KR102087935B1 - Light emitting device - Google Patents

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Abstract

실시예의 발광 소자는 기판과, 기판 위에 상호 이격되어 배치된 복수의 발광 셀들 및 이웃하는 발광 셀들을 전기적으로 연결하는 연결 배선을 포함하고, 복수의 발광 셀 중 연결 배선에 의해 연결되지 않고 이웃하는 제1 이웃 발광 셀들 간의 제1 이격 거리는 연결 배선에 의해 연결되어 이웃하는 제2 이웃 발광 셀들 간의 제2 이격 거리보다 작다.The light emitting device of the embodiment includes a substrate, a plurality of light emitting cells disposed on the substrate, and a plurality of light emitting cells electrically connected to neighboring light emitting cells. The first separation distance between the first neighboring light emitting cells is smaller than the second separation distance between the neighboring second neighboring light emitting cells connected by the connection line.

Description

발광 소자{Light emitting device}Light emitting device

실시예는 발광 소자에 관한 것이다.An embodiment relates to a light emitting device.

질화갈륨(GaN)의 금속 유기화학기상 증착법 및 분자선 성장법 등의 발달을 바탕으로 고휘도 및 백색광 구현이 가능한 적색, 녹색 및 청색 발광 다이오드(LED:Light Emitting Diode)가 개발되었다.Based on the development of gallium nitride (GaN) metal organic chemical vapor deposition and molecular beam growth, red, green, and blue light emitting diodes (LEDs) capable of high luminance and white light have been developed.

이러한 LED는 백열등과 형광등 등의 기존 조명기구에 사용되는 수은(Hg)과 같은 환경 유해물질이 포함되어 있지 않아 우수한 친환경성을 가지며, 긴 수명, 저전력 소비특성 등과 같은 장점이 있기 때문에 기존의 광원들을 대체하고 있다. 이러한 LED 소자의 핵심 경쟁 요소는 고효율 및 고출력 칩 및 패키징 기술에 의한 고휘도의 구현이다.These LEDs do not contain environmentally harmful substances such as mercury (Hg) used in existing lighting equipment such as incandescent lamps and fluorescent lamps, so they have excellent eco-friendliness and have advantages such as long life and low power consumption. It is replacing. A key competitive factor for these LED devices is their high brightness and high brightness by high efficiency chip and packaging technology.

고휘도를 구현하기 위해서 광 추출 효율을 높이는 것이 중요하다. 광 추출 효율을 높이기 위하여 플립 칩(flip-chip) 구조, 표면 요철 형성(surface texturing), 요철이 형성된 사파이어 기판(PSS:Patterned Sapphire Substrate), 광 결정(photonic crystal) 기술, 및 반사 방지막(anti-reflection layer) 구조 등을 이용한 다양한 방법들이 연구되고 있다.In order to achieve high brightness, it is important to increase light extraction efficiency. Flip-chip structure, surface texturing, patterned sapphire substrate (PSS), photonic crystal technology, and anti-reflection film to improve light extraction efficiency Various methods using the reflection layer structure have been studied.

도 1은 기존의 발광 소자(10)의 평면도를 나타낸다.1 shows a plan view of a conventional light emitting device 10.

도 1에 도시된 발광 소자(10)는 제1 및 제2 전극 패드(22, 24), 9개의 발광 영역(40) 및 이웃하는 발광 영역(40)을 전기적으로 연결하는 연결 금속(30)으로 구성된다. 이때, 이웃하는 발광 영역(40) 간의 거리(D1, D2, D3)는 모두 동일하다. 이러한 일반적인 구조의 발광 소자(10)에 대해 발광 효율을 증대시키기 위한 다양한 방법들이 모색되고 있다.The light emitting device 10 illustrated in FIG. 1 is a connection metal 30 electrically connecting the first and second electrode pads 22 and 24, nine light emitting regions 40, and a neighboring light emitting region 40. It is composed. In this case, the distances D1, D2, and D3 between the adjacent light emitting regions 40 are all the same. Various methods for increasing the luminous efficiency of the light emitting device 10 having such a general structure have been sought.

실시예는 발광 영역을 증대시켜 발광 효율을 증대시키는 발광 소자를 제공한다.The embodiment provides a light emitting device that increases the light emitting area to increase the light emitting efficiency.

실시예의 발광 소자는, 기판; 상기 기판 위에 상호 이격되어 배치된 복수의 발광 셀들; 및 이웃하는 발광 셀들을 전기적으로 연결하는 연결 배선을 포함하고, 상기 복수의 발광 셀 중 상기 연결 배선에 의해 연결되지 않고 이웃하는 제1 이웃 발광 셀들 간의 제1 이격 거리는 상기 연결 배선에 의해 연결되어 이웃하는 제2 이웃 발광 셀들 간의 제2 이격 거리보다 작다.The light emitting device of the embodiment includes a substrate; A plurality of light emitting cells spaced apart from each other on the substrate; And connection wirings electrically connecting neighboring light emitting cells, wherein a first separation distance between neighboring first neighboring light emitting cells among the plurality of light emitting cells, which is not connected by the connection wiring, is connected by the connection wiring to be adjacent to each other. Is less than a second separation distance between the second neighboring light emitting cells.

상기 제1 이웃 발광 셀들이 제1 방향으로 이격된 상기 제1 이격 거리는 상기 제2 이웃 발광 셀들이 상기 제1 방향으로 이격된 제2-1 이격 거리보다 작을 수 있다.The first separation distance from which the first neighboring light emitting cells are spaced in a first direction may be smaller than the 2-1 separation distance from which the second neighboring light emitting cells are spaced in the first direction.

상기 제1 이웃 발광 셀들이 제1 방향으로 이격된 상기 제1 이격 거리는 상기 제2 이웃 발광 셀들이 상기 제1 방향과 다른 제2 방향으로 이격된 제2-2 이격 거리보다 작을 수 있다.The first separation distance from which the first neighboring light emitting cells are spaced in a first direction may be smaller than the second-2 separation distance from which the second neighboring light emitting cells are spaced apart in a second direction different from the first direction.

상기 제1 이웃 발광 셀들이 제1 방향으로 이격된 상기 제1 이격 거리는 상기 제2 이웃 발광 셀들이 상기 제1 방향으로 이격된 제2-1 이격 거리보다 작고, 상기 제1 이격 거리는 상기 제2 이웃 발광 셀들이 상기 제1 방향과 다른 제2 방향으로 이격된 제2-2 이격 거리보다 작을 수 있다.The first spacing distance from which the first neighboring light emitting cells are spaced in a first direction is less than the 2-1 spacing distance from which the second neighboring light emitting cells are spaced in the first direction, and the first spacing distance is the second neighboring distance. The light emitting cells may be smaller than the 2-2 separation distance spaced apart in the second direction different from the first direction.

상기 제2-1 이격 거리와 상기 제2-2 이격 거리는 동일하거나 서로 다를 수 있다.The 2-1 separation distance and the 2-2 separation distance may be the same or different.

상기 제1 이격 거리는 상기 제2-1 이격 거리와 동일할 수 있다.The first separation distance may be equal to the 2-1 separation distance.

상기 제1 이격 거리는 상기 제2-2 이격 거리와 동일할 수도 있다.The first separation distance may be the same as the second-2 separation distance.

상기 제1 이격 거리는 상기 제2 이격 거리의 0.2 배 이상이고 상기 제2 이격 거리 미만이 수 있고, 상기 제1 방향은 수직 방향이고, 상기 제2 방향은 수평 방향일 수 있다.The first separation distance may be at least 0.2 times the second separation distance and less than the second separation distance, the first direction may be a vertical direction, and the second direction may be a horizontal direction.

상기 제1 이웃 발광 셀의 개수는 상기 제2 이웃 발광 셀의 개수보다 많을 수 있다.The number of the first neighboring light emitting cells may be greater than the number of the second neighboring light emitting cells.

상기 복수의 발광 셀들 각각은 상기 기판 위에 순차적으로 배치된 제1 도전형 반도체층, 활성층 및 제2 도전형 반도체층을 포함하는 발광 구조물; 상기 제1 도전형 반도체층 위에 배치된 제1 전극; 및 상기 제2 도전형 반도체층 위에 배치된 제2 전극을 포함할 수 있다.Each of the plurality of light emitting cells may include a light emitting structure including a first conductive semiconductor layer, an active layer, and a second conductive semiconductor layer sequentially disposed on the substrate; A first electrode disposed on the first conductive semiconductor layer; And a second electrode disposed on the second conductive semiconductor layer.

상기 발광 구조물의 측면은 상기 기판에 대해 경사질 수 있다.Side surfaces of the light emitting structure may be inclined with respect to the substrate.

상기 제1 이격 거리는 상기 제1 이웃 발광 셀들의 상기 제1 도전형 반도체층 사이의 이격 거리에 해당하고, 상기 제2 이격 거리는 상기 제2 이웃 발광 셀들의 상기 제1 도전형 반도체층 사이의 이격 거리에 해당할 수 있다.The first separation distance corresponds to the separation distance between the first conductivity type semiconductor layers of the first neighboring light emitting cells, and the second separation distance is the separation distance between the first conductivity type semiconductor layers of the second neighboring light emitting cells. It may correspond to.

상기 제1 이격 거리는 상기 제1 이웃 발광 셀들의 상기 제2 도전형 반도체층 사이의 이격 거리에 해당하고, 상기 제2 이격 거리는 상기 제2 이웃 발광 셀들의 상기 제2 도전형 반도체층 사이의 이격 거리에 해당할 수 있다.The first separation distance corresponds to the separation distance between the second conductivity type semiconductor layers of the first neighboring light emitting cells, and the second separation distance is the separation distance between the second conductivity type semiconductor layers of the second neighboring light emitting cells. It may correspond to.

상기 복수의 발광 셀들 각각은 상기 제2 도전형 반도체층과 상기 제2 전극 사이에 배치된 전도층을 더 포함하고, 상기 제1 이격 거리는 상기 제1 이웃 발광 셀들의 상기 전도층 사이의 이격 거리에 해당하고, 상기 제2 이격 거리는 상기 제2 이웃 발광 셀들의 상기 전도층 사이의 이격 거리에 해당할 수 있다.Each of the plurality of light emitting cells further includes a conductive layer disposed between the second conductive semiconductor layer and the second electrode, wherein the first separation distance is a distance between the conductive layers of the first neighboring light emitting cells. The second separation distance may correspond to the separation distance between the conductive layers of the second neighboring light emitting cells.

상기 제1 이격 거리는 5 ㎛ 내지 20 ㎛이고, 상기 제2 이격 거리는 20 ㎛보다 크고, 상기 제1 이격 거리는 10 ㎛ 내지 25 ㎛이고, 상기 제2 이격 거리는 25 ㎛보다 클 수 있다.The first separation distance may be 5 μm to 20 μm, the second separation distance may be greater than 20 μm, the first separation distance may be 10 μm to 25 μm, and the second separation distance may be greater than 25 μm.

실시예에 따른 발광 소자는 기존보다 발광 영역이 더 넓기 때문에 광도와 동작 전압이 개선되고, 전류 밀도가 감소되어 신뢰성이 개선될 수 있다.Since the light emitting device according to the embodiment has a wider light emitting area than before, the light intensity and the operating voltage may be improved, and the current density may be reduced to improve reliability.

도 1은 기존의 발광 소자의 평면도를 나타낸다.
도 2는 실시예에 의한 발광 소자의 평면도를 나타낸다.
도 3은 도 2의 A-A'선을 따라 절취한 단면도를 나타낸다.
도 4는 도 2의 B-B'선을 따라 절취한 단면도를 나타낸다.
도 5는 도 2의 C-C'선을 따라 절취한 단면도를 나타낸다.
도 6은 도 2에 도시된 발광 소자의 회로도를 나타낸다.
도 7은 발광 면적의 증가에 따른 광도와 동작 전압을 나타내는 그래프이다.
도 8은 실시 예에 따른 발광 소자를 포함하는 조명 장치의 분해 사시도이다.
도 9는 실시 예에 따른 발광 소자를 포함하는 표시 장치를 나타낸다.1 shows a plan view of a conventional light emitting device.
2 is a plan view of a light emitting device according to an embodiment.
3 is a cross-sectional view taken along the line AA ′ of FIG. 2.
4 is a cross-sectional view taken along the line BB ′ of FIG. 2.
5 is a cross-sectional view taken along the line CC ′ of FIG. 2.
FIG. 6 is a circuit diagram of the light emitting device shown in FIG. 2.
7 is a graph showing the luminosity and the operating voltage as the light emission area increases.
8 is an exploded perspective view of a lighting device including a light emitting device according to the embodiment.
9 illustrates a display device including a light emitting device according to an exemplary embodiment.

이하, 본 발명을 구체적으로 설명하기 위해 실시예를 들어 설명하고, 발명에 대한 이해를 돕기 위해 첨부도면을 참조하여 상세하게 설명하기로 한다. 그러나, 본 발명에 따른 실시예들은 여러 가지 다른 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 아래에서 상술하는 실시예들에 한정되는 것으로 해석되지 않아야 한다. 본 발명의 실시예들은 당 업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 보다 완전하게 설명하기 위해서 제공되는 것이다.Hereinafter, the present invention will be described in detail with reference to examples, and detailed description will be made with reference to the accompanying drawings to help understanding of the present invention. However, embodiments according to the present invention may be modified in many different forms, and the scope of the present invention should not be construed as being limited to the embodiments described below. Embodiments of the present invention are provided to more completely explain the present invention to those skilled in the art.

본 실시예의 설명에 있어서, 각 구성요소(element)의 "상(위) 또는 하(아래)(on or under)"에 형성되는 것으로 기재되는 경우에 있어, 상(위) 또는 하(아래)(on or under)는 두 개의 구성요소(element)가 서로 직접(directly)접촉되거나 하나 이상의 다른 구성요소(element)가 상기 두 구성요소(element) 사이에 배치되어(indirectly) 형성되는 것을 모두 포함한다.In the description of the present embodiment, when described as being formed on "on or under" of each element, the above (up) or below (down) ( on or under includes both that two elements are in direct contact with one another or one or more other elements are formed indirectly between the two elements.

또한 "상(위)" 또는 "하(아래)(on or under)"로 표현되는 경우 하나의 구성요소(element)를 기준으로 위쪽 방향뿐만 아니라 아래쪽 방향의 의미도 포함할 수 있다.In addition, when expressed as "up" or "on (under)", it may include the meaning of the downward direction as well as the upward direction based on one element.

도 2는 실시예에 의한 발광 소자(100)의 평면도를 나타내고, 도 3은 도 2의 A-A'선을 따라 절취한 단면도를 나타내고, 도 4는 도 2의 B-B'선을 따라 절취한 단면도를 나타내고, 도 5는 도 2의 C-C'선을 따라 절취한 단면도를 나타낸다.2 is a plan view of the light emitting device 100 according to the embodiment, FIG. 3 is a cross-sectional view taken along the line AA ′ of FIG. 2, and FIG. 4 is a cut along the line B-B ′ of FIG. 2. One sectional drawing is shown and FIG. 5: is sectional drawing cut along the C-C 'line | wire of FIG.

도 2 내지 도 5를 참조하면, 발광 소자(100)는 제1 내지 제M 전도층(110-1 ~ 110-M, 여기서, M은 3 이상의 양의 정수), 제1 본딩 패드(bonding pad)(122), 제1 내지 제N 연결 배선들(124-1 ~ 124-N, 여기서, N은 2 이상의 양의 정수), 제2 본딩 패드(126), 기판(130) 및 발광 구조물(140)을 포함한다.2 to 5, the light emitting device 100 includes the first to Mth conductive layers 110-1 to 110 -M, where M is a positive integer of 3 or more, and a first bonding pad. 122, first to Nth connection wires 124-1 to 124-N, where N is a positive integer of 2 or more, the second bonding pad 126, the substrate 130, and the light emitting structure 140. It includes.

기판(130)은 반도체 물질 성장에 적합한 물질, 캐리어 웨이퍼로 형성될 수 있다. 또한 기판(130)은 열 전도성이 뛰어난 물질로 형성될 수 있으며, 전도성 기판 또는 절연성 기판일 수 있다. 또한, 기판(130)은 투광성을 갖는 물질로 이루어질 수도 있으며, 발광 소자의 전체 질화물 발광 구조물(140)의 휨을 가져오지 않으면서, 스크라이빙(scribing) 공정 및 브레이킹(breading) 공정을 통해 별개의 칩으로 잘 분리시키기 위한 정도의 기계적 강도를 가질 수 있다. 예를 들어 기판(130)은 사파이어(Al203), GaN, SiC, ZnO, Si, GaP, InP, Ga203, GaAs, Ge 중 적어도 하나를 포함하는 물질일 수 있다. 이러한 기판(130)의 상면에는 요철 패턴 형상을 가질 수 있다. 예를 들어, 비록 도시되지는 않았지만 기판(130)은 PSS(Patterned Sapphire Substrate)일 수 있다.The substrate 130 may be formed of a material suitable for growing a semiconductor material, a carrier wafer. In addition, the substrate 130 may be formed of a material having excellent thermal conductivity, and may be a conductive substrate or an insulating substrate. In addition, the substrate 130 may be made of a light transmitting material, and may be separated by a scribing process and a breaking process without bringing warpage of the entire nitride light emitting structure 140 of the light emitting device. It can have a degree of mechanical strength for good separation into chips. For example, the substrate 130 may be a material including at least one of sapphire (Al 2 O 3 ), GaN, SiC, ZnO, Si, GaP, InP, Ga 2 O 3 , GaAs, and Ge. The upper surface of the substrate 130 may have a concave-convex pattern shape. For example, although not shown, the substrate 130 may be a patterned sapphire substrate (PSS).

또한, 비록 도시되지는 않았지만, 기판(130)과 발광 구조물(140) 사이에 버퍼층이 더 배치될 수도 있다. 버퍼층은 Ⅲ-Ⅴ족 원소의 화합물 반도체를 이용하여 형성될 수 있다. 버퍼층은 기판(130)과 발광 구조물(140) 사이의 격자 상수의 차이를 줄여주는 역할을 한다. 예를 들어, 버퍼층은 AlN을 포함하거나 언 도프드(undoped) 질화물을 포함할 수 있으나, 이에 한정되지는 않는다. 버퍼층은 기판(130)의 종류와 발광 구조물(140)의 종류에 따라 생략될 수도 있다.In addition, although not shown, a buffer layer may be further disposed between the substrate 130 and the light emitting structure 140. The buffer layer may be formed using a compound semiconductor of group III-V elements. The buffer layer serves to reduce the difference in lattice constant between the substrate 130 and the light emitting structure 140. For example, the buffer layer may include, but is not limited to, AlN or undoped nitride. The buffer layer may be omitted depending on the type of substrate 130 and the type of light emitting structure 140.

이하, 설명의 편의상 발광 셀의 개수(M)는 9인 것으로 가정하지만, 실시예는 이에 국한되지 않으며 발광 셀이 9개보다 많거나 적은 경우에도 동일하게 적용될 수 있다.Hereinafter, for convenience of explanation, it is assumed that the number M of light emitting cells is 9, but the embodiment is not limited thereto, and the same may be applied to the case where there are more or less than nine light emitting cells.

발광 셀은 기판(130) 위에 수평 방향으로 서로 이격되어 배열된다.The light emitting cells are arranged spaced apart from each other in the horizontal direction on the substrate 130.

먼저, 복수의 발광 영역(P1 내지 PM)을 순서대로 제1 발광 영역 내지 제M 발광 영역이라 한다. 즉, 제1 본딩 패드(122)가 위치하는 발광 영역을 제1 발광 영역(P1)이라 하고, 제2 본딩 패드(126)가 위치하는 발광 영역을 제9 발광 영역이라 한다.First, the plurality of light emitting regions P1 to PM are called first to Mth light emitting regions in order. That is, the light emitting area where the first bonding pad 122 is located is called the first light emitting area P1, and the light emitting area where the second bonding pad 126 is located is called the ninth light emitting area.

제1 내지 제M 발광 셀은 기판(130)의 제1 내지 제M 영역에 각각 배치된다. 즉, 제1 발광 셀은 기판(130)의 제1 발광 영역(P1)에 배치되고, 제2 발광 셀은 기판(130)의 제2 발광 영역(P2)에 배치되고, 제3 발광 셀은 기판(130)의 제3 발광 영역(P3)에 배치되고, 제4 발광 셀은 기판(130)의 제4 발광 영역(P4)에 배치되고, 제5 발광 셀은 기판(130)의 제5 발광 영역(P5)에 배치되고, 제6 발광 셀은 기판(130)의 제6 발광 영역(P6)에 배치되고, 제7 발광 셀은 기판(130)의 제7 발광 영역(P7)에 배치되고, 제8 발광 셀은 기판(130)의 제8 발광 영역(P8)에 배치되고, 제9 발광 셀은 기판(130)의 제9 발광 영역(P9)에 배치된다. 이와 같이, 제m 발광 셀(1 ≤ m ≤ M)은 기판(130)의 제m 발광 영역(Pm)에 배치된다. 이하, 설명의 편의상 제m 발광 셀을 'Pm'이라 칭한다.The first to Mth light emitting cells are disposed in the first to Mth regions of the substrate 130, respectively. That is, the first light emitting cell is disposed in the first light emitting region P1 of the substrate 130, the second light emitting cell is disposed in the second light emitting region P2 of the substrate 130, and the third light emitting cell is the substrate. Disposed in the third light emitting region P3 of 130, and the fourth light emitting cell is disposed in the fourth light emitting region P4 of the substrate 130, and the fifth light emitting cell is the fifth light emitting region of the substrate 130. The sixth light emitting cell is disposed in the sixth light emitting region P6 of the substrate 130, and the seventh light emitting cell is disposed in the seventh light emitting region P7 of the substrate 130. The eighth light emitting cell is disposed in the eighth light emitting region P8 of the substrate 130, and the ninth light emitting cell is disposed in the ninth light emitting region P9 of the substrate 130. As such, the mth light emitting cell 1 ≤ m ≤ M is disposed in the mth light emitting region Pm of the substrate 130. Hereinafter, for convenience of description, the mth light emitting cell is referred to as 'Pm'.

제1 내지 제M 발광 셀(P1 ~ PM) 각각은 기판(130) 위에 배치된 발광 구조물(140), 제m 전도층(110-m) 및 제1 및 제2 전극을 포함한다. 하나의 발광 셀을 이루는 발광 구조물(140)은 경계 영역(S)에 의하여 다른 발광 셀의 발광 구조물(140)과 구분될 수 있다. 경계 영역(S)은 제1 내지 제M 발광 셀(P1 내지 PM) 각각의 둘레에 위치하는 영역일 수 있으며, 기판(130)일 수 있다. 복수의 제1 내지 제M 발광 셀(P1 내지 PM) 각각의 면적은 동일할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.Each of the first to Mth light emitting cells P1 to PM includes a light emitting structure 140, an mth conductive layer 110-m, and first and second electrodes disposed on the substrate 130. The light emitting structure 140 constituting one light emitting cell may be distinguished from the light emitting structure 140 of another light emitting cell by the boundary area S. FIG. The boundary area S may be an area positioned around each of the first to Mth light emitting cells P1 to PM, and may be a substrate 130. An area of each of the first to Mth light emitting cells P1 to PM may be the same, but is not limited thereto.

각 발광 셀(P1 ~ PM)의 발광 구조물(140)은 기판(130)의 상부에 순차적으로 배치된 제1 도전형 반도체층(142), 활성층(144) 및 제2 도전형 반도체층(146)을 포함한다.The light emitting structure 140 of each of the light emitting cells P1 to PM includes the first conductive semiconductor layer 142, the active layer 144, and the second conductive semiconductor layer 146 sequentially disposed on the substrate 130. It includes.

제1 도전형 반도체층(142)은 기판(130)과 활성층(144) 사이에 배치되며, 반도체 화합물을 포함할 수 있으며, Ⅲ-Ⅴ족, Ⅱ-Ⅵ족 등의 화합물 반도체로 구현될 수 있으며, 제1 도전형 도펀트가 도핑될 수 있다. 예를 들어, 제1 도전형 반도체층(142)은 AlxInyGa(1-x-y)N (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성식을 갖는 반도체 물질, InAlGaN, AlGaAs, GaP, GaAs, GaAsP, AlGaInP 중 어느 하나 이상을 포함할 수 있다. 제1 도전형 반도체층(142)이 n형 반도체층인 경우, 제1 도전형 도펀트는 Si, Ge, Sn, Se, Te 등과 같은 n형 도펀트를 포함할 수 있다. 제1 도전형 반도체층(142)은 단층 또는 다층 구조를 가질 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.The first conductive semiconductor layer 142 may be disposed between the substrate 130 and the active layer 144, may include a semiconductor compound, and may be implemented as a compound semiconductor such as a group III-V group or a group II-VI group. The first conductivity type dopant may be doped. For example, the first conductive semiconductor layer 142 has a composition formula of Al x In y Ga (1-xy) N (0 ≦ x ≦ 1, 0 ≦ y ≦ 1, 0 ≦ x + y ≦ 1). The semiconductor material may include any one or more of InAlGaN, AlGaAs, GaP, GaAs, GaAsP, and AlGaInP. When the first conductive semiconductor layer 142 is an n-type semiconductor layer, the first conductive dopant may include an n-type dopant such as Si, Ge, Sn, Se, Te, or the like. The first conductivity type semiconductor layer 142 may have a single layer or a multilayer structure, but is not limited thereto.

활성층(144)은 제1 도전형 반도체층(142)과 제2 도전형 반도체층(146) 사이에 배치되며, 단일 우물 구조, 다중 우물 구조, 단일 양자 우물 구조, 다중 양자 우물(MQW:Multi Quantum Well) 구조, 양자점 구조 또는 양자선 구조 중 어느 하나를 포함할 수 있다. 활성층(144)은 Ⅲ-Ⅴ족 원소의 화합물 반도체 재료를 이용하여 우물층과 장벽층, 예를 들면 InGaN/GaN, InGaN/InGaN, GaN/AlGaN, InAlGaN/GaN, GaAs(InGaAs),/AlGaAs, GaP(InGaP)/AlGaP 중 어느 하나 이상의 페어 구조를 가질 수 있으나 이에 한정되지는 않는다. 우물층은 장벽층의 에너지 밴드 갭보다 작은 에너지 밴드 갭을 갖는 물질로 이루어질 수 있다.The active layer 144 is disposed between the first conductive semiconductor layer 142 and the second conductive semiconductor layer 146, and has a single well structure, a multi well structure, a single quantum well structure, and a multi quantum well (MQW). Well) structure, may include any one of the quantum dot structure or quantum line structure. The active layer 144 is formed of a well layer and a barrier layer, for example, InGaN / GaN, InGaN / InGaN, GaN / AlGaN, InAlGaN / GaN, GaAs (InGaAs), / AlGaAs, using a compound semiconductor material of a group III-V element. It may have a pair structure of at least one of GaP (InGaP) / AlGaP, but is not limited thereto. The well layer may be made of a material having an energy band gap smaller than the energy band gap of the barrier layer.

제2 도전형 반도체층(146)은 활성층(144)의 상부에 배치되며, 반도체 화합물을 포함할 수 있다. 제2 도전형 반도체층(146)은 Ⅲ-Ⅴ족, Ⅱ-Ⅵ족 등의 화합물 반도체로 구현될 수 있으며, 예를 들어 InxAlyGa1 -x- yN (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성식을 갖는 반도체 물질 또는 AlInN, AlGaAs, GaP, GaAs, GaAsP, AlGaInP 중 어느 하나 이상을 포함할 수 있다.The second conductivity-type semiconductor layer 146 is disposed on the active layer 144 and may include a semiconductor compound. The second conductivity-type semiconductor layer 146 may be implemented with compound semiconductors such as group III-V and group II-VI, for example, In x Al y Ga 1- x- y N (0 ≦ x ≦ 1, 0 ≦ y ≦ 1, 0 ≦ x + y ≦ 1) or one or more of AlInN, AlGaAs, GaP, GaAs, GaAsP, AlGaInP.

제2 도전형 반도체층(146)은 제2 도전형 반도체층일 수 있으며, 제2 도전형 반도체층(146)이 p형 반도체층인 경우, 제2 도전형 도펀트는 Mg, Zn, Ca, Sr, Ba 등과 같은 p형 도펀트일 수 있다. 제2 도전형 반도체층(146)은 단층 또는 다층 구조를 가질 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.The second conductivity-type semiconductor layer 146 may be a second conductivity-type semiconductor layer, and when the second conductivity-type semiconductor layer 146 is a p-type semiconductor layer, the second conductivity-type dopant may be Mg, Zn, Ca, Sr, P-type dopants such as Ba and the like. The second conductivity-type semiconductor layer 146 may have a single layer or a multilayer structure, but is not limited thereto.

제1 도전형 반도체층(142)은 n형 반도체층이고 제2 도전형 반도체층(146)은 p형 반도체층으로 구현되거나, 제1 도전형 반도체층(142)은 p형 반도체층이고 제2 도전형 반도체층(146)은 n형 반도체층으로 구현될 수 있다. 이에 따라 발광 구조물(140)은 N-P 접합, P-N 접합, N-P-N 접합, 및 P-N-P 접합 구조 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.The first conductive semiconductor layer 142 is an n-type semiconductor layer and the second conductive semiconductor layer 146 is implemented as a p-type semiconductor layer, or the first conductive semiconductor layer 142 is a p-type semiconductor layer and the second The conductive semiconductor layer 146 may be implemented with an n-type semiconductor layer. Accordingly, the light emitting structure 140 may include at least one of an N-P junction, a P-N junction, an N-P-N junction, and a P-N-P junction structure.

이하, 제1 도전형 반도체층(142)은 n형 반도체층이고, 제2 도전형 반도체층(146)은 p형 반도체층이라고 가정하여 설명하지만, 실시예는 이에 국한되지 않는다. 즉, 제1 도전형 반도체층(142)이 p형 반도체층이고, 제2 도전형 반도체층(146)이 n형 반도체층인 경우에도 본 실시예는 적용될 수 있다.Hereinafter, although the first conductive semiconductor layer 142 is an n-type semiconductor layer and the second conductive semiconductor layer 146 is described as a p-type semiconductor layer, the embodiment is not limited thereto. That is, the present embodiment may be applied even when the first conductive semiconductor layer 142 is a p-type semiconductor layer and the second conductive semiconductor layer 146 is an n-type semiconductor layer.

각 발광 셀(P1 ~ PM)에서, 제1 전극은 제1 도전형 반도체층(142) 위에 배치된다. 예를 들어, 도 5를 참조하면, 제7 발광 셀(P7)에서 제1 전극(152)은 제1 도전형 반도체층(142) 위에 배치된다. 제1 전극을 제1 도전형 반도체층(142) 위에 배치하기 위해, 발광 구조물(140)의 제1 도전형 반도체층(142) 일부가 노출될 수 있다. 즉, 제2 도전형 반도체층(146), 활성층(144) 및 제1 도전형 반도체층(142)의 일부가 메사 식각(mesa etching)에 의하여 식각되어 제1 도전형 반도체층(142)의 일부를 노출할 수 있다. 이때, 제1 도전형 반도체층(142)의 노출면은 활성층(144)의 하면보다 낮게 위치할 수 있다.In each of the light emitting cells P1 to PM, the first electrode is disposed on the first conductivity type semiconductor layer 142. For example, referring to FIG. 5, in the seventh light emitting cell P7, the first electrode 152 is disposed on the first conductivity type semiconductor layer 142. In order to arrange the first electrode on the first conductive semiconductor layer 142, a portion of the first conductive semiconductor layer 142 of the light emitting structure 140 may be exposed. That is, a portion of the second conductive semiconductor layer 146, the active layer 144, and the first conductive semiconductor layer 142 may be etched by mesa etching to form a part of the first conductive semiconductor layer 142. Can be exposed. In this case, an exposed surface of the first conductive semiconductor layer 142 may be lower than a lower surface of the active layer 144.

또는, 각 발광 셀(P1 ~ PM)에서 제1 전극이 제1 도전형 반도체층(142) 위에 별개로 마련되는 대신에, 제i 발광 셀(Pi, 1 ≤ i ≤ M-1)의 제1 전극은 제i 연결 배선(124-i)과 일체로 이루어질 수도 있다. 예를 들어, 도 4를 참조하면, 제1 발광 셀(P1)의 제1 전극은 제1 연결 배선(124-1)과 일체로 이루어져 있다. 이때, 제M 발광 셀(예를 들어, P9)의 제1 전극은 제2 본딩 패드(126)와 일체로 이루어질 수 있지다. 그러나, 실시예는 이에 국한되지 않으며, 제M 발광 셀(PM)의 제1 전극은 제2 본딩 패드(126)와 별개로 이루어질 수도 있다.Alternatively, instead of the first electrode being separately provided on the first conductivity type semiconductor layer 142 in each of the light emitting cells P1 to PM, the first of the i th light emitting cells Pi, 1 ≦ i ≦ M-1 The electrode may be integrally formed with the i-th connection line 124-i. For example, referring to FIG. 4, the first electrode of the first light emitting cell P1 is integrally formed with the first connection line 124-1. In this case, the first electrode of the Mth light emitting cell (eg, P9) may be integrally formed with the second bonding pad 126. However, the embodiment is not limited thereto, and the first electrode of the Mth light emitting cell PM may be formed separately from the second bonding pad 126.

각 발광 셀(P1 ~ PM)에서, 제2 전극은 제2 도전형 반도체층(146) 위에 배치된다. 예를 들어, 도 5를 참조하면, 제8 발광 셀(P8)에서 제2 전극(154)은 제2 도전형 반도체층(144) 위에 배치되어 있다.In each of the light emitting cells P1 to PM, the second electrode is disposed on the second conductivity type semiconductor layer 146. For example, referring to FIG. 5, in the eighth light emitting cell P8, the second electrode 154 is disposed on the second conductive semiconductor layer 144.

또는, 각 발광 셀(P1 ~ PM)에서 제2 전극이 제1 도전형 반도체층(146) 위에 별개로 마련되는 대신에, 제j 발광 셀(Pj, 2 ≤ j ≤ M)(Pj)의 제2 전극은 제j-1 연결 배선[124-(j-1)]과 일체로 이루어질 수도 있다. 예를 들어, 도 4를 참조하면, 제6 발광 셀(P6)의 제2 전극은 제5 연결 배선(124-5)과 일체로 이루어져 있다. 이때, 제1 발광 셀(P1)의 제2 전극은 제1 본딩 패드(122)와 일체로 이루어질 수도 있지다. 그러나, 실시예는 이에 국한되지 않으며, 제1 발광 셀(P1)의 제2 전극은 제1 본딩 패드(122)와 별개로 이루어질 수도 있다.Alternatively, instead of separately providing a second electrode on the first conductivity type semiconductor layer 146 in each of the light emitting cells P1 to PM, the jth light emitting cells Pj, 2 ≦ j ≦ M) Pj may be formed. The second electrode may be integrally formed with the j-th connection wiring 124-(j-1). For example, referring to FIG. 4, the second electrode of the sixth light emitting cell P6 is integrally formed with the fifth connection line 124-5. In this case, the second electrode of the first light emitting cell P1 may be integrally formed with the first bonding pad 122. However, the embodiment is not limited thereto, and the second electrode of the first light emitting cell P1 may be formed separately from the first bonding pad 122.

각 발광 셀(P1 ~ PM)의 제1 및 제2 전극 각각은 접착층(미도시), 배리어층(미도시) 및 본딩층(미도시)이 순차적으로 적층된 구조를 가질 수 있다. 제1 전극의 접착층은 제1 도전형 반도체층(142)과 오믹 접촉하는 물질을 포함하고, 제2 전극의 접착층은 제2 도전형 반도체층(146)과 오믹 접촉하는 물질을 포함할 수 있다. 예를 들어, 접착층은 Cr, Rd 및 Ti 중 적어도 하나의 재료로, 단층 또는 다층 구조로 형성될 수 있다.Each of the first and second electrodes of each of the light emitting cells P1 to PM may have a structure in which an adhesive layer (not shown), a barrier layer (not shown), and a bonding layer (not shown) are sequentially stacked. The adhesive layer of the first electrode may include a material in ohmic contact with the first conductive semiconductor layer 142, and the adhesive layer of the second electrode may include a material in ohmic contact with the second conductive semiconductor layer 146. For example, the adhesive layer may be formed of at least one material of Cr, Rd, and Ti, and may have a single layer or a multilayer structure.

배리어층은 접착층 위에 배치되며, Ni, Cr, Ti 및 Pt 중 적어도 하나를 포함하는 재료로, 단층 또는 다층으로 형성될 수 있다. 예를 들어, 배리어층은 Cr과 Pt의 합금으로 이루어질 수 있다.The barrier layer is disposed on the adhesive layer, and may be formed of a material including at least one of Ni, Cr, Ti, and Pt, and may be formed in a single layer or multiple layers. For example, the barrier layer may be made of an alloy of Cr and Pt.

또한, 배리어층과 접착층 사이에 Ag 등으로 이루어진 반사층이 개재될 수도 있지만 생략될 수도 있다. 본딩층은 배리어층의 위에 배치되며, Au을 포함할 수 있다.In addition, although a reflective layer made of Ag or the like may be interposed between the barrier layer and the adhesive layer, it may be omitted. The bonding layer is disposed on the barrier layer and may include Au.

제1 본딩 패드(122)는 제1 전원을 제공하기 위한 와이어(미도시)가 본딩될 수 있다. 도 2 및 도 3을 참조하면 제1 본딩 패드(122)는 제1 내지 제M 발광 셀(P1 내지 PM) 중 어느 하나의 발광 셀(예컨대, P1)의 제2 도전형 반도체층(146) 위에 배치되며, 제2 도전형 반도체층(146)과 접촉할 수 있다.The first bonding pad 122 may be bonded with a wire (not shown) for providing a first power source. 2 and 3, the first bonding pad 122 is disposed on the second conductive semiconductor layer 146 of any one of the first to Mth light emitting cells P1 to PM. The semiconductor device may be disposed in contact with the second conductivity-type semiconductor layer 146.

또한, 제2 본딩 패드(126)는 제2 전원을 제공하기 위한 와이어(미도시)가 본딩될 수 있다. 도 2 및 도 5를 참조하면 제2 본딩 패드(122)는 제1 내지 제M 발광 셀(P1 내지 PM) 중 다른 하나의 발광 셀(예컨대, P=9)의 제1 도전형 반도체층(142) 위에 배치되며, 제1 도전형 반도체층(142)과 접촉할 수 있다.In addition, the second bonding pad 126 may be bonded with a wire (not shown) for providing a second power source. 2 and 5, the second bonding pad 122 may include a first conductive semiconductor layer 142 of another light emitting cell (eg, P = 9) among the first to Mth light emitting cells P1 to PM. Disposed on the substrate) and in contact with the first conductivity-type semiconductor layer 142.

제2 전극과 제2 도전형 반도체층(146) 사이에 전도층(110-1 ~ 110-M)이 더 배치될 수도 있다. 각 전도층(110-m)은 전반사를 감소시킬 뿐만 아니라 투광성이 좋기 때문에 활성층(144)으로부터 방출되어 제2 도전형 반도체층(146)을 거친 빛의 추출 효율을 증가시킬 수 있다. 각 전도층(110-m)은 발광 파장에 대해 투과율이 높은 투명한 산화물계 물질, 예컨대, ITO(Indium Tin Oxide), TO(Tin Oxide), IZO(Indium Zinc Oxide), IZTO(Indium Zinc Tin Oxide), IAZO(Indium Aluminium Zinc Oxide), IGZO(Indium Gallium Zinc Oxide), IGTO(Indium Gallium Tin Oxide), AZO(Aluminium Zinc Oxide), ATO(Aluminium Tin Oxide), GZO(Gallium Zinc Oxide), IrOx, RuOx, RuOx/ITO, Ni, Ag, Ni/IrOx/Au 또는 Ni/IrOx/Au/ITO 중 적어도 하나 이상을 이용하여 단층 또는 다층으로 구현될 수 있다.The conductive layers 110-1 to 110 -M may be further disposed between the second electrode and the second conductive semiconductor layer 146. Each conductive layer 110-m not only reduces total reflection but also has good light transmittance, thereby increasing light extraction efficiency emitted from the active layer 144 and passing through the second conductivity-type semiconductor layer 146. Each conductive layer 110-m is a transparent oxide-based material having high transmittance with respect to the emission wavelength, such as indium tin oxide (ITO), tin oxide (TO), indium zinc oxide (IZO), and indium zinc tin oxide (IZTO). , Indium Aluminum Zinc Oxide (IAZO), Indium Gallium Zinc Oxide (IGZO), Indium Gallium Tin Oxide (IGTO), Aluminum Zinc Oxide (AZO), Aluminum Tin Oxide (ATO), Gallium Zinc Oxide (GZO), IrOx, RuOx, At least one or more of RuOx / ITO, Ni, Ag, Ni / IrOx / Au or Ni / IrOx / Au / ITO may be used as a single layer or a multilayer.

제2 도전형 반도체층(146) 위에 배치된 각 전도층(110-m)의 면적은 제2 도전형 반도체층(146)의 상부 면적 이하일 수 있다.An area of each conductive layer 110-m disposed on the second conductive semiconductor layer 146 may be equal to or less than an upper area of the second conductive semiconductor layer 146.

한편, 제1 내지 제N 연결 배선(124-1 ~ 124-N)은 복수의 발광 셀(P1 ~ PM)을 서로 연결하는 역할을 한다. 즉, 제1 내지 제N 연결 배선(124-1 ~ 124-N)은 이웃하는 발광 셀들을 전기적으로 연결하는 역할을 한다. 즉, 제i 연결 배선(124-i, 1 ≤ i ≤ M-1)은 제i 발광 영역(Pi), 제i+1 발광 영역[P(i+1)] 및 그[Pi, P(i+1)] 사이의 경계 영역(S) 상에 위치하여, 이웃하는 제i 발광 셀(Pi)과 제i+1 발광 셀[P(i+1)]을 전기적으로 연결하는 역할을 한다. 예를 들어, 제1 연결 배선(124-1, i=1)은 이웃하는 제1 발광 셀(P1)과 제2 발광 셀(P2)을 전기적으로 연결하고, 도 5에 예시된 바와 같이, 제7 연결 배선(124-7)은 제7 발광 영역(P7), 제8 발광 영역(P8) 및 그(P7, P8) 사이의 경계 영역(S) 상에 위치하여, 이웃하는 제7 발광 셀(P7)과 제8 발광 셀(P8)을 전기적으로 서로 연결한다.Meanwhile, the first to Nth connection wirings 124-1 to 124-N connect the plurality of light emitting cells P1 to PM with each other. That is, the first to Nth connection lines 124-1 to 124-N electrically connect neighboring light emitting cells. That is, the i-th connection wiring 124-i (1 ≤ i ≤ M-1) includes the i-th light emitting region Pi, the i + 1th light emitting region [P (i + 1)], and [Pi, P (i +1)] on the boundary region S to electrically connect the neighboring i th light emitting cell Pi and the i th +1 th light emitting cell P (i + 1). For example, the first connection wires 124-1 and i = 1 electrically connect the neighboring first light emitting cells P1 and the second light emitting cells P2, and are illustrated in FIG. 5. The seventh connection wires 124-7 are positioned on the seventh light emitting area P7, the eighth light emitting area P8, and the boundary area S between them (P7, P8), and adjacent seventh light emitting cells ( P7) and the eighth light emitting cell P8 are electrically connected to each other.

도 2 내지 도 5의 경우, 제1 내지 제N 연결 배선(124-1 ~ 124-N)에 의해 제1 내지 제M 발광 셀(P1 ~ PM)이 전기적으로 서로 직렬 연결되어 있다. 이 경우, N=M-1이다. 제1 내지 제N 연결 배선(124-1 ~ 124-N)은 제1 본딩 패드(122)가 위치하는 제1 발광 셀(P1)을 시점으로 하고, 제2 본딩 패드(126)가 위치하는 제M 발광 영역(PM)을 종점으로 하여 제1 내지 제M 발광 셀들(P1 내지 PM)을 직렬 연결할 수 있다. 그러나, 실시예는 이에 국한되지 않으며, 제1 내지 제M 발광 셀(P1 ~ PM) 중 적어도 일부가 연결 배선에 의해 전기적으로 서로 병렬로 연결될 수도 있다.2 to 5, the first to Mth light emitting cells P1 to PM are electrically connected to each other in series by the first to Nth connection wires 124-1 to 124-N. In this case, N = M-1. The first to Nth connection wires 124-1 to 124-N refer to the first light emitting cell P1 in which the first bonding pad 122 is positioned, and the second bonding pad 126 is located in the first to Nth connection wires 124-1 to 124-N. The first to Mth light emitting cells P1 to PM may be connected in series with the M light emitting area PM as an end point. However, the embodiment is not limited thereto, and at least some of the first to Mth light emitting cells P1 to PM may be electrically connected in parallel to each other by connection wiring.

제1 내지 제N 연결 배선(124-1 ~ 124-N) 각각은 제1 및 제2 전극 각각과 동일하거나 서로 다른 물질로 이루어질 수 있다. 만일, 제1 내지 제N 연결 배선(124-1 ~ 124-N)이 제1 및 제2 전극과 동일한 물질로 이루어질 경우 전술한 바와 같이 연결 배선은 제1 또는 제2 전극과 일체형으로 이루어질 수도 있다. 제1 내지 제N 연결 배선(124-1 ~ 124-N) 각각은 Cr, Rd, Au, Ni, Ti 또는 Pt 중 적어도 하나를 포함할 수 있으나 이에 국한되지 않는다.Each of the first to Nth connection lines 124-1 to 124-N may be formed of the same or different materials as those of the first and second electrodes. If the first to Nth connection wires 124-1 to 124-N are made of the same material as the first and second electrodes, the connection wires may be integrally formed with the first or second electrode as described above. . Each of the first to Nth connection wires 124-1 to 124-N may include at least one of Cr, Rd, Au, Ni, Ti, or Pt, but is not limited thereto.

한편, 절연층(160)은 제1 내지 제N 연결 배선(124-1 ~ 124-N)과 그 연결 배선에 의해 연결되는 이웃하는 발광 셀들 사이에 배치되어, 연결 배선과 발광 셀들을 전기적으로 절연시킨다. 즉, 절연층(160)은 제i 연결 배선(124-i)과 그 배선(124-i)에 의해 연결되는 이웃하는 제i 및 제i+1 발광 셀들[Pi, P(i+1)] 사이에 배치되어, 제i 연결 배선(124-i)과 제i 발광 셀(Pi)을 전기적으로 절연시키고, 제i 연결 배선(124-i)과 제i+1 발광 셀[P(i+1)]을 전기적으로 절연시킨다. 예를 들어, 도 5를 참조하면, 절연층(160)은 제7 연결 배선(124-7)과 이웃하는 제7 및 제8 발광 셀(P7, P8) 사이에 배치되어, 제7 연결 배선(124-7)과 제7 및 제8 발광 셀들(P7, P8) 각각을 전기적으로 절연시킨다. 그러나, 실시예는 이에 국한되지 않는다. 즉, 다른 실시예에 의하면, 절연층(160)은 복수의 발광 셀들(P1 ~ PM) 및 경계 영역 상에 더 배치될 수도 있다. 즉, 절연층(160)은 복수의 발광 셀들(P1 ~ PM)의 상면과 측면을 덮고, 경계 영역(S)을 덮을 수도 있다. 절연층(160)은 투광성 절연 물질, 예컨대, SiO2, SiOx, SiOxNy, Si3N4, 또는 Al2O3 로 형성될 수 있다.Meanwhile, the insulating layer 160 is disposed between the first to Nth connection wirings 124-1 to 124-N and neighboring light emitting cells connected by the connection wirings to electrically insulate the connection wirings and the light emitting cells. Let's do it. That is, the insulating layer 160 includes the i-th connection wiring 124-i and neighboring i th and i + 1 light emitting cells connected by the wiring 124-i [Pi, P (i + 1)]. Interposed between the i th connection wiring 124-i and the i th light emitting cell Pi to electrically insulate the i th connection wiring 124-i and the i th +1 th light emitting cell P (i + 1); )] Is electrically insulated. For example, referring to FIG. 5, the insulating layer 160 is disposed between the seventh connection wiring 124-7 and the neighboring seventh and eighth light emitting cells P7 and P8 to form a seventh connection wiring ( 124-7) and the seventh and eighth light emitting cells P7 and P8 are electrically insulated from each other. However, embodiments are not limited thereto. That is, according to another embodiment, the insulating layer 160 may be further disposed on the plurality of light emitting cells P1 to PM and the boundary area. That is, the insulating layer 160 may cover the top and side surfaces of the plurality of light emitting cells P1 to PM, and may cover the boundary area S. FIG. The insulating layer 160 may be formed of a transparent insulating material such as SiO 2 , SiO x , SiO x N y , Si 3 N 4 , or Al 2 O 3 to be formed Can be.

도 6은 도 2에 도시된 발광 소자(100)의 회로도를 나타낸다.FIG. 6 is a circuit diagram of the light emitting device 100 shown in FIG. 2.

도 2 및 도 6을 참조하면, 발광 소자(100)는 공통된 하나의 (+) 단자, 예컨대, 하나의 제1 본딩 패드(122)를 가지며, 공통된 하나의 (-) 단자, 예컨대, 하나의 제2 본딩 패드(216)을 가질 수 있다.2 and 6, the light emitting device 100 has one common (+) terminal, for example, one first bonding pad 122, and one common (−) terminal, for example, one first. It may have two bonding pads 216.

한편, 도 1에 도시된 기존의 발광 소자(10)의 경우 발광 영역(40) 간의 이격 거리(D1, D2, D3, D4)는 모두 동일하다. 반면에, 실시예에 의하면, 복수의 발광 셀(P1 ~ PM) 중 제1 내지 제N 연결 배선(124-1 ~ 124-N) 중 어느 연결 배선에 의해서도 서로 연결되지 않고 이웃하는 발광 셀들(이하, '제1 이웃 발광 셀들'이라 함) 간의 이격 거리(이하, '제1 이격 거리'라 함)는 연결 배선에 의해 연결되어 이웃하는 발광 셀들(이하, '제2 이웃 발광 셀들'이라 함) 간의 이격 거리(이하, '제2 이격 거리'라 함)보다 작다.Meanwhile, in the conventional light emitting device 10 illustrated in FIG. 1, the separation distances D1, D2, D3, and D4 between the light emitting regions 40 are the same. On the other hand, according to the embodiment, the light emitting cells adjacent to each other without being connected to each other by any of the first to Nth connection wirings 124-1 to 124-N among the plurality of light emitting cells P1 to PM are described below. The distance between the first neighboring light emitting cells (hereinafter, referred to as the first distance) is adjacent to the light emitting cells (hereinafter, referred to as 'second neighboring light emitting cells') connected by a connection line. It is smaller than the separation distance (hereinafter, referred to as 'second separation distance').

즉, 도 2를 참조하면, 제1 및 제6 발광 셀들(P1, P6), 제2 및 제5 발광 셀들(P1, P5), 제4 및 제9 발광 셀들(P4, P9) 및 제5 및 제8 발광 셀들(P5, P8) 각각은 어느 연결 배선에 의해서도 연결되지 않으면서 이웃하는 제1 이웃 발광 셀들에 해당한다. 또한, 제1 및 제2 발광 셀들(P1, P2), 제2 및 제3 발광 셀들(P2, P3), 제3 및 제4 발광 셀들(P3, P4), 제4 및 제5 발광 셀들(P4, P5), 제5 및 제6 발광 셀들(P5, P6), 제6 및 제7 발광 셀들(P6, P7), 제7 및 제8 발광 셀들(P7, P8) 및 제8 및 제9 발광 셀들(P8, P9) 각각은 연결 배선에 의해서 연결되면서 이웃하는 제2 이웃 발광 셀들에 해당한다.That is, referring to FIG. 2, first and sixth light emitting cells P1 and P6, second and fifth light emitting cells P1 and P5, fourth and ninth light emitting cells P4 and P9, and fifth and Each of the eighth light emitting cells P5 and P8 corresponds to neighboring first neighboring light emitting cells without being connected by any connection line. In addition, the first and second light emitting cells P1 and P2, the second and third light emitting cells P2 and P3, the third and fourth light emitting cells P3 and P4, and the fourth and fifth light emitting cells P4. , P5), fifth and sixth light emitting cells P5 and P6, sixth and seventh light emitting cells P6 and P7, seventh and eighth light emitting cells P7 and P8, and eighth and ninth light emitting cells Each of P8 and P9 corresponds to neighboring second neighboring light emitting cells connected by a connection line.

제1 이웃 발광 셀들은 제1 방향으로 이웃하며, 제2 이웃 발광 셀들은 제1 방향으로 이웃할 수도 있고, 제2 방향으로 이웃할 수도 있다. 이하, 제1 방향으로 이웃하는 제2 이웃 발광 셀들을 '제2-1 이웃 발광 셀들'이라 하고, 제2 방향으로 이웃하는 제2 이웃 발광 셀들을 '제2-2 이웃 발광 셀들'이라 한다. 제1 방향과 제2 방향은 서로 다른 방향이다. 예를 들어, 제1 방향과 제2 방향은 서로 직교할 수 있으며, 제1 방향은 수직 방향이고, 제2 방향은 수평 방향일 수 있지만, 실시예는 이에 국한되지 않는다.The first neighboring light emitting cells may neighbor in the first direction, and the second neighboring light emitting cells may neighbor in the first direction or may neighbor in the second direction. Hereinafter, second neighboring light emitting cells neighboring in the first direction are referred to as '2-1 neighboring light emitting cells', and second neighboring light emitting cells neighboring in the second direction are referred to as 'second-2 neighboring light emitting cells'. The first direction and the second direction are different directions. For example, the first direction and the second direction may be orthogonal to each other, the first direction may be a vertical direction, and the second direction may be a horizontal direction, but embodiments are not limited thereto.

도 2를 참조하면, 제3 및 제4 발광 셀들(P3, P4)은 '제2-1 이웃 발광 셀들'에 해당하며, 제6 및 제7 발광 셀들(P6, P7)도 '제2-1 이웃 발광 셀들'에 해당한다. 또한, 제1 및 제2 발광 셀들(P1, P2), 제2 및 제3 발광 셀들(P2, P3), 제4 및 제5 발광 셀들(P4, P5), 제5 및 제6 발광 셀들(P5, P6), 제7 및 제8 발광 셀들(P7, P8) 및 제8 및 제9 발광 셀들(P8, P9) 각각은 '제2-2 이웃 발광 셀들'에 해당한다.Referring to FIG. 2, the third and fourth light emitting cells P3 and P4 correspond to '2-1 neighboring light emitting cells', and the sixth and seventh light emitting cells P6 and P7 are also referred to as 'second-1'. Corresponding to neighboring light emitting cells. Further, the first and second light emitting cells P1 and P2, the second and third light emitting cells P2 and P3, the fourth and fifth light emitting cells P4 and P5, and the fifth and sixth light emitting cells P5. , P6), seventh and eighth light emitting cells P7 and P8, and eighth and ninth light emitting cells P8 and P9 respectively correspond to 'second-2 neighboring light emitting cells'.

이하, 제2-1 이웃 발광 셀들이 이격된 거리를 '제2-1 이격 거리'라 하고, 제2-2 이웃 발광 셀들이 이격된 거리를 '제2-2 이격 거리'라 한다.Hereinafter, the distance where the 2-1 neighboring light emitting cells are spaced apart is referred to as a '2-1 spaced distance', and the distance where the 2-2 neighboring light emitting cells are spaced apart is called a 'second-2 spaced distance'.

일시예에 의하면, 제1 이격 거리는 제2-1 이격 거리보다 작고, 제2-2 이격 거리보다 작을 수 있다. 이때, 제2-1 이격 거리와 제2-2 이격 거리는 서로 동일할 수도 있고 다를 수도 있다. 예를 들어, 제2-1 이격 거리는 제2-2 이격 거리보다 작을 수도 있다.In some embodiments, the first separation distance may be smaller than the 2-1 separation distance and smaller than the 2-2 separation distance. At this time, the 2-1 separation distance and the 2-2 separation distance may be the same or different from each other. For example, the 2-1 separation distance may be smaller than the 2-2 separation distance.

다른 실시예에 의하면, 제1 이격 거리는 제2-1 이격 거리보다 작지만, 제1 이격 거리는 제2-2 이격 거리와 동일할 수 있다. 이와 같이, 제2-1 이격 거리와 제2-2 이격 거리는 서로 동일하지 않고 다를 수도 있다.In another embodiment, the first separation distance may be smaller than the 2-1 separation distance, but the first separation distance may be the same as the second-2 separation distance. As such, the 2-1 separation distance and the 2-2 separation distance may not be the same or may be different from each other.

또 다른 실시예에 의하면, 제1 이격 거리는 제2-2 이격 거리보다 작지만, 제1 이격 거리는 제2-1 이격 거리와 동일할 수 있다. 이와 같이, 제2-1 이격 거리와 제2-2 이격 거리는 서로 동일하지 않고 다를 수 있다.According to another embodiment, the first separation distance is smaller than the 2-2 separation distance, but the first separation distance may be equal to the 2-1 separation distance. As such, the 2-1 separation distance and the 2-2 separation distance may not be the same or may be different.

한편, 발광 구조물(140)의 측면은 기판(130)에 대해 경사질 수 있다. 즉, 도 3에 예시된 바와 같이, 제1 도전형 반도체층(142)의 측면은 기판(130)에 대해 경사각(θ1)으로 경사지고, 노출된 제1 도전형 반도체층(142)에 인접한 측면은 경사각(θ2)으로 경사질 수도 있다. 이와 같이, 발광 구조물(140)의 측면을 경사지게 형성하는 이유는, 이웃하는 발광 셀을 전기적으로 연결하는 연결 배선의 끊김을 방지하기 위해서이다. 예를 들어, 발광 구조물(140)의 측면이 경사져 있지 않고 직각으로 구현될 경우(즉, θ1=90°인 경우), 도 5에 예시된 바와 같이 경계 영역(S) 상에 배치되는 연결 배선(124-7)이 끊어질 수도 있다. 이를 위해 경사각(θ1, θ2)은 30° 내지 80°일 수 있다.Meanwhile, the side surface of the light emitting structure 140 may be inclined with respect to the substrate 130. That is, as illustrated in FIG. 3, the side surface of the first conductivity type semiconductor layer 142 is inclined at an inclination angle θ 1 with respect to the substrate 130, and is adjacent to the exposed first conductivity type semiconductor layer 142. The side may be inclined at an inclination angle θ 2 . As such, the reason why the side surface of the light emitting structure 140 is formed to be inclined is to prevent breakage of the connection wiring electrically connecting the neighboring light emitting cells. For example, when the side surface of the light emitting structure 140 is not inclined and implemented at a right angle (that is, when θ 1 = 90 °), the connection wiring disposed on the boundary area S as illustrated in FIG. 5. (124-7) may be cut off. To this end, the inclination angles θ 1 and θ 2 may be 30 ° to 80 °.

발광 구조물(140)의 측면이 경사진 경우, 도 2 내지 도 5를 참조하여, 전술한 제1 이격 거리, 제2-1 이격 거리 및 제2-2 이격 거리 각각에 대해 구체적으로 살펴보면 다음과 같다.When the side surface of the light emitting structure 140 is inclined, referring to FIG. 2 to FIG. 5, each of the above-described first separation distance, 2-1 separation distance, and 2-2 separation distance will be described in detail as follows. .

일 실시예에 의하면, 제1 이격 거리는 제1 이웃 발광 셀들의 제1 도전형 반도체층 사이의 이격 거리에 해당할 수 있다. 즉, 제1 및 제6 발광 셀들(P1, P6)의 제1 도전형 반도체층(142) 사이의 이격 거리(D11)가 제1 이격 거리에 해당하고, 제2 및 제5 발광 셀들(P2, P5)의 제1 도전형 반도체층(142) 사이의 이격 거리(D11)가 제1 이격 거리에 해당하고, 제4 및 제9 발광 셀들(P4, P9)의 제1 도전형 반도체층(142) 사이의 이격 거리(D11)가 제1 이격 거리에 해당하고, 제5 및 제8 발광 셀들(P5, P8)의 제1 도전형 반도체층(142) 사이의 이격 거리(D11)가 제1 이격 거리에 해당할 수 있다.In example embodiments, the first separation distance may correspond to the separation distance between the first conductive semiconductor layers of the first neighboring light emitting cells. That is, the separation distance D11 between the first conductive semiconductor layer 142 of the first and sixth light emitting cells P1 and P6 corresponds to the first separation distance, and the second and fifth light emitting cells P2, The separation distance D11 between the first conductivity-type semiconductor layer 142 of P5 corresponds to the first separation distance, and the first conductivity-type semiconductor layer 142 of the fourth and ninth light emitting cells P4 and P9. The separation distance D11 between them corresponds to the first separation distance, and the separation distance D11 between the first conductive semiconductor layer 142 of the fifth and eighth light emitting cells P5 and P8 corresponds to the first separation distance. It may correspond to.

이때, 제2 이격 거리는 제2 이웃 발광 셀들의 제1 도전형 반도체층 사이의 이격 거리에 해당할 수 있다. 먼저, 제2 이웃 발광 셀들이 제1 방향으로 이격된 제2-1 이웃 발광 셀들인 경우, 제3 및 제4 발광 셀들(P3, P4)의 제1 도전형 반도체층(142) 사이의 이격 거리(D2-11)가 제2 이격 거리에 해당하고, 제6 및 제7 발광 셀들(P6, P7)의 제1 도전형 반도체층(142) 사이의 이격 거리(D2-11)가 제2 이격 거리에 해당할 수 있다. 또는, 제2 이웃 발광 셀들이 제2 방향으로 이격된 제2-2 이웃 발광 셀들인 경우, 제1 및 제2 발광 셀들(P1, P2)의 제1 도전형 반도체층(142) 사이의 이격 거리(D2-21)가 제2 이격 거리에 해당하고, 제2 및 제3 발광 셀들(P2, P3)의 제1 도전형 반도체층(142) 사이의 이격 거리(D2-21)가 제2 이격 거리에 해당하고, 제4 및 제5 발광 셀들(P4, P5)의 제1 도전형 반도체층(142) 사이의 이격 거리(D2-21)가 제2 이격 거리에 해당하고, 제5 및 제6 발광 셀들(P5, P6)의 제1 도전형 반도체층(142) 사이의 이격 거리(D2-21)가 제2 이격 거리에 해당하고, 제7 및 제8 발광 셀들(P7, P8)의 제1 도전형 반도체층(142) 사이의 이격 거리(D2-21)가 제2 이격 거리에 해당하고, 제8 및 제9 발광 셀들(P8, P9)의 제1 도전형 반도체층(142) 사이의 이격 거리(D2-21)가 제2 이격 거리에 해당할 수 있다.In this case, the second separation distance may correspond to the separation distance between the first conductive semiconductor layers of the second neighboring light emitting cells. First, when the second neighboring light emitting cells are 2-1 neighboring light emitting cells spaced apart in the first direction, the separation distance between the first conductive semiconductor layer 142 of the third and fourth light emitting cells P3 and P4. (D2-11) corresponds to the second separation distance, and the separation distance D2-11 between the first conductive semiconductor layer 142 of the sixth and seventh light emitting cells P6 and P7 is the second separation distance. It may correspond to. Alternatively, when the second neighboring light emitting cells are the second-2 neighboring light emitting cells spaced apart in the second direction, the separation distance between the first conductive semiconductor layer 142 of the first and second light emitting cells P1 and P2. (D2-21) corresponds to the second separation distance, and the separation distance (D2-21) between the first conductive semiconductor layer 142 of the second and third light emitting cells P2 and P3 is the second separation distance. , The separation distance D2-21 between the first conductive semiconductor layer 142 of the fourth and fifth light emitting cells P4 and P5 corresponds to the second separation distance, and the fifth and sixth light emission The separation distance D2-21 between the first conductivity-type semiconductor layers 142 of the cells P5 and P6 corresponds to the second separation distance, and the first conductivity of the seventh and eighth light emitting cells P7 and P8. The separation distance D2-21 between the type semiconductor layers 142 corresponds to the second separation distance, and the separation distance between the first conductive semiconductor layers 142 of the eighth and ninth light emitting cells P8 and P9. (D2-21) may correspond to the second separation distance.

다른 실시예에 의하면, 제1 이격 거리는 제1 이웃 발광 셀들의 제2 도전형 반도체층 사이의 이격 거리에 해당할 수 있다. 즉, 제1 및 제6 발광 셀들(P1, P6)의 제2 도전형 반도체층(146) 사이의 이격 거리(D12)가 제1 이격 거리에 해당하고, 제2 및 제5 발광 셀들(P2, P5)의 제2 도전형 반도체층(146) 사이의 이격 거리(D12)가 제1 이격 거리에 해당하고, 제4 및 제9 발광 셀들(P4, P9)의 제2 도전형 반도체층(146) 사이의 이격 거리(D12)가 제1 이격 거리에 해당하고, 제5 및 제8 발광 셀들(P5, P8)의 제2 도전형 반도체층(146) 사이의 이격 거리(D12)가 제1 이격 거리에 해당할 수 있다.In example embodiments, the first separation distance may correspond to the separation distance between the second conductive semiconductor layers of the first neighboring light emitting cells. That is, the separation distance D12 between the second conductive semiconductor layer 146 of the first and sixth light emitting cells P1 and P6 corresponds to the first separation distance, and the second and fifth light emitting cells P2, The separation distance D12 between the second conductivity-type semiconductor layer 146 of P5 corresponds to the first separation distance, and the second conductivity-type semiconductor layer 146 of the fourth and ninth light emitting cells P4 and P9. The separation distance D12 corresponds to the first separation distance, and the separation distance D12 between the second conductive semiconductor layers 146 of the fifth and eighth light emitting cells P5 and P8 corresponds to the first separation distance. It may correspond to.

이때, 제2 이격 거리는 제2 이웃 발광 셀들의 제2 도전형 반도체층 사이의 이격 거리에 해당할 수 있다. 먼저, 제2 이웃 발광 셀들이 제1 방향으로 이격된 제2-1 이웃 발광 셀들인 경우, 제3 및 제4 발광 셀들(P3, P4)의 제2 도전형 반도체층(146) 사이의 이격 거리(D2-12)가 제2 이격 거리에 해당하고, 제6 및 제7 발광 셀들(P6, P7)의 제2 도전형 반도체층(146) 사이의 이격 거리(D2-12)가 제2 이격 거리에 해당할 수 있다. 또는, 제2 이웃 발광 셀들이 제2 방향으로 이격된 제2-2 이웃 발광 셀들인 경우, 제1 및 제2 발광 셀들(P1, P2)의 제2 도전형 반도체층(146) 사이의 이격 거리(D2-22)가 제2 이격 거리에 해당하고, 제2 및 제3 발광 셀들(P2, P3)의 제2 도전형 반도체층(146) 사이의 이격 거리(D2-22)가 제2 이격 거리에 해당하고, 제4 및 제5 발광 셀들(P4, P5)의 제2 도전형 반도체층(146) 사이의 이격 거리(D2-22)가 제2 이격 거리에 해당하고, 제5 및 제6 발광 셀들(P5, P6)의 제2 도전형 반도체층(146) 사이의 이격 거리(D2-22)가 제2 이격 거리에 해당하고, 제7 및 제8 발광 셀들(P7, P8)의 제2 도전형 반도체층(146) 사이의 이격 거리(D2-22)가 제2 이격 거리에 해당하고, 제8 및 제9 발광 셀들(P8, P9)의 제2 도전형 반도체층(146) 사이의 이격 거리(D2-22)가 제2 이격 거리에 해당할 수 있다.In this case, the second separation distance may correspond to the separation distance between the second conductive semiconductor layers of the second neighboring light emitting cells. First, when the second neighboring light emitting cells are 2-1 neighboring light emitting cells spaced apart in the first direction, the separation distance between the second conductive semiconductor layer 146 of the third and fourth light emitting cells P3 and P4. (D2-12) corresponds to the second separation distance, and the separation distance D2-12 between the second conductive semiconductor layer 146 of the sixth and seventh light emitting cells P6 and P7 is the second separation distance. It may correspond to. Alternatively, when the second neighboring light emitting cells are the second-2 neighboring light emitting cells spaced apart in the second direction, the separation distance between the second conductive semiconductor layer 146 of the first and second light emitting cells P1 and P2. (D2-22) corresponds to the second separation distance, and the separation distance D2-22 between the second conductive semiconductor layer 146 of the second and third light emitting cells P2 and P3 is the second separation distance. , The separation distance D2-22 between the second conductive semiconductor layer 146 of the fourth and fifth light emitting cells P4 and P5 corresponds to the second separation distance, and the fifth and sixth emission The separation distance D2-22 between the second conductivity-type semiconductor layer 146 of the cells P5 and P6 corresponds to the second separation distance, and the second conductivity of the seventh and eighth light emitting cells P7 and P8. The separation distance D2-22 between the semiconductor layers 146 corresponds to the second separation distance, and the separation distance between the second conductive semiconductor layers 146 of the eighth and ninth light emitting cells P8 and P9. (D2-22) may correspond to the second separation distance.

또 다른 실시예에 의하면, 제1 이격 거리는 제1 이웃 발광 셀들의 전도층 사이의 이격 거리에 해당할 수 있다. 즉, 제1 및 제6 발광 셀들(P1, P6) 각각의 전도층(110-1, 110-6) 사이의 이격 거리(D13)가 제1 이격 거리에 해당하고, 제2 및 제5 발광 셀들(P2, P5) 각각의 전도층(110-2, 110-5) 사이의 이격 거리(D13)가 제1 이격 거리에 해당하고, 제4 및 제9 발광 셀들(P4, P9) 각각의 전도층(110-4, 110-9) 사이의 이격 거리(D13)가 제1 이격 거리에 해당하고, 제5 및 제8 발광 셀들(P5, P8) 각각의 전도층(110-5, 110-8) 사이의 이격 거리(D13)가 제1 이격 거리에 해당할 수 있다.In another embodiment, the first separation distance may correspond to the separation distance between the conductive layers of the first neighboring light emitting cells. That is, the separation distance D13 between the conductive layers 110-1 and 110-6 of each of the first and sixth light emitting cells P1 and P6 corresponds to the first separation distance, and the second and fifth light emitting cells The separation distance D13 between the conductive layers 110-2 and 110-5 of each of the conductive layers P2 and P5 corresponds to the first separation distance, and the conductive layer of each of the fourth and ninth light emitting cells P4 and P9. The separation distance D13 between the 110-4 and 110-9 corresponds to the first separation distance, and the conductive layers 110-5 and 110-8 of each of the fifth and eighth light emitting cells P5 and P8 are disposed. The separation distance D13 may correspond to the first separation distance.

이때, 제2 이격 거리는 제2 이웃 발광 셀들의 전도층 사이의 이격 거리에 해당할 수 있다. 먼저, 제2 이웃 발광 셀들이 제1 방향으로 이격된 제2-1 이웃 발광 셀들인 경우, 제3 및 제4 발광 셀들(P3, P4) 각각의 전도층(110-3, 110-4) 사이의 이격 거리(D2-13)가 제2 이격 거리에 해당하고, 제6 및 제7 발광 셀들(P6, P7) 각각의 전도층(110-6, 110-7) 사이의 이격 거리(D2-13)가 제2 이격 거리에 해당할 수 있다. 또는, 제2 이웃 발광 셀들이 제2 방향으로 이격된 제2-2 이웃 발광 셀들인 경우, 제1 및 제2 발광 셀들(P1, P2) 각각의 전도층(110-1, 110-2) 사이의 이격 거리(D2-23)가 제2 이격 거리에 해당하고, 제2 및 제3 발광 셀들(P2, P3) 각각의 전도층(110-2, 110-3) 사이의 이격 거리(D2-23)가 제2 이격 거리에 해당하고, 제4 및 제5 발광 셀들(P4, P5) 각각의 전도층(110-4, 110-5) 사이의 이격 거리(D2-23)가 제2 이격 거리에 해당하고, 제5 및 제6 발광 셀들(P5, P6) 각각의 전도층(110-5, 110-6) 사이의 이격 거리(D2-23)가 제2 이격 거리에 해당하고, 제7 및 제8 발광 셀들(P7, P8) 각각의 전도층(110-7, 110-8) 사이의 이격 거리(D2-23)가 제2 이격 거리에 해당하고, 제8 및 제9 발광 셀들(P8, P9) 각각의 전도층(110-8, 110-9) 사이의 이격 거리(D2-23)가 제2 이격 거리에 해당할 수 있다.In this case, the second separation distance may correspond to the separation distance between the conductive layers of the second neighboring light emitting cells. First, when the second neighboring light emitting cells are 2-1 neighboring light emitting cells spaced apart in the first direction, between the conductive layers 110-3 and 110-4 of each of the third and fourth light emitting cells P3 and P4. The separation distance D2-13 corresponds to the second separation distance, and the separation distance D2-13 between the conductive layers 110-6 and 110-7 of each of the sixth and seventh light emitting cells P6 and P7. ) May correspond to the second separation distance. Alternatively, when the second neighboring light emitting cells are 2-2 neighboring light emitting cells spaced apart in a second direction, between the conductive layers 110-1 and 110-2 of each of the first and second light emitting cells P1 and P2. The separation distance D2-23 corresponds to the second separation distance, and the separation distance D2-23 between the conductive layers 110-2 and 110-3 of each of the second and third light emitting cells P2 and P3. ) Corresponds to the second separation distance, and the separation distance D2-23 between the conductive layers 110-4 and 110-5 of each of the fourth and fifth light emitting cells P4 and P5 corresponds to the second separation distance. The separation distance D2-23 between the conductive layers 110-5 and 110-6 of each of the fifth and sixth light emitting cells P5 and P6 corresponds to the second separation distance. The separation distance D2-23 between the conductive layers 110-7 and 110-8 of each of the eight light emitting cells P7 and P8 corresponds to the second separation distance, and the eighth and ninth light emitting cells P8 and P9. The separation distance D2-23 between the conductive layers 110-8 and 110-9 may correspond to the second separation distance.

실시예에 의하면, 제1 이격 거리는 제1 이웃 발광 셀들 간의 단락을 방지하기 위해 유지해야 하는 제1 이웃 발광 셀들 간의 최소값을 고려하여 결정된다. 이를 위한, 제1 이격 거리는 제2 이격 거리의 0.2 배 이상이고 제2 이격 거리 미만일 수 있다. 또한, 제2 이격 거리는 제2 이웃 발광 셀들 간의 단락이 방지되어 제2 이웃 발광 셀들이 안정되게 연결될 수 있을 정도로 설정한다.According to an embodiment, the first spacing distance is determined in consideration of the minimum value between the first neighboring light emitting cells that must be maintained to prevent a short circuit between the first neighboring light emitting cells. For this purpose, the first separation distance may be at least 0.2 times the second separation distance and less than the second separation distance. In addition, the second separation distance is set such that the short circuit between the second neighboring light emitting cells can be prevented and the second neighboring light emitting cells can be stably connected.

예를 들어, 이격 거리(D11)가 제1 이격 거리에 해당하고 이격 거리(D2-11, D2-21)가 제2 이격 거리에 해당할 경우, 제1 이격 거리는 5 ㎛ 내지 20 ㎛이고, 제2 이격 거리는 20 ㎛보다 클 수 있다. 또는, 이격 거리(D12)가 제1 이격 거리에 해당하고, 이격 거리(D2-12, D2-22)가 제2 이격 거리에 해당할 때, 제1 이격 거리는 10 ㎛ 내지 25 ㎛이고, 제2 이격 거리는 25 ㎛보다 클 수 있다.For example, when the separation distance D11 corresponds to the first separation distance and the separation distances D2-11 and D2-21 correspond to the second separation distance, the first separation distance is 5 μm to 20 μm, and The separation distance may be greater than 20 μm. Alternatively, when the separation distance D12 corresponds to the first separation distance, and the separation distances D2-12 and D2-22 correspond to the second separation distance, the first separation distance is 10 μm to 25 μm, and the second The separation distance may be greater than 25 μm.

만일, 발광 구조물(140)의 측면이 기판(130)에 대해 경사져 있지 않다면, D2-21과 D2-22는 동일하고, D2-11과 D2-12는 동일하고, D11과 D12는 동일할 수 있다.If the side of the light emitting structure 140 is not inclined with respect to the substrate 130, D2-21 and D2-22 may be the same, D2-11 and D2-12 may be the same, and D11 and D12 may be the same. .

이하, 도 2 내지 도 5에 각각 도시된 발광 소자(100)에서 발광 셀(P1 ~ PM) 각각의 면적은 동일하고 M=21로 할 경우, 발광 셀의 단위 면적의 증가에 따른 광도(Po)의 개선과 동작 전압(Vf)의 개선을 다음과 같이 살펴본다.Hereinafter, when the area of each of the light emitting cells P1 to PM is the same and M = 21 in the light emitting devices 100 illustrated in FIGS. 2 to 5, the light intensity Po according to an increase in the unit area of the light emitting cells is shown. The improvement of and the improvement of the operating voltage (Vf) are described as follows.

도 7은 발광 면적의 증가에 따른 광도(Po)와 동작 전압(Vf)을 나타내는 그래프로서, 횡축은 발광 면적을 나타내고, 종축은 광도(Po)와 동작 전압(Vf)을 각각 나타낸다.7 is a graph showing the light intensity Po and the operating voltage Vf as the light emission area increases, and the horizontal axis represents the light emission area, and the vertical axis represents the light intensity Po and the operating voltage Vf, respectively.

발광 셀(P1 ~ PM) 각각의 가로(x)와 세로(y)의 크기를 변화시키면서 광도(Po) 및 동작 전압(Vf)의 변화를 살펴보면 다음 표 1 및 도 7과 같다.The changes in the light intensity Po and the operating voltage Vf while changing the sizes of the horizontal x and the vertical y of each of the light emitting cells P1 to PM are shown in Table 1 and FIG. 7.

x(㎛)x (μm) y(㎛)y (μm) 단위 면적(㎛2)Unit area (㎛ 2 ) 전체 면적(㎛2)Total area (㎛ 2 ) Active 증가(%)Active increase (%) Vf(Volt)Vf (Volt) Po(㎽)Po 400.0400.0 200.0200.0 80,00080,000 1,680,0001,680,000 100.0100.0 66.5066.50 543,00543,00 404.0404.0 202.0202.0 81,60881,608 1,713,7681,713,768 102.0102.0 66.2966.29 553.91553.91 408.0408.0 204.0204.0 83,24883,248 1,748,2151,748,215 104.1104.1 66.1966.19 565.05565.05 412.1412.1 206.1206.1 84,92284,922 1,783,3541,783,354 106.2106.2 66.0866.08 568.52568.52

여기서, 단위 면적이란 발광 셀 하나의 면적을 의미하고, 전체 면적은 21개의 발광 셀들의 면적을 모두 합한 면적을 의미하고, Active 증가란 발광 영역의 증가된 정도로서 퍼센트로 나타낸다.Here, the unit area means an area of one light emitting cell, the total area means an area obtained by adding up the areas of 21 light emitting cells, and the active increase is an increase degree of the light emitting area, expressed as a percentage.

전술한 표 1 및 도 7로부터, 실시예에서와 같이 제1 이격 거리가 제2 이격 거리보다 작은 정도로 인한 단위 발광 셀의 면적의 변화가 비록 미미하다고 할지라도, 발광 셀의 개수(M=21)가 많아진다면 광도(Po)와 동작 전압(Vf)이 개선될 수 있음을 알 수 있다. 게다가, 전류 밀도가 감소되어 신뢰성이 개선될 수 있다.From Table 1 and FIG. 7 described above, the number of light emitting cells (M = 21), although the change in the area of the unit light emitting cell due to the extent that the first separation distance is smaller than the second separation distance as in the embodiment, is insignificant. It can be seen that the light intensity Po and the operating voltage Vf can be improved when the P is increased. In addition, the current density can be reduced and the reliability can be improved.

결국, 실시예의 경우, 제1 이웃 발광 셀의 제1 이격 거리가 제2 이웃 발광 셀의 제2 이격 거리보다 작기 때문에, 제1 이격 거리가 제2 이격 거리보다 작은 만큼 발광 영역이 기존(10)보다 더 넓어질 수 있다. 여기서, 발광 영역이 넓어진 만큼 발광 효율이 개선된다.As a result, in the embodiment, since the first spacing distance of the first neighboring light emitting cell is smaller than the second spacing distance of the second neighboring light emitting cell, the light emitting region is existing as much as the first spacing distance is smaller than the second spacing distance. It can be wider than that. Here, the luminous efficiency is improved as the luminous area is wider.

특히, 전술한 바와 같이, 발광 구조물(140)의 측벽이 기판(130)에 대해 경사질 경우 발광 영역의 손실이 불가피하다. 이 경우, 본 실시예는 발광 영역을 증가시킬 수 있다.In particular, as described above, when the sidewall of the light emitting structure 140 is inclined with respect to the substrate 130, the loss of the light emitting area is inevitable. In this case, the present embodiment can increase the light emitting area.

나아가, 이러한 실시예의 특징을 이용하여, 발광 소자를 설계할 때, 제1 방향으로 이웃하는 제1 이웃 발광 셀의 개수를 제2 이웃 발광 셀의 개수보다 많게 할 경우, 발광 영역이 더 넓어져서 발광 효율이 그 만큼 더 개선될 수 있다. Furthermore, when designing a light emitting device using the features of this embodiment, when the number of the first neighboring light emitting cells neighboring in the first direction is larger than the number of the second neighboring light emitting cells, the light emitting area becomes wider to emit light. The efficiency can be further improved by that.

전술한 도 2 내지 도 5에 예시된 발광 소자(100)의 제1 내지 제M 발광 셀(P1 ~ PM) 각각은 수평형 구조를 갖는 것으로 예시되었지만, 실시예는 이에 국한되지 않는다. 즉, 제1 내지 제M 발광 셀 각각이 수직형 또는 플립 칩 구조를 가질 경우에도 본 실시예는 적용될 수 있음은 물론이다.Although each of the first to Mth light emitting cells P1 to PM of the light emitting device 100 illustrated in FIGS. 2 to 5 is illustrated as having a horizontal structure, the embodiment is not limited thereto. That is, this embodiment can be applied to the case where each of the first to Mth light emitting cells has a vertical or flip chip structure.

전술한 실시예에 따른 발광 소자의 복수 개가 기판 상에 발광 소자 패키지 형태로 배열될 수 있으며, 발광 소자 패키지의 광 경로 상에 광학 부재인 도광판, 프리즘 시트, 확산 시트 등이 배치될 수 있다. 이러한 발광 소자 패키지, 기판, 광학 부재는 백라이트 유닛으로 기능할 수 있다.A plurality of light emitting devices according to the above-described embodiments may be arranged in the form of a light emitting device package on a substrate, and a light guide plate, a prism sheet, a diffusion sheet, or the like, which is an optical member, may be disposed on an optical path of the light emitting device package. The light emitting device package, the substrate, and the optical member may function as a backlight unit.

또 다른 실시 예는 상술한 실시 예들에 기재된 발광 소자를 포함하는 표시 장치, 지시 장치, 조명 시스템으로 구현될 수 있으며, 예를 들어, 조명 시스템은 램프, 가로등을 포함할 수 있다.Another embodiment may be implemented as a display device, an indicator device, or a lighting system including the light emitting device described in the above embodiments, for example, the lighting system may include a lamp, a street lamp.

도 8은 실시 예에 따른 발광 소자를 포함하는 조명 장치의 분해 사시도이다. 도 8을 참조하면, 조명 장치는 광을 투사하는 광원(750)과 광원(750)이 내장되는 하우징(700)과 광원(750)의 열을 방출하는 방열부(740) 및 광원(750)과 방열부(740)를 하우징(700)에 결합하는 홀더(760)를 포함한다.8 is an exploded perspective view of a lighting device including a light emitting device according to the embodiment. Referring to FIG. 8, the lighting apparatus includes a light source 750 for projecting light, a housing 700 in which the light source 750 is built, and a heat dissipation unit 740 and a light source 750 that emit heat from the light source 750. The holder 760 couples the heat dissipation part 740 to the housing 700.

하우징(700)은 전기 소켓(미도시)에 결합되는 소켓 결합부(710)와, 소켓 결합부(710)와 연결되고 광원(750)이 내장되는 몸체부(730)를 포함한다. 몸체부(730)에는 하나의 공기 유동구(720)가 관통하여 형성될 수 있다.The housing 700 includes a socket coupling portion 710 coupled to an electrical socket (not shown), and a body portion 730 connected to the socket coupling portion 710 and having a light source 750 embedded therein. One air flow port 720 may be formed through the body portion 730.

하우징(700)의 몸체부(730) 상에 복수 개의 공기 유동구(720)가 구비되며, 공기 유동구(720)는 하나이거나, 복수 개일 수 있다. 공기 유동구(720)는 몸체부(730)에 방사상으로 배치되거나 다양한 형태로 배치될 수 있다.A plurality of air flow holes 720 are provided on the body portion 730 of the housing 700, and one or more air flow holes 720 may be provided. The air flow port 720 may be disposed radially or in various forms in the body portion 730.

광원(750)은 기판(754) 상에 구비되는 복수 개의 발광 소자 패키지(752)를 포함한다. 기판(754)은 하우징(700)의 개구부에 삽입될 수 있는 형상일 수 있으며, 후술하는 바와 같이 방열부(740)로 열을 전달하기 위하여 열전도율이 높은 물질로 이루어질 수 있다. 복수 개의 발광 소자 패키지는 전술한 발광 소자를 포함할 수 있다.The light source 750 includes a plurality of light emitting device packages 752 provided on the substrate 754. The substrate 754 may be shaped to be inserted into the opening of the housing 700, and may be made of a material having high thermal conductivity to transfer heat to the heat dissipation unit 740 as described below. The plurality of light emitting device packages may include the light emitting device described above.

광원(750)의 하부에는 홀더(760)가 구비되며, 홀더(760)는 프레임 및 다른 공기 유동구를 포함할 수 있다. 또한, 도시되지는 않았으나 광원(750)의 하부에는 광학 부재가 구비되어 광원(750)의 발광 소자 패키지(752)에서 투사되는 빛을 확산, 산란 또는 수렴시킬 수 있다.A holder 760 is provided below the light source 750, and the holder 760 may include a frame and other air flow ports. In addition, although not shown, an optical member may be provided under the light source 750 to diffuse, scatter, or converge the light projected from the light emitting device package 752 of the light source 750.

도 9는 실시 예에 따른 발광 소자를 포함하는 표시 장치를 나타낸다.9 illustrates a display device including a light emitting device according to an exemplary embodiment.

도 9를 참조하면, 표시 장치(800)는 바텀 커버(810)와, 바텀 커버(810) 상에 배치되는 반사판(820)과, 광을 방출하는 발광 모듈(830, 835)과, 반사판(820)의 전방에 배치되며 상기 발광 모듈(830, 835)에서 발산되는 빛을 표시 장치 전방으로 안내하는 도광판(840)과, 도광판(840)의 전방에 배치되는 프리즘 시트들(850, 860)을 포함하는 광학 시트와, 광학 시트 전방에 배치되는 디스플레이 패널(870)과, 디스플레이 패널(870)과 연결되고 디스플레이 패널(870)에 화상 신호를 공급하는 화상 신호 출력 회로(872)와, 디스플레이 패널(870)의 전방에 배치되는 컬러 필터(880)를 포함할 수 있다. 여기서 바텀 커버(810), 반사판(820), 발광 모듈(830, 835), 도광판(840), 및 광학 시트는 백라이트 유닛(Backlight Unit)을 이룰 수 있다.9, the display device 800 includes a bottom cover 810, a reflector 820 disposed on the bottom cover 810, light emitting modules 830 and 835 that emit light, and a reflector 820. ) And a light guide plate 840 for guiding light emitted from the light emitting modules 830 and 835 to the front of the display device, and prism sheets 850 and 860 disposed in front of the light guide plate 840. An optical sheet, a display panel 870 disposed in front of the optical sheet, an image signal output circuit 872 connected to the display panel 870 and supplying an image signal to the display panel 870, and a display panel 870 It may include a color filter 880 disposed in front of the). The bottom cover 810, the reflector 820, the light emitting modules 830 and 835, the light guide plate 840, and the optical sheet may form a backlight unit.

발광 모듈은 기판(830) 상의 발광 소자 패키지(835)를 포함하여 이루어진다. 여기서, 기판(830)은 PCB 등이 사용될 수 있다. 발광 소자 패키지(835)는 전술한 실시 예에 따른 발광 소자를 포함할 수 있다.The light emitting module includes a light emitting device package 835 on the substrate 830. Here, the substrate 830 may be a PCB or the like. The light emitting device package 835 may include the light emitting device according to the above-described embodiment.

바텀 커버(810)는 표시 장치(800) 내의 구성 요소들을 수납할 수 있다. 그리고, 반사판(820)은 본 도면처럼 별도의 구성요소로 마련될 수도 있으며, 도광판(840)의 후면이나, 바텀 커버(810)의 전면에 반사도가 높은 물질로 코팅되는 형태로 마련되는 것도 가능하다.The bottom cover 810 may accommodate components in the display device 800. In addition, the reflective plate 820 may be provided as a separate component as shown in the drawing, or may be provided in the form of a high reflective material on the rear surface of the light guide plate 840 or the front surface of the bottom cover 810. .

여기서, 반사판(820)은 반사율이 높고 초박형으로 사용 가능한 소재를 사용할 수 있고, 폴리에틸렌 테레프탈레이트(PolyEthylene Terephtalate; PET)를 사용할 수 있다.Here, the reflective plate 820 may use a material having a high reflectance and being extremely thin, and may use polyethylene terephthalate (PET).

그리고, 도광판(830)은 폴리메틸메타크릴레이트(PolyMethylMethAcrylate; PMMA), 폴리카보네이트(PolyCarbonate; PC), 또는 폴리에틸렌(PolyEthylene; PE) 등으로 형성될 수 있다.The light guide plate 830 may be formed of polymethyl methacrylate (PMMA), polycarbonate (PC), polyethylene (PE), or the like.

그리고, 제1 프리즘 시트(850)는 지지 필름의 일면에, 투광성이면서 탄성을 갖는 중합체 재료로 형성될 수 있으며, 중합체는 복수 개의 입체구조가 반복적으로 형성된 프리즘층을 가질 수 있다. 여기서, 복수 개의 패턴은 도시된 바와 같이 마루와 골이 반복적으로 스트라이프 타입으로 구비될 수 있다.The first prism sheet 850 may be formed of a translucent and elastic polymer material on one surface of the support film, and the polymer may have a prism layer in which a plurality of three-dimensional structures are repeatedly formed. Here, the plurality of patterns may be provided in the stripe type and the valley repeatedly as shown.

그리고, 제2 프리즘 시트(860)에서 지지 필름 일면의 마루와 골의 방향은, 제1 프리즘 시트(850) 내의 지지필름 일면의 마루와 골의 방향과 수직할 수 있다. 이는 발광 모듈과 반사 시트로부터 전달된 빛을 디스플레이 패널(1870)의 전면으로 고르게 분산하기 위함이다.In addition, the direction of the floor and the valley of one surface of the support film in the second prism sheet 860 may be perpendicular to the direction of the floor and the valley of one surface of the support film in the first prism sheet 850. This is to evenly distribute the light transmitted from the light emitting module and the reflective sheet to the front surface of the display panel 1870.

그리고, 도시되지는 않았으나, 도광판(840)과 제1 프리즘 시트(850) 사이에 확산 시트가 배치될 수 있다. 확산 시트는 폴리에스터와 폴리카보네이트 계열의 재료로 이루어질 수 있으며, 백라이트 유닛으로부터 입사된 빛을 굴절과 산란을 통하여 광 투사각을 최대로 넓힐 수 있다. 그리고, 확산 시트는 광확산제를 포함하는 지지층과, 광출사면(제1 프리즘 시트 방향)과 광입사면(반사시트 방향)에 형성되며 광확산제를 포함하지 않는 제1 레이어와 제2 레이어를 포함할 수 있다.Although not shown, a diffusion sheet may be disposed between the light guide plate 840 and the first prism sheet 850. The diffusion sheet may be made of a polyester and polycarbonate-based material, and may maximize the light projection angle through refraction and scattering of light incident from the backlight unit. The diffusion sheet is formed on a support layer including a light diffusing agent, a first layer and a second layer which are formed on the light exit surface (first prism sheet direction) and the light incident surface (reflective sheet direction) and do not include the light diffuser It may include.

실시 예에서 확산 시트, 제1 프리즘시트(850), 및 제2 프리즘시트(860)가 광학 시트를 이루는데, 광학 시트는 다른 조합 예를 들어, 마이크로 렌즈 어레이로 이루어지거나 확산 시트와 마이크로 렌즈 어레이의 조합 또는 하나의 프리즘 시트와 마이크로 렌즈 어레이의 조합 등으로 이루어질 수 있다.In an embodiment, the diffusion sheet, the first prism sheet 850, and the second prism sheet 860 form an optical sheet, which optical sheet is made of another combination, for example, a micro lens array or a diffusion sheet and a micro lens array. Or a combination of one prism sheet and a micro lens array.

디스플레이 패널(870)은 액정 표시 패널(Liquid crystal display)가 배치될 수 있는데, 액정 표시 패널 외에 광원을 필요로 하는 다른 종류의 표시 장치가 구비될 수 있다.The liquid crystal display panel may be disposed on the display panel 870. In addition to the liquid crystal display panel, another type of display device that requires a light source may be provided.

이상에서 실시예를 중심으로 설명하였으나 이는 단지 예시일 뿐 본 발명을 한정하는 것이 아니며, 본 발명이 속하는 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 본 실시예의 본질적인 특성을 벗어나지 않는 범위에서 이상에 예시되지 않은 여러 가지의 변형과 응용이 가능함을 알 수 있을 것이다. 예를 들어, 실시예에 구체적으로 나타난 각 구성 요소는 변형하여 실시할 수 있는 것이다. 그리고 이러한 변형과 응용에 관계된 차이점들은 첨부된 청구 범위에서 규정하는 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.Although described above with reference to the embodiments, which are merely examples and are not intended to limit the present invention. Those skilled in the art to which the present invention pertains should not be exemplified above without departing from the essential characteristics of the present embodiments. It will be appreciated that many variations and applications are possible. For example, each component specifically shown in the embodiment can be modified. And differences relating to these modifications and applications will have to be construed as being included in the scope of the invention defined in the appended claims.

100: 발광 소자 110-1 ~ 110-9: 전도층
122: 제1 본딩 패드` 124-1 ~ 124-9: 연결 배선
126: 제2 본딩 패드 130: 기판
140: 발광 구조물 142: 제1 도전형 반도체층
144: 활성층 146: 제2 도전형 반도체층
152: 제1 전극 154: 제2 전극
160: 절연층 700: 하우징
740: 방열부 750: 광원
760: 홀더 800: 표시 장치
810: 바텀 커버 820: 반사판
830, 835: 발광 모듈 840: 도광판
850, 860: 프리즘 시트들 870: 디스플레이 패널
872: 화상 신호 출력 회로 880: 컬러 필터100: light emitting elements 110-1 to 110-9: conductive layer
122: first bonding pad` 124-1 to 124-9: connection wiring
126: second bonding pad 130: substrate
140: light emitting structure 142: first conductive semiconductor layer
144: active layer 146: second conductive semiconductor layer
152: first electrode 154: second electrode
160: insulating layer 700: housing
740: heat dissipation unit 750: light source
760: holder 800: display device
810: bottom cover 820: reflector
830 and 835: Light emitting module 840: Light guide plate
850, 860: Prism Sheets 870: Display Panel
872: image signal output circuit 880: color filter

Claims (18)

기판;
상기 기판 위에 상호 이격되어 배치된 복수의 발광 셀들; 및
이웃하는 발광 셀들을 전기적으로 연결하는 연결 배선을 포함하고,
상기 복수의 발광 셀 중 상기 연결 배선에 의해 연결되지 않고 이웃하는 제1 이웃 발광 셀들 간의 제1 이격 거리는 상기 연결 배선에 의해 연결되어 이웃하는 제2 이웃 발광 셀들 간의 제2 이격 거리보다 작고,
상기 연결 배선에 의해 연결되지 않고 서로 인접한 제1 발광 셀들의 제1 방향의 제1 길이는 상기 연결 배선에 의해 연결되고 서로 인접한 제2 발광 셀들의 상기 제1 방향의 제2 길이보다 길고, 상기 복수의 발광 셀의 상기 제1 방향과 다른 제2 방향으로의 길이는 동일하고, 상기 제1 발광 셀들의 면적은 상기 제2 발광 셀들의 면적보다 넓고,
상기 제1 방향은 수직 방향이고, 상기 제2 방향은 수평 방향이고,
상기 제1 이웃 발광 셀들이 상기 제1 방향으로 이격된 상기 제1 이격 거리는 상기 제2 이웃 발광 셀들이 상기 제1 방향으로 이격된 제2-1 이격 거리보다 작고,
상기 제1 이웃 발광 셀들이 상기 제1 방향으로 이격된 상기 제1 이격 거리는 상기 제2 이웃 발광 셀들이 상기 제2 방향으로 이격된 제2-2 이격 거리보다 작은 발광 소자.Board;
A plurality of light emitting cells spaced apart from each other on the substrate; And
A connection wiring electrically connecting neighboring light emitting cells,
The first separation distance between the first neighboring light emitting cells that are not connected by the connection wiring among the plurality of light emitting cells is smaller than the second separation distance between the neighboring second neighboring light emitting cells that are connected by the connection wiring,
The first length of the first light emitting cells that are not connected by the connection wiring and adjacent to each other is longer than the second length of the first light emitting cells that are connected by the connecting wiring and adjacent to each other, The length of the light emitting cells in the second direction different from the first direction, the area of the first light emitting cells is wider than the area of the second light emitting cells,
The first direction is a vertical direction, the second direction is a horizontal direction,
The first separation distance from which the first neighboring light emitting cells are spaced in the first direction is smaller than the second-first separation distance from which the second neighboring light emitting cells are spaced in the first direction,
The first separation distance from which the first neighboring light emitting cells are spaced in the first direction is less than the second-2 separation distance from the second neighboring light emitting cells in the second direction. 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete
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