KR101950871B1 - 광학 부재, 발광장치 및 표시장치 - Google Patents

광학 부재, 발광장치 및 표시장치 Download PDF

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Abstract

광학 부재, 발광장치 및 표시장치가 개시된다. 광학 부재는 호스트층; 상기 호스트층 내에 배치되는 복수의 광 변환 입자들; 및 상기 호스트층 내에 배치되는 복수의 배리어 입자들을 포함하고, 상기 배리어 입자들은 실리콘계 수지를 포함한다.

Description

광학 부재, 발광장치 및 표시장치{OPTICAL MEMBER, LIGHT EMITTING DEVICE AND DISPLAY DEVICE}
실시예는 광학 부재, 이를 포함하는 발광장치 및 이를 포함하는 표시장치에 관한 것이다.
최근 종래의 CRT를 대신하여 액정표시장치(LCD), PDP(plasma display panel), OLED(organic light emitting diode) 등의 평판표시장치가 많이 개발되고 있다.
이 중 액정표시장치는 박막트랜지스터 기판, 컬러필터 기판 그리고 양 기판 사이에 액정이 주입되어 있는 액정표시패널을 포함한다. 액정표시패널은 비발광소자이기 때문에 박막트랜지스터 기판의 하면에는 빛을 공급하기 위한 백라이트 유닛이 위치한다. 백라이트 유닛에서 조사된 빛은 액정의 배열상태에 따라 투과량이 조정된다.
백라이트 유닛은 광원의 위치에 따라 에지형과 직하형으로 구분된다. 에지형은 도광판의 측면에 광원이 설치되는 구조이다.
직하형은 액정표시장치의 크기가 대형화되면서 중점적으로 개발된 구조로서, 액정표시패널의 하부면에 하나 이상의 광원을 배치시켜 액정표시패널에 전면적으로 빛을 공급하는 구조이다.
이러한 직하형 백라이트 유닛은 에지형 백라이트 유닛에 비해 많은 수의 광원을 이용할 수 있어 높은 휘도를 확보할 수 있는 장점이 있는 반면, 휘도의 균일성을 확보하기 위하여 에지형에 비하여 두께가 두꺼워지는 단점이 있다.
이를 극복하기 위해, 백라이트 유닛을 구성하는 청색 광을 발진하는 블루 LED의 전방에 청색 광을 받으면 적색파장 또는 녹색파장으로 변환되는 다수의 양자점이 분산된 양자점바를 구비시켜, 상기 양자점바에 청색 광을 조사함으로써, 양자점바에 분산된 다수의 양자점들에 의해 청색광, 적색 광 및 녹색 광이 혼합된 광이 도광판으로 입사되어 백색광을 제공한다.
이때, 상기 양자점바를 이용하여 도광판에 백색광을 제공할 경우 고색재현을 구현할 수 있다.
상기 백라이트 유닛은 청색 광을 발진하는 블루 LED의 일측에 LED와 신호를 전달하고, 전원공급하기 위한 FPCB(Flexible Printed Circuits Board)가 구비되며, FPCB의 하면에는 접착부재가 더 구비될 수 있다.
이와 같이, 블루 LED로부터 발진하는 광이 누출되면 양자점바를 통해 도광판에 제공되는 백색광을 사용하여 다양한 형태로 영상을 표시하는 표시장치가 널리 사용되고 있다.
또한, 블루 LED 및 양자점을 사용하여, 백색광을 발생시키는 발광장치 등이 널리 사용되고 있다. 특히, 이와 같은 발광장치는 자동차 헤드라이트 또는 실내 조명 등에도 사용되고 있다.
이와 같은 양자점이 적용된 표시장치에 관하여, 한국 특허 공개 공보 10-2011-0068110 등에 개시되어 있다.
실시예는 향상된 신뢰성, 색재현성 및 휘도를 가지는 광학 부재, 발광장치 및 표시장치를 제공하고자 한다.
일 실시예에 따른 광학 부재는 호스트층; 상기 호스트층 내에 배치되는 복수의 광 변환 입자들; 및 상기 호스트층 내에 배치되는 복수의 배리어 입자들을 포함하고, 상기 배리어 입자들은 실리콘계 수지를 포함한다.
일 실시예에 따른 발광장치는 광원; 및 상기 광원으로부터의 광이 입사되는 광 변환 부재를 포함하고, 상기 광 변환 부재 호스트층; 상기 호스트층 내에 배치되는 복수의 광 변환 입자들; 및 상기 호스트층 내에 배치되는 복수의 배리어 입자들을 포함하고, 상기 배리어 입자들은 실리콘계 수지를 포함한다.
일 실시예에 따른 표시장치는 광원; 상기 광원으로부터의 광이 입사되는 광 변환 부재; 및 상기 광 변환 부재로부터의 광이 입사되는 표시패널을 포함하고, 상기 광 변환 부재 호스트층; 상기 호스트층 내에 배치되는 복수의 광 변환 입자들; 및 상기 호스트층 내에 배치되는 복수의 배리어 입자들을 포함하고, 상기 배리어 입자들은 실리콘계 수지를 포함한다.
실시예는 실리콘계 수지를 포함하는 배리어 입자들을 포함한다. 상기 배리어 입자는 폴리실세스퀴옥세인 등과 같은 실리콘계 수지를 포함할 수 있다. 이에 따라서, 상기 배리어 입자는 상기 호스트층에 향상된 배리어 특성을 부여할 수 있다.
따라서, 상기 광 변환 입자들은 상기 배리어 입자들에 의해서, 외부의 산소 및/또는 습기 등으로부터 효과적으로 보호될 수 있다. 따라서, 실시예에 따른 향상된 신뢰성 및 내구성을 가질 수 있다.
또한, 상기 배리어 입자들은 입사되는 광의 경로를 다양한 방향으로 변경시킬 수 있다. 즉, 상기 배리어 입자들은 광 경로 변경 기능을 수행할 수 있다. 이에 따라서, 상기 배리어 입자들은 상기 호스트층 내의 광의 경로를 증가시킬 수 있다.
따라서, 상기 배리어 입자들에 의해서, 상기 광 변환 입자들은 효과적으로 입사광을 변환시킬 수 있다. 따라서, 실시예에 따른 광학 부재, 발광장치 및 표시장치는 향상된 휘도 및 색재현성을 가질 수 있다.
도 1은 제 1 실시예에 따른 액정표시장치를 도시한 분해 사시도이다.
도 2는 광 변환 부재를 도시한 사시도이다.
도 3은 도 2에서 A-A`를 따라서 절단한 단면을 도시한 단면도이다.
도 4는 제 2 실시예에 따른 액정표시장치를 도시한 분해사시도이다.
도 5는 제 2 실시예에 따른 광 변환 부재를 도시한 사시도이다.
도 6은 도 5에서 B-B`를 따라서 절단한 단면을 도시한 단면도이다.
도 7은 제 2 실시예에 따른 도광판, 발광다이오드 및 광 변환 부재의 단면을 도시한 단면도이다.
도 8은 제 3 실시예에 따른 액정표시장치를 도시한 분해사시도이다.
도 9는 제 3 실시예에 따른 광 변환 부재를 도시한 사시도이다.
도 10은 도 9에서 C-C`를 따라서 절단한 단면을 도시한 단면도이다.
도 11은 제 3 실시예에 따른 도광판, 발광다이오드 및 광 변환 부재를 도시한 단면도이다.
실시 예의 설명에 있어서, 각 기판, 프레임, 시트, 층 또는 패턴 등이 각 기판, 프레임, 시트, 층 또는 패턴 등의 "상(on)"에 또는 "아래(under)"에 형성되는 것으로 기재되는 경우에 있어, "상(on)"과 "아래(under)"는 "직접(directly)" 또는 "다른 구성요소를 개재하여 (indirectly)" 형성되는 것을 모두 포함한다. 또한 각 구성요소의 상 또는 아래에 대한 기준은 도면을 기준으로 설명한다. 도면에서의 각 구성요소들의 크기는 설명을 위하여 과장될 수 있으며, 실제로 적용되는 크기를 의미하는 것은 아니다.
도 1은 제 1 실시예에 따른 액정표시장치를 도시한 분해 사시도이다. 도 2는 광 변환 부재를 도시한 사시도이다. 도 3은 도 2에서 A-A`를 따라서 절단한 단면을 도시한 단면도이다.
도 1 내지 도 3을 참조하면, 실시예에 따른 액정표시장치는 백라이트 유닛(10) 및 액정패널(20)을 포함한다.
상기 백라이트 유닛(10)은 상기 액정패널(20)에 광을 출사한다. 상기 백라이트 유닛(10)은 면 광원으로 상기 액정패널(20)의 하면에 균일하기 광을 조사할 수 있다.
상기 백라이트 유닛(10)은 상기 액정패널(20) 아래에 배치된다. 상기 백라이트 유닛(10)은 바텀 커버(100), 도광판(200), 반사시트(300), 복수의 발광다이오드들(400), 인쇄회로기판(401) 및 복수의 광학 시트들(500)을 포함한다.
상기 바텀 커버(100)는 상부가 개구된 형상을 가진다. 상기 바텀 커버(100)는 상기 도광판(200), 상기 발광다이오드들(400), 상기 인쇄회로기판(401), 상기 반사시트(300) 및 상기 광학 시트들(500)을 수용한다.
상기 도광판(200)은 상기 바텀 커버(100) 내에 배치된다. 상기 도광판(200)은 상기 반사시트(300) 상에 배치된다. 상기 도광판(200)은 상기 발광다이오드들(400)로부터 입사되는 광을 전반사, 굴절 및 산란을 통하여 상방으로 출사한다.
상기 반사시트(300)는 상기 도광판(200) 아래에 배치된다. 더 자세하게, 상기 반사시트(300)는 상기 도광판(200) 및 상기 바텀 커버(100)의 바닥면 사이에 배치된다. 상기 반사시트(300)는 상기 도광판(200)의 하부면으로부터 출사되는 광을 상방으로 반사시킨다.
상기 발광다이오드들(400)은 광을 발생시키는 광원이다. 상기 발광다이오드들(400)은 상기 도광판(200)의 일 측면에 배치된다. 상기 발광다이오드들(400)은 광을 발생시켜서, 상기 도광판(200)의 측면을 통하여, 상기 도광판(200)에 입사시킨다.
상기 발광다이오드들(400)은 청색 광을 발생시키는 청색 발광다이오드 또는 자외선을 발생시키는 UV 발광다이오드일 수 있다. 즉, 상기 발광다이오드들(400)은 약 430㎚ 내지 약 470㎚ 사이의 파장대를 가지는 청색광 또는 약 300㎚ 내지 약 400㎚ 사이의 파장대를 가지는 자외선을 발생시킬 수 있다.
상기 발광다이오드들(400)은 상기 인쇄회로기판(401)에 실장된다. 상기 발광다이오드들(400)은 상기 인쇄회로기판(401) 아래에 배치된다. 상기 발광다이오드들(400)은 상기 인쇄회로기판(401)을 통하여 구동신호를 인가받아 구동된다.
상기 인쇄회로기판(401)은 상기 발광다이오드들(400)에 전기적으로 연결된다. 상기 인쇄회로기판(401)은 상기 발광다이오드들(400)을 실장할 수 있다. 상기 인쇄회로기판(401)은 상기 바텀 커버(100) 내측에 배치된다.
상기 광학 시트들(500)은 상기 도광판(200) 상에 배치된다. 상기 광학 시트들(500)은 상기 도광판(200)의 상면으로부터 출사되는 광의 특성을 변화 또는 향상시켜서, 상기 광을 상기 액정패널(20)에 공급한다.
상기 광학 시트들(500)은 광 변환 시트(501), 확산 시트(502), 제 1 프리즘 시트(503) 및 제 2 프리즘 시트(504)일 수 있다.
상기 광 변환 시트(501)는 상기 도광판(200) 상에 배치된다. 더 자세하게, 상기 광 변환 시트(501)는 상기 도광판(200) 및 상기 확산 시트(502) 사이에 개재될 수 있다. 상기 광 변환 시트(501)는 입사되는 광의 파장을 변환하여 상방으로 출사할 수 있다.
예를 들어, 상기 발광다이오드들(400)이 청색 발광다이오드인 경우, 상기 광 변환 시트(501)는 상기 도광판(200)으로부터 상방으로 출사되는 청색광을 녹색광 및 적색광으로 변환시킬 수 있다. 즉, 상기 광 변환 시트(501)는 상기 청색광의 일부를 약 520㎚ 내지 약 560㎚ 사이의 파장대를 가지는 녹색광으로 변환시키고, 상기 청색광의 다른 일부를 약 630㎚ 내지 약 660㎚ 사이의 파장대를 가지는 적색광으로 변환시킬 수 있다.
또한, 상기 발광다이오드들(400)이 UV 발광다이오드인 경우, 상기 광 변환 시트(501)는 상기 도광판(200)의 상면으로부터 출사되는 자외선을 청색광, 녹색광 및 적색광으로 변환시킬 수 있다. 즉, 상기 광 변환 시트(501)는 상기 자외선의 일부를 약 430㎚ 내지 약 470㎚ 사이의 파장대를 가지는 청색광으로 변환시키고, 상기 자외선의 다른 일부를 약 520㎚ 내지 약 560㎚ 사이의 파장대를 가지는 녹색광으로 변환시키고, 상기 자외선의 또 다른 일부를 약 630㎚ 내지 약 660㎚ 사이의 파장대를 가지는 적색광으로 변환시킬 수 있다.
이에 따라서, 변환되지 않고 상기 광 변환 시트(501)를 통과하는 광 및 상기 광 변환 시트(501)에 의해서 변환된 광들은 백색광을 형성할 수 있다. 즉, 청색광, 녹색광 및 적색광이 조합되어, 상기 액정패널(20)에는 백색광이 입사될 수 있다.
상기 광 변환 시트(501)는 입사광의 파장을 변환시키는 광 변환 부재에 해당된다. 즉, 상기 광 변환 시트(501)는 입사광의 특성을 변화시키는 광학 부재이다.
도 2 및 도 3에 도시된 바와 같이, 상기 광 변환 시트(501)는 하부 기판(510), 상부 기판(520) 및 광 변환층(530)을 포함한다.
상기 하부 기판(510)은 상기 광 변환층(530) 아래에 배치된다. 상기 하부 기판(510)은 투명하며, 플렉서블 할 수 있다. 상기 하부 기판(510)은 상기 광 변환층(530)의 하면에 밀착될 수 있다.
상기 하부 기판(510)으로 사용되는 물질의 예로서는 폴리에틸렌테레프탈레이트(polyethyleneterephthalate;PET) 등과 같은 투명한 폴리머 등을 들 수 있다.
상기 상부 기판(520)은 상기 광 변환층(530) 상에 배치된다. 상기 상부 기판(520)은 투명하며, 플렉서블 할 수 있다. 상기 상부 기판(520)은 상기 광 변환층(530)의 상면에 밀착될 수 있다.
상기 상부 기판(520)으로 사용되는 물질의 예로서는 폴리에틸렌테레프탈레이트 등과 같은 투명한 폴리머 등을 들 수 있다.
상기 하부 기판(510) 및 상기 상부 기판(520)은 상기 광 변환층(530)을 샌드위치한다. 상기 하부 기판(510) 및 상기 상부 기판(520)은 상기 광 변환층(530)을 지지한다. 상기 하부 기판(510) 및 상기 상부 기판(520)은 외부의 물리적인 충격으로부터 상기 광 변환층(530)을 보호한다.
또한, 상기 하부 기판(510) 및 상기 상부 기판(520)은 낮은 산소 투과도 및 투습성을 가진다. 이에 따라서, 상기 하부 기판(510) 및 상기 상부 기판(520)은 수분 및/또는 산소 등과 같은 외부의 화학적인 충격으로부터 상기 광 변환층(530)을 보호할 수 있다.
상기 광 변환층(530)은 상기 하부 기판(510) 및 상기 상부 기판(520) 사이에 개재된다. 상기 광 변환층(530)은 상기 하부 기판(510)의 상면에 밀착되고, 상기 상부 기판(520)의 하면에 밀착될 수 있다. 상기 광 변환층(530)은 복수의 광 변환 입자들(531), 복수의 배리어 입자들(533) 및 호스트층(532)을 포함한다.
상기 광 변환 입자들(531)은 상기 하부 기판(510) 및 상기 상부 기판(520) 사이에 배치된다. 더 자세하게, 상기 광 변환 입자들(531)은 상기 호스트층(532)에 균일하게 분산되고, 상기 호스트층(532)은 상기 하부 기판(510) 및 상기 상부 기판(520) 사이에 배치된다.
상기 광 변환 입자들(531)은 상기 발광다이오드들(400)로부터 출사되는 광의 파장을 변환시킨다. 상기 광 변환 입자들(531)은 상기 발광다이오드들(400)로부터 출사되는 광을 입사받아, 파장을 변환시킨다. 예를 들어, 상기 광 변환 입자들(531)은 상기 발광다이오드들(400)로부터 출사되는 청색광을 녹색광 및 적색광으로 변환시킬 수 있다. 즉, 상기 광 변환 입자들(531) 중 일부는 상기 청색광을 약 520㎚ 내지 약 560㎚ 사이의 파장대를 가지는 녹색광으로 변환시키고, 상기 광 변환 입자들(531) 중 다른 일부는 상기 청색광을 약 630㎚ 내지 약 660㎚ 사이의 파장대를 가지는 적색광으로 변환시킬 수 있다.
이와는 다르게, 상기 광 변환 입자들(531)은 상기 발광다이오드들(400)로부터 출사되는 자외선을 청색광, 녹색광 및 적색광으로 변환시킬 수 있다. 즉, 상기 광 변환 입자들(531) 중 일부는 상기 자외선을 약 430㎚ 내지 약 470㎚ 사이의 파장대를 가지는 청색광으로 변환시키고, 상기 광 변환 입자들(531) 중 다른 일부는 상기 자외선을 약 520㎚ 내지 약 560㎚ 사이의 파장대를 가지는 녹색광으로 변환시킬 수 있다. 또한, 상기 광 변환 입자들(531) 중 또 다른 일부는 상기 자외선을 약 630㎚ 내지 약 660㎚ 사이의 파장대를 가지는 적색광으로 변환시킬 수 있다.
즉, 상기 발광다이오드들(400)이 청색광을 발생시키는 청색 발광다이오드인 경우, 청색광을 녹색광 및 적색광으로 각각 변환시키는 광 변환 입자들(531)이 사용될 수 있다. 이와는 다르게, 상기 발광다이오드들(400)이 자외선을 발생시키는 UV 발광다이오드인 경우, 자외선을 청색광, 녹색광 및 적색광으로 각각 변환시키는 광 변환 입자들(531)이 사용될 수 있다.
상기 광 변환 입자들(531)은 복수의 양자점(QD, Quantum Dot)들일 수 있다. 상기 양자점은 코어 나노 결정 및 상기 코어 나노 결정을 둘러싸는 껍질 나노 결정을 포함할 수 있다. 또한, 상기 양자점은 상기 껍질 나노 결정에 결합되는 유기 리간드를 포함할 수 있다. 또한, 상기 양자점은 상기 껍질 나노 결정을 둘러싸는 유기 코팅층을 포함할 수 있다.
상기 껍질 나노 결정은 두 층 이상으로 형성될 수 있다. 상기 껍질 나노 결정은 상기 코어 나노 결정의 표면에 형성된다. 상기 양자점은 상기 코어 나오 결정으로 입광되는 빛의 파장을 껍질층을 형성하는 상기 껍질 나노 결정을 통해서 파장을 길게 변환시키고 빛의 효율을 증가시길 수 있다.
상기 양자점은 Ⅱ족 화합물 반도체, Ⅲ족 화합물 반도체, Ⅴ족 화합물 반도체 그리고 VI족 화합물 반도체 중에서 적어도 한가지 물질을 포함할 수 있다. 보다 상세하게, 상기 코어 나노 결정은 Cdse, InGaP, CdTe, CdS, ZnSe, ZnTe, ZnS, HgTe 또는 HgS를 포함할 수 있다. 또한, 상기 껍질 나노 결정은 CuZnS, CdSe, CdTe, CdS, ZnSe, ZnTe, ZnS, HgTe 또는 HgS를 포함할 수 있다. 상기 양자점의 지름은 1 nm 내지 10 nm일 수 있다.
상기 양자점에서 방출되는 빛의 파장은 상기 양자점의 크기 또는 합성 과정에서의 분자 클러스터 화합물(molecular cluster compound)와 나노입자 전구체 (precurser)의 몰분율 (molar ratio)에 따라 조절이 가능하다. 상기 유기 리간드는 피리딘(pyridine), 메르캅토 알콜(mercapto alcohol), 티올(thiol), 포스핀(phosphine) 및 포스핀 산화물(phosphine oxide) 등을 포함할 수 있다. 상기 유기 리간드는 합성 후 불안정한 양자점을 안정화시키는 역할을 한다. 합성 후에 댕글링 본드(dangling bond)가 외곽에 형성되며, 상기 댕글링 본드 때문에, 상기 양자점이 불안정해 질 수도 있다. 그러나, 상기 유기 리간드의 한 쪽 끝은 비결합 상태이고, 상기 비결합된 유기 리간드의 한 쪽 끝이 댕글링 본드와 결합해서, 상기 양자점을 안정화 시킬 수 있다.
특히, 상기 양자점은 그 크기가 빛, 전기 등에 의해 여기되는 전자와 정공이 이루는 엑시톤(exciton)의 보어 반경(Bohr raidus)보다 작게 되면 양자구속효과가 발생하여 띄엄띄엄한 에너지 준위를 가지게 되며 에너지 갭의 크기가 변화하게 된다. 또한, 전하가 양자점 내에 국한되어 높은 발광효율을 가지게 된다.
이러한 상기 양자점은 일반적 형광 염료와 달리 입자의 크기에 따라 형광파장이 달라진다. 즉, 입자의 크기가 작아질수록 짧은 파장의 빛을 내며, 입자의 크기를 조절하여 원하는 파장의 가시광선영역의 형광을 낼 수 있다. 또한, 일반적 염료에 비해 흡광계수(extinction coefficient)가 100~1000배 크고 양자효율(quantum yield)도 높으므로 매우 센 형광을 발생한다.
상기 양자점은 화학적 습식방법에 의해 합성될 수 있다. 여기에서, 화학적 습식방법은 유기용매에 전구체 물질을 넣어 입자를 성장시키는 방법으로서, 화학적 습식방법에 의해서, 상기 양자점이 합성될 수 있다.
상기 배리어 입자들(533)은 상기 호스트층(532) 내에 배치된다. 상기 배리어 입자들(533)은 상기 호스트층(532) 내에 균일하게 분산될 수 있다. 이와는 다르게, 상기 배리어 입자들(533)은 상기 호스트층(532)의 외곽 부분에 더 많이 배치될 수 있다. 더 자세하게, 상기 배리어 입자들(533)은 상기 호스트층(532)의 외곽 부분에만 배치될 수 있다.
상기 배리어 입자들(533)의 직경은 약 0.5㎛ 내지 약 10㎛일 수 있다. 더 자세하게, 상기 배리어 입자들(533)의 직경은 약 1㎛ 내지 약 3㎛일 수 있다.
상기 배리어 입자들(533)은 상기 호스트층(532)에 약 0.1wt% 내지 약 10wt%의 비율로 포함될 수 있다. 더 자세하게, 상기 배리어 입자들(533)은 상기 호스트층(532)에 약 0.5wt% 내지 약 3wt%의 비율로 포함될 수 있다.
상기 배리어 입자들(533)은 실리콘계 수지를 포함한다. 더 자세하게, 상기 배리어 입자들(533)은 실리콘계 수지로 이루어질 수 있다. 상기 실리콘계 수지는 실록세인(siloxane) 수지 또는 실세스퀴옥세인(silsesquioxane) 수지로부터 선택될 수 있다.
더 자세하게, 상기 실록세인 수지는 폴리디메틸실록세인(polydimethylsiloxane;PDMS) 등과 같은 폴리실록세인(piolysiloxane)일 수 있다.
또한, 상기 실세스퀴옥세인 수지는 폴리메틸실세스퀴옥세인(polymethylsilsesquioxane;PMSQ) 등과 같은 폴리실세스퀴옥세인(polysilsesquioxane)일 수 있다.
더 자세하게, 상기 실리콘계 수지는 아래의 화학식1로 표시될 수 있다.
화학식1
Figure 112012043138938-pat00001
여기서, R1, R2 및 R3는 수소, 치환 또는 치환되지 않은 알킬기, 치환 또는 치환되지 않는 아릴기, 치환 또는 치환되지 않는 알콕시기, 치환 또는 치환되지 않는 헤테로 아릴기, 할로겐, 아민기 또는 카르복실기로부터 선택될 수 있다. 상기 알킬기는 1개 내지 30개의 탄소를 가질 수 있다. 더 자세하게, 상기 알킬기는 할로겐 등에 의해서 치환될 수 있다. 상기 알킬기는 메틸기, 에틸기 또는 이소프로필기로부터 선택될 수 있다. 더 자세하게, 상기 알킬기는 메틸기일 수 있다. 또한, x는 1 내지 1000일 수 있다. 또한, y는 1 내지 1000일 수 있다.
또한, 상기 실리콘계 수지는 상기의 화학식1이 반복되는 폴리실세스퀴옥세인일 수 있다. 이때, x 및 y는 1 내지 5일 수 있다. 더 자세하게, x 및 y는 1이고, 상기 실리콘계 수지는 상기의 화학식1이 반복되는 구조를 가질 수 있다.
또한, R3는 아래의 화학식2로 표시될 수 있다.
화학식2
Figure 112012043138938-pat00002
여기서, n은 1 내지 10이고, R4는 수소, 치환 또는 치환되지 않은 알킬기, 치환 또는 치환되지 않는 알켄기, 치환 또는 치환되지 않는 아릴기, 치환 또는 치환되지 않는 알콕시기, 치환 또는 치환되지 않는 헤테로 아릴기, 할로겐, 아민기 또는 카르복실기로부터 선택될 수 있다. 상기 알킬기는 1개 내지 30개의 탄소를 가질 수 있다. 상기 알켄기는 1개 내지 30개의 탄소를 가질 수 있다. 더 자세하게, 상기 알켄기는 에틸렌기일 수 있다. 또한, R4는 불소(F) 또는 염소(Cl)일 수 있다.
상기 화학식2에서, n=3 또는 n=7일 때, R4는 알킬기일 수 있다. n=1일 때, R4는 염소일 수 있다. 또한, n=2 또는 n=6일 때, R4는 에틸렌기일 수 있다. n=7일 때, R4는 알데히드기일 수 있다.
상기 폴리실세스퀴옥세인은 실록세인계 단량체 또는 올리고머를 중합반응시켜서, 형성될 수 있다. 더 자세하게, 톨루엔 등과 같은 유기 용매에서, 실록세인계 올리고머를 티타늄계 촉매하에서, 중합반응시켜서, 상기 폴리실세스퀴옥세인이 형성될 수 있다.
상기 촉매는 비스(시클로펜타디에닐)티타늄 디클로라이드(bis(cyclopentadienyl)titanium dichloride;Cp2TiCl2)일 수 있다.
또한, 상기 실록세인계 올리고머는 (R1)3-SiO-[R1-HSiO]m-Si-(R1)3일 수 있다. 더 자세하게, 상기 실록세인계 올리고머는 Me3-SiO-[R1-HSiO]m-Si-Me3일 수 있다. 여기서, m은 1 내지 100일 수 있다. 더 자세하게, 상기 실록세인계 올리고머는 폴리메틸히드로실록세인(polymethyhydrosiloxane;PMHS)일 수 있다. 상기 폴리메틸히드로실록세인은 약 2000의 분자량을 가질 수 있다. 또한, 상기 폴리메틸히드로실록세인은 30cts의 점도를 가질 수 있다.
상기 중합 반응은 상온에서 진행될 수 있다. 또한, 상기 중합 반응은 약 48시간 내지 약 72시간 동안 진행될 수 있다.
이와 같이 형성된 폴리실세스퀴옥세인은 히드로실릴레이션(hydrosilylation) 공정에 의해서, 다양한 치환기로 치환될 수 있다.
더 자세하게, 중합 반응에 의해서 형성된 폴리실세스퀴옥세인에, 백금 촉매하에서, 치환 또는 비치환된 알켄이 첨가되어, 치환 반응이 일어날 수 있다. 여기서, 상기 알켄은 2개 내지 10개의 탄소를 가질 수 있다. 중합 반응에 의해서 형성된 폴리실세스퀴옥세인은 화학식1에서 R3가 H인 구조를 가질 수 있다. 이때, CH2=CH(CH2)n-R4가 위와 같은 폴리실세스퀴옥세인에 첨가되고, 백금 촉매하에서 치환 반응이 일어날 수 있다. 이에 따라서, 상기 R3 위치의 수소는 화학식2와 같은 구조로 치환될 수 있다.
또한, 이와 같은 치환 반응과 동시에, 가교 반응이 일어날 수 있다. 즉, 중합 반응에 의해서 형성된 폴리실세스퀴옥세인은 상기 알켄에 의해서, 서로 가교될 수 있다.
상기 치환 반응 및/또는 상기 가교 반응은 약 80℃에서 진행될 수 있다. 또한, 상기 치환 반응 및/또는 상기 가교 반응은 약 30분 내지 약 24시간 동안 진행될 수 있다.
이후, 정제 공정 및 용매 제거 공정을 통하여, 상기 실리콘계 수지를 포함하는 상기 배리어 입자들(533)이 형성될 수 있다.
상기 호스트층(532)은 상기 광 변환 입자들(531) 및 상기 배리어 입자들(533)을 둘러싼다. 즉, 상기 호스트층(532)은 상기 광 변환 입자들(531)을 균일하게 내부에 분산시킨다. 상기 호스트층(532)은 폴리머로 구성될 수 있다. 상기 호스트층(532)은 투명하다. 즉, 상기 호스트층(532)은 투명한 폴리머로 형성될 수 있다.
상기 호스트층(532)은 상기 하부 기판(510) 및 상기 상부 기판(520) 사이에 배치된다. 상기 호스트층(532)은 상기 하부 기판(510)의 상면 및 상기 상부 기판(520)의 하면에 밀착될 수 있다.
상기 광 변환층(530)은 다음과 같은 과정에 의해서 형성될 수 있다. 먼저, 상기 호스트층(532)을 형성하기 위한 수지에, 상기 배리어 입자들(533) 및 상기 광 변환 입자들(531)이 균일하게 혼합된다.
이후, 상기 배리어 입자들(533) 및 상기 광 변환 입자들(531)이 균일하게 분산된 수지는 상기 하부 기판(510) 또는 상기 상부 기판(520)에 균일하게 코팅되고, 경화되어, 상기 광 변환층(530)이 형성될 수 있다.
또한, 상기 광 변환 시트(501)는 제 1 무기 보호막 및 제 2 무기 보호막을 더 포함할 수 있다.
상기 제 1 무기 보호막은 상기 광 변환층(530) 아래에 배치된다. 더 자세하게, 상기 제 1 무기 보호막은 상기 하부 기판(510) 아래에 배치될 수 있다. 더 자세하게, 상기 제 1 무기 보호막은 상기 하부 기판(510)의 하면에 코팅될 수 있다.
상기 제 1 무기 보호막은 상기 하부 기판(510)과 함께, 상기 광 변환층(530)을 보호할 수 있다. 즉, 상기 제 1 무기 보호막은 상기 광 변환층(530)을 외부의 물리적인 충격으로부터 보호할 수 있다. 또한, 상기 제 1 무기 보호막은 상기 광 변환층(530)에 산소 및/또는 습기 등이 침투하는 것을 방지할 수 있다.
또한, 상기 제 1 무기 보호막은 상기 하부 기판(510)보다 더 낮은 굴절율을 가질 수 있다. 예를 들어, 상기 제 1 무기 보호막의 굴절율은 약 1.3 내지 1.6일 수 있다.
이에 따라서, 상기 제 1 무기 보호막은 상기 하부 기판(510) 및 상기 캡핑부(560) 사이에서 광학적인 완충 기능을 수행하여, 상기 하부 기판(510)의 하면에서의 반사를 감소시킬 수 있다.
상기 제 1 무기 보호막으로 사용되는 물질의 예로서는 실리콘 옥사이드 또는 실리콘 나이트라이드 등을 들 수 있다.
상기 제 2 무기 보호막은 상기 광 변환층(530) 상에 배치된다. 더 자세하게, 상기 제 2 무기 보호막은 상기 상부 기판(520) 상에 배치될 수 있다. 더 자세하게, 상기 제 2 무기 보호막은 상기 상부 기판(520)의 상면에 코팅될 수 있다.
상기 제 2 무기 보호막은 상기 상부 기판(520)과 함께, 상기 광 변환층(530)을 보호할 수 있다. 즉, 상기 제 2 무기 보호막은 상기 광 변환층(530)을 외부의 물리적인 충격으로부터 보호할 수 있다. 또한, 상기 제 2 무기 보호막은 상기 광 변환층(530)에 산소 및/또는 습기 등이 침투하는 것을 방지할 수 있다.
상기 제 2 무기 보호막은 상기 상부 기판(520)보다 더 낮은 굴절율을 가질 수 있다. 예를 들어, 상기 제 2 무기 보호막의 굴절율은 약 1.3 내지 1.6일 수 있다.
이에 따라서, 상기 제 2 무기 보호막은 상기 상부 기판(520) 및 캡핑부(560) 사이에서 광학적인 완충 기능을 수행하여, 상기 상부 기판(520)의 상면에서의 반사를 감소시킬 수 있다.
상기 제 2 무기 보호막으로 사용되는 물질의 예로서는 실리콘 옥사이드 또는 실리콘 나이트라이드 등을 들 수 있다.
상기 제 1 무기 보호막 및 상기 제 2 무기 보호막은 반사 방지 기능과 같은 광학적인 기능을 수행할 뿐 아니라, 상기 광 변환층(530)을 밀봉하여, 외부의 물리적 및 화학적인 충격으로부터 보호할 수 있다.
다시 도 1을 참조하면, 상기 확산 시트(502)는 상기 광 변환 시트(501) 상에 배치된다. 상기 확산 시트(502)는 통과되는 광의 균일도를 향상시킨다. 상기 확산 시트(502)는 복수의 비드들을 포함할 수 있다.
상기 제 1 프리즘 시트(503)는 상기 확산 시트(502) 상에 배치된다. 상기 제 2 프리즘 시트(504)는 상기 제 1 프리즘 시트(503) 상에 배치된다. 상기 제 1 프리즘 시트(503) 및 상기 제 2 프리즘 시트(504)는 통과하는 광의 직진성을 증가시킨다.
상기 액정패널(20)은 상기 광학시트들(500)상에 배치된다. 또한, 상기 액정패널(20)은 패널 가이드(23) 상에 배치된다. 상기 액정패널(20)은 상기 패널 가이드(23)에 의해서 가이드될 수 있다.
상기 액정패널(20)은 통과하는 광의 세기를 조절하여 영상을 표시한다. 즉, 상기 액정패널(20)은 상기 백라이트 유닛(10)으로부터 출사되는 광을 사용하여, 영상을 표시하는 표시패널이다. 상기 액정패널(20)은 TFT기판(21), 컬러필터기판(22), 두 기판들 사이에 개재되는 액정층을 포함한다. 또한, 상기 액정패널(20)은 편광필터들을 포함한다.
도면에는 상세히 도시되지 않았지만, 상기 TFT기판(21) 및 컬러필터기판(22)을 상세히 설명하면, 상기 TFT기판(21)은 복수의 게이트 라인 및 데이터 라인이 교차하여 화소를 정의하고, 각각의 교차영역마다 박막 트랜지스터(TFT : thin flim transistor)가 구비되어 각각의 픽셀에 실장된 화소전극과 일대일 대응되어 연결된다. 상기 컬러필터기판(22)은 각 픽셀에 대응되는 R, G, B 컬러의 컬러필터, 이들 각각을 테두리 하며 게이트 라인과 데이터 라인 및 박막 트랜지스터 등을 가리는 블랙 매트릭스와, 이들 모두를 덮는 공통전극을 포함한다.
액정표시패널(210)의 가장자리에는 게이트 라인 및 데이터 라인으로 구동신호를 공급하는 구동 PCB(25)가 구비된다.
상기 구동 PCB(25)는 COF(Chip on film, 24)에 의해 액정패널(20)과 전기적으로 연결된다. 여기서, 상기 COF(24)는 TCP(Tape Carrier Package)로 변경될 수 있다.
앞서 설명한 바와 같이, 상기 광 변환 시트(501)는 상기 배리어 입자들(533)을 포함한다. 특히, 상기 배리어 입자(533)는 폴리실세스퀴옥세인 등과 같은 실리콘계 수지를 포함할 수 있다. 이에 따라서, 상기 배리어 입자(533)는 상기 호스트층(532)에 향상된 배리어 특성을 부여할 수 있다.
따라서, 상기 광 변환 입자들(531)은 상기 배리어 입자들(533)에 의해서, 외부의 산소 및/또는 습기 등으로부터 효과적으로 보호될 수 있다. 따라서, 실시예에 따른 향상된 신뢰성 및 내구성을 가질 수 있다.
또한, 상기 배리어 입자들(533)은 입사되는 광의 경로를 다양한 방향으로 변경시킬 수 있다. 즉, 상기 배리어 입자들(533)은 광 경로 변경 기능을 수행할 수 있다. 이에 따라서, 상기 배리어 입자들(533)은 상기 호스트층(532) 내의 광의 경로를 증가시킬 수 있다.
따라서, 상기 배리어 입자들(533)에 의해서, 상기 광 변환 입자들(531)은 효과적으로 입사광을 변환시킬 수 있다. 따라서, 실시예에 따른 액정표시장치는 향상된 휘도 및 색재현성을 가질 수 있다.
도 4는 제 2 실시예에 따른 액정표시장치를 도시한 분해사시도이다. 도 5는 제 2 실시예에 따른 광 변환 부재를 도시한 사시도이다. 도 6은 도 5에서 B-B`를 따라서 절단한 단면을 도시한 단면도이다. 도 7은 제 2 실시예에 따른 도광판, 발광다이오드 및 광 변환 부재의 단면을 도시한 단면도이다. 본 실시예에 대한 설명에 있어서, 앞선 실시예에 대한 설명 참조한다. 즉, 앞선 액정표시장치에 대한 설명은 변경된 부분을 제외하고, 본 액정표시장치에 대한 설명에 본질적으로 결합될 수 있다.
도 4 내지 도 7을 참조하면, 본 실시예에 따른 액정표시장치는 광 변환 시트(501) 대신에 광 변환 부재(600)를 포함한다. 상기 광 변환 부재(600)는 발광다이오드들(400) 및 도광판(200) 사이에 개재된다.
상기 광 변환 부재(600)는 일 방향으로 길게 연장되는 형상을 가질 수 있다. 더 자세하게, 상기 광 변환 부재(600)는 상기 도광판(200)의 일 측면을 따라 연장되는 형상을 가질 수 있다. 더 자세하게, 상기 광 변환 부재(600)는 상기 도광판(200)의 입사면을 따라서 연장되는 형상을 가질 수 있다.
상기 광 변환 부재(600)는 상기 발광다이오드들(400)로부터 출사되는 광을 입사받아, 파장을 변환시킨다. 예를 들어, 상기 광 변환 부재(600)는 상기 발광다이오드들(400)로부터 출사되는 청색광을 녹색광 및 적색광으로 변환시킬 수 있다. 즉, 상기 광 변환 부재(600)는 상기 청색광의 일부를 약 520㎚ 내지 약 560㎚ 사이의 파장대를 가지는 녹색광으로 변환시키고, 상기 청색광의 다른 일부를 약 630㎚ 내지 약 660㎚ 사이의 파장대를 가지는 적색광으로 변환시킬 수 있다.
또한, 상기 광 변환 부재(600)는 상기 발광다이오드들(400)로부터 출사되는 자외선을 청색광, 녹색광 및 적색광으로 변환시킬 수 있다. 즉, 상기 광 변환 부재(600)는 상기 자외선의 일부를 약 430㎚ 내지 약 470㎚ 사이의 파장대를 가지는 청색광으로 변환시키고, 상기 자외선의 다른 일부를 약 520㎚ 내지 약 560㎚ 사이의 파장대를 가지는 녹색광으로 변환시키고, 상기 자외선의 또 다른 일부를 약 630㎚ 내지 약 660㎚ 사이의 파장대를 가지는 적색광으로 변환시킬 수 있다.
이에 따라서, 상기 광 변환 부재(600)를 통과하는 광 및 상기 광 변환 부재(600)에 의해서 변환된 광들은 백색광을 형성할 수 있다. 즉, 청색광, 녹색광 및 적색광이 조합되어, 상기 도광판(200)에는 백색광이 입사될 수 있다.
도 5 내지 도 7에 도시된 바와 같이, 상기 광 변환 부재(600)는 하부 기판(610), 상부 기판(620) 및 광 변환층(630)을 포함한다.
도 5 및 도 6에 도시된 바와 같이, 상기 하부 기판(610)은 상기 광 변환층(630) 아래에 배치된다. 상기 하부 기판(610)은 투명하며, 플렉서블 할 수 있다. 상기 하부 기판(610)은 상기 광 변환층(630)의 하면에 밀착될 수 있다.
또한, 도 7에 도시된 바와 같이, 상기 하부 기판(610)은 상기 발광다이오드들(400)에 대향한다. 즉, 상기 하부 기판(610)은 상기 발광다이오드들(400) 및 상기 광 변환층(630) 사이에 배치된다.
도 5 및 도 6에 도시된 바와 같이, 상기 상부 기판(620)은 상기 광 변환층(630) 상에 배치된다. 상기 상부 기판(620)은 투명하며, 플렉서블 할 수 있다. 상기 상부 기판(620)은 상기 광 변환층(630)의 상면에 밀착될 수 있다.
또한, 도 7에 도시된 바와 같이, 상기 상부 기판(620)은 상기 도광판(200)에 대향한다. 즉, 상기 상부 기판(620)은 상기 도광판(200) 및 상기 광 변환층(630) 사이에 배치된다.
상기 광 변환층(630)은 상기 하부 기판(610) 및 상기 상부 기판(620) 사이에 개재된다. 상기 광 변환층(630)은 상기 하부 기판(610) 및 상기 상부 기판(620)에 의해서 샌드위치된다. 상기 광 변환층(630)은 앞선 실시예에서의 광 변환층과 실질적으로 동일한 특징을 가질 수 있다. 특히, 상기 광 변환층(630)은 복수의 광 변환 입자들(631) 및 복수의 배리어 입자들(633)을 포함한다. 상기 배리어 입자들(633)은 앞선 실시예에서의 배리어 입자들과 실질적으로 동일할 수 있다.
본 실시예에 따른 액정표시장치에서, 상기 광 변환층(630)은 상대적으로 작은 크기를 가진다. 따라서, 본 실시예에 따른 액정표시장치를 제조하는데 있어서, 적은 양의 광 변환 입자들(631)이 사용될 수 있다.
따라서, 본 실시예에 따른 액정표시장치는 상기 광 변환 입자들(631)의 사용을 줄이고, 적은 비용으로 용이하게 제조될 수 있다.
도 8은 제 3 실시예에 따른 액정표시장치를 도시한 분해사시도이다. 도 9는 제 3 실시예에 따른 광 변환 부재를 도시한 사시도이다. 도 10은 도 9에서 C-C`를 따라서 절단한 단면을 도시한 단면도이다. 도 11은 제 3 실시예에 따른 도광판, 발광다이오드 및 광 변환 부재를 도시한 단면도이다. 본 실시예에 대한 설명에 있어서, 앞선 실시예들에 대한 설명 참조한다. 즉, 앞선 액정표시장치들에 대한 설명은 변경된 부분을 제외하고, 본 액정표시장치에 대한 설명에 본질적으로 결합될 수 있다.
도 8 내지 도 11을 참조하면, 본 실시예에 따른 액정표시장치는 복수의 광 변환 부재들(700)을 포함한다. 상기 광 변환 부재들(700)은 상기 발광다이오드들(400)에 각각 대응된다.
또한, 상기 광 변환 부재들(700)은 상기 발광다이오드들(400) 및 상기 도광판(200) 사이에 배치된다. 즉, 각각의 광 변환 부재(600)는 대응되는 발광다이오드 및 상기 도광판(200) 사이에 배치된다.
또한, 상기 광 변환 부재들(700)은 대응되는 발광다이오드로부터 출사되는 광의 파장을 변환시킨다. 이때, 상기 광 변환 부재들(700)은 상기 발광다이오드로부터 출사되는 광을 녹색광과 같은 제 1 파장의 광으로 변환시키는 제 1 광 변환 부재들 및 적색광과 같은 제 2 파장의 광으로 변환시키는 제 2 광 변환 부재들로 나누어질 수 있다.
상기 광 변환 부재들(700)은 상기 발광다이오드들(400)보다 더 넓은 평면적을 가질 수 있다. 이에 따라서, 각각의 발광다이오드로부터 출사되는 광은 대응되는 광 변환 부재(600)에 거의 대부분이 입사될 수 있다.
또한, 도 9 내지 도 11에 도시된 바와 같이, 상기 광 변환 부재들(700)은 하부 기판(710), 상부 기판(720) 및 광 변환층(730)을 포함한다.
상기 하부 기판(710), 상기 상부 기판(720) 및 상기 광 변환층(730)의 특징은 앞서 설명한 실시예들에서 설명한 특징과 실질적으로 동일할 수 있다.
본 실시예에 따른 액정표시장치에서, 상기 광 변환층(730)은 상대적으로 작은 크기를 가진다. 따라서, 본 실시예에 따른 액정표시장치를 제조하는데 있어서, 적은 양의 광 변환 입자들(731)이 사용될 수 있다.
따라서, 본 실시예에 따른 액정표시장치는 상기 광 변환 입자들(731)의 사용을 줄이고, 적은 비용으로 용이하게 제조될 수 있다.
또한, 각각 광 변환 부재(700)의 특성은 대응되는 발광다이오드에 적합하도록 변형될 수 있다. 이에 따라서, 실시예에 따른 액정표시장치는 더 향상된 휘도 및 균일한 색재현성을 가질 수 있다.
이상에서, 본 실시예들은 배리어 입자들이 사용되는 광학 부재 및 표시장치를 중점적으로 설명하였지만, 본 발명은 이에 한정되지 않는다. 즉, 본 실시예에서의 발광다이오드들 및 광 변환 부재 등이 사용되어, 조명 또는 자동차 헤드라이트 등으로 사용되는 발광장치가 구현될 수 있다. 즉, 발광다이오드 등과 같은 광원으로부터 광이 출사되고, 실시예에 따른 광 변환 부재에 의해서 상기 광원으로부터 광이 변환되어 출사된다. 이에 따라서, 원하는 광을 출사하는 발광장치가 구현될 수 있다.
또한, 이상에서 실시예들에 설명된 특징, 구조, 효과 등은 본 발명의 적어도 하나의 실시예에 포함되며, 반드시 하나의 실시예에만 한정되는 것은 아니다. 나아가, 각 실시예에서 예시된 특징, 구조, 효과 등은 실시예들이 속하는 분야의 통상의 지식을 가지는 자에 의해 다른 실시예들에 대해서도 조합 또는 변형되어 실시 가능하다. 따라서 이러한 조합과 변형에 관계된 내용들은 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.
이상에서 실시예를 중심으로 설명하였으나 이는 단지 예시일 뿐 본 발명을 한정하는 것이 아니며, 본 발명이 속하는 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 본 실시예의 본질적인 특성을 벗어나지 않는 범위에서 이상에 예시되지 않은 여러 가지의 변형과 응용이 가능함을 알 수 있을 것이다. 예를 들어, 실시예에 구체적으로 나타난 각 구성 요소는 변형하여 실시할 수 있는 것이다. 그리고 이러한 변형과 응용에 관계된 차이점들은 첨부된 청구 범위에서 규정하는 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.

Claims (12)

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  8. 도광판;
    상기 도광판의 측면 상에 배치되는 복수의 광원들; 및
    상기 광원들로부터의 광이 입사되는 복수의 광 변환 부재들을 포함하고,
    각각의 광 변환 부재는,
    하부 기판;
    상기 하부 기판 상의 상부 기판;
    상기 하부 기판 및 상기 상부 기판 사이의 광 변환층;
    상기 하부 기판 아래에 배치되는 제 1 무기 보호막; 및
    상기 상부 기판 상에 배치되는 제 2 무기 보호막을 포함하고,
    상기 광 변환층은,
    호스트층;
    상기 호스트층 내에 배치되는 복수의 양자점들; 및
    상기 호스트층 내에 배치되는 복수의 배리어 입자들을 포함하고,
    상기 배리어 입자들은 실리콘계 수지를 포함하고,
    상기 배리어 입자들은 상기 호스트층의 외곽 부분에만 배치되고,
    상기 각각의 광 변환 부재는 상기 도광판 및 상기 광원들 사이에 배치되고,
    상기 광 변환층은 상기 상부 기판 및 상기 도광판 사이에 배치되고,
    상기 각각의 광 변환 부재는 상기 도광판 및 상기 광원들 사이에서 각각의 광원과 대응되는 위치에 배치되고,
    상기 각각의 광 변환 부재는 상기 각각의 광원보다 넓은 평면적을 가지는 발광 장치.
  9. 제 8 항에 있어서, 상기 실리콘계 수지는 하기의 화학식1로 표시되는 발광 장치.
    화학식1
    Figure 112018047683652-pat00004

    여기서, R1, R2 및 R3는 수소, 치환 또는 치환되지 않은 알킬기, 치환 또는 치환되지 않는 아릴기, 치환 또는 치환되지 않는 알콕시기, 치환 또는 치환되지 않는 헤테로 아릴기, 할로겐, 아민기 또는 카르복실기로부터 선택되고, 상기 알킬기는 1개 내지 30개의 탄소를 가지고, x는 1 내지 1000이고, y는 1 내지 1000이다.
  10. 도광판;
    상기 도광판의 측면 상에 배치되는 복수의 광원들;
    상기 광원들로부터의 광이 입사되는 복수의 광 변환 부재들; 및
    상기 광 변환 부재들로부터의 광이 입사되는 표시패널을 포함하고,
    상기 광 변환 부재는
    하부 기판;
    상기 하부 기판 상의 상부 기판;
    상기 하부 기판 및 상기 상부 기판 사이의 광 변환층;
    상기 하부 기판 아래에 배치되는 제 1 무기 보호막; 및
    상기 상부 기판 상에 배치되는 제 2 무기 보호막을 포함하고,
    상기 광 변환층은,
    호스트층;
    상기 호스트층 내에 배치되는 복수의 양자점들; 및
    상기 호스트층 내에 배치되는 복수의 배리어 입자들을 포함하고,
    상기 배리어 입자들은 실리콘계 수지를 포함하고,
    상기 배리어 입자들은 상기 호스트층의 외곽 부분에만 배치되고,
    각각의 광 변환 부재는 상기 도광판 및 상기 광원들 사이에 배치되고,
    상기 광 변환층은 상기 상부 기판 및 상기 도광판 사이에 배치되고,
    상기 각각의 광 변환 부재는 상기 도광판 및 상기 광원들 사이에서 각각의 광원과 대응되는 위치에 배치되고,
    상기 각각의 광 변환 부재는 상기 각각의 광원보다 넓은 평면적을 가지는 표시 장치.
  11. 제 10 항에 있어서, 상기 실리콘계 수지는 하기의 화학식1로 표시되는 표시장치.
    화학식1
    Figure 112012043138938-pat00005

    여기서, R1, R2 및 R3는 수소, 치환 또는 치환되지 않은 알킬기, 치환 또는 치환되지 않는 아릴기, 치환 또는 치환되지 않는 알콕시기, 치환 또는 치환되지 않는 헤테로 아릴기, 할로겐, 아민기 또는 카르복실기로부터 선택되고, 상기 알킬기는 1개 내지 30개의 탄소를 가지고, x는 1 내지 1000이고, y는 1 내지 1000이다.
  12. 제 11 항에 있어서, 상기 R3는 아래의 화학식2로 표시되는 표시장치.
    화학식2
    Figure 112012043138938-pat00006

    여기서, n은 1 내지 10이고, R4는 수소, 치환 또는 치환되지 않은 알킬기, 치환 또는 치환되지 않는 알켄기, 치환 또는 치환되지 않는 아릴기, 치환 또는 치환되지 않는 알콕시기, 치환 또는 치환되지 않는 헤테로 아릴기, 할로겐, 아민기 또는 카르복실기로부터 선택되고, 상기 알킬기는 1개 내지 30개의 탄소를 가지고, 상기 알켄기는 1개 내지 30개의 탄소를 가진다.
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