KR101926830B1 - 전지팩 - Google Patents

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Abstract

제 1 전지셀, 제 1 냉각핀 및 하우징을 포함하고 있는 전지팩이 제공된다. 상기 제 1 냉각핀은 장방형의 시트, 및 상기 제 1 전지셀의 제 1 및 제 2 면에 대해 수직으로 위치하는 적어도 제 1, 제 2 및 제 3 탭들을 포함한다. 상기 제 1 냉각핀의 장방형의 시트의 제 1 면은 상기 제 1 전지셀의 제 1 면과 접촉한다. 상기 제 1 전지셀 및 제 1 냉각핀은 하우징의 내부 영역 내에 위치한다. 상기 하우징은 제 1 전지셀의 상부 모서리 및 상기 하우징의 상부 벽 사이에서 내부 영역 내에 제 1 유로를 포함하고 있어서, 상기 제 1 유로를 통해 유동하는 공기가 제 1 냉각핀의 제 1, 제 2 및 제 3 탭들과 접촉하여 제 1 냉각핀으로부터 열에너지를 전도(conduct) 함으로써 제 1 전지셀의 온도 수준을 낮춘다.

Description

전지팩
본 출원은 2015년 11월 30일자 미국 특허 출원 14/954,459 호에 기초한 우선권의 이익을 주장하며, 해당 미국 특허 출원의 문헌에 개시된 모든 내용은 본 명세서의 일부로서 포함된다.
본 발명은 전지팩에 관한 것이다.
제 1 유로에 위치하고 제 1 유로를 통해 전지셀로부터 유동하는 공기로 열에너지를 전도하기 위한 전지셀의 제 1 및 제 2 면에 실질적으로 수직으로 위치하는 적어도 제 1, 제 2 및 제 3 탭들을 갖는 냉각핀을 포함하는 전지팩에 대한 요구가 있다.
따라서, 본 출원의 발명자들은 전지셀에 수직으로 위치하는 탭들을 포함하는 냉각핀을 포함하는 전지팩에 대한 필요성을 인식하였다.
본 발명은 종래기술의 문제점과 과거로부터 요청되어온 기술적 과제를 해결하는 것을 목적으로 한다.
본 출원의 발명자들은 심도 있는 연구와 다양한 실험들을 계속한 끝에, 제 1 유로에 위치하고, 전지팩 내의 전지셀들 각각의 제 1 및 제 2 면에 실질적으로 수직으로 위치하는 적어도 제 1, 제 2 및 제 3 탭들을 각각 갖는 냉각핀들을 사용함으로써 제 1 유로를 통해 전지셀들로부터 유동하는 공기로 열에너지를 전도하는 점을 확인하고 본 발명을 완성하기에 이르렀다.
본 발명은 전지팩을 제공한다. 전지팩은 제 1 면(major surface) 및 제 2 면을 가지고 실질적으로 장방형의 본체(body)를 포함하는 제 1 전지셀을 포함하고 있다. 상기 전지팩은 실질적으로 장방형의 시트(sheet) 및 적어도 제 1, 제 2 및 제 3 탭들(tabs)을 포함하는 제 1 냉각핀을 더 포함하고 있다. 상기 제 1 냉각핀의 실질적으로 장방형의 시트는 제 1 면 및 제 2 면을 포함하고 있다. 상기 제 1 냉각핀의 제 1, 제 2 및 제 3 탭들은 제 1 냉각핀의 실질적으로 장방형의 시트의 상단(top end)과 결합되어 있고, 제 1 냉각핀의 실질적으로 장방형의 시트로부터 제 1 방향으로 연장되어 있다. 상기 제 1 냉각핀의 제 1, 제 2 및 제 3 탭들은 제 1 냉각핀의 실질적으로 장방형의 시트에 실질적으로 수직이고 제 1 전지셀의 제 1 및 제 2 면에 실질적으로 수직으로 위치한다. 상기 제 1 냉각핀의 실질적으로 장방형의 시트의 제 1 면은 제 1 전지셀의 실질적으로 장방형의 본체의 제 1 면과 직접 대향하도록 위치하여 접촉하고 있다. 상기 전지팩은 내부 영역(interior region)을 설정하는 하우징을 더 포함하고 있다. 제 1 전지셀과 제 1 냉각핀은 상기 내부 영역에 위치한다. 상기 하우징은 제 1 전지셀의 상부 모서리(top edge) 및 상기 하우징의 상부 벽(top wall) 사이에서 내부 영역 내에 제 1 유로(flow path)를 포함하고 있어서, 상기 제 1 유로를 통해 유동하는 공기가 제 1 냉각핀의 제 1, 제 2 및 제 3 탭들과 접촉하여 제 1 냉각핀으로부터 열에너지를 전도(conduct) 함으로써 제 1 전지셀의 온도 수준을 낮추어 준다.
도 1은 본 발명의 하나의 실시예에 따른 전지팩의 모식도이다;
도 2는 도 1의 전지팩에 사용되는 제 1, 제 2 및 제 3 전지셀들 및 제 1 및 제 2 냉각핀들의 모식도이다;
도 3은 도 2의 제 1, 제 2 및 제 3 전지셀들 및 제 1 및 제 2 냉각핀들의 분해도이다;
도 4는 도 1의 선 4-4에 따른 도 1의 전지팩의 단면도이다;
도 5는 도 2에 도시된 제 1 냉각핀의 모식도이다;
도 6은 도 5의 제 1 냉각핀의 측면도이다;
도 7은 도 2에 도시된 제 2 냉각핀의 모식도이다; 및
도 8은 도 7의 제 2 냉각핀의 측면도이다.
도 1 내지 도 4를 참조하면, 하나의 실시예에 따른 전지팩(10)이 도시되어 있다. 전지팩(10)은 하우징(20), 전지셀들(30, 32, 34), 냉각핀들(40, 42), 및 전기 팬(50)을 포함하고 있다. 전지팩(10)의 장점은 전지팩(10)은 전지셀들(30, 32, 34)로부터 제 1 유로(94)를 통해 유동하는 공기로 열 에너지를 전도하기 위하여, 제 1 유로에 위치하고 전지셀들(30, 32, 34) 각각의 제 1 및 제 2 면에 실질적으로 수직으로 위치하는 적어도 제 1, 제 2 및 제 3 탭들을 이용하는 것이다. 또한, 전지셀들(30, 32, 31) 각각의 제 1 및 제 2 면들은 제 1 유로(94)에 실질적으로 수직으로 위치한다.
도 1 및 도 4를 참조하면, 하우징(20)은, 하우징(20)에 의해 설정된 내부 영역(92) 내에 전지셀들(30, 32, 34), 냉각핀들(40, 42), 및 전기 팬(50)의 수납을 제공한다. 하우징(20)은 하부 벽(80), 측벽들(82, 84, 86, 88), 및 상부 벽(90)을 포함한다. 측벽들(82, 84)은 서로 실질적으로 평행하게 위치하고, 측벽들(86, 88)과 수직으로 위치하며 연결되어 있다. 하부 벽(80)은 측벽들(82, 84, 86, 88) 각각의 하단과 연결되어 있다. 상부 벽(90)은 측벽들(82, 84, 86, 88) 각각의 상단과 연결되어 있다. 측벽(88)은 측벽(88)을 관통하여 연장되는 관통구(96)를 갖는다. 또한, 측벽(86)은 측벽(86)을 관통하여 연장되는 관통구(98)를 갖는다. 하우징(20)은 전지셀들(30, 32, 34)의 상부 모서리와 하우징(20)의 상부 벽 사이에서 내부 영역(92) 내에 제 1 유로(94)를 포함한다. 또한, 제 1 유로(94)는 냉각핀(40)의 각각의 쌍의 탭들 사이의 공간들, 및 냉각핀(42)의 각각의 쌍의 탭들 사이의 공간들에 의해 적어도 부분적으로 설정되어 있다. 나아가, 제 1 유로(94)를 통해 흐르는 공기는 냉각핀들(40, 42)로부터 열에너지를 전도함으로써 전지셀들(30, 32, 34)의 온도 수준을 낮추기 위하여 냉각핀들(40, 42)의 탭들과 접촉한다.
도 1, 3 및 4를 참조하면, 전지셀(30)은 실질적으로 장방형의 본체(110) 및 전극 단자들(112, 114)을 포함한다. 실질적으로 장방형의 본체(110)는 제 1 면(116) 및 제 2 면(118)을 포함한다. 제 2 면(118)은 제 1 면(116)과 평행한 타면에 위치한다. 실질적으로 장방형의 본체(110)는 상부 모서리(130), 하부 모서리(132), 및 측면 모서리(134, 136)를 더 포함한다. 상부 모서리(130) 및 하부 모서리(132)는 실질적으로 서로 평행하고, 상부 모서리(130) 및 하부 모서러(132)에 대해 수직으로 연장된다. 또한, 측면 모서리들(134, 136)은 실질적으로 서로 평행하게 연장된다. 전극 단자들(112, 114)은 실질적으로 장방형의 본체(110)의 측면 모서리(134)에서 제 1 유로(94)와 평행한 방향인 외측으로 연장된다. 하나의 실시예에서, 전지셀(30)은 리튬-이온 파우치형 전지셀이고, 실질적으로 장방형의 본체(110)는 실질적으로 장방형의 파우치형 본체이다.
전지셀(32)은 실질적으로 장방형의 본체(150) 및 전극 단자들(152, 154)을 포함한다. 실질적으로 장방형의 본체(150)는 제 1 면(156) 및 제 2 면(158)을 포함한다. 제 2 면(158)은 제 2 면(156)과 평행한 타면에 위치한다. 실질적으로 장방형의 본체(150)는 상부 모서리(160), 하부 모서리(162), 및 측면 모서리들(164, 166)을 더 포함한다. 상부 모서리(160) 및 하부 모서리(162)는 실질적으로 서로 평행하게 연장된다. 또한, 측면 모서리들(164, 166)은 실질적으로 서로 평행하고, 상부 모서리(160) 및 하부 모서리(162)에 대해 수직으로 연장된다. 전극 단자들(152, 154)은 실질적으로 장방형의 본체(150)의 측면 모서리(164)에서 제 1 유로(94)와 평행한 방향인 외측으로 연장된다. 하나의 실시예에서, 전지셀(32)은 리튬-이온 파우치형 전지셀이고, 실질적으로 장방형의 본체(150)는 실질적으로 장방형의 파우치형 본체이다.
전지셀(34)은 실질적으로 장방형의 본체(190) 및 전극 단자들(192, 194)을 포함한다. 실질적으로 장방형의 본체(190)는 제 1 면(196) 및 제 2 면(198)을 포함한다. 제 2 면(198)은 제 1 면(196)과 평행한 타면에 위치한다. 실질적으로 장방형의 본체는 상부 모서리(200), 하부 모서리(202), 및 측면 모서리들(204, 206)을 더 포함한다. 상부 모서리(200) 및 하부 모서리(202)는 실질적으로 서로 평행하게 연장된다. 또한, 측면 모서리들(204, 206)은 실질적으로 서로 평행하고, 상부 모서리(200) 및 하부 모서리(202)에 대해 수직으로 연장된다. 전극 단자들(192, 194)은 실질적으로 장방형의 본체(190)의 측면 모서리(204)에서 제 1 유로(94)와 평행한 방향인 외측으로 연장된다. 하나의 실시예에서, 전지셀(34)은 리튬-이온 파우치형 전지셀이고, 실질적으로 장방형의 본체(190)는 실질적으로 장방형의 파우치형 본체이다.
도 4 내지 도 6을 참조하면, 냉각핀(40)은 실질적으로 장방형의 시트(250) 및 탭들(252, 254,256, 258, 260, 262, 264, 266, 268, 270, 272, 274, 276, 278, 280)을 포함한다. 실질적으로 장방형의 시트(250)는 제 1 면(300) 및 제 1 면과 평행한 타면에 위치하는 제 2 면(302)을 포함한다. 또한, 실질적으로 장방형의 시트(250)는 상단(304), 하단(306) 및 측단들(308, 310)을 포함한다. 탭들(252 내지 280)은 실질적으로 장방형의 시트(250)의 상단(304)과 연결되어 있고 실질적으로 장방형 시트(250)로부터 제 1 방향으로 연장된다. 또한, 탭들(252 내지 280)은 실질적으로 장방형의 시트(250)에 실질적으로 수직으로 위치한다. 나아가, 탭들은(252 내지 280)은 전지셀(30)의 제 1 및 제 2 면들(116, 118)에 대해 실질적으로 수직이며, 전지셀(32)의 제 1 및 제 2 면들(156, 158)에 대해 실질적으로 수직이고, 전지셀(34)의 제 1 및 제 2 면들(196, 198)에 대해 실질적으로 수직으로 위치한다. 실질적으로 장방형의 시트(250)의 제 1 면(300)은 전지셀(30)의 실질적으로 장방형의 본체(110)의 제 2 면(118)과 직접 대향하도록 위치하여 접촉하고 있다. 실질적으로 장방형의 시트(250)의 제 2 면(302)은 전지셀(32)의 실질적으로 장방형의 본체(150)의 제 1 면(156)과 직접 대향하도록 위치하여 접촉하고 있다. 하나의 예에서, 실질적으로 장방형의 시트(250) 및 탭들(252 내지 280)은 열전도성 금속의 단일 시트에 의해 함께 일체로 형성되어 있고, 탭들은(252 내지 280)은 실질적으로 장방형의 시트(250)에 대해 수직 방향으로 구부러져 있다. 하나의 예에서, 냉각핀(40)은 알루미늄으로 이루어져 있다. 물론, 또 다른 실시예에서, 냉각핀(40)은 다른 금속들 또는 열전도성 플라스틱들로 이루어질 수 있다. 전지팩(10)의 작동 중에, 실질적으로 장방형의 시트(250)는 전지셀들(30, 32)로부터 탭들(252 내지 280)로 열에너지를 전도하고, 탭들(252 내지 280)은, 전지셀들(30, 32)을 냉각하기 위하여, 제 1 유로(94) 내에서 탭들(252 내지 280)과 접촉하며 지나가는 공기로 열에너지를 전도한다.
도 4, 7 및 8을, 냉각핀(42)은 실질적으로 장방형의 시트(350) 및 탭들(352, 354, 356, 358, 360, 362, 364, 370, 372, 374, 376, 378, 380)을 포함한다. 실질적으로 장방형의 시트(350)는 제 1 면(400) 및 제 1 면과 평행한 타면에 위치하는 제 2 면(402)을 포함한다. 또한, 실질적으로 장방형의 시트(350)는 상단(404), 하단(406) 및 측단들(408, 410)을 포함한다. 탭들(352 내지 380)은 실질적으로 장방형의 시트(250)의 상단(404)과 연결되어 있고 실질적으로 장방형 시트(350)로부터 제 1 방향으로 연장된다. 또한, 탭들(352 내지 380)은 실질적으로 장방형의 시트(350)에 실질적으로 수직으로 위치한다. 나아가, 탭들은(352 내지 380)은 전지셀(30)의 제 1 및 제 2 면들(116, 118)에 대해 실질적으로 수직이며, 전지셀(32)의 제 1 및 제 2 면들(156, 158)에 대해 실질적으로 수직이고, 전지셀(34)의 제 1 및 제 2 면들(196, 198)에 대해 실질적으로 수직으로 위치한다. 실질적으로 장방형의 시트(350)의 제 1 면(400)은 전지셀(32)의 실질적으로 장방형의 본체(150)의 제 2 면(158)과 직접 대향하도록 위치하여 접촉하고 있다. 실질적으로 장방형의 시트(350)의 제 2 면(402)은 전지셀(34)의 실질적으로 장방형의 본체(190)의 제 1 면(196)과 직접 대향하도록 위치하여 접촉하고 있다. 하나의 예에서, 실질적으로 장방형의 시트(350) 및 탭들(352 내지 380)은 열전도성 금속의 단일 시트에 의해 함께 일체로 형성되어 있고, 탭들은(352 내지 380)은 실질적으로 장방형의 시트(350)에 대해 수직 방향으로 구부러져 있다. 하나의 예에서, 냉각핀(42)은 알루미늄으로 이루어져 있다. 물론, 또 다른 실시예에서, 냉각핀(42)은 다른 금속들 또는 열전도성 플라스틱들로 이루어질 수 있다. 전지팩(10)의 작동 중에, 실질적으로 장방형의 시트(350)는 전지셀들(32, 34)로부터 탭들(352 내지 380)로 열에너지를 전도하고, 탭들(352 내지 380)은, 전지셀들(32, 34)을 냉각하기 위하여, 제 1 유로(94) 내에서 탭들(352 내지 380)과 접촉하며 지나가는 공기로 열에너지를 전도한다.
도 2 및 4를 참조하면, 냉각핀들(40, 42)은 하우징(20)의 내부 영역(92) 내에서 전지셀(32)의 실질적으로 장방형의 본체(150)의 제 1 면(156) 및 제 2 면(158)에 각각 대향하여 위치하고, 탭들(352 내지 380)은 각각의 탭들 사이에 간격이 있다. 예를 들어, 도 4를 참조하면, 냉각핀(40)의 탭(262)과 냉각핀(42)의 탭(362)은 사이에 간격을 포함하고 있다.
냉각핀(40)의 탭들(252 내지 280)은 냉각핀(42)의 탭들(352 내지 380) 각각과 실질적으로 동일 평면 상에 위치함을 주목한다.
도 4를 참조하면, 전기 팬(50)는 하우징(20)의 내부 영역(92) 내에 위치한다. 전기 팬(50)는, 공기가 측벽(88)에 있는 구멍(98)을 통과한 후, 제 1 유로(94)를 지나 측벽(86)으로 유동하게 하며, 공기는 측벽(86)의 구멍(98)에 존재한다.
본 발명에 따른 전지팩은 다른 전지팩들에 비해 실질적인 이점을 제공한다. 구체적으로, 전지팩의 이점은, 전지팩이 전지셀들로부터의 열에너지를 제 1 유로를 통해 유동하는 공기로 전도하기 위하여, 제 1 유로에 위치하고 전지팩 내의 전지셀들 각각의 제 1 및 제 2 면에 실질적으로 수직으로 위치하는 적어도 제 1, 제 2 및 제 3 탭들을 각각 갖는 냉각핀들을 사용한다는 점이다. 또한, 각각의 전지셀들의 제 1 및 제 2 면은 제 1 유로에 대해 실질적으로 수직으로 위치한다.
비록 본 발명은 단지 제한된 수의 예시에만 관련하여 구체적으로 기술되었지만, 본 발명이 상기에 표현된 예시에만 한정되는 것은 아니라는 점을 인식해야 한다. 더 정확하게는, 본 발명은 변형, 변경, 교체 또는 여기에 표현된 것뿐만 아니라 본 발명의 의도와 범주에 적합하도록 상응하는 조합으로 얼마든지 부합하도록 수정될 수 있다. 더욱이, 비록 본 발명의 다양한 예시들이 표현되었지만, 본 발명의 양상은 단지 표현된 예시의 일부만을 포함할 수 있다는 점을 인식해야 한다. 따라서, 본 발명은 상기 표현에 의해 한정되는 것은 아니다.
본 발명에 따른 전지팩은 하우징의 내부 영역 내에서 전지셀 본체의 제 1 면 및 제 2 면과 직접 대향하도록 위치하며 접촉해 있는 냉각핀을 포함하고, 상기 냉각핀은 상기 제 1 면 및 제 2 면에 실질적으로 수직으로 위치하는 탭들을 포함하는 바, 전지셀의 상부 모서리 및 하우징의 상부 벽 사이의 제 1 유로를 통해 유동하는 공기가 냉각핀의 탭들과 접촉하여 열에너지를 전도함으로써 전지셀의 온도를 낮출 수 있는 효과가 있다.

Claims (10)

  1. 제 1 면(major surface) 및 제 2 면을 가지고 있고 실질적으로 장방형의 본체(body)를 포함하는 제 1 전지셀;
    실질적으로 장방형의 시트(sheet) 및 적어도 제 1, 제 2 및 제 3 탭들(tabs)을 포함하는 제 1 냉각핀(cooling fin)으로, 상기 제 1 냉각핀의 실질적으로 장방형의 시트는 제 1 및 제 2 면들(sides)을 포함하고 있고, 상기 제 1 냉각핀의 제 1, 제 2 및 제 3 탭들은 제 1 냉각핀의 실질적으로 장방형의 시트의 상단(top end)에 결합되어 있고 제 1 냉각핀의 실질적으로 장방형의 시트로부터 제 1 방향으로 연장되어 있으며, 상기 제 1 냉각핀의 제 1, 제 2 및 제 3 탭들은 제 1 냉각핀의 실질적으로 장방형의 시트에 실질적으로 수직이고 제 1 전지셀의 제 1 및 제 2 면에 실질적으로 수직으로 위치하며, 상기 제 1 냉각핀의 실질적으로 장방형의 시트의 제 1 면은 제 1 전지셀의 실질적으로 장방형의 본체의 제 1 면과 직접 대향하도록 위치하여 접촉해 있는 구조의 제 1 냉각핀; 및
    내부 영역(interior region)을 설정하는 하우징으로서, 상기 제 1 전지셀 및 제 1 냉각핀은 상기 내부 영역 내에 위치하고, 상기 하우징은 제 1 전지셀의 상부 모서리(top edge) 및 상기 하우징의 상부 벽(top wall) 사이에서 내부 영역 내에 제 1 유로(flow path)를 포함하고 있어서, 상기 제 1 유로를 통해 유동하는 공기가 제 1 냉각핀의 제 1, 제 2 및 제 3 탭들과 접촉하여 제 1 냉각핀으로부터 열에너지를 전도(conduct) 함으로써 제 1 전지셀의 온도 수준을 낮추는 구조의 하우징;
    을 포함하는 것을 특징으로 하는 전지팩.
  2. 제 1 항에 있어서, 상기 제 1 냉각핀의 제 1, 제 2 및 제 3 탭들 각각의 수직 높이(vertical height)는 제 1 냉각핀의 실질적으로 장방형의 시트의 수직 높이보다 낮은 것을 특징으로 하는 전지팩.
  3. 제 1 항에 있어서, 상기 제 1 냉각핀의 제 1, 제 2 및 제 3 탭들은 서로 실질적으로 평행하게 위치하는 것을 특징으로 하는 전지팩.
  4. 제 1 항에 있어서,
    제 1 면 및 제 2 면을 가진 실질적으로 장방형의 본체를 포함하는 제 2 전지셀을 더 포함하고 있고;
    상기 제 2 전지셀의 제 1 면은 제 1 냉각핀의 실질적으로 장방형의 시트의 제 2 면과 직접 대향하도록 위치하여 접촉해 있는 것을 특징으로 하는 전지팩.
  5. 제 4 항에 있어서,
    실질적으로 장방형의 시트 및 적어도 제 1, 제 2 및 제 3 탭들을 포함하는 제 2 냉각핀으로서, 상기 제 2 냉각핀의 실질적으로 장방형의 시트는 제 1 면 및 제 2 면을 포함하고 있고, 상기 제 2 냉각핀의 제 1, 제 2 및 제 3 탭들은 제 2 냉각핀의 실질적으로 장방형의 시트의 상단에 결합되어 있고 제 2 냉각핀의 실질적으로 장방형의 시트로부터 제 1 방향으로 연장되어 있으며, 상기 제 2 냉각핀의 제 1, 제 2 및 제 3 탭들은 제 2 냉각핀의 실질적으로 장방형의 시트에 실질적으로 수직이고 제 2 전지셀의 제 1 및 제 2 면에 실질적으로 수직으로 위치하며, 상기 제 2 냉각핀의 실질적으로 장방형의 시트의 제 1 면은 제 2 전지셀의 실질적으로 장방형의 본체의 제 2 면과 직접 대향하도록 위치하여 접촉해 있는 구조의 제 2 냉각핀; 및
    제 1 면 및 제 2 면을 가진 실질적으로 장방형의 본체를 포함하고 있는 제 3 전지셀;
    을 더 포함하고 있고,
    상기 제 3 전지셀의 제 1 면은 제 2 냉각핀의 실질적으로 장방형의 시트의 제 2 면과 직접 대향하도록 위치하여 접촉해 있는 것을 특징으로 하는 전지팩.
  6. 제 5 항에 있어서, 상기 제 1 냉각핀의 제 1, 제 2 및 제 3 탭들은 제 2 냉각핀의 제 1, 제 2 및 제 3 탭들 각각과 실질적으로 평면 상으로 연장되어 있는 것을 특징으로 하는 전지팩.
  7. 제 6 항에 있어서, 상기 제 1 냉각핀의 제 1 탭과 제 2 냉각핀의 제 1 탭 사이에 간격이 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 전지팩.
  8. 제 1 항에 있어서, 상기 제 1 전지셀은 파우치형 리튬 이온 전지셀이고, 실질적으로 장방형의 본체는 실질적으로 장방형 파우치형 본체인 것을 특징으로 하는 전지팩.
  9. 제 1 항에 있어서, 상기 제 1 전지셀은 실질적으로 장방형의 본체로부터 외측으로 연장된 제 1 및 제 2 전극 단자들을 더 포함하고 있고, 상기 제 1 및 제 2 전극 단자들은 제 1 유로와 평행한 방향으로 연장되어 있는 것을 특징으로 하는 전지팩.
  10. 삭제
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