KR102024263B1 - Conductive Particles, Point Electrodes comprising the Conductive Particles, and Method for Preparing the Same - Google Patents

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Abstract

본 출원은 전도성 입자, 점전극 및 이들의 제조방법에 관한 것이다. 본 출원의 전도성 입자는 코어, 및 상기 코어의 표면에 피복된 나노구조체를 포함한다. 또한, 본 출원의 점 전극은, 기재 일면에 적층된 비전도성층을 포함하고, 상기 비전도성층은 비전도성 수지의 경화물 내에 상기 전도성 입자가 분산된 형태를 갖는다. 상기 점전극은 포토 레지스트 공정없이도 제조될 수 있기 때문에, 점전극의 제조 비용을 절감할 수 있다.The present application relates to a conductive particle, a point electrode and a method of manufacturing the same. The conductive particles of the present application include a core and nanostructures coated on the surface of the core. In addition, the point electrode of the present application includes a nonconductive layer laminated on one surface of the substrate, and the nonconductive layer has a form in which the conductive particles are dispersed in a cured product of the nonconductive resin. Since the point electrode can be manufactured without a photoresist process, the manufacturing cost of the point electrode can be reduced.

Description

전도성 입자, 이를 포함하는 점 전극, 및 그 제조방법{Conductive Particles, Point Electrodes comprising the Conductive Particles, and Method for Preparing the Same}Conductive Particles, Point Electrodes Containing the Same, and Method for Preparing the Same {Conductive Particles, Point Electrodes comprising the Conductive Particles, and Method for Preparing the Same}

본 출원은 전도성 입자, 이를 포함하는 점 전극, 및 이들의 제조방법에 관한 것이다.The present application relates to conductive particles, a point electrode comprising the same, and a method of manufacturing the same.

종래 기술에서 전도성 입자는, 전도성을 띠는 물질로부터 top-down 또는 bottom-up과 같은 방식을 이용하여 제조되었다. 이때, 입자 전체에 전도성을 부여하기 위해서는, 많은 양의 전도성 물질이 사용되었기 때문에, 고비용이 초래되었다.In the prior art, conductive particles have been produced from conductive materials using methods such as top-down or bottom-up. At this time, in order to impart conductivity to the whole particle, a large amount of conductive material was used, resulting in high cost.

한편, 점 전극이란, 필름의 일정 부분에서만 전극의 특성, 즉 도전성을 띠도록 구성되는 전극을 말한다. 전기적 구동이 일부 면적에서만 발현되려면, 포토레지스트(photoresist) 공정이 필요하다. 그러나 포토레지스트 공정은, 전체 공정의 비용을 증가시킬 뿐 아니라, 공정 중 전극의 손상을 가져올 수 있기 때문에 공정 효율이나 생산성이 저하되는 문제가 있다.In addition, a point electrode means the electrode comprised so that the characteristic of an electrode, ie, electroconductivity, may be made only in a fixed part of a film. For electrical drive to be expressed in only a few areas, a photoresist process is required. However, the photoresist process not only increases the cost of the entire process, but also may cause damage to the electrode during the process, thereby causing a problem of lowering process efficiency and productivity.

본 출원의 일 목적은, 제조단가를 크게 감소시킬 수 있고, 간단한 방법으로 제조될 수 있는 전도성 입자를 제공하는 것이다.One object of the present application is to provide conductive particles which can greatly reduce the manufacturing cost and can be produced by a simple method.

본 출원의 다른 목적은 포토레지스트 공정없이 간단하게 제조될 수 있는 점 전극을 제공하는 것이다.Another object of the present application is to provide a point electrode that can be simply produced without a photoresist process.

본 출원의 상기 및 기타 그 밖의 목적은 하기 상세히 설명되는 본 출원에 의해 모두 달성될 수 있다.These and other objects of the present application can be achieved both by the present application described in detail below.

본 출원에 관한 일례에서, 본 출원은 전도성 입자(conductive particles)에 관한 것이다. 하나의 예시에 따라 도시된 도 1에서와 같이, 본 출원의 전도성 입자(10)는, 코어(11) 및 나노구조체(12)를 포함할 수 있다.In one example of the present application, the present application relates to conductive particles. As shown in FIG. 1 according to one example, the conductive particles 10 of the present application may include a core 11 and a nanostructure 12.

상기 전도성 입자는 그 표면에만 전도성을 갖도록 구성될 수 있다. 보다 구체적으로, 본 출원의 전도성 입자는, 전도성을 가진 나노구조체가 비전도성 코어의 내부에는 존재하지 않고, 코어의 표면에만 피복되도록 구성되기 때문에, 상기 전도성 입자는 그 표면에서만 전도성을 가질 수 있다. 달리 정의되지 않는 한, 본 출원에서 용어 「전도성」은, 측정 대상체, 예를 들어, 전도성 입자의 표면에 피복될 수 있는 나노구조체가 갖는 비저항이 1 x 10-2 Ω.cm 이하인 경우를 의미할 수 있다. 또한, 본 출원에서 용어 「비전도성」은, 측정 대상물, 예를 들어, 코어를 형성할 수 있는 경화물이나 상기 경화물을 형성할 수 있는 화합물로부터 형성된 수지 또는 중합체가 갖는 비저항이 1 x 104 Ω.cm 이상인 경우를 의미할 수 있다. 비저항이 낮을수록 전도성이 우수하기 때문에 용어 「전도성」에 관한 비저항의 하한값은 특별히 한정되지 않고, 비저항이 상기 범위 보다 높을 경우 전도체로서의 기능 수행이 실질적으로 불가능하기 때문에 용어 「비전도성」에 관한 비저항의 상한값은 특별히 한정되지 않는다.The conductive particles may be configured to have conductivity only on their surfaces. More specifically, since the conductive particles of the present application are configured such that the conductive nanostructure does not exist inside the non-conductive core and is coated only on the surface of the core, the conductive particles may have conductivity only on the surface thereof. Unless defined otherwise, the term "conductivity" in the present application shall mean a case where the specific resistance of the nanostructure that can be coated on the surface of the measurement object, for example, conductive particles is 1 x 10 -2 Ω.cm or less. Can be. In addition, in this application, the term "non-conductive" means that the specific resistance of the measurement object, for example, a cured product that can form a core, or a resin or polymer formed from a compound that can form the cured product is 1 x 10 4. It may mean a case of Ω.cm or more. The lower the specific resistance, the better the conductivity, so the lower limit of the specific resistance for the term "conductivity" is not particularly limited, and if the specific resistance is higher than the above range, since the function as a conductor is practically impossible, the specific resistance for the term "non-conductive" The upper limit is not particularly limited.

상기 코어는 구형상(spherical)의 코어일 수 있다. 구형상은, 단면이 실질적으로 원형이거나 타원형인 경우를 포함할 수 있다. 구체적으로, 본 출원의 코어는 0.1 ㎛ 내지 500 ㎛ 범위, 또는 5 ㎛ 내지 100 ㎛ 범위의 직경을 갖는 구형상의 코어일 수 있다.The core may be a spherical core. The spherical shape may include cases where the cross section is substantially circular or elliptical. Specifically, the core of the present application may be a spherical core having a diameter in the range of 0.1 μm to 500 μm, or in the range of 5 μm to 100 μm.

하나의 예시에서, 상기 코어는, 경화성 관능기를 갖는 화합물의 경화물을 포함할 수 있다. 비저항이 1 x 104 Ω.cm 이상인 비전도성 코어를 제공할 수 있다면, 상기 경화물을 형성할 수 있는 화합물의 종류는 특별히 제한되지 않는다. 예를 들어, 상기 비정항의 범위를 만족하고, 1 이상의 열 또는 광 경화성 관능기를 포함하는 화합물이라면 제한없이 사용될 수 있다. 하나의 예시에서, 상기 열 또는 광 경화성 관능기는 아크릴레이트기, 에폭시기, 히드록시기, 이소시아네이트기, 카복실기, 알케닐기, 알키닐기, 산무수물기, 니트릴기 또는 아민기 일 수 있으나, 이에 특별히 제한되는 것은 아니다. 상기 에폭시기는 3개의 고리 구성 원자를 가지는 고리형 에테르를 의미할 수 있으며, 글리시딜기 등을 포함하는 의미로 사용될 수 있다. 상기 경화성 관능기를 포함하는 화합물로는 (메타)아크릴레이트계 수지, 에폭시계 수지 또는 이소시아네이트계 수지를 예로 들 수 있다.In one example, the core may include a cured product of a compound having a curable functional group. If it is possible to provide a non-conductive core having a specific resistance of 1 × 10 4 Ω.cm or more, the kind of the compound capable of forming the cured product is not particularly limited. For example, any compound that satisfies the range of the above non-limiting term and includes at least one thermal or photocurable functional group may be used without limitation. In one example, the thermal or photocurable functional group may be an acrylate group, an epoxy group, a hydroxy group, an isocyanate group, a carboxyl group, an alkenyl group, an alkynyl group, an acid anhydride group, a nitrile group or an amine group, but is not particularly limited thereto. no. The epoxy group may mean a cyclic ether having three ring constituent atoms, and may be used as a meaning including a glycidyl group and the like. Examples of the compound containing the curable functional group include (meth) acrylate resins, epoxy resins or isocyanate resins.

본 출원의 전도성 입자는, 상기 코어 표면에 피복된 전도성 나노구조체를 포함할 수 있다. 본 출원에서, 「나노구조체」는 비저항 값이 1 x 10-2 Ω.cm 이하인 구조체로서, 나노스피어(nanoosphere), 나노튜브(nanotube), 나노와이어(nanowire) 또는 나노로드(nanorod) 등을 포괄하는 의미로 사용될 수 있다.The conductive particles of the present application may include a conductive nanostructure coated on the core surface. In the present application, the "nanostructure" is a structure having a specific resistance value of 1 x 10 -2 Ω.cm or less, and includes nanospheres, nanotubes, nanowires, nanorods, and the like. It can be used to mean.

상기 나노구조체는 고분자에 의해 표면 개질된 나노구조체일 수 있다. 보다 구체적으로, 양친매성 고분자에 의해 표면 개질된 나노구조체일 수 있다. 하나의 예시에서, 상기 양친매성 고분자는, 하기 설명되는 바와 같이, 유화시 액적의 분산성을 확보하기 위해 첨가되는 계면활성제일 수 있다. 하기 설명되는 바와 같이, 양친매성 고분자에 의해 표면 개질된 나노구조체는, 유화에 의한 액적(droplet) 형성시 계면 활성제로서 작용하기 때문에, 분산상과 연속상의 계면, 즉 액적 표면에 흡착될 수 있고, 경화 후에는 전도성 입자의 코어 표면에 피복될 수 있다. 본 출원의 전도성 입자는, 하기 설명되는 점 전극 형성시, 전도성 패스(conductive path)를 제공하는 나노구조체가 코어의 표면에만 피복되도록 구성되기 때문에, 적은 함량의 나누구조체만을 포함하더라도 점 전극을 형성할 수 있다. 예를 들어, 상기 전도성 입자는, 전도성 입자 전체 중량 대비 50 wt% 이하, 40 wt% 이하, 30 wt% 이하, 20 wt% 이하, 또는 10 wt% 이하의 나노구조체를 포함할 수 있다. 상기 나노구조체 함량의 하한은 특별히 제한되지 않으나, 예를 들어 1 wt% 이상, 3 wt% 이상, 또는 5 wt% 이상일 수 있다.The nanostructure may be a nanostructure surface modified by a polymer. More specifically, the nanostructure may be surface modified by an amphipathic polymer. In one example, the amphipathic polymer, as described below, may be a surfactant added to ensure the dispersibility of the droplets during emulsification. As described below, the nanostructures surface-modified by amphipathic polymers act as surfactants in the formation of droplets by emulsification, and therefore can adsorb to the interface of the dispersed and continuous phases, i. It can then be coated on the core surface of the conductive particles. Since the conductive particles of the present application are configured to cover only the surface of the core with a nanostructure providing a conductive path when forming the point electrode described below, it is possible to form the point electrode even if it contains only a small amount of substructures. Can be. For example, the conductive particles may include 50 wt% or less, 40 wt% or less, 30 wt% or less, 20 wt% or less, or 10 wt% or less of the total weight of the conductive particles. The lower limit of the content of the nanostructures is not particularly limited, but may be, for example, 1 wt% or more, 3 wt% or more, or 5 wt% or more.

나노구조체의 표면을 개질할 수 있는 양친매성 고분자, 즉 계면활성제의 종류는 특별히 제한되지 않는다. 예를 들어, 양이온성 계면활성제, 음이온성 계면활성제, 양쪽 이온성 계면활성제 또는 비이온성 계면활성제가 적절히 사용될 수 있다. The kind of amphiphilic polymer that can modify the surface of the nanostructure, that is, the surfactant is not particularly limited. For example, cationic surfactants, anionic surfactants, zwitterionic surfactants or nonionic surfactants can be used as appropriate.

상기 양이온성 계면활성제의 일례로는, 4급(quaternary) 암모늄 화합물, 벤즈알코늄 클로라이드, 세틸트리메틸암모늄 브로마이드, 키토산, 라우릴디메틸벤질암모늄 클로라이드, 아실 카르니틴 히드로클로라이드, 알킬피리디늄 할라이드, 세틸 피리디늄 클로라이드, 양이온성 지질, 폴리메틸메타크릴레이트 트리메틸암모늄 브로마이드, 술포늄 화합물, 폴리비닐피롤리돈-2-디메틸아미노에틸 메타크릴레이트 디메틸 설페이트, 헥사데실트리메틸 암모늄 브로마이드, 포스포늄 화합물, 벤질-디(2-클로로에틸)에틸암모늄브로마이드, 코코넛 트리메틸 암모늄 클로라이드, 코코넛 트리메틸 암모늄 브로마이드, 코코넛 메틸 디히드록시에틸 암모늄 클로라이드, 코코넛 메틸 디히드록시에틸 암모늄 브로마이드, 데실 트리에틸 암모늄 클로라이드, 데실 디메틸 히드록시에틸 암모늄 클로라이드 브로마이드, (C12-C15)디메틸 히드록시에틸 암모늄 클로라이드, (C12-C15)디메틸 히드록시에틸 암모늄 클로라이드 브로마이드, 코코넛 디메틸 히드록시 에틸 암모늄 클로라이드, 코코넛 디메틸 히드록시에틸 암모늄 브로마이드, 미리스틸 트리메틸 암모늄 메틸설페이트, 라우릴 디메틸 벤질 암모늄 클로라이드, 라우릴디메틸 벤질 암모늄 브로마이드, 라우릴 디메틸 (에테녹시)4 암모늄 클로라이드, 라우릴 디메틸 (에테녹시)4 암모늄 브로마이드, N-알킬 (C12-C18)디메틸벤질 암모늄클로라이드, N-알킬 (C14-C18)디메틸-벤질 암모늄 클로라이드, N-테트라데실디메틸벤질 암모늄 클로라이드 일수화물, 디메틸 디데실 암모늄 클로라이드, N-알킬 (C12-C14)디메틸 1-나프틸메틸 암모늄 클로라이드, 트리메틸암모늄 할라이드 알킬-트리메틸암모늄 염, 디알킬-디메틸암모늄 염, 라우릴 트리메틸 암모늄 클로라이드, 에톡실화 알킬아미도알킬디알킬암모늄 염, 에톡실화 트리알킬 암모늄 염, 디알킬벤젠 디알킬암모늄 클로라이드, N-디데실디메틸 암모늄 클로라이드, N-테트라데실디메틸벤질 암모늄 클로라이드 일수화물, N-알킬(C12-C14) 디메틸 1-나프틸메틸 암모늄클로라이드, 도데실디메틸벤질 암모늄 클로라이드, 디알킬 벤젠알킬 암모늄클로라이드, 라우릴 트리메틸 암모늄 클로라이드, 알킬벤질 메틸 암모늄 클로라이드, 알킬 벤질 디메틸 암모늄브로마이드, C12 트리메틸 암모늄 브로마이드, C15 트리메틸암모늄 브로마이드, C17 트리메틸 암모늄 브로마이드, 도데실벤질 트리에틸 암모늄 클로라이드, 폴리디알릴디메틸암모늄 클로라이드, 디메틸 암모늄 클로라이드, 알킬디메틸암모늄 할로게니드, 트리세틸 메틸 암모늄 클로라이드, 데실트리메틸암모늄 브로마이드, 도데실트리에틸암모늄 브로마이드, 테트라데실트리메틸암모늄 브로마이드, 메틸 트리옥틸암모늄 클로라이드, 폴리쿼트(POLYQUAT) 10, 테트라부틸암모늄브로마이드, 벤질 트리메틸암모늄 브로마이드, 콜린 에스테르, 벤즈알코늄 클로라이드, 스테아르알코늄 클로라이드, 세틸 피리디늄 브로마이드, 세틸 피리디늄 클로라이드, 4급화(quaternized) 폴리옥시에틸알킬아민의 할라이드 염, "미라폴(MIRAPOL)" (폴리쿼터늄-2), "알카쿼트(Alkaquat)" (알킬 디메틸 벤질암모늄 클로라이드, 로디아(Rhodia)에 의해 제조됨), 알킬 피리디늄 염, 아민, 아민 염, 이미드 아졸리늄 염, 양성자화 4급 아크릴아미드, 메틸화 4급 중합체, 양이온성구아 검, 벤즈알코늄 클로라이드, 도데실 트리메틸 암모늄 브로마이드, 트리에탄올아민 또는 폴옥사민을 들 수 수 있으나 이에 제한되는 것이 아니다.Examples of the cationic surfactant include quaternary ammonium compounds, benzalkonium chloride, cetyltrimethylammonium bromide, chitosan, lauryldimethylbenzylammonium chloride, acyl carnitine hydrochloride, alkylpyridinium halides and cetyl pyridinium Chloride, cationic lipid, polymethylmethacrylate trimethylammonium bromide, sulfonium compound, polyvinylpyrrolidone-2-dimethylaminoethyl methacrylate dimethyl sulfate, hexadecyltrimethyl ammonium bromide, phosphonium compound, benzyl-di ( 2-chloroethyl) ethylammonium bromide, coconut trimethyl ammonium chloride, coconut trimethyl ammonium bromide, coconut methyl dihydroxyethyl ammonium chloride, coconut methyl dihydroxyethyl ammonium bromide, decyl triethyl ammonium chloride, decyl dimethyl hydride Cethyl ammonium chloride bromide, (C12-C15) dimethyl hydroxyethyl ammonium chloride, (C12-C15) dimethyl hydroxyethyl ammonium chloride bromide, coconut dimethyl hydroxy ethyl ammonium chloride, coconut dimethyl hydroxyethyl ammonium bromide, myristyl trimethyl Ammonium methylsulfate, lauryl dimethyl benzyl ammonium chloride, lauryldimethyl benzyl ammonium bromide, lauryl dimethyl (ethenoxy) 4 ammonium chloride, lauryl dimethyl (ethenoxy) 4 ammonium bromide, N-alkyl (C12-C18) Dimethylbenzyl ammonium chloride, N-alkyl (C14-C18) dimethyl-benzyl ammonium chloride, N-tetradecyldimethylbenzyl ammonium chloride monohydrate, dimethyl didecyl ammonium chloride, N-alkyl (C12-C14) dimethyl 1-naphthylmethyl Ammonium chloride, trimethylammonium halide alkyl-trimethylammon Salts, dialkyl-dimethylammonium salts, lauryl trimethyl ammonium chloride, ethoxylated alkylamidoalkyldialkylammonium salts, ethoxylated trialkyl ammonium salts, dialkylbenzene dialkylammonium chlorides, N-didecyldimethyl ammonium chloride, N Tetradecyldimethylbenzyl ammonium chloride monohydrate, N-alkyl (C12-C14) dimethyl 1-naphthylmethyl ammonium chloride, dodecyldimethylbenzyl ammonium chloride, dialkyl benzenealkyl ammonium chloride, lauryl trimethyl ammonium chloride, alkylbenzyl methyl Ammonium chloride, alkyl benzyl dimethyl ammonium bromide, C12 trimethyl ammonium bromide, C15 trimethylammonium bromide, C17 trimethyl ammonium bromide, dodecylbenzyl triethyl ammonium chloride, polydiallyldimethylammonium chloride, dimethyl ammonium chloride, alkyldimethylammonium halogenide,Tricetyl methyl ammonium chloride, decyltrimethylammonium bromide, dodecyltriethylammonium bromide, tetradecyltrimethylammonium bromide, methyl trioctylammonium chloride, POLYQUAT 10, tetrabutylammonium bromide, benzyl trimethylammonium bromide, choline esters, Benzalkonium chloride, stearalkonium chloride, cetyl pyridinium bromide, cetyl pyridinium chloride, halide salt of quaternized polyoxyethylalkylamine, "MIRAPOL" (polyquaternium-2), " Alkaquat "(alkyl dimethyl benzylammonium chloride, manufactured by Rhodia), alkyl pyridinium salt, amine, amine salt, imide azolinium salt, protonated quaternary acrylamide, methylated quaternary Polymer, cationic guar gum, benzalkonium chloride, dodecyl trimethyl ammonium bromide, t It can be mentioned ethanolamine or poly-oxa min but is not limited to this.

음이온성 계면활성제의 일례로는, 암모늄 라우릴 설페이트, 소듐 1-헵탄설포네이트, 소듐 헥산설포네이트, 소듐 도데실설페이트, 트리에탄올암모늄도데실벤젠설페이트, 칼륨 라우레이트, 트리에탄올아민 스테아레이트, 리튬 도데실설페이트, 소듐 도데실설페이트, 소듐 라우릴설페이트, 알킬 폴리옥시에틸렌 설페이트, 소듐 알기네이트, 디옥틸 소듐 술포숙시네이트, 포스파티딜 글리세롤, 포스파티딜 이노시톨, 포스파티딜세린, 포스파티드산 및 그의 염, 글리세릴 에스테르, 소듐 카르복시메틸셀룰로즈, 담즙산 및 그의 염, 콜산, 데옥시콜산, 글리코콜산, 타우로콜산, 글리코데옥시콜산, 알킬 술포네이트, 아릴 술포네이트, 알킬 포스페이트, 알킬 포스포네이트, 스테아르산 및 그의 염, 칼슘 스테아레이트, 포스페이트, 카르복시메틸셀룰로스 나트륨, 디옥틸술포숙시네이트, 소듐 술포숙신산의 디알킬에스테르, 인지질 또는 칼슘 카르복시메틸셀룰로즈 등을 들 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.Examples of anionic surfactants include ammonium lauryl sulfate, sodium 1-heptanesulfonate, sodium hexanesulfonate, sodium dodecyl sulfate, triethanol ammonium dodecylbenzene sulfate, potassium laurate, triethanolamine stearate, lithium dodecyl Sulfate, sodium dodecyl sulfate, sodium lauryl sulfate, alkyl polyoxyethylene sulfate, sodium alginate, dioctyl sodium sulfosuccinate, phosphatidyl glycerol, phosphatidyl inositol, phosphatidylserine, phosphatidic acid and salts thereof, glyceryl esters, Sodium carboxymethylcellulose, bile acids and salts thereof, cholic acid, deoxycholic acid, glycocholic acid, taurocholic acid, glycodeoxycholic acid, alkyl sulfonates, aryl sulfonates, alkyl phosphates, alkyl phosphonates, stearic acid and salts thereof, Calcium stearate, phosphate, carboxymethylcellulose sodium, Dioctylsulfosuccinate, dialkyl esters of sodium sulfosuccinic acid, phospholipids or calcium carboxymethylcellulose, and the like, but are not limited thereto.

양쪽 이온성 계면활성제의 일례로는, N-도데실-N,N-디메틸-3-암모니오-1-프로판설포네이트, 베타인, 알킬 베타인, 알킬아미도 베타인, 아미도 프로필 베타인, 코코암포카르복시글리시네이트, 사코시네이트 아미노프로피오네이트, 아미노글리시네이트, 이미다졸리늄 베타인, 양쪽성이미다졸린, N-알킬-N,N-디메틸암모니오-1-프로판술폰에이트,3-콜아미도-1-프로필디메틸암모니오-1-프로판술폰에이트, 도데실포스포콜린 및 설포-베타인 등을 들 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.Examples of zwitterionic surfactants include N-dodecyl-N, N-dimethyl-3-ammonio-1-propanesulfonate, betaine, alkyl betaine, alkylamido betaine, amido propyl betaine , Coco ampocarboxyglycinate, sacosinate aminopropionate, aminoglycinate, imidazolinium betaine, zwitteridamidolin, N-alkyl-N, N-dimethylammonio-1-propanesulfone Ate, 3-colamido-1-propyldimethylammonio-1-propanesulfonate, dodecylphosphocholine and sulfo-betaine, and the like, but are not limited thereto.

비이온성 계면활성제의 일례로는, SPAN 60, 폴리옥시에틸렌 지방(fatty) 알코올 에테르, 폴리옥시에틸렌 소르비탄 지방산 에스테르, 폴리옥시에틸렌 지방산 에스테르, 폴리옥시에틸렌 알킬에테르, 폴리옥시에틸렌 피마자유 유도체, 소르비탄 에스테르, 글리세릴 에스테르, 글리세롤 모노스테아레이트, 폴리에틸렌 글리콜, 폴리프로필렌 글리콜, 폴리프로필렌 글리콜 에스테르, 세틸 알코올, 세토스테아릴 알코올, 스테아릴 알코올, 아릴알킬 폴리에테르 알코올, 폴리옥시에틸렌폴리옥시프로필렌 공중합체, 폴록사머, 폴락사민, 메틸셀룰로즈, 히드록시셀룰로즈, 히드록시메틸셀룰로스, 히드록시에틸셀룰로스, 히드록시 프로필셀룰로즈, 히드록시 프로필메틸셀룰로즈, 히드록시프로필메틸셀룰로스 프탈레이트, 비결정성 셀룰로즈, 다당류, 전분, 전분 유도체, 히드록시에틸 전분, 폴리비닐 알코올, 트리에탄올아민 스테아레이트, 아민 옥시드, 덱스트란, 글리세롤, 아카시아 검, 콜레스테롤, 트래거캔스, 또는 폴리비닐피롤리돈 등을 예로 들 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.Examples of nonionic surfactants include SPAN 60, polyoxyethylene fatty alcohol ethers, polyoxyethylene sorbitan fatty acid esters, polyoxyethylene fatty acid esters, polyoxyethylene alkyl ethers, polyoxyethylene castor oil derivatives, and sorbents. Non-ester, glyceryl ester, glycerol monostearate, polyethylene glycol, polypropylene glycol, polypropylene glycol ester, cetyl alcohol, cetostearyl alcohol, stearyl alcohol, arylalkyl polyether alcohol, polyoxyethylene polyoxypropylene copolymer , Poloxamer, poloxamine, methylcellulose, hydroxycellulose, hydroxymethylcellulose, hydroxyethylcellulose, hydroxy propylcellulose, hydroxy propylmethylcellulose, hydroxypropylmethylcellulose phthalate, amorphous cellulose, polysaccharides, starch, Starch induction , Hydroxyethyl starch, polyvinyl alcohol, triethanolamine stearate, amine oxide, dextran, glycerol, acacia gum, cholesterol, tragacanth, or polyvinylpyrrolidone, but is not limited thereto. no.

상기 양친매성 고분자에 의한 나노구조체의 표면 개질 방법은 특별히 제한되지 않는다. 예를 들어, 나노와이어 합성 시, 계면활성제로서 사용가능한 상기 고분자 용매를, 나노와이어 전구체 용액에 투입하는 등의 방법에 의해 나노구조체의 표면을 개질할 수 있다. 또는 나노구조체와 표면 개질용 고분자가 혼합된 용액을 일정 온도에서 교반하여 코팅하는 방식을 통해서도 표면 개질이 이루어질 수 있다.The method for surface modification of the nanostructure by the amphipathic polymer is not particularly limited. For example, when synthesizing nanowires, the surface of the nanostructures may be modified by a method such as adding the polymer solvent usable as a surfactant to a nanowire precursor solution. Alternatively, surface modification may be achieved by coating a solution in which a nanostructure and a polymer for surface modification are mixed at a predetermined temperature.

하나의 예시에서, 상기 나노구조체는 금속 재료로부터 형성될 수 있다. 예를 들어, 상기 나노스피어, 나노와이어 또는 나노로드는, 은(Ag), 금(Au), 구리(Cu), 백금(Pt), 팔라듐(Pd), 니켈(Ni), 코발트(Co), 로듐(Rh), 이리듐(Ir), 루테늄(Ru) 또는 철(Fe) 등과 같은 금속 재료를 포함할 수 있다. 보다 구체적으로, 상기 나노구조체는 은 나노스피어, 은 나노와이어 또는 은 나노로드일 수 있으나, 상기 금속 재료에 제한되는 것은 아니다.In one example, the nanostructures can be formed from a metallic material. For example, the nanospheres, nanowires or nanorods are silver (Ag), gold (Au), copper (Cu), platinum (Pt), palladium (Pd), nickel (Ni), cobalt (Co), Metal materials such as rhodium (Rh), iridium (Ir), ruthenium (Ru) or iron (Fe). More specifically, the nanostructures may be silver nanospheres, silver nanowires or silver nanorods, but are not limited to the metal material.

상기 나노구조체가 나노와이어인 경우, 상기 나노와이어는 0.01 μm 내지 500 μm 범위의 길이, 0.01 μm 내지 10 μm 범위의 직경을 가질 수 있고, 종횡비(aspect ratio)는 상기 길이와 직경비 사이에서 선택되 수 있다. 나노로드의 경우 나노와이어 보다 짧은 길이와 직경을 갖지만, 대략 상기 언급된 나노와이어의 길이 및/또는 직경 범위 내의 것으로 선택될 수 있다. 한편, 나노스피어가 사용되는 경우, 나노스피어의 직경은 0.01 μm 내지 1 μm 범위의 직경을 가질 수 있다.When the nanostructure is a nanowire, the nanowire may have a length in the range of 0.01 μm to 500 μm, a diameter in the range of 0.01 μm to 10 μm, and an aspect ratio is selected between the length and the diameter ratio. Can be. Nanorods have a shorter length and diameter than nanowires, but may be chosen to be approximately within the length and / or diameter ranges of the nanowires mentioned above. On the other hand, when nanospheres are used, the diameter of the nanospheres may have a diameter in the range of 0.01 μm to 1 μm.

또 하나의 예시에서, 상기 나노구조체는 나노튜브일 수 있다. 보다 구체적으로, 상기 나노튜브는 단일벽 또는 다중벽 탄소나노튜브일 수 있다. 상기 탄소나노튜브는 0.01 μm 내지 500 μm 범위의 길이, 및 0.01μm 내지 10 μm 범위의 직경을 가질 수 있다.In another example, the nanostructures may be nanotubes. More specifically, the nanotubes may be single-walled or multi-walled carbon nanotubes. The carbon nanotubes may have a length in the range of 0.01 μm to 500 μm, and a diameter in the range of 0.01 μm to 10 μm.

본 출원에 관한 다른 일례에서, 본 출원은 전도성 입자의 제조방법에 관한 것이다.In another example relating to the present application, the present application relates to a method for producing conductive particles.

본 출원에 따른 전도성 입자의 제조방법은, 양친매성 고분자로 개질된 나노구조체가 표면에 흡착된 액적(droplet)의 경화 단계를 포함할 수 있다. The method for preparing conductive particles according to the present application may include curing of droplets in which nanostructures modified with amphipathic polymers are adsorbed onto a surface.

하나의 예시에서, 상기 액적은 유화(emulsification)에 의한 상분리를 통해 제공될 수 있다. 상기 유화는, 예를 들어, 친수성 및 소수성과 같이, 서로 섞이지 않는 2개의 조성물을 혼합하여 이루어질 수 있다. 보다 구체적으로, 서로 섞이지 않도록, 친수성(hydrophilic) 유기물(또는 친수성 용매)과 소수성(hydrophobic) 유기물(또는 소수성 용매)을 각각 포함하는 서로 다른 조성물, 즉 분산상 조성물과 연속상 조성물을 혼합하여 유화가 이루어질 수 있다. 본 출원에서, 상기 분산상 조성물은, 상기 연속상 조성물 내에 분산되면서 유화입자, 즉 액적을 형성할 수 있는 조성물을 의미할 수 있다. 분산상 조성물이 친수성인 경우 연속상 조성물이 소수성일 수 있고, 그 반대의 경우도 가능하다. 그에 따라, O/W(Oil-in-water) 에멀젼 또는 W/O(Water-in-oil) 에멀젼 등이 형성될 수 있다.In one example, the droplets may be provided through phase separation by emulsification. The emulsification can be accomplished by mixing two compositions that do not mix with each other, for example hydrophilicity and hydrophobicity. More specifically, emulsification is achieved by mixing different compositions, that is, a disperse phase composition and a continuous phase composition, each containing a hydrophilic organic material (or a hydrophilic solvent) and a hydrophobic organic material (or a hydrophobic solvent) so as not to be mixed with each other. Can be. In the present application, the dispersed phase composition may mean a composition capable of forming emulsified particles, that is, droplets while being dispersed in the continuous phase composition. If the dispersed phase composition is hydrophilic, the continuous phase composition may be hydrophobic, and vice versa. Accordingly, an oil-in-water (O / W) emulsion or a water-in-oil (W / O) emulsion or the like may be formed.

본 출원에서 용어 「소수성」과 「친수성」은 상대적인 개념으로 사용될 수 있다. 예를 들어, 소수성 용매와 친수성 용매의 경우, 물에 대한 친화도가 다르기 때문에, 친수성 용매는 물과 섞일 수 있는 반면(water-miscible), 소수성 용매는 물과 섞이지 않고 상분리되는 용매일 수 있다. 2개의 용매만을 혼합할 경우 층 분리되고, 계면활성제와 함께 혼합할 경우에는 유화입자 즉, 액적을 형성할 수 있는 용매라면, 상기 친수성 용매와 소수성 용매의 종류는 특별히 제한되지 않고 당업자에 의해 적절히 선택될 수 있다. In the present application, the terms "hydrophobic" and "hydrophilic" may be used as a relative concept. For example, in the case of hydrophobic solvents and hydrophilic solvents, since the affinity for water is different, the hydrophilic solvent may be water-miscible, whereas the hydrophobic solvent may be a solvent that is phase-separated without mixing with water. If only two solvents are mixed, the layers are separated, and if mixed with a surfactant, the type of the hydrophilic solvent and the hydrophobic solvent is not particularly limited, so long as the solvent is capable of forming emulsified particles, that is, droplets. Can be.

유화를 통해 액적을 형성할 수 있는 분산상 조성물은 경화성 관능기를 갖는 화합물을 포함할 수 있고, 열 경화 또는 광 경화에 의해 전도성 입자의 코어를 형성할 수 있다. 경화에 의해 형성된 코어의 경우, 상기 언급한 바와 같이 비전도성을 띤다.The dispersed phase composition capable of forming droplets through emulsification may include a compound having a curable functional group, and may form a core of conductive particles by thermal curing or light curing. In the case of the core formed by curing, it is non-conductive as mentioned above.

비전도성, 즉, 1 x 104 Ω.cm 이상의 비저항을 갖는 코어를 형성할 수 있다면, 상기 분산상 조성물 내에 포함되는 경화성 관능기를 갖는 화합물의 종류는 특별히 제한되지 않는다. 예를 들어, 아크릴레이트기, 에폭시기, 히드록시기, 이소시아네이트기, 카복실기, 알케닐기, 알키닐기, 산무수물기, 니트릴기 또는 아민기와 같은 관능기가 사용될 수 있다. 상기와 같은 관능기를 포함하는 화합물의 종류 역시 특별히 제한되지 않으며, 예를 들면, 아크릴계 수지, 폴리에스테르계 수지 또는 에폭시계 수지 등이 사용될 수 있으나, 상기 나열된 수지로 제한되는 것은 아니다. As long as it is possible to form a core having a non-conductivity, that is, a resistivity of 1 × 10 4 Ω.cm or more, the kind of the compound having a curable functional group included in the dispersed phase composition is not particularly limited. For example, functional groups such as an acrylate group, an epoxy group, a hydroxyl group, an isocyanate group, a carboxyl group, an alkenyl group, an alkynyl group, an acid anhydride group, a nitrile group or an amine group can be used. The kind of the compound including the functional group as described above is also not particularly limited. For example, an acrylic resin, a polyester resin or an epoxy resin may be used, but is not limited to the resins listed above.

하나의 예시에서, 분산상 조성물에 포함되는 상기 경화성 관능기를 갖는 화합물이 소수성인 경우, 연속상 조성물은 친수성 용매를 포함할 수 있다. 또한, 경화성 관능기를 갖는 화합물이 친수성인 경우, 연속상 조성물은 소수성 용매를 포함할 수 있다. 그에 따라, 액적은 소수성 또는 친수성을 띨 수 있다. 한편, 친수성 또는 소수성 화합물이나, 친수성 또는 소수성 용매는 당업자에 의해 적절히 선택될 수 있다.In one example, when the compound having the curable functional group included in the dispersed phase composition is hydrophobic, the continuous phase composition may include a hydrophilic solvent. In addition, when the compound having a curable functional group is hydrophilic, the continuous phase composition may include a hydrophobic solvent. As such, the droplets may be hydrophobic or hydrophilic. On the other hand, a hydrophilic or hydrophobic compound, or a hydrophilic or hydrophobic solvent may be appropriately selected by those skilled in the art.

본 출원 전도성 입자의 제조방법은, 연속상 조성물과 분산상 조성물의 혼합시 또는 상기 연속상 조성물과 분산상 조성물을 혼합한 후에, 계면활성제를 추가로 첨가할 수 있다. In the method for producing conductive particles of the present application, a surfactant may be further added after mixing the continuous phase composition and the dispersed phase composition or after mixing the continuous phase composition and the dispersed phase composition.

하나의 예시에서, 상기 계면활성제로는, 양친매성 고분자에 의해 표면이 개질된 나노구조체를 사용할 수 있다. 상기 나노구조체의 표면은 양친매성을 갖기 때문에, 유화에 의한 액적(droplet) 형성시 나노구조체가 계면 활성제로서 작용하면서 액적 표면에 흡착될 수 있고, 액적 경화 후에는 상기 나노구조체가 전도성 입자의 코어 표면에 피복될 수 있다. 양친매성 고분자 및 나노구조체의 구성이나 그 밖의 특성은, 상기 언급한 바와 같다.In one example, as the surfactant, a nanostructure whose surface is modified by an amphipathic polymer may be used. Since the surface of the nanostructures are amphiphilic, the nanostructures may be adsorbed onto the droplet surface while acting as a surfactant during droplet formation by emulsification, and after the droplet curing, the nanostructures are the core surface of the conductive particles. Can be coated on. The configuration and other properties of the amphipathic polymer and nanostructure are as mentioned above.

유화 이후, 상기 나노구조체가 표면에 흡착된 액적에 대한 경화가 이루어질 수 있다. 상기 경화는 열 또는 광경화일 수 있고, 경화의 조건은 특별히 제한되지 않는다. 상기 경화를 통해, 액적을 형성하고 있던 경화기를 갖는 화합물이 경화될 수 있고, 그에 따라 전도성 입자의 비전도성 코어가 형성될 수 있다.After emulsification, the nanostructures may be cured for the droplets adsorbed on the surface. The curing may be heat or photocuring, and the conditions of the curing are not particularly limited. Through the curing, the compound having a curing group that was forming droplets can be cured, thereby forming a nonconductive core of conductive particles.

상기 경화를 위해 라디칼 개시제가 사용될 수 있다. 라디칼 개시제는 액적 형성을 위한 혼합물 형성 시 첨가될 수 있다. 라디칼 개시제의 종류나 함량은 특별히 제한되지 않으며, 공지된 다양한 종류의 라디칼 개시제가 적절한 함량으로 선택되어 사용될 수 있다.Radical initiators can be used for the curing. Radical initiators may be added when forming a mixture for droplet formation. The kind or content of the radical initiator is not particularly limited, and various kinds of known radical initiators may be selected and used in an appropriate amount.

상기 전도성 입자는 다양한 용도로 사용될 수 있다. 일례로서, 상기 전도성 입자는 전극 형성용 재료로서 사용될 수 있다. 보다 구체적으로, 상기 전도성 입자는 점 전극(point electrodes)에 사용될 수 있다. The conductive particles can be used for various purposes. As one example, the conductive particles may be used as a material for forming an electrode. More specifically, the conductive particles can be used for point electrodes.

도 2는 상기 전도성 입자를 포함하는 점 전극의 일례를 도시한다. 도시된 바와 같이, 점 전극은, 기재(20) 및 상기 기재의 일면에 마련되는 비전도성층(30)을 포함할 수 있다. 상기 비전도성층에는 전도성 입자(10)가 복수 개 분산될 수 있다. 전도성 입자의 구성이나 그 밖의 특성은 상기 언급된 바와 동일하다.2 shows an example of a point electrode including the conductive particles. As shown, the point electrode may include a substrate 20 and a nonconductive layer 30 provided on one surface of the substrate. A plurality of conductive particles 10 may be dispersed in the nonconductive layer. The configuration or other properties of the conductive particles are the same as mentioned above.

하나의 예시에서, 상기 기재는 투명 전도성 산화물을 포함할 수 있고, 상기 투명 전도성 산화물은 인듐계 복합산화물일 수 있다. 보다 구체적으로, 상기 투명 전도성 산화물은 산화인듐과 4가 금속의 산화물을 포함할 수 있다. 상기 4가 금속 산화물은 하기 화학식 1로 표현될 수 있다.In one example, the substrate may include a transparent conductive oxide, the transparent conductive oxide may be an indium-based composite oxide. More specifically, the transparent conductive oxide may include an oxide of indium oxide and a tetravalent metal. The tetravalent metal oxide may be represented by the following Chemical Formula 1.

[화학식 1][Formula 1]

AO2 AO 2

상기 화학식 1에서, A는 Sn, Zr, Ge, Ti, Ce, Nb, Ta, Mb 및 W로 이루어진 군에서 선택된 4가 금속일 수 있다.In Formula 1, A may be a tetravalent metal selected from the group consisting of Sn, Zr, Ge, Ti, Ce, Nb, Ta, Mb, and W.

상기 투명 전도성 산화물은 인듐계 복합산화물은 ITO(Indium Tin Oxide)일 수 있으나 이에 특별히 제한되는 것은 아니다. 예를 들어, ITO 외에도, In2O3(indium oxide:), IGO(indium galium oxide), FTO(Fluor doped Tin Oxide), AZO(Aluminium doped Zinc Oxide), GZO(Galium doped Zinc Oxide), ATO(Antimony doped Tin Oxide), IZO(Indium doped Zinc Oxide), NTO(Niobium doped Titanium Oxide), ZnO(zink oxide), CTO (Cesium Tungsten Oxide), 또는 OMO(Oxide/Metal/Oxide) 등이 기재로서 사용될 수 있다. 상기 투명 전도성 산화물을 마련하는 방법은 특별히 제한되지 않으며, 예를 들어, 스퍼터링 증착과 같은 공지된 방법을 통해 마련될 수 있다.The transparent conductive oxide may be indium tin oxide (ITO), but is not particularly limited thereto. For example, in addition to ITO, In 2 O 3 (indium oxide :), IGO (indium galium oxide), FTO (Fluor doped Tin Oxide), AZO (Aluminium doped Zinc Oxide), GZO (Galium doped Zinc Oxide), ATO ( Antimony doped Tin Oxide (IZO), Indium doped Zinc Oxide (IZO), Niobium doped Titanium Oxide (NTO), Zink Oxide (ZnO), Cesium Tungsten Oxide (CTO), or Oxide / Metal / Oxide (OMO) have. The method of providing the transparent conductive oxide is not particularly limited, and may be provided through a known method such as, for example, sputter deposition.

하나의 예시에서, 상기 투명 전도성 산화물을 포함하는 기재의 비저항 값은 1 x 10-2 Ω.cm 이하일 수 있다.In one example, the specific resistance value of the substrate including the transparent conductive oxide may be 1 x 10 -2 Ω.cm or less.

또 하나의 예시에서, 상기 기재는 0.05 ㎛ 내지 10 ㎛ 범위의 두께를 가질 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.In another example, the substrate may have a thickness in the range of 0.05 μm to 10 μm, but is not limited thereto.

상기 비전도성층은, 1 x 104 Ω.cm 이상의 비저항 값을 갖기 때문에, 실질적으로 전자 전도성을 가질 수 없는 층을 의미할 수 있다. 경화 후 상기 범위의 비저항 값을 만족할 수 있다면, 비전도성층을 형성할 수 있는 수지의 종류는 특별히 제한되지 않는다. 구체적으로, 전도성 고분자로 널리 알려져있는 폴리아세틸렌, 폴리파라페닐렌, 폴리파라페닐렌비닐렌, 폴리피롤, 폴리싸이오펜, 폴리아이소싸이안나프테인 등을 제외하고, 경화 후 1 x 104 Ω.cm 이상의 비저항을 갖는 수지가 사용될수 있다. 예를 들어, 알킬 사슬(alkyl chain)로 구성된 수지가 사용될 수 있다. Since the nonconductive layer has a specific resistance value of 1 × 10 4 Ω.cm or more, the nonconductive layer may mean a layer that cannot have substantially electronic conductivity. If the specific resistance value in the above range can be satisfied after curing, the type of resin capable of forming the non-conductive layer is not particularly limited. Specifically, 1 x 10 4 Ω.cm after curing except polyacetylene, polyparaphenylene, polyparaphenylenevinylene, polypyrrole, polythiophene, polyisocynaphthene, etc., which are widely known as conductive polymers. Resin having the above specific resistance can be used. For example, resins composed of alkyl chains can be used.

하나의 예시에서, 상기 비전도성 수지는, 열 또는 광 경화기를 가질 수 있다. 경화기의 종류는 특별히 제한되지 않으나, 상기 코어 형성 화합물에 포함되는 경화기가 사용될 수 있다.In one example, the nonconductive resin may have a thermal or photocuring group. Although the kind of hardening machine is not specifically limited, The hardening machine contained in the said core formation compound can be used.

본 출원의 비전도성층은, 비전도성 수지의 경화물 내에 상기 전도성 입자가 분산된 형태를 가질 수 있다. 이러한 구성을 통해, 투명 전도성 산화물을 포함하는 기재와 전도성 입자가 접촉할 수 있고, 그로 인해 전자의 흐름이 발생할 수 있는 점 전극이 제공될 수 있다. 상기 언급한 바와 같이, 본 출원 점 전극에 사용되는 전도성 입자의 경우, 전도성 입자의 내부에는 나노구조체가 존재하지 않고, 그 표면에만 나노구조체가 피복될 수 있기 때문에, 전체 점 전극의 제조 비용을 크게 절감시킬 수 있고, 포토리지스트 공정을 생략할 수 있게 한다. The nonconductive layer of the present application may have a form in which the conductive particles are dispersed in the cured product of the nonconductive resin. Through this configuration, the substrate including the transparent conductive oxide and the conductive particles may be contacted, whereby a point electrode may be provided in which electron flow may occur. As mentioned above, in the case of the conductive particles used in the point electrode of the present application, since the nanostructure does not exist inside the conductive particles and the nanostructure may be coated only on the surface thereof, the manufacturing cost of the whole point electrode is greatly increased. It is possible to reduce the cost and to omit the photoresist process.

상기 비전도성층의 두께는 상기 코어의 직경보다 작게 형성될 수 있다. 비전도성층의 두께가, 코어에 의해 형성되는 전도성 입자의 직경보다 클 경우, 비전도성층이 전도성 입자를 덮기 때문에, 점 전극을 형성할 수 없게 된다. 코어의 직경보다 작은 범위로 형성된다면 비전도성층의 두께는 특별히 제한되지 않으나, 예를 들어, 0.05 ㎛ 내지 499.95 ㎛ 범위, 또는 0.1 ㎛ 내지 99 ㎛ 범위일 수 있다.The thickness of the nonconductive layer may be smaller than the diameter of the core. If the thickness of the nonconductive layer is larger than the diameter of the conductive particles formed by the core, the point electrode cannot be formed because the nonconductive layer covers the conductive particles. The thickness of the nonconductive layer is not particularly limited as long as it is formed in a range smaller than the diameter of the core, but may be, for example, in the range of 0.05 μm to 499.95 μm, or in the range of 0.1 μm to 99 μm.

본 출원에 관한 일례에서, 상기 점 전극은, 상기 전도성 입자, 및 비전도성 수지를 포함하는 코팅 조성물을, 기재 상에 도포한 후 경화하여 제조될 수 있다. 전도성 입자나, 기재에 포함되는 투명 전도성 산화물, 및 비전도성 수지의 구성이나 특성은 상기 설명된 바와 같다.In one example of the present application, the point electrode may be prepared by applying a coating composition including the conductive particles and a non-conductive resin onto a substrate and then curing. The configuration and properties of the conductive particles, the transparent conductive oxide contained in the substrate, and the nonconductive resin are as described above.

하나의 예시에서, 상기 코팅 조성물은 비전도성 수지 100 중량부 대비 0.1 내지 50 중량부 범위의 전도성 입자를 포함할 수 있다.In one example, the coating composition may include conductive particles in the range of 0.1 to 50 parts by weight relative to 100 parts by weight of the nonconductive resin.

하나의 예시에서, 상기 기재에 포함되는 투명 전도성 산화물은, 예를 들어, 증착법(deposition)과 같이, 공지된 방법에 의해 마련될 수 있다. 보다 구체적으로, 스퍼터링(Sputtering) 및 전자-빔 증착(E-beam evaporation) 등과 같은 물리 기상 증착법(Physical Vapor Deposition, PVD)이나, 열 화학 기상 증착(Thermal Chemical Vapor Deposition) 및 플라즈마 화학 기상 증착(Plasma-Enhanced Chemical Vapor Deposition, PECVD) 등과 같은 화학 기상 증착법(Chemical Vapor Deposition, CVD)이 사용될 수 있다.In one example, the transparent conductive oxide included in the substrate may be provided by a known method, for example, deposition. More specifically, physical vapor deposition (PVD), such as sputtering and e-beam evaporation, thermal chemical vapor deposition and plasma chemical vapor deposition (Plasma) Chemical Vapor Deposition (CVD) such as Enhanced Chemical Vapor Deposition (PECVD) or the like may be used.

상기 코팅 조성물을, 투명 전도성 산화물로 구성된 기재 상에 도포하는 방법은 특별히 제한되지 않는다. 예를 들어, 스핀 코팅법, 딥 코팅법, 스프레이 코팅법 또는 바 코팅법 등과 같은 주지의 도포 방식이 사용될 수 있다.The method of applying the coating composition on a substrate composed of a transparent conductive oxide is not particularly limited. For example, known coating methods such as spin coating, dip coating, spray coating or bar coating can be used.

도포된 코팅 조성물에 대한 경화는 열 또는 광경화일 수 있고, 경화 조건은 특별히 제한되지 않는다. 경화를 통해, 비전도성층, 및 상기 비전도성층 내에 분산된 전도성 입자를 포함하는 점 전극이 제공될 수 있다.Curing for the applied coating composition may be heat or photocuring, and curing conditions are not particularly limited. Through curing, a point electrode including a nonconductive layer and conductive particles dispersed in the nonconductive layer can be provided.

상기 경화를 위해, 라디칼 개시제가 사용될 수 있으며, 상기 라디칼 개시제는 코팅 조성물에 포함될 수 있다. 라디칼 개시제의 종류나 함량은 특별히 제한되지 않으며, 공지된 다양한 종류의 라디칼 개시제가 적절한 함량으로 사용될 수 있다.For the curing, a radical initiator may be used, and the radical initiator may be included in the coating composition. The kind or content of the radical initiator is not particularly limited, and various kinds of known radical initiators may be used in an appropriate content.

표면이 전도성 물질로 덮여진 입자를 사용하는 본 출원은, 불필요하게 입자 내부까지 값 비싼 전도성 물질을 사용하지 않을 수 있기 때문에, 점 전극 제조시 발생하던 고비용 문제를 개선할 수 있다. 또한, 본 출원은, 포토 레지스트 공정 없이도 점 전극을 제공할 수 있기 때문에, 전극의 손상을 방지하고 전체 공정의 생산성을 개선할 수 있다.The present application, which uses particles whose surfaces are covered with a conductive material, can unnecessarily use expensive conductive materials up to the inside of the particles, thereby improving the high cost problem incurred during point electrode manufacturing. In addition, since the present application can provide the point electrode without the photoresist process, it is possible to prevent damage to the electrode and improve the productivity of the entire process.

도 1은 본 출원의 일례에 따른 전도성 입자를 개략적으로 도시한 것이다.
도 2는 본 출원의 일례에 따른 점 전극을 개략적으로 도시한 것이다.
도 3은 본 출원의 일례에 따른 전도성 입자를 촬영한 현미경 이미지이다.
도 4는 본 출원의 일례에 따른 점 전극을 촬영한 현미경 이미지이다.1 schematically illustrates conductive particles according to an example of the present application.
2 schematically illustrates a point electrode according to an example of the present application.
3 is a microscope image of conductive particles according to an example of the present application.
4 is a microscope image of a point electrode according to an example of the present application.

이하, 실시예를 통해 본 출원을 상세히 설명한다. 그러나, 본 출원의 보호범위가 하기 설명되는 실시예에 의해 제한되는 것은 아니다.Hereinafter, the present application will be described in detail through examples. However, the protection scope of the present application is not limited by the examples described below.

실시예Example

전도성 입자의 제조Preparation of Conductive Particles

TMPTA (Trimethylolpropane triacrylate, Sigma-Aldrich 社, CAS No.: 15625-89-5), 0.08 wt% 함량으로 이소프로판올(IPA)에 분산된 은 나노와이어, 및 물을 1 : 0.5 : 10 중량비로 혼합하였다. 이때 사용된 은 나노와이어는 Aiden 社의 것으로 30 nm 이하의 폭, 및 30 ㎛ 이하의 길이를 갖고, 비저항이 10-6 Ω.cm이며, poly(vinyl pyrrolidone)(PVP)으로 표면개질 된 것을 사용하였다.TMPTA (Trimethylolpropane triacrylate, Sigma-Aldrich, CAS No .: 15625-89-5), silver nanowires dispersed in isopropanol (IPA) at a content of 0.08 wt%, and water were mixed at a weight ratio of 1: 0.5: 10. The silver nanowires used here are Aiden Co., Ltd., having a width of 30 nm or less, a length of 30 μm or less, a resistivity of 10 -6 Ω.cm, and surface modified with poly (vinyl pyrrolidone) (PVP). It was.

이어서 라디칼 개시제로서 Irgacure 907을 전체 용액의 0.1 wt%가 되도록 혼합하고, 1시간 정도 교반하여 전도성 입자의 전구체를 제조하였다. 이후, UV lamp(Fusion UV inc., H bulb)를 1,000 mJ/cm2 의 power로 조사하여 코어를 경화시켰다. 그에 따라, 코어 표면에 은 나노와이어가 피복된 전도성 입자를 얻을 수 있었다. 도 3a는, 상기로부터 제조된 전도성 입자에 대한 현미경 이미지이고, 도 3b는 상기 도 3a의 이미지를 확대한 것이다.Subsequently, Irgacure 907 was mixed as 0.1 wt% of the total solution as a radical initiator, and stirred for about 1 hour to prepare a precursor of conductive particles. Thereafter, a UV lamp (Fusion UV inc., H bulb) was irradiated with a power of 1,000 mJ / cm 2 to cure the core. As a result, conductive particles coated with silver nanowires on the core surface were obtained. 3A is a microscopic image of the conductive particles prepared from above, and FIG. 3B is an enlarged view of the image of FIG. 3A.

점 전극의 제조Fabrication of Point Electrodes

상기로부터 제조된 전도성 입도성 입자 수용액을 원심분리기(2000 rpm, 2 mins)를 이용해 침전시키고, 물을 제거하였다. 이후, 비저항이 108 Ω.cm인 LA (lauryl acrylate, Sigma-Aldrich 社, CAS No.:2156-97-0)에 분산시키고, 라디칼 개시제인 Irgacure 907를 혼합하였다. 혼합된 성분간 중량 비율은 0.1 : 10 : 0.1 (전도성 입자: LA: 개시제)로 조절하였다. 상기 혼합물을 10분간 교반하여 코팅 용액을 제조하였다. The conductive particle size aqueous solution prepared above was precipitated using a centrifuge (2000 rpm, 2 mins), and water was removed. Then, it was dispersed in LA (lauryl acrylate, Sigma-Aldrich, CAS No.:2156-97-0) having a specific resistance of 10 8 Ω.cm, and mixed with a radical initiator Irgacure 907. The weight ratio between the mixed components was adjusted to 0.1: 10: 0.1 (conductive particles: LA: initiator). The mixture was stirred for 10 minutes to prepare a coating solution.

상기 코팅 용액을 100 nm의 두께로 ITO가 증착된 PET 기재 위에 bar coater(bar number: 18)로 코팅한 후, UV lamp(Fusion UV inc., H bulb)를 1,000 mJ/cm2 의 power로 조사하여 필름을 경화시켜, 점 전극을 제조하였다. 도 4는 상기로부터 제조된 점 전극에 대한 현미경 이미지이다. 전도성 입자가 비전도층 상에 적절히 분산되어 있음을 확인할 수 있다.After coating the coating solution with a bar coater (bar number: 18) on a PET substrate on which ITO was deposited at a thickness of 100 nm, a UV lamp (Fusion UV inc., H bulb) was irradiated with a power of 1,000 mJ / cm 2 . The film was cured to prepare point electrodes. 4 is a microscope image of the point electrode prepared from above. It can be seen that the conductive particles are properly dispersed on the nonconductive layer.

10: 전도성 입자
11: 코어
12: 나노구조체
20: 기재
30: 비전도성층
H: 비전도성층의 높이10: conductive particles
11: core
12: nanostructure
20: description
30: non-conductive layer
H: height of non-conductive layer

Claims (22)

기재; 및 상기 기재의 일면에 마련되고, 복수 개의 전도성 입자가 분산된 비전도성층;을 포함하는 점 전극이고,
상기 전도성 입자는 코어 및 상기 코어의 표면에 피복된 나노구조체를 포함하고,
상기 코어는 5 ㎛ 내지 100 ㎛ 범위의 직경을 갖고, 상기 비전도성층의 두께는 상기 코어의 직경보다 작게 형성되며,
상기 나노구조체는 양친매성 고분자로 표면 개질된 나노구조체인 점 전극.
materials; And a non-conductive layer provided on one surface of the substrate and having a plurality of conductive particles dispersed therein.
The conductive particles include a core and a nanostructure coated on the surface of the core,
The core has a diameter in the range of 5 ㎛ to 100 ㎛, the thickness of the non-conductive layer is formed smaller than the diameter of the core,
The nanostructure is a point electrode that is a nanostructure surface-modified with an amphiphilic polymer.
제1항에 있어서, 상기 나노구조체는 코어 표면에만 피복되고, 코어 내부에는 존재하지 않는 점 전극.
The point electrode of claim 1, wherein the nanostructure is coated only on the core surface and does not exist inside the core.
제1항에 있어서, 상기 코어는 비저항 값이 1 x 104 Ω.cm 이상이고, 상기 나노 구조체는 비저항 값이 1 x 10-2 Ω.cm 이하인 나노구조체를 포함하는 점 전극.
The point electrode of claim 1, wherein the core has a resistivity value of 1 × 10 4 Ω · cm or more and the nanostructure includes a nanostructure having a resistivity value of 1 × 10 −2 Ω.cm or less.
제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 비전도성층의 비저항 값은 1 x 104 Ω.cm 이상인 점 전극.
The point electrode according to any one of claims 1 to 3, wherein a specific resistance value of the nonconductive layer is 1 × 10 4 Ω.cm or more.
삭제delete 제1항에 있어서, 상기 비전도성층은 0.1 ㎛ 내지 99 ㎛ 범위의 두께를 갖는 점 전극.
The point electrode of claim 1, wherein the nonconductive layer has a thickness in the range of 0.1 μm to 99 μm.
제1항에 있어서, 상기 코어는, 1 이상의 경화성 관능기를 갖는 화합물의 경화물을 포함하는 점 전극.
The point electrode according to claim 1, wherein the core comprises a cured product of a compound having at least one curable functional group.
제7항에 있어서, 상기 경화성 관능기는 아크릴레이트기, 에폭시기, 히드록시기, 이소시아네이트기, 카복실기, 알케닐기, 알키닐기, 산무수물기, 니트릴기 또는 아민기 중에서 선택되는 점 전극.
The point electrode of claim 7, wherein the curable functional group is selected from an acrylate group, an epoxy group, a hydroxyl group, an isocyanate group, a carboxyl group, an alkenyl group, an alkynyl group, an acid anhydride group, a nitrile group, or an amine group.
제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 나노구조체는 나노 스피어(nanosphere), 나노튜브(nanotube), 나노와이어(nanowire) 및 나노로드(nanorod) 중에서 선택되는 1 이상의 구조체인 점 전극.
The point electrode of claim 1, wherein the nanostructure is at least one structure selected from nanospheres, nanotubes, nanowires, and nanorods. .
삭제delete 제1항에 있어서, 상기 양친매성 고분자는 양이온성 계면활성제, 음이온성 계면활성제, 양쪽성 계면활성제 또는 비이온성 계면활성제 중에서 선택되는 점 전극.
The point electrode of claim 1, wherein the amphiphilic polymer is selected from cationic surfactants, anionic surfactants, amphoteric surfactants, or nonionic surfactants.
제9항에 있어서, 상기 나노스피어, 나노와이어 또는 나노로드는, 은(Ag), 금(Au), 구리(Cu), 백금(Pt), 팔라듐(Pd), 니켈(Ni), 코발트(Co), 로듐(Rh), 이리듐(Ir), 루테늄(Ru) 및 철(Fe) 중에서 선택되는 1 이상의 금속 성분을 포함하는 점 전극.
The method of claim 9, wherein the nanospheres, nanowires or nanorods are silver (Ag), gold (Au), copper (Cu), platinum (Pt), palladium (Pd), nickel (Ni), cobalt (Co) ), A point electrode comprising at least one metal component selected from rhodium (Rh), iridium (Ir), ruthenium (Ru), and iron (Fe).
제1항에 있어서, 상기 기재는 투명 전도성 산화물을 포함하고, 상기 투명 전도성 산화물은 산화인듐과 4가 금속의 산화물을 함유하는 인듐계 복합산화물인 점 전극.
The point electrode of claim 1, wherein the substrate comprises a transparent conductive oxide, and the transparent conductive oxide is an indium composite oxide containing an oxide of indium oxide and a tetravalent metal.
제13항에 있어서, 상기 4가 금속의 산화물은 하기 화학식 1로 표시되는 점 전극:
[화학식 1]
AO2
상기 화학식 1에서, A는 Sn, Zr, Ge, Ti, Ce, Nb, Ta, Mb 및 W로 이루어진 군에서 선택된 4가 금속일 수 있다.
The point electrode of claim 13, wherein the oxide of the tetravalent metal is represented by Formula 1 below:
[Formula 1]
AO 2
In Formula 1, A may be a tetravalent metal selected from the group consisting of Sn, Zr, Ge, Ti, Ce, Nb, Ta, Mb, and W.
전도성 입자; 및 비전도성 수지;를 포함하는 코팅 조성물을 기재 상에 도포 후 경화하여 이루어지는 점 전극의 제조방법이고,
상기 전도성 입자는 코어 및 상기 코어의 표면에 피복된 나노구조체를 포함하며,
상기 전도성 입자는 양친매성 고분자로 개질된 나노구조체가 표면에 흡착된 액적(droplet)을 경화하여 제조되고,
상기 액적은 유화(emulsification)에 의한 상분리에 의해 마련되고, 상기 유화는,
1 이상의 열 또는 광 경화성 관능기를 갖는 화합물을 포함하는 분산상 조성물을 연속상 조성물과 혼합하고,
상기 혼합 시 또는 상기 혼합 후에, 양친매성 고분자로 표면 개질된 나노구조체를 첨가하여 상기 액적을 마련하는,
점 전극의 제조방법.
Conductive particles; And a non-conductive resin; is a method for producing a point electrode formed by applying a coating composition comprising a cured on a substrate,
The conductive particles include a core and a nanostructure coated on the surface of the core,
The conductive particles are prepared by curing droplets adsorbed on a surface of a nanostructure modified with an amphiphilic polymer,
The droplets are prepared by phase separation by emulsification, and the emulsification is
A dispersed phase composition comprising a compound having at least one thermal or photocurable functional group is mixed with the continuous phase composition,
At the time of or after the mixing, adding the nanostructures surface-modified with an amphiphilic polymer to prepare the droplets,
Method for producing a point electrode.
삭제delete 삭제delete 제15항에 있어서, 상기 양친매성 고분자는 양이온성 계면활성제, 음이온성 계면활성제, 양쪽성 계면활성제 또는 비이온성 계면활성제 중에서 선택되는 점 전극의 제조방법.
The method of claim 15, wherein the amphiphilic polymer is selected from cationic surfactants, anionic surfactants, amphoteric surfactants, or nonionic surfactants.
제15항에 있어서, 상기 나노구조체는 나노스피어, 나노튜브, 나노와이어 및 나노로드 중에서 선택되고, 1 x 10-2 Ω.cm 이하의 비저항 값을 갖는 점 전극의 제조방법.
The method of claim 15, wherein the nanostructure is selected from nanospheres, nanotubes, nanowires, and nanorods, and has a resistivity value of 1 × 10 −2 Ω.cm or less.
제15항에 있어서, 상기 도포된 코팅 조성물에 대한 경화 및 상기 액적에 대한 경화는 열 경화 또는 광 경화이고, 상기 경화 후, 상기 열 또는 광 경화성 관능기를 갖는 화합물의 경화물 및 비전도성 수지의 경화물은 비저항 값이 1 x 104 Ω.cm 이상인 점 전극의 제조방법.
The method of claim 15, wherein the curing of the applied coating composition and the curing of the droplets are thermal curing or photocuring, and after the curing, the cured product of the compound having the thermal or photocurable functional group and the curing of the non-conductive resin. Cargo has a specific resistance value of 1 x 10 4 Ω.cm or more method for producing a point electrode.
제15항에 있어서, 상기 비전도성 수지의 경화물은, 그 두께가 상기 전도성 입자의 직경보다 작게 마련되는 점 전극의 제조방법.
The method for producing a point electrode according to claim 15, wherein the cured product of the nonconductive resin is provided with a thickness smaller than the diameter of the conductive particles.
제15항에 있어서, 상기 기재는 산화인듐과 4가 금속의 산화물을 함유하는 인듐계 복합산화물을 포함하고, 상기 인듐계 복합산화물은 스퍼터링에 의해 마련되는 점 전극의 제조방법.The method of claim 15, wherein the substrate comprises an indium composite oxide containing an oxide of indium oxide and a tetravalent metal, and the indium composite oxide is formed by sputtering.
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Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
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KR101568659B1 (en) * 2013-03-29 2015-11-12 제일모직주식회사 Anisotropic conducting film comprising conductive adhesive layer and a semiconductor device connected by the film

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100795309B1 (en) * 2006-11-16 2008-01-15 성균관대학교산학협력단 Method for preparing conductive ball using carbon nano tube

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