KR101854770B1 - 광학 부재 및 이를 포함하는 표시장치 - Google Patents
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Abstract
광학 부재 및 이를 포함하는 표시장치가 개시된다. 광학 부재는 호스트; 상기 호스트 내에 배치되는 복수의 광 변환 입자들; 및 상기 호스트 내에 배치되는 결합력 보강 물질을 포함한다.
Description
실시예는 광학 부재 및 이를 포함하는 표시장치에 관한 것이다.
최근 종래의 CRT를 대신하여 액정표시장치(LCD), PDP(plasma display panel), OLED(organic light emitting diode) 등의 평판표시장치가 많이 개발되고 있다.
이 중 액정표시장치는 박막트랜지스터 기판, 컬러필터 기판 그리고 양 기판 사이에 액정이 주입되어 있는 액정표시패널을 포함한다. 액정표시패널은 비발광소자이기 때문에 박막트랜지스터 기판의 하면에는 빛을 공급하기 위한 백라이트 유닛이 위치한다. 백라이트 유닛에서 조사된 빛은 액정의 배열상태에 따라 투과량이 조정된다.
백라이트 유닛은 광원의 위치에 따라 에지형과 직하형으로 구분된다. 에지형은 도광판의 측면에 광원이 설치되는 구조이다.
직하형은 액정표시장치의 크기가 대형화되면서 중점적으로 개발된 구조로서, 액정표시패널의 하부면에 하나 이상의 광원을 배치시켜 액정표시패널에 전면적으로 빛을 공급하는 구조이다.
이러한 직하형 백라이트 유닛은 에지형 백라이트 유닛에 비해 많은 수의 광원을 이용할 수 있어 높은 휘도를 확보할 수 있는 장점이 있는 반면, 휘도의 균일성을 확보하기 위하여 에지형에 비하여 두께가 두꺼워지는 단점이 있다.
이를 극복하기 위해, 백라이트 유닛을 구성하는 청색 광을 발진하는 블루 LED의 전방에 청색 광을 받으면 적색파장 또는 녹색파장으로 변환되는 다수의 양자점이 분산된 양자점바를 구비시켜, 상기 양자점바에 청색 광을 조사함으로써, 양자점바에 분산된 다수의 양자점들에 의해 청색광, 적색 광 및 녹색 광이 혼합된 광이 도광판으로 입사되어 백색광을 제공한다.
이때, 상기 양자점바를 이용하여 도광판에 백색광을 제공할 경우 고색재현을 구현할 수 있다.
상기 백라이트 유닛은 청색 광을 발진하는 블루 LED의 일측에 LED와 신호를 전달하고, 전원공급하기 위한 FPCB(Flexible Printed Circuits Board)가 구비되며, FPCB의 하면에는 접착부재가 더 구비될 수 있다.
이와 같이, 블루 LED로부터 발진하는 광이 누출되면 양자점바를 통해 도광판에 제공되는 백색광을 사용하여 다양한 형태로 영상을 표시하는 표시장치가 널리 사용되고 있다.
이와 같은 양자점이 적용된 표시장치에 관하여, 한국 특허 공개 공보 10-2011-0068110 등에 개시되어 있다.
실시예는 향상된 신뢰성 및 내구성을 가지는 광학 부재 및 이를 포함하는 표시장치를 제공하고자 한다.
일 실시예에 따른 광학 부재는 호스트; 상기 호스트 내에 배치되는 복수의 광 변환 입자들; 및 상기 호스트 내에 배치되고, 하기의 화학식 1 또는 화학식 2로 표시되는 결합력 보강 물질을 포함한다.
화학식 1
여기서, Si는 실리콘이고, R1, R2, R3 및 R4는 각각 비닐기, 아미노기, 클로로기, 에폭시기 또는 메르캅토기로부터 선택된다.
화학식 2
여기서, Si는 실리콘이고, R5, R6, R7 및 R8 중 적어도 하나는 각각 비닐기, 아미노기, 클로로기, 에폭시기 또는 메르캅토기로부터 선택되고, R5, R6, R7 및 R8 중 나머지는 알콕시기이다.
일 실시예에 따른 표시장치는 광원; 상기 광원으로부터의 광이 입사되는 광 변환 부재; 및 상기 광 변환 부재로부터의 광이 입사되는 표시패널을 포함하고, 상기 광 변환 부재는 호스트; 상기 호스트 내에 배치되는 복수의 광 변환 입자들; 및 상기 호스트 내에 배치되고, 상기의 화학식 1 또는 화학식 2로 표시되는 결합력 보강 물질을 포함한다.
실시예에 따른 광학 부재 및 표시장치는 결합력 보강 물질을 포함한다. 이에 따라서, 상기 결합력 보강 물질은 상기 호스트 내의 결합력을 향상시킨다. 즉, 상기 결합력 보강 물질은 상기 호스트를 구성하는 물질의 결합력을 향상시킨다.
또한, 상기 결합력 보강 물질은 상기 호스트 및 상기 호스트와 직접 접촉되는 보호 부재 사이의 결합력을 향상시킬 수 있다. 이에 따라서, 상기 결합력 보강 물질은 상기 호스트 및 상기 보호 부재 사이의 박리를 방지할 수 있다.
따라서, 실시예에 따른 광학 부재 및 표시장치는 향상된 신뢰성 및 내구성을 가질 수 있다.
도 1은 제 1 실시예에 따른 액정표시장치를 도시한 분해사시도이다.
도 2는 광 변환 시트를 도시한 사시도이다.
도 3은 도 2에서 A-A`를 따라서 절단한 단면을 도시한 단면도이다.
도 4는 제 2 실시예에 따른 액정표시장치를 도시한 분해사시도이다.
도 5는 광 변환 부재를 도시한 사시도이다.
도 6은 도 5에서 B-B`를 따라서 절단한 단면을 도시한 단면도이다.
도 7은 도광판, 발광다이오드 및 광 변환 부재의 일 단면을 도시한 단면도이다.
도 8은 제 3 실시예에 따른 광 변환 부재를 도시한 사시도이다.
도 9는 도 8에서 C-C`를 따라서 절단한 단면을 도시한 단면도이다.
도 10 제 4 실시예에 따른 액정표시장치를 도시한 분해사시도이다.
도 11은 제 4 실시예에 따른 광 변환 부재를 도시한 사시도이다.
도 12는 도 11에서 D-D`를 따라서 절단한 단면을 도시한 단면도이다.
도 13은 도광판, 발광다이오드 및 광 변환 부재의 일 단면을 도시한 단면도이다.
도 2는 광 변환 시트를 도시한 사시도이다.
도 3은 도 2에서 A-A`를 따라서 절단한 단면을 도시한 단면도이다.
도 4는 제 2 실시예에 따른 액정표시장치를 도시한 분해사시도이다.
도 5는 광 변환 부재를 도시한 사시도이다.
도 6은 도 5에서 B-B`를 따라서 절단한 단면을 도시한 단면도이다.
도 7은 도광판, 발광다이오드 및 광 변환 부재의 일 단면을 도시한 단면도이다.
도 8은 제 3 실시예에 따른 광 변환 부재를 도시한 사시도이다.
도 9는 도 8에서 C-C`를 따라서 절단한 단면을 도시한 단면도이다.
도 10 제 4 실시예에 따른 액정표시장치를 도시한 분해사시도이다.
도 11은 제 4 실시예에 따른 광 변환 부재를 도시한 사시도이다.
도 12는 도 11에서 D-D`를 따라서 절단한 단면을 도시한 단면도이다.
도 13은 도광판, 발광다이오드 및 광 변환 부재의 일 단면을 도시한 단면도이다.
실시 예의 설명에 있어서, 각 기판, 프레임, 시트, 층 또는 패턴 등이 각 기판, 프레임, 시트, 층 또는 패턴 등의 "상(on)"에 또는 "아래(under)"에 형성되는 것으로 기재되는 경우에 있어, "상(on)"과 "아래(under)"는 "직접(directly)" 또는 "다른 구성요소를 개재하여 (indirectly)" 형성되는 것을 모두 포함한다. 또한 각 구성요소의 상 또는 아래에 대한 기준은 도면을 기준으로 설명한다. 도면에서의 각 구성요소들의 크기는 설명을 위하여 과장될 수 있으며, 실제로 적용되는 크기를 의미하는 것은 아니다.
도 1은 제 1 실시예에 따른 액정표시장치를 도시한 분해사시도이다. 도 2는 광 변환 시트를 도시한 사시도이다. 도 3은 도 2에서 A-A`를 따라서 절단한 단면을 도시한 단면도이다.
도 1 내지 도 3을 참조하면, 실시예에 따른 액정표시장치는 백라이트 유닛(10) 및 액정패널(20)을 포함한다.
상기 백라이트 유닛(10)은 상기 액정패널(20)에 광을 출사한다. 상기 백라이트 유닛(10)은 면 광원으로 상기 액정패널(20)의 하면에 균일하기 광을 조사할 수 있다.
상기 백라이트 유닛(10)은 상기 액정패널(20) 아래에 배치된다. 상기 백라이트 유닛(10)은 바텀 커버(100), 도광판(200), 반사시트(300), 다수 개의 발광다이오드들(400), 인쇄회로기판(401) 및 다수 개의 광학 시트들(500)을 포함한다.
상기 바텀 커버(100)는 상부가 개구된 형상을 가진다. 상기 바텀 커버(100)는 상기 도광판(200), 상기 발광다이오드들(400), 상기 인쇄회로기판(401), 상기 반사시트(300) 및 상기 광학 시트들(500)을 수용한다.
상기 도광판(200)은 상기 바텀 커버(100) 내에 배치된다. 상기 도광판(200)은 상기 반사시트(300) 상에 배치된다. 상기 도광판(200)은 상기 발광다이오드들(400)로부터 입사되는 광을 전반사, 굴절 및 산란을 통하여 상방으로 출사한다.
상기 반사시트(300)는 상기 도광판(200) 아래에 배치된다. 더 자세하게, 상기 반사시트(300)는 상기 도광판(200) 및 상기 바텀 커버(100)의 바닥면 사이에 배치된다. 상기 반사시트(300)는 상기 도광판(200)의 하부면으로부터 출사되는 광을 상방으로 반사시킨다.
상기 발광다이오드들(400)은 광을 발생시키는 광원이다. 상기 발광다이오드들(400)은 상기 도광판(200)의 일 측면에 배치된다. 상기 발광다이오드들(400)은 광을 발생시켜서, 상기 도광판(200)의 측면을 통하여, 상기 도광판(200)에 입사시킨다.
상기 발광다이오드들(400)은 청색 광을 발생시키는 청색 발광다이오드 또는 자외선을 발생시키는 UV 발광다이오드일 수 있다. 즉, 상기 발광다이오드들(400)은 약 430㎚ 내지 약 470㎚ 사이의 파장대를 가지는 청색광 또는 약 300㎚ 내지 약 400㎚ 사이의 파장대를 가지는 자외선을 발생시킬 수 있다.
상기 발광다이오드들(400)은 상기 인쇄회로기판(401)에 실장된다. 상기 발광다이오드들(400)은 상기 인쇄회로기판(401) 아래에 배치된다. 상기 발광다이오드들(400)은 상기 인쇄회로기판(401)을 통하여 구동신호를 인가받아 구동된다.
상기 인쇄회로기판(401)은 상기 발광다이오드들(400)에 전기적으로 연결된다. 상기 인쇄회로기판(401)은 상기 발광다이오드들(400)을 실장할 수 있다. 상기 인쇄회로기판(401)은 상기 바텀 커버(100) 내측에 배치된다.
상기 광학 시트들(500)은 상기 도광판(200) 상에 배치된다. 상기 광학 시트들(500)은 상기 도광판(200)의 상면으로부터 출사되는 광의 특성을 변화 또는 향상시켜서, 상기 광을 상기 액정패널(20)에 공급한다.
상기 광학 시트들(500)은 광 변환 시트(501), 확산 시트(502), 제 1 프리즘 시트(503) 및 제 2 프리즘 시트(504)일 수 있다.
상기 광 변환 시트(501)는 상기 도광판(200) 상에 배치된다. 더 자세하게, 상기 광 변환 시트(501)는 상기 도광판(200) 및 상기 확산 시트(502) 사이에 개재될 수 있다. 상기 광 변환 시트(501)는 입사되는 광의 파장을 변환하여 상방으로 출사할 수 있다.
예를 들어, 상기 발광다이오드들(400)이 청색 발광다이오드인 경우, 상기 광 변환 시트(501)는 상기 도광판(200)으로부터 상방으로 출사되는 청색광을 녹색광 및 적색광으로 변환시킬 수 있다. 즉, 상기 광 변환 시트(501)는 상기 청색광의 일부를 약 520㎚ 내지 약 560㎚ 사이의 파장대를 가지는 녹색광으로 변환시키고, 상기 청색광의 다른 일부를 약 630㎚ 내지 약 660㎚ 사이의 파장대를 가지는 적색광으로 변환시킬 수 있다.
또한, 상기 발광다이오드들(400)이 UV 발광다이오드인 경우, 상기 광 변환 시트(501)는 상기 도광판(200)의 상면으로부터 출사되는 자외선을 청색광, 녹색광 및 적색광으로 변환시킬 수 있다. 즉, 상기 광 변환 시트(501)는 상기 자외선의 일부를 약 430㎚ 내지 약 470㎚ 사이의 파장대를 가지는 청색광으로 변환시키고, 상기 자외선의 다른 일부를 약 520㎚ 내지 약 560㎚ 사이의 파장대를 가지는 녹색광으로 변환시키고, 상기 자외선의 또 다른 일부를 약 630㎚ 내지 약 660㎚ 사이의 파장대를 가지는 적색광으로 변환시킬 수 있다.
이에 따라서, 변환되지 않고 상기 광 변환 시트(501)를 통과하는 광 및 상기 광 변환 시트(501)에 의해서 변환된 광들은 백색광을 형성할 수 있다. 즉, 청색광, 녹색광 및 적색광이 조합되어, 상기 액정패널(20)에는 백색광이 입사될 수 있다.
상기 광 변환 시트(501)는 입사광의 파장을 변환시키는 광 변환 부재에 해당된다. 즉, 상기 광 변환 시트(501)는 입사광의 특성을 변화시키는 광학 부재이다.
도 2 및 도 3에 도시된 바와 같이, 상기 광 변환 시트(501)는 하부 기판(510), 상부 기판(520) 및 광 변환층(530)을 포함한다.
상기 하부 기판(510)은 상기 광 변환층(530) 아래에 배치된다. 상기 하부 기판(510)은 투명하며, 플렉서블 할 수 있다. 상기 하부 기판(510)은 상기 광 변환층(530)의 하면에 밀착될 수 있다.
상기 하부 기판(510)은 유기 물질을 포함할 수 있다. 더 자세하게, 상기 하부 기판(510)으로 사용되는 물질의 예로서는 폴리에틸렌테레프탈레이트(polyethyleneterephthalate;PET) 등과 같은 투명한 폴리머 등을 들 수 있다.
이와는 다르게, 상기 하부 기판(510)은 무기 물질을 포함할 수 있다. 상기 하부 기판(510)으로 사용되는 물질의 예로서는 유리 등을 들 수 있다.
상기 상부 기판(520)은 상기 광 변환층(530) 상에 배치된다. 상기 상부 기판(520)은 투명하며, 플렉서블 할 수 있다. 상기 상부 기판(520)은 상기 광 변환층(530)의 상면에 밀착될 수 있다.
상기 상부 기판(520)은 유기 물질을 포함할 수 있다. 더 자세하게, 상기 상부 기판(520)으로 사용되는 물질의 예로서는 폴리에틸렌테레프탈레이트 등과 같은 투명한 폴리머 등을 들 수 있다.
이와는 다르게, 상기 상부 기판(520)은 무기 물질을 포함할 수 있다. 상기 상부 기판(520)으로 사용되는 물질의 예로서는 유리 등을 들 수 있다.
상기 하부 기판(510) 및 상기 상부 기판(520)은 상기 광 변환층(530)을 샌드위치한다. 상기 하부 기판(510) 및 상기 상부 기판(520)은 상기 광 변환층(530)을 지지한다. 상기 하부 기판(510) 및 상기 상부 기판(520)은 외부의 물리적인 충격으로부터 상기 광 변환층(530)을 보호한다. 즉, 상기 하부 기판(510) 및 상기 상부 기판(520)은 상기 광 변환층(530)을 보호하기 위한 보호 기판이다. 더 자세하게, 상기 하부 기판(510) 및 상기 상부 기판(520)은 상기 광 변환층(530)에 직접 접촉되는 보호 부재이다.
또한, 상기 하부 기판(510) 및 상기 상부 기판(520)은 낮은 산소 투과도 및 투습성을 가진다. 이에 따라서, 상기 하부 기판(510) 및 상기 상부 기판(520)은 수분 및/또는 산소 등과 같은 외부의 화학적인 충격으로부터 상기 광 변환층(530)을 보호할 수 있다.
상기 광 변환층(530)은 상기 하부 기판(510) 및 상기 상부 기판(520) 사이에 개재된다. 상기 광 변환층(530)은 상기 하부 기판(510)의 상면에 밀착되고, 상기 상부 기판(520)의 하면에 밀착될 수 있다.
상기 광 변환층(530)은 다수 개의 광 변환 입자들(531), 호스트(532) 및 결합력 보강 물질을 포함한다.
상기 광 변환 입자들(531)은 상기 하부 기판(510) 및 상기 상부 기판(520) 사이에 배치된다. 더 자세하게, 상기 광 변환 입자들(531)은 상기 호스트(532)에 균일하게 분산되고, 상기 호스트(532)는 상기 하부 기판(510) 및 상기 상부 기판(520) 사이에 배치된다.
상기 광 변환 입자들(531)은 상기 발광다이오드들(400)로부터 출사되는 광의 파장을 변환시킨다. 상기 광 변환 입자들(531)은 상기 발광다이오드들(400)로부터 출사되는 광을 입사받아, 파장을 변환시킨다. 예를 들어, 상기 광 변환 입자들(531)은 상기 발광다이오드들(400)로부터 출사되는 청색광을 녹색광 및 적색광으로 변환시킬 수 있다. 즉, 상기 광 변환 입자들(531) 중 일부는 상기 청색광을 약 520㎚ 내지 약 560㎚ 사이의 파장대를 가지는 녹색광으로 변환시키고, 상기 광 변환 입자들(531) 중 다른 일부는 상기 청색광을 약 630㎚ 내지 약 660㎚ 사이의 파장대를 가지는 적색광으로 변환시킬 수 있다.
이와는 다르게, 상기 광 변환 입자들(531)은 상기 발광다이오드들(400)로부터 출사되는 자외선을 청색광, 녹색광 및 적색광으로 변환시킬 수 있다. 즉, 상기 광 변환 입자들(531) 중 일부는 상기 자외선을 약 430㎚ 내지 약 470㎚ 사이의 파장대를 가지는 청색광으로 변환시키고, 상기 광 변환 입자들(531) 중 다른 일부는 상기 자외선을 약 520㎚ 내지 약 560㎚ 사이의 파장대를 가지는 녹색광으로 변환시킬 수 있다. 또한, 상기 광 변환 입자들(531) 중 또 다른 일부는 상기 자외선을 약 630㎚ 내지 약 660㎚ 사이의 파장대를 가지는 적색광으로 변환시킬 수 있다.
즉, 상기 발광다이오드들(400)이 청색광을 발생시키는 청색 발광다이오드인 경우, 청색광을 녹색광 및 적색광으로 각각 변환시키는 광 변환 입자들(531)이 사용될 수 있다. 이와는 다르게, 상기 발광다이오드들(400)이 자외선을 발생시키는 UV 발광다이오드인 경우, 자외선을 청색광, 녹색광 및 적색광으로 각각 변환시키는 광 변환 입자들(531)이 사용될 수 있다.
상기 광 변환 입자들(531)은 다수 개의 양자점(QD, Quantum Dot)들일 수 있다. 상기 양자점은 코어 나노 결정 및 상기 코어 나노 결정을 둘러싸는 껍질 나노 결정을 포함할 수 있다. 또한, 상기 양자점은 상기 껍질 나노 결정에 결합되는 유기 리간드를 포함할 수 있다. 또한, 상기 양자점은 상기 껍질 나노 결정을 둘러싸는 유기 코팅층을 포함할 수 있다.
상기 껍질 나노 결정은 두 층 이상으로 형성될 수 있다. 상기 껍질 나노 결정은 상기 코어 나노 결정의 표면에 형성된다. 상기 양자점은 상기 코어 나오 결정으로 입광되는 빛의 파장을 껍질층을 형성하는 상기 껍질 나노 결정을 통해서 파장을 길게 변환시키고 빛의 효율을 증가시길 수 있다.
상기 양자점은 Ⅱ족 화합물 반도체, Ⅲ족 화합물 반도체, Ⅴ족 화합물 반도체 그리고 VI족 화합물 반도체 중에서 적어도 한가지 물질을 포함할 수 있다. 보다 상세하게, 상기 코어 나노 결정은 Cdse, InGaP, CdTe, CdS, ZnSe, ZnTe, ZnS, HgTe 또는 HgS를 포함할 수 있다. 또한, 상기 껍질 나노 결정은 CuZnS, CdSe, CdTe, CdS, ZnSe, ZnTe, ZnS, HgTe 또는 HgS를 포함할 수 있다. 상기 양자점의 지름은 1 nm 내지 10 nm일 수 있다.
상기 양자점에서 방출되는 빛의 파장은 상기 양자점의 크기 또는 합성 과정에서의 분자 클러스터 화합물(molecular cluster compound)와 나노입자 전구체 (precurser)의 몰분율 (molar ratio)에 따라 조절이 가능하다. 상기 유기 리간드는 피리딘(pyridine), 메르캅토 알콜(mercapto alcohol), 티올(thiol), 포스핀(phosphine) 및 포스핀 산화물(phosphine oxide) 등을 포함할 수 있다. 상기 유기 리간드는 합성 후 불안정한 양자점을 안정화시키는 역할을 한다. 합성 후에 댕글링 본드(dangling bond)가 외곽에 형성되며, 상기 댕글링 본드 때문에, 상기 양자점이 불안정해 질 수도 있다. 그러나, 상기 유기 리간드의 한 쪽 끝은 비결합 상태이고, 상기 비결합된 유기 리간드의 한 쪽 끝이 댕글링 본드와 결합해서, 상기 양자점을 안정화 시킬 수 있다.
특히, 상기 양자점은 그 크기가 빛, 전기 등에 의해 여기되는 전자와 정공이 이루는 엑시톤(exciton)의 보어 반경(Bohr raidus)보다 작게 되면 양자구속효과가 발생하여 띄엄띄엄한 에너지 준위를 가지게 되며 에너지 갭의 크기가 변화하게 된다. 또한, 전하가 양자점 내에 국한되어 높은 발광효율을 가지게 된다.
이러한 상기 양자점은 일반적 형광 염료와 달리 입자의 크기에 따라 형광파장이 달라진다. 즉, 입자의 크기가 작아질수록 짧은 파장의 빛을 내며, 입자의 크기를 조절하여 원하는 파장의 가시광선영역의 형광을 낼 수 있다. 또한, 일반적 염료에 비해 흡광계수(extinction coefficient)가 100~1000배 크고 양자효율(quantum yield)도 높으므로 매우 센 형광을 발생한다.
상기 양자점은 화학적 습식방법에 의해 합성될 수 있다. 여기에서, 화학적 습식방법은 유기용매에 전구체 물질을 넣어 입자를 성장시키는 방법으로서, 화학적 습식방법에 의해서, 상기 양자점이 합성될 수 있다.
상기 호스트(532)는 상기 광 변환 입자들(531)을 둘러싼다. 즉, 상기 호스트(532)는 상기 광 변환 입자들(531)을 균일하게 내부에 분산시킨다. 상기 호스트(532)는 폴리머로 구성될 수 있다. 상기 호스트(532)는 투명하다. 즉, 상기 호스트(532)는 투명한 폴리머로 형성될 수 있다.
상기 호스트(532)로 사용되는 폴리머의 예로서는 실리콘계 수지, 에폭시계 수지 또는 아크릴계 수지 등을 들 수 있다.
상기 호스트(532)는 상기 하부 기판(510) 및 상기 상부 기판(520) 사이에 배치된다. 상기 호스트(532)는 상기 하부 기판(510)의 상면 및 상기 상부 기판(520)의 하면에 밀착될 수 있다.
상기 결합력 보강 물질은 상기 호스트(532) 내에 배치된다. 더 자세하게, 상기 결합력 보강 물질은 상기 호스트(532)에 균일하게 분산된다. 상기 결합력 보강 물질은 상기 호스트(532)에 포함된 폴리머와 결합될 수 있다. 즉, 상기 결합력 보강 물질은 상기 호스트(532)를 형성하는 물질과 결합하여, 상기 호스트(532) 자체의 결합력을 향상시킬 수 있다.
상기 결합력 보강 물질은 실란계 물질일 수 있다. 상기 결합력 보강 물질은 아래의 화학식 1로 표시될 수 있다.
화학식 1
여기서, Si는 실리콘이고, R1, R2, R3 및 R4는 각각 비닐기(vinyl group), 아미노기(amino group), 클로로기(chloro group), 에폭시기(epoxy group) 또는 메르캅토기(mercarpto group)로부터 선택된다.
R1, R2, R3 및 R4 등과 같은 작용기가 비닐기, 아미노기, 클로로기, 에폭시기 또는 메르캅토기로부터 선택될 때, 상기 작용기는 유기 물질과 높은 결합력을 가질 수 있다.
이에 따라서, 상기 결합력 보강 물질은 상기 호스트(532)으로 유기 물질이 사용되는 경우, 상기 호스트(532)를 구성하는 물질 사이의 결합력을 강화시킬 수 있다. 또한, 상기 하부 기판(510) 및 상기 상부 기판(520)이 폴리머 등과 같은 유기 물질을 포함하는 경우, 상기 결합력 보강 물질은 상기 호스트(532) 및 상기 하부 기판(510) 사이의 결합력 및 상기 호스트(532) 및 상기 상부 기판(520) 사이의 결합력을 향상시킬 수 있다.
특히, R1, R2, R3 및 R4 중 하나가 아미노기인 경우, 상기 결합 보강 물질은 물이 용이하게 녹을 수 있다. 이에 따라서, 상기 호스트(532)를 형성하는 과정에서 발생되는 잔유물이 물에 의해서 용이하게 세정될 수 있다. 또한, 상기 아미노기는 에폭시계 수지의 경화제 또는 경화 촉진제 기능을 수행할 수 있다. 이에 따라서, 상기 호스트(532)를 형성하기 위해서, 에폭시계 수지가 사용되는 경우, 상기 결합력 보강 물질은 상기 호스트(532) 내부의 결합력을 향상시킬 수 있다.
또한, 상기 결합력 보강 물질은 아래의 화학식 2로 표시될 수 있다.
화학식 2
여기서, R5, R6, R7 및 R8 중 일부는 각각 비닐기, 아미노기, 클로로기, 에폭시기 또는 메르캅토기로부터 선택되고, R5, R6, R7 및 R8 중 나머지는 알콕시기일 수 있다. 예를 들어, R5가 비닐기, 아미노기, 클로로기, 에폭시기 또는 메르캅토기로부터 선택되고, R6, R7 및 R8는 알콕시기(alkoxy group)일 수 있다. 또한, R5 및 R6가 비닐기, 아미노기, 클로로기, 에폭시기 또는 메르캅토기로부터 선택되고, R7 및 R8은 알콕시기 일 수 있다. 또한, R5, R6 및 R7는 비닐기, 아미노기, 클로로기, 에폭시기 또는 메르캅토기로부터 선택되고, R8은 알콕시기일 수 있다. 이때, 상기 알콕시기는 메톡시기 또는 에톡시기일 수 있다.
또한, 화학식 1 및 화학식 2에서, 상기 아미노기는 하기의 화학식 3으로 표시될 수 있다.
화학식 3
여기서, R9 및 R10은 수소, 탄소가 1개 내지 30개인 알킬기, 아릴기, 헤테로 아릴기, 할로겐 원소 또는 에폭시기로부터 선택될 수 있다.
또한, 상기 화학식 1 및 화학식 2에서 상기 알콕시기는 하기의 화학식 4 내지 화학식 6으로 표시될 수 있다.
화학식 4
화학식 5
화학식 6
화학식 4 내지 화학식 6에서, R9 및 R10은 수소, 탄소가 1개 내지 30개인 알킬기, 아릴기, 헤테로 아릴기, 할로겐 원소 또는 에폭시기로부터 선택될 수 있다.
알콕시기는 무기 물질과 높은 결합력을 가질 수 있다. 따라서, R5, R6, R7 및 R8 중 일부는 유기 물질과 높은 결합력을 가지고, R5, R6, R7 및 R8 중 다른 일부는 무기 물질과 높은 결합력을 가진다.
이에 따라서, 상기 결합력 보강 물질은 유기 물질층 및 무기 물질층 사이의 결합력을 향상시킬 수 있다. 특히, 상기 하부 기판(510) 및 상기 상부 기판(520)이 무기 물질을 포함하는 경우, 상기 결합력 보강 물질은 상기 호스트(532) 및 상기 하부 기판(510) 사이의 결합력 및 상기 호스트(532) 및 상기 상부 기판(520) 사이의 결합력을 향상시킬 수 있다.
더 자세하게, 상기 결합력 보강 물질은 3-글리시독시 프로필 트리메톡시 실란(3-glycidoxy propyl trimethoxy silane), 3-글리시독시 프로필 메틸 디메톡시 실란(3-glycidoxy propyl methyl dimethoxy silane), 3-아미노 프로필 트리에톡시 실란(3-amino propyl triethoxy siline) 또는 3-아미노 프로필 메틸 디에톡시 실란(3-amino propyl methyl diethoxy silane)으로부터 선택될 수 있다.
상기 결합력 보강 물질은 상기 호스트(532)에 약 1wt% 내지 약 3wt%의 비율로 첨가될 수 있다.
다시 도 1을 참조하면, 상기 확산 시트(502)는 상기 광 변환 시트(501) 상에 배치된다. 상기 확산 시트(502)는 통과되는 광의 균일도를 향상시킨다. 상기 확산 시트(502)는 다수 개의 비드들을 포함할 수 있다.
상기 제 1 프리즘 시트(503)는 상기 확산 시트(502) 상에 배치된다. 상기 제 2 프리즘 시트(504)는 상기 제 1 프리즘 시트(503) 상에 배치된다. 상기 제 1 프리즘 시트(503) 및 상기 제 2 프리즘 시트(504)는 통과하는 광의 직진성을 증가시킨다.
상기 액정패널(20)은 상기 광학시트들(500)상에 배치된다. 또한, 상기 액정패널(20)은 패널 가이드(23) 상에 배치된다. 상기 액정패널(20)은 상기 패널 가이드(23)에 의해서 가이드될 수 있다.
상기 액정패널(20)은 통과하는 광의 세기를 조절하여 영상을 표시한다. 즉, 상기 액정패널(20)은 상기 백라이트 유닛(10)으로부터 출사되는 광을 사용하여, 영상을 표시하는 표시패널이다. 상기 액정패널(20)은 TFT기판(21), 컬러필터기판(22), 두 기판들 사이에 개재되는 액정층을 포함한다. 또한, 상기 액정패널(20)은 편광필터들을 포함한다.
도면에는 상세히 도시되지 않았지만, 상기 TFT기판(21) 및 컬러필터기판(22)을 상세히 설명하면, 상기 TFT기판(21)은 복수의 게이트 라인 및 데이터 라인이 교차하여 화소를 정의하고, 각각의 교차영역마다 박막 트랜지스터(TFT : thin flim transistor)가 구비되어 각각의 픽셀에 실장된 화소전극과 일대일 대응되어 연결된다. 상기 컬러필터기판(22)은 각 픽셀에 대응되는 R, G, B 컬러의 컬러필터, 이들 각각을 테두리 하며 게이트 라인과 데이터 라인 및 박막 트랜지스터 등을 가리는 블랙 매트릭스와, 이들 모두를 덮는 공통전극을 포함한다.
액정표시패널(210)의 가장자리에는 게이트 라인 및 데이터 라인으로 구동신호를 공급하는 구동 PCB(25)가 구비된다.
상기 구동 PCB(25)는 COF(Chip on film, 24)에 의해 액정패널(20)과 전기적으로 연결된다. 여기서, 상기 COF(24)는 TCP(Tape Carrier Package)로 변경될 수 있다.
앞서 설명한 바와 같이, 상기 호스트(532)는 결합력 보강 물질을 포함한다. 이에 따라서, 상기 결합력 보강 물질은 상기 호스트(532) 내의 결합력을 향상시킨다. 즉, 상기 결합력 보강 물질은 상기 호스트(532)를 구성하는 물질의 결합력을 향상시킨다.
또한, 상기 결합력 보강 물질은 상기 호스트(532) 및 상기 하부 기판(510) 및 상기 상부 기판(520) 등과 같은 보호 부재 사이의 결합력을 향상시킬 수 있다. 이에 따라서, 상기 결합력 보강 물질은 상기 호스트(532) 및 상기 보호 부재(510, 520) 사이의 박리를 방지할 수 있다.
따라서, 실시예에 따른 액정표시장치는 향상된 신뢰성 및 내구성을 가질 수 있다.
도 4는 제 2 실시예에 따른 액정표시장치를 도시한 분해사시도이다. 도 5는 광 변환 부재를 도시한 사시도이다. 도 6은 도 5에서 B-B`를 따라서 절단한 단면을 도시한 단면도이다. 도 7은 도광판, 발광다이오드 및 광 변환 부재의 일 단면을 도시한 단면도이다. 도 8은 제 3 실시예에 따른 광 변환 부재를 도시한 사시도이다. 도 9는 도 8에서 C-C`를 따라서 절단한 단면을 도시한 단면도이다. 본 실시예들에 대한 설명에 있어서, 앞선 실시예들에 대한 설명 참조한다. 즉, 앞선 액정표시장치에 대한 설명은 변경된 부분을 제외하고, 본 액정표시장치에 대한 설명에 본질적으로 결합될 수 있다.
도 4 내지 도 9를 참조하면, 본 실시예에 따른 액정표시장치는 광 변환 시트(501) 대신에 광 변환 부재(600)를 포함한다. 상기 광 변환 부재(600)는 발광다이오드들(400) 및 도광판(200) 사이에 개재된다.
상기 광 변환 부재(600)는 일 방향으로 길게 연장되는 형상을 가질 수 있다. 더 자세하게, 상기 광 변환 부재(600)는 상기 도광판(200)의 일 측면을 따라 연장되는 형상을 가질 수 있다. 더 자세하게, 상기 광 변환 부재(600)는 상기 도광판(200)의 입사면을 따라서 연장되는 형상을 가질 수 있다.
상기 광 변환 부재(600)는 상기 발광다이오드들(400)로부터 출사되는 광을 입사받아, 파장을 변환시킨다. 예를 들어, 상기 광 변환 부재(600)는 상기 발광다이오드들(400)로부터 출사되는 청색광을 녹색광 및 적색광으로 변환시킬 수 있다. 즉, 상기 광 변환 부재(600)는 상기 청색광의 일부를 약 520㎚ 내지 약 560㎚ 사이의 파장대를 가지는 녹색광으로 변환시키고, 상기 청색광의 다른 일부를 약 630㎚ 내지 약 660㎚ 사이의 파장대를 가지는 적색광으로 변환시킬 수 있다.
또한, 상기 광 변환 부재(600)는 상기 발광다이오드들(400)로부터 출사되는 자외선을 청색광, 녹색광 및 적색광으로 변환시킬 수 있다. 즉, 상기 광 변환 부재(600)는 상기 자외선의 일부를 약 430㎚ 내지 약 470㎚ 사이의 파장대를 가지는 청색광으로 변환시키고, 상기 자외선의 다른 일부를 약 520㎚ 내지 약 560㎚ 사이의 파장대를 가지는 녹색광으로 변환시키고, 상기 자외선의 또 다른 일부를 약 630㎚ 내지 약 660㎚ 사이의 파장대를 가지는 적색광으로 변환시킬 수 있다.
이에 따라서, 상기 광 변환 부재(600)를 통과하는 광 및 상기 광 변환 부재(600)에 의해서 변환된 광들은 백색광을 형성할 수 있다. 즉, 청색광, 녹색광 및 적색광이 조합되어, 상기 도광판(200)에는 백색광이 입사될 수 있다.
도 5 내지 도 7에 도시된 바와 같이, 상기 광 변환 부재(600)는 하부 기판(610), 상부 기판(620) 및 광 변환층(630)을 포함한다.
도 6에 도시된 바와 같이, 상기 하부 기판(610)은 상기 광 변환층(630) 아래에 배치된다. 상기 하부 기판(610)은 투명하며, 플렉서블 할 수 있다. 상기 하부 기판(610)은 상기 광 변환층(630)의 하면에 밀착될 수 있다.
또한, 도 7에 도시된 바와 같이, 상기 하부 기판(610)은 상기 발광다이오드들(400)에 대향한다. 즉, 상기 하부 기판(610)은 상기 발광다이오드들(400) 및 상기 광 변환층(630) 사이에 배치된다.
도 6에 도시된 바와 같이, 상기 상부 기판(620)은 상기 광 변환층(630) 상에 배치된다. 상기 상부 기판(620)은 투명하며, 플렉서블 할 수 있다. 상기 상부 기판(620)은 상기 광 변환층(630)의 상면에 밀착될 수 있다.
또한, 도 7에 도시된 바와 같이, 상기 상부 기판(620)은 상기 도광판(200)에 대향한다. 즉, 상기 상부 기판(620)은 상기 도광판(200) 및 상기 광 변환층(630) 사이에 배치된다.
상기 광 변환층(630)은 상기 하부 기판(610) 및 상기 상부 기판(620) 사이에 개재된다. 상기 광 변환층(630)은 상기 하부 기판(610) 및 상기 상부 기판(620)에 의해서 샌드위치된다. 상기 광 변환층(630)은 앞선 실시예에서의 광 변환층(630)과 실질적으로 동일한 특징을 가질 수 있다.
상기 광 변환층(630)에는 결합력 보강 물질이 포함된다. 이때, 상기 결합력 보강 물질에 의해서, 상기 광 변환층(630) 및 상기 하부 기판(610) 사이의 결합력 및 상기 광 변환층(630) 및 상기 상부 기판(620) 사이의 결합력이 향상될 수 있다.
이에 따라서, 본 실시예에 따른 광 변환 부재(600)는 향상된 기계적인 특성 및 내화학적인 특성을 가질 수 있다.
도 8 및 도 9에 도시된 바와 같이, 제 3 실시예에 따른 광 변환 부재는 튜브(640), 호스트(632), 복수의 광 변환 입자들(631) 및 결합력 보강 물질을 포함한다.
상기 튜브(640)는 상기 밀봉부(650), 상기 광 변환 입자들(631) 및 상기 호스트(632)를 수용한다. 즉, 상기 튜브(640)는 상기 밀봉부(650), 상기 광 변환 입자들(631) 및 상기 호스트(632)를 수용하는 수용부이다. 또한, 상기 튜브(640)는 일 방향으로 길게 연장되는 형상을 가진다.
상기 튜브(640)는 사각 파이프 형상을 가질 수 있다. 즉, 상기 튜브(640)의 길이 방향에 대하여 수직한 단면은 직사각형 형상을 가질 수 있다. 또한, 상기 튜브(640)의 폭은 약 0.6㎜이고, 상기 튜브(640)의 높이는 약 0.2㎜일 수 있다. 즉, 상기 튜브(640)는 모세관일 수 있다.
상기 튜브(640)는 투명하다. 상기 튜브(640)는 유리 등과 같은 무기 무질 또는 폴리머 등과 같은 유기 물질을 포함할 수 있다.
상기 밀봉부(650)는 상기 튜브(640)의 내부에 배치된다. 상기 밀봉부(650)는 상기 튜브(640)의 끝단에 배치된다. 상기 밀봉부(650)는 상기 튜브(640)의 내부를 밀봉한다. 상기 밀봉부(650)는 에폭시계 수지(epoxy resin)를 포함할 수 있다.
상기 튜브(640) 및 상기 밀봉부(650)은 상기 광 변환 입자들(631) 및 상기 호스트(632)을 외부로부터 격리시킨다. 즉, 상기 튜브(640) 및 상기 밀봉부(650)는 상기 광 변환 입자들(631)을 수용하고, 외부로부터 밀봉하는 밀봉 부재이다.
상기 광 변환 입자들(631)은 상기 튜브(640)의 내부에 배치된다. 더 자세하게, 상기 광 변환 입자들(631)은 상기 호스트(632)에 균일하게 분산되고, 상기 호스트(632)는 상기 튜브(640)의 내부에 배치된다.
상기 광 변환 입자들(631)은 상기 발광다이오드(300)로부터 출사되는 광의 파장을 변환시킨다. 상기 광 변환 입자들(631)은 상기 발광다이오드(300)로부터 출사되는 광을 입사받아, 파장을 변환시킨다.
상기 호스트(632)는 상기 광 변환 입자들(631)을 둘러싼다. 즉, 상기 호스트(632)는 상기 광 변환 입자들(631)을 균일하게 내부에 분산시킨다. 상기 호스트(632)는 폴리머로 구성될 수 있다. 상기 호스트(632)는 투명하다. 즉, 상기 호스트(632)는 투명한 폴리머로 형성될 수 있다.
상기 호스트(632)는 상기 튜브(640) 내부에 배치된다. 즉, 상기 호스트(632)는 전체적으로 상기 튜브(640) 내부에 채워진다. 상기 호스트(632)는 상기 튜브(640)의 내면에 밀착될 수 있다.
상기 결합력 보강 물질은 상기 호스트(632) 내에 배치된다. 상기 결합력 보강 물질은 상기 호스트(632) 내에 균일하게 분산될 수 있다. 상기 결합력 보강 물질에 의해서, 상기 호스트(632)로 사용되는 물질 자체의 결합력 및 상기 호스트(632) 및 상기 튜브(640) 사이의 결합력이 향상될 수 있다.
상기 밀봉부(650) 및 상기 호스트(632) 사이에는 공기층이 형성된다. 상기 공기층(450)에는 질소로 채워진다. 상기 공기층은 상기 밀봉부(650) 및 상기 호스트(632) 사이에서 완충 기능을 수행한다.
본 실시예에 따른 액정표시장치에서, 상기 광 변환층(630)은 시트 형태의 광 변환 부재에 비하여, 상대적으로 작은 크기를 가진다. 따라서, 본 실시예에 따른 액정표시장치를 제조하는데 있어서, 적은 양의 광 변환 입자들(631)이 사용될 수 있다.
따라서, 본 실시예에 따른 액정표시장치는 상기 광 변환 입자들(631)의 사용을 줄이고, 적은 비용으로 용이하게 제조될 수 있다.
도 10 제 4 실시예에 따른 액정표시장치를 도시한 분해사시도이다. 도 11은 제 4 실시예에 따른 광 변환 부재를 도시한 사시도이다. 도 12는 도 11에서 D-D`를 따라서 절단한 단면을 도시한 단면도이다. 도 13은 도광판, 발광다이오드 및 광 변환 부재의 일 단면을 도시한 단면도이다. 본 실시예에 대한 설명에 있어서, 앞선 실시예들에 대한 설명 참조한다. 즉, 앞선 액정표시장치들에 대한 설명은 변경된 부분을 제외하고, 본 액정표시장치에 대한 설명에 본질적으로 결합될 수 있다.
도 10 내지 도 13을 참조하면, 본 실시예에 따른 액정표시장치는 다수 개의 광 변환 부재들(700)을 포함한다. 상기 광 변환 부재들(700)은 상기 발광다이오드들(400)에 각각 대응된다.
또한, 상기 광 변환 부재들(700)은 상기 발광다이오드들(400) 및 상기 도광판(200) 사이에 배치된다. 즉, 각각의 광 변환 부재(600)는 대응되는 발광다이오드 및 상기 도광판(200) 사이에 배치된다.
또한, 상기 광 변환 부재들(700)은 대응되는 발광다이오드로부터 출사되는 광의 파장을 변환시킨다. 이때, 상기 광 변환 부재들(700)은 상기 발광다이오드로부터 출사되는 광을 녹색광과 같은 제 1 파장의 광으로 변환시키는 제 1 광 변환 부재들 및 적색광과 같은 제 2 파장의 광으로 변환시키는 제 2 광 변환 부재들로 나누어질 수 있다.
상기 광 변환 부재들(700)은 상기 발광다이오드들(400)보다 더 넓은 평면적을 가질 수 있다. 이에 따라서, 각각의 발광다이오드로부터 출사되는 광은 대응되는 광 변환 부재(600)에 거의 대부분이 입사될 수 있다.
또한, 도 11 내지 도 13에 도시된 바와 같이, 상기 광 변환 부재들(700)은 하부 기판(710), 상부 기판(720) 및 광 변환층(730)을 포함한다.
상기 하부 기판(710), 상기 상부 기판(720) 및 상기 광 변환층(730)의 특징은 앞서 설명한 실시예들에서 설명한 특징과 실질적으로 동일할 수 있다.
또한, 상기 광 변환층(730)은 결합력 보강 물질을 포함한다. 이에 따라서, 상기 광 변환층(730) 자체의 결합력, 상기 광 변환층(730) 및 상기 하부 기판(710) 사이의 결합력 및 상기 광 변환층(730) 및 상기 상부 기판(720) 사이의 결합력이 강화될 수 있다.
본 실시예에 따른 액정표시장치에서, 상기 광 변환층(730)은 상대적으로 작은 크기를 가진다. 따라서, 본 실시예에 따른 액정표시장치를 제조하는데 있어서, 적은 양의 광 변환 입자들(731)이 사용될 수 있다.
따라서, 본 실시예에 따른 액정표시장치는 상기 광 변환 입자들(731)의 사용을 줄이고, 적은 비용으로 용이하게 제조될 수 있다.
또한, 각각 광 변환 부재(700)의 특성은 대응되는 발광다이오드에 적합하도록 변형될 수 있다. 이에 따라서, 실시예에 따른 액정표시장치는 더 향상된 휘도 및 균일한 색재현성을 가질 수 있다.
또한, 이상에서 실시예들에 설명된 특징, 구조, 효과 등은 본 발명의 적어도 하나의 실시예에 포함되며, 반드시 하나의 실시예에만 한정되는 것은 아니다. 나아가, 각 실시예에서 예시된 특징, 구조, 효과 등은 실시예들이 속하는 분야의 통상의 지식을 가지는 자에 의해 다른 실시예들에 대해서도 조합 또는 변형되어 실시 가능하다. 따라서 이러한 조합과 변형에 관계된 내용들은 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.
이상에서 실시예를 중심으로 설명하였으나 이는 단지 예시일 뿐 본 발명을 한정하는 것이 아니며, 본 발명이 속하는 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 본 실시예의 본질적인 특성을 벗어나지 않는 범위에서 이상에 예시되지 않은 여러 가지의 변형과 응용이 가능함을 알 수 있을 것이다. 예를 들어, 실시예에 구체적으로 나타난 각 구성 요소는 변형하여 실시할 수 있는 것이다. 그리고 이러한 변형과 응용에 관계된 차이점들은 첨부된 청구 범위에서 규정하는 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.
실험예#1
내부면의 폭이 약 200㎛이고, 높이가 약 600㎛인 사각 파이프 형상의 유리 모세관에 1.5wt%의 양자점을 포함하는 실리콘계 수지 조성물이 주입되었다. 상기 수지 조성물은 약 2wt%로 가교제를 포함하였고, 결합력 보강 물질로 3-아미노 프로필 트리에톡시 실란을 약 2.7wt%로 포함하였다. 이후, 상기 수지 조성물이 경화되고, 상기 모세관에 에폭시 수지가 주입되고, 경화되어, 상기 모세관 내부가 밀봉되었다. 이에 따라서, 광 변환 부재#1이 형성되었다.
실험예#2
결합력 보강 물질로 약 2.7wt%의 3-아미노 프로필 메틸 디에톡시 실란이 사용되었고, 나머지는 실험예#1과 동일하였다.
비교예
결합력 보강 물질이 사용되지 않았고, 나머지는 실험예#1과 동일하였다.
결과
실험예#1, 실험예#2 및 비교예의 광 변환 부재는 약 80℃의 가혹 조건에서 약 500시간 동안 노출되었고, 효율 저하를 측정하였다. 비교예의 광 변환 부재에서는 초기에 비하여, 약 46%만큼 광 변환 효율이 저하되었고, 실험예#1의 광 변환 부재에서는 약 27%만큼 광 변환 효율이 저하되었고, 실험예#2의 광 변환 부재에서는 약 19%만큼 광 변환 효율이 저하되었다.
Claims (10)
- 하부 기판;
상기 하부 기판 상의 상부 기판; 및
상기 하부 기판과 상기 상부 기판 사이에 배치되는 광 변환층을 포함하고,
상기 광 변환층은,
호스트;
상기 호스트 내에 배치되는 복수의 광 변환 입자들; 및
상기 호스트 내에 배치되고, 하기의 화학식 1로 표시되는 결합력 보강 물질을 포함하고,
화학식 1
(여기서, Si는 실리콘이고, R1, R2, R3 및 R4는 아미노기이다.)
상기 하부 기판 및 상기 상부 기판은 폴리에틸렌테레프탈레이트를 포함하고,
상기 호스트는 유기물질을 포함하는 폴리머를 포함하고,
상기 광 변환 입자들은 양자점을 포함하는 광학 부재. - 제 1 항에 있어서, 상기 아미노기는 하기의 화학식 3으로 표시되는 광학 부재.
화학식 3
여기서, R9 및 R10은 수소, 탄소가 1개 내지 30개인 알킬기, 아릴기, 헤테로 아릴기, 할로겐 원소 또는 에폭시기로부터 선택된다. - 광원;
상기 광원으로부터의 광이 입사되는 광 변환 부재; 및
상기 광 변환 부재로부터의 광이 입사되는 표시패널을 포함하고,
상기 광 변환 부재는,
하부 기판;
상기 하부 기판 상의 상부 기판; 및
상기 하부 기판과 상기 상부 기판 사이에 배치되는 광 변환층을 포함하고,
상기 광 변환층은,
호스트;
상기 호스트 내에 배치되는 복수의 광 변환 입자들; 및
상기 호스트 내에 배치되고, 하기의 화학식 1로 표시되는 결합력 보강 물질을 포함하고,
화학식 1
(여기서, Si는 실리콘이고, R1, R2, R3 및 R4는 아미노기이다.)
상기 하부 기판 및 상기 상부 기판은 폴리에틸렌테레프탈레이트를 포함하고,
상기 호스트는 유기물질을 포함하는 폴리머를 포함하고,
상기 광 변환 입자들은 양자점을 포함하는 표시장치. - 제 3항에 있어서,
도광판을 더 포함하고,
상기 광원은 상기 도광판의 측면 상에 배치되고,
상기 광 변환 부재는 상기 도광판 상에 배치되는 표시장치. - 제 3항에 있어서,
도광판을 더 포함하고,
상기 광원은 상기 도광판의 측면 상에 배치되고,
상기 광 변환 부재는 상기 광원 및 상기 도광판 사이에 배치되는 표시장치 - 제 5항에 있어서,
상기 광원은 서로 이격하여 배치되는 복수 개의 광원들을 포함하고,
상기 광 변환 부재는 각각의 상기 광원과 마주보며 배치되는 복수 개의 광 변환 부재들을 포함하는 표시장치. - 삭제
- 삭제
- 삭제
- 삭제
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| KR1020110127354A KR101854770B1 (ko) | 2011-11-30 | 2011-11-30 | 광학 부재 및 이를 포함하는 표시장치 |
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