KR102015864B1 - 터치 센서 및 이를 포함하는 화상 표시 장치 - Google Patents

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Abstract

본 발명의 터치 센서는 베이스 층, 베이스 층 상에 순차적으로 적층된 제1 투명 도전성 산화물 패턴, 금속 패턴 및 제2 투명 도전성 산화물 패턴을 각각 포함하는 복수의 센싱 전극들, 및 각각의 센싱 전극의 표면을 덮는 도전성 캡핑 패턴을 포함한다. 도전성 캡핑 패턴에 의해 금속 패턴의 외부 환경에 의한 부식 및 손상을 억제할 수 있다.

Description

터치 센서 및 이를 포함하는 화상 표시 장치{TOUCH SENSOR AND DISPLAY DEVICE INCLUDING THE SAME}
본 발명은 터치 센서 및 이를 포함하는 화상 표시 장치에 관한 것이다. 보다 상세하게는 복층 구조의 전극 패턴들을 포함하는 터치 센서 및 이를 포함하는 화상 표시 장치에 관한 것이다.
최근 정보화 기술(IT)이 발전함에 따라 디스플레이 분야에 대한 요구도 다양한 형태로 제시되고 있다. 예를 들면, 박형화, 경량화, 저소비 전력화 등의 특징을 지닌 여러 평판 표시 장치(Flat Panel Display device), 예를 들어, 액정표시장치(Liquid Crystal Display device), 플라즈마표시장치(Plasma Display Panel device), 전계발광표시장치(Electro Luminescent Display device), 유기발광다이오드표시장치(Organic Light-Emitting Diode Display device) 등이 연구되고 있다.
한편, 상기 표시 장치 상에 내장되어 화면에 나타난 지시 내용을 사람의 손 또는 물체로 선택하여 사용자의 명령을 입력할 수 있도록 한 입력장치인 터치 스크린 패널(touch screen panel)이 디스플레이 장치와 결합되어 화상 표시 기능 및 정보 입력 기능이 함께 구현된 전자 기기들이 개발되고 있다.
터치 스크린 패널은 터치 센서의 동작 방식에 따라, 정전 용량 방식, 광감지 방식, 저항막 방식 등으로 구분될 수 있다. 정전 용량 방식의 터치 센서의 경우, 사람의 손 또는 물체가 접촉될 때 도전성 센싱 패턴이 주변의 다른 센싱패턴 또는 접지전극 등과 형성하는 정전용량의 변화를 감지함으로써, 접촉 위치를 전기적 신호로 변환한다.
터치 센서에 포함되는 상기 도전성 센싱 패턴은 디스플레이 장치에 적용되는 경우, 고투과성을 가지면서 향상된 전기적 특성(예를 들면, 낮은 저항)을 가질 필요가 있다. 또한, 외부 습도, 공기에 의한 변성에 대해 향상된 저항 또는 내성을 가질 필요가 있다.
최근에는 접힙 또는 굽힙이 가능한 플렉시블 디스플레이가 개발되고 있으며, 터치 센서가 상기 플렉시블 디스플레이에 적용되는 경우, 상기 도전성 센싱 패턴 역시 향상된 유연성 또는 플렉시블 특성을 가질 필요가 있다.
예를 들면, 한국공개특허 제2014-0092366호에서와 같이 최근 다양한 화상 표시 장치에 터치 센서가 결합된 터치 스크린 패널이 개발되고 있으나, 상술한 바와 같이 광학적, 전기적, 기계적 특성이 함께 향상된 터치 센서 또는 터치 패널의 요구가 지속되고 있다.
한국공개특허 제2014-0092366호
본 발명의 일 과제는 광학적, 전기적, 기계적 특성이 향상된 터치 센서를 제공하는 것이다.
본 발명의 일 과제는 광학적, 전기적, 기계적 특성이 향상된 터치 센서를 포함하는 터치 스크린 패널 또는 화상 표시 장치를 제공하는 것이다.
1. 베이스 층; 상기 베이스 층 상에 순차적으로 적층된 제1 투명 도전성 산화물 패턴, 금속 패턴 및 제2 투명 도전성 산화물 패턴을 각각 포함하는 복수의 센싱 전극들; 및 각각의 상기 센싱 전극의 표면을 덮는 도전성 캡핑 패턴을 포함하는, 터치 센서.
2. 위 1에 있어서, 상기 제1 투명 도전성 산화물 패턴, 상기 제2 투명 도전성 산화물 패턴 및 상기 도전성 캡핑 패턴은 각각 독립적으로 인듐주석산화물(ITO), 인듐아연산화물(IZO), 인듐아연주석산화물(IZTO), 알루미늄징크옥사이드(AZO), 아연 산화물(ZnOx), 인듐 산화물(InOx), 주석 산화물(SnOx), 카드뮴 주석 산화물(CTO), 갈륨-도핑 아연 산화물(GZO), 아연주석산화물(ZTO) 및 인듐갈륨산화물(IGO)로 이루어진 그룹에서 선택된 적어도 하나를 포함하는, 터치 센서.
3. 위 1에 있어서, 상기 금속 패턴은 금(Au), 은(Ag), 구리(Cu), 알루미늄(Al), 백금(Pt), 팔라듐(Pd), 크롬(Cr), 텅스텐(W), 티타늄(Ti), 탄탈륨(Ta), 철(Fe), 코발트(Co), 니켈(Ni), 아연(Zn), 바나듐(V), 니오븀(Nb), 텔레늄(Te) 및 몰리브덴(Mo)으로 이루어진 그룹에서 선택된 적어도 하나의 금속, 상기 금속의 합금 또는 상기 금속의 나노와이어를 포함하는, 터치 센서.
4. 위 1에 있어서, 상기 센싱 전극은 메쉬 패턴 구조를 포함하는, 터치 센서.
5. 위 1에 있어서, 상기 도전성 캡핑 패턴은 상기 센싱 전극의 측벽 및 상면을 덮는, 터치 센서.
6. 위 1에 있어서, 상기 도전성 캡핑 패턴의 너비는 상기 베이스 층 측으로 갈수록 증가하는, 터치 센서.
7. 위 1에 있어서, 상기 센싱 전극들을 덮는 절연층; 및 상기 절연층을 관통하며 상기 센싱 전극들 중 이웃하는 일부 센싱 전극들을 전기적으로 연결시키는 브릿지 패턴을 더 포함하며, 상기 브릿지 패턴은 상기 도전성 캡핑 패턴과 접촉하는, 터치 센서.
8. 위 1에 있어서, 상기 센싱 전극들 및 외부 회로를 서로 연결시키는 패드를 더 포함하는, 터치 센서.
9. 위 8에 있어서, 상기 패드는 상기 센싱 전극과 동일한 재질의 제1 투명 도전성 산화물 패턴, 금속 패턴 및 제2 투명 도전성 산화물 패턴을 포함하는, 터치 센서.
10. 위 8에 있어서, 상기 도전성 캡핑 패턴은 상기 센싱 전극을 덮는 제1 도전성 캡핑 패턴 및 상기 패드를 덮는 제2 도전성 캡핑 패턴을 포함하는, 터치 센서.
11. 위 10에 있어서, 상기 제2 도전성 캡핑 패턴의 상면을 노출시키는 콘택 홀이 형성된 패시베이션층을 더 포함하는, 터치 센서.
12. 위 11에 있어서, 상기 외부 회로는 상기 콘택 홀을 통해 상기 제2 도전성 캡핑 패턴과 접촉하는, 터치 센서.
13. 위 1에 있어서, 상기 베이스 층은 유기 고분자를 포함하는 적어도 하나의 중간층을 포함하는, 터치 센서.
14. 베이스 층; 상기 베이스 층 상에 배열된 복수의 센싱 전극들; 및 상기 센싱 전극들 중 이웃하는 일부 센싱 전극들을 전기적으로 연결시키는 브릿지 패턴을 포함하며,
상기 센싱 전극 또는 상기 브릿지 패턴 중 적어도 하나는 순차적으로 배치된 제1 투명 도전성 산화물 패턴, 금속 패턴 및 제2 투명 도전성 산화물 패턴을 포함하는 적층 구조를 가지며, 상기 적층 구조의 표면을 덮는 도전성 캡핑 패턴을 포함하는, 터치 센서.
15. 위 14에 있어서, 상기 도전성 캡핑 패턴은 도전성 금속 산화물을 포함하는, 터치 센서.
16. 위 1 내지 15중 어느 한 항의 터치 센서를 포함하는, 화상 표시 장치.
본 발명의 실시예들에 따르는 터치 센서에 있어서, 센싱 전극을 제1 투명 도전성 산화물 패턴-금속 패턴-제2 투명 도전성 산화물 패턴 적층구조를 포함하는 복층 구조로 형성할 수 있다. 따라서, 터치 센서의 투과도를 향상시키면서, 센싱 전극의 채널 저항을 감소시켜 고감도 센싱 전극을 구현할 수 있다. 또한, 중간에 삽입된 상기 금속 패턴에 의해 접힙, 굽힙 등과 같은 플렉시블 특성이 함께 향상될 수 있다.
또한, 예시적인 실시예들에 따르면, 센싱 전극의 표면을 덮는 도전성 캡핑 패턴을 형성할 수 있다. 상기 도전성 캡핑 패턴에 의해 금속 패턴의 습기, 공기 접촉에 의한 부식, 손상을 방지할 수 있다. 따라서, 외부 환경에 대해 신뢰성이 향상된 터치 센서를 획득할 수 있다.
또한, 상기 도전성 캡핑 패턴은 배선부에 형성된 패드 상에도 형성될 수 있으며, 구동 회로와 연결을 위해 노출되는 상기 패드의 신뢰성 역시 향상될 수 있다.
상기 터치 센서는 우수한 전기적, 기계적 신뢰성을 가지며 플렉시블 OLED, LCD 장치와 같은 화상 표시 장치에 효과적으로 적용될 수 있다.
도 1은 예시적인 실시예들에 따른 터치 센서를 나타내는 개략적인 단면도이다.
도 2는 예시적인 실시예들에 따른 터치 센서를 나타내는 개략적인 단면도이다.
도 3은 예시적인 실시예들에 따른 터치 센서를 나타내는 개략적인 단면도이다.
도 4 및 도 5는 일부 실시예들에 따른 터치 센서의 센싱 전극 구조를 설명하기 위한 평면도 및 단면도이다.
도 6은 예시적인 실시예들에 따른 화상 표시 장치를 나타내는 개략적인 단면도이다.
본 발명의 실시예들은 베이스 층; 상기 베이스 층 상에 순차적으로 적층된 제1 투명 도전성 산화물 패턴, 금속 패턴 및 제2 투명 도전성 산화물 패턴을 각각 포함하는 복수의 센싱 전극들; 및 상기 각각의 센싱 전극의 표면을 덮은 도전성 캡핑 패턴을 포함하는 터치 센서를 제공한다. 상기 도전성 캡핑 패턴에 의해 상기 센싱 전극의 내부식성이 향상되고, 원하는 전기적 동작 특성을 고신뢰성으로 유지할 수 있다.
이하 첨부된 도면을 참고하여, 본 발명의 실시예를 보다 구체적으로 설명하도록 한다. 다만, 본 명세서에 첨부되는 다음의 도면들은 본 발명의 바람직한 실시예들을 예시하는 것이며, 전술한 발명의 내용과 함께 본 발명의 기술사상을 더욱 이해시키는 역할을 하는 것이므로, 본 발명은 그러한 도면에 기재된 사항에만 한정되어 해석되어서는 아니된다.
도 1 내지 도 3은 예시적인 실시예들에 따른 터치 센서를 나타내는 개략적인 단면도들이다.
도 1을 참조하면, 상기 터치 센서는 베이스 층(100), 베이스 층(100) 상에 적층된 센싱 전극들(140), 및 센싱 전극들(140)을 덮는 패시베이션 층(160)을 포함할 수 있다.
베이스 층(100)은 센싱 전극(140) 형성을 위한 지지층으로 제공될 수 있다. 본 명세서에서, 베이스 층(100)은 센싱 전극(140)의 하부 부재를 포괄하는 의미로 사용된다. 예를 들면, 베이스 층(100)은 필름 타입의 부재 또는 기판을 포괄할 수 있으며, 또는 센싱 전극(140)이 형성되는 대상체(예를 들면, 디스플레이 장치의 표시 패널)를 포괄할 수 있다.
베이스 층(100)은 예를 들면, 글래스, 플라스틱, 또는 폴리이미드(PI), 폴리카보네이트(PC), 폴리에틸렌테레프탈레이트(PET), 폴리메틸메타아크릴레이트(PMMA), 트리아세틸 셀룰로오스(TAC) 등과 같은 유연성 수지를 포함할 수 있다.
센싱 전극(140)은 베이스 층(100) 상에 순차적으로 형성된 제1 투명 도전성 산화물 패턴(110), 금속 패턴(120) 및 제2 투명 도전성 산화물 패턴(130)을 포함할 수 있다.
제1 투명 도전성 산화물 패턴(110)은 베이스 층(100)으로부터 확산되는 예를 들면, 유기 물질에 대한 배리어로 제공될 수 있다. 또한, 제1 투명 도전성 산화물 패턴(110)은 금속 패턴(120)의 하부 배리어 또는 하부 보호 패턴으로 기능할 수 있다.
제1 투명 도전성 산화물 패턴(110)은 비제한적인 예로서, 인듐주석산화물(ITO), 인듐아연산화물(IZO), 인듐아연주석산화물(IZTO), 알루미늄징크옥사이드(AZO), 아연 산화물(ZnOx), 인듐 산화물(InOx), 주석 산화물(SnOx), 카드뮴 주석 산화물(CTO), 갈륨-도핑 아연 산화물(GZO), 아연주석산화물(ZTO), 인듐갈륨산화물(IGO) 등과 같은 도전성을 갖는 금속 산화물을 포함할 수 있다. 이들은 단독으로 혹은 2 이상이 조합되어 사용될 수 있다.
일 실시예에 있어서, 제1 투명 도전성 산화물 패턴(110)은 저온 결정성 및 배리어 특성 향상을 고려하여 IZO로 형성될 수 있다.
일 실시예에 있어서, 제1 투명 도전성 산화물 패턴(110)은 약 10 내지 70nm의 두께로 형성될 수 있다. 제1 투명 도전성 산화물 패턴(110)의 두께가 약 10nm 미만인 경우, 유기 물질에 대한 충분한 배리어 기능이 구현되지 않을 수 있다. 제1 투명 도전성 산화물 패턴(110)의 두께가 약 70nm를 초과하는 경우, 센싱 전극(140)의 저항이 지나치게 상승하며 균일한 패턴 형상이 용이하게 구현되지 않을 수 있다.
일 실시예에 있어서, 제1 투명 도전성 산화물 패턴(110)의 굴절률은 금속 패턴(120)과의 광학 정합성을 고려하여 약 1.7 내지 2.2 범위를 가질 수 있다.
금속 패턴(120)은 비제한적인 예로서, 금(Au), 은(Ag), 구리(Cu), 알루미늄(Al), 백금(Pt), 팔라듐(Pd), 크롬(Cr), 텅스텐(W), 티타늄(Ti), 탄탈륨(Ta), 철(Fe), 코발트(Co), 니켈(Ni), 아연(Zn), 텔레늄(Te), 바나듐(V), 니오븀(Nb), 몰리브덴(Mo)과 같은 금속, 이들 금속의 합금(예를 들면, 은-팔라듐-구리(APC)), 금속 또는 합금의 나노와이어를 포함할 수 있다. 일 실시예에 있어서, 금속 패턴(125)은 저저항 및 고감도 구현을 위해 APC를 포함하도록 형성될 수 있다.
금속 패턴(120)이 센싱 전극(140)에 포함됨에 따라, 센싱 전극(140)이 투명 도전성 산화물로 구성되는 경우보다, 플렉시블 특성이 향상되며, 채널 저항이 감소될 수 있다.
금속 패턴(120)의 두께는 특별히 제한되는 것은 아니나, 약 5 내지 30nm일 수 있다.
제2 투명 도전성 산화물 패턴(130)은 상술한 도전성 금속 산화물을 포함할 수 있다. 제2 투명 도전성 산화물 패턴(130)은 제1 투명 도전성 산화물 패턴(110)과 동일하거나 상이한 전도성 금속 산화물을 포함할 수 있다.
일 실시예에 있어서, 전도성 및 투과도 향상 측면을 고려하여 제2 투명 도전성 산화물 패턴(130)은 ITO로 형성될 수 있다.
일 실시예에 있어서. 제2 투명 도전성 산화물 패턴(130)의 두께는 약 10 내지 140nm로 형성될 수 있다. 센싱 전극(140) 형성을 위한 식각 공정 시, 금속 패턴(120)의 손상 방지를 위해 제2 투명 도전성 산화물 패턴(130)은 제1 투명 도전성 산화물 패턴(110)보다 큰 두께를 가질 수 있다.
예를 들면, 제2 투명 도전성 산화물 패턴(130)의 두께가 약 10nm 미만인 경우, 금속 패턴(120)에 대한 충분한 상부 배리어가 제공되지 않을 수 있다. 제2 투명 도전성 산화물 패턴(130)의 두께가 약 140nm를 초과하는 경우, 터치 센서의 투과도가 지나치게 감소될 수 있으며, 센싱 전극(140) 형성을 위한 식각 공정 시간이 지나치게 증가될 수 있다.
일 실시예에 있어서, 제2 투명 도전성 산화물 패턴(130)의 굴절률은 금속 패턴(120)과의 광학 정합성을 고려하여 약 1.7 내지 2.2 범위를 가질 수 있다.
예시적인 실시예들에 따르면, 센싱 전극(140)은 메쉬(mesh) 패턴 구조를 포함할 수 있다. 예를 들면, 센싱 전극(140)에 포함된 제1 투명 도전성 산화물 패턴(110), 금속 패턴(120) 및/또는 제2 투명 도전성 산화물 패턴(130)은 상기 메쉬 패턴 구조로 형성될 수 있다.
메쉬 패턴은 네트(net) 또는 벌집(honeycomb) 형태의 내부 구조를 포함할 수 있다. 또한, 상기 메쉬 패턴은 직각 사각형 메쉬 구조, 마름모 메쉬 구조, 육각형 메쉬 구조 등을 포함할 수 있으며, 오목 다각형 메쉬 구조를 포함할 수도 있다.
센싱 전극(140)이 메쉬 패턴 구조를 가짐에 따라, 굽힙 특성이 향상되어 유연성 및 신축성이 우수한 터치 센서가 구현될 수 있다.
본 발명의 실시예들에 따르면, 각 센싱 전극(140)의 표면 상에는 도전성 캡핑 패턴(135)이 형성될 수 있다. 예시적인 실시예들에 따르면, 도전성 캡핑 패턴(135)은 각 센싱 전극(140)의 측벽 및 상면을 덮을 수 있다.
도전성 캡핑 패턴(135)에 의해 금속 패턴(120)의 측벽이 커버되므로, 외부 수분 또는 공기에 의해 금속 패턴(120)의 부식 또는 산화를 차단할 수 있다. 또한, 예를 들면 제1 투명 도전성 산화물 패턴(110)에 의해 차단되지 못한 유기 물질과 금속 패턴(120)의 상기 측벽 사이의 접촉을 억제할 수 있다.
도전성 캡핑 패턴(135)은 소정의 전도성, 투과도를 확보하면서 금속 보다 향상된 내화학성을 갖는 도전성 금속 산화물로 형성될 수 있다. 일 실시예에 있어서, 도전성 캡핑 패턴(135)은 ITO 또는 IZO를 포함할 수 있다.
도전성 캡핑 패턴(135)의 두께(예를 들면, 센싱 전극(140) 상면으로부터의 두께)는 약 30 내지 300nm일 수 있다. 도전성 캡핑 패턴(135)의 두께가 약 30nm 미만인 경우, 센싱 전극(140)의 측벽으로부터의 두께도 함께 감소하여 금속 패턴(120)에 대한 충분한 배리어 특성이 구현되지 않을 수 있다.
일 실시예에 있어서, 도전성 캡핑 패턴(135)의 두께 증가로 인한 센싱 전극(140)의 저항 증가를 억제하기 위해, 도전성 캡핑 패턴(135)의 두께는 약 30 내지 50nm로 조절될 수 있다.
일부 실시예들에 있어서, 도 1에 도시된 바와 같이, 도전성 캡핑 패턴(130)은 실질적으로 사다리꼴 형상의 단면 프로파일을 가질 수 있다. 예를 들면, 도전성 캡핑 패턴(130)은 베이스 층(100)으로 갈수록 너비가 증가하도록 테이퍼진(tapered) 형상을 가질 수 있다.
따라서, 도전성 캡핑 패턴(135) 형성을 위한 식각 공정 시, 금속 패턴(120)과 인접한 부분의 두께가 감소하여 충분한 배리어 특성이 확보되지 않는 것을 방지할 수 있다. 또한, 베이스 층(100)과 접촉하는 도전성 캡핑 패턴(135) 부분의 두께가 증가함에 따라, 베이스 층(100)으로부터의 유기 물질 확산을 보다 효과적으로 차단할 수 있다.
예를 들면, 베이스 층(100) 상에 제1 투명 도전성 산화물 층, 금속층 및 제2 투명 도전성 산화물 층을 스퍼터링(sputtering) 공정과 같은 증착 공정 또는 도전성 조성물의 코팅 공정을 통해 형성할 수 있다.
이후, 제1 포토 마스크를 통한 사진 식각 공정을 통해 상기 제2 투명 도전성 산화물 층, 상기 금속층 및 상기 제1 투명 도전성 산화물 층을 순차적으로 식각하여 센싱 전극들(140)을 형성할 수 있다.
이후, 센싱 전극들(140)을 덮는 도전성 캡핑층을 형성한 후, 제2 포토 마스크를 통한 사진 식각 공정을 통해 상기 도전성 캐핑층을 패터닝하여 도전성 캡핑 패턴(135)을 형성할 수 있다.
예를 들면, 도전성 캡핑 패턴(135)은 센싱 전극(140) 외벽에 형성된 스페이서(spacer) 형상으로 형성될 수 있다.
패시베이션 층(160)은 베이스 층(100) 상에 형성되어, 센싱 전극들(140) 및 도전성 캡핑 패턴(135)을 덮을 수 있다. 패시베이션 층(160)은 예를 들면, 예를 들면, 실리콘 산화물과 같은 무기 산화물, 또는 유기 절연물질을 포함할 수 있다.
상술한 바와 같이, 예시적인 실시예들에 따른 터치 센서의 센싱 전극(140)은 제1 투명 도전성 산화물 패턴(110)/금속 패턴(120)/제2 투명 도전성 산화물 패턴(130)을 포함하는 3층 구조를 포함할 수 있다. 금속 패턴(120)을 센싱 전극(140) 내에 삽입시킴에 따라, 채널 저항 감소를 통한 터치 센서의 감도 및 유연성이 향상될 수 있다. 또한, 금속 패턴(120)이 제1 및 제2 투명 도전성 산화물 패턴들(110, 130)에 의해 샌드위치됨에 따라, 터치 센서의 투과도가 향상되며, 금속 패턴(120)의 부식, 손상을 차단할 수 있다.
또한, 금속 패턴(120)의 측벽이 도전성 캡핑 패턴(135)에 의해 커버됨에 따라, 외부 환경으로부터의 금속 패턴(120)의 신뢰성이 추가적으로 향상될 수 있다.
예를 들면, 도전성 캡핑 패턴(135)의 약 1.7 내지 2.2 범위의 굴절률을 가질 수 있다. 따라서, 금속 패턴(120)의 측벽으로 향하는 광에 있어서도, 굴절률 정합 효과가 향상되어 센싱 전극(140)의 시인 현상이 감소될 수 있다.
도 2를 참조하면, 중간층이 센싱 전극(140) 형성을 위한 베이스 층으로 제공될 수 있다. 상기 중간층은 단일 층 또는 다층 구조를 가질 수 있다. 예시적인 실시예들에 따르면, 상기 중간층은 제1 중간층(80) 및 제2 중간층(90)을 포함할 수 있다. 제1 중간층(80) 또는 제2 중간층(90) 중 적어도 하나는 유기 고분자를 포함할 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 제1 중간층(80)은 캐리어 기판과의 후속 박리 또는 분리 공정을 촉진하기 위한 기능층으로 포함될 수 있다. 예를 들면, 제1 중간층(80)은 폴리이미드(polyimide), 폴리비닐알코올(poly vinyl alcohol), 폴리아믹산(polyamic acid), 폴리아미드(polyamide), 폴리에틸렌(polyethylene), 폴리스티렌(polystylene), 폴리노보넨(polynorbornene), 페닐말레이미드 공중합체(phenylmaleimide copolymer), 폴리아조벤젠(polyazobenzene), 폴리페닐렌프탈아미드(polyphenylenephthalamide), 폴리에스테르(polyester), 폴리메틸 메타크릴레이트(polymethyl methacrylate), 폴리아릴레이트(polyarylate), 신나메이트(cinnamate), 쿠마린(coumarin), 프탈리미딘(phthalimidine), 칼콘(chalcone), 방향족 아세틸렌계 등의 고분자를 포함할 수 있다. 이들은 단독 또는 2종 이상 조합되어 사용될 수 있다.
제2 중간층(90)은 상기 박리 공정에서 센싱 전극(140)을 보호하기 위해 추가될 수 있다. 또한, 제2 중간층(90)은 센싱 전극(140)과의 굴절률 정합을 위해 형성될 수 있다. 예를 들면, 제2 중간층(90)은 실리콘 산화물, 실리콘 질화물, 실리콘 산질화물 등과 같은 무기 절연 물질, 또는 고분자 계열의 유기 절연 물질을 포함할 수 있다.
일부 실시예들에 있어서, 상기 박리 공정을 통해 상기 캐리어 기판이 제1 중간층(80)으로부터 박리된 후, 기재(70)가 제1 중간층(80)의 저면으로 접합될 수 있다. 예를 들면, 기재(70)는 점접착층을 통해 제1 중간층(80)에 부착될 수 있다. 기재(70)는 예를 들면, 폴리이미드와 같은 유연성 수지 필름, 또는 편광 필름과 같은 각종 광학 기능층을 포함할 수 있다.
도 3을 참조하면, 패시베이션 층(160) 상에는 광학 기능층(170)이 적층될 수 있다. 예를 들면, 광학 기능층(170)은 코팅형 편광자, 또는 연신형 편광판을 포함할 수 있다.
상기 연신형 편광판은 보호필름 및 편광자를 포함하며, 상기 보호필름 상에 점접착층을 도포 후, 패시베이션 층(160) 상에 상기 편광판을 접합할 수 있다.
광학성 기능층(170)은 위상차 판, 하드코팅층, 색 조절층 등을 포함할 수도 있다.
도 4 및 도 5는 일부 실시예들에 따른 터치 센서의 센싱 전극 구조를 설명하기 위한 평면도 및 단면도이다. 예를 들면, 도 5는 도 4에 표시된 III-III' 라인을 따라 상기 터치 센서의 두께 방향으로 절단한 단면도를 포함하고 있다. 예를 들면, 도 4는 도 5에 표시된 제1 영역(I)에서의 평면도이다.
한편, 도 1 내지 도 3을 참조로 설명한 바와 실질적으로 동일한 구성 및/또는 재질에 대한 상세한 설명은 생략된다.
도 4 및 도 5를 참조하면, 상기 터치 센서는 제1 영역(I) 및 제2 영역(II)을 포함할 수 있다. 제1 영역(I)은 예를 들면, 터치 지점을 검출하여 위치 정보를 생성하는 센싱 영역에 해당될 수 있다. 제2 영역(II)은 터치 센서의 배선 영역 또는 트레이스 영역에 해당될 수 있다. 이에 따라, 제1 중간층(80) 및 제2 중간층(90)을 포함하는 베이스 층도 제1 영역(I) 및 제2 영역(II)으로 구분될 수 있다.
센싱 전극들(141, 143)은 상기 터치 센서의 제1 영역(I)에 배치되며, 각각 제1 투명 도전성 산화물 패턴(110), 금속 패턴(120) 및 제2 투명 도전성 산화물 패턴(130)의 적층 구조를 포함할 수 있다. 상기 센싱 전극들은 제1 센싱 전극(141) 및 제2 센싱 전극(143)을 포함할 수 있다. 센싱 전극들(141, 143)의 표면 상에 각각 제1 도전성 캡핑 패턴(136)이 형성될 수 있다.
제1 센싱 전극(141)은 예를 들면, 다각형 형상의 단위 패턴들이 연결부(141a)를 통해 행 방향을 따라 연결되며 연장할 수 있다. 따라서, 상기 행 방향의 제1 센싱 라인이 정의되며, 복수의 상기 제1 센싱 라인들이 열 방향으로 배열될 수 있다.
제2 센싱 전극(143)은 예를 들면, 서로 물리적으로 이격된 다각형 형상의 섬(island) 패턴을 포함할 수 있다. 제2 센싱 전극들(143)은 제1 센싱 전극들(141)과 전기적, 물리적으로 분리되도록 이격될 수 있다. 예를 들면, 제2 센싱 전극들(143)은 열 방향으로 제1 센싱 전극(141)의 연결부(141a)를 사이에 두고 서로 마주보며 이격될 수 있다.
예를 들면, 제2 중간층(90) 상에는 절연층(150)이 형성되어 제1 및 제2 센싱 전극들(141, 143) 사이의 공간을 채우며 제1 및 제2 센싱 전극들(141, 143), 및 제1 도전성 캡핑 패턴(136)을 덮을 수 있다. 일부 실시예들에 있어서, 절연층(150)은 제1 영역(I)에 선택적으로 형성될 수 있다.
절연층(150)은 예를 들면, 실리콘 산화물과 같은 무기 절연 물질, 또는 아크릴계 수지와 같은 투명 유기 물질을 포함할 수 있다. 바람직하게는, 절연층(150)은 에폭시 화합물, 아크릴 화합물, 멜라닌 화합물 등과 같은 열경화성 또는 광경화성 물질을 포함하는 유기 수지 조성물로부터 형성될 수 있다.
절연층(150)은 제2 센싱 전극(143) 상에 형성된 도전성 캡핑 패턴(135)의 상면을 적어도 부분적으로 노출시키는 제1 콘택 홀을 포함할 수 있다. 예를 들면, 절연층(150)에 대해 제3 포토 마스크를 사용한 노광 공정 및 현상 공정을 통해 상기 콘택 홀을 형성할 수 있다.
절연층(150) 상에는 브릿지(bridge) 패턴(155)이 배치될 수 있다. 브릿지 패턴(155)은 상기 제1 콘택 홀들을 채우며, 상기 열 방향으로 이웃하는 한 쌍의 제2 센싱 전극들(143)을 전기적으로 연결시킬 수 있다.
브릿지 패턴(155)은 제1 영역(I) 상에서 제2 센싱 전극(143)을 덮는 제1 도전성 캡핑 패턴(136)과 직접 접촉할 수 있다. 제1 도전성 캡핑 패턴(136)은 브릿지 패턴(155) 및 제2 센싱 전극(143) 사이의 중개 전극으로 기능할 수 있다.
브릿지 패턴(155) 및 제2 센싱 전극들(143)에 의해 제1 센싱 전극 들(141)과 절연이 유지되면서 상기 열 방향으로 연장하는 제2 센싱 라인이 정의될 수 있다. 복수의 상기 제2 센싱 라인들이 상기 행 방향으로 배열될 수 있다.
일부 예시적인 실시예들에 있어서, 브릿지 패턴(155) 역시 센싱 전극(141, 143)과 실질적으로 동일하거나 유사한 구조를 가질 수 있다. 예를 들면, 브릿지 패턴(155)은 제1 투명 도전성 산화물 패턴-금속 패턴-제2 투명 도전성 산화물 패턴을 포함하는 적층 구조를 가지며, 상기 적층 구조의 표면을 덮는 도전성 캡핑 패턴을 포함할 수 있다.
일부 실시예들에 있어서, 센싱 전극(141, 143) 또는 브릿지 패턴(155) 중 어느 하나가 상술한 적층 구조 및 도전성 캡핑 패턴을 포함할 수 있다. 또한, 센싱 전극(141, 143) 및 브릿지 패턴(155) 모두 상술한 적층 구조 및 도전성 캡핑 패턴을 포함할 수도 있다.
상기 제1 및 제2 센싱 라인들은 예를 들면, 터치 센서의 배선들 또는 트레이스들과 연결되며, 상기 배선 또는 트레이스들은 예를 들면, 제2 영역(II) 상에 배치된 패드(147)를 통해 외부 회로 또는 구동회로와 연결될 수 있다.
예시적인 실시예들에 따르면, 패드(147) 역시 제1 투명 도전성 산화물 패턴(110), 금속 패턴(120) 및 제2 투명 도전성 산화물 패턴(130)의 적층 구조를 포함할 수 있다. 또한, 패드(147)의 측벽 및 상면을 제2 도전성 캡핑 패턴(137)이 커버할 수 있다.
일부 실시예들에 있어서, 패드(147)는 센싱 전극들(141, 143)과 실질적으로 동일한 식각 공정을 통해 형성될 수 있다. 또한, 제1 및 제2 도전성 캡핑 패턴들(136, 137) 역시 실질적으로 동일한 식각 공정을 통해 함께 형성될 수 있다.
패시베이션 층(160)은 제1 및 제2 영역들(I, II)을 공통적으로 커버하며, 브릿지 패턴(155)을 덮을 수 있다.
제2 영역(II)의 패시베이션 층(160) 부분에는 제2 콘택 홀(165)이 형성될 수 있다. 제2 콘택 홀(165)을 통해 예를 들면, 연성 회로 기판(FPBC)과 같은 외부 회로 부재가 패드(147)와 전기적으로 연결될 수 있다.
예시적인 실시예들에 따르면, 제2 콘택 홀(165)을 통해 제2 도전성 캡핑 패턴(137)의 상면이 노출될 수 있다. 제2 콘택 홀(165)을 통해 외부 공기에 노출될 수 있는 패드(147)가 제2 도전성 캡핑 패턴(137)에 의해 커버됨에 따라, 패드(147)(예를 들면 패드(147)에 포함된 금속 패턴(120))의 산화 또는 부식에 의한 신호 전달 오류 또는 저항 증가를 방지할 수 있다.
또한, 패시베이션 층(160)에 포함된 유기 물질의 확산에 의한 금속 패턴(120)의 침투 또는 확산이 제2 도전성 캡핑 패턴(137)에 의해 차단될 수 있다.
일부 실시예들에 있어서, 패드(147) 및/또는 브릿지 패턴(155)은 센싱 전극과 실질적으로 동일하거나 유사한 메쉬 패턴 구조를 포함할 수 있다.
일부 실시예들에 있어서, 상기 터치 센서는 상호 정전 용량(Mutual Capacitance) 방식으로 구동될 수 있다.
일부 실시예들에 있어서, 터치 센서는 자기 정전용량(Self Capacitance) 방식으로 구동될 수 있다. 이 경우, 센싱 전극은 각각 독립된 섬 형상의 단위 패턴을 포함하며, 상기 단위 패턴 각각이 트레이스 또는 배선과 연결될 수 있다. 이 경우, 브릿지 패턴은 생략될 수도 있다. 일 실시예에 있어서, 상기 트레이스 또는 배선 역시 도전성 캡핑 패턴에 의해 둘러싸이거나 커버될 수 있다.
도 6은 예시적인 실시예들에 따른 화상 표시 장치를 나타내는 개략적인 단면도이다.
도 6을 참조하면, 상기 화상 표시 장치는 베이스 기판(200), 화소 정의막(205), 표시층(210), 전극(215), 층간 절연막(220, 230), 센싱 전극 (140), 패시베이션 층(160), 광학층(240) 및 윈도우 기판(250)을 포함할 수 있다.
베이스 기판(200)은 디스플레이 패턴의 지지 기판일 수 있다. 예시적인 실시예들에 따르면, 베이스 기판(200)은 폴리이미드와 같은 유연성을 갖는 수지 물질을 포함할 수 있다. 이 경우, 상기 화상 표시 장치는 플렉시블 디스플레이로 제공될 수 있다.
베이스 기판(200) 상에는 화소 정의막(205)이 형성되어 색상 또는 이미지가 구현되는 화소 영역이 노출될 수 있다. 베이스 기판(200) 및 화소 정의막(205) 사이에는 박막 트랜지스터(TFT) 어레이가 형성될 수 있으며, 상기 TFT 어레이를 덮는 절연 구조물이 형성될 수 있다. 화소 정의막(205)은 상기 절연 구조물 상에 형성되며, 예를 들면 상기 절연 구조물을 관통하며 TFT와 전기적으로 연결되는 화소 전극(예를 들면, 양극(anode))을 노출시킬 수 있다.
화소 정의막(205)에 의해 노출된 상기 화소 영역마다, 표시층(210)이 형성될 수 있다. 표시층(210)은 예를 들면, 유기 발광 물질을 포함하며, 이 경우 상기 화상 표시 장치는 OLED 장치로 제공될 수 있다. 표시층(210)은 액정 물질을 포함할 수도 있으며, 이 경우 상기 화상 표시 장치는 LCD 장치로 제공될 수 있다.
화소 정의막(205) 및 표시층(210) 상에는 전극(215)이 배치될 수 있다. 전극(215)은 상기 화소 전극과 마주보는 대향전극으로 제공될 수 있다. 전극(215)은 화상 표시 장치의 음극(cathode)일 수 있으며, 복수의 화소 영역들 상에서 연속적으로 연장되는 공통 전극일 수 있다.
전극(215) 상에는 층간 절연막(220, 230)이 형성될 수 있다. 상기 층간 절연막은 제1 층간 절연막(220) 및 제2 층간 절연막(230)을 포함할 수 있다. 제1 층간 절연막(220)은 평탄화막으로 제공되며, 제2 층간 절연막(230)은 인캡슐레이션 막으로 제공될 수 있다.
상기 층간 절연막 상에는 상술한 예시적인 실시예들에 따른 터치 센서가 배치될 수 있다. 상기 터치 센서는 제1 투명 도전성 산화물 패턴(110), 금속 패턴(120) 및 제2 투명 도전성 산화물 패턴(130)을 포함하는 센싱 전극(140)을 포함할 수 있다. 센싱 전극(140)의 표면은 실질적으로 도전성 캡핑 패턴(135)에 의해 인캡슐레이션될 수 있다.
센싱 전극(140)은 상술한 바와 같이 향상된 투과도를 가지므로, 화소 정의막(205) 및 상기 화소 영역 상에 함께 분포될 수 있다. 일부 실시예들에 있어서, 센싱 전극(140)은 화소 정의막(205)과 중첩되며, 상기 화소 영역과는 중첩되지 않도록 배열될 수도 있다.
제2 층간 절연막(230) 상에는 센싱 전극(140)을 덮는 패시베이션 층(160)이 형성되며, 패시베이션 층(160) 상에는 광학층(240) 및 윈도우 기판(250)이 적층될 수 있다.
광학층(240)은 편광자 또는 편광판, 위상차 필름 등과 같은 화상 표시 장치의 광학 특성, 투과도 등을 향상시킬 수 있는 기능층을 포함할 수 있다. 윈도우 기판(250)은 사용자 측으로 노출되는 봉지층으로 기능할 수 있다.
예시적인 실시예들에 따른 터치 센서는 예를 들면, 플렉시블 OLED 장치에 채용되어 향상된 굽힙 특성을 가지면서 외부 환경에 대한 내구성, 신뢰성이 향상된 화상 표시 장치가 구현될 수 있다.
이하, 본 발명의 이해를 돕기 위하여 바람직한 실시예들을 포함하는 실험예를 제시하나, 이들 실시예는 본 발명을 예시하는 것일 뿐 첨부된 특허청구범위를 제한하는 것이 아니며, 본 발명의 범주 및 기술사상 범위 내에서 실시예에 대한 다양한 변경 및 수정이 가능함은 당업자에게 있어서 명백한 것이며, 이러한 변형 및 수정이 첨부된 특허청구범위에 속하는 것도 당연한 것이다.
실험예
글래스 기판 상에 표 1에 기재된 두께 및 재질로 제1 투명 도전성 산화물 패턴, 금속 패턴 및 제2 투명 도전성 산화물 패턴을 포함하는 센싱 전극을 형성하였다. 센싱 전극의 너비는 30㎛가 되도록 패터닝되었다.
실시예의 센싱 전극의 경우 ITO를 사용하여 도전성 캡핑 패턴을 형성하였으며, 비교예들의 센싱 전극의 경우 도전성 캡핑 패턴의 형성은 생략되었다.
구분 제1 투명 도전성 산화물 패턴
(IZO)(nm)		 금속 패턴
(APC)(nm)		 제2 투명 도전성 산화물 패턴
(IZO)(nm)		 도전성 캡핑 패턴
(ITO)(nm)
실시예 1 40 10 140 300
실시예 2 40 10 40 135
비교예 1 40 10 140 -
비교예 2 40 10 90 -
비교예 3 40 10 10 -
비교예 4 40 10 40 -
실시예 및 비교예들의 센싱 전극에 대해 85℃ 및 상대습도 85% 조건에 방치하여 금속 패턴의 부식이 관찰되는 시간을 측정하였다. 평가결과는 표 2에 나타낸다.
시간 500hr 650hr 800hr 1000hr
실시예 1 X X X X
실시예 2 X X X X
비교예 1 X X X ○
비교예 2 X X X ○
비교예 3 X ○ - -
비교예 4 X X ○ -
표 2를 참조하면, 도전성 캡핑 패턴이 형성된 실시예의 센싱 전극의 경우 1000시간 이후에도 금속 패턴의 부식이 관찰되지 않았다. 비교예들의 경우, 제2 투명 도전성 산화물 패턴의 두께가 감소할수록 금속 패턴의 부식이 빨리 관찰되었다.
70: 기재 80: 제1 중간층
90: 제2 중간층 110: 제1 투명 금속 산화물 패턴
120: 금속 패턴 130: 제2 투명 금속 산화물 패턴
135: 도전성 캡핑 패턴 136: 제1 도전성 캡핑 패턴
137: 제2 도전성 캡핑 패턴 140: 센싱 전극
141: 제1 센싱 전극 143: 제2 센싱 전극
150: 절연층 155: 브릿지 패턴
160: 패시베이션 층 200: 베이스 기판
205: 화소 정의막 210: 표시층
215: 전극 220, 230: 제1 및 제2 층간 절연막

Claims (16)

  1. 베이스 층;
    상기 베이스 층 상에 순차적으로 적층된 제1 투명 도전성 산화물 패턴, 금속 패턴 및 제2 투명 도전성 산화물 패턴을 각각 포함하는 복수의 센싱 전극들; 및
    각각의 상기 센싱 전극의 표면을 덮으며 인듐주석산화물(ITO) 또는 인듐아연산화물(IZO)을 포함하는 도전성 캡핑 패턴을 포함하는, 터치 센서.
  2. 청구항 1에 있어서, 상기 제1 투명 도전성 산화물 패턴 및 상기 제2 투명 도전성 산화물 패턴은 각각 독립적으로 인듐주석산화물(ITO), 인듐아연산화물(IZO), 인듐아연주석산화물(IZTO), 알루미늄징크옥사이드(AZO), 아연 산화물(ZnOx), 인듐 산화물(InOx), 주석 산화물(SnOx), 카드뮴 주석 산화물(CTO), 갈륨-도핑 아연 산화물(GZO), 아연주석산화물(ZTO) 및 인듐갈륨산화물(IGO)로 이루어진 그룹에서 선택된 적어도 하나를 포함하는, 터치 센서.
  3. 청구항 1에 있어서, 상기 금속 패턴은 금(Au), 은(Ag), 구리(Cu), 알루미늄(Al), 백금(Pt), 팔라듐(Pd), 크롬(Cr), 텅스텐(W), 티타늄(Ti), 탄탈륨(Ta), 철(Fe), 코발트(Co), 니켈(Ni), 아연(Zn), 바나듐(V), 니오븀(Nb), 텔레늄(Te) 및 몰리브덴(Mo)으로 이루어진 그룹에서 선택된 적어도 하나의 금속, 상기 금속의 합금 또는 상기 금속의 나노와이어를 포함하는, 터치 센서.
  4. 청구항 1에 있어서, 상기 센싱 전극은 메쉬 패턴 구조를 포함하는, 터치 센서.
  5. 청구항 1에 있어서, 상기 도전성 캡핑 패턴은 상기 센싱 전극의 측벽 및 상면을 덮는, 터치 센서.
  6. 청구항 1에 있어서, 상기 도전성 캡핑 패턴의 너비는 상기 베이스 층 측으로 갈수록 증가하는, 터치 센서.
  7. 청구항 1에 있어서,
    상기 센싱 전극들을 덮는 절연층; 및
    상기 절연층을 관통하며 상기 센싱 전극들 중 이웃하는 일부 센싱 전극들을 전기적으로 연결시키는 브릿지 패턴을 더 포함하며,
    상기 브릿지 패턴은 상기 도전성 캡핑 패턴과 접촉하는, 터치 센서.
  8. 청구항 1에 있어서, 상기 센싱 전극들 및 외부 회로를 서로 연결시키는 패드를 더 포함하는, 터치 센서.
  9. 청구항 8에 있어서, 상기 패드는 상기 센싱 전극과 동일한 재질의 제1 투명 도전성 산화물 패턴, 금속 패턴 및 제2 투명 도전성 산화물 패턴을 포함하는, 터치 센서.
  10. 청구항 8에 있어서, 상기 도전성 캡핑 패턴은 상기 센싱 전극을 덮는 제1 도전성 캡핑 패턴 및 상기 패드를 덮는 제2 도전성 캡핑 패턴을 포함하는, 터치 센서.
  11. 청구항 10에 있어서, 상기 제2 도전성 캡핑 패턴의 상면을 노출시키는 콘택 홀이 형성된 패시베이션층을 더 포함하는, 터치 센서.
  12. 청구항 11에 있어서, 상기 외부 회로는 상기 콘택 홀을 통해 상기 제2 도전성 캡핑 패턴과 접촉하는, 터치 센서.
  13. 청구항 1에 있어서, 상기 베이스 층은 유기 고분자를 포함하는 적어도 하나의 중간층을 포함하는, 터치 센서.
  14. 베이스 층;
    상기 베이스 층 상에 배열된 복수의 센싱 전극들; 및
    상기 센싱 전극들 중 이웃하는 일부 센싱 전극들을 전기적으로 연결시키는 브릿지 패턴을 포함하며,
    상기 센싱 전극 또는 상기 브릿지 패턴 중 적어도 하나는 순차적으로 배치된 제1 투명 도전성 산화물 패턴, 금속 패턴 및 제2 투명 도전성 산화물 패턴을 포함하는 적층 구조를 가지며, 상기 적층 구조의 표면을 덮고 인듐주석산화물(ITO) 또는 인듐아연산화물(IZO)을 포함하는 도전성 캡핑 패턴을 포함하는, 터치 센서.
  15. 삭제
  16. 청구항 1 내지 14중 어느 한 항의 터치 센서를 포함하는, 화상 표시 장치.
KR1020170028090A 2017-03-06 2017-03-06 터치 센서 및 이를 포함하는 화상 표시 장치 KR102015864B1 (ko)

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* Cited by examiner, † Cited by third party
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102218695B1 (ko) 2018-09-17 2021-02-19 동우 화인켐 주식회사 터치 센서 및 이의 제조 방법
KR102356837B1 (ko) * 2018-09-17 2022-02-08 동우 화인켐 주식회사 터치 센서 및 이의 제조 방법
KR20210120312A (ko) * 2020-03-26 2021-10-07 동우 화인켐 주식회사 터치 패널과 이에 의해 형성된 윈도우 적층체 및 화상표시장치
WO2022045660A1 (ko) * 2020-08-24 2022-03-03 동우 화인켐 주식회사 터치 센서 및 이를 포함하는 적층체

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101107173B1 (ko) * 2010-02-11 2012-01-25 삼성모바일디스플레이주식회사 유기 발광 표시 장치 및 이의 제조 방법
KR101314779B1 (ko) * 2010-08-18 2013-10-08 엘지디스플레이 주식회사 정전용량 방식 터치 스크린 패널 및 그 제조방법
TW201337705A (zh) 2011-10-25 2013-09-16 Unipixel Displays Inc 偏光膜電阻式觸控螢幕
KR20150068617A (ko) * 2013-12-12 2015-06-22 (주)삼원에스티 터치패널센서용 적층필름
KR101743328B1 (ko) * 2014-08-20 2017-06-02 티-킹덤 컴퍼니 리미티드 터치 감지 전극 구조물 및 그 제조방법

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20210081669A (ko) 2019-12-24 2021-07-02 동우 화인켐 주식회사 전극 적층체 및 이의 제조방법

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