KR102082190B1 - 에어로졸 코팅 방법 및 이에 의해 형성된 내플라즈마 부재 - Google Patents

에어로졸 코팅 방법 및 이에 의해 형성된 내플라즈마 부재 Download PDF

Info

Publication number
KR102082190B1
KR102082190B1 KR1020130099561A KR20130099561A KR102082190B1 KR 102082190 B1 KR102082190 B1 KR 102082190B1 KR 1020130099561 A KR1020130099561 A KR 1020130099561A KR 20130099561 A KR20130099561 A KR 20130099561A KR 102082190 B1 KR102082190 B1 KR 102082190B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
ceramic particles
aerosol
ceramic
coating film
base material
Prior art date
Application number
KR1020130099561A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20150022149A (ko
Inventor
이성환
정재현
장경익
예경환
Original Assignee
(주) 코미코
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by (주) 코미코 filed Critical (주) 코미코
Priority to KR1020130099561A priority Critical patent/KR102082190B1/ko
Priority to JP2016536012A priority patent/JP6258498B2/ja
Priority to CN201380078157.XA priority patent/CN105452529B/zh
Priority to SG11201510335QA priority patent/SG11201510335QA/en
Priority to US14/910,289 priority patent/US10272467B2/en
Priority to PCT/KR2013/007711 priority patent/WO2015025996A1/ko
Priority to TW102134035A priority patent/TWI494291B/zh
Publication of KR20150022149A publication Critical patent/KR20150022149A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR102082190B1 publication Critical patent/KR102082190B1/ko

Links

Images

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C24/00—Coating starting from inorganic powder
    • C23C24/08—Coating starting from inorganic powder by application of heat or pressure and heat
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B05—SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05D—PROCESSES FOR APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05D1/00—Processes for applying liquids or other fluent materials
    • B05D1/02—Processes for applying liquids or other fluent materials performed by spraying
    • B05D1/12—Applying particulate materials
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B05—SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05D—PROCESSES FOR APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05D1/00—Processes for applying liquids or other fluent materials
    • B05D1/02—Processes for applying liquids or other fluent materials performed by spraying
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
    • C04B35/50—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on rare-earth compounds
    • C04B35/505—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on rare-earth compounds based on yttrium oxide
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
    • C04B35/622—Forming processes; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
    • C04B35/62222—Forming processes; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products obtaining ceramic coatings
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C24/00—Coating starting from inorganic powder
    • C23C24/02—Coating starting from inorganic powder by application of pressure only
    • C23C24/04—Impact or kinetic deposition of particles

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Structural Engineering (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Other Surface Treatments For Metallic Materials (AREA)
  • Coating By Spraying Or Casting (AREA)
  • Drying Of Semiconductors (AREA)

Abstract

에어로졸 코팅 방법에 따르면, 제1 평균 직경(D50)을 갖는 예비 세라믹 입자들에 대한 열처리 공정을 수행하여, 상기 제1 평균 직경보다 큰 마이크로 단위의 제2 평균 직경(D50)을 갖는 세라믹 입자들을 형성한다. 이후, 상기 세라믹 입자들을 캐리어 가스와 혼합하여 에어로졸을 형성한다. 상기 에어로졸을 모재를 향하여 분사하여, 상기 모재에 세라믹 코팅막을 형성한다.

Description

에어로졸 코팅 방법 및 이에 의해 형성된 내플라즈마 부재{AEROSOL COATING METHOD AND PLASMA-RESISTANT MEMBER FORMED BY THE SAME}
본 발명은 에어로졸 코팅 방법 및 이에 의하여 형성된 내플라즈마 부재에 관한 것으로써, 더욱 상세하게는 세라믹 입자를 캐리어 가스를 이용하여 분사하여 모재에 코팅막을 형성하는 에어로졸 코팅 방법 및 상기 에어로졸 코팅 방법에 의하여 형성된 내플라즈마 부재에 관한 것이다.
모재 상에 박막을 형성하는 박막 형성 방법으로서 미립자 빔 퇴적 공정 혹은 에어로졸 공정으로 불리는 방법 등이 있다.
상기 에어로졸 공정법은, 세라믹 입자를 포함한 에어로졸을 노즐로부터 모재를 향해서 분사하여, 상기 모재에 미립자를 충돌시키고, 그 충격힘을 이용해 세라믹 코팅막을 모재 위에 형성하는 방법이다. 이에 대한 선행기술로서 대한민국 공개특허번호 제2002-0053563호가 개시되어 있다.
상기 미립자는 일반적으로 나노 크기의 세라믹 입자를 캐리어 가스에 의하여 분사구를 통하여 모재의 표면을 향하여 이송시킨다. 이때 상기 세라믹 입자가 분사구를 통과할 경우, 상기 세라믹 입자는 상기 분사구에 대한 입자 흐름성이 악화될 수 있다. 이는, 세라믹 입자들이 이송중 분사구, 예를 들면, 노즐 및 상기 노즐과 피더를 연결하는 공급 라인에 정전기에 의하여 부착될 수 있기 때문이다. 이 경우, 상기 분사구에 부착된 세라믹 입자들에 의하여 상기 분사구에 막힘 현상이 발생할 수 있다. 이로써 상기 세라믹 입자가 상기 모재 표면에 불균일하게 공급됨에 따라 상기 세라믹 입자에 의하여 형성된 세라믹 코팅막 및 상기 모재 간의 접착력이 악화되며 나아가 상기 세라믹 코팅막의 내플라즈마성이 악화될 수 있다.
본 발명의 목적은 세라믹 코팅막 및 모재 사이의 접착력을 개선하고 나아가 상기 세라믹 코팅막의 내플라즈마성을 개선할 수 있는 에어로졸 코팅 방법을 제공하는 것이다.
본 발명의 다른 목적은 개선된 세라믹 코팅막 및 모재 사이의 접착력 및 개선된 내플라즈마성을 갖는 내플라즈마 부재를 제공하는 것이다.
상술한 본 발명의 목적을 달성하기 위한 본 발명의 실시예들에 따른 에어로졸 코팅 방법에 따르면, 제1 평균 직경(D50)을 갖는 예비 세라믹 입자들에 대한 열처리 공정을 수행하여, 상기 제1 평균 직경보다 큰 마이크로 단위의 제2 평균 직경(D50)을 갖는 세라믹 입자들을 형성한다. 이후, 상기 세라믹 입자들을 캐리어 가스와 혼합하여 에어로졸을 형성한다. 상기 에어로졸을 모재를 향하여 분사하여, 상기 모재에 세라믹 코팅막을 형성한다.
본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 제2 평균 직경(D50)은 4.5 내지 12.0 ㎛의 범위를 가질 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 열처리 공정은 500 내지 1,400℃의 온도 범위에서 수행될 수 있다. 나아가, 상기 열처리 공정은 1,000 내지 1,200℃의 온도 범위에서 수행될 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 열처리 공정은 다단계 가열 구간, 온도 유지 구간 및 냉각 구간으로 이루어질 수 있다. 여기서, 상기 다단계 가열 구간은 제1 가열 구간, 휴지 구간 및 제2 가열 구간을 순차적으로 포함하고, 상기 제2 가열 구간은 제1 가열 구간보다 낮은 승온 속도를 가질 수 있다. 또한, 상기 온도 유지 구간은 1 내지 5시간의 유지 시간을 가질 수 있다. 한편, 상기 냉각 구간은 270℃/hour 이하의 냉각 속도를 가질 수 있다.
상술한 본 발명의 목적을 달성하기 위한 본 발명의 실시예들에 따른 내플라즈마 부재는 모재 및 상기 모재 상에, 상술한 에어로졸 코팅 방법 중 어느 하나에 의하여 형성된 세라믹 코팅막을 포함한다. 여기서, 상기 세라믹 코팅막은 상기 모재에 대하여 14.0 내지 17.5 MPa의 범위의 접착력을 가질 수 있다. 또한, 상기 세라믹 코팅막은 400 내지 550 Hv 범위의 경도를 가질 수 있다. 한편, 상기 세라믹 코팅막은, 700W의 전원 조건 및 불화 탄소 가스를 식각 가스로 이용하는 플라즈마 식각율 측정시 0.52㎛/h 내지 0.58㎛/h의 범위의 식각율을 가질 수 있다.
이러한 본 발명의 일 실시예에 따른 에어로졸 코팅 방법 및 세라믹 코팅막에 따르면, 예비 세라믹 입자가 열처리되어 증가된 평균 직경을 갖는 세라믹 입자를 이용함으로써 상기 열처리 공정을 통하여 세라믹 입자의 부피 및 질량이 증대된다. 따라서, 상기 세라믹 입자가 캐리어 가스를 통하여 분사될 경우, 운동 에너지가 증대되어 모재 표면에 코팅되는 상기 세라믹 입자들 사이의 결합력이 개선될 수 있고, 나아가, 코팅막의 형성 속도가 증대될 수 있다. 또한 상기 세라믹 입자들이 증가된 운동 에너지로 분사구를 통하여 공급됨에 따라, 상기 세라믹 입자들이 상기 분사구 및 세라믹 입자들 가의 정전기적 인력를 극복하여 모재를 향하여 원활하게 분사될 수 있다.
또한, 상기 열처리 공정을 통하여 상기 예비 세라믹 입자들의 형상이 다각화됨에 따라 분사구 내의 입자 흐름성이 개선된다. 이로써 세라믹 코팅막의 균일성이 개선되며 따라서 상기 세라믹 코팅막은 모재에 대하여 개선된 접착력 및 내플라즈마성을 가질 수 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 에어로졸 코팅 방법을 설명하기 위한 순서도이다.
도 2는 도 1의 열처리 공정의 온도 프로파일을 설명하기 위한 그래프이다.
이하, 첨부한 도면을 참조하여 본 발명의 실시예에 따른 에어로졸 코팅 방법 및 이에 의하여 형성된 세라믹 코팅막에 대해 상세히 설명한다. 본 발명은 다양한 변경을 가할 수 있고 여러 가지 형태를 가질 수 있는 바, 특정 실시예들을 도면에 예시하고 본문에 상세하게 설명하고자 한다. 그러나, 이는 본 발명을 특정한 개시 형태에 대해 한정하려는 것이 아니며, 본 발명의 사상 및 기술 범위에 포함되는 모든 변경, 균등물 내지 대체물을 포함하는 것으로 이해되어야 한다. 각 도면을 설명하면서 유사한 참조부호를 유사한 구성요소에 대해 사용하였다. 첨부된 도면에 있어서, 구조물들의 치수는 본 발명의 명확성을 기하기 위하여 실제보다 확대하여 도시한 것이다.
제1, 제2 등의 용어는 다양한 구성요소들을 설명하는데 사용될 수 있지만, 상기 구성요소들은 상기 용어들에 의해 한정되어서는 안 된다. 상기 용어들은 하나의 구성요소를 다른 구성요소로부터 구별하는 목적으로만 사용된다. 예를 들어, 본 발명의 권리 범위를 벗어나지 않으면서 제1 구성요소는 제2 구성요소로 명명될 수 있고, 유사하게 제2 구성요소도 제1 구성요소로 명명될 수 있다.
본 출원에서 사용한 용어는 단지 특정한 실시예를 설명하기 위해 사용된 것으로, 본 발명을 한정하려는 의도가 아니다. 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다. 본 출원에서, "포함하다" 또는 "가지다" 등의 용어는 명세서 상에 기재된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부분품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부분품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다.
한편, 다르게 정의되지 않는 한, 기술적이거나 과학적인 용어를 포함해서 여기서 사용되는 모든 용어들은 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 일반적으로 이해되는 것과 동일한 의미를 가지고 있다. 일반적으로 사용되는 사전에 정의되어 있는 것과 같은 용어들은 관련 기술의 문맥 상 가지는 의미와 일치하는 의미를 가지는 것으로 해석되어야 하며, 본 출원에서 명백하게 정의하지 않는 한, 이상적이거나 과도하게 형식적인 의미로 해석되지 않는다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 에어로졸 코팅 방법을 설명하기 위한 순서도이다. 도 2는 도 1의 열처리 공정의 온도 프로파일을 설명하기 위한 그래프이다.
도 1 및 도2를 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 에어로졸 코팅 방법에 있어서,
먼저 예비 세라믹 입자들에 대하여 열처리 공정을 수행한다(S110). 상기 예비 세라믹 입자들은 알루미늄 포함 산화물, 이트리아 포함 산화물, 티타늄 산화물, YAG(이트륨 알루미늄 가넷)과 같은 실리콘 입자 또는 이들의 혼합물을 포함할 수 있다. 상기 예비 세라믹 입자들은 제1 평균 직경(D50)을 갖는 다. 예를 들면, 상기 예비 세라믹 입자들은 1 내지 20㎛의 제1 직경 분포를 가질 수 있다. 여기서, 상기 제1 평균 직경(D50)은 3.5㎛일 수 있다.
상기 열처리 공정을 통하여 상기 제1 평균 직경보다 큰 마이크로 단위의 제2 평균 직경을 갖는 세라믹 입자들이 형성된다.
즉, 예비 세라믹 입자들은 상기 열처리 공정을 통하여 상호 응집됨으로서 상기 세라믹 입자들은 증가된 부피 및 증가된 제2 평균 직경(D50)을 가질 수 있다. 상기 세라믹 입자들은 증가된 부피 및 직경을 가짐에 따라 후속하는 세라믹 입자들을 모재에 향하여 분사하여 세라믹 코팅막을 형성하는 코팅 공정에서, 상기 세라믹 입자들이 증가된 운동 에너지를 가질 수 있다. 이에 따라 상기 모재 표면에 코팅되는 세라믹 입자들 사이의 결합력이 증대될 수 있다.
나아가, 상기 세라믹 입자들은 증가된 마이크로 단위의 제2 평균 직경을 가짐에 따라 상기 세라믹 입자들이 코팅 공정 중 분사구로부터 분사될 때 상기 분사구에 대한 입자 흐름성이 개선될 수 있다. 즉, 상기 세라믹 입자들이 증가된 운동 에너지를 가진다. 따라서, 상기 세라믹 입자들이 분사구를 통하여 공급될 경우, 상기 세라믹 입자들이 상기 분사구 및 세라믹 입자들 간의 정전기적 인력를 극복하여 모재를 향하여 원활하게 분사될 수 있다. 이로써, 상기 세라믹 입자들이 상기 분사구에 부착되어 상기 분사구가 막히는 분사구 막힘 현상이 억제될 수 있다. 나아가, 상기 세라믹 입자들이 상기 분사구를 통하여 모재 상에 균일하게 공급됨에 따라 상기 모재 상에 상기 세라믹 입자들로 이루어진 세라믹 코팅막이 균일한 특성을 가질 수 있다.
또한, 세라믹 원료를 파쇄하여 상기 예비 세라믹 입자들을 형성할 경우 상기 예비 세라믹 입자들 표면에 존재하는 미세 균열 및 표면 응력이 발생할 수 있다. 즉, 상기 예비 세라믹 입자들에 대하여 열처리 공정을 통하여 상기 예비 세라믹 입자의 표면 응력이 완화될 수 있다. 따라서, 상기 예비 세라믹 입자들을 열처리하여 형성된 상기 세라믹 입자들을 이용하여 후속하는 에어로졸 공정에서 상기 세라믹 입자들이 분쇄되는 것이 억제될 수 있다. 이로써 상기 에어로졸 공정에서 형성된 세라믹 코팅막이 개선된 강도 및 모재에 대한 접착력를 가질 수 있다. 나아가, 예비 세라믹 입자들의 각진 부분이 모깍기 되어 상기 세라믹 입자들이 구형에 가까운 다각형 형상을 가질 수 있다. 이로써, 상기 세라믹 입자들이 상기 분사구에 부착되어 상기 분사구가 막히는 분사구 막힘 현상이 억제될 수 있다.
도 1 및 도2를 참조하면, 상기 세라믹 입자들은 4.5 내지 12.0 ㎛의 제2 평균 직경(D50)을 가질 수 있다. 상기 세라믹 입자들이 4.5 ㎛ 미만의 평균 직경을 가질 경우, 분사구를 통하여 코팅 공정을 수행할 때 상기 분사구 막힘 현상이 발생함으로써 상기 세라믹 코팅막의 균일성이 악화될 수 있으며, 나아가 상기 세라믹 코팅막의 내플라즈마성이 악화되고 상기 모재 및 상기 세라믹 접착력이 저하될 수 있다. 반면에 상기 세라믹 입자들이 12.0㎛ 초과의 평균 직경을 가질 경우, 상기 세라믹 입자들의 부피 증가에 따른 운동 에너지가 지나치게 증가함으로써 일정 시간 이상 코팅막을 형성하는 코팅 공정을 수행하는 도중 지나치게 증가된 운동 에너지를 갖는 세라믹 입자들이 기존 코팅막을 침식시킴으로써 오히려 코팅막 형성 공정의 효율이 악화할 수 있다.
상기 열처리 공정은 500 내지 1,400℃의 온도에서 수행될 수 있다. 상기 열처리 공정 온도가 600℃ 미만일 경우, 상기 열처리 공정을 통하여 형성되는 상기 세라믹 입자들이 충분한 평균 직경을 가질 수 없어서, 상기 세라믹 코팅막 및 모재 사이의 접착력, 경도 및 내플라즈마성이 충분히 개선될 수 없다. 반면에, 상기 열처리 공정 온도가 1,400℃ 초과일 경우, 상기 세라믹 입자들의 평균 직경이 지나치게 커질 수 있다. 바람직하게, 상기 열처리 공정은 1,000 내지 1,200℃의 온도에서 수행될 수 있다.
도 2를 참조하면, 상기 열처리 공정은 다단계 가열 구간(t1), 온도 유지 구간(t2) 및 냉각 구간(t3)으로 이루어질 수 있다. 즉, 상기 예비 세라믹 입자들에 대하여 급속하게 가열하거나 냉각할 경우, 상기 예비 세라믹 입자들에 열충격이 발생함으로써 상기 세라믹 입자들이 쉽게 분쇄될 수 있어서, 상기 세라믹 입자들을 이용하여 형성되는 세라믹 코팅막의 강도가 저하될 수 있다. 따라서, 상술한 온도 프로파일로 열처리 공정이 수행될 경우, 상기 예비 세라믹 입자들에 대한 열충격이 완화될 수 있다.
특히, 상기 다단계 가열 구간이 구비될 수 있다. 상기 다단계 가열 구간은 일차적으로 높은 승온 속도로 예비 세라믹 입자들을 가열한 후, 이차적으로 상대적으로 낮은 승온 속도로 예비 세라믹 입자들을 가열할 수 있다. 이로써, 초기에는 상대적으로 낮은 온도 범위에서 높은 승온 속도로 가열공정이 진행됨에 따라 공정 시간이 단축될 수 있으며, 후기에는 상대적으로 높은 온도 범위에서 낮은 승온 속도로 가열 공정이 진행됨에 따라 예비 세라믹 입자들에 열충격이 억제될 수 있다. 결과적으로 가열 온도가 상승됨에 따라 승온 속도를 점차적으로 감소시는 복수의 단계로 이루어진 다단계 가열 구간이 구비될 수 있다.
예를 들면, 상기 다단계 가열 구간은 이단계 가열 구간으로 이루어질 수 있다. 상기 이단계 가열 구간에 따르면, 상온에서 최고 온도인 제2 온도(T2)까지 온도가 상승할 경우 초기에는 제1 가열 속도로 제1 가열 시간(t1a)동안 제1 온도(T1)온도가 상승하는 제1 가열 구간, 일정 시간동안 유지하는 휴식 기간(t1b)을 갖는 휴지 구간 및 상기 휴지 구간 이후 상기 제1 온도(T1)에서 상기 제1 가열 속도보다 낮은 제2 가열 속도로 제2 가열 시간(t1c)동안 상기 제2 온도(T2)까지 상승시키는 제2 가열 구간이 각각 구비될 수 있다. 이로써 상대적으로 낮은 온도 구간에서는 공정 효율성을 위하여 상대적은 높은 제1 승온 속도로 온도가 상승하는 반면에, 상기 상대적으로 높은 고온 구간에서 상대적으로 낮은 제2 승온 속도로 온도가 상승함에 따라 상기 예비 세라믹 입자들에 대한 열충격이 억제될 수 있다.
예를 들면, 상기 제1 온도(T1)는 600℃이며, 상기 제2 온도(T2)는 1,100℃일 수 있다.
상기 온도 유지 구간(t2)은 예를 들면 1 내지 5 시간 동안 유지될 수 있다. 상기 온도 유지 구간(t2)의 시간이 1시간 미만일 경우, 상기 예비 세라믹 입자들 간의 응집 시간이 부족하여 상기 세라믹 입자들이 충분한 평균 직경을 가질 수 없다. 반면에, 상기 온도 유지 구간(t2)의 시간이 5 시간을 초과할 경우, 상기 세라믹 입자들의 평균 직경이 지나치게 증가함으로써 상기 세라믹 입자들로 이루어진 세라믹 코팅막의 경도가 오히려 저하되며 나아가 내플라즈마성이 악화될 수 있다.
상기 냉각 구간(t3)은 열처리 온도가 상기 최대 온도(Tmax)에서 상온으로 감소하는 구간에 해당한다. 상기 냉각 구간(t3)은 270℃/hour 이하의 냉각 속도를 가질 수 있다. 상기 냉각 속도가 270℃/hour 초과로 상기 냉각 구간(t3)이 급냉할 경우, 상기 세라믹 입자들이 에어로졸 공정에서 분쇄되는 현상이 발생할 수 있고 충분한 평균 직경을 가지지 못하여 상기 세라믹 코팅막이 개선된 특성(예: 접착력, 경도, 내플라즈마성)을 가질 수 없다.
도 1을 참조하면, 상기 세라믹 입자들을 캐리어 가스에 혼합하며 에어로졸을 형성한다(S120). 이때 상기 캐리어 가스는 15 내지 40 slm(standard liter per minute)의 유량으로 제공될 수 있다. 상기 캐리어 가스는 예를 들면, 아르곤과 같은 불활성 가스를 포함할 수 있다.
이어서, 상기 에어로졸을 모재를 향하여 분사함으로써 상기 모재에 세라믹 코팅막을 형성한다(S130). 이로써 모재 및 세라믹 코팅막을 포함하는 내플라즈마 부재가 형성된다. 또한 상기 세라믹 입자들을 공급할 때 상기 세라믹 입자들을 부유시키기 위하여 진동자가 이용될 수 있다. 상기 진동자는 50 내지 1,000 hz의 주파수로 진동할 수 있다. 상기 모재는 세라믹, 알루미늄을 포함하는 금속 또는 퀄츠를 포함할 수 있다. 또한, 상기 에어로졸 공정을 통하여 형성되는 내플라즈마 부재의 예로는 윈도우 디스크, 가스 인젝터, 데포쉴드, 셔터 등이 적용될 수 있다.
열처리 조건에 따라 세라믹 코팅막에 대한 평가
이트리아(Y2O3)로 이루어진 예비 세라믹 입자들(비교예2)을 준비하였다. 이때 상기 예비 세라믹 입자들은 1-20㎛의 직경 분포를 갖고 3.5㎛의 평균 직경(D50)을 가졌다. 또한 상기 예비 세라믹 입자들은 각진 플레이크 형상을 가졌다. 상기 비교예2에 해당하는 예비 세라믹 입자들을 열처리 공정의 공정 온도(T2)에서 3시간 동안 열처리하여 증가한 평균 직경을 갖는 세라믹 입자들을 형성하였다. 이때, 공정 온도가 변화시켜 세라믹 입자들을 형성하였다. 이후, 상기 세라믹 입자들을 에어로졸 공정을 통하여 알루미늄 모재(크기: 50*50*5mm)에 세라믹 코팅막을 형성하였다(실시예1 내지 10). 상기 세라믹 코팅막은 20 ㎛의 두께를 갖도록 형성하였다. 한편, 이트리아(Y2O3)로 이루어진 나노 사이즈의 세라믹 입자들(비교예1)을 준비하였다. 이때 상기 나노 사이즈의 세라믹 입자들은 0.8㎛의 평균 직경(D50)을 가졌다.
아래 표1은 공정 온도에 따른 세라믹 입자들의 평균 직경 및 상기 세라믹 입자들을 이용하여 에어로졸 공정을 통하여 형성된 상기 세라믹 코팅막의 접착력(MPa), 경도(Hv) 및 내플라즈마성에 관한 플라즈마 식각율(㎛/h)을 나타낸다. 여기서, 상기 세라믹 코팅막은 20㎛의 두께를 갖는다. 한편, 상기 플라즈마 식각율을 측정하기 위하여, 전원 700W, 식각 가스로 염화불소(CF)이 이용되었으며, 2시간 동안 식각 공정이 수행되었다.
표1에서와 같이 상기 열처리 온도가 500 내지 1,400℃로 조절될 경우, 세라믹 코팅막이 우수한 접착력, 경도 및 내플라즈마성을 가짐을 확인할 수 있다. 반면에, 상기 열처리 온도가 1,500℃로 조절될 경우, 세라믹 코팅막의 접착력, 경도 및 내플라즈마성이 오히려 악화됨을 확인할 수 있다.
특히, 상기 열처리 온도가 1,000 내지 1,200℃로 조절될 경우, 접착력은 16.0 내지 17.5 MPa의 범위를 가지며, 경도는 500 내지 550 Hv 범위를 가지며, 플라즈마 식각율은 0.52㎛/h 내지 0.58㎛/h의 범위를 가짐을 확인할 수 있다. 따라서, 상기 열처리 온도가 1,000 내지 1,200℃로 조절될 경우, 세라믹 코팅막이 더욱 우수한 접착력, 경도 및 내플라즈마성을 가짐을 확인할 수 있다.
구분 열처리 온도
(℃)		 평균 직경
(D50, ㎛)		 접착력
(MPa)		 경도
(Hv)		 플라즈마
식각율(㎛/h)
비교예1 - 0.8 12∼13 300∼350 -
비교예2 - 3.5 13∼14 350∼400 0.62
실시예1 500 4.5 14∼15 400∼450 0.58
실시예2 600 4.5 14∼15 400∼450 0.56
실시예3 700 4.5 14∼15 400∼450 0.56
실시예4 800 4.5 14∼15 400∼450 0.56
실시예5 900 6.5 14∼15 400∼450 0.52
실시예6 1,000 7.0 16∼17 500∼550 0.52
실시예7 1,100 7.0 16∼17.5 500∼550 0.52
실시예8 1,200 9.0 16∼17.5 500∼550 0.52
실시예9 1,300 11.5 16∼17 500∼525 0.54
실시예10 1,400 12.0 16∼17 500∼525 0.54
비교예3 1,500 15.0 13∼14 350∼400 0.62
한편, 열처리 공정 온도(T2)의 유지 시간에 따른 세라믹 코팅막의 특성을 측정하였다. 실시예11 내지 15 및 비교예4는 표1의 실시예7과 같이 열처리 공정 온도(T2)를 1,100℃로 조절되었고 이트리아(Y2O3)로 이루어진 세라믹 입자들이 이용되었다. 상기 열처리 공정 온도(T2)의 유지 시간에 따른 세라믹 코팅막의 특성, 즉 접착력, 경도 및 플라즈마 식각율을 측정하였다.
아래 표2는 열처리 공정 온도(T2)의 유지 시간에 따른 세라믹 입자들의 평균 직경 및 상기 세라믹 입자들을 이용하여 에어로졸 공정을 통하여 형성된 상기 세라믹 코팅막의 접착력(MPa), 경도(Hv) 및 내플라즈마성에 관한 플라즈마 식각율(㎛/h)을 나타낸다. 여기서, 상기 세라믹 코팅막은 20㎛의 두께를 갖는다. 또한, 상기 플라즈마 식각율을 측정하기 위하여, 전원 700W, 식각 가스로 염화불소(CF)이 이용되었으며, 2시간 동안 식각 공정이 수행되었다.
표2에서와 같이 상기 열처리 공정 온도(T2)의 유지 구간이 1 내지 5 시간의 유지 시간을 가질 경우, 접착력은 15.0 내지 17.5 MPa의 범위를 가지며, 경도는 450 내지 550 Hv 범위를 가지며, 플라즈마 식각율은 0.52 내지 0.58 ㎛/h의 범위를 가짐을 확인할 수 있다. 반면에, 상기 열처리 공정 온도(T2)의 유지 구간이 6 시간의 유지 시간을 가질 경우, 세라믹 코팅막의 접착력, 경도 및 내플라즈마성이 오히려 악화됨을 확인할 수 있다. 따라서, 상기 열처리 공정 온도(T2)의 유지 구간이 1 내지 5시간일 경우, 세라믹 코팅막이 우수한 접착력, 경도 및 내플라즈마성을 가짐을 확인할 수 있다.
구분 온도유지시간
(hour)		 평균 직경
(D50, ㎛)		 접착력
(MPa)		 경도
(Hv)		 플라즈마
식각율(㎛/h)
비교예1 - 0.8 12∼13 300∼350 -
비교예2 - 3.5 13∼14 350∼400 0.62
실시예11 1 5.0 15∼16 450∼500 0.58
실시예12 2 6.0 15∼16 450∼500 0.56
실시예13 3 7.0 16∼17.5 500∼550 0.52
실시예14 4 7.0 16∼17 500∼550 0.55
실시예15 5 7.5 16∼17 500∼550 0.55
비교예4 6 9.5 14∼15 400∼450 0.61
한편, 열처리 공정 온도(Tmax)에서 상온(25℃)으로의 냉각 속도에 따른 세라믹 코팅막의 특성을 측정하였다. 실시예16 내지 20 및 비교예5는 표2의 실시예13과 같이 열처리 공정 온도(T2)를 1,100℃로 조절되었고 열처리 공정 온도의 유지 시간은 3시간으로 설정되었으며, 이트리아(Y2O3)로 이루어진 세라믹 입자들이 이용되었다. 상기 열처리 공정 중 냉각 속도에 따른 세라믹 코팅막의 특성, 즉 접착력, 경도 및 플라즈마 식각율을 측정하였다.
아래 표3은 냉각 속도에 따른 세라믹 입자들의 평균 직경 및 상기 세라믹 입자들을 이용하여 에어로졸 공정을 통하여 형성된 상기 세라믹 코팅막의 접착력(MPa), 경도(Hv) 및 내플라즈마성에 관한 플라즈마 식각율(㎛/h)을 나타낸다. 여기서, 상기 세라믹 코팅막은 20㎛의 두께를 갖는다. 또한, 상기 플라즈마 식각율을 측정하기 위하여, 전원 700W, 식각 가스로 염화불소(CF)이 이용되었으며, 2시간 동안 식각 공정이 수행되었다.
표3에서와 같이 상기 냉각 구간이 270℃/hour 이하의 냉각 속도를 갖도록 서냉할 경우, 접착력은 15.0 내지 17.5 MPa의 범위를 가지며, 경도는 450 내지 550 Hv 범위를 가지며, 플라즈마 식각율은 0.52 내지 0.58 ㎛/h의 범위를 가짐을 확인할 수 있다. 이 경우, 상기 세라믹 코팅막이 우수한 접착력, 경도 및 내플라즈마성을 가짐을 확인할 수 있다. 한편, 상기 냉각 구간이 270℃/hour 초과의 냉각 속도를 갖도록 급냉할 경우 상기 세라믹 입자들이 에어로졸 공정에서 분쇄되는 현상이 발생할 수 있고 충분한 평균 직경을 가지지 못하여 상기 세라믹 코팅막이 개선된 특성(예: 접착력, 경도, 내플라즈마성)을 가질 수 없다.
구분 냉각시간
(hour)		 냉각속도
(℃/hour)		 평균 직경
(D50, ㎛)		 접착력
(MPa)		 경도
(Hv)		 플라즈마 식각율(㎛/h)
비교예1 - - 0.8 12∼13 300∼350 -
비교예2 - - 3.5 13∼14 350∼400 0.62
실시예16 4 270 6.0 15∼16 450∼500 0.58
실시예17 5 215 7.0 16∼16.5 500∼550 0.54
실시예18 6 180 7.0 16∼17.5 500∼550 0.54
실시예19 7 155 7.5 16∼17.5 500∼550 0.52
실시예20 8 135 7.5 16∼17.5 500∼550 0.52
비교예5 9 120 7.5 16∼17.5 500∼550 0.52
앞서 설명한 본 발명의 상세한 설명에서는 본 발명의 바람직한 실시예들을 참조하여 설명하였지만, 해당 기술 분야의 숙련된 당업자 또는 해당 기술분야에 통상의 지식을 갖는 자라면 후술될 특허청구범위에 기재된 본 발명의 사상 및 기술 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.
이러한 본 발명의 일 실시예에 따른 에어로졸 코팅 방법 및 이에 따라 형성된 세라믹 코팅막은 예비 세라믹 입자를 열처리하여 증가된 평균 직경을 갖는 세라믹 입자들을 이용함으로써 세라믹 코팅막이 우수한 접착력, 경도 및 내플라즈마성을 가질 수 있다.
한편, 본 발명의 일 실시예에 따른 에어로졸 코팅 방법 및 이에 따라 형성된 세라믹 코팅막은 반도체 장치의 제조 설비 또는 표시 장치의 제조 설비에 적용될 수 있는 부품에 코팅막을 형성함으로써 상기 부품의 내구성이 개선될 수 있다.

Claims (12)

  1. 제1 평균 직경(D50)을 갖는 예비 세라믹 입자들에 대한 열처리 공정을 수행하여, 상기 제1 평균 직경보다 큰 마이크로 단위의 제2 평균 직경(D50)을 갖는 세라믹 입자들을 형성하는 단계;
    상기 세라믹 입자들을 캐리어 가스와 혼합하여 에어로졸을 형성하는 단계; 및
    상기 에어로졸을 모재를 향하여 분사하여, 상기 모재에 세라믹 코팅막을 형성하는 단계를 포함하고,
    상기 열처리 공정은 1,000 내지 1,200℃의 온도 범위에서 수행되는 것을 특징으로 하는 에어로졸 코팅 방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 제2 평균 직경(D50)은 4.5 내지 12.0 ㎛의 범위 내인 것을 특징으로 하는 에어로졸 코팅 방법.
  3. 삭제
  4. 삭제
  5. 제1항에 있어서, 상기 열처리 공정은 다단계 가열 구간, 온도 유지 구간 및 냉각 구간으로 이루어진 것을 특징으로 하는 에어로졸 코팅 방법.
  6. 제5항에 있어서, 상기 다단계 가열 구간은 제1 가열 구간, 휴지 구간 및 제2 가열 구간을 순차적으로 포함하고, 상기 제2 가열 구간은 제1 가열 구간보다 낮은 승온 속도를 갖는 것을 특징으로 하는 에어로졸 코팅 방법.
  7. 제5항에 있어서, 상기 온도 유지 구간은 1 내지 5시간의 유지 시간을 갖는 것을 특징으로 하는 에어로졸 코팅 방법.
  8. 제5항에 있어서, 상기 냉각 구간은 270℃/hour 이하의 냉각 속도를 갖는 것을 특징으로 하는 에어로졸 코팅 방법.
  9. 모재; 및
    상기 모재 상에, 제1항, 제2항, 제5 내지 8항 중 어느 하나의 방법에 의하여 형성된 세라믹 코팅막을 포함하는 내플라즈마 부재.
  10. 제9항에 있어서, 상기 세라믹 코팅막은 상기 모재에 대하여 14.0 내지 17.5 MPa의 범위의 접착력을 갖는 것을 특징으로 하는 내플라즈마 부재.
  11. 제9항에 있어서, 상기 세라믹 코팅막은 400 내지 550 Hv 범위의 경도를 갖는 것을 특징으로 하는 내플라즈마 부재.
  12. 제9항에 있어서, 상기 세라믹 코팅막은, 700W의 전원 조건 및 불화 탄소 가스를 식각 가스로 이용하는 플라즈마 식각율 측정시 0.52㎛/h 내지 0.58㎛/h의 범위의 식각율을 갖는 것을 특징으로 하는 내플라즈마 부재.
KR1020130099561A 2013-08-22 2013-08-22 에어로졸 코팅 방법 및 이에 의해 형성된 내플라즈마 부재 KR102082190B1 (ko)

Priority Applications (7)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020130099561A KR102082190B1 (ko) 2013-08-22 2013-08-22 에어로졸 코팅 방법 및 이에 의해 형성된 내플라즈마 부재
JP2016536012A JP6258498B2 (ja) 2013-08-22 2013-08-28 エーロゾルコーティング方法
CN201380078157.XA CN105452529B (zh) 2013-08-22 2013-08-28 气溶胶涂覆方法及该方法形成的耐等离子体构件
SG11201510335QA SG11201510335QA (en) 2013-08-22 2013-08-28 Aerosol coating method and plasma-resistant member formed thereby
US14/910,289 US10272467B2 (en) 2013-08-22 2013-08-28 Aerosol coating method and plasma-resistant member formed by the same
PCT/KR2013/007711 WO2015025996A1 (ko) 2013-08-22 2013-08-28 에어로졸 코팅 방법 및 이에 의해 형성된 내플라즈마 부재
TW102134035A TWI494291B (zh) 2013-08-22 2013-09-23 氣溶膠覆層方法及藉由該方法形成之抗電漿元件

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020130099561A KR102082190B1 (ko) 2013-08-22 2013-08-22 에어로졸 코팅 방법 및 이에 의해 형성된 내플라즈마 부재

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20150022149A KR20150022149A (ko) 2015-03-04
KR102082190B1 true KR102082190B1 (ko) 2020-02-27

Family

ID=52483763

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020130099561A KR102082190B1 (ko) 2013-08-22 2013-08-22 에어로졸 코팅 방법 및 이에 의해 형성된 내플라즈마 부재

Country Status (7)

Country Link
US (1) US10272467B2 (ko)
JP (1) JP6258498B2 (ko)
KR (1) KR102082190B1 (ko)
CN (1) CN105452529B (ko)
SG (1) SG11201510335QA (ko)
TW (1) TWI494291B (ko)
WO (1) WO2015025996A1 (ko)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP7124798B2 (ja) * 2018-07-17 2022-08-24 信越化学工業株式会社 成膜用粉末、皮膜の形成方法、及び成膜用粉末の製造方法
KR102490570B1 (ko) * 2022-05-23 2023-01-20 주식회사 코미코 희토류 금속 화합물 분말의 열처리 공정을 이용하여 저 명도의 내플라즈마성 코팅막의 제조방법 및 이에 의해 형성된 내플라즈마성 코팅막

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100988175B1 (ko) * 2008-07-25 2010-10-18 재단법인 철원플라즈마 산업기술연구원 세라믹 코팅막 형성 장치

Family Cites Families (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0670234B2 (ja) * 1985-11-27 1994-09-07 株式会社河端製作所 金属の摺動部又は回転部のコーティング減摩方法
US5827797A (en) * 1989-08-28 1998-10-27 Cass; Richard B. Method for producing refractory filaments
JPH04154657A (ja) * 1990-10-18 1992-05-27 Genshiryoku Gijutsu Kk セラミック粉末の製造方法および装置並びにセラミックスの製造方法
KR950011017B1 (ko) * 1991-07-01 1995-09-27 미쯔시다덴기산교 가부시기가이샤 반도체장치 및 그 제조방법
KR970001558B1 (ko) * 1993-10-19 1997-02-11 이재성 극초미립의 복합분말물질의 제조방법
CN1243848C (zh) * 1999-10-12 2006-03-01 东陶机器株式会社 复合构造物及其制作方法和制作装置
KR100575615B1 (ko) 2000-12-27 2006-05-03 매그나칩 반도체 유한회사 에스램의 테스트 회로
CN1202043C (zh) 2003-05-29 2005-05-18 上海交通大学 大颗粒球形亚微米/纳米/纤维陶瓷复合粉体的制备方法
JP4585832B2 (ja) * 2004-10-22 2010-11-24 株式会社フジミインコーポレーテッド 溶射用粉末、溶射方法及び溶射皮膜
JP2008045191A (ja) * 2006-08-21 2008-02-28 Ntn Corp 被膜形成装置および被膜形成方法
JP2008056948A (ja) 2006-08-29 2008-03-13 Ntn Corp セラミックス微粒子の前処理方法
KR101012421B1 (ko) 2008-06-02 2011-02-08 성균관대학교산학협력단 에어로졸 분사장치 및 그것을 이용한 필름형성방법
KR100966132B1 (ko) * 2008-07-25 2010-06-25 주식회사 코미코 내 플라즈마성 갖는 세라믹 코팅체
JP5909737B2 (ja) 2010-02-10 2016-04-27 有限会社 渕田ナノ技研 イットリア膜の成膜方法
KR101208768B1 (ko) * 2010-08-06 2012-12-05 서울대학교산학협력단 금속의 부식 저항성 향상을 위한 세라믹 코팅층 제조방법 및 그에 의한 금속의 세라믹 코팅층이 구비된 물품
WO2013047589A1 (ja) * 2011-09-26 2013-04-04 株式会社 フジミインコーポレーテッド 希土類元素を含んだ溶射用粉末及び皮膜、並びに前記皮膜を備えた部材
EP2897921B1 (en) * 2012-09-20 2017-12-20 The Penn State Research Foundation Process for production of graphene/silicon carbide ceramic composites
CN102976617B (zh) 2012-11-30 2015-04-15 华泽庆 一种玻璃陶瓷及其制备方法
JP2014198308A (ja) * 2013-03-29 2014-10-23 日本碍子株式会社 セラミック分離フィルタ及び脱水方法

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100988175B1 (ko) * 2008-07-25 2010-10-18 재단법인 철원플라즈마 산업기술연구원 세라믹 코팅막 형성 장치

Also Published As

Publication number Publication date
JP2016528392A (ja) 2016-09-15
CN105452529A (zh) 2016-03-30
KR20150022149A (ko) 2015-03-04
TW201507993A (zh) 2015-03-01
SG11201510335QA (en) 2016-01-28
US20160176763A1 (en) 2016-06-23
CN105452529B (zh) 2018-09-14
US10272467B2 (en) 2019-04-30
JP6258498B2 (ja) 2018-01-10
WO2015025996A1 (ko) 2015-02-26
TWI494291B (zh) 2015-08-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI427188B (zh) 熱噴塗粉末、形成熱噴塗塗層之方法、以及耐電漿侵蝕之構件
TWI400358B (zh) 熱噴塗粉末及形成熱噴塗塗層之方法
KR20190113259A (ko) 유동성 향상을 위한 마이크로파 플라즈마를 이용한 세라믹 분말의 표면 처리 방법
KR20180055516A (ko) 내플라즈마용 세라믹스를 위한 용융코팅용 유리 프릿 조성물 및 코팅층의 제조 방법
TW201442991A (zh) 表面處理方法以及藉由該處理方法形成之陶瓷結構
KR20100011576A (ko) 내 플라즈마성 갖는 세라믹 코팅체
KR102082190B1 (ko) 에어로졸 코팅 방법 및 이에 의해 형성된 내플라즈마 부재
EP3382059B1 (en) Method for producing laminate
US20070065678A1 (en) Electro-static chuck with non-sintered aln and a method of preparing the same
JP2005158933A (ja) 半導体または液晶製造装置部材およびその製造方法
KR101171682B1 (ko) 저온 분사 방법을 이용한 알루미늄 또는 알루미늄 합금 표면의 질화처리방법
CN114730692A (zh) 用于等离子体室的低温烧结涂层
US20170121825A1 (en) Apparatus and method for cold spraying and coating processing
JP2008111154A (ja) 被膜形成方法
KR20100011586A (ko) 내 플라즈마 세라믹 코팅막 형성방법
TWI582823B (zh) 一種用於電漿反應室之氣體分散板
KR102182690B1 (ko) 플라즈마 처리 장치용 내부재 및 이의 제조 방법
KR102084841B1 (ko) 탄소 소재의 표면조도 제어를 위한 표면처리방법
KR102071944B1 (ko) 내플라즈마용 치밀 세라믹 코팅막 및 그의 제조방법
TWI807383B (zh) 耐電漿半導體零組件及其形成方法以及電漿反應裝置
US20230088848A1 (en) Yttrium aluminum coating for plasma processing chamber components
KR101550527B1 (ko) 전착막 형성방법
KR20170072624A (ko) 금속 및 세라믹 복합재 형성 방법
JP7122206B2 (ja) 溶射膜
KR102121736B1 (ko) 질화물 후막 및 그 제조 방법

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right