KR102005181B1 - T-junction substrate-integrated-waveguide power divider using novel phase compensation and broadband unequal feeding network therefor - Google Patents
T-junction substrate-integrated-waveguide power divider using novel phase compensation and broadband unequal feeding network therefor Download PDFInfo
- Publication number
- KR102005181B1 KR102005181B1 KR1020180028486A KR20180028486A KR102005181B1 KR 102005181 B1 KR102005181 B1 KR 102005181B1 KR 1020180028486 A KR1020180028486 A KR 1020180028486A KR 20180028486 A KR20180028486 A KR 20180028486A KR 102005181 B1 KR102005181 B1 KR 102005181B1
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- output port
- siw
- power
- port
- matching
- Prior art date
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01Q—ANTENNAS, i.e. RADIO AERIALS
- H01Q1/00—Details of, or arrangements associated with, antennas
- H01Q1/44—Details of, or arrangements associated with, antennas using equipment having another main function to serve additionally as an antenna, e.g. means for giving an antenna an aesthetic aspect
- H01Q1/46—Electric supply lines or communication lines
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01P—WAVEGUIDES; RESONATORS, LINES, OR OTHER DEVICES OF THE WAVEGUIDE TYPE
- H01P5/00—Coupling devices of the waveguide type
- H01P5/04—Coupling devices of the waveguide type with variable factor of coupling
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01P—WAVEGUIDES; RESONATORS, LINES, OR OTHER DEVICES OF THE WAVEGUIDE TYPE
- H01P5/00—Coupling devices of the waveguide type
- H01P5/12—Coupling devices having more than two ports
- H01P5/16—Conjugate devices, i.e. devices having at least one port decoupled from one other port
- H01P5/19—Conjugate devices, i.e. devices having at least one port decoupled from one other port of the junction type
- H01P5/20—Magic-T junctions
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01Q—ANTENNAS, i.e. RADIO AERIALS
- H01Q5/00—Arrangements for simultaneous operation of antennas on two or more different wavebands, e.g. dual-band or multi-band arrangements
- H01Q5/50—Feeding or matching arrangements for broad-band or multi-band operation
Landscapes
- Variable-Direction Aerials And Aerial Arrays (AREA)
Abstract
Description
본 발명은 기판집적도파관(substrate-integrated-waveguide, SIW) T자 전력 분배기와 이를 이용한 광대역 비균등 급전 회로에 관한 것으로, 보다 상세하게는 새로운 위상 보상법을 사용한 기판집적도파관(substrate-integrated-waveguide, SIW) T자 전력 분배기와 이를 기반으로 하는 안테나 배열 방사패턴의 부극(Side lobe)을 줄일 수 있는 광대역 급전 회로에 관한 것이다.The present invention relates to a substrate-integrated-waveguide (SIW) T-shaped power divider and a broadband unequal power feeding circuit using the same. More particularly, the present invention relates to a substrate-integrated waveguide (SIW) SIW) power divider and a broadband power feeding circuit capable of reducing a side lobe of an antenna array radiation pattern based thereon.
고이득 안테나 배열의 방사패턴에서 나타나는 부극은 원하지 않는 방향으로 에너지를 방출시키기 때문에 방사 과정에서 에너지 손실을 줄 수 있는 주된 원인이다. 따라서 안테나 방사패턴에서 부극을 줄이는 것은 안테나 배열의 성능을 향상시키기 위한 중요한 요소 중 하나이다. 낮은 부극 레벨을 갖는 안테나는 특히 레이더 시스템에서 잘못된 표적의 탐지를 줄이기 위해 매우 중요하게 요구되고 있다.The negative pole in the radiation pattern of the high gain antenna array is the main source of energy loss in the spinning process because it emits energy in the undesired direction. Therefore, reducing the negative pole in the antenna radiation pattern is one of the important factors for improving the performance of the antenna array. Antennas with low negative pole levels are very importantly required to reduce the detection of false targets, especially in radar systems.
안테나 방사패턴의 부극을 줄이기 위해서 이항 분포(binomial distribution), 돌프-체비셰프 분포(Dolph-Chebyshev distribution), 테일러 분포(Taylor distribution) 등과 같은 방법들이 안테나 급전 회로에 적용되어 널리 사용되어져 왔다. 이러한 방법들을 급전 회로에 적용하기 위해서는 급전 회로의 출력들이 서로 다른 가중치(weight ratio)를 갖으면서 동시에 서로 같은 위상(phase)을 갖도록 해야 한다.Methods such as binomial distribution, Dolph-Chebyshev distribution, Taylor distribution, etc. have been applied to antenna feed circuits in order to reduce the negative pole of antenna radiation pattern and have been widely used. In order to apply these methods to a power supply circuit, the outputs of the power supply circuit must have different weight ratios and simultaneously have the same phase.
기존 일 실시예에 따른 기술은 출력마다 가중치를 서로 다르게 주는 과정에서 각 단의 출력이 달라지는데 이를 보상하기 위해 위상 지연 라인(phase delay line)을 추가한다.The technique according to an embodiment of the present invention adds a phase delay line to compensate for the output of each stage in the process of giving different weights to each output.
하지만 위상 지연 라인을 넣어주게 되면 급전 회로가 협대역(narrow bandwidth) 출력 특성을 갖는 단점을 가지게 된다.However, if a phase delay line is inserted, the power supply circuit has a narrow bandwidth output characteristic.
따라서 광대역(wideband) 특성이 요구되는 안테나 급전 회로로써 활용되기 위해서는 넓은 대역에서 평탄한 출력 특성을 갖게 하는 새로운 위상 보상법이 필요하다. Therefore, in order to be used as an antenna feeder circuit requiring wideband characteristics, a new phase compensation method that has a flat output characteristic in a wide band is needed.
삭제delete
본 발명의 실시예들은, 새로운 위상 보상법을 사용한 기판집적도파관(substrate-integrated-waveguide, SIW) T자 전력 분배기와 이를 기반으로 하는 안테나 배열 방사패턴의 부극(Side lobe)을 줄일 수 있는 광대역 급전 회로를 제공한다.Embodiments of the present invention are directed to a substrate-integrated-waveguide (SIW) T-power distributor using a novel phase compensation method and a broadband power feed circuit capable of reducing the side lobe of the antenna array radiation pattern based thereon Lt; / RTI >
구체적으로, 본 발명의 실시예들은 SIW T자 전력 분배기의 입력 포트와 출력 포트 각각에 접속되는 전송 선로를 외벽 비아로 형성하고, SIW T자 전력 분배기 내부에 두 개의 출력단으로의 전력 분배를 위한 전력 분배용 비아와 위상 보정과 임피던스 정합을 위한 매칭 비아를 형성함으로써, 광대역 급전 회로를 형성하면서 안테나 배열 방사패턴의 부극을 줄일 수 있는 SIW T자 전력 분배기를 이를 이용한 광대역 급전 회로를 제공한다.Specifically, the embodiments of the present invention are characterized in that a transmission line connected to each of an input port and an output port of a SIW T-shaped power distributor is formed as an outer wall via, and power for distributing power to two output stages in a SIW T- The present invention provides a broadband power supply circuit using the SIW T-power distributor capable of reducing the negative polarity of the antenna array radiation pattern while forming a broadband power supply circuit by forming matching vias for distributing via and phase matching and impedance matching.
본 발명의 일 실시예에 따른 기판집적도파관 T자 전력 분배기는 입력 포트, 제1 출력 포트 및 제2 출력 포트를 포함하는 기판집적도파관(SIW) T자 전력 분배기에 있어서, 상기 입력 포트, 제1 출력 포트 및 제2 출력 포트 각각에 접속되는 외벽 비아로 이루어진 SIW 전송 선로; 상기 제1 출력 포트와 상기 제2 출력 포트 간의 전력 분배를 결정하는 중간 비아; 및 상기 제1 출력 포트와 상기 제2 출력 포트 간의 위상 보정 및 상기 기판집적도파관 T자 전력 분배기의 임피던스 매칭을 수행하기 위한 매칭 비아를 포함한다.A substrate integrated waveguide T-type power divider according to an embodiment of the present invention includes a substrate integrated waveguide (SIW) T-shaped power divider including an input port, a first output port, and a second output port, An SIW transmission line formed of outer vias connected to the output port and the second output port, respectively; An intermediate via for determining a power distribution between the first output port and the second output port; And matching vias for performing phase correction between the first output port and the second output port and impedance matching of the substrate integrated waveguide T-junction power divider.
상기 중간 비아는 상기 입력 포트로 입력되는 RF 신호에 대한 상기 제1 출력 포트와 상기 제2 출력 포트 간의 미리 결정된 비균등 전력비에 의해 형성 위치가 결정될 수 있다.The intermediate vias may be formed by a predetermined non-uniform power ratio between the first output port and the second output port with respect to the RF signal input to the input port.
상기 매칭 비아는 상기 중간 비아의 위치 이동에 의해 발생하는 상기 제1 출력 포트와 상기 제2 출력 포트 간의 위상 보정 및 상기 기판집적도파관 T자 전력 분배기의 임피던스 매칭에 의해 형성 위치가 결정될 수 있다.The matching via may be formed by phase correction between the first output port and the second output port caused by positional shift of the middle via, and impedance matching of the substrate integrated waveguide T-junction power divider.
상기 중간 비아와 매칭 비아는 상기 입력 포트에서 상기 제1 출력 포트와 상기 제2 출력 포트로 RF 신호가 분배되는 일정 영역에 형성될 수 있다.The intermediate vias and the matching vias may be formed in a region where RF signals are distributed to the first output port and the second output port at the input port.
본 발명의 일 실시예에 따른 기판집적도파관 급전 회로는 입력 포트, 제1 출력 포트 및 제2 출력 포트를 포함하는 기판집적도파관(SIW) T자 전력 분배기를 포함하고, 상기 기판집적도파관 T자 전력 분배기는 상기 입력 포트, 제1 출력 포트 및 제2 출력 포트 각각에 접속되는 외벽 비아로 이루어진 SIW 전송 선로; 상기 제1 출력 포트와 상기 제2 출력 포트 간의 전력 분배를 결정하는 중간 비아; 및 상기 제1 출력 포트와 상기 제2 출력 포트 간의 위상 보정 및 상기 기판집적도파관 T자 전력 분배기의 임피던스 매칭을 수행하기 위한 매칭 비아를 포함한다.The substrate integrated waveguide feeder circuit according to an embodiment of the present invention includes a substrate integrated waveguide (SIW) T-shaped power divider including an input port, a first output port and a second output port, the substrate integrated waveguide T- The divider includes an SIW transmission line formed of outer vias connected to the input port, the first output port, and the second output port, respectively; An intermediate via for determining a power distribution between the first output port and the second output port; And matching vias for performing phase correction between the first output port and the second output port and impedance matching of the substrate integrated waveguide T-junction power divider.
상기 중간 비아는 상기 입력 포트로 입력되는 RF 신호에 대한 상기 제1 출력 포트와 상기 제2 출력 포트 간의 미리 결정된 비균등 전력비에 의해 형성 위치가 결정될 수 있다.The intermediate vias may be formed by a predetermined non-uniform power ratio between the first output port and the second output port with respect to the RF signal input to the input port.
상기 매칭 비아는 상기 중간 비아의 위치 이동에 의해 발생하는 상기 제1 출력 포트와 상기 제2 출력 포트 간의 위상 보정 및 상기 기판집적도파관 T자 전력 분배기의 임피던스 매칭에 의해 형성 위치가 결정될 수 있다.The matching via may be formed by phase correction between the first output port and the second output port caused by positional shift of the middle via, and impedance matching of the substrate integrated waveguide T-junction power divider.
본 발명의 일 실시예에 따른 8포트 비균등 기판집적도파관 급전 회로는 입력 포트로부터 제1 내지 제8 출력 포트까지 RF신호를 분배하는 8포트 비균등 기판집적도파관(SIW) 급전 회로에 있어서, 상기 입력 포트와 상기 제1 내지 제8 출력 포트 각각에 접속되는 외벽 비아로 이루어진 SIW 전송 선로; 및 7개의 SIW T자 전력 분배기를 포함하며, 상기 SIW T자 전력 분배기 각각은 해당 SIW T자 전력 분배기의 출력 포트들 간의 전력 분배를 결정하는 중간 비아; 및 상기 해당 SIW T자 전력 분배기의 출력 포트들 간의 위상 보정 및 임피던스 매칭을 수행하기 위한 매칭 비아를 포함한다.The 8-port non-uniform substrate integrated waveguide feed circuit according to an embodiment of the present invention is an 8-port unequal substrate integrated waveguide (SIW) feed circuit for distributing RF signals from input ports to first to eighth output ports, An SIW transmission line including an input port and an outer wall via connected to each of the first to eighth output ports; And seven SIW T-power dividers, each of the SIW T-power dividers comprising: a middle via for determining the power distribution between the output ports of the corresponding SIW T-power distributor; And matching vias for performing phase correction and impedance matching between the output ports of the corresponding SIW T-power divider.
상기 7개의 SIW T자 전력 분배기 각각은 서로 다른 전력 분배비를 가질 수 있다.Each of the seven SIW T-character power dividers may have different power distribution ratios.
본 발명의 실시예들에 따르면, SIW T자 전력 분배기의 입력 포트와 출력 포트 각각에 접속되는 전송 선로를 외벽 비아로 형성하고, SIW T자 전력 분배기 내부에 두 개의 출력단으로의 전력 분배를 위한 전력 분배용 중간 비아와 위상 보정과 임피던스 정합을 위한 매칭 비아를 형성함으로써, 광대역 급전 회로를 형성하면서 안테나 배열 방사패턴의 부극을 줄일 수 있다.According to embodiments of the present invention, a transmission line connected to each of the input port and the output port of the SIW T-shaped power distributor is formed as an outer wall via, and power for dividing power into two output stages in the SIW T-shaped power distributor By forming matching vias for distribution phase matching and impedance matching with the distribution vias, the negative polarity of the antenna array radiation pattern can be reduced while forming a broadband power feed circuit.
본 발명의 실시예들에 따르면, 배열 안테나 방사패턴의 부극을 줄일 수 있는 급전 회로를 제공함으로써, 낮은 부극을 갖는 고성능 안테나를 구현할 수 있다.According to embodiments of the present invention, a high-performance antenna having a low anode can be realized by providing a power supply circuit capable of reducing the negative electrode of the array antenna radiation pattern.
본 발명의 실시예들에 따르면, 급전 회로 출력단 사이에서 발생하는 위상 불균형 현상을 해결하기 위해, 급전 회로에 새로운 위상 보상법을 적용함에 따라 기존의 협대역 출력 특성을 유발하는 위상 지연 라인의 한계를 극복하여 광대역 특성을 구현할 수 있다.According to the embodiments of the present invention, a new phase compensation method is applied to a power feeding circuit to overcome the phase unbalance phenomenon occurring between power feeding circuit output ends, Thereby realizing broadband characteristics.
도 1은 비균등 SIW T자 전력 분배기 설계과정을 설명하기 위한 일 예시도를 나타낸 것이다.
도 2는 균등 SIW T자 전력 분배기 구조의 개략도를 나타낸 것이다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 전력분배비율을 결정하기 위한 방법을 설명하기 위한 SIW T자 전력 분배기에 대한 일 예시도를 나타낸 것이다.
도 4는 도 3에 따른 결과를 보여주는 S-파라미터 특성에 대한 일 예시도를 나타낸 것이다.
도 5는 본 발명의 다른 일 실시예에 따른 출력단 사이에서 위상 보상을 결정하기 위한 방법을 설명하기 위한 SIW T자 전력 분배기에 대한 일 예시도를 나타낸 것이다.
도 6은 도 5에 따른 결과를 보여주는 S-파라미터 특성에 대한 일 예시도를 나타낸 것이다.
도 7은 본 발명의 또 다른 일 실시예에 따른 임피던스 정합을 위한 방법을 설명하기 위한 SIW T자 전력 분배기에 대한 일 예시도를 나타낸 것이다.
도 8은 도 7에 따른 결과를 보여주는 S-파라미터 특성에 대한 일 예시도를 나타낸 것이다.
도 9는 본 발명의 일 실시예에 따른 8포트 광대역 비균등 SIW 급전 회로에 관한 개략도를 나타낸 것이다.
도 10은 도 9에 따른 결과를 보여주는 S11 특성에 대한 일 예시도를 나타낸 것이다.
도 11은 도 9에 따른 결과를 보여주는 S-파라미터 특성에 대한 일 예시도를 나타낸 것이다.
도 12는 도 9에 따른 S-파라미터 결과와 테일러 분포 전력비를 비교한 일 예시도를 나타낸 것이다.
도 13는 도 9에 따른 결과를 안테나 배열 요소에 적용하여 계산한 주파수에 따른 안테나 방사패턴에 대한 일 예시도를 나타낸 것이다.FIG. 1 shows an exemplary diagram for explaining a design process of an unequal SIW T-shaped power distributor.
Figure 2 shows a schematic diagram of an equivalent SIW T-shaped power divider structure.
FIG. 3 illustrates an example of a SIW T-power distributor for explaining a method for determining a power distribution ratio according to an embodiment of the present invention.
FIG. 4 shows an example of S-parameter characteristics showing the result according to FIG.
FIG. 5 illustrates an example of a SIW T-shaped power divider for explaining a method for determining phase compensation between output terminals according to another embodiment of the present invention.
FIG. 6 shows an example of the S-parameter characteristic showing the result according to FIG.
7 is a diagram illustrating an example of a SIW T-shaped power divider for explaining a method for impedance matching according to another embodiment of the present invention.
FIG. 8 shows an example of S-parameter characteristics showing the result according to FIG.
9 is a schematic diagram of an 8-port wideband unequal SIW feeder circuit according to an embodiment of the present invention.
FIG. 10 shows an example of the S11 characteristic showing the result according to FIG.
FIG. 11 shows an example of the S-parameter characteristic showing the result according to FIG.
FIG. 12 shows an example of comparison of the S-parameter result and the Taylor distribution power ratio according to FIG.
FIG. 13 shows an example of an antenna radiation pattern according to a frequency calculated by applying the result according to FIG. 9 to an antenna array element.
이하, 본 발명에 따른 실시예들을 첨부된 도면을 참조하여 상세하게 설명한다. 그러나 본 발명이 실시예들에 의해 제한되거나 한정되는 것은 아니다. 또한, 각 도면에 제시된 동일한 참조 부호는 동일한 부재를 나타낸다.Hereinafter, embodiments according to the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. However, the present invention is not limited to or limited by the embodiments. In addition, the same reference numerals shown in the drawings denote the same members.
도1은 비균등 SIW T자 전력 분배기 설계과정을 설명하기 위한 일 예시도를 나타낸 것이다.FIG. 1 shows an exemplary diagram for explaining a design process of an unequal SIW T-shaped power distributor.
도 1에 도시된 바와 같이, 본 발명에 따른 비균등 SIW T자 전력 분배기는 균등 SIW T자 전력 분배기 형성 과정(100), 비균등 SIW T자 전력 분배기 형성 과정(101), 출력 간 위상 보정 과정(102) 및 임피던스 정합 과정(103)을 통해 설계된다.As shown in FIG. 1, the unequal SIW T-shaped power divider according to the present invention includes a uniform SIW T-shaped power
이러한 비균등 SIW T자 전력 분배기 설계과정에 대해 도 2 내지 도 8을 참조하여 상세히 설명하면 다음과 같다.The process of designing such an unequal SIW T-shaped power distributor will be described in detail with reference to FIGS. 2 to 8 as follows.
도 2는 균등 SIW T자 전력 분배기 구조의 개략도를 나타낸 것이다.Figure 2 shows a schematic diagram of an equivalent SIW T-shaped power divider structure.
도 2에 도시된 바와 같이, 본 발명에 따른 SIW T자 전력 분배기는 입력 포트(포트 1)와 출력 포트(포트2, 포트 3) 각각에 접속되는 SIW 전송 선로(200)가 외벽 비아(VIA)로 형성되고, SIW T자 전력 분배기의 입력 포트에서 출력 포트로 분배되는 일정 영역에 전력 분배를 결정하기 위한 전력 분배용 중간 비아(201) 및 출력 포트로 출력되는 전력 또는 전압에 대한 위상을 보상하고 임피던스 매칭을 수행하기 위한 매칭 비아(202, 203)을 포함한다.2, the SIW T-power distributor according to the present invention includes a
본 발명에 따른 SIW T자 전력 분배기는 도 2에 도시된 형태를 기반으로 설계되며, 본 발명에서의 특징은 전력 분배를 결정하기 위한 전력 분배용 중간 비아(201) 및 출력 포트로 출력되는 전력 또는 전압에 대한 위상을 보상하고 임피던스 매칭을 수행하기 위한 매칭 비아(202, 203)로서, 중간 비아(201)와 매칭 비아(202, 203)의 위치 조정을 통해 전력 분배, 위상 보정 및 임피던스 매칭을 수행할 수 있다.The SIW T-shaped power divider according to the present invention is designed based on the form shown in FIG. 2, and the feature of the present invention is that the power distribution
구체적으로, 도 2에 도시된 SIW T자 전력 분배기는 균등 SIW T자 전력 분배기형성 과정(100)으로, 포트1로 들어간 RF 신호는 포트 2와 포트 3으로 균등하게 분배된다.Specifically, the SIW T-power distributor shown in FIG. 2 is a uniform SIW T-power
여기서, 중간 비아(201)와 매칭 비아(202, 203)의 위치는 좌우 대칭이 되는 위치에 형성됨으로써, 포트 2와 포트 3으로 균등하게 전력을 분배할 수 있다.Here, the positions of the
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 전력분배비율을 결정하기 위한 방법을 설명하기 위한 SIW T자 전력 분배기에 대한 일 예시도를 나타낸 것으로, 도 2에 의해 균등 SIW T자 전력 분배기가 형성된 후 출력 포트의 전력을 비균등하게 분배하기 위한 과정을 설명하기 위한 것이다.FIG. 3 illustrates an example of a SIW T-power distributor for explaining a method for determining a power distribution ratio according to an embodiment of the present invention. Referring to FIG. 2, an equivalent SIW T-power distributor is formed This is to explain a process for unequally distributing the power of the output port.
도 3에 도시된 바와 같이, 비균등 SIW T자 전력 분배기 형성 과정(101)은 중간 비아(300)의 위치를 조정함으로써, 포트 2와 포트 3의 전력분배비율을 결정할 수 있다. 예컨대, 도 3에 도시된 바와 같이, 결정된 전력분배비율에 따라 중간 비아(300)의 위치가 결정되면 중간 비아(300)의 위치를 중간 위치에서 포트 2의 방향으로 미리 결정된 거리(lc)만큼 이동시켜 형성함으로써, 포트 3의 출력 전력이 포트 2의 출력 전력보다 미리 결정된 비율만큼 크게 출력되도록 비균등 SIW T자 전력 분배기를 형성할 수 있다.As shown in FIG. 3, the unequal SIW T-shaped power
도 3과 같이 중간 비아(300)의 위치를 중간 위치에서 포트 2의 방향으로 미리 결정된 거리(lc)만큼 이동시켜 형성되면, 도 4에 도시된 S-파라미터 특성을 통해 알 수 있듯이, 왼쪽 축을 기준으로 포트 2와 포트 3 사이에 출력 전력이 6 dB만큼의 차이가 발생하는 것을 알 수 있다. 즉, 도 3과 같이 중간 비아(300)의 위치 이동을 통해 비균등 SIW T자 전력 분배기를 구현할 수 있다.As shown in FIG. 3, when the position of the middle via 300 is formed by moving a predetermined distance lc from the intermediate position to the direction of the
중간 비아(300)의 위치 이동만을 수행하면 도 4의 오른쪽 축에 도시된 포트 2와 포트 3의 위상을 통해 알 수 있듯이, 포트 2와 포트 3 사이에 위상 차이가 발생하는 것을 알 수 있다. 즉, 포트 2와 포트 3 사이에 발생된 위상 차이를 보상해 주어야 한다. If only the position of the middle via 300 is shifted, it can be seen that a phase difference occurs between the
도 5는 본 발명의 다른 일 실시예에 따른 출력단 사이에서 위상 보상을 결정하기 위한 방법을 설명하기 위한 SIW T자 전력 분배기에 대한 일 예시도를 나타낸 것으로, 도 3에서 중간 비아(300)의 위치가 결정된 후에 발생되는 위상을 보상하기 위한 과정을 나타낸 것이다.FIG. 5 illustrates an example of a SIW T-shaped power divider for explaining a method for determining phase compensation between output terminals according to another embodiment of the present invention. In FIG. 3, And the phase is compensated for.
도 5에 도시된 바와 같이, 출력 간 위상 보정 과정(102)은 포트 2와 포트 3 사이에 발생된 위상 차이에 따라 중간 비아와 두 개의 매칭 비아(500)에 대한 좌측 또는 우측으로의 이동 거리(ls)를 계산하고, 계산된 이동 거리(ls)만큼 포트 3의 방향으로 이동시킨다. 여기서, 위상을 보정하기 위해 계산되는 이동 거리(ls)는 SIW T자 전력 분배기가 사용되는 주파수 대역, 전력 분배 비율, 출력 포트 사이의 위상 차이 등을 고려하여 계산될 수 있다.As shown in FIG. 5, the output
도 5와 같이 중간 비아와 두 개의 매칭 비아(500)의 위치가 포트 3의 방향으로 미리 결정된 거리(ls)만큼 이동되어 형성되면, 도 6에 도시된 S-파라미터 특성을 통해 알 수 있듯이, 포트 2와 포트 3 사이의 전력분배비율은 유지되면서 위상 차이가 보상되는 것을 알 수 있다. 즉, 중간 비아와 두 개의 매칭 비아(500)의 위치가 포트 3의 방향으로 일정 거리(ls)만큼 이동되더라도 포트 2와 포트 3 간의 전력 분배 비율은 그대로 유지되면서 포트 2와 포트 3 사이의 위상 차이만이 보상된다. 이러한 본 발명에서의 위상 보상법은 SIW T자 전력 분배기를 이용한 비균등 SIW 급전 회로 예를 들어, 도 9에 도시된 8포트 비균등 SIW 급전 회로(900)에 적용되어 8포트 비균등 SIW 급전 회로(900) 설계 시 위상 지연 라인의 역할을 대체함으로써, 부극을 줄이면서 광대역 급전 회로를 구현할 수 있다.As shown in FIG. 5, when the positions of the middle via and the two matching
도 7은 본 발명의 또 다른 일 실시예에 따른 임피던스 정합을 위한 방법을 설명하기 위한 SIW T자 전력 분배기에 대한 일 예시도를 나타낸 것으로, 도 5에서 포트 2와 포트 3 사이의 위상 차이가 보상된 후 임피던스를 매칭시키기 위한 과정을 나타낸 것이다.FIG. 7 illustrates an example of a SIW T-power divider for explaining a method for impedance matching according to another embodiment of the present invention. In FIG. 5, a phase difference between
도 7에 도시된 바와 같이, 임피던스 정합 과정(103)은 도 5에서의 위상이 보상된 상태에서 해당 주파수 대역에서의 임피던스 정합을 수행하기 위한 과정으로, 임피던스 매칭을 위하여, 중간 비아와 두 개의 매칭 비아(700)의 위치를 상하좌우로 최적의 위치로 이동시킴으로써, 임피던스 매칭이 수행될 수 있다.As shown in FIG. 7, the
여기서, 임피던스 매칭을 위한 중간 비아와 두 개의 매칭 비아(700)에 대한 최적의 위치는 주파수 대역과 실험 데이터 및 시뮬레이션 데이터 등을 반영하여 결정할 수 있다.Here, the optimum positions of the middle via and the two matching via 700 for impedance matching can be determined by reflecting the frequency band, the experimental data, the simulation data, and the like.
이때, 임피던스 정합을 위한 비아들(700)의 움직임은 도 3과 도 5에서의 움직임(300, 500)보다 매우 작기 때문에 비균등 전력분배비율이나 위상 차이 보정에 거의 영향을 주지 않을 수 있다.At this time, since the movement of the
도 8은 도 7에 따른 결과를 보여주는 S-파라미터 특성에 대한 일 예시도를 나타낸 것으로, 도 3(실시예 1)과 도 5(실시예 2) 그리고 도 7(실시예 3) 각각에 대한 S11 특성을 나타낸 것이다.FIG. 8 shows an example of the S-parameter characteristic showing the result according to FIG. 7, and S11 (S11) for each of FIG. 3 (Example 1), FIG. 5 (Example 2) and FIG. 7 Respectively.
도 8을 통해 알 수 있듯이, 도 3과 도 5는 임피던스 특성이 아주 나쁜 반면 도 7에서의 임피던스 특성은 임피던스 정합을 위한 비아들(700)의 최적 위치로의 이동에 의하여, 동작 주파수 대역 예를 들어, 26~32[GHz]에서 -20 dB 이하로 개선된 것을 알 수 있다.As can be seen from FIG. 8, the impedance characteristics in FIGS. 3 and 5 are very poor, while the impedance characteristics in FIG. 7 are obtained by moving the
이와 같이, 본 발명에 따른 비균등 SIW T자 전력 분배기는 외벽 비아를 이용하여 형성된 SIW 전송 선로와 SIW 전송 선로 내부에 형성되는 중간 비아 및 매칭 비아들을 이용하여 출력 포트 간의 전력 분배 뿐만 아니라 위상 보정 및 임피던스 매칭을 수행함으로써, 비균등 SIW T자 전력 분배기를 구현할 수 있다.As described above, the unequal SIW T-shaped power divider according to the present invention uses the intermediate vias and matching vias formed in the SIW transmission line and the SIW transmission line formed using the outer wall vias, By performing impedance matching, an unequal SIW T-character power divider can be implemented.
또한, 이러한 새로운 위상 보정에 의해 구현된 비균등 SIW T자 전력 분배기를 이용하여 광대역 급전 회로를 구현함으로써, 기존의 위상 지연 라인을 대체하고, 이를 통해 배열 안테나 방사패턴의 부극을 줄일 수 있다.In addition, by implementing a wideband feeder circuit using the unequal SIW T-shaped power divider realized by this new phase correction, the existing phase delay line can be replaced and the negative pole of the array antenna radiation pattern can be reduced.
도 9는 본 발명의 일 실시예에 따른 8포트 광대역 비균등 SIW 급전 회로에 관한 개략도를 나타낸 것으로, 도 7에 의해 구현된 비균등 SIW T자 전력 분배기를 이용한 8포트 광대역 비균등 SIW 급전 회로를 나타낸 것이다.FIG. 9 is a schematic diagram of an 8-port wideband unequal SIW feeder circuit according to an embodiment of the present invention. The 8-port wideband unequal SIW feeder circuit using the unequal SIW T- .
도 9는 -20 dB의 안테나 배열 방사패턴의 부극을 구현하기 위한 8포트 광대역 비균등 SIW 급전 회로(900)에 대한 것으로, 8포트 비균등 SIW 급전 회로(900)는 가운데를 기준으로 양쪽이 대칭으로 형성되며, 4개의 서로 다른 전류 분배 비율을 갖는 균등 또는 비균등 SIW T자 전력 분배기로 이루어질 수 있다.9 shows an 8-port wideband unequal
광대역 비균등 SIW 급전 회로(900)는 -20 dB 미만의 안테나 배열 방사패턴의 부극을 구현하기 위해서 포트2부터 포트9사이에 서로 다른 전력이 분배되어야 하며, 이를 위해서 8포트 비균등 SIW 급전 회로(900)는 1:1 전력비를 가지는 균등 전력 분배기(901), 1:1.86 전력비를 가지는 비균등 전력 분배기(902), 1:1.18 전력비를 가지는 비균등 SIW T자 전력 분배기(903) 및 1:1.47 전력비를 가지는 비균등 SIW T자 전력 분배기(904)로 이루어진다.The broadband unequal
이렇게 구현된 광대역 비균등 SIW 급전 회로(900)는 도 10에 도시된 S11 특성을 통해 알 수 있듯이, 반사 손실(S11)이 26.5~30[GHz]의 광대역에서 -20 dB 이하의 값을 가지는 것을 알 수 있다.10, the broadband unequal SIW
도 11은 도 9에 따른 결과를 보여주는 S-파라미터 특성에 대한 일 예시도를 나타낸 것으로, 포트 2부터 포트 5까지의 S-파라미터(S21, S31, S41, S51) 특성을 나타낸 것이다.FIG. 11 shows an example of the S-parameter characteristic showing the result according to FIG. 9, and shows characteristics of the S-parameters S21, S31, S41, and S51 from the
도 11을 통해 알 수 있듯이, 본 발명에 따른 광대역 비균등 SIW 급전 회로(900)는 포트 2부터 포트 5까지 비균등 전력분배가 26.5~30[GHz]의 광대역에서 평판하게 구현되었음을 알 수 있으며, 또한 포트 2부터 포트 5까지의 출력 위상에 차이가 없음을 알 수 있다.11, it can be seen that the unequal power distribution from the
도 12는 도 9에 따른 S-파라미터 결과와 테일러 분포 전력비를 비교한 일 예시도를 나타낸 것으로, 도 12에 도시된 바와 같이, 본 발명에 따른 광대역 비균등 SIW 급전 회로(900)는 -20 dB의 안테나 배열 방사패턴의 부극을 가지기 위한 테일러 분포 전력비(Taylor distribution power ratio)와 8포트 비균등 SIW 급전 회로(900)의 선형 스케일의 S-파라미터와 정규화된 S-파라미터가 매우 일치하는 것을 알 수 있다.12 shows an example of a comparison between the S-parameter result and the Taylor distribution power ratio according to FIG. 9. As shown in FIG. 12, the broadband unequal SIW
또한, 본 발명에 따른 광대역 비균등 SIW 급전 회로(900)는 도 13에 도시된 안테나 배열 요소에 적용하여 계산한 주파수에 따른 안테나 방사패턴을 통해 알 수 있듯이, 25, 28, 31[GHz] 대역에서 안테나 방사패턴의 부극이 -20 dB 이하의 값을 가지는 것을 알 수 있다. 이를 통해 본 발명에 따른 광대역 비균등 SIW 급전 회로(900)는 새로운 위상 보상법을 이용하여 구현된 SIW T자 전력 분배기를 이용하여 구현함으로써, 광대역 특성을 가지면서 안테나 방사패턴의 부극을 줄일 수 있다.The wideband unequal SIW
이상과 같이 실시예들이 비록 한정된 실시예와 도면에 의해 설명되었으나, 해당 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 상기의 기재로부터 다양한 수정 및 변형이 가능하다. 예를 들어, 설명된 기술들이 설명된 방법과 다른 순서로 수행되거나, 및/또는 설명된 시스템, 구조, 장치, 회로 등의 구성요소들이 설명된 방법과 다른 형태로 결합 또는 조합되거나, 다른 구성요소 또는 균등물에 의하여 대치되거나 치환되더라도 적절한 결과가 달성될 수 있다.While the present invention has been particularly shown and described with reference to exemplary embodiments thereof, it is to be understood that the invention is not limited to the disclosed exemplary embodiments. For example, it is to be understood that the techniques described may be performed in a different order than the described methods, and / or that components of the described systems, structures, devices, circuits, Lt; / RTI > or equivalents, even if it is replaced or replaced.
그러므로, 다른 구현들, 다른 실시예들 및 특허청구범위와 균등한 것들도 후술하는 특허청구범위의 범위에 속한다.Therefore, other implementations, other embodiments, and equivalents to the claims are also within the scope of the following claims.
Claims (10)
상기 입력 포트, 제1 출력 포트 및 제2 출력 포트 각각에 접속되는 외벽 비아로 이루어진 SIW 전송 선로;
상기 제1 출력 포트와 상기 제2 출력 포트 간의 전력 분배를 결정하는 중간 비아; 및
상기 제1 출력 포트와 상기 제2 출력 포트 간의 위상 보정 및 상기 기판집적도파관 T자 전력 분배기의 임피던스 매칭을 수행하기 위한 매칭 비아
를 포함하고,
상기 중간 비아는
상기 입력 포트로 입력되는 RF 신호에 대한 상기 제1 출력 포트와 상기 제2 출력 포트 간의 미리 결정된 비균등 전력비에 의해 형성 위치가 결정되며,
상기 매칭 비아는
상기 중간 비아의 위치 이동에 의해 발생하는 상기 제1 출력 포트와 상기 제2 출력 포트 간의 위상 보정 및 상기 기판집적도파관 T자 전력 분배기의 임피던스 매칭에 의해 형성 위치가 결정되고,
상기 비균등 전력비에 의해 상기 중간 비아의 위치가 결정된 후 상기 위상 보정을 위해 상기 중간 비아와 상기 매칭 비아의 이동 거리가 결정되며, 상기 임피던스 매칭에 의해 상기 중간 비아와 상기 매칭 비아의 최종 형성 위치가 결정되고,
상기 이동 거리는
상기 기판집적도파관 T자 전력 분배기가 사용되는 주파수 대역, 상기 비균등 전력비 및 상기 제1 출력 포트와 상기 제2 출력 포트 간의 위상 차이를 고려하여 계산되는 기판집적도파관 T자 전력 분배기.
A substrate integrated waveguide (SIW) T-shaped power divider comprising an input port, a first output port and a second output port,
An SIW transmission line formed of outer vias connected to the input port, the first output port, and the second output port, respectively;
An intermediate via for determining a power distribution between the first output port and the second output port; And
A matching vias for performing phase correction between the first output port and the second output port and impedance matching of the substrate integrated waveguide T-
Lt; / RTI >
The middle via
The formation position is determined by a predetermined non-uniform power ratio between the first output port and the second output port with respect to the RF signal input to the input port,
The matching via
The formation position is determined by the phase correction between the first output port and the second output port caused by the positional shift of the middle via and the impedance matching of the substrate integrated waveguide T-junction power divider,
Wherein a moving distance of the middle via and the matching via is determined for the phase correction after the position of the middle via is determined by the non-uniform power ratio, and the impedance matching causes the final formed position of the middle via and the matching via to be Lt; / RTI &
The moving distance
Integrated waveguide T-shaped power divider, the unequal power ratio, and the phase difference between the first output port and the second output port.
상기 중간 비아와 매칭 비아는
상기 입력 포트에서 상기 제1 출력 포트와 상기 제2 출력 포트로 RF 신호가 분배되는 일정 영역에 형성되는 것을 특징으로 하는 기판집적도파관 T자 전력 분배기.
The method according to claim 1,
The middle via and the matching via
Wherein the RF signal is formed in a region where the RF signal is distributed to the first output port and the second output port at the input port.
상기 기판집적도파관 T자 전력 분배기는
상기 입력 포트, 제1 출력 포트 및 제2 출력 포트 각각에 접속되는 외벽 비아로 이루어진 SIW 전송 선로;
상기 제1 출력 포트와 상기 제2 출력 포트 간의 전력 분배를 결정하는 중간 비아; 및
상기 제1 출력 포트와 상기 제2 출력 포트 간의 위상 보정 및 상기 기판집적도파관 T자 전력 분배기의 임피던스 매칭을 수행하기 위한 매칭 비아
를 포함하고,
상기 중간 비아는
상기 입력 포트로 입력되는 RF 신호에 대한 상기 제1 출력 포트와 상기 제2 출력 포트 간의 미리 결정된 비균등 전력비에 의해 형성 위치가 결정되며,
상기 매칭 비아는
상기 중간 비아의 위치 이동에 의해 발생하는 상기 제1 출력 포트와 상기 제2 출력 포트 간의 위상 보정 및 상기 기판집적도파관 T자 전력 분배기의 임피던스 매칭에 의해 형성 위치가 결정되고,
상기 비균등 전력비에 의해 상기 중간 비아의 위치가 결정된 후 상기 위상 보정을 위해 상기 중간 비아와 상기 매칭 비아의 이동 거리가 결정되며, 상기 임피던스 매칭에 의해 상기 중간 비아와 상기 매칭 비아의 최종 형성 위치가 결정되고,
상기 이동 거리는
상기 기판집적도파관 T자 전력 분배기가 사용되는 주파수 대역, 상기 비균등 전력비 및 상기 제1 출력 포트와 상기 제2 출력 포트 간의 위상 차이를 고려하여 계산되는 기판집적도파관 급전 회로.
A substrate integrated waveguide (SIW) T-shaped power divider comprising an input port, a first output port and a second output port,
The substrate integrated waveguide T-junction power divider
An SIW transmission line formed of outer vias connected to the input port, the first output port, and the second output port, respectively;
An intermediate via for determining a power distribution between the first output port and the second output port; And
A matching vias for performing phase correction between the first output port and the second output port and impedance matching of the substrate integrated waveguide T-
Lt; / RTI >
The middle via
The formation position is determined by a predetermined non-uniform power ratio between the first output port and the second output port with respect to the RF signal input to the input port,
The matching via
The formation position is determined by the phase correction between the first output port and the second output port caused by the positional shift of the middle via and the impedance matching of the substrate integrated waveguide T-junction power divider,
Wherein a moving distance of the middle via and the matching via is determined for the phase correction after the position of the middle via is determined by the non-uniform power ratio, and the impedance matching causes the final formed position of the middle via and the matching via to be Lt; / RTI &
The moving distance
Wherein the substrate integrated waveguide T-shaped power divider is calculated in consideration of the frequency band in which the T-power divider is used, the unequal power ratio, and the phase difference between the first output port and the second output port.
상기 입력 포트와 상기 제1 내지 제8 출력 포트 각각에 접속되는 외벽 비아로 이루어진 SIW 전송 선로; 및
7개의 SIW T자 전력 분배기
를 포함하며,
상기 SIW T자 전력 분배기 각각은
해당 SIW T자 전력 분배기의 출력 포트들 간의 전력 분배를 결정하는 중간 비아; 및
상기 해당 SIW T자 전력 분배기의 출력 포트들 간의 위상 보정 및 임피던스 매칭을 수행하기 위한 매칭 비아
를 포함하고,
상기 해당 SIW T자 전력 분배기의 중간 비아는
상기 입력 포트로 입력되는 RF 신호에 대한 상기 해당 SIW T자 전력 분배기의 출력 포트들 간의 미리 결정된 비균등 전력비에 의해 형성 위치가 결정되며,
상기 해당 SIW T자 전력 분배기의 매칭 비아는
상기 해당 SIW T자 전력 분배기의 중간 비아의 위치 이동에 의해 발생하는 상기 해당 SIW T자 전력 분배기의 출력 포트들 간의 위상 보정 및 상기 해당 SIW T자 전력 분배기의 임피던스 매칭에 의해 형성 위치가 결정되고,
상기 해당 SIW T자 전력 분배기의 비균등 전력비에 의해 상기 해당 SIW T자 전력 분배기의 중간 비아의 위치가 결정된 후 상기 위상 보정을 위해 상기 해당 SIW T자 전력 분배기의 중간 비아와 매칭 비아의 이동 거리가 결정되며, 상기 해당 SIW T자 전력 분배기의 임피던스 매칭에 의해 상기 해당 SIW T자 전력 분배기의 중간 비아와 매칭 비아의 최종 형성 위치가 결정되고,
상기 이동 거리는
상기 해당 SIW T자 전력 분배기가 사용되는 주파수 대역, 상기 해당 SIW T자 전력 분배기의 비균등 전력비 및 상기 해당 SIW T자 전력 분배기의 출력 포트들 간의 위상 차이를 고려하여 계산되는 8포트 비균등 기판집적도파관 급전 회로.
An 8-port unequal substrate integrated waveguide (SIW) power feed circuit for distributing an RF signal from an input port to first to eighth output ports,
An SIW transmission line formed of outer vias connected to the input port and the first to eighth output ports, respectively; And
Seven SIW T-power distributors
/ RTI >
Each of the SIW T-character power dividers
An intermediate via for determining a power distribution between the output ports of the corresponding SIW T-power distributor; And
A matching via for performing phase correction and impedance matching between output ports of the corresponding SIW T-power distributor;
Lt; / RTI >
The middle via of the corresponding SIW T-power distributor
A forming position is determined by a predetermined unequal power ratio between output ports of the corresponding SIW T-power distributor for an RF signal input to the input port,
The matching via of the corresponding SIW T-power distributor
A forming position is determined by phase correction between output ports of the corresponding SIW T-shaped power divider and impedance matching of the corresponding SIW T-shaped power divider, which are caused by positional shift of a middle via of the corresponding SIW T-shaped power divider,
The position of the middle via of the corresponding SIW T-shaped power divider is determined by the unequal power ratio of the corresponding SIW T-shaped power divider, and the moving distance of the middle via and matching via of the corresponding SIW T-shaped power distributor The final formation position of the middle via and the matching via of the corresponding SIW T-power distributor is determined by impedance matching of the corresponding SIW T-power distributor,
The moving distance
Calculated by considering the frequency band in which the corresponding SIW T-power distributor is used, the unequal power ratio of the corresponding SIW T-power distributor, and the output port of the corresponding SIW T-power distributor, Waveguide feed circuit.
상기 7개의 SIW T자 전력 분배기 각각은
서로 다른 전력 분배비를 가지는 것을 특징으로 하는 8포트 비균등 기판집적도파관 급전 회로.
9. The method of claim 8,
Each of the seven SIW T-character power dividers
Port nonuniform substrate integrated waveguide feeder circuit having different power distribution ratios.
An antenna device comprising a power supply circuit according to any one of claims 5, 8 and 9.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020180028486A KR102005181B1 (en) | 2018-03-12 | 2018-03-12 | T-junction substrate-integrated-waveguide power divider using novel phase compensation and broadband unequal feeding network therefor |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020180028486A KR102005181B1 (en) | 2018-03-12 | 2018-03-12 | T-junction substrate-integrated-waveguide power divider using novel phase compensation and broadband unequal feeding network therefor |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR102005181B1 true KR102005181B1 (en) | 2019-07-29 |
Family
ID=67480774
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020180028486A KR102005181B1 (en) | 2018-03-12 | 2018-03-12 | T-junction substrate-integrated-waveguide power divider using novel phase compensation and broadband unequal feeding network therefor |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR102005181B1 (en) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100782011B1 (en) * | 2006-12-12 | 2007-12-06 | 용 석 금 | Manufacturing and safekeeping method of semi-dry persimmon, dry persimmon and cut dry persimmon, and semi-dry persimmon, dry persimmon and cut dry persimmon by the above manufacturing method under proper and bringing up of low pressure |
| CN111162357A (en) * | 2020-01-03 | 2020-05-15 | 南京邮电大学 | Multi-layer dual-passband miniature filter based on double-layer substrate integrated waveguide |
| CN115458892A (en) * | 2022-10-10 | 2022-12-09 | 南京邮电大学 | Four-way in-phase unequal power divider based on circular SIW resonant cavity |
| CN115513632A (en) * | 2022-10-21 | 2022-12-23 | 重庆邮电大学 | Miniaturized phase-shifting power divider based on slow wave substrate integrated waveguide |
| CN116845557A (en) * | 2023-08-10 | 2023-10-03 | 北京瑞霖鑫达毫米波科技有限公司 | Antenna system for receiving and transmitting matching of radio frequency antenna and SIW coupler |
-
2018
- 2018-03-12 KR KR1020180028486A patent/KR102005181B1/en active IP Right Grant
Non-Patent Citations (2)
| Title |
|---|
| Seong-jin Park 외 2명, "Low Side Lobe Substrate Integrated Waveguide Antenna Array Using Broadband Unequal Feeding Network for Millimeter Wave Hanset Device", IEEE Tr. AP, Vol. 64, No. 3, March 2016, pp 923-932 (2016.03.) |
| Seong-jin Park 외 2명, "Low Side Lobe Substrate Integrated Waveguide Antenna Array Using Broadband Unequal Feeding Network for Millimeter Wave Hanset Device", IEEE Tr. AP, Vol. 64, No. 3, March 2016, pp* * |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100782011B1 (en) * | 2006-12-12 | 2007-12-06 | 용 석 금 | Manufacturing and safekeeping method of semi-dry persimmon, dry persimmon and cut dry persimmon, and semi-dry persimmon, dry persimmon and cut dry persimmon by the above manufacturing method under proper and bringing up of low pressure |
| CN111162357A (en) * | 2020-01-03 | 2020-05-15 | 南京邮电大学 | Multi-layer dual-passband miniature filter based on double-layer substrate integrated waveguide |
| CN115458892A (en) * | 2022-10-10 | 2022-12-09 | 南京邮电大学 | Four-way in-phase unequal power divider based on circular SIW resonant cavity |
| CN115458892B (en) * | 2022-10-10 | 2023-12-12 | 南京邮电大学 | Four-way in-phase unequal power divider based on circular SIW resonant cavity |
| CN115513632A (en) * | 2022-10-21 | 2022-12-23 | 重庆邮电大学 | Miniaturized phase-shifting power divider based on slow wave substrate integrated waveguide |
| CN115513632B (en) * | 2022-10-21 | 2023-07-25 | 重庆邮电大学 | Miniaturized phase-shifting power divider based on slow wave substrate integrated waveguide |
| CN116845557A (en) * | 2023-08-10 | 2023-10-03 | 北京瑞霖鑫达毫米波科技有限公司 | Antenna system for receiving and transmitting matching of radio frequency antenna and SIW coupler |
| CN116845557B (en) * | 2023-08-10 | 2024-01-26 | 北京瑞霖鑫达毫米波科技有限公司 | Antenna system for receiving and transmitting matching of radio frequency antenna and SIW coupler |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR102005181B1 (en) | T-junction substrate-integrated-waveguide power divider using novel phase compensation and broadband unequal feeding network therefor | |
| US10461390B2 (en) | Phase shifter and feed network including a microstrip/coplanar waveguide coupling structure having vertical projections | |
| Subbulakshmi et al. | Design and characterization of corporate feed rectangular microstrip patch array antenna | |
| CN107069230B (en) | Antenna structure and design method | |
| US7236127B2 (en) | Control of radiation pattern in wireless telecommunications system | |
| Mirzaei et al. | An active artificial transmission line for squint-free series-fed antenna array applications | |
| Kumar et al. | Design of circular patch antennas for 5G applications | |
| KR101937820B1 (en) | Multi-beam array antenna | |
| KR20000062689A (en) | Ultrawide bandwidth electromechanical phase shifter | |
| CN108365317B (en) | Ultra-wideband multipath microwave power synthesizer | |
| Chen et al. | Compact Butler matrix based on patch element for X band applications | |
| Yuan et al. | An X-Band 6-bit MMIC Digital Controlled Attenuator with Low Insertion Phase Shift | |
| Bang et al. | A 28 GHz 8× 1 un-equal power divider for reducing side-lobe level of MM-Wave array antenna for 5G mobile handset | |
| Le et al. | All-passive composite right/left-handed (crlh) antenna array for sum and difference patterns | |
| Yang et al. | A compact broadband 16× 16 Butler matrix for multibeam antenna array applications | |
| Pavithra et al. | Design of microstrip patch array antenna using beamforming technique for ISM band | |
| Wang et al. | Monopulse Feeding Network Based on New Gap Waveguide Planar Magic-Tees | |
| Morgan et al. | An X-band experimental model of a millimeter-wave interinjection-locked phased array system | |
| US20230335896A1 (en) | Beam squint correction method of active phase array antenna system | |
| Alomar et al. | Elimination of beam squint in serially fed arrays with negative group delay circuits incorporating antenna elements | |
| US12009603B2 (en) | Bias tee circuit and calibration board for base station antenna | |
| Lu et al. | A compact broadband power divider network for Ka SAR application | |
| Yang et al. | Antenna array antenna array driven by broadband integrated multibeam network with flat amplitudes and phases | |
| Pivit et al. | Joint RF-feeder network and digital beamformer design for cellular base-station antennas | |
| Amillia et al. | Subarray design with two rectangular elements for massive MIMO system development |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
| GRNT | Written decision to grant |