.9cm)의 약 53%로 형성되는 것에 지나지 않는다. 따라서, 표시 화면 영역(DPA)의 긴 길이 방향이 θ방향이 되도록 32인치 표시 패널용 마스크(M3)의 하나를, 기준이 되는 원통 드럼(21)의 마스크면(P1)에 배치하면, 마스크(M3)의 점유 면적은 마스크면(P1)의 전면적의 약 30%에 지나지 않아, 효율적이지는 않다. In the case of this 32-inch display panel, the dimension Ld of the long side of the display screen area DPA is 70.8 cm, and the dimension Lc of the short side is 39.9 cm. Further, when the magnification e1 by the peripheral circuit area TAB adjacent to both sides or one side in the long length direction of the display screen area DPA is about 1.2 (increased by 20%), the dimension in the θ direction of the mask M3 is It is enlarged by about 15 cm, becomes 85.8 cm, and if a margin portion 92 of about 5 cm is provided in the θ direction, it becomes 90.8 cm in the total length. Therefore, the mask M3 is only formed at about 55% of the total circumferential length (πφ = 164.4cm) on the mask surface P1 of the cylindrical drum 21 prepared for the reference mask M. Moreover, while the length L in the Y direction of the mask surface P1 of the cylindrical drum 21 as a reference is 85.9 cm, the length in the Y direction of the mask M3 is the short length direction of the display screen area DPA. If the magnification e2 of is about 1.15 (15% increase), it becomes 45.8 cm. Therefore, the mask M3 is only formed at about 53% of the dimension in the Y direction (L = 85.9 cm) on the mask surface P1 of the cylindrical drum 21 as a reference. Therefore, if one of the masks M3 for a 32-inch display panel is arranged on the mask surface P1 of the reference cylindrical drum 21 so that the long longitudinal direction of the display screen area DPA becomes the θ direction, the mask ( The occupied area of M3) is only about 30% of the total area of the mask surface P1, which is not efficient.

그런데, 1개의 마스크(M3)를 원통 드럼(21)에 효율적으로 배치하기 위해, 마스크(M3)의 θ방향의 치수와 여백부(92)의 치수와의 합계인 전체 길이 90.8cm가 전체 둘레 길이가 되도록, 원통 드럼(21)의 직경 φ를 바꾸었다고 하면, 직경 φ는 최저라도 28.91cm이면 된다. 그래서, 마스크(M3)용의 원통 드럼(21)으로서, 직경 φ가 29cm인 것을 준비했다고 하면, 도 12의 시뮬레이션 결과로부터, 직경 φ=29cm인 경우의 노광 슬릿폭 D는, 허용 디포커스량 ΔZ가 25㎛일 때에는 약 5.4mm, 허용 디포커스량 ΔZ가 50㎛일 때에는 약 7.6mm가 된다. By the way, in order to efficiently arrange one mask M3 on the cylindrical drum 21, the total circumferential length is 90.8 cm, which is the sum of the dimensions of the mask θ direction in the θ direction and the dimensions of the margin portion 92. If the diameter φ of the cylindrical drum 21 is changed so as to be, the diameter φ may be at least 28.91 cm. Therefore, assuming that the diameter φ of 29 cm was prepared as the cylindrical drum 21 for the mask M3, from the simulation result of FIG. 12, the exposure slit width D in the case of diameter φ = 29 cm is the allowable defocus amount ΔZ When it is 25㎛, it is about 5.4mm, and when the allowable defocus amount ΔZ is 50㎛, it is about 7.6mm.

이것을, 기준이 되는 원통 드럼(21)에 대해서 설정된 노광 슬릿폭 D(7.4mm, 또는 10.3mm)와 비교해 본다. 기준이 되는 마스크면(P1)(직경 φ=52.5cm인 원통 드럼(21))의 경우, 노광 슬릿폭 D를 10.3mm(허용 디포커스량 50㎛)로 하여, 적정 노광량이 얻어지도록 설정된 기판(P)의 이동 속도를 V1로 한다. 이 때, 동일 조건의 기판(P)에, 직경 φ=29cm인 원통 드럼(21)에 형성된 32인치 표시 패널용의 1면취의 마스크(M3)의 패턴을 노광하는 경우, 노광 슬릿폭 D가 7.6mm(허용 디포커스량 50㎛)이기 때문에, 조도를 일정하게 한 경우에, 적정 노광량을 얻기 위한 기판(P)의 이동 속도 V2는, V2=(7.6/10.3)V1가 되고, 제조 라인의 기판 처리 속도는 전체적으로, 거의 25% 저하해 버린다. 허용 디포커스량 ΔZ가 25㎛인 경우도, 생산성은 동일한 정도로 저하한다. This is compared with the exposure slit width D (7.4 mm, or 10.3 mm) set for the reference cylindrical drum 21. In the case of the reference mask surface P1 (cylindrical drum 21 having a diameter of φ = 52.5 cm), the substrate set to obtain an appropriate exposure amount by setting the exposure slit width D to 10.3 mm (permissible defocus amount 50 µm) Let the moving speed of P) be V1. At this time, when exposing the pattern of the mask M3 of one chamfer for a 32-inch display panel formed on the cylindrical drum 21 having a diameter of phi = 29 cm to the substrate P under the same conditions, the exposure slit width D is 7.6. Since the mm (permissible defocus amount is 50 µm), when the illuminance is constant, the moving speed V2 of the substrate P for obtaining an appropriate exposure amount is V2 = (7.6 / 10.3) V1, and the substrate of the production line Overall, the processing speed decreases almost 25%. Even when the allowable defocus amount ΔZ is 25 μm, productivity decreases to the same degree.

그러면, 어스펙트비 16：9인 32인치 표시 패널용 마스크(M3)를, 앞의 도 14에 나타내는 바와 같은 배치에서, 2면취한 원통 마스크(원통 드럼(21))의 구체예를 도 15에 의해 설명한다. 이 도 15에서, 표시 화면 영역(DPA)의 장변 치수 Ld는 70.8cm, 단변 치수 Lc는 39.9cm가 된다. 또, 주변 회로 영역(TAB)에 의한 마스크(M3)의 긴 길이 방향(Y방향)의 확대 배율 e1는 1.2 정도, 짧은 길이 방향(θ방향)의 확대 배율 e2는 1.15 정도로 했으므로, 마스크(M3)의 Y방향의 길이 L는, 15cm 정도 증가하여 85.8cm가 되고, 마스크(M3)의 θ방향의 길이 Lg는, 6cm 정도 증가하여 45.9cm가 된다. Then, a specific example of a two-chamfered cylindrical mask (cylindrical drum 21) in an arrangement as shown in Fig. 14 is shown in Fig. 15 in a mask M3 for a 32-inch display panel with an aspect ratio of 16: 9. It is explained by. In Fig. 15, the long side dimension Ld of the display screen area DPA is 70.8 cm, and the short side dimension Lc is 39.9 cm. Moreover, since the magnification e1 in the long length direction (Y direction) of the mask M3 by the peripheral circuit area TAB is about 1.2, and the magnification e2 in the short length direction (θ direction) is about 1.15, the mask M3 The length L in the Y direction increases by about 15 cm to 85.8 cm, and the length Lg in the θ direction of the mask M3 increases by 6 cm to 45.9 cm.

여기서, 마스크(M3)의 장변에 인접하는 간격 Sx(여백부(92))의 θ방향의 치수를 10cm로 하면, 2개의 마스크(M3)와 2개의 간격 Sx를 포함하는 마스크 영역 전체의 θ방향의 길이는, 2(Lg＋Sx)로부터, 110.8cm가 된다. 따라서, 이 경우의 원통 드럼(21)의 직경 φ는, 35.3cm 정도이면 좋게 된다. 또, 원통 드럼(21) 상의 마스크면(P1)의 Y방향의 길이 L는 최저 85.8cm가 된다. 이 길이 L(85.8cm)는, 기준이 되는 원통 드럼(21)에서 설정한 노광 영역의 Y방향의 전체 폭(투영 영역(PA1~PA6)의 Y방향의 합계 길이) 87cm의 범위 내에 꼭 들어간다. 따라서, 도 15에 나타낸 마스크(M3)의 2면취용 원통 마스크(φ=35.3cm, L=85.8cm인 원통 드럼(21))는, 기준이 되는 원통 마스크(φ=52.5cm, L=85.9cm인 원통 드럼(21))와 마찬가지로, 노광 장치(U3)에 장착하여 마스크(M3)의 패턴을 기판(P) 상에 효율적으로 노광할 수 있다. Here, when the dimension in the θ direction of the space Sx (margin portion 92) adjacent to the long side of the mask M3 is 10 cm, the θ direction of the entire mask region including the two masks M3 and the two spaces Sx The length of is from 2 (Lg + Sx) to 110.8 cm. Therefore, the diameter φ of the cylindrical drum 21 in this case should just be about 35.3 cm. Further, the length L in the Y direction of the mask surface P1 on the cylindrical drum 21 is at least 85.8 cm. This length L (85.8 cm) fits within the range of 87 cm in the total width in the Y direction (total length in the Y direction of the projection areas PA1 to PA6) set in the cylindrical drum 21 as a reference. Therefore, the cylindrical mask (φ = 35.3cm, L = 85.8cm of cylindrical drum 21) for chamfering the mask M3 shown in FIG. 15 is a standard cylindrical mask (φ = 52.5cm, L = 85.9cm). Like the phosphorus cylindrical drum 21, it is mounted on the exposure apparatus U3, and the pattern of the mask M3 can be efficiently exposed on the board | substrate P.

도 16은, 도 15에 나타낸 32인치 표시 패널용 마스크(M3)를 2면취하는 다른 예의 개략 구성을 나타내는 전개도이다. 여기에서는, 도 15와 동일 치수의 마스크(M3)가, 표시 화면 영역(DPA)의 긴 길이 방향을 θ방향으로 하도록, Y방향으로 2개 늘어놓아 간극없이 배치되는 것으로 가정하고, 2개의 마스크(M3)에 의한 Y방향의 치수 L는, 91.8cm(2×45.9cm)가 된다. 이 길이 L(91.8cm)는, 기준이 되는 원통 드럼(21)에서 설정한 노광 영역의 Y방향의 전체 폭(투영 영역(PA1~PA6)의 Y방향의 합계 길이) 87cm의 범위 내에 들어가지 않는다. 즉, 도 15와 동일한 마스크(M3)를 90°회전시킨 2면취는, 기준이 되는 원통 드럼(21)의 마스크면(P1) 상에는 배치할 수 없게 된다. 16 is an exploded view showing a schematic configuration of another example of chamfering the mask M3 for a 32-inch display panel shown in FIG. 15. Here, it is assumed that the masks M3 having the same dimensions as in Fig. 15 are arranged in two directions in the Y-direction without a gap so that the long longitudinal direction of the display screen area DPA is in the θ direction. The dimension L in the Y direction by M3) is 91.8 cm (2 x 45.9 cm). This length L (91.8 cm) does not fall within the range of 87 cm of the total width in the Y direction (total length in the Y direction of the projection areas PA1 to PA6) set in the standard cylindrical drum 21 as a reference. . That is, two chamfers in which the same mask M3 as shown in Fig. 15 is rotated by 90 ° cannot be placed on the mask surface P1 of the cylindrical drum 21 as a reference.

도 17은, 도 15에 나타낸 32인치 표시 패널용 마스크(M3)를 1면취하는 다른 예의 개략 구성을 나타내는 전개도이다. 여기에서는, 도 15와 동일 치수의 마스크(M3)의 하나가, 표시 화면 영역(DPA)의 짧은 길이 방향을 θ방향으로 하도록 배치되는 것으로 가정하고, θ방향의 여백부(92)의 간격 Sx를 10cm로 한다. 이러한, 마스크(M3)의 배치는, 표준이 되는 원통 드럼(21)의 마스크면(P1)에 대한 점유 면적이 매우 작아, 비효율적이다. 그런데, 도 17과 같은 1면취의 마스크(M3)에 적절한 치수의 원통 드럼(21)을 상정해 보면, 원통 드럼(21)의 전체 둘레 길이 πφ는, 마스크(M3)의 θ방향의 치수 Lg(45.9cm)와 여백부(92)(Sx)의 치수(10cm)와의 합계로부터, πφ=55.9cm가 된다. 따라서, 원통 드럼(21)의 직경 φ는 17.8cm 이상이 되므로, 18cm로서 간주한다. 또, 이 경우의 마스크(M3)의 Y방향의 길이 L는, 도 15와 동일하여 85.8cm이므로, 비 L/φ는 약 4.77이 된다. 　17 is a developed view showing a schematic configuration of another example of chamfering the mask M3 for a 32-inch display panel shown in FIG. 15. Here, it is assumed that one of the masks M3 having the same dimensions as in FIG. 15 is arranged so that the short length direction of the display screen area DPA is in the θ direction, and the spacing Sx of the margin portion 92 in the θ direction is set. Let it be 10 cm. The arrangement of the mask M3 is inefficient because the area occupied by the standard cylindrical drum 21 on the mask surface P1 is very small. By the way, assuming the cylindrical drum 21 of a dimension suitable for the one-chamfered mask M3 as shown in FIG. 17, the total circumferential length πφ of the cylindrical drum 21 is the dimension Lg of the mask M3 in the θ direction. 45.9 cm) and the sum of the dimensions (10 cm) of the margin portion 92 (Sx) is πφ = 55.9 cm. Therefore, since the diameter phi of the cylindrical drum 21 becomes 17.8 cm or more, it is regarded as 18 cm. Moreover, since the length L in the Y direction of the mask M3 in this case is 85.8 cm as in FIG. 15, the ratio L / φ is about 4.77.

이와 같이, 표준이 되는 원통 마스크(원통 드럼(21))의 직경 φ(52.5cm) 보다도 작은 직경 φ(18cm)으로 하면, 마스크면(P1) 상에 효율적으로 마스크(M3)를 배치할 수 있지만, 스루풋(생산성)은 저하한다. 도 12의 시뮬레이션에 의하면, 마스크면(P1)의 직경을 18.0cm로 하면, 허용 디포커스량 ΔZ를 25㎛로 한 경우의 노광 슬릿폭 D는 약 4.3mm가 되며, 허용 디포커스량 ΔZ를 50㎛로 한 경우의 노광 슬릿폭 D는 약 6.0mm가 된다. 따라서, 기판(P)의 이동 속도 V2는, 표준이 되는 원통 마스크(원통 드럼(21))를 이용했을 때의 기판(P)의 이동 속도 V1에 대해서, 노광 슬릿폭 D의 협소화에 따라 저감한다. 허용 디포커스량 ΔZ를 25㎛로 하는 경우는, V2=(4.3/7.4)V1가 되고, 허용 디포커스량 ΔZ를 50㎛로 하는 경우는, V2=(6.0/10.3)V1가 되어, 어느 경우도, 표준이 되는 원통 마스크를 사용한 경우와 비교해서, 스루풋은 약 58%로 저하한다. In this way, if the diameter φ (18 cm) smaller than the diameter φ (52.5 cm) of the standard cylindrical mask (cylindrical drum 21) is set, the mask M3 can be efficiently disposed on the mask surface P1. , Throughput (productivity) decreases. According to the simulation of FIG. 12, when the diameter of the mask surface P1 is 18.0 cm, the exposure slit width D when the allowable defocus amount ΔZ is 25 μm is about 4.3 mm, and the allowable defocus amount ΔZ is 50 The exposure slit width D in the case of µm is about 6.0 mm. Therefore, the moving speed V2 of the substrate P is reduced in accordance with the narrowing of the exposure slit width D with respect to the moving speed V1 of the substrate P when the standard cylindrical mask (cylindrical drum 21) is used. . When the allowable defocus amount ΔZ is 25 μm, V2 = (4.3 / 7.4) V1, and when the allowable defocus amount ΔZ is 50 μm, V2 = (6.0 / 10.3) V1, in which case Also, compared with the case of using a standard cylindrical mask, the throughput is reduced to about 58%.

다음으로, 도 15와 동일한 사이즈의 마스크(M3)를, 도 15와 같이 긴 길이 방향이 Y방향을 향하도록, θ방향으로 3개 배열하는 경우의 구체예를, 도 18에 의해 설명한다. 도 18의 마스크(M3)의 배치는, 앞의 도 8과 동일한 3면취이다.Next, a specific example in which three masks M3 having the same size as in Fig. 15 are arranged in the θ direction so that the long longitudinal direction faces the Y direction as shown in Fig. 15 will be described with reference to Fig. 18. The arrangement of the mask M3 in Fig. 18 is three chamfers similar to those in Fig. 8 above.

여기서, 3개의 마스크(M3)의 각각의 장변에 인접한 여백부(92)(Sx)나 간격 Sx의 θ방향의 치수를 모두 9cm로 하면, 마스크(M3)의 단변 방향의 치수 Lg가 45.9cm이므로, 마스크 영역 전체의 θ방향의 길이는, 3(Lg＋Sx)으로부터, 164.7cm가 된다. 이 경우, 마스크 영역 전체의 θ방향의 길이를 원통 드럼(21)의 전체 둘레 길이 πφ와 일치하도록 하면, 원통 드럼(21)의 직경 φ는, 52.43cm 이상이 된다. 이 값은, 표준이 되는 원통 마스크의 직경 φ=52.5cm와 거의 동일하다. 또, 마스크 영역의 Y방향의 치수 L는 85.8cm이며, 노광 영역(투영 영역(PA1~PA6))의 Y방향의 합계폭 87cm 이내에 들어간다. Here, if the dimensions of the margins 92 (Sx) adjacent to each of the long sides of the three masks M3 or the θ direction of the spacing Sx are all 9 cm, the dimension Lg of the short sides of the mask M3 is 45.9 cm. , The length in the θ direction of the entire mask region is 164.7 cm from 3 (Lg + Sx). In this case, if the length in the θ direction of the entire mask region is made to coincide with the total circumferential length πφ of the cylindrical drum 21, the diameter φ of the cylindrical drum 21 is 52.43 cm or more. This value is almost the same as the diameter φ = 52.5cm of the standard cylindrical mask. Moreover, the dimension L in the Y direction of the mask area is 85.8 cm, and falls within 87 cm of the total width in the Y direction of the exposure areas (projection areas PA1 to PA6).

이와 같이, 어스펙트비 16：9인 32인치 표시 패널용 마스크(M3)라면, 도 18과 같은 3면취에 의해서, 표준이 되는 원통 드럼(21)(φ=52.5cm)의 마스크면(P1) 상에, 여백부(92)나 간격 Sx의 치수를 조정하는 것만으로, 효율적으로 마스크(M3)를 배치할 수 있다. 따라서, 마스크(M3)를 도 18과 같이 3면취하는 경우는, 표준이 되는 원통 마스크의 사이즈(φ×L)를 그대로 사용할 수 있으므로, 스루풋의 저하는 생기지 않는다. 또, 이 도 18의 경우, 비 L/φ는 약 1.63이 되고, 효율적인 생산이 가능하게 간주되는 범위, 1.3≤L/φ≤3.8으로 되어 있다. As described above, if the mask M3 for a 32-inch display panel with an aspect ratio of 16: 9 is used, the mask surface P1 of the standard cylindrical drum 21 (φ = 52.5 cm) is standardized by three chamfers as shown in FIG. On the image, the mask M3 can be efficiently disposed by simply adjusting the dimensions of the margin portion 92 and the spacing Sx. Therefore, in the case of three chamfering of the mask M3 as shown in Fig. 18, since the standard cylindrical mask size (phi x L) can be used as it is, no decrease in throughput occurs. In addition, in the case of Fig. 18, the ratio L / φ is about 1.63, and the range is considered to be capable of efficient production, and 1.3≤L / φ≤3.8.

도 15 내지 도 18에 나타내는 바와 같이, 노광 장치(U3)에 장착 가능한 기준이 되는 원통 마스크(원통 드럼(21))의 마스크면(P1)의 크기를 기준으로 하여, 임의의 크기의 표시 패널 디바이스를 작성하는 경우, 원통 드럼(21)에 마스크를 1면취, 혹은 다면취로 배치할 때의 비 L/φ를 1.3~3.8의 범위로 하도록, 방향성이나 면수를 조정함으로써, 생산 효율을 저하시키지 않고, 효율적으로 패턴의 전사를 행할 수 있다. 15 to 18, a display panel device of any size based on the size of the mask surface P1 of the cylindrical mask (cylindrical drum 21) serving as a reference that can be mounted on the exposure apparatus U3 In the case of creating, by adjusting the directionality or the number of surfaces so that the ratio L / φ when arranging the mask on the cylindrical drum 21 in one chamfer or multiple chamfers is within the range of 1.3 to 3.8, production efficiency is not lowered, The pattern can be transferred efficiently.

또, 도 15 내지 도 18은, 표시 화면 영역(DPA)이 어스펙트비 16：9인 60인치의 1면의 표시 패널 디바이스를 작성하기 위한 마스크면(P1)의 크기를 기준으로 했다. 그렇지만, 이것에 한정되지 않는다. 예를 들면, 표시 화면 영역(DPA)을, 어스펙트비 16：9인 하이비전 사이즈이고 65인치의 화면으로 해도 괜찮다. 이 경우, 도 13과 같이 배치되는 표시 화면 영역(DPA)의 대각 길이 Le는 165.1cm, Y방향으로 연장하는 단변 Lc는 80.9cm, θ방향으로 연장하는 장변 Ld는 143.9cm가 된다. 또, 주변 회로 영역(TAB)도 포함한 마스크(M) 전체의 크기는, 장변 방향(θ방향)으로 확대 배율 e1=1.2(표시 화면 영역(DPA)의 긴 길이 방향으로 20% 증대), 단변 방향(Y방향)으로 확대 배율 e2=1.15(표시 화면 영역(DPA)의 짧은 길이 방향으로 15% 증대)만큼, 표시 화면 영역(DPA)의 사이즈 보다도 크게 되는 것으로 한다. 따라서, 어스펙트비 16：9인 65인치 표시 패널용 1면취 마스크(M)의 경우, 마스크(M)의 긴 길이 방향의 치수는, 도 13에 나타낸 바와 같이 e1·Asp·Lc로부터, 172.7cm, 짧은 길이 방향의 치수는, 도 13에 나타낸 바와 같이 e2·Lc로부터, 93.1cm가 된다. 1면취 마스크(M)의 경우, θ방향으로 인접하여 여백부(92)가 마련되지만, 그 θ방향의 치수(Sx)를 5cm로 하면, 마스크면(P1)의 θ방향의 치수는 약 178cm가 되어, 직경 φ는 56.7cm 이상이 된다. 또, 마스크면(P1)의 Y방향의 길이는, 93.1cm가 되므로, 이 65인치용 원통 마스크를 기준의 마스크로서 장착 가능한 노광 장치(U3)에는, 노광 영역의 Y방향의 전체 폭(투영 영역(PA1~PA6)의 Y방향폭의 합계)이, 예를 들면, 95.0cm이 되도록, 투영 영역(PA)의 Y방향 치수를 바꾼 6개의 투영 광학계(PL)가 마련된다. 혹은, Y방향으로 1개의 투영 광학계(PL)를 더 추가한 7개의 투영 광학계가 마련된다. 이 어스펙트비 16：9인 65인치 표시 패널의 1면취용 원통 마스크(원통 드럼(21))의 비 L/φ는, L/φ=1.64(≒93.1/56.7)가 된다. 또, 원통 마스크의 직경 φ가 56.7cm이므로, 도 12의 시뮬레이션 결과로부터, 노광 슬릿폭 D는, 허용 디포커스량 ΔZ를 25㎛로 하는 경우는 약 7.5mm, 허용 디포커스량 ΔZ를 50㎛로 하는 경우는 약 10.6mm가 된다. 15 to 18 were based on the size of the mask surface P1 for creating a 60-inch one-sided display panel device with an aspect ratio of 16: 9 of the display screen area DPA. However, it is not limited to this. For example, the display screen area DPA may be a high-definition screen with an aspect ratio of 16: 9 and a screen of 65 inches. In this case, the diagonal length Le of the display screen area DPA arranged as shown in FIG. 13 is 165.1 cm, the short side Lc extending in the Y direction is 80.9 cm, and the long side Ld extending in the θ direction is 143.9 cm. In addition, the size of the entire mask M including the peripheral circuit area TAB is enlarged in the long side direction (theta direction) e1 = 1.2 (20% increase in the long length direction of the display screen area DPA), short side direction It is assumed that the magnification e2 = 1.15 in the (Y direction) (15% increase in the short length direction of the display screen area DPA) is larger than the size of the display screen area DPA. Accordingly, in the case of a single chamfering mask M for a 65-inch display panel with an aspect ratio of 16: 9, the length of the mask M in the longitudinal direction is 172.7 cm from e1 · Asp · Lc as shown in FIG. 13. , The dimension in the short length direction is 93.1 cm from e2 · Lc as shown in FIG. 13. In the case of the one chamfering mask M, the margin portion 92 is provided adjacent to the θ direction, but when the dimension Sx in the θ direction is 5 cm, the dimension in the θ direction of the mask surface P1 is about 178 cm. The diameter φ is 56.7 cm or more. Further, since the length of the mask surface P1 in the Y direction is 93.1 cm, the overall width in the Y direction of the exposure area (projection area) is provided to the exposure apparatus U3 that can be mounted with this 65-inch cylindrical mask as a reference mask. Six projection optical systems PL having different dimensions in the Y direction of the projection area PA are provided so that (the sum of the Y-direction widths of PA1 to PA6) is, for example, 95.0 cm. Alternatively, seven projection optical systems in which one additional projection optical system PL is added in the Y direction are provided. The ratio L / φ of the cylindrical mask (cylindrical drum 21) for chamfering a 65-inch display panel with an aspect ratio of 16: 9 is L / φ = 1.64 (# 93.1 / 56.7). Moreover, since the diameter φ of the cylindrical mask is 56.7 cm, from the simulation result of FIG. 12, the exposure slit width D is about 7.5 mm when the allowable defocus amount ΔZ is 25 μm, and the allowable defocus amount ΔZ is 50 μm. If it does, it becomes about 10.6 mm.

그러면, 어스펙트비 16：9인 65인치 표시 패널의 1면취용의 원통 마스크(φ=56.7cm, L=93.1cm)에, 37인치 표시 패널용 마스크(M4)의 3개를, 도 18과 같은 배치로 다면취하는 구체예를, 도 19를 참조하여 설명한다. 도 19에서, 37인치의 표시 화면 영역(DPA)의 장변 Ld(Y방향)는, 81.9cm, 단변 Lc(θ방향)는 46.1cm이며, 장변 방향으로의 확대 배율 e1, 단변 방향으로의 확대 배율 e2를 모두 1.15(15% 증대)로 하면, 마스크(M4)의 장변 치수 L(e1·Ld)는 약 94.2cm, 단변 치수 Lg(e2·Lc)는 약 53.0cm가 된다. Then, three cylinder masks M4 for a 37-inch display panel (φ = 56.7cm, L = 93.1cm) for a single chamfer of a 65-inch display panel with an aspect ratio of 16: 9 are shown in Fig. 18. A specific example of chamfering in the same arrangement will be described with reference to FIG. 19. In FIG. 19, the long side Ld (Y direction) of the 37-inch display screen area DPA is 81.9 cm, the short side Lc (θ direction) is 46.1 cm, and the magnification e1 in the long side direction and the magnification ratio in the short side direction. If e2 is all 1.15 (15% increase), the long side dimension L (e1 · Ld) of the mask M4 is about 94.2 cm, and the short side dimension Lg (e2 · Lc) is about 53.0 cm.

여기서, 마스크(M4)와 마스크(M4)와의 간격 Sx를, 6.0cm 정도로 하면, 마스크면(P1) 상의 3개의 마스크(M4)와 3개의 간격 Sx와의 θ방향의 합계 치수인 전체 둘레 길이 πφ는, πφ=3Lg＋3Sx로부터, 약 177cm가 되고, 직경 φ는 56.4cm 이상이 된다. 또, 마스크(M4)의 Y방향의 길이 L는, 94.2cm이므로, 노광 영역의 Y방향의 전체 폭(95cm) 내에 들어간다. 또, 도 19의 경우, 7개째의 투영 광학계(PL)(투영 영역(PA7))를 Y방향으로 추가하여, 노광 영역의 Y방향의 전체 폭이 95cm가 되도록 했다. 이상으로부터, 도 19에 나타내는 바와 같은 37인치 표시 패널용 마스크를 3면취하는 경우는, 65인치 표시 패널용 마스크(M)를 1면취하기 위한 원통 마스크(원통 드럼(21))와 동일한 형상 치수의 것을 사용할 수 있다. 이와 같이, 도 19에 나타내는 마스크(M4)의 경우도, 기준이 되는 원통 드럼(21)의 마스크면(P1)의 전면적에 대해서, 3개의 마스크(M4)의 사이의 간격 Sx를 작게 하여 효율적으로 배치할 수 있음과 아울러, 기준이 되는 원통 마스크와 동일한 직경 φ인 원통 드럼(21)을 사용할 수 있기 때문에, 노광 슬릿폭 D의 감소에 따른 스루풋 저하도 억제된다. Here, when the space Sx between the mask M4 and the mask M4 is about 6.0 cm, the total circumferential length πφ, which is the total dimension in the θ direction between the three masks M4 on the mask surface P1 and the three spaces Sx, is , From πφ = 3Lg + 3Sx, it is about 177 cm, and the diameter φ is 56.4 cm or more. Moreover, since the length L in the Y direction of the mask M4 is 94.2 cm, it falls within the total width (95 cm) in the Y direction of the exposure area. In the case of Fig. 19, the seventh projection optical system PL (projection area PA7) was added in the Y direction so that the overall width in the Y direction of the exposure area was 95 cm. From the above, in the case where the mask for the 37-inch display panel as shown in Fig. 19 is chamfered, it has the same shape dimensions as the cylindrical mask (cylindrical drum 21) for chamfering the mask M for the 65-inch display panel. You can use Thus, also in the case of the mask M4 shown in FIG. 19, the space Sx between the three masks M4 is made smaller and more efficient with respect to the entire area of the mask surface P1 of the cylindrical drum 21 as a reference. In addition to being able to be arranged, since the cylindrical drum 21 having the same diameter φ as the reference cylindrical mask can be used, a decrease in throughput due to a decrease in the exposure slit width D is also suppressed.

또, 표시 패널 디바이스의 표시 화면 영역(DPA)의 크기를 37인치로 하고, 그를 위한 마스크(M4)를 2면 배치하는 경우는, 상술한 도 15와 동일한 배치로 해도 좋다. 이 경우, 2개의 마스크(M4)와 2개의 간격 Sx와의 θ방향의 합계 치수를 원통 마스크의 전체 둘레 길이 πφ로 하고, 간격 Sx를 6cm 정도로 하면, πφ≒ 118.0cm가 된다. 따라서, 마스크(M4)의 2면을 주방향으로 효율적으로 배치하는 경우의 원통 마스크(원통 드럼(21))의 직경 φ는 37.6cm 이상이 된다. In addition, when the size of the display screen area DPA of the display panel device is 37 inches and the mask M4 for this is arranged on two surfaces, the arrangement may be the same as in Fig. 15 described above. In this case, when the total dimension in the θ direction between the two masks M4 and the two spaces Sx is set to the total circumferential length πφ of the cylindrical mask, and the spacing Sx is about 6 cm, it becomes πφ ≒ 118.0cm. Therefore, the diameter phi of the cylindrical mask (cylindrical drum 21) when the two surfaces of the mask M4 are efficiently arranged in the main direction is 37.6 cm or more.

이 경우, 비 L/φ는, 약 2.5(≒94.2/37.6)가 된다. 또, 직경 φ=37.6cm인 원통 드럼(21)의 경우, 도 12의 시뮬레이션으로부터, 노광 슬릿폭 D는, 허용 디포커스량 ΔZ가 25㎛인 경우는 약 6mm, 허용 디포커스량 ΔZ가 50㎛인 경우는 약 8.6mm가 된다. 기준이 되는 직경 φ=56.7cm인 원통 마스크에 대해서 설정되는 기준이 되는 노광 슬릿폭 D(7.5mm, 10.6mm)와 비교해 보면, 허용 디포커스량 ΔZ를 25㎛와 50㎛ 중 어느 것으로 한 경우도, 생산성(기판(P)의 이동 속도)은 약 80%가 된다. 그렇지만, 조명 광속(EL1)의 조도를, 기준이 되는 원통 마스크에 의한 노광시에 비해 20% 정도 크게 할 수 있으면, 실질적인 생산성의 저하는 생기지 않는다. In this case, the ratio L / φ is about 2.5 (# 94.2 / 37.6). In the case of the cylindrical drum 21 having a diameter of phi = 37.6 cm, from the simulation of Fig. 12, the exposure slit width D is about 6 mm when the allowable defocus amount ΔZ is 25 µm, and the allowable defocus amount ΔZ is 50 µm. In the case of, it becomes about 8.6mm. In comparison with the standard exposure slit width D (7.5 mm, 10.6 mm) for a cylindrical mask having a diameter of φ = 56.7 cm, the allowable defocus amount ΔZ is either 25 µm or 50 µm. , Productivity (moving speed of substrate P) is about 80%. However, if the illuminance of the illumination luminous flux EL1 can be increased by about 20% compared to exposure with a reference cylindrical mask, no substantial decrease in productivity occurs.

또, 본 실시 형태의 노광 장치(U3)는, 원통 마스크(원통 드럼(21))의 마스크 패턴을 등배로 기판(P)에 투사했지만, 이것에 한정되지 않는다. 노광 장치(U3)는, 투영 광학계(PL)의 구성이나, 원통 마스크(원통 드럼(21))의 주속도(周速度)와 기판(P)의 이동 속도 등을 조정하고, 마스크(M)의 패턴을 소정의 배율로 확대하여 기판(P)에 투사해도, 소정의 배율로 축소하여 기판(P)에 투사해도 괜찮다. Moreover, although the mask pattern of the cylindrical mask (cylindrical drum 21) was projected on the board | substrate P by equal magnification, the exposure apparatus U3 of this embodiment is not limited to this. The exposure apparatus U3 adjusts the configuration of the projection optical system PL, the circumferential speed of the cylindrical mask (cylindrical drum 21), the moving speed of the substrate P, and the like. The pattern may be enlarged at a predetermined magnification and projected onto the substrate P, or may be reduced to a predetermined magnification and projected onto the substrate P.

이상, 본 실시 형태의 노광 장치(U3)에 장착 가능한 원통 마스크에서, 도 8, 9, 도 14, 도 15, 도 18, 도 19에 나타낸 바와 같이, 장방형의 표시 화면 영역(DPA)의 긴 길이 방향을 Y방향으로 하여, θ방향으로 2개 이상의 마스크 영역(마스크(M1, M2, M3, M4))을 간격 Sx를 두고 늘어놓은 다면취인 경우, 그 원통 마스크(원통 드럼(21))는 이하와 같이 구성된다.As described above, in the cylindrical mask attachable to the exposure apparatus U3 of the present embodiment, as shown in FIGS. 8, 9, 14, 15, 18, and 19, the long length of the rectangular display screen area DPA When the direction is the Y-direction and two or more mask regions (masks M1, M2, M3, and M4) are arranged in the θ direction with a space Sx, the cylindrical mask (cylindrical drum 21) is It is configured as follows.

중심선(AX1)으로부터 일정 반경(Rm)의 원통면(P1)을 따라서 마스크 패턴(마스크(M1~M4))이 형성되고, 상기 중심선의 둘레로 회전 가능하게 노광 장치에 장착되는 원통 마스크로서, 상기 원통면에는, 장변 치수 Ld, 단변 치수 Lc의 어스펙트비 Asp(=Ld/Lc)의 표시 화면 영역(DPA)과, 그 주변에 인접한 주변 회로 영역(TAB)을 포함하는 표시 패널용 장방형의 마스크 영역(마스크(M1~M4))이, 상기 원통면의 주방향(θ방향)으로 간격 Sx를 두고, n(n≥2)개 늘어놓아 형성되며, 상기 마스크 영역의 긴 길이 방향(Y방향)의 치수 L을 상기 표시 화면 영역의 장변 치수 Ld의 e1배(확대 배율 e1≥1), 상기 마스크 영역의 짧은 길이 방향(θ방향)의 치수를 상기 표시 화면 영역의 단변 치수 Lc의 e2배(확대 배율 e2≥1)로 했을 때, 상기 원통면의 상기 중심선의 방향(Y방향)의 길이는 상기 치수 L(=e1·Ld) 이상으로 설정되며, 상기 원통면의 직경을 φ로 한 상기 원통면의 전체 둘레 길이 πφ는, n(e2ㆍLc＋Sx)로 설정되고, 또, 치수 L과 직경 φ와의 비가, 1.3≤L/φ≤3.8의 범위가 되도록, 상기 직경 φ, 상기 개수 n, 상기 간격 Sx가 설정된다. A mask pattern (masks M1 to M4) is formed along the cylindrical surface P1 of a certain radius Rm from the center line AX1, and is a cylindrical mask mounted rotatably around the center line, wherein A rectangular mask for a display panel including, on the cylindrical surface, a display screen area DPA of an aspect ratio Asp (= Ld / Lc) of a long side dimension Ld and a short side dimension Lc and a peripheral circuit area TAB adjacent to the periphery thereof. Areas (masks M1 to M4) are formed in the main direction (theta direction) of the cylindrical surface at intervals Sx, and are formed by arranging n (n≥2) pieces, and the lengthwise direction of the mask area (Y direction) The dimension L of e1 times the long side dimension Ld of the display screen area (magnification magnification e1≥1), and the dimension in the short length direction (θ direction) of the mask area e2 times the short side dimension Lc of the display screen area (enlargement) When the magnification e2≥1), the length of the direction (Y direction) of the center line of the cylindrical surface is the dimension L (= e1 · L). d) is set as above, and the total circumferential length πφ of the cylindrical surface having the diameter of the cylindrical surface as φ is set to n (e2 · Lc + Sx), and the ratio between the dimension L and the diameter φ is 1.3≤L / The diameter φ, the number n, and the spacing Sx are set so as to be in the range of φ≤3.8.

[제2 실시 형태][Second Embodiment]

다음으로, 도 20을 참조하여, 제2 실시 형태의 노광 장치(U3a)에 대해 설명한다. 또, 중복하는 기재를 피하도록, 제1 실시 형태와 다른 부분에 대해서만 설명하고, 제1 실시 형태와 동일한 구성요소에 대해서는, 제1 실시 형태와 동일 부호를 부여하여 설명한다. 도 20은, 제2 실시 형태의 노광 장치(기판 처리 장치)의 전체 구성을 나타내는 도면이다. 제1 실시 형태의 노광 장치(U3)는, 원통 모양의 기판 지지 드럼(25)에서, 투영 영역을 통과하는 기판(P)을 유지하는 구성이었지만, 제2 실시 형태의 노광 장치(U3a)는, XY평면내를 1차원 또는 2차원으로 이동 가능한 기판 지지 기구(12a)에 의해서, 기판(P)을 평면 모양으로 유지하는 구성으로 되어 있다. 따라서, 본 실시 형태에서의 기판(P)은, 가요성의 수지(PET나 PEN 등)를 베이스로 하는 매엽(枚葉)의 시트 기판 뿐만 아니라, 매엽의 얇은 유리 기판이라도 좋다. Next, with reference to FIG. 20, the exposure apparatus U3a of 2nd Embodiment is demonstrated. In addition, only parts different from the first embodiment will be described to avoid overlapping descriptions, and components identical to those in the first embodiment will be described with the same reference numerals as in the first embodiment. 20 is a view showing the overall configuration of the exposure apparatus (substrate processing apparatus) of the second embodiment. The exposure apparatus U3 of the first embodiment was configured to hold the substrate P passing through the projection region in the cylindrical substrate support drum 25, but the exposure apparatus U3a of the second embodiment was It is configured to hold the substrate P in a planar shape by the substrate support mechanism 12a capable of moving in the XY plane in one or two dimensions. Therefore, the board | substrate P in this embodiment may be not only the sheet | seat board | substrate of a single sheet based on flexible resin (PET, PEN, etc.), but also a thin sheet of sheet glass.

제2 실시 형태의 노광 장치(U3a)에서, 기판 지지 기구(12a)는, 평면 모양으로 기판(P)을 유지하는 지지면(P2)을 구비한 기판 스테이지(102)와, 기판 스테이지(102)를 중심면(CL)과 직교하는 면내에서 X방향을 따라서 주사 이동시키는 이동 장치(도시 생략)를 구비한다. In the exposure apparatus U3a of the second embodiment, the substrate support mechanism 12a includes a substrate stage 102 and a substrate stage 102 having a support surface P2 that holds the substrate P in a planar shape. And a moving device (not shown) that scans and moves along the X direction in a plane orthogonal to the central plane CL.

도 20의 기판(P)의 지지면(P2)은 실질적으로 XY면과 평행한 평면(중심면(CL)과 직교하는 평면)이므로, 마스크(M)로부터 반사되고, 투영 광학 모듈(PLM)(투영 광학계(PL1~PL6))을 통과하여, 기판(P)에 투사되는 투영 광속(EL2)의 주광선은, XY면과 수직이 되도록 설정된다. Since the support surface P2 of the substrate P in FIG. 20 is a plane substantially parallel to the XY plane (a plane perpendicular to the center plane CL), it is reflected from the mask M, and the projection optical module PLM ( The main ray of the projection light beam EL2 that passes through the projection optical systems PL1 to PL6 and is projected onto the substrate P is set to be perpendicular to the XY plane.

또, 제2 실시 형태에서도, 투영 광학 모듈(PLM)의 투영 배율을 등배(×1)로 하면, 앞의 도 2와 마찬가지로, XZ면내에서 보았을 때, 마스크(M) 상의 홀수번째의 조명 영역(IR1(및 IR3, IR5))의 중심점으로부터 짝수번째의 조명 영역(IR2(및 IR4, IR6))의 중심점까지의 둘레 길이 거리 CCM은, 지지면(P2)을 따른 기판(P) 상의 홀수번째의 투영 영역(PA1(및 PA3, PA5))의 중심점으로부터 짝수번째의 제2 투영 영역(PA2(및 PA4, PA6))의 중심점까지의 X방향(주사 노광 방향)의 거리 CCP와, 실질적으로 동일하게 설정되어 있다. Also in the second embodiment, if the projection magnification of the projection optical module PLM is equal to (× 1), the odd-numbered illumination area on the mask M, as viewed in the XZ plane, as in the previous FIG. 2, The circumferential length distance CCM from the center point of IR1 (and IR3, IR5) to the center point of even-numbered illumination areas IR2 (and IR4, IR6) is the odd number on the substrate P along the support surface P2. The distance CCP in the X direction (scanning exposure direction) from the center point of the projection areas PA1 (and PA3, PA5) to the center point of the even-numbered second projection areas PA2 (and PA4, PA6) is substantially the same. It is set.

도 20의 노광 장치(U3a)에서도, 하위 제어 장치(16)가, 기판 지지 기구(12a)의 이동 장치(주사 노광용 리니어 모터나 미동(微動)용 액추에이터 등)를 제어하고, 원통 마스크(M)를 유지하는 원통 드럼(21)의 회전과 정밀하게 동기하여 기판 스테이지(102)를 구동한다. 그 때문에, 기판 스테이지(102)의 X방향이나 Y방향의 이동 위치는, 측장용의 레이저 간섭계 또는 리니어 인코더에 의해서 정밀하게 계측되고, 원통 드럼(21)의 회전 위치는 로터리 인코더에 의해서 정밀하게 계측된다. 또, 기판 스테이지(102)의 지지면(P2)은, 주사 노광 중에 기판(P)을 진공 흡착, 정전(靜電) 흡착하는 흡착 홀더로 구성해도 좋고, 지지면(P2)과 기판(P)과의 사이에 정압(靜壓) 기체 베어링을 형성하여 기판(P)을 비접촉 상태 또는 저마찰 상태로 지지하는 베르누이형 홀더로 구성해도 좋다. In the exposure apparatus U3a in FIG. 20, the lower control apparatus 16 also controls the moving apparatus (linear motor for scanning exposure, actuator for microscopic movement, etc.) of the substrate support mechanism 12a, and the cylindrical mask M The substrate stage 102 is driven in precise synchronization with the rotation of the cylindrical drum 21 holding the. Therefore, the movement position of the substrate stage 102 in the X direction or the Y direction is accurately measured by a laser interferometer for measurement or a linear encoder, and the rotational position of the cylindrical drum 21 is accurately measured by a rotary encoder. do. In addition, the support surface P2 of the substrate stage 102 may be constituted by an adsorption holder that vacuum adsorbs and electrostatically adsorbs the substrate P during scanning exposure, and the support surface P2 and the substrate P A Bernoulli-shaped holder that supports a substrate P in a non-contact state or a low friction state by forming a static pressure gas bearing therebetween may be used.

베르누이형 홀더의 경우는, 기판(P)을 가요성의 장척의 시트 기판(웹(web))으로 하고, 기판(P)에 X방향(및 Y방향)의 텐션을 부여하면서, 기판(P)을 X방향으로 이동시킬 수 있으므로, 기판 스테이지(102)(베르누이형 홀더)는, X, Y방향으로 이동시킬 필요가 없고, 또 지지면(P2)도 투영 영역(PA1~PA6)을 덮는 범위의 면적이면 괜찮아, 기판 스테이지(102)의 소형화를 도모할 수 있다. 또, 베르누이형 홀더의 경우는, 기판(P)이 장척의 시트 기판이면, 기판(P)을 장척 방향으로 연속 이동시키면서 주사 노광할 수 있으므로, 기판(P)의 흡착/개방 등의 부가적인 시간을 필요로 하는 흡착 홀더의 경우에 비해, 보다 롤·투·롤 방식의 제조에 적합하다. In the case of the Bernoulli type holder, the substrate P is used as a flexible long sheet substrate (web), and the substrate P is provided while tension in the X direction (and Y direction) is applied to the substrate P. Since it can be moved in the X direction, the substrate stage 102 (Bernui type holder) does not need to be moved in the X and Y directions, and the support surface P2 also covers the projection areas PA1 to PA6. This is fine, and the size of the substrate stage 102 can be reduced. Further, in the case of the Bernoulli type holder, if the substrate P is a long sheet substrate, scanning exposure can be performed while continuously moving the substrate P in the long direction, so additional time such as adsorption / opening of the substrate P, etc. Compared to the case of the adsorption holder requiring a more suitable roll-to-roll method.

노광 장치(U3a)와 같이, 지지면(P2)을 실질적으로 XY면과 평행한 평면으로 하고, 기판(P)을 평면 모양으로 지지한 경우도, 마스크(M(M1~M4))를 원통 모양으로 유지하는 원통 드럼(21)의 형상의 조건(L/Φ)이, 앞의 제1 실시 형태에서 설명한 관계를 만족함으로써, 각종의 사이즈의 표시 패널의 마스크 패턴을 기판(P) 상에 효율적으로 늘어놓아 노광할 수 있음과 아울러, 생산성의 저하를 억제할 수 있다. Like the exposure apparatus U3a, even when the support surface P2 is substantially parallel to the XY plane and the substrate P is supported in a flat shape, the masks M (M1 to M4) are cylindrical. The condition (L / Φ) of the shape of the cylindrical drum 21 held by satisfying the relationship described in the first embodiment above, so that the mask patterns of the display panels of various sizes can be efficiently mounted on the substrate P. In addition to being able to expose in line, a decrease in productivity can be suppressed.

[제3 실시 형태］[Third embodiment]

다음으로, 도 21을 참조하여, 제3 실시 형태의 노광 장치(U3b)에 대해 설명한다. 또, 중복하는 기재를 피하도록, 제1, 제2 실시 형태와 다른 부분에 대해서만 설명하고, 제1, 제2 실시 형태와 동일한 구성요소에 대해서는, 제1, 제2 실시 형태와 동일 부호를 부여하여 설명한다. 도 21은, 제3 실시 형태의 노광 장치(기판 처리 장치)의 전체 구성을 나타내는 도면이다. 제2 실시 형태의 노광 장치(U3a)는, 마스크에서 반사한 광이 투영 광속(EL2)이 되는 반사형 마스크를 이용하는 구성이었지만, 제3 실시 형태의 노광 장치(U3b)는, 마스크를 투과한 광이 투영 광속(EL2)이 되는 투과형 마스크를 이용하는 구성으로 되어 있다. Next, with reference to FIG. 21, the exposure apparatus U3b of 3rd Embodiment is demonstrated. In addition, only parts different from the first and second embodiments will be described to avoid overlapping descriptions, and components identical to those of the first and second embodiments will be denoted by the same reference numerals as the first and second embodiments. Will be explained. 21 is a diagram showing the overall configuration of the exposure apparatus (substrate processing apparatus) of the third embodiment. The exposure apparatus U3a of the second embodiment was configured to use a reflective mask in which the light reflected from the mask becomes the projection light beam EL2, but the exposure apparatus U3b of the third embodiment has transmitted light through the mask It is configured to use a transmissive mask serving as the projection light beam EL2.

제3 실시 형태의 노광 장치(U3b)에서, 마스크 유지 기구(11a)는, 원통 모양으로 마스크(MA)를 유지하는 원통 드럼(마스크 유지 드럼)(21a)과, 마스크 유지 드럼(21a)을 지지하는 가이드 롤러(93)와, 마스크 유지 드럼(21a)을 구동하는 구동 롤러(98)와, 구동부(99)를 구비한다. In the exposure apparatus U3b of the third embodiment, the mask holding mechanism 11a supports a cylindrical drum (mask holding drum) 21a that holds the mask MA in a cylindrical shape, and a mask holding drum 21a. A guide roller 93 is provided, a driving roller 98 for driving the mask holding drum 21a, and a driving unit 99.

마스크 유지 드럼(21a)은, 마스크(MA) 상의 조명 영역(IR)이 배치되는 마스크면(P1)을 형성한다. 본 실시 형태에서, 마스크면은, Y방향으로 연장하는 중심선(AX1')으로부터 반경 Rm(직경 φ=2Rm)인 원통면으로서 설정된다. 원통면은, 예를 들면, 원통의 외주면, 원기둥의 외주면 등이다. 마스크 유지 드럼(21a)은, 예를 들면 유리나 석영 등으로 구성되며, 일정한 두께를 가지는 링 모양의 투명통으로서 구성되고, 그 외주면(원통면)이 마스크면을 형성한다. The mask holding drum 21a forms a mask surface P1 on which the illumination area IR on the mask MA is disposed. In this embodiment, the mask surface is set as a cylindrical surface having a radius Rm (diameter phi = 2Rm) from the center line AX1 'extending in the Y direction. The cylindrical surface is, for example, the outer peripheral surface of the cylinder, the outer peripheral surface of the cylinder, and the like. The mask holding drum 21a is made of, for example, glass or quartz, and is configured as a ring-shaped transparent cylinder having a constant thickness, and its outer circumferential surface (cylindrical surface) forms a mask surface.

마스크(MA)는, 예를 들면 평탄성이 좋은 직사각형 모양의 매우 얇은 유리판(예를 들면 두께 100~500㎛)의 일방의 면에 크롬 등의 차광층으로 패턴을 형성한 투과형의 평면 모양 시트 마스크로서 작성되며, 그것을 마스크 유지 드럼(21a)의 외주면을 따라 만곡시키고, 이 외주면에 감은(붙인) 상태로 사용된다. 마스크(MA)는, 패턴이 형성되어 있지 않은 패턴 비형성 영역을 가지며, 패턴 비형성 영역(주변의 여백부(92) 등에 상당)에서 마스크 유지 드럼(21a)에 장착되어 있다. 따라서, 이 경우, 마스크(MA)는 마스크 유지 드럼(21a)에 대해서 착탈 가능하다. 평면 모양 시트 마스크를 마스크 유지 드럼(21a)(링 모양의 투명통)의 외주면에 감아 마스크(MA)로 하는 대신에, 링 모양의 투명통에 의한 마스크 유지 드럼(21a)의 외주면에 직접 크롬 등의 차광층에 의한 마스크 패턴을 묘화 형성하여 일체화해도 괜찮다. 이 경우도, 마스크 유지 드럼(21a)이 마스크(MA)의 지지 부재(마스크 지지 부재)로서 기능한다. The mask MA is, for example, a transmissive planar sheet mask in which a pattern of a light shielding layer such as chromium is formed on one side of a very thin glass plate of rectangular shape with good flatness (for example, 100 to 500 µm thick). It is prepared, and it is curved along the outer circumferential surface of the mask holding drum 21a, and is used in a state where it is wound (pasted) on the outer circumferential surface. The mask MA has a pattern non-formation area where no pattern is formed, and is attached to the mask holding drum 21a in the pattern non-formation area (equivalent to the margins 92 around, etc.). Therefore, in this case, the mask MA is detachable from the mask holding drum 21a. Instead of wrapping the flat sheet mask around the outer circumferential surface of the mask holding drum 21a (ring-shaped transparent cylinder) to form a mask MA, chrome or the like is directly attached to the outer circumferential surface of the mask holding drum 21a by the ring-shaped transparent cylinder. The mask pattern by the light-shielding layer of may be drawn and integrated. Also in this case, the mask holding drum 21a functions as a support member (mask support member) of the mask MA.

가이드 롤러(93) 및 구동 롤러(98)는, 마스크 유지 드럼(21a)의 중심선(AX1')에 대해서 평행한 Y축 방향으로 연장하고 있다. 가이드 롤러(93) 및 구동 롤러(98)는, 마스크 유지 드럼(21a)의 Y방향의 단부 부근에 외접하지만, 마스크 유지 드럼(21a)에 유지되어 있는 마스크(MA)의 패턴 형성 영역에는 접촉하지 않도록 마련되어 있다. 구동 롤러(98)는, 구동부(99)와 접속되어 있다. 구동 롤러(98)는, 구동부(99)로부터 공급되는 토크를 마스크 유지 드럼(21a)에 전달하는 것에 의해서, 마스크 유지 드럼(21a)을 중심축 둘레로 회전시킨다. The guide roller 93 and the drive roller 98 extend in the Y-axis direction parallel to the center line AX1 'of the mask holding drum 21a. The guide roller 93 and the driving roller 98 circumscribe the vicinity of the Y-direction end of the mask holding drum 21a, but do not contact the pattern forming region of the mask MA held by the mask holding drum 21a. It is prepared to prevent. The driving roller 98 is connected to the driving unit 99. The drive roller 98 rotates the mask holding drum 21a around the central axis by transmitting the torque supplied from the driving unit 99 to the mask holding drum 21a.

본 실시 형태의 광원 장치(13a)는, 제1 실시 형태와 동일한 광원(도시 생략) 및 복수의 조명 광학계(ILa(ILa1~ILa6))를 구비한다. 각 조명 광학계(ILa1~ILa6)의 일부 또는 전부가, 마스크 유지 드럼(21a)(고리 모양의 투명통)의 내측에 배치되고, 마스크 유지 드럼(21a)의 외주면(마스크면(P1))에 유지되어 있는 마스크(MA) 상의 각 조명 영역(IR1~IR6)을, 내측으로부터 조명한다. The light source device 13a of this embodiment is provided with the same light source (not shown) and a plurality of illumination optical systems ILa (ILa1 to ILa6) as in the first embodiment. A part or all of each illumination optical system ILa1 to ILa6 is disposed inside the mask holding drum 21a (ring-shaped transparent cylinder) and held on the outer circumferential surface (mask surface P1) of the mask holding drum 21a. Each of the illumination regions IR1 to IR6 on the mask MA is illuminated from the inside.

각 조명 광학계(ILa1~ILa6)는, 플라이아이 렌즈나 로드 인티그레이터(rod integrator) 등을 구비하며, 각 조명 영역(IR1~IR6)을, 조명 광속(EL1)에 의해서 균일한 조도로 조명한다. 또, 광원은, 마스크 유지 드럼(21a)의 내측에 배치되어 있어도 괜찮고, 마스크 유지 드럼(21a)의 외측에 배치되어 있어도 괜찮다. 또, 광원은, 노광 장치(U3b)와 별도로 설치하여, 광 파이버나 릴레이 렌즈 등의 도광 유닛을 매개로 하여 안내되어도 괜찮다. Each illumination optical system ILa1 to ILa6 includes a fly-eye lens, a rod integrator, and the like, and illuminates each illumination region IR1 to IR6 with a uniform illuminance by illumination light beam EL1. Further, the light source may be disposed inside the mask holding drum 21a or may be placed outside the mask holding drum 21a. Further, the light source may be provided separately from the exposure apparatus U3b, and may be guided via a light guide unit such as an optical fiber or a relay lens.

본 실시 형태와 같이, 마스크로서 투과형 원통 마스크를 이용한 경우도, 마스크(MA)를 원통 모양으로 유지하는 마스크 지지 드럼(21a)의 형상의 조건(L/φ)이, 앞의 제1 실시 형태에서 설명한 관계를 만족함으로써, 각종의 사이즈의 표시 패널의 마스크 패턴을 기판(P) 상에 효율적으로 늘어놓아 노광할 수 있음과 아울러, 생산성의 저하를 억제할 수 있다. In the case of using a transmissive cylindrical mask as a mask, as in the present embodiment, the condition (L / φ) of the shape of the mask supporting drum 21a that holds the mask MA in a cylindrical shape is the same as in the first embodiment. By satisfying the relationship described, it is possible to efficiently expose the mask patterns of the display panels of various sizes on the substrate P, and to suppress the decrease in productivity.

이상, 제1, 제2, 제3의 각 실시 형태의 노광 장치(U3, U3a, U3b)는, 모두 원통 모양의 마스크면(P1)(원통 드럼(21), 마스크 유지 드럼(21a))에 형성된 마스크 패턴을, 투영 광학 모듈(PLM(PL1~PL6))을 매개로 하여, 기판(P) 상에 투영 노광하는 방식이었다. 그렇지만, 제3 실시 형태와 같이 투과형 원통 마스크(MA)로 하는 경우는, 투과형 원통 마스크의 외주면(마스크면(P1))과 피(被)노광 대상인 기판(P)의 표면과의 사이가 일정한 갭(수십㎛~수백㎛)으로 유지되도록, 투과형 원통 마스크(MA)와 기판(P)을 근접 배치하고, 투과형 원통 마스크를 회전시키면서 기판(P)을 일방향으로 동기 이동시키는 프록시미티(proximity) 방식의 주사 노광 장치로 해도 좋다. As described above, the exposure apparatuses U3, U3a, and U3b of the first, second, and third embodiments are all provided on a cylindrical mask surface P1 (cylindrical drum 21, mask holding drum 21a). It was a system of projecting and exposing the formed mask pattern on the substrate P via the projection optical modules PLM (PL1 to PL6). However, in the case of using the transmissive cylindrical mask MA as in the third embodiment, the gap between the outer peripheral surface of the transmissive cylindrical mask (mask surface P1) and the surface of the substrate P to be exposed is constant. Proximity method in which the transmissive cylindrical mask MA and the substrate P are disposed close together and the substrate P is synchronously moved in one direction while rotating the transmissive cylindrical mask so as to be maintained at (several tens of μm to hundreds of μm). You may use it as a scanning exposure apparatus.

또, 제1~제3의 각 실시 형태의 노광 장치(U3, U3a, U3b)에서는, 장착 가능한 원통 마스크(원통 드럼(21), 마스크 유지 드럼(21a))의 직경 φ가 바뀔 수 있는 것에 대응하기 위해, 원통 마스크의 지지 위치(Z위치)를 조정 가능하게 하는 기구, 혹은 조명 광학계(IL)나 투영 광학계(PL) 내의 광학 소자의 상태를 조정하는 기구등이 마련된다. 그 경우, 노광 장치가 장착 가능한 원통 마스크의 직경 φ에는, 최소의 직경 φ1으로부터 최대의 직경 φ2까지의 범위가 존재한다. 따라서, 제조하려고 하는 표시 패널의 사이즈에 따라서, 마스크(M, M1~M4)의 1면취, 또는 다면취로 원통 마스크를 작성할 때에는, 1.3≤L/φ≤3.8의 관계와 함께, φ1≤ φ≤φ2의 관계도 만족하도록, 원통 드럼(21)이나 마스크 유지 드럼(21a)의 형상 치수를 설정하는 것이 좋다. Moreover, in the exposure apparatuses U3, U3a, and U3b of each of the first to third embodiments, the diameter φ of the mountable cylindrical masks (cylindrical drum 21 and mask holding drum 21a) can be changed. In order to do so, a mechanism is provided that allows the support position (Z position) of the cylindrical mask to be adjusted, or a mechanism that adjusts the state of the optical element in the illumination optical system IL or the projection optical system PL. In that case, a range from the smallest diameter φ1 to the largest diameter φ2 exists in the diameter φ of the cylindrical mask to which the exposure apparatus can be mounted. Therefore, depending on the size of the display panel to be manufactured, when creating a cylindrical mask with one chamfer or multiple chamfers of the masks M, M1 to M4, with a relationship of 1.3≤L / φ≤3.8, φ1≤ φ≤φ2 It is preferable to set the shape dimensions of the cylindrical drum 21 and the mask holding drum 21a so that the relationship of the is satisfied.

＜디바이스 제조 방법＞<Device manufacturing method>

다음으로, 도 22를 참조하여, 디바이스 제조 방법에 대해 설명한다. 도 22는, 디바이스 제조 시스템에 의한 디바이스 제조 방법을 나타내는 플로우 차트이다. Next, a device manufacturing method will be described with reference to FIG. 22. 22 is a flow chart showing a device manufacturing method using a device manufacturing system.

도 22에 나타내는 디바이스 제조 방법에서는, 먼저, 예를 들면 유기 EL 등의 자발광 소자에 의한 표시 패널의 기능·성능 설계를 행하고, 필요한 회로 패턴이나 배선 패턴을 CAD 등에 의해 설계한다(스텝 S201). 다음으로, CAD 등에 의해 설계된 각종 레이어(layer)마다의 마스크 패턴에 근거하여, 필요한 레이어분(分)의 원통 마스크를 제작한다(스텝 S202). 이 때, 원통 마스크는, 직경 φ와 길이 L(La)의 관계가, 1.3≤L/φ≤3.8을 만족하고, 노광 장치에 장착 가능한 조건, φ1≤ φ≤φ2를 만족하도록 제작된다. 또, 표시 패널의 기재가 되는 가요성의 기판(P)(수지 필름, 금속 박막, 플라스틱 등)이 감겨진 공급용 롤(FR1)을 준비해 둔다(스텝 S203). 또, 이 스텝 S203에서 준비해 둔 롤 모양의 기판(P)은, 필요에 따라서 그 표면을 개질한 것, 기초층(예를 들면 임프린트 방식에 의한 미소 요철)을 사전 형성한 것, 광 감응성의 기능막이나 투명막(절연 재료)을 미리 라미네이트한 것이라도 좋다. In the device manufacturing method shown in Fig. 22, first, a function and performance design of a display panel using, for example, a self-luminous element such as an organic EL is performed, and necessary circuit patterns and wiring patterns are designed by CAD or the like (step S201). Next, based on the mask pattern for each of the various layers designed by CAD or the like, a cylindrical mask for the required layer is produced (step S202). At this time, the cylindrical mask is manufactured such that the relationship between the diameter φ and the length L (La) satisfies 1.3 ≤ L / φ ≤ 3.8, and the condition that can be attached to the exposure apparatus, φ 1 ≤ φ ≤ φ 2. In addition, a supply roll FR1 on which a flexible substrate P (resin film, metal thin film, plastic, etc.) serving as a substrate for the display panel is wound is prepared (step S203). In addition, the roll-shaped substrate P prepared in step S203 has a surface modified as necessary, a base layer (e.g., fine irregularities by an imprint method) pre-formed, and light-sensitive function A film or a transparent film (insulating material) may be laminated in advance.

다음으로, 기판(P) 상에 표시 패널 디바이스를 구성하는 전극이나 배선, 절연막, TFT(박막 반도체) 등에 의해서 구성되는 백플레인(back plane)층을 형성함과 아울러, 그 백플레인층에 적층되도록, 유기 EL 등의 자발광 소자에 의한 발광층(표시 화소부)이 형성된다(스텝 S204). 이 스텝 S204에는, 앞의 각 실시 형태에서 설명한 노광 장치(U3, U3a, U3b)에 소정의 원통 마스크를 장착하여, 기판(P)의 표면에 도포된 광 감응층(포토레지스트(photoresist)층, 감광성 실란 커플링층 등)을 노광하여, 표면에 마스크 패턴의 상(잠상(潛像) 등)을 형성하는 노광 공정, 노광에 의해서 마스크 패턴이 형성된 기판(P)을, 필요에 따라서 현상한 후, 무전해 도금법에 의해서 금속막의 패턴(배선, 전극 등)을 형성하는 습식 공정, 혹은, 은나노 입자를 함유한 도전성 잉크 등에 의해서 패턴을 묘화하는 인쇄 공정 등의 처리가 포함된다. Next, on the substrate P, a back plane layer composed of electrodes, wiring, insulating film, TFT (thin film semiconductor), or the like constituting the display panel device is formed, and the organic layer is stacked on the backplane layer. A light emitting layer (display pixel portion) made of a self-luminous element such as EL is formed (step S204). In this step S204, a predetermined cylindrical mask is attached to the exposure apparatuses U3, U3a, U3b described in each of the preceding embodiments, and a photosensitive layer (photoresist layer) applied to the surface of the substrate P, After exposing the photosensitive silane coupling layer, etc.) to form an image (latent image, etc.) of the mask pattern on the surface, the substrate P on which the mask pattern is formed by exposure is developed as necessary, Treatments such as a wet process of forming a pattern (wiring, electrode, etc.) of a metal film by an electroless plating method, or a printing process of drawing a pattern with a conductive ink containing silver nanoparticles or the like are included.

다음으로, 롤 방식으로 장척의 기판(P) 상에 연속적으로 제조되는 표시 패널 디바이스마다, 기판(P)을 다이싱하거나, 각 표시 패널 디바이스의 표면에, 보호 필름(대(對)환경 배리어층)이나 칼라 필터 시트 등을 접합하거나 하여, 디바이스를 조립한다(스텝 S205). 다음으로, 표시 패널 디바이스가 정상적으로 기능하는지, 소망의 성능이나 특성을 만족하고 있는지의 검사공정이 행해진다(스텝 S206). 이상과 같이 하여, 표시 패널(플렉시블·디스플레이)을 제조할 수 있다.Next, for each display panel device that is continuously produced on a long substrate P in a roll manner, the substrate P is diced or a protective film (large environment barrier layer) is applied to the surface of each display panel device. ) Or a color filter sheet or the like is bonded to assemble the device (step S205). Next, an inspection process is performed to determine whether the display panel device functions normally or satisfies desired performance or characteristics (step S206). As described above, a display panel (flexible display) can be manufactured.

1 : 디바이스 제조 시스템 2 : 기판 공급 장치
4 : 기판 회수 장치 5 : 상위 제어 장치
11 : 마스크 유지 기구 12, 12a : 기판 지지 기구
13 : 광원 장치 16 : 하위 제어 장치
21 : 원통 드럼 21a : 마스크 유지 드럼
25 : 기판 지지 드럼 31 : 광원
32 : 도광 부재 41 : 1/4 파장판
51 : 콜리메이터 렌즈 52 : 플라이아이 렌즈
53 : 콘덴서 렌즈 54 : 실린드리칼 렌즈
55 : 조명 시야 조리개 56 : 릴레이 렌즈계
61 : 제1 광학계 62 : 제2 광학계
63 : 투영 시야 조리개 64 : 포커스 보정 광학 부재
65 : 상시프트용 광학 부재 66 : 배율 보정용 광학 부재
67 : 로테이션 보정 기구 68 : 편광 조정 기구
70 : 제1 편향 부재 71 : 제1 렌즈군
72 : 제1 오목면 거울 80 : 제2 편향 부재
81 : 제2 렌즈군 82 : 제2 오목면 거울
92 : 여백부 P : 기판
FR1 : 공급용 롤 FR2 : 회수용 롤
U1~Un : 처리 장치 U3, U3a, U3b : 노광 장치(기판 처리 장치)
M, M1, M2, M3 : 마스크 AX1 : 제1 축
AX2 : 제2 축 P1 : 마스크면
P2 : 지지면 P7 : 중간상면
EL1 : 조명 광속 EL2 : 투영 광속
Rm : 곡률 반경 Rp : 곡률 반경
CL : 중심면 PBS : 편광 빔 스플리터
IR1~IR6 : 조명 영역 IL1~IL6 : 조명 광학계
ILM : 조명 광학 모듈 PA1~PA7 : 투영 영역
PLM : 투영 광학 모듈DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Device manufacturing system 2 Board supply apparatus
4: Substrate recovery device 5: Upper control device
11: mask holding mechanism 12, 12a: substrate support mechanism
13: light source device 16: lower control device
21: cylindrical drum 21a: mask retaining drum
25: substrate support drum 31: light source
32: light guide member 41: 1/4 wave plate
51: collimator lens 52: fly-eye lens
53: condenser lens 54: cylindrical lens
55: Aperture of illumination field of view 56: Relay lens system
61: first optical system 62: second optical system
63: projection field of view aperture 64: focus correction optical member
65: optical member for image shift 66: optical member for magnification correction
67: rotation correction mechanism 68: polarization adjustment mechanism
70: first deflection member 71: first lens group
72: first concave mirror 80: second deflection member
81: second lens group 82: second concave mirror
92: margin P: substrate
FR1: Supply roll FR2: Recovery roll
U1 to Un: processing unit U3, U3a, U3b: exposure unit (substrate processing unit)
M, M1, M2, M3: Mask AX1: 1st axis
AX2: 2nd axis P1: Mask surface
P2: Support surface P7: Middle top surface
EL1: luminous flux EL2: projected luminous flux
Rm: radius of curvature Rp: radius of curvature
CL: Center plane PBS: Polarized beam splitter
IR1 ~ IR6: Lighting area IL1 ~ IL6: Lighting optical system
ILM: illumination optical modules PA1 ~ PA7: projection area
PLM: Projection Optical Module

Claims (10)

장변 치수 Ld와 단변 치수 Lc의 비(比) Ld/Lc로 규정되는 어스펙트비의 표시 화면 영역을 가지는 표시 패널용의 패턴을, 장척(長尺)의 플렉시블한 시트 기판 상(上)의 장척 방향을 따른 복수의 영역 각각에 전사하는 공정을 포함하고, 상기 시트 기판 상에 상기 표시 패널을 작성하는 표시 패널 제조 방법으로서,
상기 전사하는 공정은,
상기 표시 화면 영역과, 그 주변에 인접하여 마련되는 주변 회로 영역 각각에 대응한 마스크 패턴을 포함하여 장방형으로 형성되고, 긴 길이 방향의 치수가 상기 장변 치수 Ld에 대해서 확대 배율 e1(e1≥1)만큼 크고, 또한 짧은 길이 방향의 치수가 상기 단변 치수 Lc에 대해서 확대 배율 e2(e2≥1)만큼 크게 설정된 마스크 영역의 하나, 또는 복수가, 중심선으로부터 일정 반경의 직경 φ의 외주면을 따라서 형성되며, 상기 외주면의 상기 중심선의 방향의 치수 L과 상기 직경 φ와의 비 L/φ가, 1.3≤L/φ≤3.8의 범위가 되도록 설정한 원통 마스크를, 상기 중심선의 둘레로 소정의 회전 속도로 회전시키는 것과,
상기 시트 기판의 상기 장척 방향을 상기 원통 마스크의 상기 외주면의 원주 방향과 같은 방향으로 설정한 상태에서, 상기 원통 마스크의 상기 회전 속도와 동기(同期)한 속도로, 상기 시트 기판을 상기 장척 방향으로 이동시키는 것과,
상기 원통 마스크의 상기 외주면 상에, 상기 중심선의 방향으로 연장한 장방형 모양 또는 사다리꼴 모양으로 설정되는 조명 영역을 향해서 조명광을 조사하고, 상기 조명 영역 내에 나타내어지는 상기 마스크 영역 내의 상기 마스크 패턴에 따른 광을, 상기 시트 기판의 표면에 전사하는 것을 포함하는 표시 패널 제조 방법.A pattern for a display panel having a display screen area having an aspect ratio defined by a ratio Ld / Lc of a long side dimension Ld and a short side dimension Lc, and a long length on a long flexible sheet substrate. A method of manufacturing a display panel comprising a step of transferring each of a plurality of regions along a direction, and creating the display panel on the sheet substrate,
The transfer process,
The display screen area and a mask pattern corresponding to each of the peripheral circuit areas provided adjacent to the periphery are formed in a rectangular shape, and a long longitudinal dimension is an enlarged magnification e1 (e1≥1) for the long side dimension Ld. One or more of the mask regions set as large and shorter in the longitudinal direction by the enlarged magnification e2 (e2≥1) for the short side dimension Lc is formed along the outer circumferential surface of the diameter φ of a certain radius from the center line, A cylindrical mask set such that the ratio L / φ of the dimension L in the direction of the center line of the outer circumferential surface and the diameter φ is in the range of 1.3 ≤ L / φ ≤ 3.8 is rotated at a predetermined rotational speed around the center line. That,
With the long direction of the sheet substrate set in the same direction as the circumferential direction of the outer circumferential surface of the cylindrical mask, at the same speed as the rotational speed of the cylindrical mask, the sheet substrate is moved in the long direction. To move,
On the outer circumferential surface of the cylindrical mask, illumination light is irradiated toward an illumination area set in a rectangular shape or a trapezoid shape extending in the direction of the center line, and light according to the mask pattern in the mask region displayed in the illumination area And transferring to the surface of the sheet substrate. 청구항 1에 있어서,
상기 원통 마스크의 상기 외주면에 상기 마스크 영역을 하나 형성하는 경우는,
상기 어스펙트비를 Asp, 원주율을 π로 하고, 상기 마스크 영역의 짧은 길이 방향을 상기 중심선의 방향으로 설정하는 것에 의해, 상기 마스크 영역이 형성되는 상기 외주면의 상기 중심선의 방향의 상기 치수 L과 상기 직경 φ와의 비 L/φ는, L/φ=π·e2/e1·Asp로 설정되는, 표시 패널 제조 방법.The method according to claim 1,
When one of the mask regions is formed on the outer peripheral surface of the cylindrical mask,
The dimension L and the direction of the center line of the outer circumferential surface where the mask area is formed are set by setting the aspect ratio to Asp, the circumferential ratio π, and setting the short length direction of the mask area to the direction of the center line. The method of manufacturing a display panel, wherein the ratio L / φ with the diameter φ is set to L / φ = π · e2 / e1 · Asp. 청구항 1에 있어서,
상기 원통 마스크의 상기 외주면에 상기 마스크 영역을 n개(n≥2) 형성하는 경우는,
상기 어스펙트비를 Asp, 원주율을 π로 하고, 상기 마스크 영역 각각의 긴 길이 방향을 상기 중심선의 방향으로 설정함과 아울러, 상기 마스크 영역 각각을 원주 방향으로 간격 Sx를 사이에 두고 병설하는 것에 의해, 상기 마스크 영역의 n개가 형성되는 상기 외주면의 상기 중심선의 방향의 상기 치수 L과 상기 직경 φ와의 비 L/φ는, L/φ=π·e1·Asp·Lc/n(e2·Lc＋Sx)로 설정되는, 표시 패널 제조 방법.The method according to claim 1,
In the case where n (n≥2) mask regions are formed on the outer circumferential surface of the cylindrical mask,
By setting the aspect ratio to Asp, the circumferential ratio π, and setting the long length direction of each of the mask regions in the direction of the center line, and juxtaposing each of the mask regions in the circumferential direction with a space Sx therebetween. , The ratio L / φ of the dimension L in the direction of the center line of the outer circumferential surface where the n mask regions are formed and the diameter φ is L / φ = π · e1 · Asp · Lc / n (e2 · Lc + Sx). Display panel manufacturing method set. 청구항 2 또는 청구항 3에 있어서,
상기 비 L/φ가, 1.3≤L/φ≤2.6의 범위로 더 설정되는, 표시 패널 제조 방법.The method according to claim 2 or claim 3,
The ratio L / φ is further set in a range of 1.3≤L / φ≤2.6, the display panel manufacturing method. 청구항 2 또는 청구항 3에 있어서,
상기 확대 배율 e1과 상기 확대 배율 e2는, 1.2 또는 1.15로 설정되는, 표시 패널 제조 방법.The method according to claim 2 or claim 3,
The enlarged magnification e1 and the enlarged magnification e2 are set to 1.2 or 1.15. 청구항 2 또는 청구항 3에 있어서,
상기 원통 마스크의 상기 마스크 영역 내에 형성되는 상기 마스크 패턴에는,
상기 표시 화면 영역에 배치되는 각 화소를 구동하기 위한 박막 반도체의 구성에 대응한 패턴과, 상기 주변 회로 영역에 배치되어 상기 박막 반도체를 구동하기 위한 배선에 대응한 패턴이 포함되는, 표시 패널 제조 방법.The method according to claim 2 or claim 3,
In the mask pattern formed in the mask region of the cylindrical mask,
A method of manufacturing a display panel including a pattern corresponding to a configuration of a thin film semiconductor for driving each pixel disposed in the display screen area, and a pattern arranged in the peripheral circuit area and corresponding to a wiring for driving the thin film semiconductor. . 청구항 2 또는 청구항 3에 있어서,
상기 표시 화면 영역은, 액정 디스플레이, 또는 유기 EL디스플레이에 의한 상기 어스펙트비 Asp가 16：9 또는 2：1의 표시 화면에 대응하는, 표시 패널 제조 방법.The method according to claim 2 or claim 3,
A display panel manufacturing method in the display screen area, wherein the aspect ratio Asp by a liquid crystal display or an organic EL display corresponds to a 16: 9 or 2: 1 display screen. 청구항 2 또는 청구항 3에 있어서,
상기 원통 마스크의 상기 마스크 영역에는, 상기 어스펙트비 Asp가 16：9 또는 2：1로서, 상기 표시 화면 영역의 대각(對角) 길이가 24~65인치의 표시 패널용의 마스크 패턴이 형성되는, 표시 패널 제조 방법.The method according to claim 2 or claim 3,
In the mask area of the cylindrical mask, the aspect ratio Asp is 16: 9 or 2: 1, and a mask pattern for a display panel having a diagonal length of 24 to 65 inches in the display screen area is formed. , Display panel manufacturing method. 청구항 1 내지 청구항 3 중 어느 한 항에 있어서,
상기 원통 마스크의 상기 직경 φ는 150mm~900mm의 사이로 설정되는, 표시 패널 제조 방법.The method according to any one of claims 1 to 3,
A method of manufacturing a display panel, wherein the diameter φ of the cylindrical mask is set between 150 mm and 900 mm. 청구항 1 내지 청구항 3 중 어느 한 항에 있어서,
상기 전사하는 공정의 전에, 상기 시트 기판의 표면에 감광성 기능층을 형성하는 공정이 행하여지고, 상기 감광성 기능층은, 포토레지스트(photoresist), 감광성 친발액성(親撥液性) 개질재, 감광성 도금 환원재, UV경화 수지 중 어느 하나의 액체의 도포에 의해서 형성되는, 표시 패널 제조 방법.The method according to any one of claims 1 to 3,
Prior to the transferring step, a step of forming a photosensitive functional layer on the surface of the sheet substrate is performed, and the photosensitive functional layer includes photoresist, photosensitive lyophilic modifier, and photosensitive plating. A method of manufacturing a display panel, which is formed by application of any one of a reducing material and a UV curable resin.

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