KR101939058B1 - Mura quantifying system by Laser crystallization facility and Mura quantifying method by Laser crystallization facility - Google Patents

Mura quantifying system by Laser crystallization facility and Mura quantifying method by Laser crystallization facility Download PDF

Info

Publication number
KR101939058B1
KR101939058B1 KR1020150081433A KR20150081433A KR101939058B1 KR 101939058 B1 KR101939058 B1 KR 101939058B1 KR 1020150081433 A KR1020150081433 A KR 1020150081433A KR 20150081433 A KR20150081433 A KR 20150081433A KR 101939058 B1 KR101939058 B1 KR 101939058B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
image
substrate
mura
crystallization
quantification
Prior art date
Application number
KR1020150081433A
Other languages
Korean (ko)
Other versions
KR20160145249A (en
Inventor
소이빈
조민영
조상희
김현중
김성환
Original Assignee
에이피시스템 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 에이피시스템 주식회사 filed Critical 에이피시스템 주식회사
Priority to KR1020150081433A priority Critical patent/KR101939058B1/en
Priority to TW105115037A priority patent/TWI697664B/en
Priority to JP2016113366A priority patent/JP2017005252A/en
Priority to CN201610404682.1A priority patent/CN106252259A/en
Publication of KR20160145249A publication Critical patent/KR20160145249A/en
Application granted granted Critical
Publication of KR101939058B1 publication Critical patent/KR101939058B1/en

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
    • H01L21/02656—Special treatments
    • H01L21/02664—Aftertreatments
    • H01L21/02667—Crystallisation or recrystallisation of non-monocrystalline semiconductor materials, e.g. regrowth
    • H01L21/02675—Crystallisation or recrystallisation of non-monocrystalline semiconductor materials, e.g. regrowth using laser beams
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • H01L21/67253—Process monitoring, e.g. flow or thickness monitoring
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/26—Bombardment with radiation
    • H01L21/263—Bombardment with radiation with high-energy radiation
    • H01L21/268—Bombardment with radiation with high-energy radiation using electromagnetic radiation, e.g. laser radiation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L22/00—Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
    • H01L22/10—Measuring as part of the manufacturing process
    • H01L22/12—Measuring as part of the manufacturing process for structural parameters, e.g. thickness, line width, refractive index, temperature, warp, bond strength, defects, optical inspection, electrical measurement of structural dimensions, metallurgic measurement of diffusions
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L22/00—Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
    • H01L22/20—Sequence of activities consisting of a plurality of measurements, corrections, marking or sorting steps

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • High Energy & Nuclear Physics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Toxicology (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Investigating Or Analysing Materials By Optical Means (AREA)
  • Recrystallisation Techniques (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Laser Beam Processing (AREA)
  • Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
  • Investigating, Analyzing Materials By Fluorescence Or Luminescence (AREA)

Abstract

본 발명은 무라 정량화 시스템 및 방법에 관한 것으로서, 레이저 결정화 장치가 포함된 레이저 결정화 설비에 기인하는 무라 정량화 시스템에 있어서, 상기 레이저 결정화 장치에 의해 기판의 결정화를 수행하며, 상기 결정화된 기판을 이동시키면서 무라를 실시간으로 정량화할 수 있도록 무라 정량화 장치가 상기 레이저 결정화 설비 내부에 형성되는 것을 특징으로 하는 레이저 결정화 설비에 기인하는 무라 정량화 시스템 및 레이저 결정화 설비에 기인하는 무라 정량화 방법을 기술적 요지로 한다. 이에 의해 본 발명은 레이저 결정화 장치를 포함하는 설비 내에서 결정화된 기판에 기인하는 무라를 정량화하여 결정화된 기판의 상태에 대한 실시간으로 양불을 판정하여 안정적인 공정 관리를 도모할 수 있는 이점이 있다.The present invention relates to a mura quantification system and method, and more particularly, to a mura quantification system which is based on a laser crystallization apparatus including a laser crystallization apparatus, which comprises performing crystallization of a substrate by the laser crystallization apparatus, And a Mura quantification device is formed inside the laser crystallization facility so that the Mura quantification device can be quantified in real time. The Mura quantification method is based on the Mura quantification system and the laser crystallization facility due to the laser crystallization facility. Accordingly, the present invention is advantageous in that it is possible to quantitatively determine the amount of mud caused by the crystallized substrate in the facility including the laser crystallization apparatus, and to judge the state of the crystallized substrate in real time, thereby stably managing the process.

Description

레이저 결정화 설비에 기인하는 무라 정량화 시스템 및 레이저 결정화 설비에 기인하는 무라 정량화 방법{Mura quantifying system by Laser crystallization facility and Mura quantifying method by Laser crystallization facility}[0001] The present invention relates to a Mura quantification system and a Mura quantification method based on a laser crystallization facility,

본 발명은 무라 정량화 시스템 및 방법에 관한 것으로서, 레이저 결정화 장치를 포함하는 설비 내에서 결정화된 기판에 기인하는 무라를 정량화하여 기판 상태에 대한 실시간으로 양불을 판정하여 안정적인 공정 관리를 도모할 수 있도록 하기 위한 레이저 결정화 설비에 기인하는 무라 정량화 시스템 및 레이저 결정화 설비에 기인하는 무라 정량화 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a mura quantification system and method, and more particularly, to a system and method for quantifying mura that quantify mura attributed to a crystallized substrate in a facility including a laser crystallization apparatus, The present invention relates to a mura quantification system resulting from a laser crystallization facility and a mura quantification method due to a laser crystallization facility.

일반적으로 액정디스플레이 장치나 태양광 장치 등의 전기전자 소자를 제조함에 있어서, 비정질 다결정 박막, 예를 들어 비정질 실리콘 박막을 결정화시키는 과정이 필요하다.Generally, a process of crystallizing an amorphous polycrystalline thin film, for example, an amorphous silicon thin film, is required in manufacturing an electric and electronic device such as a liquid crystal display device or a solar cell device.

비정질 실리콘 박막을 결정질 실리콘 박막(이하에서는 이러한 결정화 대상 박막을 편의상 "기판"이라고 한다)으로 결정화하기 위해서는 일정한 양의 에너지로 레이저를 조사해야 한다. 이 에너지를 에너지 밀도(Energy Density, 이하 ED라 함)라고 하는데, ED 조건 중 결정화 결과를 가장 좋게 만드는 ED를 Optimized Energy Density(이하 OPED라 함)라고 한다.In order to crystallize the amorphous silicon thin film into a crystalline silicon thin film (hereinafter, the thin film to be crystallized is referred to as "substrate" for convenience), the laser should be irradiated with a certain amount of energy. This energy is called an energy density (hereinafter referred to as ED). The ED that optimizes the crystallization result among the ED conditions is called an Optimized Energy Density (hereinafter referred to as OPED).

이러한 OPED로 조사된 결과물은 주사전자현미경(SEM)으로 관측하였을 때 결정립의 방향이 가장 고르며 결정 크기의 균일도 또한 가장 우수하다. 하지만 양산단계에서는 시간 소요, 인력 소모 등의 까닭으로 매 결과물마다 SEM으로 결과를 확인하는 것이 현실적으로 불가능하다.The results of the irradiation with the OPED are the most uniform in the direction of the crystal grains when observed with a scanning electron microscope (SEM), and the crystal size uniformity is also the best. However, in the mass production stage, it is practically impossible to confirm the results by SEM for each result due to time consuming and labor cost.

그래서, 육안검사를 통해 OPED를 선정하는 기준이 생겼으며, 그 기준이 바로 무라(Mura)이며, 무라의 세기, 발생빈도, 발생경향을 통해 판단한다. ED Split(수십mm 영역을 ED 조건을 달리하며 결정화를 진행하는 평가)의 결과물을 육안으로 살펴보면 낮은 ED 보다는 OPED 영역일수록 무라의 관측이 어려우며 결과물이 깨끗하게 보이고, OPED 영역에서 높은 ED로 갈수록 무라 발생이 다시 많아진다. 이러한 방법을 통해 OPED를 선정하게 된다.Therefore, the criteria for selecting OPED through visual inspection has been established, and the standard is Mura, and it is judged from the intensity, occurrence frequency and occurrence tendency of mura. If we look at the result of ED Split (evaluation that crystallization progresses by changing ED condition in several tens mm area) visually, it is difficult to observe Mura in OPED region rather than low ED, and the result is clear, It increases again. In this way, OPED will be selected.

한편, 레이저를 이용한 결정화 공정은 각 레이저 펄스가 오버랩이 되는 스캔 공정인데, 오버랩되는 영역이 주변과 에너지 차이가 생기면서 그 부분이 무라로 나타나게 된다. 이런 원인으로 발생하는 줄무늬를 샷무라(Shot Mura)라고 한다.On the other hand, the crystallization process using laser is a scanning process in which each laser pulse is overlapped. As a result, an overlapped region has an energy difference from its surroundings, and the portion appears to be uneven. Stripe caused by this cause is called Shot Mura.

또한, 결정화하고자 하는 기판을 스캔하며 대상 박막에 결정화를 진행하는 경우, 선형인 레이저 빔의 불균일 현상에 의해 발생하는 얼룩을 스캔무라(Scan Mura)라고 한다.In addition, when the substrate to be crystallized is scanned and the crystallization proceeds on the target thin film, the smear caused by the non-uniformity of the linear laser beam is referred to as a scan Mura.

이러한 결정화 장치에 의한 결정화 공정 이후에 생산품의 양불을 검사하기 위해서, 기존에는 검사기 설비 내에서 육안으로 검사하는 방법(vision inspection)으로 진행하고 있다.In order to inspect the quality of the product after the crystallization process by the crystallization apparatus, the process has been proceeded with vision inspection in the inspection facility.

그러나, 육안으로 무라를 검출하는 데는 한계가 있으며, 무라 분포 위치에 따라 다양한 무라 기인성이 있어, 이를 확인하기가 용이하지 않으며, 검사자 간 검출 편차가 있어 검사의 생산성, 정확성 및 재현성이 떨어지고, 검사자를 배치해야 하므로 인력 및 비용의 낭비를 초래하는 문제점이 있다.However, there are limitations in detecting mura by the naked eye, and there are various irregularities depending on the position of mura distribution, and it is not easy to confirm it, and there is a deviation between the inspectors, so that the productivity, accuracy and reproducibility of the test are deteriorated, There is a problem that waste of manpower and cost is caused.

대한민국특허청 등록특허공보 등록번호 10-0570268호.Korea Patent Office Registration No. 10-0570268.

본 발명은 상기 문제점을 해결하기 위한 것으로서, 레이저 결정화 장치를 포함하는 설비 내에서 결정화된 기판에 기인하는 무라를 정량화하여 기판 상태에 대한 실시간으로 양불을 판정하여 안정적인 공정 관리를 도모할 수 있도록 하기 위한 레이저 결정화 설비에 기인하는 무라 정량화 시스템 및 레이저 결정화 설비에 기인하는 무라 정량화 방법의 제공을 그 목적으로 한다.SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in order to solve the above problems, and it is an object of the present invention to provide a laser crystallization apparatus capable of quantitatively determining the amount of mobility attributed to a crystallized substrate in a facility including a laser crystallization apparatus, The present invention aims to provide a mura quantification system resulting from a laser crystallization facility and a mura quantification method due to a laser crystallization facility.

본 발명은 상기 목적을 달성하기 위한 것으로서, 레이저 결정화 장치가 포함된 레이저 결정화 설비에 기인하는 무라 정량화 시스템에 있어서, 상기 레이저 결정화 장치에 의해 기판의 결정화를 수행하며, 상기 결정화된 기판을 이동시키면서 무라를 실시간으로 정량화할 수 있도록 무라 정량화 장치가 상기 레이저 결정화 설비 내부에 형성되는 것을 특징으로 하는 레이저 결정화 설비에 기인하는 무라 정량화 시스템을 기술적 요지로 한다.In order to accomplish the above object, the present invention provides a mura quantification system based on a laser crystallization apparatus including a laser crystallization apparatus, wherein the crystallization of the substrate is performed by the laser crystallization apparatus, The Mura quantification system is formed in the laser crystallization facility so that the Mura quantification apparatus can be quantified in real time.

또한, 본 발명은 상기 목적을 달성하기 위해 레이저 결정화 설비에 기인하는 무라 정량화 방법에 있어서, 기판을 로딩하는 제1단계와, 레이저를 이용하여 상기 로딩된 기판의 결정화를 수행하는 제2단계와, 상기 결정화된 기판을 이동시키면서 무라를 실시간으로 정량화하는 제3단계 및 결정화 및 무라 정량화가 완료된 기판을 언로딩하는 제4단계를 포함하여 이루어진 것을 특징으로 하는 레이저 결정화 설비에 기인하는 무라 정량화 방법을 기술적 요지로 한다.According to another aspect of the present invention, there is provided a method for quantifying Mura attributable to a laser crystallization facility, comprising the steps of: loading a substrate; performing a crystallization of the loaded substrate using a laser; A third step of quantifying the molten metal in real time while moving the crystallized substrate, and a fourth step of unloading the substrate on which crystallization and Mura quantification have been completed. It is essential.

여기에서, 상기 레이저 결정화 장치는, 공정 챔버와, 상기 공정 챔버 일측에 형성되며, 상기 기판에 레이저 빔을 조사하는 레이저 빔 발생기 및 상기 공정 챔버 내부에 형성되며, 상기 기판을 로딩 및 언로딩시키는 스테이지를 포함하여 이루어진 것이 바람직하다.Here, the laser crystallization apparatus includes a process chamber, a laser beam generator formed on one side of the process chamber for irradiating the substrate with a laser beam, and a stage formed in the process chamber for loading and unloading the substrate, .

또한, 상기 무라 정량화 장치는, 상기 레이저 빔의 조사에 대해 간섭되지 않도록 형성되며 상기 스테이지에 의해 로딩되는 결정화된 기판에 대한 실시간 무라 영상의 획득이 가능하도록 상기 스테이지의 이동방향에 대해 상측에 형성된 영상획득부와, 상기 영상획득부 일측에 형성되어 결정화된 기판을 비추는 조명부와, 상기 획득된 무라 영상에 대해 컨트라스트 영상(contrast image)의 도출을 위한 영상전처리(image preproseccing) 및 영상처리(image processing)를 수행하고, 처리된 영상을 데이타로 분석하여 정량화하는 영상처리부 및 상기 영상획득부, 조명부 및 영상처리부를 제어하고, 상기 영상획득부에서 획득된 영상 및 영상처리부에서 획득된 영상 데이타를 표시하며, 결정화된 기판에 대한 양불을 판단하도록 형성된 중앙처리부를 포함하여 이루어진 것이 바람직하다.In addition, the mura-quantifying device may include an image formed on the upper side with respect to the moving direction of the stage so as to be able to acquire a real-time mura image on the crystallized substrate that is formed so as not to interfere with the irradiation of the laser beam, An illumination unit for illuminating the crystallized substrate formed on one side of the image acquiring unit; image preprocessing and image processing for deriving a contrast image for the obtained mirror image; And controlling the image obtaining unit, the illuminating unit, and the image processing unit, displaying the image data obtained by the image obtaining unit and the image data obtained by the image processing unit, And a central processing unit configured to judge whether or not to bake the crystallized substrate desirable.

또한, 상기 영상획득부는, 에어리어 카메라(area camera)로 구현되는 것이 바람직하며, 상기 영상획득부는, 상기 스테이지의 위치에 대한 신호를 입력받아 트리거(trigger)를 조절하여 일정한 간격으로 무라 영상을 획득하는 것이 바람직하다.Preferably, the image acquiring unit is implemented as an area camera, and the image acquiring unit acquires a mura image at a predetermined interval by receiving a signal for the position of the stage and adjusting a trigger .

또한, 상기 영상획득부는, 최적 결정화 에너지 밀도(Optimized Energy Density, OPED) 영역별로 트리거(trigger)를 조절하여 일정한 간격으로 무라 영상을 획득하는 것이 바람직하다.Preferably, the image acquiring unit acquires a mura image at a predetermined interval by adjusting a trigger for each region of Optimized Energy Density (OPED).

또한, 상기 영상획득부는, 라인 스캔 카메라(line scan camera)로 구현되는 것이 바람직하다.In addition, the image acquiring unit is preferably implemented as a line scan camera.

한편, 상기 조명부 전방 또는 영상획득부 전방에는, 편광판이 더 설치되어 상기 편광판을 회전시켜 무라와 방향이 맞는 광원만 통과시키는 것이 바람직하며, 상기 조명부 전방 또는 영상획득부 전방에는, 그린 필터(green filter)가 더 설치되는 것이 바람직하다.Preferably, a polarizing plate is further provided in front of the illumination unit or the image acquiring unit to allow the polarizing plate to rotate only through the light source in the direction of the polarizing plate. In front of the illumination unit or in front of the image acquiring unit, ) Is further provided.

또한, 상기 중앙처리부는, 상기 결정화된 기판에 대한 양불을 판단하여, 이상 발생 시 기판에 조사되는 레이저 빔의 ED(Energy Density, ED)를 변경하도록 형성된 것이 바람직하다.In addition, it is preferable that the central processing unit is configured to determine the amorphous state with respect to the crystallized substrate, and to change the ED (Energy Density) of the laser beam irradiated to the substrate upon occurrence of an abnormality.

본 발명은 레이저 결정화 장치를 포함하는 설비 내에서 결정화된 기판에 기인하는 무라를 정량화하여 결정화된 기판의 상태에 대한 실시간으로 양불을 판정하여 안정적인 공정 관리를 도모할 수 있는 효과가 있다.The present invention has the effect of quantitatively determining the amount of mud caused by a crystallized substrate in a facility including a laser crystallization apparatus, and judging the state of the crystallized substrate in real time, thereby stably managing the process.

또한, 기존 방식에 비해 무라 검사에 소요되는 시간을 단축시킬 수 있어, 양산 수율 확보가 가능하며, 기존 검사자의 판별에 대한 오류 및 편차에 대한 객관적인 데이타의 산출로 결정화 기판의 양불 신뢰성 및 객관성을 확보할 수 있는 효과가 있다.In addition, it is possible to shorten the time required for the inspection of the mold compared to the conventional method, and it is possible to secure the mass production yield, and it is possible to obtain the reliable reliability and objectivity of the crystallized substrate by calculating the objective data on errors and deviations There is an effect that can be done.

또한, 영상획득을 위해 에어리어 카메라 또는 라인 스캔 카메라를 사용하여 무라 검출 시간을 단축시키며, 트리거 신호에 의해 영상이 획득되도록 하여, 기판의 각 영역에 대한 무라 검출이 용이하도록 한 효과가 있다.In addition, there is an effect that the area detection time is shortened by using an area camera or a line scan camera to acquire an image, and an image is acquired by a trigger signal, thereby making it possible to easily detect a deviation in each region of the substrate.

또한, 편광판이나 그린 필터를 사용하여 획득된 무라 영상이 더욱 선명하도록 하여, 무라 검출 및 정량화가 용이하도록 한 효과가 있다. Further, it is possible to make a mura image obtained by using a polarizing plate or a green filter sharper, thereby facilitating mura detection and quantification.

도 1 - 본 발명에 따른 레이저 결정화 설비에 기인하는 무라 정량화 시스템에 대한 주요부에 대한 모식도.
도 2 - 본 발명에 따른 레이저 결정화 설비에 기인하는 무라 정량화 방법에 대한 블럭도.
도 3 - 본 발명의 일실시예에 따른 에어리어 카메라를 이용한 무라 정량화 시스템.
도 4 - 도 3의 에어리어 카메라를 이용한 무라 정량화 데이타를 추출하는 방법에 대한 모식도.
도 5 - 본 발명의 일실시예에 따른 라인 스캔 카메라를 이용한 무라 정량화 시스템에 대한 모식도.
도 6 - 도 5의 라인 스캔 카메라를 이용한 무라 정량화 데이타를 추출하는 방법에 대한 모식도.
도 7 - 본 발명의 일실시예에 따른 편광판을 적용 매카니즘에 대한 모식도(a)와, 편광판 적용 전 후에 대한 무라 영상에 대한 모식도(b).
도 8 - 본 발명의 일실시예에 따른 그린 필터를 이용한 무라 영상(a)과, 이에 의한 EPD 결정화를 위한 데이타를 나타낸 도(b).FIG. 1 is a schematic diagram of a main portion of a Mueller quantification system due to a laser crystallization facility according to the present invention. FIG.
Fig. 2 is a block diagram of a mura quantification method due to a laser crystallization facility according to the present invention. Fig.
Figure 3 - Mura quantification system using an area camera according to an embodiment of the present invention.
FIG. 4 is a schematic diagram of a method for extracting Mura quantification data using an area camera of FIG. 3; FIG.
5 is a schematic diagram of a Mura quantification system using a line scan camera according to an embodiment of the present invention.
FIG. 6 is a schematic diagram of a method for extracting Mura quantification data using the line scan camera of FIG. 5; FIG.
7 is a schematic view (a) of an application mechanism of a polarizing plate according to an embodiment of the present invention, and a schematic view (b) of a polarizing plate image before and after applying a polarizing plate.
FIG. 8 is a schematic diagram of an image (a) using a green filter according to an embodiment of the present invention, and FIG.

본 발명은 레이저 결정화 장치를 포함하는 설비 내에서 결정화된 기판에 기인하는 무라를 정량화하여 기판 상태에 대한 실시간으로 양불을 판정하기 위한 것으로서, 무라를 머신 비젼을 이용하여 검출하여 데이타를 추출하여 정량화하는 것이다.The present invention relates to a method and apparatus for quantitatively determining the amount of unevenness caused by a crystallized substrate in a facility including a laser crystallization apparatus, in real time based on the state of the substrate, will be.

이에 의해 본 발명은 레이저 결정화 장치를 포함하는 설비 내에서 실시간으로 공정 퀄리티를 확인하여 안정적인 공정 관리를 도모할 수 있도록 하기 위한 것이다.
Accordingly, the present invention is intended to enable stable process control by checking the process quality in real time in a facility including a laser crystallization apparatus.

이하에서는 첨부된 도면을 참조하여 본 발명에 대해 상세히 설명하고자 한다.Hereinafter, the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 1은 본 발명에 따른 레이저 결정화 설비에 기인하는 무라 정량화 시스템에 대한 주요부에 대한 모식도이고, 도 2는 본 발명에 따른 레이저 결정화 설비에 기인하는 무라 정량화 방법에 대한 블럭도이고, 도 3은 본 발명의 일실시예에 따른 에어리어 카메라를 이용한 무라 정량화 시스템이고, 도 4는 도 3의 에어리어 카메라를 이용한 무라 정량화 데이타를 추출하는 방법에 대한 모식도이고, 도 5는 본 발명의 일실시예에 따른 라인 스캔 카메라를 이용한 무라 정량화 시스템에 대한 모식도이고, 도 6은 도 5의 라인 스캔 카메라를 이용한 무라 정량화 데이타를 추출하는 방법에 대한 모식도이고, 도 7은 본 발명의 일실시예에 따른 편광판을 적용 매카니즘에 대한 모식도(a)와, 편광판 적용 전 후에 대한 무라 영상에 대한 모식도(b)이며, 도 8은 본 발명의 일실시예에 따른 그린 필터를 이용한 무라 영상(a)과, 이에 의한 EPD 결정화를 위한 데이타를 나타낸 도(b)이다.FIG. 2 is a block diagram of a Mueller quantification method due to a laser crystallization apparatus according to the present invention, and FIG. 3 is a schematic view of a Mueller quantification system according to the present invention. 4 is a schematic diagram illustrating a method of extracting Mura quantification data using an area camera of FIG. 3, and FIG. 5 is a diagram illustrating a method of extracting Mura quantification data using an area camera of FIG. 3 according to an embodiment of the present invention. FIG. 6 is a schematic diagram illustrating a method of extracting Mura quantification data using the line scan camera of FIG. 5, and FIG. 7 is a schematic diagram illustrating a method of extracting Mura quantification data using a line camera of FIG. 5 according to an embodiment of the present invention. (B) is a schematic view (a) of a polarizing plate before and after applying a polarizing plate, and Fig. 8 Using the green filter of the time is it is the unevenness image (a), a diagram showing the data for the crystallization by EPD thereto (b).

도시된 바와 같이, 본 발명에 따른 레이저 결정화 설비(10)에 기인하는 무라 정량화 시스템은, 레이저 결정화 장치(100)가 포함된 레이저 결정화 설비(10)에 기인하는 무라 정량화 시스템에 있어서, 상기 레이저 결정화 장치(100)에 의해 기판(20)의 결정화를 수행하며, 상기 결정화된 기판(20)을 이동시키면서 무라를 실시간으로 정량화할 수 있도록 무라 정량화 장치(200)가 상기 레이저 결정화 설비(10) 내부에 형성되는 것을 그 특징으로 한다.As shown in the figure, the Mura quantification system originating from the laser crystallization apparatus 10 according to the present invention is a mura quantification system originating from a laser crystallization apparatus 10 including a laser crystallization apparatus 100, The Mura quantification apparatus 200 is installed in the laser crystallization facility 10 so that the crystallization of the substrate 20 is performed by the apparatus 100 and the crystallization of the substrate 20 can be quantitatively performed in real time. Is formed.

본 발명은 레이저 결정화 장치(100)를 포함하는 레이저 결정화 설비(10) 내에서 결정화된 기판(20)에 기인하는 무라를 정량화하여 기판(20) 상태에 대한 실시간으로 양불을 판정하기 위한 것으로서, 무라를 머신 비젼을 이용하여 자동으로 검출하여 데이타를 정량화하여, 레이저 결정화 장치(100)를 포함하는 레이저 결정화 설비(10) 내에서 실시간으로 공정 퀄리티를 확인하여 안정적인 공정 관리를 도모할 수 있도록 하기 위한 것이다.The present invention is for quantitatively determining the amount of unevenness attributable to the crystallized substrate 20 in the laser crystallization apparatus 10 including the laser crystallization apparatus 100 to judge the state of the substrate 20 in real time, Is automatically detected using a machine vision to quantify the data and the process quality can be confirmed in real time in the laser crystallization facility 10 including the laser crystallization apparatus 100 to enable stable process management .

일반적으로 레이저 결정화 장치(100)는 공정 챔버(110)와, 상기 공정 챔버(110) 일측에 형성되며, 상기 기판(20)에 레이저 빔을 조사하는 레이저 빔 발생기 및 상기 공정 챔버(110) 내부에 형성되며, 상기 기판(20)을 로딩 및 언로딩시키는 스테이지(130)를 포함하여 이루어지며, 이러한 레이저 결정화 장치(100)가 포함된 설비 내에 무라 정량화 장치(200)가 포함되게 된다.Generally, a laser crystallization apparatus 100 includes a process chamber 110, a laser beam generator that is formed on one side of the process chamber 110 and irradiates the substrate 20 with a laser beam, And a stage 130 for loading and unloading the substrate 20. The apparatus including the laser crystallization apparatus 100 includes the mura quantification apparatus 200.

본 발명은 무라 영상을 획득하기 위한 구성은 레이저 결정화 장치(100) 내에 포함되며, 검출된 무라 영상을 처리하고 데이타화하고, 각 구성을 제어하는 구성은 레이저 결정화 장치(100) 외부에 형성되도록 하며, 이러한 레이저 결정화 장치(100) 및 무라 정량화를 위한 장치를 모두 포함하여 레이저 결정화 장치(100)를 포함하는 레이저 결정화 설비(10)라고 한다. 즉, 레이저 결정화 및 무라 검출 및 정량화 공정이 동일한 레이저 결정화 설비(10) 내에서 이루어지는 것이다.In the present invention, a configuration for acquiring a mura image is included in the laser crystallization apparatus 100, and a configuration for processing and dataizing the detected mura image and controlling each configuration is formed outside the laser crystallization apparatus 100 , And a laser crystallization apparatus (10) including the laser crystallization apparatus (100) including both the laser crystallization apparatus (100) and the apparatus for quantitating Mo. That is, the laser crystallization and mura detection and quantification processes are performed in the same laser crystallization facility 10.

상기 레이저 결정화 장치(100)의 공정 챔버(110)는 일반적인 결정화를 위한 진공 챔버 등을 사용하며, 일측에는 기판(20)을 투입할 수 있는 게이트(gate)가 형성된다.The process chamber 110 of the laser crystallization apparatus 100 uses a vacuum chamber or the like for general crystallization and a gate for injecting the substrate 20 is formed on one side.

상기 기판(20)의 결정화를 위한 레이저 빔을 조사하기 위한 레이저 빔 발생기는 상기 공정 챔버(110) 외부 일측에 형성되며, 광학모듈 및 OPDM을 이용하여 기판(20)에 라인 형태의 레이저 빔이 효율적으로 조사되도록 한다.A laser beam generator for irradiating a laser beam for crystallization of the substrate 20 is formed at a side of the process chamber 110 outside the process chamber 110. A laser beam in a line form is efficiently applied to the substrate 20 by using an optical module and OPDM .

일반적으로, 기판(20)은 글라스 상에 증착된 실리콘 박막으로 이루어지고, 여기에서 실리콘 박막은 비정질 상태로 형성되게 되며, 본 발명에서의 기판(20)을 결정화시킨다는 의미는 글라스와 같이 베이스 기판 상에 형성된 비정질 실리콘 박막과 같은 박막을 결정화시키는 것을 의미한다. 편의상 본 발명에서는 결정화 대상 박막 및 그 하측의 베이스 기판을 포함하여 기판(20)이라고 한다.Generally, the substrate 20 is formed of a silicon thin film deposited on a glass, wherein the silicon thin film is formed in an amorphous state. The meaning of crystallizing the substrate 20 in the present invention is that, Such as an amorphous silicon thin film. For convenience, in the present invention, the substrate 20 including the thin film to be crystallized and the base substrate thereunder is referred to as a substrate 20.

이러한 결정화를 위한 레이저 빔의 에너지를 에너지 밀도(Energy Density, 이하 ED라 함)라고 하며, ED 조건 중 결정화 결과를 가장 좋게 만드는 ED를 Optimized Energy Density(이하 OPED라 함)라고 한다. 따라서, 상기 레이저 빔은 미리 설정된 OPED로 제공되게 된다.The energy of the laser beam for this crystallization is referred to as energy density (hereinafter referred to as ED), and the ED which optimizes the crystallization result among ED conditions is called Optimized Energy Density (hereinafter referred to as OPED). Therefore, the laser beam is provided as a preset OPED.

상기 레이저 빔 발생기는 엑시머 레이저 빔 등으로 기판(20)을 결정화시키며, 상기 스테이지(130)는 공정 챔버(110) 내부에 형성되며, 상기 기판(20)이 탑재되어 상기 기판(20)을 로딩 및 언로딩시킨다.The laser beam generator crystallizes the substrate 20 using an excimer laser beam or the like and the stage 130 is formed inside the process chamber 110. The substrate 20 is mounted on the stage 20 to load and / Unloaded.

상기 스테이지(130)는 결정화를 위한 기판(20)을 레이저 빔에 대해 상대적으로 이동시켜, 기판(20)의 모든 영역에 레이저 빔이 조사되도록 한다. 여기에서, 스테이지(130)의 위치에 대한 엔코더(encoder) 신호를 후술할 무라 정량화 장치(200)의 영상획득부(210)에 공급하여, 이를 영상획득부(210)의 트리거(trigger) 신호로 사용함으로써, 일정한 간격으로 영상을 획득할 수 있도록 한다. 이는 스테이지(130)의 위치에 대한 무라 영상을 획득하여 정량화를 도출함으로써, 무라의 발생이 어느 위치에서 발생했는지 정확히 추적이 가능하게 된다.
The stage 130 moves the substrate 20 for crystallization relative to the laser beam so that the laser beam is irradiated to all regions of the substrate 20. [ An encoder signal for the position of the stage 130 is supplied to the image acquisition unit 210 of the Mura quantification apparatus 200 to be described later and is supplied to the image acquisition unit 210 as a trigger signal So that the image can be acquired at regular intervals. This obtains a mura image with respect to the position of the stage 130 and derives quantization, so that it is possible to track exactly where the occurrence of mura occurs.

한편, 무라 정량화 장치(200)는 상기 레이저 결정화 설비(10) 내에 형성되는 것으로서, 상기 결정화된 기판(20)을 이동시키면서 무라를 실시간으로 정량화할 수 있도록 하는 것이다.On the other hand, the mura quantification apparatus 200 is formed in the laser crystallization facility 10 and is capable of quantifying the mura in real time while moving the crystallized substrate 20.

상기 무라 정량화 장치(200)는, 상기 레이저 빔의 조사에 대해 간섭되지 않도록 형성되며 상기 스테이지(130)에 의해 로딩되는 결정화된 기판(20)에 대한 실시간 무라 영상의 획득이 가능하도록 상기 스테이지(130)의 이동방향에 대해 상측에 형성된 영상획득부(210)와, 상기 영상획득부(210) 일측에 형성되어 결정화된 기판(20)을 비추는 조명부(220)와, 상기 획득된 무라 영상에 대해 컨트라스트 영상(contrast image)의 도출을 위한 영상전처리(image preproseccing) 및 영상처리(image processing)를 수행하고, 처리된 영상을 데이타로 분석하여 정량화하는 영상처리부(230) 및 상기 영상획득부(210), 조명부(220) 및 영상처리부(230)를 제어하고, 상기 영상획득부(210)에서 획득된 영상 및 영상처리부(230)에서 획득된 영상 데이타를 표시하며, 결정화된 기판(20)에 대한 양불을 판단하도록 형성된 중앙처리부(240)로 크게 이루어진다.The Mura quantification apparatus 200 includes a stage 130 and a stage 130 so as to be able to acquire a real time image of the substrate 20 which is not interfered with the irradiation of the laser beam and is loaded by the stage 130 An illumination unit 220 for illuminating the substrate 20 formed on one side of the image acquisition unit 210 and crystallizing the substrate 20; An image processor 230 for performing image preprocessing and image processing for deriving a contrast image and for analyzing and quantifying the processed image data and an image processor 230 for performing image preprocessing and image processing for deriving a contrast image, And controls the illumination unit 220 and the image processing unit 230 to display the image data acquired by the image acquisition unit 210 and the image data acquired by the image processing unit 230, Do not judge Formed is made larger in the central processing unit 240.

여기에서, 상술한 바와 같이 무라 정량화 장치(200)의 영상획득부(210) 및 조명부(220)는 상기 레이저 결정화 장치(100)의 공정 챔버(110) 내부에 형성되며, 획득된 영상의 처리 등을 위한 영상처리부(230) 및 중앙처리부(240)는 공정 챔버(110) 외부에 형성되는 것이 바람직하다.As described above, the image acquisition unit 210 and the illumination unit 220 of the Mura quantification apparatus 200 are formed inside the process chamber 110 of the laser crystallization apparatus 100, The image processing unit 230 and the central processing unit 240 are preferably formed outside the process chamber 110. [

상기 영상획득부(210)는 결정화된 기판(20)에 대한 무라 영상을 획득하기 위한 것으로서, 일반적으로 CCD 카메라로 형성되어 중앙처리부(240)와 연결되어 온오프, 각도(θ) 및 작동 제어가 가능하도록 형성되며, 에어리어 카메라(area camera)(도 3)(211), 라인 스캔 카메라(line scan camera)(도 5)(212)를 사용하여 무라 검출 시간을 단축시킬 수 있도록 하며, 이 외에도 영상 획득이 가능한 모든 카메라가 사용이 가능하다.The image obtaining unit 210 is for obtaining a mura image on the crystallized substrate 20. Generally, the image obtaining unit 210 is formed of a CCD camera and is connected to the central processing unit 240 to detect on-off, And it is possible to shorten the detection time by using an area camera (FIG. 3) 211 and a line scan camera (FIG. 5) 212, All available cameras are available.

상기 에어리어 카메라(211)를 이용하여 영상을 획득하고자 하는 경우, 도 4에 도시된 바와 같이, 위치 동기화 트리거(trigger)를 조절하여 일정한 간격으로 영상의 획득이 가능하도록 한다. 예컨대, 상기 스테이지(130)의 위치에 대한 엔코더 신호를 입력받아 에어리어 카메라(211)의 트리거를 조절하여 일정한 간격으로 무라 영상을 획득할 수 있도록 한다. 이에 의해 기판(20)의 어느 위치에서 획득된 무라 영상임을 알 수 있어, 기판(20)의 위치에 대한 결정화 양불에 대한 판단을 용이하게 할 수 있다.When acquiring an image using the area camera 211, it is possible to acquire images at regular intervals by adjusting a position synchronization trigger as shown in FIG. For example, an encoder signal for the position of the stage 130 is received, and the trigger of the area camera 211 is adjusted to acquire a mura image at regular intervals. As a result, it can be seen that the image is obtained at any position of the substrate 20, so that it is possible to easily determine the crystallization of the substrate 20 relative to the position of the substrate 20.

또한, OPED 즉, 최적 결정화 에너지 밀도 영역별로 트리거를 조절하여 일정한 간격으로 무라 영상을 획득할 수도 있다. 즉, 기판(20)의 영역별로 OPED를 변화시켜 결정화를 진행하여, 해당 OPED를 트리거 신호로 영상획득부(210)에 입력함으로써 어떤 OPED에서 결정화가 더 잘 수행되었는지 판단할 수 있도록 한다.In addition, it is also possible to acquire a mura image at regular intervals by adjusting the trigger for the OPED, i.e., the optimal crystallization energy density region. That is, crystallization is performed by changing the OPED for each region of the substrate 20, and the OPED is input to the image acquisition unit 210 as a trigger signal, so that it can be determined which crystallization is performed better in which OPED.

그리고, 상기 조명부(220)는 상기 영상획득부(210) 일측에 형성되어 결정화된 기판(20)을 비춰, 영상 획득이 잘 이루어지도록 하는 것으로서, 각도 조절이 가능하도록 하며, 후술할 중앙처리부(240)에서 온오프 제어 및 각도 조절이 가능하다.The illuminating unit 220 illuminates the crystallized substrate 20 formed on one side of the image obtaining unit 210 to allow the angle of the image to be easily adjusted. The illuminating unit 220 includes a central processing unit 240 Off control and angle adjustment are possible.

한편, 상기 조명부(220)는 필요에 의해 복수개로 사용이 가능하며, 무라가 강조된 영상을 획득하기 위해 편광판(250) 또는 그린 필터(green filter)를 상기 조명부(220) 전방 또는 영상획득부(210) 전방에 더 설치할 수 있다.The illumination unit 220 may be used in a plurality of ways as needed. The illumination unit 220 may include a polarizer 250 or a green filter in front of the illumination unit 220 or an image acquisition unit 210 ) Can be installed further in the front.

도 7은 조명부(220) 전방에 편광판(250)을 설치한 경우를 나타낸 것으로서, 영상획득부(210) 일측에 두개의 조명부(220)가 설치된 경우, 각각 편광판(250)을 설치한 경우를 나타낸 것이다. 즉, 편광이 없는 일반 조명부(220) 앞에 편광판(250) 1을 설치하여 편광을 가지는 광원으로 만들고, 영상획득부(210)와 기판(20) 사이에 편광판(250) 2를 설치하여, 각각 편광판(250)을 회전시켜 무라와 방향이 맞는 광원만 통과시킴으로써, 무라가 강조된 이미지를 획득하게 된다.7 shows a case where a polarizing plate 250 is provided in front of the illumination unit 220. In the case where two illumination units 220 are installed on one side of the image obtaining unit 210, will be. That is, the polarizing plate 250 is disposed in front of the general illumination unit 220 having no polarization, and the polarizing plate 250 is disposed between the image acquiring unit 210 and the substrate 20, (250) is rotated to pass only a light source whose direction matches the direction of the mura, thereby obtaining an image in which the mura is emphasized.

또한, 도 8에 도시된 바와 같이, 조명부(220) 전방에 그린 필터를 설치함으로써, 무라가 강조된 이미지를 획득할 수 있다.In addition, as shown in FIG. 8, by providing a green filter in front of the illumination unit 220, a mura-emphasized image can be obtained.

그리고, 상기 영상처리부(230)는 상기 획득된 무라 영상에 대해 컨트라스트 영상(contrast image)의 도출을 위한 영상전처리(image preproseccing) 및 영상처리(image processing)를 수행하고, 처리된 영상을 데이타로 분석하여 정량화하게 된다. The image processing unit 230 performs image preprocessing and image processing on the obtained mura image to derive a contrast image, and analyzes the processed image with data .

일반적으로 무라 영상은 육안에 의한 인식이 용이하지 않으므로 이를 시인성이 좋도록 컨트라스트 영상으로 도출하여야 하는데, 획득된 영상을 로컬(local)에 분포되어 있는 휘도값을 평균화하여 스무딩(smoothomg)화된 영상을 생성하여 컨트라스트 영상을 도출한다.Generally, mura images are not easily recognized by the naked eye. Therefore, it is necessary to derive them as contrast images in order to improve the visibility. The acquired images are averaged to localized luminance values to generate smooth images Thereby deriving a contrast image.

즉, 최초 획득된 영상에서 영상을 전처리 하여 얻은 기준 영상(reference image)의 데이타 값을 빼면 컨트라스트 영상을 얻게 되며, 이를 사용하여 명암비 조건 및 라인 종류 등의 선택사항을 입력하여 분석 이미지를 도출해낼 수 있으며, 이를 통해 최종 무라 검출에 대한 정량화된 영상 데이타를 얻게 된다.That is, subtracting the data value of the reference image obtained by preprocessing the image from the originally obtained image, a contrast image is obtained. By using this, the user can input the options such as the contrast ratio condition and the line type, Thereby obtaining quantified image data for the final mura detection.

상기 중앙처리부(240)는 일반적으로 PC를 사용하며, 상기 영상획득부(210), 조명부(220) 및 영상처리부(230)를 제어하고, 상기 영상획득부(210)에서 획득된 영상 및 영상처리부(230)에서 획득된 영상 데이타를 표시하며, 결정화된 기판(20)에 대한 양불을 판단하도록 형성된다.The central processing unit 240 generally uses a PC and controls the image obtaining unit 210, the illumination unit 220 and the image processing unit 230, and the image and image processing unit 230, And displays the acquired image data on the crystallized substrate 20 so as to determine the amorphous state with respect to the crystallized substrate 20.

예컨대, 중앙처리부(240)는 상기 영상획득부(210), 조명부(220) 및 영상처리부(230)를 제어하고, 설정값을 입력하기 위한 위한 키보드와, 획득된 영상 및 처리된 영상 데이타 등을 표시하기 위한 패널과, 상기 영상 데이타를 기반으로 하여 결정화된 기판(20)의 양불을 판단하고, 모든 구성을 제어하는 제어부로 구성된 것이다.For example, the central processing unit 240 controls the image acquisition unit 210, the illumination unit 220, and the image processing unit 230, and includes a keyboard for inputting a set value, And a control unit for judging whether the substrate 20 is crystallized based on the image data and controlling all the configurations.

상기 중앙처리부(240)는 레이저 결정화 장치(100) 외부에 형성된 것으로서, 무라 정량화 장치(200)를 제어할 뿐만 아니라, 레이저 결정화 장치(100)를 포함하는 전체 레이저 결정화 설비(10)를 제어할 수 있도록 형성된 것으로서, 레이저 결정화 장치(100)의 레이저 발생기(120) 및 스테이지(130)의 이동 및 위치 설정 등을 제어할 수 있으며, 스테이지(130)의 위치는 트리거 신호로 영상획득부(210)에 입력되도록 하여 영상획득부(210)를 일정한 간격으로 작동할 수 있도록 한다.The central processing unit 240 is provided outside the laser crystallization apparatus 100 and is capable of controlling the entire laser crystallization facility 10 including the laser crystallization apparatus 100 as well as controlling the Mura quantification apparatus 200 The position and the like of the laser generator 120 and the stage 130 of the laser crystallization apparatus 100 can be controlled and the position of the stage 130 can be controlled by the trigger signal to the image acquisition unit 210 So that the image acquiring unit 210 can be operated at regular intervals.

상기 중앙처리부(240)에서는 획득된 영상의 데이타를 이용하여 결정화된 기판(20)에 대한 양불을 판단할 수 있으며, 이상 발생 시 기판(20)에 조사되는 레이저 빔의 에너지 밀도(Energy Density)를 변경하도록 할 수 있으며, 이는 미리 설정된 프로그래밍에 의해 양불 판단에 대한 ED가 자동으로 변경되도록 하거나, 필요에 의해 사용자가 직접 ED를 변경할 수도 있다.
The central processing unit 240 can determine whether the substrate 20 is crystallized using the data of the acquired image and determine the energy density of the laser beam irradiated on the substrate 20 in the event of an error This allows the ED to be automatically changed according to preset programming by the preset programming, or the user can directly change the ED if necessary.

이하에서는 본 발명에 따른 레이저 결정화 설비(10)에 기인하는 무라 정량화 방법에 대해 설명하고자 한다.Hereinafter, the Mura quantification method due to the laser crystallization facility 10 according to the present invention will be described.

도 2는 본 발명에 따른 무라 정량화 방법에 대한 모식도를 나타낸 것으로서, 도시된 바와 같이, 레이저 결정화 설비(10)에 기인하는 무라 정량화 방법에 있어서, 기판(20)을 로딩하는 제1단계와, 레이저를 이용하여 상기 로딩된 기판(20)의 결정화를 수행하는 제2단계와, 상기 결정화된 기판(20)을 이동시키면서 무라를 실시간으로 정량화하는 제3단계 및 결정화 및 무라 정량화가 완료된 기판(20)을 언로딩하는 제4단계를 포함하여 이루어진 것을 그 특징으로 한다.As shown in FIG. 2, the Mura quantification method based on the laser crystallization apparatus 10 includes a first step of loading the substrate 20, A second step of performing crystallization of the loaded substrate 20 by using the substrate 20, a third step of quantifying the substrate in real time while moving the crystallized substrate 20, a third step of crystallizing the substrate 20, And a fourth step of unloading the image.

상기 기판(20)은 레이저 결정화 장치(100) 내부의 스테이지(130)에 탑재되어 레이저 결정화를 위한 위치로 로딩되게 된다. 로딩된 기판(20)은 레이저 빔 발생기에 의해 제공된 레이저 빔에 의해 결정화가 수행되며, 상기 결정화된 기판(20)을 이동시키면서 영상획득부(210)에 의해 결정화된 기판(20)에 대한 무라 영상을 획득하고 영상처리를 수행하여 무라를 실시간으로 정량화한 후, 결정화 및 무라 정량화가 완료된 기판(20)을 언로딩함으로써, 공정이 완료되게 된다.The substrate 20 is mounted on the stage 130 inside the laser crystallization apparatus 100 and is loaded into a position for laser crystallization. The loaded substrate 20 is crystallized by the laser beam provided by the laser beam generator and the moving image of the substrate 20 crystallized by the image obtaining unit 210 while moving the crystallized substrate 20 And image processing is performed to quantify the mura in real time. Then, the process is completed by unloading the substrate 20 on which crystallization and mura quantification have been completed.

여기에서, 상기 제3단계는, 결정화된 기판(20)의 무라 영상을 획득하고, 상기 획득된 무라 영상에 대해 영상처리를 수행한 후, 상기 영상처리가 수행된 영상을 데이타로 분석하여 정량화하며, 상기 정량화된 무라를 통해 기판(20)의 결정화 레벨에 대한 양불을 판단하는 과정으로 이루어지게 된다.Here, the third step is to acquire a mura image of the crystallized substrate 20, perform image processing on the obtained mura image, analyze the image subjected to the image processing, and quantify the image And determining whether the level of the crystallization level of the substrate 20 with respect to the level of crystallization is equal to or less than a predetermined level.

여기에서, 상기 결정화된 기판(20)의 무라 영상을 획득하는 단계는, 위치 동기화 트리거(trigger)를 조절하여 일정한 간격으로 무라 영상을 획득하도록 한다.Here, the step of acquiring the moire image of the crystallized substrate 20 adjusts the position synchronization trigger to acquire moire images at regular intervals.

상기 결정화된 기판(20)의 무라 영상을 획득하기 위해서는 CCD 카메라와 같은 영상획득부(210)가 사용될 수 있으며, 에어리어 카메라(211)를 이용하여 영상을 획득하고자 하는 경우, 도 4에 도시된 바와 같이, 위치 동기화 트리거(trigger)를 조절하여 일정한 간격으로 영상의 획득이 가능하도록 한다.An image acquisition unit 210 such as a CCD camera may be used to acquire a mura image of the crystallized substrate 20. When an image is to be acquired using the area camera 211, Likewise, by adjusting the position synchronization trigger, it is possible to acquire images at regular intervals.

예컨대, 상기 스테이지(130)의 위치에 대한 엔코더 신호를 입력받아 에어리어 카메라(211)의 트리거를 조절하여 일정한 간격으로 무라 영상을 획득할 수 있도록 한다. 이에 의해 기판(20)의 어느 위치에서 획득된 무라 영상임을 알 수 있어, 기판(20)의 위치에 대한 결정화 양불에 대한 판단을 용이하게 할 수 있다.For example, an encoder signal for the position of the stage 130 is received, and the trigger of the area camera 211 is adjusted to acquire a mura image at regular intervals. As a result, it can be seen that the image is obtained at any position of the substrate 20, so that it is possible to easily determine the crystallization of the substrate 20 relative to the position of the substrate 20.

또한, OPED 즉, 최적 결정화 에너지 밀도 영역별로 트리거를 조절하여 일정한 간격으로 무라 영상을 획득할 수도 있다. 즉, 기판(20)의 영역별로 OPED를 변화시켜 결정화를 진행하여, 해당 OPED를 트리거 신호로 영상획득부(210)에 입력함으로써 어떤 OPED에서 결정화가 더 잘 수행되었는지 판단할 수 있도록 한다.In addition, it is also possible to acquire a mura image at regular intervals by adjusting the trigger for the OPED, i.e., the optimal crystallization energy density region. That is, crystallization is performed by changing the OPED for each region of the substrate 20, and the OPED is input to the image acquisition unit 210 as a trigger signal, so that it can be determined which crystallization is performed better in which OPED.

또한, 상기 획득된 무라 영상에 대해 영상처리는, 상기 영상처리부(230)에서 수행되게 되며, 상기 획득된 무라 영상에 대해 컨트라스트 영상(contrast image)의 도출을 위한 영상전처리(image preproseccing) 및 영상처리(image processing)를 수행하고, 처리된 영상을 데이타로 분석하여 정량화하는 것이 바람직하다.In addition, the image processing for the acquired mura image is performed in the image processing unit 230, and image preprocessing and image processing for deriving a contrast image are performed on the obtained mura image, (image processing), and analyze the processed image with data to quantify the processed image.

예컨대, 획득된 영상을 로컬(local)에 분포되어 있는 휘도값을 평균화하여 스무딩(smoothomg)화된 영상을 생성하여 컨트라스트 영상을 도출하는 것으로서, 최초 획득된 영상에서 영상을 전처리하여 얻은 기준 영상(reference image)의 데이타 값을 빼면 컨트라스트 영상을 얻게 되며, 이를 사용하여 명암비 조건 및 라인 종류 등의 선택사항을 입력하여 분석 이미지를 도출해낼 수 있으며, 이를 통해 최종 무라 검출에 대한 정량화된 영상 데이타를 얻게 된다.For example, the obtained image is averaged to localize luminance values to generate a smoothed image, and a contrast image is derived. A reference image obtained by preprocessing an image from the initially acquired image, ), The contrast image is obtained. By using this, a selection image such as a contrast ratio condition and a line type can be inputted, and an analysis image can be derived, thereby obtaining quantified image data for the final mura detection.

그리고, 상기 정량화된 무라를 통해 기판(20)의 결정화 레벨에 대한 양불을 판단하여, 이상 발생 시 기판(20)에 조사되는 레이저 빔의 ED(Energy Density, ED)를 변경하도록 형성되며, 이는 상기 중앙처리부(240)에서 수행하게 된다.
In addition, it is formed to determine the intensity of the laser beam with respect to the crystallization level of the substrate 20 through the quantized laser beam to change the ED (Energy Density) of the laser beam irradiated on the substrate 20 in the event of an error, And is performed by the central processing unit 240.

이하에서는 본 발명의 일실시예에 대해 설명하고자 한다.Hereinafter, an embodiment of the present invention will be described.

도 3은 본 발명의 일실시예에 따른 에어리어 카메라(211)를 이용한 무라 정량화 시스템이고, 도 4는 도 3의 에어리어 카메라(211)를 이용한 무라 정량화 데이타를 추출하는 방법에 대한 모식도를 나타낸 것이다.FIG. 3 is a system for quantifying a mura using an area camera 211 according to an embodiment of the present invention, and FIG. 4 is a schematic diagram for a method for extracting Mura quantification data using an area camera 211 of FIG.

도 3에 도시된 바와 같이, 에어리어 카메라(211)에 의해 결정화된 기판(20)의 무라 영상을 획득하게 되며, 에어리어 카메라(211) 및 조명부(220)의 위치 및 각도를 제어하여 최적의 무라 영상을 획득할 수 있도록 하며, 이는 상기 중앙처리부(240)에서 제어하게 된다.As shown in FIG. 3, the image of the substrate 20 crystallized by the area camera 211 is obtained, and the position and angle of the area camera 211 and the illumination unit 220 are controlled, Which is controlled by the central processing unit 240.

상기 에어리어 카메라(211)에 의해 결정화된 기판(20)의 특정한 영역에 초점을 맞추어 무라 영상을 획득하게 되며, 이는 중앙처리부(240)에 전송되어 패널 상에 표시되게 된다.And focuses on a specific area of the substrate 20 crystallized by the area camera 211 to acquire a mura image, which is transmitted to the central processing unit 240 and displayed on the panel.

상기 에어리어 카메라(211)는 도 4에 도시된 바와 같이 스테이지(130)의 이동에 의한 엔코더 신호로 트리거될 수 있도록 형성되며, 이에 의해 일정한 간격(T1, T2, T3, T4, T5, T6, T7)으로 영상이 획득될 수 있도록 한다.The area camera 211 is formed so as to be triggered by an encoder signal by the movement of the stage 130 as shown in FIG. 4, whereby a constant interval (T 1 , T 2 , T 3 , T 4 , T 5 , T 6 , T 7 ).

이렇게 획득된 영상은 디포커싱(defocusing) 영역은 제외하고, 포커싱(focusing) 영역 즉, 유효 영역만 선별적으로 무라를 검출하여 정량화를 수행하게 되며, 기판(20)의 양불 판정은 영역별 속성값과 기준 레벨을 비교하는 절대비교 방식이나, 영역별 속성값의 편차를 비교하는 등의 상대비교 방식으로 이루어질 수 있다.
The acquired image is subjected to quantification by selectively detecting only the focusing area, that is, the effective area, except for the defocusing area, and the quantitative determination of the substrate 20 is performed based on the area- And an absolute comparison method for comparing the reference level with a reference level or a relative comparison method for comparing deviations of attribute values for each area.

도 5는 본 발명의 일실시예에 따른 라인 스캔 카메라(212)를 이용한 무라 정량화 시스템에 대한 모식도이고, 도 6은 도 5의 라인 스캔 카메라(212)를 이용한 무라 정량화 데이타를 추출하는 방법에 대한 모식도를 나타낸 것이다.FIG. 5 is a schematic diagram of a Mura quantification system using a line scan camera 212 according to an embodiment of the present invention. FIG. 6 is a flowchart illustrating a method of extracting Mura quantization data using the line scan camera 212 of FIG. Fig.

도 5에 도시된 바와 같이, 라인 스캔 카메라(212)에 의해 결정화된 기판(20)의 무라 영상을 획득하게 되며, 라인 스캔 카메라(212) 및 조명부(220)의 위치 및 각도(θ)를 제어하여 최적의 무라 영상을 획득할 수 있도록 하며, 이는 상기 중앙처리부(240)에서 제어하게 된다.5, the image of the substrate 20 crystallized by the line scan camera 212 is acquired, and the position and angle [theta] of the line scan camera 212 and the illumination unit 220 are controlled So that it can be controlled by the central processing unit 240.

상기 라인 스캔 카메라(212)에 의해 결정화된 기판(20)의 특정한 영역에 초점을 맞추어 무라 영상을 획득하게 되며, 이는 중앙처리부(240)에 전송되어 패널 상에 표시되게 된다.And focuses on a specific area of the substrate 20 crystallized by the line scan camera 212 to obtain a mura image, which is transmitted to the central processing unit 240 and displayed on the panel.

도 6에 도시된 바와 같이 라인 스캔 카메라(212)에 의해 획득된 영상은 원근을 보정하고 처리 영역 즉 유효 영역을 추출한 후, 히스토그램 정량화나 누적 프로파일 기반 연산 등을 수행하여 영역 속성을 연산하여 결정화된 기판(20)의 양불을 판정하게 된다.As shown in FIG. 6, the image obtained by the line scan camera 212 is corrected for the perspective, extracted from the processing area, that is, the valid area, and then subjected to the histogram quantification or cumulative profile- Thereby determining whether the substrate 20 is flat.

여기에서, 기판(20)의 양불 판정은 영역별 속성값과 기준 레벨을 비교하거나, 여역별 속성값의 편차를 비교하는 등의 방식으로 이루어지게 된다.
Here, the simple determination of the substrate 20 is performed in such a manner as to compare the attribute value for each region with the reference level, or to compare deviations of attribute values for each region.

도 7은 본 발명의 일실시예에 따른 편광판(250)을 적용 매카니즘에 대한 모식도(a)와, 편광판(250) 적용 전 후에 대한 무라 영상에 대한 모식도(b)이다.FIG. 7 is a schematic view (a) of the application mechanism of the polarizing plate 250 according to an embodiment of the present invention and a schematic diagram (b) of the polarizing plate 250 before and after applying the polarizing plate 250.

도 7(a)는 조명부(220) 전방에 편광판(250)을 설치한 경우를 나타낸 것으로서, 영상획득부(210) 일측에 두개의 조명부(220)가 설치된 경우, 각각 편광판(250)을 설치한 경우를 나타낸 것이다. 즉, 편광이 없는 일반 조명부(220) 앞에 편광판(250) 1을 설치하여 편광을 가지는 광원으로 만들고, 영상획득부(210)와 기판(20) 사이에 편광판(250) 2를 설치하여, 각각 편광판(250)을 회전시켜 무라와 방향이 맞는 광원만 통과시킴으로써, 무라가 강조된 이미지를 획득하게 된다.7A shows a case where the polarizing plate 250 is installed in front of the illumination unit 220. When two illumination units 220 are installed on one side of the image obtaining unit 210, Respectively. That is, the polarizing plate 250 is disposed in front of the general illumination unit 220 having no polarization, and the polarizing plate 250 is disposed between the image acquiring unit 210 and the substrate 20, (250) is rotated to pass only a light source whose direction matches the direction of the mura, thereby obtaining an image in which the mura is emphasized.

도 7(b)는 편광판(250) 적용 전과 적용 후의 무라 영상을 나타낸 것으로서 편광판(250) 적용 후 더 선명한 무라 영상을 획득할 수 있음을 알 수 있었다.
FIG. 7 (b) shows the image before and after application of the polarizer 250, and it can be seen that a clearer image can be obtained after applying the polarizer 250.

도 8은 본 발명의 일실시예에 따른 그린 필터를 이용한 무라 영상(a)과, 이에 의한 EPD 결정화를 위한 데이타를 나타낸 도(b)이다. FIG. 8 is a diagram (a) showing a green image using a green filter according to an embodiment of the present invention, and FIG. 8 (b) showing data for EPD crystallization.

기판에 대한 에어리어 카메라 각도 40°, 조명부의 각도 30°, 415~505mJ/cm2의 레이저 빔을 이용하고, 그린 필터를 장착하여 각 에너지 밀도 별로 총 10구간에 대한 무라 영상을 획득한 것이다. 이에 대한 영상 처리 및 정량화 분석을 통해 470mJ/cm2가 OPED임을 확인할 수 있었다. Using the area camera angle 40 °, the laser beam of the angle of illumination 30 °, 415 ~ 505mJ / cm 2 to the substrate, and equipped with a green filter to the acquired image unevenness for a total of 10 intervals each energy density. Image processing and quantitative analysis showed that OPED was 470 mJ / cm 2 .

10 : 레이저 결정화 설비 20 : 기판
100 : 레이저 결정화 장치 110 : 공정 챔버
120 : 레이저 발생기 130 : 스테이지
200 : 무라 정량화 장치 210 : 영상획득부
211 : 에어리어 카메라 212 : 라인 스캔 카메라
220 : 조명부 230 : 영상처리부
240 : 중앙처리부 250 : 편광판10: laser crystallization facility 20: substrate
100: laser crystallization apparatus 110: process chamber
120: laser generator 130: stage
200: mura quantification device 210: image acquisition unit
211: area camera 212: line scan camera
220: illumination unit 230: image processing unit
240: central processing unit 250: polarizer

Claims (15)

레이저 결정화 장치가 포함된 레이저 결정화 설비에 기인하는 무라 정량화 시스템에 있어서,
상기 레이저 결정화 장치에 의해 기판의 결정화를 수행하며, 상기 결정화된 기판을 이동시키면서 무라를 실시간으로 정량화할 수 있도록 무라 정량화 장치가 상기 레이저 결정화 설비 내부에 형성되며,
상기 레이저 결정화 장치는,
공정 챔버와, 상기 공정 챔버 일측에 형성되며, 상기 기판에 레이저 빔을 조사하는 레이저 빔 발생기 및 상기 공정 챔버 내부에 형성되며, 상기 기판을 로딩 및 언로딩시키는 스테이지를 포함하여 이루어지고,
상기 무라 정량화 장치는,
상기 레이저 빔의 조사에 대해 간섭되지 않도록 형성되며 상기 스테이지에 의해 로딩되는 결정화된 기판에 대한 실시간 무라 영상의 획득이 가능하도록 상기 스테이지의 이동방향에 대해 상측에 형성된 영상획득부와, 상기 영상획득부 일측에 형성되어 결정화된 기판을 비추는 조명부와 상기 획득된 무라 영상에 대해 컨트라스트 영상(contrast image)의 도출을 위한 영상전처리(image preproseccing) 및 영상처리(image processing)를 수행하고, 처리된 영상을 데이타로 분석하여 정량화하는 영상처리부 및 상기 영상획득부, 조명부 및 영상처리부를 제어하고, 상기 영상획득부에서 획득된 영상 및 영상처리부에서 획득된 영상 데이타를 표시하며, 결정화된 기판에 대한 양불을 판단하도록 형성된 중앙처리부를 포함하여 이루어지고,
상기 영상획득부는,
에어리어 카메라(area camera)로 구현되며,
상기 조명부 전방 또는 영상획득부 전방에는,
편광판이 더 설치되어 상기 편광판을 회전시켜 무라와 방향이 맞는 광원만 통과시키는 것을 특징으로 하는 레이저 결정화 설비에 기인하는 무라 정량화 시스템.A mura quantification system resulting from a laser crystallization apparatus including a laser crystallization apparatus,
A Mura quantification device is formed in the laser crystallization facility so as to perform crystallization of the substrate by the laser crystallization device and to quantify the Mura in real time while moving the crystallized substrate,
The laser crystallization apparatus includes:
A laser beam generator for irradiating the substrate with a laser beam; and a stage formed in the process chamber for loading and unloading the substrate, the stage being formed on one side of the process chamber,
The Mura quantification apparatus includes:
An image acquiring unit formed on an upper side with respect to a moving direction of the stage so as to be capable of acquiring a real time image with respect to the crystallized substrate loaded by the stage, the image acquiring unit being formed so as not to interfere with the irradiation of the laser beam, And an image processing unit for performing image preprocessing and image processing for deriving a contrast image with respect to the acquired mura image, And controls the image acquiring unit, the illuminating unit, and the image processing unit, displays the image data acquired by the image acquiring unit and the image data acquired by the image processing unit, and determines the roundness of the crystallized substrate And a central processing unit formed,
The image acquiring unit may acquire,
It is implemented as an area camera,
In front of the illumination unit or in front of the image acquisition unit,
And a polarizing plate is further provided to rotate the polarizing plate so that only a light source which is in the direction of the polarizing plate passes through the polarizing plate. 삭제delete 삭제delete 삭제delete 제 1항에 있어서, 상기 영상획득부는,
상기 스테이지의 위치에 대한 신호를 입력받아 트리거(trigger)를 조절하여 일정한 간격으로 무라 영상을 획득하는 것을 특징으로 하는 레이저 결정화 설비에 기인하는 무라 정량화 시스템.The image processing apparatus according to claim 1,
Wherein a signal for the position of the stage is received and a trigger is adjusted to acquire a mura image at a constant interval. 제 1항에 있어서, 상기 영상획득부는,
최적 결정화 에너지 밀도(Optimized Energy Density, OPED) 영역별로 트리거(trigger)를 조절하여 일정한 간격으로 무라 영상을 획득하는 것을 특징으로 하는 레이저 결정화 설비에 기인하는 무라 정량화 시스템.The image processing apparatus according to claim 1,
Wherein a mura image is acquired at regular intervals by adjusting a trigger for each region of Optimized Energy Density (OPED). 제 1항에 있어서, 상기 영상획득부는,
라인 스캔 카메라(line scan camera)로 구현되는 것을 특징으로 하는 레이저 결정화 설비에 기인하는 무라 정량화 시스템.The image processing apparatus according to claim 1,
And a line scan camera. 2. The Mura quantification system according to claim 1, 삭제delete 제 1항에 있어서, 상기 조명부 전방 또는 영상획득부 전방에는,
그린 필터(green filter)가 더 설치되는 것을 특징으로 하는 레이저 결정화 설비에 기인하는 무라 정량화 시스템.The image pickup apparatus according to claim 1, wherein, in front of the illumination unit or in front of the image acquisition unit,
Characterized in that a green filter is further installed on the surface of the substrate. 제 1항에 있어서, 상기 중앙처리부는,
상기 결정화된 기판에 대한 양불을 판단하여, 이상 발생 시 기판에 조사되는 레이저 빔의 ED(Energy Density, ED)를 변경하도록 형성된 것을 특징으로 하는 레이저 결정화 설비에 기인하는 무라 정량화 시스템.The apparatus according to claim 1,
(ED) of the laser beam irradiated to the substrate in the event of an abnormality is determined by judging whether or not the crystallized substrate is amorphous. 레이저 결정화 설비에 기인하는 무라 정량화 방법에 있어서,
기판을 로딩하는 제1단계;
레이저를 이용하여 상기 로딩된 기판의 결정화를 수행하는 제2단계;
상기 결정화된 기판을 이동시키면서 무라를 실시간으로 정량화하는 제3단계; 및
결정화 및 무라 정량화가 완료된 기판을 언로딩하는 제4단계;를 포함하여 이루어지며,
상기 레이저 결정화 설비는,
레이저 결정화 장치 및 무라 정량화 장치를 포함하고,
상기 레이저 결정화 장치에 의해 기판의 결정화를 수행하며, 상기 무라 정량화 장치에 의해 상기 결정화된 기판을 이동시키면서 무라를 실시간으로 정량화하며,
상기 레이저 결정화 장치는,
공정 챔버와, 상기 공정 챔버 일측에 형성되며, 상기 기판에 레이저 빔을 조사하는 레이저 빔 발생기 및 상기 공정 챔버 내부에 형성되며, 상기 기판을 로딩 및 언로딩시키는 스테이지를 포함하여 이루어지고,
상기 무라 정량화 장치는,
상기 레이저 빔의 조사에 대해 간섭되지 않도록 형성되며 상기 스테이지에 의해 로딩되는 결정화된 기판에 대한 실시간 무라 영상의 획득이 가능하도록 상기 스테이지의 이동방향에 대해 상측에 형성된 영상획득부와, 상기 영상획득부 일측에 형성되어 결정화된 기판을 비추는 조명부와 상기 획득된 무라 영상에 대해 컨트라스트 영상(contrast image)의 도출을 위한 영상전처리(image preproseccing) 및 영상처리(image processing)를 수행하고, 처리된 영상을 데이타로 분석하여 정량화하는 영상처리부 및 상기 영상획득부, 조명부 및 영상처리부를 제어하고, 상기 영상획득부에서 획득된 영상 및 영상처리부에서 획득된 영상 데이타를 표시하며, 결정화된 기판에 대한 양불을 판단하도록 형성된 중앙처리부를 포함하여 이루어지고,
상기 영상획득부는,
에어리어 카메라(area camera)로 구현되며,
상기 조명부 전방 또는 영상획득부 전방에는,
편광판이 더 설치되어 상기 편광판을 회전시켜 무라와 방향이 맞는 광원만 통과시키는 것을 특징으로 하는 레이저 결정화 설비에 기인하는 무라 정량화 방법.In a Mueller quantification method due to a laser crystallization facility,
A first step of loading a substrate;
A second step of performing crystallization of the loaded substrate using a laser;
A third step of quantifying the molten metal in real time while moving the crystallized substrate; And
And a fourth step of unloading the substrate on which crystallization and mura quantification are completed,
The laser crystallization equipment includes:
A laser crystallization apparatus and a mura quantification apparatus,
Performing crystallization of the substrate by the laser crystallization apparatus, quantizing the mura in real time while moving the crystallized substrate by the Moore's quantification apparatus,
The laser crystallization apparatus includes:
A laser beam generator for irradiating the substrate with a laser beam; and a stage formed in the process chamber for loading and unloading the substrate, the stage being formed on one side of the process chamber,
The Mura quantification apparatus includes:
An image acquiring unit formed on an upper side with respect to a moving direction of the stage so as to be capable of acquiring a real time image with respect to the crystallized substrate loaded by the stage, the image acquiring unit being formed so as not to interfere with the irradiation of the laser beam, And an image processing unit for performing image preprocessing and image processing for deriving a contrast image with respect to the acquired mura image, And controls the image acquiring unit, the illuminating unit, and the image processing unit, displays the image data acquired by the image acquiring unit and the image data acquired by the image processing unit, and determines the roundness of the crystallized substrate And a central processing unit formed,
The image acquiring unit may acquire,
It is implemented as an area camera,
In front of the illumination unit or in front of the image acquisition unit,
And a polarizing plate is further provided to rotate the polarizing plate so that only a light source that matches the direction of the polarizing plate is allowed to pass therethrough. 제 11항에 있어서, 상기 제3단계는,
결정화된 기판의 무라 영상을 획득하는 단계;
상기 획득된 무라 영상에 대해 영상처리를 수행하는 단계;
상기 영상처리가 수행된 영상을 데이타로 분석하여 정량화하는 단계;
상기 정량화된 무라를 통해 기판의 결정화 레벨에 대한 양불을 판단하는 단계;를 포함하여 이루어진 것을 특징으로 하는 레이저 결정화 설비에 기인하는 무라 정량화 방법.12. The method according to claim 11,
Obtaining a mirror image of the crystallized substrate;
Performing image processing on the obtained mura image;
Analyzing and quantifying the image subjected to the image processing with data;
And determining whether the amount of crystallization of the substrate is less than the crystallization level of the substrate through the quantification step. 제 11항에 있어서, 상기 결정화된 기판의 무라 영상을 획득하는 단계는,
위치 동기화 트리거(trigger)를 조절하여 일정한 간격으로 무라 영상을 획득하는 것을 특징으로 하는 레이저 결정화 설비에 기인하는 무라 정량화 방법.12. The method of claim 11, wherein obtaining the moire image of the crystallized substrate comprises:
And adjusting position synchronization triggers to acquire mura images at regular intervals. 제 12항에 있어서, 상기 획득된 무라 영상에 대해 영상처리를 수행하는 단계는,
상기 획득된 무라 영상에 대해 컨트라스트 영상(contrast image)의 도출을 위한 영상전처리(image preproseccing) 및 영상처리(image processing)를 수행하고, 처리된 영상을 데이타로 분석하여 정량화하는 것을 특징으로 하는 레이저 결정화 설비에 기인하는 무라 정량화 방법.13. The method of claim 12, wherein performing the image processing on the obtained mura image comprises:
And performing image preprocessing and image processing for deriving a contrast image with respect to the obtained mura image and analyzing and quantifying the processed image with data. A method of quantification by Mura attributed to equipment. 제 12항에 있어서, 상기 정량화된 무라를 통해 기판의 결정화 레벨에 대한 양불을 판단하는 단계는,
상기 결정화된 기판에 대한 양불을 판단하여, 이상 발생 시 기판에 조사되는 레이저 빔의 ED(Energy Density, ED)를 변경하도록 형성된 것을 특징으로 하는 레이저 결정화 설비에 기인하는 무라 정량화 방법.14. The method of claim 12, wherein determining the amorphous level for the crystallization level of the substrate through the quantified substrate comprises:
(ED) of a laser beam irradiated to a substrate in the event of an abnormality is determined by judging whether or not the crystallized substrate is amorphous, thereby changing the ED (Energy Density) of the laser beam.
KR1020150081433A 2015-06-09 2015-06-09 Mura quantifying system by Laser crystallization facility and Mura quantifying method by Laser crystallization facility KR101939058B1 (en)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020150081433A KR101939058B1 (en) 2015-06-09 2015-06-09 Mura quantifying system by Laser crystallization facility and Mura quantifying method by Laser crystallization facility
TW105115037A TWI697664B (en) 2015-06-09 2016-05-16 Mura quantifying system by laser crystallization facility and mura quantifying method by laser crystallization facility
JP2016113366A JP2017005252A (en) 2015-06-09 2016-06-07 System for quantifying unevenness caused by laser crystallization equipment and method for quantifying unevenness caused by laser crystallization equipment
CN201610404682.1A CN106252259A (en) 2015-06-09 2016-06-08 Rely on the Mura quantization system of laser crystallization facility and the Mura quantization method relying on laser crystallization facility

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020150081433A KR101939058B1 (en) 2015-06-09 2015-06-09 Mura quantifying system by Laser crystallization facility and Mura quantifying method by Laser crystallization facility

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20160145249A KR20160145249A (en) 2016-12-20
KR101939058B1 true KR101939058B1 (en) 2019-01-17

Family

ID=57612940

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020150081433A KR101939058B1 (en) 2015-06-09 2015-06-09 Mura quantifying system by Laser crystallization facility and Mura quantifying method by Laser crystallization facility

Country Status (4)

Country Link
JP (1) JP2017005252A (en)
KR (1) KR101939058B1 (en)
CN (1) CN106252259A (en)
TW (1) TWI697664B (en)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20230144825A (en) 2022-04-08 2023-10-17 공주대학교 산학협력단 Substrate crystal state monitoring system for laser annealing process

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN106706641B (en) * 2016-12-30 2020-08-04 武汉华星光电技术有限公司 Quality detection method and system for polycrystalline silicon thin film
KR102516486B1 (en) * 2017-12-05 2023-04-03 삼성디스플레이 주식회사 Laser crystalling apparatus
CN110993491B (en) * 2019-12-19 2023-09-26 信利(仁寿)高端显示科技有限公司 Automatic correction method for OED (optical element design) in excimer laser annealing process

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000031229A (en) * 1998-07-14 2000-01-28 Toshiba Corp Inspection method of semiconductor thin film and manufacture of semiconductor thin film by use thereof
JP2004311992A (en) * 2003-03-26 2004-11-04 Semiconductor Energy Lab Co Ltd Evaluation method, semiconductor device, and its manufacturing method

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2722540B2 (en) * 1988-10-25 1998-03-04 松下電器産業株式会社 Thick film printed pattern appearance inspection method
JPH0618956U (en) * 1992-08-21 1994-03-11 オリンパス光学工業株式会社 Oblique illumination device for visual inspection
US5640237A (en) * 1995-08-29 1997-06-17 Kla Instruments Corporation Method and apparatus for detecting non-uniformities in reflective surafaces
JP4566374B2 (en) * 2000-09-22 2010-10-20 イビデン株式会社 Image processing inspection method
KR100570268B1 (en) 2003-11-28 2006-04-11 주식회사 쓰리비 시스템 method for detecting irregular mura in a light-related plate element for a flat panel using a feature strength
KR100862636B1 (en) * 2006-05-30 2008-10-09 (주) 인텍플러스 Method for optical visual examination
JP2009064944A (en) * 2007-09-06 2009-03-26 Sony Corp Laser annealing method, laser annealing device and manufacturing method for display device
KR101490830B1 (en) * 2011-02-23 2015-02-06 가부시끼가이샤 니혼 세이꼬쇼 Thin film obverse face inspection method and inspection device
KR102135406B1 (en) * 2013-07-10 2020-07-20 삼성디스플레이 주식회사 Laser crystalling apparatus
CN104465345A (en) * 2014-12-29 2015-03-25 深圳市华星光电技术有限公司 Laser crystallization system and crystallization energy control method thereof

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000031229A (en) * 1998-07-14 2000-01-28 Toshiba Corp Inspection method of semiconductor thin film and manufacture of semiconductor thin film by use thereof
JP2004311992A (en) * 2003-03-26 2004-11-04 Semiconductor Energy Lab Co Ltd Evaluation method, semiconductor device, and its manufacturing method

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20230144825A (en) 2022-04-08 2023-10-17 공주대학교 산학협력단 Substrate crystal state monitoring system for laser annealing process

Also Published As

Publication number Publication date
CN106252259A (en) 2016-12-21
KR20160145249A (en) 2016-12-20
TW201730549A (en) 2017-09-01
TWI697664B (en) 2020-07-01
JP2017005252A (en) 2017-01-05

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101939058B1 (en) Mura quantifying system by Laser crystallization facility and Mura quantifying method by Laser crystallization facility
US10026162B2 (en) Method and device for sealant coating inspection
JP5444053B2 (en) Polycrystalline silicon thin film inspection method and apparatus
KR20160127768A (en) Monitoring method and apparatus for control of excimer laser annealing
JP5119602B2 (en) Periodic pattern defect inspection method and defect inspection apparatus
KR101864030B1 (en) Inspection apparatuse for the material to be winding
JP6779037B2 (en) A system for quantifying unevenness caused by a laser crystallization facility using an ultraviolet light source and a method for quantifying unevenness caused by a laser crystallization facility using an ultraviolet light source
JP7178710B2 (en) LASER MODIFICATION METHOD, LASER MODIFICATION DEVICE
US5636023A (en) Apparatus for measuring surface shape
JP4664417B2 (en) Display panel lighting inspection device and display panel lighting inspection method.
CN111127415B (en) Mura quantification method based on excimer laser annealing
CN113966527B (en) Laser repairing method and laser repairing device
CN110993491B (en) Automatic correction method for OED (optical element design) in excimer laser annealing process
JP2016148596A (en) Linear array camera calibration method for surface inspection device
KR102164115B1 (en) Apparatus for measuring surface and annealing furnace having the same and method for measuring surface
JP2014063942A (en) Polycrystalline silicon film inspection method and device therefor
JP2014063941A (en) Polycrystalline silicon film inspection method and device therefor
JPH10206344A (en) Optical nonuniformity inspecting device and optical nonuniformity inspecting method
TW202103827A (en) Laser review method and laser review device
KR20220112078A (en) A device for inspecting defect and method for inspecting defect using thereof
KR20050002471A (en) Method for inspection of semiconductor device
JP2005003566A (en) Inspection method and inspection device for crystal film
JP2005072313A (en) Method and device for inspecting crystal film
KR20030069966A (en) device for inspecting surface of lcd panel

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
N231 Notification of change of applicant
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant