KR102084117B1 - 전자파 차폐용 도전성 조성물, 이로부터 제조된 전자파 차폐층 및 이를 포함하는 회로기판 적층체 - Google Patents

전자파 차폐용 도전성 조성물, 이로부터 제조된 전자파 차폐층 및 이를 포함하는 회로기판 적층체 Download PDF

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Abstract

본 발명의 전자파 차폐용 도전성 조성물은 도전성 분말, 에폭시 수지, 경화제 및 용매를 포함하고, 상기 도전성 분말은 D90 입경이 20㎛ 이하인 은 분말, 및 안티몬 주석 산화물(ATO) 입자를 포함한다.

Description

전자파 차폐용 도전성 조성물, 이로부터 제조된 전자파 차폐층 및 이를 포함하는 회로기판 적층체{CONDUCTIVE COMPOSITION FOR ELECTRO-MAGNETIC SHIELDING, ELECTRO-MAGNETIC SHIELDING LAYER PREPARED THEREFROM AND CIRCUIT BOARD LAMINATE COMPRISING THE SAME}
본 발명은 전자파 차폐용 도전성 조성물, 이로부터 제조된 전자파 차폐층 및 이를 포함하는 회로기판 적층체에 관한 것이다.
최근 들어 통신 기술의 급속한 발달로 전자 기기들의 고집적화, 고정밀화가 기술적으로 가능하게 되었다. 그러나, 기기 내에 밀접 배치되어 있는 인접 회로들 간에 전자파의 상호 간섭으로 인하여 기기의 오작동을 일으키거나, 전자 기기의 외부로 방출되는 전자파로 인하여 여타 정밀 전자기기의 오작동을 일으키는 등의 전자파 장애(EMI: Electromagnetic Interfererence) 문제가 심각해지고 있다.
아울러, 전자 기기로부터 발생하는 전자파의 경우 열 작용에 의해 생체 조직 세포의 온도를 상승시켜 면역 기능을 약화시키거나 유전자의 변형 등과 같이 인체에 좋지 않은 영향을 미칠 수 있다는 연구 결과들이 계속해서 보고되고 있어 신체 유해성에 대한 논란을 불러 일으키면서 전자파 차폐에 대한 필요성은 최근 들어 더욱 절실히 요청되고 있다.
상기와 같은 전자파의 차폐를 위해 현재 일반적으로 사용되고 있는 방식으로는 무전해 도금, 진공 증착, 전도성 페이스트 등의 방식이 있으나, (무전해) 도금 방식의 경우 제조원가가 높고 생산 공정이 복잡하며 환경 오염을 유발하는 등의 문제가 있고, 진공 증착에 의한 방식 역시 비용이 많이 들고 장기적인 신뢰성에 문제가 있어, 스프레이(spray) 식으로 분사하여 차폐하고자 하는 대상의 표면을 코팅함으로써, 생산 효율을 개선시킬 수 있는 전도성 페이스트에 관한 연구가 활발하게 진행되고 있다.
다만, 전도성 페이스트는 스프레이(spray) 분사 시 은 입자의 큰 입도 사이즈로 인해 막밀도가 일정하지 않거나 저하되어, 저항 증가 및 차폐 효과 저하의 단점이 있다.
이에 막밀도가 균일하여 차폐 두께를 줄일 수 있을 뿐만 아니라 우수한 차폐 성능을 갖는 전도성 페이스트가 필요하다.
이에 관한 선행기술은 한국등록 특허 10-0871603에 개시되어 있다.
본 발명의 목적은 차폐 효과가 우수한 전자파 차폐용 도전성 조성물, 이로부터 제조된 전자파 차폐층 및 이를 포함하는 회로기판 적층체를 제공하기 위한 것이다.
본 발명의 다른 목적은 접착력이 우수한 전자파 차폐용 도전성 조성물, 이로부터 제조된 전자파 차폐층을 제공하기 위한 것이다.
본 발명의 또 다른 목적은 경도가 우수하고, 차폐층 두께를 줄일 수 있는 전자파 차폐용 도전성 조성물, 이로부터 제조된 전자파 차폐층 및 회로기판 적층체를 제공하기 위한 것이다.
본 발명의 상기 및 기타의 목적들은 하기 설명되는 본 발명에 의하여 모두 달성될 수 있다.
본 발명의 하나의 관점은 전자파 차폐용 도전성 조성물에 관한 것이다.
일 구체예에 따르면, 상기 전자파 차폐용 도전성 조성물은 도전성 분말, 에폭시 수지, 경화제 및 용매를 포함하고, 상기 도전성 분말은 D90 입경이 20㎛ 이하인 은 분말, 및 안티몬 주석 산화물(ATO) 입자를 포함한다.
상기 은 분말은 플레이크 형상일 수 있다.
상기 은 분말은 전자파 차폐용 도전성 조성물 중 5 내지 50 중량%로 포함될 수 있다.
상기 안티몬 주석 산화물(ATO) 입자는 0 초과 2.5 중량% 이하로 포함될 수 있다.
상기 안티몬 주석 산화물(ATO) 입자는 평균입경(D50)이 10nm 내지 1,000nm일 수 있다.
상기 도전성 분말은 금(Au), 알루미늄(Al), 팔라듐(Pd), 니켈(Ni), 백금(Pt) 및 구리(Cu) 중 하나 이상을 더 포함할 수 있다.
일 구체예에서, 상기 에폭시 수지는 중량평균분자량(Mw)이 1,000 내지 100,000인 제1 에폭시 수지 및 중량평균분자량(Mw)이 10 이상 1,000 미만인 제2 에폭시 수지를 포함할 수 있다.
상기 제1 에폭시 수지 및 제2 에폭시 수지는 0.25 : 1 내지 4 : 1의 중량비로 포함될 수 있다.
본 발명의 다른 관점은 전자파 차폐층에 관한 것이다.
일 구체예에서, 상기 전자파 차폐층은 상기 전자파 차폐용 도전성 조성물로 형성될 수 있다.
상기 전자파 차폐층은 접착력이 3B 이상일 수 있다.
상기 전자파 차폐층은 10㎛ 두께에서 면저항이 40 mΩ/□ 이하일 수 있다.
본 발명의 또 다른 관점은 회로기판 적층체에 관한 것이다.
일 구체예에서, 상기 회로기판 적층체는 회로기판 상에 형성되는 밀봉층 및 상기 밀봉층 상에 형성되는 상기 전자파 차폐층을 포함할 수 있다.
본 발명은 차폐 효과, 접착력 및 경도가 우수한 전자파 차폐용 도전성 조성물, 이로부터 제조된 전자파 차폐층 및 이를 포함하는 회로기판 적층체를 제공하는 효과를 갖는다.
도 1은 본 발명의 일 구체예에 따른 회로기판 적층체를 간단히 도시한 것이다.
이하, 본 발명의 구체예들을 보다 상세하게 설명하고자 한다. 그러나 본 발명에 개시된 기술은 여기서 설명되는 구체예들에 한정되지 않고 다른 형태로 구체화될 수도 있다.
단지, 여기서 소개되는 구체예들은 개시된 내용이 철저하고 완전해 질 줄 수 있도록 그리고 당업자에게 본 출원의 사상이 충분히 전달될 수 있도록 하기 위해 제공되는 것이다. 또한 해당 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 본 출원의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 본 출원의 사상을 다양한 다른 형태로 구현할 수 있을 것이다.
한편, 본 출원에서 서술되는 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함하는 것으로 이해되어야 하고, '포함하다' 또는 '가지다'등의 용어는 기술되는 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부분품 또는 이들의 조합한 것에 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부분품 또는 이들의 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다.
또한, 본 명세서에 있어서, 범위를 나타내는 'X 내지 Y'는 'X 이상 Y 이하'를 의미한다.
전자파 차폐용 도전성 조성물
본 발명의 일 구체예에 따른 전자파 차폐용 도전성 조성물은 도전성 분말, 에폭시 수지, 경화제 및 용매를 포함한다.
일 구체예에서, 상기 도전성 분말은 D90 입경이 20㎛ 이하인 은 분말, 및 안티몬 주석 산화물(ATO) 입자를 포함한다.
상기 은 분말은 차폐층에 전도성을 부여하기 위한 것으로써, D90 입경이 20㎛ 이하, 예를 들어 1㎛ 내지 20㎛, 구체적으로 2㎛ 내지 15㎛일 수 있다. 상기 입경 범위에서, 저항 및 내구성의 밸런스가 우수하다. 또한, 상기 은 분말은 저항 개선을 위해 플레이크 형상으로 적용할 수 있다.
상기 은 분말은 전자파 차폐용 도전성 조성물 중 5 내지 50 중량%, 구체적으로 20 내지 50 중량%, 더욱 구체적으로 30 내지 50 중량%로 포함될 수 있다.
상기 안티몬 주석 산화물(ATO) 입자는 전자파 차폐용 도전성 조성물이 도전성 차폐층으로 형성되는 경우 막밀도를 균일하게 하고, 상기 은 분말 간의 컨택트(contact)를 개선시킬 수 있다. 이로써, 차폐층 두께를 보다 얇게 형성할 수 있고, 전자파 차폐층의 생산 효율이 증가되는 장점이 있다.
상기 안티몬 주석 산화물(ATO) 입자는 평균입경(D50)이 10nm 내지 1,000nm, 구체적으로 20nm 내지 500nm일 수 있다. 상기 입경 범위에서, 전자파 차폐층은 막밀도가 균일하고, 은 분말 사이의 접촉성을 개선시킬 수 있다. 상기 안티몬 주석 산화물(ATO) 입자의 평균입경(D50)은 1차 입경을 기준으로 할 수 있다.
상기 안티몬 주석 산화물(ATO) 입자는 전자파 차폐용 도전성 조성물 중 2.5 중량% 이하, 예를 들어 0.001 내지 2.5 중량%, 구체적으로 0.1 내지 2.2 중량%로 포함될 수 있다. 상기 함량 범위에서 막밀도 저하 없이 낮은 저항을 구현할 수 있고, 전자파 차폐 효율을 개선시킬 수 있다.
구체예에서, 상기 D90 입경이 20㎛ 이하인 은 분말 및 안티몬 주석 산화물(ATO)는 10 : 1 내지 500 : 1, 구체적으로 15 : 1 내지 150 : 1의 중량비로 포함될 수 있다. 상기 중량비 범위에서 막밀도 및 저항의 밸런스가 우수하다.
다른 구체예에서, 상기 도전성 분말은 필요한 물성 개선을 위해 금(Au), 알루미늄(Al), 팔라듐(Pd), 니켈(Ni), 백금(Pt) 및 구리(Cu) 중 하나 이상을 더 포함할 수 있다.
상기 에폭시 수지는 도전성 조성물이 전자파 차폐층 형성이 가능하도록 한다. 또한, 에폭시 수지는 전자파 차폐층의 차폐 대상에 대한 접착력을 부여할 수 있다.
상기 에폭시 수지는 부틸 글리시딜 에터형 에폭시 수지, 크레실 글리시딜 에터형 에폭시 수지, 페닐 글리시딜 에터형 에폭시 수지, 노닐페닐 글리시딜 에터형 에폭시 수지, 부틸페닐 글리시딜 에터형 에폭시 수지, 2-에틸헥실 글리시딜 에터형 에폭시 수지, 비스페놀 에프 다이글리시딜 에터형 에폭시 수지, 비스페놀 에이 다이글리시딜 에터형 에폭시 수지, 1,6-헥산다이올 다이글리시딜 에터형 에폭시 수지, 1,4-부탄다이올 다이글리시딜 에터형 에폭시 수지, 알리사이클릭 다이글리시딜 에터형 에폭시 수지, 나프탈렌형 에폭시 수지, 디시클로펜타디엔 에폭시 수지, 실리콘 변성 에폭시 수지, 페놀 노볼락형 에폭시 수지, 크레졸 노볼락형 에폭시 수지, 비스페놀 에이 변성형 페놀 노볼락형 에폭시 수지, 액상 비스말레이미드 부가형 에폭시 수지, 트라이메틸롤프로판 트라이글리시딜 에터형 에폭시 수지, 다가 시클로알리파틱 에폭시 수지, 트라이글리시딜 이소시아뉴레이트형 에폭시 수지, 아미노페놀 부가 다이글리시딜 에터형 에폭시 수지, N,N,N',N'-테트라글리시딜-4,4'-메틸렌비스벤젠아민 수지, 다가형 옥세탄 수지, 트리스-(하이드록시페닐)에탄 글리시딜 에터형 에폭시 수지, 고체상 크레졸 노볼락형 에폭시 수지 및 비스말레이미드형 에폭시 수지 중 하나 이상을 포함할 수 있다.
일 구체예에서, 상기 에폭시 수지는 중량평균분자량(Mw)이 1,000 내지 100,000인 제1 에폭시 수지 및 중량평균분자량(Mw)이 10 이상 1,000 미만인 제2 에폭시 수지를 포함할 수 있다.
이 경우, 전자파 차폐필름은 전자파 차폐대상과의 접착력이 개선되는 효과가 있으며, 내구성이 우수하다.
상기 제1 에폭시 수지 및 제2 에폭시 수지는 0.25 : 1 내지 4 : 1, 구체적으로 0.4 : 1 내지 2.5 : 1의 중량비로 포함될 수 있다. 상기 중량비 범위에서, 차폐필름의 접착력이 최적화되는 효과가 있다.
상기 에폭시 수지는 전자파 차폐용 도전성 조성물 중 1 내지 35 중량%, 구체적으로 3 내지 32.5 중량%로 포함될 수 있다. 상기 함량 범위에서, 전자파 차폐필름은 접착력 및 내구성이 우수하다.
상기 경화제는 에폭시 수지를 완전히 경화시킬 수 있고, 당해 기술 분야에서 통상 사용되는 것이면 그 종류가 특별히 제한되지 않는다. 구체적으로, 상기 경화제는 멜라민계, 이미다졸계, 트리페닐포스핀계 화합물 등을 사용할 수 있다. 이들은 상용화된 제품으로 적용할 수 있으며, 예를 들어, 이미다졸계로서 아지노모토 정밀 기술 주식회사의 PN-23, PN-40, 시코쿠 화성 주식회사의 2P4MZ, 2MA-OK, 2MAOK-PW, 2P4MHZ, 2MZ-H, 호코 케미칼사(HOKKO CHEMICAL INDUSTRY CO. LTD)의 TPP-K, TPP-MK 등을 사용할 수 있다. 이들은 단독 또는 2종 이상을 혼합하여 사용할 수 있다.
상기 경화제는 전자파 차폐용 도전성 조성물 중 0.01 내지 5 중량%, 구체적으로 0.1 내지 5 중량%로 포함될 수 있다. 상기 함량 범위 내에서, 에폭시 수지의 가교가 충분하게 되고 내열성이 향상될 수 있으며, 보존 안정성 또한 향상될 수 있다.
상기 용매는 메탄올, 에탄올, 1-프로판올, 2-프로판올, 1-부탄올, 2-부탄올, 2-메틸-1-프로판올, 1-펜탄올, 2-펜탄올, 3-펜탄올, 3-메틸-1-부탄올, 디프로필렌글리콜모노메틸에테르, 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트, 에틸렌글리콜, 디에틸렌글리콜, 프리에틸렌글리콜, 글리세린, 2-메톡시에탄올, 2-에톡시에탄올, 2-(2-에톡시에톡시)에탄올 및 2-(2-메톡시에톡시)에탄올 중 하나 이상을 포함할 수 있다.
상기 용매는 전자파 차폐용 도전성 조성물 중 다른 성분을 제외한 잔부량으로 포함될 수 있으며, 구체적으로 5 내지 60 중량%, 구체적으로 20 내지 60 중량%로 포함될 수 있다. 예를 들어 상기 용매는 다른 성분을 제외한 함량으로 포함될 수 있다.
본 발명의 전자파 차폐용 도전성 조성물은 상기에서 기술한 구성 요소 외에 유동 특성, 공정 특성 및 안정성을 향상시키기 위하여 필요에 따라 통상의 첨가제를 더 포함할 수 있다. 상기 첨가제는 분산제, 요변제, 가소제, 점도 안정화제, 소포제, 안료, 자외선 안정제, 산화방지제, 커플링제 등을 단독 또는 2종 이상 혼합하여 사용할 수 있다. 이들은 전자파 차폐용 도전성 조성물 중 0.01 내지 5 중량%로 포함될 수 있지만 필요에 따라 함량을 변경할 수 있다.
전자파 차폐층
본 발명의 일 구체예에 따른 전자파 차폐층은 상기 전자파 차폐용 도전성 조성물로 형성될 수 있다. 구체적으로, 전자파 차폐용 도전성 조성물을 스프레이 코터를 사용하여 전자파 차폐 대상에 스프레이 분사하고, 150℃ 내지 250℃에서 1분 내지 20분 동안 경화하는 방법으로 형성할 수 있다. 또한, 상기 스프레이 분사는 목적하는 두께에 따라 분사량을 조절할 수 있다.
상기 전자파 차폐층은 접착력이 3B 이상, 예를 들어 3B 내지 5B일 수 있다. 상기 접착력 범위에서 전자파 차폐층은 내구성이 우수하다.
상기 전자파 차폐층은 두께가 10㎛ 에서, 면저항이 40 mΩ/□ 이하, 예를 들어 5 내지 40 mΩ/□, 구체적으로 15 내지 38 mΩ/□일 수 있다. 또한, 상기 전자파 차폐층은 두께가 10㎛ 이하, 예를 들어, 1 내지 10㎛, 구체적으로는 3 내지 8㎛ 에서, 면저항이 40 mΩ/□ 이하, 예를 들어 5 내지 40 mΩ/□, 구체적으로 15 내지 38 mΩ/□일 수 있다. 상기 면저항 범위에서 전자파 차폐층의 차폐 효율이 우수하다.
본 발명의 일 구체예에 따른 회로기판 적층체는 회로기판(10) 상에 형성되는 밀봉층(20) 및 상기 밀봉층(20) 상에 형성되는 상기 전자파 차폐층(30)을 포함할 수 있다.
상기 밀봉층은 반도체 소자 밀봉용 에폭시 수지 조성물로 형성되는 것이면 제한 없이 적용할 수 있다. 예를 들어 상기 밀봉층은 에폭시 수지, 경화제, 경화 촉진제, 무기충전제 등을 포함하는 조성물로 형성된 것일 수 있다.
상기 전자파 차폐층(30)은 상기 회로기판(10)은 적어도 일면에 형성될 수 있다. 구체적으로, 상기 전자파 차폐층은 본 발명의 다른 관점에 따른 전자파 차폐층을 포함할 수 있다. 예를 들어, 스프레이 코터를 사용하여 전자파 차폐용 도전성 조성물을 회로기판 상에 분사하는 방법으로 전자파 차폐층을 형성할 수 있다. 본 발명의 전자파 차폐층은 차폐 효과, 접착력, 경도가 우수하여 회로기판은 차폐성, 내구성이 우수한 장점이 있다.
상기 회로기판은 인쇄회로기판, 연성 인쇄회로기판일 수 있다.
이하, 본 발명의 바람직한 실시예를 통해 본 발명의 구성 및 작용을 더욱 상세히 설명하기로 한다. 다만, 이는 본 발명의 바람직한 예시로 제시된 것이며 어떠한 의미로도 이에 의해 본 발명이 제한되는 것으로 해석될 수는 없다.
여기에 기재되지 않은 내용은 이 기술 분야에서 숙련된 자이면 충분히 기술적으로 유추할 수 있는 것이므로 그 설명을 생략하기로 한다.
실시예
하기 실시예에서 사용된 각 성분들의 사양은 하기와 같다.
(A) 에폭시 수지
(a1) 제1 에폭시 수지: 중량평균분자량이 60,000인 E4275 (Mitsubishi Chemical社)
(a2) 제2 에폭시 수지: 중량평균분자량이 400인 YD-115CA (국도화학社)
(B) 경화제: 2MZ-H (시코쿠 화성社)
(C) 용매: 메톡시 에탄올 (삼전화학社)
(D1) 은 분말: SF7A (D90: 12㎛, Ames社)
(D2) 은 분말: SF40 (D90: 24㎛, Ames社)
(E1) 안티몬 주석 산화물(ATO) 입자: ATO (D50: 40nm, CNVISION社)
(E2) 인듐 주석 산화물(ITO)입자: ITO (D50=80nm, ANP社)
(E2) 인듐 주석 산화물(ITO)입자: ITO (D50: 40nm, ANP社)
실시예 1 내지 4 및 비교예 1 내지 7
하기 표 1의 함량에 따라, 각 성분을 믹서를 이용하여 균일하게 혼합한 후, 스프레이코터(dispermat)를 사용하여 EMC 위에 분사하고, 200℃에서, 10분 동안 경화하여 10㎛ 두께의 전자파 차폐층을 형성하였다.
(단위: 중량%) 실시예 비교예
1 2 3 4 1 2 3 4 5 6 7
(A) (a1) 10 - 5 5 10 10 5 5 10 10 10
(a2) - 10 5 5 - - 5 5 - - -
(B) 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1
(C) 38 38 38 38 39 39 39 41 38 38 38
(D) (D1) 50 49 50 49 50 - 50 48 - 50 50
(D2) - - - - - - - - 50 - -
(E) (E1) 1 2 1 2 - 50 - - 1 - -
(E2) - - - - - - - - - 1 -
(E3) - - - - - - - - - - 1
상기 제조된 전자파 차폐층에 대해 하기의 방법으로 물성을 평가하고 하기 표 2에 나타내었다.
물성 평가 방법
(1) 면저항(mΩ/□): 4점법(4 point-probe) 방식으로 10㎛ 두께에서의 면저항을 측정하고 하기 표 2에 나타내었다.
(2) 경도: Pencil Hardness Tester(Ed-PC1)을 사용하여 경도를 측정하고 하기 표 2에 나타내었다.
(3) 접착력(단위: 0B ~ 5B): ASTM D3359 테이프(tape) 측정 방법을 기준으로 접착력을 측정하고, 하기 표 2에 나타내었다.
실시예 비교예
1 2 3 4 1 2 3 4 5 6 7
면저항(mΩ/□) 42 32 27 36 31 1421 53 57 112 74 91
경도 7H 5H 7H 7H 7H 2B 5H 4H 5H 7H 7H
접착력 5B 5B 5B 5B 3B 2B 4B 4B 5B 5B 5B
상기 표 2에 나타난 바와 같이, 본 발명의 전자파 차폐용 도전성 조성물로 형성된 전자파 차폐층은 면저항이 낮고, 경도가 우수하며, 높은 접착력으로 내구성도 우수한 것을 알 수 있다.
반면, ATO를 포함하지 않는 비교예 1, 3 및 4는 경도가 낮거나, 접착력이 저하되고, 은 분말을 포함하지 않는 비교예 2는 면저항이 현저하게 높을 뿐만 아니라, 경도 및 접착력이 낮고, 은 분말의 입경이 본 발명의 범위를 초과하는 비교예 5, 및 ATO 대신 다른 금속 산화물(ITO)을 적용한 비교예 6 및 7의 경우 면저항이 높아지는 문제가 있다.
이상 본 발명의 실시예들을 설명하였으나, 본 발명은 상기 실시예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 제조될 수 있으며, 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자는 본 발명의 기술적 사상이나 필수적인 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 이상에서 기술한 실시예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적이 아닌 것으로 이해해야 한다.
10: 기판
11: 반도체 기판
12: 에미터
21: 후면전극
23: 전면전극

Claims (12)

  1. 도전성 분말, 에폭시 수지, 경화제 및 용매를 포함하는 전자파 차폐용 도전성 조성물로서,
    상기 도전성 분말은 입경이 작은 쪽에서부터 누적되어 90%에 해당되는 D90 입경이 1㎛ 내지 20㎛인 은 분말 및 안티몬 주석 산화물(ATO) 입자를 포함하고,
    상기 조성물 중 상기 은 분말은 5 내지 50 중량%로 포함되고, 상기 안티몬 주석 산화물(ATO) 입자는 0 초과 2.5 중량% 이하로 포함되고, 상기 에폭시 수지는 1 내지 35중량%로 포함되고, 상기 경화제는 0.01 내지 5중량%로 포함되고,
    상기 안티몬 주석 산화물(ATO) 입자는 평균입경(D50)이 10nm 내지 1,000nm인 전자파 차폐용 도전성 조성물.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 은 분말은 플레이크 형상인 전자파 차폐용 도전성 조성물.
  3. 삭제
  4. 삭제
  5. 삭제
  6. 제1항에 있어서,
    상기 도전성 분말은 금(Au), 알루미늄(Al), 팔라듐(Pd), 니켈(Ni), 백금(Pt) 및 구리(Cu) 중 하나 이상을 더 포함하는 전자파 차폐용 도전성 조성물.
  7. 제1항에 있어서,
    상기 에폭시 수지는 중량평균분자량(Mw)이 1,000 내지 100,000인 제1 에폭시 수지 및 중량평균분자량(Mw)이 10 이상 1,000 미만인 제2 에폭시 수지를 포함하는 전자파 차폐용 도전성 조성물.
  8. 제7항에 있어서,
    상기 제1 에폭시 수지 및 제2 에폭시 수지는 0.25 : 1 내지 4 : 1의 중량비로 포함되는 전자파 차폐용 도전성 조성물.
  9. 제1항, 제2항, 제6항 내지 제8항 중 어느 한 항의 전자파 차폐용 도전성 조성물로 형성된 전자파 차폐층.
  10. 제9항에 있어서,
    상기 전자파 차폐층은 접착력이 3B 이상인 전자파 차폐층.
  11. 제9항에 있어서,
    상기 전자파 차폐층은 10㎛ 두께에서 면저항이 40 mΩ/□ 이하인 전자파 차폐층.
  12. 회로기판 상에 형성되는 밀봉층 및 상기 밀봉층 상에 형성되는 제9항의 전자파 차폐층을 포함하는 회로기판 적층체.

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