KR102070867B1 - Substrate processing apparatus - Google Patents

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Abstract

본 발명은 기판처리장치에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 기판 표면에 대하여 식각, 증착 등 기판처리를 수행하는 기판처리장치에 관한 것이다.
본 발명은, 대기압보다 낮은 압력의 공정압이 유지되며 밀폐된 처리공간을 형성하는 공정챔버와; 상기 공정챔버에 설치되며, 기판이 안착되는 정전척과, 상기 정전척의 하측에 설치되어 상기 정전척을 냉각시키는 냉각플레이트를 포함하는 기판지지대를 포함하며, 상기 기판지지대는, 상기 기판지지대와 연결되는 연결부재의 설치를 위하여 상기 공정챔버의 외측으로 노출되는 노출부분을 가지며, 상기 연결부재의 설치가 가능하면서 상기 노출부분이 대기에 노출되는 것을 방지하는 격리공간을 형성하고 상기 격리공간에 미리 설정된 기준치 이하의 수분이 함유된 채움기체를 채워 결로현상을 방지하기 위한 격리수단을 포함하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치를 개시한다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a substrate processing apparatus, and more particularly, to a substrate processing apparatus that performs substrate processing such as etching and deposition on a substrate surface.
The present invention provides a process chamber which maintains a process pressure at a pressure lower than atmospheric pressure and forms a closed processing space; A substrate support installed in the process chamber, the substrate support including a electrostatic chuck on which a substrate is seated, and a cooling plate installed below the electrostatic chuck to cool the electrostatic chuck, wherein the substrate support is connected to the substrate support. It has an exposed portion exposed to the outside of the process chamber for the installation of the member, forming an isolation space that is possible to install the connecting member while preventing the exposed portion from being exposed to the atmosphere and below the predetermined reference value in the isolation space Disclosed is a substrate processing apparatus comprising: an isolation means for filling a gas containing water of the present invention to prevent condensation.

Description

기판처리장치 {Substrate processing apparatus}Substrate processing apparatus

본 발명은 기판처리장치에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 기판 표면에 대하여 식각, 증착 등 기판처리를 수행하는 기판처리장치에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a substrate processing apparatus, and more particularly, to a substrate processing apparatus that performs substrate processing such as etching and deposition on a substrate surface.

기판처리장치는, 기판에 대한 증착, 식각 등의 기판처리를 수행하는 장치로서, 밀폐된 처리공간을 형성하는 공정챔버와, 공정챔버에 설치되어 기판을 지지하는 기판지지대를 포함하여 구성됨이 일반적이다.A substrate processing apparatus is a device for performing substrate processing such as deposition and etching on a substrate, and generally includes a process chamber for forming a closed processing space and a substrate support installed in the process chamber to support a substrate. .

상기와 같은 기판처리장치는, 기판지지대 상에 기판이 안착된 상태에서 플라즈마 등을 이용하여 기판처리를 수행한다.The substrate processing apparatus as described above performs substrate processing by using a plasma or the like in a state where the substrate is placed on the substrate support.

한편 상기 기판지지대는, 정전기력에 의하여 기판을 흡착고정하는 정전척, 플라즈마 등의 기판처리시 발생되는 기판지지대 등에서 열에 의하여 기판이 가열되는 것을 방지하기 위하여 기판지지대에 설치되는 냉각플레이트 등이 설치된다.On the other hand, the substrate support is provided with a cooling plate and the like installed on the substrate support to prevent the substrate from being heated by heat in the substrate support generated during the substrate treatment such as plasma, such as electrostatic chuck to fix the substrate by the electrostatic force.

그리고 상기 기판지지대는, 정전척의 전극층에 대한 직류전원인가, 기판 및 기판지지대 사이에서의 전열가스의 공급 등을 위하여, 기판지지대의 일부가 외부로 노출된다.The substrate support is partially exposed to the outside for application of a direct current power to the electrode layer of the electrostatic chuck, supply of heat transfer gas between the substrate and the substrate support, and the like.

그런데 상기 냉각플레이트의 설치에 따라서 기판지지대 중 공정챔버 내부 쪽은 고온상태로서 냉각이 이루지나 외부로 노출되는 부분에서는 냉각이 지속적으로 이루어져 외부환경에 포함된 수분이 응결되어 하측으로 낙하되거나 표면으로 흘러내리게 된다.However, according to the installation of the cooling plate, the inside of the process chamber of the substrate support is cooled to a high temperature state, but cooling is continuously performed at the part exposed to the outside, so that the moisture contained in the external environment condenses and falls to the lower side or flows to the surface. Get off.

이러한 결로현상, 즉 하측으로 낙하되거나 표면으로 흘러내리게 되면 기판처리장치에 설치된 전기시설에 영향을 주어 기판처리장치의 고장의 원인으로 작용하거나 기판처리장치의 주변을 오염시킬 수 있는 문제점이 있다.Such condensation, ie, falling down or flowing down to the surface, affects the electrical facilities installed in the substrate processing apparatus, which may cause a failure of the substrate processing apparatus or contaminate the surroundings of the substrate processing apparatus.

한편 상기 공정챔버의 처리공간 상부에 설치되어 가스를 분사하는 샤워헤드의 상부에도 냉각플레이트의 설치가 가능한바 상기와 같은 결로현상이 발생하여 결로현상에 따른 전기시설에 영향을 주어 기판처리장치의 고장의 원인으로 작용하거나 기판처리장치의 주변을 오염시킬 수 있는 문제점이 있다.On the other hand, the cooling plate can be installed on the upper part of the process chamber of the process chamber to inject the gas. The dew condensation occurs as described above, which affects the electrical facilities according to the condensation. There is a problem that may act as a cause of or to contaminate the surroundings of the substrate processing apparatus.

본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위하여, 기판지지대 등 냉각플레이트가 설치된 내부구성에서 공정챔버의 외측으로 노출되는 노출부분에 대기와 직접 접촉되는 것을 방지하는 격리수단을 추가로 포함함으로써 결로현상을 방지할 수 있는 기판처리장치를 제공하는 데 있다.In order to solve the above problems, the present invention further includes an isolation means for preventing direct contact with the atmosphere in an exposed portion exposed to the outside of the process chamber in an internal configuration in which a cooling plate such as a substrate support is installed. The present invention provides a substrate processing apparatus that can be prevented.

본 발명은, 상기와 같은 문제점을 해결하기 위하여 창출된 것으로서, 본 발명은, 대기압보다 낮은 압력의 공정압이 유지되며 밀폐된 처리공간을 형성하는 공정챔버와; 상기 공정챔버에 설치되며, 기판이 안착되는 정전척과, 상기 정전척의 하측에 설치되어 상기 정전척을 냉각시키는 냉각플레이트를 포함하는 기판지지대를 포함하며, 상기 기판지지대는, 상기 기판지지대와 연결되는 연결부재의 설치를 위하여 상기 공정챔버의 외측으로 노출되는 노출부분을 가지며, 상기 연결부재의 설치가 가능하면서 상기 노출부분이 대기에 노출되는 것을 방지하는 격리공간을 형성하고 상기 격리공간에 미리 설정된 기준치 이하의 수분이 함유된 채움기체를 채워 결로현상을 방지하기 위한 격리수단을 포함하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치를 개시한다.The present invention has been made to solve the above problems, the present invention, the process chamber is maintained at a process pressure of a pressure lower than atmospheric pressure and to form a closed processing space; A substrate support installed in the process chamber, the substrate support including a electrostatic chuck on which a substrate is seated, and a cooling plate installed below the electrostatic chuck to cool the electrostatic chuck, wherein the substrate support is connected to the substrate support. It has an exposed portion exposed to the outside of the process chamber for the installation of the member, forming an isolation space that is possible to install the connection member while preventing the exposed portion from being exposed to the atmosphere and below the predetermined reference value in the isolation space Disclosed is a substrate processing apparatus comprising: an isolation means for filling a gas containing water of the present invention to prevent condensation.

상기 격리수단은, 상기 연결부재가 통과되며 상기 격리공간이 외부와 격리되도록 상기 공정챔버에 결합되는 복개부재와, 상기 격리공간에 채움가스를 공급하는 채움가스공급부를 포함할 수 있다.The isolation means may include a covering member coupled to the process chamber so that the connection member is passed and the isolation space is isolated from the outside, and a filling gas supply unit supplying a filling gas to the isolation space.

상기 채움가스는, 질소, 불활성가스 및 미리 설정된 기준치 이하의 수분이 함유된 공기 중 어느 하나가 사용될 수 있다.As the filling gas, any one of nitrogen, an inert gas, and air containing moisture below a predetermined reference value may be used.

상기 복개부재는, 상기 채움가스공급부로부터 채움가스가 유입되는 유입부가 구비되고, 상기 채움가스는, 상기 격리공간으로부터 외부로 배출될 수 있다.The covering member may include an inlet part through which the filling gas is introduced from the filling gas supply part, and the filling gas may be discharged to the outside from the isolation space.

상기 복개부재는, 상기 채움가스공급부로부터 채움가스가 유입되는 유입부와, 상기 격리공간으로부터 상기 별도의 배기장치와 연결되는 배기부가 구비될 수 있다.The cover member may include an inlet part through which the filling gas flows from the filling gas supply part, and an exhaust part connected to the separate exhaust device from the isolation space.

상기 격리공간에는, 내부의 온도를 측정하기 위한 온도센서가 설치되고, 상기 채움가스공급부는, 상기 온도센서에서 측정된 온도와 상기 채움가스공급부 내의 채움가스의 온도의 편차를 미리 설정된 범위 내로 제어하기 위한 온도제어부를 포함할 수 있다.A temperature sensor for measuring an internal temperature is installed in the isolation space, and the filling gas supply unit controls a deviation between a temperature measured by the temperature sensor and a temperature of the filling gas in the filling gas supply unit within a preset range. It may include a temperature control unit for.

상기 공정챔버는, 상기 노출부분이 상기 공정챔버의 외측으로 노출되도록 상하로 관통형성된 관통공이 형성되며, 상기 관통공은, 상기 격리공간의 적어도 일부를 형성할 수 있다.The process chamber may include a through hole formed to penetrate up and down so that the exposed portion is exposed to the outside of the process chamber, and the through hole may form at least part of the isolation space.

상기 기판지지대는, 상기 챔버본체의 바닥면에 설치된 복수의 플랜지들에 의해 지지되어 설치되며, 상기 플랜지들 중 적어도 일부는, 상기 격리공간의 적어도 일부를 형성할 수 있다.The substrate support is supported and installed by a plurality of flanges installed on the bottom surface of the chamber body, and at least some of the flanges may form at least a part of the isolation space.

상기 기판지지대는, 상기 챔버본체의 바닥면에 직접 지지되어 설치될 수 있다.The substrate support may be installed directly supported on the bottom surface of the chamber body.

본 발명에 따른 기판처리장치는, 기판지지대 등 냉각플레이트가 설치된 내부구성에서 외부로 노출되는 부분에 대기와 직접 접촉되는 것을 방지하는 격리수단을 추가로 포함함으로써 결로현상을 방지할 수 있는 이점이 있다.The substrate processing apparatus according to the present invention has an advantage of preventing condensation by additionally including an isolation means for preventing direct contact with the atmosphere in the portion exposed to the outside in an internal configuration in which a cooling plate is installed, such as a substrate support. .

특히, 처리공간 내에서 플라즈마 형성 등 기판처리시 고열이 발생되는 공정을 수행하는 경우 기판지지대 내에 설치된 냉각플레이트와 챔버본체 등 주변 구성과의 온도편차가 크게 발생되는 경우 냉각플레이트가 설치된 내부구성에서 외부로 노출되는 부분에서 결로현상이 크게 발생되는 문제점이 있었다.In particular, when performing a process in which high heat is generated during substrate processing such as plasma formation in the processing space, when the temperature deviation between the cooling plate installed in the substrate support and the surrounding components such as the chamber body is large, There was a problem that the dew condensation phenomenon is greatly generated in the exposed portion.

이에, 본 발명은, 기판지지대 등 냉각플레이트가 설치된 내부구성에서 외부로 노출되는 부분에 대기와 직접 접촉되는 것을 방지하는 격리수단을 추가로 포함함으로써 상대적으로 수분함량이 많은 대기를 차단함으로써 결로현상을 방지할 수 있는 이점이 있다.Therefore, the present invention further includes isolation means for preventing direct contact with the atmosphere in the portion exposed to the outside in an internal configuration in which the cooling plate is installed, such as a substrate support, thereby preventing condensation by blocking the relatively moisture-rich atmosphere. There is an advantage that can be prevented.

한편 냉각플레이트가 설치된 내부구성에서 외부로 노출되는 부분에 대기와 직접 접촉되는 것을 방지하는 격리수단으로서 유해성이 적은, 미리 설정된 기준치 이하의 수분함량을 가진 공기를 채움으로써 보다 안정적으로 냉각플레이트가 설치된 내부구성에서 외부로 노출되는 부분에 대기와 직접 접촉되는 것을 방지할 수 있다.On the other hand, the inside of the cooling plate is installed more stably by filling the air with moisture content below the preset standard value, which is less harmful, as an isolation means that prevents direct contact with the atmosphere in the exposed parts of the internal structure where the cooling plate is installed. It is possible to prevent direct contact with the atmosphere in the parts exposed to the outside in the configuration.

도 1은 본 발명에 따른 기판처리장치를 보여주는 단면도이다.
도 2a는, 도 1에서 A부분을 확대한 확대 단면도이다.
도 2b는, 도 1에서 B부분을 확대한 확대 단면도이다.
도 3은, 도 1의 기판처리장치의 변형례를 보여주는 단면도이다.1 is a cross-sectional view showing a substrate processing apparatus according to the present invention.
FIG. 2A is an enlarged cross-sectional view illustrating an enlarged portion A of FIG. 1.
FIG. 2B is an enlarged sectional view in which the portion B in FIG. 1 is enlarged.
3 is a cross-sectional view showing a modification of the substrate processing apparatus of FIG. 1.

이하 본 발명에 따른 기판처리장치에 관하여 첨부된 도면을 참조하여 설명하면 다음과 같다.Hereinafter, a substrate processing apparatus according to the present invention will be described with reference to the accompanying drawings.

본 발명에 따른 기판처리장치는, 도 1에 도시된 바와 같이, 대기압보다 낮은 압력의 공정압이 유지되며 밀폐된 처리공간(S)을 형성하는 공정챔버(100)와; 공정챔버(100)에 설치되며, 기판이 안착되는 정전척(210)과, 정전척(210)의 하측에 설치되어 정전척(210)을 냉각시키는 냉각플레이트(310)를 포함하는 기판지지대(140)를 포함한다.Substrate processing apparatus according to the present invention, as shown in Figure 1, the process chamber 100 to maintain a process pressure of a pressure lower than atmospheric pressure and to form a closed processing space (S); The substrate support 140, which is installed in the process chamber 100, includes an electrostatic chuck 210 on which a substrate is seated, and a cooling plate 310 installed below the electrostatic chuck 210 to cool the electrostatic chuck 210. ).

여기서 기판처리는, 기판표면에 박막을 형성하는 증착공정, 식각하는 식각공정 등 다양한 공정이 될 수 있다.The substrate treatment may be various processes such as a deposition process for forming a thin film on the substrate surface, an etching process for etching.

그리고 기판처리의 대상은, LCD패널용 기판, OLED 기판 등 식각, 증착 등의 기판처리의 대상은 모두 가능하다.In addition, the object of substrate processing can be the object of substrate processing, such as etching and vapor deposition, such as an LCD panel substrate and an OLED substrate.

상기 공정챔버(100)는, 서로 탈착가능하게 결합되어 처리공간(S)을 형성하는 챔버본체(110) 및 상부리드(120)를 포함하여 구성될 수 있다.The process chamber 100 may include a chamber body 110 and an upper lead 120 that are detachably coupled to each other to form a processing space S.

상기 챔버본체(110)는, 설계 및 디자인에 따라서 다양한 구성이 가능하며, 기판(10)이 입출될 수 있도록 게이트밸브(미도시)에 의하여 개폐되는 적어도 하나의 게이트(111)가 형성된다. The chamber body 110 may be configured in various ways according to design and design, and at least one gate 111 is opened and closed by a gate valve (not shown) to allow the substrate 10 to enter and exit.

한편, 상기 공정챔버(100)는, 가스공급장치(미도시)로부터 공급받아 처리공간(S)으로 처리가스를 분사하는 가스공급부(130), 처리공간(S) 내의 압력조절 및 배기를 위한 배기시스템과 연결되는 배기관(미도시) 등 진공처리공정을 수행하기 위한 장치들이 설치될 수 있다.On the other hand, the process chamber 100 is supplied from a gas supply device (not shown), the gas supply unit 130 for injecting the processing gas into the processing space (S), the pressure in the processing space (S) and exhaust for exhaust Devices for performing a vacuum treatment process such as an exhaust pipe (not shown) connected to the system may be installed.

상기 기판지지대(140)는, 공정챔버(100)에 설치되어 기판이 안착되는 구성으로서 다양한 구성이 가능하다.The substrate support 140 may be installed in the process chamber 100 and may have various configurations as the substrate is mounted thereon.

예로서, 상기 기판지지대(140)는, 기판이 안착되는 정전척(210)과, 정전척(210)의 하측에 설치되어 정전척(210)을 냉각시키는 냉각플레이트(310)를 포함할 수 있다.For example, the substrate support 140 may include an electrostatic chuck 210 on which the substrate is mounted, and a cooling plate 310 installed below the electrostatic chuck 210 to cool the electrostatic chuck 210. .

상기 정전척(210)은, 정전기력에 의하여 기판처리시 기판(10)을 흡착고정하기 위한 구성으로서, 모재와, 모재 상에 형성된 절연층 내에 직류전원이 인가되는 전극층으로 구성되어, 전극층에 대한 직류 전원인가로 정전기력에 의하여 기판처리시 기판(10)을 흡착고정하게 된다.The electrostatic chuck 210 is configured to adsorb and fix the substrate 10 during substrate processing by electrostatic force. The electrostatic chuck 210 includes a base material and an electrode layer to which DC power is applied in an insulating layer formed on the base material. Adsorption and fixation of the substrate 10 during substrate processing by the electrostatic force by applying power.

상기 냉각플레이트(310)는, 플라즈마에 의한 기판처리를 위해 온도를 높이거나 처리공정에서 발생하는 열을 냉각할 수 있도록, 정전척(210)의 하측, 특히 정전척의 모재에 결합되어 온도 제어를 위한 전열유체가 흐르는 유로가 형성될 수 있다.The cooling plate 310 is coupled to the lower side of the electrostatic chuck 210, in particular, the base material of the electrostatic chuck to increase the temperature for processing the substrate by the plasma or to cool the heat generated in the processing process for temperature control. A flow path through which the heat transfer fluid flows may be formed.

한편 상기 기판지지대(140)는, 냉각플레이트(310)의 하측에 공정챔버(100)와의 전기적 절연을 위한 절연플레이트(220)와,플렌지 등과의 기계적 결합을 위하여 베이스플레이트(230)가 순차적으로 설치될 수 있다.On the other hand, the substrate support 140, the insulating plate 220 for electrical insulation with the process chamber 100 on the lower side of the cooling plate 310, the base plate 230 is sequentially installed for mechanical coupling with the flange, etc. Can be.

한편, 상기 기판지지대(140)는, 도 1 내지 도 2b에 도시된 바와 같이, 챔버본체(110)의 바닥면에 설치된 복수의 플랜지(241, 242)들에 의해 지지되거나, 직접 지지되어 설치될 수 있다.On the other hand, the substrate support 140, as shown in Figures 1 to 2b, is supported by a plurality of flanges (241, 242) installed on the bottom surface of the chamber body 110, or directly supported to be installed Can be.

여기서 상기 플랜지(241, 242)들 중 적어도 일부는, 정전척(210)에 대한 직류전원의 인가를 위한 전원선, 정전척(210)의 상면 및 기판(10)의 저면 사이의 전열가스(헤륨 등)를 주입하기 위한 전열가스주입관, 리프트핀의 상하구동을 위한 리프트핀의 구동구조 등 연결부재(250)의 설치가 가능하며 대기와 격리되는 후술하는 격리공간(SS)의 적어도 일부를 형성할 수 있다.Here, at least some of the flanges 241 and 242 may include a heat transfer gas (helium) between a power line for applying DC power to the electrostatic chuck 210, an upper surface of the electrostatic chuck 210, and a bottom surface of the substrate 10. Etc.) is possible to install the connection member 250, such as the heat transfer gas injection pipe for injecting, the drive structure of the lift pin for the vertical drive of the lift pin, and forms at least a part of the isolation space (SS) to be isolated from the atmosphere can do.

또한 상기 기판지지대(140)는, 도 3에 도시된 바와 같이, 챔버본체(100)에서 기판지지대(140)의 저면을 직접 지지하도록 돌출부(190)가 상측으로 돌출 형성될 수 있다.In addition, as illustrated in FIG. 3, the substrate support 140 may have a protrusion 190 protruding upward from the chamber body 100 so as to directly support the bottom surface of the substrate support 140.

상기 기판지지대(140)는, 처리공간(S)에서 공정 수행을 위한 플라즈마 형성 등 진공처리를 위한 반응이 일어날 수 있도록 정전척(210)의 모재 등 전원이 인가되어 하부전극(미도시)을 구성할 수 있다.The substrate support 140 includes a lower electrode (not shown) by applying power such as a base material of the electrostatic chuck 210 so that a reaction for vacuum treatment, such as plasma formation, may be performed in the processing space S. can do.

여기서 상기 하부전극은, 전원인가 방식에 따라서 챔버본체(110) 및 가스공급부(140)를 접지시키고 하나 또는 두 개의 RF전원이 인가되거나, 하부전극은 접지되고 챔버본체(110) 및 가스공급부(140)에 RF전원이 인가되거나, 하부전극에 제1의 RF전원이 인가되고 챔버본체(110) 및 가스공급부(140)에 제2의 RF전원이 인가되는 등 다양한 형태로 전원이 인가될 수 있다.Here, the lower electrode is grounded to the chamber body 110 and the gas supply unit 140 according to the power supply method, one or two RF power is applied, or the lower electrode is grounded and the chamber body 110 and the gas supply unit 140 RF power may be applied to the lower electrode, or a first RF power may be applied to the lower electrode, and a second RF power may be applied to the chamber body 110 and the gas supply unit 140.

한편 상기 정전척(210)에 대한 직류전원의 인가를 위한 전원선, 정전척(210)의 상면 및 기판(10)의 저면 사이의 전열가스(헤륨 등)를 주입하기 위한 전열가스주입관, 리프트핀의 상하구동을 위한 리프트핀의 구동구조 등 연결부재(250)의 설치가 필요하다.Meanwhile, a heat transfer gas injection pipe for injecting heat transfer gas (helium, etc.) between a power line for applying DC power to the electrostatic chuck 210, an upper surface of the electrostatic chuck 210, and a bottom surface of the substrate 10, and a lift. Installation of the connection member 250, such as a drive structure of the lift pin for the vertical drive of the pin.

이러한 연결부재(250)의 설치를 위하여, 공정챔버(100), 특히 챔버본체(110)에는 해당 위치에서 관통공(118, 119)들이 형성된다.In order to install the connection member 250, through-holes 118 and 119 are formed in the process chamber 100, in particular, the chamber body 110 at a corresponding position.

한편 이러한 연결부재(250)의 설치를 위한 관통공(118, 119)들의 형성에 의하여, 냉각플레이트(310)가 설치된 내부구성, 즉 기판지지대(140)의 일부가 공정챔버(100)의 외측으로 노출되는데, 노출부분이 대기와 직접 접촉되어 대기에 함유된 수분이 응결되는 결로현상이 발생된다.Meanwhile, through the formation of the through holes 118 and 119 for the installation of the connection member 250, the internal structure in which the cooling plate 310 is installed, that is, a part of the substrate support 140 is moved to the outside of the process chamber 100. The exposed part is in direct contact with the atmosphere, causing condensation that condenses moisture contained in the atmosphere.

따라서, 본 발명에 따른 기판처리장치의 공정챔버(100)는, 기판지지대(140)과 연결되는 연결부재(250)가 가능하면서 기판지지대(140)의 노출부분이 대기에 노출되는 것을 방지하는 격리공간(SS)을 형성함이 바람직하다.Therefore, the process chamber 100 of the substrate processing apparatus according to the present invention allows the connection member 250 to be connected to the substrate support 140 and isolates the exposed portion of the substrate support 140 from being exposed to the atmosphere. It is preferable to form the space SS.

여기서 상기 격리공간(SS)은, 대기압 하의 외부로부터 공정압 하의 기판지지대(140)과 연결되는 연결부재(250)의 설치를 위하여 처리공간(S)과 격리되며 기판지지대(140)의 노출부분이 대기에 노출되는 것을 방지하는 공간이다.Here, the isolation space (SS) is isolated from the processing space (S) for the installation of the connection member 250 is connected to the substrate support 140 under process pressure from the outside under atmospheric pressure and the exposed portion of the substrate support 140 It is a space to prevent exposure to the atmosphere.

이에, 본 발명에 따른 기판처리장치는, 연결부재(250)의 설치가 가능하면서 노출부분이 대기에 노출되는 것을 방지하는 격리공간(SS)을 형성하고, 격리공간(SS)에 미리 설정된 기준치 이하의 수분이 함유된 채움기체가 채워 결로현상을 방지하기 위한 격리수단을 추가로 포함한다.Accordingly, the substrate processing apparatus according to the present invention forms an isolation space SS that allows the connection member 250 to be installed and prevents the exposed portion from being exposed to the atmosphere, and is less than or equal to a preset reference value in the isolation space SS. Filling gas containing the water of the filling further comprises a containment means for preventing condensation.

상기 격리수단은, 연결부재(250)의 설치가 가능하면서 격리공간(SS)을 형성하고, 격리공간(SS)에 미리 설정된 기준치 이하의 수분이 함유된 채움기체가 채워 결로현상을 방지하는 구성으로서 다양한 구성이 가능하다.The isolation means is configured to form an isolation space (SS) while the connection member 250 can be installed, and is filled with a gas filled with moisture less than a predetermined reference value in the isolation space (SS) to prevent condensation. Various configurations are possible.

예로서, 상기 격리수단은, 연결부재(250)가 통과되며 격리공간(SS)이 외부와 격리되도록 공정챔버(100)에 결합되는 복개부재(210)와, 격리공간(SS)에 채움가스를 공급하는 채움가스공급부(300)를 포함할 수 있다.For example, the isolating means, the connecting member 250 is passed through the isolation member (210) coupled to the process chamber 100 so that the isolation space (SS) is isolated from the outside, and filling the gas into the isolation space (SS) It may include a filling gas supply unit 300 for supplying.

상기 복개부재(210)는, 도 1 내지 도 3에 도시된 바와 같이, 연결부재(250)가 통과되며 격리공간(SS)이 외부와 격리되도록 공정챔버(100)에 결합되는 구성으로서 다양한 구성이 가능하다.As shown in FIGS. 1 to 3, the cover member 210 is coupled to the process chamber 100 so that the connection member 250 passes and the isolation space SS is isolated from the outside. It is possible.

예로서, 상기 복개부재(210)는, 연결부재(250)의 설치를 위한 관통공(118, 119)의 상단 또는 하단에 설치되는 플레이트로 구성되는 등 다양한 구성이 가능하다.For example, the cover member 210 may be configured in various ways, such as a plate installed at the top or bottom of the through holes 118 and 119 for installation of the connection member 250.

여기서 상기 격리공간(SS)의 형성과 관련하여, 플랜지(241, 242)가 격리공간(SS)의 적어도 일부를 형성할 수 있다.Here, in relation to the formation of the isolation space SS, the flanges 241 and 242 may form at least a portion of the isolation space SS.

아울러, 상기 관통공(118, 119)은, 격리공간(SS)격리공간(SS)의 적어도 일부를 형성할 수 있다.In addition, the through holes 118 and 119 may form at least a part of the isolation space SS isolation space SS.

그리고 상기 복개부재(210)는, 오링 등이 개재되어 완전 밀폐되거나, 후술하는 바와 같이 채움가스가 복개부재(210) 및 공정챔버(100)와의 결합부분에서 자연누출될 수 있도록 오링 없이 공정챔버(100)에 결합될 수 있다.In addition, the cover member 210 may be completely sealed by interposing an O-ring or the like, or as described later, the filling gas may be naturally leaked from the coupling portion of the cover member 210 and the process chamber 100 without the process chamber ( 100).

예로서, 상기 복개부재(210)는, 채움가스공급부(300)로부터 채움가스가 유입되는 유입부(341)가 구비되고, 채움가스는, 외부로 배출될 수 있다.For example, the covering member 210 may include an inlet portion 341 through which the filling gas is introduced from the filling gas supply part 300, and the filling gas may be discharged to the outside.

그리고 복개부재(210)는 채움가스가 외부로 배출되는 배출부(342)가 구비되어 채움가스가 외부로 배출되거나, 배출부(342)의 별도 형성없이 공정챔버(100)와의 결합부분에서 채움가스가 자연누출될 수 있다.In addition, the cover member 210 is provided with a discharge part 342 through which the filling gas is discharged to the outside, and the filling gas is discharged to the outside, or the filling gas in the coupling part with the process chamber 100 without forming the discharge part 342 separately. May leak naturally.

또한 상기 복개부재(210)는, 도 2a 및 도 2b에 도시된 바와 같이, 채움가스공급부(300)로부터 채움가스가 유입되는 유입부(341)와, 격리공간(SS)으로부터 별도의 배기장치와 연결되는 배기부(342)가 구비될 수 있다.In addition, the cover member 210, as shown in Figures 2a and 2b, the inlet portion 341 through which the filling gas flows from the filling gas supply unit 300, and a separate exhaust device from the isolation space (SS) and An exhaust unit 342 may be provided.

한편 상기 채움가스는, 질소, 불활성가스 및 미리 설정된 기준치 이하의 수분이 함유된 공기 중 어느 하나가 사용될 수 있다.Meanwhile, the filling gas may be any one of nitrogen, an inert gas, and air containing moisture below a predetermined reference value.

여기서 상기 채움가스는, 누출시 위험성이 없는 미리 설정된 기준치 이하의 수분이 함유된 공기의 사용이 바람직하다.Here, the filling gas, it is preferable to use the air containing water of less than a predetermined reference value without the risk of leakage.

그리고 상기 채움가스가 인체에 무해하거나 클린룸 내에 영향이 없는 가스인 경우, 공정챔버(100)의 외부, 즉 주변으로 배출될 수 있다.When the filling gas is a gas that is harmless to the human body or does not affect the clean room, the filling gas may be discharged to the outside of the process chamber 100, that is, to the periphery.

한편 상기 채움가스는, 제습장치 등에 의하여 미리 설정된 기준치 이하의 수분이 함유되도록 제습됨이 바람직하다.On the other hand, the filling gas is preferably dehumidified so as to contain moisture below a predetermined reference value by a dehumidifier.

그리고 상기 채움가스는, 격리공간(SS) 내의 온도차를 최소화하기 위하여 격리공간(SS) 내의 온도와 근접된 온도로 격리공간(SS)에 유입되는 것이 바람직하다.In addition, the filling gas is preferably introduced into the isolation space (SS) at a temperature close to the temperature in the isolation space (SS) in order to minimize the temperature difference in the isolation space (SS).

이때 채움가스의 온도제어를 위하여, 격리공간(SS) 내부의 온도를 측정하는 온도센서(미도시)가 설치될 수 있으며, 채움가스공급부(300)는 온도센서에서 측정된 온도와 채움가스공부(300) 내의 채움가스의 온도의 편차를 미리 설정된 범위 내로 제어하기 위한 온도제어부가 설치될 수 있다.At this time, in order to control the temperature of the filling gas, a temperature sensor (not shown) for measuring the temperature inside the isolation space (SS) may be installed, the filling gas supply unit 300 is measured by the temperature sensor and the filling gas studying ( A temperature control unit for controlling the deviation of the temperature of the filling gas in the 300 within a preset range may be installed.

이상은 본 발명에 의해 구현될 수 있는 바람직한 실시예의 일부에 관하여 설명한 것에 불과하므로, 주지된 바와 같이 본 발명의 범위는 위의 실시예에 한정되어 해석되어서는 안 될 것이며, 위에서 설명된 본 발명의 기술적 사상과 그 근본을 함께 하는 기술적 사상은 모두 본 발명의 범위에 포함된다고 할 것이다.Since the above has just been described with respect to some of the preferred embodiments that can be implemented by the present invention, as is well known the scope of the present invention should not be construed as limited to the above embodiments, the present invention described above Technical idea and the technical idea together with the basic will all be included in the scope of the present invention.

100 : 공정챔버 140 : 기판지지대
210 : 정전척 220 : 냉각플레이트100: process chamber 140: substrate support
210: electrostatic chuck 220: cooling plate

Claims (9)

대기압보다 낮은 압력의 공정압이 유지되며 밀폐된 처리공간을 형성하는 공정챔버와;
상기 공정챔버에 설치되며, 기판이 안착되는 정전척과, 상기 정전척의 하측에 설치되어 상기 정전척을 냉각시키는 냉각플레이트를 포함하는 기판지지대를 포함하며,
상기 기판지지대는, 상기 기판지지대와 연결되는 연결부재의 설치를 위하여 상기 공정챔버의 외측으로 노출되는 노출부분을 가지며,
상기 연결부재의 설치가 가능하면서 상기 노출부분이 대기에 노출되는 것을 방지하는 격리공간을 형성하고 상기 격리공간에 미리 설정된 기준치 이하의 수분이 함유된 채움기체를 채워 결로현상을 방지하기 위한 격리수단을 포함하며,
상기 격리수단은,
상기 연결부재가 통과되며 상기 격리공간이 외부와 격리되도록 상기 공정챔버의 저면에 밀착 결합되는 복개부재를 포함하며,
상기 격리공간은, 상기 기판지지대의 저면과 상기 복개부재 사이에 형성되며,
상기 격리수단은,
상기 격리공간에 채움가스를 공급하는 채움가스공급부를 포함하며,
상기 격리공간에는, 내부의 온도를 측정하기 위한 온도센서가 설치되고,
상기 채움가스공급부는, 상기 온도센서에서 측정된 온도와 상기 채움가스공급부 내의 채움가스의 온도의 편차를 미리 설정된 범위 내로 제어하기 위한 온도제어부를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.A process chamber which maintains a process pressure at a pressure lower than atmospheric pressure and forms a closed processing space;
A substrate support installed in the process chamber, the substrate support including an electrostatic chuck on which a substrate is mounted, and a cooling plate installed below the electrostatic chuck to cool the electrostatic chuck;
The substrate support has an exposed portion exposed to the outside of the process chamber for the installation of a connection member connected to the substrate support,
It is possible to install the connecting member and to form an isolation space to prevent the exposed portion from being exposed to the atmosphere, and to fill the gas containing the water filled below the predetermined reference value in the isolation space to contain condensation to prevent condensation. Include,
The isolation means,
And a cover member which is closely coupled to a bottom surface of the process chamber so that the connection member passes and the isolation space is isolated from the outside.
The isolation space is formed between the bottom surface of the substrate support and the cover member,
The isolation means,
Filling gas supply unit for supplying the filling gas to the isolation space,
In the isolation space, a temperature sensor for measuring the internal temperature is installed,
The filling gas supply unit includes a temperature control unit for controlling a deviation between the temperature measured by the temperature sensor and the temperature of the filling gas in the filling gas supply unit within a preset range. 삭제delete 청구항 1에 있어서,
상기 채움가스는, 질소, 불활성가스 및 미리 설정된 기준치 이하의 수분이 함유된 공기 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 기판처리장치.The method according to claim 1,
The filling gas is a substrate processing apparatus, characterized in that any one of nitrogen, an inert gas and air containing water of less than a predetermined reference value. 청구항 1에 있어서,
상기 복개부재는, 상기 채움가스공급부로부터 채움가스가 유입되는 유입부가 구비되고,
상기 채움가스는, 상기 격리공간으로부터 외부로 배출되는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.The method according to claim 1,
The cover member is provided with an inlet for the filling gas flows from the filling gas supply,
The filling gas is discharged to the outside from the isolation space substrate processing apparatus. 청구항 1에 있어서,
상기 복개부재는, 상기 채움가스공급부로부터 채움가스가 유입되는 유입부와, 상기 격리공간으로부터 외부에 설치되는 별도의 배기장치와 연결되는 배출부가 구비된 것을 특징으로 하는 기판처리장치.The method according to claim 1,
The cover member is a substrate processing apparatus, characterized in that provided with an inlet for the filling gas is introduced from the filling gas supply unit, and the discharge portion connected to a separate exhaust device installed outside from the isolation space. 삭제delete 청구항 1, 청구항 3 내지 청구항 5 중 어느 하나의 항에 있어서,
상기 공정챔버는, 상기 노출부분이 상기 공정챔버의 외측으로 노출되도록 상하로 관통형성된 관통공이 형성되며,
상기 관통공은, 상기 격리공간의 적어도 일부를 형성하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.The method according to any one of claims 1 and 3 to 5,
The process chamber is formed with a through-hole formed in the vertical through-hole so that the exposed portion is exposed to the outside of the process chamber,
And the through hole forms at least a portion of the isolation space. 청구항 7에 있어서,
상기 기판지지대는, 상기 공정챔버의 바닥면에 설치된 복수의 플랜지들에 의해 지지되어 설치되며,
상기 플랜지들 중 적어도 일부는, 상기 격리공간의 적어도 일부를 형성하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.The method according to claim 7,
The substrate support is supported and installed by a plurality of flanges installed on the bottom surface of the process chamber,
And at least some of the flanges form at least a portion of the isolation space. 청구항 7에 있어서,
상기 기판지지대는, 상기 공정챔버의 바닥면에 직접 지지되어 설치된 것을 특징으로 하는 기판처리장치.The method according to claim 7,
And the substrate support is directly supported on the bottom surface of the process chamber.
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