KR101954436B1 - 금속 실리사이드 층을 형성하는 방법 - Google Patents

금속 실리사이드 층을 형성하는 방법 Download PDF

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Abstract

본 발명은 텍스쳐링된 실리콘 기판 표면 상에 금속 실리사이드 층을 형성하는 방법에 관한 것으로, 상기 방법은: 텍스쳐링된 실리콘 기판 상에 금속 층을 제공하는 단계, 그리고 0.1 J/cm2 내지 1.5 J/cm2의 범위의 레이저 플루언스를 갖고 1 ns 내지 10 ms 범위의 레이저 펄스 지속시간을 갖는 적어도 하나의 UV 레이저 펄스를 제공하여 펄스 레이저 어닐링을 수행함으로써, 상기 금속 층의 적어도 일부를 금속 실리사이드 층으로 변환시키는 단계를 포함한다. 또한, 본 발명은 태양전지를 제조하는 공정에서, 상기 방법의 용도에 관한 것으로, 유전체 층이 표면 패시베이션 층이거나, 또는 유전체 층이 반사방지 코팅이다.

Description

금속 실리사이드 층을 형성하는 방법{Method for forming metal silicide layers}
본 발명은 금속 실리사이드(metal silicide) 층을 형성하는 방법에 관한 것이고, 보다 구체적으로는 실리콘 태양전지(photovoltaic cell)의 금속화(metallization) 공정에서 패터닝된(patterned) 금속 실리사이드 층을 형성하는 방법에 관한 것이다.
실리콘 태양전지의 정면(front side) 금속화를 위한 현재의 산업 표준 공정들은 양호한 컨택 형성을 위해 소성될 필요가 있는 잉크 또는 은 페이스트의 프린팅에 기초한다. 종래의 은 페이스트의 스크린 프린팅은, 약 60 내지 90 Ohm/square의 시트 저항을 갖고 충분한 Ag 결정(crystallite)이 형성되도록 1020 at/cm3 보다 높은 에미터(emitter) 표면 밀도를 갖는 에미터들로 제한된다.
그들의 우수한 컨택 특성으로 인해, 니켈 실리사이드 층이, 1020 at/cm3 보다 낮은 표면 밀도를 가지면서, 저농도로 도핑된(lowly doped) 에미터들 상에 양호한 컨택들을 형성하는데 사용될 수 있다. 니켈 실리사이드 층이, 실리콘 표면 상에 얇은 니켈 층(예, 무전해 도금(electroless plating)에 의해)을 제공하여 형성될 수 있고, 그 다음 실리사이드화(silicidation)를 유도하기 위해 어닐링(annealing) 단계 또는 신터링(sintering) 단계를 수행함으로써, 니켈-실리콘 합금(니켈 실리사이드)을 형성한다. 상기 어닐링 단계는 전형적으로 불활성 분위기(예, N2)에서 또는 벨트 소성로(belt firing furnace)에서 급속 열처리(RTA; rapid thermal annealing)에 의해 수행된다.
에미터 접합부의 상단에서의 니켈 실리사이드 형성과 관련된 주요한 과제는 에미터 접합부의 션팅(shunting)을 피하는 것이다. 션팅은 실리사이드화 공정 동안 실리콘으로 니켈이 확산되어 생긴다.
태양전지를 제조하는 공정에서, 패터닝된 니켈 실리사이드 층이 반사방지 코팅에 생성된 개구부들에서 전지들의 정면에 형성될 수 있다. 니켈 실리사이드 층의 상에는, 일반적으로 적어도 하나의 추가 금속 층(예를 들어, 구리 층)이 (시드 층으로 니켈 실리사이드 층을 사용하여) 전기도금되어 저 저항 컨택 경로들을 형성한다. 산업적인 제조 공정에서, 일반적으로 반사방지 코팅의 개구부들은 예를 들어 ps UV 레이저를 사용하는 레이저 삭마(laser ablation)에 의해 형성된다. 이러한 레이저 삭마 단계는, 실리콘 표면에 대한 결함 또는 손상을 생성하고, 다음의 실리사이드화 공정 동안 니켈 확산의 위험을 증가시킴으로써, 예를 들어 니켈 스파이킹(spiking)으로 인한 에미터 션팅의 위험이 증가된다.
텍스쳐링된(textured) 실리콘 표면들 상에, 피라미드 팁들 및 엣지들에서 증가된 레이저 삭마가 일어난다(A. Knorz et al., in Selective Laser Ablation of SiNx Layers on Textured Surfaces for Low Temperature front Metallizations, Prog. Photovolt: Res. Appl. 2009, 17, 127-136에서 보고된 바와 같음). 355 nm의 파장을 갖는 레이저 광의 조사(irradiation)하에서, 텍스쳐링된 표면이 전자기장의 국부 증폭(local amplification)을 일으켜서, 표면의 조사를 불균일(inhomogeneous)하게 함으로써 손상이 전혀 없는 반사방지 코팅의 레이저 삭마를 막는 것을 알 수 있다.
본 발명의 특정 양상들은, 실리콘 기판의 표면 상에 패터닝된 금속 실리사이드 층, 예를 들어 니켈 실리사이드 층을 형성하는 방법에 관한 것으로서, 여기서 종래의 방법들과 비교하여, 금속의 위험, 예를 들어 니켈 스파이킹을 피하거나 또는 실질적으로 감소시킬 수 있는 방법에 관한 것이다. 본 발명의 일 양상에 따른 방법은, 태양전지의 텍스쳐링된 표면과 같은 텍스쳐링된 실리콘 표면에, 표면 텍스쳐를 실질적으로 손상시키지 않고 적용할 수 있다. 일 양상에서, 유리하게는, 방법이 태양전지의 정면, 예를 들어 유전체 층(예, 반사방지 코팅)에 생성된 개구부들에서, 이러한 개구부들이 레이저 삭마에 의해 생성되는 경우에도, 유전체 층의 표면 패시베이션(passivation) 품질을 악화시키지 않고, 전기적 컨택들을 선택적으로 형성하는데 사용될 수 있다.
일 양상에서, 실리콘 기판 상에 패터닝된 금속 실리사이드 층을 형성하는 방법은: 텍스쳐링된 실리콘 기판 상에 금속 층을 제공하는 단계; 및 0.1 J/cm2 내지 1.5 J/cm2의 범위의 레이저 플루언스(fluence)를 갖고 1 ns 내지 10 ms의 범위의 레이저 펄스 지속시간을 갖는 적어도 하나의 UV 레이저 펄스를 제공하여 펄스 레이저 어닐링(pulsed laser annealing) 단계를 수행함으로써, 상기 금속 층의 적어도 일부를 금속 실리사이드 층으로 변환시키는 단계를 포함한다.
일 양상에서, 실리콘 기판 상에 패터닝된 금속 실리사이드 층을 형성하는 방법은: 실리콘 기판 상에 유전체 층을 제공하는 단계; 금속 실리사이드 층이 형성될 필요가 있는 위치들에서 유전체 층을 관통하여 개구부들을 형성하는 단계; 상기 개구부들의 적어도 하나의 위치에서, 기판 상에 금속을 포함하는 얇은 금속 층을 제공하는 단계; 및 약 0.1 J/cm2 내지 1.5 J/cm2, 특히 약 0.3 J/cm2 내지 0.7 J/cm2의 범위의 레이저 플루언스를 갖는 UV 레이저를 사용하여 펄스 레이저 어닐링 단계를 수행함으로써, 금속 층의 적어도 일부를 금속 실리사이드 층으로 변환시키는 단계를 포함한다. 상기 금속은 예를 들어, Ni, Co, Ti, TiW 또는 Pt일 수 있다.
일 양상에서, 상기 금속은 니켈이고 상기 금속 실리사이드 층은 니켈 실리사이드 층이다.
일 양상에서, 약 1 ns 내지 10 ms, 예를 들어 약 1 ns 내지 1 ms, 특히, 약 1 ns 내지 250 ns의 범위의 펄스 지속시간을 갖는 단일 레이저 펄스가 사용된다.
어떠한 이론의 얽매임 없이, 적절한 펄스 길이를 갖는 적절한 에너지 밀도값으로 하나의 펄스 엑시머 레이저(excimer laser) 어닐링의 사용하여, 금속 층 아래의 실리콘 기판의 용융물(melt)을 생성할 수 있고, 용융된 영역에서만 금속 실리사이드를 생성할 수 있다.
레이저 빔 스팟 크기는 약 2 mm x 2 mm 내지 10 cm x 10 cm의 범위, 예를 들어 약 1 cm x 1 cm일 수 있다. 그러나, 본 개시는 이에 제한되지 않는다. 예를 들어, 다중 레이저 펄스는 사용될 수 있고/있거나 레이저 빔 스팟 크기는 10 cm x 10 cm 보다 크거나(예, 기판 크기와 같거나 또는 더 큼) 또는 2 mm x 2 mm 보다 작을 수 있다. 스텝-앤드-스캔 방식의 접근(step-and-scan approach)은 기판의 전체 표면을 조사하는데 사용될 수 있다. 예를 들어, WO 2010/115763에 개시된 시스템은 높은 처리량(throughtput)으로 레이저 어닐링 단계를 수행하는데 사용될 수 있다.
레이저 어닐링 단계를 수행한 후, 미반응 금속, 예를 들어 미반응 니켈을 제거하기 위해 에칭 단계가 수행된다. 에칭 단계는 예를 들어, HNO3, H2O2:H2SO4 또는 HCl:HNO3을 포함하는 습식 에칭 용액 또는 당업자에게 알려진 임의의 다른 적절한 에칭 용액을 이용한 에칭을 포함할 수 있다. 이 에칭 단계에 이어서, 적어도 하나의 도금 단계를 수행함으로써 예를 들어, 금속 실리사이드 층의 상에 Ni/Cu 스택 또는 Ni/Cu/Ag 스택 또는 Ni/Cu/Sn 스택 또는 당업자에게 알려진 임의의 적합한 스택을 형성한다.
일 양상에서, 실리콘 기판 상에 제공되는 유전체 층은, SiNx, SiO2 또는 AlOx 층과 같은 단일 유전체 층, 또는 SiO2/SiNx 스택 또는 AlOx/SiNx 스택과 같은 적어도 2개의 유전체 층들을 포함하는 스택일 수 있다. 태양전지에서, 유전체 층 또는 유전체 층 스택은 표면 패시베이션을 제공할 수 있거나/제공할 수 있고 반사방지 코팅으로 기능할 수 있다.
일 양상에서, 유전체 층을 관통하는 개구부들의 형성은 예를 들어 레이저 삭마에 의해 수행될 수 있다. 그러나, 본 개시는, 이에 제한되지 않고 다른 적절한 방법들이 사용될 수 있다. 예를 들어, 유전체 층을 관통하는 개구부들의 형성은 패터닝된 마스킹 층을 제공(예를 들어, 잉크 젯 프린팅에 의해)한 다음 유전체 층을 습식 에칭하는 단계를 포함할 수 있다.
일 양상에서, 얇은 금속 층의 제공은 당업자에게 알려진 임의의 적절한 방법, 예를 들어 물리 기상 증착(PVD) 또는 바람직하게는, 도금, 예를 들어 무전해 도금, 전기도금, 광유도 무전해 도금(LIEP; light induced electroless plating), 또는 심지어 더 바람직하게는 광 유도 도금에 의해 수행될 수 있다.
얇은 금속 층의 두께는, 약 1 nm 내지 2000 nm, 특히 약 10 nm 내지 200 nm, 보다 구체적으로는 약 20 nm 내지 100 nm, 바람직하게는 약 40 nm 내지 50 nm의 범위일 수 있다.
일 양상에서 방법의 이점은, 종래기술의 방법들과 비교하여, 레이저 삭마에 의해 손상된 표면 상에서도, 에미터 접합부 션팅의 위험을 피하거나 또는 실질적으로 감소시키는 것이다.
일 양상에서 방법의 이점은, 레이저 삭마에 의해 표면 손상이 회복될 수 있는 것이다.
일 양상에서 방법의 이점은, 태양전지들에 대한 더 양호한 두께 제어가 달성될 수 있는 것이다.
일 양상에서 방법의 이점은, 모노-실리사이드 NiSi의 제어된 형성이 한 단계내에서 이루어질 수 있는 것이다.
일 양상에서 방법의 이점은, 레이저 플루언스가 텍스쳐링된 표면 상에서 실질적으로 표면 텍스쳐를 손상시키지 않고 상기 방법을 수행하는데 적절한 범위에 있는 것이다.
일 양상에서 방법의 이점은, 유전체 층의 표면 패시베이션 품질이 실질적으로 유지됨으로써, 유전체 층에 형성된 개구부들로 레이저 조사 빔을 정렬할 필요가 없는 것이다.
일 양상에서 방법의 이점은, 레이저 펄스의 지속시간이 상당히 짧아 산화 효과들을 감소시킴으로써, 불활성 분위기에서 작업할 필요가 없는 것이다.
일 양상, 예를 들어 태양전지의 정면 컨택들의 형성에 사용될 때 방법의 이점은, 기판이 정면에서만 가열되어, 예를 들어, 태양전지의 후면에서 무정형(amorphous) 실리콘 또는 AlOx와 같은 온도-민감성 표면 패시베이션 층들을 사용할 수 있는 것이다.
일 양상에서 방법의 이점은, 예를 들어 산업 환경에서 높은 처리량으로 수행될 수 있는 것이다.
발명의 다양한 양상들의 특정한 목적들 및 이점들은 위에서 기술되었다. 물론, 이러한 모든 목적들 또는 이점들이 본 개시의 임의의 특정 실시형태에 따라 달성될 수 있는 것이 필수적이지 않은 것으로 이해되어야 한다. 따라서, 예를 들어 당업자는 본 개시가 여기서 교시되거나 또는 제안될 수 있는 바에 따른 이점들 또는 다른 목적들을 필수적으로 달성할 필요 없이, 여기서 교시된 바에 따른 하나의 이점 또는 이점들의 그룹을, 달성하거나 최적화하는 방식으로, 구현되거나 수행될 수 있다는 것을 인식할 것이다. 추가로, 이 요약은 단지 예시이며 본 개시의 범위를 제한하는 것이 아니다. 본 개시는 그 특징들 및 이점들과 함께, 구조 및 작동 방법에 관하여, 첨부된 도면들과의 결합으로, 다음 상세한 설명을 참조하여 잘 이해될 수 있다.
도 1은 일 실시형태의 방법을 개략적으로 도시한다.
본 개시의 문맥에서, 태양전지의 정표면(front surface) 또는 정면(front side)은 광원을 향해 배향되어 조명(illunmination)을 받도록 구성된 표면 또는 면이다. 태양전지의 뒷표면(back surface), 뒷 면(back side), 후표면(rear surface) 또는 후면(rear side)은 정표면과 마주하는 표면 또는 면이다. 기판의 정면은 제조될 태양전지의 정면에 대응하는 기판의 면인 반면, 기판의 후면 또는 뒷면은 제조될 태양전지의 뒷면에 대응한다.
특정 실시형태들은 실리콘 기판 상에 패터닝된 금속 실리사이드 층을 형성하는 방법에 관한 것으로, 상기 방법은: 실리콘 기판 상에 유전체 층을 제공하는 단계; 금속 실리사이드 층이 형성될 필요가 있는 위치들에 유전체 층을 관통하여 개구부들을 형성하는 단계; 상기 개구부들의 적어도 하나의 위치에서 상기 기판 상에 금속을 포함하는 얇은 금속 층을 제공하는 단계; 및 약 0.1 J/cm2 내지 1.5 J/cm2, 특히 약 0.3 J/cm2 내지 0.7 J/cm2의 범위의 레이저 플루언스를 갖는 UV 레이저를 사용하여 펄스 레이저 어닐링 단계를 수행함으로써, 금속 층의 적어도 일부를 금속 실리사이드 층으로 변환시키는 단계를 포함한다. 일 실시형태에서, 약 1 ns 내지 10 ms, 예를 들어 약 1 ns 내지 1 ms, 바람직하게는 1 ns 내지 250 ns의 범위의 펄스 지속시간을 갖고, 레이저 빔 스팟 크기가 약 2 mm x 2 mm 내지 10 cm x 10 cm, 예를 들어 약 1 cm x 1 cm 범위인 단일 레이저 펄스가 사용된다.
방법은, 상기 금속이 니켈이고 상기 금속 실리사이드 층이 니켈 실리사이드 층인 실시형태들로 추가로 기술된다. 그러나, 본 개시는 이에 제한되지 않는다. 다른 금속들, 예를 들어 Co, Ti, TiW 또는 Pt가 사용될 수 있고 다른 금속 실리사이드들이 형성될 수 있다.
방법은, 태양전지의 정면 금속화 공정의 일부로서 패터닝된 니켈 실리사이드 층이 제공되는 설명적인 실시형태로 추가로 기술된다. 그러나 본 개시는 이에 제한되지 않고, 방법은 또한, 태양전지의 후면에 컨택들을 제공하는데 사용될 수 있다. 방법은 서로 다른 형태의 태양전지들, 예를 들어, 후면접촉 태양전지(back contact cell), MWT 태양전지(metal wrap Through cell), EWT 태양전지(emitter wrap through cell), 후면접합 태양전지(back junction cell), IBC 태양전지(Interdigitated back contact cell), 및 양면형 태양전지(bifacial cell)를 제조하는 공정에 사용될 수 있다.
일 실시형태에 따른 방법은 도 1에 개략적으로 도시되며, 여기서 상기 방법은 태양전지의 정면 금속 컨택들을 형성하는데 사용된다. 도시된 예에서, 텍스쳐링된 정표면(1)을 갖는 제1 전도성 형(예, p-형)의 기판(10)이 사용된다. 정면에, 제1 도핑 형과 반대되는 제2 도핑 형(예, n-형)을 갖는 에미터 영역(11)이 제공된다. 도 1 a에 도시된 바와 같이, 유전체 층 또는 유전체 스택(12)이 기판의 텍스쳐링된 정면(1) 상에 제공된다. 유전체 층 또는 유전체 스택(12)은 예를 들어, 실리콘 질화물 층을 포함할 수 있다. 이는 정표면 패시베이션 층으로서 기능하고, 또한 바람직하게는 최종 디바이스의 반사방지 코팅으로서 기능한다. 다른 유전체 층 물질들은 실리콘 산화물 또는 알루미늄 산화물일 수 있다.
그 다음, 에미터 영역(11)이 프로세스의 다음 단계에서 니켈 실리사이드 컨택 층이 형성될 필요가 있는 위치에서 국부적으로 노출되도록, 적어도 하나의 개구부(13)가, 예를 들어 레이저 삭마에 의해 유전체 층 또는 유전체 스택(12)을 관통하여 형성된다. 도 1 b는 유전체 층(12)을 관통하여 개구부들(13)을 형성한 후의 단면도를 개략적으로 도시한다.
그 다음, 정면(1)의 개구부들(13)의 적어도 하나의 위치에 얇은 니켈 층(14)이 제공된다. 예를 들어, 얇은 니켈 층(14)은 도 1 c에 도시된 바와 같이 예를 들어, PVD 또는 전기도금에 의해 정표면(1) 전체에 제공될 수 있다. 니켈 층을 제공하는 다른 도금 방법들, 예를 들어 광 유도 도금이 사용될 수 있고, 이 경우에 니켈 층이 개구부들(13)의 위치에만 존재한다(도시되지 않음). 바람직한 실시형태들에서, 니켈 층의 두께는 20 nm 내지 100 nm의 범위이다. 그러나 본 개시는 이에 제한되지 않고, 더 얇거나 또는 더 두꺼운 니켈 층이 사용될 수 있다.
니켈 층(14)을 제공한 후에, UV 레이저를 사용하는 펄스 레이저 어닐링 단계가 일 실시형태에 따라 수행되고, 그에 따라 니켈 층이 실리콘과 접촉하는 위치(즉, 개구부들(13)의 위치)에 있는 니켈 층(14)의 적어도 일부가 니켈 실리사이드 층(15)으로 변환된다. 바람직하게는, 상대적으로 큰 빔 스팟 크기, 예를 들어 개구부들(13)의 폭보다 실질적으로 큰 빔 스팟 크기를 갖는 단일 레이저 펄스가 사용되고, 그에 따라 개구부들(13)로 레이저 빔을 정렬할 필요가 없다. 스텝-엔드-스캔 방식의 접근은 기판의 전체 표면을 조사하는데 사용될 수 있다.
그 다음, 미반응 니켈을 제거하기 위해, 에칭 단계가 수행된다. 얻어진 구조의 단면이 도 1 d에 개략적으로 도시된다.
태양전지를 제조하는 방법에서, 이 단계 다음으로 시드 층으로서 니켈 실리사이드 층(15)을 사용하는 도금 단계(이 경우에 니켈 금속 층이 제1 도금 단계에 의해 증착되고, 이 도금 단계는 두번째 단계임)가 수행될 수 있다. 태양전지를 제조하는 방법에서, 후면 패시베이션 층 및 후면 금속 컨택들이 예를 들어 적어도 하나의 개구부(13)를 형성하기 전에 제공될 수 있다. 그러나, 본 개시는 상기 공정 순서에 제한되지 않고, 임의의 적합한 공정 순서가 사용될 수 있다.
니켈 실리사이드 층은 일 실시형태에 따라, 75 nm의 두께의 SiNx 층으로 덮인 텍스쳐링된 실리콘 기판 상에 형성된다. SiNx 층에 ps 레이저 삭마에 의해 10 ㎛ 폭의 라인 형상의 개구부들을 형성한 후에, 40 nm의 두께의 니켈 층이 PVD에 의해 증착된다. 실험예들에서, 308 nm의 파장을 갖는 XeCl 엑시머 레이저가, 니켈 층을 조사하고 실리사이드화를 유도하는데 사용된다. 1 cm x 1 cm 의 영역을 덮는 단일 150 ns 레이저 펄스가, 40 nm의 두께의 니켈 층의 적어도 일부를 니켈 실리사이드 층으로 변환하는데 사용된다. 전체 기판 영역은, 서로 인접하여 조금 겹쳐지는 1 cm x 1 cm 펄스들을 제공함으로써 스텝-엔드-스캔 방식의 접근 사용하여 조사된다.
일련의 제1 실험예들에서, 펄스 플루언스가 변하고, 표면 텍스쳐 및 SiNx 층의 표면 패시베이션 품질에서 레이저 조사의 영향이 조사되었다. 실험예들로부터, 표면 텍스쳐에 대한 손상을 피하기 위해, 레이저 플루언스는 실리콘 용융을 피하거나 제한하는(예, 피라미드 팁들의 라운딩만) 범위에서 선택되는 것이 바람직한 것으로 결론지어졌다. 시뮬레이션들은, 바람직한 레이저 플루언스가 또한, 니켈 층의 두께가 조사된 표면의 반사성에 영향을 주기 때문에 니켈 층의 두께에 의해 영향을 받을 수 있다는 것을 보여주었다. 예를 들어, 20 nm 두께의 니켈 층에 있어서, 최대 1 J/cm2의 레이저 플루언스가 표면 텍스쳐를 손상시키지 않고 사용될 수 있다. 50 nm 내지 100 nm의 범위의 니켈 층 두께에 있어서, 표면 반사성이 감소되고(20 nm 두께의 니켈 층의 경우와 비교하여), 바람직하게는 더 낮은, 예를 들어 약 0.5 J/cm2의 레이저 플루언스가 사용되었다. 더 두꺼운 니켈 층들, 예를 들어 500 nm 내지 2000 nm의 범위의 니켈 층에 있어서, 더 많은 열이 니켈 층에 흡수되기 때문에 더 높은 레이저 플루언스가 필요하였다. 그러나, 이들 더 높은 레이저 플루언스는 바람직하게는, 그들이 SiNx 층의 표면 패시베이션 품질을 손상시킬 수 있기 때문에 피해진다.
Voc-광발광(photoluminescence) 영상에서, SiNx 층의 패시베이션 품질에 대한 손상이 0.7 J/cm2 보다 낮은 플루언스에서 레이저 어닐링 단계를 수행함으로써 피해질 수 있다는 것이 관찰되었다.
태양전지는 정면 컨택들을 형성하기 위해 일 실시형태에 따른 방법을 사용하여 제조되었다. 단결정 p-형 CZ 실리콘 기판의 양면을 텍스쳐링한 후에, 후면을 폴리싱하였고, 기판을 세척하였다. POCl3 확산 단계는 정면에 에미터 접합부를 형성하기 위해 수행되었다. PSG(phosphosilicate glass) 제거 및 세척 후, 에미터 드라이브-인(drive in) 단계가 920℃에서 30분간 수행되어, 120 Ohm/square의 시트 저항을 갖는 600 nm 깊이의 에미터를 형성하였다. 이 단계 다음, HF에서 에칭 및 기판의 정면에 SiNx:H 반사방지 코팅의 증착을 수행하였다. 그 다음, Al 페이스트가 후면 상에 스크린 프린트되고 소성단계는 기판의 후표면 전체에 Al BSF를 형성하기 위해 수행하였다. 개구부들은 정면 컨택들이 제공될 위치들에서 ps 레이저 삭마에 의해, SiNx:H 반사방지 코팅에 형성되었다. 이어서, 40 nm 두께의 Ni 층이 전체 정표면 상에 증착되었다. 이어서, 태양전지들의 제1 그룹에 있어서, 표준 급속 열처리(Rapid Thermal Annealing) 단계가 실리사이드화를 유도하기 위해, 30초 동안 275℃에서 수행되었다. 태양전지들의 제2 그룹에 있어서, 일 실시형태에 따라 XeCl 레이저 어닐링 단계가 수행되었다. 이 다음 선택적으로 미반응 Ni의 에칭 및 Ni/Cu/Ag 도금이 수행되었다.
태양전지들의 제2 그룹의 Suns-광발광 영상에서, 0.55 J/cm2의 XeCl 레이저 플루언스에 대한 SiNx 층의 표면 패시베이션 품질에 어떠한 손상도 관찰되지 않았다. 그러나 더 높은 플루언스에서, 패시베이션 품질의 저하가 관찰되었다. 0.7 J/cm2보다 높은 레이저 플루언스에 대하여, 패시베이션 손상의 증가가 증가하는 레이저 플루언스에서 관찰되었다.
태양전지의 측정된 전류-전압 특성이 태양전지들의 제1 그룹 및 태양전지들의 제2 그룹에 대하여 표 1에 도시되고, 제1 그룹에서 실리사이드화는 275℃에서 30초 동안 급속 열처리(표 1에서 'RTA')에 의해 유도되었고, 제2 그룹에서 실리사이드화는, 0.55 J/cm2의 레이저 플루언스(표 1에서 '레이저')를 사용하는 일 실시형태에 따른 레이저 어닐링에 의해 유도되었다. 표 1은 측정된 단락회로 전류밀도(Jsc), 개로전압(Voc), 채움 인수(fill factor; FF), 의사 채움 인수(pseudo fill factor; pFF)(R.A. Sinton et al in "A quasi-steady-state open-circuit voltage method for solar cell characterization", Proceedings of the 16th EPVC, Glasgow, 2000에서 기술된 것과 같음), 에너지 변환율(η) 및 션트 저항(Rshunt)을 도시한다.
Figure 112014057533068-pct00001
상기 결과로부터, 0.55 J/cm2에서의 XeCl 레이저 어닐링이, 표준 RTA 어닐링에서 얻어진 Voc 및 Jsc와 같은 개로전압(open-circuit voltage; Voc) 및 단락회로 전류밀도(short-circuit density; Jsc)가 얻어지는 것으로 결론지어질 수 있다.
또한, 0.55 J/cm2 에서의 XeCl 레이저 어닐링은 표준 RTA 어닐링과 비교하여, 감소된 다이오드 손상(더 높은 pFF)을 얻는 것이 관찰되었다.
표 1의 결과는 RTA 샘플에 대하여 열악한 FF 및 pFF값을 보여준다. 이는 반사방지 코팅의 레이저 삭마 동안 생성된 결점들을 통한 니켈의 급속한 확산에 관한 것이고, 이들 실험예들에서 사용된 언딥(undeep) 에미터 접합부의 스파이킹을 초래한다(600 nm deep, 120 Ohm/square). 실리사이드화 공정에서 급속 열처리의 사용은, 다이오드 손상을 방지하기 위해 더 깊은 에미터(예, 1 마이크로미터보다 더 깊음)의 사용을 요구한다.
표 2는 태양전지의 측정된 전류-전압 특성들을 도시하고, 여기서 40 nm의 두께의 니켈 층이 일 실시형태에 따라 니켈 실리사이드화 프로세스에서 사용된 상이한 레이저 플루언스로(0.90 J/cm2, 0.70 J/cm2 및 0.55 J/cm2) 레이저 어닐링되었다.
Figure 112014057533068-pct00002
상기 결과들은 0.7 J/cm2, 특히 0.9 J/cm2의 XeCl 레이저 어닐링에 있어서, 0.55 J/cm2에서의 XeCl 레이저 어닐링의 셀들과 비교하여 낮은 Jsc를 나타내는 것을 보여준다. 이는 SiNx 핀홀들을 통한 NiSix 형성으로 인한 고스트 도금에 관한 것일 수 있다. 더 높은 XeCl 레이저 플루언스에서 패시베이션 손상은 측정된 Voc값들에 분명하게 반영된다. 0.90 J/cm2의 레이저 플루언스에서, 63.3%까지 상당한 pFF 감소가 관찰되고, 이 감소는 에미터 접합부의 스파이킹으로 인한 다이오드 손상에 관한 것일 수 있다. 0.55 J/cm2에서의 XeCl 레이저 어닐링에 있어서, 양호한 컨택 특성들 및 양호한 채움 인수가 얻어진다.
다른 플루언스에서 레이저 어닐링된 40 nm 두께의 PVD Ni 층으로 커버된 텍스쳐링된 실리콘의 샘플들에 대한 추가의 분석이 수행되었다. 미반응 Ni는 SPM 혼합물에 의해 제거되었다. 3개의 각각 다른 레이저 플루언스가 실리사이드화 공정에 사용되었다: 0.56 J/cm2, 0.71 J/cm2 및 0.94 J/cm2.
SEM 사진에서, 0.56 J/cm2에서 어닐링된 샘플들에 있어서, 표면 텍스쳐의 피라미드들은 뾰족한 상단(pointed top)을 갖는(즉, 텍스쳐 손상이 없음) 반면, 더 높은 플루언스에서 어닐링된 샘플들에 있어서, 피라미드 탑들은 더 둥근 것이 관찰되었다. 또한, 실리사이드 층이 가변적인 두께를 갖는 것이 관찰되었다. 피라미드의 상단 부분과 비교하여, 피라미드의 측벽의 바닥 부분이 더 얇다.
니켈 실리사이드 층의 EDS(에너지-분산형 X-선 분광법; energy-dispersive X-ray spectroscopy) 정량화(quantification)가 수행되었다. 다음 Si/Ni 조성물이 측정되었다:
- 레이저 플루언스 0.56 J/cm2: Si/Ni: 52/48, NiSi 상의 존재를 나타냄;
- 레이저 플루언스 0.71 J/cm2: Si/Ni: 48/52, 51/49, 44/55, 47/53, 또한 주로 NiSi 상의 존재를 나타냄;
- 레이저 플루언스 0.94 J/cm2: Si/Ni: 63/37, 68/32. 58/42, NiSi 상보다더 높은 저항성을 갖는 NiSi2 상의 존재를 나타냄.
일 실시형태에서, Ni2Si 또는 NiSi2와 비교하여 NiSi가 더 양호한 컨택 저항 특성을 갖기 때문에, 약 50/50에 가까운 Si/Ni 조성물이 사용된다.
상기 설명은 본 발명의 특정 실시형태들을 상세히 설명한다. 그러나, 상기 문맥으로 상세히 설명될지라도, 본 발명은 많은 방법으로 구현될 수 있다는 것을 인식할 것이다. 본 발명의 특정 특징들 또는 양상들을 기술할 때 특정 기술용어의 사용이, 기술용어가 관련된 본 발명의 특징들 또는 양상들의 특정한 특성들을 포함하는 것을 제한하기 위해 기술용어가 여기서 재정의되는 것을 의미하는 것으로 고려되지 않아야 하는 것을 알아야 한다.
상기 상세한 설명이 다양한 실시형태들에 적용된 바에 따라, 본 발명의 고유한 특징들을 보여주고, 개시하며 나타내는 반면, 설명된 디바이스 또는 공정의 다양한 생략, 치환 및 형태와 세부사항의 변경은 본 발명의 사상으로부터 벗어남이 없이 기술분야의 당업자에게 이루어질 수 있다는 것으로 이해될 것이다.

Claims (16)

  1. 텍스쳐링된 실리콘 기판 표면 상에 금속 실리사이드 층을 형성하는 방법으로서, 상기 방법은:
    - 실리콘 기판의 텍스쳐링된 표면 상에 표면 패시베이션 층인 유전체 층을 제공하는 단계,
    - 패터닝된 금속 실리사이드 층이 형성될 필요가 있는 소정의 위치들에, 상기 유전체 층을 관통하여 개구부들을 형성하는 단계,
    - 적어도 상기 소정의 개구부들의 위치에서 상기 실리콘 기판 위에 금속 층을 제공하는 단계,
    - 상기 금속층의 적어도 일부를 금속 실리사이드 층으로 변환시키는 단계,
    를 포함하고,
    - 상기 변환시키는 단계는 0.3 J/cm2 내지 0.7 J/cm2의 범위의 레이저 플루언스를 갖고 1 ns 내지 10 ms의 범위의 레이저 펄스 지속시간을 갖는 적어도 하나의 UV 레이저 펄스를 제공하여 펄스 레이저 어닐링 단계를 수행하는 단계를 포함하는, 방법.
  2. 삭제
  3. 제1항에 있어서,
    상기 레이저 펄스 지속시간은 1 ns 내지 250 ns인, 방법.
  4. 제1항 또는 제3항에 있어서,
    상기 UV 레이저 펄스는 엑시머 레이저에 의해 제공되는, 방법.
  5. 제4항에 있어서,
    상기 UV 레이저 펄스는 308 nm의 파장을 갖는, 방법.
  6. 제1항 또는 제3항에 있어서,
    상기 펄스 레이저 어닐링은 최대 10 cm x 10 cm의 레이저 빔 스팟 크기를 갖는 UV 레이저를 사용하여 수행되는, 방법.
  7. 제1항 또는 제3항에 있어서,
    상기 금속 층의 두께는 20 nm 내지 100 nm의 범위에 있는, 방법.
  8. 제1항 또는 제3항에 있어서,
    상기 금속 층은 도금에 의해 제공되는, 방법.
  9. 제8항에 있어서,
    상기 금속 층은 광 유도 도금에 의해 제공되는, 방법.
  10. 삭제
  11. 삭제
  12. 제1항 또는 제3항에 있어서,
    상기 유전체 층을 관통하여 개구부들을 형성하는 단계는, 레이저 삭마에 의해 개구부들을 형성하는 단계를 포함하는, 방법.
  13. 제1항 또는 제3항에 있어서,
    상기 유전체 층을 제공하기 전에, 상기 텍스쳐링된 표면에 도핑된 영역을 제공하여 p-n 접합을 형성하는 단계를 더 포함하는, 방법.
  14. 제1항 또는 제3항에 있어서,
    (제2) 도금 단계를 수행하여, 상기 금속 실리사이드 층의 상에 또다른 금속 층을 형성하는 단계를 더 포함하는, 방법.
  15. 삭제
  16. 삭제
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Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20160090287A (ko) * 2013-09-27 2016-07-29 덴마크스 텍니스케 유니버시테트 나노구조의 실리콘계 태양 전지 및 나노구조의 실리콘계 태양 전지의 제조 방법
US9362427B2 (en) * 2013-12-20 2016-06-07 Sunpower Corporation Metallization of solar cells
KR102098123B1 (ko) * 2014-12-19 2020-04-08 커먼웰쓰 사이언티픽 앤 인더스트리알 리서치 오거니제이션 광전자 장치의 광활성 층을 형성하는 공정
CN106129183B (zh) * 2016-08-10 2017-10-27 江苏大学 一种提高砷化镓太阳能电池光电转换效率方法
ES2754148A1 (es) 2018-10-11 2020-04-15 Fund Cener Ciemat Celula solar fotovoltaica y procedimiento de fabricacion
CN110817881B (zh) * 2019-11-28 2021-06-29 中国科学院广州地球化学研究所 硅-过渡金属硅化物纳米复合材料及其制备方法与应用

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20090223549A1 (en) * 2008-03-10 2009-09-10 Calisolar, Inc. solar cell and fabrication method using crystalline silicon based on lower grade feedstock materials
JP2010074123A (ja) * 2008-09-19 2010-04-02 ▲ゆ▼晶能源科技股▲分▼有限公司 ソーラバッテリのパネル構造およびパネル電極の製造方法

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2007035333A1 (en) * 2005-09-16 2007-03-29 Cree, Inc. Methods of processing semiconductor wafers having silicon carbide power devices thereon
JP4698460B2 (ja) * 2006-03-27 2011-06-08 オムロンレーザーフロント株式会社 レーザアニーリング装置
DE102006050360B4 (de) * 2006-10-25 2014-05-15 Infineon Technologies Austria Ag Verfahren zum Erzeugen eines elektrischen Kontakts auf SiC
EP2141750B1 (en) * 2008-07-02 2013-10-16 Rohm and Haas Electronic Materials LLC Method of light induced plating on semiconductors
US20100075499A1 (en) * 2008-09-19 2010-03-25 Olsen Christopher S Method and apparatus for metal silicide formation
EP2239084A1 (en) 2009-04-07 2010-10-13 Excico France Method of and apparatus for irradiating a semiconductor material surface by laser energy
KR20100116833A (ko) * 2009-04-23 2010-11-02 주식회사 티지솔라 금속 실리사이드층을 구비하는 태양전지 및 그 제조방법
JP5631113B2 (ja) * 2009-08-25 2014-11-26 ローム・アンド・ハース・エレクトロニック・マテリアルズ，エル．エル．シー． ケイ化ニッケルの向上した形成方法
US8426236B2 (en) * 2010-05-07 2013-04-23 International Business Machines Corporation Method and structure of photovoltaic grid stacks by solution based processes
US8492899B2 (en) * 2010-10-14 2013-07-23 International Business Machines Corporation Method to electrodeposit nickel on silicon for forming controllable nickel silicide
US8618582B2 (en) * 2011-09-11 2013-12-31 Cree, Inc. Edge termination structure employing recesses for edge termination elements
KR20140072957A (ko) * 2012-12-05 2014-06-16 현대중공업 주식회사 태양전지의 제조방법

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20090223549A1 (en) * 2008-03-10 2009-09-10 Calisolar, Inc. solar cell and fabrication method using crystalline silicon based on lower grade feedstock materials
JP2010074123A (ja) * 2008-09-19 2010-04-02 ▲ゆ▼晶能源科技股▲分▼有限公司 ソーラバッテリのパネル構造およびパネル電極の製造方法

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