KR101966160B1 - Organic light emitting diode display device and fabrication method of the same - Google Patents

Abstract

본 발명은 유기전계발광 표시장치를 개시한다. 개시된 본 발명의 유기전계발광 표시장치 및 그 제조 방법은, 발광영역과 비발광영역으로 구분되는 기판; 상기 기판 상에 형성되는 박막 트랜지스터; 상기 박막 트랜지스터 상에 형성되는 보호막; 상기 보호막 상에 형성되는 평탄화막; 상기 평탄화막을 포함하는 기판 상에 형성되는 제 1 전극; 상기 발광영역에서 제 1 전극의 상면을 노출하고, 친수성과 소수성의 특성을 동시에 갖는 뱅크 패턴; 및 상기 발광영역에서 제 1 전극의 노출된 영역 상에 형성되는 유기발광층;을 포함하는 것을 특징으로 한다.
따라서, 본 발명에 따른 유기전계발광 표시장치 및 그 제조 방법은, 양성소수성(amphiphobic) 특성을 가진 뱅크 패턴을 형성함으로써, 유기발광층이 불균일하게 형성되는 것을 방지하여 개구율을 향상시키는 효과가 있다.The present invention discloses an organic electroluminescent display device. The organic electroluminescent display device and the method of manufacturing the same of the present invention include: a substrate divided into a light emitting region and a non-light emitting region; A thin film transistor formed on the substrate; A protective film formed on the thin film transistor; A planarization film formed on the protective film; A first electrode formed on the substrate including the planarizing film; A bank pattern that exposes an upper surface of the first electrode in the light emitting region and has both hydrophilic and hydrophobic characteristics; And an organic light emitting layer formed on the exposed region of the first electrode in the light emitting region.
Therefore, the organic electroluminescent display device and the method of manufacturing the same according to the present invention have the effect of preventing the non-uniform formation of the organic light emitting layer and improving the aperture ratio by forming the bank pattern having the amphiphobic characteristic.

Description

유기전계발광 표시장치 및 그 제조 방법{Organic light emitting diode display device and fabrication method of the same}BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention [0001] The present invention relates to an organic light emitting display,

본 발명은 유기전계발광 표시장치 및 그 제조 방법에 관한 것으로, 보다 구체적으로는 유기전계발광 표시장치의 개구율을 향상 시킬 수 있는 유기전계발광 표시장치 및 그 제조 방법에 관한 것이다.
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an organic light emitting display device and a method of manufacturing the same, and more particularly, to an organic light emitting display device capable of improving an aperture ratio of an organic light emitting display device and a method of manufacturing the same.

최근, 음극선관(Cathode Ray Tube)의 단점인 무게와 부피를 줄일 수 있는 각종 평판 표시장치들이 개발되고 있다. 이러한 평판 표시장치는 액정 표시장치(Liquid Crystal Display : 이하 "LCD"라 한다), 전계 방출 표시장치(Field Emission Display : FED), 플라즈마 디스플레이 패널(Plasma Display Panel : 이하 "PDP"라 한다) 및 전계발광소자(Electroluminescence Device) 등이 있다.2. Description of the Related Art Recently, various flat panel display devices capable of reducing weight and volume, which are disadvantages of cathode ray tubes (CRTs), have been developed. Such a flat panel display device includes a liquid crystal display (LCD), a field emission display (FED), a plasma display panel (PDP) And a light emitting device (Electroluminescence Device).

전계발광소자는 발광층의 재료에 따라 무기발광다이오드 표시장치와 유기발광다이오드 표시장치로 대별되며 스스로 발광하는 자발광소자로서 응답속도가 빠르고 발광효율, 휘도 및 시야각이 큰 장점이 있다.An electroluminescent device is divided into an inorganic light emitting diode display device and an organic light emitting diode display device depending on the material of the light emitting layer, and has a self-emitting self-light emitting device with a high response speed and a large luminous efficiency, luminance and viewing angle.

전계발광소자 중 하나인 유기전계발광 소자는 높은 휘도와 낮은 동작 전압 특성을 갖는다. 또한 스스로 빛을 내는 자체발광형이기 때문에 명암대비(contrast ratio)가 크고, 초박형 디스플레이의 구현이 가능하며, 응답시간이 수 마이크로초(㎲) 정도로 동화상 구현이 쉽고, 시야각의 제한이 없으며 저온에서도 안정적인 장점이 있다. An organic electroluminescent device which is one of electroluminescent devices has high luminance and low operating voltage characteristics. In addition, since it is a self-luminous type that emits light by itself, it is possible to realize a large contrast ratio, realize an ultra-thin display, have a response time of several microseconds (μs), easy to implement a moving image, There are advantages.

유기전계발광 소자는 크게 어레이 소자와 유기전계발광 다이오드로 이루지고 있다. 어레이 소자는 게이트 및 데이터 배선과 연결된 스위칭 박막트랜지스터와, 유기전계발광 다이오드와 연결된 구동 박막트랜지스터로 이루어진다. 또한, 유기전계 발광 다이오드는 구동 박막트랜지스터와 연결된 제 1 전극과 유기 발광층 및 제 2 전극으로 이루어진다.BACKGROUND ART An organic electroluminescent device is largely composed of an array element and an organic electroluminescent diode. The array element includes a switching thin film transistor connected to the gate and the data line, and a driving thin film transistor connected to the organic light emitting diode. The organic light emitting diode includes a first electrode connected to the driving thin film transistor, an organic light emitting layer and a second electrode.

이러한 구성을 갖는 유기전계발광 소자는 유기발광층으로부터 발생된 빛이 상기 제 1 전극 또는 제 2 전극을 향해 출사됨으로써 화상을 표시하게 되며, 개구율 등을 고려할 때, 근래에는 통상 상기 제 2 전극을 향해 출사되는 빛을 이용하여 화상을 표시하는 상부 발광 방식으로 제조되고 있다.In the organic electroluminescent device having such a configuration, light generated from the organic light emitting layer is emitted toward the first electrode or the second electrode to display an image. Considering the aperture ratio and the like, in recent years, And the image is displayed by using the light emitted from the light source.

이러한 일반적인 유기발광 표시장치에 있어 상기 유기 발광층은 통상 쉐도우 마스크를 이용한 열증착법에 의해 형성되고 있는데, 근래들어 표시장치의 대형화에 의해 쉐도우 마스크의 처짐 등이 심하게 발생되어 증착 불량이 증가됨으로써 대면적의 기판에 대해서는 적용이 점점 어려워지고 있다. In such a general organic light emitting diode display, the organic light emitting layer is usually formed by a thermal evaporation method using a shadow mask. In recent years, due to enlargement of the display device, deflection of the shadow mask is severely generated and defective deposition is increased, It is becoming increasingly difficult to apply to substrates.

이를 해결하기 위해, 액상의 유기발광물질을 잉크젯 장치 또는 노즐 코팅 장치를 통해 뱅크 패턴으로 둘러싸인 영역에 분사 또는 드롭핑 한 후 경화시키는 방법이 제안되었다. 그러나, 유기발광물질은 각 뱅크 패턴로 둘러싸인 영역 내의 중앙부 대비 뱅크 패턴과 인접하는 가장자리 부분의 두께가 두껍게 형성되는 현상이 발생된다. 이는 경화되는 과정에서 뱅크 패턴과 접촉하는 부분이 상대적으로 느리게 경화되며 중앙부로부터 경화가 이루어지면서 내부적으로 유기발광물질이 가장자리 부분으로 이동하고 이 상태에서 최종적으로 경화되기 때문이다.In order to solve this problem, a method has been proposed in which a liquid organic light emitting material is injected or dropped into an area surrounded by a bank pattern through an ink jet apparatus or a nozzle coating apparatus and cured. However, in the organic luminescent material, the edge portions adjacent to the bank pattern are thicker than the central portion in the region surrounded by the respective bank patterns. This is because the portion contacting the bank pattern in the process of curing is relatively slowly cured and the organic light emitting material moves to the edge portion internally as the curing is performed from the center portion and finally cured in this state.

뱅크 패턴 주변으로 유기발광층이 평탄한 표면을 갖지 못하고 타 영역 대비 두껍게 형성된 부분이 어둡게 나타나게 되며, 이러한 어둡게 표시되는 부분은 사용자가 바라볼 때 얼룩처럼 느끼게 되므로 이렇게 두껍게 형성되는 부분에 대해서는 이를 사용자에게 보이지 않도록 하여 실질적인 발광영역이 되지 않도록 하고 있다. 때문에 유기전계발광 표시장치의 개구율이 저하되는 문제가 있다.
The organic light emitting layer does not have a flat surface around the bank pattern, and a portion formed thicker than the other region appears dark. Such a darkened portion is felt as a stain when the user looks at it. Thereby not forming a substantial luminescent region. Therefore, there is a problem that the aperture ratio of the organic light emitting display device is lowered.

본 발명은 양성소수성(amphiphobic) 특성을 가진 뱅크 패턴을 형성함으로써, 유기발광층이 불균일하게 형성되는 것을 방지하여 개구율을 향상시킬 수 있는 유기전계발광 표시장치 및 그 제조 방법을 제공하는데 목적이 있다.
An object of the present invention is to provide an organic electroluminescent display device and a method of manufacturing the same that can form a bank pattern having amphiphobic characteristics, thereby preventing the organic luminescent layer from being formed unevenly and improving the aperture ratio.

상기와 같은 종래 기술의 과제를 해결하기 위한 본 발명의 유기전계발광 표시장치는, 발광영역과 비발광영역으로 구분되는 기판; 상기 기판 상에 형성되는 박막 트랜지스터; 상기 박막 트랜지스터 상에 형성되는 보호막; 상기 보호막 상에 형성되는 평탄화막; 상기 평탄화막을 포함하는 기판 상에 형성되는 제 1 전극; 상기 발광영역에서 제 1 전극의 상면을 노출하고, 친수성과 소수성의 특성을 동시에 갖는 뱅크 패턴; 및 상기 발광영역에서 제 1 전극의 노출된 영역 상에 형성되는 유기발광층;을 포함하는 것을 특징으로 한다.
According to an aspect of the present invention, there is provided an organic light emitting display including: a substrate divided into a light emitting region and a non-emitting region; A thin film transistor formed on the substrate; A protective film formed on the thin film transistor; A planarization film formed on the protective film; A first electrode formed on the substrate including the planarizing film; A bank pattern that exposes an upper surface of the first electrode in the light emitting region and has both hydrophilic and hydrophobic characteristics; And an organic light emitting layer formed on the exposed region of the first electrode in the light emitting region.

또한, 본 발명의 유기전계발광 표시장치의 제조 방법은, 발광영역과 비발광영역으로 구분되는 기판 상에 박막 트랜지스터를 형성하는 단계; 상기 박막 트랜지스터 상에 보호막을 형성하는 단계; 상기 보호막 상에 평탄화막을 형성하는 단계; 상기 평탄화막 상에 제 1 전극을 형성하는 단계; 상기 발광영역에 형성된 제 1 전극의 상면을 노출하고, 친수성과 소수성의 특성을 동시에 갖는 뱅크 패턴을 형성하는 단계; 및 상기 발광영역에서 제 1 전극의 노출된 영역 상에 유기발광층 형성하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 한다.
According to another aspect of the present invention, there is provided a method of manufacturing an organic light emitting display including: forming a thin film transistor on a substrate divided into a light emitting region and a non-light emitting region; Forming a protective film on the thin film transistor; Forming a planarization film on the protective film; Forming a first electrode on the planarization layer; Exposing an upper surface of a first electrode formed in the light emitting region, and forming a bank pattern having both hydrophilic and hydrophobic characteristics; And forming an organic light emitting layer on the exposed region of the first electrode in the light emitting region.

본 발명에 따른 유기전계발광 표시장치 및 그 제조 방법은, 양성소수성(amphiphobic) 특성을 가진 뱅크 패턴을 형성함으로써, 유기발광층이 불균일하게 형성되는 것을 방지하여 개구율을 향상시키는 효과가 있다.
The organic electroluminescence display device and the method of manufacturing the same according to the present invention have the effect of preventing the uneven formation of the organic light emitting layer and improving the aperture ratio by forming the bank pattern having the amphiphobic characteristic.

도 1은 본 발명의 제 1 실시예에 따른 유기전계발광 표시장치를 도시한 단면도이다.
도 2는 본 발명의 제 1 실시예에 따른 유기전계발광 표시장치의 뱅크패턴을 확대한 도면이다.
도 3은 본 발명의 제 2 실시예에 따른 유기전계발광 표시장치를 도시한 단면도이다.
도 4는 본 발명의 제 3 실시예에 따른 유기전계발광 표시장치를 도시한 단면도이다.1 is a cross-sectional view illustrating an organic light emitting display device according to a first embodiment of the present invention.
2 is an enlarged view of a bank pattern of the organic light emitting display according to the first embodiment of the present invention.
3 is a cross-sectional view illustrating an organic light emitting display device according to a second embodiment of the present invention.
4 is a cross-sectional view illustrating an organic light emitting display according to a third embodiment of the present invention.

이하, 본 발명의 실시예들은 도면을 참고하여 상세하게 설명한다. 다음에 소개되는 실시예들은 당업자에게 본 발명의 사상이 충분히 전달될 수 있도록 하기 위해 예로서 제공되는 것이다. 따라서, 본 발명은 이하 설명되는 실시예들에 한정되지 않고 다른 형태로 구체화될 수도 있다. 그리고 도면들에 있어서, 장치의 크기 및 두께 등은 편의를 위하여 과장되어 표현될 수도 있다. 명세서 전체에 걸쳐서 동일한 참조번호들은 동일한 구성요소들을 나타낸다.
Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings. The following embodiments are provided by way of example so that those skilled in the art can fully understand the spirit of the present invention. Therefore, the present invention is not limited to the embodiments described below, but may be embodied in other forms. In the drawings, the size and thickness of the device may be exaggerated for convenience. Like reference numerals designate like elements throughout the specification.

도 1은 본 발명의 제 1 실시예에 따른 유기전계발광 표시장치를 도시한 단면도이다. 도 1을 참조하면, 본 발명에 따른 유기전계발광 표시장치는 발광영역과 비발광영역으로 구분되는 기판(100) 상에 형성되는 박막 트랜지스터(Tr) 및 유기전계발광 소자(113,115,116)를 포함한다. 상기 박막 트랜지스터(Tr)는 반도체층(104), 게이트 절연막(105), 게이트전극(106), 소스전극(108), 드레인전극(109)을 포함한다. 1 is a cross-sectional view illustrating an organic light emitting display device according to a first embodiment of the present invention. 1, an organic light emitting display includes a thin film transistor Tr and organic electroluminescent devices 113, 115, and 116 formed on a substrate 100 divided into a light emitting region and a non-emitting region. The thin film transistor Tr includes a semiconductor layer 104, a gate insulating film 105, a gate electrode 106, a source electrode 108, and a drain electrode 109.

상기 기판(100) 상에는 박막트랜지스터(Tr)와 접촉하는 금속층(112)을 포함한다. 또한, 상기 금속층(112) 상에 형성되는 유기전계발광 소자(113,115,116)는 제 1 전극(113), 상기 제 1 전극(113)과 대향하여 형성되는 제 2 전극(116) 및 상기 제 1 전극(113)과 제 2 전극(116) 사이에 형성되는 유기발광층(115)을 포함한다.The substrate 100 includes a metal layer 112 in contact with the thin film transistor Tr. The organic electroluminescent devices 113, 115, and 116 formed on the metal layer 112 may include a first electrode 113, a second electrode 116 formed to face the first electrode 113, And an organic emission layer 115 formed between the first electrode 113 and the second electrode 116.

여기서, 상기 기판(100) 상에 반도체층(104)이 형성된다. 상기 반도체층(104)은 소스영역(101), 채널영역(102) 및 드레인영역(103)을 포함한다. 상기 반도체층(104)을 형성하기 전에, 상기 기판(100) 전면에 버퍼층을 형성할 수도 있다. A semiconductor layer 104 is formed on the substrate 100. The semiconductor layer 104 includes a source region 101, a channel region 102, and a drain region 103. A buffer layer may be formed on the entire surface of the substrate 100 before the semiconductor layer 104 is formed.

상기 반도체층(104) 상에 게이트 절연막(105)이 형성된다. 상기 게이트 절연막(105) 상에 게이트 전극(106)이 형성된다. 상기 게이트 전극(106)은 Cu, Ag, Al, Cr, Ti, Ta 또는 이들의 조합으로부터 형성되는 합금 일 수 있다. 또한, 도면에서는 단일 금속층으로 형성되어 있지만, 경우에 따라서는 적어도 2개 이상의 금속층들을 적층하여 형성할 수도 있다.A gate insulating layer 105 is formed on the semiconductor layer 104. A gate electrode 106 is formed on the gate insulating film 105. The gate electrode 106 may be an alloy formed of Cu, Ag, Al, Cr, Ti, Ta, or a combination thereof. Further, although the single metal layer is shown in the drawing, at least two or more metal layers may be laminated.

상기 게이트 전극(106) 상에 층간절연막(107)이 형성한다. 상기 층간절연막(107)과 상기 게이트 절연막(105)에는 상기 소스영역(101) 및 드레인영역(103)을 노출하는 위한 컨택홀이 형성된다. An interlayer insulating film 107 is formed on the gate electrode 106. A contact hole for exposing the source region 101 and the drain region 103 is formed in the interlayer insulating layer 107 and the gate insulating layer 105.

이 후, 상기 컨택홀과 층간절연막(107) 상에는 소스전극(108)과 드레인전극(109)이 서로 이격되어 형성된다. 상기 소스전극(108) 및 드레인전극(109)은 상기 컨택홀에 의해 상기 반도체층(104)의 소스영역(101) 및 드레인영역(103)과 연결된다. Thereafter, a source electrode 108 and a drain electrode 109 are formed on the contact hole and the interlayer insulating film 107 so as to be spaced apart from each other. The source electrode 108 and the drain electrode 109 are connected to the source region 101 and the drain region 103 of the semiconductor layer 104 by the contact holes.

여기서 상기 소스전극(108) 및 드레인전극(109)은 Cu, Ag, Al, Cr, Ti, Ta 또는 이들의 조합으로부터 형성되는 합금 일 수 있다. 또한, 도면에서는 상기 소스전극(108) 및 드레인전극(109)이 단일 금속층으로 형성되어 있지만, 경우에 따라서는 적어도 2개 이상의 금속층들을 적층하여 형성할 수도 있다. The source electrode 108 and the drain electrode 109 may be formed of Cu, Ag, Al, Cr, Ti, Ta, or a combination thereof. Although the source electrode 108 and the drain electrode 109 are formed of a single metal layer in the drawing, at least two or more metal layers may be stacked.

이와 같이, 상기 기판(100) 상에는 박막 트랜지스터(Tr)가 형성된다. 여기서, 상기 기판(100) 상에 다수개의 박막 트랜지스터(Tr)가 서로 이격되어 형성될 수 있다.As described above, the thin film transistor Tr is formed on the substrate 100. Here, a plurality of thin film transistors Tr may be formed on the substrate 100 so as to be spaced apart from each other.

상기 박막 트랜지스터(Tr)를 포함한 상기 기판(100) 전면에 보호막(110)이 형성된다. 상기 보호막(110) 상에는 평탄화막(111)이 형성된다. 상기 평탄화막(111)은 상기 박막 트랜지스터(Tr)에 의해 불균일해진 표면을 평탄화하기 위해 형성될 수 있다. A protective layer 110 is formed on the entire surface of the substrate 100 including the thin film transistor Tr. A planarization layer 111 is formed on the protective layer 110. The planarization layer 111 may be formed to planarize a surface that is uneven by the thin film transistor Tr.

상기 평탄화막(111)과 보호막(107)에는 상기 박막 트랜지스터(Tr)의 드레인전극(109)을 노출하는 컨택홀이 형성될 수 있다. 이 후, 상기 컨택홀을 포함하는 평탄화막(111) 상에 금속층(112)이 형성될 수 있다. 상기 금속층(112)은 상기 컨택홀을 통해 상기 박막 트랜지스터(Tr)의 드레인전극(109)과 전기적으로 연결될 수 있다. 여기서 상기 금속층(112)은 Zn, Fe, Ni, Al, Au, Mg, Nd 또는 Pt로 형성될 수 있다. A contact hole may be formed in the planarization layer 111 and the protective layer 107 to expose the drain electrode 109 of the thin film transistor Tr. Thereafter, a metal layer 112 may be formed on the planarization layer 111 including the contact holes. The metal layer 112 may be electrically connected to the drain electrode 109 of the thin film transistor Tr through the contact hole. The metal layer 112 may be formed of Zn, Fe, Ni, Al, Au, Mg, Nd or Pt.

상기 금속층(112)과 박막 트랜지스터(Tr)의 드레인전극(109)이 접하는 영역을 제외한 영역에서, 상기 금속층(112) 상면의 일부에 제 1 전극(113)이 형성될 수 있다. 상기 제 1 전극(113)은 투명 도전물질일 수 있다. 예를 들면, ITO일 수 있다. The first electrode 113 may be formed on a portion of the upper surface of the metal layer 112 in a region except for a region where the metal layer 112 and the drain electrode 109 of the thin film transistor Tr are in contact with each other. The first electrode 113 may be a transparent conductive material. For example, ITO.

상기 금속층(112)과 제 1 전극(113)의 형태는 도면에 한정되지 않으며, 상기 금속층(112)이 상기 드레인전극(109)을 노출하는 컨택홀을 포함할 수 있다. 여기서, 상기 컨택홀을 통해 상기 제 1 전극(113)이 상기 드레인전극(109)과 연결될 수 있다.The shapes of the metal layer 112 and the first electrode 113 are not limited to those shown in the drawings, and the metal layer 112 may include a contact hole exposing the drain electrode 109. Here, the first electrode 113 may be connected to the drain electrode 109 through the contact hole.

상기 금속층(112)이 Zn, Fe 또는 Ni일 경우, 상기 제 1 전극(113)과 상기 금속층(112) 사이에 형성되는 반사층을 더 포함할 수 있다. 또한, 상기 금속층(112)이 Al, Au, Mg, Nd 또는 Pt일 경우, 상기 금속층(112)은 반사층 역할을 할 수 있다. 이를 통해, 상기 유기발광소자(113,115,116)는 상기 제 2 전극(116)으로부터 상기 제 1 전극(113)으로 발광하는 빛을 반사하여, 상부로 빛을 발광시키는 상부 발광방식 유기전계발광 표시장치를 구현할 수 있다. The reflective layer may be formed between the first electrode 113 and the metal layer 112 when the metal layer 112 is Zn, Fe, or Ni. When the metal layer 112 is Al, Au, Mg, Nd or Pt, the metal layer 112 may serve as a reflective layer. Accordingly, the organic light emitting devices 113, 115, and 116 may reflect light emitted from the second electrode 116 to the first electrode 113 to emit light upward. .

상기 제 1 전극(113) 및 평탄화막(111)이 형성된 기판(100) 상에 뱅크 패턴(114)이 형성될 수 있다. 이 때, 상기 뱅크 패턴(114)은 상기 제 1 전극(113)이 형성된 영역을 제외한 상기 금속층(112) 상면에 형성될 수 있다. 즉, 상기 뱅크 패턴(114)은 비발광영역에 배치된 상기 금속층(112) 상에 형성될 수 있다. 이 때, 상기 뱅크 패턴(114)의 두께(h1)는 상기 제 1 전극(113)의 두께(h2)보다 크게 형성될 수 있다. The bank pattern 114 may be formed on the substrate 100 on which the first electrode 113 and the planarization layer 111 are formed. At this time, the bank pattern 114 may be formed on the upper surface of the metal layer 112 except for the region where the first electrode 113 is formed. That is, the bank pattern 114 may be formed on the metal layer 112 disposed in the non-light emitting region. In this case, the thickness h1 of the bank pattern 114 may be greater than the thickness h2 of the first electrode 113.

상기 뱅크 패턴(114)에는 상기 발광영역에서 상기 제 1 전극(113)의 상면을 노출하는 홀이 형성될 수 있다. 상기 발광영역에서 상기 뱅크 패턴(114)의 홀을 통해 노출된 상기 제 1 전극(113) 상에는 유기발광층(115)이 형성될 수 있다. 여기서, 상기 뱅크 패턴(114)의 두께(h1)가 상기 제 1 전극(113)의 두께(h2)보다 크게 형성됨으로써, 상기 유기발광층(115)이 상기 비발광영역으로 치우쳐서 형성되는 것을 방지할 수 있다.A hole may be formed in the bank pattern 114 to expose an upper surface of the first electrode 113 in the light emitting region. An organic light emitting layer 115 may be formed on the first electrode 113 exposed through the hole of the bank pattern 114 in the light emitting region. Since the thickness h1 of the bank pattern 114 is greater than the thickness h2 of the first electrode 113, it is possible to prevent the organic light emitting layer 115 from being biased toward the non- have.

여기서, 상기 유기 발광층(115)의 물질은 유기 반도체성 물질 또는 유기 발광성 물질일 수 있다. 또한, 상기 유기발광층(115)은 상기 유기 반도체성 물질 또는 유기 발광성 물질을 유기 용매에 용해시킨 잉크로 형성될 수 있다.Here, the material of the organic light emitting layer 115 may be an organic semiconductor material or an organic light emitting material. The organic light emitting layer 115 may be formed of an organic semiconductor material or an organic light emitting material dissolved in an organic solvent.

종래의 유기전계발광 표시장치에서, 소수성 유기발광층은 소수성 뱅크 패턴과의 친화력으로 인해, 상기 뱅크 패턴과 인접하는 가장자리 부분에서 두께가 두껍게 형성되는 현상이 발생한다. 상기 발광영역에 형성된 상기 유기발광층은 두께가 다르게 형성될 경우, 동일한 크기의 전류가 인가됨에 의해 그 발광 효율의 차이가 발생된다. 즉, 상기 유기발광층이 두껍게 형성된 영역에서는 타 영역 대비 어둡게 발광되는 현상이 나타난다. In the conventional organic electroluminescent display device, the hydrophobic organic light emitting layer is formed to have a thick thickness at the edge portion adjacent to the bank pattern due to the affinity with the hydrophobic bank pattern. If the thickness of the organic light emitting layer formed in the light emitting region is different from that of the organic light emitting layer, the same amount of current is applied to the organic light emitting layer. That is, in a region where the organic luminescent layer is thick, a phenomenon that light is dark compared with other regions appears.

때문에, 상기 유기발광층이 두껍게 형성되는 영역에 대해서는 이를 사용자에게 보이지 않도록 하여 실질적인 발광영역이 되지 않도록 하고 있다. 이러한 구성으로 인해, 종래의 유기전계발광 소자의 개구율이 매우 저하되는 문제가 있다.Therefore, the region where the organic luminescent layer is formed thick is not visible to the user, so that the region is not a substantial luminescent region. With such a structure, there is a problem that the aperture ratio of the conventional organic electroluminescent device is extremely reduced.

이를 해결하기 위해, 상기 뱅크 패턴(114)은 perfluorocarboxyl acid 계열의 물질로 형성될 수 있다. 예를 들면, 하기 화학식 1로 나타나는 물질들일 수 있다. In order to solve this problem, the bank pattern 114 may be formed of a perfluorocarboxylic acid-based material. For example, substances represented by the following formula (1).

[화학식 1][Chemical Formula 1]

상기 화학식 1에서 상기 n은 1 내지 14 인 정수일 수 있다. 바람직하게는 상기 뱅크 패턴(114)의 물질은 n이 8인 물질일 수 있다. 즉, 상기 뱅크 패턴(114)의 물질은 CF₃(CF₂)₈COOH일 수 있다. In Formula 1, n may be an integer of 1 to 14. Preferably, the material of the bank pattern 114 may be a material with n = 8. That is, the material of the bank pattern 114 may be CF ₃ (CF ₂ ) ₈ COOH.

상기 perfluorocarboxylic acid 계열의 물질로 형성된 뱅크 패턴(114)은 플루오르화기를 포함함으로써, 소수성인 뱅크 패턴(114)일 수 있다. 즉, 상기 뱅크 패턴(114)은 친수성의 물질을 밀어내는 특성을 가질 수 있다. The bank pattern 114 formed of the perfluorocarboxylic acid-based material may be a hydrophobic bank pattern 114 by including a fluoride group. That is, the bank pattern 114 may have a property of pushing out a hydrophilic substance.

상기 뱅크 패턴(114)은 금속과 접할 때 상기 뱅크 패턴(114)은 나노 구조체로 형성될 수 있다. 상기 뱅크 패턴(114)은 나노 구조체로 인해 소수성의 물질을 밀어내는 특성을 가질 수 있다. 여기서, 상기 뱅크 패턴(114) 물질은 Carboxylic acid를 포함함으로써, 금속층과의 접착력이 커질 수 있다. 상기 나노 구조체에 관해서는 도 2를 통해 더 자세히 설명하겠다. When the bank pattern 114 is in contact with a metal, the bank pattern 114 may be formed of a nanostructure. The bank pattern 114 may have a property of pushing out a hydrophobic substance due to the nanostructure. Here, the material of the bank pattern 114 includes a carboxylic acid, so that the adhesion to the metal layer can be increased. The nanostructure will be described in more detail with reference to FIG.

이와 같이, 상기 뱅크 패턴(114)이 나노 구조체의 perfluorocarboxylic acid 계열 물질로 형성됨으로써, 상기 뱅크 패턴(114)은 친수성 및 소수성의 특성을 동시에 가질 수 있다. 즉, 상기 뱅크 패턴(114)은 친수성 물질 및 소수성 물질을 밀어내는 양성소수성(amphiphobic) 특성을 가질 수 있다. 이 때, 상기 뱅크 패턴(114)과 친수성 물질의 접촉각은 90도 내지 180도 일 수 있다. 또한, 상기 뱅크 패턴(114)과 소수성 물질의 접촉각은 90도 내지 180도 일 수 있다.As described above, since the bank pattern 114 is formed of a perfluorocarboxylic acid-based material of a nano structure, the bank pattern 114 can have both hydrophilic and hydrophobic characteristics. That is, the bank pattern 114 may have amphiphobic characteristics to push out the hydrophilic material and the hydrophobic material. At this time, the contact angle of the bank pattern 114 and the hydrophilic material may be 90 degrees to 180 degrees. In addition, the contact angle of the bank pattern 114 and the hydrophobic substance may be 90 to 180 degrees.

이를 통해, 상기 유기발광층(115)은 상기 뱅크 패턴(114)과 인접하는 가장자리에서도 타 영역과 비교하여 두껍게 형성되지 않을 수 있다. 때문에, 상기 유기전계발광 소자(113,115,116)의 발광영역이 넓어짐으로써, 개구율이 향상될 수 있다.As a result, the organic light emitting layer 115 may not be formed thicker than other regions even at the edge adjacent to the bank pattern 114. Therefore, the aperture ratio can be improved by enlarging the light emitting area of the organic electroluminescent devices 113, 115, and 116.

여기서, 상기 뱅크 패턴(114)은 상기 제 1 전극(113)이 형성된 기판(100)을 perfluorocarboxylic acid를 포함하는 용액에 침전시킴으로써, 상기 금속층(112) 상에 나노 구조체로 형성될 수 있다. 자세하게는, 수분이 포함되지 않는 solvent에 상기 perfluorocarboxylic acid 계열의 물질을 녹인 후, 상기 제 1 전극(113)이 형성된 기판(100)을 침전시킬 수 있다. 이 때, 상기 solvent는 MeOH 또는 IPA일 수 있다. The bank pattern 114 may be formed as a nanostructure on the metal layer 112 by depositing the substrate 100 on which the first electrode 113 is formed in a solution containing perfluorocarboxylic acid. Specifically, the perfluorocarboxylic acid-based material may be dissolved in a solvent containing no moisture, and then the substrate 100 on which the first electrode 113 is formed may be precipitated. At this time, the solvent may be MeOH or IPA.

또한, 상기 perfluorocarboxylic acid 계열의 물질은 상기 solvent에 0.005 M 내지 0.1 M이 녹아있을 수 있다. 여기서, 상기 용액에서 상기 perfluorocarboxylic acid 물질의 농도가 0.005 M 보다 적은 양이 녹아 있을 경우, 상기 기판(100)상에 뱅크 패턴(114)이 형성되지 않거나, 형성 속도가 매우 느릴 수 있다. 또한 상기 perfluorocarboxylic acid 계열의 물질의 농도가 0.1 M 보다 많은 양이 녹아 있을 경우, 상기 금속층(112) 상에 형성된 뱅크 패턴(114)과 상기 금속층(112) 사이의 접착력이 약해질 수 있다.In addition, the perfluorocarboxylic acid-based material may have a solubility of 0.005 M to 0.1 M in the solvent. Here, when the concentration of the perfluorocarboxylic acid substance in the solution is less than 0.005 M, the bank pattern 114 may not be formed on the substrate 100, or the formation rate may be very slow. In addition, when the concentration of the perfluorocarboxylic acid-based material is greater than 0.1 M, adhesion between the bank pattern 114 formed on the metal layer 112 and the metal layer 112 may be weakened.

이 후, 침전시킨 상기 기판(100)을 MeOH 또는 IPA와 DI water로 세정한다. 그리고, 상기 기판(100)을 대기 중에서 건조시키는 단계를 통해 상기 뱅크 패턴(114)을 형성할 수 있다. 이 때, 상기 뱅크 패턴(114)은 친수성 물질 및 소수성 물질을 밀어내는 특성을 가지므로, 친수성인 상기 제 1 전극(113) 상에는 형성되지 않고, 상기 금속층(112) 상에만 형성될 수 있다.Thereafter, the precipitated substrate 100 is washed with MeOH or IPA and DI water. The bank pattern 114 may be formed by drying the substrate 100 in the atmosphere. At this time, since the bank pattern 114 has a characteristic of pushing out a hydrophilic material and a hydrophobic material, the bank pattern 114 can be formed only on the metal layer 112 without being formed on the hydrophilic first electrode 113.

이 후, 상기 제 1 전극(113) 상에 유기발광층(115)을 형성한다. 상기 유기발광층(115)은 발광물질로 이루어진 단일층으로 구성될 수 있다. 또한 상기 유기발광층(115)은 발광 효율을 높이기 위해 정공주입층(hole injection layer), 정공수송층(hole transporting layer), 발광층 (emitting material layer), 전자수송층(electron transporting layer) 및 전자주입층(electron injection layer)의 다중층으로 구성할 수도 있다. 상기 유기발광층(115) 형성 방법으로는 spin coating, ink-jet 또는 slot die 방식을 통해, 액상의 유기 발광물질을 상기 제 1 전극(113) 상에 분사 또는 드롭핑 한 후 경화시키는 방법이 사용될 수 있다.Thereafter, an organic light emitting layer 115 is formed on the first electrode 113. The organic light emitting layer 115 may be a single layer made of a light emitting material. The organic light emitting layer 115 may include a hole injection layer, a hole transporting layer, an emitting material layer, an electron transporting layer, and an electron injection layer injection layer. As a method of forming the organic light emitting layer 115, a method of spraying or dropping a liquid organic light emitting material onto the first electrode 113 through spin coating, ink-jet or slot die method may be used have.

이 때, 상기 유기발광층(115)의 상면의 높이는 상기 뱅크 패턴(114)의 상면의 높이보다 높게 형성될 수 있다. 여기서, 상기 유기발광층(115)의 상면의 높이는 상기 제 1 전극(113)과 접한 면과 상기 제 1 전극(113)과 접한 면의 대응하는 면까지의 길이로 정의한다. 또한, 상기 뱅크 패턴(114)의 상면이 높이는 상기 금속층(112)과 접한 면과 상기 금속층(112)과 접한 면의 대응하는 면까지의 길이로 정의한다.At this time, the height of the upper surface of the organic light emitting layer 115 may be higher than the height of the upper surface of the bank pattern 114. Here, the height of the top surface of the organic light emitting layer 115 is defined as a length from a surface contacting the first electrode 113 to a corresponding surface of a surface contacting the first electrode 113. The height of the upper surface of the bank pattern 114 is defined as the length from the surface contacting the metal layer 112 to the corresponding surface of the surface contacting the metal layer 112.

상기 유기발광층(115)은 친수성 또는 소수성 물질로 형성될 수 있다. 여기서, 상기 뱅크 패턴(114)은 친수성 및 소수성 물질을 밀어내는 양성소수성의 특징을 가짐으로써, 상기 유기발광층(115)의 물질이 상기 뱅크 패턴(114) 상으로 흘러내리지 않고, 상기 제 1 전극(113) 상에만 형성될 수 있다.The organic light emitting layer 115 may be formed of a hydrophilic or hydrophobic material. The bank pattern 114 has a characteristic of being hydrophilic and hydrophobic so as to push out hydrophilic and hydrophobic materials so that the material of the organic light emitting layer 115 does not flow down onto the bank pattern 114, 113).

상기 뱅크 패턴(114)과 유기발광층(115)이 형성된 기판(100) 상에 상기 제 1 전극(113)과 대향하여 배치되는 제 2 전극(116)이 형성될 수 있다. 이 때, 상기 제 2 전극(116)은 캐소드(cathode)전극 일 수 있다. 상기 제 2 전극(116)은 금속으로 형성될 수 있다. A second electrode 116 may be formed on the substrate 100 on which the bank pattern 114 and the organic light emitting layer 115 are formed. The second electrode 116 may be disposed opposite to the first electrode 113. At this time, the second electrode 116 may be a cathode electrode. The second electrode 116 may be formed of a metal.

본 발명에 따른 유기전계발광 표시장치는 양성소수성 특성을 가진 뱅크 패턴(114)을 형성함으로써, 상기 친수성 또는 소수성의 유기발광층(115)이 상기 뱅크 패턴(114)의 측면에 배열되어, 상기 유기발광층(115)이 불균일하게 배열되는 것을 방지할 수 있다. 이를 통해, 유기전계발광 표시장치의 개구율을 향상시킬 수 있는 효과가 있다.
The organic electroluminescence display device according to the present invention can form the bank pattern 114 having the positive hydrophobic property so that the hydrophilic or hydrophobic organic luminescent layer 115 is arranged on the side of the bank pattern 114, (115) can be prevented from being unevenly arranged. Thereby, the aperture ratio of the organic light emitting display device can be improved.

이어서, 도 2를 참조하여 본 발명의 제 1 실시예에 따른 유기전계발광 표시장치의 뱅크패턴을 설명한다. 도 2는 본 발명의 제 1 실시예에 따른 유기전계발광 표시장치의 뱅크패턴을 확대한 도면이다. 도 2를 참조하면, 박막 트랜지스터 및 평탄화막이 형성된 기판상에 금속층(112)이 형성된다. 여기서 상기 금속층(112)은 Zn, Fe, Ni, Al, Au, Mg, Nd 또는 Pt로 형성될 수 있다.Next, a bank pattern of the organic light emitting display according to the first embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. 2 is an enlarged view of a bank pattern of the organic light emitting display according to the first embodiment of the present invention. Referring to FIG. 2, a metal layer 112 is formed on a substrate on which a thin film transistor and a planarizing film are formed. The metal layer 112 may be formed of Zn, Fe, Ni, Al, Au, Mg, Nd or Pt.

상기 금속층(112) 상면의 일부에는 제 1 전극(113)이 형성된다. 상기 제 1 전극(113)은 투명 도전물질일 수 있다. 예를 들면, ITO일 수 있다. 상기 뱅크 패턴(114)은 상기 제 1 전극(113)이 형성된 영역을 제외한 상기 금속층(112) 상면에 형성될 수 있다. 즉, 상기 뱅크 패턴(114)은 비발광영역에 배치된 상기 금속층(112) 상에 형성될 수 있다. 이 때, 상기 뱅크 패턴(114)의 두께(h1)는 상기 제 1 전극(113)의 두께(h2)보다 크게 형성될 수 있다. A first electrode 113 is formed on a part of the upper surface of the metal layer 112. The first electrode 113 may be a transparent conductive material. For example, ITO. The bank pattern 114 may be formed on the upper surface of the metal layer 112 except for the region where the first electrode 113 is formed. That is, the bank pattern 114 may be formed on the metal layer 112 disposed in the non-light emitting region. In this case, the thickness h1 of the bank pattern 114 may be greater than the thickness h2 of the first electrode 113.

상기 뱅크 패턴(114)은 perfluorocarboxyl acid 계열의 물질로 형성될 수 있다. 예를 들면, 하기 화학식 1로 나타나는 물질들일 수 있다. The bank pattern 114 may be formed of a perfluorocarboxylic acid-based material. For example, substances represented by the following formula (1).

[화학식 1][Chemical Formula 1]

상기 화학식 1에서 상기 n은 1 내지 14 인 정수일 수 있다. 바람직하게는 상기 뱅크 패턴(114)의 물질은 n이 8인 물질일 수 있다. 즉, 상기 뱅크 패턴(114)의 물질은 CF₃(CF₂)₈COOH일 수 있다. In Formula 1, n may be an integer of 1 to 14. Preferably, the material of the bank pattern 114 may be a material with n = 8. That is, the material of the bank pattern 114 may be CF ₃ (CF ₂ ) ₈ COOH.

상기 perfluorocarboxylic acid 계열의 물질로 형성된 뱅크 패턴(114)은 플루오르화기를 포함함으로써, 소수성인 뱅크 패턴(114)일 수 있다. 즉, 상기 뱅크 패턴(114)은 친수성의 물질을 밀어내는 특성을 가질 수 있다. The bank pattern 114 formed of the perfluorocarboxylic acid-based material may be a hydrophobic bank pattern 114 by including a fluoride group. That is, the bank pattern 114 may have a property of pushing out a hydrophilic substance.

상기 뱅크 패턴(114)은 금속과 접할 때 상기 뱅크 패턴(114)은 나노 구조체로 형성될 수 있다. 여기서, 상기 뱅크 패턴(114) 물질은 Carboxylic acid를 포함함으로써, 금속층(112)과의 접착력이 커질 수 있다.When the bank pattern 114 is in contact with a metal, the bank pattern 114 may be formed of a nanostructure. Here, since the material of the bank pattern 114 includes a carboxylic acid, the adhesion to the metal layer 112 can be increased.

상기 나노 구조체로 형성된 뱅크 패턴(114)은 다수개의 돌기부(114a)를 포함하는 형태일 수 있다. 이 때, 상기 돌기부(114a)와 인접한 다른 돌기부(114a)사이에는 공기가 차 있을 수 있다. 여기서, 상기 공기는 소수성 물질을 밀어내는 특성을 가질 수 있다. 이를 통해, 상기 뱅크 패턴(114)은 소수성 물질을 밀어내는 특성을 가질 수 있다. 즉. 상기 뱅크 패턴(114)은 친수성 및 소수성 특성을 모두 가질 수 있다.The bank pattern 114 formed of the nanostructure may include a plurality of protrusions 114a. At this time, air may be present between the protrusions 114a and the adjacent protrusions 114a. Here, the air may have a property of pushing away a hydrophobic substance. Accordingly, the bank pattern 114 may have a property of pushing out the hydrophobic material. In other words. The bank pattern 114 may have both hydrophilic and hydrophobic characteristics.

상기 뱅크 패턴(114)에는 상기 발광영역에서 상기 제 1 전극(113)의 상면을 노출하는 홀이 형성될 수 있다. 상기 발광영역에서 상기 뱅크 패턴(114)의 홀을 통해 노출된 상기 제 1 전극(113) 상에는 유기발광층(115)이 형성될 수 있다. A hole may be formed in the bank pattern 114 to expose an upper surface of the first electrode 113 in the light emitting region. An organic light emitting layer 115 may be formed on the first electrode 113 exposed through the hole of the bank pattern 114 in the light emitting region.

본 발명에 따른 유기전계발광 표시장치는 플루오린(Fluorine)을 포함하는 화합물을 뱅크 패턴(114)으로 형성함으로써, 소수성의 특징을 가질 수 있다. 또한, perfluorocarboxylic acid 계열의 뱅크 패턴(114)을 금속층(112)에 형성함으로써, 다수개의 돌기부(114a)로 인해 뱅크 패턴(114)이 친수성의 특징을 가질 수 있다. 즉, 뱅크 패턴(114)이 친수성 및 소수성의 특성을 동시에 가짐으로써, 유기발광층(115)이 발광영역에서 균일하게 형성될 수 있다.
The organic electroluminescent display device according to the present invention may have a hydrophobic property by forming a compound containing fluorine into the bank pattern 114. [ In addition, by forming perfluorocarboxylic acid-based bank patterns 114 on the metal layer 112, the bank patterns 114 can have hydrophilic characteristics due to the plurality of protrusions 114a. That is, since the bank pattern 114 has both hydrophilic and hydrophobic characteristics, the organic light emitting layer 115 can be uniformly formed in the light emitting region.

이어서, 도 3를 참조하여 본 발명의 제 2 실시예에 따른 유기전계발광 표시장치를 설명한다. 도 3은 본 발명의 제 2 실시예에 따른 유기전계발광 표시장치를 도시한 도면이다. 제 2 실시예에 따른 디스플레이 표시장치는 앞서 설명한 실시예와 동일한 구성요소를 포함할 수 있다. 앞서 설명한 실시예와 중복되는 설명은 생략할 수 있다. 또한, 동일한 구성은 동일한 도면부호를 갖는다. Next, an organic light emitting display according to a second embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. 3 is a view illustrating an organic light emitting display device according to a second embodiment of the present invention. The display device according to the second embodiment may include the same components as those of the above-described embodiment. The description overlapping with the embodiment described above can be omitted. The same components have the same reference numerals.

도 3을 참조하면, 본 발명의 유기전계발광 표시장치는 발광영역 및 비발광영역으로 구분되는 기판(100) 상에 형성되는 박막 트랜지스터(Tr) 및 유기전계발광 소자(113,115,216)를 포함한다. 상기 박막 트랜지스터(Tr)는 반도체층(104), 게이트 절연막(105), 게이트전극(106), 소스전극(108), 드레인전극(109)을 포함한다. 여기서, 상기 반도체층(104)은 소스영역(101), 채널영역(102) 및 드레인영역(103)을 포함한다.Referring to FIG. 3, the organic light emitting display of the present invention includes a thin film transistor Tr and organic electroluminescent devices 113, 115, and 216 formed on a substrate 100 divided into a light emitting region and a non-emitting region. The thin film transistor Tr includes a semiconductor layer 104, a gate insulating film 105, a gate electrode 106, a source electrode 108, and a drain electrode 109. Here, the semiconductor layer 104 includes a source region 101, a channel region 102, and a drain region 103.

상기 기판(100) 상에는 컨택홀을 통해 박막트랜지스터(Tr)와 접촉하는 금속층(112)이 평탄화막(111) 상에 형성될 수 있다. 또한, 상기 금속층(112) 상에 형성되는 유기전계발광 소자(113,115,1216)는 제 1 전극(113), 상기 제 1 전극(113)과 대향하여 형성되는 제 2 전극(216) 및 상기 제 1 전극(113)과 제 2 전극(216) 사이에 형성되는 유기발광층(115)을 포함한다. A metal layer 112 in contact with the thin film transistor Tr through the contact hole may be formed on the planarization layer 111 on the substrate 100. The organic electroluminescent devices 113, 115, and 1216 formed on the metal layer 112 may include a first electrode 113, a second electrode 216 formed to face the first electrode 113, And an organic light emitting layer 115 formed between the electrode 113 and the second electrode 216.

상기 박막 트랜지스터(Tr)는 상기 박막 트랜지스터(Tr) 상에 형성된 보호막(109) 및 평탄화막(110)에 형성된 컨택홀에 의해 상기 금속층(112)과 연결될 수 있다. 여기서 상기 금속층(112)은 Zn, Fe, Ni, Al, Au, Mg, Nd 또는 Pt로 형성될 수 있다. The thin film transistor Tr may be connected to the metal layer 112 by a protective film 109 formed on the thin film transistor Tr and a contact hole formed in the planarization film 110. The metal layer 112 may be formed of Zn, Fe, Ni, Al, Au, Mg, Nd or Pt.

상기 금속층(112)과 박막 트랜지스터(Tr)의 드레인전극(109)이 접하는 영역을 제외한 영역에서, 상기 금속층(112) 상면의 일부에 제 1 전극(113)이 형성될 수 있다. 상기 제 1 전극(113)은 투명 도전물질일 수 있다. 예를 들면, ITO일 수 있다. The first electrode 113 may be formed on a portion of the upper surface of the metal layer 112 in a region except for a region where the metal layer 112 and the drain electrode 109 of the thin film transistor Tr are in contact with each other. The first electrode 113 may be a transparent conductive material. For example, ITO.

상기 금속층(112)과 제 1 전극(113)의 형태는 도면에 한정되지 않으며, 상기 금속층(112)이 상기 드레인전극(109)을 노출하는 컨택홀을 포함할 수 있다. 또한, 상기 컨택홀을 통해 상기 제 1 전극(113)이 상기 드레인전극(109)과 연결될 수 있다.The shapes of the metal layer 112 and the first electrode 113 are not limited to those shown in the drawings, and the metal layer 112 may include a contact hole exposing the drain electrode 109. Also, the first electrode 113 may be connected to the drain electrode 109 through the contact hole.

상기 금속층(112)이 Zn, Fe 또는 Ni일 경우, 상기 제 1 전극(113)과 금속층(112) 사이에 형성되는 반사층을 더 포함할 수 있다. 또한, 상기 금속층(112)이 Al, Au, Mg, Nd 또는 Pt일 경우, 상기 금속층(112)은 반사층 역할을 할 수 있다. 이를 통해, 상기 유기발광소자(113,115,116)는 상기 제 2 전극(116)으로부터 상기 제 1 전극(113)으로 발광하는 빛을 반사하여, 상부로 빛을 발광시키는 상부 발광방식 유기전계발광 표시장치를 구현할 수 있다. When the metal layer 112 is Zn, Fe or Ni, a reflective layer may be formed between the first electrode 113 and the metal layer 112. When the metal layer 112 is Al, Au, Mg, Nd or Pt, the metal layer 112 may serve as a reflective layer. Accordingly, the organic light emitting devices 113, 115, and 116 may reflect light emitted from the second electrode 116 to the first electrode 113 to emit light upward. .

상기 제 1 전극(113) 및 평탄화막(111)이 형성된 기판(100) 상에 뱅크 패턴(214)이 형성될 수 있다. 이 때, 상기 뱅크 패턴(214)은 상기 제 1 전극(113)이 형성된 영역을 제외한 상기 금속층(112) 상면에 형성될 수 있다. The bank pattern 214 may be formed on the substrate 100 on which the first electrode 113 and the planarization layer 111 are formed. At this time, the bank pattern 214 may be formed on the upper surface of the metal layer 112 except for the region where the first electrode 113 is formed.

상기 뱅크 패턴(214)은 perfluorocarboxyl acid 계열의 물질로 형성될 수 있다. 예를 들면, 하기 화학식 1로 나타나는 물질들일 수 있다. The bank pattern 214 may be formed of a perfluorocarboxylic acid-based material. For example, substances represented by the following formula (1).

[화학식 1][Chemical Formula 1]

상기 화학식 1에서 상기 n은 1 내지 14 인 정수일 수 있다. 바람직하게는 상기 뱅크 패턴(214)의 물질은 n이 8인 물질일 수 있다. 즉, 상기 뱅크 패턴(214)의 물질은 CF₃(CF₂)₈COOH일 수 있다. In Formula 1, n may be an integer of 1 to 14. Preferably, the material of the bank pattern 214 may be a material having n = 8. That is, the material of the bank pattern 214 may be CF ₃ (CF ₂ ) ₈ COOH.

상기 perfluorocarboxylic acid 계열의 물질로 형성된 뱅크 패턴(214)은 플루오르화기를 포함함으로써, 소수성인 뱅크 패턴(214)일 수 있다. 즉, 상기 뱅크 패턴(214)은 친수성의 물질을 밀어내는 특성을 가질 수 있다. 때문에, 친수성의 제 1 전극(113) 상에는 상기 뱅크 패턴(214)이 형성되지 않을 수 있다.The bank pattern 214 formed of the perfluorocarboxylic acid-based material may be a hydrophobic bank pattern 214 by including a fluorine group. That is, the bank pattern 214 may have a property of pushing out a hydrophilic material. Therefore, the bank pattern 214 may not be formed on the hydrophilic first electrode 113.

또한, 상기 뱅크 패턴(214)은 금속과 접할 때 상기 뱅크 패턴(214)은 나노 구조체로 형성될 수 있다. 상기 뱅크 패턴(214)은 나노 구조체로 형성됨으로써, 두께 조절에 용이할 수 있다. In addition, when the bank pattern 214 contacts the metal, the bank pattern 214 may be formed of a nanostructure. Since the bank pattern 214 is formed of a nanostructure, the thickness of the bank pattern 214 can be easily adjusted.

상기 나노 구조체로 형성된 뱅크 패턴(214)은 다수개의 돌기부를 포함하는 형태일 수 있다. 이 때, 상기 돌기부와 인접한 다른 돌기부 사이에는 공기가 차 있을 수 있다. 여기서, 상기 공기는 소수성 물질을 밀어내는 특성을 가질 수 있다. The bank pattern 214 formed of the nanostructure may include a plurality of protrusions. At this time, there may be air between the protrusions and the adjacent protrusions. Here, the air may have a property of pushing away a hydrophobic substance.

이와 같이, 상기 뱅크 패턴(214)이 나노 구조체의 perfluorocarboxylic acid 계열의 물질로 형성됨으로써, 상기 뱅크 패턴(214)은 친수성 및 소수성의 특징을 동시에 가질 수 있다. 즉, 상기 뱅크 패턴(214)은 친수성 물질 및 소수성 물질을 밀어내는 양성소수성 특성을 가질 수 있다. 이 때, 상기 뱅크 패턴(214)과 친수성 물질의 접촉각은 90도 내지 180도 일 수 있다. 또한, 상기 뱅크 패턴(214)과 소수성 물질의 접촉각은 90도 내지 180도 일 수 있다.As described above, since the bank pattern 214 is formed of a perfluorocarboxylic acid-based material of a nano structure, the bank pattern 214 can have both hydrophilic and hydrophobic characteristics. That is, the bank pattern 214 may have a positive hydrophobic property to push out a hydrophilic material and a hydrophobic material. At this time, the contact angle of the bank pattern 214 and the hydrophilic material may be 90 degrees to 180 degrees. In addition, the contact angle of the bank pattern 214 and the hydrophobic substance may be 90 degrees to 180 degrees.

일반적으로, 유기전계발광 표시장치의 뱅크 패턴의 두께는 제 1 전극의 두께 보다 높게 형성된다. 이 때, 유기발광층은 상기 제 1 전극의 상면과 상기 뱅크 패턴의 측면에 접하여 형성된다. 여기서, 상기 뱅크 패턴과 제 1 전극의 계면의 에너지는 상기 제 1 전극 상면의 에너지보다 크기 때문에, 유기발광층 물질이 계면에 모이는 현상이 발생하게 된다. 이로 인해, 유기전계발광 표시장치의 개구율이 떨어지게 된다.In general, the thickness of the bank pattern of the organic light emitting display is higher than the thickness of the first electrode. At this time, the organic light emitting layer is formed in contact with the upper surface of the first electrode and the side surface of the bank pattern. Here, since the energy of the interface between the bank pattern and the first electrode is greater than the energy of the upper surface of the first electrode, a phenomenon that the organic light emitting layer material is gathered at the interface occurs. As a result, the aperture ratio of the organic light emitting display device is reduced.

이를 해결하기 위해, 본 발명의 유기전계발광 표시장치의 뱅크 패턴(214)의 두께(h3)는 상기 제 1 전극(113)의 두께(h2)와 동일하게 형성될 수 있다. 그리고 상기 제 1 전극(113) 상에는 상기 유기발광층(115)이 형성될 수 있다. The thickness h3 of the bank pattern 214 of the organic light emitting display of the present invention may be formed to be equal to the thickness h2 of the first electrode 113. [ The organic light emitting layer 115 may be formed on the first electrode 113.

상기 유기발광층(115)은 단층으로 형성될 수 있다. 또한 상기 유기발광층(155)은 정공주입층(Hole Injection Layer;HIL), 정공수송층(Hole Transporting Layer;HTL), 발광층 (Emitting Material Layer;EML), 전자수송층(Electron Transporting Layer;ETL) 및 전자주입층(Electron Injection Layer;EIL)을 포함한 다중층으로 형성될 수 있다. 여기서, 상기 유기발광층(115)은 spin coating, ink-jet 또는 slot die 방식으로 형성될 수 있다.The organic light emitting layer 115 may be formed as a single layer. The organic emission layer 155 may include at least one of a hole injection layer (HIL), a hole transporting layer (HTL), an emission layer (EML), an electron transport layer (ETL) Layer (Electron Injection Layer (EIL)). Here, the organic light emitting layer 115 may be formed by a spin coating method, an ink-jet method, or a slot die method.

상기 유기발광층(115)의 상면의 높이는 상기 뱅크 패턴(214)의 상면의 높이보다 높게 형성될 수 있다. 여기서, 상기 유기발광층(115)의 상면의 높이는 상기 제 1 전극(113)과 접한 면과 상기 제 1 전극(113)과 접한 면의 대응하는 면까지의 길이로 정의한다. 또한, 상기 뱅크 패턴(214)의 상면이 높이는 상기 금속층(112)과 접한 면과 상기 금속층(112)과 접한 면의 대응하는 면까지의 길이로 정의한다.The height of the top surface of the organic light emitting layer 115 may be higher than the height of the top surface of the bank pattern 214. Here, the height of the top surface of the organic light emitting layer 115 is defined as a length from a surface contacting the first electrode 113 to a corresponding surface of a surface contacting the first electrode 113. The height of the upper surface of the bank pattern 214 is defined as the length from the surface contacting the metal layer 112 to the corresponding surface of the surface contacting the metal layer 112.

상기 유기발광층(115)은 친수성 또는 소수성 물질 일 수 있다. 여기서, 상기 뱅크 패턴(214)은 양성소수성(amphiphobic)이므로, 상기 유기발광층(115)의 물질이 상기 뱅크 패턴(214) 상으로 흘러내리지 않고, 상기 제 1 전극(113) 상에만 형성될 수 있다.The organic light emitting layer 115 may be a hydrophilic or hydrophobic material. Since the bank pattern 214 is amphiphobic, the material of the organic light emitting layer 115 can be formed only on the first electrode 113 without flowing down onto the bank pattern 214 .

상기 뱅크 패턴(214)과 유기발광층(115)이 형성된 기판(100) 상에 상기 제 1 전극(113)과 대향하여 배치되는 제 2 전극(216)이 형성될 수 있다. 이 때, 상기 제 2 전극(216)은 캐소드(cathode)전극 일 수 있다. 상기 제 2 전극(216)은 금속으로 형성될 수 있다. A second electrode 216 may be formed on the substrate 100 on which the bank pattern 214 and the organic light emitting layer 115 are formed. The second electrode 216 may be disposed to face the first electrode 113. In this case, the second electrode 216 may be a cathode electrode. The second electrode 216 may be formed of a metal.

본 발명에 따른 유기전계발광 표시장치는 나노 구조체의 뱅크패턴(214)을 형성함으로써, 제 1 전극(113)의 두께와 동일하게 형성될 수 있다. 이를 통해, 상기 뱅크 패턴(214)과 제 1 전극(113)의 계면에 유기발광층(115)이 두껍게 형성되는 것을 방지 할 수 있다. 이를 통해, 상기 유기전계발광 표시장치의 개구율을 향상시킬 수 있다.
The organic light emitting display according to the present invention may be formed to have the same thickness as the first electrode 113 by forming the bank pattern 214 of the nano structure. Accordingly, it is possible to prevent the organic light emitting layer 115 from being formed thick at the interface between the bank pattern 214 and the first electrode 113. Accordingly, the aperture ratio of the organic light emitting display device can be improved.

이어서, 도 4를 참조하여 본 발명의 제 3 실시예에 따른 유기전계발광 표시장치를 설명한다. 도 4는 본 발명의 제 3 실시예에 따른 유기전계발광 표시장치를 도시한 도면이다. 제 3 실시예에 따른 디스플레이 표시장치는 앞서 설명한 실시예와 동일한 구성요소를 포함할 수 있다. 앞서 설명한 실시예와 중복되는 설명은 생략할 수 있다. 또한, 동일한 구성은 동일한 도면부호를 갖는다. Next, an organic light emitting display according to a third embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. 4 is a view illustrating an organic light emitting display according to a third embodiment of the present invention. The display device according to the third embodiment may include the same components as those of the above-described embodiments. The description overlapping with the embodiment described above can be omitted. The same components have the same reference numerals.

도 4를 참조하면, 본 발명의 유기전계발광 표시장치는 발광영역 및 비발광영역으로 구분되는 기판(100) 상에 형성되는 박막 트랜지스터(Tr) 및 유기전계발광 소자(313,315,216)를 포함한다. 상기 박막 트랜지스터(Tr)는 반도체층(104), 게이트 절연막(105), 게이트전극(106), 소스전극(108), 드레인전극(109)을 포함한다. 여기서, 상기 반도체층(104)은 소스영역(101), 채널영역(102) 및 드레인영역(103)을 포함한다.Referring to FIG. 4, the organic light emitting display of the present invention includes a thin film transistor Tr and organic electroluminescent devices 313, 315, and 216 formed on a substrate 100 divided into a light emitting region and a non-emitting region. The thin film transistor Tr includes a semiconductor layer 104, a gate insulating film 105, a gate electrode 106, a source electrode 108, and a drain electrode 109. Here, the semiconductor layer 104 includes a source region 101, a channel region 102, and a drain region 103.

상기 기판(100) 상에는 박막트랜지스터(Tr)와 접촉하는 유기전계발광 소자(313,315,316)를 포함한다. 제 1 전극(313), 상기 제 1 전극(313)과 대향하여 형성되는 제 2 전극(316) 및 상기 제 1 전극(313)과 제 2 전극(316) 사이에 형성되는 유기발광층(315)을 포함한다. On the substrate 100, organic electroluminescent devices 313, 315, 316 are provided to be in contact with the thin film transistor Tr. A second electrode 316 formed opposite to the first electrode 313 and an organic emission layer 315 formed between the first electrode 313 and the second electrode 316. The first electrode 313, .

상기 박막 트랜지스터(Tr) 상에 형성된 보호막(11) 및 평탄화막(111)에 형성된 컨택홀을 통해 상기 제 1 전극(313)은 상기 드레인전극(109)과 연결된다. 여기서, 상기 제 1 전극(313)은 제 1 층(313a) 상에 제 2 층(313b)이 형성되고 상기 제 2 층(313b)상에 제 3 층(313c)이 형성된 3중층 구조로 형성될 수 있다. The first electrode 313 is connected to the drain electrode 109 through the contact hole formed in the protective film 11 and the planarization film 111 formed on the thin film transistor Tr. The first electrode 313 is formed in a triple layer structure in which a second layer 313b is formed on a first layer 313a and a third layer 313c is formed on the second layer 313b .

여기서, 상기 제 1 층(313a) 및 제 3 층(313c)은 투명 도전물질일 수 있다. 예를 들면, 상기 투명 도전물질은 ITO일 수 있다. 상기 제 2 층(313b)은 반사층일 수 있다. 이 때, 상기 제 2 층(313b)은 금속 또는 금속 합금층일 수 있다. 예를 들면, Ag 또는 Ag를 포함하는 금속 합금층일 수 있다.Here, the first layer 313a and the third layer 313c may be transparent conductive materials. For example, the transparent conductive material may be ITO. The second layer 313b may be a reflective layer. At this time, the second layer 313b may be a metal or a metal alloy layer. For example, a metal alloy layer containing Ag or Ag.

상기 제 1 전극(313)의 제 3 층(313c)은 박막 트랜지스터(Tr)의 드레인전극(109)이 접하는 영역을 제외한 영역에서, 상기 제 2 층(313b) 상면의 일부에 형성될 수 있다. 이 때, 상기 제 1 전극(313)의 상기 제 2 층(313b)은 비발광영역에서 상면을 노출하여 형성될 수 있다. 여기서, 상기 제 1 전극(313)의 형태는 도면에 한정되지 않으며, 상기 제 3 층(313c)이 상기 드레인전극(109)과 컨택홀을 통해 연결되어 형성될 수도 있다.The third layer 313c of the first electrode 313 may be formed on a part of the upper surface of the second layer 313b in a region excluding a region where the drain electrode 109 of the thin film transistor Tr is in contact. At this time, the second layer 313b of the first electrode 313 may be formed by exposing the top surface in the non-emitting region. Here, the shape of the first electrode 313 is not limited to the drawing, and the third layer 313c may be connected to the drain electrode 109 through a contact hole.

이 후, 상기 비발광영역에서 상기 제 2 층(313b)의 상면에 뱅크 패턴(314)이 형성될 수 있다. 이 때, 상기 뱅크 패턴(314)의 두께는 상기 제 1 전극(313)의 제 3 층(313c)의 두께와 같거나 높게 형성될 수 있다. 그리고 상기 뱅크 패턴(314)은 perfluorocarboxyl acid 계열의 물질로 형성될 수 있다. 예를 들면, 하기 화학식 1로 나타나는 물질들일 수 있다. Thereafter, the bank pattern 314 may be formed on the upper surface of the second layer 313b in the non-emission region. In this case, the thickness of the bank pattern 314 may be equal to or greater than the thickness of the third layer 313c of the first electrode 313. The bank pattern 314 may be formed of a perfluorocarboxylic acid-based material. For example, substances represented by the following formula (1).

[화학식 1][Chemical Formula 1]

상기 화학식 1에서 상기 n은 1 내지 14 인 정수일 수 있다. 바람직하게는 상기 뱅크 패턴(314)의 물질은 n이 8인 물질일 수 있다. 즉, 상기 뱅크 패턴(314)의 물질은 CF₃(CF₂)₈COOH일 수 있다. In Formula 1, n may be an integer of 1 to 14. Preferably, the material of the bank pattern 314 may be a material with n = 8. That is, the material of the bank pattern 314 may be CF ₃ (CF ₂ ) ₈ COOH.

상기 perfluorocarboxylic acid 계열의 물질로 형성된 뱅크 패턴(314)은 플루오르화기를 포함함으로써, 소수성인 뱅크 패턴(314)일 수 있다. 즉, 상기 뱅크 패턴(314)은 친수성의 물질을 밀어내는 특성을 가질 수 있다.The bank pattern 314 formed of the perfluorocarboxylic acid type material may be a hydrophobic bank pattern 314 by including a fluorine group. That is, the bank pattern 314 may have a property of pushing out a hydrophilic material.

또한, 상기 뱅크 패턴(314)은 금속과 접할 때 상기 뱅크 패턴(314)은 나노 구조체로 형성될 수 있다. 또한, 상기 뱅크 패턴(314)은 나노 구조체로 형성됨으로써, 두께 조절에 용이할 수 있다.In addition, when the bank pattern 314 is in contact with metal, the bank pattern 314 may be formed of a nanostructure. In addition, since the bank pattern 314 is formed of a nanostructure, the thickness of the bank pattern 314 can be easily adjusted.

여기서, 상기 뱅크 패턴(314)은 금속 또는 금속 합금 층인 제 1 전극(313)의 제 2 층(313b) 상에 형성됨으로써, 나노 구조체로 형성될 수 있다. 즉, 상기 나노 구조체의 뱅크 패턴(314)은 별도의 금속층 형성을 위한 추가 공정 없이 형성될 수 있다.Here, the bank pattern 314 is formed on the second layer 313b of the first electrode 313, which is a metal or metal alloy layer, so that the bank pattern 314 can be formed of a nanostructure. That is, the bank pattern 314 of the nanostructure may be formed without an additional process for forming a separate metal layer.

상기 나노 구조체로 형성된 뱅크 패턴(314)은 다수개의 돌기부를 포함하는 형태일 수 있다. 이 때, 상기 돌기부와 인접한 다른 돌기부 사이에는 공기가 차 있을 수 있다. 여기서, 상기 공기는 소수성 물질을 밀어내는 특성을 가질 수 있다. The bank pattern 314 formed of the nanostructure may include a plurality of protrusions. At this time, there may be air between the protrusions and the adjacent protrusions. Here, the air may have a property of pushing away a hydrophobic substance.

이와 같이, 상기 뱅크 패턴(314)이 perfluorocarboxylic acid 계열의 물질로 형성됨으로써, 상기 뱅크 패턴(314)이 친수성과 소수성의 특성을 동시에 가질 수 있다. 즉, 상기 뱅크 패턴(314)은 친수성 물질 및 소수성 물질을 밀어내는 양성소수성 특성을 가질 수 있다. 이 때, 상기 뱅크 패턴(314)과 친수성 물질의 접촉각은 90도 내지 180도 일 수 있다. 또한, 상기 뱅크 패턴(314)과 소수성 물질의 접촉각은 90도 내지 180도 일 수 있다.As described above, the bank pattern 314 is formed of a perfluorocarboxylic acid-based material, so that the bank pattern 314 can have both hydrophilic and hydrophobic characteristics. That is, the bank pattern 314 may have a positive hydrophobic property to push out a hydrophilic material and a hydrophobic material. At this time, the contact angle of the bank pattern 314 and the hydrophilic material may be 90 to 180 degrees. The contact angle of the bank pattern 314 with the hydrophobic material may be 90 to 180 degrees.

이 후, 상기 제 1 전극(313) 상에 유기발광층(315)이 형성된다. 상기 유기발광층은 단층 또는 정공주입층(Hole Injection Layer;HIL), 정공수송층(Hole Transporting Layer;HTL), 발광층 (Emitting Material Layer;EML), 전자수송층(Electron Transporting Layer;ETL) 및 전자주입층(Electron Injection Layer;EIL)을 포함한 다중층으로 형성될 수 있다. 여기서, 상기 유기발광층(315)은 spin coating, ink-jet 또는 slot die 방식으로 형성될 수 있다.Thereafter, an organic light emitting layer 315 is formed on the first electrode 313. The organic emission layer may include a single layer or a hole injection layer (HIL), a hole transporting layer (HTL), an emission layer (EML), an electron transport layer (ETL) Electron Injection Layer (EIL). Here, the organic light emitting layer 315 may be formed by a spin coating method, an ink-jet method, or a slot die method.

이 때, 상기 유기발광층(315)의 상면의 높이는 상기 뱅크 패턴(314)의 상면의 높이보다 높게 형성될 수 있다. 여기서, 상기 유기발광층(315)의 상면의 높이는 상기 제 1 전극(313)의 제 3 층(313c)과 접한 면과 상기 제 1 전극(313)의 제 3층(313c)과 접한 면의 대응하는 면까지의 길이로 정의한다. 또한, 상기 뱅크 패턴(314)의 상면이 높이는 상기 제 1 전극(313)의 제 2 층(313b)과 접한 면과 상기 제 1 전극(313)의 제 2 층(313b)과 접한 면의 대응하는 면까지의 길이로 정의한다.At this time, the height of the upper surface of the organic light emitting layer 315 may be higher than the height of the upper surface of the bank pattern 314. The height of the upper surface of the organic light emitting layer 315 may be set to a height corresponding to a surface of the first electrode 313 contacting the third layer 313c and a surface of the first electrode 313 contacting the third layer 313c The length to the face is defined as the length. The height of the upper surface of the bank pattern 314 is set so that the surface of the first electrode 313 in contact with the second layer 313b and the surface of the first electrode 313 in contact with the second layer 313b The length to the face is defined as the length.

상기 유기발광층(315)은 친수성 또는 소수성 물질 일 수 있다. 여기서, 상기 뱅크 패턴(314)은 양성소수성이므로, 상기 유기발광층(315)의 물질이 상기 뱅크 패턴(314) 상으로 흘러내리지 않고, 상기 제 1 전극(313) 상에만 형성될 수 있다. 자세하게는, 상기 유기발광층(315)은 상기 제 1 전극(313)의 제 3 층(313c) 상에만 형성될 수 있다.The organic light emitting layer 315 may be a hydrophilic or hydrophobic material. Since the bank pattern 314 is positive and hydrophobic, the material of the organic light emitting layer 315 can be formed only on the first electrode 313 without flowing down onto the bank pattern 314. [ In detail, the organic light emitting layer 315 may be formed only on the third layer 313c of the first electrode 313.

상기 뱅크 패턴(314)과 유기발광층(315)이 형성된 기판(100) 상에 상기 제 1 전극(313)과 대향하여 배치되는 제 2 전극(316)이 형성될 수 있다. 이 때, 상기 제 2 전극(316)은 캐소드(cathode)전극 일 수 있다. 상기 제 2 전극(316)은 금속으로 형성될 수 있다. A second electrode 316 may be formed on the substrate 100 on which the bank pattern 314 and the organic light emitting layer 315 are formed and disposed so as to face the first electrode 313. In this case, the second electrode 316 may be a cathode electrode. The second electrode 316 may be formed of a metal.

본 발명에 따른 유기전계발광 표시장치는 제 1 전극(313)의 제 2 층(313b) 상에 나노 구조체의 뱅크 패턴(314)을 형성함으로써, 별도의 금속층 추가 공정 없이 형성이 가능하다. 또한, 상기 제 1 전극(313)과 상기 뱅크 패턴(314)의 단차를 최소화하여, 유기발광층(315)이 상기 제 1 전극(313) 상에 균일하게 형성됨으로써, 상기 유기전계발광 표시장치의 개구율을 향상 시킬 수 있다. The organic light emitting display according to the present invention can be formed without forming a separate metal layer by forming the bank pattern 314 of the nanostructure on the second layer 313b of the first electrode 313. [ Since the organic light emitting layer 315 is uniformly formed on the first electrode 313 by minimizing a step between the first electrode 313 and the bank pattern 314, Can be improved.

그리고 상기 양성소수성 특성을 갖는 뱅크 패턴(314)을 형성함으로써, 유기전계발광 표시장치의 개구율을 향상 시킬 수 있다.
By forming the bank pattern 314 having the positive hydrophobic property, the aperture ratio of the organic electroluminescence display device can be improved.

이상 설명한 내용을 통해 당업자라면 본 발명의 기술사상을 일탈하지 아니하는 범위에서 다양한 변경 및 수정이 가능함을 알 수 있을 것이다. 따라서, 본 발명의 기술적 범위는 명세서의 상세한 설명에 기재된 내용으로 한정되는 것이 아니라 특허 청구의 범위에 의해 정하여져야만 할 것이다.
It will be apparent to those skilled in the art that various modifications and variations can be made in the present invention without departing from the spirit or scope of the invention. Therefore, the technical scope of the present invention should not be limited to the contents described in the detailed description of the specification, but should be defined by the claims.

100: 기판 104: 반도체층
106: 게이트전극 108: 소스전극
109: 드레인전극 112: 금속층
113: 제 1 전극 114: 뱅크 패턴
115: 유기발광층 116: 제 2 전극100: substrate 104: semiconductor layer
106: gate electrode 108: source electrode
109: drain electrode 112: metal layer
113: first electrode 114: bank pattern
115: organic light emitting layer 116: second electrode

Claims (20)

발광영역과 비발광영역으로 구분되는 기판;
상기 기판 상에 배치된 박막 트랜지스터;
상기 박막 트랜지스터 상에 배치된 보호막;
상기 보호막 상에 배치된 금속층;
상기 금속층 상면과 접하여 배치된 제 1 전극과 뱅크패턴; 및
상기 뱅크패턴에 의해 노출된 상기 제1 전극 상에 배치된 유기발광층을 포함하고,
상기 뱅크패턴은 플르오르화기(F)를 포함하고,
상기 금속층과 접하는 상기 제1 전극의 일면과 상기 제1 전극의 일면에 대응하는 면까지의 길이와 상기 금속층과 접하는 상기 뱅크 패턴의 일면과 상기 뱅크 패턴의 일면에 대응하는 면까지의 길이는 동일하고,
상기 제1 전극의 상면은 상기 제1 전극의 상면과 인접한 상기 뱅크 패턴의 상면과 동일 평면 상에 배치된 유기전계발광 표시장치.A substrate divided into a light emitting region and a non-light emitting region;
A thin film transistor disposed on the substrate;
A protective film disposed on the thin film transistor;
A metal layer disposed on the protective film;
A first electrode and a bank pattern disposed in contact with the upper surface of the metal layer; And
And an organic light emitting layer disposed on the first electrode exposed by the bank pattern,
The bank pattern includes a pulser (F)
A length to one surface of the first electrode contacting the metal layer, a surface to a surface corresponding to one surface of the first electrode, a surface of the bank pattern contacting the metal layer, and a surface corresponding to one surface of the bank pattern are the same ,
Wherein the upper surface of the first electrode is disposed on the same plane as the upper surface of the bank pattern adjacent to the upper surface of the first electrode. 제 1항에 있어서,
상기 뱅크 패턴과 친수성 또는 소수성 물질의 접촉각은 90도 내지 180도인 유기전계발광 표시장치.
The method according to claim 1,
Wherein a contact angle of the bank pattern with the hydrophilic or hydrophobic substance is 90 to 180 degrees.
제 1항에 있어서,
상기 뱅크 패턴은 하기 화학식 1로 나타나는 화합물로 나타나는 물질인 유기전계발광 표시장치:
[화학식 1]

상기 식에서,
n은 1 내지 14인 정수이다.
The method according to claim 1,
Wherein the bank pattern is a compound represented by the following formula (1): < EMI ID =
[Chemical Formula 1]

In this formula,
n is an integer of 1 to 14;
제 1항에 있어서,
상기 뱅크 패턴은 금속과 접하여 나노 구조체로 구성되는 유기전계발광 표시장치.
The method according to claim 1,
Wherein the bank pattern is in contact with a metal and is formed of a nano structure.
삭제delete 제 1항에 있어서,
상기 금속층 상면의 일부에 상기 제 1 전극이 배치되는 유기전계발광 표시장치.
The method according to claim 1,
And the first electrode is disposed on a part of the upper surface of the metal layer.
제 1항에 있어서,
상기 제 1 전극이 배치된 영역을 제외한 상기 금속층 상면에 상기 뱅크 패턴이 포함되고,
상기 뱅크 패턴의 두께는 상기 제 1 전극의 두께와 같거나 큰 유기전계발광 표시장치.
The method according to claim 1,
The bank pattern is formed on the upper surface of the metal layer except the region where the first electrode is disposed,
Wherein the thickness of the bank pattern is equal to or greater than the thickness of the first electrode.
제 1항에 있어서,
상기 제 1 전극은 단층으로 배치되고,
상기 제 1 전극은 투명 도전물질인 유기전계발광 표시장치.
The method according to claim 1,
Wherein the first electrode is disposed in a single layer,
Wherein the first electrode is a transparent conductive material.
제 8항에 있어서,
상기 제 1 전극 하부에 반사층을 더 포함하는 유기전계발광 표시장치.
9. The method of claim 8,
And a reflective layer below the first electrode.
제 1항에 있어서,
상기 제 1 전극은 제 1 층, 상기 제 1 층 상에 배치된 제 2 층 및 상기 제 2 층 상에 배치된 제 3 층을 포함하고,
상기 제 1 층 및 제 3 층은 투명 도전물질이며, 상기 제 2 층은 금속 또는 금속 합금층을 포함하는 반사층인 유기전계발광 표시장치.
The method according to claim 1,
Wherein the first electrode comprises a first layer, a second layer disposed on the first layer, and a third layer disposed on the second layer,
Wherein the first and third layers are transparent conductive materials and the second layer is a reflective layer comprising a metal or metal alloy layer.
제 10항에 있어서,
상기 제 1 전극의 상기 제 2 층은 비발광영역에서 상면을 노출하는 유기전계발광 표시장치.
11. The method of claim 10,
And the second layer of the first electrode exposes an upper surface in the non-emission region.
제 11항에 있어서,
상기 비발광영역의 상기 제 2 층 상에 뱅크 패턴이 형성되고,
상기 뱅크 패턴의 두께는 상기 제 1 전극의 상기 제 3 층의 두께와 같거나 큰 유기전계발광 표시장치.
12. The method of claim 11,
A bank pattern is formed on the second layer of the non-emission region,
Wherein the thickness of the bank pattern is equal to or greater than the thickness of the third layer of the first electrode.
제 1항에 있어서,
상기 유기발광층의 상면의 높이는 상기 뱅크 패턴의 상면의 높이보다 높은 유기전계발광 표시장치.
The method according to claim 1,
Wherein a height of an upper surface of the organic light emitting layer is higher than a height of an upper surface of the bank pattern.
제 1항에 있어서,
상기 유기발광층 및 상기 뱅크패턴을 포함하는 상기 기판 상에 배치된 제 2 전극을 더 포함하는 유기전계발광 표시장치.
The method according to claim 1,
And a second electrode disposed on the substrate including the organic light emitting layer and the bank pattern.
발광영역과 비발광영역으로 구분되는 기판 상에 박막 트랜지스터를 형성하는 단계;
상기 박막 트랜지스터 상에 보호막을 형성하는 단계;
상기 보호막 상에 평탄화막을 형성하는 단계;
상기 평탄화막 상에 제 1 전극을 형성하는 단계;
상기 발광영역에 형성된 제 1 전극의 상면을 노출하고, 친수성과 소수성의 특성을 동시에 갖는 뱅크 패턴을 형성하는 단계; 및
상기 발광영역에서 제 1 전극의 노출된 영역 상에 유기발광층 형성하는 단계;를 포함하고,
상기 뱅크 패턴을 형성하는 단계는,
상기 제 1 전극이 형성된 기판을 뱅크 패턴 물질을 포함하는 용액에 침전시키는 단계;
상기 침전된 기판을 건조시키는 단계; 를 포함하고, 상기 뱅크 패턴 물질은 하기 화학식으로 나타나는 화합물로 나타나는 물질인 유기전계발광 표시장치 제조방법.
[화학식 1]

상기 식에서,
n은 1 내지 14인 정수이다.
Forming a thin film transistor on a substrate divided into a light emitting region and a non-light emitting region;
Forming a protective film on the thin film transistor;
Forming a planarization film on the protective film;
Forming a first electrode on the planarization layer;
Exposing an upper surface of a first electrode formed in the light emitting region, and forming a bank pattern having both hydrophilic and hydrophobic characteristics; And
And forming an organic light emitting layer on the exposed region of the first electrode in the light emitting region,
Wherein forming the bank pattern comprises:
Depositing a substrate on which the first electrode is formed in a solution containing a bank pattern material;
Drying the precipitated substrate; Wherein the bank pattern material is a compound represented by the following chemical formula.
[Chemical Formula 1]

In this formula,
n is an integer of 1 to 14;
삭제delete 제 15항에 있어서,
상기 뱅크 패턴은 비발광영역에만 형성되는 유기전계발광 표시장치 제조방법.
16. The method of claim 15,
Wherein the bank pattern is formed only in the non-light emitting region.
삭제delete 제 1 항에 있어서,
상기 뱅크패턴은 다수개의 돌기부를 포함하는 유기전계발광 표시장치.The method according to claim 1,
Wherein the bank pattern includes a plurality of protrusions. 제 1 항에 있어서,
상기 금속층은 Zn, Fe, Ni, Al, Au, Mg, Nd, Pt 중 어느 하나를 포함하는 유기전계발광 표시장치.
The method according to claim 1,
Wherein the metal layer comprises any one of Zn, Fe, Ni, Al, Au, Mg, Nd, and Pt.

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