KR101991219B1 - 필터 장치 - Google Patents
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Abstract
아이솔레이션 특성을 개선할 수 있고, 또한 결합 계수를 용이하게 조정할 수 있는 필터 장치를 제공한다. 필터 장치(1)는, 안테나에 접속되는 안테나 단자(3)와, 안테나 단자(3)와 그라운드 전위 사이에 접속되어 있고, 또한 병렬 분할된 복수의 인덕터인 복수의 제1 인덕터 L1a, L1b와, 안테나 단자(3)에 공통 접속되어 있고, 또한 각각 제2 인덕터 L2a, L12b를 갖는 제1, 제2 탄성파 필터(2a, 2b)(복수의 대역 통과형 필터)를 구비한다. 복수의 제1 인덕터 L1a, L1b와 복수의 제2 인덕터 L2a, L12b가 각각, 주로 일대일로 전자계 결합되어 있다.
Description
본 발명은, 복수의 통과 대역을 갖는 필터 장치에 관한 것이다.
종래, 상이한 주파수 대역을 이용한 복수의 통신 신호를 공통 안테나에서 송수신하는, 복수의 통과 대역을 갖는 필터 장치가 다양하게 제안되어 있다. 예를 들어 하기 특허문헌 1에는, 래더형 필터를 갖는 필터 장치의 일례가 기재되어 있다. 래더형 필터는, 신호 단자와 직렬 암 공진자 사이에 접속된 인덕터를 갖는다. 한편, 안테나 단자와 그라운드 전위 사이에는 하나의 인덕터가 접속되어 있다. 안테나 단자에 접속된 인덕터와, 래더형 필터의 인덕터는 전자계 결합되어 있다. 이것에 의하여 저지 대역에 있어서의 감쇠량을 크게 하고 있다.
그러나 특허문헌 1에 기재된 필터 장치에서는, 인덕터를 포함하는 래더형 필터를 복수 갖는 경우에 충분히 대응하지는 못하였다. 즉, 복수의 래더형 필터가 갖는 복수의 인덕터와, 안테나 단자에 접속된 인덕터를 전자계 결합하면, 안테나 단자에 접속된 인덕터를 통하여 복수의 래더형 필터의 인덕터 사이에서 불필요한 결합이 발생하여, 아이솔레이션 특성이 열화될 우려가 있다. 또한 안테나 단자에 접속된 인덕터와 각 인덕터와의 결합 계수를 조정하는 것이 곤란해진다.
본 발명의 목적은, 아이솔레이션 특성을 개선할 수 있고, 또한 결합 계수를 용이하게 조정할 수 있는 필터 장치를 제공하는 데 있다.
본 발명에 따른 필터 장치는, 안테나에 접속되는 안테나 단자와, 상기 안테나 단자와 그라운드 전위 사이에 접속되어 있고, 또한 병렬 분할된 복수의 인덕터인 복수의 제1 인덕터와, 상기 안테나 단자에 공통 접속되어 있고, 또한 각각 제2 인덕터를 갖는 복수의 대역 통과형 필터를 구비하고, 상기 복수의 제1 인덕터와 상기 복수의 제2 인덕터가 각각, 주로 일대일로 전자계 결합되어 있다.
본 발명에 따른 필터 장치의 어느 특정한 국면에서는, 상기 복수의 제1 인덕터 사이가 전자 실드되어 있다. 이 경우에는, 병렬 분할된 제1 인덕터가 서로 전자계 결합하는 것을 효과적으로 억제할 수 있다. 따라서 아이솔레이션 특성을 한층 더 개선할 수 있다.
본 발명에 따른 필터 장치의 다른 특정한 국면에서는, 적어도 하나의 상기 제2 인덕터가 그라운드 전위에 접속되어 있다. 이 경우에는 아이솔레이션 특성을 효과적으로 개선할 수 있다.
본 발명에 따른 필터 장치의 또 다른 특정한 국면에서는, 적어도 하나의 상기 제2 인덕터가, 그라운드 전위에 접속되어 있지 않은 인덕터를 포함한다. 이 경우에는 아이솔레이션 특성을 효과적으로 개선할 수 있다.
본 발명에 따른 필터 장치의 다른 특정한 국면에서는, 적어도 하나의 상기 대역 통과형 필터가 래더형 필터이다.
본 발명에 따른 필터 장치의 또 다른 특정한 국면에서는, 적어도 하나의 상기 대역 통과형 필터가 종 결합 공진자형 탄성파 필터이다.
본 발명에 따른 필터 장치의 또 다른 특정한 국면에서는, 복수의 상기 대역 통과형 필터를 포함하는 3개 이상의 대역 통과형 필터가 상기 안테나 단자에 공통 접속되어 있다. 이 경우에는 아이솔레이션 특성을 효과적으로 개선할 수 있다.
본 발명에 의하면, 아이솔레이션 특성을 개선할 수 있고, 또한 결합 계수를 용이하게 조정할 수 있는 필터 장치를 제공할 수 있다.
도 1은 본 발명의 제1 실시 형태에 따른 필터 장치의 모식적 회로도이다.
도 2는 비교예의 필터 장치의 모식적 회로도이다.
도 3은 본 발명의 제1 실시 형태 및 비교예에 있어서의 제1, 제4 탄성파 필터의 아이솔레이션 특성을 나타내는 도면이다.
도 4는 본 발명의 제1 실시 형태 및 비교예에 있어서의 제2, 제3 탄성파 필터의 아이솔레이션 특성을 나타내는 도면이다.
도 5는 본 발명의 제1 실시 형태 및 비교예에 있어서의 제3, 제4 탄성파 필터의 크로스-아이솔레이션 특성을 나타내는 도면이다.
도 6은 본 발명의 제1 실시 형태 및 비교예에 있어서의 제1, 제2 탄성파 필터의 크로스-아이솔레이션 특성을 나타내는 도면이다.
도 7은 본 발명의 제1 실시 형태에 있어서의 구성의 일례를 도시하는 확대 평면도이다.
도 8은 본 발명의 제1 실시 형태에 있어서의 구성의 일례를 도시하는 정면 단면도이다.
도 9는 본 발명의 제1 실시 형태의 제1 변형예에 있어서의 제1 탄성파 필터의 회로도이다.
도 10은 본 발명의 제1 실시 형태의 제2 변형예에 따른 필터 장치의 모식적 회로도이다.
도 2는 비교예의 필터 장치의 모식적 회로도이다.
도 3은 본 발명의 제1 실시 형태 및 비교예에 있어서의 제1, 제4 탄성파 필터의 아이솔레이션 특성을 나타내는 도면이다.
도 4는 본 발명의 제1 실시 형태 및 비교예에 있어서의 제2, 제3 탄성파 필터의 아이솔레이션 특성을 나타내는 도면이다.
도 5는 본 발명의 제1 실시 형태 및 비교예에 있어서의 제3, 제4 탄성파 필터의 크로스-아이솔레이션 특성을 나타내는 도면이다.
도 6은 본 발명의 제1 실시 형태 및 비교예에 있어서의 제1, 제2 탄성파 필터의 크로스-아이솔레이션 특성을 나타내는 도면이다.
도 7은 본 발명의 제1 실시 형태에 있어서의 구성의 일례를 도시하는 확대 평면도이다.
도 8은 본 발명의 제1 실시 형태에 있어서의 구성의 일례를 도시하는 정면 단면도이다.
도 9는 본 발명의 제1 실시 형태의 제1 변형예에 있어서의 제1 탄성파 필터의 회로도이다.
도 10은 본 발명의 제1 실시 형태의 제2 변형예에 따른 필터 장치의 모식적 회로도이다.
이하, 도면을 참조하면서 본 발명의 구체적인 실시 형태를 설명함으로써 본 발명을 밝힌다.
또한 본 명세서에 기재된 각 실시 형태는 예시적인 것이며, 상이한 실시 형태 사이에 있어서 구성의 부분적인 치환 또는 조합이 가능한 것을 지적해 둔다.
도 1은, 본 발명의 제1 실시 형태에 따른 필터 장치의 모식적 회로도이다.
필터 장치(1)는, 안테나에 접속되는 안테나 단자(3)를 갖는다. 필터 장치(1)는, 안테나 단자(3)에 공통 접속되어 있는 제1 내지 제4 탄성파 필터(2a 내지 2d)를 갖는다. 안테나 단자(3)와 그라운드 전위 사이에는, 병렬 분할된 제1 인덕터 L1a 및 제1 인덕터 L1b가 접속되어 있다. 제1 인덕터 L1a, L1b는 임피던스 정합용의 인덕터이다.
본 실시 형태에서는, 제1 탄성파 필터(2a)는, Band 3의 송신 대역인 1710㎒ 이상 1785㎒ 이하의 통과 대역을 갖는 송신 필터이다. 제2 탄성파 필터(2b)는, Band 1의 수신 대역인 2110㎒ 이상 2170㎒ 이하의 통과 대역을 갖는 수신 필터이다. 제3 탄성파 필터(2c)는, Band 1의 송신 대역인 1920㎒ 이상 1980㎒ 이하의 통과 대역을 갖는 송신 필터이다. 제4 탄성파 필터(2d)는, Band 3의 수신 대역인 1805㎒ 이상 1880㎒ 이하의 통과 대역을 갖는 수신 필터이다. 또한 제1 내지 제4 탄성파 필터(2a 내지 2d)의 통과 대역은 상기에 한정되지 않는다.
제1, 제2 탄성파 필터(2a, 2b)는 래더형 필터이다. 도 1에 있어서 블록도로 도시하는 제3, 제4 탄성파 필터(2c, 2d)의 구성은 특별히 한정되지 않는다.
제1 탄성파 필터(2a)는 입력 단자(4)를 갖는다. 제1 탄성파 필터(2a)는, 입력 단자(4)와 안테나 단자(3) 사이에 서로 직렬로 접속된 직렬 암 공진자 S1 내지 S4, 및 그라운드 전위에 접속된 병렬 암 공진자 P1 내지 P4를 갖는다. 제1 탄성파 필터(2a)는, 병렬 암 공진자 P1과 그라운드 전위 사이에 접속된 제2 인덕터 L2a를 갖는다. 도 1 중의 파선으로 나타낸 바와 같이, 제2 인덕터 L2a는 제1 인덕터 L1a와 전자계 결합되어 있다.
제2 탄성파 필터(2b)는 출력 단자(5)를 갖는다. 제2 탄성파 필터(2b)는, 안테나 단자(3)와 출력 단자(5) 사이에 서로 직렬로 접속된 직렬 암 공진자 S11 내지 S15, 및 그라운드 전위에 접속된 병렬 암 공진자 P11 내지 P15를 갖는다. 제2 탄성파 필터(2b)는, 병렬 암 공진자 P15와 그라운드 전위 사이에 접속된 제2 인덕터 L12b를 갖는다. 도 1 중의 파선으로 나타낸 바와 같이, 제2 인덕터 L12b는 제1 인덕터 L1b와 전자계 결합되어 있다. 본 실시 형태와 같이, 제1 인덕터 L1a와 제1 인덕터 L1b 사이가 전자 실드되어 있는 것이 바람직하다. 제1 인덕터 L1a의 인덕턴스는 특별히 한정되지 않지만 3.24nH이다. 제1 인덕터 L1b의 인덕턴스는 특별히 한정되지 않지만 3.24nH이다. 또한 제1, 제2 탄성파 필터(2a, 2b)의 회로 구성의 상세는 후술한다.
본 실시 형태의 특징은, 이하와 같이 구성되어 있는 점에 있다. 1) 제1 인덕터 L1a, L1b가 병렬 분할되어 있다. 2) 제1 인덕터 L1a가 제2 인덕터 L2a에 주로 전자계 결합되어 있고, 또한 제1 인덕터 L1b가 제2 인덕터 L12b에 주로 전자계 결합되어 있다. 그것에 의하여 아이솔레이션 특성을 개선할 수 있고, 또한 결합 계수를 용이하게 조정할 수 있다. 이를, 제1, 제2 탄성파 필터(2a, 2b)의 구성의 상세와 함께 설명한다.
제1 탄성파 필터(2a)에 있어서는, 입력 단자(4)와 직렬 암 공진자 S1 사이의 접속점과 그라운드 전위와의 사이에 병렬 암 공진자 P1이 접속되어 있다. 직렬 암 공진자 S1과 직렬 암 공진자 S2 사이의 접속점과 그라운드 전위와의 사이에 병렬 암 공진자 P2가 접속되어 있다. 직렬 암 공진자 S2와 직렬 암 공진자 S3 사이의 접속점과 그라운드 전위와의 사이에 병렬 암 공진자 P3이 접속되어 있다. 직렬 암 공진자 S3과 직렬 암 공진자 S4 사이의 접속점과 그라운드 전위와의 사이에 병렬 암 공진자 P4가 접속되어 있다.
병렬 암 공진자 P1과 그라운드 전위 사이에는 상기 제2 인덕터 L2a가 접속되어 있다. 병렬 암 공진자 P2와 그라운드 전위 사이에는 제3 인덕터 L3a가 접속되어 있다. 병렬 암 공진자 P3과 그라운드 전위 사이에는 제3 인덕터 L3b가 접속되어 있다. 병렬 암 공진자 P4와 그라운드 전위 사이에는 제3 인덕터 L3c가 접속되어 있다.
제2 탄성파 필터(2b)에 있어서는, 직렬 암 공진자 S11과 직렬 암 공진자 S12 사이의 접속점과 그라운드 전위와의 사이에 병렬 암 공진자 P11이 접속되어 있다. 직렬 암 공진자 S12와 직렬 암 공진자 S13 사이의 접속점과 그라운드 전위와의 사이에 병렬 암 공진자 P12가 접속되어 있다. 직렬 암 공진자 S13과 직렬 암 공진자 S14 사이의 접속점과 그라운드 전위와의 사이에 병렬 암 공진자 P13이 접속되어 있다. 직렬 암 공진자 S14와 직렬 암 공진자 S15 사이의 접속점과 그라운드 전위와의 사이에 병렬 암 공진자 P14가 접속되어 있다. 직렬 암 공진자 S15와 출력 단자(5) 사이의 접속점과 그라운드 전위와의 사이에 병렬 암 공진자 P15가 접속되어 있다.
병렬 암 공진자 P11과 그라운드 전위 사이에는 제3 인덕터 L13a가 접속되어 있다. 병렬 암 공진자 P12와 그라운드 전위 사이에는 제3 인덕터 L13b가 접속되어 있다. 병렬 암 공진자 P13, P14의 그라운드 전위측의 단부는 제3 인덕터 L13c에 공통 접속되어 있다. 제3 인덕터 L13c는 그라운드 전위에 접속되어 있다. 병렬 암 공진자 P15와 그라운드 전위 사이에는 상기 제2 인덕터 L12b가 접속되어 있다.
여기서, 본 실시 형태에 있어서는, 상술한 바와 같이 제1 인덕터 L1a가 제2 인덕터 L2a에 주로 전자계 결합되어 있다. 그것에 의하여, 안테나 단자(3)에 불필요한 신호가 전달되는 것을 억제할 수 있다. 한편, 제1 인덕터 L1b가 제2 인덕터 L12b에 주로 전자계 결합되어 있다. 그것에 의하여, 출력 단자(5)로부터 불필요한 신호가 출력되는 것을 억제할 수 있다. 따라서 아이솔레이션 특성을 효과적으로 개선할 수 있다.
또한 제1 인덕터 L1a가 제2 인덕터 L2a에 주로 전자계 결합되어 있다는 취지의 표현에 있어서의 '주로'는, 제1 인덕터 L1a가 제2 인덕터 L2a와 전자계 결합되어 있지만 다른 제2 인덕터에도, 제2 인덕터 L2a와의 전자계 결합보다도 약하지만 전자계 결합되어 있는 구성을 포함하는 것이다. 즉, 본 발명에 있어서는, 복수의 제1 인덕터와 복수의 제2 인덕터가 각각, 주로 일대일로 전자계 결합되어 있는데, 이러한, 주로 일대일로 전자계 결합되어 있다는 것은, 제1 인덕터가, 일대일로 전자계 결합되어 있는 제2 인덕터 이외의 제2 인덕터와도 일대일로 전자계 결합되어 있는 해당 제2 인덕터보다도 약하게 전자계 결합되어 있는 구성도 포함하는 것이다. 달리 말하면, 주로 일대일로 전자계 결합되어 있다는 것은, 복수의 제1 인덕터의 각각이, 복수의 제2 인덕터와 가장 강하게 전자계 결합하는 1조의 조합을 갖고, 복수의 제1 인덕터의 각각이, 가장 강하게 전자계 결합되어 있는 제2 인덕터 이외의 제2 인덕터와 전자계 결합되어 있어도 되는 것을 의미한다.
또한 제1 인덕터 L1a, L1b가 병렬 분할되어 있다. 그것에 의하여, 제1 인덕터 L1a, L1b의 합계의 인덕턴스를 최적의 값으로 한 상태에 있어서, 제1 인덕터 L1a 및 제1 인덕터 L1b의 인덕턴스를 각각 조정할 수 있다. 따라서 상기 최적의 상태에 있어서, 제1 인덕터 L1a와 제2 인덕터 L2a의 결합 계수를 조정할 수 있고, 또한 제1 인덕터 L1b와 제2 인덕터 L12b의 결합 계수를 조정할 수도 있다.
본 실시 형태에서는, 제1 인덕터 L1a와 제2 인덕터 L2a의 결합 계수는 -0.0017이다. 제1 인덕터 L1b와 제2 인덕터 L12b의 결합 계수는 -0.0037이다. 이와 같이, 필터 장치(1)에 있어서 결합 계수를 용이하고도 적합하게 조정할 수 있다.
제1 탄성파 필터(2a)는, 제1 인덕터 L1a와 전자계 결합되어 있는 제2 인덕터 L2a를 갖고 있으면 되며, 회로 구성은 특별히 한정되지 않는다. 마찬가지로 제2 탄성파 필터(2b)는, 제1 인덕터 L1b와 전자계 결합되어 있는 제2 인덕터 L12b를 갖고 있으면 되며, 회로 구성은 특별히 한정되지 않는다.
본 실시 형태의 효과를 비교예와 비교함으로써 보다 상세히 설명한다.
도 2는, 비교예의 필터 장치의 모식적 회로도이다.
비교예의 필터 장치(101)는, 안테나 단자(3)와 그라운드 전위에 접속된 인덕터 L101을 하나만 갖는 점에서 제1 실시 형태와 상이하다. 인덕터 L101은 제1 탄성파 필터(2a)의 제2 인덕터 L2a와 전자계 결합되어 있다.
도 3은, 제1 실시 형태 및 비교예에 있어서의 제1, 제4 탄성파 필터의 아이솔레이션 특성을 나타내는 도면이다. 도 4는, 제1 실시 형태 및 비교예에 있어서의 제2, 제3 탄성파 필터의 아이솔레이션 특성을 나타내는 도면이다. 도 5는, 제1 실시 형태 및 비교예에 있어서의 제3, 제4 탄성파 필터의 크로스-아이솔레이션 특성을 나타내는 도면이다. 도 6은, 제1 실시 형태 및 비교예에 있어서의 제1, 제2 탄성파 필터의 크로스-아이솔레이션 특성을 나타내는 도면이다. 실선은 제1 실시 형태의 결과를 나타내고 파선은 비교예의 결과를 나타낸다. 또한 크로스-아이솔레이션 특성이란, 상이한 Band 사이의 아이솔레이션 특성을 가리킨다.
도 3에 나타낸 바와 같이, 제1, 제4 탄성파 필터에 있어서의 아이솔레이션 특성은, 비교예와 비교하여 제1 실시 형태에 있어서 개선되어 있음을 알 수 있다. 도 4에 나타낸 바와 같이, 제2, 제3 탄성파 필터에 있어서의 아이솔레이션 특성도, 제1 실시 형태에 있어서 개선되어 있음을 알 수 있다. 도 5에 나타낸 바와 같이, 제3, 제4 탄성파 필터에 있어서의 크로스-아이솔레이션 특성은, 제1 실시 형태 및 비교예에 있어서 동등하다. 도 6에 나타낸 바와 같이, 제1, 제2 탄성파 필터에 있어서의 크로스-아이솔레이션 특성은, 비교예와 비교하여 제1 실시 형태에 있어서 개선되어 있음을 알 수 있다.
비교예에서는, 도 2에 도시한 바와 같이, 전자계 결합되어 있는 인덕터가, 제1 탄성파 필터(2a)에 있어서의 제2 인덕터 L2a 및 인덕터 L101뿐이기 때문에, 아이솔레이션 특성을 충분히 높이지 못하고 있다.
이에 비해, 본 실시 형태에서는, 도 1에 도시한 바와 같이, 제1, 제2 탄성파 필터(2a, 2b)에 있어서의 제2 인덕터 L2a, L12b가 제1 인덕터 L1a, L1b와 각각 일대일로 전자계 결합되어 있다. 그것에 의하여, 제1, 제2 탄성파 필터(2a, 2b)에 있어서 대역 외 감쇠량을 크게 할 수 있어 아이솔레이션 특성을 효과적으로 개선할 수 있다.
또한 제1, 제2 탄성파 필터(2a, 2b)에 있어서는, 전자계 결합을 이용함으로써, 특히 통과 대역의 고역측에 있어서 대역 외 감쇠량을 한층 더 크게 할 수 있다.
도 5 및 도 6에 나타낸 바와 같이, 제1, 제2 탄성파 필터(2a, 2b)와, 제1, 제2 탄성파 필터(2a, 2b) 이외의 탄성파 필터에 있어서의 크로스 아이솔레이션 특성을 개선할 수 있다. 따라서 본 발명은, 탄성파 필터를 3개 이상 갖는 경우에 있어서 특히 적합하게 적용할 수 있다.
본 실시 형태와 같이, 통과 대역이 서로 상이한 Band인 제1, 제2 탄성파 필터(2a, 2b)가, 상기와 같이 전자계 결합되어 있는 제2 인덕터 L2a, L12b를 갖는 것이 바람직하다. 그것에 의하여 크로스-아이솔레이션 특성을 효과적으로 개선할 수 있다.
송신 필터에 있어서는, 제2 인덕터 L2a는, 입력 단자(4)와 그라운드 전위 사이에 접속된 인덕터인 것이 바람직하다. 그것에 의하여 임피던스 정합을 효과적으로 개선할 수 있다. 수신 필터에 있어서는, 제2 인덕터 L12b는, 출력 단자(5)와 그라운드 전위 사이에 접속된 인덕터인 것이 바람직하다. 그것에 의하여 임피던스 정합을 효과적으로 개선할 수 있다.
또한 제1 인덕터 L1a, L1b와 전자계 결합되어 있는 제2 인덕터 L2a, L12b의 배치는 상기에 한정되지 않는다.
제1 인덕터 L1a와 제1 인덕터 L1b 사이는 전자 실드되어 있는 것이 바람직하다. 그것에 의하여, 제1 인덕터 L1a, L1b가 전자계 결합하는 것을 효과적으로 억제할 수 있다. 따라서 아이솔레이션 특성을 한층 더 개선할 수 있다.
제1 인덕터 L1a와 제1 인덕터 L1b 사이가 전자 실드되어 있는 구성은 특별히 한정되지 않는다. 예를 들어 도 7에 도시한 바와 같이, 제1 인덕터 L1a와 제1 인덕터 L1b가 동일한 기판 상에 마련되어 있는 경우에는, 제1 인덕터 L1a와 제1 인덕터 L1b 사이에 배선(7)을 배치함으로써 전자 실드해도 된다. 도 8에 도시한 바와 같이, 필터 장치가, 소자(8)와, 소자(8)가 탑재된 적층체를 갖는 경우에는, 제1 인덕터 L1a와 제1 인덕터 L1b를 상이한 층에 배치함으로써 전자 실드해도 된다. 이때, 제1 인덕터 L1a와 제1 인덕터 L1b 사이에 금속층(9)이 마련되어 있는 것이 바람직하다. 그것에 의하여, 제1 인덕터 L1a와 제1 인덕터 L1b를 한층 더 확실히 전자 실드할 수 있다.
또한 3개 이상의 탄성파 필터가 제2 인덕터를 갖고 있어도 된다. 각 제2 인덕터가, 3개 이상으로 병렬 분할된 각 제1 인덕터와 일대일로 전자계 결합되어 있어도 된다. 이 경우에 있어서도 아이솔레이션 특성을 효과적으로 높일 수 있다.
단, 본 실시 형태에 있어서는, 2개의 제1 인덕터 L1a, L1b를 갖고 있으면 되기 때문에 상기 효과를 얻을 수 있고, 또한 소형화를 도모할 수도 있다.
도 9에 도시하는 제1 실시 형태의 제1 변형예와 같이, 제1 탄성파 필터에 있어서는, 제2 인덕터 L22a는, 직렬 암 공진자 S1과 입력 단자(4) 사이에 접속된 인덕터여도 된다. 이와 같이, 필터 장치에 있어서의 복수의 제2 인덕터는, 그라운드 전위에 직접 접속되어 있지 않은 제2 인덕터 L22a를 포함하고 있어도 된다.
도 10에 도시하는 제1 실시 형태의 제2 변형예와 같이, 제1 탄성파 필터(32a)는 종 결합 공진자형 탄성파 필터(36)를 갖고 있어도 된다. 이 경우에 있어서도, 제1 인덕터 L1a와 제2 인덕터 L2a가 전자계 결합되어 있으면 된다. 또한 도 10에 있어서는, 제1 탄성파 필터(32a)의 일부를 블록도로 도시한다.
필터 장치는, 탄성파 필터 이외의 복수의 필터에 의하여 구성되어 있어도 된다. 이 경우에 있어서도, 병렬 분할된 복수의 제1 인덕터와 복수의 제2 인덕터가 각각, 주로 일대일로 전자계 결합되어 있으면 된다.
1: 필터 장치
2a 내지 2d: 제1 내지 제4 탄성파 필터
3: 안테나 단자
4: 입력 단자
5: 출력 단자
7: 배선
8: 소자
9: 금속층
32a: 제1 탄성파 필터
36: 종 결합 공진자형 탄성파 필터
L1a, L1b: 제1 인덕터
L2a, L12b, L22a: 제2 인덕터
L3a 내지 L3c, L13a 내지 L13c: 제3 인덕터
L101: 인덕터
P1 내지 P4, P11 내지 P15: 병렬 암 공진자
S1 내지 S4, S11 내지 S15: 직렬 암 공진자
2a 내지 2d: 제1 내지 제4 탄성파 필터
3: 안테나 단자
4: 입력 단자
5: 출력 단자
7: 배선
8: 소자
9: 금속층
32a: 제1 탄성파 필터
36: 종 결합 공진자형 탄성파 필터
L1a, L1b: 제1 인덕터
L2a, L12b, L22a: 제2 인덕터
L3a 내지 L3c, L13a 내지 L13c: 제3 인덕터
L101: 인덕터
P1 내지 P4, P11 내지 P15: 병렬 암 공진자
S1 내지 S4, S11 내지 S15: 직렬 암 공진자
Claims (7)
- 안테나에 접속되는 안테나 단자와,
상기 안테나 단자와 그라운드 전위 사이에 접속되어 있고, 또한 병렬 분할된 복수의 인덕터인 복수의 제1 인덕터와,
상기 안테나 단자에 공통 접속되어 있고, 또한 각각 제2 인덕터를 갖는 복수의 대역 통과형 필터
를 구비하고,
상기 복수의 제1 인덕터와 상기 복수의 제2 인덕터가 각각, 주로 일대일로 전자계 결합되어 있는, 필터 장치. - 제1항에 있어서,
상기 복수의 제1 인덕터 사이가 전자 실드되어 있는, 필터 장치. - 제1항 또는 제2항에 있어서,
적어도 하나의 상기 제2 인덕터가 그라운드 전위에 접속되어 있는, 필터 장치. - 제1항 또는 제2항에 있어서,
적어도 하나의 상기 제2 인덕터가, 그라운드 전위에 접속되어 있지 않은 인덕터를 포함하는, 필터 장치. - 제1항 또는 제2항에 있어서,
적어도 하나의 상기 대역 통과형 필터가 래더형 필터인, 필터 장치. - 제1항 또는 제2항에 있어서,
적어도 하나의 상기 대역 통과형 필터가 종 결합 공진자형 탄성파 필터인, 필터 장치. - 제1항 또는 제2항에 있어서,
복수의 상기 대역 통과형 필터를 포함하는 3개 이상의 대역 통과형 필터가 상기 안테나 단자에 공통 접속되어 있는, 필터 장치.
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