KR102037914B1 - 기판 처리 장치 - Google Patents

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KR102037914B1
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세메스 주식회사
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Abstract

본 발명은 기판 처리 장치에 관한 것이다. 본 발명의 일 실시 예에 따른 기판 처리 장치는 공정 챔버; 상기 공정 챔버 내에 제공되어 상기 기판을 지지하는 지지 부재; 상기 지지 부재에 놓인 상기 기판을 가열하는 가열 유닛; 및 상기 공정 챔버의 내부 공간의 기체를 배기하는 배기라인을 포함하되, 상기 배기라인은, 상기 공정 챔버에 형성된 배기구와 연결되는 제 1 라인; 상기 제 1 라인을 감싸도록 고정 설치되는 제 2 라인을 포함한다.

Description

기판 처리 장치{SUBSTRATE TREATING APPARATUS}
본 발명은 기판 처리 장치에 관한 것이다.
반도체 소자 또는 액정 디스플레이를 제조하기 위해서, 포토리소그라피, 식각, 이온주입, 증착 그리고 세정의 다양한 공정들이 수행된다. 이러한 공정들 중 포토리소그라피 공정은 기판 상에 원하는 패턴을 형성시킨다.
포토리소그라피 공정은 기판 상에 약액을 도포하는 도포공정, 도포된 감광막 위에 특정 패턴을 형성하는 노광공정, 그리고 노광된 감광막에 불필요한 영역을 제거하는 현상공정이 순차적으로 이루어진다.
도 1 및 도 2는 일반적인 기판 처리 장치를 보여주는 도면이다.
도 1을 참조하면, 기판 처리 장치(10)는 내부에 베이크 공정을 수행하는 공간을 제공하는 챔버(2)와, 챔버(2) 내부에 위치되어 공정시 기판(s)을 가열하는 지지부재(3), 그리고 배기라인(4)를 포함한다. 베이크 공정을 수행하는 과정에서 발생되는 흄(fume)은 배기라인(4)을 통해 외부로 배출된다. 그리고, 유입구(5)를 통해서 외부에서 기체가 유입될 수 있다.
기판(S)의 반입 또는 반출을 위해 챔버(2)의 일부는 상하로 이동되게 제공된다. 배기라인(4)은 제 1 라인(4a), 제 2 라인(4b) 및 연결라인(4c)을 포함한다. 제 1 라인(4a)은 챔버(2)와 연결된다. 제 2 배기라인(4b)은 기판 처리 장치(10)의 외부와 연결된다. 제 1 라인(4a)과 제2 라인(4b)은 그 길이가 가변되는 연결라인(4c)으로 연결되어, 챔버(2)의 일부가 상하로 이동할 수 있도록 한다. 연결라인(4c)에는 내부에 주름이 형성되어, 배기되는 기체에 포함되는 흄이 쌓인다. 따라서, 흄으로 인해 연결라인(4c)의 내경이 좁아지면, 챔버(2)의 기체가 원활히 배출되지 않는단. 또한, 기체가 원활하게 배출되지 않아 배기라인(4)에 쌓인 흄은 챔버(2)로 유입되어 불량을 야기한다. 또한, 연결라인(4c)은 사용 중 잦은 수리를 요구한다.
본 발명은 흄의 배출이 원활히 이루어 지는 배기 라인을 갖는 기판 처리 장치를 제공하기 위한 것이다.
또한, 본 발명은 긴 수명을 갖는 배기 라인을 갖는 기판 처리 장치를 제공하기 위한 것이다.
또한, 본 발명은 실링성이 향상된 기판 처리 장치를 제공하기 위한 것이다.
또한, 본 발명은 클리닝 작업이 용이한 기판 처리 장치를 제공하기 위한 것이다.
본 발명의 일 측면에 따르면, 기판을 가열하는 기판 처리 장치에 있어서, 공정 챔버; 상기 공정 챔버 내에 제공되어 상기 기판을 지지하는 지지 부재; 상기 지지 부재에 놓인 상기 기판을 가열하는 가열 유닛; 및 상기 공정 챔버의 내부 공간의 기체를 배기하는 배기라인을 포함하되, 상기 배기라인은, 상기 공정 챔버에 형성된 배기구와 연결되는 제 1 라인; 상기 제 1 라인을 감싸도록 고정 설치되는 제 2 라인을 포함하는 기판 처리 장치가 제공될 수 있다.
본 발명의 다른 측면에 따르면, 기판을 가열하는 기판 처리 장치에 있어서, 공정 챔버; 상기 공정 챔버 내에 제공되어 상기 기판을 지지하는 지지 부재; 상기 지지 부재에 놓인 상기 기판을 가열하는 가열 유닛; 및 상기 공정 챔버의 내부 공간의 기체를 배기하는 배기라인을 포함하되, 상기 배기라인은, 상기 공정 챔버에 형성된 배기구와 연결되는 제 1 라인; 그 단부가 상기 제 1 라인의 내주면에 삽입되도록 고정 설치되는 제 2 라인을 포함할 수 있다.
또한, 상기 배기라인은, 그 길이가 가변 되며, 일단은 상기 제 2 라인의 외주면에 고정되고 타단은 상기 공정 챔버에 고정되는 연결라인을 더 포함할 수 있다.
또한, 상기 제 2 라인의 외주면에는 반경 방향으로 돌출된 제 1 연결부가 제공되고, 상기 연결라인의 일단은 상기 제 1 연결부에 연결될 수 있다.
또한, 상기 공정 챔버의 외면에는 상기 제 1 라인의 외주면과 이격 되며, 상기 제 1 라인을 감싸도록 제공되는 제 2 연결부가 제공되고, 상기 연결라인의 타단은 상기 제 2 연결부에 연결될 수 있다.
또한, 상기 제 2 연결부에는 상기 연결라인과 상기 제 1 라인 또는 상기 제 2 라인 사이에 형성되는 공간과 연통되는 압력 조절홀이 형성될 수 있다.
본 발명의 일 실시 예에 의하면, 흄의 배출이 원활이 이루어 질 수 있다.
또한, 본 발명의 일 실시 예에 의하면, 배기 라인의 수명이 길게 제공될 수 있다.
또한, 본 발명의 일 실시 예에 의하면, 기판 처리 장치의 실링성이 향상될 수 있다.
또한, 본 발명의 일 실시 예에 의하면, 간단히 클리닝 작업이 수행될 수 있다.
도 1 및 도 2는 일반적인 종래 기판 처리 장치를 보여주는 도면이다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치의 평면도이다.
도 4는 본 발명의 일 실시 예에 따른 베이크 유닛을 나타내는 도면이다.
도 5는 제 1 하우징이 상승될 때의 배기 라인의 모습을 나타내는 도면이다.
도 6은 제 1 하우징이 하강 될 때의 배기 라인의 모습을 나타내는 도면이다.
도 7은 다른 실시 예에 따른 배기 라인의 모습을 나타내는 도면이다.
도 8은 또 다른 실시 예에 따른 배기 라인의 모습을 나타내는 도면이다.
이하, 본 발명의 실시 예를 첨부된 도면들을 참조하여 더욱 상세하게 설명한다. 본 발명의 실시 예는 여러 가지 형태로 변형할 수 있으며, 본 발명의 범위가 아래의 실시 예들로 한정되는 것으로 해석되어서는 안 된다. 본 실시 예는 당업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 더욱 완전하게 설명하기 위해 제공되는 것이다. 따라서 도면에서의 요소의 형상은 보다 명확한 설명을 강조하기 위해 과장되었다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치의 평면도이다.
도 3을 참조하면, 기판 처리 장치(10)는 도포공정, 노광공정, 그리고 현상공정을 연속적으로 처리할 수 있다. 기판 처리 장치(10)는 인덱서부(11), 공정 처리부(20), 인터페이스부(30), 그리고 노광 공정부(40)를 포함한다.
인덱서부(11)는 로드 포트(12) 및 이송 유닛(14)을 포함한다. 로드 포트(12)는 복수의 기판을 수용하는 카세트(C)가 놓여지는 로드부를 가진다. 이송 유닛(14)은 로드 포트(12)와 공정 처리부(20) 사이에 배치되며, 로드 포트(12)에 위치된 카세트(C)와 공정 처리부(20) 상호간에 기판을 이송한다.
공정 처리부(20)는 기판처리공정을 수행한다. 여기서, 기판처리공정은 도포 공정, 베이크 공정, 그리고 현상 공정을 포함한다. 이를 위해, 공정 처리부(20)는 도포 유닛(22), 현상 유닛(24), 그리고 다수의 베이크 유닛 (100)들을 포함한다. 도포 유닛(22)은 기판 상에 감광액을 도포시킨다. 현상 유닛(24)은 감광액 막질이 형성된 기판에 현상액을 공급하여 기판을 현상시킨다. 그리고, 베이크 유닛(100)은 기판을 기 설정된 온도로 가열한다. 공정 처리부(20)는 적어도 하나의 이송 로봇(26)을 구비한다. 이송 로봇(26)은 각각의 유닛들(22, 24, 100) 상호간에 기판을 이송한다.
인터페이스부(30)는 공정 처리부(20)와 노광 공정부(30) 상호간에 기판을 이송하고, 노광 공정부(40)은 인터페이스부(30)로부터 이송받은 기판 상에 공정상 요구되는 패턴을 형성시키는 노광 공정을 수행한다. 노광 공정부(40)로는 상기 노광 공정을 수행하는 이른바 스텝퍼와 같은 노광 공정 장치가 사용될 수 있다.
도 4는 본 발명의 일 실시 예에 따른 베이크 유닛을 나타내는 도면이다.
도 4를 참조하면, 베이크 유닛(100)은 공정 챔버(120), 지지부재(130), 가이드 부재(150) 및 배기 라인(160)을 포함한다.
공정 챔버(120)는 기판이 처리되는 내부공간을 형성한다. 공정 챔버(120)는 공정실(110)에 위치된다. 공정실(110)은 외부와 차폐되는 공간을 제공할 수 있다. 공정 챔버(120)는 베이크 유닛(100)에서 처리되는 기판의 형상에 대응하는 형상을 가질 수 있다. 예를 들어, 기판이 반도체 소자 제조를 위한 것인 경우, 공정 챔버(120)는 원통형상으로 제공될 수 있다. 또한, 기판이 액정 디스플레이 제조를 위한 것인 경우 육면체 형상으로 제공될 수 있다. 이하에서, 기판이 반도체 소자 제조를 위한 것인 경우를 예로 들어 설명한다. 그러나, 본 발명은 액정 디스플레이 제조를 위한 기판 처리에도 적용될 수 있다.
공정 챔버(120)는 제 1 하우징(121) 및 제 2 하우징(122)을 포함한다. 제 1 하우징(121)은 상측이 개방된 통 형상으로 제공될 수 있다. 그리고, 제 2 하우징(122)은 제 1 하우징(121)의 개방된 상측에 대응하여, 하측이 개방된 통 형상 또는 플레이트 형상으로 제공될 수 있다.
제 2 하우징(122)이 제 1 하우징(121)의 개방된 상측에 위치되면, 제 1 하우징(121) 및 제 2 하우징(122)이 형성하는 내부공간은 밀폐된다. 제 2 하우징(122)은 상하로 이동 가능하게 제공된다. 제 2 하우징(122)이 제 1 하우징(121)의 상면과 일정 거리 이격 되게 위쪽으로 이동된 상태에서, 내부 공간의 기판이 반출되거나 외부에서 기판이 내부공간으로 반입된다. 처리될 기판이 내부 공간으로 반입되면 제 2 하우징(122)은 제 1 하우징(121)의 상면에 위치되어 내부 공간을 차폐한다.
제 2 하우징(122)이 제 1 하우징(121)에서 이격 된 상태에서 기판이 공정 챔버(120)로 반입된 후, 제 2 하우징(122)은 제 1 하우징(121)의 상측에 위치된다. 공정 챔버(120)의 상부에는 유입구(123)가 형성될 수 있다. 예를 들어 유입구(123)는 공정 챔버(123)의 상면에 위치되도록 제 2 하우징(122)에 형성될 수 있다. 또한, 유입구(123)는 공정 챔버(120)의 측면에 위치되도록 제 2 하우징(122) 또는 제 1 하우징(121)에 형성될 수 있다. 공정 챔버(120) 외부의 기체는 유입구(123)를 통해 내부 공간으로 유입될 수 있다.
지지부재(130)는 공정 챔버(120)의 내부공간에 설치된다. 지지부재(130)는 상부에서 보았을 때 기판보다 큰 면적을 가지게 제공될 수 있다. 지지부재(130)는 원판 형상 또는 다각형 형상으로 제공되어, 제 1 하우징(121)에 고정된다. 공정 챔버(120) 내부로 반입된 기판(s)은 지지부재(130)에 위치된다.
지지부재(130)에는 가열유닛(140)이 설치된다. 가열유닛(140)은 지지부재(130)와 열교환 가능하게 제공된다. 가열유닛(140)은 지지부재(130) 내부에 설치되거나, 지지부재(130)의 하면에 접하게 설치된다. 가열유닛(140)이 동작하면, 가열유닛(140)에서 발생한 열이 기판(s)에 전도되어, 기판(s)이 가열된다.
가이드 부재(150)는 지지부재(130)와 대향되게 지지부재(130)의 위쪽에 위치된다. 가이드 부재(150)는 지지부재(130)와 대응하는 형상을 갖는 플레이트로 제공될 수 있다. 예를 들어, 지지부재(130)의 상면이 원형으로 제공되는 경우, 가이드 부재(150)는 중앙에 홀이 형성된 원형의 플레이트로 제공될 수 있다. 가이드 부재(150)의 상면 및 측면은 하우징의 내벽과 일정거리 이격 되게 위치된다. 가이드 부재(150)는 내부공간을 가이드 부재(150) 위쪽의 상부 공간과 가이드 부재(150) 아래쪽의 하부 공간으로 구획한다. 가이드 부재(150)의 상면과 하우징 사이에는 연결부(151)가 제공된다. 연결부(151)는 가이드 부재(150)를 제 2 하우징(122)과 연결하여, 가이드 부재(150)가 제 2 하우징(122)과 함께 이동되게 한다. 가이드 부재(150)는 유입구(123)로 유입된 외부의 기체가 기판의 상면으로 바로 공급되지 않고, 상부 공간에서 지지부재(130)의 측면으로 이동되도록 한다. 따라서, 가열되는 기판이 외부에서 유입된 기체에 의해 온도 분포가 불균일 해지는 것을 방지된다. 베이크 공정이 수행되는 동안, 내부 공간의 가열된 기체 또는 기판에서 증발된 흄은 제 2 하우징(122)에 형성된 배기구(124)를 통해 배출된다. 이 때, 가이드 부재(150)는 기판의 위쪽에서 형성되는 기체의 흐름이 균일하게 형성되어, 배기구(124) 쪽으로 이동되도록 한다. 따라서, 기판의 상면에 형성되는 기체의 흐름이 불균일 하여 기판에 불량이 발생하는 것을 방지한다.
또 다른 실시 예에 따르면, 가이드 부재(150)는 생략될 수 있다.
도 5는 제 1 하우징이 상승될 때의 배기 라인의 모습을 나타내는 도면이고, 도 6은 제 1 하우징이 하강 될 때의 배기 라인의 모습을 나타내는 도면이다.
도 4 내지 도 6을 참조하면, 배기 라인(160)은 제 1 라인(161), 제 2 라인(162) 및 연결라인(163)을 포함한다. 배기 라인(160)은 제 2 하우징(122)에 형성되는 배기구(124)와 연통된다. 제 1 라인(161)은 배기구(124)와 연통된다. 제 1 라인(161)은 제 2 하우징(122)의 외면으로 돌출되게 형성된다. 제 1 라인(161)의 연장방향은 제 2 하우징(122)의 이동방향과 동일하게 제공될 수 있다. 제 2 라인(162)의 일단은 제 1 라인(161)의 단부를 감싸도록 제공된다. 제 2 라인(162)의 일단의 내주면 지름은 제 1 라인(161)의 외주면의 지름 이상으로 제공될 수 있다. 따라서, 제 2 하우징(122)이 상하로 이동되면, 제 1 라인(161)은 제 2 라인(162)의 내주면 속을 이동할 수 있다. 제 2 라인(162)의 타단은 기판 처리 장치(10)의 외부와 연통되도록 제공된다. 제2 라인(162)은 공정실(110)에 고정되도록 제공될 수 있다. 제 2 라인(162)과 공정실(110)사이에는 틈이 형성되지 않도록 제공될 수 있다. 따라서, 공정 챔버(120)는 외부로부터의 실링성이 향상될 수 있다.
제 1 라인(161) 또는 제 2 라인(162)은 열 전도성을 가지도록 금속으로 제공될 수 있다. 따라서, 기체 도는 흄이 유동하는 제 1 라인(161) 또는 제 2 라인(162)의 내주면은 그 온도 분포가 급격히 변하는 것이 방지된다. 따라서, 흄이 온도가 낮게 형성되는 제 1 라인(161) 또는 제 2 라인(162)의 내주면에 부착되는 것이 방지된다.
제 2 라인(162)은 직선을 이루도록 제공되거나, 1회 이상 절곡 되게 제공될 수 있다. 연결라인(163)은 제 1 라인(161)과 제 2 라인(162)이 연결되는 부분에 제공된다. 연결라인(163)은 제 1 라인(161) 및 제 2 라인(162)의 일단을 감싸도록 제공된다. 연결라인(163)의 일단은 공정 챔버(120)의 외면에 고정되고, 연결라인(163)의 타단은 제 2 라인(162)의 외면에 연결된다. 연결라인(163)은 그 길이가 가변 가능하게 제공된다. 예를 들어, 연결라인(163)은 벨로우즈로 제공될 수 있다. 제 2 하우징(122)은 제 2 라인(162)의 일단이 제 2 하우징(122)에 접할 때까지 위쪽으로 이동될 수 있다. 또한, 제 2 하우징(122)이 아래로 이동되어 제 1 하우징(121)을 차폐할 때에도, 제 1 라인(161)의 단부는 제 2 라인(162)에 삽입되어 있도록 제공된다.
제 2 라인(162)의 외주면에는 반경 방향으로 돌출된 제 1 연결부(165)가 제공될 수 있다. 연결라인(163)의 타단은 연결부(151)에 연결될 수 있다. 따라서, 연결라인(163)은 제 1 라인(161) 및 제 2 라인(162)의 외주면과 일정 거리 이격 되게 위치될 수 있다. 따라서, 연결라인(163)의 길이가 가변 될 때, 연결라인(163)과 제 1 라인(161) 또는 제 2 라인(162) 사이에 발생되는 마찰로 인해 연결라인(163)이 파손되는 것이 방지될 수 있다.
또한, 제 1 연결부(165)는 생략될 수 있다. 이때, 연결라인(163)은 제 2 라인(162)의 외주면에 직접 연결된다.
본 발명의 실시 예에 따르면, 공정 챔버(120) 내부 공간의 기체 또는 흄이 배기되는 배관에는 주름이 형성되지 않는다. 따라서, 기체 또는 흄은 원활하게 배출될 수 있다. 또한, 기체 또는 흄이 유동되는 제 1 라인(161) 또는 제 2 라인(162) 내주면의 클리닝 작업이 용이하다.
도 7은 다른 실시 예에 따른 배기 라인의 모습을 나타내는 도면이다.
도 7을 참조하면, 제 2 하우징(122b)의 외면에는 제 2 연결부(125b)가 제공된다. 제 2 연결부(125b)는 제 1 라인(161b)의 외주면과 일정거리 이격되어 위치된다. 제 2 연결부(125b)는 제 1 라인(161b)을 감싸는 원 또는 다각형으로 제공될 수 있다. 제 2 연결부(125b)는 제 1 라인(161b)의 반경 방향을 따라 일정 폭을 갖도록 형성된다. 연결부(151)와 제 2 하우징(122b)의 상면이 연결되는 부분에는 압력 조절홀(126)들이 형성된다. 연결라인(163b)의 일단은 제 1 연결부(165b)에 연결되고, 연결라인(163b)의 타단은 제 2 연결부(125b)에 연결된다.
제 2 하우징(122b)이 상부 또는 하부로 이동하는 동안 제 1라인(161b) 또는 제 2 라인(162b)과 연결라인(163b) 사이에 형성되는 공간은 체적이 변한다. 따라서, 압력 조절홀(126)을 통해 기체가 유입되거나 배출되어 제 1 라인(161b) 또는 제 2 라인(162b)과 연결라인(163b) 사이에 형성되는 공간의 압력이 조절된다. 따라서, 압력 변화로 인한 연결 라인(163b)의 파손이 방지될 수 있다.
또한, 제 2 라인(162b)의 내주면은 제 1 라인(161b)의 외주면과 일정 거리 이격 되게 제공될 수 있다. 제 1 라인(161b) 또는 제 2 라인(162b)과 연결라인(163b) 사이에 형성되는 공간의 기체는 제 2 라인(162b)으로 유동될 수 있다. 따라서, 제 2 하우징(122b)의 이동 시, 제 1라인 또는 제 2 라인(162b)과 연결라인(163b) 사이에 형성되는 공간의 압력이 조절될 수 있다.
연결라인(163b) 및 도면에서 생략된 제 1 하우징, 지지부재, 가이드 부재 및 가열 유닛은 도 3과 동일하다. 따라서, 반복된 설명은 생략한다.
도 8은 또 다른 실시 예에 따른 배기 라인의 모습을 나타내는 도면이다.
도 8을 참조하면, 제 2 라인(161c)의 일단은 제 1 라인(161c)에 삽입되게 제공될 수 있다. 제 1 라인(161c)의 내주면의 지름은 제 2 라인(161c)의 외주면의 지름 이상으로 제공될 수 있다. 따라서, 제 2 하우징(122b)은 제 1 라인(161c)의 단부가 제 1 연결부(165b)와 접할 때까지 위쪽으로 이동될 수 있다.
연결라인(163c) 및 도면에서 생략된 제 1 하우징, 지지부재, 가이드 부재 및 가열 유닛은 도 3과 동일하다. 따라서, 반복된 설명은 생략한다.
이상의 상세한 설명은 본 발명을 예시하는 것이다. 또한 전술한 내용은 본 발명의 바람직한 실시 형태를 나타내어 설명하는 것이며, 본 발명은 다양한 다른 조합, 변경 및 환경에서 사용할 수 있다. 즉 본 명세서에 개시된 발명의 개념의 범위, 저술한 개시 내용과 균등한 범위 및/또는 당업계의 기술 또는 지식의 범위내에서 변경 또는 수정이 가능하다. 저술한 실시예는 본 발명의 기술적 사상을 구현하기 위한 최선의 상태를 설명하는 것이며, 본 발명의 구체적인 적용 분야 및 용도에서 요구되는 다양한 변경도 가능하다. 따라서 이상의 발명의 상세한 설명은 개시된 실시 상태로 본 발명을 제한하려는 의도가 아니다. 또한 첨부된 청구범위는 다른 실시 상태도 포함하는 것으로 해석되어야 한다.
10: 기판 처리 장치 11: 인덱서부
20: 공정 처리부 30:인터페이스부
40: 노광 공정부 110: 공정실
120: 공정 챔버 130: 지지부재
140: 가열유닛 150: 가이드 부재
160: 배기 라인

Claims (6)

  1. 기판을 가열하는 기판 처리 장치에 있어서,
    공정실;
    상기 공정실 내부에 제공되는 공정 챔버;
    상기 공정 챔버 내에 제공되어 상기 기판을 지지하는 지지 부재;
    상기 지지 부재에 놓인 상기 기판을 가열하는 가열 유닛; 및
    상기 공정 챔버의 내부 공간의 기체를 배기하는 배기라인을 포함하되,
    상기 공정챔버는,
    제 1 하우징; 및
    상기 제1하우징에 대해 상하 방향으로 상대 이동 가능하며, 상기 제1하우징과 조합되어 상기 내부 공간을 정의하는 제 2 하우징;을 포함하고,
    상기 배기라인은,
    상기 공정 챔버에 형성된 배기구와 연결되는 제 1 라인;
    상기 제 1 라인을 감싸도록 상기 공정실에 고정 설치되는 제 2 라인을 포함하고,
    상기 제 1 라인은 상기 제 2 하우징의 승하강에 의해 상기 제 2 라인의 내주면을 따라 이동되어 상기 제 1 라인이 상기 제 2 라인에 삽입되는 길이는 변경 가능하게 제공되는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  2. 기판을 가열하는 기판 처리 장치에 있어서,
    공정실;
    상기 공정실 내부에 제공되는 공정 챔버;
    상기 공정 챔버 내에 제공되어 상기 기판을 지지하는 지지 부재;
    상기 지지 부재에 놓인 상기 기판을 가열하는 가열 유닛; 및
    상기 공정 챔버의 내부 공간의 기체를 배기하는 배기라인을 포함하되,
    상기 공정챔버는,
    제 1 하우징; 및
    상기 제1하우징에 대해 상하 방향으로 상대 이동 가능하며, 상기 제1하우징과 조합되어 상기 내부 공간을 정의하는 제 2 하우징;을 포함하고,
    상기 배기라인은,
    상기 공정 챔버에 형성된 배기구와 연결되는 제 1 라인;
    그 단부가 상기 제 1 라인의 내주면에 삽입되도록 상기 공정실에 고정 설치되는 제 2 라인을 포함하고,
    상기 제 1 라인은 상기 제 2 하우징의 승하강에 의해 상기 제 2 라인의 외주면을 따라 이동되어 상기 제 2 라인이 상기 제 1 라인에 삽입되는 길이는 변경 가능하게 제공되는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  3. 제 1 항 또는 2 항에 있어서,
    상기 배기라인은, 그 길이가 가변 되며, 일단은 상기 제 2 라인의 외주면에 고정되고 타단은 상기 공정 챔버에 고정되는 연결라인을 더 포함하는 기판 처리 장치.
  4. 제 3 항에 있어서,
    상기 제 2 라인의 외주면에는 반경 방향으로 돌출된 제 1 연결부가 제공되고,
    상기 연결라인의 일단은 상기 제 1 연결부에 연결되는 기판 처리 장치.
  5. 제 3 항에 있어서,
    상기 공정 챔버의 외면에는 상기 제 1 라인의 외주면과 이격 되며, 상기 제 1 라인을 감싸도록 제공되는 제 2 연결부가 제공되고,
    상기 연결라인의 타단은 상기 제 2 연결부에 연결되는 기판 처리 장치.
  6. 제 5 항에 있어서,
    상기 제 2 연결부에는 상기 연결라인과 상기 제 1 라인 또는 상기 제 2 라인 사이에 형성되는 공간과 연통되는 압력 조절홀이 형성되는 기판 처리 장치.
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