KR102080761B1 - 기판 처리 장치 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 기판 처리 장치에로서, 복수의 기판을 처리하는 공정 가스를 배기하는 기판 처리 장치에 관한 것이다. 본 발명의 실시 형태인 기판 처리 장치는 복수의 기판 처리 공간을 가지는 공정 챔버; 상기 공정 챔버의 바닥면을 관통하는 지지축에 의해 상기 공정 챔버 내부에 배치되어 기판을 지지하는 복수의 기판 지지대; 상기 기판 지지대측으로 분사된 공정 가스가 공통 배기되도록 서로 인접한 기판 지지대 사이의 공정 챔버 바닥면에 형성되는 복수의 배기부;를 포함한다.

Description

기판 처리 장치{Apparatus for processing substrate}
본 발명은 기판 처리 장치에로서, 복수의 기판을 처리하는 공정 가스를 배기하는 기판 처리 장치에 관한 것이다.
반도체 제조 공정은 해당 공정을 위해 최적의 환경으로 설계된 기판 처리 장치의 내부에서 진행되며, 최근에는 플라즈마를 이용하여 증착 또는 식각 공정을 수행하는 기판 처리 장치가 많이 사용되고 있다.
일반적으로 화학기상증착법(CVD;Chemical Vapor Deposition), 원자층증착법(ALD;Atomic Layer Deposition), 플라즈마 화학기상증착(PECVD;Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition) 등의 기판 처리 장치를 이용하여 기판에 박막을 형성하기 위해서 공정 챔버 내부에 소정의 가스들을 공급하여 기판에 증착시킨다. 기판 증착 시간을 단축하기 위하여 복수개의 기판을 동시에 증착하는 기판 처리 장치가 제안되어 있다. 이러한 기판 처리 장치는 기판이 안착되는 기판 지지대를 회전시키면서 기판을 인입 또는 인출하므로 기판이 탑재된 기판 지지대를 회전시키기 위한 회전축이 하부에 설치되어 있으며, 기판의 박막 특성을 향상시키고자 박막을 형성하는 공정 중에도 기판을 회전시키는 경우가 있다.
다수의 기판(W)을 처리하는 기판 처리 장치의 바닥면을 개략적으로 도시한 도 1을 참조하면, 바닥판(12)에는, 각 반응 가스 및 퍼지 가스를 배기하기 위한 공통의 배기구(13)가 설치되어 있다. 이러한 배기구(13)는, 배기관(미도시)과 접속되어 있고, 배기관(미도시)은, 공정 챔버(11) 내의 압력 조정을 행하는 진공 펌프(미도시)에 접속되어 있다. 여기서, 공정 챔버(11) 내에는, 기판 처리가 행해지는 기판 처리 공간을 구성하는 다수의 기판 지지대(14)가 배치되어 있다. 그리고, 이들 다수의 기판 지지대(14)로부터 유출되는 각종 가스는, 공통의 배기구(61)에 배기된다. 즉, 기판(W)을 기판 지지대(14)에 로딩시킨 다음, 공정 챔버(11)의 공정 공간에 소정의 공정 가스를 분사하면서 플라즈마를 형성함으로써 기판(W) 상에 소정의 박막을 형성하게 된다. 그리고, 박막 증착 공정 동안 공정 공간으로 분사되는 공정 가스는 공정 챔버(11)의 바닥면에 형성된 단일의 배기구(13)을 통해 외부로 배기된다.
그러나, 이와 같은 기판 처리 장치의 배기 구조는 균일한 배기가 이루어지지 않는 문제가 있다. 즉, 복수의 기판 지지대를 향해 분사되는 공정 가스는 단일의 배기구(13)를 통해 함께 배기되기 때문에, 각각의 기판에서 처리된 공정 가스의 배기 흐름이 균일하게 배기되지 않는 문제가 있다.
한국공개특허 10-2010-7023541
본 발명의 기술적 과제는 공정 가스를 효율적으로 배기되도록 하는 배기 수단을 제공하는데 있다. 또한 본 발명의 기술적 과제는 각각의 기판에서 공정 처리된 공정 가스가 균일하게 배기하도록 하는데 있다.
본 발명의 실시 형태인 기판 처리 장치는 복수의 기판 처리 공간을 가지는 공정 챔버; 상기 공정 챔버의 바닥면을 관통하는 지지축에 의해 상기 공정 챔버 내부에 배치되어 기판을 지지하는 복수의 기판 지지대; 상기 기판 지지대측으로 분사된 공정 가스가 공통 배기되도록 서로 인접한 기판 지지대 사이의 공정 챔버 바닥면에 형성되는 복수의 배기부;를 포함한다.
상기 복수의 배기부 각각은, 서로 인접한 기판 지지대 사이의 공정 챔버 바닥면에 형성되는 배기 홈부; 상기 배기 홈부를 통해 유입된 공정가스를 공정 챔버 외부로 배출하기 위한 배기 포트; 상기 배기 홈부와의 결합을 통해 가스 제1유입구, 가스 제2유입구 및 배기 유로를 형성하도록 상기 배기 홈부의 상부에 결합되는 덮개체;를 포함한다.
상기 배기 홈부는, 상기 가스 제1유입구와 가스 제2유입구를 연결하며 상기 공정 챔버의 바닥면에 파여진 제1배기 홈부; 상기 제1배기 홈부와 상기 배기 포트를 연결하며 상기 공정 챔버의 바닥면에 파여진 제2배기 홈부;를 포함한다.
상기 가스 제1유입구는 기판 지지대의 둘레의 공정 챔버 바닥면에 형성되며, 상기 가스 제2유입구는, 상기 가스 제1유입구가 위치하는 기판 지지대에 인접한 다른 기판 지지대의 둘레의 공정 챔버 바닥면에 형성됨을 특징으로 한다.
상기 공정 챔버의 바닥면에 파여진 복수의 기판 지지대 안착홈;을 포함한다.
상기 제1배기 홈부는, 서로 인접한 기판 지지대 안착홈과 연통되도록 내측으로 형성되며, 상기 가스 제1유입구 및 가스 제2유입구는 상기 기판 지지대 안착홈 둘레면에 형성된다.
상기 배기 포트는, 상기 기판 지지대의 개수와 동일한 개수로서 형성된다.
상기 배기 포트는, 배기 포트 중 적어도 하나는 나머지 다른 배기 포트와 직경보다 작은 것을 특징으로 한다.
상기 배기 포트는, 상기 공정 챔버의 바닥면의 중심을 중심점으로 하는 동일한 원주 상에서 위치한다.
상기 배기 포트는, 공정 챔버의 바닥면의 중심을 중심점으로 하는 동일한 원주 상에서 동일 간격으로 이격된 제1배기 포트, 제2배기 포트, 제3배기포트, 제4배기 포트를 포함한다.
본 발명의 실시 형태에 따르면 공정 챔버 내의 복수의 기판에서 공정 처리된 가스가 균일하게 배기될 수 있다. 따라서 각각의 기판에서 균일한 두께로서 박막이 증착될 수 있다. 또한 본 발명의 실시 형태에 따르면 인접한 두 개의 기판 지지대 주변의 공정 가스를 한 곳으로 모아 배출함으로써, 각각의 기판에서 공정 처리된 공정 가스에 대해서 균일한 배기를 할 수 있다.
도 1은 기판 처리 장치를 상부에서 바라본 도면이다.
도 2는 본 발명의 실시예에 따른 기판 처리 장치의 탄테이블의 분해 사시도이다.
도 3은 본 발명의 실시예에 따른 기판 처리 장치의 배기부가 나타나도록 분해한 사시도이다.
도 4는 본 발명의 실시예에 따른 기판 처리 장치에 대한 A-A' 방향의 단면도이다.
도 5는 본 발명의 실시예에 따른 기판 처리 장치에 대한 B-B' 방향의 단면도이다.
도 6은 본 발명의 실시예에 따른 공정 챔버의 바닥면을 상부에서 바라본 상면도이다.
도 7은 본 발명의 실시예에 따라 덮개체에 연결구를 형성한 모습을 도시한 도면이다.
도 8은 본 발명의 실시예에 따라 각 기판 지지대에서 처리된 공정 가스의 배기 흐름의 실험예를 도시한 사진이다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시 예를 더욱 상세히 설명하기로 한다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시 예에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 것이며, 단지 본 실시 예들은 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이다. 도면상에서 동일 부호는 동일한 요소를 지칭한다.
이하의 기판 처리 장치는 4 개의 기판에 대하여 화학기상증착법(chemical vapor deposition:CVD), 원자층증착법(atomic layer deposition:ALD), 플라즈마 화학기상증착(PECVD) 등의 기판 처리를 공정 챔버 내에서 개별적 또는 공동으로 수행하는 예를 설명할 것이다. 그러나 공정 챔버 내에서 4 개의 기판 처리뿐만 아니라 다양한 개수의 기판 처리가 이루어지는 경우에도 본 발명이 적용될 수 있음은 자명할 것이다.
도 2는 본 발명의 실시예에 따른 기판 처리 장치의 분해 사시도이며, 도 3은 본 발명의 실시예에 따른 기판 처리 장치의 배기부가 나타나도록 분해한 사시도이며, 도 4는 본 발명의 실시예에 따른 기판 처리 장치에 대한 A-A' 방향의 단면도이며, 도 5는 본 발명의 실시예에 따른 기판 처리 장치에 대한 B-B' 방향의 단면도이며, 도 6은 본 발명의 실시예에 따른 공정 챔버의 바닥면을 상부에서 바라본 상면도이다.
기판 처리 장치는 공정 챔버(100), 기판 지지대 안착홈(120), 기판 지지대(200), 가스 분사부(400), 배기부(140), 턴테이블(300), 턴테이블 구동축(301)을 포함한다.
공정 챔버(100)는 복수의 기판 처리 공간을 가져서 각 기판에 대한 증착, 식각 등의 처리 공정이 수행된다. 공정 챔버(100)는 상부가 개방된 본체(111)와, 본체(111)의 상부에 개폐 가능하게 설치되는 탑리드(110)를 구비한다. 탑리드(110)에는 본체의 상부에 구비되어 4개의 가스 분사부(400)가 형성된다. 탑리드(110)가 본체(111)의 상부에 결합되어 본체(111) 내부를 폐쇄하면, 공정 챔버(100)의 내부에는 예컨대, 증착 공정 등 기판(W)에 대한 처리가 행해지는 내부 공간이 형성된다. 탑리드(110)의 저면에는 커튼 가스가 분사되는 분사홀(미도시)이 형성되어 있을 수 있으며, 각각의 가스 분사부(400)에서 분사되는 공정 가스가 서로 섞이지 않도록 커튼 가스가 하향으로 분사될 수 있다.
공정 챔버(100)의 내부 공간은 일반적으로 진공 분위기로 형성되어야 하므로, 공정 챔버(100)의 바닥면에는 각 기판 지지대 안착홈(120)에 존재하는 공정 가스의 배출을 위한 배기 홈부(141)와 배기 포트(142)가 형성되어 있고, 배기 포트(142)는 외부에 구비되는 펌프에 연결된 배기 라인과 연결된다. 또한, 공정 챔버(100)의 바닥면에는 후술할 기판 지지대(200)의 지지축(201)이 삽입되는 관통홀(205;이하, '지지대 지지홀')이 각 기판 지지대 안착홈(120;120a,120b,120c,120d)마다 복수개(205a,205b,205c,205d)로서 관통되어 형성되어 있다. 공정 챔버(100)의 측벽에는 기판을 공정 챔버(100)의 내부로 반입하거나, 외부로 반출하기 위한 기판이 출입하는 적어도 하나 이상의 기판 출입구(101)가 형성되어 있다. 또한 공정 챔버(100)의 바닥면에는 턴테이블(300)을 지지하여 승하강 및 회전하는 구동축(301)이 삽입되는 관통홀(305;이하, '턴테이블 지지홀')이 관통되어 형성되어 있다.
가열부(미도시)는 공정 챔버(100)의 내부를 일정한 온도로 유지하기 위한 가열 수단이다. 가열 수단이 공정 챔버(100)의 내벽, 또는 외벽, 또는 벽체 내부에 히터 수단이 형성되어 공정 챔버(100)를 일정 온도로 유지시킬 수 있다.
기판 지지대 안착홈(120)은 공정 챔버(100)의 바닥면에 파여질 수 있다. 공정 챔버(100) 내에 4개의 기판 지지대(200)가 구비되는 경우, 4개의 기판 지지대 안착홈(120)이 각각 개별적으로 파여져 형성될 수 있다. 예를 들어, 제1기판 지지대(200a)가 안착하는 기판 지지대 안착홈(120a), 제2기판 지지대(200b)가 안착하는 제2기판 지지대 안착홈(120b), 제3기판 지지대(200c)가 안착하는 제3기판 지지대 안착홈(120c), 제4기판 지지대(200d)가 안착하는 제4기판 지지대 안착홈(120d)이 구비될 수 있다. 기판 지지대 안착홈(120)은 기판 지지대(200)가 위치하여, 기판 지지대 안착홈(120) 내에서 승하강 가능하도록 기판 지지대(200)의 외부면의 둘레 형상과 동일한 형상을 가진다. 기판 지지대(200)가 원형으로 형성되는 경우, 기판 지지대 안착홈(120)은 원형으로 된 둘레면과 파여진 저면을 가진다. 참고로, 이러한 기판 지지대 안착홈(120)을 설치하는 이유는 구조물 단순화를 하기 위함이다. 즉, 리프트핀을 기판 지지대 안착홈(120)의 바닥면에 구비하고 기판 지지대(200)를 승하강함으로써, 리프트핀이 기판 지지대(200) 상측으로 돌출될 수 있도록 할 수 있어 챔버 구조를 단순화할 수 있다.
기판 지지대(200)는 기판을 지지하기 위한 수단으로서, 공정 챔버(100)의 바닥면을 관통하는 지지축(201)에 의해 기판 지지대 안착홈(120) 내에서 승하강 가능하며, 각각의 기판을 지지한다. 4개의 기판 지지대(200)는 독립적으로 승하강이 이루어질 수 있다. 이를 위해 4개의 기판 지지대(200;200a,200b,200c,200d)는 각각 원판 형상으로 공정 챔버(100)의 내부에 수평방향으로 구비되고, 각각의 지지축(201;201a,201b,201c,201d)은 기판 지지대(200)의 저면에 수직으로 연결된다. 지지축(201)은 관통공을 통하여 외부의 모터 등의 구동 수단(미도시)에 연결되어 기판 지지대(200)를 승하강시킨다. 또한, 기판 지지대(200)의 내부에는 히터(미도시)가 구비되어 기판을 일정한 공정 온도로 가열시킬 수 있다. 기판 지지대(200)가 대응되는 기판 안착홈(120)에 위치하는 경우, 기판 지지대(200)와 기판 안착홈(120) 사이에는 간격틈을 가지도록 구현하여, 기판 처리 완료된 공정가스(원료가스,플라즈마가스,세정가스 등)가 간격틈으로 유입될 수 있다.
가스 분사부(400)는 각 기판 지지대(200)와 대향하여 이격되어 마련되며 각각의 기판 지지대(200)마다 독립적으로 공정 가스를 개별적으로 분사한다. 각 가스 분사부(400)는 기판 지지대(200)의 상부에 이격되어 구비되며, 샤워헤드 타입으로 구현되어 외부로부터 유입되는 동일한 또는 서로 다른 종류의 공정 가스를 기판을 향하여 분사한다. 각 기판 지지대(200)마다 대향된 가스 분사부(400;400a,400b,400c,400d)가 마련되는데, CVD 증착 공정의 경우에는 각 가스 분사부(400)에 동일한 공정 가스가 분사될 수 있으며, 또는 ALD 증착 공정의 경우에는 각 가스 분사부(400)에 소스가스, 반응가스, 퍼지가스와 같은 서로 다른 공정 가스가 분사될 수 있는데, 각 가스 분사부(400)에는 각종 공정 가스를 공급하는 소스가스 공급원 및 반응가스 공급원 및 퍼지가스 공급원이 각 공급 라인을 통해 연결된다. 각 공급 라인 상에는 소스가스 및 반응가스 및 퍼지가스의 공급을 제어하는 유량 조절부(MFC;Mass Flow Controller)인 밸브(미도시)가 구비된다. 소스가스 공급원은 기상 원료물질 또는 액상 원료물질을 저장하는데, 액상 원료물질을 저장하는 경우, 액상 원료물질을 공급받아 이를 기상화하는 기상화 수단(미도시)을 더 포함한다. 이때, 기상화 수단은 기화기 또는 버블러를 사용할 수 있으며, 이는 일반적 수단이므로 상세한 설명을 생략한다. 또한, 헬륨(He) 등의 캐리어 가스를 저장 공급하는 캐리어 가스 공급수단을 포함할 수 있다.
참고로, 화학기상증착법(CVD)은 가장 널리 이용되는 증착기술로서, 반응가스와 분해가스를 이용하여 요구되는 두께를 갖는 박막을 기판상에 증착한다. 화학기상증착법(CVD)은 먼저 다양한 가스들을 반응공정 챔버(100)로 주입시키고, 열, 빛, 플라즈마와 같은 고에너지에 의해 유도된 가스들을 화학반응시킴으로써 기판상에 요구되는 두께의 박막을 증착시킨다. 또한, 화학 기상증착법에서는 반응에너지만큼 인가된 플라즈마 또는 가스들의 비(ratio) 및 양(amount)을 통해 반응조건을 제어함으로써 증착률을 증가시킨다. 그러나, 반응들이 빠르기 때문에 원자들의 열역학적(thermaodynamic) 안정성을 제어하기 매우 어렵고, 화학증착증착법은 박막의 물리적, 화학적, 전기적 특성을 저하시킨다. 원자층 증착법(ALD)은 소스가스(반응가스)와 퍼지가스를 교대로 공급하여 원자층을 증착하기 위한 방법으로서, 이에 의해 형성된 박막은 양호한 피복특성을 갖고 대구경 기판 및 극박막에 적용되며, 전기적 물리적 특성이 우수하다. 일반적으로 원자층 증착법은, 먼저 제1소스가스를 공급하여 기판 표면에 한 층의 제1소스를 화학적으로 흡착(chemical adsorption)시키고 여분의 물리적 흡착된 소스들은 퍼지가스를 흘려보내어 퍼지시킨 다음, 한 층의 소스에 제2소스가스를 공급하여 한 층의 제1소스와 제2소스가스를 화학반응시켜 원하는 원자층박막을 증착하고 여분의 반응가스는 퍼지가스를 흘려보내 퍼지시키는 과정을 한 주기(cycle)로 하여 박막을 증착한다. 상술한 바와 같이 원자층 증착방법은 표면 반응 메커니즘(surface reaction mechanism)을 이용함으로써 안정된 박막을 얻을 수 있을 뿐만 아니라, 균일한 박막을 얻을 수 있다. 또한, 원자층 증착법은 소스가스와 반응가스를 서로 분리시켜 순차적으로 주입 및 퍼지시키기 때문에 화학적기상증착법에 비하여 기상반응(gas phase reaction)에 의한 파티클 생성을 억제한다. 이와 같은 원자층 증착방식을 이용하여 박막을 증착하면, 기판 표면에 흡착되는 물질(일반적으로 박막의 구성원소를 포함하는 화학분자)에 의해서만 증착이 발생하게 된다. 이때, 흡착량은 일반적으로 기판상에서 자체 제한(self-limiting)되기 때문에, 공급되는 반응가스량(소스가스량)에 크게 의존하지 않고 기판 전체에 걸쳐 균일하게 얻어진다.
턴테이블(300)은 기판 지지대(200)와 동일한 개수의 관통홀(302;이하, '턴테이블 관통홀')이 형성되는 원판 형태의 플레이트판으로서 기판 지지대(200)의 상측에 위치할 수 있다. 기판 지지대(200)가 4개 구비된 경우, 각 기판 지지대(200)가 관통하여 이동할 수 있는 기판 지지대 턴테이블 관통홀(302)이 턴테이블(300) 상에 4개 형성된다. 턴테이블 관통홀(302;302a,302b,302c,302d)은 기판 지지대(200)의 형상과 동일한 형상을 가질 수 있다. 기판 지지대(200)의 형상보다 크게 형성되어, 기판 지지대(200)가 턴테이블 관통홀(302)을 관통하여 상하로 승하강할 수 있도록 형성된다. 턴테이블 관통홀(302)은 턴테이블(300) 면상에 홀로서 형성될 수 있지만, 관통홀의 일부의 테두리가 개방된 형태로 구현될 수 있다. 즉, 기판 지지대 전체를 둘러싸는 경우, 폐곡선의 턴테이블 관통홀을 구비하게 되고, 기판 지지대 일부를 둘러싸는 경우, 일부가 개방된 턴테이블 관통홀(302)을 구비하게 된다.
턴테이블 관통홀(302)의 테두리에는 각각 기판 지지링(301)이 마련된다. 따라서 턴테이블 관통홀(302)의 테두리 측면을 단차턱으로 형성하여, 단차면에 기판 지지링(301)이 걸쳐저 있도록 한다. 또는 단차턱없이 별도의 턴테이블 관통홀(302)에 부착된 서포트 지지핀(미도시)에 의하여 지지링(301)을 지지할 수 있다. 도 4는 단차턱을 가진 지지링에 의하여 기판이 지지됨을 도시하였다.
또한 턴테이블(300)을 승하강 및 회전시키기 위해 공정 챔버(100)의 바닥면을 관통하여 턴테이블(300)과 수직으로 결합되는 구동축(301)이 마련된다. 구동축(301)은 턴테이블 지지홀(305)을 통하여 턴테이블(300)과 수직으로 연결되어, 외부의 모터 등의 구동 수단(미도시)에 연결되어 턴테이블(300)을 승하강 및 회전시킨다.
이하, 이러한 구성을 가지는 본 발명의 실시예에 따른 기판 처리 장치에서 기판을 로딩시키는 방법을 간략히 설명한다.
제1기판 지지대(200a) 및 제2기판 지지대(200b) 상에 위치한 기판을 제3기판 지지대(200c) 및 제4기판 지지대(200d) 상부로 각각 이동시키는 경우를 예시적으로 설명한다. 턴테이블(300)을 상승시키면 제1기판 지지대(200a) 및 제2기판 지지대(200b)의 이송링(301a,301b) 및 그 상부의 기판은 턴테이블(300) 상에 위치하게 된다. 이 상태로 각 기판(S)을 지지한 상태에서 턴테이블(300)을 시계방향으로 회전시키면, 제3기판 지지대(200c) 및 제4기판 지지대(200d) 상부에 위치하게 된다. 이후, 턴테이블(300)을 하강시키면 이송링(301a,301b) 및 그 상부의 기판(S)은 턴테이블(300) 상에서 제3기판 지지대(200c) 및 제4기판 지지대(200d)로 이동하게 된다. 이 과정에서 이전의 제3기판 지지대(200c) 및 제4기판 지지대(200d)에 있던 이송링(301c,301d)들은 제1기판 지지대(200a) 및 제2기판 지지대(200b)로 이동하게 된다.
한편, 상기에서 설명한 바와 같이 복수개의 기판 기판지지대에 탑재된 복수개의 기판을 기판 처리하는 경우, 각각의 기판에서 처리되고 남은 공정 가스의 배출이 균일하게 이루어져야 한다. 이를 위하여 본 발명의 실시예는 서로 적어도 두 개 이상의 인접한 기판 지지대 안착홈(120) 내의 공정 가스를 한 곳으로 유입받아 공정 챔버(100)의 바닥면에 수평하게 형성된 유로를 통하여 외부로 배출하는 배기부(140)를 포함한다.
기판 지지대(200)에 안착된 기판에 대한 기판 처리가 이루어지고 난 후 또는 기판 처리가 이루어질 때, 기판 지지대 안착홈(120)에 잔존하는 공정가스를 외부로 배기하여야 하는데, 적어도 두 개 이상의 인접한 기판 지지대 안착홈(120) 내의 공정 가스를 한 곳으로 유입받아 외부로 배기하는 것이다. 한 곳으로 유입된 공정 가스는 공정 챔버(100)의 바닥면에 수평으로 형성된 유로를 거쳐서 배기 포트(142)를 통하여 외부로 배출될 수 있다.
이러한 두 개 이상의 인접한 기판 지지대 안착홈(120) 내의 공정 가스를 한 곳으로 유입받아 공정 챔버(100)의 바닥면에 수평하게 형성된 유로를 통하여 외부로 배출하는 배기부(140)의 실시예는 다양한 구조를 가질 수 있다.
배기부(140)는 기판 지지대측으로 분사된 공정 가스가 공통 배기되도록 서로 인접한 기판 지지대 사이의 공정 챔버 바닥면에 형성된다. 복수의 배기부(140) 각각은, 서로 인접한 기판 지지대(200) 사이의 공정 챔버 바닥면에 형성되는 배기 홈부(141)와, 배기 홈부(141)를 통해 유입된 공정가스를 공정 챔버 외부로 배출하기 위한 배기 포트(142)와, 배기 홈부(141)와의 결합을 통해 가스 제1유입구(1411), 가스 제2유입구(1412), 제1배기 홈부(1413) 및 제2배기 홈부(1414)를 형성하도록 배기 홈부(141)의 상부에 결합되는 덮개체(143)를 포함한다.
배기부(140)는 적어도 두 개 이상의 인접한 기판 지지대의 둘레의 가스를 유입받는 가스 유입구(1411,1412), 공정 챔버(100)의 바닥면에 관통되어 형성되는 배기 포트(142), 가스 유입구(1411,1412)를 통해 유입된 가스가 배기 포트(142)로 흘러가도록 공정 챔버(100)의 바닥면의 수평면을 따라 수평하게 파여진 배기 홈부(141)를 마련한다. 배기부(140)는, 배기 홈부(141)가 공정 챔버(100)의 바닥면에서 노출되지 않도록 배기 홈부(141)를 덮는 덮개체(143)를 포함한다. 덮개체(143)가 배기 홈부를 덮음으로써 제1유입구(1411), 가스 제2유입구(1412), 제1배기 홈부(1413) 및 제2배기 홈부(1414)가 형성될 수 있다.
가스 제1유입구(1411) 및 가스 제2유입구(1412)는 공정 챔버의 바닥면을 관통하여 제1배기 홈부(1413)와 연통되도록 형성될 수 있다. 가스 제1유입구(1411)는 기판 지지대(200)의 둘레의 공정 챔버 바닥면에 형성되어 가스가 유입되며, 가스 제2유입구(1412)는 가스 제1유입구(1411)가 위치하는 기판 지지대에 인접한 다른 기판 지지대의 둘레의 공정 챔버 바닥면에 형성되어 가스가 유입되도록 한다. 한편, 가스 제1유입구(1411), 가스 제2유입구(1412)는 덮개체(143)가 없더라도 형성될 수 있다. 예컨대, 공정 챔버의 바닥면에 배기 홈부를 형성하고 배기 홈부와 연통되는 가스 유입구를 공정챔버의 바닥면에 형성함으로써 구현할 수 있다. 다만 이이러한 관통되는 가스 유입구 구조를 가지고자 하는 경우에는, 공정 챔버의 바닥면에 배기 홈부를 형성하고 배기 홈부의 상부를 차단하는 차례 블록을 조립하여 구현할 수 있다. 이때, 차폐 블록은 배기 홈부 형상을 가지며, 차폐 블록에 관통하는 관통구를 형성하여 이러한 관통구가 가스 유입구로서 활용되도록 할 수 있다.
한편, 배기 홈부(141)는, 가스 제1유입구(1411)와 가스 제2유입구(1412)를 연결하며 인접한 기판 지지대 사이의 공정 챔버의 바닥면에 파여진 제1배기 홈부(1413)와, 제1배기 홈부(1413)와 배기 포트(142)를 연결하며 공정 챔버의 바닥면에 파여진 제2배기 홈부(1414)를 포함한다. 만약, 각 기판 지지대(200)마다 기판 지지대 안착홈(120)이 마련된다면, 제1배기 홈부(1413)는 서로 인접한 기판 지지대 안착홈(120)과 연통되도록 내측으로 형성되어, 가스 제1유입구(1411) 및 가스 제2유입구(1412)는 기판 지지대 안착홈(120)의 둘레면에 형성될 수 있다.
이하, 배기 포트(142), 배기 홈부(141), 덮개체(143)에 대하여 자세히 상술한다.
배기 포트(142)는 공정 챔버(100)의 바닥면에 관통되어 수직으로 형성될 수 있으며, 배기 포트(142)는 외부의 진공 펌프(미도시)와 연결되는 진공 배기관(150)에 연결된다. 배기 포트(142)는 서로 다른 기판 지지대(200)의의 사이에 위치한다. 기판 지지대 안착홈(120)이 마련되는 경우, 예를 들어, 제1배기 포트(142a)는 제1기판 지지대 안착홈(120a)과 제2기판 지지대 안착홈(120b) 사이의 공정 챔버(100)의 바닥면에 위치한다. 마찬가지로 제2배기 포트(142b)는 제2기판 지지대 안착홈(120b)과 제3기판 지지대 안착홈(120c) 사이의 공정 챔버(100)의 바닥면에 위치하며, 제3배기 포트(142c)는 제3기판 지지대 안착홈(120c)과 제4기판 지지대 안착홈(120d) 사이의 공정 챔버(100)의 바닥면에 위치하며, 제4배기 포트(142d)는 제4기판 지지대 안착홈(120d)과 제1기판 지지대 안착홈(120a) 사이의 공정 챔버(100)의 바닥면에 위치한다.
인접한 기판 지지대 안착홈(120) 사이에 각각 위치하는 제1배기 포트(142a), 제2배기 포트(142b), 제3배기 포트(142c), 제4배기 포트(142d)는, 공정 챔버(100)의 바닥면의 중심을 중심점으로 하는 동일한 원주 상에서 위치할 수 있다. 즉, 공정 챔버(100)의 바닥면의 중심점에서 동일한 거리 만큼 떨어진 동일한 원주 상에서 동일 간격으로 제1배기 포트(142a), 제2배기 포트(142b), 제3배기 포트(142c), 제4배기 포트(142d)가 위치할 수 있다. 따라서 제1배기 포트(142a), 제2배기 포트(142b), 제3배기 포트(142c), 제4배기 포트(142d)에서 배기되는 공정 가스의 배기 흐름을 균일하게 할 수 있다.
또한 배기 포트(142)는, 배기 포트 중 적어도 하나는 나머지 다른 배기 포트와 직경이 다르도록 형성한다. 4개의 배기 포트(142a,142b,142c,142d)에서 배기되는 가스는 4개의 배기 포트에서 배기되는 가스가 한곳의 펌핑 블럭으로 수집되어 메인 배관을 통해 펌프에 의해 배기될 수 있다. 이러한 펌프에 연결된 메인 배관에 가까운 배기 포트의 경우, 떨어져 있는 다른 배기 포트보다 배기압이 더 클 수 있다. 따라서 균일한 배기를 위하여 메인 배관에 가까이 있는 배기 포트의 직경을 메인 배관에서 더 떨어져 있는 다른 배기 포트의 직경보다 작게하도록 구현할 수 있는 것이다.
배기 홈부(141)는 기판 지지대(200) 둘레의 가스가 배기 포트(142) 흘러가도록 인접한 기판 지지대(200) 사이의 바닥면을 따라 수평하게 파여진 형태를 가진다. 배기 홈부(141)는 인접한 기판 지지대 안착홈(120) 사이에 마련되는데, 제1기판 지지대(200a)가 안착되는 제1기판 지지대 안착홈(120a), 제2기판 지지대(200b)가 안착되는 제2기판 지지대 안착홈(120b), 제3기판 지지대(200c)가 안착되는 제3기판 지지대 안착홈(120c), 제4기판 지지대(200d)가 안착되는 제4기판 지지대 안착홈(120d)이 공정 챔버(100)의 바닥면에 형성된 경우, 각 기판 지지대 안착홈(120) 사이에 배기 홈부(141)가 각각 마련될 수 있다. 즉, 제1기판 지지대 안착홈(120a)과 제2기판 지지대 안착홈(120b)의 공정 가스를 유입받아 제1배기 포트(142a)로 홀러보내는 제1배기 홈부(141a)와, 제2기판 지지대 안착홈(120b)과 제3기판 지지대 안착홈(120c)의 공정 가스를 유입받아 제2배기 포트(142b)로 홀러보내는 제2배기 홈부(141b)와, 제3기판 지지대 안착홈(120c)과 제4기판 지지대 안착홈(120d)의 공정 가스를 유입받아 제3배기 포트(142c)로 홀러보내는 제3배기 홈부(141c)와, 제4기판 지지대 안착홈(120d)과 제1기판 지지대 안착홈(120a)의 공정 가스를 유입받아 제4배기 포트(142d)로 홀러보내는 제4배기 홈부(141d)를 포함한다.
각 배기 홈부(141;141a,141b,141c,141d)는 공정 챔버(100)의 바닥면을 단차지게 홈을 형성하여 수평한 유로를 마련함으로써, 기판 지지대 안착홈(120)에서 유입되는 공정 가스가 공정 챔버(100)의 바닥면에 형성된 배기 홈부(141)를 따라서 배기 포트(142)로 배출될 수 있도록 한다. 각 배기 홈부(141)는 인접한 기판 지지대 안착홈(120)의 사이에서 바닥면에 단차지게 'T'자 형태로 파여져 형성된다. 즉, 배기 홈부(141)는 두 개의 가스 유입구에서 유입되는 공정 가스를 한 곳으로 모아서 공정 챔버(100)의 바닥면에 파여진 유로를 따라 흐르게 하여 반대편의 하나의 배기 포트(142)를 통해 배출되도록 한다.
이를 위하여 각 배기 홈부(141)는 가스 제1유입구(1411)와 가스 제2유입구(1412)를 연결하며 인접한 기판 지지대 사이의 공정 챔버의 바닥면에 파여진 제1배기 홈부(1413)와, 제1배기 홈부(1413)와 배기 포트(142)를 연결하며 공정 챔버의 바닥면에 파여진 제2배기 홈부(1414)를 포함한다.
만약, 기판 지지대 안착홈(120)에 마련되는 경우에는, 기판 지지대 안착홈(120)의 둘레면과 관통되어 연결된 가스 제1유입구(1411)와, 인접한 다른 기판 지지대 안착홈(120)의 둘레면과 관통되어 연결된 가스 제2유입구(1412)와, 가스 제1유입구(1411)와 가스 제2유입구(1412)를 연결하며 공정 챔버(100)의 바닥면에 파여진 제1배기 홈부(1413)와, 제1배기 홈부(1413)와 배기 포트(142)를 연결하며 공정 챔버(100)의 바닥면에 파여진 제2배기 홈부(1414)를 포함한다. 하나의 기판 지지대 안착홈(120)에는 두 개의 가스 유입구(1411,1412)가 마련되어, 기판 지지대 안착홈(120) 내부의 공정 가스가 서로 다른 가스 유입구로 흘러가게 된다. 예를 들어, 도 6에 도시한 바와 같이 제1기판 지지대 안착홈(120a)에는 제1배기 홈부(141a)의 가스 제1유입구(1411a)와 제2배기 홈부(141b)의 가스 제2유입구(1412a)가 각각 형성되어, 제1기판 지지대 안착홈(120a)의 공정 가스가 제1배기 홈부(141a)의 가스 제1유입구(1411)와 제2배기 홈부(141b)의 가스 제2유입구(1412)로 각각 유입될 수 있다.
또한 동일한 기판 지지대 안착홈(120)의 둘레면에 마련되는 가스 제1유입구(1411)와 가스 제2유입구(1412)는 서로 마주보며 대향된 지점에 위치한다. 예를 들어, 제1기판 지지대 안착홈(120a)에 형성되는 제1배기 홈부(141a)의 가스 제1유입구(1411a)와 제2배기 홈부(141b)의 가스 제2유입구(1412a)는 제1기판 지지대 안착홈(120a)의 둘레면에 형성되어 서로 마주보며 180°마주보며 위치한다. 가스 제1유입구(1411a)와 가스 제2유입구(1412a)를 서로 마주보며 대향된 위치에 둠으로써, 기판 지지대 안착홈(120) 내의 공정 가스가 어느 한쪽으로 치우치지 않고 균일하게 배출될 수 있도록 한다.
한편, 덮개체(143)는 배기 홈부(141)가 공정 챔버(100)의 바닥면에서 노출되지 않도록 배기 홈부(141)를 덮는 벽체이다. 따라서 덮개체(143) 역시 'T'자 형태의 배기 홈부(141)와 유사한 형태를 가진다. 덮개체는 각 배기 홈부(141a,141b,141c,141d)를 덮도록 대응하는 제1덮개체(143a), 제2덮개체(143b), 제3덮개체(143c), 제4덮개체(143d)를 구비한다. 덮개체(143)는 배기 홈부(141)와의 결합을 통해 가스 제1유입구, 가스 제2유입구 및 배기 유로를 형성하도록 배기 홈부(141)의 상부에 결합되도록 한다. 가스가 배기되는 배기 유로는 제1배기 홈부(1413) 및 제2배기 홈부(1414)에 덮개체(143)가 결합되어 형성될 수 있다.
덮개체(143)는 판 형태의 얇은 플레이트로서 구현될 수 있지만, 두께를 가지는 하우징 벽체로 구현될 수 있다. 이럴 경우, 덮개체(143)의 측벽에는 도 7에 도시한 바와 같이 제1배기 홈부(1413)에 연결되는 단차홈(431)을 마련한다. 이러한 단차홈(1431)은 덮개체(143)의 측벽을 단차지게 홈으로 형성하여, 제1배기 홈부(1413)로 유입될 수 있는 가스 제1유입구(1411)와 단차홈(1431)간의 단면적을 넓혀 배기가 용이하게 이루어지도록 한다.
이밖에 덮개체(143)의 저면을 배기 홈부(141)의 'T'자 형상으로 배기 통로를 라인홈 형태로 파서 구현할 수 있다. 이럴 경우 배기 홈부(141)의 배기 통로 이외에 덮개체(143)의 저면에 형성되는 배기홈 만큼 더 배기가 더 잘 이루어질 수 있다.
참고로 본 발명의 실시예에 따라 각 기판 지지대에서 처리된 공정 가스의 배기 흐름의 실험예를 도 8에 도시하였다. 도 8을 참조하면 각 기판 지지대에서의 배기 흐름이 균일하게 이루어지고 있음을 알 수 있다.
한편, 상기의 설명에서 기판 지지대 안착홈(120)이 마련된 상태에서 배기부 구조를 설명하였으나, 기판 지지대 안착홈(120) 형성 없이도 공정 챔버의 바닥면에 가스 유입구, 배기 포트, 배기 홈부를 형성한 배기부를 구현하는 경우에도 마찬가지로 적용될 수 있음은 자명할 것이다.
본 발명을 첨부 도면과 전술된 바람직한 실시예를 참조하여 설명하였으나, 본 발명은 그에 한정되지 않으며, 후술되는 특허청구범위에 의해 한정된다. 따라서, 본 기술분야의 통상의 지식을 가진 자라면 후술되는 특허청구범위의 기술적 사상에서 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 변형 및 수정할 수 있다.
100:공정 챔버 101:기판 출입구
120:기판 지지대 안착홈 140:배기부
141:배기 홈부 200:기판 지지대
400:가스 분사부 300:턴테이블
301:턴테이블 구동축 1411:가스 제1유입구
1412:가스 제2유입구 1413:제1배기 홈부
1414:제2배기 홈부

Claims (10)

  1. 복수의 기판 처리 공간을 가지는 공정 챔버;
    상기 복수의 기판 처리 공간에 대응되어 설치되며, 상기 공정 챔버의 바닥면을 관통하는 지지축에 의해 상기 공정 챔버 내부에 상기 공정 챔버의 둘레를 따라 배치되어 기판을 지지하는 복수의 기판 지지대;
    상기 기판 지지대측으로 분사된 공정 가스가 공통 배기되도록 서로 인접한 기판 지지대 사이의 공정 챔버 바닥면에 형성되는 복수의 배기부;를 포함하며,
    상기 복수의 배기부 각각은, 서로 인접한 기판 지지대 사이의 공정 챔버 바닥면에 형성되어 서로 인접한 기판 지지대측으로 분사된 공정 가스가 각각 유입되는 가스 제1유입구 및 가스 제2유입구를 연결하는 배기 홈부; 서로 인접한 기판 지지대 사이에 위치되어 상기 배기 홈부를 통해 유입된 공정가스를 공정 챔버 외부로 배출하기 위한 배기 포트;를 포함하며,
    상기 공정 챔버의 바닥면에 파여진 복수의 기판 지지대 안착홈;을 포함하며,
    상기 가스 제1유입구와 가스 제2유입구는, 상기 기판 지지대 안착홈에 대하여 서로 마주보며 대향된 지점에 위치되며,
    상기 배기 홈부는,
    상기 가스 제1유입구와 상기 가스 제2유입구를 연결하며 상기 공정 챔버의 바닥면에 수평하게 파여진 제1배기 홈부;와 상기 제1배기 홈부와 상기 배기 포트를 연결하며 상기 공정 챔버의 바닥면에 수평하게 파여진 제2배기 홈부;를 포함하며,
    상기 제1배기 홈부 및 상기 제2배기 홈부는, 'T'자 형태로 형성되는 기판 처리 장치.
  2. 청구항 1에 있어서, 상기 복수의 배기부 각각은,
    상기 배기 홈부와의 결합을 통해 상기 가스 제1유입구, 상기 가스 제2유입구 및 상기 배기포트로의 배기 유로를 형성하도록 상기 배기 홈부의 상부에 결합되는 덮개체;
    를 포함하는 기판 처리 장치.
  3. 삭제
  4. 청구항 2에 있어서,
    상기 가스 제1유입구는 기판 지지대의 둘레의 공정 챔버 바닥면에 형성되며,
    상기 가스 제2유입구는, 상기 가스 제1유입구가 위치하는 기판 지지대에 인접한 다른 기판 지지대의 둘레의 공정 챔버 바닥면에 형성됨을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  5. 삭제
  6. 삭제
  7. 청구항 1 내지 청구항 2 및 청구항 4 중 어느 하나의 항에 있어서, 상기 배기 포트는,
    상기 기판 지지대의 개수와 동일한 개수로서 형성되는 기판 처리 장치.
  8. 청구항 1 내지 청구항 2 및 청구항 4 중 어느 하나의 항에 있어서, 상기 배기 포트는,
    배기 포트 중 적어도 하나는 나머지 다른 배기 포트와 직경보다 작은 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  9. 청구항 1 내지 청구항 2 및 청구항 4 중 어느 하나의 항에 있어서, 상기 배기 포트는,
    상기 공정 챔버의 바닥면의 중심을 중심점으로 하는 동일한 원주 상에서 위치하는 기판 처리 장치.
  10. 청구항 9에 있어서, 상기 배기 포트는,
    공정 챔버의 바닥면의 중심을 중심점으로 하는 동일한 원주 상에서 동일 간격으로 이격된 제1배기 포트, 제2배기 포트, 제3배기포트, 제4배기 포트를 포함하는 기판 처리 장치.
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