KR101978560B1 - 종형 웨이퍼 보트 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 처리 대상의 실리콘 웨이퍼를 다단으로 설치한 선반판부에 의해 지지하는 종형 웨이퍼 보트에 있어서, 대구경의 실리콘 웨이퍼여도, 실리콘 웨이퍼의 휘어짐을 억제하면서, 웨이퍼 외주부의 휘어짐에 대해 선반판부와의 접촉의 리스크를 저감할 수 있는 종형 웨이퍼 보트를 얻는다. 실리콘 웨이퍼를 탑재하기 위한 선반판부(2b)가 형성되는 복수 개의 지주(2)와, 상기 지주의 상하 단부를 고정하는 상부판 및 바닥판을 구비하는 종형 웨이퍼 보트(1)로서, 상기 선반판부(2b)는, 보트 중심측을 향해 하방으로 경사지고, 그 선단부에, 상방으로 돌기하여 상기 실리콘 웨이퍼의 가장자리부와 접촉하는 웨이퍼 지지부(2b1)가 형성된다.

Description

종형 웨이퍼 보트{VERTICAL WAFER BOAT}
본 발명은 종형 웨이퍼 보트에 관한 것으로, 예컨대 반도체 디바이스의 제조 공정에서 사용되는 종형 감압 CVD 장치에 있어서, 실리콘 웨이퍼를 유지하는 종형 웨이퍼 보트에 관한 것이다.
처리 대상인 실리콘 웨이퍼의 표면에 성막(成膜)하는 경우, 화학적 기상 성장에 의한 성막을 행하는 CVD 장치가 이용된다. 도 3에 종래의 종형 감압 CVD 장치(30)를 도시한다. 이 CVD 장치(30)는, 노(爐) 본체(31)와, 노 본체(31) 내에 수용되며, 복수의 실리콘 웨이퍼(W)가 수용되는 프로세스 튜브(32)와, 노 본체(31)와 프로세스 튜브(32) 사이에 배치되는 히터(도시하지 않음)를 구비한다. 프로세스 튜브(32)는, 고순도 석영이나 탄화규소(SiC)에 의해 형성되고, 그 내부가 가열됨으로써 고온의 상태가 유지되도록 이루어진다. 또한, 프로세스 튜브(32)는, 진공 펌프(도시하지 않음)에 접속되고, 프로세스 튜브(32)의 내부를 소정 기압(예컨대 1.3 ㎪) 이하로 감압할 수 있도록 이루어진다.
상기 프로세스 튜브(32)에 의해 덮이는 베이스(33)의 중앙부에는, 보트 받침부(34)가 설치되고, 이 보트 받침부(34) 위에, 종형 랙 형상의 웨이퍼 보트(1)가 배치된다. 이 웨이퍼 보트(1)에는, 복수의 실리콘 웨이퍼(W)가 상하 방향으로 소정의 간격을 두고 유지되어 있다. 또한, 웨이퍼 보트(1)의 측부에는, 반응 가스를 노 내에 도입하기 위한 가스 도입관(35)이 배치되고, 또한, 노 내의 온도를 측정하는 열전대를 내장한 열전대 보호관(36)이 설치된다.
이러한 종형 감압 CVD 장치(30)에 있어서는, 웨이퍼 보트(1)에 복수의 실리콘 웨이퍼(W)가 유지되어, 노 본체(31) 내에 수용된다.
계속해서, 노 내를 소정압(예컨대 1.3 ㎪ 이하)으로 감압하고, 예컨대 600℃∼900℃의 고온으로 가열하며, 가스 도입관(35)을 통해 캐리어 가스(H2 등)와 함께 SiH4 등의 반응성 가스(원료 가스)를 노 내에 도입함으로써, 실리콘 웨이퍼(W)의 표면에 다결정 실리콘막이나 질화규소막(Si3N4) 등의 형성이 행해진다.
종래의 웨이퍼 보트(1)는, 예컨대 일본 특허 공개 제2008-277781호 공보에 개시되어 있다. 일본 특허 공개 제2008-277781호 공보에 개시되는 웨이퍼 보트(1)는, 도 4에 도시된 바와 같이, 수납하는 실리콘 웨이퍼(W)보다 큰 외부 직경을 갖는 상하 한 쌍의 상부판(3) 및 바닥판(4)과, 이들을 연결하는 복수(도면에서는 3개)의 지주(2)에 의해 구성된다. 한편, 상부판(3) 및 바닥판(4)은, 실리콘 웨이퍼(W)와 마찬가지로 원판형으로 형성된다.
또한, 도 5에 일부 확대하여 도시한 바와 같이, 상기 지주(2)에는, 실리콘 웨이퍼(W)를 지지하기 위한 복수의 지지홈(2a)이 형성되고, 이에 의해 지주 측면으로부터 돌출되는 복수의 선반판부(2b)가 다단으로 형성되며, 그 상면에 웨이퍼 지지부(2b1)가 형성된다. 이 웨이퍼 지지부(2b1)에 의해 실리콘 웨이퍼(W)의 주연부(周緣部)가 지지된다.
그러나, 상기 선반판부(2b)의 상면인 웨이퍼 지지부(2b1)에 의해 실리콘 웨이퍼(W)를 지지하면, 웨이퍼 지지부(2b1)와 웨이퍼 주연부 하면이 면접촉하기 때문에, 웨이퍼 반입 반출 시의 미끄럼 접촉에 의해 실리콘 웨이퍼(W)의 이면에 다수의 파티클이 발생하여 부착되는 경우가 있었다.
또한, 실리콘 웨이퍼(W)의 표면에도, 그 상측의 실리콘 웨이퍼(W)의 이면에서 발생한 파티클이 낙하하여, 부착된다고 하는 과제가 있었다.
또한, 열처리 시에 실리콘 웨이퍼(W)가 가열되면, 도 5에 도시된 바와 같이 웨이퍼 주연부에 다소의 휘어짐이 발생하여, 상방의 선반판부(2b)와의 간격[클리어런스(CL)]이 작아져, 웨이퍼 단부가 선반판부(2b) 하면에 접촉하는 경우가 있었다.
상기 과제에 대해, 일본 특허 공개 평성 제9-82648호 공보에 있어서는, 도 6에 도시된 바와 같이 지주(2)에 형성되는 선반판부(2b)의 웨이퍼 지지부(2b1)를 수평면에 대해 경사진 경사면으로 한 종형 보트가 개시되어 있다.
이와 같이 웨이퍼 지지부(2b1)가 경사짐으로써, 대략 수평 상태로 지지되는 실리콘 웨이퍼(W)에 대해서는, 선접촉에 의해 지지하게 된다. 그 때문에, 파티클의 발생이 억제된다.
또한, 도시하는 바와 같이 선반판부(2b) 전체가 경사짐으로써, 열처리 시에 실리콘 웨이퍼(W)의 단부에 다소의 휘어짐이 발생해도, 웨이퍼 단부와 상방의 선반판부(2b)와의 간격[클리어런스(CL)]이 크게 확보되기 때문에, 웨이퍼 단부와 선반판부(2b) 하면의 접촉을 방지할 수 있다.
그러나, 최근에는, 실리콘 웨이퍼(W)의 대구경화가 진행되어, 실리콘 웨이퍼(W)를 대략 수평의 상태로 유지하는 것이 곤란해지고 있다.
즉, 실리콘 웨이퍼(W)의 중앙부가 자중에 의해 하방으로 휘어, 열처리와는 관계없이 웨이퍼 주연부가 상방으로 튀어오르는 상태가 된다. 이와 같이 웨이퍼 주연부가 상방으로 튀어오르면, 경사진 웨이퍼 지지부(2b1)와 웨이퍼 주연부가 평행이 되는 부분이 발생하여, 선접촉이 아니라 면접촉이 된다.
그 때문에, 미끄럼 접촉에 의한 파티클이 발생하거나, 실리콘 웨이퍼(W) 전체에 대한 응력이 커져, 슬립이 발생하기 쉽다고 하는 과제가 있었다.
본 발명은 상기한 바와 같은 사정 하에 이루어진 것으로, 처리 대상의 실리콘 웨이퍼를 다단으로 설치한 선반판부에 의해 지지하는 종형 웨이퍼 보트에 있어서, 대구경의 실리콘 웨이퍼여도, 실리콘 웨이퍼의 휘어짐을 억제하면서, 웨이퍼 외주부의 휘어짐에 대해 선반판부와의 접촉의 리스크를 저감할 수 있는 종형 웨이퍼 보트를 제공하는 것을 목적으로 한다.
상기 과제를 해결하기 위해서 이루어진 본 발명에 따른 종형 웨이퍼 보트는, 실리콘 웨이퍼를 탑재하기 위한 선반판부가 형성되는 복수 개의 지주와, 상기 지주의 상하 단부를 고정하는 상부판 및 바닥판을 구비하는 종형 웨이퍼 보트로서, 상기 선반판부는, 보트 중심측을 향해 하방으로 경사지고, 그 선단부에, 상방으로 돌기하여 상기 실리콘 웨이퍼의 가장자리부와 접촉하는 웨이퍼 지지부가 형성되는 것에 특징을 갖는다.
한편, 상기 선반판부의 경사 각도는, 1° 이상 2° 이하의 범위 이내인 것이 바람직하다.
또한, 상기 웨이퍼 지지부의 상면은, 수평면 형상으로 형성되는 것이 바람직하다.
또한, 상기 선반판부의 직경 방향의 길이 치수는, 40 ㎜ 이상 80 ㎜ 이하의 범위 이내이고, 상기 웨이퍼 지지부의 직경 방향의 길이 치수는, 5 ㎜ 이상 10 ㎜ 이하의 범위 이내인 것이 바람직하다.
이러한 구성에 의하면, 선반판부가 보트 중심측을 향해 하방으로 경사지기 때문에, 실리콘 웨이퍼를 유지하여 열처리할 때에, 웨이퍼 주연부가 상방으로 휜 상태가 되어도, 상방의 선반판부와의 간격[클리어런스(CL)]을 충분히 확보할 수 있어, 웨이퍼 주연부와 선반판부 하면의 접촉을 방지할 수 있다.
또한, 선반판부의 선단에, 실리콘 웨이퍼와 접촉하는 웨이퍼 지지부가 설치되기 때문에, 실리콘 웨이퍼의 지지 위치가 웨이퍼 주연 단부보다 직경 방향 내측이 되어, 대직경의 실리콘 웨이퍼의 중앙이 자중에 의해 하방으로 휜다고 해도, 그 휘어짐량을 작게 억제할 수 있다.
또한, 웨이퍼 지지부는 수평면 형상으로 이루어지고, 그에 대해 휘어짐에 의해 경사진 실리콘 웨이퍼의 하면이 접촉하기 때문에, 접촉부는 선접촉이 되어, 실리콘 웨이퍼에의 응력이 작게 억제됨으로써 슬립의 발생을 방지할 수 있다.
도 1은 본 발명의 종형 웨이퍼 보트가 구비하는 복수의 지주 중, 1개를 일부 확대하여 도시한 측면도이다.
도 2는 도 1의 지주에 형성되는 하나의 선반판부가 갖는 웨이퍼 지지부의 평면도이다.
도 3은 종래의 종형 감압 CVD 장치의 사시도이다.
도 4는 종래의 웨이퍼 보트의 사시도이다.
도 5는 종래의 웨이퍼 보트의 지주를 일부 확대한 측면도이다.
도 6은 종래의 다른 웨이퍼 보트의 지주를 일부 확대한 측면도이다.
이하, 본 발명에 따른 종형 웨이퍼 보트의 실시형태에 대해 도면에 기초하여 설명한다. 한편, 본 발명에 따른 종형 웨이퍼 보트에 있어서는, 이미 도 3, 도 4를 이용하여 설명한 종래의 웨이퍼 보트와는, 실리콘 웨이퍼를 지지하는 선반판부의 구성만이 상이하기 때문에, 그 외의 구성 부분에 대해서는 상세한 설명을 생략한다.
도 1은 본 발명의 종형 웨이퍼 보트[웨이퍼 보트(1)]가 구비하는 복수의 지주 중, 1개를 일부 확대하여 도시한 측면도이다.
도 1에 도시된 바와 같이, 지주(2)의 내측에는, 그 길이 방향을 따라 복수의 지지홈(2a)이 소정의 간격을 두고 형성된다. 또한, 복수의 지지홈(2a)이 형성됨으로써 판형의 선반판부(2b)가 형성된다. 선반판부(2b)의 선단에는 상방으로 소정의 높이(h)(바람직하게는 h = 0.3 ㎜ 이상 1.0 ㎜ 이하)로 돌기하는 웨이퍼 지지부(2b1)가 형성되고, 웨이퍼 지지부(2b1)는 도 2에 평면도로 나타낸 바와 같이 소정 면적을 갖는 수평면 형상으로 이루어진다.
실리콘 웨이퍼(W)는, 그 주연부 하면이, 복수의 지주(2)에 각각 형성되는 상기 선반판부(2b)의 웨이퍼 지지부(2b1)에 접촉 지지되어, 웨이퍼 보트에 유지된다.
상기 선반판부(2b)는, 그 상면측과 하면측이 평행한 상태로 직경 방향으로 연장되어 설치되고, 웨이퍼 보트 중심을 향해 하방으로 경사진다. 이 경사 각도(θ)는, 바람직하게는 1° 이상 2° 이하이다. 이것은, 경사 각도(θ)가 2°를 초과하면, 실리콘 웨이퍼(W)의 반송, 배치 시에 웨이퍼 지지부(2b1) 상면과 실리콘 웨이퍼(W)의 주연 하면이 접촉할 우려가 있기 때문이다. 한편, 경사 각도(θ)가 1° 미만인 경우에는, 실리콘 웨이퍼(W)의 변형 시(휘어짐 발생 시)에, 그 주연부 상면이 웨이퍼 지지부(2b1) 하면에 접촉할 우려가 있기 때문이다.
또한, 상기 선반판부(2b)의 직경 방향의 길이 치수(d1)는, 40 ㎜ 이상 80 ㎜ 이하로 형성된다. 이 직경 방향의 길이 치수(d1)는, 지지하는 실리콘 웨이퍼(W)의 직경에 따라 최적값이 상이하다. 예컨대, 실리콘 웨이퍼(W)의 직경이 300 ㎜인 경우에는, 상기 치수(d1)는 80 ㎜로 하는 것이 바람직하다. 이와 같이 선반판부(2b)의 직경 방향의 길이를 조정하여, 웨이퍼 지지부(2b1)에 의한 지지 위치를 설정함으로써, 웨이퍼 지지부(2b1)의 위치가 웨이퍼 주연 단부로부터 웨이퍼 직경 방향 내측으로 접근하기 때문에, 실리콘 웨이퍼(W)의 자중에 의한 휘어짐의 변형량을 작게 할 수 있다.
또한, 상기 선반판부(2b)의 웨이퍼 지지부(2b1)는, 도 2에 도시된 바와 같이 선단의 좌우 모서리부가 모따기된다. 바람직하게는 모따기폭(d3)은 0.5 ㎜ 이상 2 ㎜ 이하로 되고, 2 ㎜ 이상 8 ㎜ 이하의 R 모따기가 이루어진다.
또한, 웨이퍼 지지부(2b1)의 직경 방향의 길이 치수(d2)는, 5 ㎜ 이상 10 ㎜ 이하로 형성된다. 둘레 방향의 폭 치수(d4)는, 지주(2)의 형상에 따른 원하는 길이로 형성해도 좋다.
웨이퍼 지지부(2b1)의 표면은, 바람직하게는 조면화(粗面化)된 상태[표면 거칠기(Ra)가 0.2 ㎛ 이상 0.8 ㎛ 이하]로 된다. 이 조면화 처리에 의해, 웨이퍼 이면에 대한 스크래치나 슬립이 억제되고, 또한, 웨이퍼 지지부(2b1)의 실리콘 웨이퍼(W)에 대한 달라붙음이 억제된다.
이와 같이 구성된 웨이퍼 보트(1)에 의하면, 선반판부(2b)가 보트 중심을 향해 하방으로 경사지기 때문에, 실리콘 웨이퍼(W)를 유지하여 열처리할 때에, 실리콘 웨이퍼(W) 주연부가 상방으로 휜 상태가 되어도, 상방의 선반판부(2b)와의 간격[클리어런스(CL)]을 충분히 확보할 수 있어, 실리콘 웨이퍼(W) 주연부와 선반판부(2b) 하면의 접촉을 방지할 수 있다.
또한, 선반판부(2b)의 선단에, 실리콘 웨이퍼(W)와 접촉하는 웨이퍼 지지부(2b1)가 설치되기 때문에, 실리콘 웨이퍼(W)의 지지 위치가 웨이퍼 주연 단부보다 직경 방향 내측이 되어, 대직경의 실리콘 웨이퍼(W)의 중앙이 자중에 의해 하방으로 휜다고 해도, 그 휘어짐량을 작게 억제할 수 있다.
또한, 웨이퍼 지지부(2b1)는 수평면 형상으로 되고, 그에 대해 휘어짐에 의해 경사진 실리콘 웨이퍼(W)의 하면이 접촉하기 때문에, 접촉부는 선접촉이 되어, 실리콘 웨이퍼(W)에 대한 응력이 작게 억제됨으로써 슬립의 발생을 방지할 수 있다.
본 발명에 따른 종형 웨이퍼 보트에 대해, 실시예에 기초하여 더 설명한다. 본 실시예에서는, 상기 실시형태에 나타낸 종형 웨이퍼 보트를 제조하고, 얻어진 웨이퍼 보트의 성능을 검증하였다.
구체적으로는, 지주를 형성하기 위해서, SiC질 기재(基材)에, 실리콘 웨이퍼를 배치하기 위한 복수의 지지홈을 회전 절삭구에 의해 형성하였다.
계속해서, 상기 지지홈에 의해 형성된 선반판부의 상면(걸림면)을 샌드 블라스트 처리에 의해 조면화하였다(Ra 0.5 ㎛).
또한, 얻어진 지주를 산 세정한 후, 순수(純水)에 의한 세정을 행하고, 건조시킴으로써 지주의 완성형을 얻었다. 또한, 필요 개수의 지주를 마찬가지로 형성한 후, 이들에 상부판, 바닥판을 조립하여, 조립식 종형 웨이퍼 보트를 제조하였다.
또한, 제조한 종형 웨이퍼 보트에 의해 구경 300 ㎜의 실리콘 웨이퍼 50장을 지지하고, 노 내에 있어서 750℃에서 1시간의 열처리를 행하였다.
실시예 1∼8에 있어서는, 선반판부의 바람직한 직경 방향 길이, 및 웨이퍼 지지부의 직경 방향 길이에 대해, 열처리 후에 실리콘 웨이퍼 표면에 부착된 파티클의 개수(φ300 ㎜ 실리콘 웨이퍼 표면에 부착된 0.2 ㎛ 이상의 파티클 개수) 및 실리콘 웨이퍼 이면의 슬립의 발생 상태를 봄으로써 검증을 행하였다.
표 1에 실시예 1∼8의 조건과 그 검증 결과를 나타낸다. 표 1에 나타낸 검증 결과에 있어서, "파티클 부착 개수"의 ○는, φ300 ㎜ 실리콘 웨이퍼 표면에 0.2 ㎛ 이상의 파티클 부착이 보여지지 않는 상태를 나타내고, △은, 미량(φ300 ㎜ 실리콘 웨이퍼 표면에 0.2 ㎛ 이상의 파티클 20개 이하)의 파티클 부착이 보여지는 상태를 나타내며, ×는, 다량(φ300 ㎜ 실리콘 웨이퍼 표면에 0.2 ㎛ 이상의 파티클 20개 초과 50개 이하)의 파티클 부착이 보여지는 결과를 나타낸다. 또한, "슬립 발생 상태"의 ○는, 슬립이 발생하지 않은 상태를 나타내고, ×는, 슬립이 발생한 상태를 나타낸다.
실시예 1 실시예 2 실시예 3 실시예 4 실시예 5 실시예 6 실시예 7 실시예 8
선반판부의 직경 방향 길이 39mm 40mm 80mm 81mm 60mm
웨이퍼 지지부 직경 방향 길이 7mm 4mm 5mm 10mm 11mm
선반판부 경사각 1.5°
웨이퍼 지지부 단차 높이 0.6mm
웨이퍼 지지부 표면 거칠기 0.5㎛
파티클 부착 개수 △ ○ ○ △ △ ○ ○ △
슬립 발생 상태 ○ ○ ○ ○ ○ ○ ○ ○
표 1에 나타낸 바와 같이 실시예 1∼4의 결과, 특히 선반판부의 직경 방향의 길이 치수는, 40 ㎜ 이상 80 ㎜ 이하의 경우(웨이퍼 지지부의 직경 방향 길이는 7 ㎜로 고정)에 있어서, 파티클이 부착되지 않고, 양호한 결과가 얻어졌다.
또한, 실시예 5∼8의 결과, 특히 웨이퍼 지지부의 직경 방향의 길이 치수는, 5 ㎜ 이상 10 ㎜ 이하의 경우(선반판부의 직경 방향 길이는 60 ㎜로 고정)에 있어서, 파티클이 부착되지 않고, 양호한 결과가 얻어졌다.
실시예 9∼12에 있어서는, 선반판부의 바람직한 경사 각도에 대해, 열처리 후에 실리콘 웨이퍼 표면에 부착된 파티클의 개수 및 슬립의 발생 상태를 봄으로써 검증을 행하였다.
표 2에 선반판부의 경사 각도의 조건 및 검증 결과를 나타낸다. 표 2에 나타낸 검증 결과에 있어서, "파티클 부착 개수"의 ○는, φ300 ㎜ 실리콘 웨이퍼 표면에 0.2 ㎛ 이상의 파티클 부착이 보여지지 않는 상태를 나타내고, △은, 미량(φ300 ㎜ 실리콘 웨이퍼 표면에 0.2 ㎛ 이상의 파티클 20개 이하)의 파티클 부착이 보여지는 상태를 나타내며, ×는, 다량(φ300 ㎜ 실리콘 웨이퍼 표면에 0.2 ㎛ 이상의 파티클 20개 초과 50개 이하)의 파티클 부착이 보여지는 결과를 나타낸다. 또한, "슬립 발생 상태"의 ○는, 슬립이 발생하지 않은 상태를 나타내고, ×는, 슬립이 발생한 상태를 나타낸다.
한편, 표 2에, 본 실시예에 이어서 행한 비교예의 결과를 나타낸다. 비교예 1은, 선반판부는 경사져 있으나, 상방으로 돌기한 웨이퍼 지지부를 갖지 않는 구성이다. 비교예 2는, 선반판부는 경사지지 않고 수평이며, 선단에 상방으로 돌기한 웨이퍼 지지부를 갖는 구성이다. 비교예 3은, 선반판부는 경사지지 않고 수평이며, 선단에 상방으로 돌기한 웨이퍼 지지부를 갖지 않는 구성이다.
실시예 9 실시예 10 실시예 11 실시예 12 비교예 1 비교예 2 비교예 3
선반판부의 직경 방향 길이 60mm 30mm 60mm
웨이퍼 지지부 직경 방향 길이 7mm 없음 20mm 없음
선반판부 경사각 0.9° 1.0° 2.0° 2.1° 1.5° 0°
웨이퍼 지지부 단차 높이 0.6mm 없음 0.6mm 없음
웨이퍼 지지부 표면 거칠기 0.5㎛
파티클 부착 개수 △ ○ ○ △ × × ×
슬립 발생 상태 ○ ○ ○ ○ × ○ ×
표 2에 나타낸 바와 같이 실시예 9∼12의 결과, 특히 선반판부의 경사각은, 1.0° 이상 2.0° 이하의 경우에 있어서, 파티클이 부착되지 않고, 양호한 결과가 얻어졌다.
또한, 비교예 1(선반판부가 경사, 지지부는 돌기하지 않음)에서는, 실리콘 웨이퍼의 구경이 크기 때문에 휘어짐이 커지고, 선반판부와 면접촉이 되어, 다량의 파티클 부착과 슬립이 발생하였다. 비교예 2(선반판부는 수평, 돌기한 지지부 있음)에서는, 슬립은 발생하지 않았으나, 다량의 파티클이 부착되었다. 비교예 3(선반판부는 수평, 지지부는 돌기하지 않음)에서는, 다량의 파티클 부착과 슬립이 발생하였다.
이상의 실시예의 결과, 본 발명의 구성에 의해, 실리콘 웨이퍼의 휘어짐을 최소로 하면서, 실리콘 웨이퍼 외주부의 휘어짐에 대해 선반판부와의 접촉의 리스크를 저감함으로써, 파티클의 발생을 억제하고, 또한 슬립의 발생을 방지할 수 있는 것을 확인하였다.
1: 웨이퍼 보트 2: 지주
2a: 지지홈 2b: 선반판부
2b1: 웨이퍼 지지부 3: 상부판
4: 바닥판 W: 실리콘 웨이퍼

Claims (5)

  1. 실리콘 웨이퍼를 탑재하기 위한 선반판부가 형성되는 복수 개의 지주와, 상기 지주의 상하 단부를 고정하는 상부판 및 바닥판을 구비하는 종형 웨이퍼 보트로서,
    상기 선반판부는, 보트 중심측을 향해 하방으로 경사지고, 그 선단부에, 상방으로 돌기하여 상기 실리콘 웨이퍼의 주연 단부보다 직경 방향 내측에 접촉하는 웨이퍼 지지부가 형성되고,
    상기 웨이퍼 지지부의 상면은, 표면 거칠기(Ra)가 0.2 ㎛ 이상 0.8 ㎛ 이하인 것을 특징으로 하는 종형 웨이퍼 보트.
  2. 제 1항에 있어서,
    상기 선반판부의 경사 각도는, 1° 이상 2° 이하의 범위 이내인 것을 특징으로 하는 종형 웨이퍼 보트.
  3. 제 1항에 있어서,
    상기 웨이퍼 지지부의 상면은, 수평면 형상으로 형성되는 것을 특징으로 하는 종형 웨이퍼 보트.
  4. 제 1항에 있어서,
    상기 선반판부의 직경 방향의 길이 치수는, 40 ㎜ 이상 80 ㎜ 이하의 범위 이내인 것을 특징으로 하는 종형 웨이퍼 보트.
  5. 제 1항에 있어서,
    상기 웨이퍼 지지부의 직경 방향의 길이 치수는, 5 ㎜ 이상 10 ㎜ 이하의 범위 이내인 것을 특징으로 하는 종형 웨이퍼 보트.
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