KR101949442B1 - Complex component and electronic device having the same - Google Patents

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KR101949442B1 KR1020180164624A KR20180164624A KR101949442B1 KR 101949442 B1 KR101949442 B1 KR 101949442B1 KR 1020180164624 A KR1020180164624 A KR 1020180164624A KR 20180164624 A KR20180164624 A KR 20180164624A KR 101949442 B1 KR101949442 B1 KR 101949442B1
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Abstract

본 발명은 복수의 시트가 적층된 적층체; 상기 적층체 내부에 형성된 복수의 내부 전극을 포함하는 캐패시터부; 상기 적층체 내부에 형성되며 적어도 두개의 방전 전극과, 상기 방전 전극 사이에 형성된 적어도 하나의 과전압 보호층을 포함하는 과전압 보호부; 및 상기 적층체 외부에 마련되어 상기 내부 전극 및 과전압 보호부와 연결되는 외부 전극을 포함하고, 상기 방전 전극은 수평 방향으로 이격되어 마련되며, 상기 과전압 보호부의 적어도 일부의 유전율이 상기 캐패시터부의 유전율보다 높고, 상기 과전압 보호층의 내부, 측부, 상부 및 하부 중 적어도 일 영역에 유전율이 다른 영역보다 높은 고유전 영역이 형성되며, 상기 고유전 영역은 상기 과전압 보호층과 상기 적어도 두개의 방전 전극이 접촉을 유지하도록 상기 과전압 보호층의 일부를 노출시키도록 형성된 복합 소자를 제시한다.The present invention relates to a laminate in which a plurality of sheets are laminated; A capacitor unit including a plurality of internal electrodes formed in the laminate; An overvoltage protector formed inside the laminate and including at least two discharge electrodes and at least one overvoltage protection layer formed between the discharge electrodes; And an outer electrode provided outside the laminated body and connected to the inner electrode and the overvoltage protector, wherein the discharge electrode is spaced apart in the horizontal direction, and a dielectric constant of at least a part of the overvoltage protector is higher than a dielectric constant of the capacitor portion A high dielectric constant region is formed in at least one region of the inside, the side, the upper portion, and the lower portion of the overvoltage protection layer, the high dielectric constant region being in contact with the overvoltage protection layer and the at least two discharge electrodes A portion of the overvoltage protection layer is exposed in order to maintain the overvoltage protection layer.

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Figure 112018127532609-pat00002

Description

복합 소자 및 이를 구비하는 전자기기{Complex component and electronic device having the same}TECHNICAL FIELD [0001] The present invention relates to a composite device and an electronic device having the composite device.

본 발명은 복합 소자에 관한 것으로, 특히 둘 이상이 기능부가 하나의 적층체 내에 마련된 복합 소자 및 이를 구비하는 전자기기에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a composite device, and more particularly, to a composite device in which two or more functional parts are provided in one laminate and an electronic device having the composite device.

전자 회로를 구성하는 수동 소자로는 저항(Resistor), 캐패시터(Capacitor), 인덕터(Inductor) 등이 있으며, 이들 수동 소자의 기능과 역할은 매우 다양하다. 예를 들면, 캐패시터는 기본적으로 직류를 차단하고 교류 신호는 통과시키는 역할을 한다. 그리고, 캐패시터는 시정수 회로, 시간 지연 회로, RC 및 LC 필터 회로를 구성하기도 하며 캐패시터 자체로 노이즈(Noise)를 제거하는 역할을 하기도 한다.Passive elements constituting electronic circuits include resistors, capacitors, and inductors, and their functions and roles vary widely. For example, the capacitor basically blocks direct current and serves to pass alternating current signals. In addition, the capacitor may constitute a time constant circuit, a time delay circuit, an RC and an LC filter circuit, and may also serve to remove noise from the capacitor itself.

또한, 전자 회로에는 외부로부터 전자기기로 인가되는 ESD 등의 과전압으로부터 전자기기를 보호하기 위해 배리스터, 서프레서 등의 과전압 보호 소자가 필요하다. 즉, 전자기기의 구동 전압 이상의 과전압이 외부로부터 인가되는 것을 방지하기 위해 과전압 보호 소자가 필요하다.In addition, an overvoltage protection device such as a varistor or a suppressor is required for the electronic circuit to protect the electronic device from overvoltage such as ESD applied from the outside to the electronic device. That is, an overvoltage protection device is required to prevent an overvoltage higher than the drive voltage of the electronic device from being applied from the outside.

최근에는 전자기기의 소형화에 대응하여 이들 부품이 차지하는 면적을 줄이기 위해 서로 다른 기능 또는 특성을 갖는 적어도 둘 이상을 적층하여 칩 부품을 제작할 수 있다. 예를 들어, 캐패시터와 과전압 보호 소자를 하나의 칩 내에 적층하여 복합 소자를 구현할 수 있다.In recent years, in order to reduce the area occupied by these components in response to miniaturization of electronic devices, at least two or more chips having different functions or characteristics can be stacked to produce chip parts. For example, a composite device can be realized by stacking a capacitor and an overvoltage protection device in one chip.

한편, 스마트폰 등과 같이 다기능을 가지는 전자기기에는 그 기능에 따라 다양한 부품들이 집적되어 있다. 또한, 전자기기에는 기능 별로 다양한 주파수 대역 무선 LAN(wireless LAN), 블루투스(bluetooth), GPS(Global Positioning System) 등 다른 주파수 대역 등을 수신할 수 있는 안테나가 구비되며, 이중 일부는 내장형 안테나로서, 전자기기를 구성하는 케이스에 설치될 수 있다. 예를 들어, 테두리를 금속으로 제작하거나, 전면의 화면 표시부를 제외한 나머지 케이스를 금속으로 제작한 스마트폰의 보급이 증가하고 있는데, 케이스의 금속이 안테나로서 기능하게 된다. 따라서, 케이스에 설치된 안테나와 전자기기의 내부 회로 사이에 전기적 접속을 위한 컨택터가 설치된다.On the other hand, various electronic components such as a smart phone have various components integrated according to their functions. An electronic device is provided with an antenna capable of receiving various frequency bands such as a wireless LAN (wireless LAN), a Bluetooth (Bluetooth), and a GPS (Global Positioning System) And can be installed in a case constituting an electronic device. For example, a smart phone having a frame made of metal or a case made of metal other than the screen display part on the front is increasing in popularity, and the metal of the case functions as an antenna. Therefore, a contactor for electrical connection is provided between the antenna installed in the case and the internal circuit of the electronic device.

예컨데, 캐패시터와 과전압 보호부가 하나의 칩 내에 마련된 복합 소자를 컨택터로서 케이스와 내부 회로 사이에 마련할 수 있다. 따라서, 캐패시터를 이용하여 통신 주파수를 통과시킬 수 있고, 과전압 보호부를 이용하여 전자기기 외부로부터 공급되는 과전압을 내부 회로의 접지 단자로 통과시킬 수 있다.For example, a composite device in which a capacitor and an overvoltage protection section are provided in one chip can be provided as a contactor between the case and the internal circuit. Therefore, the communication frequency can be passed using the capacitor, and the overvoltage supplied from the outside of the electronic device can be passed to the ground terminal of the internal circuit by using the overvoltage protection unit.

그런데, 캐패시터를 구성하는 세라믹 유전체의 품질 계수는 중요한 역할을 한다. 즉, 품질 계수가 낮은 유전체를 이용하면 고주파에서 유전 손실이 커져 캐패시턴스가 변하게 되고, 그에 따라 안테나 매칭이 변화하여 통신 주파수에 간섭을 일으킬 수 있다. 따라서, 안테나 매칭용으로 캐패시터를 이용할 경우 품질 계수가 높은 유전체 재료를 이용해야 한다.However, the quality factor of the ceramic dielectric constituting the capacitor plays an important role. That is, when a dielectric material having a low quality factor is used, the dielectric loss increases at a high frequency to change the capacitance, and accordingly the antenna matching may change, causing interference to the communication frequency. Therefore, when a capacitor is used for antenna matching, a dielectric material having a high quality factor should be used.

일반적으로 유전체의 품질 계수는 유전율 또는 비유전율이 높아지면 낮아지는 반비례 현상을 갖는다. 따라서, 안테나 매칭용으로 이용되는 복합 소자 내부에 마련된 과전압 보호부 역시 품질 계수가 높은, 즉 낮은 유전율 또는 비유전율을 가지는 유전체를 사용해야 한다.Generally, the quality factor of a dielectric has an inverse proportion to the dielectric constant or the relative dielectric constant. Therefore, the overvoltage protection unit provided inside the composite device used for antenna matching also needs to use a dielectric material having a high quality factor, that is, a dielectric material having a low dielectric constant or a dielectric constant.

그러나, 과전압 보호부는 내부에 형성된 공극을 통해 과전압을 방전시키는데, 이때 방전 개시 전압은 공극 주변의 유전율 또는 비유전율에 영향을 받는다. 즉, 유전율 또는 비유전율이 높으면 방전 개시 전압이 낮아지며 유전율 또는 비유전율이 낮으면 방전 개시 전압이 높아지는 현상이 발생된다.However, the overvoltage protection unit discharges the overvoltage through the gap formed inside, where the discharge start voltage is affected by the dielectric constant or relative dielectric constant around the gap. That is, when the dielectric constant or the relative dielectric constant is high, the discharge starting voltage is low, and when the dielectric constant or the relative dielectric constant is low, the discharge starting voltage is high.

따라서, 안테나 매칭용으로 이용되는 복합 소자는 높은 품질 계수와 낮은 방전 개시 전압의 상반되는 두 특성을 동시에 가져야 한다.Therefore, a composite device used for antenna matching must simultaneously have two opposite characteristics of a high quality factor and a low discharge starting voltage.

한국공개특허 제2016-0131843호Korea Patent Publication No. 2016-0131843

본 발명은 높은 품질 계수와 낮은 방전 개시 전압의 특성을 갖는 복합 소자 및 이를 구비하는 전자기기를 제공한다.The present invention provides a composite device having characteristics of a high quality factor and a low discharge starting voltage, and an electronic apparatus having the composite device.

본 발명은 캐패시터부의 비유전율과 과전압 보호부의 비유전율이 다른 복합 소자 및 이를 구비하는 전자기기를 제공한다.The present invention provides a composite device in which the relative dielectric constant of the capacitor portion and the relative dielectric constant of the overvoltage protection portion are different, and an electronic apparatus having the same.

본 발명의 일 양태에 따른 복합 소자는 복수의 시트가 적층된 적층체; 상기 적층체 내부에 형성된 복수의 내부 전극을 포함하는 캐패시터부; 상기 적층체 내부에 형성되며 적어도 두개의 방전 전극과, 상기 방전 전극 사이에 형성된 적어도 하나의 과전압 보호층을 포함하는 과전압 보호부; 및 상기 적층체 외부에 마련되어 상기 내부 전극 및 과전압 보호부와 연결되는 외부 전극을 포함하고, 상기 방전 전극은 수평 방향으로 이격되어 마련되며, 상기 과전압 보호부의 적어도 일부의 유전율이 상기 캐패시터부의 유전율보다 높고, 상기 과전압 보호층의 내부, 측부, 상부 및 하부 중 적어도 일 영역에 유전율이 다른 영역보다 높은 고유전 영역이 형성되며, 상기 고유전 영역은 상기 과전압 보호층과 상기 적어도 두개의 방전 전극이 접촉을 유지하도록 상기 과전압 보호층의 일부를 노출시키도록 형성된다.A composite device according to one aspect of the present invention includes: a laminate in which a plurality of sheets are laminated; A capacitor unit including a plurality of internal electrodes formed in the laminate; An overvoltage protector formed inside the laminate and including at least two discharge electrodes and at least one overvoltage protection layer formed between the discharge electrodes; And an outer electrode provided outside the laminated body and connected to the inner electrode and the overvoltage protector, wherein the discharge electrode is spaced apart in the horizontal direction, and a dielectric constant of at least a part of the overvoltage protector is higher than a dielectric constant of the capacitor portion A high dielectric constant region is formed in at least one region of the inside, the side, the upper portion, and the lower portion of the overvoltage protection layer, the high dielectric constant region being in contact with the overvoltage protection layer and the at least two discharge electrodes So as to expose a part of the overvoltage protection layer.

상기 과전압 보호층이 형성된 시트 전체의 유전율이 다른 시트의 유전율보다 높다.The dielectric constant of the entire sheet on which the overvoltage protection layer is formed is higher than that of the other sheets.

상기 고유전 영역은 상기 과전압 보호층과 접하는 시트의 적어도 일부에 형성된다.The high dielectric constant region is formed on at least a part of the sheet in contact with the overvoltage protection layer.

상기 고유전 영역은 과전압 보호층 내부의 적어도 일 영역에 링 형상으로 형성된다.The high dielectric constant region is formed in a ring shape in at least one region inside the overvoltage protection layer.

상기 고유전 영역은 나머지 영역에 비해 BaTiO3 및 SrTiO3 중 적어도 하나의 함량이 높거나, NdTiO3 및 SiO2 중 적어도 하나의 함량이 낮다.The dielectric region is compared with the remaining area BaTiO 3 and SrTiO increase the content of the at least one third or less of at least one content in the NdTiO 3 and SiO 2.

본 발명의 다른 양태에 따른 복합 소자는 복수의 시트가 적층된 적층체; 상기 적층체 내부에 형성된 복수의 내부 전극을 포함하는 캐패시터부; 상기 적층체 내부에 형성되며 적어도 두개의 방전 전극과, 상기 방전 전극 사이에 형성된 적어도 하나의 과전압 보호층을 포함하는 과전압 보호부; 및 상기 적층체 외부에 마련되어 상기 내부 전극 및 과전압 보호부와 연결되는 외부 전극을 포함하고, 상기 과전압 보호부의 적어도 일부의 유전율이 상기 캐패시터부의 유전율보다 높고, 상기 과전압 보호층의 내부, 측부, 상부 및 하부 중 적어도 일 영역에 유전율이 다른 영역보다 높은 고유전 영역이 형성되며, 상기 고유전 영역은 상기 과전압 보호층과 상기 적어도 두개의 방전 전극이 접촉을 유지하도록 상기 과전압 보호층의 일부를 노출시키도록 형성되고, 상기 고유전 영역은 나머지 영역에 비해 BaTiO3 및 SrTiO3 중 적어도 하나의 함량이 높거나, NdTiO3 및 SiO2 중 적어도 하나의 함량이 낮다.A composite device according to another aspect of the present invention includes: a laminate in which a plurality of sheets are laminated; A capacitor unit including a plurality of internal electrodes formed in the laminate; An overvoltage protector formed inside the laminate and including at least two discharge electrodes and at least one overvoltage protection layer formed between the discharge electrodes; And an external electrode provided outside the laminated body and connected to the internal electrode and the overvoltage protector, wherein a permittivity of at least a part of the overvoltage protector is higher than a permittivity of the capacitor, and the inside, the side, Wherein at least one region of the overvoltage protection layer and the at least two discharge electrodes are formed so as to expose a part of the overvoltage protection layer so that the overvoltage protection layer and the at least two discharge electrodes are in contact with each other, and forming said dielectric region than in the remaining area BaTiO 3 and SrTiO increase the content of the at least one third or less of at least one content in the NdTiO 3 and SiO 2.

본 발명의 또다른 양태에 따른 전자기기는 안테나로 기능하는 도전체와 내부 회로 사이에 마련되고, 상기 본 발명의 일 양태에 따른 복합 소자를 포함하며, 상기 복합 소자는 통신 신호를 전달하고 감전 전압 및 과전압을 방호한다.An electronic device according to another aspect of the present invention includes a composite device according to an aspect of the present invention, which is provided between a conductor functioning as an antenna and an internal circuit, and the composite device transmits a communication signal, And overvoltage.

본 발명의 실시 예들에 따른 복합 소자는 전자기기의 금속 케이스와 내부 회로 사이에 마련되어 감전 전압을 차단하고 ESD 등의 과전압을 접지 단자로 바이패스시킨다. 즉, 복합 소자는 절연 상태를 유지하여 내부 회로로부터 누설되는 감전 전압을 차단하고, 내부에 과전압을 방호하여 내부 회로를 보호하기 위한 과전압 보호부를 구비하여 과전압이 전자기기 내부로 유입되는 것을 방지한다. 따라서, 전압 및 전류로부터 전자기기 및 사용자를 보호할 수 있다.A composite device according to embodiments of the present invention is provided between a metal case and an internal circuit of an electronic device to block an electric shock voltage and bypass an overvoltage such as ESD to a ground terminal. That is, the composite device has an overvoltage protector for protecting the internal circuit by protecting the overvoltage inside the device while blocking the electrostatic voltage leaked from the internal circuit by maintaining the insulated state, thereby preventing the overvoltage from flowing into the electronic device. Thus, electronic devices and users can be protected from voltage and current.

또한, 과전압 보호부의 유전율 또는 비유전율을 캐패시터부보다 높게 함으로써 높은 품질 계수와 낮은 방전 개시 전압의 상반되는 두 특성을 동시에 가질 수 있다. 즉, 캐패시터부의 유전율 또는 비유전율은 작게 함으로써 품질 계수를 높일 수 있고, 과전압 보호부의 유전율 또는 비유전율을 크게 함으로써 방전 개시 전압을 낮출 수 있다. 따라서, 캐패시터부 및 과전압 보호부가 적층체 내에 형성된 복합 소자를 안테나 매칭용으로 이용할 수 있다.Further, by making the dielectric constant or relative dielectric constant of the overvoltage protection portion higher than that of the capacitor portion, it is possible to have both characteristics of the opposite of the high quality factor and the low discharge firing voltage. That is, the quality factor can be increased by reducing the dielectric constant or the relative dielectric constant of the capacitor portion, and the dielectric breakdown voltage or the dielectric constant of the overvoltage protection portion can be increased to lower the discharge start voltage. Therefore, the composite element in which the capacitor portion and the overvoltage protection portion are formed in the stacked body can be used for antenna matching.

도 1은 본 발명의 실시 예들에 따른 복합 소자의 사시도.
도 2는 본 발명의 제 1 실시 예에 따른 복합 소자의 단면도.
도 3 내지 도 6은 본 발명의 제 2 내지 제 5 실시 예들에 따른 복합 소자의 부분 단면도.
도 7 및 도 8은 본 발명의 제 6 실시 예에 따른 복합 소자의 단면도 및 부분 사시도.
도 9 및 도 10은 본 발명의 실시 예들에 따른 복합 소자의 블럭도.
도 11 및 도 12는 본 발명의 실시 예들의 변형 예에 따른 복합 소자의 단면도.1 is a perspective view of a composite device according to embodiments of the present invention;
2 is a cross-sectional view of a composite device according to a first embodiment of the present invention;
3 to 6 are partial cross-sectional views of a composite device according to second to fifth embodiments of the present invention.
7 and 8 are a cross-sectional view and a partial perspective view of a composite device according to a sixth embodiment of the present invention;
Figures 9 and 10 are block diagrams of a composite device in accordance with embodiments of the present invention.
11 and 12 are cross-sectional views of a composite device according to a variation of embodiments of the present invention.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시 예를 상세히 설명하기로 한 다. 그러나, 본 발명은 이하에서 개시되는 실시 예에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 것이며, 단지 본 실시 예들은 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. It should be understood, however, that the invention is not limited to the disclosed embodiments, but is capable of other various forms of implementation, and that these embodiments are provided so that this disclosure will be thorough and complete, It is provided to let you know completely.

도 1은 본 발명의 실시 예들에 따른 복합 소자의 사시도이고, 도 2는 제 1 실시 예에 따른 단면도이다.FIG. 1 is a perspective view of a composite device according to embodiments of the present invention, and FIG. 2 is a cross-sectional view according to the first embodiment.

도 1 및 도 2를 참조하면, 본 발명의 제 1 실시 예에 따른 복합 소자는 복수의 시트(100; 101 내지 111)가 적층된 적층체(1000)와, 적층체(1000) 내에 마련되며 복수의 내부 전극(200; 201 내지 208)을 구비하는 적어도 하나의 캐패시터부(2000a, 2000b; 2000)와, 적어도 하나의 방전 전극(310; 311, 312)과 과전압 보호층(320)을 구비하여 ESD 등의 과전압을 방호하는 과전압 보호부(3000)를 포함할 수 있다. 예를 들어, 적층체(1000) 내에 제 1 및 제 2 캐패시터부(2000a, 2000b)가 마련되고, 그 사이에 과전압 보호부(3000)가 마련될 수 있다. 즉, 적층체(1000) 내부에 제 1 캐패시터부(2000a), 과전압 보호부(3000) 및 제 2 캐패시터부(2000b)가 적층되어 복합 소자가 구현될 수 있다. 또한, 적층체(1000)의 서로 대향하는 두 측면에 형성되어 캐패시터부(2000)와 과전압 보호부(3000)와 연결되는 외부 전극(4100, 4200; 4000)을 더 포함할 수 있다. 물론, 복합 소자는 적어도 하나의 캐패시터부(2000)와 적어도 하나의 과전압 보호부(3000)를 포함할 수 있다. 즉, 과전압 보호부(3000)의 하측 또는 상측의 어느 하나에 캐패시터부(2000)가 마련될 수 있고, 서로 이격된 둘 이상의 과전압 보호부(3000)의 상측 및 하측에 적어도 하나의 캐패시터부(2000)가 마련될 수도 있다. 이러한 복합 소자는 전자기기의 사용자가 접촉 가능한 도전체와 내부 회로, 예를 들어 금속 케이스와 내부 회로, 즉 PCB 사이에 마련될 수 있다. 복합 소자는 외부로부터의 통신 신호를 공급하는 안테나로서 기능하고 ESD 등의 과전압은 PCB의 접지 단자로 바이패스시키고 감전 전압을 차단하는 과전압 보호 소자로 기능한다.1 and 2, a composite device according to a first embodiment of the present invention includes a laminate 1000 in which a plurality of sheets 100 to 101 to 111 are laminated, At least one capacitor part 2000a, 2000b and 2000b having internal electrodes 200 to 201 of the ESD protection device 200 and at least one discharge electrode 310 and 311 and 312 and an overvoltage protection layer 320, And an overvoltage protection unit 3000 for protecting the overvoltage of the battery. For example, first and second capacitor portions 2000a and 2000b may be provided in the stacked body 1000, and an overvoltage protection portion 3000 may be provided therebetween. That is, the first capacitor unit 2000a, the overvoltage protection unit 3000, and the second capacitor unit 2000b are stacked in the stacked body 1000 to realize a composite device. The external electrode 4100, 4200, and 4000 may be formed on two opposite sides of the laminated body 1000 and connected to the capacitor unit 2000 and the overvoltage protection unit 3000. Of course, the composite device may include at least one capacitor portion 2000 and at least one overvoltage protection portion 3000. That is, the capacitor unit 2000 may be provided on either the lower side or the upper side of the overvoltage protection unit 3000, and at least one capacitor unit 2000 may be provided on the upper side and the lower side of the two overvoltage protection units 3000, ) May be provided. Such a composite device may be provided between a contact of the user of the electronic device and an internal circuit, for example, between the metal case and the internal circuit, that is, the PCB. The composite device functions as an antenna for supplying communication signals from the outside, and functions as an overvoltage protection device for bypassing the overvoltage of the ESD or the like to the ground terminal of the PCB and shielding the electrostatic voltage.

1. 적층체1. Laminate

적층체(1000)는 대략 육면체 형상으로 마련될 수 있다. 즉, 적층체(1000)는 수평 방향으로 서로 직교하는 일 방향(예를 들어 X 방향) 및 타 방향(예를 들어 Y 방향)으로 각각 소정의 길이 및 폭을 갖고, 수직 방향(예를 들어 Z 방향)으로 소정의 높이를 갖는 대략 육면체 형상으로 마련될 수 있다. 즉, 외부 전극(4000)의 형성 방향을 X 방향으로 할 때, 이와 수평 방향으로 직교하는 방향을 Y 방향으로 하고 수직 방향을 Z 방향으로 할 수 있다. 여기서, X 방향으로의 길이는 Y 방향으로의 폭 및 Z 방향으로의 높이보다 크고, Y 방향으로의 폭은 Z 방향으로의 높이와 같거나 다를 수 있다. 폭(Y 방향)과 높이(Z 방향)가 다를 경우 폭은 높이보다 크거나 작을 수 있다. 예를 들어, 길이, 폭 및 높이의 비는 2∼5:1:0.3∼1일 수 있다. 즉, 폭을 기준으로 길이가 폭보다 2배 내지 5배 정도 클 수 있고, 높이는 폭보다 0.3배 내지 1배일 수 있다. 그러나, 이러한 X, Y 및 Z 방향의 크기는 하나의 예로서 복합 소자가 연결되는 전자기기의 내부 구조, 복합 소자의 형상 등에 따라 다양하게 변형 가능하다.The stacked body 1000 may be provided in a substantially hexahedral shape. That is, the stacked body 1000 has a predetermined length and width in one direction (for example, X direction) and another direction (for example, Y direction) orthogonal to each other in the horizontal direction, Direction) and a substantially hexahedron shape having a predetermined height. That is, when the forming direction of the external electrode 4000 is the X direction, the direction orthogonal to the horizontal direction may be the Y direction and the vertical direction may be the Z direction. Here, the length in the X direction is larger than the width in the Y direction and the height in the Z direction, and the width in the Y direction may be equal to or different from the height in the Z direction. If the width (Y direction) and the height (Z direction) are different, the width may be larger or smaller than the height. For example, the ratio of length, width, and height may be 2: 5: 1: 0.3-1. That is, the length may be about two to five times greater than the width based on the width, and the height may be about 0.3 to about 1 times the width. However, the sizes in the X, Y, and Z directions can be variously modified depending on the internal structure of the electronic device to which the composite device is connected, the shape of the composite device, and the like.

적층체(1000)는 복수의 시트(101 내지 111; 100)가 적층되어 형성될 수 있다. 즉, 적층체(1000)는 X 방향으로 소정의 길이를 갖고 Y 방향으로 소정의 폭을 가지며, Z 방향으로 소정의 두께를 갖는 복수의 시트(100)를 적층하여 형성될 수 있다. 따라서, 시트(100)의 길이 및 폭에 의해 적층체(1000)의 길이 및 폭이 결정되고, 시트(100)의 적층 수에 의해 적층체(1000)의 높이가 결정될 수 있다. 한편, 적층체(1000)를 이루는 복수의 시트(100)는 MLCC, LTCC, HTCC 등의 유전체 재료를 이용하여 형성할 수 있다. 여기서, MLCC 유전체 물질은 BaTiO3 및 NdTiO3의 적어도 어느 하나를 주성분으로 Bi2O3, SiO2, CuO, MgO, ZnO 중 적어도 하나 이상이 첨가되고, LTCC 유전체 물질은 Al2O3, SiO2, 글래스 물질을 포함할 수 있다. 또한, 시트(100)는 MLCC, LTCC, HTCC 이외에 BaTiO3, NdTiO3, Bi2O3, BaCO3, TiO2, Nd2O3, SiO2, CuO, MgO, Zn0, Al2O3 중의 하나 이상을 포함하는 물질로 형성될 수 있다. 그리고, 시트(100)는 상기 물질들 이외에 예를 들어 Pr계, Bi계, ST계 세라믹 물질 등 바리스터 특성을 가지는 재료로 형성될 수도 있다. 물론, 시트(100)는 MLCC, LTCC, HTCC 및 바리스터 특성을 가지는 재료를 혼합하여 형성할 수도 있다. 예를 들어, 시트(100)는 BaTiO3, NdTiO3, Bi2O3, ZnO, TiO2, SiO2, Al2O3, B2O3를 포함할 수 있다. 또한, 시트(100)는 이들 물질의 함량을 조절함으로써 유전율 또는 비유전율을 조절할 수 있다. 예를 들어, 시트(100)는 BaTiO3 및 SrTiO3 중 적어도 어느 하나의 함량을 증가시켜 유전율 또는 비유전율을 높일 수 있고, NdTiO3 및 SiO2 중 적어도 하나의 함량을 증가시켜 유전율 또는 비유전율을 낮출 수 있다. 한편, 유전율이 높아지면 비유전율도 높아지고 유전율이 낮아지면 비유전율도 낮아지므로 유전율과 비유전율은 비례 관계를 가지고 있어 어느 것으로 설명해도 무방하지만, 이하에서는 주로 유전율로 설명하고, 수치를 표현하는 부분에서는 비유전율로 설명한다. 본 발명에 따른 적층체(1000)는 내부의 적어도 일부가 유전율이 다를 수 있다. 예를 들어, 과전압 보호부(3000)의 과전압 보호층(320)이 형성된 제 6 시트(106)가 나머지 시트들(101 내지 105, 107 내지 111)과 다른 유전율을 가질 수 있다. 즉, 제 6 시트(106)의 유전율이 나머지 시트들(101 내지 105, 107 내지 111)의 유전율보다 높을 수 있다. 예를 들어, 제 6 시트(106)의 비유전율이 500 이상이고, 나머지 시트들(101 내지 105, 107 내지 111)의 비유전율이 300 이하일 수 있다. 예를 들어, 제 6 시트(106)의 비유전율이 500∼3000일 수 있고, 나머지 시트들(101 내지 105, 107 내지 111)의 비유전율이 5∼300일 수 있다. 물론, 방전 전극(310) 사이의 제 6 시트(106) 뿐만 아니라 이와 인접한 제 5 및 제 7 시트(105, 107) 또한 유전율 또는 비유전율이 높게 형성될 수 있다. 이렇게 시트(100)의 유전율 또는 비유전율을 다르게 하기 위해 시트를 형성하기 위한 조성물의 함량을 조절할 수 있다. 예를 들어, 제 1 내지 제 11 시트(101 내지 111)는 BaTiO3, NdTiO3, Bi2O3, ZnO, TiO2, SiO2, Al2O3, B2O3를 포함할 수 있는데, 제 6 시트(106)는 BaTiO3 및 SrTiO3 중 적어도 하나의 함량을 증가시키고 NdTiO3 및 SiO2 중 적어도 하나의 함량을 감소시켜 비유전율을 500 이상으로 형성할 수 있고, 나머지 시트들(101 내지 105, 107 내지 111)은 NdTiO3 및 SiO2의 함량을 증가시키고 BaTiO3의 함량을 감소시켜 유전율을 300 이하로 형성할 수 있다. 이렇게 과전압 보호부(3000)의 시트(106)의 유전율 또는 비유전율을 높게 하고 캐패시터부(2000)의 시트들(101 내지 105, 107 내지 111)의 유전율 또는 비유전율을 낮게 함으로써 캐패시터부(2000)의 품질 계수를 높일 수 있는 동시에 과전압 보호부(3000)의 방전 개시 전압을 낮출 수 있다.The stacked body 1000 may be formed by stacking a plurality of sheets 101 to 111 (100). That is, the stacked body 1000 may be formed by stacking a plurality of sheets 100 having a predetermined length in the X direction, a predetermined width in the Y direction, and a predetermined thickness in the Z direction. Therefore, the length and width of the laminate 1000 can be determined by the length and width of the sheet 100, and the height of the laminate 1000 can be determined by the number of laminations of the sheet 100. [ On the other hand, the plurality of sheets 100 constituting the laminated body 1000 can be formed using dielectric materials such as MLCC, LTCC, and HTCC. At least one of Bi 2 O 3 , SiO 2 , CuO, MgO, and ZnO is added to the MLCC dielectric material as a main component of at least one of BaTiO 3 and NdTiO 3 , and the LTCC dielectric material is Al 2 O 3 , SiO 2 , And glass materials. In addition, the sheet 100 may include one of BaTiO 3 , NdTiO 3 , Bi 2 O 3 , BaCO 3 , TiO 2 , Nd 2 O 3 , SiO 2 , CuO, MgO, ZnO and Al 2 O 3 in addition to MLCC, Or more. The sheet 100 may be formed of a material having varistor characteristics such as Pr-based, Bi-based, and ST-based ceramic materials in addition to the above materials. Of course, the sheet 100 may be formed by mixing materials having MLCC, LTCC, HTCC, and varistor characteristics. For example, the sheet 100 may comprise BaTiO 3 , NdTiO 3 , Bi 2 O 3 , ZnO, TiO 2 , SiO 2 , Al 2 O 3 , B 2 O 3 . In addition, the sheet 100 can control the dielectric constant or relative dielectric constant by controlling the content of these materials. For example, the sheet 100 is BaTiO 3 and SrTiO to at least increase the one content in the 3 can increase the dielectric constant or relative permittivity, NdTiO 3 and SiO to increase the at least one content in the second dielectric constant or relative permittivity Can be lowered. On the other hand, as the dielectric constant increases, the relative dielectric constant increases. When the dielectric constant decreases, the relative dielectric constant decreases. Therefore, the dielectric constant and the relative dielectric constant are proportional to each other. The relative permittivity is described. In the laminated body 1000 according to the present invention, at least a part of the inside thereof may have a different dielectric constant. For example, the sixth sheet 106 having the overvoltage protection layer 320 of the overvoltage protection unit 3000 may have a dielectric constant different from that of the remaining sheets 101 to 105, 107 to 111. That is, the dielectric constant of the sixth sheet 106 may be higher than that of the remaining sheets 101 to 105, 107 to 111. For example, the relative dielectric constant of the sixth sheet 106 may be 500 or more, and the relative dielectric constant of the remaining sheets 101 to 105, 107 to 111 may be 300 or less. For example, the relative dielectric constant of the sixth sheet 106 may be 500 to 3000, and the relative dielectric constant of the remaining sheets 101 to 105, 107 to 111 may be 5 to 300. Of course, not only the sixth sheet 106 between the discharge electrodes 310, but also the fifth and seventh sheets 105 and 107 adjacent thereto may be formed with a high dielectric constant or a relative dielectric constant. In this way, the content of the composition for forming the sheet can be adjusted in order to make the dielectric constant or relative dielectric constant of the sheet 100 different. For example, the first to eleventh sheets 101 to 111 may include BaTiO 3 , NdTiO 3 , Bi 2 O 3 , ZnO, TiO 2 , SiO 2 , Al 2 O 3 , and B 2 O 3 , a sixth seat (106) may increase at least one content of the BaTiO 3 and SrTiO 3 to form a relative dielectric constant by reducing the at least one content in the NdTiO 3 and SiO 2 as at least 500, and the other sheet (101 to 105, and 107 to 111) can increase the content of NdTiO 3 and SiO 2 and decrease the content of BaTiO 3 , thereby forming a dielectric constant of 300 or less. By increasing the dielectric constant or relative dielectric constant of the sheet 106 of the overvoltage protection unit 3000 and lowering the dielectric constant or relative dielectric constant of the sheets 101 to 105 and 107 to 111 of the capacitor unit 2000, And the discharge start voltage of the overvoltage protection unit 3000 can be lowered.

한편, 캐패시터부(2000)의 시트들(101 내지 105, 107 내지 111) 중에서 최외각의 시트, 즉 수직 방향으로 최하층 및 최상층에 위치하는 제 1 및 제 11 시트(101, 111)는 그 사이에 마련된 나머지 시트들(102 내지 115, 107 내지 110)와 다른 유전율을 가질 수 있다. 즉, 제 1 및 제 11 시트(101, 111)의 유전율이 제 2 내지 제 5, 제 7 내지 제 10 시트(102 내지 105, 107 내지 110)의 유전율보다 낮을 수 있다. 예를 들어, 제 1 및 제 11 시트(101, 111)의 비유전율이 100 이하이고, 캐패시터부(2000)의 나머지 시트들(102 내지 105, 107 내지 110)의 비유전율이 300 이하일 수 있다. 예를 들어, 제 1 및 제 11 시트(101, 111)의 유전율이 5∼100이고, 나머지 시트들(102 내지 105, 107 내지 110)의 비유전율이 5∼300일 수 있다. 이렇게 캐패시터부(2000)의 시트들(101 내지 105, 107 내지 111)의 비유전율을 다르게 하기 위해 시트를 형성하기 위한 조성물의 함량을 조절할 수 있다. 예를 들어, NdTiO3 및 SiO2 중 적어도 어느 하나의 함량을 증가시키고 BaTiO3 및 SrTiO3 중 적어도 하나의 함량을 감소시켜 비유전율을 낮출 수 있고, BaTiO3 및 SrTiO3 중 적어도 하나의 함량을 증가시키고 NdTiO3 및 SiO2 중 적어도 하나의 함량을 감소시켜 비유전율을 높일 수 있다. 즉, 제 1 및 제 11 시트(101 및 111)는 캐패시터부(2000)의 나머지 시트들(102 내지 105, 107 내지 110)에 비해 NdTiO3 및 SiO2의 함량을 증가시키고 BaTiO3의 함량을 감소시켜 비유전율이 100 이하가 되도록 할 수 있다. 이렇게 최외곽 시트의 유전율을 낮게 함으로써 기생 캐패시턴스를 줄일 수 있다. 한편, 제 1 및 제 11 시트(101 및 111)에 인접한 시트, 예를 들어 제 2 및 제 10 시트(102 및 110)는 그 사이의 나머지 시트(103 내지 105, 107 내지 109)보다 비유전율이 더 낮을 수 있다. 또한, 제 1 및 제 11 시트(101 및 111)로부터 내부의 중앙부로 갈수록 시트들의 비유전율이 높아질 수 있다. 이는 적층체(1000)의 소결 시 제 1 및 제 11 시트(101 및 111)의 조성물이 적층체(1000)의 중앙부로 확산되기 때문이다.On the other hand, the outermost sheet among the sheets 101 to 105 and 107 to 111 of the capacitor unit 2000, that is, the first and eleventh sheets 101 and 111 located at the lowest and uppermost layers in the vertical direction, May have a dielectric constant different from that of the remaining sheets 102 to 115, 107 to 110 provided. That is, the permittivities of the first and eleventh sheets 101 and 111 may be lower than the permittivities of the second to fifth and seventh to tenth sheets 102 to 105 and 107 to 110, respectively. For example, the relative dielectric constant of the first and eleventh sheets 101 and 111 may be 100 or less, and the relative dielectric constant of the remaining sheets 102 to 105 and 107 to 110 of the capacitor unit 2000 may be 300 or less. For example, the permittivities of the first and eleventh sheets 101 and 111 may be 5 to 100, and the relative permittivities of the remaining sheets 102 to 105 and 107 to 110 may be 5 to 300. In this way, the content of the composition for forming the sheet can be adjusted in order to make the dielectric constant of the sheets 101 to 105, 107 to 111 of the capacitor unit 2000 different. For example, at least increasing the one content in the NdTiO 3 and SiO 2 and reducing the at least one content of the BaTiO 3, and SrTiO3, and can lower the dielectric constant, increasing the at least one content of the BaTiO 3 and SrTiO3 and NdTiO 3 and SiO 2 can be reduced and the relative dielectric constant can be increased. That is, the first and eleventh sheets 101 and 111 increase the content of NdTiO 3 and SiO 2 and decrease the content of BaTiO 3 , as compared with the remaining sheets 102 to 105 and 107 to 110 of the capacitor unit 2000 So that the relative dielectric constant can be 100 or less. The parasitic capacitance can be reduced by lowering the dielectric constant of the outermost sheet. On the other hand, the sheets adjacent to the first and eleventh sheets 101 and 111, for example, the second and tenth sheets 102 and 110, have relative dielectric constant higher than that of the remaining sheets 103 to 105 and 107 to 109 Can be lower. Further, the relative dielectric constant of the sheets can be increased from the first and eleventh sheets 101 and 111 toward the center of the interior. This is because the composition of the first and eleventh sheets 101 and 111 diffuses to the center of the laminate 1000 when the laminate 1000 is sintered.

또한, 복수의 시트(100)는 모두 동일 두께로 형성될 수 있고, 적어도 어느 하나가 다른 것들에 비해 두껍거나 얇게 형성될 수 있다. 예를 들어, 과전압 보호부(3000)의 시트는 캐패시터부(2000)의 시트와 다른 두께로 형성될 수 있고, 과전압 보호부(3000)와 캐패시터부(2000) 사이에 형성된 시트가 다른 시트들과 다른 두께로 형성될 수 있다. 예를 들어, 과전압 보호부(3000)와 캐패시터부(2000) 사이의 시트, 즉 제 5 및 제 7 시트(105, 107)의 두께는 과전압 보호부(3000)의 시트, 즉 제 6 시트(106)보다 얇거나 같은 두께로 형성되거나, 캐패시터부(2000)의 내부 전극 사이의 시트(102 내지 104, 108 내지 110)보다 얇거나 같은 두께로 형성될 수 있다. 즉, 과전압 보호부(3000)와 캐패시터부(2000) 사이의 간격은 캐패시터부(2000)의 내부 전극 사이의 간격보다 얇거나 같게 형성되거나, 과전압 보호부(3000)의 두께보다 얇거나 같게 형성될 수 있다. 물론, 캐패시터부(2000, 4000)의 시트(102 내지 104, 108 내지 110)은 동일 두께로 형성될 수 있고, 어느 하나가 다른 하나보다 얇거나 두꺼울 수도 있다. 한편, 복수의 시트(100)는 예를 들어 1㎛∼4000㎛의 두께로 형성될 수 있고, 3000㎛ 이하의 두께로 형성될 수 있다. 즉, 적층체(1000)의 두께에 따라 시트(100) 각각의 두께가 1㎛∼4000㎛일 수 있고, 바람직하게는 5㎛∼300㎛일 수 있다. 또한, 복합 소자의 사이즈에 따라 시트(100)의 두께 및 적층 수 등이 조절될 수 있다. 즉, 사이즈가 작은 복합 소자에 적용되는 경우 시트(100)는 얇은 두께로 형성될 수 있고, 사이즈가 큰 복합 소자에 적용되는 경우 두꺼운 두께로 형성될 수 있다. 또한, 시트들(100)이 동일한 수로 적층되는 경우 복합 소자의 사이즈가 작아 높이가 낮을수록 두께가 얇아지고 복합 소자의 사이즈가 커질수록 두께가 두꺼울 수 있다. 물론, 얇은 시트가 큰 사이즈의 복합 소자에도 적용될 수 있는데, 이 경우 시트의 적층 수가 증가하게 된다. 이때, 시트(100)는 ESD 인가 시 파괴되지 않는 두께로 형성될 수 있다. 즉, 시트들(100)의 적층 수 또는 두께가 다르게 형성되는 경우에도 적어도 하나의 시트가 ESD의 반복적인 인가에 의해 파괴되지 않는 두께로 형성될 수 있다.In addition, the plurality of sheets 100 may all be formed to have the same thickness, and at least one of them may be formed thicker or thinner than the others. For example, the sheet of the overvoltage protection unit 3000 may be formed to have a thickness different from that of the sheet of the capacitor unit 2000, and the sheet formed between the overvoltage protection unit 3000 and the capacitor unit 2000 may be formed of other sheets But may be formed to have a different thickness. For example, the thickness of the sheet between the overvoltage protection unit 3000 and the capacitor unit 2000, that is, the fifth and seventh sheets 105 and 107, Or may be formed to be thinner or equal in thickness than the sheets 102 to 104, 108 to 110 between the internal electrodes of the capacitor unit 2000. [ That is, the gap between the overvoltage protection unit 3000 and the capacitor unit 2000 may be formed to be thinner than or equal to the interval between the internal electrodes of the capacitor unit 2000, or may be formed to be thinner or equal to the thickness of the overvoltage protection unit 3000 . Of course, the sheets 102 to 104 and 108 to 110 of the capacitor units 2000 and 4000 may be formed to have the same thickness, and one of them may be thinner or thicker than the other. On the other hand, the plurality of sheets 100 may be formed to have a thickness of, for example, 1 m to 4000 m and 3000 m or less. That is, the thickness of each of the sheets 100 may be from 1 탆 to 4000 탆, and preferably from 5 탆 to 300 탆, depending on the thickness of the laminate 1000. In addition, the thickness of the sheet 100 and the number of stacked sheets can be adjusted according to the size of the composite device. That is, when the present invention is applied to a composite device having a small size, the sheet 100 may be formed to have a small thickness, or may be formed to have a large thickness when applied to a composite device having a large size. Further, when the sheets 100 are stacked in the same number, the composite device may be small in size, the thickness may be thinner as the height is lower, and the thickness may be thicker as the size of the composite device is larger. Of course, a thin sheet can also be applied to a large-size composite device, in which case the number of sheets stacked increases. At this time, the sheet 100 may be formed to have a thickness not to be broken when ESD is applied. That is, even when the number of sheets or thickness of the sheets 100 is different, at least one sheet may be formed to a thickness that is not destroyed by repetitive application of ESD.

또한, 적층체(1000)는 캐패시터부(2000)의 하부 및 상부에 각각 마련된 하부 커버층(미도시) 및 상부 커버층(미도시)을 더 포함할 수 있다. 즉, 적층체(1000)는 최하층 및 최상층에 각각 마련된 하부 및 상부 커버층을 포함할 수 있다. 물론, 최하층의 시트, 즉 제 1 시트(101)가 하부 커버층으로 기능하고, 최상층의 시트, 즉 제 11 시트(111)가 상부 커버층으로 기능할 수도 있다. 시트(100)와 별도로 마련되는 하부 및 상부 커버층은 동일 두께로 형성될 수 있다. 그러나, 하부 및 상부 커버층은 다른 두께로도 형성될 수 있는데, 예를 들어 상부 커버층이 하부 커버층보다 두껍게 형성될 수 있다. 여기서, 하부 및 상부 커버층은 복수의 자성체 시트가 적층되어 마련될 수 있다. 또한, 자성체 시트로 이루어진 하부 및 상부 커버층의 외측 표면, 즉 적층체(1000)의 하부 표면 및 상부 표면에 비자성 시트, 예를 들어 유리질 시트가 더 형성될 수 있다. 그러나, 하부 및 상부 커버층은 유리질 시트로 형성될 수도 있고, 적층체(1000)의 표면이 폴리머, 글래스 재질로 코팅될 수도 있다. 한편, 하부 및 상부 커버층은 시트들(100) 각각의 두께보다 두꺼울 수 있다. 즉, 커버층은 시트 하나의 두께보다 두꺼울 수 있다. 따라서, 최하층 및 최상층의 시트, 즉 제 1 및 제 11 시트(101, 111)가 하부 및 상부 커버층으로 기능하는 경우 그 사이의 시트들(102 내지 110) 각각보다 두껍게 형성될 수 있다.The stacked body 1000 may further include a lower cover layer (not shown) and an upper cover layer (not shown) provided at the lower portion and the upper portion of the capacitor portion 2000, respectively. That is, the stacked body 1000 may include lower and upper cover layers respectively provided in the lowermost layer and the uppermost layer. Of course, the lowermost sheet, that is, the first sheet 101 functions as a lower cover layer, and the uppermost sheet, that is, the eleventh sheet 111, may function as an upper cover layer. The lower and upper cover layers provided separately from the sheet 100 may be formed to have the same thickness. However, the lower and upper cover layers may also be formed with different thicknesses, for example, the upper cover layer may be formed thicker than the lower cover layer. Here, the lower and upper cover layers may be formed by stacking a plurality of magnetic sheet sheets. Further, a nonmagnetic sheet such as a vitreous sheet may be further formed on the outer surface of the lower and upper cover layers of the magnetic substance sheet, that is, the lower surface and the upper surface of the laminate 1000. However, the lower and upper cover layers may be formed of a glassy sheet, and the surface of the laminate 1000 may be coated with a polymer or a glass material. On the other hand, the lower and upper cover layers may be thicker than the thickness of each of the sheets 100. That is, the cover layer may be thicker than the thickness of one sheet. Thus, the bottom and top sheets, that is, the first and eleventh sheets 101 and 111, may function as the lower and upper cover layers, respectively, and may be thicker than the sheets 102 to 110, respectively.

2. 캐패시터부2. Capacitor section

적어도 하나의 캐패시터부(2000a, 2000b; 2000)가 적층체(1000) 내부에 형성된다. 예를 들어, 과전압 보호부(3000)를 사이에 두고 그 하부 및 상부에 제 1 및 제 2 캐패시터부(2000a, 2000b)가 마련될 수 있다. 그러나, 제 1 및 제 2 캐패시터부(2000a, 2000b)는 복수의 내부 전극(200)이 과전압 보호부(3000)를 사이에 두고 나뉘어 형성되므로 편의상 지칭한 것이고, 적층체(1000) 내부에는 캐패시터로 기능하는 복수의 내부 전극(200)이 형성될 수 있다.At least one capacitor portion 2000a, 2000b, 2000 is formed in the stacked body 1000. For example, first and second capacitor units 2000a and 2000b may be provided on the lower portion and the upper portion of the overvoltage protection unit 3000, respectively. However, since the first and second capacitor units 2000a and 2000b are formed by dividing the plurality of internal electrodes 200 across the overvoltage protection unit 3000, the first and second capacitor units 2000a and 2000b may be referred to as a capacitor. A plurality of internal electrodes 200 may be formed.

캐패시터부(2000)는 과전압 보호부(3000)의 하측 및 상측에 각각 마련되며, 적어도 둘 이상의 내부 전극과, 이들 사이에 마련된 적어도 둘 이상의 시트를 포함할 수 있다. 예를 들어, 제 1 캐패시터부(2000a)는 제 1 내지 4 시트(101 내지 104)와, 제 1 내지 4 시트(101 내지 104) 상에 각각 형성된 제 1 내지 제 4 내부 전극(201 내지 204)를 포함할 수 있다. 또한, 제 2 캐패시터부(2000b)는 제 7 내지 제 10 시트(107 내지 110)와, 제 7 내지 제 10 시트(107 내지 110) 상에 각각 형성된 제 5 내지 제 8 내부 전극(205 내지 208)을 포함할 수 있다. 여기서, 캐패시터부(2000)의 시트는 상기한 바와 같이 비유전율이 300 이하로 마련될 수 있다. 또한, 복수의 내부 전극(200)은 X 방향으로 서로 대향되도록 형성된 외부 전극(4100, 4200; 4000)과 일측이 연결되고 타측이 이격되도록 형성된다. 예를 들어, 제 1, 제 3, 제 5 및 제 7 내부 전극(201, 203, 205, 207)은 제 1, 제 3, 제 7 및 제 9 시트(101, 103, 107, 109) 상에 각각 소정 면적으로 형성되며, 일측이 제 2 외부 전극(4200)과 연결되고 타측이 제 1 외부 전극(4100)과 이격되도록 형성된다. 또한, 제 2, 제 4, 제 6 및 제 8 내부 전극(202, 204, 206, 208)은 제 2, 제 4, 제 8 및 제 10 시트(102, 104, 108, 110) 상에 각각 소정 면적으로 형성되며 일측이 제 1 외부 전극(4100)과 연결되고 타측이 제 2 외부 전극(4200)과 이격되도록 형성된다. 즉, 복수의 내부 전극(200)은 외부 전극(4000)의 어느 하나와 교대로 연결되며 그 사이의 시트들(102 내지 104, 108 내지 110)를 사이에 두고 소정 영역 중첩되도록 형성된다. 또한, 내부 전극(200)은 X 방향의 길이 및 Y 방향의 폭이 적층체(1000)의 길이 및 폭보다 작게 형성될 수 있다. 즉. 내부 전극(200)은 시트(100)의 길이 및 폭보다 작게 형성될 수 있다. 예를 들어, 내부 전극(200)은 적층체(1000) 또는 시트(100)의 길이의 10% 내지 90%의 길이와 10% 내지 90%의 폭으로 형성될 수 있다. 또한, 내부 전극(200)은 시트(100) 각각의 면적 대비 10% 내지 90%의 면적으로 각각 형성될 수 있다. 한편, 복수의 내부 전극(200)은 각각 예를 들어 정사각형, 직사각형, 소정의 패턴 형상, 소정 폭 및 간격을 갖는 스파이럴 형상 등 다양한 형상으로 형성될 수 있다. 이러한 캐패시터부(2000)는 내부 전극(200) 사이에 캐패시턴스가 각각 형성되며, 캐패시턴스는 내부 전극(200)의 중첩 면적, 시트들(100)의 두께 등에 따라 조절될 수 있다. 한편, 캐패시터부(2000)는 제 1 내지 제 8 내부 전극(201 내지 208) 이외에 적어도 하나 이상의 내부 전극이 더 형성되고, 적어도 하나의 내부 전극이 형성되는 적어도 하나의 시트가 더 형성될 수도 있다. 또한, 제 1 및 제 2 캐패시터부(2000a, 2000b)는 각각 두개의 내부 전극이 형성될 수도 있다. 즉, 본 실시 예는 제 1 및 제 2 캐패시터(2000a, 2000b)의 내부 전극이 각각 네개 형성되는 것을 예로 설명하였으나, 내부 전극은 둘 이상 복수로 형성될 수 있다.The capacitor unit 2000 may be provided on the lower side and the upper side of the overvoltage protection unit 3000 and may include at least two or more internal electrodes and at least two sheets provided therebetween. For example, the first capacitor unit 2000a includes first to fourth sheets 101 to 104 and first to fourth internal electrodes 201 to 204 formed on the first to fourth sheets 101 to 104, respectively. . ≪ / RTI > The second capacitor portion 2000b includes fifth to eighth internal electrodes 205 to 208 formed on the seventh to tenth sheets 107 to 110 and seventh to tenth sheets 107 to 110, . ≪ / RTI > Here, the sheet of the capacitor unit 2000 may have a relative dielectric constant of 300 or less as described above. The plurality of internal electrodes 200 are connected to the external electrodes 4100, 4200, and 4000 formed to face each other in the X direction, and the other ends are connected to each other. For example, the first, third, fifth, and seventh internal electrodes 201, 203, 205, 207 are formed on the first, third, seventh, and ninth sheets 101, 103, 107, The first external electrode 4100 and the second external electrode 4200 are formed to have a predetermined area and one side is connected to the second external electrode 4200 and the other side is separated from the first external electrode 4100. The second, fourth, sixth and eighth internal electrodes 202, 204, 206 and 208 are respectively formed on the second, fourth, eighth and tenth seats 102, 104, 108, And is formed so that one side is connected to the first external electrode 4100 and the other side is separated from the second external electrode 4200. That is, the plurality of internal electrodes 200 are alternately connected to any one of the external electrodes 4000, and are formed so as to overlap a predetermined region with the sheets 102 to 104, 108 to 110 therebetween. The length of the internal electrode 200 in the X direction and the width in the Y direction may be smaller than the length and width of the layered body 1000. In other words. The internal electrode 200 may be formed to be smaller than the length and width of the sheet 100. For example, the internal electrode 200 may be formed to have a length of 10% to 90% of the length of the laminate 1000 or the sheet 100 and a width of 10% to 90%. In addition, the internal electrodes 200 may be formed in an area of 10% to 90% of the area of each of the sheets 100, respectively. Meanwhile, the plurality of internal electrodes 200 may be formed in various shapes such as a square, a rectangle, a predetermined pattern shape, a spiral shape having a predetermined width and an interval, for example. Capacitors may be formed between the internal electrodes 200 and the capacitance of the capacitors 2000 may be adjusted according to the overlapping area of the internal electrodes 200 and the thickness of the sheets 100. The capacitor unit 2000 may include at least one internal electrode in addition to the first to eighth internal electrodes 201 to 208, and at least one sheet in which at least one internal electrode is formed. Also, the first and second capacitor units 2000a and 2000b may have two internal electrodes, respectively. That is, in the present embodiment, four internal electrodes of the first and second capacitors 2000a and 2000b are formed, respectively. However, two or more internal electrodes may be formed.

이러한 내부 전극(200)은 도전성 물질로 형성될 수 있는데, 예를 들어 Al, Ag, Au, Pt, Pd, Ni, Cu 중 어느 하나 이상의 성분을 포함하는 금속 또는 금속 합금으로 형성될 수 있다. 합금의 경우 예를 들어 Ag와 Pd 합금을 이용할 수 있다. 이러한 내부 전극(201 내지 208; 200)는 각각 예를 들어 1㎛∼10㎛의 두께로 형성될 수 있다. 한편, Al은 소성 중 표면에 알루미늄 옥사이드(Al2O3)가 형성되고 내부는 Al을 유지할 수 있다. 즉, Al을 시트 상에 형성할 때 공기와 접촉하게 되는데, 이러한 Al은 소성 공정에서 표면이 산화되어 Al2O3가 형성되고, 내부는 Al을 그대로 유지한다. 따라서, 내부 전극(200)은 표면에 다공성의 얇은 절연층인 Al2O3로 피복된 Al로 형성될 수 있다. 물론, Al 이외에 표면에 절연층, 바람직하게는 다공성의 절연층이 형성되는 다양한 금속이 이용될 수 있다. 한편, 내부 전극(200)은 적어도 일 영역의 두께가 얇거나 적어도 일 영역이 제거되어 시트가 노출되도록 형성될 수 있다. 그러나, 내부 전극(200)의 적어도 일 영역의 두께가 얇거나 적어도 일 영역이 제거되더라도 전체적으로 연결된 상태를 유지하므로 전기 전도성에는 전혀 문제가 발생되지 않는다. The internal electrode 200 may be formed of a conductive material, for example, a metal or a metal alloy containing at least one of Al, Ag, Au, Pt, Pd, Ni and Cu. In the case of alloys, for example, Ag and Pd alloys can be used. Each of the internal electrodes 201 to 208 and 200 may be formed to have a thickness of 1 占 퐉 to 10 占 퐉, for example. On the other hand, Al can form aluminum oxide (Al 2 O 3 ) on its surface during firing and can keep Al inside. That is, when Al is formed on the sheet, it comes into contact with air. In the sintering process, the surface of the Al is oxidized to form Al 2 O 3 , and the Al remains intact. Accordingly, the internal electrode 200 may be formed of Al coated with Al 2 O 3 , which is a porous thin insulating layer on the surface. Of course, a variety of metals other than Al, in which an insulating layer, preferably a porous insulating layer, is formed on the surface can be used. Meanwhile, the internal electrode 200 may be formed such that at least one region is thin or at least one region is removed to expose the sheet. However, since at least one region of the internal electrode 200 has a small thickness or at least one region is removed, the internal electrode 200 maintains the entirely connected state, so that no problem occurs in the electric conductivity.

한편, 제 1 캐패시터부(2000a)의 내부 전극들(201 내지 204)과 제 2 캐패시터부(2000b)의 내부 전극들(205 내지 208)은 동일 형상 및 동일 면적으로 형성될 수 있고, 중첩 면적 또한 동일할 수 있다. 그런데, 제 1 내부 전극(201)과 제 8 내부 전극(208)은 외부 전극(4000)과 중첩될 수 있으며, 이러한 제 1 및 제 8 내부 전극(201, 208)은 나머지 내부 전극들(202 내지 207)보다 길게 형성될 수 있다. 즉, 제 1 및 제 8 내부 전극(201, 208)은 말단부가 제 1 및 제 2 외부 전극(4100, 4200)과 각각 일부 중첩되도록 형성되어 이들 사이에 기생 캐패시턴스가 형성되므로 제 1 및 제 8 내부 전극(201, 208)은 나머지 내부 전극들(202 내지 207)보다 예를 들어 10% 정도 더 길게 형성될 수 있다. 또한, 제 1 및 제 8 내부 전극(201, 208)은 외부 전극(4000)과 중첩되는 영역이 나머지 영역보다 넓게 형성될 수도 있다. 예를 들어, 제 1 및 제 8 내부 전극(201, 208)은 외부 전극(4000)과 중첩되는 영역 또는 그와 인접한 영역이 중첩되지 않는 영역에 비해 10% 정도 더 넓게 형성될 수 있다. 이때, 제 1 및 제 8 내부 전극(201, 208)의 외부 전극(4000)과 중첩되지 않는 영역은 나머지 내부 전극(202 내지 209)의 너비와 동일할 수 있다. 한편, 제 1 캐패시터부(2000a)의 시트들(101 내지 104)와 제 2 캐패시터부(2000b)의 시트들(107 내지 110)은 동일 두께를 가질 수 있다. 이때, 제 1 시트(101)가 하부 커버층으로 기능할 경우 제 1 시트(101)는 나머지 시트들에 비해 두껍게 형성될 수 있다. 따라서, 제 1 및 제 2 캐패시터부(2000a, 2000b)는 캐패시턴스가 동일할 수 있다. 그러나, 제 1 및 제 2 캐패시터부(2000a, 2000b)는 캐패시턴스가 다를 수 있으며, 이 경우 내부 전극의 면적, 내부 전극의 중첩 면적, 시트의 두께의 적어도 어느 하나가 서로 다를 수 있다. 또한, 캐패시터부(2000)의 내부 전극(201 내지 208)는 과전압 보호부(3000)의 방전 전극(310)보다 길게 형성될 수 있고, 면적 또한 크게 형성될 수 있다.The internal electrodes 201 to 204 of the first capacitor portion 2000a and the internal electrodes 205 to 208 of the second capacitor portion 2000b may be formed in the same shape and the same area, Can be the same. The first internal electrode 201 and the eighth internal electrode 208 may overlap with the external electrode 4000 and the first and eighth internal electrodes 201 and 208 may overlap with the remaining internal electrodes 202 and 202. [ 207). That is, the first and eighth internal electrodes 201 and 208 are formed so that the ends of the first and eighth internal electrodes 201 and 208 partially overlap with the first and second external electrodes 4100 and 4200, respectively, and parasitic capacitance is formed therebetween, The electrodes 201 and 208 may be formed to be longer by about 10% than the remaining internal electrodes 202 to 207, for example. In addition, the first and eighth internal electrodes 201 and 208 may be formed to have a larger area overlapping with the external electrode 4000 than the remaining area. For example, the first and eighth internal electrodes 201 and 208 may be formed to be about 10% wider than an area in which the external electrode 4000 overlaps or an area in which the adjacent area is not overlapped. At this time, the area of the first and eighth internal electrodes 201 and 208 that does not overlap the external electrodes 4000 may be the same as the width of the remaining internal electrodes 202 to 209. On the other hand, the sheets 101 to 104 of the first capacitor unit 2000a and the sheets 107 to 110 of the second capacitor unit 2000b may have the same thickness. At this time, when the first sheet 101 functions as a lower cover layer, the first sheet 101 may be thicker than the remaining sheets. Therefore, the capacitances of the first and second capacitor units 2000a and 2000b may be the same. However, the first and second capacitor units 2000a and 2000b may have different capacitances. In this case, at least one of the internal electrode area, the overlapping area of the internal electrodes, and the thickness of the sheet may be different from each other. The internal electrodes 201 to 208 of the capacitor unit 2000 may be formed longer than the discharge electrodes 310 of the overvoltage protection unit 3000 and the area thereof may be larger.

3. 과전압 보호부3. Overvoltage Protection

과전압 보호부(3000)는 수직 방향으로 이격되어 형성된 적어도 두개의 방전 전극(311, 312; 310)과, 방전 전극(310) 사이에 마련된 적어도 하나의 과전압 보호층(320)을 포함할 수 있다. 예를 들어, 과전압 보호부(3000)는 제 6 시트(106)와, 제 5 및 제 6 시트(105, 106) 상에 각각 형성된 제 1 및 제 2 방전 전극(311, 312)과, 제 6 시트(106)를 관통하여 형성된 과전압 보호층(320)을 포함할 수 있다. 또한, 방전 전극(310) 사이의 제 6 시트(106)는 비유전율이 500을 초과할 수 있다. 여기서, 과전압 보호층(320)은 적어도 일부가 제 1 및 제 2 방전 전극(311, 312)과 연결되도록 형성될 수 있다. 제 1 및 제 2 방전 전극(311, 312)은 캐패시터부(2000)의 내부 전극들(200)과 동일 두께로 형성될 수 있다. 예를 들어, 제 1 및 제 2 방전 전극(311, 312)은 1㎛∼10㎛의 두께로 형성할 수 있다. 그러나, 제 1 및 제 2 방전 전극(311, 312)은 캐패시터부(2000)의 내부 전극(200)보다 얇거나 두껍게 형성될 수도 있다. 제 1 방전 전극(311)은 제 1 외부 전극(4100)과 연결되어 제 5 시트(105) 상에 형성되며 말단부가 과전압 보호층(320)과 연결되도록 형성된다. 제 2 방전 전극(312)은 제 2 외부 전극(4200)과 연결되어 제 6 시트(106) 상에 형성되며 말단부가 과전압 보호층(320)과 연결되도록 형성된다. The overvoltage protection unit 3000 may include at least two discharge electrodes 311 and 312 formed in the vertical direction and at least one overvoltage protection layer 320 provided between the discharge electrodes 310. [ For example, the overvoltage protection unit 3000 includes a sixth sheet 106, first and second discharge electrodes 311 and 312 formed on the fifth and sixth sheets 105 and 106, And an overvoltage protection layer 320 formed through the sheet 106. In addition, the sixth sheet 106 between the discharge electrodes 310 may have a relative dielectric constant exceeding 500. Here, the overvoltage protection layer 320 may be formed so that at least a portion thereof is connected to the first and second discharge electrodes 311 and 312. The first and second discharge electrodes 311 and 312 may have the same thickness as the internal electrodes 200 of the capacitor unit 2000. For example, the first and second discharge electrodes 311 and 312 can be formed to a thickness of 1 m to 10 m. However, the first and second discharge electrodes 311 and 312 may be thinner or thicker than the internal electrode 200 of the capacitor unit 2000. The first discharge electrode 311 is connected to the first external electrode 4100 and is formed on the fifth sheet 105 and the end portion is connected to the overvoltage protection layer 320. The second discharge electrode 312 is formed on the sixth sheet 106 to be connected to the second outer electrode 4200 and has a distal end connected to the overvoltage protection layer 320.

여기서, 방전 전극(311, 312)은 인접한 내부 전극(200)과 동일 외부 전극(4000)과 연결되도록 형성된다. 즉, 제 1 방전 전극(311)은 인접한 제 4 내부 전극(204)과 제 1 외부 전극(4100)에 연결되며, 제 2 방전 전극(312)은 인접한 제 5 내부 전극(205)과 제 2 외부 전극(4200)에 연결된다. 이렇게 방전 전극(310)과 이와 인접한 내부 전극(200)이 동일 외부 전극(4000)과 연결됨으로써 절연 시트(100)가 열화, 즉 절연 파괴되는 경우에도 ESD 전압이 전자기기 내부로 인가되지 않는다. 즉, 방전 전극(310)과 인접한 내부 전극(200)이 서로 다른 외부 전극(4000)과 연결된 경우 절연 시트(100)가 절연 파괴되면 일 외부 전극(4000)을 통해 인가되는 ESD 전압이 방전 전극(310)과 인접한 내부 전극(200)을 통해 타 외부 전극(4000)으로 흐르게 된다. 예를 들어, 제 1 방전 전극(311)이 제 1 외부 전극(4100)과 연결되고 이와 인접한 제 4 내부 전극(204)이 제 2 외부 전극(4200)과 연결된 경우 절연 시트(100)가 절연 파괴되면 제 1 방전 전극(311)과 제 4 내부 전극(204) 사이에 도전 경로가 형성되어 제 1 외부 전극(4100)을 통해 인가되는 ESD 전압이 제 1 방전 전극(311), 절연 파괴된 제 5 절연 시트(105) 및 제 2 내부 전극(202)으로 흐르게 되고, 그에 따라 제 2 외부 전극(4200)을 통해 내부 회로로 인가될 수 있다. 이러한 문제를 해결하기 위해서는 절연 시트(100)의 두께를 두껍게 형성할 수 있지만, 이 경우 감전 방지 소자의 사이즈가 커지는 문제가 있다. 그러나, 방전 전극(310)과 이와 인접한 내부 전극(200)이 동일 외부 전극(4000)과 연결됨으로써 절연 시트(100)가 절연 파괴되는 경우에도 ESD 전압이 전자기기 내부로 인가되지 않는다. 또한, 절연 시트(100)의 두께를 두껍게 형성하지 않고도 ESD 전압이 인가되는 것을 방지할 수 있다.Here, the discharge electrodes 311 and 312 are formed to be connected to the same external electrode 4000 as the adjacent internal electrode 200. That is, the first discharge electrode 311 is connected to the adjacent fourth internal electrode 204 and the first external electrode 4100, and the second discharge electrode 312 is connected to the adjacent fifth internal electrode 205 and the second external Electrode 4200 as shown in Fig. The discharge electrode 310 and the adjacent inner electrode 200 are connected to the same outer electrode 4000 so that the ESD voltage is not applied to the inside of the electronic device even when the insulating sheet 100 is deteriorated, That is, when the discharge electrode 310 and the adjacent internal electrode 200 are connected to different external electrodes 4000, the ESD voltage applied through the external electrode 4000 is discharged to the discharge electrode 310 to the other external electrode 4000 through the adjacent internal electrode 200. [ For example, when the first discharge electrode 311 is connected to the first external electrode 4100 and the fourth internal electrode 204 adjacent to the first external electrode 4100 is connected to the second external electrode 4200, A conductive path is formed between the first discharge electrode 311 and the fourth internal electrode 204 so that an ESD voltage applied through the first external electrode 4100 is applied to the first discharge electrode 311, Flows to the insulating sheet 105 and the second internal electrode 202, and can therefore be applied to the internal circuit through the second external electrode 4200. [ In order to solve such a problem, the thickness of the insulating sheet 100 can be increased, but in this case, there arises a problem that the size of the electric shock prevention device increases. However, even when the discharge electrode 310 and the adjacent internal electrode 200 are connected to the same external electrode 4000, the ESD voltage is not applied to the inside of the electronic device even if the insulating sheet 100 is broken. In addition, it is possible to prevent the ESD voltage from being applied without forming the insulating sheet 100 thick.

한편, 제 1 및 제 2 방전 전극(311, 312)의 과전압 보호층(320)과 접촉되는 영역은 과전압 보호층(320)과 동일 크기 또는 이보다 작게 형성될 수 있다. 또한, 제 1 및 제 2 방전 전극(311, 312)은 과전압 보호층(320)을 벗어나지 않고 완전히 중첩되어 형성될 수도 있다. 즉, 제 1 및 제 2 방전 전극(311, 312)의 가장자리는 과전압 보호층(320)의 가장자리와 수직 성분을 이룰 수 있다. 물론, 제 1 및 제 2 방전 전극(311, 312)은 과전압 보호층(320)의 일부에 중첩되도록 형성될 수도 있다. 예를 들어, 제 1 및 제 2 방전 전극(311, 312)는 과전압 보호층(320)의 수평 면적의 10% 내지 100% 중첩되도록 형성될 수 있다. 즉, 제 1 및 제 2 방전 전극(311, 312)은 과전압 보호층(320)을 벗어나게 형성되지 않는다. 한편, 제 1 및 제 2 방전 전극(311, 312)은 과전압 보호층(320)과 접촉되는 일 영역이 접촉되지 않은 영역보다 크게 형성될 수 있다.The region of the first and second discharge electrodes 311 and 312 that is in contact with the overvoltage protection layer 320 may be the same size or smaller than the overvoltage protection layer 320. In addition, the first and second discharge electrodes 311 and 312 may be formed so as to completely overlap with each other without leaving the overvoltage protection layer 320. That is, the edges of the first and second discharge electrodes 311 and 312 may be perpendicular to the edge of the overvoltage protection layer 320. Of course, the first and second discharge electrodes 311 and 312 may be formed so as to overlap the overvoltage protection layer 320. For example, the first and second discharge electrodes 311 and 312 may be formed to overlap 10% to 100% of the horizontal area of the overvoltage protection layer 320. That is, the first and second discharge electrodes 311 and 312 are not formed to deviate from the overvoltage protection layer 320. The first and second discharge electrodes 311 and 312 may be formed to have a larger area than a region in contact with the overvoltage protection layer 320.

과전압 보호층(320)은 제 6 시트(106)의 소정 영역, 예를 들어 중심부에 형성되어 제 1 및 제 2 방전 전극(311, 312)과 연결될 수 있다. 이때, 과전압 보호층(320)은 제 1 및 제 2 방전 전극(311, 312)과 적어도 일부 중첩되도록 형성될 수 있다. 즉, 과전압 보호층(320)은 제 1 및 제 2 방전 전극(311, 312)과 수평 면적의 10% 내지 100% 중첩되도록 형성될 수 있다. 과전압 보호층(320)은 제 6 시트(106)의 소정 영역에 형성된 공극을 포함할 수 있다. 즉, 제 6 시트(106)의 소정 영역, 예를 들어 중앙 영역에 상하 관통하는 관통홀이 형성되어 과전압 보호층(320)으로 기능할 수 있다. 과전압 보호층(330)은 예를 들어 100㎛∼500㎛의 직경과 10㎛∼50㎛의 두께로 형성될 수 있다. 이때, 과전압 보호층(320)의 두께가 얇을수록 방전 개시 전압이 낮아진다. 과전압 보호층(320)은 적어도 하나의 시트(100) 상에 형성될 수도 있다. 즉, 수직 방향으로 적층된 적어도 하나, 예를 들어 두개의 시트(100)에 과전압 보호층(320)이 각각 형성되고, 그 시트(100) 상에 서로 이격되도록 방전 전극이 형성되어 과전압 보호층(320)과 연결될 수 있다. The overvoltage protection layer 320 may be formed at a predetermined region of the sixth sheet 106, for example, at a central portion thereof and connected to the first and second discharge electrodes 311 and 312. At this time, the overvoltage protection layer 320 may be formed to overlap at least part of the first and second discharge electrodes 311 and 312. That is, the overvoltage protection layer 320 may be formed to overlap with the first and second discharge electrodes 311 and 312 by 10% to 100% of the horizontal area. The overvoltage protection layer 320 may include voids formed in a predetermined region of the sixth sheet 106. That is, the through-holes penetrating the predetermined area of the sixth sheet 106, for example, the central area, may be formed to function as the overvoltage protection layer 320. The overvoltage protection layer 330 may be formed to have a diameter of, for example, 100 mu m to 500 mu m and a thickness of 10 mu m to 50 mu m. At this time, the discharge start voltage decreases as the thickness of the overvoltage protection layer 320 becomes thinner. The overvoltage protection layer 320 may be formed on at least one sheet 100. That is, an overvoltage protection layer 320 is formed on at least one vertically stacked sheet, for example, two sheets 100, and a discharge electrode is formed on the sheet 100 to be spaced apart from each other, 320, respectively.

한편, 과전압 보호층(320)은 과전압 보호 물질을 포함할 수 있다. 즉, 제 6 시트(106)에 형성된 공극 내에 과전압 보호 물질이 매립되어 과전압 보호층(320)이 형성될 수도 있다. 과전압 보호 물질은 복수의 기공을 갖는 다공성의 절연 물질 및 도전 물질의 적어도 하나를 포함할 수 있다. 따라서, 과전압 보호층(320)은 공극, 다공성의 절연 물질 및 도전 물질의 적어도 하나를 포함할 수 있다. 즉, 과전압 보호층(320)은 내부가 빈 공극으로만 이루어질 수 있고, 공극의 적어도 일부에 다공성의 절연 물질 및 도전 물질의 적어도 하나가 형성될 수 있다. 이때, 공극, 다공성 절연 물질 및 도전 물질은 적어도 일부가 층을 이루어 형성될 수 있다. 예를 들어, 도전 물질, 다공성 절연 물질, 공극, 다공성 절연 물질 및 도전 물질이 적층 구조로 과전압 보호층(320)이 형성될 수 있다. 한편, 다공성 절연 물질은 방전 유도 물질로 이루어질 수 있고, 전기 장벽으로 기능할 수 있다. 이러한 다공성 절연 물질은 500∼50000 정도의 비유전율을 갖는 절연성 세라믹이 이용될 수 있다. 예를 들어, 절연성 세라믹은 MLCC 등의 유전체 재료 분말, ZrO, ZnO, BaTiO3, Nd2O5, BaCO3, TiO2, Nd, Bi, Zn, Al2O3 중의 하나 이상을 포함한 혼합물을 이용하여 형성할 수 있다. 이러한 다공성 절연 물질은 1㎚∼5㎛ 정도 크기의 기공이 복수 형성되어 30%∼80%의 기공률을 가질 수 있다. 이때, 기공 사이의 최단 거리는 1㎚∼5㎛ 정도일 수 있다. 즉, 다공성 절연 물질은 전류가 흐르지 못하는 전기 절연성 물질로 형성되지만, 기공이 형성되므로 기공을 통해 전류가 흐를 수 있다. 이때, 기공의 크기가 커지거나 기공률이 커질수록 방전 개시 전압이 낮아질 수 있고, 이와 반대로 기공의 크기가 작아지거나 기공률이 낮아지면 방전 개시 전압이 높아질 수 있다. 또한, 다공성 절연 물질은 미세 기공에 의해 시트의 저항보다 낮은 저항을 갖고, 미세 기공을 통해 부분 방전이 이루어질 수 있다. 한편, 도전 물질은 소정의 저항을 갖고 전류를 흐르게 할 수 있다. 예를 들어, 도전 물질은 수Ω 내지 수백㏁을 갖는 저항체일 수 있다. 이러한 도전 물질은 ESD 등이 과전압이 유입될 경우 에너지 레벨을 낮춰 과전압에 의한 복합 소자의 구조적인 파괴가 일어나지 않도록 한다. 즉, 도전 물질은 전기 에너지를 열 에너지로 변환시키는 히트 싱크(heat sink)의 역할을 한다. 이러한 도전 물질은 도전성 세라믹을 이용하여 형성할 수 있으며, 도전성 세라믹은 La, Ni, Co, Cu, Zn, Ru, Ag, Pd, Pt, W, Fe, Bi 중의 하나 이상을 포함한 혼합물을 이용할 수 있다.On the other hand, the overvoltage protection layer 320 may include an overvoltage protection material. That is, the overvoltage protection layer 320 may be formed by filling the overvoltage protection material in the space formed in the sixth sheet 106. The overvoltage protection material may include at least one of a porous insulating material having a plurality of pores and a conductive material. Accordingly, the overvoltage protection layer 320 may include at least one of a pore, a porous insulating material, and a conductive material. That is, the overvoltage protection layer 320 may be formed only with voids inside, and at least one of porous insulating material and conductive material may be formed on at least a part of the voids. At this time, the pores, the porous insulating material, and the conductive material may be at least partially formed as a layer. For example, the overvoltage protection layer 320 may be formed of a laminated structure of a conductive material, a porous insulating material, a pore, a porous insulating material, and a conductive material. On the other hand, the porous insulating material can be made of a discharge inducing material and can function as an electric barrier. Such a porous insulating material may be an insulating ceramic having a relative dielectric constant of about 500 to 50,000. For example, the insulating ceramics may be formed by using a dielectric material powder such as MLCC, a mixture containing at least one of ZrO 2, ZnO, BaTiO 3 , Nd 2 O 5 , BaCO 3 , TiO 2 , Nd, Bi, Zn and Al 2 O 3 . Such a porous insulating material may have a plurality of pores each having a size of 1 nm to 5 탆 and may have a porosity of 30% to 80%. At this time, the shortest distance between the pores may be about 1 nm to 5 탆. That is, the porous insulating material is formed of an electrically insulating material that can not flow current, but a pore is formed, so current can flow through the pore. At this time, as the size of the pores increases or the porosity increases, the discharge firing voltage may decrease. On the contrary, if the pore size decreases or the porosity decreases, the discharge firing voltage may increase. Further, the porous insulating material has a lower resistance than the resistance of the sheet due to the micropores, and the partial discharge can be made through the micropores. On the other hand, the conductive material may have a predetermined resistance and allow electric current to flow. For example, the conductive material may be a resistor having several ohms to several hundreds of Ohms. Such a conductive material lowers the energy level when an overvoltage is introduced by ESD or the like, thereby preventing a structural failure of the composite device due to the overvoltage. That is, the conductive material acts as a heat sink for converting electric energy into heat energy. Such a conductive material may be formed using a conductive ceramic and the conductive ceramic may be a mixture containing at least one of La, Ni, Co, Cu, Zn, Ru, Ag, Pd, Pt, W, .

4. 외부 전극4. External electrode

외부 전극(4100, 4200; 4000)는 적층체(1000) 외부의 서로 대향되는 두 면에 마련될 수 있다. 예를 들어, 외부 전극(4000)은 X 방향, 즉 길이 방향으로 적층체(1000)의 대향되는 두 면에 각각 형성될 수 있다. 또한, 외부 전극(4000)은 적층체(1000) 내부의 내부 전극(200) 및 방전 전극(310)과 연결될 수 있다. 이때, 외부 전극(4000)의 어느 하나는 전자기기 내부의 인쇄회로기판 등의 내부 회로와 접속될 수 있고, 다른 하나는 전자기기의 외부, 예를 들어 금속 케이스와 연결될 수 있다. 예를 들어, 제 1 외부 전극(4100)은 내부 회로에 접속될 수 있고, 제 2 외부 전극(4200)은 금속 케이스와 연결될 수 있다. 또한, 제 2 외부 전극(4200)은 도전성 부재, 예를 들어 컨택터 또는 도전성 가스켓을 통해 금속 케이스와 연결될 수 있다.The external electrodes 4100, 4200, and 4000 may be provided on two surfaces of the stack body 1000 that are opposite to each other. For example, the external electrodes 4000 may be formed on opposite sides of the laminated body 1000 in the X direction, that is, the longitudinal direction. The external electrode 4000 may be connected to the internal electrode 200 and the discharge electrode 310 in the stacked body 1000. At this time, one of the external electrodes 4000 may be connected to an internal circuit such as a printed circuit board inside the electronic device, and the other may be connected to the outside of the electronic device, for example, a metal case. For example, the first external electrode 4100 may be connected to an internal circuit, and the second external electrode 4200 may be connected to a metal case. Further, the second external electrode 4200 may be connected to the metal case through a conductive member, for example, a contactor or a conductive gasket.

이러한 외부 전극(4000)은 다양한 방법으로 형성될 수 있다. 즉, 외부 전극(4000)은 도전성 페이스트를 이용하여 침지 또는 인쇄 방법으로 형성하거나, 증착, 스퍼터링, 도금 등의 다양한 방법으로 형성될 수도 있다. 한편, 외부 전극(4000)은 Y 방향 및 Z 방향의 면에 연장 형성될 수 있다. 즉, 외부 전극(4000)은 X 방향으로 대향되는 두 면으로부터 이와 인접한 네 면에 연장 형성될 수 있다. 예를 들어, 도전성 페이스트에 침지하는 경우 X 방향의 대향되는 두 측면 뿐만 아니라 Y 방향의 전면 및 후면, 그리고 Z 방향의 상면 및 하면에도 외부 전극(4000)이 형성될 수 있다. 이에 비해, 인쇄, 증착, 스퍼터링, 도금 등의 방법으로 형성할 경우 X 방향의 두면에 외부 전극(4000)이 형성될 수 있다. 즉, 외부 전극(4000)은 인쇄회로기판에 실장되는 일 측면 및 금속 케이스와 연결되는 타 측면 뿐만 아니라 형성 방법 또는 공정 조건에 따라 그 이외의 영역에도 형성될 수 있다. 이러한 외부 전극(4000)은 전기 전도성을 가지는 금속으로 형성될 수 있는데, 예를 들어 금, 은, 백금, 구리, 니켈, 팔라듐 및 이들의 합금으로부터 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상의 금속으로 형성될 수 있다. 이때, 내부 전극(200) 및 방전 전극(310)과 연결되는 외부 전극(4000)의 적어도 일부, 즉 적층체(1000)의 적어도 일 표면에 형성되어 내부 전극(200) 및 방전 전극(310)과 연결되는 외부 전극(4000)의 일부는 내부 전극(200) 및 방전 전극(310)과 동일 물질로 형성될 수 있다. 예를 들어, 내부 전극(200) 및 방전 전극(310)이 구리를 이용하여 형성되는 경우 외부 전극(4000)의 이들과 접촉되는 영역으로부터 적어도 일부는 구리를 이용하여 형성할 수 있다. 이때, 구리는 앞서 설명한 바와 같이 도전성 페이스트를 이용한 침지 또는 인쇄 방법으로 형성하거나, 증착, 스퍼터링, 도금 등의 방법으로 형성할 수 있다. 바람직하게는 외부 전극(4000)은 도금으로 형성할 수 있다. 도금 공정으로 외부 전극(4000)을 형성하기 위해 적층체(1000)의 상하부면에 시드층을 형성한 후 시드층으로부터 도금층을 형성하여 외부 전극(4000)을 형성할 수 있다. 여기서, 외부 전극(4000)의 내부 전극(200) 및 방전 전극(310)과 연결되는 적어도 일부는 외부 전극(4000)이 형성되는 적층체(1000)의 측면 전체일 수 있고, 일부 영역일 수도 있다.The external electrode 4000 may be formed by various methods. That is, the external electrode 4000 may be formed by an immersion or printing method using a conductive paste, or may be formed by various methods such as vapor deposition, sputtering, and plating. On the other hand, the external electrode 4000 may be formed extending in the Y direction and the Z direction. That is, the external electrode 4000 may be formed extending from two surfaces opposed to each other in the X direction to four surfaces adjacent thereto. For example, when the conductive paste is immersed in the conductive paste, the external electrodes 4000 may be formed on both the front and rear surfaces in the Y direction as well as on the top and bottom surfaces in the Z direction as well as the two opposing sides in the X direction. On the other hand, when the electrodes are formed by printing, vapor deposition, sputtering, plating, or the like, the external electrodes 4000 may be formed on two surfaces in the X direction. That is, the external electrode 4000 may be formed on one side mounted on the printed circuit board and the other side connected to the metallic case, but also on other areas depending on the forming method or process conditions. The external electrode 4000 may be formed of an electrically conductive metal such as gold, silver, platinum, copper, nickel, palladium, or an alloy thereof. At least a part of the external electrode 4000 connected to the internal electrode 200 and the discharge electrode 310, that is, the internal electrode 200 and the discharge electrode 310 formed on at least one surface of the layered body 1000, A part of the external electrode 4000 to be connected may be formed of the same material as the internal electrode 200 and the discharge electrode 310. For example, when the internal electrode 200 and the discharge electrode 310 are formed using copper, at least a part of the external electrode 4000 may be formed from a region in contact with the internal electrode 200 and the discharge electrode 310 using copper. At this time, copper may be formed by an immersion or printing method using a conductive paste as described above, or may be formed by vapor deposition, sputtering, plating or the like. Preferably, the external electrode 4000 may be formed by plating. A seed layer may be formed on the upper and lower surfaces of the layered body 1000 to form the external electrode 4000 by a plating process, and then a plating layer may be formed from the seed layer to form the external electrode 4000. At least a part of the external electrode 4000 connected to the internal electrode 200 and the discharge electrode 310 may be the entire side surface of the laminated body 1000 in which the external electrode 4000 is formed, .

또한, 외부 전극(4000)은 적어도 하나의 도금층을 더 포함할 수 있다. 외부 전극(4000)은 Cu, Ag 등의 금속층으로 형성될 수 있고, 금속층 상에 적어도 하나의 도금층이 형성될 수도 있다. 예를 들어, 외부 전극(4000)은 구리층, Ni 도금층 및 Sn 또는 Sn/Ag 도금층이 적층 형성될 수도 있다. 물론, 도금층은 Cu 도금층 및 Sn 도금층이 적층될 수도 있으며, Cu 도금층, Ni 도금층 및 Sn 도금층이 적층될 수도 있다. 또한, 외부 전극(4000)은 예를 들어 0.5%∼20%의 Bi2O3 또는 SiO2를 주성분으로 하는 다성분계의 글래스 프릿(Glass frit)을 금속 분말과 혼합하여 형성할 수 있다. 이때, 글래스 프릿과 금속 분말의 혼합물은 페이스트 형태로 제조되어 적층체(1000)의 두면에 도포될 수 있다. 이렇게 외부 전극(4000)에 글래스 프릿이 포함됨으로써 외부 전극(4000)과 적층체(1000)의 밀착력을 향상시킬 수 있고, 적층체(1000) 내부의 전극들의 콘택 반응을 향상시킬 수 있다. 또한, 글래스가 포함된 도전성 페이스트가 도포된 후 그 상부에 적어도 하나의 도금층이 형성되어 외부 전극(4000)이 형성될 수 있다. 즉, 글래스가 포함된 금속층과, 그 상부에 적어도 하나의 도금층이 형성되어 외부 전극(4000)이 형성될 수 있다. 예를 들어, 외부 전극(4000)은 글래스 프릿과 Ag 및 Cu의 적어도 하나가 포함된 층을 형성한 후 전해 또는 무전해 도금을 통하여 Ni 도금층 및 Sn 도금층 순차적으로 형성할 수 있다. 이때, Sn 도금층은 Ni 도금층과 같거나 두꺼운 두께로 형성될 수 있다. 물론, 외부 전극(4000)은 적어도 하나의 도금층만으로 형성될 수도 있다. 즉, 페이스트를 도포하지 않고 적어도 1회의 도금 공정을 이용하여 적어도 일층의 도금층을 형성하여 외부 전극(4000)을 형성할 수도 있다. 한편, 외부 전극(5000)은 2㎛∼100㎛의 두께로 형성될 수 있으며, Ni 도금층이 1㎛∼10㎛의 두께로 형성되고, Sn 또는 Sn/Ag 도금층은 2㎛∼10㎛의 두께로 형성될 수 있다.Further, the external electrode 4000 may further include at least one plating layer. The external electrode 4000 may be formed of a metal layer of Cu, Ag, or the like, and at least one plating layer may be formed on the metal layer. For example, the external electrode 4000 may be formed by laminating a copper layer, a Ni plating layer, and a Sn or Sn / Ag plating layer. Of course, the plating layer may be laminated with a Cu plating layer and a Sn plating layer, or a Cu plating layer, a Ni plating layer and a Sn plating layer may be laminated. The external electrode 4000 can be formed by mixing a multi-component glass frit containing, for example, 0.5% to 20% Bi 2 O 3 or SiO 2 as a main component with a metal powder. At this time, the mixture of the glass frit and the metal powder may be prepared in the form of a paste and applied to the two sides of the laminate 1000. By including the glass frit in the external electrode 4000, the adhesion between the external electrode 4000 and the layered body 1000 can be improved, and the contact response of the electrodes inside the layered body 1000 can be improved. In addition, after the conductive paste containing glass is applied, at least one plating layer may be formed on the conductive paste to form the external electrode 4000. That is, the external electrode 4000 may be formed by forming a metal layer containing glass and at least one plating layer on the metal layer. For example, the external electrode 4000 may be formed by sequentially forming a Ni-plated layer and a Sn-plated layer through electrolytic or electroless plating after forming a layer including at least one of glass frit, Ag and Cu. At this time, the Sn plating layer may be formed to have a thickness equal to or thicker than the Ni plating layer. Of course, the external electrode 4000 may be formed of at least one plating layer only. That is, at least one plating layer may be formed using at least one plating process without applying the paste to form the external electrode 4000. [ On the other hand, the external electrode 5000 may be formed to a thickness of 2 탆 to 100 탆, a Ni plating layer is formed to a thickness of 1 탆 to 10 탆, and a Sn or Sn / Ag plating layer is formed to a thickness of 2 탆 to 10 탆 .

한편, 외부 전극(4000)은 서로 다른 외부 전극(4000)과 연결되는 내부 전극(200)과 소정 영역 중첩되도록 형성될 수 있다. 예를 들어, 제 1 외부 전극(4100)의 적층체(1000) 하부 및 상부로 연장 형성된 부분은 내부 전극들(200)의 소정 영역과 중첩되어 형성될 수 있다. 또한, 제 2 외부 전극(4200)의 적층체(1000) 하부 및 상부로 연장 형성된 부분도 내부 전극들(200)의 소정 영역과 중첩되어 형성될 수 있다. 예를 들어, 외부 전극(4000)의 적층체(1000) 상부 및 하부로 연장된 부분이 제 1 및 제 8 내부 전극(201, 208)과 중첩되어 형성될 수 있다. 즉, 외부 전극(4000)의 적어도 하나가 적층체(1000) 상면 및 하면으로 연장 형성되고, 연장된 부분의 적어도 하나가 내부 전극(200)과 일부 중첩되어 형성될 수 있다. 이때, 외부 전극(4000)과 중첩되는 내부 전극(200)의 면적은 내부 전극(200) 전체 면적의 1% 내지 10%일 수 있다. 또한, 외부 전극(4000)은 복수회의 공정에 의해 적층체(1000)의 상면 및 하면의 적어도 어느 하나에 형성되는 면적을 증가시킬 수 있다.The external electrode 4000 may be formed to overlap with the internal electrode 200 connected to the external electrode 4000. For example, a portion of the first external electrode 4100 extending downward and upward from the stacked body 1000 may be formed to overlap with a predetermined region of the internal electrodes 200. A portion of the second external electrode 4200 extending to the lower and upper portions of the stacked body 1000 may be formed to overlap with a predetermined region of the internal electrodes 200. For example, portions of the external electrode 4000 extending to the upper and lower portions of the stacked body 1000 may be formed to overlap with the first and eighth internal electrodes 201 and 208. That is, at least one of the external electrodes 4000 may extend to the upper surface and the lower surface of the stack 1000, and at least one of the extended portions may be partially overlapped with the internal electrode 200. At this time, the area of the internal electrode 200 overlapping the external electrode 4000 may be 1% to 10% of the total area of the internal electrode 200. In addition, the external electrode 4000 can increase the area formed on at least one of the upper surface and the lower surface of the layered body 1000 by a plurality of processes.

이렇게 외부 전극(4000)과 내부 전극(200)을 중첩함으로써 외부 전극(4000)과 내부 전극(200) 사이에 소정의 기생 캐패시턴스가 생성될 수 있다. 예를 들어, 제 1 및 제 8 내부 전극(201, 208)과 제 1 및 제 2 외부 전극(4100, 4200)의 연장부 사이에 캐패시턴스가 형성될 수 있다. 따라서, 외부 전극(4000)과 내부 전극(200)의 중첩 면적을 조절함으로써 복합 소자의 캐패시턴스를 조절할 수 있다. 그런데, 복합 소자의 캐패시턴스는 전자기기 내의 안테나 성능에 영향을 미치게 되므로 복합 소자의 캐패시턴스의 산포를 20% 이내, 바람직하게는 5% 이내로 유지한다. 그러나, 내부 전극(200)과 외부 전극(4000) 사이에 마련된 제 1 및 제 11 시트(101 및 111)의 유전율이 높으면 기생 캐패시턴스가 증가하게 된다. 따라서, 최외곽에 위치하는 제 1 및 제 11 시트(101 및 111)의 유전율이 나머지 시트들(102 내지 110)의 유전율보다 낮으므로 내부 전극(200)과 외부 전극(4000) 사이의 기생 캐패시턴스의 영향을 감소시킬 수 있다. 즉, 제 1 및 제 11 시트(101 및 111)의 유전율이 낮으므로 내부 전극(200)과 외부 전극(4000) 사이의 기생 캐패시턴스를 줄일 수 있다.A predetermined parasitic capacitance can be generated between the external electrode 4000 and the internal electrode 200 by overlapping the external electrode 4000 and the internal electrode 200. [ For example, a capacitance may be formed between the first and eighth internal electrodes 201 and 208 and the extension of the first and second external electrodes 4100 and 4200. Therefore, the capacitance of the composite device can be adjusted by adjusting the overlapping area of the external electrode 4000 and the internal electrode 200. However, since the capacitance of the composite device affects the performance of the antenna in the electronic device, the dispersion of the capacitance of the composite device is kept within 20%, preferably within 5%. However, when the dielectric constant of the first and eleventh sheets 101 and 111 provided between the internal electrode 200 and the external electrode 4000 is high, parasitic capacitance is increased. Therefore, since the permittivity of the first and eleventh sheets 101 and 111 located at the outermost portions is lower than that of the remaining sheets 102 to 110, the parasitic capacitance between the internal electrode 200 and the external electrode 4000 The effect can be reduced. That is, since the dielectric constants of the first and eleventh sheets 101 and 111 are low, the parasitic capacitance between the internal electrode 200 and the external electrode 4000 can be reduced.

5. 표면 개질 부재5. Surface modification member

한편, 적층체(1000)의 적어도 일 표면에는 표면 개질 부재(미도시)가 형성될 수 있다. 이러한 표면 개질 부재는 외부 전극(600)을 형성하기 이전에 적층체(1000)의 표면에 예를 들어 산화물을 분포시켜 형성할 수 있다. 여기서, 산화물은 결정 상태 또는 비결정 상태로 적층체(1000)의 표면에 분산되어 분포될 수 있다. 표면 개질 부재는 도금 공정으로 외부 전극(600)을 형성할 때 도금 공정 이전에 적층체(1000) 표면에 분포될 수 있다. 즉, 표면 개질 부재는 외부 전극(600)의 일부를 인쇄 공정으로 형성하기 이전에 분포시킬 수도 있고, 인쇄 공정 후 도금 공정을 실시하기 이전에 분포시킬 수도 있다. 물론, 인쇄 공정을 실시하지 않는 경우 표면 개질 부재를 분포시킨 후 도금 공정을 실시할 수 있다. 이때, 표면에 분포된 표면 개질 부재는 적어도 일부가 용융될 수 있다.On the other hand, a surface modifying member (not shown) may be formed on at least one surface of the layered body 1000. The surface modification member may be formed by distributing an oxide, for example, on the surface of the layered body 1000 before the external electrode 600 is formed. Here, the oxide may be dispersed and distributed on the surface of the laminate 1000 in a crystalline state or an amorphous state. The surface modifying member may be distributed on the surface of the laminate 1000 before the plating process when the external electrode 600 is formed by a plating process. That is, the surface modifying member may be distributed before forming part of the external electrode 600 in the printing process, or may be distributed before the plating process after the printing process. Of course, in the case where the printing process is not performed, the plating process can be performed after distributing the surface modifying member. At this time, at least a part of the surface modification member distributed on the surface can be melted.

한편, 표면 개질 부재는 적어도 일부가 동일한 크기로 적층체(1000)의 표면에 고르게 분포될 수 있고, 적어도 일부가 서로 다른 크기로 불규칙하게 분포될 수도 있다. 또한, 적층체(1000)의 적어도 일부 표면에는 오목부가 형성될 수도 있다. 즉, 표면 개질 부재가 형성되어 볼록부가 형성되고 표면 개질 부재가 형성되지 않은 영역의 적어도 일부가 패여 오목부가 형성될 수도 있다. 이때, 표면 개질 부재는 적어도 일부가 적층체(1000)의 표면보다 깊이 형성될 수 있다. 즉, 표면 개질 부재는 소정 두께가 적층체(1000)의 소정 깊이로 박히고 나머지 두께가 적층체(1000)의 표면보다 높게 형성될 수 있다. 이때, 적층체(1000)에 박히는 두께는 산화물 입자의 평균 직경의 1/20 내지 1일 수 있다. 즉, 산화물 입자는 적층체(1000) 내부로 모두 함입될 수 있고, 적어도 일부가 함입될 수 있다. 물론, 산화물 입자는 적층체(1000)의 표면에만 형성될 수 있다. 따라서, 산화물 입자는 적층체(1000)의 표면에서 반구형으로 형성될 수도 있고, 구 형태로 형성될 수도 있다. 또한, 표면 개질 부재는 상기한 바와 같이 적층체(1000)의 표면에 부분적으로 분포될 수도 있으며, 적어도 일 영역에 막 형태로 분포될 수도 있다. 즉, 산화물 입자가 적층체(1000)의 표면에 섬(island) 형태로 분포되어 표면 개질 부재가 형성될 수 있다. 즉, 적층체(1000) 표면에 결정 상태 또는 비결정 상태의 산화물이 서로 이격되어 섬 형태로 분포될 수 있고, 그에 따라 적층체(1000) 표면의 적어도 일부가 노출될 수 있다. 또한, 산화물은 표면 개질 부재는 적어도 둘 이상이 연결되어 적어도 일 영역에는 막으로 형성되고, 적어도 일부에는 섬 형태로 형성될 수 있다. 즉, 적어도 둘 이상의 산화물 입자가 응집되거나 인접한 산화물 입자가 연결되어 막 형태를 이룰 수 있다. 그러나, 산화물이 입자 상태로 존재하거나, 둘 이상의 입자가 응집되거나 연결된 경우에도 적층체(1000) 표면의 적어도 일부는 표면 개질 부재에 의해 외부로 노출된다. On the other hand, the surface modifying members may be evenly distributed on the surface of the laminate 1000 at least partially in the same size, and may be irregularly distributed at least in part in different sizes. Also, at least a part of the surface of the laminate 1000 may be provided with a recess. That is, at least a part of the region where the surface modifying member is formed and the convex portion is formed and the surface modifying member is not formed may be formed as a concave portion. At this time, at least a part of the surface modification member can be formed deeper than the surface of the layered body 1000. That is, the surface modifying member may be formed such that a predetermined thickness is embedded in a predetermined depth of the laminate 1000 and the remaining thickness thereof is higher than the surface of the laminate 1000. At this time, the thickness of the layered body 1000 may be 1/20 to 1 of the average diameter of the oxide particles. That is, the oxide particles can be embedded all within the laminate 1000, and at least a part thereof can be embedded. Of course, the oxide particles can be formed only on the surface of the laminate 1000. Therefore, the oxide particles may be formed hemispherically on the surface of the laminate 1000, or may be formed in a spherical shape. In addition, the surface modifying member may be partially distributed on the surface of the laminate 1000 as described above, and may be distributed in a film form in at least one region. That is, the oxide particles may be distributed in the form of islands on the surface of the layered body 1000 to form the surface modification member. That is, oxides in a crystalline state or an amorphous state may be spaced apart from each other on the surface of the layered body 1000 so that at least a part of the surface of the layered body 1000 may be exposed. Further, at least two or more of the surface modification members of the oxide may be connected to form a film in at least one region, and may be formed in an island form at least in part. That is, at least two oxide particles may aggregate or adjacent oxide particles may be connected to form a film. However, even when the oxide exists in a particle state, or when two or more particles are aggregated or connected, at least a part of the surface of the laminate 1000 is exposed to the outside by the surface modification member.

이때, 표면 개질 부재의 총 면적은 적층체(1000) 표면 전체 면적의 예를 들어 5% 내지 90%일 수 있다. 표면 개질 부재의 면적에 따라 적층체(1000) 표면의 도금 번짐 현상이 제어될 수 있지만, 표면 개질 부재가 너무 많이 형성되면 적층체(1000) 내부의 도전 패턴과 외부 전극(400)의 접촉이 어려울 수 있다. 즉, 표면 개질 부재가 적층체(1000) 표면적의 5% 미만으로 형성될 경우 도금 번짐 현상의 제어가 어렵고, 90%를 초과하여 형성될 경우 적층체(1000) 내부의 도전 패턴과 외부 전극(400)이 접촉되지 않을 수 있다. 따라서, 표면 개질 부재는 도금 번짐 현상을 제어할 수 있고 적층체(1000) 내부의 도전 패턴과 외부 전극(400)의 접촉될 수 있는 정도의 면적으로 형성하는 것이 바람직하다. 이를 위해 표면 개질 부재는 적층체(1000) 표면적의 10% 내지 90%로 형성될 수 있고, 바람직하게는 30% 내지 70%의 면적으로 형성될 수 있으며, 더욱 바람직하게는 40% 내지 50%의 면적으로 형성될 수 있다. 이때, 적층체(1000)의 표면적은 일 면의 표면적일 수도 있고, 육면체를 이루는 적층체(1000)의 여섯면의 표면적일 수도 있다. 한편, 표면 개질 부재는 적층체(1000) 두께의 10% 이하의 두께로 형성될 수 있다. 즉, 표면 개질 부재는 적층체(1000) 두께의 0.01% 내지 10%의 두께로 형성될 수 있다. 예를 들어, 표면 개질 부재는 0.1㎛∼50㎛의 크기로 존재할 수 있는데, 그에 따라 표면 개질 부재는 적층체(1000) 표면으로부터 0.1㎛∼50㎛의 두께로 형성될 수 있다. 즉, 표면 개질 부재는 적층체(1000)의 표면보다 박힌 영역을 제외하고 적층체(1000) 표면으로부터 0.1㎛∼50㎛의 두께로 형성될 수 있다. 따라서, 적층체(1000) 내측으로 박힌 두께를 포함하면 표면 개질 부재는 0.1㎛∼50㎛보다 두꺼운 두께를 가질 수 있다. 표면 개질 부재가 적층체(1000) 두께의 0.01% 미만의 두께로 형성될 경우 도금 번짐 현상의 제어가 어렵고, 적층체(1000) 두께의 10%를 초과하는 두께로 형성될 경우 적층체(1000) 내부의 도전 패턴과 외부 전극(400)이 접촉되지 않을 수 있다. 즉, 표면 개질 부재는 적층체(1000)의 재료 특성(전도성, 반도성, 절연성, 자성체 등)에 따라 다양한 두께를 가질 수 있고, 산화물 분말의 크기, 분포량, 응집 여부에 따라 다양한 두께를 가질 수 있다.At this time, the total area of the surface modifying members may be, for example, 5% to 90% of the total area of the surface of the laminate 1000. If the surface modification member is formed too much, it is difficult to make contact between the conductive pattern inside the laminated body 1000 and the external electrode 400 . That is, when the surface modifying member is formed to be less than 5% of the surface area of the laminate 1000, it is difficult to control the plating blurring phenomenon. When the surface modifying member is formed in an amount exceeding 90% May not be in contact with each other. Therefore, it is preferable that the surface modifying member is formed to have an area that can control the spreading phenomenon of the plating and can contact the conductive pattern inside the laminate 1000 and the external electrode 400. For this purpose, the surface modifying member may be formed to 10% to 90% of the surface area of the laminate 1000, preferably 30% to 70%, more preferably 40% to 50% Area. At this time, the surface area of the laminated body 1000 may be a surface area of one surface or a surface area of six surfaces of the laminated body 1000 which forms a hexahedron. On the other hand, the surface modifying member may be formed to a thickness of 10% or less of the thickness of the laminate 1000. That is, the surface modifying member may be formed to a thickness of 0.01% to 10% of the thickness of the laminate 1000. For example, the surface modifying member may be present in a size of 0.1 mu m to 50 mu m, whereby the surface modifying member may be formed to a thickness of 0.1 mu m to 50 mu m from the surface of the laminate 1000. [ That is, the surface modifying member may be formed to a thickness of 0.1 占 퐉 to 50 占 퐉 from the surface of the layered product 1000, except for a region that is stuck to the surface of the layered product 1000. Therefore, if the thickness embedded in the laminated body 1000 is included, the surface modification member may have a thickness greater than 0.1 占 퐉 to 50 占 퐉. When the surface modification member is formed to a thickness of less than 0.01% of the thickness of the laminate 1000, it is difficult to control the plating blurring phenomenon. When the surface modification member is formed to a thickness exceeding 10% of the thickness of the laminate 1000, The inner conductive pattern and the outer electrode 400 may not be in contact with each other. That is, the surface modifying member may have various thicknesses depending on the material properties (conductive, semiconductive, insulating, magnetic material, etc.) of the layered body 1000 and may have various thicknesses depending on the size, have.

이렇게 적층체(1000)의 표면에 표면 개질 부재가 형성됨으로써 적층체(1000)의 표면은 성분이 다른 적어도 두 영역이 존재할 수 있다. 즉, 표면 개질 부재가 형성된 영역과 형성되지 않은 영역은 서로 다른 성분이 검출될 수 있다. 예를 들어, 표면 개질 부재가 형성된 영역은 표면 개질 부재에 따른 성분, 즉 산화물이 존재할 수 있고, 형성되지 않은 영역은 적층체(1000)에 따른 성분, 즉 시트의 성분이 존재할 수 있다. 이렇게 도금 공정 이전에 적층체(1000)의 표면에 표면 개질 부재를 분포시킴으로써 적층체(1000) 표면에 거칠기를 부여하여 개질시킬 수 있다. 따라서, 도금 공정이 균일하게 실시될 수 있고, 그에 따라 외부 전극(600)의 형상을 제어할 수 있다. 즉, 적층체(1000)의 표면은 적어도 일 영역의 저항이 다른 영역의 저항과 다를 수 있는데, 저항이 불균일한 상태에서 도금 공정을 실시하면 도금층의 성장 불균일이 발생된다. 이러한 문제를 해결하기 위해 적층체(1000)의 표면에 입자 상태 또는 용융 상태의 산화물을 분산시켜 표면 개질 부재를 형성함으로써 적층체(1000)의 표면을 개질시킬 수 있고, 도금층의 성장을 제어할 수 있다. By forming the surface modifying member on the surface of the layered body 1000, at least two regions having different components may exist on the surface of the layered body 1000. That is, different components can be detected in the region where the surface modifying member is formed and the region where the surface modifying member is not formed. For example, an area where the surface modifying member is formed may have a component according to the surface modifying member, that is, an oxide, and an area where the area is not formed may have a component according to the laminate 1000, that is, a component of the sheet. By thus distributing the surface modifying member to the surface of the layered product 1000 before the plating process, the surface of the layered product 1000 can be modified by imparting roughness to the surface thereof. Therefore, the plating process can be performed uniformly, and thus the shape of the external electrode 600 can be controlled. That is, the surface of the layered product 1000 may have a resistance different from that of the other region in at least one region. If the plating process is performed while the resistance is uneven, the growth of the plating layer may be uneven. In order to solve such a problem, it is possible to modify the surface of the layered product 1000 and to control the growth of the plating layer by dispersing oxides in a particle state or a molten state on the surface of the layered product 1000 to form a surface modifying member have.

여기서, 적층체(1000)의 표면 저항을 균일하게 하기 위한 입자 상태 또는 용융 상태의 산화물은 예를 들어 Bi2O3, BO2, B2O3, ZnO, Co3O4, SiO2, Al2O3, MnO, H2BO3, Ca(CO3)2, Ca(NO3)2, CaCO3 중 적어도 하나 이상을 이용할 수 있다. 한편, 표면 개질 부재는 적층체(1000) 내의 적어도 하나의 시트 상에도 형성될 수 있다. 즉, 시트 상의 다양한 형상의 도전 패턴은 도금 공정으로 형성할 수도 있는데, 표면 개질 부재를 형성함으로써 도전 패턴의 형상을 제어할 수 있다.Here, the oxides in the particle state or in the molten state for making the surface resistance of the layered body 1000 uniform are, for example, Bi 2 O 3 , BO 2 , B 2 O 3 , ZnO, Co 3 O 4 , SiO 2 , Al 2 O 3 , MnO, H 2 BO 3 , Ca (CO 3 ) 2 , Ca (NO 3 ) 2 and CaCO 3 . On the other hand, the surface modification member may also be formed on at least one sheet in the laminate 1000. That is, the conductive patterns of various shapes on the sheet can be formed by a plating process, and the shape of the conductive pattern can be controlled by forming the surface modifying member.

상기한 바와 같이 본 발명의 제 1 실시 예는 과전압 보호부(3000)를 이루는 시트 전체를 다른 시트보다 고유전 물질로 형성하였다. 즉, 방전 전극(310) 사이의 제 6 시트(106) 전체를 다른 시트보다 유전율 또는 비유전율이 높도록 형성하였다. 그러나, 본 발명은 과전압 보호부(3000)의 적어도 일부가 유전율 또는 비유전율이 캐패시터부(2000)의 유전율 또는 비유전율보다 높을 수 있다. 이때, 과전압 보호부(3000)는 일부 영역의 유전율 또는 비유전율이 캐패시터부(2000)보다 높고 나머지 영역은 캐패시터부(2000)와 같거나 높을 수 있다. 이러한 본 발명의 다른 실시 예들을 도면을 이용하여 설명하면 다음과 같다.As described above, in the first embodiment of the present invention, the entire sheet constituting the overvoltage protection unit 3000 is formed of a material having a higher dielectric constant than that of the other sheets. That is, the entire sixth sheet 106 between the discharge electrodes 310 is formed to have a higher dielectric constant or relative dielectric constant than the other sheets. However, according to the present invention, at least a part of the overvoltage protection unit 3000 may have a higher dielectric constant or a higher relative dielectric constant than the dielectric constant or relative dielectric constant of the capacitor unit 2000. At this time, the overvoltage protection unit 3000 may have a dielectric constant or a relative dielectric constant of a certain region higher than that of the capacitor unit 2000, and the remaining region may be equal to or higher than that of the capacitor unit 2000. Other embodiments of the present invention will now be described with reference to the drawings.

도 3 내지 도 7은 본 발명의 제 2 내지 제 6 실시 예에 따른 복합 소자의 일부 단면도로서, 과전압 보호부(3000)의 단면도이다. 도 8 및 도 9는 본 발명의 제 7 실시 예에 따른 복합 소자의 일부 단면도 및 일부 분해 사시도이다.3 to 7 are sectional views of a composite device according to second to sixth embodiments of the present invention, and are cross-sectional views of the overvoltage protection unit 3000. FIG. 8 and 9 are a partial sectional view and a partially exploded perspective view of a composite device according to a seventh embodiment of the present invention.

도 3에 도시된 바와 같이, 과전압 보호부(3000)의 적어도 일부 영역에 유전율이 높은 고유전 영역(330)이 형성될 수 있다. 예를 들어, 방전 전극(310) 사이의 제 6 시트(106)의 과전압 보호층(320) 주변의 일부 영역에 고유전 영역(330)이 형성될 수 있다. 즉, 고유전 영역(330)은 과전압 보호층(320)을 측면에서 감싸도록 형성될 수 있다. 이때, 제 6 시트(106)는 고유전 영역(330) 이외의 나머지 영역은 고유전 영역(330)보다 낮은 유전율을 가질 수 있다. 예를 들어, 제 6 시트(106)의 고유전 영역(330) 이외의 나머지 영역은 캐패시터부(2000)와 같거나 높은 유전율을 가질 수 있다. 이렇게 제 6 시트(106)의 과전압 보호층(320) 주변에 고유전 영역(330)을 형성하기 위해 과전압 보호층(320)보다 크게 개구를 형성한 후 개구의 내측면에 소정 폭으로 고유전 물질을 도포하고 나머지 영역을 공극으로 남겨 과전압 보호층(320)과 그 주변에 고유전 영역(330)을 형성할 수 있다. 물론, 과전압 보호부(3000)의 시트, 즉 제 6 시트(106)를 제작할 때 과전압 보호층(320)이 형성될 영역, 예컨데 중앙부에는 유전율이 높고 나머지 영역은 낮은 시트를 제작한 후 고유전 영역의 일부에 개구를 형성하여 과전압 보호층(320)으로 이용할 수도 있다.As shown in FIG. 3, a high dielectric constant region 330 having a high dielectric constant may be formed in at least a part of the overvoltage protector 3000. For example, the high dielectric region 330 may be formed in a part of the periphery of the overvoltage protection layer 320 of the sixth sheet 106 between the discharge electrodes 310. That is, the high dielectric constant region 330 may be formed so as to surround the overvoltage protection layer 320 at the side. At this time, the sixth sheet 106 may have a dielectric constant lower than that of the high dielectric constant region 330 in the remaining region other than the high dielectric constant region 330. For example, the remaining region other than the high dielectric region 330 of the sixth sheet 106 may have a dielectric constant equal to or higher than that of the capacitor portion 2000. In order to form the high dielectric constant region 330 around the overvoltage protection layer 320 of the sixth sheet 106, after forming an opening larger than the overvoltage protection layer 320, And the remaining region is left as a gap to form the high voltage region 330 and the overvoltage protection layer 320 at the periphery thereof. Of course, when the sheet of the overvoltage protection unit 3000, that is, the sixth sheet 106, is formed, the overvoltage protection layer 320 is formed in a region where the overvoltage protection layer 320 is formed, for example, An overvoltage protection layer 320 may be formed.

도 4에 도시된 바와 같이, 고유전 영역(330)은 과전압 보호층(320)의 측면 뿐만 아니라 과전압 보호층(320)의 상부 및 하부의 적어도 하나에도 형성될 수 있다. 즉, 과전압 보호층(320)의 측부에 제 1 고유전 영역(330a)이 형성되고 과전압 보호층(320)의 상부 및 하부의 적어도 일부에 제 2 및 제 3 고유전 영역(330b, 330c)이 형성될 수 있다. 예를 들어, 과전압 보호층(320) 측부의 제 6 시트(106)의 일부에 제 1 고유전 영역(330a)이 형성되고, 과전압 보호층(320) 및 하부 및 상부의 제 5 및 제 7 시트(105, 107)의 일부에 제 2 및 제 3 고유전 영역(330b, 330c)이 형성될 수 있다. 이때, 제 2 및 제 3 고유전 영역(330b, 330c)은 과전압 보호층(320)보다 넓게 형성될 수 있고, 제 5 및 제 7 시트(105, 107)의 일부 영역의 전체 두께 또는 일부 두께에 형성될 수 있다. 4, the high dielectric constant region 330 may be formed on at least one of the side surfaces of the overvoltage protection layer 320 and the upper and lower portions of the overvoltage protection layer 320. That is, the first high dielectric constant region 330a is formed on the side of the overvoltage protection layer 320 and the second and third high dielectric constant regions 330b and 330c are formed on at least a portion of the upper and lower portions of the overvoltage protection layer 320 . For example, a first high energizing area 330a is formed in a portion of the sixth sheet 106 on the side of the overvoltage protection layer 320, and the overvoltage protection layer 320 and the fifth and seventh sheets The second and third high dielectric regions 330b and 330c may be formed in part of the first and second high dielectric layers 105 and 107. [ At this time, the second and third high dielectric regions 330b and 330c may be formed to be wider than the overvoltage protection layer 320, and the total thickness or a part of the thickness of the partial regions of the fifth and seventh sheets 105 and 107 .

도 5에 도시된 바와 같이, 고유전 영역(330)은 과전압 보호층(320)의 상부 및 하부 중 적어도 하나에 형성될 수 있다. 즉, 과전압 보호층(320)의 측부를 제외하고 과전압 보호층(320)의 상부 및 하부, 즉 제 5 및 제 7 시트(105, 107)의 적어도 일부에 고유전 영역(330b, 330c)이 형성될 수 있다. 이때, 고유전 영역(330b, 330c)은 과전압 보호층(320)보다 넓게 형성될 수 있고, 제 5 및 제 7 시트(105, 107)의 일부 영역의 전체 두께 또는 일부 두께에 형성될 수 있다.5, the high dielectric constant region 330 may be formed on at least one of the upper and lower portions of the overvoltage protection layer 320. [ That is, except for the side of the overvoltage protection layer 320, the high dielectric regions 330b and 330c are formed on the upper and lower portions of the overvoltage protection layer 320, that is, at least a part of the fifth and seventh sheets 105 and 107 . At this time, the high dielectric regions 330b and 330c may be formed to be wider than the overvoltage protection layer 320, and may be formed to a total thickness or a partial thickness of a partial region of the fifth and seventh sheets 105 and 107.

도 6에 도시된 바와 같이, 방전 전극(310)이 동일 평면 상에 이격되어 형성되고 방전 전극(310)과 중첩되도록 과전압 보호층(320)이 형성되며, 방전 전극(310) 상부 및 하부 중 적어도 어느 하나에 고유전 영역(330)이 형성될 수 있다. 즉, 제 5 시트(105) 상에 제 1 및 제 2 방전 전극(311, 312)이 중앙부에서 서로 이격되도록 형성되고, 제 1 및 제 2 방전 전극(311, 312)과 중첩되도록 제 6 시트(106)에 과전압 보호층(320)이 형성될 수 있다. 또한, 제 1 및 제 2 방전 전극(311, 312)의 하부, 즉 제 5 시트(105)에 고유전 영역(330)이 형성될 수 있다. 물론, 고유전 영역(330)은 과전압 보호층(320)의 상부, 즉 제 7 시트(107)에도 형성될 수 있다. 이때, 고유전 영역(330)은 과전압 보호층(320)과 중첩되는 영역에 과전압 보호층(320)과 같거나 넓은 크기로 형성될 수 있다.6, an overvoltage protection layer 320 is formed so as to be spaced apart from the discharge electrode 310 on the same plane and overlapped with the discharge electrode 310, and at least one of an upper portion and a lower portion of the discharge electrode 310 The high dielectric constant region 330 may be formed in any one of them. That is, the first and second discharge electrodes 311 and 312 are formed on the fifth sheet 105 so as to be spaced apart from each other at the center, and the sixth and seventh discharge electrodes 311 and 312 are formed so as to overlap with the first and second discharge electrodes 311 and 312, 106 may be formed with an overvoltage protection layer 320. In addition, the high dielectric region 330 may be formed on the lower portion of the first and second discharge electrodes 311 and 312, that is, on the fifth sheet 105. Of course, the high dielectric constant region 330 may also be formed on the overvoltage protection layer 320, i.e., on the seventh sheet 107. At this time, the high dielectric constant region 330 may be formed to have a width equal to or wider than the overvoltage protection layer 320 in a region overlapping the overvoltage protection layer 320.

도 7에 도시된 바와 같이, 제 6 시트(106)를 관통하도록 과전압 보호층(320)이 형성되고 제 6 시트(106)의 상면에 과전압 보호층(320)의 중앙부에서 서로 이격되도록 제 1 및 제 2 방전 전극(311, 312)이 형성되고 방전 전극(310) 상측, 즉 제 7 시트(107)의 적어도 일부에 고유전 영역(330)이 형성될 수도 있다. 물론, 고유전 영역(330)은 과전압 보호층(320)의 하부, 즉 제 5 시트(105)에도 형성될 수 있다.The overvoltage protection layer 320 is formed so as to penetrate the sixth sheet 106 and the first and second protective layers 320 and 420 are formed on the upper surface of the sixth sheet 106 so as to be spaced apart from each other at the center of the overvoltage protection layer 320, The second discharge electrodes 311 and 312 may be formed and the high dielectric region 330 may be formed on at least a portion of the seventh sheet 107 above the discharge electrode 310. Of course, the high dielectric constant region 330 may also be formed under the overvoltage protection layer 320, that is, the fifth sheet 105.

한편, 고유전 영역(330)은 과전압 보호층(320) 내의 적어도 일 부분에 형성될 수 있다. 예를 들어, 도 8 및 도 9에 도시된 바와 같이, 과전압 보호층(320) 내의 하부 및 상부의 적어도 하나에 링 형태의 고유전 영역(331, 332; 330)이 형성될 수 있다. 즉, 고유전 영역(330)은 공극 형태의 과전압 보호층(320)의 하부 및 상부에 각각 형성될 수 있다. 물론, 하부 및 상부 뿐만 아니라 고유전 영역(330)은 과전압 보호층(320) 내부의 중앙부 등에도 형성될 수 있다. 여기서, 링 형태의 고유전 영역(330)은 과전압 보호층(320) 내의 방전 공간에 형성되므로 고유전 영역(330)의 크기, 면적 및 부피 등에 따라 방전 효율, 예를 들어 방전 개시 전압이 영향을 받을 수 있다. 예를 들어, 방전 공간의 부피가 작아지면 방전 개시 전압이 낮아질 수 있다. 또한, 고유전 영역(330)의 크기, 면적 및 부피 등에 따라 유전율 또는 비유전율이 달라질 수 있는데, 동일 유전율을 갖는 물질의 부피가 작아지면 유전율 또는 비유전율이 낮아질 수 있다. 따라서, 유전율 또는 비유전율 상승 효과를 가지면서 방전 효율에 영향을 미치지 않도록 과전압 보호층(320) 내의 고유전 영역(330)의 크기, 면적 및 부피 등을 조절할 수 있다. 이를 위해 예를 들어 고유전 영역(330)의 폭이 과전압 보호층(320) 직경의 1/10 내지 1/2으로 형성할 수 있다.On the other hand, the high dielectric constant region 330 may be formed in at least one portion of the overvoltage protection layer 320. For example, as shown in FIGS. 8 and 9, at least one of the lower and upper portions of the overvoltage protection layer 320 may be formed with ring-shaped high-permittivity regions 331, 332, and 330. That is, the high dielectric constant region 330 may be formed on the lower and upper portions of the overvoltage protection layer 320 in the form of a gap. Of course, not only the lower portion and the upper portion but also the high dielectric constant region 330 may be formed in the center portion of the overvoltage protection layer 320 or the like. Since the ring-shaped high dielectric constant region 330 is formed in the discharge space in the overvoltage protection layer 320, the discharge efficiency, for example, the discharge start voltage is influenced by the size, area, and volume of the high dielectric constant region 330 Can receive. For example, if the volume of the discharge space is small, the discharge start voltage may be lowered. In addition, the permittivity or the relative dielectric constant may vary depending on the size, area, and volume of the high dielectric constant region 330. If the volume of the material having the same permittivity is small, the dielectric constant or the relative dielectric constant may be lowered. Therefore, the size, area, and volume of the high dielectric constant region 330 in the overvoltage protection layer 320 can be adjusted so as not to affect the discharge efficiency while increasing the dielectric constant or the relative dielectric constant. For example, the width of the high dielectric constant region 330 may be 1/10 to 1/2 of the diameter of the overvoltage protection layer 320.

상기한 바와 같은 본 발명의 실시 예들에 따른 복합 소자는 도 10에 도시된 바와 같이 전자기기의 금속 케이스(10)와 내부 회로(20) 사이에 마련될 수 있다. 즉, 외부 전극(4000)의 어느 하나가 내부 회로(20)에 연결될 수 있고, 다른 하나가 전자기기의 금속 케이스(10)에 연결될 수 있다. 예를 들어, 제 1 외부 전극(4100)이 내부 회로(20)에 연결되고, 제 2 외부 전극(4200)이 금속 케이스(10)에 연결될 수 있다. 이때, 내부 회로(20) 내에 접지 단자가 마련될 수 있고, 내부 회로(20) 이외의 영역에 접지 단자가 마련될 수 있다. 예를 들어, 금속 케이스(10)와 내부 회로(20) 사이에 접지 단자가 마련될 수 있다. 따라서, 복합 소자는 내부 회로(20)를 통해 접지 단자와 연결될 수 있고, 내부 회로(20)와 접지 단자 사이에 병렬 접속될 수 있다. 한편, 복합 소자와 내부 회로(20) 사이에 적어도 하나의 수동 소자, 예를 들어 다이오드 등이 마련될 수 있다. 또한, 도 11에 도시된 바와 같이 제 2 외부 전극(4200)과 금속 케이스(10) 사이에 콘택터, 도전성 가스켓 등의 도전성 부재를 이용한 콘택부(30)가 더 마련될 수 있다. 따라서, 전자기기 내부, 예를 들어 내부 회로(20) 또는 접지 단자로부터 금속 케이스(10)로 전달되는 감전 전압을 차단할 수 있고, 외부로부터 내부 회로(20)로 인가되는 ESD 등의 과전압을 접지 단자로 통과시킬 수 있다. 즉, 본 발명의 복합 소자는 정격 전압 및 감전 전압에서는 외부 전극(4000) 사이에서 전류가 흐르지 못하고, ESD 전압에서는 과전압 보호층(320)를 통해 전류가 흘러 과전압이 접지 단자로 통과된다. 한편, 복합 소자는 방전 개시 전압이 정격 전압보다 높고 ESD 전압보다 낮을 수 있다. 예를 들어, 복합 소자는 정격 전압이 100V 내지 240V일 수 있고, 감전 전압은 회로의 동작 전압과 같거나 높을 수 있으며, 외부의 정전기 등에 의해 발생되는 ESD 전압은 감전 전압보다 높을 수 있다. 또한, 외부로부터의 통신 신호, 즉 교류 주파수는 내부 전극(200) 사이에 형성되는 캐패시터에 의해 내부 회로(20)로 전달될 수 있다. 따라서, 별도의 안테나가 마련되지 않고 금속 케이스(10)를 안테나로 이용하는 경우에도 외부로부터 통신 신호를 인가받을 수 있다. 결국, 본 발명에 따른 복합 소자는 감전 전압을 차단하고, ESD 전압을 접지 단자로 통과시키며, 통신 신호를 내부 회로로 인가할 수 있다.The composite device according to the embodiments of the present invention as described above may be provided between the metal case 10 of the electronic device and the internal circuit 20 as shown in FIG. That is, one of the external electrodes 4000 may be connected to the internal circuit 20, and the other may be connected to the metal case 10 of the electronic device. For example, the first external electrode 4100 may be connected to the internal circuit 20, and the second external electrode 4200 may be connected to the metal case 10. At this time, a ground terminal may be provided in the internal circuit 20, and a ground terminal may be provided in an area other than the internal circuit 20. For example, a ground terminal may be provided between the metal case 10 and the internal circuit 20. [ Thus, the composite device can be connected to the ground terminal through the internal circuit 20, and can be connected in parallel between the internal circuit 20 and the ground terminal. On the other hand, at least one passive element, for example, a diode, may be provided between the composite element and the internal circuit 20. 11, a contact portion 30 may be further provided between the second external electrode 4200 and the metal case 10 using a conductive member such as a contactor or a conductive gasket. Therefore, it is possible to cut off the electrostatic voltage transmitted from the inside of the electronic device, for example, the internal circuit 20 or the ground terminal to the metal case 10, and the overvoltage, such as ESD applied from the outside to the internal circuit 20, . ≪ / RTI > That is, in the composite device of the present invention, current does not flow between the external electrodes 4000 at the rated voltage and the electrostatic voltage, and current flows through the overvoltage protection layer 320 at the ESD voltage so that the overvoltage passes to the ground terminal. On the other hand, the composite device may have a discharge starting voltage higher than the rated voltage and lower than the ESD voltage. For example, the composite device may have a rated voltage of 100V to 240V, and the electrostatic voltage may be equal to or higher than the operating voltage of the circuit, and the ESD voltage generated by external static electricity or the like may be higher than the electrostatic voltage. In addition, a communication signal from the outside, that is, an AC frequency, can be transmitted to the internal circuit 20 by a capacitor formed between the internal electrodes 200. Therefore, even when a separate antenna is not provided and the metal case 10 is used as an antenna, a communication signal can be received from the outside. As a result, the composite device according to the present invention can interrupt the electric voltage, pass the ESD voltage to the ground terminal, and apply the communication signal to the internal circuit.

또한, 본 발명의 일 실시 예에 따른 복합 소자는 내압 특성이 높은 시트를 복수 적층하여 적층체(1000)를 형성함으로써 불량 충전기에 의한 내부 회로(20)에서 금속 케이스(10)로의 예를 들어 310V의 감전 전압이 유입될 때 누설 전류가 흐르지 않도록 절연 저항 상태를 유지할 수 있고, 과전압 보호층(320) 역시 금속 케이스(10)에서 내부 회로(20)로의 과전압 유입 시 과전압을 통과시켜 소자의 파손없이 높은 절연 저항 상태를 유지할 수 있다. 즉, 과전압 보호층(320)는 다공성 구조로 이루어져 미세 기공을 통해 전류를 흐르게 하는 다공성 절연 물질을 포함하고, 에너지 레벨을 낮춰 전기 에너지를 열 에너지로 변환시키는 도전성 물질을 더 포함함으로써 외부로부터 유입되는 과전압을 통과시켜 회로를 보호할 수 있다. 따라서, 과전압에 의해서도 절연 파괴되지 않고, 그에 따라 금속 케이스(10)를 구비하는 전자기기 내에 마련되어 불량 충전기에서 발생된 감전 전압이 전자기기의 금속 케이스(10)를 통해 사용자에게 전달되는 것을 지속적으로 방지할 수 있다. 한편, 일반적인 MLCC(Multi Layer Capacitance Circuit)는 감전 전압은 보호하지만 ESD에는 취약한 소자로 이는 반복적인 ESD 인가 시 전하 차징(Charging)에 의한 누설 포인트(Leak point)로 스파크(Spark)가 발생하여 소자 파손 현상이 발생될 수 있다. 그러나, 본 발명은 내부 전극(200) 사이에 다공성 절연 물질을 포함하는 과전압 보호층(320)가 형성됨으로써 과전압을 과전압 보호층(320)를 통해 통과시킴으로써 본체(100)의 적어도 일부가 파괴되지 않는다.In the composite device according to the embodiment of the present invention, a plurality of sheets having a high withstand voltage characteristic are stacked to form the laminated body 1000, whereby the internal circuit 20 of the defective charger is provided with, for example, 310V The overvoltage protection layer 320 can also maintain the insulation resistance state so that the leakage current does not flow when the surge voltage of the internal circuit 20 flows into the internal circuit 20, A high insulation resistance state can be maintained. That is, the overvoltage protection layer 320 includes a porous insulating material that has a porous structure and allows electric current to flow through the micropores, and further includes a conductive material that converts the electric energy into heat energy by lowering the energy level. Overvoltage can be passed to protect the circuit. Therefore, it is prevented from being insulated by the overvoltage, and accordingly, it is provided in the electronic apparatus having the metal case 10 to continuously prevent the electric shock voltage generated in the defective charger from being transmitted to the user through the metal case 10 of the electronic apparatus can do. On the other hand, a general MLCC (Multi Layer Capacitance Circuit) protects the electrostatic voltage but is vulnerable to ESD. When repeated ESD is applied, spark occurs due to leakage point due to charge, A phenomenon may occur. However, since the overvoltage protection layer 320 including the porous insulation material is formed between the internal electrodes 200, at least a part of the main body 100 is not destroyed by passing the overvoltage through the overvoltage protection layer 320 .

또한, 과전압 보호부(3000)의 유전율 또는 비유전율을 캐패시터부(2000)보다 높게 함으로써 높은 품질 계수와 낮은 방전 개시 전압의 상반되는 두 특성을 동시에 가질 수 있다. 즉, 캐패시터부(2000)의 유전율 또는 비유전율은 작게 함으로써 품질 계수를 높일 수 있고, 과전압 보호부(3000)의 유전율 또는 비유전율을 크게 함으로써 방전 개시 전압을 낮출 수 있다. 따라서, 캐패시터부(2000) 및 과전압 보호부(3000)가 적층체(1000) 내에 형성된 복합 소자를 안테나 매칭용으로 이용할 수 있다.Also, by setting the dielectric constant or the relative dielectric constant of the overvoltage protection unit 3000 higher than that of the capacitor unit 2000, it is possible to have both characteristics of the opposite of the high quality factor and the low discharge firing voltage. That is, by decreasing the dielectric constant or relative dielectric constant of the capacitor unit 2000, it is possible to increase the quality factor, and by increasing the dielectric constant or relative dielectric constant of the overvoltage protection unit 3000, the discharge start voltage can be lowered. Therefore, the composite device in which the capacitor portion 2000 and the overvoltage protection portion 3000 are formed in the stacked body 1000 can be used for antenna matching.

그리고, 외부 전극(4000)과 내부 전극(200)이 중첩되도록 형성할 수도 있고, 그에 따라 외부 전극(4000)과 내부 전극(200) 사이에 소정의 기생 캐패시턴스가 생성될 수 있다. 따라서, 외부 전극(4000)과 내부 전극(200)의 중첩 면적을 조절함으로써 복합 소자의 캐패시턴스를 조절할 수 있다. 그런데, 복합 소자의 캐패시턴스는 전자기기 내의 안테나 성능에 영향을 미치게 되므로 복합 소자의 캐패시턴스의 산포를 바람직하게는 5% 이내로 유지하기 위해 높은 유전율을 가진 시트(100)를 이용하게 된다. 따라서, 시트(100)의 유전율이 높을수록 내부 전극(200)과 외부 전극(4000) 사이의 기생 캐패시턴스의 영향이 증가하게 된다. 그러나, 최외곽에 위치하는 시트의 유전율이 그 사이의 나머지 시트들의 유전율보다 낮으므로 내부 전극(200)과 외부 전극(4000) 사이의 기생 캐패시턴스의 영향을 감소시킬 수 있다.The external electrode 4000 and the internal electrode 200 may be formed so as to overlap with each other so that a predetermined parasitic capacitance may be generated between the external electrode 4000 and the internal electrode 200. Therefore, the capacitance of the composite device can be adjusted by adjusting the overlapping area of the external electrode 4000 and the internal electrode 200. However, since the capacitance of the composite device affects the performance of the antenna in the electronic device, the sheet 100 having a high dielectric constant is used in order to keep the scattering of the capacitance of the composite device preferably within 5%. Therefore, the higher the dielectric constant of the sheet 100, the greater the influence of the parasitic capacitance between the internal electrode 200 and the external electrode 4000. However, since the dielectric constant of the outermost sheet is lower than the dielectric constant of the remaining sheets, the influence of the parasitic capacitance between the internal electrode 200 and the external electrode 4000 can be reduced.

본 발명은 스마트 폰의 전자기기 내에 마련되어 외부로부터 인가되는 ESD 등의 과전압으로부터 전자기기를 보호하고, 전자기기 내부로부터의 누설 전류를 차단하여 사용자를 보호하는 복합 소자를 예로 들어 설명하였다. 그러나, 본 발명의 복합 소자는 스마트 폰 이외에 각종 전기전자 기기 내에 마련되어 적어 둘 이상의 보호 기능을 수행할 수 있다.The present invention has been described taking an example of a composite device which is provided in an electronic device of a smart phone and protects the electronic device from overvoltage such as ESD applied from the outside and protects the user by blocking leakage current from the inside of the electronic device. However, the composite device of the present invention is provided in various electric and electronic devices other than a smart phone, and can perform more than two protection functions.

한편, 금속 케이스(10)와 복합 소자 사이에는 도 11에 도시된 바와 같이 금속 케이스(10)와 전기적으로 접촉되며 탄성력을 가지는 콘택부(30)가 마련될 수 있다. 즉, 전자기기의 금속 케이스(10)와 내부 회로(20) 사이에 콘택부(30)와 본 발명에 따른 복합 소자가 마련될 수 있다. 콘택부(30)는 전자기기의 외부에서 외력이 가해질 때 그 충격을 완화할 수 있도록 탄성력을 가지며, 도전성의 물질을 포함하는 재료로 이루어질 수 있다. 이러한 콘택부(30)는 예를 들어 도 12에 도시된 바와 같이 클립(clip) 형상일 수 있으며, 도 13에 도시된 바와 같이 도전성 가스켓일 수도 있다. 또한, 콘택부(30)는 적어도 일 영역이 내부 회로(20), 예를 들어 PCB에 실장될 수 있다. 이러한 콘택부(30)를 포함하는 복합 소자를 도 12 및 도 13을 이용하여 설명하면 다음과 같다.11, a contact portion 30, which is in electrical contact with the metal case 10 and has an elastic force, may be provided between the metal case 10 and the composite device. That is, the contact portion 30 and the composite device according to the present invention may be provided between the metal case 10 and the internal circuit 20 of the electronic device. The contact portion 30 may be made of a material including an electrically conductive material having an elastic force so as to mitigate the impact when an external force is applied from the outside of the electronic device. Such a contact portion 30 may be, for example, a clip shape as shown in FIG. 12, or may be a conductive gasket as shown in FIG. Also, at least one region of the contact portion 30 may be mounted on the internal circuit 20, for example, a PCB. A composite device including such a contact portion 30 will be described with reference to FIGS. 12 and 13. FIG.

도 12 및 도 13은 본 발명의 일 실시 예의 변형 예들에 따른 복합 소자의 단면도로서, 금속 케이스(10)와 내부 회로(20) 사이에 복합 소자가 마련되고, 복합 소자의 제 2 외부 전극(4200) 상에 도 12 및 도 13에 각각 도시된 바와 같이 클립 형상의 콘택부(5100) 또는 도전성 물질층을 이용한 콘택부(5200)가 마련될 수 있다. 콘택부(5100, 5200)는 전자 기기의 외부에서 외력이 가해질 때, 그 충격을 완화할 수 있도록 탄성력을 가지며, 도전성의 물질을 포함하는 재료로 이루어진다. 한편, 복합 소자의 제 1 외부 전극(4100)은 내부 회로(20)에 접촉되어 마련될 수 있고, 내부 회로(20)와 제 1 외부 전극(4100) 사이에 스테인레스 스틸 등의 금속층이 더 마련될 수 있다.12 and 13 are cross-sectional views of a composite device according to a modification of an embodiment of the present invention, in which a composite device is provided between a metal case 10 and an internal circuit 20, and a second external electrode 4200 12 and 13, a contact portion 5100 having a clip shape or a contact portion 5200 using a conductive material layer may be provided on the contact hole 5100. [ The contact portions 5100 and 5200 are made of a material having elasticity and containing a conductive material so as to mitigate the impact when an external force is applied from the outside of the electronic device. The first external electrode 4100 of the composite device may be provided in contact with the internal circuit 20 and a metal layer such as stainless steel may be further provided between the internal circuit 20 and the first external electrode 4100 .

도 12에 도시된 바와 같이, 콘택부(5100)는 클립(clip) 형상일 수 있다. 클립 형상의 콘택부(5100)는 복합 소자 상에 마련된 지지부(5110)와, 지지부(5110)의 상측에 마련되어 금속 케이스 등의 도전체와 대향 위치되며 적어도 일부가 도전체와 접촉될 수 있는 접촉부(5120)와, 지지부(5110) 및 접촉부(5120)의 일측 사이에 마련되어 이들을 연결하도록 하며 탄성력을 가지는 연결부(5130)를 포함할 수 있다. 여기서, 연결부(5130)는 지지부(5110)의 일단과 접촉부(5120)의 일단을 연결하도록 형성되는데, 곡률을 가지도록 형성될 수 있다. 즉, 연결부(5130)은 외력에 의해 가압되면 회로 기판(20)이 위치된 방향으로 눌려지고, 외력이 해제되면 원래 상태로 복원되는 탄성력을 가진다. 따라서, 콘택부(5100)는 적어도 연결부(5130)가 탄성력을 갖는 금속 물질로 형성될 수 있다.As shown in FIG. 12, the contact portion 5100 may be in the form of a clip. The clip-shaped contact portion 5100 includes a support portion 5110 provided on the composite element and a contact portion provided on the upper side of the support portion 5110 so as to be opposed to the conductor such as a metal case or the like and at least a part of which can be in contact with the conductor And a connection portion 5130 provided between one side of the support portion 5110 and the contact portion 5120 and having an elastic force to connect the support portion 5110 and the contact portion 5120. Here, the connection portion 5130 is formed to connect one end of the support portion 5110 and one end of the contact portion 5120, and may be formed to have a curvature. That is, when the connection portion 5130 is pressed by an external force, the circuit board 20 is pressed in a direction in which the circuit board 20 is positioned, and has an elastic force that is restored to its original state when the external force is released. Therefore, at least the connection portion 5130 of the contact portion 5100 may be formed of a metal material having an elastic force.

또한, 본 발명의 콘택부는 전도성 및 탄성을 가지는 클립 형태 이외에 전도성 고무, 전도성 실리콘, 내부에 전도성 도선이 삽입된 탄성체, 표면이 도체로 코팅 또는 접합된 가스켓을 포함할 수 있다. 즉, 도 13에 도시된 바와 같이 콘택부(5200)는 전도성 물질층을 포함할 수 있다. 예를 들어, 전도성 가스켓의 경우 내부는 비전도성 탄성체로 이루어지고 외부는 전도성 물질이 코팅될 수 있다. 전도성 가스켓은 도시되지 않았지만 내부에 관통공이 형성된 절연 탄성 코어와, 절연 탄성 코어를 둘러싸도록 형성된 도전층을 포함할 수 있다. 절연 탄성 코어는 내부에 관통공이 형성된 튜브 형상으로, 단면은 대략 사각형이나 원형으로 형성될 수 있으나, 이에 한정되지 않고 다양한 형상으로 형성될 수 있다. 예를 들어, 절연 탄성 코어는 내부에 관통공이 형성되지 않을 수 있다. 이러한 절연 탄성 코어는 실리콘 또는 탄성 고무 등으로 형성될 수 있다. 도전층은 절연 탄성 코어를 감싸도록 형성될 수 있다. 이러한 도전층은 적어도 하나의 금속층으로 형성될 수 있는데, 예를 들어 금, 은, 구리 등으로 형성될 수 있다. 한편, 도전층이 형성되지 않고 탄성 코어에 도전성 파우더가 혼합될 수도 있다.Further, the contact portion of the present invention may include a conductive rubber, a conductive silicone, an elastic body having a conductive wire inserted therein, and a gasket whose surface is coated or bonded with a conductor, in addition to a conductive and elastic clip. That is, as shown in FIG. 13, the contact portion 5200 may include a conductive material layer. For example, in the case of a conductive gasket, the inside may be made of a nonconductive elastomer and the outside may be coated with a conductive material. The conductive gasket may include an insulative elastic core having a through hole formed therein, though not shown, and a conductive layer formed to surround the insulative elastic core. The insulative elastic core may be formed in a tube shape having a through hole formed therein, and may have a substantially rectangular or circular cross section, but may be formed in various shapes without being limited thereto. For example, the insulated elastic core may not have a through hole formed therein. Such an insulative elastic core may be formed of silicone, elastic rubber or the like. The conductive layer may be formed to surround the insulative elastic core. Such a conductive layer may be formed of at least one metal layer, for example, gold, silver, copper, or the like. On the other hand, the conductive powder may be mixed in the elastic core without forming the conductive layer.

본 발명은 상기에서 서술된 실시 예에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 수 있다. 즉, 상기의 실시 예는 본 발명의 개시가 완전하도록 하며 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 발명의 범위는 본원의 특허 청구 범위에 의해서 이해되어야 한다.The present invention is not limited to the above-described embodiments, but may be embodied in various forms. In other words, the above-described embodiments are provided so that the disclosure of the present invention is complete, and those skilled in the art will fully understand the scope of the invention, and the scope of the present invention should be understood by the appended claims .

1000 : 적층체 2000 : 캐패시터부
3000 : 과전압 보호부 4000 : 외부 전극1000: laminate 2000: capacitor part
3000: Overvoltage protection unit 4000: External electrode

Claims (7)

복수의 시트가 적층된 적층체;
상기 적층체 내부에 형성된 복수의 내부 전극을 포함하는 캐패시터부;
상기 적층체 내부에 형성되며 적어도 두개의 방전 전극과, 상기 방전 전극 사이에 형성된 적어도 하나의 과전압 보호층을 포함하는 과전압 보호부; 및
상기 적층체 외부에 마련되어 상기 내부 전극 및 과전압 보호부와 연결되는 외부 전극을 포함하고,
상기 방전 전극은 수평 방향으로 이격되어 마련되며,
상기 과전압 보호부의 적어도 일부의 유전율이 상기 캐패시터부의 유전율보다 높고,
상기 과전압 보호층의 내부, 측부, 상부 및 하부 중 적어도 일 영역에 유전율이 다른 영역보다 높은 고유전 영역이 형성되며,
상기 고유전 영역은 상기 과전압 보호층과 상기 적어도 두개의 방전 전극이 접촉을 유지하도록 상기 과전압 보호층의 일부를 노출시키도록 형성된 복합 소자.
A laminated body in which a plurality of sheets are laminated;
A capacitor unit including a plurality of internal electrodes formed in the laminate;
An overvoltage protector formed inside the laminate and including at least two discharge electrodes and at least one overvoltage protection layer formed between the discharge electrodes; And
And an external electrode provided outside the laminated body and connected to the internal electrode and the overvoltage protection unit,
The discharge electrodes are spaced apart in the horizontal direction,
Wherein a permittivity of at least a part of the overvoltage protection portion is higher than a permittivity of the capacitor portion,
A high dielectric constant region is formed in at least one of the inner, side, upper and lower portions of the overvoltage protection layer,
Wherein the high dielectric constant region exposes a part of the overvoltage protective layer so that the overvoltage protective layer and the at least two discharge electrodes are in contact with each other.
청구항 1에 있어서, 상기 과전압 보호층이 형성된 시트 전체의 유전율이 다른 시트의 유전율보다 높은 복합 소자.
The composite element according to claim 1, wherein a dielectric constant of the entire sheet on which the overvoltage protection layer is formed is higher than that of other sheets.
청구항 1에 있어서, 상기 고유전 영역은 상기 과전압 보호층과 접하는 시트의 적어도 일부에 형성된 복합 소자.
The composite device according to claim 1, wherein the high dielectric constant region is formed on at least a part of a sheet in contact with the overvoltage protection layer.
청구항 1에 있어서, 상기 고유전 영역은 과전압 보호층 내부의 적어도 일 영역에 링 형상으로 형성된 복합 소자.
The composite element according to claim 1, wherein the high dielectric constant region is formed in at least one region inside the overvoltage protection layer in a ring shape.
청구항 1에 있어서, 상기 고유전 영역은 나머지 영역에 비해 BaTiO3 및 SrTiO3 중 적어도 하나의 함량이 높거나, NdTiO3 및 SiO2 중 적어도 하나의 함량이 낮은 복합 소자.
The method according to claim 1, wherein the dielectric region is BaTiO 3 and SrTiO increase the content of the at least one third or, NdTiO 3 and SiO composite element with at least one low content of 2 compared to the remaining regions.
복수의 시트가 적층된 적층체;
상기 적층체 내부에 형성된 복수의 내부 전극을 포함하는 캐패시터부;
상기 적층체 내부에 형성되며 적어도 두개의 방전 전극과, 상기 방전 전극 사이에 형성된 적어도 하나의 과전압 보호층을 포함하는 과전압 보호부; 및
상기 적층체 외부에 마련되어 상기 내부 전극 및 과전압 보호부와 연결되는 외부 전극을 포함하고,
상기 과전압 보호부의 적어도 일부의 유전율이 상기 캐패시터부의 유전율보다 높고,
상기 과전압 보호층의 내부, 측부, 상부 및 하부 중 적어도 일 영역에 유전율이 다른 영역보다 높은 고유전 영역이 형성되며,
상기 고유전 영역은 상기 과전압 보호층과 상기 적어도 두개의 방전 전극이 접촉을 유지하도록 상기 과전압 보호층의 일부를 노출시키도록 형성되고,
상기 고유전 영역은 나머지 영역에 비해 BaTiO3 및 SrTiO3 중 적어도 하나의 함량이 높거나, NdTiO3 및 SiO2 중 적어도 하나의 함량이 낮은 복합 소자.
A laminated body in which a plurality of sheets are laminated;
A capacitor unit including a plurality of internal electrodes formed in the laminate;
An overvoltage protector formed inside the laminate and including at least two discharge electrodes and at least one overvoltage protection layer formed between the discharge electrodes; And
And an external electrode provided outside the laminated body and connected to the internal electrode and the overvoltage protection unit,
Wherein a permittivity of at least a part of the overvoltage protection portion is higher than a permittivity of the capacitor portion,
A high dielectric constant region is formed in at least one of the inner, side, upper and lower portions of the overvoltage protection layer,
Wherein the high dielectric constant region is formed to expose a part of the overvoltage protection layer so that the overvoltage protection layer and the at least two discharge electrodes are in contact with each other,
The dielectric region is BaTiO 3 and SrTiO increase the content of the at least one third or, NdTiO 3 and SiO composite element with at least one low content of 2 compared to the remaining regions.
안테나로 기능하는 도전체와 내부 회로 사이에 마련되고, 청구항 1 내지 청구항 5 중 어느 한 항 기재의 복합 소자를 포함하며,
상기 복합 소자는 통신 신호를 전달하고 감전 전압 및 과전압을 방호하는 전자기기.A composite device according to any one of claims 1 to 5, provided between an internal circuit and a conductor functioning as an antenna,
Wherein the composite device transmits a communication signal and protects an electrostatic voltage and an overvoltage.
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