KR102066961B1 - 체적 음향 공진기 - Google Patents

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Abstract

기판의 상부에 배치되는 제1 전극과, 상기 제1 전극의 적어도 일부분의 상부에 배치되는 압전체층 및 상기 압전체층의 적어도 일부분의 상부에 배치되는 제2 전극을 포함하며, 상기 제1,2 전극 중 적어도 하나는 적어도 일부분이 상기 압전체층으로부터 이격 배치되며, 상기 제1,2 전극 중 적어도 하나와 상기 압전체층은 제1 갭을 형성하는 제1 영역과 상기 제1 갭과 다른 이격 거리를 가지는 제2 영역을 형성하며, 상기 제1 영역은 활성 영역에 배치되고 상기 제2 영역은 활성 영역의 외측에 배치되는 체적 음향 공진기가 개시된다.

Description

체적 음향 공진기{Bulk-acoustic wave resonator}
본 발명은 체적 음향 공진기에 관한 것이다.
BAW(Bulk Acoustic Wave) 필터는 스마트폰 및 테블릿(Tablet) 등의 송수신 단말기의 입출력 신호 처리 부분을 집적화한 모듈(Front End Module)에서 RF 신호 중 원하는 주파수 대역은 통과시키고, 원치 않는 주파수 대역은 차단하는 핵심 소자이며, 모바일(Mobile) 시장이 커지며 그 수요가 증가하고 있는 상황이다.
또한, 향후 5G 대역(5GHz or 28GHz)을 대응하기 위해서는 주파수가 높아져야 하는데, 이러한 경우 주파수가 높아지면 전체 두께가 얇아져야 하기에, 전극이 매우 얇은 두께를 사용해야 한다. 이와 같이, 실제적인 5G 대역에서는 전극이 얇아지며 저항이 커져서 이로 인한 공진점에서의 Q 성능이 저하되는 문제가 있다.
이러한 문제를 해결하기 위해서 기존에 압전체의 상부 또는 하부에 공기층(Air Gap)을 갖게 하고, 그 공기층은 캐패시터(Capacitor)로 작동하게 한 에어 갭(Air Gap)을 가지는 공진기 구조가 제안되었지만, 이러한 구조에서는 압전체의 공진 구동시 발생하는 수평파 손실(Lateral Wave Leakage)을 없애기 위해 공진기 외곽에 별도의 구조(Frame, Air Wing, Air Bridge 등)를 사용해야 하므로, 이로 인해 공정이 복잡해 지고, 공진기 외각에 추가된 구조물로 인해 반사 효율이 저하되어 반공진점에서 Q 성능이 저하되는 문제가 있다.
일본 공개특허공보 제2013-138425호
수평파(Lateral Wave)를 반사시켜 반공진점에서 높은 Q 성능을 구현할 수 있는 체적 음향 공진기가 제공된다.
본 발명의 일 실시예에 따른 체적 음향 공진기는 기판의 상부에 배치되는 제1 전극과, 상기 제1 전극의 적어도 일부분의 상부에 배치되는 압전체층 및 상기 압전체층의 적어도 일부분의 상부에 배치되는 제2 전극을 포함하며, 상기 제1,2 전극 중 적어도 하나는 적어도 일부분이 상기 압전체층으로부터 이격 배치되며, 상기 제1,2 전극 중 적어도 하나와 상기 압전체층은 제1 갭을 형성하는 제1 영역과 상기 제1 갭과 다른 이격 거리를 가지는 제2 영역을 형성하며, 상기 제1 영역은 활성 영역에 배치되고 상기 제2 영역은 활성 영역의 외측에 배치된다.
수평파(Lateral Wave)를 반사시켜 반공진점에서 높은 Q 성능을 구현할 수 있는 효과가 있다.
도 1은 본 발명의 제1 실시예에 따른 체적 음향 공진기를 나타내는 개략 평면도이다.
도 2는 본 발명의 제1 실시예에 따른 체적 음향 공진기를 나타내는 개략 단면도이다.
도 3은 도 2의 A부를 나타내는 확대도이다.
도 4는 본 발명의 제2 실시예에 따른 체적 음향 공진기를 설명하기 위한 설명도이다.
도 5는 본 발명의 제3 실시예에 따른 체적 음향 공진기를 설명하기 위한 설명도이다.
도 6은 종래기술에 따른 공진기의 Qp 성능을 나타내는 그래프이다.
도 7은 본 발명의 제3 실시예에 따른 체적 음향 공진기의 Qp 성능을 나타내는 그래프이다.
도 8은 본 발명의 제4 실시예에 따른 체적 음향 공진기를 설명하기 위한 설명도이다.
도 9는 본 발명의 제5 실시예에 따른 체적 음향 공진기를 설명하기 위한 설명도이다.
도 10은 본 발명의 제6 실시예에 따른 체적 음향 공진기를 설명하기 위한 설명도이다.
도 11은 본 발명의 제7 실시예에 따른 체적 음향 공진기를 설명하기 위한 설명도이다.
도 12는 본 발명의 제8 실시예에 따른 체적 음향 공진기를 설명하기 위한 설명도이다.
도 13은 본 발명의 제9 실시예에 따른 체적 음향 공진기를 설명하기 위한 설명도이다.
도 14는 본 발명의 제10 실시예에 따른 체적 음향 공진기를 설명하기 위한 설명도이다.
도 15는 본 발명의 제11 실시예에 따른 체적 음향 공진기를 설명하기 위한 설명도이다.
도 16은 본 발명의 제12 실시예에 따른 체적 음향 공진기를 설명하기 위한 설명도이다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시 형태들을 설명한다. 그러나, 본 발명의 실시형태는 여러 가지 다른 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 이하 설명하는 실시 형태로 한정되는 것은 아니다. 또한, 본 발명의 실시형태는 당해 기술분야에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 더욱 완전하게 설명하기 위해서 제공되는 것이다. 도면에서 요소들의 형상 및 크기 등은 보다 명확한 설명을 위해 과장될 수 있다.
도 1은 본 발명의 제1 실시예에 따른 체적 음향 공진기를 나타내는 개략 평면도이고, 도 2는 본 발명의 제1 실시예에 따른 체적 음향 공진기를 나타내는 개략 단면도이고, 도 3은 도 2의 A부를 나타내는 확대도이다.
도 1 내지 도 3을 참조하면, 본 발명의 제1 실시예에 따른 체적 음향 공진기(100)는 기판(110), 제1 전극(120), 압전체층(130), 제2 전극(140) 및 스페이서(150)를 포함하여 구성될 수 있다.
기판(110)은 실리콘 기판일 수 있다. 예를 들어, 기판(110)으로는 실리콘 웨이퍼가 이용되거나, SOI(Silicon On Insulator) 타입의 기판이 이용될 수 있다.
기판(110)의 상면에는 절연층(미도시)이 형성될 수 있으며, 상부에 배치되는 구성과 기판(110)을 전기적으로 격리시킬 수 있다. 또한, 절연층은 제조과정에서 후술할 제1 갭(G1)을 형성하는 경우 에칭가스에 의해 기판(110)이 식각되는 것을 방지하는 역할을 수행한다.
이 경우, 절연층은 산화 실리콘(SiO2), 질화 실리콘(Si3N4), 산화 알루미늄(Al2O2), 및 질화 알루미늄(AlN) 중 적어도 하나로 형성될 수 있으며, 화학 기상 증착(Chemical vapor deposition), RF 마그네트론 스퍼터링(RF Magnetron Sputtering), 및 에바포레이션(Evaporation) 중 어느 하나의 공정을 통해 형성될 수 있다.
제1 전극(120)은 기판(110) 상에 배치된다. 일예로서, 제1 전극(120)은 몰리브덴(molybdenum: Mo), 루테늄(ruthenium: Ru), 텅스텐(tungsten: W), 이리듐 (Iridiym: Ir), 플래티늄 (Platinium: Pt), 알루미늄(Al) 등과 같이 전도성 재질, 또는 이 중 어느 하나를 함유하는 합금을 이용하여 형성될 수 있다.
또한, 제1 전극(120)은 RF(Radio Frequency) 신호 등의 전기적 신호를 주입하는 입력 전극 및 출력 전극 중 어느 하나로 이용될 수 있다.
압전체층(130)은 제1 전극(120)의 적어도 일부분의 상부에 배치된다. 한편, 압전체층(130)은 전기적 에너지를 탄성파 형태의 기계적 에너지로 변환하는 압전 효과를 일으키는 구성이다. 일예로서, 압전체층(130)은 질화 알루미늄(AlN), 산화아연(ZnO), 납 지르코늄 티타늄 산화물(PZT; PbZrTiO) 중 하나로 형성될 수 있다. 또한, 압전체층(130)은 희토류 금속(Rare earth metal)을 더 포함할 수 있다. 일 예로, 희토류 금속은 스칸듐(Sc), 에르븀(Er), 이트륨(Y), 및 란탄(La) 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 또한, 일 예로 전이 금속은 티타늄(Ti), 지르코늄(Zr), 하프늄(Hf), 탄탈륨 (Ta), 니오비윰 (Nb) 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 또한, 2가 금속인 마그네슘(Mg)도 포함될 수 있다.
제2 전극(140)은 압전체층(130)의 적어도 일부분의 상부에 배치된다. 제2 전극(140)은 은 RF(Radio Frequency) 신호 등의 전기적 신호를 입출력하는 입력 전극 및 출력 전극 중 어느 하나로 이용될 수 있다. 즉, 제1 전극(120)이 입력 전극으로 이용되는 경우 제2 전극(140)은 출력 전극으로 이용되며, 제1 전극(120)이 출력 전극으로 이용되는 경우 제2 전극(140)은 입력 전극으로 이용될 수 있다.
한편, 제2 전극(140)도 제1 전극(120)과 같이 몰리브덴(molybdenum: Mo), 루테늄(ruthenium: Ru), 텅스텐(tungsten: W), 이리듐 (Iridiym: Ir), 플래티늄 (Platinium: Pt), 알루미늄(Al) 등과 같은 전도성 재질, 또는 이의 합금을 이용하여 형성될 수 있다.
또한, 제2 전극(140)과 압전체층(130)은 일부분에서 상호 이격 배치되어 제1 갭(G1)을 형성한다. 한편, 제1 갭(G1)은 활성 영역(S, Active area)에 배치되는 제1-1 갭(G1-1)과, 활성 영역(S)의 외측에 배치되는 제1-2 갭(G1-2)을 구비할 수 있다. 이를 위해, 제2 전극(140)에는 경사면(142)이 형성된다. 경사면(142)은 활성 영역(S)의 외측에 배치되도록 제2 전극(140)에 구비될 수 있다.
활성 영역(S, Active area)은 도 2에 Active area로 지시된 영역을 말하며, 동일한 주파수를 발생시키는 영역을 의미한다. 한편, 제1-1 갭(G1-1)을 형성하는 영역을 제1 영역이라 하며, 제1-1 갭(G1-1)의 이격 거리와 다른 이격 거리를 가지는 제1-2 갭(G1-2)을 형성하는 영역을 제2 영역이라 한다.
이와 같이, 제1-1 갭(G1-1)을 구비하여 높은 Q 성능을 구현할 수 있다. 즉, 제1-1 갭(G1-1)이 캐패시터(Capacitor)로 작동되어 높은 주파수 대역에서도 높은 Q 성능을 구현할 수 있다.
다시 말해, 제1-1 갭(G1-1)의 간극을 작게 하여 제1-1 갭(G1-1)에 큰 캐패시턴스(Capacitance) 값을 갖게 하면, 고주파 영역에서 신호 손실을 줄일 수 있다. 이에 따라, 압전체층(130)과 제1-1 갭(G1-1)이 만나는 경계면에서 공진 시 발생되는 수직파(Vertical Wave)의 반사 효율을 높일 수 있으므로, 높은 Q 성능을 구현할 수 있는 것이다.
또한, 체적 음향 공진기(100)의 주파수는 압전체층(130)의 두께에만 영향을 받기 때문에 이러한 구조에서 제2 전극(140)의 두께를 증가시킬 수 있으므로, 주파수에 제한받지 않고 제2 전극(140)에 의한 저항을 줄일 수 있다. 이에 따라, 공진점에서 높은 Q 성능을 구현할 수 있는 것이다.
더하여, 제1 갭(G1)이 제1-2 갭(G1-2)을 구비하므로, 공진 구동 시 발생되는 수평파(Lateral Wave)로 인한 에너지 누설(Energy Leakage)를 줄일 수 있다. 이에 따라, 압전체층(130)에 인가되는 전기장(Electric Field) 차이가 유발되는 경계면에서 수평파(Lateral Wave)를 반사시켜 반공진점에서 높은 Q 성능을 구현할 수 있게 된다. 즉, 제1-1 갭(G1-1)의 경계면에서 캐패시턴스(Capacitance) 값이 급격하게 변화되므로 수평파(Lateral Wave)가 반사될 수 있다. 이에 따라 반공진점에서 높은 Q 성능을 구현할 수 있는 것이다.
다시 말해, 제1-1 갭(G1-1)이 형성되는 영역은 제1 캐패시터부를 형성하고, 제1-1 갭(G1-1)의 외측에는 제1 캐패시터부의 캐패시턴스 값과 다른 캐패시턴스 값을 가지는 제2 캐패시터부가 형성된다. 이에 따라 반공진점에서 높은 Q 성능을 구현할 수 있는 것이다.
스페이서(150)는 제2 전극(140)과 압전체층(130) 사이에 배치될 수 있다. 스페이서(150)는 제2 갭(G2)을 감싸도록 배치된다. 한편, 스페이서(150)가 압전체층(140)에 적층된 후 일부분만이 제거되면서 제1-1 갭(G1-1)이 형성될 수 있다. 일예로서, 스페이서(150)는 산화실리콘(SiO2), 질화실리콘(Si3N4), 산화알루미늄(Al2O3), 질화알루미늄(AlN) 등 절연체가 사용될 수 있으며, 몰리브덴(Mo), 루테늄(Ru), 텅스텐(W), 이리듐(Ir), 플래티늄 (Platinium: Pt), 알루미늄(Al)과 같은 전도체가 사용될 수 있다.
상기한 바와 같이, 제1 갭(G1)이 제1-1 갭(G1-1)과 제1-2 갭(G1-2)으로 이루어지므로, 반공진점에서 높은 Q 성능을 구현할 수 있다. 나아가, 제1-1 갭(G1-1)과 제1-2 갭(G1-2)을 구비하는 제1 갭(G1)을 통해 반공진점에서 높은 Q 성능을 구현하도록 체적 음향 공진기(100)를 제작할 수 있으므로, 제작이 용이하고 고주파 영역에서 정밀한 제작이 가능할 수 있다.
한편, 본 실시예에서는 제2 전극(140)에 경사면(142)이 구비되는 경우를 예로 들어 설명하고 있으나, 이에 한정되지 않으며 제2 전극(140)에 경사면이 구비되지 않고 단차부가 형성되어 제1-1 갭(G1-1)과 제1-2 갭(G1-2)을 형성할 수도 있다.
또한, 본 실시예에서는 도 1에 체적 음향 공진기(100)가 대략 사각형의 평면 형상을 가지는 경우를 예로 들어 도시하고 있으나, 이에 한정되지 않는다. 즉, 체적 음향 공진기(100)의 평면 형상은 다각형, 비정형 다각형, 원형, 타원형, 비정형 곡면 형상 등 다양하게 변경 가능할 것이다.
도 4는 본 발명의 제2 실시예에 따른 체적 음향 공진기를 설명하기 위한 설명도이다.
도 4를 참조하면, 제1 전극(220)과 압전체층(230)은 일부분에서 상호 이격 배치되어 제1 갭(G1)을 형성한다.
한편, 제1 갭(G1)은 활성 영역(S)에 배치되는 제1-1 갭(G1-1)과, 활성 영역(S)의 외측에 배치되는 제1-2 갭(G1-2)을 구비할 수 있다. 이를 위해, 제1 전극(220)에는 경사면(222)이 형성된다. 경사면(222)은 활성 영역(S)의 외측에 배치되도록 제1 전극(220)에 구비될 수 있다.
이와 같이, 제1-1 갭(G1-1)을 구비하여 높은 Q 성능을 구현할 수 있다. 즉, 제1-1 갭(G1-1)이 캐패시터(Capacitor)로 작동되어 높은 주파수 대역에서도 높은 Q 성능을 구현할 수 있다.
다시 말해, 제1-1 갭(G1-1)의 간극을 작게 하여 제1-1 갭(G1-1)에 큰 캐패시턴스(Capacitance) 값을 갖게 하면, 고주파 영역에서 신호 손실을 줄일 수 있다. 이에 따라, 압전체층(230)과 제1-1 갭(G1-1)이 만나는 경계면에서 공진 시 발생되는 수직파(Vertical Wave)의 반사 효율을 높일 수 있으므로, 높은 Q 성능을 구현할 수 있는 것이다.
또한, 체적 음향 공진기(200)의 주파수는 압전체층(230)의 두께에만 영향을 받기 때문에 이러한 구조에서 제1 전극(220)의 두께를 증가시킬 수 있으므로, 주파수에 제한받지 않고 제1 전극(220)에 의한 저항을 줄일 수 있다. 이에 따라, 공진점에서 높은 Q 성능을 구현할 수 있는 것이다.
더하여, 제1 갭(G1)이 제1-2 갭(G1-2)을 구비하므로, 공진 구동 시 발생되는 수평파(Lateral Wave)로 인한 에너지 누설(Energy Leakage)를 줄일 수 있다. 이에 따라, 압전체층(230)에 인가되는 전기장(Electric Field) 차이가 유발되는 경계면에서 수평파(Lateral Wave)를 반사시켜 반공진점에서 높은 Q 성능을 구현할 수 있게 된다. 즉, 제1-1 갭(G1-1)의 경계면에서 캐패시턴스(Capacitance) 값이 급격하게 변화되므로 수평파(Lateral Wave)가 반사될 수 있다. 이에 따라 반공진점에서 높은 Q 성능을 구현할 수 있는 것이다.
다시 말해, 제1-1 갭(G1-1)이 형성되는 영역은 제1 캐패시터부를 형성하고, 제1-1 갭(G1-1)의 외측에는 제1 캐패시터부의 캐패시턴스 값과 다른 캐패시턴스 값을 가지는 제2 캐패시터부가 형성된다. 이에 따라 반공진점에서 높은 Q 성능을 구현할 수 있는 것이다.
도 5는 본 발명의 제3 실시예에 따른 체적 음향 공진기를 설명하기 위한 설명도이다.
도 5를 참조하면, 제1 전극(320)과 압전체층(330)는 일부분에서 상호 이격되어 제1 갭(G1)을 형성하고, 압전체층(330)과 제2 전극(340)는 일부분에서 상호 이격되어 제2 갭(G2)을 형성한다.
한편, 제1 갭(G1)은 활성 영역(S)에 배치되는 제1-1 갭(G1-1)과, 활성 영역(S)의 외측에 배치되는 제1-2 갭(G1-2)을 구비할 수 있다. 이를 위해, 제1 전극(320)에는 경사면(322)이 형성된다. 경사면(322)은 활성 영역(S)의 외측에 배치되도록 제1 전극(320)에 구비될 수 있다.
이와 같이, 제1-1 갭(G1-1)을 구비하여 높은 Q 성능을 구현할 수 있다. 즉, 제1-1 갭(G1-1)이 캐패시터(Capacitor)로 작동되어 높은 주파수 대역에서도 높은 Q 성능을 구현할 수 있다.
다시 말해, 제1-1 갭(G1-1)의 간극을 작게 하여 제1-1 갭(G1-1)에 큰 캐패시턴스(Capacitance) 값을 갖게 하면, 고주파 영역에서 신호 손실을 줄일 수 있다. 이에 따라, 압전체층(330)과 제1-1 갭(G1-1)이 만나는 경계면에서 공진 시 발생되는 수직파(Vertical Wave)의 반사 효율을 높일 수 있으므로, 높은 Q 성능을 구현할 수 있는 것이다.
또한, 체적 음향 공진기(300)의 주파수는 압전체층(330)의 두께에만 영향을 받기 때문에 이러한 구조에서 제1 전극(320)의 두께를 증가시킬 수 있으므로, 주파수에 제한받지 않고 제1 전극(320)에 의한 저항을 줄일 수 있다. 이에 따라, 공진점에서 높은 Q 성능을 구현할 수 있는 것이다.
더하여, 제1 갭(G1)이 제1-2 갭(G1-2)을 구비하므로, 공진 구동 시 발생되는 수평파(Lateral Wave)로 인한 에너지 누설(Energy Leakage)를 줄일 수 있다. 이에 따라, 압전체층(330)에 인가되는 전기장(Electric Field) 차이가 유발되는 경계면에서 수평파(Lateral Wave)를 반사시켜 반공진점에서 높은 Q 성능을 구현할 수 있게 된다. 즉, 제1-1 갭(G1-1)의 경계면에서 캐패시턴스(Capacitance) 값이 급격하게 변화되므로 수평파(Lateral Wave)가 반사될 수 있다. 이에 따라 반공진점에서 높은 Q 성능을 구현할 수 있는 것이다.
다시 말해, 제1-1 갭(G1-1)이 형성되는 영역은 제1 캐패시터부를 형성하고, 제1-1 갭(G1-1)의 외측에는 제1 캐패시터부의 캐패시턴스 값과 다른 캐패시턴스 값을 가지는 제2 캐패시터부가 형성된다. 이에 따라 반공진점에서 높은 Q 성능을 구현할 수 있는 것이다.
또한, 제2 전극(340)과 압전체층(330)는 일부분에서 상호 이격되어 제2 갭(G2)을 형성한다. 한편, 제2 갭(G2)은 활성 영역(S, Active area)에 배치되는 제2-1 갭(G2-1)과, 활성 영역(S)의 외측에 배치되는 제2-2 갭(G2-2)을 구비할 수 있다. 이를 위해, 제2 전극(340)에는 경사면(342)이 형성된다. 경사면(342)은 활성 영역(S)의 외측에 배치되도록 제2 전극(340)에 구비될 수 있다.
이와 같이, 제2-1 갭(G2-1)을 구비하여 높은 Q 성능을 구현할 수 있다. 즉, 제2-1 갭(G2-1)이 캐패시터(Capacitor)로 작동되어 높은 주파수 대역에서도 높은 Q 성능을 구현할 수 있다.
다시 말해, 제2-1 갭(G2-1)의 간극을 작게 하여 제2-1 갭(G2-1)에 큰 캐패시턴스(Capacitance) 값을 갖게 하면, 고주파 영역에서 신호 손실을 줄일 수 있다. 이에 따라, 압전체층(330)과 제2-1 갭(G2-1)이 만나는 경계면에서 공진 시 발생되는 수직파(Vertical Wave)의 반사 효율을 높일 수 있으므로, 높은 Q 성능을 구현할 수 있는 것이다.
또한, 체적 음향 공진기(300)의 주파수는 압전체층(330)의 두께에만 영향을 받기 때문에 이러한 구조에서 제2 전극(340)의 두께를 증가시킬 수 있으므로, 주파수에 제한받지 않고 제2 전극(340)에 의한 저항을 줄일 수 있다. 이에 따라, 공진점에서 높은 Q 성능을 구현할 수 있는 것이다.
더하여, 제2 갭(G2)이 제2-2 갭(G2-2)을 구비하므로, 공진 구동 시 발생되는 수평파(Lateral Wave)로 인한 에너지 누설(Energy Leakage)를 줄일 수 있다. 이에 따라, 압전체층(330)에 인가되는 전기장(Electric Field) 차이가 유발되는 경계면에서 수평파(Lateral Wave)를 반사시켜 반공진점에서 높은 Q 성능을 구현할 수 있게 된다. 즉, 제2-1 갭(G2-1)의 경계면에서 캐패시턴스(Capacitance) 값이 급격하게 변화되므로 수평파(Lateral Wave)가 반사될 수 있다. 이에 따라 반공진점에서 높은 Q 성능을 구현할 수 있는 것이다.
다시 말해, 제2-1 갭(G2-1)이 형성되는 영역은 제3 캐패시터부를 형성하고, 제2-1 갭(G2-1)의 외측에는 제3 캐패시터부의 캐패시턴스 값과 다른 캐패시턴스 값을 가지는 제4 캐패시터부가 형성된다. 이에 따라 반공진점에서 높은 Q 성능을 구현할 수 있는 것이다.
일예로서, 종래 기술에 따른 공진기, 즉 제1,2 갭(G1,G2)이 형성되지 않는 경우 도 6에 도시된 바와 같은 반공진점에서의 Qp 값이 2327 ~ 3141임을 알 수 있다. 하지만, 도 7에 도시된 바와 같이, 제1,2 갭(G1,G2)이 형성되는 경우 반공진점에서의 Qp 값이 3790 ~ 4201임을 알 수 있다.
도 8은 본 발명의 제4 실시예에 따른 체적 음향 공진기를 설명하기 위한 설명도이다.
도 8을 참조하면, 제1 전극(420)과 압전체층(430)은 일부분에서 상호 이격되어 제1 갭(G1)을 형성하고, 압전체층(430)과 제2 전극(440)은 일부분에서 상호 이격되어 제2 갭(G2)을 형성한다.
상기한 바와 같이 제1 전극(420)과 압전체층(430)은 일부분에서 상호 이격되어 제1 갭(G1)을 형성한다. 일예로서, 제1 갭(G1)은 희생층(미도시)의 제거에 의해 형성될 수 있다. 이와 같이, 제1 갭(G1)을 구비하여 높은 Q 성능을 구현할 수 있다. 즉, 제1 갭(G1)이 캐패시터(Capacitor)로 작동되어 높은 주파수 대역에서도 높은 Q 성능을 구현할 수 있다.
다시 말해, 제1 갭(G1)의 간극을 작게 하여 제1 갭(G1)에 큰 캐패시턴스(Capacitance) 값을 갖게 하면, 고주파 영역에서 신호 손실을 줄일 수 있다. 이에 따라, 압전체층(430)과 제1 갭(G1)이 만나는 경계면에서 공진 시 발생되는 수직파(Vertical Wave)의 반사 효율을 높일 수 있으므로, 높은 Q 성능을 구현할 수 있는 것이다.
또한, 체적 음향 공진기(400)의 주파수는 압전체층(430)의 두께에만 영향을 받기 때문에 이러한 구조에서 제1 전극(420)의 두께를 증가시킬 수 있으므로, 주파수에 제한받지 않고 제1 전극(420)에 의한 저항을 줄일 수 있다. 이에 따라, 공진점에서 높은 Q 성능을 구현할 수 있는 것이다.
또한, 제2 전극(440)과 압전체층(430)는 일부분에서 상호 이격되어 제2 갭(G2)을 형성한다. 한편, 제2 갭(G2)은 활성 영역(S)에 배치되는 제2-1 갭(G2-1)과, 활성 영역(S)의 외측에 배치되는 제2-2 갭(G2-2)을 구비할 수 있다. 이를 위해, 제2 전극(440)에는 경사면(442)이 형성된다. 경사면(442)은 활성 영역(S)의 외측에 배치되도록 제2 전극(440)에 구비될 수 있다.
이와 같이, 제2-1 갭(G2-1)을 구비하여 높은 Q 성능을 구현할 수 있다. 즉, 제2-1 갭(G2-1)이 캐패시터(Capacitor)로 작동되어 높은 주파수 대역에서도 높은 Q 성능을 구현할 수 있다.
다시 말해, 제2-1 갭(G2-1)의 간극을 작게 하여 제2-1 갭(G2-1)에 큰 캐패시턴스(Capacitance) 값을 갖게 하면, 고주파 영역에서 신호 손실을 줄일 수 있다. 이에 따라, 압전체층(430)과 제2-1 갭(G2-1)이 만나는 경계면에서 공진 시 발생되는 수직파(Vertical Wave)의 반사 효율을 높일 수 있으므로, 높은 Q 성능을 구현할 수 있는 것이다.
또한, 체적 음향 공진기(400)의 주파수는 압전체층(430)의 두께에만 영향을 받기 때문에 이러한 구조에서 제2 전극(440)의 두께를 증가시킬 수 있으므로, 주파수에 제한받지 않고 제2 전극(440)에 의한 저항을 줄일 수 있다. 이에 따라, 공진점에서 높은 Q 성능을 구현할 수 있는 것이다.
더하여, 제2 갭(G2)이 제2-2 갭(G2-2)을 구비하므로, 공진 구동 시 발생되는 수평파(Lateral Wave)로 인한 에너지 누설(Energy Leakage)를 줄일 수 있다. 이에 따라, 압전체층(430)에 인가되는 전기장(Electric Field) 차이가 유발되는 경계면에서 수평파(Lateral Wave)를 반사시켜 반공진점에서 높은 Q 성능을 구현할 수 있게 된다. 즉, 제2-1 갭(G2-1)의 경계면에서 캐패시턴스(Capacitance) 값이 급격하게 변화되므로 수평파(Lateral Wave)가 반사될 수 있다. 이에 따라 반공진점에서 높은 Q 성능을 구현할 수 있는 것이다.
다시 말해, 제2-1 갭(G2-1)이 형성되는 영역은 제1 캐패시터부를 형성하고, 제2-1 갭(G-1)의 외측에는 제1 캐패시터부의 캐패시턴스 값과 다른 캐패시턴스 값을 가지는 제2 캐패시터부가 형성된다. 이에 따라 반공진점에서 높은 Q 성능을 구현할 수 있는 것이다.
도 9는 본 발명의 제5 실시예에 따른 체적 음향 공진기를 설명하기 위한 설명도이다.
도 9를 참조하면, 제1 전극(520)과 압전체층(530)은 일부분에서 상호 이격되어 제1 갭(G1)을 형성하고, 압전체층(530)과 제2 전극(540)은 일부분에서 상호 이격되어 제2 갭(G2)을 형성한다.
한편, 제1 갭(G1)은 활성 영역(S)에 배치되는 제1-1 갭(G1-1)과, 활성 영역(S)의 외측에 배치되는 제1-2 갭(G1-2)을 구비할 수 있다. 이를 위해, 제1 전극(520)에는 경사면(522)이 형성된다. 경사면(522)은 활성 영역(S)의 외측에 배치되도록 제1 전극(520)에 구비될 수 있다.
이와 같이, 제1-1 갭(G1-1)을 구비하여 높은 Q 성능을 구현할 수 있다. 즉, 제1-1 갭(G1-1)이 캐패시터(Capacitor)로 작동되어 높은 주파수 대역에서도 높은 Q 성능을 구현할 수 있다.
다시 말해, 제1-1 갭(G1-1)의 간극을 작게 하여 제1-1 갭(G1-1)에 큰 캐패시턴스(Capacitance) 값을 갖게 하면, 고주파 영역에서 신호 손실을 줄일 수 있다. 이에 따라, 압전체층(530)과 제1-1 갭(G1-1)이 만나는 경계면에서 공진 시 발생되는 수직파(Vertical Wave)의 반사 효율을 높일 수 있으므로, 높은 Q 성능을 구현할 수 있는 것이다.
또한, 체적 음향 공진기(500)의 주파수는 압전체층(530)의 두께에만 영향을 받기 때문에 이러한 구조에서 제1 전극(520)의 두께를 증가시킬 수 있으므로, 주파수에 제한받지 않고 제1 전극(520)에 의한 저항을 줄일 수 있다. 이에 따라, 공진점에서 높은 Q 성능을 구현할 수 있는 것이다.
더하여, 제1 갭(G1)이 제1-2 갭(G1-2)을 구비하므로, 공진 구동 시 발생되는 수평파(Lateral Wave)로 인한 에너지 누설(Energy Leakage)를 줄일 수 있다. 이에 따라, 압전체층(530)에 인가되는 전기장(Electric Field) 차이가 유발되는 경계면에서 수평파(Lateral Wave)를 반사시켜 반공진점에서 높은 Q 성능을 구현할 수 있게 된다. 즉, 제1-1 갭(G1-1)의 경계면에서 캐패시턴스(Capacitance) 값이 급격하게 변화되므로 수평파(Lateral Wave)가 반사될 수 있다. 이에 따라 반공진점에서 높은 Q 성능을 구현할 수 있는 것이다.
다시 말해, 제1-1 갭(G1-1)이 형성되는 영역은 제1 캐패시터부를 형성하고, 제1-1 갭(G1-1)의 외측에는 제1 캐패시터부의 캐패시턴스 값과 다른 캐패시턴스 값을 가지는 제2 캐패시터부가 형성된다. 이에 따라 반공진점에서 높은 Q 성능을 구현할 수 있는 것이다.
한편, 제2 전극(540)과 압전체층(530)은 일부분에서 상호 이격되어 제2 갭(G2)을 형성한다. 일예로서, 제2 갭(G2)은 희생층(미도시)의 제거에 의해 형성될 수 있다. 이와 같이, 제2 갭(G2)을 구비하여 높은 Q 성능을 구현할 수 있다. 즉, 제2 갭(G2)이 캐패시터(Capacitor)로 작동되어 높은 주파수 대역에서도 높은 Q 성능을 구현할 수 있다.
다시 말해, 제2 갭(G2)의 간극을 작게 하여 제2 갭(G2)에 큰 캐패시턴스(Capacitance) 값을 갖게 하면, 고주파 영역에서 신호 손실을 줄일 수 있다. 이에 따라, 압전체층(530)과 제2 갭(G2)이 만나는 경계면에서 공진 시 발생되는 수직파(Vertical Wave)의 반사 효율을 높일 수 있으므로, 높은 Q 성능을 구현할 수 있는 것이다.
또한, 체적 음향 공진기의 주파수는 압전체층(530)의 두께에만 영향을 받기 때문에 이러한 구조에서 제2 전극(540)의 두께를 증가시킬 수 있으므로, 주파수에 제한받지 않고 제2 전극(540)에 의한 저항을 줄일 수 있다. 이에 따라, 공진점에서 높은 Q 성능을 구현할 수 있는 것이다.
도 10은 본 발명의 제6 실시예에 따른 체적 음향 공진기를 설명하기 위한 설명도이다.
도 10을 참조하면, 제1 전극(620)과 압전체층(630)은 일부분에서 상호 이격되어 제1 갭(G1)을 형성하고, 압전체층(630)과 제2 전극(640)은 일부분에서 상호 이격되어 제2 갭(G2)을 형성한다.
한편, 제1 갭(G1)은 활성 영역(S)에 배치되는 제1-1 갭(G1-1)과, 활성 영역(S)의 외측에 배치되는 제1-2 갭(G1-2)을 구비할 수 있다. 이를 위해, 압전체층(630)의 하단부에는 제1 경사면(632)이 형성된다. 제1 경사면(632)은 활성 영역(S)의 외측에 배치되도록 압전체층(630)에 구비될 수 있다.
이와 같이, 제1-1 갭(G1-1)을 구비하여 높은 Q 성능을 구현할 수 있다. 즉, 제1-1 갭(G1-1)이 캐패시터(Capacitor)로 작동되어 높은 주파수 대역에서도 높은 Q 성능을 구현할 수 있다.
다시 말해, 제1-1 갭(G1-1)의 간극을 작게 하여 제1-1 갭(G1-1)에 큰 캐패시턴스(Capacitance) 값을 갖게 하면, 고주파 영역에서 신호 손실을 줄일 수 있다. 이에 따라, 압전체층(330)과 제1-1 갭(G1-1)이 만나는 경계면에서 공진 시 발생되는 수직파(Vertical Wave)의 반사 효율을 높일 수 있으므로, 높은 Q 성능을 구현할 수 있는 것이다.
또한, 체적 음향 공진기(600)의 주파수는 압전체층(630)의 두께에만 영향을 받기 때문에 이러한 구조에서 제1 전극(620)의 두께를 증가시킬 수 있으므로, 주파수에 제한받지 않고 제1 전극(620)에 의한 저항을 줄일 수 있다. 이에 따라, 공진점에서 높은 Q 성능을 구현할 수 있는 것이다.
더하여, 제1 갭(G1)이 제1-2 갭(G1-2)을 구비하므로, 공진 구동 시 발생되는 수평파(Lateral Wave)로 인한 에너지 누설(Energy Leakage)를 줄일 수 있다. 이에 따라, 압전체층(630)에 인가되는 전기장(Electric Field) 차이가 유발되는 경계면에서 수평파(Lateral Wave)를 반사시켜 반공진점에서 높은 Q 성능을 구현할 수 있게 된다. 즉, 제1-1 갭(G1-1)의 경계면에서 캐패시턴스(Capacitance) 값이 급격하게 변화되므로 수평파(Lateral Wave)가 반사될 수 있다. 이에 따라 반공진점에서 높은 Q 성능을 구현할 수 있는 것이다.
다시 말해, 제1-1 갭(G1-1)이 형성되는 영역은 제1 캐패시터부를 형성하고, 제1-1 갭(G1-1)의 외측에는 제1 캐패시터부의 캐패시턴스 값과 다른 캐패시턴스 값을 가지는 제2 캐패시터부가 형성된다. 이에 따라 반공진점에서 높은 Q 성능을 구현할 수 있는 것이다.
또한, 제2 전극(640)과 압전체층(630)는 일부분에서 상호 이격되어 제2 갭(G2)을 형성한다. 한편, 제2 갭(G2)은 활성 영역(S, Active area)에 배치되는 제2-1 갭(G2-1)과, 활성 영역(S)의 외측에 배치되는 제2-2 갭(G2-2)을 구비할 수 있다. 이를 위해, 압전체층(630)의 상단부에는 제2 경사면(634)이 형성된다. 제2 경사면(634)은 활성 영역(S)의 외측에 배치되도록 압전체층(630)에 구비될 수 있다.
이와 같이, 제2-1 갭(G2-1)을 구비하여 높은 Q 성능을 구현할 수 있다. 즉, 제2-1 갭(G2-1)이 캐패시터(Capacitor)로 작동되어 높은 주파수 대역에서도 높은 Q 성능을 구현할 수 있다.
다시 말해, 제2-1 갭(G2-1)의 간극을 작게 하여 제2-1 갭(G2-1)에 큰 캐패시턴스(Capacitance) 값을 갖게 하면, 고주파 영역에서 신호 손실을 줄일 수 있다. 이에 따라, 압전체층(630)과 제2-1 갭(G2-1)이 만나는 경계면에서 공진 시 발생되는 수직파(Vertical Wave)의 반사 효율을 높일 수 있으므로, 높은 Q 성능을 구현할 수 있는 것이다.
또한, 체적 음향 공진기(600)의 주파수는 압전체층(630)의 두께에만 영향을 받기 때문에 이러한 구조에서 제2 전극(640)의 두께를 증가시킬 수 있으므로, 주파수에 제한받지 않고 제2 전극(640)에 의한 저항을 줄일 수 있다. 이에 따라, 공진점에서 높은 Q 성능을 구현할 수 있는 것이다.
더하여, 제2 갭(G2)이 제2-2 갭(G2-2)을 구비하므로, 공진 구동 시 발생되는 수평파(Lateral Wave)로 인한 에너지 누설(Energy Leakage)를 줄일 수 있다. 이에 따라, 압전체층(630)에 인가되는 전기장(Electric Field) 차이가 유발되는 경계면에서 수평파(Lateral Wave)를 반사시켜 반공진점에서 높은 Q 성능을 구현할 수 있게 된다. 즉, 제2-1 갭(G2-1)의 경계면에서 캐패시턴스(Capacitance) 값이 급격하게 변화되므로 수평파(Lateral Wave)가 반사될 수 있다. 이에 따라 반공진점에서 높은 Q 성능을 구현할 수 있는 것이다.
다시 말해, 제2-1 갭(G2-1)이 형성되는 영역은 제3 캐패시터부를 형성하고, 제2-1 갭(G2-1)의 외측에는 제3 캐패시터부의 캐패시턴스 값과 다른 캐패시턴스 값을 가지는 제4 캐패시터부가 형성된다. 이에 따라 반공진점에서 높은 Q 성능을 구현할 수 있는 것이다.
도 11은 본 발명의 제7 실시예에 따른 체적 음향 공진기를 설명하기 위한 설명도이다.
도 11을 참조하면, 제1 전극(720)과 압전체층(730)은 일부분에서 상호 이격되어 제1 갭(G1)을 형성하고, 압전체층(730)과 제2 전극(740)은 일부분에서 상호 이격되어 제2 갭(G2)을 형성한다.
제1 전극(720)과 압전체층(730)은 일부분에서 상호 이격되어 제1 갭(G1)을 형성한다. 일예로서, 제1 갭(G1)은 희생층(미도시)의 제거에 의해 형성될 수 있다. 이와 같이, 제1 갭(G1)을 구비하여 높은 Q 성능을 구현할 수 있다. 즉, 제1 갭(G1)이 캐패시터(Capacitor)로 작동되어 높은 주파수 대역에서도 높은 Q 성능을 구현할 수 있다.
다시 말해, 제1 갭(G1)의 간극을 작게 하여 제1 갭(G1)에 큰 캐패시턴스(Capacitance) 값을 갖게 하면, 고주파 영역에서 신호 손실을 줄일 수 있다. 이에 따라, 압전체층(730)과 제1 갭(G1)이 만나는 경계면에서 공진 시 발생되는 수직파(Vertical Wave)의 반사 효율을 높일 수 있으므로, 높은 Q 성능을 구현할 수 있는 것이다.
또한, 체적 음향 공진기(700)의 주파수는 압전체층(730)의 두께에만 영향을 받기 때문에 이러한 구조에서 제1 전극(720)의 두께를 증가시킬 수 있으므로, 주파수에 제한받지 않고 제1 전극(720)에 의한 저항을 줄일 수 있다. 이에 따라, 공진점에서 높은 Q 성능을 구현할 수 있는 것이다.
또한, 압전체층(730)과 제2 전극(740)은 일부분에서 상호 이격되어 제2 갭(G2)을 형성한다. 한편, 제2 갭(G2)은 활성 영역(S)에 배치되는 제2-1 갭(G2-1)과, 활성 영역(S)의 외측에 배치되는 제2-2 갭(G2-2)을 구비할 수 있다. 이를 위해, 제2 전극(740)에는 곡면(742)이 형성된다. 곡면(742)은 활성 영역(S)의 외측에 배치되도록 제2 전극(740)에 구비될 수 있다.
이와 같이, 제2-1 갭(G2-1)을 구비하여 높은 Q 성능을 구현할 수 있다. 즉, 제2-1 갭(G2-1)이 캐패시터(Capacitor)로 작동되어 높은 주파수 대역에서도 높은 Q 성능을 구현할 수 있다.
다시 말해, 제2-1 갭(G2-1)의 간극을 작게 하여 제2-1 갭(G2-1)에 큰 캐패시턴스(Capacitance) 값을 갖게 하면, 고주파 영역에서 신호 손실을 줄일 수 있다. 이에 따라, 압전체층(770)과 제2-1 갭(G2-1)이 만나는 경계면에서 공진 시 발생되는 수직파(Vertical Wave)의 반사 효율을 높일 수 있으므로, 높은 Q 성능을 구현할 수 있는 것이다.
또한, 체적 음향 공진기(700)의 주파수는 압전체층(730)의 두께에만 영향을 받기 때문에 이러한 구조에서 제2 전극(740)의 두께를 증가시킬 수 있으므로, 주파수에 제한받지 않고 제2 전극(740)에 의한 저항을 줄일 수 있다. 이에 따라, 공진점에서 높은 Q 성능을 구현할 수 있는 것이다.
더하여, 제2 갭(G2)이 제2-2 갭(G2-2)을 구비하므로, 공진 구동 시 발생되는 수평파(Lateral Wave)로 인한 에너지 누설(Energy Leakage)를 줄일 수 있다. 이에 따라, 압전체층(730)에 인가되는 전기장(Electric Field) 차이가 유발되는 경계면에서 수평파(Lateral Wave)를 반사시켜 반공진점에서 높은 Q 성능을 구현할 수 있게 된다. 즉, 제2-1 갭(G2-1)의 경계면에서 캐패시턴스(Capacitance) 값이 급격하게 변화되므로 수평파(Lateral Wave)가 반사될 수 있다. 이에 따라 반공진점에서 높은 Q 성능을 구현할 수 있는 것이다.
다시 말해, 제1-1 갭(G1-1)이 형성되는 영역은 제1 캐패시터부를 형성하고, 제1-1 갭(G1-1)의 외측에는 제1 캐패시터부의 캐패시턴스 값과 다른 캐패시턴스 값을 가지는 제2 캐패시터부가 형성된다. 이에 따라 반공진점에서 높은 Q 성능을 구현할 수 있는 것이다.
도 12는 본 발명의 제8 실시예에 따른 체적 음향 공진기를 설명하기 위한 설명도이다.
도 12를 참조하면, 제1 전극(820)과 압전체층(830)은 일부분에서 상호 이격되어 제1 갭(G1)을 형성하고, 압전체층(830)과 제2 전극(840)은 일부분에서 상호 이격되어 제2 갭(G2)을 형성한다.
제1 전극(820)과 압전체층(830)은 일부분에서 상호 이격되어 제1 갭(G1)을 형성한다. 일예로서, 제1 갭(G1)은 희생층(미도시)의 제거에 의해 형성될 수 있다. 이와 같이, 제1 갭(G1)을 구비하여 높은 Q 성능을 구현할 수 있다. 즉, 제1 갭(G1)이 캐패시터(Capacitor)로 작동되어 높은 주파수 대역에서도 높은 Q 성능을 구현할 수 있다.
다시 말해, 제1 갭(G1)의 간극을 작게 하여 제1 갭(G1)에 큰 캐패시턴스(Capacitance) 값을 갖게 하면, 고주파 영역에서 신호 손실을 줄일 수 있다. 이에 따라, 압전체층(830)과 제1 갭(G1)이 만나는 경계면에서 공진 시 발생되는 수직파(Vertical Wave)의 반사 효율을 높일 수 있으므로, 높은 Q 성능을 구현할 수 있는 것이다.
또한, 체적 음향 공진기(800)의 주파수는 압전체층(830)의 두께에만 영향을 받기 때문에 이러한 구조에서 제1 전극(820)의 두께를 증가시킬 수 있으므로, 주파수에 제한받지 않고 제1 전극(820)에 의한 저항을 줄일 수 있다. 이에 따라, 공진점에서 높은 Q 성능을 구현할 수 있는 것이다.
또한, 제2 전극(840)과 압전체층(830) 사이에는 제2 갭(G2)이 배치된다. 한편, 제2 갭(G2)은 활성 영역(S)에 배치되는 제2-1 갭(G2-1)과, 활성 영역(S)의 외측에 배치되는 제2-2 갭(G2-2)을 구비할 수 있다. 이를 위해, 제2 전극(840)에는 단차홈(842)이 형성된다. 단차홈(842)은 활성 영역(S)에 배치되도록 제2 전극(840)에 구비될 수 있다.
이와 같이, 제2 갭(G2)이 제2-1 갭(G2-1)과 제2-2 갭(G2-2)을 구비하므로, 공진 구동 시 발생되는 수평파(Lateral Wave)로 인한 에너지 누설(Energy Leakage)를 줄일 수 있다. 이에 따라, 압전체층(730)에 인가되는 전기장(Electric Field) 차이가 유발되는 경계면에서 수평파(Lateral Wave)를 반사시켜 반공진점에서 높은 Q 성능을 구현할 수 있게 된다. 즉, 제2-1 갭(G2-1)의 경계면에서 캐패시턴스(Capacitance) 값이 급격하게 변화되므로 수평파(Lateral Wave)가 반사될 수 있다. 이에 따라 반공진점에서 높은 Q 성능을 구현할 수 있는 것이다.
다시 말해, 제2-1 갭(G2-1)이 형성되는 영역은 제1 캐패시터부를 형성하고, 제2-1 갭(G2-1)의 외측에는 제1 캐패시터부의 캐패시턴스 값과 다른 캐패시턴스 값을 가지는 제2 캐패시터부가 형성된다. 이에 따라 반공진점에서 높은 Q 성능을 구현할 수 있는 것이다.
도 13은 본 발명의 제9 실시예에 따른 체적 음향 공진기를 설명하기 위한 설명도이다.
도 13을 참조하면, 제1 전극(920)과 압전체층(930)는 일부분에서 상호 이격되어 제1 갭(G1)을 형성하고, 압전체층(930)과 제2 전극(940)은 일부분에서 상호 이격되어 제2 갭(G2)을 형성한다.
한편, 제1 갭(G1)은 활성 영역(S)에 배치되는 제1-1 갭(G1-1)과, 활성 영역(S)의 외측에 배치되는 제1-2 갭(G1-2)을 구비할 수 있다. 이를 위해, 제1 전극(920)에는 경사면(922)이 형성된다. 경사면(922)은 활성 영역(S)의 외측에 배치되도록 제1 전극(920)에 구비될 수 있다.
이와 같이, 제1-1 갭(G1-1)을 구비하여 높은 Q 성능을 구현할 수 있다. 즉, 제1-1 갭(G1-1)이 캐패시터(Capacitor)로 작동되어 높은 주파수 대역에서도 높은 Q 성능을 구현할 수 있다.
다시 말해, 제1-1 갭(G1-1)의 간극을 작게 하여 제1-1 갭(G1-1)에 큰 캐패시턴스(Capacitance) 값을 갖게 하면, 고주파 영역에서 신호 손실을 줄일 수 있다. 이에 따라, 압전체층(930)과 제1-1 갭(G1-1)이 만나는 경계면에서 공진 시 발생되는 수직파(Vertical Wave)의 반사 효율을 높일 수 있으므로, 높은 Q 성능을 구현할 수 있는 것이다.
또한, 체적 음향 공진기(900)의 주파수는 압전체층(930)의 두께에만 영향을 받기 때문에 이러한 구조에서 제1 전극(920)의 두께를 증가시킬 수 있으므로, 주파수에 제한받지 않고 제1 전극(920)에 의한 저항을 줄일 수 있다. 이에 따라, 공점에서 높은 Q 성능을 구현할 수 있는 것이다.
더하여, 제1 갭(G1)이 제1-2 갭(G1-2)을 구비하므로, 공진 구동 시 발생되는 수평파(Lateral Wave)로 인한 에너지 누설(Energy Leakage)를 줄일 수 있다. 이에 따라, 압전체층(330)에 인가되는 전기장(Electric Field) 차이가 유발되는 경계면에서 수평파(Lateral Wave)를 반사시켜 반공진점에서 높은 Q 성능을 구현할 수 있게 된다. 즉, 제1-1 갭(G1-1)의 경계면에서 캐패시턴스(Capacitance) 값이 급격하게 변화되므로 수평파(Lateral Wave)가 반사될 수 있다. 이에 따라 반공진점에서 높은 Q 성능을 구현할 수 있는 것이다.
다시 말해, 제1-1 갭(G1-1)이 형성되는 영역은 제1 캐패시터부를 형성하고, 제1-1 갭(G1-1)의 외측에는 제1 캐패시터부의 캐패시턴스 값과 다른 캐패시턴스 값을 가지는 제2 캐패시터부가 형성된다. 이에 따라 반공진점에서 높은 Q 성능을 구현할 수 있는 것이다.
압전체층(930)은 제1 전극(920)의 적어도 일부분의 상부에 배치된다. 한편, 압전체층(930)은 전기적 에너지를 탄성파 형태의 기계적 에너지로 변환하는 압전 효과를 일으키는 구성이다. 일예로서, 압전체층(930)은 질화 알루미늄(AlN), 산화아연(ZnO), 납 지르코늄 티타늄 산화물(PZT; PbZrTiO) 중 하나로 형성될 수 있다. 또한, 압전체층(930)은 희토류 금속(Rare earth metal)을 더 포함할 수 있다. 일 예로, 희토류 금속은 스칸듐(Sc), 에르븀(Er), 이트륨(Y), 및 란탄(La) 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 또한, 일 예로 전이 금속은 티타늄(Ti), 지르코늄(Zr), 하프늄(Hf), 탄탈륨 (Ta), 니오비윰 (Nb) 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 또한, 2가 금속인 마그네슘(Mg)도 포함될 수 있다.
한편, 압전체층(930)에는 표면처리층(932.934)을 구비할 수 있다. 표면처리층(932,934)은 압전체층(930)의 상면과 하면에 배치될 수 있다. 일예로서, 표면처리층(932,934)은 도핑이나 열처리를 통해 형성될 수도 있으며, 표면처리층(932,934)은 압전체층(930)의 증착 조건(예를 들어, 온도 또는 RF Power 조절)의 변화를 통한 스트레스 변화 처리를 통해 형성될 수 있다.
이와 같이, 압전체층(930)의 상면과 하면에 표면처리층(932.934)이 구비되므로, 압전체층(930)이 공기층에 노출되는 경우와 비교하여 공진기의 성능(즉, Kt2)을 향상시킬 수 있다.
또한, 제2 전극(940)과 압전체층(930) 사이에는 제2 갭(G2)이 배치된다. 한편, 제2 갭(G2)은 활성 영역(S, Active area)에 배치되는 제2-1 갭(G2-1)과, 활성 영역(S)의 외측에 배치되는 제2-2 갭(G2-2)을 구비할 수 있다. 이를 위해, 제2 전극(940)에는 경사면(942)이 형성된다. 경사면(942)은 활성 영역(S)의 외측에 배치되도록 제2 전극(940)에 구비될 수 있다.
이와 같이, 제2-1 갭(G2-1)을 구비하여 높은 Q 성능을 구현할 수 있다. 즉, 제2-1 갭(G2-1)이 캐패시터(Capacitor)로 작동되어 높은 주파수 대역에서도 높은 Q 성능을 구현할 수 있다.
다시 말해, 제2-1 갭(G2-1)의 간극을 작게 하여 제2-1 갭(G2-1)에 큰 캐패시턴스(Capacitance) 값을 갖게 하면, 고주파 영역에서 신호 손실을 줄일 수 있다. 이에 따라, 압전체층(930)과 제2-1 갭(G2-1)이 만나는 경계면에서 공진 시 발생되는 수직파(Vertical Wave)의 반사 효율을 높일 수 있으므로, 높은 Q 성능을 구현할 수 있는 것이다.
또한, 체적 음향 공진기(900)의 주파수는 압전체층(930)의 두께에만 영향을 받기 때문에 이러한 구조에서 제2 전극(940)의 두께를 증가시킬 수 있으므로, 주파수에 제한받지 않고 제2 전극(940)에 의한 저항을 줄일 수 있다. 이에 따라, 공진점에서 높은 Q 성능을 구현할 수 있는 것이다.
더하여, 제2 갭(G2)이 제2-2 갭(G2-2)을 구비하므로, 공진 구동 시 발생되는 수평파(Lateral Wave)로 인한 에너지 누설(Energy Leakage)를 줄일 수 있다. 이에 따라, 압전체층(930)에 인가되는 전기장(Electric Field) 차이가 유발되는 경계면에서 수평파(Lateral Wave)를 반사시켜 반공진점에서 높은 Q 성능을 구현할 수 있게 된다. 즉, 제2-1 갭(G2-1)의 경계면에서 캐패시턴스(Capacitance) 값이 급격하게 변화되므로 수평파(Lateral Wave)가 반사될 수 있다. 이에 따라 반공진점에서 높은 Q 성능을 구현할 수 있는 것이다.
다시 말해, 제2-1 갭(G2-1)이 형성되는 영역은 제3 캐패시터부를 형성하고, 제2-1 갭(G2-1)의 외측에는 제3 캐패시터부의 캐패시턴스 값과 다른 캐패시턴스 값을 가지는 제4 캐패시터부가 형성된다. 이에 따라 반공진점에서 높은 Q 성능을 구현할 수 있는 것이다.
도 14는 본 발명의 제10 실시예에 따른 체적 음향 공진기를 설명하기 위한 설명도이다.
도 14를 참조하면, 제2 전극(1040)과 압전체층(1030)은 일부분에서 상호 이격되어 제1 갭(G1)을 형성한다.
압전체층(1030)은 제1 전극(1020)의 적어도 일부분의 상부에 배치된다. 한편, 압전체층(1030)은 전기적 에너지를 탄성파 형태의 기계적 에너지로 변환하는 압전 효과를 일으키는 구성이다. 일예로서, 압전체층(1030)은 질화 알루미늄(AlN), 산화아연(ZnO), 납 지르코늄 티타늄 산화물(PZT; PbZrTiO) 중 하나로 형성될 수 있다. 또한, 압전체층(130)은 희토류 금속(Rare earth metal)을 더 포함할 수 있다. 일 예로, 희토류 금속은 스칸듐(Sc), 에르븀(Er), 이트륨(Y), 및 란탄(La) 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 또한, 일 예로 전이 금속은 티타늄(Ti), 지르코늄(Zr), 하프늄(Hf), 탄탈륨 (Ta), 니오비윰 (Nb) 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 또한, 2가 금속인 마그네슘(Mg)도 포함될 수 있다.
한편, 압전체층(1030)에는 표면처리층(1032)을 구비할 수 있다. 표면처리층(1032)은 압전체층(1030)의 상면에 배치될 수 있다. 일예로서, 표면처리층(1032)은 도핑이나 열처리를 통해 형성될 수도 있으며, 표면처리층(1032)은 압전체층(1030)의 증착 조건(예를 들어, 온도 또는 RF Power 조절)의 변화를 통한 스트레스 변화 처리를 통해 형성될 수 있다.
이와 같이, 압전체층(1030)의 상면에 표면처리층(1032)이 구비되므로, 압전체층(1030)이 공기층에 노출되는 경우와 비교하여 공진기의 성능(즉, Kt2)을 향상시킬 수 있다.
또한, 제2 전극(1040)과 압전체층(1030) 사이에는 제1 갭(G1)이 배치된다. 한편, 제1 갭(G1)은 활성 영역(S, Active area)에 배치되는 제1-1 갭(G1-1)과, 활성 영역(S)의 외측에 배치되는 제1-2 갭(G1-2)을 구비할 수 있다. 이를 위해, 제2 전극(1040)에는 경사면(1042)이 형성된다. 경사면(1042)은 활성 영역(S)의 외측에 배치되도록 제2 전극(1040)에 구비될 수 있다.
이와 같이, 제1-1 갭(G1-1)을 구비하여 높은 Q 성능을 구현할 수 있다. 즉, 제1-1 갭(G1-1)이 캐패시터(Capacitor)로 작동되어 높은 주파수 대역에서도 높은 Q 성능을 구현할 수 있다.
다시 말해, 제1-1 갭(G1-1)의 간극을 작게 하여 제1-1 갭(G1-1)에 큰 캐패시턴스(Capacitance) 값을 갖게 하면, 고주파 영역에서 신호 손실을 줄일 수 있다. 이에 따라, 압전체층(1030)과 제1-1 갭(G1-1)이 만나는 경계면에서 공진 시 발생되는 수직파(Vertical Wave)의 반사 효율을 높일 수 있으므로, 높은 Q 성능을 구현할 수 있는 것이다.
또한, 체적 음향 공진기(1000)의 주파수는 압전체층(1030)의 두께에만 영향을 받기 때문에 이러한 구조에서 제2 전극(1040)의 두께를 증가시킬 수 있으므로, 주파수에 제한받지 않고 제2 전극(1040)에 의한 저항을 줄일 수 있다. 이에 따라, 공진점에서 높은 Q 성능을 구현할 수 있는 것이다.
더하여, 제1 갭(G1)이 제1-2 갭(G1-2)을 구비하므로, 공진 구동 시 발생되는 수평파(Lateral Wave)로 인한 에너지 누설(Energy Leakage)를 줄일 수 있다. 이에 따라, 압전체층(130)에 인가되는 전기장(Electric Field) 차이가 유발되는 경계면에서 수평파(Lateral Wave)를 반사시켜 반공진점에서 높은 Q 성능을 구현할 수 있게 된다. 즉, 제1-1 갭(G1-1)의 경계면에서 캐패시턴스(Capacitance) 값이 급격하게 변화되므로 수평파(Lateral Wave)가 반사될 수 있다. 이에 따라 반공진점에서 높은 Q 성능을 구현할 수 있는 것이다.
다시 말해, 제1-1 갭(G1-1)이 형성되는 영역은 제1 캐패시터부를 형성하고, 제1-1 갭(G1-1)의 외측에는 제1 캐패시터부의 캐패시턴스 값과 다른 캐패시턴스 값을 가지는 제2 캐패시터부가 형성된다. 이에 따라 반공진점에서 높은 Q 성능을 구현할 수 있는 것이다.
도 15는 본 발명의 제11 실시예에 따른 체적 음향 공진기를 설명하기 위한 설명도이다.
도 15를 참조하면, 제1 전극(1120)과 압전체층(1130)은 일부분에서 상호 이격되어 제1 갭(G1)을 형성한다.
한편, 제1 갭(G1)은 활성 영역(S, Active area)에 배치되는 제1-1 갭(G1-1)과, 활성 영역(S)의 외측에 배치되는 제1-2 갭(G1-2)을 구비할 수 있다. 이를 위해, 제1 전극(1120)에는 경사면(1122)이 형성된다. 경사면(1122)은 활성 영역(S)의 외측에 배치되도록 제1 전극(1120)에 구비될 수 있다.
이와 같이, 제1-1 갭(G1-1)을 구비하여 높은 Q 성능을 구현할 수 있다. 즉, 제1-1 갭(G1-1)이 캐패시터(Capacitor)로 작동되어 높은 주파수 대역에서도 높은 Q 성능을 구현할 수 있다.
다시 말해, 제1-1 갭(G1-1)의 간극을 작게 하여 제1-1 갭(G1-1)에 큰 캐패시턴스(Capacitance) 값을 갖게 하면, 고주파 영역에서 신호 손실을 줄일 수 있다. 이에 따라, 압전체층(1130)과 제1-1 갭(G1-1)이 만나는 경계면에서 공진 시 발생되는 수직파(Vertical Wave)의 반사 효율을 높일 수 있으므로, 높은 Q 성능을 구현할 수 있는 것이다.
또한, 체적 음향 공진기(1100)의 주파수는 압전체층(1130)의 두께에만 영향을 받기 때문에 이러한 구조에서 제1 전극(1140)의 두께를 증가시킬 수 있으므로, 주파수에 제한받지 않고 제1 전극(1140)에 의한 저항을 줄일 수 있다. 이에 따라, 공진점에서 높은 Q 성능을 구현할 수 있는 것이다.
더하여, 제1 갭(G1)이 제1-2 갭(G1-2)을 구비하므로, 공진 구동 시 발생되는 수평파(Lateral Wave)로 인한 에너지 누설(Energy Leakage)를 줄일 수 있다. 이에 따라, 압전체층(1130)에 인가되는 전기장(Electric Field) 차이가 유발되는 경계면에서 수평파(Lateral Wave)를 반사시켜 반공진점에서 높은 Q 성능을 구현할 수 있게 된다. 즉, 제1-1 갭(G1-1)의 경계면에서 캐패시턴스(Capacitance) 값이 급격하게 변화되므로 수평파(Lateral Wave)가 반사될 수 있다. 이에 따라 반공진점에서 높은 Q 성능을 구현할 수 있는 것이다.
다시 말해, 제1-1 갭(G1-1)이 형성되는 영역은 제1 캐패시터부를 형성하고, 제1-1 갭(G1-1)의 외측에는 제1 캐패시터부의 캐패시턴스 값과 다른 캐패시턴스 값을 가지는 제2 캐패시터부가 형성된다. 이에 따라 반공진점에서 높은 Q 성능을 구현할 수 있는 것이다.
압전체층(1130)은 제1 전극(1120)의 적어도 일부분의 상부에 배치된다. 한편, 압전체층(1130)은 전기적 에너지를 탄성파 형태의 기계적 에너지로 변환하는 압전 효과를 일으키는 구성이다. 일예로서, 압전체층(1130)은 질화 알루미늄(AlN), 산화아연(ZnO), 납 지르코늄 티타늄 산화물(PZT; PbZrTiO) 중 하나로 형성될 수 있다. 또한, 압전체층(1130)은 희토류 금속(Rare earth metal)을 더 포함할 수 있다. 일 예로, 희토류 금속은 스칸듐(Sc), 에르븀(Er), 이트륨(Y), 및 란탄(La) 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 또한, 일 예로 전이 금속은 티타늄(Ti), 지르코늄(Zr), 하프늄(Hf), 탄탈륨 (Ta), 니오비윰 (Nb) 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 또한, 2가 금속인 마그네슘(Mg)도 포함될 수 있다.
한편, 압전체층(1130)에는 표면처리층(1132)을 구비할 수 있다. 표면처리층(1132)은 압전체층(1130)의 하면에 배치될 수 있다. 일예로서, 표면처리층(1132)은 도핑이나 열처리를 통해 형성될 수도 있으며, 표면처리층(1132)은 압전체층(1130)의 증착 조건(예를 들어, 온도 또는 RF Power 조절)의 변화를 통한 스트레스 변화 처리를 통해 형성될 수 있다.
이와 같이, 압전체층(1130)의 하면에 표면처리층(1132)이 구비되므로, 압전체층(1130)이 공기층에 노출되는 경우와 비교하여 공진기의 성능(즉, Kt2)을 향상시킬 수 있다.
도 16은 본 발명의 제12 실시예에 따른 체적 음향 공진기를 설명하기 위한 설명도이다.
도 16을 참조하면, 제1 전극(1220)과 압전체층(1230)은 일분분에서 상호 이격되어 제1 갭(G1)을 형성하고, 압전체층(1230)과 제2 전극(1240)은 일부분에서 상호 이격되어 제2 갭(G2)을 형성한다.
한편, 제1 갭(G1)은 활성 영역(S)에 배치되는 제1-1 갭(G1-1)과, 활성 영역(S)의 외측에 배치되는 제1-2 갭(G1-2)을 구비할 수 있다. 이를 위해, 제1 전극(1220)에는 경사면(1222)이 형성된다. 경사면(1222)은 활성 영역(S)의 외측에 배치되도록 제1 전극(1220)에 구비될 수 있다.
이와 같이, 제1-1 갭(G1-1)을 구비하여 높은 Q 성능을 구현할 수 있다. 즉, 제1-1 갭(G1-1)이 캐패시터(Capacitor)로 작동되어 높은 주파수 대역에서도 높은 Q 성능을 구현할 수 있다.
다시 말해, 제1-1 갭(G1-1)의 간극을 작게 하여 제1-1 갭(G1-1)에 큰 캐패시턴스(Capacitance) 값을 갖게 하면, 고주파 영역에서 신호 손실을 줄일 수 있다. 이에 따라, 압전체층(1230)과 제1-1 갭(G1-1)이 만나는 경계면에서 공진 시 발생되는 수직파(Vertical Wave)의 반사 효율을 높일 수 있으므로, 높은 Q 성능을 구현할 수 있는 것이다.
또한, 체적 음향 공진기(1200)의 주파수는 압전체층(1230)의 두께에만 영향을 받기 때문에 이러한 구조에서 제1 전극(1220)의 두께를 증가시킬 수 있으므로, 주파수에 제한받지 않고 제1 전극(1220)에 의한 저항을 줄일 수 있다. 이에 따라, 공진점에서 높은 Q 성능을 구현할 수 있는 것이다.
더하여, 제1 갭(G1)이 제1-2 갭(G1-2)을 구비하므로, 공진 구동 시 발생되는 수평파(Lateral Wave)로 인한 에너지 누설(Energy Leakage)를 줄일 수 있다. 이에 따라, 압전체층(1230)에 인가되는 전기장(Electric Field) 차이가 유발되는 경계면에서 수평파(Lateral Wave)를 반사시켜 반공진점에서 높은 Q 성능을 구현할 수 있게 된다. 즉, 제1-1 갭(G1-1)의 경계면에서 캐패시턴스(Capacitance) 값이 급격하게 변화되므로 수평파(Lateral Wave)가 반사될 수 있다. 이에 따라 반공진점에서 높은 Q 성능을 구현할 수 있는 것이다.
다시 말해, 제1-1 갭(G1-1)이 형성되는 영역은 제1 캐패시터부를 형성하고, 제1-1 갭(G1-1)의 외측에는 제1 캐패시터부의 캐패시턴스 값과 다른 캐패시턴스 값을 가지는 제2 캐패시터부가 형성된다. 이에 따라 반공진점에서 높은 Q 성능을 구현할 수 있는 것이다.
또한, 제2 전극(1240)과 압전체층(1230) 사이에는 제2 갭(G2)이 배치된다. 한편, 제2 갭(G2)은 활성 영역(S, Active area)에 배치되는 제2-1 갭(G2-1)과, 활성 영역(S)의 외측에 배치되는 제2-2 갭(G2-2)을 구비할 수 있다. 이를 위해, 제2 전극(1240)에는 경사면(1242)이 형성된다. 경사면(1242)은 활성 영역(S)의 외측에 배치되도록 제2 전극(1240)에 구비될 수 있다.
이와 같이, 제2-1 갭(G2-1)을 구비하여 높은 Q 성능을 구현할 수 있다. 즉, 제2-1 갭(G2-1)이 캐패시터(Capacitor)로 작동되어 높은 주파수 대역에서도 높은 Q 성능을 구현할 수 있다.
다시 말해, 제2-1 갭(G2-1)의 간극을 작게 하여 제2-1 갭(G2-1)에 큰 캐패시턴스(Capacitance) 값을 갖게 하면, 고주파 영역에서 신호 손실을 줄일 수 있다. 이에 따라, 압전체층(1230)과 제2-1 갭(G2-1)이 만나는 경계면에서 공진 시 발생되는 수직파(Vertical Wave)의 반사 효율을 높일 수 있으므로, 높은 Q 성능을 구현할 수 있는 것이다.
또한, 체적 음향 공진기(1200)의 주파수는 압전체층(1230)의 두께에만 영향을 받기 때문에 이러한 구조에서 제2 전극(1240)의 두께를 증가시킬 수 있으므로, 주파수에 제한받지 않고 제2 전극(1240)에 의한 저항을 줄일 수 있다. 이에 따라, 공진점에서 높은 Q 성능을 구현할 수 있는 것이다.
더하여, 제2 갭(G2)이 제2-2 갭(G2-2)을 구비하므로, 공진 구동 시 발생되는 수평파(Lateral Wave)로 인한 에너지 누설(Energy Leakage)를 줄일 수 있다. 이에 따라, 압전체층(1230)에 인가되는 전기장(Electric Field) 차이가 유발되는 경계면에서 수평파(Lateral Wave)를 반사시켜 반공진점에서 높은 Q 성능을 구현할 수 있게 된다. 즉, 제2-1 갭(G2-1)의 경계면에서 캐패시턴스(Capacitance) 값이 급격하게 변화되므로 수평파(Lateral Wave)가 반사될 수 있다. 이에 따라 반공진점에서 높은 Q 성능을 구현할 수 있는 것이다.
다시 말해, 제2-1 갭(G2-1)이 형성되는 영역은 제3 캐패시터부를 형성하고, 제2-1 갭(G2-1)의 외측에는 제3 캐패시터부의 캐패시턴스 값과 다른 캐패시턴스 값을 가지는 제4 캐패시터부가 형성된다. 이에 따라 반공진점에서 높은 Q 성능을 구현할 수 있는 것이다.
한편, 제1 갭(G1)과 제2 갭(G2)에는 공기의 유전율보다 높은 유전율을 가지는 기체(V)가 충진될 수 있다. 이와 같이, 제1,2 갭(G1,G2)에 공기의 유전율보다 높은 유전율을 가지는 기체가 충진되므로, 높은 캐패시턴스 값을 얻을 수 있다. 따라서, 좁은 갭(100Å 이하)을 구현해야 하는 경우의 공정의 어려움을 극복할 수 있다. 즉, 좁은 갭을 구현하는 대신 공기의 유전율보다 높은 유전율을 가지는 기체를 충진하여 좁은 갭을 구현할 필요가 없으므로, 공정의 어려움을 극복할 수 있는 것이다.
이상에서 본 발명의 실시예에 대하여 상세하게 설명하였지만 본 발명의 권리범위는 이에 한정되는 것은 아니고, 청구범위에 기재된 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 다양한 수정 및 변형이 가능하다는 것은 당 기술분야의 통상의 지식을 가진 자에게는 자명할 것이다.
100 : 체적 음향 공진기
110 : 기판
120 : 제1 전극
130 : 압전체층
140 : 제2 전극
150 : 스페이서

Claims (14)

  1. 기판;
    상기 기판의 상부에 배치되는 제1 전극;
    상기 제1 전극의 적어도 일부분의 상부에 배치되는 압전체층; 및
    상기 압전체층의 적어도 일부분의 상부에 배치되는 제2 전극;
    을 포함하며,
    상기 제1,2 전극 중 적어도 하나는 적어도 일부분이 상기 압전체층으로부터 이격 배치되어 빈 공간을 형성하며,
    상기 제1,2 전극 중 적어도 하나와 상기 압전체층은 동일한 간격의 빈 공간을 형성하는 제1 영역과 상기 제1 영역과 다른 간격의 빈 공간을 형성하는 제2 영역을 형성하며,
    상기 제1 영역은 활성 영역에 배치되고 상기 제2 영역은 활성 영역의 외측에 배치되는 체적 음향 공진기.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 제1 영역에서의 상기 제1,2 전극 중 적어도 하나와 상기 압전체층의 이격 거리가 상기 제2 영역에서의 상기 제1,2 전극 중 적어도 하나와 상기 압전체층의 이격 거리보다 작은 체적 음향 공진기.
  3. 제2항에 있어서,
    상기 제2 전극과 상기 압전체층은 이격 거리가 서로 다른 영역을 가지는 체적 음향 공진기.
  4. 제3항에 있어서,
    상기 제1 전극과 상기 압전체층의 이격 거리가 일정한 체적 음향 공진기.
  5. 제2항에 있어서,
    상기 제1 전극과 상기 압전체층은 이격 거리가 서로 다른 영역을 가지는 체적 음향 공진기.
  6. 제5항에 있어서,
    상기 제2 전극과 상기 압전체층의 이격 거리가 일정한 체적 음향 공진기.
  7. 제1항에 있어서,
    상기 제1 전극과 상기 제2 전극 중 적어도 하나에는 경사면을 가지는 체적 음향 공진기.
  8. 제1항에 있어서,
    상기 압전체층에는 적어도 하나의 경사면을 가지는 체적 음향 공진기.
  9. 제1항에 있어서,
    상기 제1,2 전극 중 적어도 하나에는 곡면을 가지는 체적 음향 공진기.
  10. 제1항에 있어서,
    상기 제1 영역에서의 상기 제1,2 전극 중 적어도 하나와 상기 압전체층의 이격 거리가 상기 제2 영역에서의 상기 제1,2 전극 중 적어도 하나와 상기 압전체층의 이격 거리보다 큰 체적 음향 공진기.
  11. 제1항에 있어서,
    상기 압전체층에는 표면처리층이 구비되는 체적 음향 공진기.
  12. 제1항에 있어서,
    상기 제1,2 전극과 상기 압전체층이 이격 배치되는 영역에는 공기보다 유전율이 높은 가스가 충진되는 체적 음향 공진기.
  13. 제1항에 있어서,
    상기 제1,2 전극 중 적어도 하나와 상기 압전체층 사이에 배치되는 스페이서를 더 포함하는 체적 음향 공진기.
  14. 기판;
    상기 기판의 상부에 배치되는 제1 전극;
    상기 제1 전극의 적어도 일부분의 상부에 배치되는 압전체층; 및
    상기 압전체층의 적어도 일부분의 상부에 배치되는 제2 전극;
    을 포함하며,
    상기 제1,2 전극 중 적어도 하나는 적어도 일부분이 상기 압전체층으로부터 이격 배치되며,
    상기 제1,2 전극 중 적어도 하나와 상기 압전체층은 제1 캐패시턴스 값을 가지는 제1 캐패시터부와, 상기 제1 캐패시턴스 값과 다른 캐패시턴스 값을 가지는 제2 캐패시터부를 형성하며,
    상기 제1 캐패시터부는 활성 영역에 배치되며, 상기 제2 캐패시터부는 상기 활성 영역의 외부에 배치되는 체적 음향 공진기.
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