KR102019066B1 - Liquid crystal display device having minimized bezzel - Google Patents

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Abstract

본 발명은 더미영역에서 그라운드를 제거하고 공통배선을 통해 정전기를 제거함으로써 베젤의 크기를 최소화하기 위한 액정표시소자에 관한 것으로, 복수의 화소영역을 포함하여 실제 화상이 구현되는 표시영역 및 상기 표시영역 외곽에 형성된 더미영역을 포함하는 제1기판; 상기 제1기판과 합착되며, 전면이 제1기판과 대향하고 배면에 도전층이 형성된 제2기판; 상기 더미영역에 형성된 공통배선; 상기 공통배선 위에 형성되어 제2기판 배면의 도전층과 공통배선을 전기적으로 연결하여 도전층의 정전기를 제거하는 은도트로 구성된다.The present invention relates to a liquid crystal display device for minimizing the size of a bezel by removing ground from a dummy area and removing static electricity through a common wiring. The present invention relates to a display area including a plurality of pixel areas and a display area in which an actual image is realized. A first substrate including a dummy region formed at an outer side of the first substrate; A second substrate bonded to the first substrate and having a front surface facing the first substrate and having a conductive layer formed on the rear surface thereof; A common wiring formed in the dummy region; It is formed of a silver dot formed on the common wiring to electrically connect the conductive layer and the common wiring on the back surface of the second substrate to remove the static electricity of the conductive layer.

Figure R1020130032887
Figure R1020130032887

Description

베젤이 최소화된 액정표시소자{LIQUID CRYSTAL DISPLAY DEVICE HAVING MINIMIZED BEZZEL}Liquid Crystal Display Device with Minimized Bezel {LIQUID CRYSTAL DISPLAY DEVICE HAVING MINIMIZED BEZZEL}

본 발명은 액정표시소자에 관한 것으로, 특히 정전기 제거용 전극을 은도트를 통해 그라운드가 아닌 공통라인에 접속하여 더미영역의 그라운드를 제거할 수 있게 됨으로써 베젤의 면적을 최소화할 수 있는 액정표시소자에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a liquid crystal display device, and more particularly, to a liquid crystal display device capable of minimizing the area of a bezel by connecting an electrode for removing static electricity to a common line instead of ground through a silver dot. It is about.

액정표시소자는 액정분자의 배열에 따라 다양한 표시모드가 존재하지만, 현재에는 흑백표시가 용이하고 응답속도가 빠르며 구동전압이 낮다는 장점때문에 주로 TN모드의 액정표시소자가 사용되고 있다. 이러한 TN모드 액정표시소자에서는 기판과 수평하게 배향된 액정분자가 전압이 인가될 때 기판과 거의 수직으로 배향된다. 따라서, 액정분자의 굴절율 이방성(refractive anisotropy)에 의해 전압의 인가시 시야각이 좁아진다는 문제가 있었다.Although liquid crystal display devices have various display modes according to the arrangement of liquid crystal molecules, TN mode liquid crystal display devices are mainly used because of the advantages of easy monochrome display, fast response speed, and low driving voltage. In such a TN mode liquid crystal display device, liquid crystal molecules aligned horizontally with the substrate are almost perpendicular to the substrate when a voltage is applied. Therefore, there is a problem that the viewing angle is narrowed upon application of voltage due to the refractive anisotropy of the liquid crystal molecules.

이러한 시야각문제를 해결하기 위해, 현재 광시야각특성(wide viewing angle characteristic)을 갖는 각종 모드의 액정표시소자가 사용되고 있지만, 그중에서도 횡전계모드(In Plane Switching Mode)의 액정표시소자가 실제 양산에 적용되어 생산되고 있다. 상기 IPS모드 액정표시소자는 화소내에 평행으로 배열된 적어도 한쌍의 전극을 형성하여 기판과 실질적으로 평행한 횡전계를 형성함으로써 액정분자를 평면상으로 배향시키는 것이다.In order to solve the viewing angle problem, liquid crystal display devices of various modes having wide viewing angle characteristics are currently used, but among them, the liquid crystal display device of the lateral field mode (In Plane Switching Mode) is applied to actual production. Is being produced. The IPS mode liquid crystal display device aligns liquid crystal molecules in a plane by forming at least one pair of electrodes arranged in parallel in a pixel to form a transverse electric field substantially parallel to the substrate.

도 1은 종래 IPS모드 액정표시소자의 한 화소의 구조를 나타내는 도면으로, 도 1a는 평면도이고 도 1b는 도 1a의 I-I'선 단면도이다. 도 1a에 도시된 바와 같이, 액정패널(1)의 화소는 종횡으로 배치된 게이트라인(3) 및 데이터라인(4)에 의해 정의된다. 도면에는 비록 (n,m)번째의 화소만을 도시하고 있지만 실제의 액정패널(1)에는 상기한 게이트라인(3)과 데이터라인(4)이 각각 N(>n)개 및 M(>m)개 배치되어 액정패널(1) 전체에 걸쳐서 N×M개의 화소를 형성한다. 상기 화소내의 게이트라인(3)과 데이터라인(4)의 교차영역에는 박막트랜지스터(10)가 형성되어 있다. 상기 박막트랜지스터(10)는 게이트라인(3)으로부터 주사신호가 인가되는 게이트전극(11)과, 상기 게이트전극(11) 위에 형성되어 주사신호가 인가됨에 따라 활성화되어 채널층을 형성하는 반도체층(12)과, 상기 반도체층(12) 위에 형성되어 데이터라인(4)을 통해 화상신호가 인가되는 소스전극(13) 및 드레인전극(14)으로 구성되어 외부로부터 입력되는 화상신호를 액정층에 인가한다.1 is a view showing the structure of one pixel of a conventional IPS mode liquid crystal display device. FIG. 1A is a plan view and FIG. 1B is a sectional view taken along line II ′ of FIG. 1A. As shown in FIG. 1A, pixels of the liquid crystal panel 1 are defined by gate lines 3 and data lines 4 arranged vertically and horizontally. Although only the (n, m) th pixels are shown in the drawing, the actual liquid crystal panel 1 has N (> n) and M (> m) gate lines 3 and data lines 4, respectively. Are arranged so as to form N × M pixels over the entire liquid crystal panel 1. The thin film transistor 10 is formed at the intersection of the gate line 3 and the data line 4 in the pixel. The thin film transistor 10 includes a gate electrode 11 to which a scan signal is applied from the gate line 3, and a semiconductor layer formed on the gate electrode 11 and activated as a scan signal is applied to form a channel layer. 12 and a source electrode 13 and a drain electrode 14 formed on the semiconductor layer 12 and to which an image signal is applied through the data line 4. The image signal input from the outside is applied to the liquid crystal layer. do.

화소내에는 데이터라인(4)과 실질적으로 평행하게 배열된 복수의 공통전극(5)과 화소전극(7)이 배치되어 있다. 또한, 화소의 중간에는 상기 공통전극(5)과 접속되는 공통라인(16)이 배치되어 있으며, 상기 공통라인(16) 위에는 화소전극(7)과 접속되는 화소전극라인(18)이 배치되어 상기 공통라인(16)과 오버랩되어 있다. 상기 공통라인(16)과 화소전극라인(18)의 오버랩에 의해 축적용량(storage capacitance)이 형성된다.In the pixel, a plurality of common electrodes 5 and a pixel electrode 7 are arranged substantially parallel to the data line 4. In addition, a common line 16 connected to the common electrode 5 is disposed in the middle of the pixel, and a pixel electrode line 18 connected to the pixel electrode 7 is disposed on the common line 16. It overlaps with the common line 16. A storage capacitance is formed by the overlap of the common line 16 and the pixel electrode line 18.

상기와 같이 구성된 IPS모드 액정표시소자에서 액정분자는 공통전극(5) 및 화소전극(7)과 실질적으로 평행하게 배향되어 있다. 박막트랜지스터(10)가 작동하여 화소전극(7)에 신호가 인가되면, 공통전극(5)과 화소전극(7) 사이에는 액정패널(1)과 실질적으로 평행한 횡전계가 발생하게 된다. 액정분자는 상기 횡전계를 따라 동일 평면상에서 회전하게 되므로, 액정분자의 굴절율 이방성에 의한 계조반전을 방지할 수 있게 된다.In the IPS mode liquid crystal display device configured as described above, the liquid crystal molecules are aligned substantially in parallel with the common electrode 5 and the pixel electrode 7. When the thin film transistor 10 is operated to apply a signal to the pixel electrode 7, a transverse electric field substantially parallel to the liquid crystal panel 1 is generated between the common electrode 5 and the pixel electrode 7. Since the liquid crystal molecules rotate on the same plane along the transverse electric field, gray level inversion due to the refractive anisotropy of the liquid crystal molecules can be prevented.

상기한 구조의 종래 IPS모드 액정표시소자를 도 1b의 단면도를 참조하여 더욱 상세히 설명하면 다음과 같다.The conventional IPS mode liquid crystal display device having the above structure will be described in more detail with reference to the cross-sectional view of FIG. 1B.

도 1b에 도시된 바와 같이, 제1기판(20) 위에는 게이트전극(11)이 형성되어 있으며, 상기 제1기판(20) 전체에 걸쳐 게이트절연층(22)이 적층되어 있다. 상기 게이트절연층(22) 위에는 반도체층(12)이 형성되어 있으며, 그 위에 소스전극(13) 및 드레인전극(14)이 형성되어 있다. 또한, 상기 제1기판(20) 전체에 걸쳐 보호층(passivation layer;24)이 형성되어 있다.As shown in FIG. 1B, a gate electrode 11 is formed on the first substrate 20, and a gate insulating layer 22 is stacked over the entire first substrate 20. The semiconductor layer 12 is formed on the gate insulating layer 22, and the source electrode 13 and the drain electrode 14 are formed thereon. In addition, a passivation layer 24 is formed on the entire first substrate 20.

또한, 상기 제1기판(20) 위에는 복수의 공통전극(5)이 형성되어 있고 게이트절연층(22) 위에는 화소전극(7) 및 데이터라인(4)이 형성되어, 상기 공통전극(5)과 화소전극(7) 사이에 횡전계가 발생한다.In addition, a plurality of common electrodes 5 are formed on the first substrate 20, and a pixel electrode 7 and a data line 4 are formed on the gate insulating layer 22 to form the common electrode 5. A transverse electric field is generated between the pixel electrodes 7.

제2기판(30)에는 블랙매트릭스(32)와 컬러필터층(34)이 형성되어 있다. 상기 블랙매트릭스(32)는 액정분자가 동작하지 않는 영역으로 광이 누설되는 것을 방지하기 위한 것으로, 도면에 도시한 바와 같이 박막트랜지스터(10) 영역 및 화소와 화소 사이(즉, 게이트라인 및 데이터라인 영역)에 주로 형성된다. 컬러필터층(34)은 R(Red), B(Blue), G(Green)로 구성되어 실제 컬러를 구현하기 위한 것이다. 상기 제1기판(20) 및 제2기판(30) 사이에는 액정층(40)이 형성되어 액정패널(1)이 완성된다.The black matrix 32 and the color filter layer 34 are formed on the second substrate 30. The black matrix 32 is to prevent light leakage into an area where the liquid crystal molecules do not operate. As shown in the drawing, the black matrix 32 is formed between the region of the thin film transistor 10 and between the pixel and the pixel (ie, the gate line and the data line). Area). The color filter layer 34 is composed of R (Red), B (Blue), and G (Green) to realize actual colors. The liquid crystal layer 40 is formed between the first substrate 20 and the second substrate 30 to complete the liquid crystal panel 1.

상기한 IPS모드 액정표시소자에서는 공통전극(3)과 화소전극(5)에 의해 액정패널(1)과 평행한 횡전계가 발생하게 되며, 액정분자는 상기 횡전계를 따라 동일 평면상에서 회전하게 된다. 따라서, 액정분자의 굴절율 이방성에 의한 계조반전을 방지할 수 있게 되며, 그 결과 시야각을 향상시킬 수 있게 된다.In the IPS mode liquid crystal display device, a transverse electric field parallel to the liquid crystal panel 1 is generated by the common electrode 3 and the pixel electrode 5, and the liquid crystal molecules rotate on the same plane along the transverse electric field. . Therefore, the gray scale inversion due to the refractive anisotropy of the liquid crystal molecules can be prevented, and as a result, the viewing angle can be improved.

그러나, 상기와 같은 IPS모드 액정표시소자에서는 액정패널(1)과 수직한(제1기판(20)에서 제2기판(30)으로의 방향) 전계가 생성되면, 액정층(40)의 횡전계에 영향을 미치게 되어 액정층(40)에는 액정패널(1)과 완전히 평행한 횡전계가 형성되지 않게 된다. 이와 같이 횡전계가 액정패널(1)과 평행하지 않게 되는 경우, 액정층(40)의 액정분자가 동일 평면상에서 회전하지 않게 되므로, 액정표시소자에 불량이 발생하게 된다.However, in the IPS mode liquid crystal display device as described above, when the electric field perpendicular to the liquid crystal panel 1 (the direction from the first substrate 20 to the second substrate 30) is generated, the transverse electric field of the liquid crystal layer 40 is generated. In this case, the transverse electric field is completely not formed in the liquid crystal layer 40 in the liquid crystal layer 40. When the transverse electric field is not parallel to the liquid crystal panel 1 as described above, the liquid crystal molecules of the liquid crystal layer 40 do not rotate on the same plane, and thus a defect occurs in the liquid crystal display element.

액정패널(1)과 수직한 전계가 발생하는데에는 여러가지 원인이 있을 수 있다. 이러한 여러가지 원인중에서 제2기판(30)의 배면(액정층과 닿지 않고 외부로 노출되는 면)에 형성되는 정전기에 의해 수직전계가 생성된다는 사실이 알려져 있다. 이러한 정전기는 액정패널(1)의 완성 후 사람의 손과의 접촉 등에 의해 발생하는 것이다.There may be various reasons for generating an electric field perpendicular to the liquid crystal panel 1. Among these various causes, it is known that a vertical electric field is generated by the static electricity formed on the rear surface of the second substrate 30 (the surface exposed to the outside without contacting the liquid crystal layer). Such static electricity is generated by contact with a human hand after completion of the liquid crystal panel 1.

이와 같은 정전기를 제거하기 위해, 종래 IPS모드 액정표시소자에서는 도 2에 도시된 바와 같이 제2기판(30)의 배면 전체에 걸쳐 ITO(Indium Tnn Oxide)와 같이 투명한 도전물질로 이루어진 정전기 제거용 도전층(56)을 형성하였다. 상기 도전층(56)은 제2기판(30)에 제2편광판(58)이 부착되기 전에 형성되며, 상기 정전기 제거용 도전층(56)은 은도트(Ag도트;60)를 통해 그라운드와 연결되어 표시소자에 발생하는 정전기(ESD)가 상기 은도트(60)를 통해 그라운드로 흘러나가 제거된다.In order to remove such static electricity, in the conventional IPS mode liquid crystal display device, as shown in FIG. 2, a conductive material for removing static electricity is formed of a transparent conductive material such as indium tin oxide (ITO) over the entire rear surface of the second substrate 30. Layer 56 was formed. The conductive layer 56 is formed before the second polarizing plate 58 is attached to the second substrate 30, and the electrostatic removing conductive layer 56 is connected to the ground through a silver dot (Ag dot) 60. As a result, electrostatic discharge (ESD) generated in the display device flows out to the ground through the silver dot 60 and is removed.

그러나, 상기와 같은 구조의 IPS모드 액정표시소자에서는 다음과 같은 문제가 발생한다.However, the following problems occur in the IPS mode liquid crystal display device having the above structure.

도 3a는 종래 IPS모드 액정표시소자의 구조를 나타내는 평면도이고 도 3b는 도 3a의 A영역 확대도이다.3A is a plan view showing the structure of a conventional IPS mode liquid crystal display device, and FIG. 3B is an enlarged view of region A of FIG. 3A.

도 3a에 도시된 바와 같이, IPS모드 액정표시소자(1)는 도 1a에 도시된 바와 같은 복수의 화소가 형성되어 실제 화상을 구현하는 표시영역(A/A)과 표시영역 외부에 형성되고 각종 배선이 형성되는 더미영역(D)으로 이루어진다.As shown in FIG. 3A, the IPS mode liquid crystal display device 1 is formed on the display area A / A and the outside of the display area to form a plurality of pixels as shown in FIG. It consists of a dummy region D in which wiring is formed.

상기 표시영역(A/A)의 외곽에는 실라인(10)이 표시영역(A/A)을 따라 형성되어 제1기판(20)과 제2기판(30)이 서로 합착되며, 더미영역(D)에는 GIP 게이트드라이버(172), GIP 더미 게이트드라이버(173)가 실장되어 표시영역(A/A)에 형성되는 게이트라인에 신호를 인가한다.The seal line 10 is formed along the display area A / A outside the display area A / A so that the first substrate 20 and the second substrate 30 are bonded to each other, and the dummy area D ), A GIP gate driver 172 and a GIP dummy gate driver 173 are mounted to apply a signal to a gate line formed in the display area A / A.

또한, 도 3b에 도시된 바와 같이, 상기 더미영역(D)에는 공통배선(51), 쉬프트 GIP회로(52), 제어신호배선(53), 그라운드(54) 등이 배치된다. 이때, 도면에는 도시하지 않았지만, 상기 공통배선(51), 쉬프트 GIP회로(52), 제어신호배선(53), 그라운드(54)는 더미영역(D)에 부착되는 TCP(Tape Carrier Package) 등을 통해 외부의 PCB 등에 전기적으로 연결되어 외부로부터 신호가 인가된다.3B, the common wiring 51, the shift GIP circuit 52, the control signal wiring 53, the ground 54, and the like are disposed in the dummy region D. FIG. In this case, although not shown in the drawing, the common wiring 51, the shift GIP circuit 52, the control signal wiring 53, and the ground 54 may include a tape carrier package (TCP) attached to the dummy area D. Is electrically connected to the external PCB through the signal is applied from the outside.

도 3b에 도시된 바와 같이, 은도트(60)는 상기 그라운드(54) 위에 배치되어 상기 그라운드(54)와 은도트(60)가 전기적으로 접촉하므로, 제2기판(30)의 배면에 형성되는 정전기 제거용 도전층(56)이 상기 은도트(60)를 통해 그라운드(54)와 전기적으로 접속되어, 정전기 제거용 도전층(56)의 정전기가 상기 은도트(60)를 통해 그라운드(54)로 흘러가 제거된다.As shown in FIG. 3B, the silver dot 60 is disposed on the ground 54 so that the ground 54 and the silver dot 60 are in electrical contact with each other, and thus the silver dot 60 is formed on the rear surface of the second substrate 30. The electrostatic removing conductive layer 56 is electrically connected to the ground 54 through the silver dot 60, so that the static electricity of the electrostatic removing conductive layer 56 passes through the silver dot 60 to the ground 54. Flows to and is removed.

그런데, 상기와 같은 구조의 종래 액정표시소자에서는 더미영역(D)에 공통배선(51), 쉬프트 GIP회로(52), 제어신호배선(53), 그라운드(54) 등과 같은 각종 배선이 형성되므로, 더미영역(D)의 폭(d1)이 일정 크기 이상을 유지해야만 한다. However, in the conventional liquid crystal display device having the above structure, various wirings such as the common wiring 51, the shift GIP circuit 52, the control signal wiring 53, the ground 54, etc. are formed in the dummy region D. The width d1 of the dummy region D must be maintained at a predetermined size or more.

한편, 근래 표시소자의 장식의 효과 및 휴대성을 향상시키기 위해, 표시영역의 외곽을 구성하는 베젤을 최소화하는 요구가 증대되고 있다. 그러나, 상기한 바와 같이, 종래 액정표시소자에서는 더미영역(D)에 각종 배선이 배치되므로, 더미영역(D)의 면적을 감소하는 데에는 한계가 있었으며, 그 결과 베젤을 감소시키는데에도 한계가 있었다.On the other hand, in recent years, in order to improve the effect and portability of the decoration of the display element, there is an increasing demand to minimize the bezel constituting the outside of the display area. However, as described above, in the conventional liquid crystal display device, since various wirings are arranged in the dummy region D, there is a limit in reducing the area of the dummy region D. As a result, there is a limit in reducing the bezel.

본 발명은 상기한 점을 감안하여 이루어진 것으로, 더미영역의 공통배선 위에 은도트를 위치시켜 제2기판의 정전기 제거용 도전층을 공통배선과 전기적으로 연결함으로써, 더미영역에서 그라운드를 제거하여 베젤을 최소화할 수 있는 액정표시소자를 제공하는 것을 목적으로 한다.SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in view of the above, and by placing a silver dot on the common wiring of the dummy region and electrically connecting the conductive layer for removing static electricity of the second substrate with the common wiring, the ground is removed from the dummy region. An object of the present invention is to provide a liquid crystal display device that can be minimized.

상기한 목적을 달성하기 위해, 본 발명에 따른 액정표시소자는 복수의 화소영역을 포함하여 실제 화상이 구현되는 표시영역 및 상기 표시영역 외곽에 형성된 더미영역을 포함하는 제1기판; 상기 제1기판과 합착되며, 전면이 제1기판과 대향하고 배면에 도전층이 형성된 제2기판; 상기 더미영역에 형성된 공통배선; 상기 공통배선 위에 형성되어 제2기판 배면의 도전층과 공통배선을 전기적으로 연결하여 도전층의 정전기를 제거하는 은도트로 구성된다.In order to achieve the above object, the liquid crystal display device according to the present invention comprises a first substrate including a display area including a plurality of pixel areas, the actual image is implemented and a dummy area formed outside the display area; A second substrate bonded to the first substrate and having a front surface facing the first substrate and having a conductive layer formed on the rear surface thereof; A common wiring formed in the dummy region; It is formed of a silver dot formed on the common wiring to electrically connect the conductive layer and the common wiring on the back surface of the second substrate to remove the static electricity of the conductive layer.

본 발명에서는 은도트를 더미영역의 공통배선 위에 형성하여 상기 은도트에 의해 제2기판 배면의 정전기 제거용 도전층과 공통배선을 전기적으로 연결하여 정전기 제거용 도전층의 정전기를 제거하기 때문에, 더미영역에 그라운드를 형성할 필요가 없게 되므로, 더미영역의 면적을 감소시킬 수 있게 되며, 그 결과 베젤을 최소화할 수 있게 된다.In the present invention, since the silver dot is formed on the common wiring of the dummy region, the static electricity of the conductive layer for removing static electricity is removed by electrically connecting the conductive layer and the common wiring on the back surface of the second substrate by the silver dot. Since there is no need to form a ground in the area, the area of the dummy area can be reduced, and as a result, the bezel can be minimized.

도 1a 및 도 1b는 종래 액정표시소자의 구조를 나타내는 도면.
도 2는 은도트가 제2기판의 배면에 형성된 정전기 제거용 도전층과 접속되는 구조를 나타내는 도면.
도 3a는 종래 액정표시소자의 구조를 나타내는 평면도.
도 3b 도 3a의 A영역 확대 부분 평면도.
도 4는 본 발명에 따른 액정표시소자의 구조를 나타내는 평면도.
도 5는 도 4의 B영역 확대 부분 평면도.
도 6은 본 발명의 일실시예에 따른 액정표시소자의 단면도.
도 7은 본 발명의 다른 실시예에 따른 액정표시소자의 단면도.1A and 1B are views showing the structure of a conventional liquid crystal display device.
FIG. 2 is a view showing a structure in which silver dots are connected to a conductive layer for removing static electricity formed on the rear surface of a second substrate. FIG.
3A is a plan view showing the structure of a conventional liquid crystal display device.
3B is an enlarged partial plan view of region A of FIG. 3A;
4 is a plan view showing the structure of a liquid crystal display device according to the present invention;
5 is an enlarged partial plan view of region B of FIG. 4.
6 is a cross-sectional view of a liquid crystal display device according to an embodiment of the present invention.
7 is a cross-sectional view of a liquid crystal display device according to another embodiment of the present invention.

이하, 첨부한 도면을 참조하여 본 발명에 따른 액정표시소자를 상세히 설명한다.Hereinafter, a liquid crystal display device according to the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 4는 본 발명에 따른 액정표시소자의 구조를 나타내는 도면이고 도 5는 도 4의 B영역 확대도로서, 이때의 액정표시소자는 GIP구조의 액정표시소자이다.4 is a view showing the structure of a liquid crystal display device according to the present invention and FIG. 5 is an enlarged view of region B of FIG. 4, wherein the liquid crystal display device is a liquid crystal display device having a GIP structure.

도 4에 도시된 바와 같이, 본 발명의 GIP구조의 액정표시소자(101)는 시일재(110)에 의해 유리나 플라스틱과 같은 투명한 물질로 이루어진 제1기판(120)과 제2기판(130)이 서로 합착된다. 이때, 제1기판(120)은 제2기판(130)보다 더 크게 형성되어 각종 구동소자와 배선이 배치되는 더미영역(D)이 형성되고 상기 시일재(110) 안쪽의 합착된 제1기판(120) 및 제2기판(130)에는 표시영역(A/A)이 형성된다.As shown in FIG. 4, the liquid crystal display device 101 having the GIP structure according to the present invention includes a first substrate 120 and a second substrate 130 made of a transparent material such as glass or plastic by the sealing material 110. Are cemented together. In this case, the first substrate 120 is larger than the second substrate 130 to form a dummy region D in which various driving elements and wires are disposed, and the first substrate 120 bonded to the inside of the sealing material 110 is formed. The display area A / A is formed in the 120 and the second substrate 130.

상기 표시영역(A/A)은 실제 화상이 구현되는 영역이다. 도면에는 도시하지 않았지만, 상기 표시영역(A/A)에는 제1기판(130)에 배치된 복수의 게이트라인 및 데이터라인에 의해 정의되는 복수의 화소영역과, 각각의 화소영역에 형성되어 신호가 인가됨에 따라 구동하여 화상신호를 화상영역으로 인가하는 스위칭소자인 박막트랜지스터와, 상기 화소영역에 형성되어 박막트랜지스터가 작동함에 따라 화상신호가 공급되어 액정층의 액정분자를 구동하여 액정층을 투과하는 광의 투과율을 제어함으로써 화상을 구현하는 화소전극 및 공통전극과, 제2기판(102)에 형성되어 화상이 구현되는 영역이 아닌 영역으로 광이 투과되는 것을 차단하는 블랙매트릭스와, R,G,B컬러필터로 이루어져 실제 컬러를 구현하는 컬러필터층를 포함한다.The display area A / A is an area where an actual image is implemented. Although not shown in the drawing, the display area A / A includes a plurality of pixel areas defined by a plurality of gate lines and data lines disposed on the first substrate 130, and a signal formed in each pixel area. A thin film transistor, which is a switching element that is driven as applied and applies an image signal to the image region, and is formed in the pixel region so that the image signal is supplied as the thin film transistor is operated to drive the liquid crystal molecules of the liquid crystal layer to pass through the liquid crystal layer. A pixel electrode and a common electrode for implementing an image by controlling light transmittance, a black matrix formed on the second substrate 102 to block light from being transmitted to a region other than the region where the image is realized, and R, G, and B It includes a color filter layer consisting of a color filter to implement the actual color.

제1기판(130)의 더미영역(D)에는 GIP 게이트드라이버(172), GIP 더미 게이트드라이버(173)이 실장되고, 타이밍콘트롤러에서 출력되는 클럭신호, 인에이블신호, 스타트신호, 공통전압 등의 각종 신호를 상기 GIP 게이트드라이버 및 GIP 더미게이트드라이버에 인가하기 위한 제어신호배선, 쉬프트레지스트로 이루어진 GIP회로, 공통배선 등과 같은 각종 배선이 형성된다.In the dummy region D of the first substrate 130, a GIP gate driver 172 and a GIP dummy gate driver 173 are mounted, and a clock signal, an enable signal, a start signal, a common voltage, etc., output from the timing controller. Various wirings, such as control signal wiring, a GIP circuit made of a shift resist, a common wiring, and the like, for applying various signals to the GIP gate driver and the GIP dummy gate driver, are formed.

도 4b는 도 4a의 B영역 부분 확대도로서, 배선의 배치를 나타내는 평면도이다.4B is an enlarged view of a portion B of FIG. 4A and is a plan view showing the arrangement of wirings.

도 4b에 도시된 바와 같이, 더미영역(D)에는 액티브영역(A/A)의 경계로부터 제1기판(130)의 가장자리 단부까지 공통배선(151), GIP회로(152), 제어신호배선(153)이 차례로 배치된다. 이때, 도면에서는 공통배선(151) 및 제어신호배선(153) 등이 특정 개수로 형성되지만, 이것은 설명의 편의를 위한 것으로서, 본 발명의 배선이 특정 개수에 한정되지는 않는다. 실질적으로, 배선의 숫자는 제작되는 액정패널의 크기, 화소의 수, 액정패널에 실장되는 GIP 게이트드라이버(103)의 수 등에 의해 결정될 것이다.As shown in FIG. 4B, in the dummy area D, the common wiring 151, the GIP circuit 152, and the control signal wiring (from the boundary of the active region A / A to the edge end of the first substrate 130). 153 are arranged one after the other. At this time, although the common wiring 151 and the control signal wiring 153 and the like are formed in a specific number in the drawing, this is for convenience of description and the wiring of the present invention is not limited to a specific number. In practice, the number of wirings will be determined by the size of the liquid crystal panel manufactured, the number of pixels, the number of GIP gate drivers 103 mounted on the liquid crystal panel, and the like.

또한, 도면에서는 상기 공통배선(151), GIP회로(152), 제어신호배선(153)의 특정 폭으로 형성되어 있지만, 공통배선(151), GIP회로(152), 제어신호배선(153)의 폭이 특정한 넓이로 형성되는 것이 아니라 제작되는 액정패널의 크기, 화소의 수, 액정패널에 실장되는 GIP 게이트드라이버(103)의 수 등에 따라 다양하게 형성될 수 있을 것이다.In the drawing, the common wiring 151, the GIP circuit 152, and the control signal wiring 153 are formed to have a specific width, but the common wiring 151, the GIP circuit 152, and the control signal wiring 153 The width may be variously formed according to the size of the liquid crystal panel manufactured, the number of pixels, the number of GIP gate drivers 103 mounted on the liquid crystal panel, and the like.

그리고, 도면에서는 더미영역(D)에 공통배선(151), GIP회로(152), 제어신호배선(153)만이 배치되어 있지만, 필요에 따라 다른 기능을 하는 각종 배선이 형성될 수 있다.In the drawing, only the common wiring 151, the GIP circuit 152, and the control signal wiring 153 are disposed in the dummy region D, but various wirings having different functions may be formed as necessary.

도면에 도시된 바와 같와 같이, 은도트(160)는 상기 공통배선(151) 위에 배치되어 상기 공통배선(151)과 전기적으로 접촉한다. 이후 자세히 설명하겠지만, 상기 은도트(160)는 제2기판(130)의 배면에 형성된 정전기 제거용 도전층과 전기적으로 접촉하여, 상기 공통배선(151)과 정전기 제거용 도전층을 전기적으로 접속시킨다.As shown in the figure, the silver dot 160 is disposed on the common wiring 151 to be in electrical contact with the common wiring 151. As will be described in detail later, the silver dot 160 is in electrical contact with the electrostatic removing conductive layer formed on the rear surface of the second substrate 130 to electrically connect the common wiring 151 and the electrostatic removing conductive layer. .

따라서, 액정표시소자의 표면에 사람의 손과의 접촉, 특히 터치패널을 구비한 경우 데이터입력을 위한 작업자의 터치 등에 의해 정전기가 발생하는 경우, 발생된 정전기는 상기 정전기 제거용 도전층에서 은도트(160) 및 공통배선(151)으로 흘러가서 제거된다.Therefore, when static electricity is generated by the touch of a human hand on the surface of the liquid crystal display, in particular, when the touch panel is provided by an operator's touch for data input, the generated static electricity is a silver dot in the conductive layer for removing static electricity. It flows to the 160 and the common wiring 151 and is removed.

도면에는 도시하지 않았지만, 상기 공통배선(151)은 표시영역(A/A) 내부의 공통라인 및 공통전극과 전기적으로 연결되며, 은도트(160)을 통해 공통배선(151)으로 유입된 정전기가 상기 공통라인 및 공통전극으로 흘러 들어가 제거된다. 액정표시소자에 발생하는 정전기는 실제 공통전극으로 인가되는 신호에 비해서는 그 세기가 매우 작기 때문에, 정전기가 상기 공통라인 및 공통전극으로 유입되어도 신호에는 영향을 미치지 않게 된다.Although not shown in the drawing, the common wiring 151 is electrically connected to the common line and the common electrode in the display area A / A, and the static electricity introduced into the common wiring 151 through the silver dot 160 is transferred. It flows into the common line and the common electrode and is removed. Since the static electricity generated in the liquid crystal display device is very small compared to the signal applied to the common common electrode, even if the static electricity flows into the common line and the common electrode, the signal is not affected.

한편 상기 은도트(160)의 크기는 다양하게 형성할 수 있고 공통배선(151)의 폭도 다양하게 형성할 수 있으므로, 도면에 도시된 바와 같이 상기 온도트(160)가 복수의 공통배선(151)과 동시에 접촉할 수도 있고, 하나의 공통배선(151)과 접촉하거나 2개의 공통배선(151)과 접촉할 수도 있을 것이다.Meanwhile, since the size of the silver dot 160 may be variously formed and the width of the common wiring 151 may be variously formed, as illustrated in the drawing, the temperature dot 160 may include a plurality of common wirings 151. And at the same time, may be in contact with one common wiring 151 or may be in contact with two common wiring 151.

종래의 액정표시소자에서는 상기 은도트가 그라운드와 접촉하여 정전기가 제거되는데 반해, 본 발명에서는 은도트가 공통배선과 직접 접촉하여 정전기를 제거한다. 따라서, 본 발명에서는 그라운드가 필요없게 되므로, 더미영역(D)에서 상기 그라운드를 제거할 수 있게 되며, 그 결과 상기 더미영역(D)의 폭을 감소할 수 있게 된다.In the conventional liquid crystal display device, the silver dot contacts the ground to remove static electricity, whereas in the present invention, the silver dot directly contacts the common wiring to remove the static electricity. Therefore, in the present invention, since the ground is not necessary, the ground can be removed from the dummy region D, and as a result, the width of the dummy region D can be reduced.

즉, 도 3a에 도시된 종래 액정표시소자와 도 4에 도시된 본 발명의 액정표시소자의 더미영역(D)을 비교하면, 종래에는 그라운드, GIP회로, 제어신호배선 및 공통배선이 배치되어 더미영역의 폭이 d1인 반면에, 본 발명에서는 공통배선(151), GIP회로(152), 제어신호배선(153)만이 더미영역(D)에 배치되므로 더미영역(D)의 폭이 d2가 되며, 종래의 그라운드의 폭만큼 더미영역의 폭이 감소할 수 있게 된다(즉, d1>d2).That is, when the dummy area D of the conventional liquid crystal display device shown in FIG. 3A and the liquid crystal display device of the present invention shown in FIG. 4 are compared, conventionally, the ground, the GIP circuit, the control signal wiring, and the common wiring are arranged. While the width of the region is d1, in the present invention, only the common wiring 151, the GIP circuit 152, and the control signal wiring 153 are disposed in the dummy region D, so the width of the dummy region D becomes d2. Therefore, the width of the dummy region can be reduced by the width of the conventional ground (that is, d1 > d2).

이하에서는 첨부한 도면을 참조하여 본 발명에 따른 실시예를 좀더 자세히 설명한다.Hereinafter, with reference to the accompanying drawings will be described an embodiment according to the present invention in more detail.

도 6은 본 발명의 일실시예에 따른 액정표시소자의 구조를 구체적으로 나타내는 단면도로서, 도면에서는 표시영역(A/A)와 한 화소와 더미영역(D)을 도시하였다.FIG. 6 is a cross-sectional view illustrating a structure of a liquid crystal display device according to an exemplary embodiment of the present invention. In the drawing, the display area A / A, one pixel, and the dummy area D are illustrated.

도 6에 도시된 바와 같이, 제1기판(120)의 표시영역(A/A)에는 박막트랜지스터가 형성되고 더미영역(D))에는 GIP회로를 형성하는 쉬프트레지스터용 박막트랜지스터(152a,152b,152c,152d), 제어신호배선(153) 및 공통배선(151a,151b)가 형성된다.As shown in FIG. 6, a thin film transistor 152a, 152b for forming a thin film transistor in a display area A / A of a first substrate 120 and a GIP circuit in a dummy area D is formed. 152c and 152d, control signal wiring 153 and common wiring 151a and 151b are formed.

화소용 박막트랜지스터는 표시영역(A/A)의 제1기판(120)에 형성된 게이트전극(111)과, 상기 게이트전극(111)이 형성된 제1기판(120) 전체에 걸쳐 형성된 게이트절연층(122)과 상기 게이트절연층(122) 위에 형성된 반도체층(112)과, 상기 반도체층(112) 위에 형성된 소스전극(113) 및 드레인전극(114)으로 이루어진다.The pixel thin film transistor includes a gate electrode 111 formed on the first substrate 120 in the display area A / A and a gate insulating layer formed on the entire first substrate 120 on which the gate electrode 111 is formed. 122 and a semiconductor layer 112 formed on the gate insulating layer 122, and a source electrode 113 and a drain electrode 114 formed on the semiconductor layer 112.

또한, 쉬프트레지스터용 박막트랜지스터는 제1기판(120)에 형성된 게이트전극(152a)과, 게이트절연층(122) 위에 형성된 반도체층(152b)과, 상기 반도체층(152b) 위에 형성된 소스전극(152c) 및 드레인전극(152d)으로 이루어진다.In addition, the thin film transistor for a shift register includes a gate electrode 152a formed on the first substrate 120, a semiconductor layer 152b formed on the gate insulating layer 122, and a source electrode 152c formed on the semiconductor layer 152b. ) And the drain electrode 152d.

상기 박막트랜지스터와 쉬프트레지스터용 박막트랜지스터 위에는 보호층(124)이 형성된다.The passivation layer 124 is formed on the thin film transistor and the thin film transistor for the shift register.

공통배선은 제l기판(120) 위에 형성된 제1공통배선(151a)과, 보호층(124) 위에 형성되어 상기 보호층(124)에 형성된 제2컨택홀(119b)을 통해 상기 제1공통배선(151a)과 전기적으로 연결되는 제2공통배선(151b)로 이루어진다. The common wiring is formed through the first common wiring 151a formed on the first substrate 120 and the second contact hole 119b formed on the protective layer 124 and formed on the protective layer 124. And a second common wiring 151b electrically connected to the 151a.

도면에는 도시하지 않았지만, 상기 제1공통배선(151a)은 표시영역(A/A)내에 형성된 공통라인 및 공통전극과 전기적으로 연결된다. 또한, 상기 제1공통배선(151a)은 외부의 구동소자에 연결되어 구동소자로부터 공급되는 공통전압을 공통라인 및 공통전극으로 인가한다.Although not shown in the drawing, the first common wiring 151a is electrically connected to the common line and the common electrode formed in the display area A / A. In addition, the first common wiring 151a is connected to an external driving device to apply a common voltage supplied from the driving device to the common line and the common electrode.

표시영역(A/A)의 보호층(124) 위에는 일정 폭으로 서로 평행하게 형성되어 기판(120)의 표면과 평행한 전계를 형성하는 복수의 공통전극(105) 및 화소전극(107)이 서로 교대로 배치되며, 이때 상기 박막트랜지스터의 드레인전극(114) 위의 보호층(124)에는 제1컨택홀(119a)이 형성되어 상기 제1컨택홀(119a)을 통해 드레인전극(114)과 화소전극(107)이 전기적으로 접속되어 외부의 화상신호가 상기 박막트랜지스터를 통해 상기 화소전극(107)으로 인가된다.On the passivation layer 124 of the display area A / A, a plurality of common electrodes 105 and pixel electrodes 107 formed in parallel with each other with a predetermined width to form an electric field parallel to the surface of the substrate 120 are present. In this case, a first contact hole 119a is formed in the passivation layer 124 on the drain electrode 114 of the thin film transistor, and the drain electrode 114 and the pixel are formed through the first contact hole 119a. The electrode 107 is electrically connected so that an external image signal is applied to the pixel electrode 107 through the thin film transistor.

또한, 더미영역(D)의 보호층(124) 위에는 제어신호배선(153)이 형성된다. 상기 제어신호배선(153)은 보호층(124)에 형성된 제3컨택홀(119c)를 통해 쉬프트레지스터용 박막트랜지스터의 드레인전극(152d)와 전기적으로 연결된다.In addition, the control signal wiring 153 is formed on the protective layer 124 of the dummy region D. The control signal line 153 is electrically connected to the drain electrode 152d of the thin film transistor for the shift register through the third contact hole 119c formed in the protective layer 124.

상기 화소용 박막트랜지스터의 게이트전극(111), 쉬프트레지스터용 박막트랜지스터의 게이트전극(152a), 제1공통배선(151a)는 서로 다른 공정에 의해 다른 금속으로 형성될 수도 있지만, 동일한 공정에 의해 동일한 금속으로 형성되는 것이 바람직하다. 이때, 상기 화소용 박막트랜지스터의 게이트전극(111), 쉬프트레지스터용 박막트랜지스터의 게이트전극(152a), 제1공통배선(151a)은 Al이나 Al합금과 같이 전도성이 좋은 금속으로 이루어진 단일층으로 형성될 수 있다. 또한, 상기 화소용 박막트랜지스터의 게이트전극(111), 쉬프트레지스터용 박막트랜지스터의 게이트전극(152a), 제1공통배선(151a)은 AlNd/Mo와 같은 복수의 층으로 이루어질 수도 있다.The gate electrode 111 of the pixel thin film transistor, the gate electrode 152a of the thin film transistor for shift shift, and the first common wiring 151a may be formed of different metals by different processes, but may be formed by the same process. It is preferably formed of a metal. In this case, the gate electrode 111 of the pixel thin film transistor, the gate electrode 152a of the thin film transistor for shift shift, and the first common wiring 151a are formed of a single layer made of a metal having good conductivity, such as Al or Al alloy. Can be. In addition, the gate electrode 111 of the pixel thin film transistor, the gate electrode 152a of the thin film transistor for shift shift, and the first common wiring 151a may be formed of a plurality of layers such as AlNd / Mo.

화소용 박막트랜지스터의 게이트전극(111), 쉬프트레지스터용 박막트랜지스터의 게이트전극(152a), 제1공통배선(151a) 위에 형성되는 게이트절연층(122)은 SiOx나 SiNx와 같은 무기절연물질로 이루어지며, 화소용 박막트랜지스터의 반도체층(112)과 쉬프트레지스터용 박막트랜지스터의 반도체층(152b)은 비정질실리콘(a-Si)이나 결정질실리콘 또는 산화물반도체가 사용될 수 있다.The gate insulating layer 122 formed on the gate electrode 111 of the pixel thin film transistor, the gate electrode 152a of the thin film transistor for the shift register, and the first common wiring 151a is made of an inorganic insulating material such as SiOx or SiNx. Amorphous silicon (a-Si), crystalline silicon, or an oxide semiconductor may be used for the semiconductor layer 112 of the pixel thin film transistor and the semiconductor layer 152b of the thin film transistor for shift register.

화소용 박막트랜지스터의 소스전극(113) 및 드레인전극(114)과 쉬프트레지스터용 박막트랜지스터의 소스전극(152c) 및 드레인전극(152d)는 Al, Al합금, Mo 등과 같은 전도성이 좋은 금속을 사용할 수 있다. 이때, 화소용 박막트랜지스터의 소스전극(113) 및 드레인전극(114)과 쉬프트레지스터용 박막트랜지스터의 소스전극(152c) 및 드레인전극(152d)은 서로 다른 공정에 의해 형성될 수도 있지만, 동일한 공정에 의해 동시에 형성되는 것이 바람직하다.As the source electrode 113 and the drain electrode 114 of the pixel thin film transistor and the source electrode 152c and the drain electrode 152d of the thin film transistor for shift register, a metal having good conductivity such as Al, Al alloy, Mo, etc. may be used. have. At this time, the source electrode 113 and the drain electrode 114 of the pixel thin film transistor and the source electrode 152c and the drain electrode 152d of the shift register thin film transistor may be formed by different processes, Is preferably formed at the same time.

상기 보호층(144)은 포토아크릴과 같은 유기물질로 형성될 수도 있고 SiOx나 SiNx와 같은 무기물질로 형성될 수도 있다. 또한, 상기 보호층(144)은 무기보호층과 유기보호층의 이중의 층으로 형성될 수도 있다.The protective layer 144 may be formed of an organic material such as photoacrylic or an inorganic material such as SiOx or SiNx. In addition, the protective layer 144 may be formed of a double layer of an inorganic protective layer and an organic protective layer.

표시영역(A/A)내의 공통전극(105)과 화소전극(107)은 전도성이 좋은 금속으로 형성될 수도 있고, 휘도를 향상시키기 위해 ITO(Indium Tin Oxide)나 IZO(Indium Zinc Oxide) 등과 같은 투명한 금속산화물로 형성될 수도 있다. 또한, 제2공통배선(151b)는 투명한 금속산화물로 형성되어 공기와의 접촉에 의해 공통배선(151a,151b)이 산화되는 것을 방지한다. 이때, 상기 제2공통배선(151b)은 보호층(124) 위에 일정 넓이로 형성된다. 또한, 제어신호배선(153)은 금속이나 투명한 금속산화물로 형성될 수 있다.The common electrode 105 and the pixel electrode 107 in the display area A / A may be formed of a metal having good conductivity, and may be formed of indium tin oxide (ITO), indium zinc oxide (IZO), or the like to improve luminance. It may be formed of a transparent metal oxide. In addition, the second common wiring 151b is formed of a transparent metal oxide to prevent the common wirings 151a and 151b from being oxidized by contact with air. In this case, the second common wiring 151b is formed on the protective layer 124 in a predetermined width. In addition, the control signal line 153 may be formed of a metal or a transparent metal oxide.

제2기판(130)에는 블랙매트릭스(132)와 컬러필터층(134)이 형성된다. 상기 블랙매트릭스(132)는 표시영역(A/A)의 박막트랜지스터 및 각종 배선에 대응하는 영역에 형성되어 해당 영역으로 광이 투과하는 것을 차단하며, 컬러필터층(134)은 R(Red), G(Green), B(Blue) 컬러필터로 구성되어 실제 컬러를 구현한다.The black matrix 132 and the color filter layer 134 are formed on the second substrate 130. The black matrix 132 is formed in the thin film transistor and the wiring of the display area A / A to prevent light from being transmitted to the corresponding area, and the color filter layer 134 is formed of R (Red), G. It consists of (Green) and B (Blue) color filters to realize actual colors.

상기 블랙매트릭스(132)는 CrO나 CrO2와 같은 금속산화물 또는 블랙수지로 형성될 수 있다.The black matrix 132 may be formed of metal oxide or black resin such as CrO or CrO 2 .

상기 제1기판(120) 및 제2기판(130) 사이에는 액정층(140)이 형성되며, 상기 제1기판(120)과 제2기판(130) 사이에 시일재(110)가 형성되어 액정층(140)을 밀봉한다.The liquid crystal layer 140 is formed between the first substrate 120 and the second substrate 130, and the sealing material 110 is formed between the first substrate 120 and the second substrate 130 to form a liquid crystal. Seal layer 140.

상기 제2기판(130)의 배면, 즉 블랙매트릭스(132)와 컬러필터층(134)이 형성된 면의 반대면에는 투명한 정전기 제거용 도전층(156)이 형성된다. 이때, 상기 정전기 제거용 도전층(156)은 ITO나 IZO와 같은 금속산화물로 형성될 수 있다.A transparent conductive layer for removing static electricity 156 is formed on the rear surface of the second substrate 130, that is, the surface opposite to the surface on which the black matrix 132 and the color filter layer 134 are formed. In this case, the electrostatic removing conductive layer 156 may be formed of a metal oxide such as ITO or IZO.

시일재(110)에 의해 밀봉된 액정층(140)과 제2기판(130)의 측면에는 은도트(Ag dot;160)가 형성된다. 이때, 상기 은도트(160)는 제1기판(120)의 제2공통배선(151b)에 놓이고 상부가 제2기판(130)의 배면, 즉 정전기 제거용 도전층(156)의 일부 영역 위에 형성되므로, 상기 은도트(160)에 의해 제2기판(130)의 정전기 제거용 도전층(156)과 제2공통배선(151b)이 전기적으로 연결된다.Silver dots 160 are formed on side surfaces of the liquid crystal layer 140 and the second substrate 130 sealed by the sealing material 110. In this case, the silver dot 160 is placed on the second common wiring 151b of the first substrate 120, and the upper portion of the silver dot 160 is on the rear surface of the second substrate 130, that is, on a portion of the conductive layer 156 for removing static electricity. Since the silver dot 160 is formed, the conductive layer 156 for removing static electricity of the second substrate 130 and the second common wiring 151b are electrically connected to each other.

도면에서는 상기 은도트(160)가 제2공통배선(151b)의 일측 영역에만 형성되어 있지만, 상기 은도트(160)는 제2공통배선(151b)의 전체 영역에 형성될 수도 있고 제2공통배선(151b)의 전체 영역 보다 넓게 형성될 수도 있다. 또한, 도 5에 도시된 바와 같이, 상기 은도트(160)는 복수의 제2공통배선(151b)과 접촉하도록 형성될 수도 있다.Although the silver dot 160 is formed only in one region of the second common wiring 151b in the drawing, the silver dot 160 may be formed in the entire area of the second common wiring 151b or the second common wiring. It may be formed wider than the entire area of 151b. In addition, as shown in FIG. 5, the silver dot 160 may be formed to contact the plurality of second common wirings 151b.

상기와 같이 구성된 액정표시소자에 있어서, 터치에 의한 입력 등과 같이 사용자가 액정표시소자의 화면을 접촉하는 경우, 액정표시소자에 정전기가 발생하며, 이 정전기는 제2기판(130)의 배면에 형성된 정전기 제거용 도전층(156)으로 모이게 된다. 상기 정전기 제거용 도전층(156)은 은도트(160)를 통해 제2공통배선(151b)가 전기적으로 접속되어 있으므로, 상기 정전기 제거용 도전층(156)의 정전기가 은도트(160)를 통해 제2공통배선(151b)으로 유입된다.In the liquid crystal display device configured as described above, when a user touches the screen of the liquid crystal display device such as an input by a touch, static electricity is generated on the liquid crystal display device, and the static electricity is formed on the rear surface of the second substrate 130. The conductive layer 156 is removed. Since the second common wiring 151b is electrically connected to the electrostatic removing conductive layer 156 through the silver dot 160, the static electricity of the electrostatic removing conductive layer 156 is transferred through the silver dot 160. It flows into the second common wiring 151b.

또한, 상기 제2공통배선(151b)은 제2컨택홀(119b)를 통해 제1기판(120)에 형성된 제1공통배선(151a)에 접속되고, 상기 제1공통배선(151a)은 일측은 표시영역(A/A)이 공통라인과 공통전극에 연결되고 타측은 외부의 구동소자의 단자(예를 들면, 공통전압단자)에 연결되므로, 상기 제2공통배선(151b)으로 유입된 정전기가 상기 공통라인과 공통전극으로 흘러가 제거되거나 구동소자의 단자로 유입되어 제거된다. 일반적으로 정전기의 세기는 공통전압에 비해 매우 약하며 공통라인과 공통전극으로 유입된 정전기는 표시영역(A/A) 내 배치된 모든 공통라인과 공통전극에 분배되기 때문에, 정전기에 의해 신호에 영향을 미치지 않게 정전기가 효율적으로 제거된다.In addition, the second common wiring 151b is connected to the first common wiring 151a formed on the first substrate 120 through the second contact hole 119b, and one side of the first common wiring 151a is Since the display area A / A is connected to the common line and the common electrode and the other side is connected to the terminal (eg, the common voltage terminal) of the external driving device, the static electricity flowing into the second common wiring 151b is discharged. Flow is removed to the common line and the common electrode or flows into the terminal of the driving element to be removed. In general, the strength of static electricity is very weak compared to common voltage, and since the static electricity flowing into the common line and common electrode is distributed to all common lines and common electrodes disposed in the display area (A / A), the signal is affected by the static electricity. Static electricity is efficiently removed so that it does not reach.

상술한 바와 같이, 종래에 은도트가 더미영역(D)의 그라운드와 전기적으로 접속되어 제2기판(130) 배면에 형성된 정전기 제거용 도전층으로 모인 정전기가 그라운드를 통해 제거되는데 반해, 본 발명에서는 정전기 제거용 도전층(156)과 접속되는 은도트(156)가 제1기판(120)의 더미영역(D)의 그라운드가 아니라 공통배선(151a,151b)에 연결되므로, 더미영역(D)에 그라운드를 형성할 필요가 없게 되며, 따라서 그라운드에 대응하는 만큼 더미영역(D)의 면적을 감소시킬 수 있게 되어 베젤의 크기를 최소화할 수 있게 된다.As described above, in the present invention, the silver dot is electrically connected to the ground of the dummy region D, and the static electricity collected in the electrostatic removal conductive layer formed on the back surface of the second substrate 130 is removed through the ground. Since the silver dot 156 connected to the electrostatic removing conductive layer 156 is connected to the common wirings 151a and 151b instead of the ground of the dummy region D of the first substrate 120, the silver dot 156 is connected to the dummy region D. It is not necessary to form the ground, and thus, the area of the dummy region D can be reduced as much as the ground, thereby minimizing the size of the bezel.

도 7은 본 발명의 다른 실시예에 따른 액정표시소자를 나타내는 도면이다.7 is a diagram illustrating a liquid crystal display device according to another exemplary embodiment of the present invention.

도 7에 도시된 구조의 액정표시소자와 도 6에 도시된 구조의 액정표시소자의 구조는 은도트(260)와 정전기 제거용 도전층(256)의 접속구조를 제외한 다른 구조는 거의 동일하므로, 동일한 구조에 대해서는 설명을 생략하고 다른 구조에 대해서만 설명한다. 이때, 비록 도 6과 도 7은 동일한 구조에 대하여 도면부호가 다르지만, 동일한 기능을 하는 것이므로, 구체적인 설명은 생략한다.Since the structure of the liquid crystal display device having the structure shown in FIG. 7 and the liquid crystal display device having the structure shown in FIG. 6 is substantially the same except for the connection structure between the silver dot 260 and the electrostatic removing conductive layer 256, The description of the same structure is omitted and only the other structure will be described. 6 and 7 have the same reference numerals for the same structures, but the same functions will be omitted.

도 7에 도시된 바와 같이, 본 발명의 다른 실시예에 따른 액정표시소자에서는 표시영역(A/A)의 제1기판(220)에 박막트랜지스터가 형성되며, 제2기판(230)의 전면에는 블랙매트릭스(232)와 컬러필터층(234)이 형성되어 있다. 또한, 상기 제2기판(230)의 배면에는 정전기 제거용 도전층(256)이 형성되어 있다.As shown in FIG. 7, in the liquid crystal display according to another exemplary embodiment, a thin film transistor is formed on the first substrate 220 of the display area A / A, and is formed on the front surface of the second substrate 230. The black matrix 232 and the color filter layer 234 are formed. In addition, a conductive layer 256 for removing static electricity is formed on the rear surface of the second substrate 230.

상기 제1기판(220) 및 제2기판(230) 사이에는 액정층(240)이 형성되며, 시일재(210)에 의해 제1기판(220) 및 제2기판(230)이 서로 합착된다. 도 6에 도시된 구조의 액정표시소자에서는 상기 시일재가 제2기판(230)의 가장자리 단부에 형성되어 제1기판 및 제2판을 합착할 때 시일재의 외부 측벽이 제2기판(230)의 측면과 거의 동일 평면을 형성하는데 반해, 이 실시예의 액정표시소자에서는 도 6의 액정표시소자에 비해 시일재가 표시영역(A/A) 안쪽에 형성된다.The liquid crystal layer 240 is formed between the first substrate 220 and the second substrate 230, and the first substrate 220 and the second substrate 230 are bonded to each other by the sealing material 210. In the liquid crystal display device having the structure shown in FIG. 6, when the sealing material is formed at the edge end of the second substrate 230 and the first substrate and the second plate are joined to each other, the outer sidewall of the sealing material is the side surface of the second substrate 230. On the other hand, in the liquid crystal display device of this embodiment, the sealing material is formed inside the display area A / A as compared with the liquid crystal display device of FIG.

다시 말해서, 이 실시예의 액정표시소자에서는 제1기판(220) 및 제2기판(230)이 시일재(210)에 의해 합착될 때 제2기판(230)의 일부가 시일재(210)의 측벽으로부터 외부방향으로 연장되어 형성된다. 이때, 도면에 도시된 바와 같이 제2기판(230)의 배면에 형성되는 정전기 제거용 도전층(256)가 제2기판(230)의 측면 및 시일재(210)의 측벽으로 연장된 영역의 전면으로 연장되어 형성된다.In other words, in the liquid crystal display device of this embodiment, when the first substrate 220 and the second substrate 230 are bonded by the seal member 210, a part of the second substrate 230 is a sidewall of the seal member 210. It extends outward from the formed. At this time, as shown in the figure, the front surface of the region in which the electrostatic removing conductive layer 256 formed on the rear surface of the second substrate 230 extends to the side surface of the second substrate 230 and the side wall of the sealing member 210. Is formed to extend.

은도트(260)은 제1기판(220)의 제2공통배선(251b) 사이 및 제2기판(230)의 시일재(210)의 측벽으로부터 연장된 영역의 전면, 즉 정전기 제거용 도전층(256)이 형성된 제2기판(230)의 전면 사이에 배치된다. 따라서, 상기 은도트(260)는 제2기판(230)의 전면에 형성된 정전기 제거용 도전층(256)과 제2공통배선(251b)을 전기적으로 연결하여 정전기 제거용 도전층(256)의 전류를 공통배선(251a,251b)를 통해 효율적으로 제거할 수 있게 된다.The silver dot 260 is formed on the entire surface of the region extending between the second common wiring 251 b of the first substrate 220 and from the sidewall of the sealing member 210 of the second substrate 230, that is, the conductive layer for removing static electricity ( It is disposed between the front surface of the second substrate 230 is formed 256. Accordingly, the silver dot 260 electrically connects the static elimination conductive layer 256 and the second common wiring 251 b formed on the front surface of the second substrate 230 to provide the current of the electrostatic eliminating conductive layer 256. It can be efficiently removed through the common wiring (251a, 251b).

도 6에 도시된 액정표시소자에서는 은도트가 제2기판의 측면 및 상면 일부에 형성되어 정전기 제거용 도전층과 공통배선을 전기적으로 연결하기 때문에 은도트의 크기가 큰 반면에, 이 실시예의 도시된 액정표시소자에서는 은도트가 시일재(210)로부터 연장된 제2기판(230)의 전면 하부에 배치되어 제2기판(230)의 전면에 형성된 정전기 제거용 도전층(256)과 공통배선(251a,251b)을 전기적으로 연결하므로 상기 은도트(260)의 크기를 상대적으로 작게 형성할 수 있게 된다.In the liquid crystal display device shown in FIG. 6, the silver dot is formed on a part of the side and the upper surface of the second substrate to electrically connect the conductive layer for removing static electricity and the common wiring, whereas the size of the silver dot is large. In the liquid crystal display device, the silver dot is disposed below the front surface of the second substrate 230 extending from the seal member 210, and the common wiring is formed on the front surface of the second substrate 230. Since the 251a and 251b are electrically connected to each other, the size of the silver dot 260 may be relatively small.

상술한 바와 같이, 본 발명에서는 은도트를 더미영역의 공통배선 위에 형성하여 상기 은도트에 의해 제2기판 배면의 정전기 제거용 도전층과 공통배선을 전기적으로 연결하여 정전기 제거용 도전층의 정전기를 제거하기 때문에, 더미영역에 그라운드를 형성할 필요가 없게 되므로, 더미영역의 면적을 감소시킬 수 있게 되며, 그 결과 베젤을 최소화할 수 있게 된다.As described above, in the present invention, silver dots are formed on the common wiring of the dummy region, and the silver dots are electrically connected to the conductive layer for removing static electricity on the back surface of the second substrate and the common wiring to prevent static electricity of the conductive layer for removing static electricity. Since it is not necessary to form the ground in the dummy area, the area of the dummy area can be reduced, thereby minimizing the bezel.

한편, 상술한 상세한 설명에서는 특정 구조의 액정표시소자가 기재되어 있지만, 이것은 설명의 편의를 위한 것으로 본 발명이 이러한 특정 구조의 액정표시소자에 한정되지 않는다.On the other hand, in the above detailed description, a liquid crystal display device having a specific structure is described, but this is for convenience of description and the present invention is not limited to the liquid crystal display device having such a specific structure.

예를 들면, 상술한 설명에서는 더미영역에 형성되는 특정 배선이 형성될 수 있지만, 이러한 배선의 종류, 폭이나 갯수 등은 액정표시소자의 크기, 구동모드 등에 따라 달라질 수 있을 것이다.For example, in the above description, specific wirings formed in the dummy region may be formed, but the type, width, and number of the wirings may vary depending on the size, driving mode, and the like of the liquid crystal display.

본 발명은 은도트가 더미영역의 공통배선과 형성되어 정전기 제거용 도전층의 정전기를 제거할 수만 있다면, 모든 구조의 액정표시소자에 적용될 수 있을 것이다.The present invention may be applied to the liquid crystal display device of any structure as long as the silver dot is formed with the common wiring of the dummy region so as to remove the static electricity of the conductive layer for removing static electricity.

120,130 : 기판 151a,151b : 공통배선
152 : 제어신호배선 153a,153b,153c,153d : GIP회로
156 : 정전기 제거용 도전층 160 : 은도트
144 : 보호층 146 : 컬러필터층120,130: Board 151a, 151b: Common wiring
152: control signal wiring 153a, 153b, 153c, 153d: GIP circuit
156: electrostatic removing conductive layer 160: silver dot
144: protective layer 146: color filter layer

Claims (7)

복수의 화소영역을 포함하여 실제 화상이 구현되는 표시영역 및 상기 표시영역 외곽에 형성된 더미영역을 포함하는 제1기판;
상기 각 화소영역에 대응하고, 상기 제1기판 상의 게이트전극과 상기 게이트전극을 덮는 게이트절연층 상의 반도체층과 상기 반도체층 상의 소스전극 및 드레인전극을 포함하는 화소용 박막트랜지스터;
상기 제1기판 상의 상기 더미영역에 형성되고 상기 게이트절연층으로 덮이는 제1공통배선;
상기 각 화소영역에 대응하고 상기 화소용 박막트랜지스터를 덮는 보호층 상에 형성되며 상호 평행하게 교대로 배치되는 공통전극과 화소전극;
상기 보호층 상의 상기 더미영역에 형성되고 상기 공통전극에 연결되는 제2공통배선;
상기 보호층을 관통하고 상기 화소용 박막트랜지스터와 상기 화소전극을 연결하는 제1컨택홀;
상기 보호층 및 상기 게이트절연층을 관통하고 상기 제1공통배선과 상기 제2공통배선을 연결하는 제2컨택홀;
전면이 제1기판과 대향하는 제2기판;
상기 제2기판의 배면에 형성되는 도전층;
상기 제1 및 제2 기판 사이의 상기 더미영역에 배치되고 상기 제1 및 제2기판을 합착하는 시일재; 및
상기 더미영역에 배치되고 상기 시일재에 접하며 상기 도전층과 상기 제2공통배선을 연결하는 은도트를 포함하는 액정표시소자.A first substrate including a display area including a plurality of pixel areas and a dummy area formed outside the display area;
A pixel thin film transistor corresponding to each of the pixel regions and including a gate electrode on the first substrate, a semiconductor layer on a gate insulating layer covering the gate electrode, and a source electrode and a drain electrode on the semiconductor layer;
A first common wiring formed in the dummy region on the first substrate and covered by the gate insulating layer;
A common electrode and a pixel electrode formed on a protective layer corresponding to each pixel area and covering the pixel thin film transistor and alternately arranged in parallel with each other;
A second common wiring formed in the dummy region on the protective layer and connected to the common electrode;
A first contact hole penetrating through the protective layer and connecting the pixel thin film transistor and the pixel electrode;
A second contact hole penetrating the protective layer and the gate insulating layer and connecting the first common wiring and the second common wiring;
A second substrate having a front surface facing the first substrate;
A conductive layer formed on the rear surface of the second substrate;
A seal member disposed in the dummy region between the first and second substrates to bond the first and second substrates together; And
And a silver dot disposed in the dummy area and in contact with the sealing material and connecting the conductive layer and the second common wiring. 제1항에 있어서,
상기 표시영역에 상호 교차하도록 형성되어 상기 복수의 화소영역을 정의하는 복수의 게이트라인 및 데이터라인을 더 포함하고,
상기 공통전극과 화소전극은 상기 제1기판의 표면과 평행한 전계를 형성하는 액정표시소자.The method of claim 1,
A plurality of gate lines and data lines formed to cross each other in the display area to define the plurality of pixel areas;
And the common electrode and the pixel electrode form an electric field parallel to the surface of the first substrate. 제1항에 있어서, 상기 더미영역에 형성된 제어신호배선 및 GIP회로를 더 포함하는 액정표시소자.The liquid crystal display of claim 1, further comprising a control signal wiring and a GIP circuit formed in the dummy region. 제1항에 있어서, 상기 도전층은 상기 제2기판의 전면 일부 영역으로 연장되는 액정표시소자.The liquid crystal display of claim 1, wherein the conductive layer extends to a portion of the front surface of the second substrate. 제4항에 있어서, 상기 은도트는 상기 제2기판 전면으로 연장된 도전층과 상기 제2공통배선 사이에 배치되는 액정표시소자.5. The liquid crystal display of claim 4, wherein the silver dot is disposed between the conductive layer extending toward the entire surface of the second substrate and the second common wiring. 삭제delete 제1항에 있어서,
상기 제2공통배선은 복수개 형성되고,
상기 은도트는 상기 복수의 제2공통배선과 접촉하는 액정표시소자.The method of claim 1,
The second common wiring is formed in plurality,
The silver dot is in contact with the plurality of second common wirings.
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