KR102078996B1 - Light-permeable electrically-conductive film, and touch panel equipped with light-permeable electrically-conductive film - Google Patents

Abstract

우수한 에칭성을 갖는, (A) 광투과성 지지층 및 (B) 산화인듐을 함유하는 광투과성 도전층을 함유하는 광투과성 도전성 필름을 제공하는 것을 과제로 한다. 그 해결 수단으로서, (A) 고분자 수지를 함유하는 광투과성 지지층 ; 및 (B) 산화인듐을 함유하는 광투과성 도전층을 함유하고, 상기 광투과성 도전층 (B) 가, 상기 광투과성 지지층 (A) 의 적어도 일방의 면에, 직접 또는 1 이상의 다른 층을 개재하여 배치되어 있는 광투과성 도전성 필름으로서, (Ib_α － Ib_α－0.025°)/(Ia_α － Ia_α－0.025°) 로 나타내는 함수 f(α) 의 평균값이 0.08 ∼ 5.00 인 것을 특징으로 하는 광투과성 도전성 필름을 제공한다.An object of the present invention is to provide a light-transmissive conductive film containing (A) a light-transmitting support layer and (B) a light-transmissive conductive layer containing indium oxide having excellent etching properties. As the solution means, (A) the transparent support layer containing a polymer resin; And (B) a transparent conductive layer containing indium oxide, wherein the transparent conductive layer (B) is directly on at least one surface of the transparent supporting layer (A) or via one or more other layers. a light-transmitting conductive film is _{arranged, (Ib α - Ib α-} 0.025 °) / - light transmission of the feature to be 0.08 ~ 5.00 the average value of the function f (α) shown in _{(Ia α Ia α-0.025 °} ) It provides a conductive film.

Description

광투과성 도전성 필름 및 광투과성 도전성 필름을 함유하는 터치 패널{LIGHT-PERMEABLE ELECTRICALLY-CONDUCTIVE FILM, AND TOUCH PANEL EQUIPPED WITH LIGHT-PERMEABLE ELECTRICALLY-CONDUCTIVE FILM}LIGHT-PERMEABLE ELECTRICALLY-CONDUCTIVE FILM, AND TOUCH PANEL EQUIPPED WITH LIGHT-PERMEABLE ELECTRICALLY-CONDUCTIVE FILM}

본 발명은 광투과성 도전성 필름, 그 제조 방법 및 그 용도에 관한 것이다.The present invention relates to a transparent conductive film, a method for producing the same, and a use thereof.

터치 패널에 탑재되는 광투과성 도전성 필름으로서, 폴리에스테르 등으로 이루어지는 광투과성 지지층의 적어도 일방의 면에, 직접 또는 다른 층을 개재하여, 산화인듐을 함유하는 광투과성 도전층을 배치한 광투과성 도전성 필름이 많이 사용되고 있다.As a transparent conductive film mounted on a touch panel, the transparent conductive film which arrange | positioned the transparent conductive layer containing indium oxide on the at least one surface of the transparent support layer which consists of polyester etc. directly or another layer is provided. This is used a lot.

광투과성 도전성 필름을, 예를 들어 격자상 등의 전극으로서 성형 (이른바 패터닝) 할 때에, 광투과성 도전성 필름을 일단 배치한 후, 약품 처리에 의해 소정 영역에 대해서만 필름을 제거하는, 이른바 에칭 처리를 실시하여, 결과적으로 원하는 형상의 전극을 형성하는 것이 행해지고 있다. 따라서, 에칭 처리에 의해 에칭되기 어렵거나, 혹은 과도하게 에칭되기 쉬운 광투과성 도전성 필름은, 원하는 형상으로 패터닝하는 것이 곤란하다는 등의 문제가 있다.In forming (so-called patterning) a transparent conductive film, for example, as an electrode such as a lattice, the so-called etching treatment is performed in which the transparent conductive film is once disposed and then the film is removed only for a predetermined region by chemical treatment. It is performed and, as a result, forming the electrode of a desired shape is performed. Therefore, the transparent electroconductive film which is hard to be etched by an etching process or is easy to be excessively etched has a problem that it is difficult to pattern into a desired shape.

이와 같이, 터치 패널에 탑재되는 광투과성 도전성 필름으로는, 에칭 처리에 의해 원하는 형상으로 성형하는 것이 용이하다는 특성 (이른바 에칭성) 이 우수한 광투과성 도전성 필름이 요구되고 있다.As described above, as the light-transmissive conductive film mounted on the touch panel, a light-transmissive conductive film excellent in characteristics (so-called etching properties) that it is easy to be molded into a desired shape by an etching process is required.

지금까지 산화인듐을 함유하는 광투과성 도전층의 결정성을 제어함으로써, 에칭성이 우수한 광투과성 도전성 필름을 제공하고자 하는 시도가 이루어지고 있다 (특허문헌 1 및 2).Until now, the attempt to provide the transparent electroconductive film excellent in etching property is made by controlling the crystallinity of the transparent conductive layer containing indium oxide (patent document 1 and 2).

일본 공개특허공보 2000-129427호Japanese Laid-Open Patent Publication 2000-129427 일본 특허공보 4269587호Japanese Patent Publication 4269587

본 발명은, 우수한 에칭성을 갖는, (A) 고분자 수지를 함유하는 광투과성 지지층 및 (B) 산화인듐을 함유하는 광투과성 도전층을 함유하는 광투과성 도전성 필름을 제공하는 것을 과제로 한다.An object of this invention is to provide the light transmissive electroconductive film containing the light transmissive support layer containing (A) polymer resin which has the outstanding etching property, and the light transmissive conductive layer containing (B) indium oxide.

본 발명자들은 예의 검토를 거듭하여, 박막법에 의한 XRD 측정에 있어서, 폴리에스테르의 회절 강도와 산화인듐의 회절 강도가 소정의 관계를 나타내는 광투과성 도전성 필름이 상기 과제를 해결할 수 있는 것을 새롭게 알아냈다. 본 발명은, 이 새로운 지견에 기초하여 더욱 다양한 검토를 거듭함으로써 완성된 것으로, 다음에 언급하는 것이다.MEANS TO SOLVE THE PROBLEM The present inventors earnestly examined, and newly discovered that the optically conductive electroconductive film which shows the predetermined relationship between the diffraction intensity of polyester and the diffraction intensity of indium oxide in the XRD measurement by a thin film method can solve the said subject. . This invention is completed by repeating further various examination based on this new knowledge, and mentions next.

항 1Article 1

(A) 고분자 수지를 함유하는 광투과성 지지층 ; 및(A) The transparent support layer containing polymeric resin; And

(B) 산화인듐을 함유하는 광투과성 도전층(B) A transparent conductive layer containing indium oxide

을 함유하고,Containing,

상기 광투과성 도전층 (B) 가, 상기 광투과성 지지층 (A) 의 적어도 일방의 면에, 직접 또는 1 이상의 다른 층을 개재하여 배치되어 있는 광투과성 도전성 필름으로서, The light-transmissive conductive layer (B) is a light-transmissive conductive film disposed on at least one surface of the light-transmissive support layer (A) directly or through one or more other layers,

(Ib_α － Ib_α－0.025°)/(Ia_α － Ia_α－0.025°) (Ib _α -Ib _{α-0.025 °} ) / (Ia _α -Ia _{α-0.025 °} )

로 나타내는 함수 f(α) 의 평균값이 0.08 ∼ 5.00 인 것을 특징으로 하는 광투과성 도전성 필름.The average value of the function f ((alpha)) shown to be 0.08-5.00, The transparent conductive film characterized by the above-mentioned.

(단, α 는, (Where α is

α_min ＋ n × 0.025°(n = 1, 2, 3, …)α _min + n × 0.025 ° (n = 1, 2, 3,…)

(단, α_min 은, 0.100°이상의 범위 내에 있어서, 박막법 XRD 측정에 있어서 (222) 면의 피크를 확인할 수 있는 최소의 입사각이다) (Wherein _min is the minimum incidence angle at which the peak of the (222) plane can be confirmed in the thin film method XRD measurement within a range of 0.100 ° or more)

로 나타내는 변수이고,Is represented by

다음 식 (Ⅰ) 및 (Ⅱ) 를 만족시키고,Satisfy the following formulas (I) and (II),

α ≤ 0.600° ‥‥ (Ⅰ) α ≤ 0.600 ° ‥‥ (I)

f(α) ≥ 0.7 × f(α － 0.025°) ‥‥ (Ⅱ)f (α) ≥ 0.7 × f (α-0.025 °) ‥‥ (II)

Ia_α 는, 입사각 α 의 박막법 XRD 측정에 있어서의 고분자 수지 유래의 2θ = 26°부근의 피크 강도이고, 또한 Ia _α is the peak intensity near 2θ = 26 ° derived from the polymer resin in the thin film method XRD measurement of the incident angle α, and

Ib_α 는, 입사각 α 의 박막법 XRD 측정에 있어서의 산화인듐 유래의 (222) 면의 피크 강도이다.)Ib _α is the peak intensity of the (222) plane derived from indium oxide in the thin film method XRD measurement of the incident angle α.)

항 2Item 2

상기 광투과성 지지층 (A) 의 두께가, 20 ∼ 200 ㎛ 인, 항 1 에 기재된 광투과성 도전성 필름.The transparent electroconductive film of Claim 1 whose thickness of the said transparent support layer (A) is 20-200 micrometers.

항 3Item 3

상기 고분자 수지가, 폴리에틸렌테레프탈레이트 또는 폴리카보네이트인, 항 1 또는 2 에 기재된 광투과성 도전성 필름.The transparent electroconductive film of Claim 1 or 2 whose said polymeric resin is polyethylene terephthalate or polycarbonate.

항 4Item 4

광투과성 도전층 (B) 의 두께가, 15 ∼ 30 ㎚ 인, 항 1 ∼ 3 중 어느 한 항에 기재된 광투과성 도전성 필름.The transparent electroconductive film in any one of Claims 1-3 whose thickness of a transparent conductive layer (B) is 15-30 nm.

항 5 Clause 5

대기 중 90 ∼ 160 ℃ 에서 10 ∼ 120 분간 가열함으로써 얻어질 수 있는, 항 1 ∼ 4 중 어느 한 항에 기재된 광투과성 도전성 필름.The transparent electroconductive film in any one of Claims 1-4 which can be obtained by heating for 10 to 120 minutes at 90-160 degreeC in air | atmosphere.

항 6Item 6

광투과성 도전층 (B) 가, 3 ∼ 10 ％ 의 SnO₂ 를 산화인듐에 첨가하여 얻어질 수 있는 산화인듐주석을 함유하는, 항 1 ∼ 5 중 어느 한 항에 기재된 광투과성 도전성 필름.Transparent conductive layer (B) is 3 to 10% of SnO ₂ to a light-transmitting conductive film described in one, wherein 1 to 5 containing indium tin oxide, which can be obtained by adding the indium oxide.

항 7Item 7

항 1 ∼ 6 중 어느 한 항에 기재된 광투과성 도전성 필름을 함유하는, 터치 패널.The touch panel containing the transparent electroconductive film in any one of Claims 1-6.

본 발명에 의하면, 우수한 에칭성을 갖는, (A) 광투과성 지지층 및 (B) 산화인듐을 함유하는 광투과성 도전층을 함유하는 광투과성 도전성 필름을 제공할 수 있다. According to this invention, the light transmissive electroconductive film containing the (A) light transmissive support layer which has the outstanding etching property, and the light transmissive conductive layer containing (B) indium oxide can be provided.

도 1 은 광투과성 지지층 (A) 의 편면에 광투과성 도전층 (B) 가 인접하여 배치되어 있는, 본 발명의 광투과성 도전성 필름을 나타내는 단면도이다.
도 2 는 광투과성 지지층 (A) 의 양면에 광투과성 도전층 (B) 가 인접하여 배치되어 있는, 본 발명의 광투과성 도전성 필름을 나타내는 단면도이다.
도 3 은 서로 0.025°차이의 연속되는 3 종의 X 선 입사각 (α－0.025°, α°, α＋0.025°) 에서 각각 측정한 고분자 수지 유래의 회절 강도 Ia 및 산화인듐 유래의 회절 강도 Ib 를, 고분자 수지 유래의 회절 강도를 횡축, 또한 산화인듐 유래의 회절 강도를 종축으로 하여 각각 플롯하여 얻어진 그래프의 일례이다.
도 4 는 함수 f(α) 의 그래프의 일례이다.
도 5 는 광투과성 지지층 (A) 의 편면에 언더코트층 (C) 및 광투과성 도전층 (B) 가 이 순서로 서로 인접하여 배치되어 있는, 본 발명의 광투과성 도전성 필름을 나타내는 단면도이다.
도 6 은 광투과성 지지층 (A) 의 양면에 언더코트층 (C) 및 광투과성 도전층 (B) 가 이 순서로 서로 인접하여 배치되어 있는, 본 발명의 광투과성 도전성 필름을 나타내는 단면도이다.
도 7 은 광투과성 지지층 (A) 의 편면에 하드 코트층 (D), 언더코트층 (C) 및 광투과성 도전층 (B) 가 이 순서로 서로 인접하여 배치되어 있는, 본 발명의 광투과성 도전성 필름을 나타내는 단면도이다.
도 8 은 광투과성 지지층 (A) 의 일방의 면에 하드 코트층 (D), 언더코트층 (C) 및 광투과성 도전층 (B) 가 이 순서로 서로 인접하여 배치되어 있고, 타방의 면에 다른 하드 코트층 (D) 가 직접 배치되어 있는, 본 발명의 광투과성 도전성 필름을 나타내는 단면도이다.
도 9 는 광투과성 지지층 (A) 의 양면에 하드 코트층 (D), 언더코트층 (C) 및 광투과성 도전층 (B) 가 이 순서로 서로 인접하여 배치되어 있는, 본 발명의 광투과성 도전성 필름을 나타내는 단면도이다.1: is sectional drawing which shows the transparent electroconductive film of this invention in which the transparent conductive layer (B) is arrange | positioned adjacent to the single side | surface of the transparent support layer (A).
FIG. 2: is sectional drawing which shows the transparent electroconductive film of this invention by which the transparent conductive layer (B) is arrange | positioned adjacent to both surfaces of the transparent support layer (A).
3 shows diffraction intensity Ia derived from a polymer resin and diffraction intensity Ib derived from indium oxide, respectively, measured at three successive X-ray incident angles (α-0.025 °, α °, α + 0.025 °) having a difference of 0.025 ° from each other. And a graph obtained by plotting the diffraction intensity derived from the polymer resin as the horizontal axis and the diffraction intensity derived from indium oxide as the vertical axis, respectively.
4 is an example of a graph of the function f (α).
FIG. 5: is sectional drawing which shows the transparent conductive film of this invention in which the undercoat layer (C) and the transparent conductive layer (B) are arrange | positioned adjacent to each other in this order on the single side | surface of the transparent support layer (A).
FIG. 6: is sectional drawing which shows the transparent conductive film of this invention in which the undercoat layer (C) and the transparent conductive layer (B) are arrange | positioned adjacent to each other in this order on both surfaces of the transparent support layer (A).
Fig. 7 is a light-transmitting conductive material of the present invention in which a hard coat layer (D), an undercoat layer (C), and a light-transmitting conductive layer (B) are arranged adjacent to each other in this order on one side of the light-transmitting support layer (A). It is sectional drawing which shows a film.
FIG. 8 shows that the hard coat layer (D), the undercoat layer (C) and the light-transmitting conductive layer (B) are arranged adjacent to each other in this order on one surface of the light-transmitting support layer (A), and on the other surface. It is sectional drawing which shows the transparent electroconductive film of this invention in which another hard-coat layer (D) is arrange | positioned directly.
9 is a light-transmitting conductive material of the present invention in which a hard coat layer (D), an undercoat layer (C) and a light-transmitting conductive layer (B) are arranged adjacent to each other in this order on both sides of the light-transmitting support layer (A). It is sectional drawing which shows a film.

1. 광투과성 도전성 필름 1. Transparent conductive film

본 발명의 광투과성 도전성 필름은,The transparent electroconductive film of this invention,

(A) 고분자 수지를 함유하는 광투과성 지지층 ; 및(A) The transparent support layer containing polymeric resin; And

(B) 산화인듐을 함유하는 광투과성 도전층(B) A transparent conductive layer containing indium oxide

을 함유하고,Containing,

상기 광투과성 도전층 (B) 가, 상기 광투과성 지지층 (A) 의 적어도 일방의 면에, 직접 또는 1 이상의 다른 층을 개재하여 배치되어 있는 광투과성 도전성 필름으로서, The light-transmissive conductive layer (B) is a light-transmissive conductive film disposed on at least one surface of the light-transmissive support layer (A) directly or through one or more other layers,

(Ib_α － Ib_α－0.025°)/(Ia_α － Ia_α－0.025°) (Ib _α -Ib _{α-0.025 °} ) / (Ia _α -Ia _{α-0.025 °} )

로 나타내는 함수 f(α) 의 평균값이 0.08 ∼ 5.00 인 것을 특징으로 하는 광투과성 도전성 필름The average value of the function f ((alpha)) shown to be 0.08-5.00, The transparent conductive film characterized by the above-mentioned.

(단, α 는, (Where α is

α_min ＋ n × 0.025°(n = 1, 2, 3, …)α _min + n × 0.025 ° (n = 1, 2, 3,…)

(단, α_min 은, 0.100°이상의 범위 내에 있어서, 박막법 XRD 측정에 있어서 (222) 면의 피크를 확인할 수 있는 최소의 입사각이다) (Wherein _min is the minimum incidence angle at which the peak of the (222) plane can be confirmed in the thin film method XRD measurement within a range of 0.100 ° or more)

로 나타내는 변수이고,Is represented by

다음 식 (Ⅰ) 및 (Ⅱ) 를 만족시키고,Satisfy the following formulas (I) and (II),

α ≤ 0.600° ‥‥ (Ⅰ) α ≤ 0.600 ° ‥‥ (I)

f(α) ≥ 0.7 × f(α － 0.025°) ‥‥ (Ⅱ)f (α) ≥ 0.7 × f (α-0.025 °) ‥‥ (II)

Ia_α 는, 입사각 α 의 박막법 XRD 측정에 있어서의 고분자 수지 유래의 2θ = 26°부근의 피크 강도이고, 또한 Ia _α is the peak intensity near 2θ = 26 ° derived from the polymer resin in the thin film method XRD measurement of the incident angle α, and

Ib_α 는, 입사각 α 의 박막법 XRD 측정에 있어서의 산화인듐 유래의 (222) 면의 피크 강도이다.)Ib _α is the peak intensity of the (222) plane derived from indium oxide in the thin film method XRD measurement of the incident angle α.)

이다.to be.

본 발명에 있어서 「광투과성」이란, 광을 투과시키는 성질을 갖는 (translucent) 것을 의미한다. 「광투과성」에는 투명 (transparent) 이 포함된다. 「광투과성」이란, 예를 들어, 전광선 투과율이 80 ％ 이상, 바람직하게는 85 ％ 이상, 보다 바람직하게는 87 ％ 이상인 성질을 말한다. 본 발명에 있어서 전광선 투과율은, 헤이즈미터 (닛폰 전색사 제조, 상품명 : NDH-2000 또는 그 동등품) 를 사용하여 JIS-K-7105 에 기초하여 측정한다.In this invention, "light transmittance" means the thing which has a property which permeate | transmits light. "Transparent" includes transparent. "Light transmittance" means the property whose total light transmittance is 80% or more, Preferably it is 85% or more, More preferably, it is 87% or more. In the present invention, the total light transmittance is measured based on JIS-K-7105 using a haze meter (Nippon Inc., trade name: NDH-2000 or an equivalent thereof).

본 명세서에 있어서, 광투과성 지지층 (A) 의 일방의 면에 배치되는 복수의 층 중 2 개의 층의 상대적인 위치 관계에 대해서 언급하는 경우, 광투과성 지지층 (A) 를 기준으로 하여, 광투과성 지지층 (A) 로부터의 거리가 큰 일방의 층을 「상층」 또는 「상방에 위치한다」등이라고 하고, 광투과성 지지층 (A) 로부터의 거리가 작은 타방의 층을 「하층」 또는 「하방에 위치한다」등이라고 하는 경우가 있다.In the present specification, when referring to the relative positional relationship between two layers among the plurality of layers disposed on one surface of the transparent support layer (A), the transparent support layer (based on the transparent support layer (A)) One layer having a large distance from A) is referred to as "upper layer" or "located upward", and the other layer having a small distance from the light transmissive support layer (A) is referred to as "lower layer" or "downward". It may be called.

도 1 에, 본 발명의 광투과성 도전성 필름의 일 양태를 나타낸다. 이 양태에서는, 광투과성 지지층 (A) 의 편면에 광투과성 도전층 (B) 가 서로 인접하여 배치되어 있다. 이와 같은 광투과성 도전성 필름의 것을 「편면 광투과성 도전성 필름」이라고 하는 경우가 있다.1, the one aspect | mode of the transparent electroconductive film of this invention is shown. In this embodiment, the transparent conductive layer (B) is disposed adjacent to each other on one surface of the transparent supporting layer (A). The thing of such a transparent conductive film may be called "one-sided transparent electroconductive film."

도 2 에, 본 발명의 광투과성 도전성 필름의 다른 양태를 나타낸다. 이 양태에서는, 광투과성 지지층 (A) 의 양면에 광투과성 도전층 (B) 가 서로 인접하여 배치되어 있다. 이와 같은 광투과성 도전성 필름의 것을 「양면 광투과성 도전성 필름」이라고 하는 경우가 있다.2, the other aspect of the transparent electroconductive film of this invention is shown. In this embodiment, the transparent conductive layer (B) is disposed adjacent to each other on both surfaces of the transparent supporting layer (A). The thing of such a transparent conductive film may be called "double-sided transparent conductive film."

1.1 광투과성 지지층 (A) 1.1 Transmissive Support Layer (A)

본 발명에 있어서 광투과성 지지층이란, 광투과성 도전층을 함유하는 광투과성 도전성 필름에 있어서, 광투과성 도전층을 함유하는 층을 지지하는 역할을 하는 것을 말한다. 광투과성 지지층 (A) 로는, 특별히 한정되지 않지만, 예를 들어, 터치 패널용 광투과성 도전성 필름에 있어서, 광투과성 지지층으로서 통상적으로 사용되는 것을 사용할 수 있다.In the present invention, the light transmissive support layer means that in the light transmissive conductive film containing the light transmissive conductive layer, it serves to support the layer containing the light transmissive conductive layer. Although it does not specifically limit as a transparent support layer (A), For example, in the transparent conductive film for touch panels, what is normally used as a transparent support layer can be used.

광투과성 지지층 (A) 는, 고분자 수지를 함유한다. 고분자 수지로는, 특별히 한정되지 않지만, 예를 들어, 폴리에스테르 및 폴리카보네이트 (PC) 등을 들 수 있다. 고분자 수지로는, 바람직하게는 폴리에틸렌테레프탈레이트 (PET), 폴리에틸렌나프탈레이트 (PEN) 및 PC 등을 들 수 있다. 고분자 수지로는, 특히 PET 및 PC 가 바람직하다. 광투과성 지지층 (A) 는, 2 종 이상의 고분자 수지를 함유하고 있어도 된다.The transparent support layer (A) contains a polymer resin. Although it does not specifically limit as polymer resin, For example, polyester, a polycarbonate (PC), etc. are mentioned. As polymer resin, Preferably, polyethylene terephthalate (PET), polyethylene naphthalate (PEN), PC, etc. are mentioned. As the polymer resin, PET and PC are particularly preferable. The transparent support layer (A) may contain 2 or more types of polymer resins.

광투과성 지지층 (A) 는, 추가로 그 밖의 성분을 함유하고 있어도 된다. 광투과성 지지층 (A) 는, 1 종 이상의 고분자 수지에 더하여, 추가로 2 종 이상의 그 밖의 성분을 함유하고 있어도 된다.The transparent support layer (A) may further contain other components. In addition to 1 or more types of polymeric resin, the light transmissive support layer (A) may contain 2 or more types of other components further.

광투과성 지지층 (A) 의 두께는, 특별히 한정되지 않지만, 20 ∼ 200 ㎛ 이면 바람직하고, 25 ∼ 200 ㎛ 이면 보다 바람직하고, 30 ∼ 190 ㎛ 이면 보다 바람직하고, 50 ∼ 150 ㎛ 이면 더욱 바람직하다. 광투과성 지지층의 두께는, 두께 측정기 (주식회사 니콘사 제조, DIGIMICRO MF501+MFC-101 또는 그 동등품) 를 사용하여 계측한다.Although the thickness of a transparent support layer (A) is not specifically limited, It is preferable in it being 20-200 micrometers, It is more preferable in it being 25-200 micrometers, It is more preferable in it being 30-190 micrometers, It is still more preferable in it being 50-150 micrometers. The thickness of a transparent support layer is measured using the thickness measuring device (The Nikon Corporation make, DIGIMICRO MF501 + MFC-101 or its equivalent).

1.2 광투과성 도전층 (B) 1.2 Transparent conductive layer (B)

광투과성 도전층 (B) 는 산화인듐을 함유하고, 도펀트로서 주석 산화물 및/또는 아연 산화물 등을 함유하고 있어도 된다. 광투과성 도전층 (B) 로는, 산화인듐주석 (tin-doped indium oxide (ITO)) 이 바람직하다.The transparent conductive layer (B) contains indium oxide and may contain tin oxide, zinc oxide, or the like as a dopant. As the transparent conductive layer (B), tin-doped indium oxide (ITO) is preferable.

광투과성 도전층 (B) 의 소재는, 특별히 한정되지 않지만, 예를 들어, 산화인듐, 산화아연, 산화주석 및 산화티탄 등을 들 수 있다. 광투과성 도전층 (B) 로는, 투명성과 도전성을 양립시키는 점에서, 산화인듐에 도펀트를 도프한 것을 함유하는 광투과성 도전층이 바람직하다. 광투과성 도전층 (B) 는, 산화인듐에 도펀트를 도프한 것으로 이루어지는 광투과성 도전층이어도 된다. 도펀트로는, 특별히 한정되지 않지만, 예를 들어, 산화주석 및 산화아연, 그리고 그들의 혼합물 등을 들 수 있다.Although the raw material of a transparent conductive layer (B) is not specifically limited, For example, indium oxide, zinc oxide, tin oxide, titanium oxide, etc. are mentioned. As a transparent conductive layer (B), in order to make transparency and electroconductivity compatible, the transparent conductive layer containing the thing which doped the dopant to indium oxide is preferable. The transparent conductive layer (B) may be a transparent conductive layer composed of a dopant doped with indium oxide. The dopant is not particularly limited, and examples thereof include tin oxide and zinc oxide, and mixtures thereof.

광투과성 도전층 (B) 의 소재로서 산화인듐에 산화주석을 도프한 것을 사용하는 경우에는, 산화인듐(Ⅲ) (In₂O₃) 에 산화주석(Ⅳ) (SnO₂) 를 도프한 것 (tin-doped indium oxide ; ITO) 이 바람직하다. 이 경우, SnO₂ 의 첨가량으로는, 특별히 한정되지 않지만, 예를 들어, 1 ∼ 15 중량％, 바람직하게는 2 ∼ 10 중량％, 보다 바람직하게는 3 ∼ 8 중량％ 등을 들 수 있다. 또, 도펀트의 총량이 상기에 기재한 수치 범위를 넘지 않는 범위에서, 산화인듐주석에 추가로 다른 도펀트가 첨가된 것을 광투과성 도전층 (B) 의 소재로서 사용해도 된다. 상기 기재에 있어서 다른 도펀트로는, 특별히 한정되지 않지만, 예를 들어 셀렌 등을 들 수 있다.When using tin oxide doped with indium oxide as a material of the transparent conductive layer (B), doped tin oxide (IV) (SnO ₂ ) in indium oxide (III) (In ₂ O ₃ ) ( tin-doped indium oxide (ITO) is preferred. In this case, the amount of SnO ₂ is not particularly limited, and examples thereof include 1 to 15% by weight, preferably 2 to 10% by weight, more preferably 3-8% by weight. In addition, in the range where the total amount of the dopant does not exceed the numerical range described above, another dopant added to indium tin oxide may be used as the material of the transparent conductive layer (B). Although it does not specifically limit as another dopant in the said base material, For example, selenium etc. are mentioned.

광투과성 도전층 (B) 는, 상기의 각종 소재 중 어느 것 단독으로 이루어지는 것이어도 되고, 복수 종으로 이루어지는 것이어도 된다.The transparent conductive layer (B) may be made of any of the above various materials alone, or may be made of a plurality of kinds.

광투과성 도전층 (B) 는, 특별히 한정되지 않지만, 결정체 혹은 비정질체, 또는 그들의 혼합체여도 된다.The light-transmissive conductive layer (B) is not particularly limited, but may be a crystalline or amorphous or a mixture thereof.

광투과성 도전층 (B) 는, 광투과성 지지층 (A) 의 적어도 일방의 면에, 직접 또는 1 이상의 다른 층을 개재하여 배치되어 있다.The transparent conductive layer (B) is disposed on at least one surface of the transparent supporting layer (A) directly or through one or more other layers.

광투과성 도전층 (B) 는, 가열 처리에 의해 결정화되어 있다. 결정화의 정도가 진행됨에 따라 함수 f(α) 의 값을 증가시킬 수 있다. 바꾸어 말하면, 가열 처리 전에 미리 함수 f(α) 의 평균값을 구해 두고, 필요에 따라 가열 처리를 실시함으로써 결정화의 정도를 조정함으로써 함수 f(α) 의 값을 조정할 수 있다.The transparent conductive layer (B) is crystallized by heat treatment. As the degree of crystallization progresses, the value of the function f (α) can be increased. In other words, the average value of the function f ((alpha)) is calculated | required before heat processing previously, and the value of the function f ((alpha)) can be adjusted by adjusting the grade of crystallization by performing heat processing as needed.

광투과성 도전층 (B) 는, 바람직하게는 박막법 XRD 측정에 있어서, (222) 면의 피크가 다른 피크에 비해 가장 강하다.The transparent conductive layer (B), in the thin film method XRD measurement, preferably has the strongest peak on the (222) plane compared to other peaks.

광투과성 도전층 (B) 의 두께는 15 ∼ 30 ㎚, 바람직하게는 16 ∼ 28 ㎚, 보다 바람직하게는 17 ∼ 25 ㎚ 이다.The thickness of a transparent conductive layer (B) is 15-30 nm, Preferably it is 16-28 nm, More preferably, it is 17-25 nm.

광투과성 도전층 (B) 의 두께는, 다음과 같이 하여 측정한다. 투과형 전자 현미경 관찰에 의해 측정한다. 구체적으로는, 마이크로톰 또는 포커스 이온 빔 등을 사용하여 광투과성 도전성 필름을 필름면에 대해 수직 방향으로 얇게 절단하고, 그 단면을 관찰한다.The thickness of a transparent conductive layer (B) is measured as follows. It measures by transmission electron microscope observation. Specifically, the light-transmitting conductive film is thinly cut in the vertical direction with respect to the film surface by using a microtome, a focus ion beam, or the like, and the cross section is observed.

광투과성 도전층 (B) 를 형성하는 방법은, 습식 및 건식 중 어느 것이어도 된다.The method of forming a transparent conductive layer (B) may be either wet or dry.

광투과성 도전층 (B) 를 형성하는 방법으로는, 특별히 한정되지 않지만, 예를 들어, 이온 플레이팅법, 스퍼터링법, 진공 증착법, CVD 법 및 펄스 레이저 디포지션법 등을 들 수 있다. 광투과성 도전층 (B) 를 형성하는 방법으로는, 스퍼터링법이 바람직하다.Although it does not specifically limit as a method of forming a transparent conductive layer (B), For example, an ion plating method, sputtering method, a vacuum vapor deposition method, a CVD method, a pulse laser deposition method, etc. are mentioned. As a method of forming a transparent conductive layer (B), sputtering method is preferable.

박막법에 의한 입사각 α 의 XRD 측정에 있어서, 고분자 수지의 회절 강도와 산화인듐의 회절 강도가 소정의 관계를 나타내는 본 발명의 광투과성 도전성 필름을 얻기 위해서는, 특별히 한정되지 않지만, 스퍼터링법에 의해 광투과성 도전층 (B) 를 형성하는 경우에는, 예를 들어 산소 분압, 하지 (下地) 가 되는 층의 평균 표면 조도 (Ra), 물 도입의 분압, 성막 온도 및 광투과성 도전층 (B) 두께의 밸런스를 적절히 조정하면 된다.In the XRD measurement of the incidence angle α by the thin film method, in order to obtain the light-transmissive conductive film of the present invention in which the diffraction intensity of the polymer resin and the diffraction intensity of indium oxide have a predetermined relationship, it is not particularly limited, but the light is produced by the sputtering method. In the case of forming the transparent conductive layer (B), for example, the oxygen partial pressure, the average surface roughness (Ra) of the layer serving as the base, the partial pressure of water introduction, the film formation temperature and the light-transmissive conductive layer (B) thickness What is necessary is just to adjust a balance suitably.

1.3 함수 f(α) 1.3 function f (α)

본 발명의 광투과성 도전성 필름은, 함수 f(α) 의 평균값이 0.08 ∼ 5.00 인 것을 특징으로 한다.The optically conductive electroconductive film of this invention is characterized by the average value of the function f ((alpha)) 0.08-5.00.

함수 f(α) 는,The function f (α) is

(Ib_α － Ib_α－0.025°)/(Ia_α － Ia_α－0.025°)(Ib _α -Ib _{α-0.025 °} ) / (Ia _α -Ia _{α-0.025 °} )

로 나타내어진다. It is represented by

단,only,

Ia_α 는, 입사각 α 의 박막법 XRD 측정에 있어서의 고분자 수지 유래의 2θ = 26°부근의 피크 강도이고, 또한 Ia _α is the peak intensity near 2θ = 26 ° derived from the polymer resin in the thin film method XRD measurement of the incident angle α, and

Ib_α 는, 입사각 α 의 박막법 XRD 측정에 있어서의 산화인듐 유래의 (222) 면의 피크 강도이다.Ib _α is the peak intensity of the (222) plane derived from indium oxide in the thin film method XRD measurement of the incident angle α.

Ia_{α －0.025°}는, 입사각 α 보다 0.025°작은 X 선 입사각의 박막법 XRD 측정에 있어서의 고분자 수지 유래의 2θ = 26°부근의 피크 강도이고, 또한 Ia _{alpha -0.025 °} is the peak intensity near 2θ = 26 ° derived from the polymer resin in the thin-film method XRD measurement of the X-ray incidence angle 0.025 ° smaller than the incident angle α,

Ib_α－0.025°는, 입사각 α 보다 0.025°작은 X 선 입사각의 박막법 XRD 측정에 있어서의 산화인듐 유래의 (222) 면의 피크 강도이다.Ib _{alpha -0.025 °} is the peak intensity of the (222) plane derived from indium oxide in the thin-film method XRD measurement of the X-ray incidence angle smaller than the incident angle α of 0.025 °.

즉, 함수 f(α) 는, 이하와 같이 하여 얻어진다. 0.025°차이의 2 개의 X 선 입사각으로 측정한 2 개의 X 선 회절 패턴으로부터, 2 개의 고분자 수지 유래의 회절 강도 및 2 개의 산화인듐 유래의 회절 강도를 얻는다. 고분자 수지 유래의 회절 강도를 횡축, 또한 산화인듐 유래의 회절 강도를 종축으로 하여 0.025°차이의 2 개의 X 선 입사각으로 각각 측정한 고분자 수지 유래의 회절 강도 및 산화인듐 유래의 회절 강도로부터 정해지는 2 개의 좌표를 각각 플롯한다. 함수 f(α) 는, 당해 2 점을 연결한 직선의 기울기이다 (도 3).That is, the function f (α) is obtained as follows. From two X-ray diffraction patterns measured at two X-ray incidence angles of 0.025 ° difference, diffraction intensities derived from two polymer resins and diffraction intensities derived from two indium oxides are obtained. 2, which is determined from the diffraction intensity derived from the polymer resin and the diffraction intensity derived from the indium oxide, respectively, measured at two X-ray incidence angles of 0.025 °, with the diffraction intensity derived from the polymer resin being the horizontal axis and the diffraction intensity derived from the indium oxide, respectively. Plot the two coordinates. The function f (α) is the slope of the straight line connecting the two points (Fig. 3).

단, α 는,Where α is

α_min ＋ n × 0.025°(n = 1, 2, 3, …)α _min + n × 0.025 ° (n = 1, 2, 3,…)

(단, α_min 은, 0.100°이상의 범위 내에 있어서, 박막법 XRD 측정에 있어서 (222) 면의 피크를 확인할 수 있는 최소의 입사각이다)(Wherein _min is the minimum incidence angle at which the peak of the (222) plane can be confirmed in the thin film method XRD measurement within a range of 0.100 ° or more)

으로 나타내는 변수이고,Is represented by

다음 식 (Ⅰ) 및 (Ⅱ) 를 만족시키는 것이다. The following formulas (I) and (II) are satisfied.

α ≤ 0.600° ‥‥ (Ⅰ) α ≤ 0.600 ° ‥‥ (I)

f(α) ≥ 0.7 × f(α － 0.025°) ‥‥ (Ⅱ)f (α) ≥ 0.7 × f (α-0.025 °) ‥‥ (II)

요컨대, 함수 f(α) 의 평균값이란, α 가 α_min ＋ 1 × 0.025°, α_min ＋ 2 × 0.025°, α_min ＋ 3 × 0.025°, … 일 때에 각각 f(α) 가 취할 수 있는 각 수치의 평균값이다.In other words, the mean value of the function f (α) means α _min + 1 × 0.025 °, α _min + 2 × 0.025 °, α _min + 3 × 0.025 °,. Is the average value of each numerical value that f (α) can take, respectively.

또한, α 의 최소값은, 0.100°이상의 범위 내에 있어서, 박막법 XRD 측정에 있어서 (222) 면의 피크를 확인할 수 있는 최소의 입사각 α_min 에 1 × 0.025°를 더한 것이다.Further, the minimum value of α is, within 0.100 ° over a range, the thin film method will be at least the angle of incidence α _min to check the peak in (222) plane in the XRD measurement plus the 1 × 0.025 °.

본 발명에 있어서, 「(222) 면의 피크를 확인할 수 있는」이란, 일반적인 방법으로 확인할 수 있는 것을 의미하고, 즉, 백그라운드 처리에 의해 백그라운드를 공제했을 때에 피크를 확인할 수 있는 것을 나타내고 있다. 예를 들어, 2θ 가 28°내지 34°의 회절 패턴에 있어서, 28°∼ 29°및 32°∼ 34°의 프로파일을 베이스로 하여 백그라운드 처리를 했을 때에, (222) 면에서 유래하는 회절 강도가, 백그라운드보다 강한 것 등이 해당한다. 상기 범위에 있어서, 다른 물질로부터의 회절이 나타나는 경우에는, 그 회절을 피하도록 베이스가 되는 범위를 적절히 변경하여, 백그라운드 처리하면 된다. 「(222) 면의 피크를 확인할 수 있는」이란, 보다 구체적으로는, 상기에 있어서, 회절 패턴에 있어서의 전후의 회절 패턴의 경향과 비교하여 (222) 면의 회절 강도가 강한 것을 나타내고 있다. 상기에 있어서, 예를 들어, 전후 2.0°의 회절 패턴의 경향과의 비교를 실시해도 된다. 상기에 있어서, 바람직하게는 전후 1.5°의 회절 패턴의 경향과의 비교를 실시하고, 보다 바람직하게는 전후 1°의 회절 패턴의 경향과의 비교를 실시한다.In the present invention, "the peak of the (222) plane" can be confirmed by the general method, that is, the peak can be confirmed when the background is subtracted by the background process. For example, in a diffraction pattern with 2θ of 28 ° to 34 °, when the background treatment is performed based on a profile of 28 ° to 29 ° and 32 ° to 34 °, the diffraction intensity derived from the (222) plane becomes Or stronger than the background. In the above range, when diffraction from another substance appears, the base range may be appropriately changed and background processed so as to avoid the diffraction. More specifically, "the peak of the (222) plane" can be more specifically denoted as above that the diffraction intensity of the (222) plane is stronger than that of the diffraction pattern before and after the diffraction pattern. In the above, you may compare with the tendency of the diffraction pattern of 2.0 degrees back and front, for example. In the above, Preferably, the comparison with the tendency of the diffraction pattern of 1.5 degrees before and behind is performed, More preferably, the comparison with the tendency of the diffraction pattern of 1 degrees before and behind is performed.

또, α 의 최대값은, f(α) ≥ 0.7 × f(α － 0.025°) 를 만족시키는 최대값 및 0.600°중 어느 작은 값이다. 단, 양자가 동일한 경우에는, 그 값을 α 의 최대값으로 한다. 이 범위 내에 있는 각각의 입사각으로 측정한 각각의 X 선 회절 패턴으로부터 얻어진 고분자 수지 유래의 회절 강도 및 산화인듐 유래의 회절 강도로부터 정해지는 각각의 좌표를, 고분자 수지 유래의 회절 강도를 횡축, 또한 산화인듐 유래의 회절 강도를 종축으로 하여 플롯한 각각의 점은, 선형성을 거의 유지하고 있다 (도 3).Moreover, the maximum value of (alpha) is either the maximum value which satisfy | fills f ((alpha)) = 0.7xf ((alpha)-0.025 degrees), and any small value of 0.600 degrees. However, when both are the same, the value is made into the maximum value of (alpha). The respective coordinates determined from the diffraction intensity derived from the polymer resin and the diffraction intensity derived from the indium oxide obtained from the respective X-ray diffraction patterns measured at the respective incident angles within this range are obtained by the horizontal axis of the diffraction intensity derived from the polymer resin, and also the oxidation. Each point plotted with the indium-derived diffraction intensity as the vertical axis almost maintained linearity (FIG. 3).

또한, 도 4 는, 점선 테두리로 둘러싸여 있는 점끼리가 상기 식 (Ⅰ) 및 (Ⅱ) 를 만족시키고 있으며, 왼쪽에서 4 번째로 플롯된 점이 왼쪽에서 3 번째로 플롯한 점에 대해 f(α) ≥ 0.7 × f(α － 0.025°) 의 관계를 만족시키고 있지 않은 경우의 일례이다.In addition, in FIG. 4, the points enclosed by the dotted line border satisfy the above formulas (I) and (II), and f (α) with respect to the point where the fourth plotted point from the left is plotted third from the left. This is an example when the relationship of? 0.7 x f (? 0.025 °) is not satisfied.

또한, 상기에 있어서 모든 계산에 있어서는, 소수점 이하 3 자릿수까지 계산을 실시하고, 소수점 이하 3 자릿수를 사사오입하는 것으로 한다.In addition, in all calculations in the above, it calculates to three digits after the decimal point, and rounds off three digits after the decimal point.

X 선 회절은, 주식회사 리가쿠 제조의 박막 평가용 자료 수평형 X 선 회절 장치 SmartLab 또는 그 동등품을 사용하여 박막법으로 측정한다. 평행빔 광학 배치를 이용하고, 광원에는 CuKα 선 (파장 : 1.5418 Å) 을 40 ㎸, 30 ㎃ 의 파워로 사용한다. 입사측 슬릿계는 솔러 슬릿 5.0°, 높이 제어 슬릿 10 ㎜, 입사 슬릿 0.1 ㎜ 를 사용하고, 수광측 슬릿에는 패러렐 슬릿 애널라이저 (PSA) 0.114 deg. 를 사용한다. 검출기는 신틸레이션 카운터를 사용한다. 시료 스테이지는 다공질 흡착 시료 홀더를 사용하여, 시료에 요철이 생기지 않을 정도로 시료를 흡착 고정시킨다. 컬이 강하여 흡착 고정시킬 수 없는 경우에는, 시료 끝을 점착 테이프 등으로 보조적으로 고정하여, 흡착 고정시킨다. 스텝 간격 및 측정 스피드는, X 선 회절 패턴을 인식할 수 있을 정도로 적절히 조정한다. 일례로는, 스텝 간격 및 측정 스피드는, 스텝 간격 0.02°, 측정 스피드 1.5°/min 이 바람직하다. 측정 범위는 20°∼ 35°에서 측정한다.X-ray diffraction is measured by the thin-film method using the document horizontal X-ray-diffraction apparatus SmartLab or the equivalent for thin film evaluation by Rigaku Corporation. A parallel beam optical arrangement is used, and a CuKα line (wavelength: 1.5418 GHz) is used for a light source at a power of 40 kHz and 30 kHz. The incident side slit system uses a solar slit 5.0 °, a height control slit 10 mm, and an incident slit 0.1 mm, and a parallel slit analyzer (PSA) 0.114 deg. Use The detector uses a scintillation counter. The sample stage uses a porous adsorption sample holder to adsorb and fix the sample to such an extent that irregularities do not occur in the sample. If the curl is strong and cannot be fixed by adsorption, the sample tip is fixed by an adhesive tape or the like and adsorbed and fixed. The step interval and the measurement speed are appropriately adjusted to the extent that the X-ray diffraction pattern can be recognized. As an example, as for a step space | interval and a measurement speed, 0.02 degrees of step spaces and 1.5 degrees / min of measurement speed are preferable. The measurement range is measured at 20 ° to 35 °.

측정은 X 선의 입사각 0.1 ∼ 0.6°의 범위에서 저각측에서부터 순서대로 0.025°단위로 변경시켜 각각 측정한다. 또한, 시료의 고정 상태에 따라 회절선의 강도가 상이하기 때문에, 일련의 측정이 종료될 때까지 시료는 시료대에 고정시킨 채로 둔다. 얻어진 X 선 회절 패턴에 대하여 단색화할 필요는 없으며, 각 피크 강도는 백그라운드를 공제한 값을 사용해도 된다. 시료는 송풍 건조기 등으로 대기 분위기 중 150 ℃ 에서 1 시간 가열 처리한 것을 사용한다.The measurement is carried out in the range of 0.1 to 0.6 degrees of incidence angle of the X-rays and measured in units of 0.025 degrees in order from the low angle side. In addition, since the intensity of the diffraction line varies depending on the fixation state of the sample, the sample is held in the sample stage until the series of measurements is completed. It is not necessary to monochromate about the obtained X-ray diffraction pattern, and each peak intensity may use the value which deducted the background. The sample used what heat-processed at 150 degreeC in air | atmosphere by air blow dryer etc. for 1 hour.

본 발명에 있어서, 각 층의 두께는 투과형 전자 현미경 관찰에 의해 구한다. 구체적으로는, 마이크로톰 또는 포커스 이온 빔 등을 사용하여 광투과성 도전성 필름을 필름면에 대해 수직 방향으로 얇게 절단하고, 그 단면을 관찰한다.In this invention, the thickness of each layer is calculated | required by transmission electron microscope observation. Specifically, the light-transmitting conductive film is thinly cut in the vertical direction with respect to the film surface by using a microtome, a focus ion beam, or the like, and the cross section is observed.

1.4 언더코트층 (C ) 1.4 Undercoat layer (C )

본 발명의 광투과성 도전성 필름은, 추가로 언더코트층 (C) 를 함유하고, 또한 적어도 일방의 광투과성 도전층 (B) 가 적어도 언더코트층 (C) 를 개재하여 광투과성 지지층 (A) 의 면에 배치되어 있어도 된다.The transparent electroconductive film of this invention contains the undercoat layer (C) further, and at least one light-transmissive conductive layer (B) is made of the transparent support layer (A) via at least the undercoat layer (C). It may be arrange | positioned at the surface.

광투과성 도전층 (B) 는, 언더코트층 (C) 에 인접하여 배치되어 있어도 된다.The transparent conductive layer (B) may be disposed adjacent to the undercoat layer (C).

도 5 에, 본 발명의 편면 광투과성 도전성 필름의 일 양태를 나타낸다. 이 양태에서는, 광투과성 지지층 (A) 의 일방의 면에, 언더코트층 (C) 및 광투과성 도전층 (B) 가 이 순서로 서로 인접하여 배치되어 있다.5, the one aspect | mode of the single-sided transparent electroconductive film of this invention is shown. In this aspect, the undercoat layer (C) and the transparent conductive layer (B) are arrange | positioned adjacent to each other in this order on one surface of the transparent support layer (A).

도 6 에, 본 발명의 양면 광투과성 도전성 필름의 일 양태를 나타낸다. 이 양태에서는, 광투과성 지지층 (A) 의 양방의 면에, 언더코트층 (C) 및 광투과성 도전층 (B) 가 이 순서로 서로 인접하여 배치되어 있다.6, the one aspect | mode of the double-sided transparent electroconductive film of this invention is shown. In this aspect, the undercoat layer (C) and the transparent conductive layer (B) are arrange | positioned adjacent to each other in this order on both surfaces of the transparent support layer (A).

언더코트층 (C) 의 소재는, 특별히 한정되지 않지만, 예를 들어, 유전성을 갖는 것이어도 된다. 언더코트층 (C) 의 소재로는, 특별히 한정되지 않지만, 예를 들어, 산화규소, 질화규소, 산질화규소, 탄화규소, 실리콘알콕사이드, 알킬실록산 및 그 축합물, 폴리실록산, 실세스퀴옥산, 폴리실라잔, 산화니오브(V) 등을 들 수 있다. 언더코트층 (C) 는, 이들 중 어느 것 단독으로 이루어지는 것이어도 되고, 복수 종으로 이루어지는 것이어도 된다.The material of the undercoat layer (C) is not particularly limited, but may be, for example, dielectric material. Although it does not specifically limit as a raw material of an undercoat layer (C), For example, silicon oxide, silicon nitride, silicon oxynitride, silicon carbide, a silicon alkoxide, alkylsiloxane, and its condensate, polysiloxane, silsesquioxane, polysila Glass, niobium oxide (V), etc. are mentioned. The undercoat layer (C) may consist of any of these, or may consist of multiple types.

언더코트층 (C) 로는, SiO_x (x = 1.0 ∼ 2.0) 를 함유하는 층이 바람직하다. 언더코트층 (C) 는, SiO_x (x = 1.0 ∼ 2.0) 로 이루어지는 층이어도 된다.Roneun undercoat layer (C), this layer is preferable to contain a _{SiO x (x = 1.0 ~ 2.0} ). The undercoat layer (C) may be a layer made of SiO _x (x = 1.0 to 2.0).

언더코트층 (C) 는, 1 층이 배치되어 있어도 된다. 혹은 2 층 이상이 서로 인접하거나, 또는 다른 층을 개재하여 서로 이간되어 배치되어 있어도 된다. 언더코트층 (C) 가 2 층 이상 서로 인접하여 배치되어 있는 것이 바람직하다. 예를 들어, 3 층이 서로 인접하여 배치되어 있는 경우, 중간에 SiO₂ 로 이루어지는 언더코트층 (d-2), 그것을 사이에 오도록 하여 모두 SiO_x (x = 1.0 ∼ 2.0) 로 이루어지는 언더코트층 (d-1) 및 (d-3) 을 배치시키는 것이 바람직하다.The undercoat layer (C) may be arranged in one layer. Alternatively, two or more layers may be disposed adjacent to each other or spaced apart from each other via another layer. It is preferable that the undercoat layer (C) is arrange | positioned adjacent to each other 2 or more layers. For example, in the case where three layers are disposed adjacent to each other, an undercoat layer (d-2) made of SiO ₂ in the middle and an undercoat layer made of SiO _x (x = 1.0 to 2.0) with all of them interposed therebetween. It is preferable to arrange (d-1) and (d-3).

언더코트층 (C) 의 1 층당 두께로는, 특별히 한정되지 않지만, 예를 들어 5 ∼ 50 ㎚ 등을 들 수 있다. 2 층 이상이 서로 인접하여 배치되어 있는 경우에는, 서로 인접하고 있는 모든 언더코트층 (C) 의 합계 두께가 상기 범위 내이면 된다.Although it does not specifically limit as thickness per layer of an undercoat layer (C), For example, 5-50 nm etc. are mentioned. When two or more layers are arrange | positioned adjacent to each other, the total thickness of all the undercoat layers (C) which adjoin each other should just be in the said range.

언더코트층 (C) 의 두께는, 다음과 같이 하여 측정한다. 투과형 전자 현미경 관찰에 의해 구한다. 구체적으로는, 마이크로톰 또는 포커스 이온 빔 등을 사용하여 광투과성 도전성 필름을 필름면에 대해 수직으로 얇게 절단하고, 그 단면을 관찰한다.The thickness of the undercoat layer (C) is measured as follows. It is calculated | required by transmission electron microscope observation. Specifically, the optically conductive conductive film is thinly cut perpendicularly to the film surface by using a microtome or a focus ion beam, and the cross section is observed.

또, 언더코트층 (C) 에는 언더코트층의 하측의 층과 상측의 층의 밀착성을 부여하거나 하기 위해, 단위 면적당 부착량이 적고, 투과형 전자 현미경 관찰에 의해서는 층으로 되어 있는 것을 확인할 수 없는 것도 포함된다. 이와 같은 경우에는, 언더코트층 (C) 의 두께는, 형광 X 선 분석 (XRF) 장치를 사용하여 언더코트층을 구성하는 물질에 기초하는 강도를 측정하고, 미리 작성한 검량선에 기초하여 부착량을 산출하고, 벌크의 밀도를 이용하여 구한다.In addition, in order to give the undercoat layer (C) the adhesiveness of the lower layer and the upper layer of an undercoat layer, there is little adhesion amount per unit area, and it cannot confirm that it is a layer by transmission electron microscope observation. Included. In such a case, the thickness of the undercoat layer (C) measures the intensity based on the material constituting the undercoat layer using a fluorescent X-ray analysis (XRF) apparatus, and calculates the adhesion amount based on a calibration curve prepared in advance. It calculates | requires using the density of a bulk.

언더코트층 (C) 의 굴절률은, 본 발명의 광투과성 도전성 필름이 터치 패널용 광투과성 도전성 필름으로서 사용할 수 있는 한 특별히 한정되지 않지만, 예를 들어, 1.4 ∼ 1.5 가 바람직하다.The refractive index of the undercoat layer (C) is not particularly limited as long as the light-transmissive conductive film of the present invention can be used as the light-transmissive conductive film for touch panels, but for example, 1.4 to 1.5 is preferable.

언더코트층 (C) 를 배치하는 방법은, 습식 및 건식 중 어느 것이어도 되고, 특별히 한정되지 않지만, 습식으로는 예를 들어, 졸-겔법, 미립자 분산액, 콜로이드 용액을 도포하는 방법 등을 들 수 있다.The method of disposing the undercoat layer (C) may be either wet or dry, and is not particularly limited. Examples of wet methods include a sol-gel method, a fine particle dispersion, and a method of applying a colloidal solution. have.

언더코트층 (C) 를 배치하는 방법으로서, 건식으로는, 예를 들어, 스퍼터링법, 이온 플레이팅법, 진공 증착법, 화학 기상 퇴적법 및 펄스 레이저 디포지션법에 의해 인접하는 층 상에 적층하는 방법 등을 들 수 있다.As a method of arranging the undercoat layer (C), as a dry method, for example, a method of laminating on an adjacent layer by a sputtering method, an ion plating method, a vacuum deposition method, a chemical vapor deposition method, and a pulse laser deposition method. Etc. can be mentioned.

1.5 하드 코트층 (D) 1.5 Hard Coat Layer (D)

본 발명의 광투과성 도전성 필름은, 추가로, 하드 코트층 (D) 를 함유하고 있어도 된다.The transparent electroconductive film of this invention may contain the hard-coat layer (D) further.

본 발명의 광투과성 도전성 필름이 하드 코트층 (D) 를 함유하고 있는 경우, 적어도 일방의 광투과성 도전층 (B) 가 적어도 하드 코트층 (D) 를 개재하여 광투과성 지지층 (A) 의 면에 배치되어 있다.When the transparent conductive film of the present invention contains the hard coat layer (D), at least one of the transparent conductive layers (B) is disposed on the surface of the transparent support layer (A) at least via the hard coat layer (D). It is arranged.

도 7 에 하드 코트층 (D) 를 함유하는 본 발명의 편면 광투과성 도전성 필름의 일 양태를 나타낸다. 이 양태에서는, 광투과성 지지층 (A) 의 일방의 면에 하드 코트층 (D), 언더코트층 (C) 및 광투과성 도전층 (B) 가 이 순서로 서로 인접하여 배치되어 있다.One aspect of the single-sided transparent electroconductive film of this invention which contains a hard-coat layer (D) in FIG. 7 is shown. In this aspect, the hard coat layer (D), the undercoat layer (C), and the transparent conductive layer (B) are arrange | positioned adjacent to each other in this order on one surface of the transparent support layer (A).

도 8 에, 하드 코트층 (D) 를 함유하는 본 발명의 편면 광투과성 도전성 필름의 다른 양태를 나타낸다. 이 양태에서는, 광투과성 지지층 (A) 의 일방의 면에 하드 코트층 (D), 언더코트층 (C) 및 광투과성 도전층 (B) 가 이 순서로 서로 인접하여 배치되어 있고, 광투과성 지지층 (A) 의 타방의 면에 다른 하드 코트층 (D) 가 직접 배치되어 있다.8, the other aspect of the single-sided transparent electroconductive film of this invention containing a hard-coat layer (D) is shown. In this embodiment, the hard coat layer (D), the undercoat layer (C) and the transparent conductive layer (B) are arranged adjacent to each other in this order on one surface of the transparent supporting layer (A), and the transparent supporting layer The other hard coat layer (D) is arrange | positioned directly at the other surface of (A).

도 9 에, 하드 코트층 (D) 를 함유하는 본 발명의 양면 광투과성 도전성 필름의 일 양태를 나타낸다. 이 양태에서는, 광투과성 지지층 (A) 의 양방의 면에 하드 코트층 (D), 언더코트층 (C) 및 광투과성 도전층 (B) 가 이 순서로 서로 인접하여 배치되어 있다.9, the one aspect | mode of the double-sided transparent electroconductive film of this invention containing a hard-coat layer (D) is shown. In this aspect, the hard coat layer (D), the undercoat layer (C), and the transparent conductive layer (B) are arranged adjacent to each other in this order on both surfaces of the transparent support layer (A).

하드 코트층 (D) 로는, 특별히 한정되지 않지만, 예를 들어, 터치 패널용 광투과성 도전성 필름에 있어서 하드 코트층으로서 통상적으로 사용되는 것을 사용할 수 있다.Although it does not specifically limit as a hard-coat layer (D), For example, what is normally used as a hard-coat layer in the transparent electroconductive film for touch panels can be used.

하드 코트층 (D) 의 소재는, 특별히 한정되지 않지만, 예를 들어, 아크릴계 수지, 실리콘계 수지, 우레탄계 수지, 멜라민계 수지 및 알키드계 수지 등을 들 수 있다. 또, 하드 코트층은 예시한 상기 소재에 더하여, 실리콘, 니오브 또는 지르코니아 등을 포함하는 필러를 함유하고 있어도 된다. Although the raw material of a hard-coat layer (D) is not specifically limited, For example, acrylic resin, silicone resin, urethane resin, melamine resin, alkyd resin, etc. are mentioned. Moreover, the hard coat layer may contain the filler containing silicon, niobium, zirconia, etc. in addition to the said raw material illustrated.

하드 코트층 (D) 의 1 층당 두께는, 특별히 한정되지 않지만, 예를 들어 0.1 ∼ 3 ㎛, 0.2 ∼ 2 ㎛ 및 0.3 ∼ 1 ㎛ 등을 들 수 있다. 2 층 이상이 서로 인접하여 배치되어 있는 경우에는, 서로 인접하고 있는 모든 하드 코트층 (D) 의 합계 두께가 상기 범위 내이면 된다. 상기에 기재된 예시 열거에 있어서는, 나중에 기재된 것이 먼저 기재된 것보다 바람직하다. 하드 코트층 (D) 의 두께는, 다음과 같이 하여 측정한다. 투과형 전자 현미경 관찰에 의해 구한다. 구체적으로는, 마이크로톰 또는 포커스 이온 빔 등을 사용하여 광투과성 도전성 필름을 필름면에 대해 수직으로 얇게 절단하고, 그 단면을 관찰한다.Although the thickness per layer of a hard-coat layer (D) is not specifically limited, For example, 0.1-3 micrometers, 0.2-2 micrometers, 0.3-1 micrometer, etc. are mentioned. When two or more layers are arrange | positioned adjacent to each other, the total thickness of all the hard-coat layers (D) which adjoin each other should just be in the said range. In the example enumeration described above, what is described later is preferable to what was described previously. The thickness of the hard coat layer (D) is measured as follows. It is calculated | required by transmission electron microscope observation. Specifically, the optically conductive conductive film is thinly cut perpendicularly to the film surface by using a microtome or a focus ion beam, and the cross section is observed.

하드 코트층 (D) 를 배치하는 방법으로는, 특별히 한정되지 않지만, 예를 들어, 필름에 도포하고, 열로 경화시키는 방법, 자외선이나 전자선 등의 활성 에너지선으로 경화시키는 방법 등을 들 수 있다. 생산성 면에서, 자외선에 의해 경화시키는 방법이 바람직하다.Although it does not specifically limit as a method of arrange | positioning a hard-coat layer (D), For example, the method of apply | coating to a film and hardening with heat, the method of hardening with active energy rays, such as an ultraviolet-ray and an electron beam, etc. are mentioned. In terms of productivity, a method of curing with ultraviolet rays is preferred.

본 발명의 광투과성 도전성 필름은, 하드 코트층 (D) 를 함유하지 않거나, 혹은 함유했다고 하더라도 그 두께가 0.3 ∼ 1 ㎛ 정도인 것이 바람직하다.Even if it contains or does not contain the hard-coat layer (D), the transparent electroconductive film of this invention has a preferable thickness of about 0.3-1 micrometer.

1.6 그 밖의 층 (E) 1.6 the other layer (E)

본 발명의 광투과성 도전성 필름은, 광투과성 지지층 (A) 의 적어도 일방의 면에, 광투과성 도전층 (B) 에 더하여, 언더코트층 (C), 하드 코트층 (D) 및 그것들과 상이한 적어도 1 종의 그 밖의 층 (E) 로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1 종의 층이 추가로 배치되어 있어도 된다.The light-transmissive conductive film of the present invention has at least one surface of the light-transmissive support layer (A), in addition to the light-transmissive conductive layer (B), at least different from the undercoat layer (C), the hard coat layer (D) and those At least 1 type of layer chosen from the group which consists of 1 type of other layers (E) may be further arrange | positioned.

그 밖의 층 (E) 로는, 특별히 한정되지 않지만, 예를 들어, 접착층 등을 들 수 있다.Although it does not specifically limit as another layer (E), For example, an adhesive layer etc. are mentioned.

접착층이란, 2 층 사이에 당해 2 층과 서로 인접하여 배치되고, 당해 2 층 사이를 서로 접착시키기 위해 배치되는 층이다. 접착층으로는, 특별히 한정되지 않지만, 예를 들어, 터치 패널용 광투과성 도전성 필름에 있어서 접착층으로서 통상적으로 사용되는 것을 사용할 수 있다. 접착층은, 이들 중 어느 것 단독으로 이루어지는 것이어도 되고, 복수 종으로 이루어지는 것이어도 된다.An adhesive layer is a layer arrange | positioned adjacent to each other between the said two layers between two layers, and is arrange | positioned in order to adhere | attach between these two layers. Although it does not specifically limit as an adhesive layer, For example, what is normally used as an adhesive layer in the transparent electroconductive film for touch panels can be used. Any one of these may be sufficient as an adhesive layer, and what may consist of multiple types may be sufficient as it.

또, 광투과성 도전층 상에 구리, 니켈, 은 또는 크롬 등을 함유하는 무기물층을 형성해도 된다. 이 때, 상기 무기물층의 존재로 인하여 XRD 측정을 할 수 없게 되는 경우가 있지만, 이 경우에는 황산염, 염화물, 암모늄염 또는 수산화물 등을 함유하는 산 수용액 또는 알칼리 수용액에 의해 무기물층을 제거하고, 적절히 세정한 후에 XRD 측정을 실시해도 된다.Moreover, you may form the inorganic material layer containing copper, nickel, silver, chromium, etc. on a transparent conductive layer. At this time, XRD measurement may not be possible due to the presence of the inorganic layer, but in this case, the inorganic layer is removed by an aqueous acid solution or an aqueous alkali solution containing sulfate, chloride, ammonium salt, hydroxide, and the like, and then washed appropriately. XRD measurement may be performed after that.

1.7 본 발명의 광투과성 도전성 필름의 용도 1.7 Use of the transparent conductive film of the present invention

본 발명의 광투과성 도전성 필름은, 에칭성이 우수하고, 이 때문에 광투과성 도전층 (B) 의 패터닝이 용이하다.The transparent electroconductive film of this invention is excellent in etching property, and for this reason, patterning of a transparent conductive layer (B) is easy.

따라서, 본 발명의 광투과성 도전성 필름은, 광투과성 도전층 (B) 를 패터닝한 다음에 사용하는 용도에 적합하다.Therefore, the transparent electroconductive film of this invention is suitable for the use used after patterning the transparent electroconductive layer (B).

패터닝의 방법은, 특별히 한정되지 않지만, 예를 들어 다음과 같이 하여 실시한다. 먼저, 레지스트 (에칭액으로부터 층을 보호하기 위한 보호막) 를, 광투과성 도전층 상의 남기고자 하는 영역에 도포한다. 도포의 수단은 레지스트의 종류에 따라 다르기도 하지만, 스크린 인쇄에 의해 실시해도 되고, 포토레지스트를 사용하는 경우라면, 다음과 같이 하여 실시한다. 광투과성 도전층 상의 남기고자 하는 영역에 스핀 코터 또는 슬릿 코터 등을 사용하여 포토레지스트를 도포하고, 광 또는 전자선을 부분적으로 조사하여 포토레지스트의 용해성을 그 부분에서만 변화시키고, 그 후에 용해성이 상대적으로 낮게 되어 있는 부분을 제거한다 (이것을 현상이라고 한다). 이와 같이 하여 레지스트가 광투과성 도전층 상의 남기고자 하는 영역에서만 존재하고 있는 상태로 한다. 계속해서, 에칭액을 광투과성 도전층에 작용시켜, 광투과성 도전층 중 레지스트에 의해 보호되고 있지 않은 영역을 선택적으로 용해시키고, 이 용해물을 최종적으로 제거함으로써 패턴을 형성한다.Although the method of patterning is not specifically limited, For example, it carries out as follows. First, a resist (protective film for protecting a layer from etching liquid) is applied to a region to be left on the light-transmissive conductive layer. Although the means of application | coating differs according to the kind of resist, you may carry out by screen printing, and when it uses a photoresist, it carries out as follows. A photoresist is applied to a region to be left on the light-transmissive conductive layer using a spin coater or a slit coater, and the like is partially irradiated with light or an electron beam to change the solubility of the photoresist only in that portion, after which the solubility is relatively Remove the lower part (this is called a phenomenon). In this manner, the resist is present only in the region to be left on the transparent conductive layer. Subsequently, the etching solution is applied to the transparent conductive layer to selectively dissolve the region of the transparent conductive layer that is not protected by the resist, and finally remove the dissolved substance to form a pattern.

패터닝에 의해 형성되는 패턴의 형상은, 특별히 한정되지 않지만, 통상적으로, 줄무늬상 또는 다이아몬드상이다. 줄무늬상으로 패터닝된 광투과성 도전성 필름을 줄무늬 방향이 직교하도록 2 장 중첩함으로써 격자상의 패턴을 형성할 수 있다.Although the shape of the pattern formed by patterning is not specifically limited, Usually, it is a stripe shape or a diamond shape. A lattice-shaped pattern can be formed by superimposing two sheets of the transparent electroconductive film patterned in stripe form so that a stripe direction may orthogonally cross.

광투과성 도전층 (B) 를 패터닝한 다음에 사용하는 용도로는, 특별히 한정되지 않지만, 예를 들어 터치 패널, 전자 페이퍼 및 태양 전지 등을 들 수 있다. 터치 패널에 대해서 자세한 내용은, 2 에서 설명하는 바와 같다.Although it does not specifically limit as a use used after patterning a transparent conductive layer (B), For example, a touch panel, an electronic paper, a solar cell, etc. are mentioned. Details of the touch panel are as described in Section 2 below.

2. 본 발명의 터치 패널 2. Touch panel of the present invention

본 발명의 터치 패널은, 본 발명의 광투과성 도전성 필름을 포함하고, 추가로 필요에 따라 그 밖의 부재를 포함하여 이루어진다.The touch panel of this invention contains the transparent electroconductive film of this invention, and also includes another member as needed.

본 발명의 터치 패널의 구체적인 구성예로는, 다음과 같은 구성을 들 수 있다. 또한, 보호층 (1) 측이 조작 화면측을, 유리 (5) 측이 조작 화면과는 반대측을 향하도록 하여 사용된다.As a specific structural example of the touchscreen of this invention, the following structures are mentioned. In addition, it is used so that the protective layer 1 side may face the operation screen side, and the glass 5 side may face the opposite side to an operation screen.

(1) 보호층(1) protective layer

(2) 본 발명의 광투과성 도전성 필름 (Y 축 방향)(2) Light-transmitting conductive film of the present invention (Y axis direction)

(3) 절연층(3) insulation layer

(4) 본 발명의 광투과성 도전성 필름 (X 축 방향)(4) Light-transmissive conductive film of the present invention (X axis direction)

(5) 유리(5) glass

본 발명의 터치 패널은, 특별히 한정되지 않지만, 예를 들어, 상기 (1) ∼ (5), 및 필요에 따라 그 밖의 부재를 통상적인 방법에 따라 조합함으로써 제조할 수 있다.Although the touch panel of this invention is not specifically limited, For example, it can manufacture by combining said (1)-(5) and other members as needed according to a conventional method.

3. 본 발명의 광투과성 도전성 필름의 제조 방법 3. Manufacturing method of light transmissive conductive film of the present invention

본 발명의 광투과성 도전성 필름의 제조 방법은, 광투과성 지지층 (A) 의 적어도 일방의 면에, 광투과성 도전층 (B) 를 배치하는 공정을 각각 포함한다.The manufacturing method of the transparent electroconductive film of this invention includes the process of arrange | positioning a transparent conductive layer (B) in at least one surface of a transparent support layer (A), respectively.

본 발명의 광투과성 도전성 필름의 제조 방법은, 광투과성 지지층 (A) 의 적어도 일방의 면에, 광투과성 도전층 (B) 에 더하여, 언더코트층 (C), 하드 코트층 (D) 및 그것들과 상이한 적어도 1 종의 그 밖의 층 (E) 로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1 종의 층을 각각 배치하는 공정을 각각 포함하고 있어도 된다.The manufacturing method of the transparent electroconductive film of this invention is an undercoat layer (C), a hard-coat layer (D), and those in addition to a transparent conductive layer (B) to at least one surface of a transparent support layer (A). You may include the process of arrange | positioning each at least 1 type of layer chosen from the group which consists of at least 1 type of other layer (E) different from each other.

상기에 있어서, 각각의 층을 배치하는 공정은, 각각의 층에 대해서 설명한 바와 같다. 각각의 층을 배치하는 순서에 대해서는 특별히 한정되지 않는다. 예를 들어, 광투과성 지지층 (A) 의 적어도 일방의 면에 광투과성 지지층 (A) 측에서부터 순차적으로 배치시켜도 된다.In the above, the process of arrange | positioning each layer is as having demonstrated each layer. It does not specifically limit about the order which arrange | positions each layer. For example, you may arrange | position sequentially on the at least one surface of the transparent support layer (A) from the transparent support layer (A) side.

혹은, 예를 들어, 맨 처음에 광투과성 지지층 (A) 가 아닌 층 (예를 들어, 광투과성 도전층 (B)) 의 일방의 면에 다른 층을 배치시켜도 된다. 혹은, 일방에서 2 종 이상의 층을 서로 인접하도록 배치시킴으로써 1 종의 복합층을 얻고 나서, 또는 그것과 동시에 타방에서 마찬가지로 2 종 이상의 층을 서로 인접하도록 배치시킴으로써 1 종의 복합층을 얻고, 이들 2 종의 복합층을 서로 더욱 인접하도록 배치시켜도 된다.Or, for example, you may arrange | position another layer on one surface of the layer (for example, the transparent conductive layer (B)) which is not a transparent support layer (A) at the beginning. Or one type of composite layer is obtained by arrange | positioning 2 or more types of layers to adjoin each other, or 1 type of composite layers are obtained by arrange | positioning 2 or more types of layers to adjoin each other similarly at the same time, and these 2 You may arrange | position a composite layer of species further adjacent to each other.

실시예Example

이하에 실시예를 들어 본 발명을 더욱 상세하게 설명하지만, 본 발명은 이들 실시예에만 한정되는 것은 아니다.Although an Example is given to the following and this invention is demonstrated in more detail, this invention is not limited only to these Examples.

실시예Example 1 One

두께 125 ㎛ 의 PET 수지 기재 상에 SiO₂ 층을 20 ㎚ 형성하고, 추가로 산화인듐주석을 16 ㎚ 성막하였다. 구체적으로는, 타깃재로서 산화인듐 : 95 중량％ 및 산화주석 : 5 중량％ 로 이루어지는 소결체 재료를 사용하여, DC 마그네트론 스퍼터링법에 의해 SiO₂ 층을 형성하고, 그 위에 광투과성 도전층을 형성하였다. 대기 중에서 가열 처리하여, 최종적으로 본 발명의 광투과성 도전성 필름을 얻었다.20 ㎚ forming an SiO ₂ layer on the PET resin substrate having a thickness of 125 ㎛, which was then added forming an indium tin oxide with 16 ㎚. Specifically, a SiO ₂ layer was formed by DC magnetron sputtering method using a sintered body material composed of indium oxide: 95% by weight and tin oxide: 5% by weight as a target material, and a light-transmitting conductive layer was formed thereon. . It heat-processed in air | atmosphere and finally obtained the transparent electroconductive film of this invention.

광투과성 도전층은 이하와 같이 형성하였다. 챔버 내를 3.0 × 10^-4 ㎩ 이하가 될 때까지 진공 배기한 후에, 이러한 챔버 내에 산소 분압이 4.5 × 10^-3 ㎩ 가 되도록 산소 가스와 아르곤 가스를 도입하고, 챔버 내 압력을 0.2 ∼ 0.3 ㎩ 로 하고, 성막 온도는 50 ℃ 로 하여 스퍼터링 처리하였다.The transparent conductive layer was formed as follows. After evacuating the chamber to 3.0 × 10 ⁻⁴ Pa or less, oxygen gas and argon gas are introduced into the chamber so that the oxygen partial pressure is 4.5 × 10 ⁻³ Pa, and the pressure in the chamber is 0.2 to 0.3 Pa. The film formation temperature was 50 degreeC, and sputtering process was carried out.

그 후, 대기 중, 150 ℃ 에서 60 분 가열 처리한 것을 XRD 로 평가하였다. 함수 f(α) 의 평균값은 1.07 이었다. 또, 하지층의 표면 조도 (Ra) 는 1.4 ㎚ 였다.Then, what heat-processed at 150 degreeC for 60 minutes in air | atmosphere was evaluated by XRD. The average value of the function f (α) was 1.07. Moreover, the surface roughness Ra of the underlayer was 1.4 nm.

또한, 모든 실시예 및 비교예에 있어서, 박막법에 의한 XRD 측정 및 하지층의 표면 조도 (Ra) 는, 다음과 같이 하여 실시하였다. X 선 회절은, 주식회사 리가쿠 제조의 박막 평가용 자료 수평형 X 선 회절 장치 SmartLab 을 사용하여 박막법으로 측정하였다. 평행빔 광학 배치를 이용하고, 광원에는 CuKα 선 (파장 : 1.5418 Å) 을 40 ㎸, 30 ㎃ 의 파워로 사용한다. 입사측 슬릿계는 솔러 슬릿 5.0°, 높이 제어 슬릿 10 ㎜, 입사 슬릿 0.1 ㎜ 를 사용하고, 수광측 슬릿에는 패러렐 슬릿 애널라이저 (PSA) 0.114 deg. 를 사용하였다. 검출기는 신틸레이션 카운터를 사용하였다. 시료 스테이지는 다공질 흡착 시료 홀더를 사용하여, 시료에 요철이 생기지 않을 정도로 시료를 흡착 고정시켰다. 스텝 간격 및 측정 스피드는, 스텝 간격 0.02°, 측정 스피드 1.5°/min 으로 하고, 측정 범위는 20°∼ 35°에서 측정하였다.In addition, in all the Examples and the comparative examples, XRD measurement by the thin film method and the surface roughness Ra of the underlayer were performed as follows. X-ray diffraction was measured by the thin film method using the document horizontal type X-ray-diffraction apparatus SmartLab for Rigaku Corporation make. A parallel beam optical arrangement is used, and a CuKα line (wavelength: 1.5418 GHz) is used for a light source at a power of 40 kHz and 30 kHz. The incident side slit system uses a solar slit 5.0 °, a height control slit 10 mm, and an incident slit 0.1 mm, and a parallel slit analyzer (PSA) 0.114 deg. Was used. The detector used a scintillation counter. The sample stage used a porous adsorption sample holder to adsorb | suck and fix a sample so that unevenness may not arise in a sample. The step interval and the measurement speed were set at step intervals of 0.02 ° and measurement speed of 1.5 ° / min, and the measurement range was measured at 20 ° to 35 °.

XRD 측정은, X 선의 입사각 0.1 ∼ 0.6°의 범위에서 저각측에서부터 순서대로 0.025°단위로 변경시켜 각각 측정하였다. 또한, 시료의 고정 상태에 따라 회절선의 강도가 상이하기 때문에, 일련의 측정이 종료될 때까지 시료는 시료대에 고정시킨 채로 하였다. 또, 얻어진 X 선 회절 패턴은 단색화되어 있지 않다.The XRD measurement was performed by changing the unit by 0.025 ° in order from the low angle side in the range of 0.1 to 0.6 ° of X-ray incidence. In addition, since the intensity of a diffraction line differs according to the fixed state of a sample, the sample was fixed to the sample stand until a series of measurement was complete | finished. In addition, the obtained X-ray diffraction pattern is not monochrome.

X 선 회절 패턴보다 입사각 α 에 있어서의 PET 수지 유래의 2θ = 26°부근의 피크 강도와 산화인듐주석 유래의 (222) 면의 피크 강도를 구하여, 본 발명의 함수 f(α) 의 평균값을 구하였다.From the X-ray diffraction pattern, the peak intensity of 2θ = 26 ° derived from PET resin at the incident angle α and the peak intensity of the (222) plane derived from indium tin oxide were obtained, and the average value of the function f (α) of the present invention was obtained. It was.

하지층의 표면 조도 (Ra) 는, 광투과성 도전층을 성막하지 않은 시료를 준비하고, 원자간력 현미경 (주식회사 시마즈 제작소, SPM-9700) 을 사용하여, 소정의 콘택트 모드로 1 ㎛ 평방의 측정면을 탐침 (OLYMPUS 사 제조, OMCL-TR800-PSA-1 스프링 정수 (定數) 0.15 N/m) 으로 주사하여 얻어지는, 평균선으로부터의 절대 편차를 평균한 값이다.The surface roughness Ra of the underlayer prepares a sample which does not form a light-transmissive conductive layer, and measures 1 µm square in a predetermined contact mode using an atomic force microscope (Shimazu Co., Ltd., SPM-9700). It is the value which averaged the absolute deviation from the average line obtained by scanning a surface with a probe (OLYMPUS Corporation make, OMCL-TR800-PSA-1 spring constant 0.15 N / m).

실시예Example 2 2

두께 125 ㎛ 의 PET 수지 기재 상에 SiO₂ 층을 20 ㎚ 형성하고, 산화인듐주석을 22 ㎚ 성막하였다. 그 이외에는, 실시예 1 과 동일하게 하여, 본 발명의 광투과성 도전성 필름을 얻었다. XRD 에 의한 평가의 결과, 함수 f(α) 의 평균값은 2.86 이었다.20 ㎚ forming an SiO ₂ layer on the PET resin substrate having a thickness of 125 ㎛, followed by deposition of indium tin oxide 22 ㎚. Others were carried out similarly to Example 1, and obtained the transparent electroconductive film of this invention. The average value of the function f ((alpha)) was 2.86 as a result of evaluation by XRD.

실시예 3Example 3

두께 125 ㎛ 의 PET 수지 기재 상에 SiO₂ 층을 20 ㎚ 형성하고, 산화인듐주석을 28 ㎚ 성막하였다. 그 이외에는, 실시예 1 과 동일하게 하여, 본 발명의 광투과성 도전성 필름을 얻었다. XRD 에 의한 평가의 결과, 함수 f(α) 의 평균값은 4.15 였다.20 ㎚ forming an SiO ₂ layer on the PET resin substrate having a thickness of 125 ㎛, followed by deposition of indium tin oxide 28 ㎚. Others were carried out similarly to Example 1, and obtained the transparent electroconductive film of this invention. The average value of the function f ((alpha)) was 4.15 as a result of evaluation by XRD.

비교예Comparative example 1 One

두께 125 ㎛ 의 PET 수지 기재 상에 SiO₂ 층을 20 ㎚ 형성하고, 산화인듐주석을 34 ㎚ 성막하였다. 그 이외에는, 실시예 1 과 동일하게 하여, 본 발명의 광투과성 도전성 필름을 얻었다. XRD 에 의한 평가의 결과, 함수 f(α) 의 평균값은 5.26 이었다.20 ㎚ forming an SiO ₂ layer on the PET resin substrate having a thickness of 125 ㎛, followed by deposition of indium tin oxide 34 ㎚. Others were carried out similarly to Example 1, and obtained the transparent electroconductive film of this invention. The average value of the function f ((alpha)) was 5.26 as a result of evaluation by XRD.

실시예 4Example 4

두께 125 ㎛ 의 PET 수지 기재 상에 SiO₂ 층을 10 ㎚ 형성하고, 추가로 산화인듐주석을 22 ㎚ 성막하였다. 구체적으로는, 타깃재로서 산화인듐 : 95 중량％ 및 산화주석 : 5 중량％ 로 이루어지는 소결체 재료를 사용하여, DC 마그네트론 스퍼터링법에 의해 SiO₂ 층을 형성하고, 그 위에 광투과성 도전층을 형성하였다. 대기 중에서 가열 처리하여, 최종적으로 본 발명의 광투과성 도전성 필름을 얻었다.10 ㎚ forming a SiO ₂ layer on the PET resin substrate having a thickness of 125 ㎛, which was then added 22 ㎚ forming the indium tin oxide to. Specifically, a SiO ₂ layer was formed by DC magnetron sputtering method using a sintered body material composed of indium oxide: 95% by weight and tin oxide: 5% by weight as a target material, and a light-transmitting conductive layer was formed thereon. . It heat-processed in air | atmosphere and finally obtained the transparent electroconductive film of this invention.

광투과성 도전층은 이하와 같이 형성하였다. 챔버 내를 3.0 × 10^-4 ㎩ 이하가 될 때까지 진공 배기한 후에, 이러한 챔버 내에 산소 분압이 4.5 × 10^-3 ㎩ 및 물 분압이 2.0 × 10^-4 ㎩ 가 되도록 산소 가스, 물 및 아르곤 가스를 도입하고, 챔버 내 압력을 0.2 ∼ 0.3 ㎩ 로 하고, 성막 온도는 50 ℃ 로 하여 스퍼터링 처리하였다. 그 후, 대기 중, 150 ℃ 에서 60 분 가열 처리한 것을 XRD 로 평가하였다. 함수 f(α) 의 평균값은 1.54 였다. 또, 하지층의 Ra 는 1.4 ㎚ 였다.The transparent conductive layer was formed as follows. After evacuating the chamber to 3.0 × 10 ⁻⁴ Pa or less, oxygen gas, water and argon gas such that the oxygen partial pressure is 4.5 × 10 ⁻³ Pa and the water partial pressure is 2.0 × 10 ⁻⁴ Pa in this chamber. Was introduced, the pressure in the chamber was 0.2-0.3 kPa, and the film formation temperature was 50 degreeC, and sputtering process was carried out. Then, what heat-processed at 150 degreeC for 60 minutes in air | atmosphere was evaluated by XRD. The average value of the function f (α) was 1.54. Moreover, Ra of the base layer was 1.4 nm.

실시예 5Example 5

광투과성 도전층은 이하와 같이 형성하였다. 챔버 내를 3.0 × 10^-4 ㎩ 이하가 될 때까지 진공 배기한 후에, 이러한 챔버 내에 산소 분압이 4.5 × 10^-3 ㎩ 및 물 분압이 3.0 × 10^-3 ㎩ 가 되도록 산소 가스, 물 및 아르곤 가스를 도입하고, 챔버 내 압력을 0.2 ∼ 0.3 ㎩ 로 하고, 성막 온도는 50 ℃ 로 하여 스퍼터링 처리하였다. 그 이외에는, 실시예 4 와 동일하게 하여, 본 발명의 광투과성 도전성 필름을 얻었다. XRD 에 의한 평가의 결과, 함수 f(α) 의 평균값은 0.25 였다.The transparent conductive layer was formed as follows. After evacuating the chamber to 3.0 × 10 ⁻⁴ kPa or less, oxygen, water and argon gas such that the oxygen partial pressure is 4.5 × 10 ⁻³ Pa and the water partial pressure is 3.0 × 10 ⁻³ Pa in this chamber. Was introduced, the pressure in the chamber was 0.2-0.3 kPa, and the film formation temperature was 50 degreeC, and sputtering process was carried out. Others were carried out similarly to Example 4, and obtained the transparent electroconductive film of this invention. The average value of the function f ((alpha)) was 0.25 as a result of evaluation by XRD.

실시예 6Example 6

광투과성 도전층의 성막 온도를 80 ℃ 로 하였다. 그 이외에는, 실시예 5 와 동일한 제법에 의해, 본 발명의 광투과성 도전성 필름을 얻었다. XRD 에 의한 평가의 결과, 함수 f(α) 의 평균값은 0.87 이었다.The film-forming temperature of the transparent conductive layer was 80 degreeC. Otherwise, the transparent electroconductive film of this invention was obtained by the manufacturing method similar to Example 5. The average value of the function f ((alpha)) was 0.87 as a result of evaluation by XRD.

실시예 7Example 7

광투과성 도전층의 성막시, 기재의 가열은 실시하지 않았다. 그 이외에는, 실시예 5 와 동일한 제법에 의해, 본 발명의 광투과성 도전성 필름을 얻었다. XRD 에 의한 평가의 결과, 함수 f(α) 의 평균값은 0.15 였다.At the time of film formation of the transparent conductive layer, the substrate was not heated. Otherwise, the transparent electroconductive film of this invention was obtained by the manufacturing method similar to Example 5. The average value of the function f ((alpha)) was 0.15 as a result of evaluation by XRD.

비교예Comparative example 2 2

광투과성 도전층은 이하와 같이 형성하였다. 챔버 내를 3.0 × 10^-4 ㎩ 이하가 될 때까지 진공 배기한 후에, 이러한 챔버 내에 산소 분압이 4.5 × 10^-3 ㎩ 및 물 분압이 2.0 × 10^-2 ㎩ 가 되도록 산소 가스, 물 및 아르곤 가스를 도입하고, 챔버 내 압력을 0.2 ∼ 0.3 ㎩ 로 하고, 성막 온도는 50 ℃ 로 하여 스퍼터링 처리하였다. 그 이외에는, 실시예 4 와 동일한 제법에 의해, 본 발명의 광투과성 도전성 필름을 얻었다.The transparent conductive layer was formed as follows. After evacuating the chamber to 3.0 x 10 ^-4 kPa or less, oxygen gas, water and argon gas such that the oxygen partial pressure is 4.5 x 10 ^-3 kPa and the water partial pressure is 2.0 x 10 ^-2 kPa in this chamber. Was introduced, the pressure in the chamber was 0.2-0.3 kPa, and the film formation temperature was 50 degreeC, and sputtering process was carried out. Otherwise, the transparent electroconductive film of this invention was obtained by the manufacturing method similar to Example 4.

XRD 에 의한 평가의 결과, 산화인듐에서 유래하는 (222) 면의 회절이 관찰되지 않았다.As a result of evaluation by XRD, diffraction of the (222) plane derived from indium oxide was not observed.

실시예 8Example 8

두께 100 ㎛ 의 PET 수지 기재 상에 SiO₂ 층을 20 ㎚ 형성하고, 추가로 산화인듐주석을 22 ㎚ 성막하였다. 구체적으로는, 타깃재로서 산화인듐 : 95 중량％ 및 산화주석 : 5 중량％ 로 이루어지는 소결체 재료를 사용하여, DC 마그네트론 스퍼터링법에 의해 SiO₂ 층을 형성하고, 그 위에 광투과성 도전층을 형성하였다. 대기 중에서 가열 처리하여, 최종적으로 본 발명의 광투과성 도전성 필름을 얻었다.20 ㎚ forming an SiO ₂ layer on the PET resin substrate having a thickness of 100 ㎛, which was then added 22 ㎚ forming the indium tin oxide to. Specifically, a SiO ₂ layer was formed by DC magnetron sputtering method using a sintered body material composed of indium oxide: 95% by weight and tin oxide: 5% by weight as a target material, and a light-transmitting conductive layer was formed thereon. . It heat-processed in air | atmosphere and finally obtained the transparent electroconductive film of this invention.

이 때, SiO₂ 성막시의 스퍼터 전력을 조정하고, 하지층의 표면 조도 (Ra) 를 0.7 ㎚ 로 하였다. 그 이외에는, 실시예 2 와 동일하게 하여, 본 발명의 광투과성 도전성 필름을 얻었다. XRD 에 의한 평가의 결과, 함수 f(α) 의 평균값은 1.63 이었다.It is the case, adjusting the sputtering power during SiO ₂ film formation, and the surface roughness of the layer not (Ra) was set to 0.7 ㎚. Others were carried out similarly to Example 2, and obtained the transparent electroconductive film of this invention. The average value of the function f ((alpha)) was 1.63 as a result of evaluation by XRD.

실시예 9Example 9

SiO₂ 성막시의 스퍼터 전력을 조정하고, 하지층의 표면 조도 (Ra) 를 2.5 ㎚ 로 하였다. 그 이외에는, 실시예 2 와 동일하게 하여, 본 발명의 광투과성 도전성 필름을 얻었다. XRD 에 의한 평가의 결과, 함수 f(α) 의 평균값은 3.65 였다.Adjusting a sputtering power during SiO ₂ film formation, which was the surface roughness (Ra) of the base layer to 2.5 ㎚. Others were carried out similarly to Example 2, and obtained the transparent electroconductive film of this invention. The average value of the function f ((alpha)) was 3.65 as a result of evaluation by XRD.

실시예 10Example 10

SiO₂ 성막시의 스퍼터 전력을 조정하고, 하지층의 표면 조도 (Ra) 를 3.6 ㎚ 로 하였다. 또, 광투과성 도전층의 성막시, 기재의 가열은 실시하지 않았다. 그 이외에는, 실시예 2 와 동일하게 하여, 본 발명의 광투과성 도전성 필름을 얻었다. XRD 에 의한 평가의 결과, 함수 f(α) 의 평균값은 3.78 이었다.Adjusting a sputtering power during SiO ₂ film formation, which was the surface roughness (Ra) of the base layer to 3.6 ㎚. In addition, the base material was not heated at the time of film-forming of a transparent conductive layer. Others were carried out similarly to Example 2, and obtained the transparent electroconductive film of this invention. The average value of the function f ((alpha)) was 3.78 as a result of evaluation by XRD.

실시예 11Example 11

SiO₂ 성막시의 스퍼터 전력을 조정하고, 하지층의 표면 조도 (Ra) 를 3.6 ㎚ 로 하였다. 그 이외에는, 실시예 2 와 동일하게 하여, 본 발명의 광투과성 도전성 필름을 얻었다. XRD 에 의한 평가의 결과, 함수 f(α) 의 평균값은 4.55 였다.Adjusting a sputtering power during SiO ₂ film formation, which was the surface roughness (Ra) of the base layer to 3.6 ㎚. Others were carried out similarly to Example 2, and obtained the transparent electroconductive film of this invention. The average value of the function f ((alpha)) was 4.55 as a result of evaluation by XRD.

실시예 12Example 12

SiO₂ 성막시의 스퍼터 전력을 조정하고, 하지층의 표면 조도 (Ra) 를 4.2 ㎚ 로 하였다. 또, 타깃재로서 산화인듐 : 91 중량％ 및 산화주석 : 9 중량％ 로 이루어지는 소결체 재료를 사용하였다. 그 이외에는, 실시예 10 과 동일하게 하여, 본 발명의 광투과성 도전성 필름을 얻었다. XRD 에 의한 평가의 결과, 함수 f(α) 의 평균값은 4.77 이었다.Adjusting a sputtering power during SiO ₂ film formation, which was the surface roughness (Ra) of the base layer to 4.2 ㎚. As the target material, a sintered body material composed of indium oxide: 91% by weight and tin oxide: 9% by weight was used. Others were carried out similarly to Example 10, and obtained the transparent electroconductive film of this invention. The average value of the function f ((alpha)) was 4.77 as a result of evaluation by XRD.

비교예Comparative example 3 3

SiO₂ 성막시의 스퍼터 전력을 조정하고, 하지층의 표면 조도 (Ra) 를 4.2 ㎚ 로 하였다. 그 이외에는, 실시예 2 와 동일하게 하여, 본 발명의 광투과성 도전성 필름을 얻었다. XRD 에 의한 평가의 결과, 함수 f(α) 의 평균값은 8.46 이었다.Adjusting a sputtering power during SiO ₂ film formation, which was the surface roughness (Ra) of the base layer to 4.2 ㎚. Others were carried out similarly to Example 2, and obtained the transparent electroconductive film of this invention. The average value of the function f ((alpha)) was 8.46 as a result of evaluation by XRD.

실시예 13Example 13

광투과성 도전층의 성막시에 챔버 내의 산소 분압이 3.2 × 10^-3 ㎩ 가 되도록 산소 가스와 아르곤 가스를 도입하였다. 그 이외에는, 실시예 2 와 동일하게 하여, 본 발명의 광투과성 도전성 필름을 얻었다. XRD 에 의한 평가의 결과, 함수 f(α) 의 평균값은 1.39 였다.Oxygen gas and argon gas were introduce | transduced so that the oxygen partial pressure in a chamber might be 3.2x10 <^-3> Pa at the time of film-forming of a transparent conductive layer. Others were carried out similarly to Example 2, and obtained the transparent electroconductive film of this invention. The average value of the function f ((alpha)) was 1.39 as a result of evaluation by XRD.

실시예 14Example 14

광투과성 도전층의 성막시에 챔버 내의 산소 분압이 5.4 × 10^-3 ㎩ 가 되도록 산소 가스와 아르곤 가스를 도입하였다. 그 이외에는, 실시예 2 와 동일하게 하여, 본 발명의 광투과성 도전성 필름을 얻었다. XRD 에 의한 평가의 결과, 함수 f(α) 의 평균값은 3.82 였다.Oxygen gas and argon gas were introduce | transduced so that the oxygen partial pressure in a chamber might be 5.4x10 <^-3> Pa at the time of film-forming of a transparent conductive layer. Others were carried out similarly to Example 2, and obtained the transparent electroconductive film of this invention. The average value of the function f ((alpha)) was 3.82 as a result of evaluation by XRD.

실시예 15Example 15

타깃재로서, 산화인듐 : 92 중량％ 및 산화주석 : 8 중량％ 로 이루어지는 소결체 재료를 사용하였다. 그 이외에는, 실시예 2 와 동일하게 하여, 본 발명의 광투과성 도전성 필름을 얻었다. XRD 에 의한 평가의 결과, 함수 f(α) 의 평균값은 2.38 이었다.As a target material, the sintered compact material which consists of indium oxide: 92 weight% and tin oxide: 8 weight% was used. Others were carried out similarly to Example 2, and obtained the transparent electroconductive film of this invention. The average value of the function f ((alpha)) was 2.38 as a result of evaluation by XRD.

실시예 16Example 16

광투과성 도전층은 이하와 같이 형성하였다. 챔버 내를 3.0 × 10^-4 ㎩ 이하가 될 때까지 진공 배기한 후에, 이러한 챔버 내에 산소 분압이 4.5 × 10^-3 ㎩ 및 물 분압이 1.0 × 10^-4 ㎩ 가 되도록 산소 가스, 물 및 아르곤 가스를 도입하고, 챔버 내 압력을 0.2 ∼ 0.3 ㎩ 로 하고, 성막 온도는 50 ℃ 로 하여 스퍼터링 처리하였다. 그 이외에는, 실시예 4 와 동일하게 하여, 본 발명의 광투과성 도전성 필름을 얻었다. XRD 에 의한 평가의 결과, 함수 f(α) 의 평균값은 1.86 이었다.The transparent conductive layer was formed as follows. After evacuating the chamber to 3.0 × 10 ⁻⁴ Pa or less, oxygen gas, water, and argon gas such that the oxygen partial pressure is 4.5 × 10 ⁻³ Pa and the water partial pressure is 1.0 × 10 ⁻⁴ Pa in the chamber. Was introduced, the pressure in the chamber was 0.2-0.3 kPa, and the film formation temperature was 50 degreeC, and sputtering process was carried out. Others were carried out similarly to Example 4, and obtained the transparent electroconductive film of this invention. The average value of the function f ((alpha)) was 1.86 as a result of evaluation by XRD.

실시예 17Example 17

물 분압을 7.0 × 10^-4 ㎩ 로 한 것 이외에는, 실시예 16 과 동일하게 하여, 본 발명의 광투과성 도전성 필름을 얻었다. XRD 에 의한 평가의 결과, 함수 f(α) 의 평균값은 1.02 였다.Except having made water partial pressure into 7.0 * 10 <^-4> Pa, it carried out similarly to Example 16, and obtained the transparent electroconductive film of this invention. The average value of the function f ((alpha)) was 1.02 as a result of evaluation by XRD.

실시예 18Example 18

SiO₂ 성막시의 스퍼터 전력을 조정하고, 하지층의 표면 조도 (Ra) 를 0.3 ㎚ 로 한 것 이외에는, 실시예 2 와 동일하게 하여, 본 발명의 광투과성 도전성 필름을 얻었다. XRD 에 의한 평가의 결과, 함수 f(α) 의 평균값은 1.40 이었다.Adjusting a sputtering power during SiO ₂ film formation, and not the exception of the surface roughness (Ra) of 0.3 to ㎚ layer, in the same manner as Example 2 to obtain a light-transmitting conductive film of the present invention. The average value of the function f ((alpha)) was 1.40 as a result of evaluation by XRD.

실시예 19Example 19

SiO₂ 성막시의 스퍼터 전력을 조정하고, 하지층의 표면 조도 (Ra) 를 0.5 ㎚ 로 한 것 이외에는, 실시예 2 와 동일하게 하여, 본 발명의 광투과성 도전성 필름을 얻었다. XRD 에 의한 평가의 결과, 함수 f(α) 의 평균값은 1.46 이었다.Adjusting a sputtering power during SiO ₂ film formation, and not the exception of the surface roughness (Ra) of 0.5 to ㎚ layer, in the same manner as Example 2 to obtain a light-transmitting conductive film of the present invention. The average value of the function f ((alpha)) was 1.46 as a result of evaluation by XRD.

실시예 20Example 20

SiO₂ 성막시의 스퍼터 전력을 조정하고, 하지층의 표면 조도 (Ra) 를 2.5 ㎚ 로 하고, 추가로 PET 수지 기재 상에 SiO₂ 를 20 ㎚ 형성한 것 이외에는, 실시예 16 과 동일하게 하여, 본 발명의 광투과성 도전성 필름을 얻었다. XRD 에 의한 평가의 결과, 함수 f(α) 의 평균값은 3.65 였다.Adjusting a sputtering power during SiO ₂ film formation, and, other than the surface roughness (Ra) of the underlayer was the 2.5 ㎚ to form more SiO ₂ on a PET resin substrate with 20 ㎚, in the same manner as in Example 16, The transparent electroconductive film of this invention was obtained. The average value of the function f ((alpha)) was 3.65 as a result of evaluation by XRD.

실시예 21Example 21

산소 분압을 4.0 × 10^-3 ㎩ 로 한 것 이외에는, 실시예 2 와 동일하게 하여, 본 발명의 광투과성 도전성 필름을 얻었다. XRD 에 의한 평가의 결과, 함수 f(α) 의 평균값은 2.33 이었다.Except having made oxygen partial pressure into 4.0 * 10 <^-3> Pa, it carried out similarly to Example 2, and obtained the transparent electroconductive film of this invention. The average value of the function f ((alpha)) was 2.33 as a result of evaluation by XRD.

실시예 22Example 22

산소 분압을 4.9 × 10^-3 ㎩ 로 한 것 이외에는, 실시예 2 와 동일하게 하여, 본 발명의 광투과성 도전성 필름을 얻었다. XRD 에 의한 평가의 결과, 함수 f(α) 의 평균값은 2.98 이었다.Except having made oxygen partial pressure into 4.9x10 <^-3> Pa, it carried out similarly to Example 2, and obtained the transparent electroconductive film of this invention. The average value of the function f ((alpha)) was 2.98 as a result of evaluation by XRD.

비교예 4Comparative Example 4

광투과성 도전층의 성막시에 챔버 내의 산소 분압이 6.6 × 10^-3 ㎩ 가 되도록 산소 가스와 아르곤 가스를 도입하였다. 그 이외에는, 실시예 2 와 동일하게 하여, 본 발명의 광투과성 도전성 필름을 얻었다. XRD 에 의한 평가의 결과, 함수 f(α) 의 평균값은 6.16 이었다.Oxygen gas and argon gas were introduce | transduced so that the oxygen partial pressure in a chamber might be 6.6x10 <^-3> Pa at the time of film-forming of a transparent conductive layer. Others were carried out similarly to Example 2, and obtained the transparent electroconductive film of this invention. The average value of the function f ((alpha)) was 6.16 as a result of evaluation by XRD.

비교예Comparative example 5 5

두께 125 ㎛ 의 PET 수지 기재 상에 SiO₂ 층을 20 ㎚ 형성하고, 산화인듐주석을 10 ㎚ 성막하였다. 그 이외에는, 실시예 1 과 동일하게 하여, 본 발명의 광투과성 도전성 필름을 얻었다. XRD 에 의한 평가의 결과, 산화인듐에서 유래하는 (222) 면의 회절이 관찰되지 않았다.20 ㎚ forming an SiO ₂ layer on the PET resin substrate having a thickness of 125 ㎛, followed by deposition of indium tin oxide 10 ㎚. Others were carried out similarly to Example 1, and obtained the transparent electroconductive film of this invention. As a result of evaluation by XRD, diffraction of the (222) plane derived from indium oxide was not observed.

에칭 특성의 평가는, 다음과 같이 하여 실시하였다. 광투과성 도전성 필름을 20 ％ 염산에 침지시키고, 표면 저항이 계측 불능이 될 때까지의 시간을 구하였다. 광투과성 도전성 필름은 10 초 ∼ 90 초까지의 10 초 간격으로 침지 시간을 설정하고, 표면 저항이 계측 불능이 된 시간을 에칭 처리 완료 시간으로 하였다.Evaluation of the etching characteristic was performed as follows. The transparent electroconductive film was immersed in 20% hydrochloric acid, and time until surface resistance became impossible to measure was calculated | required. The light-transmissive conductive film set the immersion time at 10 second intervals from 10 second to 90 second, and made time which surface resistance became impossible to measure as etching process completion time.

에칭 처리 완료 시간이 40 초, 50 초일 때를 「◎」, 30 초, 60 초, 70 초일 때를 「○」, 20 초, 80 초일 때를 「△」, 10 초, 90 초 및 그 이상을 「×」로서 평가하였다.When the etching process completion time is 40 seconds, 50 seconds, "◎", 30 seconds, 60 seconds, 70 seconds "○", 20 seconds, 80 seconds "△", 10 seconds, 90 seconds and more It evaluated as "x".

모든 실시예 및 비교예 각각에 대하여, 함수 f(α) 의 평균값 및 에칭 특성의 평가 결과 등을 함께 표 1 에 나타낸다. 또한, 표 중 「222 NG」라고 되어 있는 것은, 0.100°이상의 범위에 있어서 0.025°간격으로 입사각을 바꾸면서 측정을 실시해도, 산화인듐에서 유래하는 (222) 면의 회절이 관찰되지 않은 경우를 나타내고 있다.About each Example and a comparative example, the average value of the function f ((alpha)), the evaluation result of an etching characteristic, etc. are shown in Table 1 together. In addition, "222 NG" of the table | surface shows the case where the diffraction of the (222) surface derived from indium oxide is not observed even if it measures, changing an incidence angle by 0.025 degree interval in the range of 0.100 degree or more. .

표 1 의 결과로부터, 에칭 특성의 평가 결과는, 함수 f(α) 의 평균값이 0.08 ∼ 5.00 에 있을 때에 「△」 또는 보다 좋은 결과가 되고, 0.2 ∼ 4.00 에 있을 때에 「○」 또는 보다 좋은 결과가 되고, 1.5 ∼ 3.00 에 있을 때에 「◎」가 되는 것을 알 수 있다.From the results of Table 1, the evaluation result of the etching characteristic is "△" or a better result when the average value of the function f ((alpha) is in 0.08-5.00, and "○" or a better result when it is in 0.2-4.00. It turns out that it becomes "(circle)" when it exists in 1.5-3.00.

또한, 「ITO (％)」는, 타깃 중에 함유되는 산화인듐 이외의 불순물인 산화주석의 농도를 나타내고 있다. 예를 들어, 「5 ％」라고 되어 있는 것은, 산화인듐 : 95 중량％ 및 산화주석 : 5 중량％ 인 타깃을 사용한 것을 나타내고 있다.In addition, "ITO (%)" has shown the density | concentration of tin oxide which is an impurity other than indium oxide contained in a target. For example, what is called "5%" has shown that the target which is indium oxide: 95 weight% and tin oxide: 5 weight% was used.

ITO 의 막두께는, 투과형 전자 현미경 관찰에 의해 구하였다. 구체적으로는, 포커스 이온 빔을 사용하여 광투과성 도전성 필름을 필름면에 대해 수직 방향으로 얇게 절단하고, 그 단면의 관찰로부터 구하였다.The film thickness of ITO was calculated | required by transmission electron microscope observation. Specifically, the light-transmitting conductive film was thinly cut in the direction perpendicular to the film surface using a focus ion beam, and was obtained from observation of the cross section.

1 : 광투과성 도전성 필름
11 : 광투과성 지지층 (A)
12 : 광투과성 도전층 (B)
13 : 언더코트층 (C)
14 : 하드 코트층 (D)1: transparent electroconductive film
11: light-transmissive support layer (A)
12: transparent conductive layer (B)
13: undercoat layer (C)
14: hard coat layer (D)

Claims (8)

(A) 폴리에틸렌테레프탈레이트 수지를 함유하는 광투과성 지지층 ; 및
(B) 3 ~ 10 중량％ 의 SnO₂ 를 산화인듐에 첨가하여 얻어질 수 있는 산화인듐주석을 함유하는 광투과성 도전층
을 함유하고,
상기 광투과성 도전층 (B) 가, 상기 광투과성 지지층 (A) 의 적어도 일방의 면에, 직접 또는 1 이상의 다른 층을 개재하여 배치되어 있는 광투과성 도전성 필름으로서,
(Ib_α － Ib_α－0.025°)/(Ia_α － Ia_α－0.025°)
로 나타내는 함수 f(α) 의 평균값이 0.08 ∼ 5.00 인 것을 특징으로 하는 광투과성 도전성 필름.
(단, α 는,
α_min ＋ n × 0.025°(n = 1, 2, 3, …)
(단, α_min 은, 0.100°이상의 범위 내에 있어서, 박막법 XRD 측정에 있어서 (222) 면의 피크를 확인할 수 있는 최소의 입사각이다)
로 나타내는 변수이고,
다음 식 (Ⅰ) 및 (Ⅱ) 를 만족시키고,
α ≤ 0.600° ‥‥ (Ⅰ)
f(α) ≥ 0.7 × f(α － 0.025°) ‥‥ (Ⅱ)
Ia_α 는, 입사각 α 의 박막법 XRD 측정에 있어서의 폴리에틸렌테레프탈레이트 유래의 2θ = 26°부근의 피크 강도이고, 또한
Ib_α 는, 입사각 α 의 박막법 XRD 측정에 있어서의 산화인듐주석 유래의 (222) 면의 피크 강도이다.)(A) Light transmissive support layer containing polyethylene terephthalate resin; And
(B) Light-transmitting conductive layer containing indium tin oxide which can be obtained by adding 3-10% by weight of SnO ₂ to indium oxide
Containing,
The light-transmissive conductive layer (B) is a light-transmissive conductive film disposed on at least one surface of the light-transmissive support layer (A) directly or through one or more other layers,
(Ib _α -Ib _{α-0.025 °} ) / (Ia _α -Ia _{α-0.025 °} )
The average value of the function f ((alpha)) shown to be 0.08-5.00, The transparent conductive film characterized by the above-mentioned.
(Where, α is
α _min + n × 0.025 ° (n = 1, 2, 3,…)
(Wherein _min is the minimum incidence angle at which the peak of the (222) plane can be confirmed in the thin film method XRD measurement within a range of 0.100 ° or more)
Is represented by
Satisfy the following formulas (I) and (II),
α ≤ 0.600 ° ‥‥ (I)
f (α) ≥ 0.7 × f (α-0.025 °) ‥‥ (II)
Ia _α is the peak intensity near 2θ = 26 ° derived from polyethylene terephthalate in the thin film method XRD measurement of the incident angle α, and
Ib _α is the peak intensity of the (222) plane derived from indium tin oxide in the thin film method XRD measurement of the incident angle α.) 제 1 항에 있어서,
상기 광투과성 지지층 (A) 의 두께가, 20 ∼ 200 ㎛ 인, 광투과성 도전성 필름.The method of claim 1,
The transparent electroconductive film whose thickness of the said transparent support layer (A) is 20-200 micrometers. 제 1 항에 있어서,
광투과성 도전층 (B) 의 두께가, 15 ∼ 30 ㎚ 인, 광투과성 도전성 필름.The method of claim 1,
The transparent electroconductive film whose thickness of a transparent conductive layer (B) is 15-30 nm. 제 1 항에 있어서,
대기 중 90 ∼ 160 ℃ 에서 10 ∼ 120 분간 가열함으로써 얻어질 수 있는, 광투과성 도전성 필름.The method of claim 1,
The transparent electroconductive film which can be obtained by heating for 10 to 120 minutes at 90-160 degreeC in air | atmosphere. 제 1 항 내지 제 4 항 중 어느 한 항에 기재된 광투과성 도전성 필름을 함유하는, 터치 패널.The touch panel containing the transparent electroconductive film in any one of Claims 1-4. 삭제delete 삭제delete 삭제delete

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