KR101951040B1 - Inverter IGBT gate driving apparatus - Google Patents

Inverter IGBT gate driving apparatus Download PDF

Info

Publication number
KR101951040B1
KR101951040B1 KR1020110121560A KR20110121560A KR101951040B1 KR 101951040 B1 KR101951040 B1 KR 101951040B1 KR 1020110121560 A KR1020110121560 A KR 1020110121560A KR 20110121560 A KR20110121560 A KR 20110121560A KR 101951040 B1 KR101951040 B1 KR 101951040B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
igbt
gate
gate drive
control signal
pwm control
Prior art date
Application number
KR1020110121560A
Other languages
Korean (ko)
Other versions
KR20130055892A (en
Inventor
이원경
Original Assignee
현대모비스 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 현대모비스 주식회사 filed Critical 현대모비스 주식회사
Priority to KR1020110121560A priority Critical patent/KR101951040B1/en
Priority to CN201210289821.2A priority patent/CN103138540B/en
Publication of KR20130055892A publication Critical patent/KR20130055892A/en
Application granted granted Critical
Publication of KR101951040B1 publication Critical patent/KR101951040B1/en

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
    • H02H—EMERGENCY PROTECTIVE CIRCUIT ARRANGEMENTS
    • H02H5/00—Emergency protective circuit arrangements for automatic disconnection directly responsive to an undesired change from normal non-electric working conditions with or without subsequent reconnection
    • H02H5/04—Emergency protective circuit arrangements for automatic disconnection directly responsive to an undesired change from normal non-electric working conditions with or without subsequent reconnection responsive to abnormal temperature
    • H02H5/041—Emergency protective circuit arrangements for automatic disconnection directly responsive to an undesired change from normal non-electric working conditions with or without subsequent reconnection responsive to abnormal temperature additionally responsive to excess current
    • H—ELECTRICITY
    • H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
    • H02H—EMERGENCY PROTECTIVE CIRCUIT ARRANGEMENTS
    • H02H5/00—Emergency protective circuit arrangements for automatic disconnection directly responsive to an undesired change from normal non-electric working conditions with or without subsequent reconnection
    • H02H5/04—Emergency protective circuit arrangements for automatic disconnection directly responsive to an undesired change from normal non-electric working conditions with or without subsequent reconnection responsive to abnormal temperature
    • H02H5/042—Emergency protective circuit arrangements for automatic disconnection directly responsive to an undesired change from normal non-electric working conditions with or without subsequent reconnection responsive to abnormal temperature using temperature dependent resistors
    • H—ELECTRICITY
    • H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
    • H02H—EMERGENCY PROTECTIVE CIRCUIT ARRANGEMENTS
    • H02H7/00—Emergency protective circuit arrangements specially adapted for specific types of electric machines or apparatus or for sectionalised protection of cable or line systems, and effecting automatic switching in the event of an undesired change from normal working conditions
    • H02H7/10—Emergency protective circuit arrangements specially adapted for specific types of electric machines or apparatus or for sectionalised protection of cable or line systems, and effecting automatic switching in the event of an undesired change from normal working conditions for converters; for rectifiers
    • H02H7/12—Emergency protective circuit arrangements specially adapted for specific types of electric machines or apparatus or for sectionalised protection of cable or line systems, and effecting automatic switching in the event of an undesired change from normal working conditions for converters; for rectifiers for static converters or rectifiers
    • H02H7/122—Emergency protective circuit arrangements specially adapted for specific types of electric machines or apparatus or for sectionalised protection of cable or line systems, and effecting automatic switching in the event of an undesired change from normal working conditions for converters; for rectifiers for static converters or rectifiers for inverters, i.e. dc/ac converters

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Inverter Devices (AREA)
  • Power Conversion In General (AREA)

Abstract

본 발명은 인버터 IGBT 게이트구동장치에 관한 것으로, 본 발명은 구동모터를 구동하기 위한 복수 개의 IGBT 소자와, 상기 IGBT 소자의 Vce 포화전압을 모니터링하기 위해 상기 IGBT 소자에 연결되는 연결회로를 구비하는 IGBT 모듈; 및 마이컴의 제어에 의해 상기 IGBT 소자의 게이트를 구동하기 위한 PWM제어신호를 생성하여 상기 IGBT 모듈로 출력하는 게이트드라이브 IC; 및 상기 연결회로와 상기 게이트드라이브 IC의 DESAT 핀 사이에 직렬로 연결되고, 상기 IGBT 모듈의 내부에 배치되는 PTC서미스터;를 포함하고, 상기 게이트드라이브 IC는 상기 DESAT핀을 통해 모니터링된 전압이 사전에 정해진 임계전압값에 도달된 경우, 상기 PWM제어신호를 차단하는 보호회로를 구비하는 것을 특징으로 한다. 이에 의해, 본 발명은 Vce 포화전압이 증가한 경우뿐만 아니라 IGBT 모듈 내부에 과온도 상태가 발생한 경우 게이트드라이버 IC단계에서 마이컴의 개입없이 신속하게 PWM제어신호를 차단하여 IGBT 모듈의 파손을 사전에 방지함으로써 전체적인 인버터의 성능을 향상할 수 있다. The present invention relates to an inverter IGBT gate driving apparatus, and in particular, to an inverter IGBT gate driving apparatus which includes a plurality of IGBT elements for driving a driving motor and a connection circuit connected to the IGBT element for monitoring a Vce saturation voltage of the IGBT element. module; And a gate drive IC for generating a PWM control signal for driving the gate of the IGBT element under the control of the microcomputer and outputting the PWM control signal to the IGBT module; And a PTC thermistor connected in series between the connection circuit and the DESAT pin of the gate drive IC, the PTC thermistor being disposed inside the IGBT module, wherein the gate drive IC controls the voltage monitored via the DESAT pin in advance And a protection circuit for interrupting the PWM control signal when a predetermined threshold voltage value is reached. Accordingly, in the present invention, not only when the Vce saturation voltage is increased but also when an overtemperature condition occurs in the IGBT module, the PWM control signal is quickly blocked without the intervention of the microcomputer in the gate driver IC stage to prevent the breakdown of the IGBT module The overall inverter performance can be improved.

Description

인버터 ＩＧＢＴ 게이트구동장치{Inverter IGBT gate driving apparatus}Inverter IGBT gate driving apparatus [0001]

본 발명은 인버터 IGBT 게이트구동장치에 관한 것으로, 구체적으로 과전류 보호회로 및 과온도 보호회로를 구비한 인버터 IGBT 게이트구동장치에 관한 것이다.The present invention relates to an inverter IGBT gate drive apparatus, and more particularly to an inverter IGBT gate drive apparatus including an overcurrent protection circuit and an over-temperature protection circuit.

종래 상용 HEV 버스 또는 전기 자동차에 쓰이는 인버터 IGBT 게이트 구동회로는 전력 반도체 부품인 대용량 IGBT를 구동시키기 위한 구동회로 및 과전류 발생 시 구동을 즉시 멈추게 하는 보호회로, 과온도 보호회로 등이 장착되어 있다.Inverter IGBT gate drive circuits used in conventional commercial HEV buses or electric vehicles are equipped with drive circuits for driving large capacity IGBTs, which are power semiconductor components, and protection circuits and overheat protection circuits that immediately stop driving when overcurrents occur.

종래 인버터 IGBT 게이트구동장치의 대표적인 보호회로로는 게이트 전압레벨이 12V이하로 낮아지면 동작하는 Under Voltage Lock Out과 과전류 또는 IGBT 윗상과 아래상 단락(arm short) 발생 시 IGBT의 Saturation 전압을 검출하여 보호하는 Desat 보호회로가 있다. 대부분의 게이트드라이버 IC에 이러한 기능들이 포함되어 있다.Typical protection circuit of inverter IGBT gate drive device is to detect Under Voltage Lock Out when the gate voltage level drops below 12V and to detect the saturation voltage of IGBT in case of over current or IGBT upper and lower arm short. There is a Desat protection circuit. Most gate driver ICs include these features.

즉 종래 인버터 IGBT 게이트구동장치는 단락이나 과전류 발생 시 H/W상에서 게이트드라이브 IC의 Desat 핀에서 IGBT의 Vce 포화전압을 모니터링하여 IC 자체에서 PWM을 차단함으로써 신속하게 인버터를 보호 할 수 있다.In other words, the conventional inverter IGBT gate drive device monitors the Vce saturation voltage of the IGBT from the Desat pin of the gate drive IC on the H / W in case of short circuit or overcurrent, so that the inverter can be protected quickly by blocking the PWM from the IC itself.

그리고 종래 인버터 IGBT 게이트구동장치의 IGBT 모듈 내부에 NTC를 부착하여 과온도 시 NTC 저항을 모니터링해서 마이컴에서 PWM을 차단하는 과온도 보호회로를 구비한다.And an over-temperature protection circuit for isolating the PWM from the microcomputer by monitoring an NTC resistance at an over-temperature by attaching an NTC inside an IGBT module of a conventional inverter IGBT gate drive apparatus.

그러나, 종래 인버터 IGBT 게이트구동장치는 IGBT 모듈내의 온도를 NTC가 센싱하고 마이컴이 이를 모니터링하여 과온 상태가 되면 게이트드라이버 IC를 제어하여 PWM을 차단하기 때문에 신속한 처리가 어려워 과온도 보호회로가 동작하기 전에 인버터가 파손되거나 기준온도를 낮추어 과온도 보호회로를 설계할 수밖에 없는 한계를 가지고 있다. However, since the conventional inverter IGBT gate driving apparatus senses the temperature of the IGBT module by the NTC and the microcomputer monitors the temperature of the IGBT module, the PWM is shut off by controlling the gate driver IC when it is in an overtemperature state. The inverter has to be broken or the reference temperature is lowered to design the over-temperature protection circuit.

KR 10-2010-0051183 A, 2010. 05. 17, 도면 1KR 10-2010-0051183 A, 2010. 05. 17, drawing 1

본 발명의 목적은 IGBT 모듈 내에서 과온도 상태가 발생한 경우 게이트드라이버 IC단계에서 마이컴의 개입없이 신속하게 PWM을 차단할 수 있는 인버터 IGBT 게이트구동장치를 제공하는 것이다.It is an object of the present invention to provide an inverter IGBT gate driving device capable of quickly shutting off PWM without intervention of a microcomputer in a gate driver IC stage when an overtemperature condition occurs in the IGBT module.

상기 목적을 달성하기 위한 본 발명은 인버터 IGBT 게이트구동장치에 관한 것으로, 본 인버터 IGBT 게이트구동장치는 구동모터를 구동하기 위한 복수 개의 IGBT 소자와, 상기 IGBT 소자의 Vce 포화전압을 모니터링하기 위해 상기 IGBT 소자에 연결되는 연결회로를 구비하는 IGBT 모듈; 및 마이컴의 제어에 의해 상기 IGBT 소자의 게이트를 구동하기 위한 PWM제어신호를 생성하여 상기 IGBT 모듈로 출력하는 게이트드라이브 IC; 및 상기 연결회로와 상기 게이트드라이브 IC의 DESAT 핀 사이에 직렬로 연결되고, 상기 IGBT 모듈의 내부에 배치되는 PTC서미스터;를 포함하고, 상기 게이트드라이브 IC는 상기 DESAT핀을 통해 모니터링된 전압이 사전에 정해진 임계전압값에 도달된 경우, 상기 PWM제어신호를 차단하는 보호회로를 구비하는 것을 특징으로 한다.According to an aspect of the present invention, there is provided an inverter IGBT gate driving apparatus including: a plurality of IGBT elements for driving a driving motor; a plurality of IGBTs for monitoring a Vce saturation voltage of the IGBT elements; An IGBT module having a connection circuit connected to the device; And a gate drive IC for generating a PWM control signal for driving the gate of the IGBT element under the control of the microcomputer and outputting the PWM control signal to the IGBT module; And a PTC thermistor connected in series between the connection circuit and the DESAT pin of the gate drive IC and disposed inside the IGBT module, wherein the gate drive IC controls the voltage monitored through the DESAT pin to be pre- And a protection circuit for interrupting the PWM control signal when a predetermined threshold voltage value is reached.

상기 게이트드라이브 IC는 내부에 전류원을 더 구비하고, 상기 모니터링된 전압은 상기 DESAT핀을 통해 상기 전류원이 상기 연결라인에 연결되는 루프를 통해 감지될 수 있다.The gate drive IC further includes a current source therein, and the monitored voltage can be sensed through a loop in which the current source is connected to the connection line via the DESAT pin.

상기 모니터링된 전압은 상기 PTC서미스터의 저항의 증가 또는 상기 IGBT 소자의 Vce 포화전압의 증가에 비례하여 증가될 수 있다.The monitored voltage may be increased in proportion to an increase in the resistance of the PTC thermistor or an increase in the Vce saturation voltage of the IGBT element.

상기 게이트드라이브 IC는 상기 상기 DESAT핀을 통해 모니터링된 전압이 상기 임계전압값에 도달된 경우, 폴트신호를 생성하여 상기 마이컴에 출력될 수 있다.The gate drive IC may generate a fault signal and output to the microcomputer when the voltage monitored through the DESAT pin reaches the threshold voltage value.

상기 PTC서미스터는 상기 연결회로 중 저항과 다이오드의 사이에 직렬로 연결되고, 상기 저항을 통해 상기 DESAT핀에 연결되고 상기 다이오드를 통해 상기 IGBT 소자에 연결될 수 있다.The PTC thermistor may be connected in series between the resistor and the diode of the connection circuit and connected to the DESAT pin through the resistor and to the IGBT element through the diode.

이와 같이 본 발명은 Vce 포화전압이 증가한 경우뿐만 아니라 IGBT 모듈 내부에 과온도 상태가 발생한 경우 게이트드라이버 IC단계에서 마이컴의 개입없이 신속하게 PWM제어신호를 차단하여 IGBT 모듈의 파손을 사전에 방지함으로써 전체적인 인버터의 성능을 향상할 수 있다. As described above, according to the present invention, not only when the Vce saturation voltage is increased but also when an overtemperature condition occurs in the IGBT module, the PWM control signal is quickly blocked without intervention of the microcomputer in the gate driver IC stage, The performance of the inverter can be improved.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 인버터 IGBT 게이트구동장치의 블록도이다.1 is a block diagram of an inverter IGBT gate driving apparatus according to an embodiment of the present invention.

이하 첨부된 도면들을 참조하여 본 발명의 일 실시예에 따른 인버터 IGBT 게이트구동장치에 대하여 설명한다.Hereinafter, an inverter IGBT gate driving apparatus according to an embodiment of the present invention will be described with reference to the accompanying drawings.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 인버터 IGBT 게이트구동장치의 블록도이다. 도 1을 참조하면, 본 실시예에 따른 인버터 IGBT 게이트구동장치(1)는 IGBT 모듈(20), PTC서미스터(20), 게이트드라이브 IC(30)로 이루어 질 수 있다.1 is a block diagram of an inverter IGBT gate driving apparatus according to an embodiment of the present invention. 1, an inverter IGBT gate driving apparatus 1 according to the present embodiment may include an IGBT module 20, a PTC thermistor 20, and a gate drive IC 30. Referring to FIG.

IGBT 모듈(20)은 구동모터를 구동하기 위한 복수 개의 IGBT 소자(12)와 IGBT 소자(12)의 Vce 포화전압을 모니터링하기 위해 IGBT 소자(12)에 연결되는 연결회로(40)를 구비한다. IGBT 모듈(20)은 IGBT 소자(12)에 의해 3상(U,V,W)의 구동신호를 생성하여 구동모터를 구동할 수 있다.The IGBT module 20 includes a plurality of IGBT elements 12 for driving a drive motor and a connection circuit 40 connected to the IGBT element 12 for monitoring the Vce saturation voltage of the IGBT element 12. [ The IGBT module 20 can generate drive signals of three phases (U, V, W) by the IGBT element 12 to drive the drive motor.

PTC서미스터(20)는 도 1에 도시된 바와 같이 IGBT 모듈(20)의 내부에 배치되어, IGBT 모듈(20)의 온도 변화에 대응하여 저항값이 변화됨으로써 종래 인버터 IGBT 게이트구동장치의 NTC서미스터가 수행하던 IGBT 모듈(20) 내부의 온도 감지를 수행할 수 있다.1, the PTC thermistor 20 is disposed inside the IGBT module 20, and the resistance value is changed corresponding to the temperature change of the IGBT module 20, so that the NTC thermistor of the conventional inverter IGBT gate driving device The temperature sensing in the IGBT module 20 can be performed.

또한 PTC서미스터(20)는 연결회로(40)와 게이트드라이브 IC(30)의 DESAT 핀 사이에 직렬로 연결된다. 예를 들면, PTC서미스터(20)는 도 1에 도시된 바와 연결회로(40) 중 저항(R)과 다이오드(D)의 사이에 직렬로 연결될 수 있다.The PTC thermistor 20 is also connected in series between the connection circuit 40 and the DESAT pin of the gate drive IC 30. For example, the PTC thermistor 20 may be connected in series between the resistor R and the diode D of the connection circuit 40 as shown in Fig.

이에 의해, PTC서미스터(20)는 IGBT 모듈(20)의 내부 온도가 상승함에 따라 저항값이 상승되어, 후술하는 게이트드라이브 IC(30)의 DESAT핀을 통해 모니터링되는 전압을 상승시킬 수 있다.Accordingly, the resistance value of the PTC thermistor 20 increases as the internal temperature of the IGBT module 20 rises, and the voltage monitored through the DESAT pin of the gate drive IC 30 described later can be raised.

이와 같이 PTC서미스터(20)는 과온 시 상승되는 저항에 의해 게이트드라이브 IC(30)가 IGBT 모듈(20)의 과온시 PWM제어신호를 차단하는 데 이용될 수 있다.In this manner, the PTC thermistor 20 can be used for the gate drive IC 30 to block the PWM control signal when the IGBT module 20 overheats due to the resistance that rises when the temperature rises.

게이트드라이브 IC(30)는 DESAT핀을 통해 모니터링된 전압이 사전에 정해진 임계전압값에 도달된 경우, PWM제어신호를 차단하는 보호회로(32)를 구비할 수 있다.The gate drive IC 30 may include a protection circuit 32 that interrupts the PWM control signal when the monitored voltage through the DESAT pin reaches a predetermined threshold voltage value.

또한 게이트드라이브 IC(30)는 내부에 전류원(34)을 더 구비하고, DESAT핀을 통해 모니터링되는 전압은, 상기 DESAT핀을 통해 전류원(34)이 연결회로(40)에 연결되어 형성된 루프를 통해 감지될 수 있다.The gate drive IC 30 further includes a current source 34 internally and the voltage monitored through the DESAT pin is connected to the current source 34 through the loop formed by the current source 34 connected to the connection circuit 40 via the DESAT pin Can be detected.

따라서 이와 같이 모니터링된 전압은 PTC서미스터(20)의 저항의 증가 또는 IGBT 소자(12)의 Vce 포화전압의 증가에 비례하여 증가될 수 있다.Thus, the voltage thus monitored can be increased in proportion to an increase in the resistance of the PTC thermistor 20 or an increase in the Vce saturation voltage of the IGBT element 12. [

예를 들면, IGBT 모듈(20)의 내부온도가 올라가거나, IGBT 소자(12)의 Vce 포화전압이 증가하여, 게이트드라이브 IC(30)에 의해 모니터링된 전압이 임계전압값에 도달한 경우 보호회로(32)는 PWM제어신호를 차단한다.For example, when the internal temperature of the IGBT module 20 rises or the Vce saturation voltage of the IGBT element 12 increases, and the voltage monitored by the gate drive IC 30 reaches the threshold voltage value, (32) blocks the PWM control signal.

이와 같이 본 실시예에 따른 인버터 IGBT 게이트구동장치(1)는 Vce 포화전압이 증가한 경우뿐만 아니라 IGBT 모듈 내부에 과온도 상태가 발생한 경우 게이트드라이버 IC단계에서 마이컴의 개입없이 신속하게 PWM제어신호를 차단하여 IGBT 모듈의 파손을 사전에 방지함으로써 전체적인 인버터의 성능을 향상할 수 있다. As described above, the inverter IGBT gate driving apparatus 1 according to the present embodiment can prevent the PWM control signal from being interrupted without intervention of the microcomputer in the gate driver IC stage when an overtemperature condition occurs in the IGBT module as well as when the Vce saturation voltage is increased Thereby preventing the IGBT module from being damaged. Thus, the overall inverter performance can be improved.

1: 인버터 IGBT 게이트구동장치
10: IGBT모듈
12: IGBT소자
20: PTC서미스터
30: 게이트 구동드라이브 IC
32: 보호회로
34: 전류원
40: 연결회로1: Inverter IGBT gate drive device
10: IGBT module
12: IGBT element
20: PTC thermistor
30: Gate drive drive IC
32: Protection circuit
34: Current source
40: Connection circuit

Claims (5)

구동모터를 구동하기 위한 복수 개의 IGBT 소자와, 상기 IGBT 소자의 Vce 포화전압을 모니터링하기 위해 상기 IGBT 소자에 연결되는 연결회로를 구비하는 IGBT 모듈; 및
마이컴의 제어에 의해 상기 IGBT 소자의 게이트를 구동하기 위한 PWM제어신호를 생성하여 상기 IGBT 모듈로 출력하는 게이트드라이브 IC; 및
상기 연결회로와 상기 게이트드라이브 IC의 DESAT 핀 사이에 직렬로 연결되고, 상기 IGBT 모듈의 내부에 배치되는 PTC서미스터;를 포함하고,
상기 게이트드라이브 IC는 상기 DESAT핀을 통해 모니터링된 전압이 사전에 정해진 임계전압값에 도달된 경우, 상기 PWM제어신호를 차단하는 보호회로를 구비하며,
상기 PTC서미스터는 상기 연결회로 중 저항과 다이오드의 사이에 직렬로 연결되고, 상기 저항을 통해 상기 DESAT핀에 연결되고 상기 다이오드를 통해 상기 IGBT 소자에 연결되는 것을 특징으로 하는 인버터 IGBT 게이트구동장치.An IGBT module having a plurality of IGBT elements for driving a driving motor and a connection circuit connected to the IGBT element for monitoring a Vce saturation voltage of the IGBT element; And
A gate drive IC for generating a PWM control signal for driving the gate of the IGBT element under the control of the microcomputer and outputting the PWM control signal to the IGBT module; And
And a PTC thermistor connected in series between the connection circuit and the DESAT pin of the gate drive IC and disposed inside the IGBT module,
The gate drive IC having a protection circuit for blocking the PWM control signal when the monitored voltage through the DESAT pin reaches a predetermined threshold voltage value,
Wherein the PTC thermistor is connected in series between the resistor and the diode of the connection circuit and is connected to the DESAT pin through the resistor and to the IGBT element through the diode. 제1항에 있어서,
상기 게이트드라이브 IC는 내부에 전류원을 더 구비하고, 상기 모니터링된 전압은 상기 DESAT핀을 통해 상기 전류원이 상기 연결회로에 연결되는 루프를 통해 감지되는 것을 특징으로 하는 인버터 IGBT 게이트구동장치.The method according to claim 1,
Wherein the gate drive IC further comprises a current source therein and wherein the monitored voltage is sensed through a loop through which the current source is connected to the connection circuit via the DESAT pin. 제1항에 있어서,
상기 모니터링된 전압은 상기 PTC서미스터의 저항의 증가 또는 상기 IGBT 소자의 Vce 포화전압의 증가에 비례하여 증가되는 것을 특징으로 하는 인버터 IGBT 게이트구동장치.The method according to claim 1,
Wherein the monitored voltage is increased in proportion to an increase in resistance of the PTC thermistor or an increase in Vce saturation voltage of the IGBT element. 제1항에 있어서,
상기 게이트드라이브 IC는 상기 상기 DESAT핀을 통해 모니터링된 전압이 상기 임계전압값에 도달된 경우, 폴트신호를 생성하여 상기 마이컴에 출력하는 것을 특징으로 하는 인버터 IGBT 게이트구동장치.The method according to claim 1,
Wherein the gate drive IC generates a fault signal and outputs the fault signal to the microcomputer when a voltage monitored through the DESAT pin reaches the threshold voltage value. 삭제delete
KR1020110121560A 2011-11-21 2011-11-21 Inverter IGBT gate driving apparatus KR101951040B1 (en)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020110121560A KR101951040B1 (en) 2011-11-21 2011-11-21 Inverter IGBT gate driving apparatus
CN201210289821.2A CN103138540B (en) 2011-11-21 2012-08-15 Converter IGBT gate driving means

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020110121560A KR101951040B1 (en) 2011-11-21 2011-11-21 Inverter IGBT gate driving apparatus

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20130055892A KR20130055892A (en) 2013-05-29
KR101951040B1 true KR101951040B1 (en) 2019-02-21

Family

ID=48497968

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020110121560A KR101951040B1 (en) 2011-11-21 2011-11-21 Inverter IGBT gate driving apparatus

Country Status (2)

Country Link
KR (1) KR101951040B1 (en)
CN (1) CN103138540B (en)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20210039129A (en) 2019-10-01 2021-04-09 한국전기연구원 Transistor overcurrent protecting circuit

Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN108205074B (en) * 2016-12-16 2020-07-10 上海新微技术研发中心有限公司 Saturation voltage measuring circuit and method based on IGBT module
KR101864622B1 (en) * 2016-12-22 2018-06-07 엘지전자 주식회사 Circuit for driving switching modules
KR102273830B1 (en) 2019-04-18 2021-07-07 현대로템 주식회사 Determination of motor restraint using IGBT temperature measuring device
CN110445100B (en) * 2019-07-22 2024-07-19 江苏云意电气股份有限公司 IGBT desaturation protection and drive power supply undervoltage protection circuit
KR102343296B1 (en) 2019-11-28 2021-12-24 현대모비스 주식회사 Motor drive system with correction function of temperature deviation of igbt module
KR20220036167A (en) 2020-09-15 2022-03-22 한국전자기술연구원 Wide band gap power semiconductor protection circuit

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001008492A (en) * 1999-04-30 2001-01-12 Internatl Rectifier Corp Motor controller with failure protecting circuit

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN200994104Y (en) * 2006-12-20 2007-12-19 谢步明 Modularized power unit IGBT driver
JP2008218681A (en) * 2007-03-05 2008-09-18 Toyota Motor Corp Semiconductor device
KR100949763B1 (en) * 2007-12-14 2010-03-25 현대로템 주식회사 Protect circuit for igbt overcurrent of train
CN201146457Y (en) * 2008-01-22 2008-11-05 北京机械工业自动化研究所 Special thick film circuit for drive and control of IPM power switch device
KR20100051183A (en) 2008-11-07 2010-05-17 현대자동차주식회사 Inveter system for emergency driving of vehicle and method for converting voltage modulation of inverter
JP5487746B2 (en) * 2009-06-15 2014-05-07 富士電機株式会社 IGBT overcurrent protection circuit with reverse breakdown voltage
CN201629564U (en) * 2010-02-10 2010-11-10 北京中纺锐力机电有限公司 Over-temperature protection circuit of insulated gate bipolar transistor (IGBT) module

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001008492A (en) * 1999-04-30 2001-01-12 Internatl Rectifier Corp Motor controller with failure protecting circuit

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20210039129A (en) 2019-10-01 2021-04-09 한국전기연구원 Transistor overcurrent protecting circuit

Also Published As

Publication number Publication date
CN103138540A (en) 2013-06-05
CN103138540B (en) 2016-12-21
KR20130055892A (en) 2013-05-29

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101951040B1 (en) Inverter IGBT gate driving apparatus
KR101639488B1 (en) Gate driver circuit and method for preventing arm short
US20140077782A1 (en) Semiconductor device including short-circuit protection
JP2010154595A (en) Power conversion device
JP5377756B2 (en) Short circuit protection method
JP2011078228A (en) Overcurrent protection circuit
US10218169B2 (en) Overheat protection unit
CN104247190A (en) Switching circuit protector
JP3820167B2 (en) Semiconductor switching device
JP4862527B2 (en) Semiconductor device
JP3964833B2 (en) Intelligent power device and load short circuit protection method thereof
JP2009165285A (en) Semiconductor device
JP6414440B2 (en) Driving device for switching element
JP6394036B2 (en) Driving device for power semiconductor element
JP2004129378A (en) Gate drive circuit for power semiconductor device
JP2007336665A (en) Gate driving device and power conversion device equipped with it
JP2011066989A (en) Power conversion device
JP6261615B2 (en) Protection device for a semiconductor switch and method for operating a protection device for a semiconductor switch
CN110166032B (en) Short circuit protection for gate driver using pulsed operation
KR102056156B1 (en) Inverter Protecting Method of Electric Vehicle
TWI426688B (en) Inverter device
KR101887906B1 (en) An apparatus and a method for sensing temperature of power device module
JP5765056B2 (en) Motor control device and motor
JP2016111836A (en) Electric power conversion system
JP5974989B2 (en) Method and apparatus for switching control of power MOSFET

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right