KR101276565B1 - Vacuum Processing Apparatus - Google Patents

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Abstract

본 발명은 진공처리장치에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 액정디스플레이 패널용 유리 또는 반도체 등의 기판을 식각 또는 증착하기 위한 진공처리장치에 관한 것이다.

본 발명은 진공처리를 수행할 수 있도록 밀폐된 처리공간을 가지며 그 저면에 외부와 소통될 수 있도록 하나 이상의 인입구가 관통되어 형성된 챔버본체와; 상기 챔버본체 내에 설치되어 진공처리가 수행될 기판을 지지하는 기판지지대와; 상기 챔버본체의 저면에 설치되어 상기 기판지지대를 지지하는 복수개의 고정지지부와; 상기 챔버본체의 외측에 설치된 외부장치와 상기 기판지지대 내에 설치된 내부장치를 연결하기 위하여 상기 챔버본체에 형성된 상기 인입구와 상기 처리공간을 격리시키고 상기 챔버본체의 변형이 상기 기판지지대에 전달되는 것을 방지하도록 상기 챔버본체의 저면과 상기 기판지지대를 연결하는 실링부를 포함하는 것을 특징으로 하는 진공처리장치를 개시한다.

Figure R1020060045302

진공처리장치, 기판, 변형, 벨로우즈, 신축

The present invention relates to a vacuum processing apparatus, and more particularly, to a vacuum processing apparatus for etching or depositing a substrate such as glass or a semiconductor for a liquid crystal display panel.

The present invention includes a chamber body having a processing space sealed to perform a vacuum treatment and formed at least one inlet through the bottom thereof so as to communicate with the outside; A substrate support installed in the chamber body to support a substrate on which vacuum processing is to be performed; A plurality of fixed support parts installed on a bottom surface of the chamber body to support the substrate support; In order to connect the external device installed outside the chamber body and the internal device installed in the substrate support to isolate the inlet and the processing space formed in the chamber body and to prevent the deformation of the chamber body is transferred to the substrate support. Disclosed is a vacuum processing apparatus comprising a sealing portion connecting the bottom surface of the chamber body and the substrate support.

Figure R1020060045302

Vacuum Processing Equipment, Substrates, Deformation, Bellows, Stretch

Description

진공처리장치 {Vacuum Processing Apparatus}Vacuum Processing Apparatus {Vacuum Processing Apparatus}

도 1은 본 발명에 따른 진공처리장치의 단면도이다. 1 is a cross-sectional view of a vacuum processing apparatus according to the present invention.

도 2는 도 1의 진공처리장치 중 A부분을 확대한 확대단면도이다.2 is an enlarged cross-sectional view illustrating an enlarged portion A of the vacuum processing apparatus of FIG. 1.

도 3은 도 1의 진공처리장치의 처리공간이 진공상태일 때 챔버본체의 내벽이 변형된 상태를 보여주는 단면도이다.3 is a cross-sectional view illustrating a state in which an inner wall of the chamber body is deformed when the processing space of the vacuum processing apparatus of FIG. 1 is in a vacuum state.

***** 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명 *****Description of Reference Numerals to Main Parts of the Drawings *****

100 : 진공처리장치　　　　　　　　　　100: vacuum processing apparatus

110 : 상부하우징 120 : 하부하우징110: upper housing 120: lower housing

200 : 기판지지대 210 : 절연부재200: substrate support 210: insulating member

220 : 하부전극 230 : 냉각판220: lower electrode 230: cooling plate

240 : 정전척240: electrostatic chuck

310 : 고정지지부 370 : 실링부310: fixed support portion 370: sealing portion

본 발명은 진공처리장치에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 액정디스플레이 패널용 유리 또는 반도체 등의 기판을 식각 또는 증착하기 위한 진공처리장치에 관 한 것이다.The present invention relates to a vacuum processing apparatus, and more particularly, to a vacuum processing apparatus for etching or depositing a substrate such as glass or a semiconductor for a liquid crystal display panel.

진공처리장치란 진공상태에서 플라즈마 현상 등 물리적 또는 화학적 반응을 이용하여 LCD 패널용 유리, 반도체 등의 기판을 식각, 증착 등을 진공처리를 수행하는 장치를 말한다. 그리고 진공처리장치는 일반적으로 진공처리를 위한 공간을 형성하도록 서로 착탈가능하게 결합되는 상부하우징 및 하부하우징으로 이루어진 챔버본체 등으로 구성된다. The vacuum processing apparatus refers to an apparatus for performing a vacuum treatment of etching or depositing a substrate such as a glass or a semiconductor for an LCD panel using a physical or chemical reaction such as a plasma phenomenon in a vacuum state. And the vacuum processing apparatus is generally composed of a chamber body consisting of an upper housing and a lower housing detachably coupled to each other to form a space for vacuum processing.

한편 진공처리가 수행될 기판 중 웨이퍼와는 달리 LCD 패널용 유리 등과 같은 경우 그 크기가 대형화되는 추세에 있으며, 기판을 처리하기 위한 챔버본체 또한 대형화 될 필요가 있다.On the other hand, unlike wafers of the substrate to be subjected to the vacuum treatment, such as glass for LCD panels, the size is increasing in size, the chamber body for processing the substrate also needs to be enlarged.

그런데 상기와 같이 진공처리를 수행하기 위한 진공처리장치의 챔버본체가 대형화됨에 따라서 내부에 형성되는 진공압으로 인하여 챔버본체의 외벽에 가해지는 압력이 증가하게 되어 챔버본체를 변형시키게 된다.However, as the chamber main body of the vacuum processing apparatus for performing the vacuum process is enlarged as described above, the pressure applied to the outer wall of the chamber main body increases due to the vacuum pressure formed therein, thereby deforming the chamber main body.

특히 진공처리장치의 벽체의 변형은 그 내부에 설치되는 기판지지대의 배치에 영향을 미쳐 양호한 진공처리가 이루지지 않게 되므로, 그 변형을 방지하기 위하여 챔버본체의 두께가 두꺼워지게 되어 진공처리장치의 제작비용을 상승시키는 문제점이 있다.In particular, the deformation of the wall of the vacuum processing apparatus affects the arrangement of the substrate support installed therein, so that a good vacuum treatment is not achieved, so that the thickness of the chamber body is thickened to prevent the deformation. There is a problem that increases the cost.

또한 챔버본체의 변형을 완전히 배제할 수 없는 경우 챔버본체의 변형에 따라서 챔버본체의 내벽과 기판지지대 사이를 지지하는 지지부재에 변형이 발생하게 되어 지지부재가 파손되거나, 크랙이 발생하여 챔버본체의 내부의 진공압이 누설되는 문제점이 있다.In addition, when the deformation of the chamber body cannot be completely excluded, deformation occurs in the support member supporting the inner wall of the chamber body and the substrate support according to the deformation of the chamber body, resulting in damage to the support member or cracking. There is a problem that the internal vacuum pressure leaks.

본 발명의 목적은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위하여, 챔버본체의 변형이 기판을 지지하는 기판지지대로 영향을 주는 것을 방지할 수 있는 진공처리장치를 제공하는 데 있다.An object of the present invention is to provide a vacuum processing apparatus that can prevent the deformation of the chamber body to affect the substrate support for supporting the substrate in order to solve the above problems.

본 발명의 다른 목적은 챔버본체의 변형이 기판을 지지하는 기판지지대로 주는 영향을 최소화함으로써 챔버본체의 두께를 최소화할 수 있는 진공처리장치를 제공하는 데 있다.Another object of the present invention is to provide a vacuum processing apparatus that can minimize the thickness of the chamber body by minimizing the influence of the deformation of the chamber body to the substrate support for supporting the substrate.

본 발명은 상기와 같은 본 발명의 목적을 달성하기 위하여 창출된 것으로서, 진공처리를 수행할 수 있도록 밀폐된 처리공간을 가지며 그 저면에 외부와 소통될 수 있도록 하나 이상의 인입구가 관통되어 형성된 챔버본체와; 상기 챔버본체 내에 설치되어 진공처리가 수행될 기판을 지지하는 기판지지대와; 상기 챔버본체의 저면에 설치되어 상기 기판지지대를 지지하는 복수개의 고정지지부와; 상기 챔버본체의 외측에 설치된 외부장치와 상기 기판지지대 내에 설치된 내부장치를 연결하기 위하여 상기 챔버본체에 형성된 상기 인입구와 상기 처리공간을 격리시키고 상기 챔버본체의 변형이 상기 기판지지대에 전달되는 것을 방지하도록 상기 챔버본체의 저면과 상기 기판지지대를 연결하는 실링부를 포함하는 것을 특징으로 하는 진공처리장치를 개시한다.The present invention was created in order to achieve the object of the present invention as described above, having a sealed processing space to perform a vacuum treatment and the chamber body formed by passing through at least one inlet to communicate with the outside on the bottom; ; A substrate support installed in the chamber body to support a substrate on which vacuum processing is to be performed; A plurality of fixed support parts installed on a bottom surface of the chamber body to support the substrate support; In order to connect the external device installed outside the chamber body and the internal device installed in the substrate support to isolate the inlet and the processing space formed in the chamber body and to prevent the deformation of the chamber body is transferred to the substrate support. Disclosed is a vacuum processing apparatus comprising a sealing portion connecting the bottom surface of the chamber body and the substrate support.

상기 실링부는 실링부재가 개재되어 상기 기판지지대의 저면에 결합되는 상부플렌지부와; 실링부재가 개재되어 상기 인입구를 둘러싸도록 상기 챔버본체의 저 면에 설치된 하부플렌지부와; 상기 상부플렌지부와 상기 하부플렌지부를 연결하도록 설치되어 상기 상부플렌지부와 상기 하부플렌지부 간의 간격에 따라서 그 길이방향으로 변형이 가능한 신축부를 포함하여 구성될 수 있으며, 상기 신축부는 벨로우즈로 구성될 수 있다.The sealing portion has an upper flange portion coupled to the bottom surface of the substrate support with a sealing member interposed therebetween; A lower flange portion disposed on a bottom surface of the chamber body so as to surround the inlet by a sealing member interposed therebetween; It is installed to connect the upper flange portion and the lower flange portion may be configured to include an elastic portion that can be deformed in the longitudinal direction according to the distance between the upper flange portion and the lower flange portion, the expansion portion may be composed of bellows have.

상기 내부장치는 정전기력으로 상기 기판을 흡착고정시키는 정전척이며, 상기 정전척에 전원을 공급하도록 상기 정전척과 연결되는 직류연결선이 상기 실링부에 설치되거나, 상기 내부장치는 상기 기판의 온도를 제어하기 위하여 상기 기판지지대의 표면에 열전달가스를 분사시키는 다수개의 분사공들이 형성되며, 상기 분사공들에 열전달가스를 공급하도록 상기 분사공들과 연결되는 열전달가스공급관이 상기 실링부에 설치되거나, 상기 내부장치는 상기 챔버본체의 상측에 설치되는 상부전극과 함께 전원인가에 의하여 플라즈마를 형성하는 하부전극이며, 상기 하부전극에 전원을 인가하도록 상기 하부전극과 연결되는 전극전원연결선이 상기 실링부에 설치되거나, 상기 내부장치는 상기 기판지지대의 온도를 조절하도록 냉매가 흐를 수 있는 유로가 형성되며, 상기 유로 내에 흐르는 냉매를 가열하거나 냉각하여 냉매를 순환시키기 위한 냉매제어장치와 유로를 연결하는 유로관이 상기 실링부에 설치될 수 있다.The internal device is an electrostatic chuck that sucks and fixes the substrate by electrostatic force, and a DC connection line connected to the electrostatic chuck is provided in the sealing unit to supply power to the electrostatic chuck, or the internal device is configured to control the temperature of the substrate. A plurality of injection holes for injecting heat transfer gas is formed on the surface of the substrate support, and a heat transfer gas supply pipe connected to the injection holes to supply heat transfer gas to the injection holes is installed in the sealing unit, or The apparatus is a lower electrode which forms a plasma by applying power together with an upper electrode installed above the chamber body, and an electrode power connection line connected to the lower electrode is applied to the sealing part to apply power to the lower electrode. The internal device may include a coolant through which refrigerant may flow to control the temperature of the substrate support. Is formed and, a flow pipe for heating or cooling the coolant flowing in the flow path connecting the refrigerant control apparatus and the flow path for circulating the refrigerant may be provided in the sealing part.

상기 고정지지부는 상기 기판지지대의 가장자리부분에 대칭을 이루어 설치되며, 상기 실링부는 상기 기판지지대의 중앙부분에 설치될 수 있다.The fixed support may be symmetrically installed at the edge of the substrate support, and the sealing portion may be installed at the center of the substrate support.

이하, 본 발명에 따른 진공처리장치에 관하여 첨부된 도면을 참조하여 설명하면 다음과 같다.Hereinafter, the vacuum processing apparatus according to the present invention will be described with reference to the accompanying drawings.

본 발명에 따른 진공처리장치(100)는 도 1 내지 도 3에 도시된 바와 같이, 진공처리를 수행하기 위한 처리공간(S)을 형성하도록 서로 분리가능하게 결합되는 상부하우징(110) 및 하부하우징(120)을 포함한 챔버본체(101)를 포함하여 구성된다. 여기서 본 발명에 따른 진공처리장치(100)는 기판(160)의 식각 또는 증착을 위한 진공처리장치로 만으로 구성되거나, 로드락 챔버(미도시)로부터 반송된 기판(160)을 처리공간(S) 내외로 기판(160)을 입출하는 반송챔버(미도시) 등이 결합되어 구성될 수 있다.1 to 3, the vacuum processing apparatus 100 according to the present invention, the upper housing 110 and the lower housing are detachably coupled to each other to form a processing space (S) for performing a vacuum treatment It is configured to include a chamber body 101 including a (120). Here, the vacuum processing apparatus 100 according to the present invention is composed of only a vacuum processing apparatus for etching or deposition of the substrate 160, or the substrate 160 conveyed from the load lock chamber (not shown) processing space (S) A conveying chamber (not shown), etc., for entering and exiting the substrate 160 may be combined.

상기 진공처리장치(100)는 반송챔버로부터 기판(160)을 반송 받아 기판(160)의 지지를 위한 기판지지대(200)에 위치시킨 후에 플라즈마 반응을 위한 처리가스와 함께 감압 된 상태(진공분위기)에서 직류(DC)전원 또는 RF전원을 인가하여 플라즈마 반응을 형성하여 기판(160)을 식각, 증착 등 진공처리를 수행하게 된다.The vacuum processing apparatus 100 receives the substrate 160 from the conveying chamber and places the substrate 160 on the substrate support 200 for supporting the substrate 160 and is then decompressed with the processing gas for the plasma reaction (vacuum atmosphere). The plasma reaction is performed by applying a direct current (DC) power source or an RF power source to perform vacuum treatment such as etching and depositing the substrate 160.

상기 상부하우징(110)에는 처리공간(S) 내에 진공처리를 위한 처리가스 등이 주입되는 가스주입관(111)이 연결 설치되며, 하부전극(220)과 함께 처리공간(S) 내에 플라즈마가 형성되도록 전원이 인가되는 상부전극(112)이 설치된다.The upper housing 110 is connected to a gas injection pipe 111 into which a processing gas for vacuum treatment is injected into the processing space S, and a plasma is formed in the processing space S together with the lower electrode 220. The upper electrode 112 to which power is applied is installed.

상기 상부전극(112)은 외부전원과 전원연결선에 의하여 전기적으로 연결되거나, 상부하우징(110)의 내벽과 전기적으로 연결되어 접지될 수 있다.The upper electrode 112 may be electrically connected by an external power source and a power connection line, or may be electrically connected to an inner wall of the upper housing 110 and grounded.

그리고 상기 상부전극(112)은 가스주입관(111)을 통하여 주입되는 가스들이 처리공간(S) 내로 유입될 수 있도록 다수개의 유입공(112a)들이 형성되는 샤워헤드를 구성할 수 있다.The upper electrode 112 may constitute a shower head in which a plurality of inflow holes 112a are formed so that gases injected through the gas injection pipe 111 may be introduced into the processing space S. FIG.

상기 하부하우징(120)은 상부하우징(110)과 실링부재(130)로 밀폐 결합되어 처리공간(S)을 형성하며 기판(160)을 지지하는 기판지지대(200)가 설치된다. 그리고 기판지지대(200)에 설치된 여러가지 내부장치와 챔버본체(101) 외측에 설치된 외부장치를 연결하도록 그 저면에 하나 이상의 인입구(122)가 형성된다. 상기 내부장치는 진공처리를 수행하기 위하여 챔버본체(101) 내부에 설치되는 장치로서, 리프트핀(260), 하부전극(220) 냉각판(230), 정전척(240), 분사공(251) 등이 있으며, 상기 외부장치는 챔버본체(101)의 외측에 설치되어 내부장치와 연결되는 장치들로서, 리프트핀(260)을 구동하기 위한 구동장치(360), 전극전원연결선(221), 유로관(232), 직류연결선(241), 열전달가스공급관(253) 등이 있다.The lower housing 120 is hermetically coupled to the upper housing 110 and the sealing member 130 to form a processing space S, and a substrate support 200 for supporting the substrate 160 is installed. At least one inlet 122 is formed at a bottom thereof to connect various internal devices installed on the substrate support 200 and external devices installed outside the chamber body 101. The internal device is a device installed inside the chamber body 101 to perform a vacuum treatment, the lift pin 260, the lower electrode 220, the cooling plate 230, the electrostatic chuck 240, the injection hole 251 The external device is installed outside the chamber body 101 and connected to the internal device. The external device includes a driving device 360 for driving the lift pin 260, an electrode power connection line 221, and a flow pipe. 232, a DC connection line 241, a heat transfer gas supply pipe 253, and the like.

또한 상기 하부하우징(120)에는 처리공간(S) 내의 압력이 소정의 진공분위기로 유지되도록 진공펌프(미도시)와 연결된 배기관(121)이 연결 설치되며, 일측에는 진공처리를 위한 기판이 입출될 수 있는 개구부(123)가 형성된다.In addition, the lower housing 120 is connected to the exhaust pipe 121 is connected to the vacuum pump (not shown) so that the pressure in the processing space (S) is maintained at a predetermined vacuum atmosphere, the substrate for vacuum processing is introduced into one side The opening 123 can be formed.

한편 상기 상부하우징(110) 및 하부하우징(120)은 내측에 공간이 형성되는 그릇 구조를 가질 수 있으나, 상부하우징(110)은 판상의 부재, 즉 뚜껑으로 구성될 수도 있다. Meanwhile, the upper housing 110 and the lower housing 120 may have a bowl structure in which a space is formed inside, but the upper housing 110 may be configured as a plate member, that is, a lid.

상기 기판지지대(200)는, 수행되는 반도체공정에 따라서 다양하게 구성될 수 있으며, 하부하우징(120)의 저면에 복수개의 고정지지부(310)들에 의하여 지지되어 설치되는 절연부재(210)와, 상부전극(112)과 함께 플라즈마 반응을 일으키도록 절연부재(210) 위에 설치된 하부전극(220)과, 하부전극(220) 위에 설치되는 냉각판(230)과, 냉각판(230) 위에 설치되어 기판(160)을 흡착 고정하는 정전척(240)을 포함하여 구성될 수 있다.The substrate support 200 may be configured in various ways according to the semiconductor process to be performed, the insulating member 210 is supported and installed by a plurality of fixed support 310 on the bottom of the lower housing 120, A lower electrode 220 installed on the insulating member 210, a cooling plate 230 provided on the lower electrode 220, and a cooling plate 230 installed on the lower electrode 220 to cause a plasma reaction together with the upper electrode 112. It may be configured to include an electrostatic chuck 240 for adsorptive fixing 160.

상기 절연부재(210)는 하부전극(220)과 하부하우징(120)의 내벽과 전기적으로 절연하기 위한 부재로서 석영 또는 세라믹 등으로 이루어진다.The insulating member 210 is a member for electrically insulating the lower electrode 220 and the inner wall of the lower housing 120 and is made of quartz or ceramic.

상기 하부전극(220)은 알루미늄과 같은 도전성 부재로 이루어지며, 절연부재(210) 상에 설치되어 접지되거나, RF 전원이 인가되도록 전극전원연결선(221)에 의하여 외부전원(320)과 연결될 수 있다.The lower electrode 220 may be made of a conductive member such as aluminum, and may be installed on the insulating member 210 and grounded, or may be connected to the external power source 320 by the electrode power connection line 221 so that RF power is applied. .

상기 하부전극(220) 상에 설치되는 냉각판(230)은 플라즈마반응에 의하여 기판지지대(200) 전체의 온도가 상승하는 것을 방지하면서, 기판(160)과 면접촉을 이루는 정전척(240)의 온도를 조절함으로써 기판지지대(200)의 온도분포를 조절하여 양호한 진공처리가 이루어지도록 한다.The cooling plate 230 installed on the lower electrode 220 prevents the temperature of the entire substrate support 200 from rising by the plasma reaction, while making the surface contact with the substrate 160. By controlling the temperature, the temperature distribution of the substrate support 200 is adjusted to allow good vacuum treatment.

상기 냉각판(230)은 냉매가 흐를 수 있는 유로(231)가 형성되며, 유로(231)는 냉각판(230) 내에 흐르는 냉매를 가열하거나 냉각하여 냉매를 순환시키기 위한 냉매제어장치(330)와 유로관(232)에 의하여 연결된다.The cooling plate 230 is formed with a flow path 231 through which the refrigerant flows, and the flow path 231 is a refrigerant control device 330 for circulating the refrigerant by heating or cooling the refrigerant flowing in the cooling plate 230. It is connected by a flow pipe (232).

상기 정전척(240)은 기판(160)에 대한 진공처리가 수행될 수 있도록 정전기력에 의하여 기판(160)을 흡착고정하는 장치로서, 외부에 설치된 DC 전원(340)과 직류연결선(241)에 의하여 연결되어 정전기력을 발생시키는 전극부(242)가 설치된다.The electrostatic chuck 240 is a device for adsorbing and fixing the substrate 160 by electrostatic force so that vacuum processing on the substrate 160 can be performed. The electrode unit 242 is connected to generate an electrostatic force.

한편 기판지지대(200)의 표면을 이루는 정전척(240)의 상측면에는 기판(160)의 온도제어를 위하여 He 가스 등과 같은 열전달가스를 기판(160)으로 분사시키는 다수개의 분사공(251)들이 형성될 수 있다. 상기 분사공(251)은 정전척(240)의 적어도 일부를 관통하여 형성되어 열전달가스유로(252)와 연결된다.On the other hand, the upper surface of the electrostatic chuck 240 forming the surface of the substrate support 200 is a plurality of injection holes 251 for injecting a heat transfer gas, such as He gas to the substrate 160 for temperature control of the substrate 160 Can be formed. The injection hole 251 is formed through at least a portion of the electrostatic chuck 240 is connected to the heat transfer gas passage 252.

그리고 상기 열전달가스유로(252)는 챔버본체(101)의 외측에 설치된 열전달가스공급장치(350)와 열전달가스공급관(253)으로 연결된다.The heat transfer gas passage 252 is connected to a heat transfer gas supply device 350 and a heat transfer gas supply pipe 253 installed outside the chamber body 101.

상기 절연부재(210)를 지지하는 고정지지부(310)는 일단이 하부하우징(120)의 내벽에 고정설치되고 타단이 절연부재(210)의 저면과 결합되어 절연부재(210)를 지지함으로써 기판지지대(200)를 지지하게 된다.The fixed support part 310 supporting the insulating member 210 has one end fixedly installed on the inner wall of the lower housing 120, and the other end thereof is coupled to the bottom surface of the insulating member 210 to support the insulating member 210. Support 200.

상기 고정지지부(310)는 도시된 바와 같이, 하부하우징(120)의 내벽 및 절연부재(210)의 저면에 고정결합되는 한 쌍의 플렌지부(311)와, 한 쌍의 플렌지부(311)를 연결하는 플렌지연결부(312)를 포함하여 구성된다.As shown in the drawing, the fixed support part 310 includes a pair of flange parts 311 and a pair of flange parts 311 fixedly coupled to an inner wall of the lower housing 120 and a bottom surface of the insulating member 210. It comprises a flange connection portion 312 for connecting.

한편 상기 고정지지부(310)는 상부하우징(110) 및 하부하우징(120)이 형성하는 챔버본체(101)의 처리공간(S)과는 격리된 상태에서 외부와 소통되는 내부공간이 형성되고, 내부공간에 기판지지대(200)에 설치되어 기판(160)을 상측으로 들어올리기 위한 리프트핀(260)을 구동하기 위한 구동장치(360), 전극전원연결선(221), 유로관(232), 직류연결선(241), 열전달가스공급관(253) 등 외부에 설치된 외부장치와 내부장치를 연결하는 연결장치들이 설치될 수 있다.On the other hand, the fixed support portion 310 is formed in the internal space to communicate with the outside in a state separated from the processing space (S) of the chamber body 101 formed by the upper housing 110 and the lower housing 120, Installed in the substrate support 200 in the space driving device 360 for driving the lift pin 260 for lifting the substrate 160 upward, electrode power connection line 221, flow path tube 232, DC connection line 241, the heat transfer gas supply pipe 253, and the like may be installed to connect the external device and the external device installed inside.

그런데 진공처리를 수행하기 위하여 처리공간(S)은 대기압보다 작은 압력, 즉 소정의 진공압으로 유지될 필요가 있으며, 상기와 같이 처리공간(S) 내에 형성되는 진공압으로 인하여 챔버본체(101)를 형성하는 상부하우징(110) 및 하부하우징(120)에는 대기압과 진공압의 차이로 인한 하중이 작용하게 되어, 도 3에 도시된 바와 같이, 상부하우징(110) 및 하부하우징(120)의 벽체가 변형될 수 있다.However, in order to perform the vacuum treatment, the processing space S needs to be maintained at a pressure smaller than atmospheric pressure, that is, a predetermined vacuum pressure, and the chamber main body 101 due to the vacuum pressure formed in the processing space S as described above. The upper housing 110 and the lower housing 120 to form a load due to the difference between the atmospheric pressure and the vacuum pressure acts, as shown in Figure 3, the wall of the upper housing 110 and the lower housing 120 Can be modified.

따라서 상기 고정지지부(310)는 기판지지대(200)의 가장자리부분에 대칭을 이루어 설치되며, 전극전원연결선(221), 유로관(232), 직류연결선(241), 열전달가스공급관(253) 등 외부에 설치된 외부장치와 기판지지대(200) 내에 설치된 내부장치를 연결하는 연결장치들 중 일부는 실링부(370)에 설치된다. 여기서 상기 실링부(370)는 챔버본체(101)의 외벽의 변형이 큰 부분, 즉 중앙부근에 설치될 수 있으나, 물론 가장자리 부분에도 설치될 수 있다.Therefore, the fixed support part 310 is installed symmetrically on the edge of the substrate support 200, the external electrode power supply line 221, the flow pipe 232, the DC connection line 241, the heat transfer gas supply pipe 253, etc. Some of the connection devices for connecting the external device installed in the and the internal device installed in the substrate support 200 is installed in the sealing unit 370. In this case, the sealing part 370 may be installed at a portion where the deformation of the outer wall of the chamber body 101 is large, that is, near the center, but may also be installed at the edge portion.

상기 실링부(370)는 외부장치와 기판지지대(200) 내에 설치된 내부장치를 연결하기 위하여 챔버본체(101)에 형성된 인입구(122)와 처리공간(S)을 격리시키고 챔버본체(101)의 변형이 기판지지대(200)에 전달되는 것을 방지하도록 챔버본체(101)의 내벽과 기판지지대(200), 즉 절연부재(210)를 연결하여 설치된다.The sealing part 370 isolates the inlet 122 formed in the chamber body 101 and the processing space S to connect the external device and the internal device installed in the substrate support 200, and deforms the chamber body 101. The inner wall of the chamber body 101 and the substrate support 200, that is, the insulating member 210 are connected to each other so as to prevent the substrate support 200 from being transferred to the substrate support 200.

상기 실링부(370)는 챔버본체(101) 내벽의 변형을 흡수할 수 있도록 벨로우즈와 같은 신축성 있는 부재로 구성되며, 실링부재(371a)가 개재되어 기판지지대(200)의 저면에 결합되는 상부플렌지부(371)와; 실링부재(372a)가 개재되어 인입구(122)를 둘러싸도록 챔버본체(101), 즉 하부하우징(120)의 저면에 설치된 하부플렌지부(372)와, 상부플렌지부(371)와 하부플렌지부(372)를 용접 등에 의하여 연결되도록 설치되어 상부플렌지부(371)와 하부플렌지부(372) 간의 간격에 따라서 그 길이방향으로 변형이 가능한 신축부(373)를 포함하여 구성될 수 있다. 여기서 상기 신축부(373)는 벨로우즈 등과 같이 신축가능한 유공관으로 구성된다. 상기 상부플렌지부(371) 및 하부플렌지부(372)는 볼트 등에 의하여 기판지지대(200)의 저면 및 챔버본체(101)의 저면에 체결된다.The sealing part 370 is composed of a flexible member such as a bellows to absorb deformation of the inner wall of the chamber body 101, the sealing member 371a is interposed between the upper planar to the bottom of the substrate support 200 Branch 371; A lower flange portion 372, an upper flange portion 371 and a lower flange portion (3) installed on the bottom of the chamber body 101, that is, the lower housing 120 so that the sealing member 372a is interposed to surround the inlet 122. 372 may be installed to be connected by welding or the like, and may include an elastic part 373 that is deformable in the longitudinal direction according to a gap between the upper flange part 371 and the lower flange part 372. Here, the expansion and contraction portion 373 is composed of a flexible perforated tube such as a bellows. The upper flange portion 371 and the lower flange portion 372 are fastened to the bottom surface of the substrate support 200 and the bottom surface of the chamber body 101 by bolts or the like.

한편 상기 실링부(370)가 형성하는 내부공간에는 챔버본체(101)의 외측에 설 치된 외부장치와 내측에 설치된 내부장치를 연결하는 연결장치가 설치된다.On the other hand, the inner space formed by the sealing unit 370 is provided with a connecting device for connecting the external device installed on the outside of the chamber body 101 and the internal device installed on the inside.

특히 상기 실링부(370)가 형성하는 내부공간에 설치되는 연결장치로는, 하부하우징(120)의 내벽과 기판지지대(200) 간의 거리에 영향을 받지 않으면서 기판지지대(200)의 중앙부분에 설치되는 것이 바람직한 연결장치들로서, 도 1에 도시된 바와 같이, 전극전원연결선(221), 유로관(232), 직류연결선(241), 열전달가스공급관(253) 등이 설치될 수 있다.In particular, as a connecting device installed in the inner space formed by the sealing unit 370, the center portion of the substrate support 200 without being affected by the distance between the inner wall of the lower housing 120 and the substrate support 200. As the connection devices which are preferably installed, as shown in FIG. 1, an electrode power connection line 221, a flow path tube 232, a DC connection line 241, a heat transfer gas supply pipe 253, and the like may be installed.

한편 상기와 같은 구조를 가지는 본 발명에 따른 진공처리장치의 작용에 관하여 상세히 설명하면 다음과 같다.Meanwhile, the operation of the vacuum processing apparatus according to the present invention having the structure as described above will be described in detail.

본 발명에 따른 진공처리장치가 진공처리를 수행할 때에는 배기관(121)을 통하여 처리공간(S) 내의 가스를 배출함으로써 소정의 진공압을 유지하게 된다.When the vacuum processing apparatus according to the present invention performs the vacuum treatment, a predetermined vacuum pressure is maintained by discharging the gas in the processing space S through the exhaust pipe 121.

한편 처리공간(S) 내의 압력이 진공압으로 유지되는 경우 외측의 대기압과 진공압의 압력차에 의하여 챔버본체(101)의 외벽에는 대기압과 진공압의 압력차에 대응하는 하중이 작용하게 되고, 도 3에 도시된 바와 같이, 미세하게 변형된다.　 특히 진공처리가 수행될 기판(160) 중 LCD 패널용 유리의 경우 대형화 추세에 따라서, 그 기판을 처리할 처리공간(S) 또한 커짐에 따라서 상대적으로 챔버본체(101)의 외벽에 가해지는 하중이 커질 뿐만아니라 미세한 변형이 기판지지대에 미치는 영향이 무시할 수 없게 된다.On the other hand, when the pressure in the processing space (S) is maintained at a vacuum pressure, a load corresponding to the pressure difference between the atmospheric pressure and the vacuum pressure acts on the outer wall of the chamber body 101 by the pressure difference between the atmospheric pressure and the vacuum pressure on the outside, As shown in Figure 3, it is finely modified. In particular, in the case of the glass for LCD panels among the substrates 160 to be subjected to vacuum treatment, the load applied to the outer wall of the chamber body 101 is relatively increased as the processing space S to process the substrate also increases. In addition to the increase, the influence of the micro deformation on the substrate support is not negligible.

그런데 본 발명에 따른 진공처리장치는 기판지지대(200)를 지지하는 고정지지부(310)를 가장자리 부분에 대칭으로 배치하고, 연결장치가 설치되는 실링부(370)를 길이방향으로 변형이 가능한 신축성 부재를 사용함으로써, 실링부(370) 가 챔버본체(101)의 외벽의 변형이 기판지지대(200)로 전달되는 것을 방지하게 된다.By the way, in the vacuum processing apparatus according to the present invention, the fixed support part 310 supporting the substrate support 200 is disposed symmetrically at the edge portion, and the elastic member which can deform the sealing part 370 in which the connecting device is installed in the longitudinal direction. By using the, the sealing portion 370 is to prevent the deformation of the outer wall of the chamber body 101 is transmitted to the substrate support 200.

물론 상기 실링부(370)가 형성하는 내부공간에는 길이방향의 변형이 바람직하지 않은 리프트핀 구동장치 등은 신축성이 없는 고정지지부(310)에 설치될 수 있다.Of course, the lift pin driving device, which is not preferable in the longitudinal direction, may be installed in the fixed support 310 without elasticity in the inner space formed by the sealing part 370.

본 발명에 따른 진공처리장치는 챔버본체의 변형이 기판을 지지하는 기판지지대로 영향을 주는 것을 방지하여 양호한 진공처리를 수행할 수 있도록 할 수 있는 이점이 있다.The vacuum processing apparatus according to the present invention has an advantage of being able to perform a good vacuum treatment by preventing the deformation of the chamber body from affecting the substrate support for supporting the substrate.

또한 본 발명에 따른 진공처리장치는 챔버본체의 변형이 기판을 지지하는 기판지지대로 영향을 주는 것을 방지하여 챔버본체의 두께를 최소화할 수 있게 되어 그 제조비용을 절감할 수 이점이 있다.In addition, the vacuum processing apparatus according to the present invention is to prevent the deformation of the chamber body to affect the substrate support for supporting the substrate to minimize the thickness of the chamber body has the advantage that the manufacturing cost can be reduced.

이상에서는 본 발명의 바람직한 실시예를 예시적으로 설명하였으나, 본 발명의 범위는 이와 같은 특정 실시예에만 한정되는 것은 아니며, 특허청구범위에 기재된 범주 내에서 적절하게 변경 가능한 것이다.While the present invention has been particularly shown and described with reference to exemplary embodiments thereof, it is to be understood that the invention is not limited to the disclosed embodiments, but, on the contrary, is intended to cover various modifications and equivalent arrangements included within the spirit and scope of the invention.

Claims (8)

진공처리를 수행할 수 있도록 밀폐된 처리공간을 가지며 그 저면에 외부와 소통될 수 있도록 하나 이상의 인입구가 관통되어 형성된 챔버본체와;A chamber body having a processing space sealed to perform vacuum processing and having one or more inlets formed therethrough so as to communicate with the outside on a bottom thereof; 상기 챔버본체 내에 설치되어 진공처리가 수행될 기판을 지지하는 기판지지대와;A substrate support installed in the chamber body to support a substrate on which vacuum processing is to be performed; 상기 챔버본체의 저면에 설치되어 상기 기판지지대를 고정 지지하는 복수개의 고정지지부와;A plurality of fixed support parts installed on a bottom surface of the chamber body to fix and support the substrate support; 상기 챔버본체의 외측에 설치된 외부장치와 상기 기판지지대 내에 설치된 내부장치를 연결하기 위하여 상기 챔버본체의 저면에 형성된 상기 인입구와 상기 처리공간을 격리시키고 상기 챔버본체의 변형이 상기 기판지지대에 전달되는 것을 방지하도록 상기 챔버본체의 저면과 상기 기판지지대의 저면을 연결하는 실링부를 포함하며,Insulating the inlet and the processing space formed on the bottom surface of the chamber body to connect the external device installed on the outside of the chamber body and the internal device installed in the substrate support, and the deformation of the chamber body is transmitted to the substrate support It includes a sealing portion for connecting the bottom surface of the chamber body and the bottom of the substrate support to prevent, 상기 실링부는 실링부재가 개재되어 상기 기판지지대의 저면에 결합되는 상부플렌지부와; 실링부재가 개재되어 상기 챔버본체의 저면에 설치된 하부플렌지부와; 상기 상부플렌지부와 상기 하부플렌지부를 연결하도록 설치되어 상기 상부플렌지부와 상기 하부플렌지부 간의 간격에 따라서 그 길이방향으로 변형이 가능한 신축부를 포함하는 것을 특징으로 하는 진공처리장치.The sealing portion has an upper flange portion coupled to the bottom surface of the substrate support with a sealing member interposed therebetween; A lower flange portion disposed on a bottom surface of the chamber body through a sealing member; And an expansion and contraction part installed to connect the upper flange part and the lower flange part to be deformable in the longitudinal direction according to a distance between the upper flange part and the lower flange part. 삭제delete 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 신축부는 벨로우즈인 것을 특징으로 하는 진공처리장치.The expansion unit is a vacuum processing apparatus, characterized in that the bellows. 제 1 항에 있어서.The method of claim 1. 상기 내부장치는 정전기력으로 상기 기판을 흡착고정시키는 정전척이며, 상기 정전척에 전원을 공급하도록 상기 정전척과 연결되는 직류연결선이 상기 실링부에 설치된 것을 특징으로 하는 진공처리장치.The internal device is an electrostatic chuck for adsorbing and fixing the substrate by electrostatic force, and a vacuum processing apparatus, characterized in that a DC connection line connected to the electrostatic chuck is provided in the sealing unit to supply power to the electrostatic chuck. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 내부장치는 상기 기판의 온도를 제어하기 위하여 상기 기판지지대의 표면에 열전달가스를 분사시키는 다수개의 분사공들이 형성되며, 상기 분사공들에 열전달가스를 공급하도록 상기 분사공들과 연결되는 열전달가스공급관이 상기 실링부에 설치된 것을 특징으로 하는 진공처리장치.The internal device has a plurality of injection holes for injecting heat transfer gas to the surface of the substrate support to control the temperature of the substrate, the heat transfer gas is connected to the injection holes to supply heat transfer gas to the injection holes Vacuum processing apparatus, characterized in that the supply pipe is installed in the sealing portion. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 내부장치는 상기 챔버본체의 상측에 설치되는 상부전극과 함께 전원인가에 의하여 플라즈마를 형성하는 하부전극이며, 상기 하부전극에 전원을 인가하도록 상기 하부전극과 연결되는 전극전원연결선이 상기 실링부에 설치된 것을 특징으로 하는 진공처리장치.The internal device is a lower electrode which forms a plasma by applying power together with an upper electrode installed on an upper side of the chamber body, and an electrode power connection line connected to the lower electrode to apply power to the lower electrode has a sealing portion. Vacuum processing apparatus, characterized in that installed. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 내부장치는 상기 기판지지대의 온도를 조절하도록 냉매가 흐를 수 있는 유로가 형성되며, 상기 유로 내에 흐르는 냉매를 가열하거나 냉각하여 냉매를 순환시키기 위한 냉매제어장치와 유로를 연결하는 유로관이 상기 실링부에 설치된 것을 특징으로 하는 진공처리장치.The internal device is formed with a flow path through which the refrigerant flows to adjust the temperature of the substrate support, and the flow path tube connecting the flow path and the refrigerant control device for circulating the refrigerant by heating or cooling the refrigerant flowing in the flow path is the sealing Vacuum processing apparatus, characterized in that installed in the section. 제 1 항, 제 3 항 내지 제 7 항 중 어느 하나의 항에 있어서,The method according to any one of claims 1 to 3, wherein 상기 고정지지부는 상기 기판지지대의 가장자리부분에 대칭을 이루어 설치되며, 상기 실링부는 상기 기판지지대의 중앙부분에 설치된 것을 특징으로 하는 진공처리장치.The fixed support portion is formed symmetrically on the edge portion of the substrate support, the sealing unit is a vacuum processing apparatus, characterized in that installed in the center portion of the substrate support.
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KR101881816B1 (en) * 2012-08-23 2018-07-25 주식회사 탑 엔지니어링 Vacuum Processing Device
KR102070867B1 (en) * 2015-11-25 2020-01-29 주식회사 원익아이피에스 Substrate processing apparatus

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100247532B1 (en) 1993-02-16 2000-05-01 히가시 데쓰로 Plasma treatment apparatus
KR20030083729A (en) * 2001-03-13 2003-10-30 동경 엘렉트론 주식회사 Plasma treatment device
KR20040048540A (en) * 2002-12-03 2004-06-10 삼성전자주식회사 Apparatus for processing a substrate
KR100667675B1 (en) 2004-10-08 2007-01-12 세메스 주식회사 Atmospheric pressure plasma apparatus used in etching of an substrate

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100247532B1 (en) 1993-02-16 2000-05-01 히가시 데쓰로 Plasma treatment apparatus
KR20030083729A (en) * 2001-03-13 2003-10-30 동경 엘렉트론 주식회사 Plasma treatment device
KR20040048540A (en) * 2002-12-03 2004-06-10 삼성전자주식회사 Apparatus for processing a substrate
KR100667675B1 (en) 2004-10-08 2007-01-12 세메스 주식회사 Atmospheric pressure plasma apparatus used in etching of an substrate

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